JP4608910B2 - 補正データ生成装置、及び情報記録媒体、並びに補正データ生成方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機発光ダイオード等の電気光学素子を用いた電気光学装置の特性を計測する計測装置、これを用いた補正データ生成装置、検査装置、及び補正データを記録した情報記録媒体、並びに計測方法、補正データ生成方法、及び検査方法に関する。

液晶表示装置に替わる電気光学装置として、有機発光ダイオード素子（以下、ＯＬＥＤ素子と称する。）を備えた装置が注目されている。ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）素子は、電気的にはダイオードのように動作し、光学的には、順バイアス時に発光して順バイアス電流の増加にともなって発光輝度が増加する。

ＯＬＥＤ素子をマトリクス状に配列した電気光学装置は、アクティブ型とパッシブ型に大別される。いずれの場合も様々な要因によりＯＬＥＤ素子に流れる電流がばらつく。アクティブ型の電気光学装置は、複数の走査線と複数のデータ線を備え、走査線とデータ線の交差に対応して画素回路が各々設けられている。各画素回路は、各ＯＬＥＤ素子に電流を供給するＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を有する。アクティブ型の電気光学装置は、ＴＦＴの特性やアナログデータの書き込み精度等に起因してＯＬＥＤ素子に流れる電流がばらつく。一方、パッシブ型の電気光学装置にあっては、電流経路の抵抗成分や容量成分の影響で、一定時間内にＯＬＥＤ素子に供給する電流がばらつく。

ＯＬＥＤ素子に流れる電流のばらつきを改善する技術として、各ＯＬＥＤ素子に流れる電流を測定し、測定結果に基づいて補正値を生成し、画像データを補正する手法が知られている（例えば、特許文献１）。

特開平２００３−２０２８３６号公報

しかしながら、従来の技術のように画素毎に電流を測定するのでは、全ての画素について電流を測定するのに時間がかかる。特に、大画面の電気光学装置にあっては、画素数が多いので大きな問題となる。

本発明は上述した問題に鑑みてなされたものであり、有機発光ダイオード等の電気光学素子を用いた電気光学装置の特性を計測する計測装置、これを用いた補正データ生成装置、検査装置、及び補正データを記録した情報記録媒体、並びに計測方法、補正データ生成方法、及び検査方法を提供することを解決課題とする。

上述した課題を解決するため、本発明に係る計測装置は、電流によって駆動される複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域を備えた電気光学装置の特性を計測するものであって、前記画素領域を分割した複数のブロックに各々対応する画像パターンを順次生成して前記電気光学装置へ出力する画像パターン生成手段と、前記ブロック毎に前記電気光学素子に供給される電流をブロック電流として計測する電流計測手段と、を備えたことを特徴とする。

この発明によれば、ブロック毎に電気光学素子に供給される電流を計測するので、個々の電気光学素子について個別に電流を計測する場合と比較して計測時間を短縮することができる。電流の検出方法としては、電気光学素子に電流を供給する電源線に電流計測手段を設けてもよい。また、カラー表示の場合であって、色毎に電源線が独立している場合には、各電源線に電流計測手段を設け、色毎にブロック電流を計測するようにしてもよい。ここで、電気光学素子とは、電気エネルギーによって光学特性が変化する素子の意味であり、有機発光ダイオードや無機発光ダイオード等の自発光素子が含まれる。また、ブロックの分割手法としては、ランダムに輝度のばらつきを測定した場合に比べて、ブロックごと輝度のばらつきが大きくなるように定めることが好ましい。ばらつきの要因としては、１個のドライバ内における出力のばらつき、複数個のドライバを使用する場合においてドライバ間の出力のばらつき、電気光学素子を含む画素回路を構成するトランジスタを形成するプロセスにおけるばらつき、電気光学素子を形成するプロセスにおけるばらつきが含まれる。従って、電気光学装置の製造プロセスにおけるばらつきが反映されるようにブロックを分割することが好ましい。

また、前記複数のブロックは一つのブロック群を構成し、前記複数の電気光学素子の各々は前記画素領域の全体を互いに異なる区分け方法によって分割した複数のブロック群に属し、前記画像パターン生成手段は、前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に属するブロックに対応した画像パターンを順次生成して前記電気光学装置へ出力し、前記電流計測手段は、前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に属するブロックに対応した電流を前記ブロック電流として計測することが好ましい。この場合には、電気光学素子が複数のブロック群に含まれるので、ブロック群ごとに計測されたブロック電流に基づいて、個々の電気光学素子に流れる電流を特定することが可能となり、しかも電流の計測時間を大幅に短縮することができる。例えば、電気光学素子がｍ行ｎ列に配列されている場合、第１ブロック群として行方向にｍ個のブロックに分割する一方、第２ブロック群として列方向にｎ個のブロックに分割してもよい。

また、上述した計測装置にあっては、所定の基準電流値に対する前記ブロック電流の差分を第１偏差情報として算出する演算手段を備えることが好ましい。ここで、所定の基準電流値は、所定の発光輝度を得るために電気光学素子に流すことが必要な電流値とすればよい。加えて、前記演算手段は、前記ブロック電流を前記ブロックに属する前記電気光学素子の数で除算した値と前記基準電流値との差分を前記第１偏差情報として算出し、更に、ある電気光学素子の属する前記ブロック別の前記第１偏差情報に所定の演算を施して前記複数の電気光学素子の各々について第２偏差情報を生成してもよい。この場合、第１偏差情報はブロック単位でブロック電流のばらつきを示す情報となり、第２偏差情報は電気光学素子単位で電流のばらつきを示す情報となる。

次に、本発明に係る補正データ生成装置は、上述した計測装置と、前記第１偏差情報に基づいて、前記複数のブロックの各々について前記電気光学素子に流れる電流値が前記基準電流値と同一または略同一となるように、前記電気光学装置において前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生成する補正データ生成手段と、を備えることを特徴とする。この発明によれば、ブロック単位の第１偏差情報に基づいて補正データを生成するので、補正データを生成する時間を短縮することができる。ここで、補正データは、ブロック単位のデータであってもよいし、あるいは、電気光学素子単位のデータであってもよい。また、制御データは、電気光学素子の発光輝度を制御するのであればどのようなものであってよく、例えば、電気光学素子に供給される電流、データ線に供給される電流又は電圧、表示すべき階調を示すデータ、電気光学素子の発光期間を指示するデータが含まれる。

また、本発明に係る補正データ生成装置は、上述した計測装置と、前記第２偏差情報に基づいて、前記複数のブロックの各々について前記電気光学素子に流れる電流値が前記基準電流値と同一または略同一となるように、前記電気光学装置において前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生成する補正データ生成手段と、を備えることを特徴とする。この発明によれば、電気光学素子単位の第２偏差情報に基づいて補正データを生成するので、補正データの精度を向上させることができる。

ここで、前記補正データ生成手段は、前記第１偏差情報又は前記第２偏差情報に基づいて前記電気光学素子に流れる電流値を前記基準電流値に補正するための補正係数を示す電流補正データを生成し、当該電流補正データに基づいて前記補正データを生成してもよい。

また、上述した補正データ生成装置は、前記補正データ生成手段が生成した前記補正データを用いて前記制御データを補正し、補正した前記制御データを用いて前記電気光学素子に電流を供給し、その結果得られる前記第１偏差情報又は前記第２偏差情報に基づいて、前記補正データを更新する補正データ更新手段を備えたことが好ましい。

次に、本発明に係る情報記録媒体は、上述した補正データ生成装置によって生成された前記補正データを記憶したことを特徴とする。情報記録媒体としては、ＲＯＭ等の不揮発性メモリであることが好ましい。

次に、本発明に係る検査装置は、上述した計測装置と、前記計測装置の計測結果が所定の範囲内にあるか否かを判定する判定手段とを備え、当該判定手段による判定結果に基づいて前記電気光学装置の良否を検査することを特徴とする。この検査装置によれば、電流の計測時間が短縮されるので、短時間で電気光学装置の良否を判定することが可能となる。

次に、本発明に係る計測方法は、電流によって駆動される複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域を備えた電気光学装置の特性を計測する方法であって、前記画素領域は複数のブロックから構成され、前記複数のブロックは一つのブロック群を構成し、前記複数の電気光学素子の各々は互いに異なる区分け方法によって前記画素領域を分割した複数のブロック群に属し、前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に属するブロックに対応した画像パターンを順次生成して前記電気光学装置へ出力し、前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に属するブロックに対応した電流をブロック電流として計測することを特徴とする。この発明によれば、ブロック毎に電気光学素子に供給される電流を計測するので、個々の電気光学素子について個別に電流を計測する場合と比較して計測時間を短縮することができる。

ここで、所定の基準電流値に対する前記ブロック電流の差分を第１偏差情報として算出してもよく、更に、前記ブロック電流を前記ブロックに属する前記電気光学素子の数で除算した値と所定の基準電流値との差分を第１偏差情報として算出し、ある電気光学素子の属する前記ブロック別の前記第１偏差情報に所定の演算を施して前記複数の電気光学素子の各々について第２偏差情報を生成してもよい。

次に、本発明に係る補正データ生成方法は、上述した計測方法によって前記第１偏差情報を計測し、 前記第１偏差情報に基づいて、前記複数のブロックの各々について前記電気光学素子に流れる電流値が前記基準電流値と同一または略同一となるように、前記電気光学装置において前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生成する、ことを特徴とする。この発明によれば、ブロック単位の第１偏差情報に基づいて補正データを生成するから、補正データを短時間で生成することが可能となる。

次に、本発明に係る補正データ生成方法は、上述した計測方法によって前記第２偏差情報を計測し、前記第２偏差情報に基づいて、前記複数のブロックの各々について前記電気光学素子に流れる電流値が前記基準電流値と同一または略同一となるように、前記電気光学装置において前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生成することを特徴とする。この発明によれば、電気光学素子単位の第２偏差情報に基づいて補正データを生成するから、正確な補正データを生成することが可能となる。

このような補正データ生成方法において、補正データの精度を更に向上させる観点から、生成した前記補正データを用いて前記制御データを補正し、補正した前記制御データを用いて前記電気光学素子に電流を供給し、その結果得られる前記第１偏差情報又は前記第２偏差情報に基づいて、前記補正データを更新することが好ましい。

また、本発明に係る検査方法は、上述した計測方法を用いて計測を実行し、計測結果が所定の範囲内にあるか否かを判定し、判定結果に基づいて前記電気光学装置の良否を検査することが好ましい。この検査方法によれば、電流の計測時間が短縮されるので、短時間で電気光学装置の良否を判定することが可能となる。

＜１．第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る補正データ生成システムの概略構成を示すブロック図である。補正データ生成システムは、電気光学装置１と補正データ生成装置２を備える。補正データ生成装置２は、電気光学装置１の電源電流を計測し、計測結果に基づいてＯＬＥＤ素子の発光輝度が均一になるように補正データＤｈを生成する。

電気光学装置１は、電気光学パネルと制御回路３００を備える。電気光学パネルには、画素領域Ａ、走査線駆動回路１００及びデータ線駆動回路２００が形成される。このうち、画素領域Ａには、Ｘ方向と平行にｍ本の走査線１０１及びｍ本の発光制御線１０２が形成される。また、Ｘ方向と直交するＹ方向と平行にｎ本のデータ線１０３が形成される。そして、走査線１０１とデータ線１０３との各交差に対応して画素回路４００が各々設けられている。画素回路４００はＯＬＥＤ素子を含む。また、各画素回路４００には、電源電圧Ｖｄｄが電源線Ｌを介して供給されるようになっている。

走査線駆動回路１００は、複数の走査線１０１を順次選択するための走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙｍを生成すると共に発光制御信号Ｖｇ１、Ｖｇ２、Ｖｇ３、…、Ｖｇｍを生成する。発光制御信号Ｖｇ１、Ｖｇ２、Ｖｇ３、…、Ｖｇｍは、各発光制御線１０２を介して各画素回路４００に各々供給される。図２に走査信号Ｙ１〜Ｙｍと発光制御信号Ｖｇ１〜Ｖｇｍのタイミングチャートの一例を示す。走査信号Ｙ１は、１垂直走査期間（１Ｆ）の最初のタイミングから、１水平走査期間（１Ｈ）に相当する幅のパルスであって、１行目の走査線１０１に供給される。以降、このパルスを順次シフトして、２、３、…、ｍ行目の走査線１０１の各々に走査信号Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙｍとして供給する。一般的にｉ（ｉは、１≦ｉ≦ｍを満たす整数）行目の走査線１０１に供給される走査信号ＹｉがＨレベルになると、当該走査線１０１が選択されたことを示す。また、発光制御信号Ｖｇ１、Ｖｇ２、Ｖｇ３、…、Ｖｇｍとしては、例えば、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙｍの論理レベルを反転した信号を用いる。

データ線駆動回路２００は、階調データＤに基づいて、選択された走査線１０１に位置する画素回路４００の各々に対し階調信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘｎを供給する。この例において、階調信号Ｘ１〜Ｘｎは階調輝度を指示する電流信号として与えられる。また、データ線駆動回路２００は、ｎ本のデータ線１０３の各々に対応した電流出力型のデジタルアナログ変換器を有している。

制御回路３００は、各種の制御信号を生成してこれらを走査線駆動回路１００及びデータ線駆動回路２００へ出力する。また、制御回路３００は、外部から供給される入力階調データＤｉｎにガンマ補正等を施して出力階調データＤを生成する。本実施形態では入力階調データＤｉｎの代わりに、後述する画像パターン作成回路９００から画像パターン信号ＧＳが供給される。

次に、画素回路４００について説明する。図３に、画素回路４００の回路図を示す。同図に示す画素回路４００は、ｉ行目のＲ色に対応するものであり、電源電圧Ｖｄｄｒが供給される。他の色に対応する画素回路４００は、電源電圧Ｖｄｄｒの代わりに電源電圧Ｖｄｄｇ（Ｇ色）又は電源電圧Ｖｄｄｂ（Ｂ色）が供給される点を除いて、同様に構成されている。画素回路４００は、４個のＴＦＴ４０１〜４０４と、容量素子４１０と、ＯＬＥＤ素子４２０とを備える。ＴＦＴ４０１〜４０４の製造プロセスでは、レーザーアニールショットを利用してガラス基板の上にポリシリコン層が形成される。また、ＯＬＥＤ素子４２０は、陽極と陰極との間に発光層が挟持されている。そして、ＯＬＥＤ素子４２０は、順方向電流に応じた輝度で発光する。発光層には、発光色に応じた有機ＥＬ（Electronic Luminescence）材料が用いられる。発光層の製造プロセスでは、インクジェット方式のヘッドから有機ＥＬ材料を液滴として吐出し、これを乾燥させている。

駆動トランジスタであるＴＦＴ４０１はｐチャネル型、スイッチングトランジスタであるＴＦＴ４０２〜４０４はｎチャネル型である。ＴＦＴ４０１のソース電極は電源線ＬＲに接続される一方、そのドレイン電極はＴＦＴ４０３のドレイン電極、ＴＦＴ４０４のドレイン電極及びＴＦＴ４０２のソース電極にそれぞれ接続される。

容量素子４１０の一端はＴＦＴ４０１のソース電極に接続される一方、その他端は、ＴＦＴ４０１のゲート電極及びＴＦＴ４０２のドレイン電極にそれぞれ接続される。ＴＦＴ４０３のゲート電極は走査線１０１に接続され、そのソース電極は、データ線１０３に接続される。また、ＴＦＴ４０２のゲート電極は走査線１０１に接続される。一方、ＴＦＴ４０４のゲート電極は発光制御線１０２に接続され、そのソース電極はＯＬＥＤ素子４２０の陽極に接続される。ＴＦＴ４０４のゲート電極には、発光制御線１０２を介して発光制御信号Ｖｇｉが供給される。なお、ＯＬＥＤ素子４２０の陰極は、画素回路４００のすべてにわたって共通の電極であり、電源における低位（基準）電位となっている。

このような構成において、走査信号ＹｉがＨレベルになると、ｎチャネル型ＴＦＴ４０２がオン状態となるので、ＴＦＴ４０１は、ゲート電極とドレイン電極とが互いに接続されたダイオードとして機能する。走査信号ＹｉがＨレベルになると、ｎチャネル型ＴＦＴ４０３も、ＴＦＴ４０２と同様にオン状態となる。この結果、データ線駆動回路２００の電流Ｉdataが、電源線ＬＲ→ＴＦＴ４０１→ＴＦＴ４０３→データ線１０３という経路で流れるとともに、そのときに、ＴＦＴ４０１のゲート電極の電位に応じた電荷が容量素子４１０に蓄積される。

走査信号ＹｉがＬレベルになると、ＴＦＴ４０３、４０２はともにオフ状態となる。このとき、ＴＦＴ４０１のゲート電極における入力インピーダンスは極めて高いので、容量素子４１０における電荷の蓄積状態は変化しない。ＴＦＴ４０１のゲート・ソース間電圧は、電流Ｉdataが流れたときの電圧に保持される。また、走査信号ＹｉがＬレベルになると、発光制御信号ＶｇｉがＨレベルとなる。このため、ｎチャネル型のＴＦＴ４０４がオンし、ＴＦＴ４０１のソース・ドレイン間には、そのゲート電圧に応じた注入電流Ｉoledが流れる。詳細には、この電流は、電源線ＬＲ→ＴＦＴ４０１→ＴＦＴ４０４→ＯＬＥＤ素子４２０という経路で流れる。

ここで、ＯＬＥＤ素子４２０に流れる注入電流Ｉoledは、ＴＦＴ４０１のゲート・ソース間電圧で定まるが、その電圧は、Ｈレベルの走査信号Ｙｉによって電流Ｉdataがデータ線１０３に流れたときに、容量素子４１０によって保持された電圧である。このため、発光制御信号ＶｇｉがＨレベルになったときに、ＯＬＥＤ素子４２０に流れる注入電流Ｉoledは、直前に流れた電流Ｉdataに略一致する。このように画素回路４００は、電流Ｉdataによって発光輝度を規定することから、電流プログラム方式の回路である。

ＯＬＥＤ素子４２０の発光輝度は、注入電流Ｉoledに対応したものになるが、実際の電気光学装置１においては、様々な要因によって注入電流Ｉoledがばらつく。このため、輝度ムラが発生して電気光学装置１の表示品質が劣化することがある。注入電流Ｉoledのばらつきに着目すると、画素領域Ａは図４に示すブロックＢに分割して考えることができる。図４（Ａ）は画素領域Ａを行方向に分割したものであり、図４（Ｂ）は画素領域Ａを列方向に分割したものであり、図４（Ｃ）は画素領域Ａを縦横の位置に応じて分割したものであり、図４（Ｄ）は、画素領域Ａを左右に２分割したものである。

上述したようにデータ線駆動回路２００は、ｎ個の電流出力型のデジタルアナログ変換器を備える。従って、デジタルアナログ変換器の特性がばらつくと、図４（Ｂ）に示すブロックＢの間で発光輝度がばらつくことになる。

また、画素回路４００のＴＦＴ４０１〜４０４は、上述したようにレーザーアニールショットを利用して形成される。レーザーアニールの工程では、複数のレーザー光源を所定の方向に走査する処理が行われる。このため、レーザー光源間で光量がばらつくことがあり、また、走査が進行する過程でも光量がばらつくことがある。光量のばらつきは、ポリシリコン層の電気的な特性に影響を与えることになるので、ＴＦＴ４０１〜４０４の電気的な特性がばらつくことになる。例えば、レーザーアニールショットの走査方向が列方向である場合には、レーザー光源の光量の相違に起因して図４（Ｂ）示すブロックＢの間で発光輝度がばらつくと共に、走査の進行過程での光量の相違に起因して図４（Ａ）に示すブロックＢの間で発光輝度がばらつく。

更に、ＯＬＥＤ素子４２０の発光層は上述したようにインクジェット方式で有機ＥＬ材料を塗布した後、乾燥して形成される。塗布工程では、複数のヘッドから有機ＥＬ材料を液滴として吐出しながら所定の方向に走査する処理が行われる。このため、ヘッド間で液滴の大きさがばらつくことがあり、また、走査が進行する過程でも液滴の大きさがばらつくことがある。液滴の大きさのばらつきは、発光層の電気的な特性に影響を与えるので、ＯＬＥＤ素子４２０の発光特性がばらつくことになる。例えば、インクジェットの走査方向が行方向である場合には、ヘッド間の液滴量の相違に起因して図４（Ａ）示すブロックＢの間で発光輝度がばらつくと共に、走査の進行過程での液滴量の相違に起因して図４（Ｂ）に示すブロックＢの間で発光輝度がばらつく。また、乾燥工程では熱の勾配に起因して発光層の電気的な特性がばらつく。このため、ＯＬＥＤ素子４２０の画素領域Ａにおける位置によって発光輝度がばらつくことになる。従って、図４（Ｃ）に示すブロック間で発光輝度がばらつくことになる。

加えて、上述したデータ線駆動回路２００を複数のＩＣモジュールで構成することがある。この場合は、ＩＣモジュール間の電気的な特性がばらつくと発光輝度がばらつく。例えば、データ線駆動回路２００を２個のＩＣモジュールで構成する場合は、図４（Ｄ）に示すブロック間で発光輝度がばらつくことになる。以下の説明においては、図４（Ａ）〜（Ｄ）に示すように画素領域Ａを所定の規則に従って分割したブロックＢの集まりをブロック群ＢＧと称する。

上述したように発光輝度はＯＬＥＤ素子４２０への注入電流Ｉoledに比例する。また、１画素のＯＬＥＤ素子４２０のみを発光させたときの電源電流は当該ＯＬＥＤ素子４２０の注入電流Ｉoledである。従って、各画素の輝度のばらつきは注入電流Ｉoledのばらつきから特定することが可能である。また、あるブロックＢのＯＬＥＤ素子４２０のみを発光させたときの電源電流をブロック電流Ｉｂとしたとき、画素ごとの注入電流Ｉoledは、異なるブロック群ＢＧに属する複数のブロック電流Ｉｂから特定することができる。例えば、図４（Ａ）に示される行方向に分割したブロックＢの集まりを第１ブロック群ＢＧ１、図４（Ｂ）に示される列方向に分割したブロックＢの集まりを第２ブロック群ＢＧ２としたとき、第１行第１列に位置する画素の注入電流Ｉoledは、第１ブロック群ＢＧ１に属する第１行目のブロック電流Ｉｂと第２ブロック群ＢＧ２に属する第１列目のブロック電流Ｉｂとに基づいて特定することが可能である。本実施形態の補正データ生成装置２は、第１ブロック群ＢＧ１と第２ブロック群ＢＧ２についてブロック電流Ｉｂを計測し、計測したブロック電流Ｉｂに基づいて、輝度のばらつきを補正する補正データＤｈを生成する。

次に、補正データ生成装置２の詳細を説明する。補正データ生成装置２は、図１に示すように電源回路５１０、電流計５００、ブロック電流記憶部６００、補正データ生成回路７００、補正データ記憶部８００、及び画像パターン生成回路９００を備える。電源回路５１０は、電源電圧Ｖｄｄを生成する。電流計５００は、電源線Ｌを流れる電源電流を計測して計測結果をブロック電流記憶部６００に出力する。ブロック電流記憶部６００は、電源電流値をブロック電流Ｉｂの値として記憶する。補正データ生成回路７００は、ブロック電流記憶部６００に記憶したブロック電流Ｉｂの値に基づいて、補正データＤｈを生成する。また、補正データ生成回路７００は、画像パターン作成回路９００に対して画像パターンを指示する指示信号を出力する。補正データ記憶部８００は、補正データＤｈを記憶する。画像パターン作成回路９００は、第１ブロック群ＢＧ１の及び第２ブロック群ＢＧ２の各ブロックＢを所定の輝度で発光させる画像パターン信号ＧＳを生成し、これを制御回路３００に順次出力する。

以上の構成において、補正データ生成装置２は、全てのブロックＢについてブロック電流Ｉｂを計測し、次に、補正データＤｈを生成する。図５にブロック電流Ｉｂを計測する処理のフローチャートを示す。まず、電気光学装置１及び補正データ生成装置２の電源が投入される（ステップＳ１）。この後、電気光学装置１において画像表示の制御／駆動が開始される（ステップＳ２）。次に、補正データ生成回路７００は、第１ブロック群ＢＧ１、第２ブロック群ＢＧ２の順に画像パターンを生成するように指示信号を生成し、これに従って画像パターン作成装置９００が画像パターン信号ＧＳを生成する（ステップＳ３）。具体的には、第１ブロック群ＢＧ１の各ブロックＢについて第１行→第２行→…→第ｍ行の順に発光させる画像パターンを作成させる。これに続いて、第２ブロック群ＢＧ２の各ブロックＢについて第１列→第２列→…→第ｎ列の順に発光させる画像パターンを作成させる。ここで、画像パターンは、対象となるブロックＢを均一な所定輝度となるように設定されており、また、ブロック間の輝度も同じになるように設定されている。

次に、あるブロックＢが発光すると電流計５００を用いて電源電流が計測される（ステップＳ４）。この電源電流がブロック電流Ｉｂとなる。次に、計測されたブロック電流Ｉｂがブロック電流記憶部６００に記憶される（ステップＳ５）。この後、補正データ生成回路７００は、全てのブロックＢについて測定が終了したか否かを判定する（ステップＳ６）。ステップＳ６の判定条件が否定されると、補正データ生成回路７００は、次の画像パターンを指示する指示信号を出力し、これを受けて画像パターン作成回路９００が変更した画像パターン信号ＧＳを電気光学装置１へ供給する。そして、全てのブロックＢについて測定が終了するとブロック電流Ｉｂの計測処理が終了する。

次に、補正データ生成回路７００はブロック電流Ｉｂに基づいて補正データＤｈを生成する。図６を参照して補正データＤｈの生成処理を説明する。この例では、５行５列の画素領域Ａを想定する。ブロック電流記憶部６００に記憶されるブロック電流Ｉｂは、図６（Ａ）に示すように第１ブロック群ＢＧ１（行方向）に対応するものと、第２ブロック群ＢＧ２（列方向）に対応するものが記憶されている。２系統のブロック電流Ｉｂから画素ごとの電流を算出する方法には、様々な算出方法が考えられるが、ここでは加減算によって算出する方法を一例として説明する。

第１に、ブロック電流Ｉｂのばらつき（偏差）を示すブロックばらつきデータＤａ（第１偏差情報）を次式に従って算出する。
Ｄａ１＝行ごとの電流／１行の画素数−Ｉref
Ｄａ２＝列ごとの電流／１列の画素数−Ｉref
例えば、図６（Ａ）に示すように第１ブロック群ＢＧ１（行方向）のブロック電流Ｉｂの値は、第１行から第５行に対応して、５０、５５、６０、３５、５５となり、第２ブロック群ＢＧ２（列方向）のブロック電流Ｉｂの値は、第１列から第５列に対応して、５０、５５、４０、５０、６０となる。
但し、Ｉrefは所定の輝度でＯＬＥＤ素子４２０を発光させるために必要な注入電流Ｉoledの値を示す基準電流値である。また、Ｄａ１は第１ブロック群ＢＧ１の各ブロックＢに対応したブロックばらつきデータであり、Ｄａ２は第２ブロック群ＢＧ２の各ブロックＢに対応したブロックばらつきデータである。

例えば、基準電流値Irefを「１０」とした場合、第１行から第５行のブロックばらつきデータＤａ１１〜Ｄａ１５は、Ｄａ１１＝０、Ｄａ１２＝１、Ｄａ１３＝２、Ｄａ１４＝−３、Ｄａ１５＝１となる。また、第１列から第５列のブロックばらつきデータＤａ２１〜Ｄａ２５は、Ｄａ２１＝０、Ｄａ２２＝１、Ｄａ２３＝−２、Ｄａ２４＝０、Ｄａ２５＝２となる。

第２に、ブロック群ＢＧごとのブロックばらつきデータＤａ１及びＤａ２に基づいて、画素ごとの注入電流Ｉoledのばらつきを示す画素ばらつきデータＤｂ（第２偏差情報）を次式に従って算出する。
Ｄｂｉｊ＝Ｄａ１ｉ＋Ｄａ２ｊ
但し、Ｄｂｉｊは、ｉ行ｊ列の画素における注入電流Ｉoledのばらつきを示す。図６（Ａ）に示すブロック電流Ｉｂに対応する画素ばらつきデータＤｂは、図６（Ｂ）に示すものとなる。この例では、画素ばらつきデータＤｂを第１ブロック群ＢＧ１のブロックばらつきデータＤａ１と第２ブロック群ＢＧ２のブロックばらつきデータＤａ２とを加算して算出したが、減算、乗算、除算、又はこれらの組み合わせによって算出してもよい。更に、過去のデータやシミュレーション結果等に基づいた補正テーブル（ＬＵＴ）に基づいて画素ばらつきデータＤｂを生成してもよい。

第３に、画素ばらつきデータＤｂに基づいて補正データＤｈを算出する。この例の補正データＤｈは、画素ばらつきデータＤｂの符号を反転させたものであり、図６（Ｃ）に示すものとなる。例えば、１行２列の画素に着目すると、図６（Ｂ）に示すように画素ばらつきデータＤｂ１２は「＋１」となっている。これは、基準電流値Ｉｒｅｆに対して、１行２列の注入電流Ｉoledが「１」だけ大きいことを意味する。一方、図６（Ｃ）に示すように補正データＤｈ１２は「−１」となっているので、注入電流Ｉoledに補正データＤｈ１２を反映させることによって、注入電流Ｉoledを基準電流値Ｉｒｅｆに一致させることが可能となる。

このようにして得られた補正データＤｈは、補正データ記憶部８００に記憶される。ここで、補正データ記憶部８００は、フラッシュＲＯＭなどの不揮発性メモリで構成される。そして、補正データＤｈの書き込まれた不揮発性メモリを電気光学装置１に組み込むことによって、各画素回路４００のＯＬＥＤ素子４２０に流れる電流Ｉoledのばらつきを改善することが可能となる。より具体的には、制御回路３００がアクセス可能となるように不揮発性メモリを組み込み、制御回路３００が不揮発性メモリの内容を参照して補正済みの出力階調データＤoutを生成すればよい。

以上、説明したように本実施形態によれば、ブロックＢの単位で計測したブロック電流Ｉｂに基づいて補正データＤｈを生成したので、全ての画素の各々について注入電流Ｉoledを計測し計測結果に基づいて補正データＤｈを生成する場合と比較して、計測時間を大幅に短縮することが可能となる。しかも、１個のＯＬＥＤ素子４２０は複数のブロック群ＢＧに属するので、２系統のブロック電流Ｉｂから当該ＯＬＥＤ素子の注入電流Ｉoledのばらつきを正確に特定することができる。上述したように画素領域Ａはｍ行ｎ列であり、これを行方向の第１ブロック群ＢＳ１と列方向の第２ブロック群ＢＳ２に分割している。この場合、画素ごとのばらつきを直接測定するには、ｎ・ｍ回の測定が必要となるが、ブロック群ＢＧごとに測定する本実施形態では、ｎ＋ｍ回の測定で計測を完了することが可能となる。

＜２．第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る補正データ生成システムについて説明する。第１実施形態に係る補正データ生成システムは、ブロック電流Ｉｂのばらつきをそのまま補正データＤｈとしたが、第２実施形態では、ブロック電流Ｉｂのばらつきが最も小さくなるように画像パターンの階調値を調整し、調整済みの階調値から補正データＤｈを生成するものである。第２実施形態の補正データ生成システムの構成は、ブロック電流記憶部６００を省略して電流計５００の出力信号が補正データ信号生成回路７００に供給される点を除いて、図１に示す第１実施形態の補正データ生成システムと同様であり、補正データ生成処理の内容が相違する。

図７に本実施形態における補正データ生成処理の内容を示す。まず、補正データ生成システムの電源が投入され（ステップＳ１１）、電気光学装置１の制御／駆動が開始される（ステップＳ１２）。次に、補正データ生成回路７００は、第１ブロック群ＢＧ１、第２ブロック群ＢＧ２の順に画像パターンを生成するように指示信号を生成し、これに従って画像パターン作成回路９００が画像パターン信号ＧＳを生成する（ステップＳ１３）。

次に、電流計５００を用いてブロック電流Ｉｂを計測し、計測したブロック電流Ｉｂに基づいて算出した注入電流Ｉoledが基準電流値Ｉrefに最も近づくように画像パターン信号ＧＳの階調値を調整する（ステップＳ１４）。具体的には、ブロック電流Ｉｂを当該ブロックＢの画素数で除算した値が、基準電流値Ｉrefに最も近づくように階調値を調整する。例えば、ブロック電流Ｉｂの測定において、階調値の初期値をＧ１、第２回目の階調値をＧ２、第３回目の階調値をＧ３として、図８に示す測定結果が得られたとする。この場合、ブロックばらつきデータＤａは、第２回目の測定で階調値Ｇ２とした場合が最小となる。即ち、階調値Ｇ２が基準電流値Ｉrefに最も近い値となる。この後、基準電流値Ｉrefに最も近づいた階調値に応じて補正データＤｈを生成し、補正データメモリ８００に記憶する（ステップＳ１５）。

上述したように、基準電流値Ｉrefは所定の輝度を発光させる注入電流Ｉoledの値である。ＯＬＥＤ素子４２０の発光輝度は画像パターン信号ＧＳの階調値によって定まる。この例では基準電流値Ｉrefに対応する階調値を基準階調値Ｇrefとする。仮に、データ線駆動回路２００や画素回路４００等の電気光学装置１の各構成要素が理想的であれば、基準階調値Ｇrefの画像パターン信号ＧＳを電気光学装置１に供給すると、注入電流Ｉoledの値が基準電流値Ｉrefとなる。しかしながら、データ線駆動回路２００や画素回路４００の電気的特性にばらつきがある場合には、注入電流Ｉoledの値が基準電流値Ｉrefに対しばらつく。第１実施形態では、電流のばらつきに着目して補正データＤｈを生成したが、第２実施形態では、基準電流値Ｉrefに最も近づくように入力の階調値を調整し、調整済みの階調値に基づいて補正データＤｈを生成する。即ち、注入電流Ｉoledを制御する制御データ（この例では、入力階調値）の調整結果に基づいて補正データＤｈを生成するので、注入電流Ｉoledのばらつきをより一層低減することが可能となる。

＜３.応用例＞
本発明は、上述した第1及び第２実施形態に限定されるものではなく、以下の応用が可能である。
（１）上述した第1実施形態の補正データ生成システムの一部又は全部は、電気光学装置１の電気的特性を計測する計測装置として捉えることも可能である。また、計測されたブロック電流Ｉｂ、ブロックばらつきデータＤａ、又は画素ばらつきデータＤｂ（計測装置の計測結果）が所定の範囲内にあるか否かを判定し、判定結果に基づいて電気光学装置の良否を検査してもよい。ブロック電流Ｉｂ、ブロックばらつきデータＤａ、又は画素ばらつきデータＤｂは、補正データＤｈを生成するために計測するのであるが、ＴＦＴの不良や配線の不良がある場合には、計測値が大きくずれることになる。例えば、点欠陥や線欠陥の場合である。このような場合には、電気光学パネル等がそもそも不良であり、補正で対応することができないので不良品とすることが望ましい。なお、走査線１０１やデータ線１０３の導通試験を行って点欠陥や線欠陥を発見することも可能であるが、検査工程を別途実施する必要が生じる。これに対して、補正データＤｈを生成する過程で不良検査を実行すれば、検査工程を含む電気光学装置１の製造工程を簡略化することができる。

（２）上述した第1及び第２実施形態では、電気光学パネルに走査線駆動回路１００及びデータ線駆動回路２００が組み込まれており、制御回路３００が電気光学パネルの外部に組み込まれているものを一例として説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。上述した回路及び画像パターン作成回路の一部または全部は、モジュールとして電気光学装置１に組み込んでもよいし、あるいは、補正データ生成装置２に組み込んでもよい。モジュールとして電気光学装置１に組み込んだ場合には、駆動回路の特性を含めて補正データＤｈを生成することができるという利点があり、モジュールを補正データ生成装置２に組み込んだ場合には、電気光学パネル単体の良否検査を行えるといった利点がある。

（３）上述した第1及び第２実施形態では、不揮発性メモリで構成される補正データ記憶部８００が補正データ生成装置２に組み込まれていたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、補正データ生成装置２の電流計５００を除く構成要素を計測用コンピュータで構築してもよい。この場合、補正データＤｈを計測用コンピュータに内蔵されるＲＡＭに記憶しておき、補正データＤｈをＲＯＭライターに出力して不揮発性メモリに書き込むようにしてもよい。即ち、補正データ記憶部８００は、一時的に補正データＤｈを記憶するメモリであってもよいし、不揮発性メモリであってもよい。さらに、電気光学装置１に不揮発性メモリを設け、そこに補正データＤｈを書き込むようにしてもよい。

（４）上述した第1及び第２実施形態では、単一色の電気光学装置１を一例として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、カラー表示の電気光学装置１を対象としてもよい。この場合、複数種類の発光色を有するＯＬＥＤ素子４２０を用いるか、あるいは、単色のＯＬＥＤ素子とカラーフィルタ等の色変換層とを組み合わせることが考えられる。前者の場合には、例えば、図９に示す補正データ生成システムを構成すればよい。同図に示す「Ｒ」、「Ｇ」、及び「Ｂ」の符号はそれぞれ「赤」、「緑」、及び「青」を意味し、ＯＬＥＤ素子４２０の発光色を示している。この例にあっては、データ線１０３に沿って各色の画素回路４００が配列されている。また、各画素回路４００のうち、Ｒ色に対応する画素回路４００は電源線ＬＲと接続されており、Ｇ色に対応する画素回路４００は電源線ＬＧと接続されており、Ｂ色に対応する画素回路４００は電源線ＬＢに接続されている。電源電圧Ｖｄｄｒ、Ｖｄｄｇ、及びＶｄｄｂが、電源線ＬＲ、ＬＧ及びＬＢを介して、ＲＧＢ各色に対応する画素回路４００に供給される。

そして、電流計５００は、各電源線ＬＲ、ＬＧ及びＬＢに流れる電流を各々検出する。図１０を参照して、行方向の第1ブロック群ＢＧ１のブロックＢについて説明する。同図に示すように行方向のブロックＢには、ＲＧＢ色の画素が各々設けられている。発光色が相違するＯＬＥＤ素子４２０では、発光効率が異なるので基準電流値Ｉrefが相違する。このため、補正データＤｈは発光色に応じて生成する必要がある。そこで、同図に示すようにブロックＢを発光色ごとのサブブロックＢｒ、Ｂｇ及びＢｂの集まりと捉え、サブブロックＢｒ、Ｂｇ及びＢｂごとにブロック電流Ｉｂを計測して、補正データＤｈを生成すればよい。

（５）上述した第1実施形態においては、各画素の補正係数を補正データＤｈとして生成して補正データ記憶部８００に記憶したが、行列ごとの補正係数またはブロックばらつきデータＤａ（Ｄａ１、Ｄａ２）を補正データＤｈとして補正データ記憶部８００に記憶するようにしてもよい。この場合には、電気光学装置１において、２系統の補正データＤｈから各画素の補正データＤｈを生成する必要があるが、補正データ記憶部８００の記憶容量を削減できるといった利点がある。一方、上述した第1実施形態のように画素ごとの補正データＤｈを記憶する場合には、電気光学装置１において２系統の補正データＤｈから画素ごとの補正データＤｈを生成する必要がないので、演算処理を不要にでき構成を簡易にできるといった利点がある。

（６）上述した第1及び第２実施形態及び応用例において、電流計５００は、電源電流が定常状態で一定値を示すタイミングで瞬時電流を測定してもよいし、あるいは、ある時間で平均化された平均電流を測定してもよい。例えば、パッシブ型の電気光学装置１においては、電源電流が図１１に示すように変化するが、瞬時電流はＩ１となり、平均電流はＩ２となる。
また、アクティブ型の電気光学装置１の場合、電源電流は書込電流（非発光）と発光電流とに分けられることがある。この場合には、書き込み期間、発光期間、及びブランク期間の割合、並びに書き込み電流値から発光に寄与する電源電流値を算出してもよい。

（７）上述した第1及び第２実施形態及び応用例において、基準電流値Ｉrefは、予め定められた値であったが、全画面の平均輝度に応じて定めてもよい。また、上述した実施形態では、行方向と列方向に着目してブロック群ＢＳを選定したが、図４（Ｃ）に示すブロックＢや図４（Ｄ）に示すブロックＢを採用してもよい。更に、上述した実施形態及び応用例では、ブロックＢごとのばらつきを計測したが、これに加えて画素領域Ａ全体のばらつきを計測結果として出力するようにしてもよい。この場合には、電気光学パネル全体で荒く補正して、ブロックＢごとに細かく補正することが可能となる。

（８）上述した第２実施形態においては、出力階調データＤｏｕｔを調整することでばらつきを吸収したが、画素回路４００へ供給するアナログ電圧やアナログ電流、あるいは発光時間などを調整してばらつきを吸収するように構成してもよい。要は、注入電流Ｉoledを制御可能なデータであれば、如何なるものであっても調整の対象とすることが可能である。この場合も注入電流Ｉoledの補正値でなく、調整の対象となるデータの補正値を補正データ記憶部８００に記憶すればよい。

また、第２実施形態の基準電流値Ｉrefは、上述したように予め定められた値であってもよいし、画素領域Ａの全体の平均であってもよい。更に、直前の画像パターンを表示させたときの電流であってよいし、最初の画像パターンを表示させたときの電流であってもよい。

（９）上述した第１実施形態では補正電流値を補正データＤｈとし、第２実施形態では補正階調値を補正データＤｈとしたが、電流値／階調値の他に電流補正係数／階調補正係数も補正データＤｈとして保存してもよい。さらに、これらに加えて、各画素の基準電圧や基準電流の補正値あるいは補正係数を補正データＤｈとしてもよい。要は、電気光学素子に流れる電流値が基準電流値と同一または略同一となるように、電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するのであれば、補正データＤｈは如何なる形式であって
もよい。

本発明の第１実施形態に係る補正データ生成システムの構成を示すブロック図である。 同システムの電気光学装置における走査線駆動回路のタイミングチャートである。 同装置における画素回路の構成を示す回路図である。 画素領域Ａのブロックの態様を説明するための説明図である。 同システムの計測処理の内容を示すフローチャートである。 同システムにおける補正データ生成処理の内容を示す説明図である。 第２実施形態に係る補正データ生成処理の内容を示すフローチャートである。 同システムの階調値調整処理の内容を説明するためのグラフである。 応用例に係る補正データ生成システムの構成を示すブロック図である。 カラー表示の電気光学装置におけるブロックを構成するサブブロックを説明するための説明図である。 応用例に係る電源電流の計測をするための説明図である。

符号の説明

１…電気光学装置、２…補正データ生成装置、４００…画素回路、４２０…有機発光ダイオード、５００…電流計、６００…ブロック電流記憶部、７００…補正データ生成回路、８００…補正データ記憶部、９００…画像パターン作成回路、Ｄｈ…補正データ。

Claims (8)

1. 電流によって駆動される複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域を備
   えた電気光学装置の特性を計測する計測装置と、前記電気光学装置において前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生成する補正データ生成手段と、を備えることを特徴とする補正データ生成装置であって、
   前記計測装置が、
   前記画素領域を分割した複数のブロックに各々対応する画像パターンを順次生成して前
   記電気光学装置へ出力する画像パターン生成手段と、
   前記ブロック毎に前記電気光学素子に供給される電流をブロック電流として計測する電流計測手段と、
   所定の基準電流値に対する前記ブロック電流の差分を第１偏差情報として算出する演算手段と、
   を備え、
   前記複数のブロックは一つのブロック群を構成し、前記複数の電気光学素子の各々は前記画素領域の全体を互いに異なる区分け方法によって分割した複数のブロック群に属し、
   前記画像パターン生成手段は、前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に
   属するブロックに対応した画像パターンを順次生成して前記電気光学装置へ出力し、
   前記電流計測手段は、前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に属するブ
   ロックに対応した電流を前記ブロック電流として計測し、
   前記補正データ生成手段が、
   前記第１偏差情報に基づいて、前記複数のブロックの各々について前記電気光学素子に
   流れる電流値が前記基準電流値と同一または略同一となるように、前記電気光学装置にお
   いて前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生
   成することを特徴とする補正データ生成装置。
2. 電流によって駆動される複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域を備えた電気光学装置の特性を計測する計測装置と、前記電気光学装置において前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生成する補正データ生成手段と、を備えることを特徴とする補正データ生成装置であって、
   前記計測装置が、
   前記画素領域を分割した複数のブロックに各々対応する画像パターンを順次生成して前記電気光学装置へ出力する画像パターン生成手段と、
   前記ブロック毎に前記電気光学素子に供給される電流をブロック電流として計測する電
   流計測手段と、
   所定の基準電流値に対する前記ブロック電流の差分を第１偏差情報として算出する演算手段と、を備え、
   前記複数のブロックは一つのブロック群を構成し、前記複数の電気光学素子の各々は前記画素領域の全体を互いに異なる区分け方法によって分割した複数のブロック群に属し、
   前記画像パターン生成手段は、前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に
   属するブロックに対応した画像パターンを順次生成して前記電気光学装置へ出力し、
   前記電流計測手段は、前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に属するブ
   ロックに対応した電流を前記ブロック電流として計測し、
   前記演算手段は、前記ブロック電流を前記ブロックに属する前記電気光学素子の数で除算した値と前記基準電流値との差分を前記第１偏差情報として算出し、更に、ある電気光学素子の属する前記ブロック別の前記第１偏差情報に所定の演算を施して前記複数の電気光学素子の各々について第２偏差情報を生成し、
   補正データ生成手段が、前記第２偏差情報に基づいて、前記複数のブロックの各々について前記電気光学素子に流れる電流値が前記基準電流値と同一または略同一となるように、前記電気光学装置において前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生成することを特徴とする補正データ生成装置。
3. 前記補正データ生成手段は、前記第１偏差情報又は前記第２偏差情報に基づいて前記電
   気光学素子に流れる電流値を前記基準電流値に補正するための補正係数を示す電流補正デ
   ータを生成し、当該電流補正データに基づいて前記補正データを生成することを特徴とす
   る請求項１又は２に記載の補正データ生成装置。
4. 前記補正データ生成手段が生成した前記補正データを用いて前記制御データを補正し、
   補正した前記制御データを用いて前記電気光学素子に電流を供給し、その結果得られる前
   記第１偏差情報又は前記第２偏差情報に基づいて、前記補正データを更新する補正データ
   更新手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の補正デー
   タ生成装置。
5. 請求項１乃至４に記載の補正データ生成装置によって生成された前記補正データを記憶
   したことを特徴とする情報記録媒体。
6. 電流によって駆動される複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域を備
   えた電気光学装置の特性を計測して、前記電気光学装置において前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生成する、補正データ生成方法であって、
   前記画素領域は複数のブロックから構成され、前記複数のブロックは一つのブロック群
   を構成し、前記複数の電気光学素子の各々は互いに異なる区分け方法によって前記画素領
   域を分割した複数のブロック群に属し、
   前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に属するブロックに対応した画像
   パターンを順次生成して前記電気光学装置へ出力し、
   前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に属するブロックに対応した電流
   をブロック電流として計測し、
   所定の基準電流値に対する前記ブロック電流の差分を第１偏差情報として算出し、
   前記第１偏差情報に基づいて、前記複数のブロックの各々について前記電気光学素子に
   流れる電流値が前記基準電流値と同一または略同一となるように、前記電気光学装置にお
   いて前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生
   成する、ことを備えることを特徴とする補正データ生成方法。
7. 電流によって駆動される複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域を備えた電気光学装置の特性を計測して、前記電気光学装置において前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生成する、補正データ生成方法であって、
   前記画素領域は複数のブロックから構成され、前記複数のブロックは一つのブロック群
   を構成し、前記複数の電気光学素子の各々は互いに異なる区分け方法によって前記画素領
   域を分割した複数のブロック群に属し、
   前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に属するブロックに対応した画像
   パターンを順次生成して前記電気光学装置へ出力し、
   前記複数のブロック群の各々について、各ブロック群に属するブロックに対応した電流
   をブロック電流として計測し、
   前記ブロック電流を前記ブロックに属する前記電気光学素子の数で除算した値と所定の
   基準電流値との差分を第１偏差情報として算出し、
   ある電気光学素子の属する前記ブロック別の前記第１偏差情報に所定の演算を施して前
   記複数の電気光学素子の各々について第２偏差情報を生成し、
   前記第２偏差情報に基づいて、前記複数のブロックの各々について前記電気光学素子に
   流れる電流値が前記基準電流値と同一または略同一となるように、前記電気光学装置にお
   いて前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するための補正データを生
   成する
   ことを特徴とする補正データ生成方法。
8. 生成した前記補正データを用いて前記制御データを補正し、
   補正した前記制御データを用いて前記電気光学素子に電流を供給し、
   その結果得られる前記第１偏差情報又は前記第２偏差情報に基づいて、前記補正データ
   を更新する
   ことを特徴とする請求項６又は７に記載の補正データ生成方法。

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