JP4589315B2 - 機械学習システムを用いた半導体ウェハ上に形成された構造の光学測定 - Google Patents

機械学習システムを用いた半導体ウェハ上に形成された構造の光学測定 Download PDF

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Description

本発明は、半導体ウェハ上に形成された構造の光学測定に関し、特に、機械学習システムを用いた半導体ウェハ上に形成された構造の光学測定に関する。
光学測定は、構造に入射光線を向け、生じた回折光線を測定し、その構造の形状を求めるために回折光線を解析することを含む。半導体の製造においては、光学測定は品質保証のために代表的に使用される。例えば、半導体ウェハ上の半導体チップに近接して周期格子を作製した後、光学測定システムをその周期格子のプロファイルを求めるために使用する。周期格子のプロファイルを求めることによって、周期格子の形成に利用された製造プロセスの品質を評価することが可能であり、その延長線上で周期格子に近接した半導体チップを評価することが可能である。
従来の光学測定システムの一つは、回折光線を解析するために厳密結合波解析(RCWA)のような回折モデル化手法を使用する。特に、回折モデル化手法において、モデル回折信号は、部分的にはマクスウェルの方程式を解くことに基づいて計算される。モデル回折信号の計算は、時間を要し、コストの掛かる複素計算の実行を非常に多く含む。
典型的な実施態様の1つでは、半導体ウェハ上に形成された構造は、測定装置を用いて測定された第1の回折信号を取得することによって検査される。第2の回折信号は、機械学習システムを用いて生成される。ここで機械学習システムは、第2の回折信号を生成するために構造のプロファイルを特徴付ける1以上のパラメータを入力として受信する。第1及び第2の回折信号は比較される。第1及び第2の回折信号が一致基準の範囲内で一致する場合、構造の形状は第2の回折信号を生成するために機械学習システムで用いられたプロファイル又は1以上のパラメータに基づいて求められる。
本発明は、同一の部分には同一の番号が付された添付の図とともに以下の説明を参照することによって、より良く理解されよう。
以下の説明では、数多くの特定の構成、パラメータ等が示される。しかし、認識しておくべきは、こうした説明が、本発明の範囲の制限を意図したものではなく、典型的な実施態様の説明として提示されているという点である。
1.測定
図1を参照すると、光学測定システム100を用いて、構造を検査し、解析することが可能である。例えば、光学測定システム100を用いて、ウェハー104上に形成された周期格子102の形状を求めることが可能である。上述したように、周期格子102は、ウェハー104上に形成されたデバイスに隣接した、ウェハー104の試験領域に形成することが可能である。あるいは、周期格子102は、デバイスの動作を妨害しないデバイスの領域内、又は、ウェハー104のスクライブ・ラインに沿って形成することも可能である。
図1に示すように、光学測定システム100は、光源106と検出器112を備えた測定装置を含むことができる。光源106からの入射光線108によって、周期格子102が照射される。典型的な本実施態様において、入射光線108は、格子の法線
Figure 0004589315
に対して入射角θi及び方位角Φ(すなわち、入射光線108の平面と周期格子102の周期性方向との角度)をなして、周期格子102へ向けられる。回折光線110が、法線
Figure 0004589315
に対してθdの角度で出射し、検出器112によって受光される。検出器112は、回折光線110を反射率、tan(Ψ)、cos(Δ)、フーリエ係数などを含み得る測定回折信号に変換する。
光学測定システム100は、測定回折信号を受信して、測定回折信号を解析するように構成されたプロセッサモジュール114も含む。それから、後述するように、ライブラリ・ベースのプロセス又は回帰ベースのプロセスを用いて、周期格子102の形状を求めることが可能である。さらに、他の線形又は非線形プロファイル抽出手法も考慮される。
2.ライブラリ・ベースのプロセス
ライブラリ・ベースのプロセスでは、測定回折信号が回折信号のライブラリと比較される。すなわち、ライブラリ内の各回折信号は、構造のプロファイルと関連付けられている。測定回折信号とライブラリ内の回折信号の1つが一致するか、又は、測定回折信号とライブラリ内の回折信号の1つとの差が、プリセット又は一致基準の範囲内であれば、ライブラリ内の一致する回折信号に関連したプロファイルが、その構造の実際のプロファイルを表すものと推定される。そして、その一致する回折信号に関連するプロファイルに基づいて、その構造の形状を求めることができる。
従って、もう一度図1を参照すると、典型的な実施態様の1つでは、測定回折信号を得た後、プロセッサモジュール114は、測定回折信号とライブラリ116に記憶された回折信号を比較する。ライブラリ116の各回折信号は、プロファイルと関連付けられている。測定回折信号とライブラリ116の回折信号の1つが一致すると、その一致したライブラリ116の回折信号に関連したプロファイルが、周期格子102の実際のプロファイルを表すものと推定することができる。
ライブラリ116に記憶されるプロファイルのセットは、パラメータのセットを用いてプロファイルを特徴付け、さらに、さまざまな形状及び寸法のプロファイル・モデルを生成するためにパラメータのセットを変化させることによって生成可能である。パラメータのセットを用いて、プロファイルを特徴付けるプロセスは、パラメータ化と呼ぶことができる。
例えば、図2Aに示すように、プロファイル200は、それぞれ、高さ及び幅を定義するパラメータh1及びw1によって特徴付けられると仮定する。図2B〜図2Eに示すように、プロファイル200の追加の形状及び外観は、パラメータ数を増すことによって特徴付けることが可能である。例えば、図2Bに示すように、プロファイル200は、それぞれ、その高さ、底部幅、及び、上部幅を定義するパラメータh1、w1、及び、w2によって特徴付けることができる。プロファイル200の幅は、臨界寸法(CD)と呼ぶことができる。例えば、図2Bにおいて、パラメータw1及びw2を、それぞれ、プロファイル200の底部CD及び上部CDと定義して記述できる。入射角(AOI)、ピッチ、n及びk、ハードウェアパラメータ(例えば、偏光角)などの様々なタイプのパラメータをプロファイル200を特徴付けるために使用できることを認識すべきである。
上述のように、ライブラリ116(図1)に記憶されるプロファイルのセットは、プロファイルを特徴付けるパラメータを変化させることによって生成可能である。例えば、図2Bを参照すると、パラメータh1、w1、及び、w2を変化させることによって、さまざまな形状及び寸法のプロファイルを生成できる。1つ、2つ、又は、3つ全てのパラメータを互いに関連して変化させることが可能であるという点に留意されたい。
そのため、一致した回折信号と関連するプロファイルのパラメータを、検査される構造の形状を求めるために使用することができる。例えば、底部CDに対応するプロファイルのパラメータは、検査される構造の底部CDを求めるために使用することができる。
もう一度図1を参照すると、ライブラリ116に記憶されているプロファイル及び回折信号のセットにおけるプロファイル及び対応する回折信号の数(すなわち、ライブラリ116の分解能及び/又は範囲)は、部分的には、パラメータのセットを変化させる範囲、及び、パラメータのセットを変化させる増分によって決まる。典型的な実施態様の1つでは、ライブラリ116に記憶されるプロファイル及び回折信号は、実際の構造からの測定回折信号を取得するよりも前に生成される。従って、ライブラリ116の生成に用いられる範囲及び増分(すなわち、範囲及び分解能)は、構造の製造プロセスとの馴染みやすさ、及び、分散範囲がどうなりそうかに基づいて選択することが可能である。ライブラリ116の範囲及び/又は分解能は、原子間力顕微鏡(AFM)、又は走査型電子顕微鏡(SEM)等を用いた測定のような、実験的測定に基づいて選択することもできる。
ライブラリ・ベースのプロセスに関するより詳細な説明については、ここに参照としてその全体が組み込まれる、米国特許出願公開第09/907,488号明細書(周期格子回折信号のライブラリの生成,2001年7月16日出願)を参照されたい。
3.回帰ベースのプロセス
回帰ベースのプロセスでは、測定回折信号が、プロファイル(すなわち、プロファイル・モデル)についてのパラメータ(すなわち、試行パラメータ)のセットを用いて比較するよりも前に生成された回折信号(すなわち、試行計測信号)と比較される。測定回折信号と試行回折信号が一致しないか、測定回折信号と試行回折信号との差が、プリセット又は一致基準の範囲内でなければ、別のプロファイルについての別のパラメータのセットを用いて、別の回折信号を生成し、そして、測定回折信号と新たに生成した試行回折信号とが比較される。測定回折信号及び試行回折信号が一致するか、測定回折信号と試行回折信号との差が、プリセット又は一致基準の範囲内であれば、その一致した試行回折信号に関連したプロファイルが、その構造の実際のプロファイルを表すものと推定される。そして、一致した試行回折信号に関連するプロファイルを、検査される構造の形状を求めるために使用することができる。
従って、もう一度図1を参照すると、典型的な実施態様の1つでは、プロセッサモジュール114は、プロファイルについての試行回折信号を生成することができ、そして、測定回折信号とその試行回折信号を比較することができる。上述のように、測定回折信号と試行回折信号が一致しないか、測定回折信号と試行回折信号との差が、プリセット又は一致基準の範囲内でなければ、プロセッサモジュール114は、別のプロファイルについての別の試行回折信号を繰り返し生成することができる。典型的な実施態様の1つでは、続けて生成される試行回折信号を、シミュレーティッドアニーリングを含む大域最適化手法、最急降下アルゴリズムを含む局所最適化手法といった最適化アルゴリズムを用いて生成することができる。
典型的な実施態様の1つでは、試行回折信号及びプロファイルは、ライブラリ116(すなわち、動的ライブラリ)に記憶することができる。そしてライブラリ116に記憶された試行回折信号及びプロファイルを、その後において測定回折信号とのマッチングに用いることができる。あるいは、光学測定システム100からライブラリ116を省略することができる。回帰ベースのプロセスに関するより詳細な説明については、ここにその全体が参照として組み込まれる、米国特許出願公開第09/923,578号明細書(回帰ベースライブラリ生成プロセスを通じた動的学習方法及びシステム,2001年8月6日出願)を参照されたい。
4.機械学習システム
図1を参照すると、典型的な実施態様の1つでは、ライブラリベースプロセス及び/又は回帰ベースプロセスを用いた回折信号は、バックプロパゲーション、動径基底関数、サポートベクトル、カーネル回帰などのような機械学習アルゴリズムを採用した機械学習システム118を用いて生成される。機械学習システム及びアルゴリズムのより詳細な説明については、ここにその全体が参照として組み込まれる、Simon Haykin、Prentice Hall、“ニューラルネットワーク”、1999年、を参照されたい。
本実施態様では、機械学習システム118は、プロファイルを入力として受け取り、回折信号を出力として生成する。図1では、機械学習システム118は、プロセッサモジュール114の構成要素として表されているが、機械学習システム118は別個のモジュールとしてもよいことを認識されたい。さらに、機械学習システム118がライブラリベースプロセスの一部として使用される場合、ライブラリ116内の回折信号は機械学習システム118によってあらかじめ生成しておくこともできる。その場合、機械学習システム118は、プロセッサモジュール114と接続されない別個のモジュールとしてもよい。一方、機械学習システム118が回帰ベースプロセスの一部として使用される場合、機械学習システム118がプロセッサモジュール114の構成要素としてよりも別個のモジュールである場合についても、機械学習システム118はプロセッサモジュール114と接続される。
図3を参照すると、典型的な実施態様の1つでは、機械学習システムはバックプロパゲーションアルゴリズムを用いたニューラルネットワーク300である。ニューラルネットワーク300は入力層302と、出力層304と、入力層302と出力層304の間にある隠れ層306を含む。入力層302と隠れ層306は、リンク308を用いて結合される。隠れ層306と出力層304は、リンク310を用いて結合される。しかし、ニューラルネットワーク300は、様々な構成で結合されるいくつの層を含んでもよいことを認識されたい。
図3に表されるように、入力層302は1以上の入力ノード312を含む。典型的な本実施態様では、入力層302の一つの入力ノード312は、ニューラルネットワーク300に入力されるプロファイルの一つのパラメータに対応する。したがって、入力ノード312の数は、プロファイルを特徴付けるために使用されるパラメータの数と一致する。例えば、プロファイルが2個のパラメータ(例えば、頂部幅及び底部幅)を用いて特徴付けられる場合、入力層302は入力ノード312を2個含み、第1の入力ノード312は第1のパラメータ(例えば頂部幅)に対応し、第2の入力ノード312は第2のパラメータ(例えば底部幅)に対応する。
ニューラルネットワーク300では、出力層304は1以上の出力ノード314を含む。典型的な本実施態様では、各出力ノード314は線形関数である。しかし、各出力ノード314は様々なタイプの関数でもよいことを認識されたい。さらに、典型的な本実施態様では、出力層304の出力ノード314は、ニューラルネットワーク300から出力される回折信号の次元に対応する。したがって、出力ノード314の数は、回折信号を特徴付けるために使用される次元の数に対応する。例えば、回折信号が例として5つの異なる波長に対応する5つの次元を用いて特徴付けられる場合、出力層304は出力ノード314を5個含み、第1の出力ノード314は第1の次元(例えば、第1の波長)に対応し、第2の出力ノード314は第2の次元(例えば、第2の波長)に対応する、などとなる。
ニューラルネットワーク300では、隠れ層306は1以上の隠れノード316を含む。典型的な本実施態様では、各隠れノード316はシグモイド伝達関数又は動径基底関数である。しかし、各隠れノード316は様々なタイプの関数であってもよいことを認識されたい。さらに、典型的な本実施態様では、隠れノード316の数は出力ノード314の数に基づいて決定される。特に、隠れノード316の数(m)は、出力ノード314の数(n)に対して所定の比(r=m/n)で関連する。例えば、r=10の場合、各出力ノード314に対して隠れノード316が10個存在する。しかし、その所定の比は、隠れノード316の数に対する出力ノード314の数の比(すなわち、r=n/m)としてもよいことを認識されたい。さらに、ニューラルネットワーク300の隠れノード316の数は、所定の比に基づいて隠れノード316の数の初期値を決定した後に、調整してもよいことを認識されたい。さらにまた、ニューラルネットワーク300の隠れノード316の数は、上記の所定の比に基づくよりも経験及び/又は実験に基づいて決定してもよい。
機械学習システムを用いて回折信号を生成するよりも前に、機械学習システムを学習させる。図4を参照すると、機械学習システムの学習についての典型的なプロセス400が表される。典型的なプロセス400では、機械学習システムは、学習用入力データのセット及び学習用出力データのセットを用いて学習し、学習用入力データセットの入力データは、入力データと出力データのペアを形成するために学習用出力データセット内に対応する出力データを有する。
ステップ402では、学習用入力データセットが取得される。典型的な本実施態様では、学習用入力データセットは、プロファイルのセットを含む。上述したように、プロファイルはパラメータセットを用いて特徴付けられる。プロファイルの範囲は、プロファイルを特徴付ける1以上のパラメータを独立で又は組み合わせて変化させることによって生成することができる。生成されるプロファイルの全範囲は、検査される構造の実際のプロファイルにおいて想定される変動範囲に基づいて決定され、実験又は経験を通じて決定される。例えば、検査される構造の実際のプロファイルが、xとxの間で変化する底部幅を備えていると想定される場合、プロファイルの全範囲は、底部幅に対応するパラメータをxとxの間で変化させることにより生成することができる。
典型的な実施態様の一つでは、機械学習システムを学習するために用いられるプロファイルのセットは、生成されるプロファイルの全範囲から選択される。特に、学習用データセットは、プロファイルの全範囲からのランダムサンプリングを用いて選択される。学習用データセットを選択するために、系統的サンプリング、ランダムサンプリングと系統的サンプリングの組み合わせのような、様々なサンプリング手法を使用することができることを認識されたい。
典型的な本実施態様では、生成されるプロファイルの全範囲は2以上のパーティションに分割される。機械学習システムは、それぞれのパーティションについて構成され、学習する。例えば、全範囲を第1のパーティションと第2のパーティションに分割すると仮定する。したがって、この例では、第1の機械学習システムは第1のパーティションについて構成され、学習する。そして第2の機械学習システムは第2のパーティションについて構成され、学習する。全範囲を区分すること及び複数の機械学習システムを使用することの一つの利点は、並列処理を使用できることにある(例えば、2つの機械学習システムを並列に学習し、使用することができる)。他の利点は、それぞれの機械学習システムが、全範囲についての単一の機械学習システムよりもそれぞれのパーティションに対してより正確となる可能性があるということである。特に、全範囲について学習された単一の機械学習システムは、機械学習システムの精度を減ずるおそれのあるローカルミニマムに陥り易い。
全範囲が区分化される場合、それらのパーティションは同じサイズでも、異なるサイズでもよい。それらのパーティションが異なるサイズである場合、パーティションのサイズは、パーティション内のデータ密度に基づいて決定される。例えば、密度が低い方のパーティションは密度が高い方のパーティションより大きくしてもよい。パーティションの数及びサイズは、用途に応じて変えてもよい。
ステップ404では、学習用出力データセットが取得される。典型的な本実施態様では、学習用出力データは、回折信号のセットを含む。学習用出力データとして用いられる回折信号のセットの一つの回折信号は、学習用入力データとして用いられるプロファイルセットの一つのプロファイルに対応する。回折信号セットの各回折信号は、厳密結合波解析(RCWA)、積分法、フレネル法、有限解析、モード解析などのモデル化手法を用いて、プロファイルセットの各プロファイルに基づいて生成することができる。あるいは、回折信号セットの各回折信号は、偏光計、反射率計、原子間力顕微鏡(AFM)、走査型電子顕微鏡(SEM)などの測定装置を用いた回折信号の測定のように実験的な手法を用いて、プロファイルセットの各プロファイルに基づいて生成することができる。したがって、プロファイルセットのプロファイル及び回折信号セットの対応する回折信号は、プロファイル/回折信号のペアを形成する。プロファイル/回折信号の単一のペアにおいて、プロファイルと回折信号の間で1対1の対応関係がある。しかし、プロファイル/回折信号の単一のペアにおいて、プロファイルと回折信号の間で、解析的又は数値的な既知の関係である必要はないことに留意されたい。
一つの典型的な実施態様では、回折信号のセットを用いて機械学習システムを学習する前に、回折信号のセットを主成分分析(PCA)を用いて変換する。特に、回折信号は、多くの異なる波長のように、多くの次元を用いて特徴付けることができる。PCAを用いて回折信号のセットを変換することにより、回折信号は無相関の次元に変換され、その無相関の次元の空間は元の次元の空間よりも小さい。機械学習システムを学習させた後、回折信号は元に戻しても良い。
典型的な本実施態様では、回折信号の次元は2以上のパーティションに分割される。機械学習システムは、それぞれのパーティションについて構成され、学習する。例えば、次元を第1のパーティションと第2のパーティションに分割すると仮定する。したがって、この例では、第1の機械学習システムは第1のパーティションについて構成され、学習する。そして第2の機械学習システムは第2のパーティションについて構成され、学習する。この場合もまた、次元を区分すること及び複数の機械学習システムを使用することの一つの利点は、並列処理を使用できることにある(例えば、2つの機械学習システムを並列に学習し、使用することができる)。他の利点は、それぞれの機械学習システムが、単一の機械学習システムよりもそれぞれのパーティションに対してより正確となる可能性があるということである。
ステップ406では、学習用入力データとして用いられるプロファイルセットからのプロファイルについて、機械学習システムを用いて回折信号が生成される。ステップ408では、生成された回折信号がそのプロファイルに対応する回折信号セットの回折信号と比較される。回折信号間の差が所望又は所定の誤差の限界内でない場合、ステップ406及び408は、学習用入力データとして用いられるプロファイルセットの他のプロファイルを用いて繰り返される。ステップ410では、回折信号間の差が所望又は所定の誤差の限界内である場合、学習プロセスは終了する。
学習プロセス400は、勾配降下法、線形計画法、二次計画法、シミュレーティッドアニーリング、マルカート・レーベンベルグ(Marquardt-Levenberg)アルゴリズムなどのような最適化手法の使用を含んでもよい。さらに、学習プロセス400をバッチプロセスとして実行してもよい。バッチプロセスのより詳細な説明については、上述した、Simon Haykin、”ニューラルネットワーク”を参照されたい。
さらに、図4に表される学習プロセス400は、バックプロパゲーションアルゴリズムを示す。しかし、動径基底ネットワーク、サポートベクトル、カーネル回帰などの様々な学習アルゴリズムを使用できるということを認識されたい。
図5を参照すると、機械学習システムのテストについての典型的なプロセス500が表されている。典型的な実施態様の一つでは、機械学習システムが学習した後、その機械学習システムが適切に学習していることを確認するためにテストを行ってもよい。しかし、用途によっては、このテストプロセスを省略してもよい。
ステップ502では、テスト用入力データセットが取得される。ステップ504では、テスト用出力データセットが取得される。典型的な本実施態様では、テスト用入力データはプロファイルセットを含み、テスト用出力データは回折信号セットを含む。テスト用入力データセット及びテスト用出力データセットは、学習プロセスのところで上述したのと同じプロセス及び手法を用いて取得することができる。テスト用入力データセット及びテスト用出力データセットは、学習用入力データ及び学習用出力データと同じか若しくはそれらのサブセットであってもよい。あるいは、テスト用入力データセット及びテスト用出力データセットは、学習用入力データ及び学習用出力データと異なっていても良い。
ステップ506では、テスト用入力データとして用いられるプロファイルセットのプロファイルについて、機械学習システムを用いて回折信号が生成される。ステップ508では、生成された回折信号がそのプロファイルに対応するテスト用出力データの回折信号セットの回折信号と比較される。ステップ510では、回折信号間の差が所望又は所定の誤差の限界内でない場合、機械学習システムは再学習する。機械学習システムが再学習する場合、学習プロセスを調整してもよい。例えば、学習用入力変数及び出力変数の選択及び数を調整してもよい。さらに、機械学習システムを調整してもよい。例えば、上述のように、機械学習システムがニューラルネットワークである場合、隠れノードの数を調整してもよい。ステップ512では、回折信号間の差が所望又は所定の誤差の限界内である場合、テストプロセスは終了する。
経験リスク最小化(empirical risk minimization)(ERM)手法を、学習済みの機械学習システムが新しい入力に対して如何によく一般化できているかを定量化するために使用することができる。ERMのより詳細な説明については、ここにその全体が参照として組み込まれる、Vladimir N. Vapnik、”統計的学習理論(Statistical Learning Theory)”、Wiley−Interscience、1998年9月、を参照されたい。
機械学習システムが学習し、テストされた後、半導体ウェハ上に形成される構造の解析に使用するために、その機械学習システムを回折信号の生成に使用することができる。先と同様に、用途によってはテストプロセスを省略できることに留意されたい。
図6を参照すると、半導体ウェハ上に形成される構造を検査するために機械学習システムを使用する典型的なプロセス600が表されている。ステップ602では、構造の測定回折信号が測定装置を用いることで取得される。ステップ604では、生成回折信号が機械学習システムを用いて取得される。ステップ606では、それら回折信号が比較される。ステップ608では、構造の形状が、測定された回折信号と生成された回折信号との比較に基づいて求められる。
特に、上述したように、生成回折信号に対応するプロファイルは、その生成回折信号を生成するために機械学習システムに対して入力として使用される。プロファイルは、1以上のパラメータで特徴付けられる。したがって、生成回折信号が測定回折信号と一致基準の範囲内で一致する場合、そのプロファイル及びそのプロファイルを特徴付ける1以上のパラメータを、構造の形状を求めるために使用することができる。
図7を参照すると、ライブラリベースプロセスにおいて機械学習システムを使用する典型的なプロセス700が表されている。ステップ702では、回折信号のライブラリが機械学習システムを用いて生成される。特に、回折信号のライブラリは、機械学習システムに一連のプロファイルを入力することにより生成される。ステップ704では、測定回折信号が、偏光計、反射率計などの測定装置を用いて取得される。ステップ706では、測定回折信号が、機械学習システムを用いて生成された回折信号のライブラリ内の回折信号と比較される。ステップ708では、構造の形状が、回折信号のライブラリの一致する回折信号に対応するプロファイルを用いて求められる。
図8を参照すると、ライブラリベースシステムに機械学習システムを使用した典型的なシステム800が表されている。図8に表されるように、ライブラリ116は、機械学習システム118を用いて生成される。そして、ライブラリ116は、ライブラリ116の回折信号を偏光計、反射率計などの測定装置802で取得された測定回折信号と比較するためにプロセッサモジュール114によって使用される。図8では、機械学習システム118は独立したユニットとして表されているが、機械学習システム118を、プロセッサモジュール114の構成要素として一体化してもよいことに留意されたい。さらに、機械学習システム118は、ネットワーク接続のように、ライブラリ116をプロセッサモジュール114へ伝送するためにプロセッサモジュール114と接続してもよい。あるいは、ライブラリ116を可搬記憶媒体に記憶し、物理的にプロセッサモジュール114に運んでもよい。
さらに、図8に表されるように、プロセッサモジュール114を、1以上の製造工程を実行するように構成された半導体製造ユニット804と結合してもよい。しかし、測定システムは、半導体製造ユニット804と一体化されることに加えて、スタンドアロンシステムとして動作させてもよいことを認識されたい。
図9を参照すると、回帰ベースシステムに機械学習システムを使用した典型的なプロセス900が表されている。ステップ902では、測定回折信号は、偏光計、反射率計、原子間力顕微鏡(AFM)、走査型電子顕微鏡(SEM)などの測定装置を用いて取得される。ステップ904では、生成回折信号が機械学習システムを用いて取得される。ステップ906では、二つの回折信号が比較される。二つの回折信号が所定の一致基準の範囲内で一致しない場合、ステップ904及び906が、ステップ904で生成された別の回折信号を用いて繰り返される。このプロセスは、生成回折信号と測定回折信号が所定の一致基準の範囲内で一致するという意味で一致するものが見つけられるまで繰り返される。ステップ908では、二つの回折信号が所定の一致基準の範囲内で一致する場合、一致する回折信号に対応するプロファイルが、検査される構造の実際のプロファイルに対応すると仮定される。したがって、プロファイル及びそのプロファイルを特徴付けるパラメータを、構造の形状を求めるために使用することができる。
図10を参照すると、回帰ベースシステムに機械学習システムを使用した典型的なシステム1000が表されている。図10に表されるように、最適化器1002は、測定回折信号を測定装置802から入力として受信する。最適化器1002は、生成回折信号を機械学習システム118から入力として受信する。最適化器1002は、生成回折信号と測定回折信号を比較する。生成回折信号と測定回折信号が一致する場合、最適化器1002は一致した生成回折信号に対応するプロファイルを出力する。生成回折信号と測定回折信号が所定の一致基準の範囲内で一致しない場合、最適化器1002は、別の回折信号を生成するために機械学習システム118に対して信号を出力する。このプロセスは、生成回折信号と測定回折信号が所定の一致基準の範囲内で一致するという意味で一致するものが見つけられるまで繰り返される。
典型的な実施態様の一つでは、最適化手法を、一致に到達するまでに必要とされる繰り返し回数を減らすために使用する。特に、最適化問題の目標は、幾つかの可能性のある解の中から最適な解を見つけることにあり、ここで最適解は、コスト関数を関連付けることにより定量化できる。言い換えれば、与えられたコスト基準の元で与えられた問題について、タスクは最小コストとなる解を見つけることである。したがって、典型的な本実施態様では、タスクは、与えられた測定回折信号に関して(与えられたコスト基準の下で)最小コストとなる回折信号と対応するプロファイルを見つけることである。大きく二つのカテゴリ(すなわち、大域的及び局所的)に分類される、勾配降下法、線形計画法、二次計画法、シミュレーティッドアニーリング、マルカート・レーベンベルグアルゴリズムなどの多くの最適化手法が知られており、使用できることを認識されたい。大域的及び局所的な最適化手法のより詳細な説明については、ここに参照として組み込まれる、William H. Press、 Saul A. Teukolsky、 William T. Vetterling、 Brian P. Flannery、”Cでの計算レシピ”第2版、ケンブリッジ、を参照されたい。
上述したように、回折信号のライブラリを、回帰ベースプロセスの一部として生成してもよい。特に、生成回折信号と測定回折信号が所定の一致基準の範囲内で一致するという意味で一致した場合、回折信号のライブラリをその一致したプロファイルの周囲で生成してもよい。一般に、回帰ベースプロセスの一部として生成される回折信号のライブラリは、上述したライブラリベースプロセスの一部として生成されるライブラリよりも小さい。
さらに、回帰ベースプロセスの一部として生成される回折信号のライブラリ及び上述したライブラリベースプロセスの一部として生成されるライブラリを、補間プロセスに使用してもよい。ここで解はライブラリ内の二つのエントリ間で得られる。補間プロセスのより詳細な説明については、ここにその全体が参照として組み込まれる、米国特許出願公開第10/075904号明細書(集積回路測定についてのプロファイル改良、2002年2月12日出願)を参照されたい。
本発明の特定の実施態様に関する上記の記述は、例証及び解説を目的として示されたものである。それらは、本発明を開示された形態そのものに制限すること及び網羅することを意図したものではなく、上記の教示を踏まえて多くの修正及び変更が可能であることを理解されたい。
例えば、図1を参照すると、上述のように、機械学習システム118は、原子間力顕微鏡(AFM)、走査型電子顕微鏡(SEM)などの非光学測定装置、又は光学測定装置と非光学測定装置の組み合わせを用いて動作するように構成することもできる。したがって、機械学習システム118は使用される測定装置のタイプに対応する、様々なタイプの回折信号を生成することができる。例えば、測定装置がSEMの場合、機械学習システム118で生成される回折信号は、2次元画像又はSEMのトレースのようなSEM信号である。
さらに、生成される回折信号は、測定装置で使用される信号の特性関数を含んでもよい。例えば、学習プロセス中、回折信号の様々な次数の導関数(例えば、1次、2次、...、n次導関数)を学習プロセスを最適化するためのマルカート・レーベンベルグアルゴリズムの一部として使用してもよい。
典型的な光学測定装置を表した図である。 典型的なプロファイルを表した図である。 典型的なプロファイルを表した図である。 典型的なプロファイルを表した図である。 典型的なプロファイルを表した図である。 典型的なプロファイルを表した図である。 典型的なニューラルネットワークを表した図である。 機械学習システムの学習の典型的なプロセスを表した図である。 機械学習システムのテストの典型的なプロセスを表した図である。 機械学習システムを用いた構造の形状を求める典型的なプロセスを表した図である。 ライブラリベースプロセスにおける機械学習システムを用いた構造の形状を求める典型的なプロセスを表した図である。 ライブラリベースプロセスにおける機械学習システムを用いた構造の形状を求める典型的なシステムを表した図である。 回帰ベースプロセスにおける機械学習システムを用いた構造の形状を求める典型的なプロセスを表した図である。 回帰ベースプロセスにおける機械学習システムを用いた構造の形状を求める典型的なシステムを表した図である。

Claims (19)

  1. 半導体ウェハ上に形成される周期構造を検査する方法であって、
    測定装置を用いて測定される第1の回折信号を取得するステップと、
    前記周期構造のプロファイルの範囲から学習用入力データセットを選択するステップと、
    前記学習用入力データセット及び学習用出力データセットを用いて機械学習システムを学習させるステップと、
    前記機械学習システムを用いて生成される第2の回折信号を取得するステップであって、該機械学習システムは該第2の回折信号を生成するために前記周期構造のプロファイルを特徴付ける1以上のパラメータを入力として受け取るステップと、
    前記第1の回折信号と前記第2の回折信号を比較するステップと、
    前記第1の回折信号と前記第2の回折信号が一致基準の範囲内で一致する場合、前記第2の回折信号を生成するために前記機械学習システムによって用いられた前記プロファイル又は前記1以上のパラメータに基づいて前記周期構造の形状を求めるステップと、
    を有し、
    前記学習用入力データのそれぞれは、1以上のパラメータによって特徴付けられる前記周期構造のプロファイルであり、
    前記学習用出力データのそれぞれは、前記周期構造のプロファイルに対応する回折信号である方法。
  2. 前記プロファイルの範囲を第1のパーティションと少なくとも一つの第2のパーティションに分割するステップをさらに有し、
    第1の機械学習システムは、前記第1のパーティションについて構成され、且つ学習し、第2の機械学習システムは、前記第2のパーティションについて構成され、且つ学習する、請求項に記載の方法。
  3. 前記学習用出力データセットは、前記機械学習システムを学習させるよりも前に、モデル化手法を用いて前記学習用入力データセットに基づいて生成される、請求項に記載の方法。
  4. 前記モデル化手法は、厳密結合波解析、積分法、フレネル法、有限解析、又はモード解析を含む、請求項に記載の方法。
  5. 前記学習用出力データは複数の次元を含み、さらに主成分分析を用いて前記学習用出力データを変換するステップを有する、請求項に記載の方法。
  6. 前記学習用出力データの次元を第1のパーティションと少なくとも一つの第2のパーティションに分割するステップをさらに有し、
    第1の機械学習システムは、前記第1のパーティションについて構成され、且つ学習し、第2の機械学習システムは、前記第2のパーティションについて構成され、且つ学習する、請求項に記載の方法。
  7. 前記学習ステップは、
    (a)学習用入力データを取得し、
    (b)前記学習用入力データを用いて前記機械学習システムを使用して回折信号を生成し、
    (c)前記回折信号を、該回折信号を生成するために使用された前記学習用入力データに対応する前記学習用出力データと比較し、
    (d)前記回折信号と前記学習用出力データが一致基準の範囲内で一致しない場合、
    別の学習用入力データを用いて(b)及び(c)を繰り返す、
    請求項に記載の方法。
  8. 前記学習ステップは、バックプロパゲーション、動径基底ネットワーク、サポートベクトル、又はカーネル回帰アルゴリズムを用いるステップを有する、請求項に記載の方法。
  9. 前記第1の回折信号と前記第2の回折信号が前記一致基準の範囲内で一致しない場合、前記第1の回折信号を前記機械学習システムを用いて生成された回折信号のライブラリの別の回折信号と比較する、請求項1に記載の方法。
  10. 前記第1の回折信号と前記第2の回折信号が前記一致基準の範囲内で一致しない場合、前記第1の回折信号と比較するために前記機械学習システムを用いて別の回折信号を生成する、請求項1に記載の方法。
  11. 前記測定装置は、偏光計、反射率計、原子間力顕微鏡、又は走査型電子顕微鏡である、請求項1に記載の方法。
  12. 前記1以上のパラメータは、1以上の臨界寸法測定値、入射角、n及びkの値、又はピッチを含む、請求項1に記載の方法。
  13. 前記機械学習システムはニューラルネットワークである、請求項1に記載の方法。
  14. 半導体ウェハ上に形成された周期構造を検査するシステムであって、
    前記周期構造から第1の回折信号を測定するように構成される測定装置と、
    第2の回折信号を生成するように構成される機械学習システムであって、該第2の回折信号を生成するために前記周期構造のプロファイルを特徴付ける1以上のパラメータを入力として受け取る機械学習システムと、
    前記第1の回折信号と前記第2の回折信号を比較するように構成されるプロセッサであって、前記第1の回折信号と前記第2の回折信号が一致基準の範囲内で一致する場合、前記第2の回折信号を生成するために前記機械学習システムによって用いられた前記プロファイル又は前記1以上のパラメータに基づいて前記周期構造の形状を求めるプロセッサと、
    を有し、
    前記第2の回折信号を生成するよりも前に、前記周期構造のプロファイルの範囲から選択された学習用入力データセット及び学習用出力データセットを用いて前記機械学習システムは学習し、
    前記学習用入力データのそれぞれは、1以上のパラメータによって特徴付けられる前記周期構造のプロファイルであり、
    前記学習用出力データのそれぞれは、前記周期構造のプロファイルに対応する回折信号であるシステム。
  15. 前記プロファイルの範囲は、第1のパーティションと少なくとも一つの第2のパーティションに分割され、前記機械学習システムは、
    前記第1のパーティションについて構成され、且つ学習する第1の機械学習システムと、前記第2のパーティションについて構成され、且つ学習する第2の機械学習システムを有する、請求項14に記載のシステム。
  16. 前記学習用出力データは、複数の次元を有し、前記学習用出力データの次元は、第1のパーティションと少なくとも一つの第2のパーティションに分割され、前記機械学習システムは、
    前記第1のパーティションについて構成され、且つ学習する第1の機械学習システムと、前記第2のパーティションについて構成され、且つ学習する第2の機械学習システムを有する、請求項14に記載のシステム。
  17. 前記機械学習システムを用いて生成された前記回折信号のライブラリをさらに有し、
    前記第1の回折信号と前記第2の回折信号が前記一致基準の範囲内で一致しない場合、前記第1の回折信号を前記回折信号のライブラリの別の回折信号と比較する、請求項14に記載のシステム。
  18. 前記第1の回折信号と前記第2の回折信号が前記一致基準の範囲内で一致しない場合、前記機械学習システムは、前記第1の回折信号と比較するために別の回折信号を生成する、請求項14に記載のシステム。
  19. 前記プロセッサと結合される半導体製造ユニットをさらに有し、該半導体製造ユニットは、1以上の製造工程を実行するように構成される、請求項14に記載のシステム。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10674898B2 (en) 2010-11-30 2020-06-09 Medivators Inc. Disposable suction valve for an endoscope
US11268805B2 (en) 2019-02-13 2022-03-08 Kioxia Corporation Measurement method
USD947376S1 (en) 2018-03-21 2022-03-29 Medivators Inc. Endoscope suction valve
USD952142S1 (en) 2018-05-21 2022-05-17 Medivators Inc. Cleaning adapter
US11715189B2 (en) 2019-07-25 2023-08-01 Kioxia Corporation Semiconductor image processing apparatus

Families Citing this family (150)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7330279B2 (en) * 2002-07-25 2008-02-12 Timbre Technologies, Inc. Model and parameter selection for optical metrology
US7394554B2 (en) * 2003-09-15 2008-07-01 Timbre Technologies, Inc. Selecting a hypothetical profile to use in optical metrology
US7224471B2 (en) * 2003-10-28 2007-05-29 Timbre Technologies, Inc. Azimuthal scanning of a structure formed on a semiconductor wafer
US7523076B2 (en) * 2004-03-01 2009-04-21 Tokyo Electron Limited Selecting a profile model for use in optical metrology using a machine learning system
US7388677B2 (en) * 2004-03-22 2008-06-17 Timbre Technologies, Inc. Optical metrology optimization for repetitive structures
US20050275850A1 (en) * 2004-05-28 2005-12-15 Timbre Technologies, Inc. Shape roughness measurement in optical metrology
US7065423B2 (en) * 2004-07-08 2006-06-20 Timbre Technologies, Inc. Optical metrology model optimization for process control
US7566181B2 (en) * 2004-09-01 2009-07-28 Tokyo Electron Limited Controlling critical dimensions of structures formed on a wafer in semiconductor processing
US7171284B2 (en) * 2004-09-21 2007-01-30 Timbre Technologies, Inc. Optical metrology model optimization based on goals
US7280229B2 (en) * 2004-12-03 2007-10-09 Timbre Technologies, Inc. Examining a structure formed on a semiconductor wafer using machine learning systems
US7274465B2 (en) * 2005-02-17 2007-09-25 Timbre Technologies, Inc. Optical metrology of a structure formed on a semiconductor wafer using optical pulses
US20060187466A1 (en) * 2005-02-18 2006-08-24 Timbre Technologies, Inc. Selecting unit cell configuration for repeating structures in optical metrology
US7421414B2 (en) * 2005-03-31 2008-09-02 Timbre Technologies, Inc. Split machine learning systems
US7355728B2 (en) * 2005-06-16 2008-04-08 Timbre Technologies, Inc. Optical metrology model optimization for repetitive structures
US7515282B2 (en) * 2005-07-01 2009-04-07 Timbre Technologies, Inc. Modeling and measuring structures with spatially varying properties in optical metrology
US7523021B2 (en) * 2006-03-08 2009-04-21 Tokyo Electron Limited Weighting function to enhance measured diffraction signals in optical metrology
US7302367B2 (en) * 2006-03-27 2007-11-27 Timbre Technologies, Inc. Library accuracy enhancement and evaluation
US7474420B2 (en) * 2006-03-30 2009-01-06 Timbre Technologies, Inc. In-die optical metrology
US7619731B2 (en) * 2006-03-30 2009-11-17 Tokyo Electron Limited Measuring a damaged structure formed on a wafer using optical metrology
US7324193B2 (en) * 2006-03-30 2008-01-29 Tokyo Electron Limited Measuring a damaged structure formed on a wafer using optical metrology
US7623978B2 (en) * 2006-03-30 2009-11-24 Tokyo Electron Limited Damage assessment of a wafer using optical metrology
US7576851B2 (en) * 2006-03-30 2009-08-18 Tokyo Electron Limited Creating a library for measuring a damaged structure formed on a wafer using optical metrology
US7522293B2 (en) * 2006-03-30 2009-04-21 Tokyo Electron Limited Optical metrology of multiple patterned layers
US7444196B2 (en) * 2006-04-21 2008-10-28 Timbre Technologies, Inc. Optimized characterization of wafers structures for optical metrology
US20090306941A1 (en) * 2006-05-15 2009-12-10 Michael Kotelyanskii Structure Model description and use for scatterometry-based semiconductor manufacturing process metrology
US7446888B2 (en) * 2006-05-22 2008-11-04 Tokyo Electron Limited Matching optical metrology tools using diffraction signals
US7446887B2 (en) * 2006-05-22 2008-11-04 Tokyo Electron Limited Matching optical metrology tools using hypothetical profiles
US7495781B2 (en) * 2006-07-10 2009-02-24 Tokyo Electron Limited Optimizing selected variables of an optical metrology model
US7526354B2 (en) * 2006-07-10 2009-04-28 Tokyo Electron Limited Managing and using metrology data for process and equipment control
US7518740B2 (en) * 2006-07-10 2009-04-14 Tokyo Electron Limited Evaluating a profile model to characterize a structure to be examined using optical metrology
US7525673B2 (en) * 2006-07-10 2009-04-28 Tokyo Electron Limited Optimizing selected variables of an optical metrology system
US7469192B2 (en) * 2006-07-11 2008-12-23 Tokyo Electron Ltd. Parallel profile determination for an optical metrology system
US7523439B2 (en) * 2006-07-11 2009-04-21 Tokyo Electron Limited Determining position accuracy of double exposure lithography using optical metrology
US20080013107A1 (en) * 2006-07-11 2008-01-17 Tokyo Electron Limited Generating a profile model to characterize a structure to be examined using optical metrology
US7515283B2 (en) * 2006-07-11 2009-04-07 Tokyo Electron, Ltd. Parallel profile determination in optical metrology
US7742888B2 (en) * 2006-07-25 2010-06-22 Tokyo Electron Limited Allocating processing units to generate simulated diffraction signals used in optical metrology
US7765076B2 (en) * 2006-09-22 2010-07-27 Tokyo Electron Limited Allocating processing units to processing clusters to generate simulated diffraction signals
US20080074678A1 (en) * 2006-09-26 2008-03-27 Tokyo Electron Limited Accuracy of optical metrology measurements
US20080076046A1 (en) * 2006-09-26 2008-03-27 Tokyo Electron Limited accuracy of optical metrology measurements
US20080074677A1 (en) * 2006-09-26 2008-03-27 Tokyo Electron Limited accuracy of optical metrology measurements
US7555395B2 (en) * 2006-09-26 2009-06-30 Tokyo Electron Limited Methods and apparatus for using an optically tunable soft mask to create a profile library
US7300730B1 (en) 2006-09-26 2007-11-27 Tokyo Electron Limited Creating an optically tunable anti-reflective coating
US7763404B2 (en) * 2006-09-26 2010-07-27 Tokyo Electron Limited Methods and apparatus for changing the optical properties of resists
US7765234B2 (en) * 2006-10-12 2010-07-27 Tokyo Electron Limited Data flow management in generating different signal formats used in optical metrology
US7783669B2 (en) * 2006-10-12 2010-08-24 Tokyo Electron Limited Data flow management in generating profile models used in optical metrology
US7417750B2 (en) * 2006-11-07 2008-08-26 Tokyo Electron Limited Consecutive measurement of structures formed on a semiconductor wafer using an angle-resolved spectroscopic scatterometer
US7522295B2 (en) * 2006-11-07 2009-04-21 Tokyo Electron Limited Consecutive measurement of structures formed on a semiconductor wafer using a polarized reflectometer
US7505148B2 (en) 2006-11-16 2009-03-17 Tokyo Electron Limited Matching optical metrology tools using spectra enhancement
US7428044B2 (en) * 2006-11-16 2008-09-23 Tokyo Electron Limited Drift compensation for an optical metrology tool
US7639375B2 (en) * 2006-12-14 2009-12-29 Tokyo Electron Limited Determining transmittance of a photomask using optical metrology
US7327475B1 (en) * 2006-12-15 2008-02-05 Tokyo Electron Limited Measuring a process parameter of a semiconductor fabrication process using optical metrology
US8798966B1 (en) * 2007-01-03 2014-08-05 Kla-Tencor Corporation Measuring critical dimensions of a semiconductor structure
US7667858B2 (en) * 2007-01-12 2010-02-23 Tokyo Electron Limited Automated process control using optical metrology and a correlation between profile models and key profile shape variables
US7596422B2 (en) * 2007-01-12 2009-09-29 Tokyo Electron Limited Determining one or more profile parameters of a structure using optical metrology and a correlation between profile models and key profile shape variables
US7639351B2 (en) * 2007-03-20 2009-12-29 Tokyo Electron Limited Automated process control using optical metrology with a photonic nanojet
US7567353B2 (en) * 2007-03-28 2009-07-28 Tokyo Electron Limited Automated process control using optical metrology and photoresist parameters
US7949618B2 (en) * 2007-03-28 2011-05-24 Tokyo Electron Limited Training a machine learning system to determine photoresist parameters
US7728976B2 (en) 2007-03-28 2010-06-01 Tokyo Electron Limited Determining photoresist parameters using optical metrology
US7372583B1 (en) 2007-04-12 2008-05-13 Tokyo Electron Limited Controlling a fabrication tool using support vector machine
US7483809B2 (en) * 2007-04-12 2009-01-27 Tokyo Electron Limited Optical metrology using support vector machine with profile parameter inputs
US7511835B2 (en) * 2007-04-12 2009-03-31 Tokyo Electron Limited Optical metrology using a support vector machine with simulated diffraction signal inputs
US7634325B2 (en) * 2007-05-03 2009-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Prediction of uniformity of a wafer
CN101359611B (zh) * 2007-07-30 2011-11-09 东京毅力科创株式会社 对光学计量系统的选定变量进行优化
CN101359612B (zh) * 2007-07-30 2012-07-04 东京毅力科创株式会社 晶片图案结构的检查装置及其计量数据管理方法
US7627392B2 (en) * 2007-08-30 2009-12-01 Tokyo Electron Limited Automated process control using parameters determined with approximation and fine diffraction models
US7949490B2 (en) * 2007-08-30 2011-05-24 Tokyo Electron Limited Determining profile parameters of a structure using approximation and fine diffraction models in optical metrology
US7912679B2 (en) * 2007-09-20 2011-03-22 Tokyo Electron Limited Determining profile parameters of a structure formed on a semiconductor wafer using a dispersion function relating process parameter to dispersion
US7636649B2 (en) * 2007-09-21 2009-12-22 Tokyo Electron Limited Automated process control of a fabrication tool using a dispersion function relating process parameter to dispersion
US7598099B2 (en) * 2007-11-07 2009-10-06 Tokyo Electron Limited Method of controlling a fabrication process using an iso-dense bias
US7639370B2 (en) * 2007-11-07 2009-12-29 Tokyo Electron Limited Apparatus for deriving an iso-dense bias
US20090116040A1 (en) * 2007-11-07 2009-05-07 Tokyo Electron Limited Method of Deriving an Iso-Dense Bias Using a Hybrid Grating Layer
US8412700B2 (en) 2008-01-11 2013-04-02 International Business Machines Corporation Database query optimization using index carryover to subset an index
US8015191B2 (en) * 2008-03-27 2011-09-06 International Business Machines Corporation Implementing dynamic processor allocation based upon data density
US8140520B2 (en) * 2008-05-15 2012-03-20 International Business Machines Corporation Embedding densities in a data structure
US8275761B2 (en) 2008-05-15 2012-09-25 International Business Machines Corporation Determining a density of a key value referenced in a database query over a range of rows
US7742163B2 (en) * 2008-07-08 2010-06-22 Tokyo Electron Limited Field replaceable units (FRUs) optimized for integrated metrology (IM)
US7940391B2 (en) * 2008-07-08 2011-05-10 Tokyo Electron Limited Pre-aligned metrology system and modules
US7990534B2 (en) * 2008-07-08 2011-08-02 Tokyo Electron Limited System and method for azimuth angle calibration
JP2010044101A (ja) * 2008-08-08 2010-02-25 Toshiba Corp パターン予測方法、プログラム及び装置
US9625937B2 (en) * 2008-08-18 2017-04-18 Kla-Tencor Corporation Computation efficiency by diffraction order truncation
US7948630B2 (en) * 2008-10-08 2011-05-24 Tokyo Electron Limited Auto focus of a workpiece using two or more focus parameters
US8560270B2 (en) * 2008-12-09 2013-10-15 Tokyo Electron Limited Rational approximation and continued-fraction approximation approaches for computation efficiency of diffraction signals
US7924422B2 (en) * 2009-02-12 2011-04-12 Tokyo Electron Limited Calibration method for optical metrology
US8107073B2 (en) * 2009-02-12 2012-01-31 Tokyo Electron Limited Diffraction order sorting filter for optical metrology
US8024676B2 (en) * 2009-02-13 2011-09-20 Tokyo Electron Limited Multi-pitch scatterometry targets
US8183062B2 (en) * 2009-02-24 2012-05-22 Tokyo Electron Limited Creating metal gate structures using Lithography-Etch-Lithography-Etch (LELE) processing sequences
KR101467987B1 (ko) * 2009-03-02 2014-12-02 어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드 유사한 구조 엘리먼트들을 분류하는 cd 계측 시스템 및 방법
JP5764380B2 (ja) * 2010-04-29 2015-08-19 エフ イー アイ カンパニFei Company Sem画像化法
NL2006700A (en) * 2010-06-04 2011-12-06 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for measuring a structure on a substrate, computer program products for implementing such methods & apparatus.
CN103119704A (zh) 2010-07-23 2013-05-22 第一太阳能有限公司 在线计量系统及方法
US9239522B2 (en) * 2010-10-08 2016-01-19 Kla-Tencor Corporation Method of determining an asymmetric property of a structure
CN102207424B (zh) * 2010-12-29 2013-01-23 深圳超多维光电子有限公司 立体显示装置的参数测量系统和方法
US8173450B1 (en) 2011-02-14 2012-05-08 Tokyo Electron Limited Method of designing an etch stage measurement system
US8173451B1 (en) 2011-02-16 2012-05-08 Tokyo Electron Limited Etch stage measurement system
US8193007B1 (en) 2011-02-17 2012-06-05 Tokyo Electron Limited Etch process control using optical metrology and sensor devices
US8577820B2 (en) 2011-03-04 2013-11-05 Tokyo Electron Limited Accurate and fast neural network training for library-based critical dimension (CD) metrology
US8468471B2 (en) 2011-09-23 2013-06-18 Kla-Tencor Corp. Process aware metrology
US10088413B2 (en) * 2011-11-21 2018-10-02 Kla-Tencor Corporation Spectral matching based calibration
US8812277B2 (en) 2011-12-09 2014-08-19 Tokyo Electron Limited Method of enhancing an optical metrology system using ray tracing and flexible ray libraries
US8838422B2 (en) 2011-12-11 2014-09-16 Tokyo Electron Limited Process control using ray tracing-based libraries and machine learning systems
US8570531B2 (en) 2011-12-11 2013-10-29 Tokyo Electron Limited Method of regenerating diffraction signals for optical metrology systems
US20130158957A1 (en) * 2011-12-16 2013-06-20 Lie-Quan Lee Library generation with derivatives in optical metrology
US8464194B1 (en) * 2011-12-16 2013-06-11 International Business Machines Corporation Machine learning approach to correct lithographic hot-spots
US10255385B2 (en) 2012-03-28 2019-04-09 Kla-Tencor Corporation Model optimization approach based on spectral sensitivity
US20130325395A1 (en) * 2012-06-01 2013-12-05 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Co-optimization of scatterometry mark design and process monitor mark design
US9291554B2 (en) 2013-02-05 2016-03-22 Kla-Tencor Corporation Method of electromagnetic modeling of finite structures and finite illumination for metrology and inspection
US10101670B2 (en) * 2013-03-27 2018-10-16 Kla-Tencor Corporation Statistical model-based metrology
US10386729B2 (en) 2013-06-03 2019-08-20 Kla-Tencor Corporation Dynamic removal of correlation of highly correlated parameters for optical metrology
US11175589B2 (en) 2013-06-03 2021-11-16 Kla Corporation Automatic wavelength or angle pruning for optical metrology
US10481088B2 (en) 2013-06-04 2019-11-19 Kla-Tencor Corporation Automatic determination of fourier harmonic order for computation of spectral information for diffraction structures
US10895810B2 (en) 2013-11-15 2021-01-19 Kla Corporation Automatic selection of sample values for optical metrology
US10152654B2 (en) * 2014-02-20 2018-12-11 Kla-Tencor Corporation Signal response metrology for image based overlay measurements
US10352876B2 (en) * 2014-05-09 2019-07-16 KLA—Tencor Corporation Signal response metrology for scatterometry based overlay measurements
CN104021770B (zh) * 2014-06-12 2016-05-11 重庆卓美华视光电有限公司 裸眼3d液晶显示屏模组参数的处理方法
US10151986B2 (en) * 2014-07-07 2018-12-11 Kla-Tencor Corporation Signal response metrology based on measurements of proxy structures
US9262819B1 (en) 2014-09-26 2016-02-16 GlobalFoundries, Inc. System and method for estimating spatial characteristics of integrated circuits
US10152678B2 (en) * 2014-11-19 2018-12-11 Kla-Tencor Corporation System, method and computer program product for combining raw data from multiple metrology tools
US10502549B2 (en) * 2015-03-24 2019-12-10 Kla-Tencor Corporation Model-based single parameter measurement
US9995689B2 (en) * 2015-05-22 2018-06-12 Nanometrics Incorporated Optical metrology using differential fitting
CN108475351B (zh) * 2015-12-31 2022-10-04 科磊股份有限公司 用于训练基于机器学习的模型的系统和计算机实施方法
US11580375B2 (en) 2015-12-31 2023-02-14 Kla-Tencor Corp. Accelerated training of a machine learning based model for semiconductor applications
US10043261B2 (en) * 2016-01-11 2018-08-07 Kla-Tencor Corp. Generating simulated output for a specimen
US10360477B2 (en) 2016-01-11 2019-07-23 Kla-Tencor Corp. Accelerating semiconductor-related computations using learning based models
JP6542738B2 (ja) 2016-10-12 2019-07-10 ファナック株式会社 対象物の出荷時検査情報と稼働時アラーム情報の相関関係を学習する機械学習装置および機械学習方法
US10921369B2 (en) 2017-01-05 2021-02-16 Xcalipr Corporation High precision optical characterization of carrier transport properties in semiconductors
US10733744B2 (en) * 2017-05-11 2020-08-04 Kla-Tencor Corp. Learning based approach for aligning images acquired with different modalities
US11248905B2 (en) * 2017-08-16 2022-02-15 Kla-Tencor Corporation Machine learning in metrology measurements
US10969773B2 (en) 2018-03-13 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Machine learning systems for monitoring of semiconductor processing
CN111971551A (zh) * 2018-04-10 2020-11-20 朗姆研究公司 机器学习中的光学计量以表征特征
KR102114033B1 (ko) * 2018-04-30 2020-05-25 서울대학교 산학협력단 딥-러닝을 통한 무선신호 전파 채널 해석을 이용한 실내공간의 구조를 예측하는 방법
US11093840B2 (en) * 2018-06-14 2021-08-17 Nova Measuring Instruments Ltd. Metrology and process control for semiconductor manufacturing
DE102018209562B3 (de) 2018-06-14 2019-12-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtungen und Verfahren zur Untersuchung und/oder Bearbeitung eines Elements für die Photolithographie
EP3629088A1 (en) * 2018-09-28 2020-04-01 ASML Netherlands B.V. Providing a trained neural network and determining a characteristic of a physical system
US10930531B2 (en) 2018-10-09 2021-02-23 Applied Materials, Inc. Adaptive control of wafer-to-wafer variability in device performance in advanced semiconductor processes
US10657214B2 (en) 2018-10-09 2020-05-19 Applied Materials, Inc. Predictive spatial digital design of experiment for advanced semiconductor process optimization and control
US10705514B2 (en) 2018-10-09 2020-07-07 Applied Materials, Inc. Adaptive chamber matching in advanced semiconductor process control
KR102224466B1 (ko) 2018-11-07 2021-03-05 포항공과대학교 산학협력단 기계학습을 이용한 페로브스카이트의 구조 분석 방법
US11410290B2 (en) 2019-01-02 2022-08-09 Kla Corporation Machine learning for metrology measurements
DE102019103503A1 (de) * 2019-02-12 2020-08-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Fehlerreduktion bei Bildern, die mit geladenen Teilchen erzeugt wurden, mithilfe von Machine-Learning-basierten Verfahren
US11415898B2 (en) 2019-10-14 2022-08-16 Kla Corporation Signal-domain adaptation for metrology
KR102230354B1 (ko) * 2019-11-18 2021-03-22 고려대학교 산학협력단 기계 학습 모델을 이용한 반도체 소자 테스트 장치 및 방법
CN111043988B (zh) * 2019-12-10 2021-04-23 东南大学 一种基于图形学和深度学习的单张条纹投影测量方法
US11092901B2 (en) 2019-12-21 2021-08-17 Qoniac Gmbh Wafer exposure method using wafer models and wafer fabrication assembly
JP6832463B1 (ja) * 2020-04-06 2021-02-24 東京応化工業株式会社 情報処理システム、情報処理装置、情報処理方法及びプログラム
CN111595812B (zh) * 2020-05-29 2021-06-22 复旦大学 基于动量空间色散关系的关键参数的量测方法和系统
US11289387B2 (en) 2020-07-31 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for backside via reveal processing
KR102468352B1 (ko) * 2021-02-26 2022-11-18 김이경 파동분포를 제어하기 위한 구조를 설계하는 방법 및 그 장치
US11983865B2 (en) 2021-05-05 2024-05-14 KLA Corp. Deep generative model-based alignment for semiconductor applications
US20220388112A1 (en) * 2021-06-03 2022-12-08 Applied Materials, Inc. Using light coupling properties for machine-learning-based film detection
US20240062097A1 (en) * 2022-08-22 2024-02-22 Applied Materials, Inc. Equipment parameter management at a manufacturing system using machine learning

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5479573A (en) * 1992-11-24 1995-12-26 Pavilion Technologies, Inc. Predictive network with learned preprocessing parameters
US5638178A (en) * 1995-09-01 1997-06-10 Phase Metrics Imaging polarimeter detector for measurement of small spacings
JP2000197050A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Canon Inc 画像処理装置及び方法
US6192103B1 (en) * 1999-06-03 2001-02-20 Bede Scientific, Inc. Fitting of X-ray scattering data using evolutionary algorithms
IL130874A (en) * 1999-07-09 2002-12-01 Nova Measuring Instr Ltd System and method for measuring pattern structures
JP2001185595A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Fujitsu Ltd 特性値の制御方法
US6943900B2 (en) * 2000-09-15 2005-09-13 Timbre Technologies, Inc. Generation of a library of periodic grating diffraction signals
US6650422B2 (en) * 2001-03-26 2003-11-18 Advanced Micro Devices, Inc. Scatterometry techniques to ascertain asymmetry profile of features and generate a feedback or feedforward process control data associated therewith
US6558965B1 (en) * 2001-07-11 2003-05-06 Advanced Micro Devices, Inc. Measuring BARC thickness using scatterometry
US6785638B2 (en) * 2001-08-06 2004-08-31 Timbre Technologies, Inc. Method and system of dynamic learning through a regression-based library generation process
US7031894B2 (en) * 2002-01-16 2006-04-18 Timbre Technologies, Inc. Generating a library of simulated-diffraction signals and hypothetical profiles of periodic gratings

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10674898B2 (en) 2010-11-30 2020-06-09 Medivators Inc. Disposable suction valve for an endoscope
US11589738B2 (en) 2010-11-30 2023-02-28 Medivators, Inc. Disposable suction valve for an endoscope
USD947376S1 (en) 2018-03-21 2022-03-29 Medivators Inc. Endoscope suction valve
USD952142S1 (en) 2018-05-21 2022-05-17 Medivators Inc. Cleaning adapter
US11268805B2 (en) 2019-02-13 2022-03-08 Kioxia Corporation Measurement method
US11715189B2 (en) 2019-07-25 2023-08-01 Kioxia Corporation Semiconductor image processing apparatus

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