JP4591816B6 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明は、実装基板上に複数の半導体部品を実装してなる半導体装置に関し、特に、その半導体部品の実装構造に関する。
近年の半導体装置の小型化の要求に応えるため、複数の半導体部品を相互に重ねて実装基板に実装し、半導体部品の実装面積を小さくした半導体装置がある。
従来の半導体装置は、図3に示すように、実装基板31と、それに実装される半導体集積回路基板32との間に、スペーサー33を配置して空間を形成し、そこにチップ部品34を配置している。ここで、スペーサー33を導電体で構成し、実装基板31との間及び半導体集積回路基板32との間に夫々半田又は導電性接着剤を用いることにより、半導体集積回路基板32の裏面を実装基板31上の導電パターンに電気的に接続することが可能である(例えば、特許文献1参照)。
特開平4−62866号公報
従来の半導体装置では、実装基板と半導体集積回路基板とがボンディングワイヤーにより電気的に接続されているため、実装基板と半導体集積回路と間の距離を比較的自由に設計することができる。これに対し、BGA(Ball Grid Array)は、パッケージの下面に配列形成された複数のボールを用いて実装基板に電気的に接続されるため、実装基板との距離を自由に設計することができない。通常、BGAのボールの直径は0.4〜0.5mmであって、BGAを実装基板に実装したときのこれらの間の距離は、0.3〜0.4mmである。これに対してチップ部品は、現在主流の1005タイプのもので最大0.55mm、小型の0603タイプのもので最大0.33mmである。それゆえ、ほとんどの場合において、BGAと実装基板との間の距離がチップ部品の厚みより小さくなり、図4に示すように、BGA41と実装基板42との間にチップ部品(半導体部品)43を配置することができないという問題点がある。
そこで、本発明は、BGAと実装基板との間にチップ抵抗等の半導体部品を配置することができる半導体部品の実装構造及びそれを備えた半導体装置を提供することを目的とする。
本発明によれば、上面に導電パターンが形成された実装基板と、前記実装基板上に配置され、下面にボールが形成されたBGAと、前記BGAとそれを実装する前記実装基板との間に配置され、前記BGAのボールと前記実装基板の導電パターンを電気的に接続するインターポーザーと、前記インターポーザーの外側であって、少なくとも一部が前記BGAの真下の領域に配置されるように、前記実装基板の一面に搭載された半導体部品と、を備えることを特徴とする半導体装置が得られる。
前記インターポーザーは、前記BGAの下面に形成されたボールと前記実装基板の上面に形成された導電パターンとの間を電気的に接続するための実装パッドを備えている。
前記インターポーザーは多層配線板により構成されてよい。
本発明によれば、BGAと実装基板との間にインターポーザーを配置したことにより、BGAと実装基板との間に半導体部品の一部又は全部を配置することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1に本発明の半導体装置に使用されるインターポーザー10の(a)平面図及び(b)BB線断面図を示す。
このインターポーザー10は、ガラスエポキシ等からなる四角枠形状の基材11を用いた、厚み0.2〜0.3mm程度の多層薄型基板又は多層テープである。インターポーザー10の表裏面には、それぞれ複数のBGA実装パッド12及びソルダーレジスト13が形成されている。
インターポーザー10のBGA実装パッド12は、後述するBGA(Ball Grid Array)の下面に形成されたソルダーボール(以下、単にボールという。)にそれぞれ対応する位置に形成されている。また、表面側のBGA実装パッド12と裏面側のBGA実装パッド12とは、互いに対応する位置のもの同士で電気的に接続されている。
一方、ソルダーレジスト13は、BGA実装パッドが形成された領域及びその周辺を除く領域に形成されている。ソルダーレジスト13は、BGAを搭載する際にボール間が電気的に接続されるのを防止する。
次に、図2を参照して、図1のインターポーザー10を用いた半導体部品の実装構造を持つ半導体装置について説明する。
図2に示す半導体装置は、実装基板21と、その上面に実装されたBGA22及び半導体部品23を有している。また、実装基板21とBGA22との間には、インターポーザー10が設けられている。
この半導体装置は、実装基板21上に、インターポーザー10を接続固定し、半導体部品を搭載した後、BGA22を接続固定して製造される。
インターポーザー10の下面のBGA実装パッドは、実装基板21の表面に形成された導電パターンであって、BGA22の下面に形成されたボールに電気的に接続されるべき導電パターンに、それぞれ半田あるいは導電性接着剤を用いて接続固定される。また、インターポーザー10の上面のBGA実装パッドには、BGAの下面に形成されたボールが接続固定される。
インターポーザー10は、実装基板21とBGA22との間のスペーサーとして働き、これらの間の距離を半導体部品23の厚みと同じかそれ以上にする。インターポーザー10の厚みは、BGA22を実装する際のボールの変形等を考慮して決定される。例えば、BGAのボールの直径が0.4mmのとき、インターポーザー10の厚みが0.2mmであっても、その合計は0.4+0.2=0.6mmとなり、1005タイプのチップ部品の高さ(0.55mm)よりも高くなるが、ボールとBGA接続パッドとの電気的接続を確実にするためには、0.3mm程度の厚みが必要である。インターポーザー10は、多層構造なので、その層数を変えることでその厚み容易に変更することができる。
実装基板21に搭載される半導体部品23としては、チップコンデンサやチップ抵抗(終端抵抗)のほか、薄型のICパッケージなどがある。
本実施の形態によれば、BGAと実装基板との間に半導体部品を配置できるので、実装基板の実装密度を向上させることができる。特に、半導体部品が電源デカップリングコンデンサの場合は、BGAの電源ピンの近くに配置することが可能になり電気特性上有利となる。
なお、上記実施の形態では、半導体部品全体がBGAの真下に位置しているが、その一部がBGAの真下に位置し残りの一部がBGAの真下の領域からはみ出していても、ある程度の実装密度向上が実現できる。この場合、図5に示す様にインターポーザーの厚みを厚くすることにより、BGAの実装密度を向上できる。
本発明の一実施の形態に係る半導体部品の実装構造に用いられるインターポーザーの(a)は平面図及び(b)は(a)のB−B線断面図である。 本発明の一実施の形態に係る半導体部品の実装構造を採用した半導体装置の縦断面図である。 従来の半導体装置の縦断面図である。 従来のBGAを含む半導体装置の問題点を説明するための図である。 本発明の半導体部品の実装構造を採用した半導体装置の他の例を示す縦断面図である。
符号の説明
10 インターポーザー
11 基材
12 BGA実装パッド
13 ソルダーレジスト
21 実装基板
22 BGA
23 半導体部品
31 実装基板
32 半導体集積回路基板
33 スペーサー
34 チップ部品
41 BGA
42 実装基板
43 チップ部品

Claims (6)

  1. 上面に導電パターンが形成された実装基板と、
    前記実装基板上に配置され、下面にボールが形成されたBGAと、
    前記BGAとそれを実装する前記実装基板との間に配置され、前記BGAのボールと前記実装基板の導電パターンを電気的に接続するインターポーザーと、
    前記インターポーザーの外側であって、少なくとも一部が前記BGAの真下の領域に配置されるように、前記実装基板の一面に搭載された半導体部品と、を備えることを特徴とする半導体装置
  2. 請求項1に記載の半導体装置において、
    前記半導体部品は、ICパッケージであり、
    前記ICパッケージの一部が前記BGAの真下に位置するように配置され、他の一部がBGAの真下の領域からはみ出すように、実装基板に搭載されることを特徴とする半導体装置
  3. 請求項1に記載の半導体装置において、
    前記インターポーザーが多層配線板であることを特徴とする半導体装置
  4. 請求項1に記載の半導体装置において、
    前記半導体部品は、電源デカップリングコンデンサであり、
    前記電源デカップリングコンデンサは前記BGAの電源ピンに対応するボールの近くに配置されていることを特徴とする半導体装置
  5. 請求項1記載の半導体装置において、
    前記インターポーザーは四角枠形状で構成されており、
    前記インターポーザーの枠内の領域であって、前記実装基板の一面に搭載された第2の半導体部品をさらに備えることを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項1記載の半導体装置において、
    前記BGAの下面に形成されたボールと前記実装基板の上面に形成された導電パターンとが前記インターポーザーに形成された実装パッドを介して互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
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