JP4603461B2 - Optical system and laser irradiation apparatus - Google Patents

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Description

本発明は光学系及びレーザ照射装置にかかり,さらに詳しくはレーザビームにより形成されるイメージの方向を調節する部分に特徴のある光学系及びレーザ照射装置に関する。   The present invention relates to an optical system and a laser irradiation apparatus, and more particularly to an optical system and a laser irradiation apparatus that are characterized by a portion that adjusts the direction of an image formed by a laser beam.

平板表示装置は,軽量及び薄型などの特性を有するため,最近では陰極線管表示装置(CRT:Cathode−Ray Tube display)に代わる表示装置として台頭している。このような平板表示装置の代表的な例としては,液晶表示装置(LCD:Liquid Crystal Display)や有機電界発光表示装置(OLED:Organic Light Emitting Display)などがある。このうち,有機電界発光表示装置は,液晶表示装置に比べて輝度特性及び視野角特性が優秀であり,バックライトを必要としないので,超薄型を具現することができるといった利点がある。   Since the flat panel display device has characteristics such as light weight and thin shape, it has recently emerged as a display device that replaces a cathode-ray tube display (CRT). Typical examples of such a flat panel display device include a liquid crystal display (LCD) and an organic light emitting display (OLED). Among these, the organic light emitting display device has the advantages that the luminance characteristic and the viewing angle characteristic are superior to those of the liquid crystal display device and does not require a backlight, so that it can be realized to be ultra-thin.

このような平板表示装置は,赤色,緑色及び青色の画素を含んでフルカラーを具現することができる。例えば,液晶表示装置の場合,赤色,緑色及び青色のカラーフィルターを形成することにより,フルカラーを具現することができる。また,例えば有機電界発光表示装置の場合,赤色,緑色及び青色発光層を形成することにより,フルカラーを具現することができる。   Such a flat panel display can realize full color including red, green and blue pixels. For example, in the case of a liquid crystal display device, full color can be realized by forming red, green and blue color filters. For example, in the case of an organic light emitting display device, a full color can be realized by forming red, green, and blue light emitting layers.

ここで,上記有機電界発光表示装置の場合には,赤色,緑色及び青色の発光層を形成するにあたって,レーザ熱転写法を用いることができる。上記レーザ熱転写法は,シャドーマスク(shadow mask)を用いる蒸着法と比較すると,発光層を微細にパターニングすることができるといった利点がある。また,インクジェットプリンティング(ink−jet printing)法と比較すると,その工程が乾式であるという利点がある。   Here, in the case of the organic electroluminescence display device, a laser thermal transfer method can be used in forming the red, green and blue light emitting layers. The laser thermal transfer method has an advantage that the light emitting layer can be finely patterned as compared with a vapor deposition method using a shadow mask. In addition, there is an advantage that the process is a dry process as compared with an ink-jet printing method.

このようなレーザ熱転写法によれば,基材フィルム,光熱変換層,及び転写層を含むドナーフィルムの上記転写層をアクセプタ基板上に転写させることにより,有機電界発光表示素子にパターニングされた発光層を形成することができる(例えば,特許文献1,2又は3参照。)。具体的には,上記ドナーフィルムの転写層が上記アクセプタ基板と対向するように上記ドナーフィルムを上記基材フィルム上に配置させ,上記ドナーフィルムの基材フィルム側からレーザビームを照射することにより,上記転写層をアクセプタ基板上に転写させて発光層パターンを形成することができる。この際,上記発光層パターンはストライプ状であることができる。このようなストライプ状の発光層パターンは,上記基材フィルム上に上記発光層パターンの長手方向にレーザビームをスキャンすることによって形成することができる。   According to such a laser thermal transfer method, a light emitting layer patterned into an organic electroluminescence display element is obtained by transferring the transfer layer of a donor film including a base film, a photothermal conversion layer, and a transfer layer onto an acceptor substrate. Can be formed (for example, see Patent Documents 1, 2, or 3). Specifically, the donor film is disposed on the base film so that the transfer layer of the donor film faces the acceptor substrate, and a laser beam is irradiated from the base film side of the donor film, The transfer layer can be transferred onto an acceptor substrate to form a light emitting layer pattern. At this time, the light emitting layer pattern may have a stripe shape. Such a stripe-shaped light emitting layer pattern can be formed on the base film by scanning a laser beam in the longitudinal direction of the light emitting layer pattern.

また,上記レーザ熱転写法においては,基板を載置する基板載置部と,上記基板載置部上の基板に対してレーザビームを出力する光学系とを含むレーザ熱転写装置を用いるのが一般的である。このとき,上記基板上に照射されるレーザビームは,レーザ照射装置によって,X軸またはY軸に固定されたイメージを有することになる。ここで,上記イメージとは,レーザビームを被処理物の表面に照射した際に実際にビームが照射される領域を意味する。すなわち,上記レーザビームは,一方向にスキャンされて,上記一方向に対して直角な方向の軸に対しては固定されたイメージを形成することができる。従って,上記レーザビームがイメージを形成する方向(スキャン方向)によって,基板上に形成される発光層パターンの長手方向が決定されることになる。   In the laser thermal transfer method, it is common to use a laser thermal transfer apparatus including a substrate mounting portion for mounting a substrate and an optical system for outputting a laser beam to the substrate on the substrate mounting portion. It is. At this time, the laser beam irradiated onto the substrate has an image fixed on the X axis or the Y axis by the laser irradiation apparatus. Here, the image means a region where the beam is actually irradiated when the surface of the workpiece is irradiated with the laser beam. That is, the laser beam can be scanned in one direction to form a fixed image with respect to an axis perpendicular to the one direction. Therefore, the longitudinal direction of the light emitting layer pattern formed on the substrate is determined by the direction in which the laser beam forms an image (scanning direction).

米国特許第5,998,085号明細書US Pat. No. 5,998,085 米国特許第6,214,520号明細書US Pat. No. 6,214,520 米国特許第6,114,088号明細書US Pat. No. 6,114,088

一方,有機電界発光表示装置によっては,上記発光層パターンの長手方向をX軸方向に形成しなければならない場合と,Y軸方向に形成しなければならない場合とがある。このような場合,上記発光層パターンの長手方向に応じて,異なるレーザ照射装置を用いて発光層パターンを形成しなければならないといった問題があった。   On the other hand, depending on the organic light emitting display device, there are cases where the longitudinal direction of the light emitting layer pattern must be formed in the X axis direction and in the Y axis direction. In such a case, there is a problem in that the light emitting layer pattern must be formed using a different laser irradiation apparatus according to the longitudinal direction of the light emitting layer pattern.

そこで,本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので,その目的とするところは,部品(設備)を交換または変更することなく比較的簡単な方法により,出射ビームにより形成されるイメージの方向を変更するように調節が可能な光学系を提供することにある。また,本発明のほかの目的は,1台の装置で,部品を交換または変更することなく比較的簡単な方法により,異なる方向に配列された転写層パターンを形成可能なレーザ照射装置を提供することにある。   Accordingly, the present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide an image formed by an outgoing beam by a relatively simple method without replacing or changing parts (equipment). It is an object of the present invention to provide an optical system that can be adjusted so as to change its direction. Another object of the present invention is to provide a laser irradiation apparatus capable of forming transfer layer patterns arranged in different directions by a relatively simple method without replacing or changing parts with a single apparatus. There is.

上記課題を解決するために,本発明のある観点によれば,レーザビームを発生させるレーザ光源(laser source)と;上記レーザビームにより被処理物に形成されるイメージの方向が第1の方向となるようにレーザビームの方向を調節して出力する第1調節モード,及び上記被処理物に形成されるイメージの方向が第2の方向となるようにレーザビームの方向を調節して出力する第2調節モードを含むイメージ方向調節手段(image direction modulator)と;を含むことを特徴とする光学系(optical system)が提供される。   In order to solve the above-described problem, according to an aspect of the present invention, a laser source that generates a laser beam; and a direction of an image formed on the object to be processed by the laser beam is a first direction. A first adjustment mode in which the direction of the laser beam is adjusted so as to be output, and a first adjustment mode in which the direction of the laser beam is adjusted so that the direction of the image formed on the workpiece is the second direction. An optical system comprising: an image direction modulator including two adjustment modes; and an optical system.

このような本発明にかかる光学系によれば,レーザビームにより被処理物に形成されるイメージが第1の方向または第2の方向に形成されるように調節可能なイメージ方向調節手段を備えたことにより,光学系または光学系に含まれる部品などを変更あるいは交換することなしに第1の方向または第2の方向にイメージを形成することができる。すなわち,上記光学系は,一つの光学系で互いに異なる方向のイメージを形成することができる。ここで,“イメージ”とは,レーザビームを被処理物の表面に照射した時,実際にレーザビームが照射される領域を意味する。   According to such an optical system of the present invention, the image direction adjusting means that can be adjusted so that the image formed on the object to be processed by the laser beam is formed in the first direction or the second direction is provided. Thus, an image can be formed in the first direction or the second direction without changing or replacing the optical system or components included in the optical system. That is, the optical system can form images in different directions with one optical system. Here, “image” means a region where a laser beam is actually irradiated when the surface of the workpiece is irradiated with the laser beam.

このとき,上記第1の方向はX軸方向であり,上記第2の方向は上記第1の方向に対して直角をなすY軸方向であるように構成すれば,上記光学系は,その向きが相互に90°異なるイメージのいずれかを選択的に形成することができる。   At this time, if the first direction is the X-axis direction and the second direction is the Y-axis direction perpendicular to the first direction, the optical system can move in that direction. Any of the images that are 90 ° different from each other can be selectively formed.

また,上記イメージ方向調節手段は,上記第1調節モードで作動するときに上記レーザビームが通過する第1ビーム経路(beam passage)と,上記第2調節モードで作動するときに上記レーザビームが通過する第2ビーム経路とを含むように構成される。このとき,上記第1ビーム経路及び上記第2ビーム経路は,それぞれ複数の反射鏡から構成されることができる。
The image direction adjusting means passes through a first beam path through which the laser beam passes when operating in the first adjusting mode, and the laser beam passes when operating in the second adjusting mode. It is configured to include a second beam path for Ru. At this time, each of the first beam path and the second beam path may be composed of a plurality of reflecting mirrors.

また,上記光学系は,上記レーザ光源と上記イメージ方向調節手段との間に位置し,上記レーザ光源から発生したレーザビームのイメージをライン状に変換させるイメージ変換手段をさらに含むことができる。このとき,上記イメージ変換手段はホモジナイザーであるのがよい。   The optical system may further include an image conversion unit that is located between the laser light source and the image direction adjusting unit and converts an image of a laser beam generated from the laser light source into a line shape. At this time, the image conversion means may be a homogenizer.

また,上記光学系は,上記イメージ変換手段と上記イメージ方向調節手段との間に位置し,光透過パターンまたは光反射パターンを含むマスクをさらに含むことができる。   The optical system may further include a mask positioned between the image conversion unit and the image direction adjustment unit and including a light transmission pattern or a light reflection pattern.

上記課題を解決するために,本発明の別の観点によれば,レーザビームを発生させるレーザ光源(laser source),上記レーザビームにより被処理物に形成されるイメージの方向を調節するイメージ方向調節手段(image direction modulator),及び投影レンズ(projection lens)を含む光学系(optical system)と;上記光学系から照射されるレーザビームを受像可能な位置に配置されて,上記被処理物としての基板が載置される基板載置部(チャック)と;を含むことを特徴とするレーザ照射装置が提供される。   In order to solve the above problems, according to another aspect of the present invention, a laser source that generates a laser beam, and an image direction adjustment that adjusts the direction of an image formed on the object to be processed by the laser beam. An optical system including an image direction modulator and a projection lens; and a substrate as the object to be processed, disposed at a position capable of receiving a laser beam emitted from the optical system. And a substrate mounting portion (chuck) on which is mounted.

このような本発明にかかるレーザ照射装置によれば,レーザビームにより被処理物に形成されるイメージの方向を調節可能なイメージ方向調節手段を備えたことにより,基板載置部,光学系,レーザ照射装置またはそれらの部品などを変更あるいは交換することなしに,上記基板載置部に載置された基板上に形成されるイメージの方向を変更することができる。すなわち,上記レーザ照射装置は,一つの装置で異なる方向のイメージを上記基板載置部に載置された基板上に形成することができる。ここで,“イメージ”とは,レーザビームを被処理物の表面に照射した時,実際にレーザビームが照射される領域を意味する。   According to the laser irradiation apparatus according to the present invention as described above, by including the image direction adjusting means capable of adjusting the direction of the image formed on the object to be processed by the laser beam, the substrate mounting portion, the optical system, and the laser The direction of the image formed on the substrate placed on the substrate placing portion can be changed without changing or replacing the irradiation device or their components. That is, the laser irradiation device can form images in different directions on a substrate placed on the substrate placement portion with one device. Here, “image” means a region where a laser beam is actually irradiated when the surface of the workpiece is irradiated with the laser beam.

このとき,上記イメージ方向調節手段は,上記被処理物に形成されるイメージの方向が第1の方向となるようにレーザビームの方向を調節して出力する第1調節モード,及び上記被処理物に形成されるイメージの方向が第2の方向となるようにレーザビームの方向を調節して出力する第2調節モードを含むように構成される。これにより,上記基板載置部に載置された基板上に,第1の方向または第2の方向にイメージを形成することができる。
At this time, the image direction adjusting means adjusts and outputs the direction of the laser beam so that the direction of the image formed on the object to be processed is the first direction, and the object to be processed. direction of the image to be formed on the Ru is configured to include a second adjustment mode to output to adjust the direction of the laser beam such that the second direction. Accordingly, an image can be formed in the first direction or the second direction on the substrate placed on the substrate placement unit.

このとき,上記第1の方向はX軸方向であり,上記第2の方向は上記第1の方向に対して直角をなすY軸方向であるように構成すれば,上記レーザ照射装置は,その向きが相互に90°異なるイメージのいずれかを上記基板載置部に載置された基板上に選択的に形成することができる。ここで,例えば,上記レーザ照射装置を有機電界発光表示装置の有機発光層のパターンを形成するのに用いれば,その向きが相互に90°異なるパターンの形成を同一のレーザ照射装置を用いて行うことができる。   At this time, if the first direction is the X-axis direction and the second direction is the Y-axis direction perpendicular to the first direction, the laser irradiation apparatus Any of images whose directions are 90 ° different from each other can be selectively formed on the substrate placed on the substrate placement portion. Here, for example, if the above laser irradiation device is used to form the pattern of the organic light emitting layer of the organic light emitting display device, the same laser irradiation device is used to form patterns whose directions differ from each other by 90 °. be able to.

また,上記レーザ照射装置は,上記レーザ光源と上記イメージ方向調節手段との間に位置し,上記レーザ光源から発生したレーザビームのイメージをライン状に変換させるイメージ変換手段をさらに含むことができる。このとき,上記イメージ変換手段はホモジナイザーであるのがよい。   The laser irradiation apparatus may further include an image conversion unit that is located between the laser light source and the image direction adjusting unit and converts an image of a laser beam generated from the laser light source into a line shape. At this time, the image conversion means may be a homogenizer.

また,上記レーザ照射装置は,上記イメージ変換手段と上記イメージ方向調節手段との間に位置し,光透過パターンまたは光反射パターンを含むマスクをさらに含むことができる。   The laser irradiation apparatus may further include a mask positioned between the image conversion unit and the image direction adjustment unit and including a light transmission pattern or a light reflection pattern.

また,上記イメージ方向調節手段は,上記第1調節モードで作動するときに上記レーザビームが通過する第1ビーム経路(beam passage)と,上記第2調節モードで作動するときに上記レーザビームが通過する第2ビーム経路とを含むように構成される。このとき,上記第1ビーム経路及び上記第2ビーム経路は,それぞれ複数の反射鏡から構成されることができる。 The image direction adjusting means passes through a first beam path through which the laser beam passes when operating in the first adjusting mode, and the laser beam passes when operating in the second adjusting mode. It is configured to include a second beam path for Ru. At this time, each of the first beam path and the second beam path may be composed of a plurality of reflecting mirrors.

また,上記光学系は,上記イメージ変換手段と上記イメージ方向調節手段との間に位置し,光透過パターンまたは光反射パターンを含むマスクをさらに含むことができる。   The optical system may further include a mask positioned between the image conversion unit and the image direction adjustment unit and including a light transmission pattern or a light reflection pattern.

また,上記投影レンズは,上記レーザ光源と上記イメージ方向調節手段との間に位置するように配設されるのがよい。このとき,上記投影レンズは,上記イメージ方向調節手段を通過した上記レーザビームを上記基板上に投影することができる。   The projection lens may be disposed so as to be positioned between the laser light source and the image direction adjusting means. At this time, the projection lens can project the laser beam that has passed through the image direction adjusting means onto the substrate.

また,上記基板載置部は上記基板が載置される面に沿った一方向に移動可能であり,上記光学系は上記基板が載置される面に平行で上記一方向と直角をなす方向に移動可能であるように構成されるのがよい。これにより,上記基板載置部を一方向に移動させる段階と上記光学系を上記一方向と直角をなす方向に移動させる段階とを繰り返すことにより,上記基板載置部に載置された基板の全面に渡ってパターンを形成することができる。   The substrate mounting portion is movable in one direction along the surface on which the substrate is mounted, and the optical system is parallel to the surface on which the substrate is mounted and is perpendicular to the one direction. It may be configured to be movable. Thus, by repeating the step of moving the substrate platform in one direction and the step of moving the optical system in a direction perpendicular to the one direction, the substrate placed on the substrate platform is moved. A pattern can be formed over the entire surface.

このとき,上記基板は,アクセプタ基板と,上記アクセプタ基板上に位置するドナー基板とを含むように構成すれば,上記レーザ光源から発光されるレーザビームを上記基板に照射することによって,例えば上記ドナー基板の転写層を上記アクセプタ基板に転写させるレーザ熱転写法により,上記基板上にパターンを形成することができる。   At this time, if the substrate includes an acceptor substrate and a donor substrate positioned on the acceptor substrate, the substrate is irradiated with a laser beam emitted from the laser light source, for example, the donor substrate. A pattern can be formed on the substrate by a laser thermal transfer method in which a transfer layer of the substrate is transferred to the acceptor substrate.

本発明によれば,レーザビームにより被処理物に形成されるイメージが第1の方向または第2の方向に形成されるように調節可能なイメージ方向調節手段を備えたことにより,基板載置部,光学系,レーザ照射装置またはそれらの部品などを変更あるいは交換することなしに第1の方向または第2の方向にイメージを形成することができる光学系及びレーザ照射装置を提供できるものである。このとき,第1の方向をX軸方向とし,第2の方向を第1の方向に対して直角をなすY軸方向とすれば,上記光学系及びレーザ照射装置を用いることによって,一つの装備で互いに異なる方向のイメージを形成することができる。更に,上記光学系またはレーザ照射装置を有機電界発光表示装置の有機発光層のパターンを形成するのに用いて,レーザビームによりドナーフィルムの転写層をアクセプタ基板に転写させて有機発光層パターンを形成することができる。   According to the present invention, the substrate mounting portion is provided with the image direction adjusting means that can be adjusted so that the image formed on the object to be processed by the laser beam is formed in the first direction or the second direction. It is possible to provide an optical system and a laser irradiation apparatus that can form an image in the first direction or the second direction without changing or replacing the optical system, the laser irradiation apparatus, or their components. At this time, if the first direction is the X-axis direction and the second direction is the Y-axis direction perpendicular to the first direction, one device can be obtained by using the optical system and the laser irradiation apparatus. With this, images in different directions can be formed. Furthermore, the optical system or the laser irradiation device is used to form the organic light emitting layer pattern of the organic light emitting display device, and the transfer layer of the donor film is transferred to the acceptor substrate by the laser beam to form the organic light emitting layer pattern. can do.

以下に添付図面を参照しながら,本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお,本明細書及び図面において,実質的に同一の機能構成を有する構成要素については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present specification and drawings, components having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

本明細書及び図面において,層がほかの層または基板“上”にあると説明する場合,これはほかの層または基板上に直接形成されるか,またはこれらの間に第3層が介在されることもできる。また,本明細書において,“イメージ”とは,レーザビームを被処理物の表面に照射した時,実際にレーザビームが照射される領域を意味する。   In this specification and drawings, when a layer is described as being “on” another layer or substrate, it is formed directly on the other layer or substrate, or a third layer is interposed therebetween. You can also. Further, in this specification, “image” means a region where a laser beam is actually irradiated when the surface of the workpiece is irradiated with the laser beam.

先ず,本発明の実施の形態にかかるレーザ照射装置の概略構成について説明する。図1は,本実施形態にかかるレーザ照射装置の構成を概略的に示す斜視図である。図1に示すように,レーザ照射装置LAはステージ100を含む。ステージ100上には基板が載置される基板載置部(チャック)200が位置する。また,ステージ100は,基板載置部200をステージ100の面の一方向(図1のX軸方向)に沿ってに往復移動させるように案内する基板載置部ガイドバー(チャックガイドバー:chuck guide bar)150を含む。   First, a schematic configuration of a laser irradiation apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a perspective view schematically showing a configuration of a laser irradiation apparatus according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, the laser irradiation apparatus LA includes a stage 100. A substrate platform (chuck) 200 on which the substrate is placed is positioned on the stage 100. The stage 100 also has a substrate placement section guide bar (chuck guide bar: chuck) that guides the substrate placement section 200 so as to reciprocate along one direction of the surface of the stage 100 (X-axis direction in FIG. 1). guide bar) 150.

基板載置部200の上部には光学系300が位置する。光学系300は光学系ガイドバー400に装着される。光学系300は光学系ガイドバー400に沿って,基板載置部200が移動する方向と直角をなす方向(Y軸方向)に移動することができる。   The optical system 300 is located above the substrate platform 200. The optical system 300 is attached to the optical system guide bar 400. The optical system 300 can move along the optical system guide bar 400 in a direction (Y-axis direction) perpendicular to the direction in which the substrate platform 200 moves.

次に,本発明の実施の形態にかかるレーザ照射装置LAに含まれる光学系300について説明する。図2及び図4は,図1の光学系の構成の一実施形態を概略的に示す図である。   Next, the optical system 300 included in the laser irradiation apparatus LA according to the embodiment of the present invention will be described. 2 and 4 are diagrams schematically showing an embodiment of the configuration of the optical system of FIG.

光学系300は,図2及び図4に示すように,レーザ光源(light source)301,イメージ変換手段310,マスク320,イメージ方向調節手段(image direction modulator)340,及び投影レンズ(projection lens)350を含んで構成される。   As shown in FIGS. 2 and 4, the optical system 300 includes a laser light source 301, an image conversion unit 310, a mask 320, an image direction adjustment unit 340, and a projection lens 350. It is comprised including.

レーザ光源301はレーザビームを発生させる装置である。レーザ光源301により発生されたレーザビームLは,イメージ変換手段310の方向に向けて出射されることができる。   The laser light source 301 is a device that generates a laser beam. The laser beam L generated by the laser light source 301 can be emitted toward the image conversion means 310.

イメージ変換手段310は,レーザ光源301から発生したビームのイメージをライン状に変形させることができる装置である。イメージ変換手段310を通過したビームはライン状のイメージL_iを有する。ライン状のイメージL_iの長手方向はX軸方向であることができる。また,ライン状とは,厳格な意味のライン状のみならず,縦横比が比較的大きい直四角の形状を含むこともできる。   The image conversion means 310 is a device that can deform an image of a beam generated from the laser light source 301 into a line shape. The beam that has passed through the image conversion means 310 has a line-shaped image L_i. The longitudinal direction of the line-shaped image L_i can be the X-axis direction. The line shape can include not only a strict line shape but also a square shape having a relatively large aspect ratio.

また,イメージ変換手段310はホモジナイザー(homogenizer)であることができる。ホモジナイザーは,ビームのイメージをライン状に変形させることができるだけでなく,レーザ光源から発生したガウスプロファイルを有するビームを均質化されたフラット−トッププロファイルに変形させることができる。イメージ変換手段310を通過してライン状のイメージL_iを有するビームは,マスク320に向けて照射されることができる。   In addition, the image conversion means 310 can be a homogenizer. The homogenizer can not only deform the image of the beam into a line, but also can transform a beam having a Gaussian profile generated from a laser light source into a homogenized flat-top profile. The beam having the line-shaped image L_i that has passed through the image conversion unit 310 can be irradiated toward the mask 320.

マスク320は,少なくとも一つの光透過パターンまたは少なくとも一つの光反射パターンを含むことができる。図2及び図4には,例として光透過パターン320aのみを示したが,マスク320はかかるパターンに限定されるものではない。マスク320を通過したビームは,マスク320のパターンによってパターニングされたイメージL_mを有することができる。パターニングされたイメージL_mは,複数のサブパターンL_msを含むことができる。   The mask 320 may include at least one light transmission pattern or at least one light reflection pattern. 2 and 4 show only the light transmission pattern 320a as an example, the mask 320 is not limited to such a pattern. The beam that has passed through the mask 320 may have an image L_m patterned by the pattern of the mask 320. The patterned image L_m may include a plurality of sub patterns L_ms.

光透過パターン320aは,ビームのライン状のイメージL_iの領域内に配列されるが,イメージL_iの長手方向(X軸方向)に一列に配列されるのがよい。このように光透過パターン320aを配設することにより,X軸方向に配列された複数のサブパターンL_msを生成することができる。これにより,後続するビームスキャン工程において,一度のスキャン動作で複数のパターンを同時に形成することができる。   The light transmission patterns 320a are arranged in the region of the beam line-shaped image L_i, but are preferably arranged in a line in the longitudinal direction (X-axis direction) of the image L_i. By arranging the light transmission pattern 320a in this way, it is possible to generate a plurality of subpatterns L_ms arranged in the X-axis direction. As a result, in the subsequent beam scanning process, a plurality of patterns can be simultaneously formed by a single scanning operation.

一方,これにより,ビームスキャン方向はパターニングされたイメージL_mの長手方向(X軸方向)に垂直な方向(Y軸方向)に制約されることができる。すなわち,上記のようにライン状のイメージL_iの長手方向(X軸方向)に一列に配列された複数のサブパターンL_msを含むイメージL_mによって,例えば有機電界発光表示装置の有機発光層をストライプ状にパターニングする場合,レーザビームLをイメージL_iの長手方向に対して垂直な方向(Y軸方向)にスキャンさせることにより,ストライプ状の有機発光層パターンを形成することができる。従って,上記のようにレーザビームLをX軸方向に線形変換させるイメージ変換手段310を有する光学系300のスキャン方向はY軸方向でなければならず,かかる光学系300のスキャンにより基板S上に形成されるストライプパターンは,図2に示すようにY軸方向が長手方向となる。このように,光学系300のスキャン方向はイメージ変換手段310の線形変換の方向によって決定されてしまうという制約があり,かかる制約により,従来は基板S上に形成されるストライプパターンの方向もイメージ変換手段310の線形変換の方向によって決定されてしまっていた。しかし,本発明の実施の形態においては,このようなビームスキャン方向の制約や被処理物に形成される発光層パターンの方向の制約を,後述するイメージ方向調節手段340を設けることによって克服することができる。   On the other hand, the beam scanning direction can be constrained to a direction (Y-axis direction) perpendicular to the longitudinal direction (X-axis direction) of the patterned image L_m. That is, the organic light emitting layer of the organic light emitting display device is striped, for example, by the image L_m including a plurality of subpatterns L_ms arranged in a line in the longitudinal direction (X-axis direction) of the line image L_i as described above. In the case of patterning, a stripe-shaped organic light emitting layer pattern can be formed by scanning the laser beam L in a direction (Y-axis direction) perpendicular to the longitudinal direction of the image L_i. Therefore, the scanning direction of the optical system 300 having the image conversion means 310 for linearly converting the laser beam L in the X-axis direction as described above must be the Y-axis direction. In the formed stripe pattern, the Y-axis direction is the longitudinal direction as shown in FIG. As described above, there is a restriction that the scanning direction of the optical system 300 is determined by the linear conversion direction of the image conversion unit 310. Due to such a restriction, the direction of the stripe pattern formed on the substrate S is also conventionally changed. It was determined by the direction of linear transformation of the means 310. However, in the embodiment of the present invention, such restrictions on the beam scanning direction and the restrictions on the direction of the light emitting layer pattern formed on the object to be processed are overcome by providing an image direction adjusting means 340 described later. Can do.

イメージ方向調節手段340には,パターニングされたイメージL_mを有するビームが入射されて,そのイメージ方向が調節される。このとき,パターニングされたイメージL_mを有するビームは,反射鏡330を経てイメージ方向調節手段340に入射されることもできる。   A beam having a patterned image L_m is incident on the image direction adjusting unit 340 to adjust the image direction. At this time, the beam having the patterned image L_m may be incident on the image direction adjusting unit 340 through the reflecting mirror 330.

イメージ方向調節手段340は,ビームのイメージ方向が第1の方向となるように調節する第1調節モードと,ビームのイメージ方向が第2の方向となるように調節する第2調節モードを含むことができる。このとき,第1の方向はX軸方向であることができ,第2の方向はY軸方向であることができる。すなわち,第1の方向をX軸方向とするとき,第2の方向は第1の方向と同一の面上において第1の方向に対して垂直な方向であることができる。   The image direction adjusting unit 340 includes a first adjustment mode for adjusting the image direction of the beam to be the first direction and a second adjustment mode for adjusting the image direction of the beam to be the second direction. Can do. At this time, the first direction can be the X-axis direction, and the second direction can be the Y-axis direction. That is, when the first direction is the X-axis direction, the second direction can be a direction perpendicular to the first direction on the same plane as the first direction.

投影レンズ(projectionlens)350には,イメージ方向調節手段340から出射されたビームが入射され,かかるビームは投影レンズ350を通過して光学系300の外に出て基板S上に照射される。このとき,投影レンズ350は,ビームにより形成されるイメージの方向には影響を及ぼさない。   A projection lens 350 receives a beam emitted from the image direction adjusting unit 340, passes through the projection lens 350, exits the optical system 300, and is irradiated onto the substrate S. At this time, the projection lens 350 does not affect the direction of the image formed by the beam.

上記のような光学系300において,図2はイメージ方向調節手段340が上記第1調節モードで作動した場合を示し,図4はイメージ方向調節手段340が上記第2調節モードで作動した場合を示す。   In the optical system 300 as described above, FIG. 2 shows a case where the image direction adjusting means 340 operates in the first adjustment mode, and FIG. 4 shows a case where the image direction adjusting means 340 operates in the second adjustment mode. .

図2のように,イメージ方向調節手段340が第1調節モードで作動した場合,イメージ方向調節手段340を通過したビームのイメージL_dm1の長手方向はX軸方向に調節される。詳しくは,イメージ方向調節手段340を通過したビームのイメージL_dm1の方向は,マスク320を通過してパターニングされたイメージL_mの方向と同一である。また,基板S上に照射されたビームのイメージL_P1の方向は,マスク320を通過してパターニングされたイメージL_mの方向と同一である。その結果,マスク320を通過してパターニングされたイメージL_mと同一な方向を有するパターンP1が基板S上に形成される。   As shown in FIG. 2, when the image direction adjusting unit 340 operates in the first adjustment mode, the longitudinal direction of the image L_dm1 of the beam that has passed through the image direction adjusting unit 340 is adjusted in the X-axis direction. Specifically, the direction of the image L_dm1 of the beam that has passed through the image direction adjusting unit 340 is the same as the direction of the image L_m that has been patterned through the mask 320. The direction of the image L_P1 of the beam irradiated onto the substrate S is the same as the direction of the image L_m patterned through the mask 320. As a result, a pattern P1 having the same direction as the image L_m patterned through the mask 320 is formed on the substrate S.

一方,図4のように,イメージ方向調節手段340が第2調節モードで作動した場合,イメージ方向調節手段340を通過したビームのイメージL_dm2の長手方向はY軸方向に調節される。詳しくは,イメージ方向調節手段340を通過したビームのイメージL_dm2の方向は,マスク320を通過してパターニングされたイメージL_mの方向に対して垂直である。また,基板S上に照射されたビームのイメージL_P2の方向は,マスク320を通過してパターニングされたイメージL_mの方向に対して垂直である。その結果,マスク320を通過してパターニングされたイメージL_mに対して垂直な方向を有するパターンP2が基板S上に形成される。   On the other hand, as shown in FIG. 4, when the image direction adjusting unit 340 operates in the second adjustment mode, the longitudinal direction of the image L_dm2 of the beam that has passed through the image direction adjusting unit 340 is adjusted in the Y-axis direction. Specifically, the direction of the image L_dm2 of the beam that has passed through the image direction adjusting unit 340 is perpendicular to the direction of the image L_m that has been patterned through the mask 320. The direction of the image L_P2 of the beam irradiated onto the substrate S is perpendicular to the direction of the image L_m patterned through the mask 320. As a result, a pattern P2 having a direction perpendicular to the image L_m patterned through the mask 320 is formed on the substrate S.

ここで,イメージ方向調節手段340を第1調節モードから第2調節モードに変更することは,後述するようにイメージ方向調節手段340をY軸方向に所定の距離だけ移動させることによって行うことができる。   Here, changing the image direction adjusting means 340 from the first adjustment mode to the second adjustment mode can be performed by moving the image direction adjusting means 340 by a predetermined distance in the Y-axis direction, as will be described later. .

上述したように,本発明の実施の形態にかかる光学系300は,入射するビームのイメージ方向を互いに異なる方向に調節することができるイメージ方向調節手段340を設けたことにより,光学系の交換または大きな変更をすることなく,簡単な方法でその出射ビームのイメージ方向を変更することができる。   As described above, the optical system 300 according to the embodiment of the present invention is provided with the image direction adjusting means 340 that can adjust the image directions of the incident beams in different directions. The image direction of the outgoing beam can be changed in a simple manner without making a major change.

次に,イメージ方向調節手段340についてその詳細を説明する。図3及び図5は,本発明の実施の形態にかかるイメージ方向調節手段340の構成を概略的に示す図である。図3はイメージ方向調節手段が第1調節モードで作動する場合を示し,図5はイメージ方向調節手段が第2調節モードで作動する場合を示す。   Next, details of the image direction adjusting means 340 will be described. 3 and 5 are diagrams schematically showing a configuration of the image direction adjusting means 340 according to the embodiment of the present invention. FIG. 3 shows a case where the image direction adjusting means operates in the first adjustment mode, and FIG. 5 shows a case where the image direction adjusting means operates in the second adjustment mode.

図3及び図5に示すように,イメージ方向調節手段340は第1〜第5反射鏡341,342,343,344,345を含むことができる。第1〜第3反射鏡341,342,343は一層に位置し,第4及び第5反射鏡344,345は一層から所定の距離だけ離隔された他の一層に位置する。ここで,上記‘層’とは,マスク320(図2及び図4)を通過してパターニングされたイメージL_mの進行方向,またはイメージ方向調節手段340から出射されるビームの進行方向(図2及び図4)と同一軸方向を基準とした層であることができる。例えば,図2及び図4においては,第1〜第3反射鏡341,342,343のそれぞれの中心のZ軸の座標は同一であることができる。また,第4及び第5反射鏡344,345のそれぞれの中心のZ軸の座標も同一であることができる。このとき,イメージ方向調節手段340の第1反射鏡341と第4反射鏡344とは,同一Z軸上に位置する。また,第1反射鏡341と第2反射鏡342とがY軸上で相互に離隔された間隔は,第5反射鏡345と第3反射鏡343とがY軸上で相互に離隔された間隔と同一である。ここで,反射鏡と反射鏡とが相互に離隔された間隔とは,それぞれの反射鏡の中心点を基準として測定した距離である。   As shown in FIGS. 3 and 5, the image direction adjusting unit 340 may include first to fifth reflecting mirrors 341, 342, 343, 344 and 345. The first to third reflecting mirrors 341, 342, and 343 are located in one layer, and the fourth and fifth reflecting mirrors 344 and 345 are located in another layer separated from the one layer by a predetermined distance. Here, the 'layer' refers to the traveling direction of the image L_m patterned through the mask 320 (FIGS. 2 and 4) or the traveling direction of the beam emitted from the image direction adjusting means 340 (FIGS. 2 and 4). The layer may be based on the same axial direction as in FIG. For example, in FIGS. 2 and 4, the Z-axis coordinates of the centers of the first to third reflecting mirrors 341, 342, and 343 can be the same. Further, the Z-axis coordinates of the centers of the fourth and fifth reflecting mirrors 344 and 345 may be the same. At this time, the first reflecting mirror 341 and the fourth reflecting mirror 344 of the image direction adjusting means 340 are located on the same Z axis. Further, the interval between the first reflecting mirror 341 and the second reflecting mirror 342 is separated from each other on the Y axis. The interval between the fifth reflecting mirror 345 and the third reflecting mirror 343 is separated from each other on the Y axis. Is the same. Here, the distance between the reflecting mirror and the reflecting mirror is a distance measured with reference to the center point of each reflecting mirror.

第1〜第5反射鏡341,342,343,344,345は,イメージ方向調節手段340を通過するビームの経路を短くするために,それぞれの反射鏡において,反射面に入射するビームと反射面から反射されるビームが成す角が直角となるように配設されるようにするのがよい。したがって,各反射鏡は,一つの仮想の正六面体の対向角部に接するように配置されることができる。詳しくは,第1反射鏡341の反射面は平面方程式x+z=cを満たし,第2反射鏡342は平面方程式x+y=cを満たし,第3反射鏡343の反射面は平面方程式y+z=cを満たし,第4反射鏡344の反射面は平面方程式y+z=cを満たし,第5反射鏡345の反射面は平面方程式y+z=cを満たすことができる。   The first to fifth reflecting mirrors 341, 342, 343, 344, and 345 include a beam incident on the reflecting surface and a reflecting surface in each reflecting mirror in order to shorten the path of the beam passing through the image direction adjusting means 340. It is preferable that the angle formed by the beam reflected from the beam is arranged at a right angle. Accordingly, each reflecting mirror can be arranged so as to be in contact with the opposite corner of one virtual regular hexahedron. Specifically, the reflecting surface of the first reflecting mirror 341 satisfies the plane equation x + z = c, the second reflecting mirror 342 satisfies the plane equation x + y = c, and the reflecting surface of the third reflecting mirror 343 satisfies the plane equation y + z = c. The reflecting surface of the fourth reflecting mirror 344 satisfies the plane equation y + z = c, and the reflecting surface of the fifth reflecting mirror 345 can satisfy the plane equation y + z = c.

以下に,図3を参照しながら,イメージ方向調節手段340が第1調節モードで作動する場合について説明する。   The case where the image direction adjusting means 340 operates in the first adjustment mode will be described below with reference to FIG.

マスク320(図2)を通過してパターニングされたイメージL_mを有するビームは,反射鏡330を経てX軸方向に進行してイメージ方向調節手段340に入射される。このとき,マスク320(図2)を通過してパターニングされたビームは,X軸方向が長手方向となる線形のイメージL_mである。そして,反射鏡330により反射されたビームは,Y軸方向が長手方向となる線形のイメージL_m1を有するように反射鏡330により反射されるのがよい。   The beam having the image L_m patterned through the mask 320 (FIG. 2) travels in the X-axis direction through the reflecting mirror 330 and is incident on the image direction adjusting unit 340. At this time, the beam patterned through the mask 320 (FIG. 2) is a linear image L_m in which the X-axis direction is the longitudinal direction. The beam reflected by the reflecting mirror 330 is preferably reflected by the reflecting mirror 330 so as to have a linear image L_m1 in which the Y-axis direction is the longitudinal direction.

イメージ方向調節手段340に入射したビームは,第1反射鏡341によって反射されることにより,ビーム進行方向が−Z方向に変更され,Y軸を基準に−45°傾いたイメージL_m2を有するようになる。次に,第1反射鏡341によって反射されたビームL_m2は,第4反射鏡344に入射した後,第4反射鏡344によって反射されて,ビーム進行方向が−Y方向に変更され,X軸方向が長手方向となる線形のイメージL_m3を有するようになる。そして,第4反射鏡344で反射されたビームは,第5反射鏡345に入射した後,第5反射鏡345によって反射され,ビーム進行方向が−Z方向に変更されることにより,イメージ方向調節手段340から出射される。イメージ方向調節手段340から出射されるビームは,X軸方向が長手方向となる線形のイメージL_m4を有するようになる。   The beam incident on the image direction adjusting unit 340 is reflected by the first reflecting mirror 341, so that the beam traveling direction is changed to the -Z direction so as to have an image L_m2 inclined by -45 ° with respect to the Y axis. Become. Next, the beam L_m2 reflected by the first reflecting mirror 341 is incident on the fourth reflecting mirror 344 and then reflected by the fourth reflecting mirror 344, the beam traveling direction is changed to the −Y direction, and the X-axis direction is changed. Has a linear image L_m3 in the longitudinal direction. Then, the beam reflected by the fourth reflecting mirror 344 enters the fifth reflecting mirror 345, is reflected by the fifth reflecting mirror 345, and changes the beam traveling direction to the −Z direction, thereby adjusting the image direction. The light is emitted from the means 340. The beam emitted from the image direction adjusting means 340 has a linear image L_m4 in which the X-axis direction is the longitudinal direction.

結果的に,マスク320(図2)を通過したビームのパターニングされたイメージL_mの方向と,イメージ方向調節手段340から出射されるビームのイメージL_m4の方向は同一となることができる。   As a result, the direction of the patterned image L_m of the beam that has passed through the mask 320 (FIG. 2) and the direction of the image L_m4 of the beam emitted from the image direction adjusting unit 340 can be the same.

以下に,図5を参照しながら,イメージ方向調節手段340が第2調節モードで作動する場合について説明する。   The case where the image direction adjusting means 340 operates in the second adjustment mode will be described below with reference to FIG.

マスク320(図2)を通過してパターニングされたイメージL_mを有するビームは,反射鏡330を経てX軸方向に進行してイメージ方向調節手段340に入射される。このとき,マスク320(図2)を通過してパターニングされたビームは,X軸方向が長手方向となる線形のイメージL_mである。そして,反射鏡330により反射されたビームは,Y軸方向が長手方向となる線形のイメージL_m1を有するように反射鏡330により反射されるのがよい。   The beam having the image L_m patterned through the mask 320 (FIG. 2) travels in the X-axis direction through the reflecting mirror 330 and is incident on the image direction adjusting unit 340. At this time, the beam patterned through the mask 320 (FIG. 2) is a linear image L_m in which the X-axis direction is the longitudinal direction. The beam reflected by the reflecting mirror 330 is preferably reflected by the reflecting mirror 330 so as to have a linear image L_m1 in which the Y-axis direction is the longitudinal direction.

ここで,イメージ方向調節手段340を第2調節モードとして作動させるには,イメージ方向調節手段340をY軸方向に所定の距離だけ移動させることにより,調節モードを第1調節モードから第2調節モードに変更させることができる。このとき,イメージ方向調節手段340を移動させる距離は,第1反射鏡341と第2反射鏡342とがY軸上で相互に離隔された距離と同一であるのがよい。   Here, in order to operate the image direction adjusting unit 340 as the second adjustment mode, the adjustment mode is changed from the first adjustment mode to the second adjustment mode by moving the image direction adjustment unit 340 by a predetermined distance in the Y-axis direction. Can be changed. At this time, the distance by which the image direction adjusting means 340 is moved may be the same as the distance in which the first reflecting mirror 341 and the second reflecting mirror 342 are separated from each other on the Y axis.

したがって,イメージ方向調節手段340に入射したビームは,第2反射鏡342に入射することができる。第2反射鏡342に入射したビームは,第2反射鏡342によって反射されて,ビーム進行方向が−Y方向に変更され,Z軸方向が長手方向となる線形のイメージL_m5を有するようになる。次に,第2反射鏡342によって反射されたビームL_m5は,第3反射鏡343に入射する。第3反射鏡343に入射したビームL_m5は,第3反射鏡343によって反射されて,ビーム進行方向が−Z方向に変更されることにより,イメージ方向調節手段340から出射される。イメージ方向調節手段340から出射されるビームは,Y軸方向が長手方向となる線形のイメージL_m6を有するようになる。   Therefore, the beam incident on the image direction adjusting unit 340 can be incident on the second reflecting mirror 342. The beam incident on the second reflecting mirror 342 is reflected by the second reflecting mirror 342, has a linear image L_m5 in which the beam traveling direction is changed to the -Y direction and the Z-axis direction is the longitudinal direction. Next, the beam L_m5 reflected by the second reflecting mirror 342 enters the third reflecting mirror 343. The beam L_m5 incident on the third reflecting mirror 343 is reflected by the third reflecting mirror 343 and is emitted from the image direction adjusting means 340 by changing the beam traveling direction to the −Z direction. The beam emitted from the image direction adjusting unit 340 has a linear image L_m6 whose longitudinal direction is the Y-axis direction.

結果的に,マスク320(図2)を通過したビームのパターニングされたイメージL_mの方向と,イメージ方向調節手段340から出射されるビームのイメージL_m6の方向は互いに垂直となることができる。   As a result, the direction of the patterned image L_m of the beam that has passed through the mask 320 (FIG. 2) and the direction of the image L_m6 of the beam emitted from the image direction adjusting unit 340 can be perpendicular to each other.

上述したように,イメージ方向調節手段340の第1調節モードは,第1反射鏡341,第4反射鏡344,及び第5反射鏡345により形成される第1ビーム経路によって具現されることができる。一方,第2調節モードは,第2反射鏡342及び第3反射鏡343により形成される第2ビーム経路によって具現されることができる。ここで,入射されたビームのイメージ方向を相互に異なる方向に調節する手段は,上述したイメージ方向調節手段340の第1調節モード及び第2調節モードによる第1ビーム経路及び第2ビーム経路に限定されるものではなく,他の形態により具現されることもできる。また,第1ビーム経路及び第2ビーム経路は,反射鏡ではない他の手段により具現されることもできる。   As described above, the first adjustment mode of the image direction adjusting unit 340 may be implemented by the first beam path formed by the first reflecting mirror 341, the fourth reflecting mirror 344, and the fifth reflecting mirror 345. . Meanwhile, the second adjustment mode may be implemented by a second beam path formed by the second reflecting mirror 342 and the third reflecting mirror 343. Here, the means for adjusting the image direction of the incident beam in different directions is limited to the first beam path and the second beam path according to the first adjustment mode and the second adjustment mode of the image direction adjustment means 340 described above. However, the present invention can be embodied in other forms. In addition, the first beam path and the second beam path may be implemented by other means that are not reflecting mirrors.

上記のように,本発明の実施の形態にかかる光学系300は,第1反射鏡341と第2反射鏡342とがY軸上で相互に離隔された距離だけ,イメージ方向調節手段340をY軸方向に移動させることにより,第2調節モードとして作動することができる。従って,第2調節モードとして作動するために,イメージ方向調節手段340に入射するビームの位置を変更させる必要がない。また,第5反射鏡345と第3反射鏡343とがY軸上で相互に離隔された距離は,第1反射鏡341と第2反射鏡342がY軸上で相互に離隔された距離と同一であるため,イメージ方向調節手段340から出射されるビームの中心位置は,第1調節モードと第2調節モードとで同一となることができる。すなわち,イメージ方向調節手段340以外の他の装置や部品は固定させた状態で,イメージ方向調節手段340のみを所定の距離だけ移動させることにより,イメージ方向調節手段340を第1調節モードまたは第2調節モードのいずれかとして作動させることができる。よって,光学系の交換または大きな変更をすることなく,簡単な方法でその出射ビームのイメージ方向を変更することができるといった利点がある。   As described above, in the optical system 300 according to the embodiment of the present invention, the image direction adjusting means 340 is set to the Y direction by the distance that the first reflecting mirror 341 and the second reflecting mirror 342 are separated from each other on the Y axis. By moving in the axial direction, it can operate as a second adjustment mode. Therefore, it is not necessary to change the position of the beam incident on the image direction adjusting means 340 in order to operate as the second adjustment mode. Further, the distance that the fifth reflecting mirror 345 and the third reflecting mirror 343 are separated from each other on the Y axis is the distance that the first reflecting mirror 341 and the second reflecting mirror 342 are separated from each other on the Y axis. Since they are the same, the center position of the beam emitted from the image direction adjusting means 340 can be the same in the first adjustment mode and the second adjustment mode. That is, by moving only the image direction adjusting unit 340 by a predetermined distance while fixing other devices and parts other than the image direction adjusting unit 340, the image direction adjusting unit 340 is moved in the first adjustment mode or the second adjustment mode. It can be operated as either of the adjustment modes. Therefore, there is an advantage that the image direction of the outgoing beam can be changed by a simple method without exchanging the optical system or making a large change.

次に,本発明の実施の形態にかかる光学系の変更例について説明する。図6は,図1に示したレーザ照射装置LAに含まれる光学系の構成の変更例を概略的に示す図である。図6に示すように,本発明の実施の形態の変更例による光学系は,投影レンズ350がマスク320とイメージ方向調節手段340との間に位置する。より具体的には,投影レンズ350はマスク320と反射鏡330との間に位置する。本発明の実施の形態の変更例による光学系の構成は,上記投影レンズ350の配置位置以外は,図2に示した光学系と同一である。   Next, a modified example of the optical system according to the embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a diagram schematically showing a modification of the configuration of the optical system included in the laser irradiation apparatus LA shown in FIG. As shown in FIG. 6, in the optical system according to the modification of the embodiment of the present invention, the projection lens 350 is located between the mask 320 and the image direction adjusting means 340. More specifically, the projection lens 350 is located between the mask 320 and the reflecting mirror 330. The configuration of the optical system according to the modification of the embodiment of the present invention is the same as that of the optical system shown in FIG. 2 except for the arrangement position of the projection lens 350.

次に,本発明の実施の形態にかかる光学系を含むレーザ照射装置を用いて有機電界発光表示装置を製造する方法について説明する。図7a〜7c及び,図8a〜8cは,上述した光学系を含むレーザ照射装置を用いて有機電界発光表示装置を製造する方法を示す斜視図である。   Next, a method for manufacturing an organic light emitting display device using a laser irradiation apparatus including an optical system according to an embodiment of the present invention will be described. 7a to 7c and FIGS. 8a to 8c are perspective views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device using a laser irradiation apparatus including the optical system described above.

先ず,図7a〜7cを参照して,本発明の実施の形態にかかる光学系が第1調節モードで作動する場合,すなわち光学系内に設けられたイメージ方向調節手段が第1調節モードで作動する場合について説明する。   First, referring to FIGS. 7a to 7c, when the optical system according to the embodiment of the present invention operates in the first adjustment mode, that is, the image direction adjusting means provided in the optical system operates in the first adjustment mode. The case where it does is demonstrated.

先ず,図7aに示すように,図1を参照して説明したレーザ照射装置LAの基板載置部200上に基板Sを搭載する。基板Sは,アクセプタ基板500とアクセプタ基板500上にラミネーションされたドナー基板600とを含むことができる。   First, as shown in FIG. 7a, the substrate S is mounted on the substrate mounting portion 200 of the laser irradiation apparatus LA described with reference to FIG. The substrate S can include an acceptor substrate 500 and a donor substrate 600 laminated on the acceptor substrate 500.

ここで,ドナー基板600は,ベース基板601(図9),ベース基板601上に位置する光熱変換層602(図9),及び光熱変換層602上に位置する転写層77(図9)を含むことができる。また,アクセプタ基板500は,少なくとも画素電極555(図9)が形成された有機電界発光表示装置基板であることができる。ドナー基板600の転写層77(図9)は,アクセプタ基板500の画素電極555(図9)と対向するように,アクセプタ基板500上にラミネーションされる。   Here, the donor substrate 600 includes a base substrate 601 (FIG. 9), a photothermal conversion layer 602 (FIG. 9) located on the base substrate 601, and a transfer layer 77 (FIG. 9) located on the photothermal conversion layer 602. be able to. The acceptor substrate 500 may be an organic light emitting display device substrate on which at least a pixel electrode 555 (FIG. 9) is formed. The transfer layer 77 (FIG. 9) of the donor substrate 600 is laminated on the acceptor substrate 500 so as to face the pixel electrode 555 (FIG. 9) of the acceptor substrate 500.

また,図7a〜7cにおいては,基板S上に有機電界発光表示装置の複数のセルの外郭線C_e,及びアクセプタ基板500上にパターニングしようとするパターンP_eを示した。アクセプタ基板500上にパターニングしようとするパターンP_eの長手方向はY軸方向,すなわち基板Sの幅方向である。ここで,外郭線C_e及びパターンP_eは基板S上に実際に位置するものではなく,説明の便宜のために示したものである。   7A to 7C, the outline C_e of the plurality of cells of the organic light emitting display device on the substrate S and the pattern P_e to be patterned on the acceptor substrate 500 are shown. The longitudinal direction of the pattern P_e to be patterned on the acceptor substrate 500 is the Y-axis direction, that is, the width direction of the substrate S. Here, the outline C_e and the pattern P_e are not actually located on the substrate S, but are shown for convenience of explanation.

次に,光学系300からビームが照射される。光学系300は図2に示すものと同一である。すなわち,光学系300のイメージ方向調節手段340(図2)は,第1調節モードで作動する。したがって,光学系300からは,その長手方向がX軸方向であるイメージを有するビームが出射される。そして,光学系300から出射されたビームはアクセプタ基板S上に転写層パターンP1(図9の77a)を形成する。具体的には,光学系300から出射されたビームはドナーフィルム600の光熱変換層602(図9)に吸収され,ビームを吸収した光熱変換層602(図9)は熱を発生する。そして,光熱変換層602(図9)に発生した上記熱により,光熱変換層602(図9)に隣接した転写層がアクセプタ基板500上に転写されて,上述した転写層パターンP1(図9の77a)が形成される。   Next, a beam is irradiated from the optical system 300. The optical system 300 is the same as that shown in FIG. That is, the image direction adjusting means 340 (FIG. 2) of the optical system 300 operates in the first adjustment mode. Therefore, the optical system 300 emits a beam having an image whose longitudinal direction is the X-axis direction. The beam emitted from the optical system 300 forms a transfer layer pattern P1 (77a in FIG. 9) on the acceptor substrate S. Specifically, the beam emitted from the optical system 300 is absorbed by the photothermal conversion layer 602 (FIG. 9) of the donor film 600, and the photothermal conversion layer 602 (FIG. 9) that has absorbed the beam generates heat. The transfer layer adjacent to the photothermal conversion layer 602 (FIG. 9) is transferred onto the acceptor substrate 500 by the heat generated in the photothermal conversion layer 602 (FIG. 9), and the transfer layer pattern P1 (FIG. 9) is transferred. 77a) is formed.

次に,光学系300は光学系ガイドバー400に沿って−Y方向に所定の速度で移動する。そして,光学系300から出射されたビームは,基板S上においてY軸方向にスキャンされる。その結果,図7bに示すように,基板S上をY軸方向にスキャンするビームにより,基板S上には1組の転写層パターンが出来上がる。   Next, the optical system 300 moves along the optical system guide bar 400 in the −Y direction at a predetermined speed. The beam emitted from the optical system 300 is scanned in the Y-axis direction on the substrate S. As a result, as shown in FIG. 7b, a set of transfer layer patterns is formed on the substrate S by the beam scanning on the substrate S in the Y-axis direction.

次に,基板載置部200は,基板載置部ガイドバー150に沿って−X方向に1ステップ移動する。その後,上述したような方法により基板S上にビームをスキャンして,1組の転写層パターンが出来上がる。   Next, the substrate platform 200 moves one step in the −X direction along the substrate platform guide bar 150. Thereafter, the beam is scanned on the substrate S by the method as described above to complete a set of transfer layer patterns.

このようにして,図7cに示すように,上記ビームスキャンと基板載置部200のステップ移動とを繰り返し行うことにより,アクセプタ基板500上に複数組の転写層パターンを形成することができる。   In this way, as shown in FIG. 7 c, a plurality of sets of transfer layer patterns can be formed on the acceptor substrate 500 by repeatedly performing the beam scan and the step movement of the substrate platform 200.

次に,図8a〜8cを参照して,本発明の実施の形態にかかる光学系が第2調節モードで作動する場合,すなわち光学系内に設けられたイメージ方向調節手段が第2調節モードで作動する場合について説明する。   Next, referring to FIGS. 8a to 8c, when the optical system according to the embodiment of the present invention operates in the second adjustment mode, that is, the image direction adjusting means provided in the optical system is in the second adjustment mode. The case where it operates will be described.

先ず,図8aに示すように,基板載置部200上に基板Sを搭載する。ここで,基板Sのアクセプタ基板500上にパターニングしようとするパターンP_eの長手方向はX軸方向,すなわち基板Sの長手方向である。   First, as shown in FIG. 8 a, the substrate S is mounted on the substrate platform 200. Here, the longitudinal direction of the pattern P_e to be patterned on the acceptor substrate 500 of the substrate S is the X-axis direction, that is, the longitudinal direction of the substrate S.

次に,光学系300からビームが照射される。光学系300は図4に示すものと同一である。すなわち,光学系300のイメージ方向調節手段340(図4)は,第2調節モードで作動する。したがって,光学系300からは,その長手方向がY軸方向であるイメージを有するビームが出射される。そして,光学系300から出射されたビームはアクセプタ基板S上に転写層パターンP2を形成する。   Next, a beam is irradiated from the optical system 300. The optical system 300 is the same as that shown in FIG. That is, the image direction adjusting means 340 (FIG. 4) of the optical system 300 operates in the second adjustment mode. Therefore, the optical system 300 emits a beam having an image whose longitudinal direction is the Y-axis direction. The beam emitted from the optical system 300 forms a transfer layer pattern P2 on the acceptor substrate S.

次に,基板載置部200は,基板載置部ガイドバー150に沿って−X方向に所定の速度で移動する。そして,光学系300から出射されたビームは,基板S上においてX軸方向にスキャンされる。その結果,図8bに示すように,基板S上をX軸方向にスキャンするビームにより,基板S上には1組の転写層パターンが出来上がる。   Next, the substrate platform 200 moves along the substrate platform guide bar 150 at a predetermined speed in the −X direction. The beam emitted from the optical system 300 is scanned on the substrate S in the X-axis direction. As a result, as shown in FIG. 8b, a set of transfer layer patterns is formed on the substrate S by the beam scanning on the substrate S in the X-axis direction.

次に,光学系300は,光学系ガイドバー400に沿って−Y方向に1ステップ移動する。その後,上述したような方法により基板S上にビームをスキャンして,1組の転写層パターンが出来上がる。   Next, the optical system 300 moves one step in the −Y direction along the optical system guide bar 400. Thereafter, the beam is scanned on the substrate S by the method as described above to complete a set of transfer layer patterns.

このようにして,図8cに示すように,上記ビームスキャンと光学系300のステップ移動とを繰り返し行うことにより,アクセプタ基板500上に複数組の転写層パターンを形成することができる。   In this manner, as shown in FIG. 8c, a plurality of sets of transfer layer patterns can be formed on the acceptor substrate 500 by repeatedly performing the beam scan and the step movement of the optical system 300.

次に,上記有機電界発光表示装置の詳細な構成について説明する。図9は,図7cまたは図8cの切断線I−I´に沿った有機電界発光表示装置を示す断面図である。   Next, a detailed configuration of the organic electroluminescence display device will be described. FIG. 9 is a cross-sectional view of the organic light emitting display device taken along the section line II ′ of FIG. 7c or 8c.

図9に示すように,赤色領域R,緑領域G及び青色領域Bを含む基板501上に半導体層520が位置する。半導体層520は非晶質シリコン膜または非晶質シリコン膜を結晶化させた多結晶シリコンであることができる。半導体層520上にはゲート絶縁膜525が位置する。ゲート絶縁膜525上には,半導体層520と重畳するゲート電極530が位置する。ゲート電極530上には,半導体層520及びゲート電極530を覆う第1層間絶縁膜535が位置する。第1層間絶縁膜535上には,第1層間絶縁膜535及びゲート絶縁膜525を貫通して半導体層520の両端部とそれぞれ接続するドレイン電極541及びソース電極543が位置する。半導体層520,ゲート電極530,ドレイン電極541,ソース電極543は,薄膜トランジスタTを構成する。ドレイン電極541及びソース電極543上には,ドレイン電極541及びソース電極543を覆う第2層間絶縁膜550が位置する。第2層間絶縁膜550は薄膜トランジスタTを保護するためのパッシベーション膜及び/または薄膜トランジスタによる段差を緩和するための平坦化膜を含むことができる。第2層間絶縁膜550上には,第2層間絶縁膜550を貫通してドレイン電極541と接続する画素電極555が位置する。画素電極555は,例えばITO(Indium Tin Oxide)膜またはIZO(Indium Zinc Oxide)膜であることができる。画素電極555上には,画素電極の一部を露出させる開口部560aを有する画素定義膜(pixel defining layer)560が位置することができる。   As shown in FIG. 9, the semiconductor layer 520 is located on the substrate 501 including the red region R, the green region G, and the blue region B. The semiconductor layer 520 can be an amorphous silicon film or polycrystalline silicon obtained by crystallizing an amorphous silicon film. A gate insulating film 525 is located over the semiconductor layer 520. A gate electrode 530 that overlaps with the semiconductor layer 520 is located over the gate insulating film 525. A first interlayer insulating film 535 is disposed on the gate electrode 530 to cover the semiconductor layer 520 and the gate electrode 530. On the first interlayer insulating film 535, a drain electrode 541 and a source electrode 543 that are connected to both ends of the semiconductor layer 520 through the first interlayer insulating film 535 and the gate insulating film 525 are positioned. The semiconductor layer 520, the gate electrode 530, the drain electrode 541, and the source electrode 543 constitute a thin film transistor T. A second interlayer insulating film 550 that covers the drain electrode 541 and the source electrode 543 is located on the drain electrode 541 and the source electrode 543. The second interlayer insulating film 550 may include a passivation film for protecting the thin film transistor T and / or a planarization film for relaxing a step due to the thin film transistor. A pixel electrode 555 passing through the second interlayer insulating film 550 and connected to the drain electrode 541 is located on the second interlayer insulating film 550. The pixel electrode 555 may be, for example, an ITO (Indium Tin Oxide) film or an IZO (Indium Zinc Oxide) film. A pixel defining layer 560 having an opening 560a exposing a part of the pixel electrode may be disposed on the pixel electrode 555.

一方,ドナー基板600は,ベース基板601と,ベース基板601上に順に積層された光熱変換層602及び転写層77とを含む。転写層77は電界発光性有機膜であることができる。また,転写層77は,正孔注入性有機膜,正孔輸送性有機膜,正孔抑制性有機膜,電子輸送性有機膜,または電子注入性有機膜からなる群から選択される少なくとも一つの膜をさらに含むことができる。   On the other hand, the donor substrate 600 includes a base substrate 601, a photothermal conversion layer 602 and a transfer layer 77 that are sequentially stacked on the base substrate 601. The transfer layer 77 can be an electroluminescent organic film. The transfer layer 77 is at least one selected from the group consisting of a hole injecting organic film, a hole transporting organic film, a hole suppressing organic film, an electron transporting organic film, and an electron injecting organic film. A membrane can further be included.

そして,ドナー基板600の転写層77の一部がアクセプタ基板500の画素電極555上に転写されて転写層パターン77aを形成することができる。転写層パターン77aは有機発光層であることができる。また,転写層パターン77aは,正孔注入層,正孔輸送層,正孔抑制層,電子輸送層または電子注入層からなる群から選択される少なくとも一層をさらに含むことができる。本発明の光学系及びレーザ照射装置は,有機発光表示装置の有機発光層,正孔注入層,正孔輸送層,正孔抑制層,電子輸送層,電子注入層などをパターニングする以外にも,例えば配線などのあらゆる部分のパターニングに適用可能である。   Then, a part of the transfer layer 77 of the donor substrate 600 is transferred onto the pixel electrode 555 of the acceptor substrate 500 to form a transfer layer pattern 77a. The transfer layer pattern 77a can be an organic light emitting layer. The transfer layer pattern 77a may further include at least one layer selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, a hole suppression layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. The optical system and the laser irradiation apparatus of the present invention can be used for patterning the organic light emitting layer, hole injection layer, hole transport layer, hole suppression layer, electron transport layer, electron injection layer, etc. of the organic light emitting display device. For example, it can be applied to patterning of all parts such as wiring.

以上,添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが,本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された範疇内において,各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described referring an accompanying drawing, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to the example which concerns. It will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the scope of the claims, and these are naturally within the technical scope of the present invention. Understood.

本発明は,光学系及びレーザ照射装置に適用可能であり,特に,レーザを照射することによりドナーフィルムの転写層をアクセプタ基板上に転写させるレーザ熱転写法によってアクセプタ基板上にパターンを形成することのできる光学系及びレーザ照射装置に適用可能である。   The present invention can be applied to an optical system and a laser irradiation apparatus. In particular, a pattern can be formed on an acceptor substrate by a laser thermal transfer method in which a transfer layer of a donor film is transferred onto the acceptor substrate by irradiating a laser. The present invention can be applied to an optical system and a laser irradiation apparatus that can be used.

本発明の実施の形態にかかるレーザ照射装置の構成を概略的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows roughly the structure of the laser irradiation apparatus concerning embodiment of this invention. 図1に含まれる光学系の構成を概略的に示す図であって,イメージ方向調節手段が第1調節モードで作動する場合を示す。FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a configuration of an optical system included in FIG. 1, and illustrates a case where an image direction adjusting unit operates in a first adjustment mode. 本発明の実施の形態にかかる光学系のイメージ方向調節手段が第1調節モードで作動する場合を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the case where the image direction adjustment means of the optical system concerning embodiment of this invention operate | moves in a 1st adjustment mode. 図1に含まれる光学系の構成を概略的に示す図であって,イメージ方向調節手段が第2調節モードで作動する場合を示す。FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a configuration of an optical system included in FIG. 1, and illustrates a case where an image direction adjusting unit operates in a second adjustment mode. 本発明の実施の形態にかかる光学系のイメージ方向調節手段が第2調節モードで作動する場合を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly the case where the image direction adjustment means of the optical system concerning embodiment of this invention operate | moves in a 2nd adjustment mode. 図1に含まれる光学系の構成の他の実施の形態を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically other embodiment of a structure of the optical system contained in FIG. 本発明の実施の形態にかかるレーザ照射装置のイメージ方向調節手段を第1調節モードで作動させて有機電界発光表示装置を製造する方法を示すもので,レーザ照射装置の基板載置部上に基板が搭載された状態を示す斜視図である。1 illustrates a method of manufacturing an organic light emitting display by operating an image direction adjusting unit of a laser irradiation apparatus according to an embodiment of the present invention in a first adjustment mode, and a substrate on a substrate mounting portion of the laser irradiation apparatus; It is a perspective view which shows the state in which was mounted. 本発明の実施の形態にかかるレーザ照射装置のイメージ方向調節手段を第1調節モードで作動させて有機電界発光表示装置を製造する方法を示すもので,基板のY軸方向にスキャンされたビームにより基板上に1組の転写層が出来上がった状態を示す斜視図である。1 illustrates a method of manufacturing an organic light emitting display by operating an image direction adjusting unit of a laser irradiation apparatus according to an embodiment of the present invention in a first adjustment mode, and a method of manufacturing an organic light emitting display by using a beam scanned in the Y-axis direction of a substrate; It is a perspective view which shows the state where one set of transfer layers was completed on the board | substrate. 本発明の実施の形態にかかるレーザ照射装置のイメージ方向調節手段を第1調節モードで作動させて有機電界発光表示装置を製造する方法を示すもので,ビームのスキャンと基板載置部のステップ移動とを繰り返し行ってアクセプタ基板上に転写層パターンが全て形成された状態を示す斜視図である。1 shows a method of manufacturing an organic light emitting display by operating an image direction adjusting unit of a laser irradiation apparatus according to an embodiment of the present invention in a first adjustment mode, and scanning a beam and moving a substrate mounting unit stepwise. 5 is a perspective view showing a state in which all of the transfer layer pattern is formed on the acceptor substrate by repeating the above. 本発明の実施の形態にかかるレーザ照射装置のイメージ方向調節手段を第2調節モードで作動させて有機電界発光表示装置を製造する方法を示すもので,レーザ照射装置の基板載置部上に基板が搭載された状態を示す斜視図である。1 illustrates a method of manufacturing an organic light emitting display by operating an image direction adjusting unit of a laser irradiation apparatus according to an embodiment of the present invention in a second adjustment mode, and a substrate on a substrate mounting portion of the laser irradiation apparatus; It is a perspective view which shows the state in which was mounted. 本発明の実施の形態にかかるレーザ照射装置のイメージ方向調節手段を第2調節モードで作動させて有機電界発光表示装置を製造する方法を示すもので,基板のY軸方向にスキャンされたビームにより基板上に1組の転写層が出来上がった状態を示す斜視図である。1 illustrates a method of manufacturing an organic light emitting display by operating an image direction adjusting unit of a laser irradiation apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention in a second adjustment mode, and includes a beam scanned in a Y-axis direction of a substrate. It is a perspective view which shows the state where one set of transfer layers was completed on the board | substrate. 本発明の実施の形態にかかるレーザ照射装置のイメージ方向調節手段を第2調節モードで作動させて有機電界発光表示装置を製造する方法を示すもので,ビームのスキャンと基板載置部のステップ移動とを繰り返し行ってアクセプタ基板上に転写層パターンが全て形成された状態を示す斜視図である。1 shows a method of manufacturing an organic light emitting display by operating an image direction adjusting unit of a laser irradiation apparatus according to an embodiment of the present invention in a second adjustment mode, and scanning a beam and moving a substrate mounting unit stepwise. 5 is a perspective view showing a state in which all of the transfer layer pattern is formed on the acceptor substrate by repeating the above. 図7cまたは図8cの切断線I−I´に沿った有機電界発光表示装置を示す断面図である。9 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device taken along a cutting line II ′ of FIG. 7c or FIG. 8c.

符号の説明Explanation of symbols

LA レーザ照射装置
100 ステージ
150 基板載置部ガイドバー(チャックガイドバー)
200 基板載置部(チャック)
300 光学系
301 レーザ光源
310 イメージ変換手段
320 マスク
320a 光透過パターン
340 イメージ方向調節手段
350 投影レンズ
400 光学系ガイドバー
L レーザビーム
L_i,L_m,L_dm1,L_dm2,L_p1,L_p2 ビームイメージ
341,342,343,344,355 反射鏡
S 基板
500 アクセプタ基板
501 基板
520 半導体層
525 ゲート絶縁膜
530 ゲート電極
535 第1層間絶縁膜
541 ドレイン電極
543 ソース電極
T 薄膜トランジスタ
550 第2層間絶縁膜
555 画素電極
560 画素定義膜
560a 開口部
600 ドナー基板
601 ベース基板
602 光熱変換層
77 転写層
P_e パターン
C_e セルの外郭線
P1,P2 転写層パターン
LA laser irradiation device 100 Stage 150 Substrate placement section guide bar (chuck guide bar)
200 Substrate rest (chuck)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 300 Optical system 301 Laser light source 310 Image conversion means 320 Mask 320a Light transmission pattern 340 Image direction adjustment means 350 Projection lens 400 Optical system guide bar L Laser beam L_i, L_m, L_dm1, L_dm2, L_p1, L_p2 Beam image 341, 342, 343 , 344, 355 Reflector S substrate 500 acceptor substrate 501 substrate 520 semiconductor layer 525 gate insulating film 530 gate electrode 535 first interlayer insulating film 541 drain electrode 543 source electrode T thin film transistor 550 second interlayer insulating film 555 pixel electrode 560 pixel definition film 560a Opening 600 Donor substrate 601 Base substrate 602 Photothermal conversion layer 77 Transfer layer P_e pattern C_e Cell outline P1, P2 Transfer layer pattern

Claims (16)

レーザビームを発生させるレーザ光源と;
前記レーザビームにより被処理物に形成されるイメージの方向が第1の方向となるようにレーザビームの方向を調節して出力する第1調節モード,及び前記被処理物に形成されるイメージの方向が第2の方向となるようにレーザビームの方向を調節して出力する第2調節モードを含むイメージ方向調節手段と;
を含み,
前記イメージ方向調節手段は,当該イメージ方向調節手段内に前記第1調節モードで作動するときに前記レーザビームが通過する第1ビーム経路と,前記第2調節モードで作動するときに前記レーザビームが通過する第2ビーム経路とが設けられることを特徴とする光学系。
A laser light source for generating a laser beam;
A first adjustment mode in which the direction of the laser beam is adjusted so that the direction of the image formed on the object to be processed by the laser beam is the first direction; and the direction of the image formed on the object to be processed Image direction adjusting means including a second adjustment mode for adjusting and outputting the direction of the laser beam so that is in the second direction;
Only including,
The image direction adjusting means includes a first beam path through which the laser beam passes when operating in the first adjusting mode, and the laser beam when operating in the second adjusting mode. And a second beam path passing therethrough .
前記第1の方向はX軸方向であり,前記第2の方向は前記第1の方向に対して直角をなすY軸方向であることを特徴とする請求項1に記載の光学系。   2. The optical system according to claim 1, wherein the first direction is an X-axis direction, and the second direction is a Y-axis direction perpendicular to the first direction. 前記第1ビーム経路及び前記第2ビーム経路は,それぞれ複数の反射鏡から構成されることを特徴とする請求項に記載の光学系。 The optical system according to claim 1 , wherein each of the first beam path and the second beam path includes a plurality of reflecting mirrors. 前記レーザ光源と前記イメージ方向調節手段との間に位置し,前記レーザ光源から発生したレーザビームのイメージをライン状に変換させるイメージ変換手段をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の光学系。   The optical system according to claim 1, further comprising an image conversion unit that is positioned between the laser light source and the image direction adjusting unit and converts an image of a laser beam generated from the laser light source into a line shape. system. 前記イメージ変換手段はホモジナイザーであることを特徴とする請求項に記載の光学系。 The optical system according to claim 4 , wherein the image conversion means is a homogenizer. 前記イメージ変換手段と前記イメージ方向調節手段との間に位置し,光透過パターンまたは光反射パターンを含むマスクをさらに含むことを特徴とする請求項に記載の光学系。 The optical system according to claim 4 , further comprising a mask positioned between the image conversion unit and the image direction adjustment unit and including a light transmission pattern or a light reflection pattern. レーザビームを発生させるレーザ光源,前記レーザビームにより被処理物に形成されるイメージの方向を調節するイメージ方向調節手段,及び投影レンズを含む光学系と;
前記光学系から照射されるレーザビームを受像可能な位置に配置され,前記被処理物としての基板が載置される基板載置部と;
を含み,
前記イメージ方向調節手段は,
前記被処理物に形成されるイメージの方向が第1の方向となるようにレーザビームの方向を調節して出力する第1調節モード,及び前記被処理物に形成されるイメージの方向が第2の方向となるようにレーザビームの方向を調節して出力する第2調節モードを含み,
前記イメージ方向調節手段は,当該イメージ方向調節手段内に前記第1調節モードで作動するときに前記レーザビームが通過する第1ビーム経路と,前記第2調節モードで作動するときに前記レーザビームが通過する第2ビーム経路とが設けられることを特徴とするレーザ照射装置。
An optical system including a laser light source for generating a laser beam, image direction adjusting means for adjusting the direction of an image formed on the object to be processed by the laser beam, and a projection lens;
A substrate mounting portion disposed at a position capable of receiving a laser beam emitted from the optical system and on which a substrate as the object to be processed is mounted;
Only including,
The image direction adjusting means includes:
A first adjustment mode in which the direction of the laser beam is adjusted and outputted so that the direction of the image formed on the object to be processed is the first direction, and the direction of the image formed on the object to be processed is the second. A second adjustment mode for adjusting and outputting the direction of the laser beam so as to be
The image direction adjusting means includes a first beam path through which the laser beam passes when operating in the first adjusting mode, and the laser beam when operating in the second adjusting mode. And a second beam path passing therethrough .
前記レーザ光源と前記イメージ方向調節手段との間に位置し,前記レーザ光源から発生したレーザビームのイメージをライン状に変換させるイメージ変換手段をさらに含むことを特徴とする請求項に記載のレーザ照射装置。 8. The laser according to claim 7 , further comprising an image converting unit positioned between the laser light source and the image direction adjusting unit and converting an image of a laser beam generated from the laser light source into a line shape. Irradiation device. 前記イメージ変換手段はホモジナイザーであることを特徴とする請求項に記載のレーザ照射装置。 9. The laser irradiation apparatus according to claim 8 , wherein the image conversion means is a homogenizer. 前記第1の方向はX軸方向であり,前記第2の方向は前記第1の方向に対して直角をなすY軸方向であることを特徴とする請求項に記載のレーザ照射装置。 The laser irradiation apparatus according to claim 7 , wherein the first direction is an X-axis direction, and the second direction is a Y-axis direction perpendicular to the first direction. 前記第1ビーム経路及び前記第2ビーム経路は,それぞれ複数の反射鏡から構成されることを特徴とする請求項に記載のレーザ照射装置。 The laser irradiation apparatus according to claim 7 , wherein each of the first beam path and the second beam path includes a plurality of reflecting mirrors. 前記イメージ変換手段と前記イメージ方向調節手段との間に位置し,光透過パターンまたは光反射パターンを含むマスクをさらに含むことを特徴とする請求項に記載のレーザ照射装置。 9. The laser irradiation apparatus according to claim 8 , further comprising a mask positioned between the image conversion unit and the image direction adjustment unit and including a light transmission pattern or a light reflection pattern. 前記投影レンズは,前記レーザ光源と前記イメージ方向調節手段との間に位置することを特徴とする請求項に記載のレーザ照射装置。 The laser irradiation apparatus according to claim 7 , wherein the projection lens is positioned between the laser light source and the image direction adjusting unit. 前記投影レンズは,前記イメージ方向調節手段を通過した前記レーザビームを前記基板上に投影することを特徴とする請求項に記載のレーザ照射装置。 The laser irradiation apparatus according to claim 7 , wherein the projection lens projects the laser beam that has passed through the image direction adjusting unit onto the substrate. 前記基板載置部は前記基板が載置される面に沿った一方向に移動可能であり,前記光学系は前記基板が載置される面に平行で前記一方向と直角をなす方向に移動可能であることを特徴とする請求項に記載のレーザ照射装置。 The substrate mounting portion is movable in one direction along a surface on which the substrate is placed, and the optical system is moved in a direction parallel to the surface on which the substrate is placed and perpendicular to the one direction. The laser irradiation apparatus according to claim 7 , which is possible. 前記基板は,アクセプタ基板と,前記アクセプタ基板上に位置するドナー基板とを含むことを特徴とする請求項に記載のレーザ照射装置。
The laser irradiation apparatus according to claim 7 , wherein the substrate includes an acceptor substrate and a donor substrate positioned on the acceptor substrate.
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