JP4587431B2 - Method for manufacturing fluorescent plate and method for manufacturing radiation detection apparatus - Google Patents

Method for manufacturing fluorescent plate and method for manufacturing radiation detection apparatus Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、蛍光板の製造方法および放射線検出装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図1は従来例としての間接型X線エリアセンサーの断面図である。ガラス基板110上に格子状に配列された光電変換素子112と、それらをつなぐ配線部113と、そしてこれらを保護する光センサー保護層114と、を備える光センサー111上に、蛍光体103及び反射層102を形成して、X線エリアセンサーが作成される。
【0003】
蛍光体基板101側から蛍光体103へ入射してくるX線は、蛍光体103でX線から可視光等の光へ波長変換され、その後、可視光は光センサー111の光電変換素子112により光電変換され電気信号に変わる。その信号を増幅し、画像処理を加えることによりX線デジタル画像ができる。
【0004】
現在、光センサー111上に蛍光体103を形成する手段として、直接光センサー111上に蛍光体103を蒸着及びコーティングする手法と、図1のように光センサー111とは別基台101上に反射層102及び蛍光体103を形成し、保護層130で覆ったのちローラー107を使い、接着剤を介し光センサー111に貼り合せる手法とがある。
【0005】
両者を比べると、後者の方が歩留まり良く効率的に、蛍光体103を光センサー111上に形成することができるので、現在一般的に使用されている。また、X線エリアセンサー用の蛍光体としては、発光量及び解像度の点からCsI(ヨウ化セシウム)が主に使われており、蛍光体基板に形成する手法としては、真空蒸着によることが多い。
【0006】
貼り合せにより、蛍光体を光センサー上に形成する手法について説明をする。蛍光板の製造方法について説明する。図2はその製造工程を示す断面図である。蛍光体が形成される蛍光体基板101の材料には、X線吸収の少ないアモルファスカーボン(a−C)、もしくは安価なガラス基板、または、反射層102を同時に兼ねる材料としてアルミニウム板等が使用される。
【0007】
まず、図2(a)に示すように、蛍光体基板101に反射層102を形成する。反射層102は、光センサーとは反対方向へ発光した蛍光体の光を反射させ、光センサーが効率よく検出できるようにするために形成される。反射層102の材料としては、反射率の高い、Al、Ag等の金属または金属化合物材料が用いられ、形成方法はスパッタ等の方法で行う。
【0008】
次に、図2(b)に示すように、蛍光体基板101上に形成された反射層102上に蛍光体103を形成する。蛍光体103の材料にはCsI等が使用される。CsIを用い真空蒸着にて形成する場合についての説明を以下で行う。
【0009】
反射層102が形成された蛍光体基板103を真空槽にセットし、ポートに蒸着材料であるCsI(Na+)もしくはCsI(Tl+)を入れる。真空槽内の圧力を0.1〜1.0[Pa]まで引き、反射層102が形成された蛍光体基板101を高温(100〜180℃程度)に加熱して、ポートに電流を流し加熱すると、CsIが蒸気化し、反射層102が形成された蛍光体基板101にCsIの柱状結晶が形成される。
【0010】
その際、CsIが完全に蒸気化する前に(固形化の状態)、真空槽内に飛び出し、その固形物が反射層102が形成された蛍光体基板103の蒸着面に付着することがある。これをスプラッシュという。
【0011】
スプラッシュとなったCsIは、蒸着面に対し、図2(b)に示すように、大きさ(直径)404が数十〜数百μm程度、高さ405が十数〜百数十μm程度の凸部となり現れる。また、図2(b)に示すように、凸部と同時にその周辺には、隙間幅406が数〜数十μm、深さが数十〜数百μmにもなる凹部も発生する。また、反射層102に形成された蛍光体基板101に蒸着前に付着している異物、もしくは蒸着中や蒸着直後に蒸着面に付着した異物によってもこの凹凸が現れる。
【0012】
これらの原因によるCsI表面の凹凸を無くすための効果的な手法は、現時点では考えられていない。また、蛍光体103の厚みを厚くすれば、それだけ蒸着時間も長くなるので、発生しやすくなり、蒸着面積を大きくしても、発生率が高くなる。
【0013】
次いで、図2(c)または図2(d)に示すように、蛍光体103上もしくは、これらの層の全周に機械的なストレスや湿気から保護するための保護層130を形成する。保護層130は、貼り合せた際、蛍光体と光センサーとの間に入るため、光の透過率が高い材料で、かつ薄く形成しなくてはならない。
【0014】
透過率が低いと、蛍光体103で発光した光が保護層130で吸収されてしまい、光センサーの感度が低下してしまう。また、保護層130の膜厚が厚いと蛍光体と光センサーとの間の距離が離れてしまい、蛍光体103からの光が散乱し、光センサーの解像度が低下してしまう。さらに、蛍光体103にCsIを使用する場合、CsIは潮解性があるため、湿気から保護できるよう透湿度の低い材料を用いなければならない。ポリパラキシリレン樹脂はこれらの条件を満たした材料である。
【0015】
図2(c)に示すように、CsIからなる蛍光体103を真空蒸着により形成した場合、スプラッシュまたは異物による凹凸が現れ、凸部は数十〜百数十μmの高さとなる。保護層は数μm〜十数μmと薄いため、保護層130形成後にも形成前の凹凸と同等の大きさとなって現れる。
【0016】
また、図2(d)に示すように、凸部周辺の凹部では、隙間数μm〜数十μmの隙間が空いているため、保護層130が形成されないところや、または保護層130が他の部分に比べ薄くなる場合もある。隙間の距離だけの保護層を形成しないと隙間は埋まらないが、保護層を数十μmの厚みにすると解像度が劣化するためできない。
【0017】
蛍光体基板101上に反射層102と蛍光体103と保護層130とが、上記のように形成された蛍光板を、接着剤を介し光センサーに貼り合せることにより、X線センサーとなる。
【0018】
蛍光板を接着剤115を介し、光センサー111に貼り合せる際、接着剤115は、保護層130と同様に、蛍光体103と光センサー111との間に形成される。そのため、その光透過率及び膜厚が重要になる。
【0019】
蛍光板109の一般的な貼り合せとしては、接着剤115を光センサー111上に塗布し、その上に蛍光板109を重ね合せ、ローラーで押し付けながら貼り合せを行う。その際、接着剤115の厚さは、ローラーの荷重・移動速度および接着剤115の粘度等でコントロールされる。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように蛍光体(特にCsI)を蒸着により、蛍光体基板等に形成する際、スプラッシュや異物により数十μm〜数百μmの凹凸が発生する。これら凹凸により、蛍光板と光センサーの貼り合せでは図3(a)および図3(b)に示すように、以下のような問題が発生する。
【0021】
(1)光センサーの破壊
図3(a)に示すように、光センサー111は、光センサー保護層114により覆われ、保護されているが、蛍光板109の貼り合せ表面の突起により、光センサー111を傷つけ破壊してしまう。光センサー111は、格子状に配列された光電変換素子112の集まりだが、突起の大きさまたは数に応じ、破壊される光電変換素子112の数も増える。また、光電変換素子112を結ぶ配線部113が破壊された場合、光電変換素子112の1列全ての破壊につながる。
【0022】
(2)保護層の破壊
図3(b)に示すように、蛍光板表面に凹凸があると、貼り合せ時にローラーの荷重が凸部に集中し、凸部の蛍光体103および保護層130が押しつぶされる。そのため、保護層130にクラック(ヒビ・割れ)が発生する。
【0023】
また、凹部では、保護層形成時に保護層130が覆われない部分があり、蛍光体103が剥き出しの状態になり、温湿度耐久試験を行うとこのクラック及び保護層130で覆われていない凹部からから湿気(水分)が浸入し、蛍光体103は破壊される場合がある。特に蛍光体103がCsIの場合は潮解してしまう。
【0024】
(3)解像度の低下
蛍光板109と光センサー111の貼り合せでは、形成後の接着剤115の膜厚が重要で、高解像度を得るには20μm以下が望ましい。しかし、蛍光板109表面の凹凸部は高さが数十〜百数十μmあることが多く、この状態で光センサー111や保護層130の破壊がないように貼り合せるとなると、接着剤115の膜厚を20μm以上の厚さに厚くしなければならなってしまう(百数十μmの厚みになってしまう)。そのため、蛍光体103と光センサー111との間の距離が大きく空いてしまい、解像度が低下してしまう。
【0025】
(4)気泡の混入
蛍光板109の凹凸は保護層130や光センサー111の破壊だけではなく、貼り合せ時に気泡を抱き込んでしまうことがある。蛍光板109表面に無数の凸部があるとローラーの荷重が凸部に集中してしまい、接着剤115にローラーの荷重が加わらず、接着剤115が拡がりにくくなる。
【0026】
また、凸部が少ない場合でも凸部周辺では、荷重の掛からない箇所が発生してしまい、気泡を押し流すことができなくなってしまう。そのため、蛍光板109と光センサー111との間には気泡が残るので、蛍光体103で発光した光を乱反射させ、解像度を低下させる。
【0027】
蛍光体の凹凸は上記の(1)〜(4)のような問題を引き起こしてしまうため、その平坦化は重要な課題となっている。
【0028】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明は、蛍光板の製造方法において、蛍光体基板上に、柱状結晶を有する蛍光体層を蒸着によって形成する蒸着工程と、前記蒸着工程において形成されたスプラッシュによる凸部が形成された面を有する蛍光体層の表面に第1の保護層を形成する工程と、前記第1の保護層の上から前記凸部を平坦化する平坦化工程と、前記平坦化工程後に、前記凸部が平坦化された領域を覆うように前記第1の保護層上に第2の保護層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【0029】
【発明の実施の形態】
まず、本発明の基本的な考え方について説明する。蛍光板表面にある凹凸を貼り合せ前で平坦化することにより、上記の問題点を解決する。上記の従来例において、保護層の形成前に表面を平坦化するには、蛍光体がCsIの場合、潮解性があるため、真空中もしくはN2雰囲気中で行わなくてはならない。そのためには、専用装置を製造する必要があり、コストが掛かってしまう。そのため、蛍光体を形成後、第1の保護層で蛍光体表面もしくは蛍光体基板を含めた全周を覆うことにより仮保護を行い、その後蛍光体とその上に形成された保護層の平坦化処理をする。そして、第2の保護層を形成する。
【0030】
以下、平坦化を行う手法について説明する。
【0031】
(1)押しつぶし
図4(a)は、蛍光体表面の凹凸を押しつぶすことにより平坦化する例を示す断面図である。押しつぶしに用いる機材としては、平板やローラーがあり、この例では、平板412を使用している。その際、押し圧が強すぎると凸部の周辺にも影響を与え、周囲の蛍光体も破壊してしまう恐れがあるため、圧力制御できるようにストッパーを付けたり、プッシュプルゲージのように荷重を測定できる機構を持たせるのがよい。また、蛍光板を平坦な板(定盤等)の上に保護層を下にして置き、上からローラーで押し転がすことで、全面の凸部を全て一度に平坦化することができる。
【0032】
(2)削る
図4(b)は、削ることにより平坦化する例を示す断面図である。円盤状のヤスリ413を回転させて、凸部を削り平坦化している。押しつぶしに耐えられない蛍光体に適用するとよいが、削りかすが発生するという問題がある。
【0033】
(3)切り落とす
図4(c)は、切り落とすことにより平坦化する例について示す断面図である。爪きりのような向かい合った刃415で切断し、平坦化を行う。突起の高さが高いものを切り取る際に有効である。
【0034】
(4)レーザにより焼き去る
レーザの加工は、微細加工に適しており、ミクロンオーダーの加工ができ、現在半導体製造工程で実用されている。レーザ照射の時間やパルス幅等のパラメータや、また、レーザの種類によっても加工精度が変わり、長波長のYAGレーザ、短波長のエキシマレーザなどがある。凸部の形状やモード(スプラッシュ、異物)により使い分けることにより効果的な加工が施せる。また、基板検査装置と連動させることにより、全自動で凸部の平坦化を行える。
【0035】
図5は上記の(1)から(4)に示した平坦化処理後の様子を示す断面図である。押しつぶしにより平坦化した場合、図5(a)もしくは(b)のようになる。図5(a)のように表面に無数の数〜十数μm程度の幅のクラック421がある場合がある。凸部が数百μm程度のときに見られる。
【0036】
図5(b)は、図2(d)で示した保護層形成時に凸部周辺部の凹部に保護層が入り込まず、周囲に隙間がある状態の凸部を押しつぶし、平坦化した例である。図2(d)で開いていた隙間406が、凸部が押されることによって、横方向に広がり隙間406が図5(b)の隙間422のように狭くなる。例として、押しつぶし前に隙間が20μm程度あったものが、押しつぶしにより4μm程度に狭まった。その際の凸部の大きさはφ約250μmで高さ約40μmである。図5(c)は、凸部を削った場合もしくは切り取った場合の例である。図5(c)に示すように、蛍光体103が削られた部分は、423に示すように剥き出しになる。
【0037】
以上のように凸部が平坦化された蛍光板上に形成される第2の保護層について、以下で説明する。
【0038】
<第2の保護層材料>
第2の保護層は、蛍光体と光センサーと間に形成されるため、第1の保護層(蛍光体形成直後に形成した保護層)の材料条件と同条件が必要になる。
【0039】
(1)光透過率
蛍光体で発光する光を吸収しないよう、波長λ≒400〜700[nm]で約80%以上の透過率がある材料が望ましい。
【0040】
(2)厚み
第1の保護層を含めたトータルの厚みが20μm以下であることがのぞましく、これ以上厚いと解像度の低下が顕著に表れる。
【0041】
(3)透湿性
蛍光体により耐湿性の強弱があるが、特にCsIの場合は耐湿性が弱く、潮解する性質をもっている。蛍光体にCsIを使用する場合、その材料には2.0g/24h(ASTM E96−63T)以下のものが好ましく、それによって信頼性を高めることができる。
【0042】
(4)ヌレ性
第2の保護層が接着剤を介して光センサーと貼り合せる界面となるため、ヌレ性のよい材料がよい。場合によっては、プラズマ処理やコロナ放電処理を行って、ヌレ性を改善するのも有効である。
【0043】
(5)蛍光体との相性
第2の保護層は、第1の保護層が形成されていない蛍光体表面で、蛍光体と接触するため、蛍光体に影響を与えない(溶解等)材料がよい。
【0044】
以上の(1)から(5)に記載した条件を満たした材料としては、オレフィン系樹脂の、ポリパラキシリレン樹脂(スリーボンド社製、商品名パリレン)、特にポリパラクロロキシリレン(同社製、商品名パリレンC)や、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等がある。膜の硬化条件は、熱硬化型や紫外線硬化法などを用いることができる。
【0045】
<第2の保護層形成方法>
第2の保護層の形成方法としては、熱CVDやプラズマCVD、スピンコートやディップコート(浸漬引き上げ法)、ポッティング(滴下法)、スプレー法(散布法)、ハケ等で保護層を塗る方法がある。
【0046】
第2の保護層の形成は、第1の保護層の全面に形成してもよいが、平坦化時に第1の保護層が剥がれたか、もしくは、クラックが入った箇所のみ形成してもよい。蛍光体表面の凹凸部の数が多く数十以上ある場合は、全面にコーティングした方がよいが、数個程度なら、第2の保護層をハケで塗ったり、またディスペンサーで滴下してもよい。その際は、第2の保護層の高さ(厚さ)が数μmから十数μm以下になるように注意しなくてはならない。
【0047】
平坦化処理を行ったことにより発生したクラックや、蛍光体形成時に発生した隙間を第2の保護層で覆う必要がある。クラック、隙間ともに平坦化処理を行ったことにより、数μm〜十数μmになっている。これらを埋められるよう上記に挙げた形成方法により、数μm〜十数μmの厚みを有する第2の保護層を形成する。このような平坦化処理と第2の保護層の形成を行うことにより幅数十μmの隙間やクラックが埋まり、凹凸部での耐湿性(CsIの場合)が向上する。
【0048】
以上の点に鑑みて行った実施形態について以下で説明する。
【0049】
(実施形態1)
図6は本発明の実施形態1を示す断面図である。図6(a)に示すように、蛍光体基板101としてアモルファスカーボンプレート(a−C)を使い、反射層102としてアルミニウム(Al)を、そして蛍光体103としてヨウ化セシウム(CsI)を蒸着し、第1の保護層104としてパリレンを形成した。蛍光体103上のスプラッシュおよび異物による凹凸は凸部105で示している。
【0050】
蛍光体103の厚みを500μm程度、第1の保護層104の厚みを5μm程度とした。この場合、大きさ200〜500μm程度、高さ30〜70μm程度の凸部105がほぼ全面に渡り、約200個存在した。凸部の計測は、液晶用に用いられる基板検査装置とレーザによる3次元形状測定機を用いて行った。3次元形状測定を行い、その結果、凸部105の高い100μm以上のもののみ、爪きり状の両刃で切断を行った。
【0051】
次いで、図6(b)に示すように蛍光板109を、蛍光体103面側を下にし、定盤106の上に置き、上からローラー107で、押し転がして平坦化処理を行った。上記のように平坦化処理を行ったことにより、蛍光体103にあった凸部105は高さ5〜20μm程度になった。また、これら凸部周辺にあった凹部の隙間も数μm程度になった。また、図1(b)のようにローラー107と定盤106で凸部を全て同時に潰すことにより、工数を掛けずに平坦化ができた。
【0052】
その後、図6(c)に示すように、第2の保護層108として、第1の保護層104と同じ材料であるパリレンを熱CVD法で全面全周に10μm程度形成し、数μmの隙間やクラックを上から覆った。
【0053】
このように平坦化処理し、第2の保護層108としてのパリレンを形成した蛍光板109は、温湿度耐久試験(条件55℃ 90%・750h)を行っても、凹凸部においても変色が見られなかった。比較のため、平坦化処理を行わない基板も同時に試験したが、750hで変色が見られ、潮解が確認された。
【0054】
次いで、図6(d)に示すように、上記のように形成された蛍光板109を接着剤115を用いて、光センサー111に貼り合せる。貼り合せ時の接着剤115の膜厚が20μm程度になるように、ローラーの荷重と速度を設定することにより、光センサー111を破壊せず、気泡の混入も無く蛍光板109を光センサー111上に形成できた。
【0055】
(実施形態2)
図7は、本発明の実施形態2を示す断面図である。蛍光板109の構成は実施形態1と同様である。実施形態1に比べ凸部105の数が約20個と少ないため、図7(a)に示すように、ローラーは使わず、プッシュプルゲージ120で押しつぶし、均一に平坦化できないもののみ、回転機構のついた径0.5のヤスリで表面を削った。
【0056】
その後、図7(b)に示すように、第2の保護層108としてUV硬化型アクリル系UV硬化樹脂をディスペンサー122で滴下し、UVランプを当てて硬化した。その際、この滴下した部分だけ高さが厚くならないよう、UV硬化型アクリル系樹脂の粘度、表面張力および硬化収縮率等を考慮し、硬化させるまでの時間を決めた。
【0057】
(実施形態3)
本実施形態を示す図面はなく、蛍光板109の構成は実施形態1または2と同様である。実施形態3では蛍光体表面の凸部を平坦化する手段としてレーザを用いている。レーザの照射時間、照射エネルギーおよび照射回数等を調整することにより、凸部を焼き切る深さを決めることができ、それぞれの凸部の大きさおよび高さに応じてそれぞれのパラメータの設定を行う。基板検査装置によって凸部を検出し、位置座標データをレーザリペア装置に送り、大きさおよび高さから、それぞれに合った条件で全自動により平坦化処理を行う。平坦化処理後、基板検査装置及び3次元測定器で再度突起形状を確認し、凸部が平坦化されているか確認し、高い場合、再度レーザリペアを行い、条件に合うまでこの作業を繰り返す。
【0058】
このように、レーザによる平坦化の場合、実施形態1あるいは2に比べ、精度良く平坦化することが可能で、凸部の高さを5μm以下に揃えることが可能である。また、実施形態3では、光センサーに貼り合せる際の接着剤を第2の保護層にも用いている。この第2の保護層には、光の透過率が高く、かつ透湿度の低い熱硬化性アクリル系樹脂を使用する。そのため、蛍光体と光センサーとの間の距離を10μm程度と狭くできるので、高解像度の光センサーを実現できる。(パリレン≒5μm、熱硬化性アクリル系樹脂≒5μm)
【0059】
(実施形態4)
図8は上記の実施形態の放射線検出システムへの応用例である。本実施形態は、X線画像を撮影するX線撮像システムとし、上記の実施形態1等は、X線撮像装置6040として利用されている。X線発生源としてのX線チューブ6050で発生したX線6060は患者あるいは被検体6061の胸部などの観察部分6062を透過し、X線撮像装置6040に入射する。この入射したX線には被検体6061の内部の情報が含まれている。X線が入射することによってX線撮像装置6040は電気的情報を得る。この情報はデジタルに変換され、画像処理手段としてのイメージプロセッサ6070により画像処理され制御室(コントロールルーム)にある表示手段としてのディスプレイ6080で観察可能となる。
【0060】
また、この情報は電話回線や無線6090等の伝送手段により遠隔地などへ転送でき、別の場所のドクタールームなどでディスプレイ6081に表示もしくはフィルムなどの出力により遠隔地の医師が診断することも可能である。得られた情報はフィルムプロセッサなどの記録手段6100により光ディスク、光磁気ディスク、磁気ディスクなどの各種記録材料を用いた記録媒体、フィルムや紙などの記録媒体6110に記録や保存することもできる。
【0061】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、第1の保護層を形成してから、蛍光体層表面にできた凸部を押しつぶしたり、あるいは除去したりして平坦化して、第2の保護層を形成したので、貼り合せの際の光センサーの破壊がなくなった。蛍光体の貼り合せ表面を平坦化したことにより、貼り合せ時の保護層の破壊がなくなり、耐湿性および保存性が向上した。
【0062】
蛍光体の貼り合せ表面を平坦化したことにより、凸部付近の凹部の隙間が狭くなり、隙間を完全に上から第2の保護層でコーティングすることが可能になり、耐湿性および保存性が向上した。蛍光体の貼り合せ表面を平坦化したことにより、貼り合せ後の接着剤の厚み分布がなくなり、解像度の劣化がなくなった。蛍光体の貼り合せ表面を平坦化したことにより、貼り合せ時の接着剤の流れが良くなり、また、凸部付近に発生していた気泡がなくなった。
【図面の簡単な説明】
【図1】蛍光板を光センサーに貼り合せる工程を説明するための断面図である。
【図2】従来例の蛍光板の製造工程を示す断面図である。
【図3】蛍光体の凸部によって生じる課題を説明するための断面図である。
【図4】蛍光体の凸部を平坦化する方法を説明するための断面図である。
【図5】蛍光体の凸部を平坦化した後の様子を示す断面図である。
【図6】本発明の実施形態1を説明するための断面図である。
【図7】本発明の実施形態2を説明するための断面図である。
【図8】本発明の実施形態4の構成図である。
【符号の説明】
101 蛍光体基板
102 反射層
103 蛍光体層
104 第1の保護層
105 凸部
106 定盤
107 ローラー
108 第2の保護層
109 蛍光板
110 光センサー基板
111 光センサー
112 光電変換素子
113 配線
114 光センサー保護層
115 接着剤
130 保護層
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a fluorescent plate and a method for manufacturing a radiation detection apparatus .
[0002]
[Prior art]
FIG. 1 is a sectional view of an indirect X-ray area sensor as a conventional example. On the optical sensor 111 including the photoelectric conversion elements 112 arranged in a grid pattern on the glass substrate 110, the wiring portion 113 connecting them, and the optical sensor protective layer 114 protecting them, the phosphor 103 and the reflection Layer 102 is formed to create an X-ray area sensor.
[0003]
X-rays incident on the phosphor 103 from the phosphor substrate 101 side are wavelength-converted from the X-rays to light such as visible light by the phosphor 103, and then the visible light is photoelectrically converted by the photoelectric conversion element 112 of the optical sensor 111. It is converted into an electrical signal. An X-ray digital image can be obtained by amplifying the signal and applying image processing.
[0004]
Currently, as means for forming the phosphor 103 on the optical sensor 111, a method of directly depositing and coating the phosphor 103 on the optical sensor 111, and reflecting on the base 101 separate from the optical sensor 111 as shown in FIG. There is a method in which the layer 102 and the phosphor 103 are formed, covered with a protective layer 130, and then attached to the optical sensor 111 via an adhesive using a roller 107.
[0005]
Comparing the two, the latter is generally used at present because the phosphor 103 can be formed on the photosensor 111 more efficiently with a higher yield. Further, CsI (cesium iodide) is mainly used as the phosphor for the X-ray area sensor from the viewpoint of light emission amount and resolution, and the method of forming on the phosphor substrate is often by vacuum deposition. .
[0006]
A method for forming a phosphor on an optical sensor by bonding will be described. A method for manufacturing the fluorescent plate will be described. FIG. 2 is a sectional view showing the manufacturing process. As the material of the phosphor substrate 101 on which the phosphor is formed, an amorphous carbon (a-C) with little X-ray absorption, an inexpensive glass substrate, or an aluminum plate or the like is used as a material that also serves as the reflective layer 102 at the same time. The
[0007]
First, as shown in FIG. 2A, the reflective layer 102 is formed on the phosphor substrate 101. The reflective layer 102 is formed in order to reflect the phosphor light emitted in the opposite direction to the photosensor so that the photosensor can detect it efficiently. As the material of the reflective layer 102, a metal or a metal compound material such as Al or Ag having high reflectivity is used, and the formation method is performed by a method such as sputtering.
[0008]
Next, as shown in FIG. 2B, the phosphor 103 is formed on the reflective layer 102 formed on the phosphor substrate 101. CsI or the like is used as the material of the phosphor 103. The case of forming by vacuum deposition using CsI will be described below.
[0009]
The phosphor substrate 103 on which the reflective layer 102 is formed is set in a vacuum chamber, and CsI (Na + ) or CsI (Tl + ), which is an evaporation material, is placed in the port. The pressure in the vacuum chamber is pulled to 0.1 to 1.0 [Pa], the phosphor substrate 101 on which the reflective layer 102 is formed is heated to a high temperature (about 100 to 180 ° C.), and a current is supplied to the port for heating. Then, CsI is vaporized and CsI columnar crystals are formed on the phosphor substrate 101 on which the reflective layer 102 is formed.
[0010]
At that time, before CsI is completely vaporized (in a solidified state), the CsI may jump into the vacuum chamber, and the solid matter may adhere to the vapor deposition surface of the phosphor substrate 103 on which the reflective layer 102 is formed. This is called splash.
[0011]
As shown in FIG. 2B, the splashed CsI has a size (diameter) 404 of about several tens to several hundreds of μm and a height 405 of about ten to several hundreds of μm, as shown in FIG. It appears as a convex part. Further, as shown in FIG. 2B, a concave portion having a gap width 406 of several to several tens of μm and a depth of several tens to several hundreds of μm is also generated around the convex portion at the same time. The unevenness is also caused by foreign matter adhering to the phosphor substrate 101 formed on the reflective layer 102 before vapor deposition, or by foreign matter adhering to the vapor deposition surface during or immediately after vapor deposition.
[0012]
An effective method for eliminating the unevenness of the CsI surface due to these causes has not been considered at present. Further, if the thickness of the phosphor 103 is increased, the vapor deposition time is increased accordingly, so that the phosphor 103 is likely to be generated, and the generation rate is increased even if the vapor deposition area is increased.
[0013]
Next, as shown in FIG. 2C or FIG. 2D, a protective layer 130 is formed on the phosphor 103 or on the entire circumference of these layers to protect it from mechanical stress and moisture. Since the protective layer 130 enters between the phosphor and the optical sensor when bonded, the protective layer 130 must be formed of a material having a high light transmittance and thin.
[0014]
When the transmittance is low, the light emitted from the phosphor 103 is absorbed by the protective layer 130 and the sensitivity of the photosensor is lowered. Further, when the protective layer 130 is thick, the distance between the phosphor and the photosensor is increased, and the light from the phosphor 103 is scattered, so that the resolution of the photosensor is lowered. Furthermore, when CsI is used for the phosphor 103, since CsI has deliquescence, a material with low moisture permeability must be used so that it can be protected from moisture. The polyparaxylylene resin is a material that satisfies these conditions.
[0015]
As shown in FIG. 2C, when the phosphor 103 made of CsI is formed by vacuum deposition, irregularities due to splash or foreign matter appear, and the convex portions have a height of several tens to several tens of μm. Since the protective layer is as thin as several μm to several tens of μm, it appears in the same size as the unevenness before the formation of the protective layer 130.
[0016]
In addition, as shown in FIG. 2D, in the recesses around the protrusions, there are gaps of several μm to several tens of μm, so that the protective layer 130 is not formed, or the protective layer 130 It may be thinner than the part. The gap is not filled unless a protective layer having a gap distance is formed. However, if the protective layer has a thickness of several tens of μm, the resolution is deteriorated, which is not possible.
[0017]
An X-ray sensor is obtained by bonding the fluorescent plate, in which the reflection layer 102, the phosphor 103, and the protective layer 130 are formed as described above on the phosphor substrate 101, to an optical sensor through an adhesive.
[0018]
When the fluorescent plate is bonded to the optical sensor 111 via the adhesive 115, the adhesive 115 is formed between the phosphor 103 and the optical sensor 111, similarly to the protective layer 130. Therefore, the light transmittance and film thickness are important.
[0019]
As a general bonding of the fluorescent plate 109, an adhesive 115 is applied on the optical sensor 111, the fluorescent plate 109 is overlaid thereon, and the bonding is performed while pressing with a roller. At that time, the thickness of the adhesive 115 is controlled by the load / moving speed of the roller and the viscosity of the adhesive 115.
[0020]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, when phosphor (especially CsI) is formed on a phosphor substrate by vapor deposition, irregularities of several tens to several hundreds of μm are generated due to splash or foreign matter. Due to these irregularities, as shown in FIGS. 3A and 3B, the following problems occur when the fluorescent plate and the optical sensor are bonded together.
[0021]
(1) Destruction of the optical sensor As shown in FIG. 3A, the optical sensor 111 is covered and protected by the optical sensor protective layer 114, but the optical sensor 111 is projected by the protrusion on the bonding surface of the fluorescent plate 109. Will be damaged and destroyed. The optical sensor 111 is a collection of photoelectric conversion elements 112 arranged in a lattice pattern, but the number of photoelectric conversion elements 112 that are destroyed increases depending on the size or number of protrusions. In addition, when the wiring portion 113 connecting the photoelectric conversion elements 112 is destroyed, it leads to destruction of all the columns of the photoelectric conversion elements 112.
[0022]
(2) Destruction of protective layer As shown in FIG. 3 (b), if the surface of the fluorescent plate is uneven, the load of the roller is concentrated on the convex portion at the time of bonding, and the phosphor 103 and the protective layer 130 in the convex portion are crushed. It is. Therefore, cracks (cracks) occur in the protective layer 130.
[0023]
Further, in the concave portion, there is a portion where the protective layer 130 is not covered when the protective layer is formed, and the phosphor 103 is exposed, and when the temperature and humidity durability test is performed, the crack and the concave portion not covered with the protective layer 130 In some cases, moisture (moisture) enters the phosphor 103 and the phosphor 103 may be destroyed. In particular, when the phosphor 103 is CsI, it is deliquescent.
[0024]
(3) Decrease in resolution In the pasting of the fluorescent plate 109 and the optical sensor 111, the film thickness of the adhesive 115 after formation is important, and 20 μm or less is desirable for obtaining high resolution. However, the concavo-convex portions on the surface of the fluorescent plate 109 are often several tens to hundreds of tens of μm, and in this state, when bonding is performed so that the optical sensor 111 and the protective layer 130 are not broken, The thickness must be increased to a thickness of 20 μm or more (a thickness of a few tens of μm). As a result, the distance between the phosphor 103 and the optical sensor 111 becomes large and the resolution decreases.
[0025]
(4) Contamination of bubbles The unevenness of the fluorescent plate 109 may not only destroy the protective layer 130 and the optical sensor 111 but also embed bubbles during bonding. If there are innumerable convex portions on the surface of the fluorescent plate 109, the load of the roller is concentrated on the convex portions, the roller load is not applied to the adhesive 115, and the adhesive 115 is difficult to spread.
[0026]
Moreover, even when there are few convex parts, the location where a load is not applied will generate | occur | produce around a convex part, and it will become impossible to push away a bubble. For this reason, bubbles remain between the fluorescent plate 109 and the optical sensor 111, so that the light emitted from the phosphor 103 is diffusely reflected to lower the resolution.
[0027]
Since the unevenness of the phosphor causes the problems (1) to (4) described above, flattening thereof is an important issue.
[0028]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the present invention provides a method of manufacturing a fluorescent plate, the phosphor on a substrate, a deposition step of forming by vapor deposition a phosphor layer having a columnar crystal, by splash formed in the deposition step A step of forming a first protective layer on the surface of the phosphor layer having the surface on which the convex portions are formed; a planarizing step of flattening the convex portions from above the first protective layer; and the planarization. after the step, characterized in that it comprises a step of forming a second protective layer on the covering of the convex portion is flattened region first protective layer.
[0029]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
First, the basic concept of the present invention will be described. The above problem is solved by flattening the unevenness on the surface of the fluorescent plate before bonding. In the above-described conventional example, in order to flatten the surface before forming the protective layer, when the phosphor is CsI, it has to be deliquescent and must be performed in a vacuum or in an N 2 atmosphere. For this purpose, it is necessary to manufacture a dedicated device, which is costly. Therefore, after forming the phosphor, temporary protection is performed by covering the entire surface including the phosphor surface or the phosphor substrate with the first protective layer, and then flattening the phosphor and the protective layer formed thereon Process. Then, a second protective layer is formed.
[0030]
Hereinafter, a method for performing planarization will be described.
[0031]
(1) Crushing FIG. 4A is a cross-sectional view showing an example of flattening by crushing the unevenness of the phosphor surface. The equipment used for crushing includes a flat plate and a roller. In this example, a flat plate 412 is used. At that time, if the pressing pressure is too strong, it will affect the surroundings of the convex part and the surrounding phosphor may be destroyed.Therefore, a stopper is attached so that the pressure can be controlled, or a load like a push-pull gauge is applied. It is better to have a mechanism that can measure Moreover, the convex part of the whole surface can be planarized all at once by putting a fluorescent plate on a flat plate (surface plate or the like) with a protective layer facing down and pressing and rolling with a roller from above.
[0032]
(2) Sharpening FIG. 4B is a cross-sectional view showing an example of flattening by sharpening. A disk-shaped file 413 is rotated to cut and flatten the convex portion. Although it may be applied to a phosphor that cannot withstand crushing, there is a problem that shavings occur.
[0033]
(3) Cutting off FIG. 4C is a cross-sectional view showing an example of flattening by cutting off. It cut | disconnects with the blade 415 which faced like a nail clipper, and planarizes. This is effective when cutting out protrusions with a high height.
[0034]
(4) Laser processing burned off by a laser is suitable for fine processing, can be processed on the order of microns, and is currently used in semiconductor manufacturing processes. Processing accuracy varies depending on parameters such as laser irradiation time and pulse width, and the type of laser, and there are a long wavelength YAG laser, a short wavelength excimer laser, and the like. Effective processing can be performed by using properly depending on the shape and mode (splash, foreign matter) of the convex part. Further, by interlocking with the substrate inspection apparatus, the projections can be flattened fully automatically.
[0035]
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state after the flattening process shown in the above (1) to (4). When flattened by crushing, the result is as shown in FIG. As shown in FIG. 5A, there may be an infinite number of cracks 421 having a width of about several tens of micrometers on the surface. It is seen when the convex part is about several hundred μm.
[0036]
FIG. 5B is an example in which the protective layer does not enter the concave portion in the peripheral portion of the convex portion when forming the protective layer shown in FIG. . When the convex portion is pushed, the gap 406 that was open in FIG. 2D spreads in the lateral direction, and the gap 406 becomes narrow like the gap 422 in FIG. 5B. As an example, a gap of about 20 μm before crushing was reduced to about 4 μm by crushing. In this case, the size of the projection is about 250 μm and the height is about 40 μm. FIG.5 (c) is an example when the convex part is shaved or cut off. As shown in FIG. 5C, the portion where the phosphor 103 is cut out is exposed as shown at 423.
[0037]
The second protective layer formed on the fluorescent plate with the convex portions flattened as described above will be described below.
[0038]
<Second protective layer material>
Since the second protective layer is formed between the phosphor and the photosensor, the same conditions as the material conditions of the first protective layer (the protective layer formed immediately after the phosphor is formed) are required.
[0039]
(1) Light transmittance A material having a transmittance of about 80% or more at a wavelength λ≈400 to 700 [nm] is desirable so as not to absorb light emitted by the phosphor.
[0040]
(2) Thickness The total thickness including the first protective layer is preferably 20 μm or less, and if it is thicker than this, the resolution is significantly reduced.
[0041]
(3) Although moisture resistance is strong or weak due to the moisture-permeable phosphor, the moisture resistance is particularly weak in the case of CsI and has a deliquescent property. When CsI is used for the phosphor, the material is preferably 2.0 g / 24 h (ASTM E96-63T) or less, thereby improving the reliability.
[0042]
(4) Since the second protective layer is an interface to be bonded to the optical sensor through an adhesive, a material having good wettability is preferable. In some cases, it is also effective to improve the wettability by performing plasma treatment or corona discharge treatment.
[0043]
(5) Compatibility with the phosphor The second protective layer is a surface of the phosphor on which the first protective layer is not formed, and is in contact with the phosphor. Therefore, a material that does not affect the phosphor (dissolution, etc.) is used. Good.
[0044]
Examples of materials that satisfy the conditions described in (1) to (5) above include polyparaxylylene resins (manufactured by Three Bond, trade name Parylene), particularly polyparachloroxylylene (manufactured by the company, Trade name Parylene C), polyimide resin, acrylic resin, epoxy resin, and the like. As a film curing condition, a thermosetting type, an ultraviolet curing method, or the like can be used.
[0045]
<Second protective layer forming method>
As a method for forming the second protective layer, there is a method in which the protective layer is applied by thermal CVD, plasma CVD, spin coating or dip coating (immersion pulling method), potting (drip method), spray method (dispersing method), brushing, or the like. is there.
[0046]
The second protective layer may be formed on the entire surface of the first protective layer, but may be formed only at a location where the first protective layer is peeled off or cracked during planarization. If the number of concavo-convex portions on the phosphor surface is large and several tens or more, it is better to coat the entire surface, but if it is about several, the second protective layer may be applied with a brush or dropped with a dispenser. . In that case, care must be taken so that the height (thickness) of the second protective layer is several μm to tens of μm or less.
[0047]
It is necessary to cover the cracks generated by the planarization process and the gaps generated during the phosphor formation with the second protective layer. By performing the flattening process for both cracks and gaps, the thickness is several μm to several tens of μm. The second protective layer having a thickness of several μm to several tens of μm is formed by the above-described forming method so as to fill these. By performing such flattening treatment and formation of the second protective layer, gaps and cracks with a width of several tens of μm are filled, and moisture resistance (in the case of CsI) at the uneven portions is improved.
[0048]
An embodiment performed in view of the above points will be described below.
[0049]
(Embodiment 1)
FIG. 6 is a sectional view showing Embodiment 1 of the present invention. As shown in FIG. 6A, an amorphous carbon plate (a-C) is used as the phosphor substrate 101, aluminum (Al) is deposited as the reflective layer 102, and cesium iodide (CsI) is deposited as the phosphor 103. Parylene was formed as the first protective layer 104. Splashes on the phosphor 103 and irregularities due to foreign matters are indicated by convex portions 105.
[0050]
The thickness of the phosphor 103 was about 500 μm, and the thickness of the first protective layer 104 was about 5 μm. In this case, approximately 200 convex portions 105 having a size of about 200 to 500 μm and a height of about 30 to 70 μm were present over the entire surface. The convex portion was measured using a substrate inspection apparatus used for liquid crystal and a three-dimensional shape measuring machine using a laser. Three-dimensional shape measurement was performed. As a result, only those having a high convex portion 105 of 100 μm or more were cut with a nail clip-like double blade.
[0051]
Next, as shown in FIG. 6B, the phosphor plate 109 was placed on the surface plate 106 with the phosphor 103 surface side down, and was flattened by rolling with a roller 107 from above. By performing the flattening process as described above, the convex portion 105 in the phosphor 103 has a height of about 5 to 20 μm. Further, the gap between the concave portions around the convex portions was also about several μm. In addition, as shown in FIG. 1B, all the convex portions were simultaneously crushed by the roller 107 and the surface plate 106, so that flattening could be performed without increasing the number of steps.
[0052]
Thereafter, as shown in FIG. 6C, as the second protective layer 108, parylene, which is the same material as the first protective layer 104, is formed on the entire surface by about 10 μm by the thermal CVD method, and a gap of several μm is formed. And covered cracks from above.
[0053]
The fluorescent plate 109 that has been flattened in this manner and formed parylene as the second protective layer 108 shows discoloration even in the temperature and humidity durability test (condition 55 ° C. 90% / 750 h), even in the uneven portion. There wasn't. For comparison, a substrate not subjected to planarization was also tested at the same time, but discoloration was observed at 750 h, and deliquescence was confirmed.
[0054]
Next, as illustrated in FIG. 6D, the fluorescent plate 109 formed as described above is bonded to the optical sensor 111 using an adhesive 115. By setting the roller load and speed so that the film thickness of the adhesive 115 at the time of bonding is about 20 μm, the optical sensor 111 is not destroyed and bubbles are not mixed, and the fluorescent screen 109 is placed on the optical sensor 111. I was able to form.
[0055]
(Embodiment 2)
FIG. 7 is a sectional view showing Embodiment 2 of the present invention. The configuration of the fluorescent screen 109 is the same as that of the first embodiment. Since the number of the convex portions 105 is as small as about 20 compared to the first embodiment, as shown in FIG. 7A, only a rotating mechanism that does not use a roller and cannot be uniformly flattened by a push-pull gauge 120 is used. The surface was shaved with a file with a diameter of 0.5.
[0056]
Thereafter, as shown in FIG. 7B, a UV curable acrylic UV curable resin was dropped as a second protective layer 108 with a dispenser 122 and cured by applying a UV lamp. At that time, the time until curing was determined in consideration of the viscosity, surface tension, curing shrinkage rate, and the like of the UV curable acrylic resin so that the height of the dripped portion did not increase.
[0057]
(Embodiment 3)
There is no drawing showing this embodiment, and the configuration of the fluorescent screen 109 is the same as that of the first or second embodiment. In the third embodiment, a laser is used as means for flattening the convex portion on the phosphor surface. By adjusting the laser irradiation time, the irradiation energy, the number of times of irradiation, etc., the depth at which the convex portion is burned out can be determined, and the respective parameters are set according to the size and height of each convex portion. A convex portion is detected by the substrate inspection device, and the position coordinate data is sent to the laser repair device, and the flattening process is performed fully automatically from the size and height under the conditions suitable for each. After the flattening process, the protrusion shape is confirmed again by the substrate inspection apparatus and the three-dimensional measuring device, and it is confirmed whether or not the convex portion is flattened.
[0058]
Thus, in the case of flattening with a laser, it is possible to flatten with higher accuracy than in the first or second embodiment, and the height of the convex portion can be made to be 5 μm or less. In the third embodiment, an adhesive used for bonding to the optical sensor is also used for the second protective layer. For the second protective layer, a thermosetting acrylic resin having high light transmittance and low moisture permeability is used. For this reason, the distance between the phosphor and the optical sensor can be reduced to about 10 μm, so that a high-resolution optical sensor can be realized. (Parylene ≒ 5μm, thermosetting acrylic resin ≒ 5μm)
[0059]
(Embodiment 4)
FIG. 8 shows an application example of the above embodiment to the radiation detection system. The present embodiment is an X-ray imaging system that captures an X-ray image, and the first embodiment and the like are used as an X-ray imaging apparatus 6040. X-rays 6060 generated by an X-ray tube 6050 serving as an X-ray generation source pass through an observation portion 6062 such as a chest of a patient or a subject 6061 and enter an X-ray imaging apparatus 6040. This incident X-ray includes information inside the subject 6061. The X-ray imaging apparatus 6040 obtains electrical information by the incidence of X-rays. This information is converted into digital data, and is image-processed by an image processor 6070 as an image processing means, and can be observed on a display 6080 as a display means in a control room (control room).
[0060]
In addition, this information can be transferred to a remote place by a transmission means such as a telephone line or wireless 6090, etc., and can be diagnosed by a remote doctor by displaying it on a display 6081 in a doctor room in another place or by outputting a film or the like. It is. The obtained information can be recorded and stored in a recording medium 6110 such as an optical disk, a magneto-optical disk, a magnetic disk, or a recording medium 6110 such as a film or paper by a recording means 6100 such as a film processor.
[0061]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, after forming the first protective layer, the convex portions formed on the surface of the phosphor layer are flattened by crushing or removing the second protective layer. Since the layer was formed, the optical sensor was not destroyed during bonding. By flattening the bonding surface of the phosphor, the protective layer was not broken during the bonding, and the moisture resistance and storage stability were improved.
[0062]
By flattening the bonding surface of the phosphor, the gap between the concave portions near the convex portion is narrowed, and the gap can be completely coated with the second protective layer from above, and the moisture resistance and storage stability are improved. Improved. By flattening the bonding surface of the phosphor, the thickness distribution of the adhesive after the bonding is lost, and the resolution is not deteriorated. By flattening the bonding surface of the phosphor, the flow of the adhesive at the time of bonding is improved, and bubbles generated near the convex portions are eliminated.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a process of bonding a fluorescent plate to an optical sensor.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a conventional fluorescent plate.
FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a problem caused by a convex portion of a phosphor.
FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a method of flattening a convex portion of a phosphor.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state after a convex portion of a phosphor is flattened.
FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining a second embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a configuration diagram of Embodiment 4 of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Phosphor substrate 102 Reflective layer 103 Phosphor layer 104 First protective layer 105 Convex part 106 Surface plate 107 Roller 108 Second protective layer 109 Fluorescent plate 110 Photosensor substrate 111 Photosensor 112 Photoelectric conversion element 113 Wiring 114 Photosensor protection Layer 115 adhesive 130 protective layer

Claims (6)

蛍光体基板上に、柱状結晶を有する蛍光体層を蒸着によって形成する蒸着工程と、
前記蒸着工程において形成されたスプラッシュによる凸部が形成された面を有する蛍光体層の表面に第1の保護層を形成する工程と、
前記第1の保護層の上から前記凸部を平坦化する平坦化工程と、
前記平坦化工程後に、前記凸部が平坦化された領域を覆うように前記第1の保護層上に第2の保護層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする蛍光板の製造方法。
A vapor deposition step of forming a phosphor layer having a columnar crystal on the phosphor substrate by vapor deposition ;
Forming a first protective layer on the phosphor layer having the convex portion by Oite formed splash deposition process is formed plane,
A flattening step of flattening the protrusion from above the first protective layer;
After the planarization step, a step of the convex portion forms a second protective layer over the first protective layer to cover the flattened area,
A method for producing a fluorescent plate, comprising:
前記凸部の前記平坦化工程のにおける高さが20μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の蛍光板の製造方法。Fluorescent plate method according to claim 1, height at after the planarization process of the convex portions is equal to or is 20μm or less. 前記平坦化工程は、前記凸部の押しつぶし、削り、切り落とし、及びレーザー照射から選択された1以上の加工によることを特徴とする請求項1に記載の蛍光板の製造方法。The planarization step, crushing of the convex portions, cutting, cut off, and the fluorescent plate manufacturing method according to claim 1, characterized in that according to one or more processing selected from laser irradiation. 前記平坦化工程の前に前記凸部の高さを計測する計測工程を更に含み、前記計測工程によって得られた結果に基づいて前記平坦化工程を行うことを特徴とする請求項1に記載の蛍光板の製造方法。2. The flattening step according to claim 1, further comprising a measuring step of measuring the height of the convex portion before the flattening step, and performing the flattening step based on a result obtained by the measuring step. Manufacturing method of fluorescent plate. 前記蛍光体層がヨウ化セシウムを主成分とすることを特徴とする請求項1に記載の蛍光板の製造方法。  The method for manufacturing a fluorescent plate according to claim 1, wherein the phosphor layer contains cesium iodide as a main component. 請求項1記載の蛍光板の製造方法で製造された蛍光板の平坦化された蛍光体層の表面側を接着剤で光センサー基板接着する工程を含むことを特徴とする放射線検出装置の製造方法。A method for manufacturing a radiation detection apparatus, comprising the step of adhering a surface side of a flattened phosphor layer of a fluorescent plate manufactured by the method for manufacturing a fluorescent plate according to claim 1 to an optical sensor substrate with an adhesive.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005038490A1 (en) 2003-10-22 2005-04-28 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detection device, scintillator panel, method of making the same, making apparatus, and radiation image pick-up system
JP2006219516A (en) * 2005-02-08 2006-08-24 Konica Minolta Medical & Graphic Inc Manufacturing method of radiation image-converting panel
JP4517945B2 (en) * 2005-06-07 2010-08-04 コニカミノルタエムジー株式会社 Radiation image conversion panel manufacturing method and radiation image conversion panel
JP2008014853A (en) * 2006-07-07 2008-01-24 Fujifilm Corp Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP2008014859A (en) * 2006-07-07 2008-01-24 Fujifilm Corp Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
WO2008029610A1 (en) * 2006-09-05 2008-03-13 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Scintillator panel
KR100964654B1 (en) * 2008-02-20 2010-06-22 주식회사바텍 A large area x-ray detector and method for fabricating the same
JP2010025620A (en) * 2008-07-16 2010-02-04 Konica Minolta Medical & Graphic Inc Radiographic image conversion panel and manufacturing method therefor
KR101034468B1 (en) 2009-01-22 2011-05-17 (주)세현 X-ray detector and method of manufacturing the same
JP5433433B2 (en) * 2010-01-19 2014-03-05 株式会社東芝 Method for manufacturing plastic scintillator member and radiation detector
JP2012172971A (en) 2011-02-17 2012-09-10 Konica Minolta Medical & Graphic Inc Scintillator panel, manufacturing method thereof, flat panel detector and manufacturing method thereof
JP5728250B2 (en) 2011-03-01 2015-06-03 キヤノン株式会社 Radiation detection apparatus, scintillator panel, manufacturing method thereof, and radiation detection system
JP5744570B2 (en) 2011-03-02 2015-07-08 キヤノン株式会社 Radiation detection apparatus, method for manufacturing radiation detection apparatus, and radiation detection system
JP2012202831A (en) * 2011-03-25 2012-10-22 Fujifilm Corp Radiation image detector and method for manufacturing radiation image detector

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06230198A (en) * 1993-01-29 1994-08-19 Konica Corp Radiation image conversion panel
JP2000009845A (en) * 1998-06-19 2000-01-14 Hamamatsu Photonics Kk Radiation image sensor
JP2000075038A (en) * 1998-09-02 2000-03-14 Hamamatsu Photonics Kk Radiation image sensor and its manufacturing method
JP2000131444A (en) * 1998-10-28 2000-05-12 Canon Inc Device and system for detecting radiation and manufacture of device therefor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06230198A (en) * 1993-01-29 1994-08-19 Konica Corp Radiation image conversion panel
JP2000009845A (en) * 1998-06-19 2000-01-14 Hamamatsu Photonics Kk Radiation image sensor
JP2000075038A (en) * 1998-09-02 2000-03-14 Hamamatsu Photonics Kk Radiation image sensor and its manufacturing method
JP2000131444A (en) * 1998-10-28 2000-05-12 Canon Inc Device and system for detecting radiation and manufacture of device therefor

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