JP4610863B2 - フォトニック結晶構造を使用するled効率の改良 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオードに関し、更に詳しくは、フォトニック結晶構造を有する発光ダイオードに関する。
【0002】
【従来の技術】
発光ダイオード(LED)は、技術的及び経済的に有利な半導体光源である。LEDは、高輝度の光を確実にもたらすことができ、従って過去数十年の間に、平面パネルディスプレイ、交通信号灯、及び、光通信を含む数多くの用途において重大な役割を果たすようになってきた。LEDは、順方向にバイアスされるp−n接合を含む。電流によって駆動された時、電子及び正孔が接合領域内に注入され、そこでそれらは再結合し、光子を発することによってそれらのエネルギを解放する。LEDの品質は、例えば、LEDチップ内で発生した所定数の光子に対して、発せられた光の強度を測る抽出効率によって特徴付けることができる。抽出効率は、とりわけ、発せられた光子が屈折率の高い半導体媒体の壁で多重内部全反射を受けることによって制限される。その結果、発せられた光子は自由空間の中に逃げず、一般的に30パーセントよりも低い悪い抽出効率をもたらす。
【0003】
過去30年において、LEDの抽出効率を高めるために様々な手法が提案されてきた。抽出効率は、立方体、円筒形、ピラミッド形、及び、ドーム形状を含む適切な幾何学的形状を創出することで、例えば、発せられた光子が逃げることができる空間的角度を拡大することによって増大させることができる。しかし、これらの幾何学形状のいずれも、全反射による損失を完全に解消することはできない。
【0004】
損失の更なる原因は、LEDと周囲媒体との間の屈折率の不一致によって引き起こされる反射である。このような損失は、反射防止コーティングで低減することができるであろうが、反射の完全な相殺は、特定の光子エネルギ及び1つの入射角においてのみ達成することができる。
【0005】
J.Joannopoulos他に付与された「周期的誘電構造を利用する発光素子」という名称の米国特許第5,955,749号では、抽出効率を高めるという問題への手法が説明されている。米国特許第5,955,749号によれば、発光ダイオードの半導体層に穴の格子を形成することによってフォトニック結晶が作り出される。穴の格子は、周期的に変調される誘電率を有する媒体を作り出し、その媒体を通る光の伝播の仕方に影響を与える。発光ダイオードの光子は、光子のエネルギと波長との関係を説明するそれらのスペクトル又は分散関係によって特徴付けることができる。フォトニック結晶のスペクトルは、2つのクラスから成る。放射クラスの光子は、自由空間の光子のスペクトルに一致するエネルギ及び波長を有し、その結果、放射光子は、発光ダイオードから逃れることができる。一方、誘導クラスの光子は、自由空間の光子のスペクトルに一致しないエネルギ及び波長を有し、従って、誘導された光子は発光ダイオードに補足される。この誘導光子は、内部全反射を受ける上述の光子と類似のものである。
【0006】
フォトニック結晶における誘導光子のスペクトルは、結晶格子における電子のスペクトルと類似の、バンドギャップによって分離されたエネルギバンド又はフォトニックバンドから成る。バンドギャップにエネルギを有する誘導光子は、フォトニック結晶に伝播することはできない。これとは対照的に、放射光子のスペクトルは連続であり、従ってギャップはない。一般的なLEDにおける再結合プロセスによって、明確なエネルギを有する光子が発せられる。従って、発せられた光子のエネルギがフォトニック結晶のバンドギャップ内に入るようにフォトニック結晶がLEDに形成された場合、誘導光子はこのようなエネルギを有して存在することができないので、全ての発せられた光子は放射光子として発せられる。上述のように、全ての放射光子はLEDから逃れることができるので、このように設計することによりLEDの抽出効率は増大する。
【0007】
光の発生を目的としたフォトニック結晶の有用性を探究するために、米国特許第5,955,749号は、フォトニック結晶素子の理論的構造の部分的説明を与えている。
【0008】
米国特許第5,955,749号では、n型ドープ層、活性層、p型ドープ層、及び、これらの層に形成された穴の格子が説明されている。しかし、米国特許第5,955,749号の装置は作動するようにはされておらず、従ってLEDではない。第一に、フォトニック結晶LED(PXLED)がうまく動作するためには電子が必要とされるが、電子については説明されていない。通常のLEDにおける電極の製作は、当業技術で公知である。しかし、PXLEDについては、電極の製作、及び、PXLEDの作動に及ぼす電極の影響のいずれについても明白というわけではない。例えば、電極層のマスクを穴格子と適切に位置合わせするには、新しい製作技術が必要とされるであろう。また、電極は、発せられた光子の一部分を反射してLED内に戻し、発せられた光の別の部分を吸収するので、一般的に抽出効率を低減すると考えられている。
【0009】
第二に、米国特許第5,955,749号では、GaAsからフォトニック結晶発光素子を製作することを提案している。GaAsは、確かに、通常のLEDを製作する上で便利であり、従って一般的な材料である。しかし、それは、例えばアカデミック・プレス(1992年)出版の「複合半導体素子物理」においてS・ティワリによって説明されているように、約106cm/secという高い「表面再結合速度」を有する。この表面再結合速度は、ダイオード表面上での電子及び正孔の再結合の速度を表すものである。電子及び正孔は、LEDの接合領域に存在し、それぞれ、n型ドープ層及びp型ドープ層から来たものである。電子及び正孔が半導体ギャップに亘って再結合した時、その再結合エネルギは光子の形で放射され、光を発生させる。しかし、電子及び正孔がギャップでの中間電子状態を通して再結合した時、その再結合エネルギは光子ではなく熱の形で放射され、LEDの発光効率が低減される。理想的な結晶では、ギャップに状態は存在しない。また、今日の高純度半導体結晶においては、大部分の材料においてギャップに状態はほとんど存在しない。しかし、半導体の表面上には、一般的に多くの表面状態及び欠陥状態が存在し、その多くはギャップ内である。従って、表面近傍にある電子及び正孔の多くの部分は、これらの表面状態及び欠陥状態を通して再結合することになる。この表面再結合によって光ではなく熱が発生し、LEDの効率がかなり低減される。
【0010】
このような問題は、通常のLED構造に対しては重大な効率の損失をもたらさない。しかし、PXLEDは多数の正孔を含み、従って、通常のLEDよりも遥かに大きな表面積を有する。従って、表面再結合は、PXLEDの効率をフォトニック結晶構造のない同じLEDの効率よりも低く低減させることができる場合があり、フォトニック結晶構造の形成を無意味なものにする。GaAsは、高い表面再結合速度を有することから、フォトニック結晶LEDの製作に関して有望な候補ではない。この問題の重大性は、本出願者の知る限り、活性領域近傍のフォトニック結晶を有する作動LEDは、GaAsを用いて抽出又は内部効率の向上を主張する文献にこれまで報告されていないという事実が反映している。特に、米国特許第5,955,749号では、フォトニック結晶LEDの順調な作動については説明されていない。また、米国特許第5,955,749号では、LEDの内部効率に影響を与える可能性がある発光プロセスに及ぼすフォトニック結晶の影響については説明されていない。
【0011】
上述の理由からフォトニック結晶は光抽出に関して有望であるが、そのデザインには問題がある。半導体のスラブに形成された穴格子に関する実験を説明するいくつかの論文がある。バンドギャップの光子エネルギでの抽出速度の向上は、「2次元フォトニックバンドギャップ結晶スラブからの変更された自然発光」(米国光学学会誌B、第17巻、1438ページ、2000年)においてR・K・リー他によって報告されている。リー他は、発光デザインにおけるフォトニック結晶の抽出上の利点を示しているだけでなく、フォトニック格子が自然発光に影響を与える可能性があるということを示している。しかし、リー他は、このデザインを用いて発光素子を形成及び作動させる方法を示していない。フォトニック結晶LEDは、電極を含むことにより、リー他の発光デザインから形成することができる。しかし、電極の追加は、抽出及び自然発光に実質的な影響を及ぼすことになる。この影響は未知であるから、LEDの設計において無視することができない。リー他のデザインはこのような電極を含まないので、そのデザインから形成されるLEDの全体的特性は明らかではない。これによって、リー他のデザインの有用性が疑問視されている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
従って、作動的フォトニック結晶LEDを製作する新しいデザインに対する必要性が存在する。この必要性には、十分に低い表面再結合速度を有する新しい材料の導入が含まれる。この必要性はまた、自然発光率の低減及び電極による反射のような予測される逆効果を相殺するデザインにまで広がる。最後に、電極の製作を含むフォトニック結晶LEDの製作に関する技術を説明する必要性が存在する。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、フォトニック結晶発光ダイオードが提供される。PXLEDは、n型ドープ層と、発光活性層と、p型ドープ層と、n型ドープ層及びp型ドープ層のための電極とを含む。フォトニック結晶は、活性層の近傍まで又は活性層を通って遠くまで延びる、活性層における又はドープ層の1つにおける周期的な構造として形成される。一実施形態においては、この周期的な構造は、穴の二次元格子である。穴は、円形、正方形、又は、六角形の断面を有することができる。穴は、空気又は誘電体で充填することができる。別の実施形態においては、周期的な構造は一次元においてのみ周期的であり、その例は一組の平行な溝である。別の実施形態において、PXLEDの誘電率は、半導体層の平面内の一方向又は二方向で変化することができる。別の実施形態においては、選択された層の厚みは、半導体層の平面内の一方向又は二方向で変化することができる。
【0014】
穴格子を特徴付けるパラメータには、格子定数、穴の直径、穴の深さ、及び、穴内の誘電体の誘電率が含まれる。いくつかの実施形態においては、バンドの縁部近傍では光子の状態密度が大きいので、これらのパラメータは、発せられた光の波長がフォトニック結晶のエネルギバンドの縁部近傍にあるように選ばれる。再結合エネルギは、状態密度の大きい光子を通す方がはるかに効率的に放出することができる。従って、バンドの縁部近傍のエネルギを有する光を発する本発明の実施形態において、その発せられた出力は、周期的構造を持たない同じLEDによって発せられた出力を最大約8倍まで超えることができる。この向上は、PXLEDの効率を高めてその発せられた出力を増加させる本発明の実施形態における金属電極層の存在に関連付けることができる。
【0015】
本発明の実施形態は、窒素と、ガリウム、アルミニウム、又は、インジウムのようなIII族元素とを含むIII−窒素化合物から形成される。III−窒素化合物は、「応用物理学会誌」(第87巻、3497ページ、2000年)掲載のM・ボロディツキ他の論文によれば、その表面再結合速度がGaAsの十分の一よりも遅いために使用されている。上述のように、表面再結合速度が遅いと、フォトニック結晶構造を持たない通常のLEDの効率を上回るほどPXLEDの効率を上げることができ、「GaN PXLED」が光発生効率の改善に向けた技術的及び経済的に実行可能な候補になっている。
【0016】
更に、「GaN LED」は、スペクトルの青色及び緑色の領域において光を発生させる主な候補であり、従って、それらの効率の増加が非常に望まれている。最後に、「GaN LED」の外部量子効率は10パーセントの近傍である場合が多いので、フォトニック結晶の形成は、「GaN LED」の効率を実質的に改良することができる。本明細書においては、外部量子効率は、内部量子効率と抽出効率との積である。
【0017】
PXLEDの新しい構造では、新規な製作技術が用いられる。本発明のいくつかの方法では、n型ドープ層、n型ドープ層の上に重なる活性層、活性層の上に重なるp型ドープ層、及び、p型ドープ層の上に重なるp型電極層を形成することによりPXLEDを製作する。いくつかの実施形態において、n型ドープ層、活性層、及び、p型ドープ層は、1つ又はそれ以上の層を含むことができる。次に、パターン化されたマスク層は開口部を有して形成され、p型ドープ層の上に重なっている。このマスク層の開口部を通ってp型電極層及びその下にある半導体層が取り除かれ、適切に決められた断面を有する穴の格子を形成する。最後にマスク層が取り除かれ、n型電極層がn型ドープ層上に堆積される。
【0018】
本発明のいくつかの方法においては、開口部を有するパターン化されたマスク層を基板上に形成することによりPXLEDが作製される。次に、マスク層の上に重なるn型ドープ層、n型ドープ層の上に重なる活性層、活性層の上に重なるp型ドープ層、及び、p型ドープ層上のp型電極層を形成するために、エピタキシャル横方向過度成長技術(ELOG)が用いられる。ELOG技術によって、欠陥密度が低い半導体層が作製され、PXLEDの性能及び信頼性が改善される。第2の基板が電極層上に形成され、第1の基板は、マスク層を露出させるために取り除かれる。次に、穴格子を形成するために、半導体層がマスク層の開口部を通して少なくとも部分的に取り除かれる。最後に、マスク層がp型電極層として使用され、n型電極層がn型ドープ層上に形成される。
【0019】
本発明のいくつかの方法においては、第1のマスク層を基板上に形成することによりPXLEDが作製される。次に、マスク層の上に重なるn型ドープ層、n型ドープ層の上に重なる活性層、及び、活性層の上に重なるp型ドープ層を形成するために、エピタキシャル横方向過度成長技術が用いられる。次に、第1のマスク層の開口部に亘る光の回折を利用し、「タルボット」効果を用いて、p型ドープ層の上に重なる第2のパターン化されたマスク層が形成される。次に、穴格子を形成するために、半導体層が第1のマスク層の開口部を通して少なくとも部分的に取り除かれる。最後に、n型ドープ層及びp型ドープ層の両方に対して電極層が形成される。
【0020】
【発明の実施の形態】
図1は、フォトニック結晶LED(PXLED)100の実施形態を示す。第1の電極層104は、実質的に反射性の厚い金属から形成される。いくつかの実施形態において、第1の電極層104は基板の役目も果たす。いくつかの実施形態においては、第1の電極層104は、基板の上に重ねることができる。第1の電極層104を形成するのに、Au、Al、Ag、及び、大量にドープされた半導体を含む、多くの異なる金属を使用することができる。n型ドープ層108は、第1の電極層104の上に重なる。活性層112は、n型ドープ層108の上に重なる。p型ドープ層116は、活性層112の上に重なる。最後に、第2の電極層120は、p型ドープ層116の上に重なる。半導体層108、112、及び、116は、エピ層124といわれることが多い。本出願全体に亘って、「層」という用語は、単一の半導体層又は多層構造のいずれも示すことができ、多層における個々の層は、ドーパント濃度、合金組成、又は、他の何らかの物理特性が異なっている。
【0021】
活性層112は、n型ドープ層108の電子がp型ドープ層116の正孔と再結合して光子の形で再結合のエネルギを発する接合領域を含む。活性層112は、光子の発生を最適化するために量子井戸構造を含むことができる。多くの異なる量子井戸構造は、例えば、1997年にアソシエーテッド・プレスから出版された「高輝度発光ダイオード」におけるG・B・ストリングフェロー及びM・ジョージ・クローフォードによるものなど、文献にその説明がある。
【0022】
PXLEDのフォトニック結晶は、周期的な構造をLEDに形成することによって作製される。周期的な構造は、交替する最大値及び最小値を伴うp型ドープ層116の厚みの周期的変動を含むことができる。一例は、穴122−iの平面格子であり、整数iは穴を指し示す。本実施形態においては、穴122−iはスルーホールであり、n型ドープ層108、活性層112、及び、p型ドープ層116において形成される。いくつかの実施形態においては、穴122−iは、p型ドープ層116及び活性層112において形成される。いくつかの実施形態においては、穴122−iは、p型ドープ層116においてのみ形成され、活性層112の近傍まで延びる。例えば、穴122−iは、p型ドープ層116において、発せられた光の1波長以内で活性層112から延びることができる。いくつかの実施形態において、周期的な構造の周期と発せられた光の空気中の波長との比は、約0.1から約5の範囲である。周期対波長の比が0.1から5の範囲にある実施形態において、フォトニック結晶の形成は、PXLED100の効率に大きな影響を与える場合がある。
【0023】
穴122−iは、円形、正方形、六角形、及び、いくつかの他の種類の断面を有することができる。また、穴122−iは、空気か、又は、エピ層124の誘電率と異なる誘電率εhの誘電体で充填することができる。可能性のある誘電体には、酸化ケイ素が含まれる。
【0024】
図2は、本発明の別の実施形態を示す。PXLED100は、ホスト基板102上に形成され、n型ドープ層108がホスト基板102の上に重なり、活性層112がn型ドープ層108の上に重なり、p型ドープ層116が活性層112の上に重なり、第2の電極層120がp型ドープ層116の上に重なる。この実施形態において、n電極層104は、n型ドープ層108のフォトニック結晶から離れた区域の上に重なって形成され、n電極層104の製作を技術的に簡単にする。このような実施形態の製作は、本明細書においてその全内容が引用により組み込まれる、例えば、D.Steigerwald他に付与された「発光素子の電極構造」という名称の米国特許第6,307,218号B1に説明されている。
【0025】
図3は、穴122−iの三角形格子として形成されたフォトニック結晶構造を示す。この格子は、穴122−iの直径d、最も近い隣の穴の中心間の距離を示す格子定数a、穴の深さw(例えば、図1に示すもの)、及び、穴に配置された誘電体の誘電率εhによって特徴付けられる。このPXLEDパラメータa、d、w、及び、εhは、バンドの状態の密度、特に、フォトニック結晶のスペクトルのバンド縁部における状態の密度に影響を与える。
【0026】
穴122−iの格子の格子構造はまた、効率に影響を与える。様々な実施形態において、穴122−iは、正方形、六角形、蜂の巣、及び、他の公知の二次元格子を形成する。
【0027】
図4は、図1の特定実施形態の効率を示す。効率の指標は、図1の特定実施形態に関連して説明されることになるが、類似の実施形態においては、効率指標が類似の挙動を示す。図1のこの特定実施形態において、エピ層124は、元素Al、Ga、In、及び、Nの適切に選択された合金の化学量論を用いることによりAlGaInNから作られる。n型ドープ層108は、シリコンでドープされ、p型ドープ層116は、マンガンでドープされる。n型ドープ層108及びp型ドープ層116は、活性層112内への効率的な担体注入に対して設計される。活性層112は、InGaN層を含み、量子井戸を形成し、より低いIn濃度を有するn型InGaN層の間に挟まれる。発せられた光の波長λは、In濃度及び量子井戸の厚みを適切に選択することによって調節することができる。第1及び第2の電極層104及び120は、Ag、Al、及び、Auベースの電極材料を含む、反射性が高くて損失が少ない材料で形成される。格子は、図3に示すような三角形格子である。エピ層124の全厚は、0.375aと2aとの間であり、穴の直径dは0.72aである。第1の電極104は、a又はそれ以上の厚みを有し、第2の電極120は、0.03aの厚みを有する。活性層112の位置は、エピ層124の中心から0.0625a離れており、第1の電極層104に近い。PXLED100の効率は、活性層112の位置に敏感である。
【0028】
図4は、図1の上述の特定実施形態の効率の2つの指標を示す。実線は相対発光量を示し、破線は抽出効率を示す。相対発光量は、フォトニック結晶構造を有するLEDによって光の形態で発せられた総出力を、周期的な構造を持たない同じLEDによって発せられた総出力で割った比として定義される。効率の指標は、図4において光子周波数νの関数としてc/aによって正規化されて示されており、cは空気中の光の速度、aは格子間隔である。光子周波数ν及び光子エネルギEは、hをプランクの定数として公知の関係E=hνで関係付けられる。図4に示すように、相対発光量は、ν/(c/a)=0.70の値の近傍で最大値を示す。PXLED100の相対発光量は、フォトニック結晶構造を持たない同じLEDの相対発光量と比較すると、最大値において約8倍である。PXLED100の抽出効率は、周波数の関数として相対的に平坦である。PXLED100の全体効率は、これらの量の積に比例するものであり、PXLED100のパラメータが適切に選択された場合には、LEDにおいてフォトニック結晶を形成すると全体効率、従って発せられる出力が向上することを示している。
【0029】
この実施形態において、格子は、発せられた光の周波数又はその近傍で相対発光量の最大値、従って全体効率が発生するように設計される。図4の実施形態において、相対発光量の最大値は、周波数ν=0.7(c/a)の近くで発生する。従って、活性層が波長λの光を発するPXLEDにおいては、相対発光量の局所的最大値は、フォトニック結晶の格子間隔aが約0.7λの場合には、発せられた光の周波数と実質的に一致することになる。ここでは、λν=cという関係が波長λ及び周波数νを結びつけるために使用されている。例えば、発せられた光の波長λが530nmの場合、格子間隔は371nmである。
【0030】
バンド構造及び対応する状態密度の分析によって、上記の出力向上は、バンド縁部近傍のエネルギで起こることがわかっている。光子の密度は、バンド縁部近傍で大きい。自然発光の比率は、状態密度に比例する。従って、状態密度が大きいと自然発光の比率が向上する。従って、実施形態は、発せられた光のエネルギがバンド縁部近傍にあり、その結果、PXLEDの効率が向上するように設計される。更に、PXLEDパラメータa、d、w、及び、εhと、電極層のデザインとは、同じく抽出効率を向上させるように選択することができ、PXLEDの全体効率を最大限にする。PXLEDの効率は、電極層の存在及びそのデザインにかなり敏感であることを示している。
【0031】
他の実施形態において、格子間隔の一般的な値は、約0.1λと約10λとの間、好ましくは約0.1λと約4λとの間にある。穴の直径dの一般的な値は、約0.1aと約0.5aとの間にある。穴の深さwの一般的な値は、ゼロとエピ層124の全厚との間にある。最後に、εhは、一般的に1と約16との間にある。
【0032】
エピ層124が約2a又はそれ以上の全厚を有する実施形態において、相対発光量の最大値は、2から3倍ほど小さい。これらの実施形態においては、最大値の方が電極層104及び120の有無によって受ける影響は小さい。
【0033】
電極層が屈折率nの十分に大きな虚部のような十分な散逸性を有する実施形態においては、設計パラメータは、上述の値とはかなり異なる場合がある。発光量の効率は、発せられた光の偏光に左右される。しかし、穴の蜂の巣格子を有するPXLEDは、偏光に鈍感な発光効率を有する光を発することができる。
【0034】
図5Aは、図2の実施形態の効率の2つの指標を示す。効率の指標は、図2の特定実施形態に関連して説明されることになるが、類似の実施形態においては、効率の指標は類似の挙動を示す。図2の実施形態において、エピ層124は、穴122−iにおいて部分的に取り除かれるに過ぎない。穴122−iの深さは、この特定実施形態において2aである。図3のこの特定実施形態においては、エピ層124の全厚は約2aよりも大きく、例えば6aである。空気が充填されている穴は、約0.72aの直径dを有し、穴の深さは約2aである。類似の結果は、約0.3aと約aとの範囲にある穴の直径に当てはまる。第2の電極層120は、約0.09aの厚みを有し、活性層112は、約0.5aの厚みで形成される。
【0035】
図5Aは、図2の上述の特定実施形態の効率の2つの指標を示す。ここでもまた、実線は相対発光量を示し、破線は抽出効率を示す。図4と類似して、相対発光量は、周波数約ν=0.325(c/a)で最大値約2.7を有する向上を示す。更に、この実施形態においては、図4と異なり、抽出速度も周波数の関数として変動している。特に、抽出速度は、0.3(c/a)から0.45(c/a)の範囲、及び、0.65(c/a)の近くで幅広い最大値を示す。
【0036】
図5Bは、図5Aにおける2つの量である抽出効率及び相対発光量の積を示す。上述のように、PXLEDの全体効率は、この積に比例する。図5Bで示すように、この実施形態の発せられた出力は、ここでもまた、フォトニック結晶構造を持たない対応するLEDのそれよりも大きい。
【0037】
図5Bによれば、全体効率は、約ν=0.325(c/a)及び約ν=0.63(c/a)の正規化周波数で最大であることを示す。従って、活性層が波長λを有する光を発するPXLEDにおいて、相対発光量の局所的最大値は、フォトニック結晶の格子間隔aが約a=0.325λ、又は、約a=0.63λである場合、発せられた光の周波数と実質的に一致することになる。ここでもまた、関係λν=cが波長λ及び周波数νを結びつけるために使用される。例えば、発せられた波長λが530nmである場合、格子間隔は、約172nm又は約334nmになるように適切な選択することができる。
【0038】
いくつかの実施形態は、ある周波数において共振挙動を示す。これらの共振周波数において、発光のパターンは、他の周波数の発光とは異なる可能性がある。
例えば、周波数ν/(c/a)=0.54の近傍においては、図2の実施形態は、その出力を第1の電極層ではなくて、ほとんど第2の電極層に向かって放射し、最小の抽出効率をもたらす。この最小値の存在は、ここでもまた、電極層の重要性を強調している。発生した光の多くの部分を選択された方向に発するPXLEDを設計するのにこの効果を使用することができる。
【0039】
電極層104及び120が屈折率nの大きな虚部のような実質的な散逸性を有する実施形態において、設計パラメータは、上述の値とかなり異なる場合がある。
【0040】
周期的な構造は、既に形成された二次元の周期的構造の他に、1つ又はそれ以上の選択された半導体層の誘電率の変動をそれらの層の平面に垂直な方向に作り出すことによって三次元にすることができる。これは、例えば、選択された半導体層内に、交替式に2つの異なる合金混合物を有するいくつかの構造層を形成することによって達成することができる。
【0041】
いくつかの実施形態において、周期的構造は、1つ又はそれ以上の選択された半導体層の厚みの変動である。この周期的構造は、半導体層の平面内の一方向に沿う厚みの変動を含むことができるが、変動のない第2の方向に沿っても延びて実質的に一組の平行な溝を形成する。厚みの二次元の周期的変動には、凹部の様々な格子が含まれる。
【0042】
本実施形態及び以下の更なる実施形態は、n型ドープ層が最初に堆積され、p型ドープ層がn型ドープ層の上に重なって形成されるように説明されるが、p型ドープ層が最初に堆積され、n型ドープ層がp型ドープ層の上に重なって形成される逆のアーキテクチャを有するLEDもまた、本発明の範囲内にあると理解される。
【0043】
上述の通り、表面再結合速度が遅い半導体は、PXLEDを形成する上で有望な候補である。中間ギャップ状態を通して表面で再結合する電子及び正孔は、光ではなく熱の形でそれらのエネルギを放つ。従って、表面は、電流シンクとして作用し、PXLEDの効率を低減してしまう。効率の低減は、GaAsのような表面再結合速度が速い半導体で形成されたPXLEDにおいては大きい。実際に、GaAs製PXLEDの効率は、同じアーキテクチャであるがフォトニック結晶構造を持たないGaAs製PXLEDの効率を下回るほど低減される可能性がある。このような理由から、PXLEDをGaAsで作製しても大きな利点が得られない。
【0044】
これとは対照的に、GaN製LEDにおいてフォトニック結晶構造を形成すると、GaNはGaAsよりも表面再結合速度がはるかに遅いために、GaN製LEDの効率が大幅に上がる可能性がある。
【0045】
従って、本発明の実施形態においては、エピ層124は、表面再結合速度が遅い半導体から形成される。適切な選択肢には、窒素と、ガリウムのようなIII族元素とから形成されたIII−窒素化合物半導体が含まれる。この選択の利点は、GaAsの表面再結合速度が約106cm/secであり、一方、GaNの表面再結合速度は約3x104cm/secであることに留意することによって認めることができる。表面再結合速度が遅いために、表面再結合プロセスは、GaNにおいてはGaAsよりも遥かに弱いものになる。更に、GaN内の担体の拡散距離もまた、GaAsよりもはるかに短い。従って、LED横断中に表面上に拡散する担体数は、GaNにおいてはGaAsよりもはるかに少ない。拡散によって表面に到達する担体数が少ないために、既に弱い表面再結合プロセスが更に弱くなる。
【0046】
III−窒素化合物LEDはまた、AlGaN、InGaN、又は、それらの組み合わせを用いて形成することができる。
【0047】
PXLEDの新しい構造は、新しい方法で作製することができる。図6Aから図6Dまでは、PXLEDを作製する方法を示す。
【0048】
図6Aは、例えばサファイアとすることができるホスト基板102上にPXLED100を形成する段階を示す。n型ドープ層108、活性層112、p型ドープ層116、及び、第2の電極層120は、通常の堆積技術を用いて形成する。マスク層128は、第2の電極層120の上に重なるように形成される。
【0049】
図6Bは、電子ビームリソグラフィ、ナノ・インプリントリソグラフィ、深部X線リソグラフィ、干渉法リソグラフィ、高温エンボス加工、又は、マイクロコンタクト印刷法のような高解像度リソグラフィ技術を用い、マスク層128内に開口部130−iの格子をパターン化する段階を示す。
【0050】
図6Cは、マスク層128の開口部130−iの格子に対応するエピ層124を少なくとも部分的に取り除く段階を示す。図6Cにおいて、n型ドープ層108は、部分的に取り除くに過ぎない。ほぼ垂直な壁は、ドライエッチング技術を用いて達成することができる。ドライエッチングによって引き起こされる損傷は、その後の短時間のウェット化学エッチング、焼き鈍し、その組み合わせ、又は、他の表面不活性化技術によって軽減することができる。
【0051】
図6Dは、マスク層128を取り除く段階を示す。この段階は、第2の電極層120を露出させるものであり、従ってp型ドープ層116との電気接触をもたらすために使用することができる。最後に、p型ドープ層116と活性層112とが取り除かれたn型ドープ層108の領域上に第1の電極層104が形成される。いくつかの実施形態においては、n型ドープ層108は、その領域において既に同様に部分的に取り除かれている。第1の電極層104は、フォトニック結晶構造で置換されたn型ドープ層108の領域で形成することができ、その作製を容易にしている。第1の電極層104の形成に関する横方向のコンパクトな形状は、D.Steigerwald他に付与された「発光素子の電極構造」という名称の米国特許第6,307,218号B1で説明されている。
【0052】
LEDにおいて、電流は、第1の電極層104と第2の電極層120との間を流れる。上述の実施形態においては、第1の電極層104と第2の電極層120とは、水平方向に取り除かれた区域に形成されるので、電流の流れは実質的に水平な経路を含む。
【0053】
いくつかの実施形態において、ホスト基板102は良導体であり、従って、第1の電極層104は、ホスト基板102上に直接堆積させることができる。これらの実施形態において、電流の経路は、エピ層124を横切って実質的に垂直である。
【0054】
いくつかの実施形態は、発生する光の大部分をホスト基板102を通して発生し、他の実施形態は、LEDの上部と呼ぶこともあるホスト基板102と反対の側を通して光の大部分を発生する。基板発光PXLEDにおいて、ホスト基板102は、実質的に透明な材料から形成され、第2の電極層120は、実質的に反射性又は不透明の材料から形成される。上部発光PXLEDにおいては、ホスト基板102は、実質的に反射性又は不透明の材料から形成される。いくつかの実施形態において、反射層は、ホスト基板102上に堆積される。
【0055】
図6Eは、ホスト基板102が導体であるいくつかの実施形態において、第1の電極層104をエピ層124の反対側に当たるホスト基板102の側に形成することができることを示す。これらの実施形態において、電流経路は、PXLED100全体を横切って実質的に垂直である。
【0056】
図7Aから図7Fまでは、PXLEDを作製する別の方法を示す。このエピタキシャル横方向過度成長(ELOG)技術は、例えば、GaNベースのLEDのようなIII−窒素化合物ベースの半導体構造には有用であるとすることができる。GaN半導体は、割れ及び転移を含む欠陥の集中度が異常に大きい。このように欠陥集中度が高いと、信頼性不良、効率低下、及び、輝度減少をもたらす可能性がある。欠陥の多くは、成長基板の表面によって凝集される。ELOG技術によって、この欠陥集中が軽減され、上述の有害な影響が大幅に低減される。
【0057】
図7Aは、マスク層128を第1基板102上に形成する段階を示す。開口部130−iの格子は、電子ビームリソグラフィ、ナノ・インプリントリソグラフィ、深部X線リソグラフィ、干渉法リソグラフィ、高温エンボス加工、又は、マイクロコンタクト印刷法のような高解像度リソグラフィ技術によってマスク層128に形成することができる。
【0058】
図7Bは、第1基板102及びマスク層128の上に重なるn型ドープ層108を形成する段階を示す。活性層112は、n型ドープ層108の上に重なるように形成し、p型ドープ層116は、活性層112の上に重なるように形成する。ELOG技術の特徴は、n型ドープ層108の成長が主として開口部130−iの格子を通して第1基板102から始まるということである。従って、成長するn型ドープ層108は、マスク層128からまっすぐ上に成長するのではなく、横に広がって領域138−i内に至る。
【0059】
欠陥は、一般的に第1基板102によって凝集され、従って、主として開口部130−iの格子から発することになる。n型ドープ層108の成長が広がって領域138−i内に及ぶと、欠陥及び転位が終了し、過度成長領域において互いに消滅させる傾向がある。従って、欠陥の濃度は、開口部130−iの格子の真上にある欠陥が多い領域134−iにおいて高いことになり、一方、欠陥の濃度は、開口部130−iの格子間の欠陥の少ない領域138−iでは低いことになる。
【0060】
図7Cは、p型ドープ層116の上に重なる、結合層121及び第2基板142を形成する段階を示す。結合層121は、エピ層124を第2基板142に結合する。
【0061】
図7Dは、レーザ・リフトオフ又はエッチング技術を用いて第1基板102をエピ層124から取り除く段階を示す。
【0062】
図7Eは、マスク層128を用いてエッチング手順により穴122−iを形成する段階を示す。例えば、ドライエッチングを用いて、確実に穴122−iの壁がほぼ垂直になるようにすることができる。マスク層128の開口部130−iは、欠陥が多い領域134−iと位置合わせされる。従って、エッチング段階によって欠陥密度が高い領域が取り除かれる。従って、欠陥が少ない領域138−iにおいて形成されたエピ層124のみがこのエッチング段階によって残り、欠陥密度が低い、従って高品質なPXLED100が得られる。
【0063】
図7Fは、マスク層128を取り除き、第1の電極層104を欠陥が少ない領域138−iの上に形成する段階を示す。第1の電極層104は、例えば、斜めからの堆積によって形成することができる。この技術によって、穴122−iの内側への接点材料の堆積が最小限に抑えられる。第2の電極層120は、水平に取り除かれた区域で形成することができる。
【0064】
いくつかの実施形態においては、マスク層128自体が第1の電極層104の役目をすることができる。これらの実施形態においては、マスク層128は取り除かれない。
【0065】
基板発光PXLEDにおいては、結合層121は、実質的に透明であり、例えば酸化スズインジウム(ITO)から形成することができる。第2の基板142も実質的に透明であり、例えば、サファイア、炭化ケイ素、又は、ガラスから形成される。第1の電極層104は、実質的に反射性又は不透明であり、例えば、Ag、Al、又は、Auから形成される。
【0066】
上部発光PXLEDにおいては、結合層121及び第2基板142の少なくとも一方は、実質的に反射性又は不透明である。結合層121又は第2基板142は、例えば、上に重なる実質的に反射性の層を形成することによって反射性にすることができる。
【0067】
図8Aから図8Gは、PXLEDを作製する関連方法を示す。図8Aから図8Dまでに示す段階は、図7Aから図7Dまでと同じである。
【0068】
図8Eは、感光層148を形成する段階を示す。マスク層128の透明度は低い。この特性を利用するために、第1基板102が取り除かれた表面の上に負の感光層148を堆積させる。マスク層128と欠陥が多い領域134−iとの上に負の感光層148を堆積させる。次に、光を第2基板142を通して照射すると、エピ層124を横切って感光層148に到達する。負の感光層148は、入射光に露出されたところでその化学組成を変える。この化学組成の変化によって、光に露出されていない、マスク層128の上に重なる負の感光層148を取り除き、同時にそれを欠陥が多い領域134−iの上に重なる定位置に保持することができる。次に、マスク層128も同様に取り除かれる。この手順によって、欠陥が多い領域134−iの上に重なる整列したマスク層148−iの平面格子が作られる。
【0069】
次に、整列したマスク層148−iの平面格子の上に重なるように第1の電極層104を堆積させる。
【0070】
図8Fは、整列したマスク層148−iの平面格子のリフトオフによって、第1の電極層104を部分的に取り除く次の段階を示す。この段階によって、欠陥が多い領域134−iにおいてn型ドープ層108が露出されるが、それでも、欠陥が少ない領域138−iにおいては、n型ドープ層108は、第1の電極層104によって覆われたままである。
【0071】
図8Gは、エッチングによる穴122−iの形成を示すが、このエッチングにより第1の電極層104は所定の場所に残るが、欠陥が少ない領域138−iの露出されたエピ層124は取り除かれる。この段階において、第1の電極層104をエッチマスクとして使用する。エピ層124は、完全に又は部分的に取り除かれ、穴122−iを形成することができる。いくつかの実施形態においては、ドライエッチングを使用して穴122−iの壁をほぼ垂直にする。この段階の後で、第1の電極層104の残りの部分は、n型ドープ層108のみに電気的に結合される。
【0072】
ELOG技術のために、マスク層128の開口部130−iの格子は、欠陥が多い領域134−iと位置合わせされる。従って、図8Gのエッチング段階によって、欠陥が多い領域134−iが実質的に取り除かれ、欠陥が少ない領域138−iを実質的に定位置に残す。このようにして、ELOGによって作製されたLEDは、欠陥密度が低く、信頼性不良、効率低減、及び、輝度低下を含む上述の有害な影響を低減する。
【0073】
次の段階において、フォトニック結晶構造で置換されたp型ドープ層116の領域の上に第2の電極層120が形成され、その作製を容易にする。
【0074】
基板発光PXLEDにおいては、結合層121は実質的に透明であり、例えば酸化スズインジウム(ITO)から形成される。第2基板142も実質的に透明であり、例えば、サファイア、炭化ケイ素、又は、ガラスから形成される。第1の電極層104は、実質的に反射性又は不透明であり、例えば、Ag、Al、又は、Auから形成される。
【0075】
上部発光PXLEDにおいては、結合層121及び第2基板142の少なくとも一方は、実質的に反射性又は不透明である。結合層121又は第2基板142は、例えば、上に重なる実質的に反射性の層を形成することによって反射性にすることができる。
【0076】
いくつかの実施形態においては、n型ドープ層及びp型ドープ層の堆積の順番は逆になり、従って、層108がp型ドープ層、層116がn型ドープ層になる。
【0077】
図9Aから図9Fまでは、PXLEDを作製する関連方法を示す。図9Aから図9Dまでに示す段階は、図8Aから図8Dまでと同じである。
【0078】
図9Eは、マスク層128がエッチ層として使用される次の段階を示す。従って、欠陥が多い領域134−iは、この段階において部分的に取り除かれ、マスク層128の開口部130−iの格子が最初に位置していた穴122−iが作り出される。穴122−iの形成後に、マスク層128が取り除かれる。穴122−iの形成後に、更なるエッチング又は他の技術により、エピ層124の全厚を最適化することができる。
【0079】
図9Fは、素子の上面をほぼ平坦にするために、穴122−iが非導電性材料143で埋められる次の段階を示す。非導電性材料は、例えば、スピン・オン・ガラス(SOG)とすることができる。次に、n型ドープ層108及び非導電性材料143によって形成されたほぼ平坦化された上面の上に第1の電極層104を堆積させる。このアーキテクチャによって、第1の電極層104は、n型ドープ層108のみに電気的に結合される。次に、フォトニック結晶構造で置換されたp型ドープ層116の領域上に第2の電極層120が形成され、その作製を容易にする。図8Aから図8Gの実施形態と類似して、図9Aから図9Fの方法によって作製されたPXLEDは、基板発光又は上部発光素子とすることができる。
【0080】
上述の実施形態において、第1の電極層104及び第2の電極層120は、水平に取り除かれた区域で形成されるので、電流の流れは、実質的に水平な経路を含む。
【0081】
いくつかの実施形態においては、第2の基板142は良導体であり、従って、第2の電極層120をエピ層124の上に直接堆積させることができ、又は、結合層121を第2の電極層として作用させることができる。これらの実施形態において、電流の経路は、エピ層124を横切って実質的に垂直方向である。
【0082】
図10Aから図10Eは、PXLEDを作製する別の方法を示す。この方法は、やはり、例えば、GaNベースのLEDのようなIII−窒素化合物ベースの半導体構造に対して有用とすることができるエピタキシャル横方向過度成長又はELOG技術を利用する。
【0083】
図10Aは、マスク層128をホスト基板102上に形成する段階を示す。開口部130−iの格子は、電子ビームリソグラフィ、ナノ・インプリントリソグラフィ、深部X線リソグラフィ、干渉法リソグラフィ、高温エンボス加工、又は、マイクロコンタクト印刷法のような高解像度リソグラフィ技術により、マスク層128に形成することができる。
【0084】
図10Bは、第1基板102及びマスク層128の上に重なるn型ドープ層108を形成する段階を示す。活性層112は、n型ドープ層108の上に重なるように形成され、p型ドープ層116は、活性層112の上に重なるように形成される。ELOG技術の特徴は、n型ドープ層108の成長が主として開口部130−iの格子を通して第1基板102から始まるということである。従って、成長するn型ドープ層108は、マスク層128からまっすぐ上に成長するのではなく、横に広がって領域138−i内に至る。
【0085】
欠陥は、一般的に第1基板102により凝集され、従って、主として開口部130−iの格子から発せられることになる。n型ドープ層108の成長が広がって領域138−iに及ぶと、欠陥及び転位が終了し、過度成長領域において互いに消滅させる傾向がある。従って、欠陥濃度は、開口部130−iの格子の真上にある欠陥が多い領域134−iで高く、一方、開口部130−iの格子間の欠陥の少ない領域138−iでは低いことになる。
【0086】
図10Cは、マスク層の開口部を欠陥が多い領域134−iと位置合わせする段階を示す。この方法は、1836年にテイラー・アンド・フランシスによって出版された「フィロソフィカル・マガジン」第9巻の401ページから407ページに掲載されたW・H・F・タルボットの「光科学に関する事実、第4号」で説明された「タルボット」効果を利用する。
【0087】
「タルボット」効果によれば、周期長aの周期的な構造は、材料内に波長λを有する平面波面を有するコヒーレント光によって照射された時、「フレネル」回折を通じて距離D=2a2/λの整数倍の点でそれ自体の像を形成する。
【0088】
「タルボット」効果を利用ために、エピ層124の厚みは、D又はDの整数倍となるように選択される。更に、基板102は、実質的に透明な材料から形成され、マスク層は、実質的に不透明な材料から形成される。また、感光層149は、p型ドープ層116の上に重なるように堆積される。基板102のエピ層124と反対の側に平面波面を有する光を垂直に照射することにより「タルボット」効果が利用される。開口部130−iの格子において入射した光の部分のみが、エピ層124に入ることになる。開口部130−iの格子を通って伝播する光は、「タルボット」効果のために距離Dで開口部130−iの格子の像を作り出す。従って、感光層149は、開口部130−iの格子の像に露出されることになる。感光層149の露出された領域は、整列した開口部150−iを作るためにその後の段階において取り除かれる。「タルボット」効果は、本実施形態において、例えば近平行化光源を使用することにより達成することができる。
【0089】
図10Dは、穴122−iを形成するための整列した開口部を使用する段階を示す。例えば、ドライエッチングを用いて、確実に穴122−iの壁がほぼ垂直になるようにすることができる。「タルボット」効果によって、整列した開口部150−iは、欠陥が多い領域134−iと位置合わせされる。従って、エッチング段階により欠陥密度が高い領域134−iが取り除かれ、その結果、残りのエピ層124は、実質的に欠陥が少ない領域138−iから成る。従って、この技術によって作製されたPXLEDは、低い欠陥密度を有することになる。エッチング段階後に感光層149が取り除かれる。
【0090】
図10Eは、n型ドープ層108の上に重なる第1の電極層104と、p型ドープ層116の上に重なる第2の電極層120とを形成する段階を示す。フォトニック結晶構造で置換されたn型ドープ層108の領域上に第1の電極層104を形成し、その作製を容易にする。第2の電極層120は、例えば斜めからの堆積によって形成することができる。この技術によって、穴122−iの内側の接点材料の堆積が最小限に抑えられる。
【0091】
図11Aから図11Eは、図10Aから図10Eまでの方法と関連した方法を示す。図11A及び図11Bの段階は、図10A及び図10Bの段階と同じである。
【0092】
図11Cは、「タルボット」効果を利用する異なる方法を示す。エピ層124の厚みは、D又はDの整数倍になるように選択する。更に、基板102は実質的に透明な材料から形成され、マスク層128は実質的に不透明な材料から形成される。また、負の感光層をp型ドープ層116の上に重なるように堆積させる。基板102のエピ層124と反対の側に平面波面を有する光を垂直に照射することにより「タルボット」効果が利用される。開口部130−iの格子において入射した光の部分のみが、エピ層124に入ることになる。開口部130−iの格子を通って伝播する光は、「タルボット」効果のために距離Dで開口部130−iの格子の像を作り出す。従って、感光層は、開口部130−iの格子の像に露出されることになる。感光層149の露出されていない領域は、整列したマスク層148−iを作るためにその後の段階において取り除かれる。「タルボット」効果は、本実施形態において、例えば近平行化光源を使用することによって達成することができる。
【0093】
次に、第2の電極層120をp型ドープ層116及び感光層の上に重なるように形成する。
【0094】
図11Dは、整列した開口部150−iをリフトオフ技術によって形成する段階を示す。整列したマスク層148−iは、欠陥が多い領域134−iのp型ドープ層116を露出させるために、第2の電極層120の対応する部分と共に取り除かれる。「タルボット」効果によって、整列したマスク層148−iは、欠陥が多い領域134−iと位置合わせされる。従って、整列した開口部150−iは、欠陥が多い領域134−iと整列することになる。
【0095】
図11Eは、第2の電極層120をそのままにして欠陥が多い領域134−iを少なくとも部分的に取り除く次の段階を示す。欠陥が多い領域134−iは、n型ドープ層108に達するように十分に深く取り除かれる。この段階によって、穴122−iが形成される。最後に、フォトニック結晶構造で置換されたn型ドープ層108の領域上に第1の電極層104を形成し、その作製を容易にする。
【0096】
この方法によって、欠陥の多い領域134−iは実質的に取り除かれ、その結果、残りのエピ層124は、実質的に欠陥の少ない領域138−iを含む。従って、この方法によって作製されたPXLEDは、欠陥密度が低く、信頼性不良、効率低減、及び、輝度低下を含む上述の有害な影響が低減される。
【0097】
基板発光PXLEDにおいては、ホスト基板102は、実質的に透明な材料、例えば、サファイア、炭化ケイ素、又は、ガラスから形成され、第2の電極層120は、実質的に反射性又は不透明の材料、例えば、Ag、Al、又は、Auから形成される。上部発光PXLEDにおいては、ホスト基板102は、実質的に反射性又は不透明であり、例えば金属化サファイアである。いくつかの実施形態においては、第2の電極層120は、実質的に透明な材料、例えばITO又は薄い金属層から形成される。
【0098】
図12Aから図12Eは、図11Aから図11Eに関連した方法を示す。図12A及び図12Bの段階は、図11A及び図11Bの段階と同じである。
【0099】
図12Cは、「タルボット」効果の代替的利用法を示す。本方法においては、フォトレジストが、p型ドープ層116上の感光層として堆積される。フォトレジストは、「タルボット」効果を用いて露出される。その後の段階において、感光層の露出した部分は、整列した開口部150−iを有する感光層149を作るために、欠陥が多い領域134−iから取り除かれる。
【0100】
図12Dは、穴122−iを形成するために欠陥の多い領域134−iが少なくとも部分的に取り除かれ、その後に、感光層149が取り除かれる次の段階を示す。ここでもまた、欠陥が多い領域134−iは、n型ドープ層108に達するまで十分に深く取り除かれる。
【0101】
図12Eは、素子の上面をほぼ平坦にするために穴122−iが非導電性材料143で埋められる次の段階を示す。非導電性材料は、例えば、スピン・オン・ガラス(SOG)とすることができる。次に、p型ドープ層116及び非導電性材料143によって形成されたほぼ平坦化された上面の上に第2の電極層120を堆積させる。このアーキテクチャによって、第2の電極層120は、p型ドープ層116のみに電気的に結合される。次に、フォトニック結晶構造で置換されたn型ドープ層108の領域上に第1の電極層104を形成し、その作製を容易にする。図11Aから図11Eの実施形態と類似して、図12Aから図12Eの方法によって作製されたPXLEDは、基板発光又は上部発光素子とすることができる。
【0102】
上述の実施形態において、第1の電極層104及び第2の電極層120は、水平に取り除かれた区域で形成されるので、電流の流れは、実質的に水平な経路を含む。
【0103】
いくつかの実施形態においては、ホスト基板102は良導体であり、従って、エピ層124の形成の前に、第1の電極層104をホスト基板102上に堆積させることができる。これらの実施形態において、電流の経路は、エピ層124を横切って実質的に垂直方向である。
【0104】
図13は、高出力パッケージにおけるPXLED100の実施形態を示す。例えば、面積1mm2又はそれ以上のPXLEDは、高出力パッケージにパッケージ化することができる。高出力パッケージは、低耐熱材料から形成されたヒートシンク204を含む。ヒートシンク204はまた、反射カップの役目を果たし、LED200から発せられた光をパッケージの基部に向けて反射する。ヒートシンク204の更なる機能は、パッケージ化LEDの構成要素の熱膨張の影響に適応して補償することである。LED200は、半田又はダイ・アタッチ・エポキシでヒートシンク204に取り付けられる。LED200は、ワイヤボンド212によって内側リード線208に電気的に結合される。いくつかの実施形態において、逆又はフリップチップのデザインを有するLEDは、半田玉及び半田棒によって内側リード線208に電気的に結合される。内側リード線208は、外側リード線216と電気的に結合される。内側リード線208、外側リード線216、及び、ワイヤボンドは、適切に選択された金属から形成される。LED200は、光抽出の向上のためにエポキシドームレンズ220を含む透明ハウジング内に収められる。光抽出を向上させるために、高い屈折率を有するソフトゲル224が、LED200とエポキシドームレンズ220との間に堆積される。パッケージ化LEDは、サポートフレーム228によって構造的に支持される。LEDの抽出効率が空気中で約50%と100%との間にある実施形態においては、レンズ220及びソフトゲル224は不要である。
【0105】
PXLEDを収納することができる異なるパッケージは多数ある。最も適切なパッケージの選択は、とりわけ特定の用途に依存する。
【0106】
上述の実施形態は、単に例示的であり、制限的であることを意図していない。
当業者は、上述の実施形態からの変形を認識するであろうが、それらは本特許の開示の範囲に入るものである。従って、本発明は、特許請求の範囲によってのみ制限される。
【図面の簡単な説明】
【図1】フォトニック結晶発光ダイオードの実施形態の側面図である。
【図2】フォトニック結晶発光ダイオードの別の実施形態の側面図である。
【図3】フォトニック結晶発光ダイオードの実施形態の上面図である。
【図4】図1の実施形態に対する相対発光(実線)及び抽出効率(破線)を正規化された周波数の関数として示す図である。
【図5A】図2の実施形態に対する相対発光(実線)及び抽出効率(破線)を正規化された周波数の関数として示す図である。
【図5B】相対発光及び抽出効率の積を正規化された周波数の関数として示す図である。
【図6A】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する方法の一段階を示す図である。
【図6B】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図6C】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図6D】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図6E】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図7A】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する別の方法の一段階を示す図である。
【図7B】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図7C】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図7D】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図7E】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図7F】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図8A】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する更に別の方法の一段階を示す図である。
【図8B】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図8C】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図8D】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図8E】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図8F】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図8G】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図9A】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する更に別の方法の一段階を示す図である。
【図9B】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図9C】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図9D】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図9E】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図9F】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図10A】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する更に別の方法の一段階を示す図である。
【図10B】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図10C】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図10D】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図10E】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図11A】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する更に別の方法の一段階を示す図である。
【図11B】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図11C】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図11D】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図11E】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図12A】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する更に別の方法の一段階を示す図である。
【図12B】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図12C】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図12D】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図12E】フォトニック結晶発光ダイオードを作製する同方法の一段階を示す図である。
【図13】パッケージ化されたLEDを示す図である。
【符号の説明】
100 フォトニック結晶LED(PXLED)
104 第1の電極層
108 n型ドープ層
112 活性層
116 p型ドープ層
122−i 穴
124 エピ層
Claims (18)
- 第1の電極層に結合された、第1のドーパントでドープされた第1の半導体層と、
光を発することができる、前記第1の半導体層の上に重なる活性層と、
前記活性層の上に重なる、前記第1のドーパントと反対の種類である第2のドーパントでドープされた第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上に重なる第2の電極層と、
を含み、
前記活性層及び前記第2の半導体層のうちの少なくとも一方は、交替する最大値及び最小値を有する周期的に変動する厚みを有し、前記周期的変動の周期と前記発せられた光の空気中の波長との比が、0.1よりも大きくて5よりも小さく、前記第2の半導体層の前記最小値における厚みが、前記第2の半導体層における前記発せられた光の1波長よりも小さく、そして、
前記第2の電極層の一部は、前記交替する最大値及び最小値を有する周期的に変動する厚みを有する前記第2の半導体層の領域に配置され、順方向にバイアスされたときに、第2の電極部分の下部に配置された活性層の少なくとも一部から光が発せられ、
前記活性層及び前記第2の半導体層のうちの少なくとも一方は、縁部を有する1つ又はそれ以上のバンドを含むフォトニックバンド構造を有し、前記発せられた光のエネルギは、前記活性層及び前記第2の半導体層のうちの周期的に変動する厚みを有する前記少なくとも一方のフォトニックバンド構造のバンドの縁部近傍にある、
ことを特徴とする発光ダイオード。 - 前記第1の電極層は、部分的に前記第1の半導体層の上に重なり、
前記第2の電極層は、実質的に反射性であり、
前記第1の半導体層は、実質的に透明な基板の上に重なる、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。 - 前記第1の半導体層、前記活性層、及び、前記第2の半導体層は、105cm/secよりも小さい表面再結合速度を有することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記第1の半導体層、前記活性層、及び、前記第2の半導体層は、GaNを含むことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記第2の半導体層は、前記最小値に位置合わせされたスルーホールの平面格子を有することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記活性層は、前記第2の半導体層のスルーホールの前記平面格子と位置合わせされた穴の平面格子を有することを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。
- 前記活性層は、前記第2の半導体層のスルーホールの前記平面格子と位置合わせされたスルーホールの平面格子を有し、
前記第1の半導体層は、前記第2の半導体層と前記活性層とのスルーホールの前記平面格子と位置合わせされた穴の平面格子を有する、
ことを特徴とする請求項6に記載の発光ダイオード。 - 前記平面格子は、三角形格子、正方形格子、蜂の巣状格子、又は、六角形格子であることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。
- 強度及び偏光を有する前記発せられた光の強度は、実質的に偏光から独立していることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記穴は、誘電体で充填されることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。
- 前記発光ダイオードは、自然発光の比率と光抽出の効率とを有し、自然発光の比率と光抽出の効率との積は、前記バンド縁部から離れた複数のエネルギにおけるよりも前記バンド縁部近傍のエネルギにおいてより大きいことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記誘電体、前記活性層、及び、前記第2の半導体層の誘電率は、1から16の値を有し、
前記穴は、前記第2の半導体層の面積の10%から50%を占める、
ことを特徴とする請求項10に記載の発光ダイオード。 - 前記第2の半導体層は、平面及び法線を有し、前記第2の半導体層の平面と実質的に垂直な方向に発せられた光の強度は、前記第2の半導体層の平面の法線と実質的に異なる方向に発せられた光の強度よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記発光ダイオードは、
サポートフレームと、
前記サポートフレーム内に配置され、前記発光ダイオードが上を覆って配置される、前記発光ダイオードから熱を抽出するためのヒートシンクと、
前記発光ダイオードと電気的に結合された複数のリード線と、
透明なハウジングと、
を含むパッケージに配置される、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。 - 基板、
前記基板の上に重なる、光を発することができる複数の半導体層、
前記複数の半導体層の上に重なる上部電極層、及び
格子の周期と前記発せられた光の空気中の波長との比が0.1よりも大きく5よりも小さい開口部の平面格子を有する、前記上部電極層の上に重なる感光層、
を含む半導体構造を準備する段階と、
前記上部電極層を取り除き、前記開口部の平面格子に対応する領域で前記複数の半導体層を少なくとも部分的に取り除くことにより、穴の平面格子を形成する段階とを含み、
一の半導体層の上に重なる電極層の一部は前記複数の穴の一部が形成された前記一の半導体層の領域に配置され、順方向にバイアスされたときに、電極部分の下部に配置された活性層の少なくとも一部から光が発せられるものであり、
前記半導体層のうちの少なくとも一つは、縁部を有する1つ又はそれ以上のバンドを含むフォトニックバンド構造を有し、前記発せられた光のエネルギは、前記半導体層のうちの周期的に変動する厚みを有する前記少なくとも一つのフォトニックバンド構造のバンドの縁部近傍にある、
発光ダイオードを製造する方法。 - 開口部の平面格子を有する前記感光層を準備する段階は、
高解像度リソグラフィ技術により前記感光層を取り除く段階を含み、この段階は、
電子ビームリソグラフィ、ナノ・インプリントリソグラフィ、深部X線リソグラフィ、干渉法リソグラフィ、高温エンボス加工、又は、マイクロコンタクト印刷法を用いて前記感光層の前記部分を取り除く段階、
を含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。 - 第1の基板、
前記基板の上に重なる、開口部の第1の平面格子を有するマスク層、及び
前記開口部の平面格子の周期と空気中の光の波長との比が0.1よりも大きく5よりも小さい光を発することができる、前記第1の基板の上に重なる複数の半導体層、
を含む半導体構造を準備する段階と、
前記マスク層の開口部の前記第1の平面格子に対応する領域で前記複数の半導体層を少なくとも部分的に取り除くことにより、前記複数の半導体層に穴の平面格子を形成する段階と、を含み、
一の半導体層の上に重なる電極層の一部は前記複数の穴の一部が形成された前記一の半導体層の領域に配置され、順方向にバイアスされたときに、電極部分の下部に配置された活性層の少なくとも一部から光が発せられるものであり、
前記半導体層のうちの少なくとも一つは、縁部を有する1つ又はそれ以上のバンドを含むフォトニックバンド構造を有し、前記発せられた光のエネルギは、前記半導体層のうちの周期的に変動する厚みを有する前記少なくとも一つのフォトニックバンド構造のバンドの縁部近傍にある、
ことを特徴とする、発光ダイオードを製造する方法。 - 前記半導体構造を準備する段階は、
第1の半導体層、活性層、及び、第2の半導体層をエピタキシャル横方向過度成長技術を用いて形成する段階、
を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
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