JP4590666B2 - Conductive paste and ceramic electronic component using the same - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック電子部品の厚膜電極形成に用いられる導電性ペーストに関し、より特定的には、積層セラミック電子部品の外部電極形成に用いられる導電性ペーストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より導電性ペーストは、例えばＡｇ，Ａｇ／Ｐｄ，Ａｕ等の貴金属、あるいはＣｕ，Ｎｉ等の卑金属からなる導電性粉末と、溶剤に有機バインダを溶解させた有機ビヒクルと、ガラスフリットとから主になる。ガラスフリットは、例えばＢ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＢａＯ、Ｂｉ2Ｏ3、ＰｂＯ等の金属酸化物等からなる。
【０００３】
従来よりセラミック電子部品、例えば積層セラミックコンデンサは、積層体と、内部電極と、外部電極とから主になる。積層体は、例えば誘電体からなる複数のセラミック層が積層され圧着され焼成されてなる。内部電極は、上述したセラミック層の所定枚数に電極膜が印刷され、セラミック層とともに同時焼成されてなる。内部電極の一端は、積層体の一方の端面に露出し、他端は積層体の内部にとどまるように形成されている。外部電極は、積層体の端面に形成された一対の厚膜電極であり、導電性ペースト中に浸漬塗布され乾燥、焼成されてなる。また、外部電極は、積層体の端面に露出された内部電極の一端と電気的かつ機械的に接合されている。
【０００４】
また、外部電極の半田濡れ性ならびに半田耐熱性を向上させる目的で、例えばＮｉ、Ｓｎあるいは半田等からなるめっき膜が外部電極を覆うように施される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のセラミック電子部品のめっき工程において、外部電極に存在するポアを伝ってめっき液が外部電極の内部に浸入し、場合によってめっき液は積層体にまで達し、複数のセラミック層の層界面に浸入して積層体にクラックが発生する。
【０００６】
また、セラミック層ならびに内部電極の薄層化とともに積層されるセラミック層の枚数が増加し、クラック発生の頻度が高くなる傾向にある。
【０００７】
本発明の目的は、外部電極を覆うようにＮｉ、Ｓｎあるいは半田等からなるめっき膜を形成しても、めっき液が外部電極の内部を伝って積層体に達することを抑え得る導電性ペースト、ならびにめっき液の浸入によるクラックの発生を抑えたセラミック電子部品を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の導電性ペーストは、導電性粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとからなり、ガラスフリットは、Ｃｕ成分とＮｉ成分から選ばれる少なくとも１種からなる金属酸化物群Ａを含有し、Ｂｉ成分を含有せず、金属酸化物群Ａは、ガラスフリット１００モル％に対し酸化物モル比で６〜８．５モル％含有することを特徴とする。
【０００９】
また、ガラスフリットは金属酸化物群Ａと金属酸化物群Ｂとからなり、金属酸化物群Ｂは、Ｂ成分，Ｓｉ成分，Ａｌ成分，Ｚｎ成分およびＢａ成分を含有することが好ましい。
【００１０】
また、本発明の導電性ペーストにおける導電性粉末とガラスフリットの容積比率は、導電性粉末５０．０〜９２．５体積％に対してガラスフリット７．５〜５０．０体積％であることが好ましい。
【００１１】
また、本発明のセラミック電子部品は、複数のセラミック層が積層されてなる積層体と、積層体の端面に形成された一対の外部電極と、前記外部電極を覆うようにめっき膜を備えるセラミック電子部品であって、外部電極は、本発明の導電性ペーストを焼成してなることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の導電性ペーストに用いるガラスフリットとしては、Ｃｕ成分とＮｉ成分から選ばれる少なくとも１種からなる金属酸化物群Ａと、例えばＢ成分、Ｓｉ成分、Ａｌ成分、Ｚｎ成分、Ｂａ成分を含有する金属酸化物群Ｂとからなるものが挙げられ、金属酸化物群Ａの含有量は、ガラスフリット１００モル％に対して、それぞれＣｕＯ，ＮｉＯ，Ｂ2Ｏ3，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＺｎＯ，ＢａＯ換算の酸化物モル比で２〜１５モル％の範囲内であることを要する。金属酸化物群Ａの含有量が２モル％未満であると、金属酸化物群Ａの添加効果が十分に発揮されない。他方、金属酸化物群Ａの含有量が１５モル％を超えると、ガラスフリット全体の組成が大きく変化し、外部電極を覆うようにめっき膜を形成した場合にめっき液が外部電極内部に浸入し、本発明の効果が得られない。
【００１３】
また、本発明の導電性ペーストのガラスフリットは、Ｂｉ成分を含有しないことを要する。ガラスフリット中にＢｉ成分を含有すると、外部電極を覆うようにめっき膜を形成した場合に、めっき液が外部電極内部に浸入して本発明の効果が得られにくい。
【００１４】
また、導電性粉末とガラスフリットの容積比率は、導電性粉末５０．０〜９２．５％に対してガラスフリット７．５〜５０．０体積％であることが好ましい。ガラスフリットの容積比率が７．５体積％未満になると、Ｃｕ成分あるいはＮｉ成分がクラックの発生を抑制する効果が低下する。他方、ガラスフリットの容積比率が５０体積％を超えると、めっき付着性が低下する。
【００１５】
次に、本発明のセラミック電子部品の一つの実施形態として積層セラミックコンデンサを挙げ、これを図１に示して詳細に説明する。積層セラミックコンデンサ１は、積層体２と、内部電極３と、外部電極４，４と、Ｎｉめっき膜５，５と、Ｓｎめっき膜６，６を備える。
【００１６】
積層体２は、例えば誘電体からなる複数のセラミック層２ａが積層され圧着され焼成されてなる。内部電極３は、上述したセラミック層２ａの所定枚数に電極膜が印刷され、セラミック層２ａとともに同時焼成されてなる。内部電極３，３の一端は、積層体２の一方の端面に露出し、他端は積層体２の内部にとどまるように形成されている。外部電極４，４は、積層体２の端面に形成された一対の厚膜電極であり、導電性ペースト中に浸漬塗布され乾燥、焼成されてなり、積層体２の端面に露出された内部電極３の一端と電気的かつ機械的に接合されている。Ｎｉめっき膜５，５は、外部電極４，４を覆うように形成されている。Ｓｎめっき膜６，６は、Ｎｉめっき膜５，５を覆うように形成されている。
【００１７】
なお、上述した本発明のセラミック電子部品の一つの実施形態において、セラミック電子部品として例えば積層セラミックコンデンサを挙げたが、本発明は特にこれに限定されることなく、ＮＴＣサーミスタ、ＰＴＣサーミスタ、バリスタ等であっても構わない。
【００１８】
また、上述した本発明のセラミック電子部品の一つの実施形態において、積層体の内部に内部電極を備えるものを挙げたが、本発明の内部電極の形状ならびに枚数は特にこれに限定されることはなく、内部電極の一端が外部電極と電気的かつ機械的に接合されていなくても構わない。また、積層体の内部に内部電極が積層されていなくても構わない。
【００１９】
また、上述した本発明のセラミック電子部品の一つの実施形態において、めっき膜としてＮｉめっき膜とＳｎめっき膜を形成したが、本発明のめっき膜の材質ならびに層数は特にこれに限定されることはない。
【００２０】
【実施例】
まず、表１に示すようなガラスフリットの組成比率となるように、以下の方法によりガラスフリットを作製した。すなわち、出発原料としてＨ3ＢＯ3、ＳｉＯ2、Ａｌ（ＯＨ）3、ＺｎＯ、ＢａＣＯ3、およびＣｕ（ＯＨ）2、Ｎｉ（ＯＨ）2を準備し、それぞれ所定量調合した。次に、アルミナ坩堝中で１２００℃で溶融し、水中に投下して急冷してガラス化させ、得られたガラスのカレットをめのう乳鉢で粗粉砕し、ジルコニア球をメディアに用いたボールミルを用いて微粉砕を行い、試料１〜２５のガラスフリットを得た。
【００２１】
次に、試料１〜２５のガラスフリットを用いて導電性ペーストを作製した。すなわち、Ｃｕ粉末が８０％、試料１〜２５のガラスフリットが２０％の容積比率となるようにこれらを混合し、さらに有機ビヒクルを適量加えて三本ロールで混練し分散して、試料１〜２５の導電性ペーストを作製した。なお、有機ビヒクルは、テルピネオールにアクリル樹脂を１０重量％溶解して作製した。
【００２２】
次に、上述した図１に示す積層セラミックコンデンサを作製した。すなわち、ＢａＴｉＯ3を主成分として、Ｎｉを導電成分とする複数の内部電極３，３を備える積層体２を準備した。次に、この積層体２の両端面を試料１〜２５の導電性ペーストに浸漬塗布し、１２０℃で１０分間乾燥させた後、８５０℃で１０分間保持して焼成して外部電極４，４を形成した。なお、焼成はＣｕ粉末が酸化しないよう中性雰囲気中で行った。次に、外部電極を覆うようにＮｉめっき膜５，５およびＳｎめっき膜６，６を施して、試料１〜２５の積層セラミックコンデンサを各々１０００個ずつ得た。
【００２３】
そこで、試料１〜２５の積層セラミックコンデンサについて、積層体内部の欠陥検査を行い、積層体にクラックが発生しているものを計数してこれを表１にまとめた。また、試料１〜２１については、ガラスフリット中の金属酸化物群Ａの含有量とクラック発生数の関係を図２のグラフにまとめた。
【００２４】
【表１】
表１から明らかであるように、ガラスフリット１００モル％に対して酸化物モル比で２〜１５モル％のＮｉ成分あるいはＣｕ成分を含有する試料３〜８，１１〜１６，１８〜２０は、各々１０００個中のクラック発生数が０〜２５であり、何れも３％を下回る優れた結果が得られた。
【００２６】
これに対して、Ｎｉ成分およびＣｕ成分を含有しない、あるいはＮｉ成分とＣｕ成分の合計含有量が、ＮｉＯ，ＣｕＯ換算で２．０％を下回る試料１，２，１０は、９３〜２２１個のクラックが発生して本発明の範囲外となった。
【００２７】
また、Ｎｉ成分とＣｕ成分の合計含有量が、ＮｉＯ，ＣｕＯ換算で１５．０％を超える試料９，１７，２１は、１０５〜１８９個のクラックが発生して本発明の範囲外となった。
【００２８】
図２の実線から明らかであるように、ガラスフリット中のＣｕ成分の含有量がＣｕＯ換算で２モル％を超える付近からクラック発生数が急激に減少する。クラック発生数は、Ｃｕ成分の含有量がＣｕＯ換算のモル比６〜８．５モル％の付近で最少となり１５モル％を超えるとクラック発生数は再び増加した。
【００２９】
また、図２の点線から明らかであるように、ガラスフリット中のＮｉ成分の含有量がＮｉＯ換算で２モル％を超える付近からクラック発生数が急激に減少する。クラック発生数は、Ｎｉ成分の含有量がＮｉＯ換算のモル比６〜８．５モル％の付近で最少となり１５モル％を超えるとクラック発生数は再び増加した。
【００３０】
また、図２の二点鎖線から明らかであるように、ガラスフリット中のＮｉ成分とＣｕ成分の合計含有量が、ＮｉＯ，ＣｕＯ換算のモル比で２モル％を超える付近からクラック発生数が急激に減少した。クラック発生数は、Ｎｉ成分とＣｕ成分の合計含有量が、ＮｉＯ，ＣｕＯ換算のモル比６〜８．５モル％の付近で最少となり、１５モル％を超えるとクラック発生数は再び増加した。
【００３１】
また、Ｃｕ成分およびＮｉ成分の何れも含有しないガラスフリットを用いた試料１と、試料１とほぼ同じガラスフリット組成に加えてＢｉ成分をＢｉ2Ｏ3換算のモル比で１％含有する試料２５を比較すると、クラック発生数はそれぞれ２２１、３７０個であり、Ｂｉ成分を含有することでクラック発生数が増加していることが分かる。この結果を踏まえて、Ｃｕ成分をＣｕＯ換算のモル比で８．５％、Ｂｉ成分をＢｉ2Ｏ3換算のモル比で０．５〜２．０％含有する試料２２〜２４と、Ｃｕ成分をＣｕＯ換算のモル比で８．５％含有してＢｉ成分を含有しない試料６を比較すると、試料６のクラック発生数は０個であるのに対して、試料２２〜２４のクラック発生数はそれぞれ２７１，３８６，４８３個であり、Ｂｉ成分のＢｉ2Ｏ3換算のモル比が大きくなるほどクラック発生数が増加することが分かる。
【００３２】
【発明の効果】
以上のように本発明の導電性ペーストは、導電性粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとからなり、ガラスフリットは、Ｃｕ成分とＮｉ成分から選ばれる少なくとも１種からなる金属酸化物群Ａを含有し、Ｂｉ成分を含有せず、金属酸化物群Ａは、ガラスフリット１００モル％に対し酸化物モル比で６〜８．５モル％含有することを特徴とすることで、このような導電性ペーストを用いて形成されるセラミック電子部品の外部電極を覆うようにＮｉ、Ｓｎあるいは半田めっき膜等を形成しても、めっき液が外部電極の内部を伝って積層体に達することを抑制することができるため、クラックの発生を抑えたセラミック電子部品を得ることができる。
【００３３】
また、本発明の導電性ペーストにおけるガラスフリットが、金属酸化物群Ａと金属酸化物群Ｂとからなり、金属酸化物群Ｂは、Ｂ成分，Ｓｉ成分，Ａｌ成分，Ｚｎ成分およびＢａ成分を含有することを特徴とすることで、セラミック電子部品の外部電極形成に好適な、いわゆるＢ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系ガラスフリットを含む導電性ペーストとなり、このような導電性ペーストを用いて形成されるセラミック電子部品の外部電極を覆うようにＮｉ、Ｓｎあるいは半田めっき膜等を形成しても、めっき液が外部電極の内部を伝って積層体に達することを抑制することができるため、クラックの発生を抑えたセラミック電子部品を得ることができる。
【００３４】
また、本発明の導電性ペーストは、導電性粉末とガラスフリットの容積比率は、導電性粉末５０．０〜９２．５体積％に対してガラスフリット７．５〜５０．０体積％であるとき、Ｃｕ成分あるいはＮｉ成分がクラックの発生を抑制する効果が顕著となり好ましい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る一つの実施形態のセラミック電子部品の断面図である。
【図２】本発明に係る一つの実施形態のセラミック電子部品における、ガラスフリット中の金属酸化物群Ａの含有量とクラック発生数の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１ セラミック電子部品
２ 積層体
３ 外部電極
４，５ めっき膜[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a conductive paste used for forming a thick film electrode of a ceramic electronic component, and more particularly to a conductive paste used for forming an external electrode of a multilayer ceramic electronic component.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a conductive paste is mainly composed of a conductive powder made of a noble metal such as Ag, Ag / Pd, or Au, or a base metal such as Cu or Ni, an organic vehicle in which an organic binder is dissolved in a solvent, and a glass frit. become. Glass frit, for example, a B 2 O 3, SiO 2, Al 2
[0003]
Conventionally, a ceramic electronic component such as a multilayer ceramic capacitor is mainly composed of a multilayer body, an internal electrode, and an external electrode. The laminated body is formed by, for example, laminating a plurality of ceramic layers made of a dielectric material, pressing them, and firing them. The internal electrode is formed by printing an electrode film on a predetermined number of the above-described ceramic layers and co-firing with the ceramic layers. One end of the internal electrode is exposed on one end face of the laminate, and the other end is formed so as to remain inside the laminate. The external electrodes are a pair of thick film electrodes formed on the end face of the laminate, and are dip-coated, dried and fired in a conductive paste. The external electrode is electrically and mechanically joined to one end of the internal electrode exposed on the end face of the laminate.
[0004]
For the purpose of improving the solder wettability and solder heat resistance of the external electrode, a plating film made of, for example, Ni, Sn, or solder is applied so as to cover the external electrode.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional ceramic electronic component plating process, the plating solution penetrates into the external electrode through the pores existing in the external electrode, and in some cases, the plating solution reaches the laminated body, and the layer interface of a plurality of ceramic layers. And cracks occur in the laminate.
[0006]
Further, the number of ceramic layers to be laminated increases as the ceramic layers and internal electrodes become thinner, and the frequency of occurrence of cracks tends to increase.
[0007]
An object of the present invention is to provide a conductive paste capable of suppressing the plating solution from reaching the laminate through the inside of the external electrode even when a plating film made of Ni, Sn, solder, or the like is formed so as to cover the external electrode, Another object of the present invention is to provide a ceramic electronic component that suppresses the generation of cracks due to the penetration of a plating solution.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the conductive paste of the present invention comprises a conductive powder, a glass frit, and an organic vehicle. The glass frit is a metal oxide comprising at least one selected from a Cu component and a Ni component. The product group A is contained , the Bi component is not contained, and the metal oxide group A is characterized by containing 6 to 8.5 mol% in terms of an oxide molar ratio with respect to 100 mol% of the glass frit.
[0009]
The glass frit is composed of a metal oxide group A and a metal oxide group B, and the metal oxide group B preferably contains a B component, a Si component, an Al component, a Zn component, and a Ba component.
[0010]
The volume ratio of the conductive powder and the glass frit in the conductive paste of the present invention is 7.5 to 50.0% by volume of the glass frit with respect to 50.0 to 92.5% by volume of the conductive powder. preferable.
[0011]
The ceramic electronic component of the present invention is a ceramic electronic device comprising a laminate in which a plurality of ceramic layers are laminated, a pair of external electrodes formed on the end face of the laminate, and a plating film so as to cover the external electrodes. It is a component, and the external electrode is formed by firing the conductive paste of the present invention.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The glass frit used in the conductive paste of the present invention contains a metal oxide group A consisting of at least one selected from a Cu component and a Ni component, for example, a B component, a Si component, an Al component, a Zn component, and a Ba component. The content of the metal oxide group A is CuO, NiO, B 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 with respect to 100 mol% of the glass frit, respectively. , ZnO, BaO oxide molar ratio in the range of 2 to 15 mol% is required. When the content of the metal oxide group A is less than 2 mol%, the effect of adding the metal oxide group A is not sufficiently exhibited. On the other hand, if the content of the metal oxide group A exceeds 15 mol%, the composition of the entire glass frit changes greatly, and when a plating film is formed so as to cover the external electrode, the plating solution penetrates into the external electrode. The effect of the present invention cannot be obtained.
[0013]
Further, the glass frit of the conductive paste of the present invention needs to contain no Bi component. If the Bi component is contained in the glass frit, when the plating film is formed so as to cover the external electrode, the plating solution penetrates into the external electrode and it is difficult to obtain the effects of the present invention.
[0014]
Moreover, it is preferable that the volume ratio of electroconductive powder and glass frit is 7.5-50.0 volume% of glass frit with respect to 50.0-92.5% of electroconductive powder. When the volume ratio of the glass frit is less than 7.5% by volume, the effect of suppressing the occurrence of cracks by the Cu component or Ni component is reduced. On the other hand, when the volume ratio of the glass frit exceeds 50% by volume, the plating adhesion is lowered.
[0015]
Next, a multilayer ceramic capacitor is cited as one embodiment of the ceramic electronic component of the present invention, which will be described in detail with reference to FIG. The multilayer ceramic capacitor 1 includes a
[0016]
The
[0017]
In the above-described embodiment of the ceramic electronic component of the present invention, a multilayer ceramic capacitor is exemplified as the ceramic electronic component. However, the present invention is not particularly limited to this, and an NTC thermistor, a PTC thermistor, a varistor, etc. It does not matter.
[0018]
Moreover, in one embodiment of the ceramic electronic component of the present invention described above, the multilayer body is provided with an internal electrode, but the shape and number of internal electrodes of the present invention are not particularly limited to this. Alternatively, one end of the internal electrode may not be electrically and mechanically joined to the external electrode. Moreover, the internal electrode does not need to be laminated | stacked inside the laminated body.
[0019]
Moreover, in one embodiment of the ceramic electronic component of the present invention described above, the Ni plating film and the Sn plating film are formed as the plating film, but the material and the number of layers of the plating film of the present invention are particularly limited to this. There is no.
[0020]
【Example】
First, a glass frit was prepared by the following method so that the composition ratio of the glass frit shown in Table 1 was obtained. That is, H 3 BO 3 , SiO 2 , Al (OH) 3 , ZnO, BaCO 3 , Cu (OH) 2 , and Ni (OH) 2 were prepared as starting materials, and predetermined amounts were prepared. Next, it is melted at 1200 ° C. in an alumina crucible, dropped into water and rapidly cooled to be vitrified. The resulting glass cullet is coarsely ground in an agate mortar, and a ball mill using zirconia spheres as media is used. Fine grinding was performed to obtain glass frit of Samples 1 to 25.
[0021]
Next, the conductive paste was produced using the glass frit of samples 1-25. That is, these were mixed so that the volume ratio of the Cu powder was 80% and the glass frit of Samples 1 to 25 was 20%, and an appropriate amount of an organic vehicle was added, and kneaded with three rolls and dispersed. 25 conductive pastes were produced. The organic vehicle was prepared by dissolving 10% by weight of acrylic resin in terpineol.
[0022]
Next, the above-described multilayer ceramic capacitor shown in FIG. 1 was produced. That is, a
[0023]
Therefore, the multilayer ceramic capacitors of Samples 1 to 25 were subjected to a defect inspection inside the multilayer body, and those having cracks in the multilayer body were counted and summarized in Table 1. Moreover, about the samples 1-21, the relationship between content of the metal oxide group A in a glass frit and the number of crack generation was put together in the graph of FIG.
[0024]
[Table 1]
As is apparent from Table 1,
[0026]
On the other hand,
[0027]
Further, Samples 9, 17, and 21 in which the total content of Ni component and Cu component exceeds 15.0% in terms of NiO and CuO are out of the scope of the present invention due to 105 to 189 cracks. .
[0028]
As is clear from the solid line in FIG. 2, the number of cracks sharply decreases from the vicinity where the content of the Cu component in the glass frit exceeds 2 mol% in terms of CuO. The number of cracks was minimized when the Cu component content was in the vicinity of a molar ratio of 6 to 8.5 mol% in terms of CuO, and when it exceeded 15 mol%, the number of cracks increased again.
[0029]
Further, as is apparent from the dotted line in FIG. 2, the number of cracks rapidly decreases when the content of the Ni component in the glass frit exceeds 2 mol% in terms of NiO. The number of cracks was minimized when the Ni component content was around 6 to 8.5 mol% in terms of NiO, and the number of cracks increased again when it exceeded 15 mol%.
[0030]
In addition, as is apparent from the two-dot chain line in FIG. 2, the number of cracks suddenly increases when the total content of the Ni component and the Cu component in the glass frit exceeds 2 mol% in terms of a molar ratio in terms of NiO and CuO. Decreased. The number of occurrences of cracks was minimized when the total content of the Ni component and the Cu component was in the vicinity of a molar ratio of 6 to 8.5 mol% in terms of NiO and CuO.
[0031]
Further, Sample 1 using glass frit containing neither Cu component nor Ni component, and Sample 25 containing 1% Bi component in a molar ratio in terms of Bi 2 O 3 in addition to almost the same glass frit composition as Sample 1. The number of cracks generated is 221 and 370, respectively, and it can be seen that the number of cracks generated is increased by containing the Bi component. Based on this result, Samples 22 to 24 containing Cu component in a molar ratio of CuO in terms of 8.5% and Bi component in a molar ratio of Bi 2 O 3 in terms of 0.5 to 2.0%, and Cu component When the
[0032]
【The invention's effect】
As described above, the conductive paste of the present invention comprises a conductive powder, a glass frit, and an organic vehicle. The glass frit comprises a metal oxide group A composed of at least one selected from a Cu component and a Ni component. contains contains no Bi component, a metal oxide group a, by characterized in that the
[0033]
Further, the glass frit in the conductive paste of the present invention comprises a metal oxide group A and a metal oxide group B, and the metal oxide group B contains a B component, a Si component, an Al component, a Zn component, and a Ba component. By containing, it becomes a conductive paste containing so-called B-Si-Al-Zn-O-based glass frit suitable for external electrode formation of ceramic electronic components, and using such a conductive paste Even if Ni, Sn, or a solder plating film is formed so as to cover the external electrode of the ceramic electronic component to be formed, it is possible to suppress the plating solution from reaching the laminate through the external electrode, A ceramic electronic component in which generation of cracks is suppressed can be obtained.
[0034]
In the conductive paste of the present invention, the volume ratio of the conductive powder and the glass frit is 7.5 to 50.0% by volume of the glass frit with respect to 50.0 to 92.5% by volume of the conductive powder. The Cu component or Ni component is preferable because the effect of suppressing the occurrence of cracks is remarkable.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a ceramic electronic component of one embodiment according to the present invention.
FIG. 2 is a graph showing the relationship between the content of metal oxide group A in the glass frit and the number of cracks generated in the ceramic electronic component of one embodiment according to the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic
Claims (4)
前記ガラスフリットは、Ｃｕ成分とＮｉ成分から選ばれる少なくとも１種からなる金属酸化物群Ａを含有し、Ｂｉ成分を含有せず、
前記金属酸化物群Ａは、前記ガラスフリット１００モル％に対し酸化物モル比で６〜８．５モル％含有することを特徴とする導電性ペースト。A conductive paste comprising conductive powder, glass frit, and an organic vehicle,
The glass frit contains a metal oxide group A composed of at least one selected from a Cu component and a Ni component, does not contain a Bi component,
The metal oxide group A is contained in an oxide molar ratio of 6 to 8.5 mol% with respect to 100 mol% of the glass frit.
前記外部電極は、請求項１ないし３の何れかに記載の導電性ペーストを焼成してなることを特徴とするセラミック電子部品。A laminated body in which a plurality of ceramic layers are laminated, a pair of external electrodes formed on an end face of the laminated body, and a ceramic electronic component including a plating film so as to cover the external electrodes,
A ceramic electronic component, wherein the external electrode is formed by firing the conductive paste according to any one of claims 1 to 3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35508799A JP4590666B2 (en) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | Conductive paste and ceramic electronic component using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35508799A JP4590666B2 (en) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | Conductive paste and ceramic electronic component using the same |
Publications (2)
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