JP4574198B2 - 露光装置、その調整方法及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、露光装置、その調整方法及びデバイス製造方法に係り、光学系を通して基板にパターンを投影する露光装置、その調整方法及びデバイス製造方法に関する。

非特許文献１や特許文献１で述べられているように、半導体露光装置の投影光学系は、光学特性を計測する第１工程、計測によって得た光学特性に基づいて投影光学系の各種収差を良好に補正するための調整量を算出する第２工程、その調整量に従って実際に投影光学系を調整あるいは加工する第３工程を経て準備される。

また、補正対象となる収差の多くは各部の調整量に比例して変化し、その最大絶対値を最小化することが求められるため、各部の調整量は、線形計画法を応用した方法（特許文献２）によって決定されうる。
特開平11-176744号公報 特開2002-367886号公報 T.Yoshihara et al.,"Realization of very-small aberration projection lenses",Proc. SPIE 2000, Vol.4000-52

しかしながら、重要な収差の１つである波面収差RMSの変化を各部の調整量の１次関数として表現できないために、特許文献２に開示された方法では、波面収差RMSを含んだ各種収差の最適な調整量を算出することができなかった。

本発明は、上記のような課題認識を基礎としてなされたものであり、波面収差を含む各種収差を調整する技術を提供することを目的とする。

本発明の第１の側面は、可動の光学要素を含む投影光学系を有し、前記光学系を通して基板にパターンを投影する露光装置に係り、前記露光装置は、前記光学要素を駆動する駆動機構と、前記駆動機構による前記光学要素の調整量の１次関数で表現された前記光学系の収差を当該収差の許容値としての第１許容値で正規化した１次評価量と、前記調整量の２次関数で表現された前記光学系の波面収差のＲＭＳの平方を当該平方の許容値としての第２許容値で正規化した２次評価量とを得る第１ブロックと、前記１次評価量の上限値を表す変数としてのダミー変数を用い、線形計画法によって前記ダミー変数の最小値を得る第２ブロックと、前記１次評価量の上限値が前記第２ブロックで得られた前記ダミー変数の最小値に緩和量を加えた値であるとの制約条件下で前記２次評価量が最小化されるように、２次計画法によって前記調整量を得る第３ブロックとを備え、前記第３ブロックは、前記加えた値と前記加えた値を用いて得られた前記２次評価量とに基づいて前記緩和量を調整することにより、前記２次評価量を最小化し、前記駆動機構は、前記第３ブロックにより得られた調整量にしたがって前記光学要素を駆動する。

本発明の第２の側面は、可動の光学要素を含む投影光学系を有し、前記光学系を通して基板にパターンを投影する露光装置に係り、前記露光装置は、前記光学要素を駆動する駆動機構と、前記駆動機構による前記光学要素の調整量の１次関数で表現された前記光学系の収差を当該収差の許容値としての第１許容値で正規化した１次評価量を得る第１ブロックと、前記光学系の波面収差のZernike係数の絶対値の上限を表す変数としての第１ダミー変数を用い、前記波面収差のＲＭＳの許容値としての第２許容値で正規化した前記波面収差の当該ＲＭＳを前記第１ダミー変数の１次関数で近似した１次評価量を得る第２ブロックと、前記第１ブロック及び前記第２ブロックでそれぞれ得られた１次評価量の上限を表す変数としての第２ダミー変数を用い、前記第２ダミー変数が最小化されるように線形計画法によって前記調整量を得る第３ブロックとを備え、前記駆動機構は、前記第３ブロックにより得られた調整量にしたがって前記光学要素を駆動する。

本発明の第３の側面は、可動の光学要素を含む投影光学系と、前記光学要素を駆動する駆動機構とを備え、前記光学系を通して基板にパターンを投影する露光装置の調整方法に係り、前記調整方法は、前記駆動機構による前記光学要素の調整量の１次関数で表現された前記光学系の収差を当該収差の許容値としての第１許容値で正規化した１次評価量と、前記調整量の２次関数で表現された前記光学系の波面収差のＲＭＳの平方を当該平方の許容値としての第２許容値で正規化した２次評価量とを得る第１工程と、前記１次評価量の上限値を表す変数としてのダミー変数を用い、線形計画法によって前記ダミー変数の最小値を得る第２工程と、前記１次評価量の上限値が前記第２工程で得られた前記ダミー変数の最小値に緩和量を加えた値であるとの制約条件下で前記２次評価量が最小化されるように、２次計画法によって前記調整量を得る第３工程と、前記第３工程で得られた調整量にしたがって前記駆動機構により前記光学要素を駆動する第４工程とを有し、前記第３工程では、前記加えた値と前記加えた値を用いて得られた前記２次評価量とに基づいて前記緩和量を調整することにより、前記２次評価量を最小化する。

本発明の第４の側面は、可動の光学要素を含む投影光学系と、前記光学要素を駆動する駆動機構とを備え、前記光学系を通して基板にパターンを投影する露光装置の調整方法に係り、前記調整方法は、前記駆動機構による前記光学要素の調整量の１次関数で表現された前記光学系の収差を当該収差の許容値としての第１許容値で正規化した１次評価量を得る第１工程と、前記光学系の波面収差のZernike係数の絶対値の上限を表す変数としての第１ダミー変数を用い、前記波面収差のＲＭＳの許容値としての第２許容値で正規化した前記波面収差の当該ＲＭＳを前記第１ダミー変数の１次関数で近似した１次評価量を得る第２工程と、前記第１工程及び前記第２工程でそれぞれ得られた１次評価量の上限を表す変数としての第２ダミー変数を用い、前記第２ダミー変数が最小化されるように線形計画法によって前記調整量を得る第３工程と、前記第３工程で得られた調整量にしたがって前記駆動機構により前記光学要素を駆動する第４工程とを有する。

本発明の第５の側面は、デバイス製造方法に係り、感光剤が塗布された基板の前記感光剤に上記の第１又は第２の側面に係る記載の露光装置によって潜像パターンを形成する工程と、前記潜像パターンを現像する工程とを含む。

本発明の第６の側面は、デバイス製造方法に係り、露光装置を上記の第３又は第４の側面に係る調整方法にしたがって調整する工程と、感光剤が塗布された基板の前記感光剤に前記露光装置によって潜像パターンを形成する工程と、
前記潜像パターンを現像する工程とを含む。

本発明によれば、波面収差を含む各種収差を調整する技術を提供することができる。

以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。

図１は、本発明の好適な実施形態の露光装置の構成例を概略的に示す図である。露光装置１００は、レチクル１を保持するレチクルステージ１０、ウエハ２を保持するウエハステージ、レチクル１のパターンをウエハ２に投影する投影光学系３、ウエハステージ４の位置を計測するためのレーザ干渉計５、６、７、投影光学系３を含む光学系の特性を調整する調整装置を含む制御装置１１を備えている。

投影光学系３は、複数の光学要素で構成されており、それらのうち一部の光学要素は、調整機構によりその姿勢を調整可能に構成されている。また、レチクルステージ１０は、レチクル１の姿勢を調整可能に構成されている。

図２は、位置調整が可能なレチクル１、光学要素８、９の可動方向を模式的に示す図である。なお、光学要素８、９は、投影光学系３の構成要素である。レチクル１は、制御装置１１による制御の下でレチクルステージ（レチクル駆動機構）１０によって６自由度方向に位置調整される。光学要素８、９は、制御装置１１による制御の下で、それぞれ駆動機構８ａ、９ａによって６自由度方向に位置調整される。

制御装置１１による制御の下での投影光学系３の調整においては、まず、投影光学系３の波面収差（光学特性）をPMI等で計測し、その波面収差をZernike関数で展開し、各像高毎のZernike係数を求める。以下に挙げる実施形態は、このような方法で各像高毎のZernike係数を求めることができる。

以下、投影光学系３の波面収差等の収差の調整方法として２つの方法を説明する。

図３は、第１実施形態における投影光学系３の自動調整を説明する図である。自動調整は、制御装置１１によって制御される。ブロック１０１は、投影光学系３の波面収差を計測する処理を実行する。ブロック１０２は、Ｈ箇所の像高毎にその波面収差をＪ個のZernike直交関数で展開し、各々のZernike係数Zjhを求める。

ブロック１０３は、投影光学系３の光学設計値から収差量を計算し、Ｈ箇所の像高毎にコマ収差、像面湾曲、非点収差、歪曲収差、テレセン度等、投影光学系３を評価するためのＮ種の主な収差量を求める。ブロック１０４は、ブロック１０１〜１０３で得た情報を蓄積する。収差量は、図５に示すように、波長を単位とした値として各像高毎に示されうる。

ブロック１０５は、Ｋ個の調整量によって投影光学系３の各収差をバランスよく最適化するために、各収差量を許容値で除して正規化する。ここでは、正規化された収差量を評価量と呼ぶことにする。

ここで、以下で使用する添え字h，i，j，kを数式(1)〜数式(4)で定義する。

h=1,…,H 数式(1)
i=1,…,N 数式(2)
j=1,…,J 数式(3)
k=1,…,K 数式(4)
ブロック１０６は、ブロック１０５で得た評価量のうち、Zernike係数の１次関数で表されたもの（これを1次評価量と呼ぶことにする）を得る。ブロック１０７は、ブロック１０５で得た評価量のうち2次関数で表した波面収差RMS平方（これを２次評価量と呼ぶことにする）を得る。

こうすると、いずれの収差も評価量が１以下で許可、１を超えると不許可となるため、複数の収差をバランスよく最小化することが可能となる。

図６は、図５に示した収差(1)と収差(2)の評価量を示したものである。ここで、数式(5)に示すように、1次評価量y_ihはZernike係数の線形和で表現することができる。また、各部（例えば、光学要素８、９、レチクルステージ１０）の調整量を変化させたとき、像高毎のZernike係数z_jhも、数式(6)で示すように、各部調整量x_kの線形和で表すことができる。

数式(5)と数式(6)から、数式(7)が導かれる。

ただし、

ここで、
Y_i： i番目の収差の許容値
y_ih：像高hにおけるi番目の収差の評価量
y_0ih：像高hにおけるi番目の収差の評価量初期値
z_jh：像高hにおけるj番目のZernike係数
z_0jh：像高hにおけるj番目のZernike係数初期値
x_k：k番目の調整量
a_ij：i番目の収差に対するZernike係数z_jhの影響度
b_jhk：Zernike係数z_jhに対する各部調整量x_kの影響度
c_ihk：像性能評価量y_ihに対する各部調整量x_kの影響度
ブロック１０８は、１次評価量に特許文献２（特開2002-367886号公報）で提案されたダミー変数を用いた線形計画法を適用して、１次評価量のみ最小化する。ここで、ブロック１０９では、1次評価量の上限値であるダミー変数tを最小化する。

具体的には、数式(10)〜数式(13)で示される線形計画法を用いて、各収差をバランス良く最適化するための各部（例えば、光学要素８、９、レチクルステージ１０）の調整量x_kと、最小化されたダミー変数tを算出する。

一方、数式(14)で示すように、２次評価量rms²を重みw_hの付いた像高毎の波面収差RMS平方の和で表す。

ここで、
RMS²：波面収差RMS平方の許容値
rms²：波面収差RMSの2次評価量
α_jh： rms²に対する像高hでのZernike係数z_jhの影響度
ところで、２次評価量は，ダミー変数ｔよりも大きくないとは限らないので、別途、2次評価量も含めた収差の最小化が必要になる。

ブロック１１０は、１次評価量と２次評価量がバランスよく最小化されていることを判断するために、許容誤差eの値を定める。これは１次評価量と２次評価量との差の許容値である。

ブロック１１１は、緩和量dの初期値を零とし、ブロック１１２は、１次評価量の最大値をダミー変数ｔと緩和量ｄの和として2次計画法を実施する。このとき、最小化する目的関数は2次評価量である。

次に、数式(15)に示す２次評価量を目的関数とし、最小化したダミー変数tと緩和量dの和t+dを閾値として、数式(16)〜数式(18)の制約条件式を持つ２次計画法を適用する。そして、ブロック１１３において、２次計画法で求めた各部調整量x_kの下での２次評価量（複数点の像高における波面収差RMS）を比較し、重みw_hを調整して像高間の波面収差RMSのバランスをとる。

ブロック１１７は、最小化された2次評価量の値がt+d+eよりも大きいときは、1次評価量の最大値に比べて2次評価量が大きいから、ブロック１１５に緩和量dを増加させてブロック112による２次計画法の実施を繰り返させる。逆に、ブロック１１６は、最小化された２次評価量の値がt+d-eよりも小さいときは、1次評価量の最大値に比べて２次評価量が小さすぎるから、ブロック１１４に緩和量dを減少させてブロック112による2次計画法の実施を繰り返させる。

このとき、w_hとdの値には、山登り法や遺伝的アルゴリズムなどの探索的アルゴリズムによって、適当な正の実数を与える。

このようにして、1次評価量と2次評価量との差がeよりも小さくなったら演算を終了し、得られた解に従って各部（例えば、光学要素８、９、レチクルステージ１０）の調整を行う。

ここで、
w_h：重み
d：緩和量
なお、H=1、つまり最小化すべき波面収差RMSが１つのときは、緩和量dだけを探索することになるので、その探索は容易である。逆に、Hが大きい場合は探索に時間を費やす可能性が高くなる。

このようにして、各部（光学要素８、９、レチクルステージ１０）の調整量x_kの解が得られたら、これに従って各部を駆動することにより投影光学系３の調整が行われる。

図４は、第２実施形態における投影光学系３の自動調整を説明する図である。自動調整は、制御装置１１によって制御される。ブロック１０１は、投影光学系３の波面収差を計測する処理を実行する。ブロック１０２は、Ｈ箇所の像高毎にその波面収差をJ個のZernike直交関数で展開し、各々のZernike係数z_jhを求める。

ブロック１０３は、投影光学系３の光学設計値から収差量を計算し、H箇所の像高毎にコマ収差、像面湾曲、非点収差、歪曲収差、テレセン度等、投影光学系３を評価するためのＮ種の主な収差量を求める。ブロック１０４は、ブロック１０１〜１０３で得た情報を蓄積する。

ブロック１０５は、Ｋ個の調整量によって投影光学系３の各収差をバランスよく最適化するために、各収差量を許容値で除して正規化して評価量（正規化された収差量）を得る。ブロック１０６は、ブロック１０５で得た評価量から１次評価量を得る。以上の構成及び手順は、第１実施形態と同様である。

第２実施形態では、ブロック１１６が、数式(19)のように、像高ｈにおけるZernike係数の絶対値の上限をダミー変数s_jhで定義する。

そして、ブロック１１７は、数式(20)のように、波面収差RMSをその許容値で除して近似したものの上限を、ダミー変数s_jhの1次関数で表し、これをRMS近似評価量とする。

RMS近似評価量は、ダミー変数s_jhの1次関数であるから、他の１次評価量（それらの上限値はダミー変数tで規定される）と同様に扱うことができる。そのため、数式(21)〜数式(28)に示されように、ダミー変数s_jhの１次関数（１次評価量）を含め、全ての1次評価量の上限値をダミー変数tで規定した線形計画法だけで、波面収差RMSも含めた全ての収差をバランス良く最適化することができる。
ブロック１０８は、数式(21)〜数式(28)に従って、ダミー変数tを用いた線型計画法を実施する。

このようにして、各部（光学要素８、９、レチクルステージ１０）の調整量x_kの解が得られたら、これに従って各部を駆動することにより投影光学系３の調整が行われる。
以下、ダミー変数を用いた線型計画法について説明する。数式（２９）は、調整前の誤差ｅ_i、調整後の誤差ｅ_i'、調整感度ａ_ij、調整量ｘ_jの関係を示す。

線形計画問題は、数式（３０）の目的関数と数式（３１）の条件式によって表される。

これらのうち、目的関数は、制御変数の１次式で定義された関数で、最小化あるいは最大化したい関数である。また、条件式も制御変数の１次関数で表された等式、あるいは不等式である。一部の線形計画問題のソルバーでは、非負の制御変数しか扱えない場合がある。しかし、この非負条件については、数式（32）式で示す変数の置き換えによって、非負条件を満足しない実際の制御変数ｘ_j を非負条件を満たす２つの変数ｘ_j'、ｘ_j''で表すことができるため、線形計画法の適用を妨げるものとはならない。
ｘ_ｊ＝ｘ_ｊ’−ｘ_ｊ” 数式(32)
また、実際は制御量が一定の範囲内であることが要求される場合があるが、この条件は数式（３１）に示される条件式で表現することができる。

ダミー変数を用いた線形計画法では、ｅ_i'，（ｉ＝１，・・・ ，ｎ）の最大絶対値を最小化するために、｜ｅ_i'｜≦ｔ，（ｉ＝１，・・・，ｎ）となるダミー変数ｔを導入し、このｔを最小化する線形計画問題へ定式化する。つまり、数式（３３）式に示すように，制御変数ｔを最小化する目的関数を設定し、このダミー変数ｔが誤差およびその符号を反転させた値の限界値になるように数式（３４）、（３５）式の条件式を設定した線形計画問題とする。この問題を解くことで、調整後残差の最大絶対値を最小化することができる。

ダミー変数を用いた線形計画法による最大絶対値最小化は、第１〜第５工程を含みうる。第１工程では、評価項（各点の調整後誤差絶対値：｜ｅ_i'｜）よりも等しいか大きいことを条件とするダミー変数ｔを不等式で定義する。第２工程では、制御変数の範囲を不等式で表現する（数式（３０）、（３１）参照）。第３工程では、非負条件に合うように変数を変換する（数式（３２）参照）。第４工程では、線形計画モデルの定式化を行い、第５工程では、線形計画法による制御変数の最適解算出を行う（数式（３３）〜（３５）参照）。
定式化された問題には、必ず解が存在するため、かかる計算方法によれば、誤差の最大絶対値を厳密に最小化する制御変数ｘ_j を求めることができる。また、本実施形態が対象とする露光装置では、制御変数の数は多くなく、通常の線形計画問題ソルバーでさえ、短時間で計算が終了する。従って、リアルタイムに調整する場合は、安定した高いスループットを維持できる点で有効である。

次に上記の露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図７は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ1（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ2（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。一方、ステップ3（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ6（検査）ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ7）する。

図８は、上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。ステップ11（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ13（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16（露光）では上記の露光装置によって回路パターンをウエハ上の感光剤に転写して潜像パターンを形成する。この露光に先立って、露光装置の光学特性は、上記の調整方法にしたがって調整される。ステップ17（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ18（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。

本発明の好適な実施形態の露光装置の構成例を概略的に示す図である。 位置調整が可能なレチクル及び光学要素の可動方向を模式的に示す図である。 第１実施形態における投影光学系の自動調整（そのための構成又は手順）を説明する図である。 第２実施形態における投影光学系の自動調整（そのための構成又は手順）を説明する図である。 各収差を像高毎に示した例を提供する図である。 各収差を正規化した評価量を像高毎に示した例を提供する図である。 半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。 ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。

Claims (6)

1. 可動の光学要素を含む投影光学系を有し、前記光学系を通して基板にパターンを投影する露光装置であって、
   前記光学要素を駆動する駆動機構と、
   前記駆動機構による前記光学要素の調整量の１次関数で表現された前記光学系の収差を当該収差の許容値としての第１許容値で正規化した１次評価量と、前記調整量の２次関数で表現された前記光学系の波面収差のＲＭＳの平方を当該平方の許容値としての第２許容値で正規化した２次評価量とを得る第１ブロックと、
   前記１次評価量の上限値を表す変数としてのダミー変数を用い、線形計画法によって前記ダミー変数の最小値を得る第２ブロックと、
   前記１次評価量の上限値が前記第２ブロックで得られた前記ダミー変数の最小値に緩和量を加えた値であるとの制約条件下で前記２次評価量が最小化されるように、２次計画法によって前記調整量を得る第３ブロックと、
   を備え、
   前記第３ブロックは、前記加えた値と前記加えた値を用いて得られた前記２次評価量とに基づいて前記緩和量を調整することにより、前記２次評価量を最小化し、
   前記駆動機構は、前記第３ブロックにより得られた調整量にしたがって前記光学要素を駆動する、
   ことを特徴とする露光装置。
2. 可動の光学要素を含む投影光学系を有し、前記光学系を通して基板にパターンを投影する露光装置であって、
   前記光学要素を駆動する駆動機構と、
   前記駆動機構による前記光学要素の調整量の１次関数で表現された前記光学系の収差を当該収差の許容値としての第１許容値で正規化した１次評価量を得る第１ブロックと、
   前記光学系の波面収差のZernike係数の絶対値の上限を表す変数としての第１ダミー変数を用い、前記波面収差のＲＭＳの許容値としての第２許容値で正規化した前記波面収差の当該ＲＭＳを前記第１ダミー変数の１次関数で近似した１次評価量を得る第２ブロックと、
   前記第１ブロック及び前記第２ブロックでそれぞれ得られた１次評価量の上限を表す変数としての第２ダミー変数を用い、前記第２ダミー変数が最小化されるように線形計画法によって前記調整量を得る第３ブロックと、
   を備え、
   前記駆動機構は、前記第３ブロックにより得られた調整量にしたがって前記光学要素を駆動する、
   ことを特徴とする露光装置。
3. 可動の光学要素を含む投影光学系と、前記光学要素を駆動する駆動機構とを備え、前記光学系を通して基板にパターンを投影する露光装置の調整方法であって、
   前記駆動機構による前記光学要素の調整量の１次関数で表現された前記光学系の収差を当該収差の許容値としての第１許容値で正規化した１次評価量と、前記調整量の２次関数で表現された前記光学系の波面収差のＲＭＳの平方を当該平方の許容値としての第２許容値で正規化した２次評価量とを得る第１工程と、
   前記１次評価量の上限値を表す変数としてのダミー変数を用い、線形計画法によって前記ダミー変数の最小値を得る第２工程と、
   前記１次評価量の上限値が前記第２工程で得られた前記ダミー変数の最小値に緩和量を加えた値であるとの制約条件下で前記２次評価量が最小化されるように、２次計画法によって前記調整量を得る第３工程と、
   前記第３工程で得られた調整量にしたがって前記駆動機構により前記光学要素を駆動する第４工程と、
   を有し、
   前記第３工程では、前記加えた値と前記加えた値を用いて得られた前記２次評価量とに基づいて前記緩和量を調整することにより、前記２次評価量を最小化する、
   ことを特徴とする調整方法。
4. 可動の光学要素を含む投影光学系と、前記光学要素を駆動する駆動機構とを備え、前記光学系を通して基板にパターンを投影する露光装置の調整方法であって、
   前記駆動機構による前記光学要素の調整量の１次関数で表現された前記光学系の収差を当該収差の許容値としての第１許容値で正規化した１次評価量を得る第１工程と、
   前記光学系の波面収差のZernike係数の絶対値の上限を表す変数としての第１ダミー変数を用い、前記波面収差のＲＭＳの許容値としての第２許容値で正規化した前記波面収差の当該ＲＭＳを前記第１ダミー変数の１次関数で近似した１次評価量を得る第２工程と、
   前記第１工程及び前記第２工程でそれぞれ得られた１次評価量の上限を表す変数としての第２ダミー変数を用い、前記第２ダミー変数が最小化されるように線形計画法によって前記調整量を得る第３工程と、
   前記第３工程で得られた調整量にしたがって前記駆動機構により前記光学要素を駆動する第４工程と、
   を有することを特徴とする調整方法。
5. デバイス製造方法であって、
   感光剤が塗布された基板の前記感光剤に請求項１又は請求項２に記載の露光装置によって潜像パターンを形成する工程と、
   前記潜像パターンを現像する工程と、
   を有することを特徴とするデバイス製造方法。
6. デバイス製造方法であって、
   露光装置を請求項３又は請求項４に記載の調整方法にしたがって調整する工程と、
   感光剤が塗布された基板の前記感光剤に前記露光装置によって潜像パターンを形成する工程と、
   前記潜像パターンを現像する工程と、
   を有することを特徴とするデバイス製造方法。

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