WO2015182788A1

WO2015182788A1 - リソグラフィシステム、シミュレーション装置、及びパターン形成方法

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Publication number: WO2015182788A1
Application number: PCT/JP2015/065828
Authority: WO
Inventors: 松山　知行; 慎太郎工藤; 博高河野
Original assignee: 株式会社ニコン
Priority date: 2014-05-30
Filing date: 2015-06-01
Publication date: 2015-12-03
Also published as: US20170363962A1; US20190302622A1; TW201606446A; TWI675259B; TW201947329A; US10338480B2; TWI710866B; US10846457B2

Abstract

　リソグラフィシステムであって、ウエハに対するパターンの形成に関する第１組のパラメータの値を求める第１計算部と、そのパターンの形成に関するその第１組のパラメータと少なくとも一部が共通する第２組のパラメータの値を求める第２計算部と、その第１組及び第２組のパラメータの値に基づいて、ウエハに形成されるパターンの状態及びこのパターンを形成する際の形成条件を評価し、この評価結果に応じて、第１及び第２計算部の少なくとも一方に対応する組のパラメータの値を再計算させるか否かを決定する統合演算部と、を備える。リソグラフィ工程で使用されるパラメータを効率的に設定できる。

Description

リソグラフィシステム、シミュレーション装置、及びパターン形成方法

　本発明は、基板にパターンを形成するためのリソグラフィシステム、このリソグラフィシステム用のシミュレーション装置、及び基板にパターンを形成するためのパターン形成方法に関する。さらに、本発明は、そのリソグラフィシステム、シミュレーション装置、又はパターン形成方法を用いるデバイス製造方法に関する。

　例えば半導体デバイス等の電子デバイス（又はマイクロデバイス）を製造するためのリソグラフィ工程で使用される露光装置（投影露光装置）においては、レチクル（マスク）を交換する毎に、光学的近接効果(optical proximity effect: OPE)による投影像の誤差を複数の露光装置間でマッチングさせるために、例えば投影光学系の開口数ＮＡ、及び／又は照明光源のσ値（いわゆるコヒーレンスファクタ）等のパラメータの調整が行われる。

　また、最近では、レチクルのパターンと照明光源とを同時に最適化するＳＭＯ(Source and Mask Optimization)が行われるが、この際にも実質的に照明光源のσ値等のパラメータの調整が行われることがある（例えば、特許文献１参照）。

国際公開第２０１１／１０２１０９号パンフレット

　上述のように、露光装置においては、レチクルを交換する毎に、種々のパラメータの調整を行う必要がある。しかしながら、例えばカスタムＬＳＩを製造する場合のように小ロット生産を繰り返す場合には、レチクルを交換する毎にパラメータを再調整する必要があるため、露光工程のスループットが低下する恐れがあった。
　同様に、リソグラフィ工程で使用される露光装置以外の装置においても、小ロット生産を行う場合には、そのたびに加工用のパラメータを再調整する必要があるため、スループットが低下する恐れがある。

　本発明の態様は、このような事情に鑑み、リソグラフィ工程で使用されるパラメータを効率的に設定することを目的とする。

　第１の態様によれば、基板にパターンを形成するためのリソグラフィシステム用のシミュレーション装置であって、そのパターンの形成に関して計算される第１組のパラメータの値を計算する第１演算部、及びそのパターンの形成に関して計算されるその第１組のパラメータと少なくとも一部が共通する第２組のパラメータの値を計算する第２演算部と、その第１組のパラメータの値、及びその第２組のパラメータの値に基づいて、その基板に形成されるパターンの状態及び該パターンを形成する際の形成条件の少なくとも一方を評価し、該評価結果に応じて、その第１組及び第２組のパラメータの少なくとも一方の値をその第１演算部及びその第２演算部の少なくとも一方に再計算させるか否かを決定する統合演算部とを備えるシミュレーション装置が提供される。

　第２の態様によれば、基板にパターンを形成するためのリソグラフィシステム用のシミュレーション装置であって、そのパターンの形成に関して求められる第１組のパラメータの第１計算値を計算する第１演算部、及びその第１組のパラメータと少なくとも一部が共通する共通パラメータを含み、そのパターンの形成に関して求められる第２組のパラメータの第２計算値を計算する第２演算部と、その第１計算値及びその第２計算値のうち少なくとも一方を用いて、リソグラフィシステムに設定するその共通パラメータの値を決定する統合演算部とを備えるシミュレーション装置が提供される。
　第３の態様によれば、基板にパターンを形成するためのリソグラフィシステムであって、本発明の態様のシミュレーション装置を備えるリソグラフィシステムが提供される。

　第４の態様によれば、基板にパターンを形成するためのパターン形成方法であって、そのパターンの形成に関する第１組のパラメータの値を第１演算部で求めることと、その第１組のパラメータと少なくとも一部が共通するとともに、そのパターンの形成に関する第２組のパラメータの値を第２演算部で求めることと、その第１組のパラメータの値及びその第２組のパラメータの値に基づいて、その基板に形成されるパターンの状態及び該パターンを形成する際の形成条件の少なくとも一方を評価することと、その評価結果に応じて、その第１組及び第２組のパラメータのうち少なくとも一方の値をその第１演算部及びその第２演算部の少なくとも一方に再計算させるか否かを決定することと、を含むパターン形成方法が提供される。

　第５の態様によれば、基板にパターンを形成するためのパターン形成方法であって、そのパターンの形成に関する第１組のパラメータの値を第１演算部で求めることと、その第１組のパラメータと少なくとも一部が共通する共通パラメータを含み、そのパターンの形成に関する第２組のパラメータの値を第２の演算部で求めることと、その第１組のパラメータの値及びその第２組のパラメータの値のうち少なくとも一方の値を用いて、その共通パラメータの値を決定することと、を含むパターン形成方法が提供される。
　第６の態様によれば、本発明の態様のパターン形成方法と、その第１組及び第２組のパラメータの値に基づいて、その基板にそのパターンを形成するリソグラフィ工程とを含むパターン形成方法が提供される。

　第７の態様によれば、基板を露光するためのリソグラフィシステムの管理装置であって、その露光を実施するために設定する第１組のパラメータの値を計算する第１演算部と、その露光を実施するために設定されるその第１組のパラメータと少なくとも一部が共通する第２組のパラメータの値を計算する第２演算部と、その第１組のパラメータとその第２組のパラメータとで共通するパラメータの値を、予め設定した条件に従ってそのリソグラフィシステムに設定する統合演算部と、を備える管理装置が提供される。
　第８の態様によれば、本発明の態様のリソグラフィシステム、シミュレーション装置、管理装置、又はパターン形成方法を用いて、所定のパターンを基板に形成することと、その所定のパターンを介してその基板の表面を加工することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

　本発明の態様によれば、リソグラフィ工程で使用されるパラメータを効率的に設定することができる。

実施形態の一例に係るリソグラフィシステムの外観を示す図である。図１中の露光装置の機構部の概略構成を示す一部を断面で表した図である。図１中のマスターサーバの制御演算系及び第１の露光装置の制御演算系を示すブロック図である。パラメータ設定方法の一例を示すフローチャートである。（Ａ）は照明光源の一例を示す図、（Ｂ）は第１の変形後の照明光源を示す図、（Ｃ）は第２の変形後の照明光源を示す図、（Ｄ）は最終的に設定される照明光源を示す図である。（Ａ）はＯＰＥ特性の一例を示す図、（Ｂ）はプロセスウィンドウの一例を示す図、（Ｃ）は調整後のプロセスウィンドウを示す図である。パラメータ設定方法の他の例の要部を示すフローチャートである。パラメータ設定方法のさらに他の例の要部を示すフローチャートである。電子デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。

　以下、本発明の実施形態の一例につき図１～図６（Ｃ）を参照して説明する。
　図１は、本実施形態に係るリソグラフィシステムＤＭＳを示す。図１において、リソグラフィシステムＤＭＳは、複数（図１では５台）の露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ，ＥＸＣ，ＥＸＤ，ＥＸＥと、これらの露光装置ＥＸＡ～ＥＸＥで使用される種々のレチクル（マスク）のパターンの配置及びパターンの膜厚を含むパターン情報を各レチクルのＩＤ情報（識別情報）に対応させて記憶するマスクサーバＭＳＥと、露光装置ＥＸＡ～ＥＸＥに種々のパラメータを設定するマスターサーバ６とを備えている。さらに、リソグラフィシステムＤＭＳは、形成されたパターンの検査を行う走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等の検査装置ＭＥＡと、露光装置ＥＸＡ～ＥＸＥ、マスクサーバＭＳＥ、マスターサーバ６、及び検査装置ＭＥＡ間で情報の送受信を行う例えばＬＡＮ(Local Area Network)などの通信回線１２と、マスクサーバＭＳＥとマスターサーバ６との間でパターン情報等を送受信する専用のより高速の通信回線１３とを備えている。

　また、露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ，ＥＸＣ，ＥＸＤ，ＥＸＥは、それぞれマスターサーバ６から通信回線１２を介して供給されるパラメータ情報の受信及び各種制御情報の送受信を行う通信ユニット１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅを備えている。同様に、マスターサーバ６及びマスクサーバＭＳＥはそれぞれ通信回線１２，１３を介して情報の送受信を行う入出力ポート（以下、ＩＯポートという）８Ａ及び８Ｂを備え、検査装置ＭＥＡは、通信回線１２を介して情報の送受信を行うＩＯポート１１を備えている。

　さらに、リソグラフィシステムＤＭＳは、通信回線１２よりも広い範囲で情報の送受信を行う例えばＷＡＮ(Wide Area Network)などの通信回線（不図示）と、この通信回線に接続されたコータ・デベロッパ（不図示）と、この通信回線を介して、露光装置ＥＸＡ～ＥＸＥ、マスクサーバＭＳＥ、マスターサーバ６、検査装置ＭＥＡ、及びコータ・デベロッパの間で工程管理情報等の送受信等を行うホストコンピュータ（不図示）とを備えている。一例として、リソグラフィシステムＤＭＳは、半導体デバイス等を製造するための製造工場に設置され、複数の露光装置ＥＸＡ～ＥＸＥはその製造工場内の複数の製造ラインに沿って配置されている。
　なお、マスクサーバＭＳＥ、またはマスターサーバ６は、通信回線を介してリソグラフィシステムＤＭＳの外に設けることもできる。

　図２は、図１中の露光装置ＥＸＡの機構部の概略構成を示し、図３は、露光装置ＥＸＡの制御演算系及び図１中のマスターサーバ６の制御演算系を示す。図２において、露光装置ＥＸＡは、一例としてスキャニングステッパー（スキャナー）よりなる走査露光型の投影露光装置である。露光装置ＥＸＡは、投影光学系ＰＬを備えている。以下、図２において、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと平行にＺ軸を取り、これに直交する面（本実施形態ではほぼ水平面に平行な面）内でレチクルＲとウエハＷとが相対走査される方向に沿ってＹ軸を、Ｚ軸及びＹ軸に直交する方向に沿ってＸ軸を取って説明する。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸に平行な軸の回りの回転方向をθｘ、θｙ、及びθｚ方向として説明する。

　露光装置ＥＸＡは、露光用の照明光（露光光）ＩＬを発生する露光用の光源（不図示）と、この光源からの照明光ＩＬを用いてレチクルＲＡ（マスク）を照明する照明光学系ＩＬＳと、レチクルＲＡを保持して移動するレチクルステージＲＳＴと、を備えている。さらに、露光装置ＥＸＡは、レチクルＲＡから射出された照明光ＩＬでレジストが塗布された半導体ウエハ（以下、単にウエハという）Ｗを露光する投影光学系ＰＬと、ウエハＷ（基板）を保持して移動するウエハステージＷＳＴと、装置全体の動作を制御する主制御部４０及び露光動作の制御を行う露光制御部１４を含む制御系（図３参照）とを備えている。主制御部４０及び露光制御部１４は、一例としてコンピュータのソフトウェア上の機能である。

　図２に戻り、照明光ＩＬとしては、一例としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられている。なお、露光用の照明光としては、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）、固体レーザ（半導体レーザなど）の高調波、又はＥＵＶ光（Extreme Ultraviolet Light: 極端紫外光）なども使用できる。照明光学系ＩＬＳは、例えば米国特許出願公開第２００３／００２５８９０号明細書などに開示されるように、光源（不図示）から供給される照明光ＩＬを用いて瞳面（以下、照明瞳面という）に円形、輪帯状、又は複数極状等の可変の光強度分布（以下、照明光源という）を形成する空間光変調器(Spatial Light Modulator: SLM)等の光強度分布形成部と、この光強度分布形成部を駆動して照明光源の形状を制御する光学系制御部３７（図３参照）と、その照明光源からの照明光ＩＬでレチクルＲＡのパターン面（レチクル面）のＸ方向に細長いスリット状の照明領域ＩＡＲを照明するコンデンサ光学系と、及び照明領域ＩＡＲの形状を規定する可変視野絞り等とを有する。光強度分布形成部として空間光変調器を用いることによって、露光対象のレチクルに応じて照明光源の形状を最適化するＳＭＯ(Source and Mask Optimization)を容易に適用できる。

　さらに、照明光学系ＩＬＳ内には、照明光ＩＬから分岐した光の光量を検出する光電センサよりなるインテグレータセンサ３６（図３参照）が設けられ、このインテグレータセンサの計測値が露光制御部１４に供給されている。露光制御部１４ではその計測値を積算することで、投影光学系ＰＬを通過する積算照射エネルギーをモニタできる。なお、積算照射エネルギーの代替情報として、露光継続時間等を使用することも可能である。

　レチクルＲＡはレチクルステージＲＳＴの上面に真空吸着等により保持され、レチクル面には、回路パターン等のデバイスパターンＲＰＡ及びアライメントマーク（不図示）が形成されている。レチクルステージＲＳＴは、例えばリニアモータ等を含む図３のレチクルステージ駆動系３１によって、ＸＹ平面内で微少駆動可能であると共に、走査方向（Ｙ方向）に指定された走査速度で駆動可能である。

　レチクルステージＲＳＴの移動面内の位置情報（Ｘ方向、Ｙ方向の位置、及びθｚ方向の回転角を含む）は、レーザ干渉計よりなるレチクル干渉計２４によって、移動鏡２２（又は鏡面加工されたステージ端面）を介して例えば０．５～０．１ｎｍ程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計２４の計測値は、図３の露光制御部１４に送られる。露光制御部１４は、その計測値に基づいてレチクルステージ駆動系３１を制御することで、レチクルステージＲＳＴの位置及び速度を制御する。

　また、投影光学系ＰＬは、例えば両側テレセントリックで所定の投影倍率β（例えば１／４倍などの縮小倍率）を有する。投影光学系ＰＬの瞳面（以下、投影瞳面という。）ＰＬＰ又はこの近傍に開口絞りＡＳが設置されている。光学系制御部３７（図３参照）が開口絞りＡＳを駆動して投影光学系ＰＬの開口数ＮＡを制御する。投影瞳面ＰＬＰは照明光学系ＩＬＳの瞳面（照明瞳面）と光学的に共役であり、投影瞳面ＰＬＰは、レチクルＲＡのパターン面（投影光学系ＰＬの物体面）に対して光学的なフーリエ変換面でもある。なお、投影光学系ＰＬは中間像を形成するタイプでもよい。さらに、投影光学系ＰＬは、屈折系でもよいが、反射屈折系であってもよい。照明光学系ＩＬＳからの照明光ＩＬによってレチクルＲＡのパターン面の照明領域ＩＡＲが照明されると、レチクルＲＡを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬを介して照明領域ＩＡＲ内のデバイスパターンの像が、ウエハＷの一つのショット領域の露光領域ＩＡ（照明領域ＩＡＲと光学的に共役な領域）に形成される。ウエハＷは、一例としてシリコン等の半導体よりなる直径が２００～４５０ｍｍ程度の円板状の基材にレジスト（感光材料）を数１０～２００ｎｍ程度の厚さで塗布したものを含む。

　また、露光装置ＥＸＡにおいて、液浸法を適用した露光を行うため、投影光学系ＰＬを構成する最も像面側（ウエハＷ側）の光学素子の下端部の周囲を取り囲むように、局所液浸装置の一部を構成して、露光領域ＩＡを含む液浸領域で露光用の液体Ｌｑ（例えば純水）の供給及び回収を行うノズルユニット２８が設けられている。ノズルユニット２８は、液体Ｌｑを供給するための配管（不図示）を介して、液体供給装置３３及び液体回収装置３４（図３参照）に接続されている。なお、液浸タイプの露光装置としない場合には、上記の局所液浸装置は設けなくともよい。

　また、投影光学系ＰＬには、内部の所定の複数のレンズの姿勢を制御してディストーション及び球面収差等の波面収差で表される結像特性を補正する結像特性補正装置３０が設けられている。そのような結像特性補正装置は、例えば米国特許出願公開第２００６／２４４９４０号明細書に開示されている。
　さらに、露光装置ＥＸＡは、レチクルＲＡのアライメントマークの投影光学系ＰＬによる像の位置を計測する空間像計測系（不図示）、及びウエハＷのアライメントマークの位置を計測する例えば画像処理方式（ＦＩＡ系）のセンサを含むアライメント系ＡＬと、ウエハＷの表面の複数箇所のＺ位置を計測する斜入射方式の多点のオートフォーカスセンサ（以下、ＡＦセンサという）３５（図３参照）とを備えている。アライメント系ＡＬ等の計測情報は露光制御部１４に供給される。さらに、露光装置ＥＸＡは、レチクルローダ系（不図示）及びウエハローダ系（不図示）を備えている。

　また、ウエハステージＷＳＴは、不図示の複数のエアパッド（不図示）を介して、ベース盤ＷＢのＸＹ面に平行な上面に非接触で支持されている。ウエハステージＷＳＴは、例えば平面モータ、又は直交する２組のリニアモータを含むステージ駆動系３２（図３参照）によってＸ方向及びＹ方向に駆動可能である。ウエハステージＷＳＴは、Ｘ方向、Ｙ方向に駆動されるステージ本体と、このステージ本体のθｚ方向の回転角を調整する機構と、このステージ本体に設けられてウエハＷを真空吸着等で保持するウエハホルダＷＨと、ウエハＷのＺ位置、及びθｘ方向、θｙ方向のチルト角を制御するＺステージ機構（不図示）とを備えている。

　そして、ウエハステージＷＳＴの位置情報を計測するためにレーザ干渉計よりなるウエハ干渉計２６が配置されている。ウエハステージＷＳＴの移動面内の位置情報（Ｘ方向、Ｙ方向の位置、及びθｚ方向の回転角を含む）は、ウエハ干渉計２６によって例えば０．５～０．１ｎｍ程度の分解能で常時検出され、その計測値は露光制御部１４に送られる。露光制御部１４は、その計測値に基づいてステージ駆動系３２を制御することで、ウエハステージＷＳＴの位置及び速度を制御する。なお、ウエハ干渉計２６の代わりに、回折格子と検出器とを組み合わせたエンコーダ方式の位置計測システムを使用してもよい。

　また、ウエハステージＷＳＴに投影瞳面ＰＬＰの光強度分布（光量分布）を計測できる特性計測装置２０が組み込まれている。特性計測装置２０は、一例として、ウエハＷの表面と同じ高さの表面を有し、その表面にピンホール２１Ａａが形成された平板状のガラス基板２１Ａと、ピンホール２１Ａａを通過した照明光を集光する受光光学系２１Ｂと、受光光学系２１Ｂで集光された照明光を受光するＣＣＤ又はＣＭＯＳ型の二次元の撮像素子２１Ｃと、これらの部材を保持する筐体２１Ｄとを有する。ピンホール２１Ａａを露光領域ＩＡ内に移動した状態で、受光光学系２１Ｂによって、投影瞳面ＰＬＰ（又は射出瞳）に対して撮像素子２１Ｃの受光面は光学的に共役になる。撮像素子２１Ｃの検出信号を演算部（不図示）で画像処理することによって、投影瞳面ＰＬＰ（又は入射瞳若しくは射出瞳）における光強度分布（画像）を計測できる。さらに、例えばレチクルＲＡの代わりに所定の複数の回折格子パターンが形成されたテストレチクル（不図示）を配置したときに得られる画像を処理することで、投影光学系ＰＬの所定の収差を計測することも可能である。計測された光強度分布又は収差の情報は露光制御部１４に供給される。

　また、露光装置ＥＸＡは、マスターサーバ６から供給される複数のパラメータの値、アライメント系ＡＬ及びＡＦセンサ３５の計測値、並びに露光装置ＥＸＡ用の露光データファイル（露光レシピ）等を記憶する記憶部３８と、通信回線１２に接続されたＩＯポート４２と、マスターサーバ６及びホストコンピュータ等（不図示）との間のＩＯポート４２を介した情報の入出力を制御する入出力制御部（以下、ＩＯ制御部という）４１と、マスターサーバ６から通信回線１２及びＩＯポート４２を介して供給されるパラメータが入力されるパラメータ入力部４３とを備えている。主制御部４０には表示装置１８及び入力装置１６が接続され、オペレータは主制御部４０に各種コマンド等を入力できる。

　ＩＯポート１０Ａ及びパラメータ入力部４３から通信ユニット１０Ａが構成されている。後述のようにマスターサーバ６からパラメータ入力部４３に供給される複数のパラメータは、主制御部４０及び露光制御部１４を介して記憶部３８に記憶されるとともに、対応するパラメータがそれぞれ結像特性補正装置３０及び光学系制御部３７等に設定される。
　露光装置ＥＸＡの照明光ＩＬの波長（露光波長）、照明光学系ＩＬＳ及び投影光学系ＰＬを構成する光学部材の配置情報、投影光学系ＰＬの解像度、結像特性補正装置３０によって補正可能な投影光学系ＰＬの波面収差及びその補正可能範囲、レチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴの位置決め精度、アライメント系ＡＬのアライメント精度等の情報、及び設定が必要なパラメータの情報（以下、露光装置の構成情報という）は、記憶部３８に記憶されるとともに、露光装置ＥＸＡのＩＤ情報に対応させてマスターサーバ６の第１記憶部５１（図３参照）に記憶されている。

　図１の他の露光装置ＥＸＢ～ＥＸＥの構成も露光装置ＥＸＡと同様であり、露光装置ＥＸＢ～ＥＸＥの構成情報もそれぞれ露光装置ＥＸＡ～ＥＸＥのＩＤ情報に対応させてマスターサーバ６の第１記憶部５１（図３参照）に記憶されている。なお、露光装置の構成情報は、必要に応じて通信回線１２を介してマスターサーバ６に供給されてもよい。また、露光装置ＥＸＡ～ＥＸＥは互いに機種が異なっていてもよい。一例として、露光装置ＥＸＡが液浸型であり、露光装置ＥＸＢがドライ型であってもよい。さらに、露光装置ＥＸＣは一括露光型のステッパーであってもよい。

　露光装置ＥＸＡによるウエハＷの露光時に、基本的な動作として、レチクルＲＡ及びウエハＷのアライメントが行われた後、ウエハステージＷＳＴのＸ方向、Ｙ方向への移動（ステップ移動）によって、ウエハＷの露光対象のショット領域が投影光学系ＰＬの露光領域の手前に移動する。そして、露光制御部１４の制御のもとで、レチクルＲのパターンの一部の投影光学系ＰＬによる像でウエハＷの当該ショット領域を露光しつつ、レチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴを同期駆動して、投影光学系ＰＬに対してレチクルＲ及びウエハＷを例えば投影倍率を速度比としてＹ方向に走査することによって、当該ショット領域の全面にレチクルＲのパターンの像が走査露光される。このようにステップ移動と走査露光とを繰り返すことによって、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷの複数のショット領域に対して順次レチクルＲＡのパターンの像が露光される。

　このような露光に際しては、予めレチクルＲＡのパターン及び露光装置ＥＸＡの構成に応じて種々のパラメータの値を設定しておく必要がある。また、例えばカスタムＬＳＩを製造する場合のように小ロット生産を繰り返す場合に、レチクルを交換する毎にそれらのパラメータの値を調整しながら設定するものとすると、露光工程のスループットが低下する恐れがある。本実施形態では、それらのパラメータの値を効率的に設定するためにマスターサーバ６が設けられている。

　図３において、マスターサーバ６は、複数のＣＰＵ（中央演算ユニット）又はＭＰＵ（マイクロプロセッシングユニット）と、半導体メモリと、ハードディスク装置等の大容量の記憶装置とを備えたコンピュータである。また、マスターサーバ６は、通信回線１２，１３との間で送受信を行うためのＩＯポート８Ａと、DVD (digital versatile disk)又はフラッシュメモリ等の記録媒体５３に記録されたデータ及びプログラムを読み取るとともに、記録媒体５３にデータ等を書き込むことが可能な記録再生部５２と、記憶装置の一部である第１記憶部５１及び第２記憶部６１と、オペレータが制御情報等を入力するための入力装置（不図示）と、各種情報を表示するための表示装置（不図示）と、以下で説明するコンピュータのソフトウェア上の種々の機能とを備えている。

　そのソフトウェア上の機能としては、マスターサーバ６の全体の動作を統括的に制御する主制御部５０（例えばオペレーティングシステム）と、主制御部５０がＩＯポート８Ａを制御するためのＩＯ制御部５４と、複数組のパラメータを組毎に計算するパラメータ計算部５５と、パラメータ計算部５５で計算された全部のパラメータの評価を行い、必要に応じてパラメータ計算部５５にパラメータの再計算を行わせる統合計算部５８とがある。第１記憶部５１には、パラメータの設定対象となるレチクルのパターン情報及び露光装置の構成情報等が記憶される。また、第２記憶部６１は統合計算部５８で使用される。これらのソフトウェア上の種々の機能は、それぞれ例えば主制御部５０が記録媒体５３に記録されたプログラムを読み取り、読み取ったプログラムを第１記憶部５１に記憶させた後、必要な機能に対応するプログラムを実行させることによって実現される。

　そして、パラメータ計算部５５は、一例としてそれぞれ第１組、第２組、第３組、第４組、及び第５組のパラメータの値（計算値）を最適化するように計算する第１、第２、第３、第４、及び第５の計算部５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃ，５６Ｄ，５６Ｅを有する。これらの計算部５６Ａ～５６Ｅは、それぞれレチクル及び露光装置の組み合わせ毎に対応する組のパラメータの値を最適化する。そのため、計算部５６Ａ～５６Ｅは、第１記憶部５１に記憶された最適化の対象となるレチクルのパターン情報及び露光装置の構成情報に任意のアクセスできる。一例として、各露光装置ＥＸＡ～ＥＸＥの構成情報は、予め第１記憶部５１に記憶されており、各レチクルのパターン情報は、必要に応じてマスクサーバＭＳＥから通信回線１３、ＩＯポート８Ａ、ＩＯ制御部５４、及び主制御部５０を介して第１記憶部５１に記憶される。なお、パラメータ計算部５５は、少なくとも２組のパラメータを計算する２つの計算部を有するだけでもよい。また、各組のパラメータは少なくとも一つあればよい。

　一例として、第１の計算部５６Ａは、露光装置においてＣＤＵ（Critical Dimension Uniformity）(投影可能な最小線幅のパターンの像の線幅の均一性)を最も高くできるように、第１組のパラメータである＜露光量（ドーズ）Ｄｚ及びフォーカス位置（投影光学系ＰＬの像面に対するウエハの露光面のオフセット）ｂｆ＞の値を最適化する。
　第２の計算部５６Ｂは、光学的近接効果(optical proximity effect)（以下、ＯＰＥという。）による投影像の特性（以下、ＯＰＥ特性という）を複数の露光装置間でマッチングさせるために、第２組のパラメータである＜照明光源のσ値（いわゆるコヒーレンスファクタ）、投影光学系ＰＬの開口数ＮＡ、露光量Ｄｚ、フォーカス位置ｂｆ、及び投影光学系ＰＬの残存する波面収差を規定するパラメータ＞の値を最適化する。投影光学系ＰＬの残存する波面収差を規定するパラメータとしては、一例として１次からの所定次数までのツェルニケ(ZERNIKE) 多項式の係数Ｚａｉ（ｉ＝１，２，…）が使用される。

　第３の計算部５６Ｃは、露光装置において露光光の照射エネルギーによる投影光学系ＰＬの結像特性の変動量（レチクルのパターンに応じて変化する変動量）を最小にするために、第３組のパラメータ（レンズ制御用のパラメータ）である＜照射エネルギーによる結像特性の変動量の飽和値Ｓａｂ及び時定数τ＞の値を求める。この第３組のパラメータの値に基づいて結像特性補正装置３０を駆動することによって、照射エネルギーによる投影光学系ＰＬの結像特性の変動量が最小に抑制されるため、その第３組のパラメータの値を求めることは、実質的に結像特性補正装置３０の駆動量を最適化することを意味する。

　第４の計算部５６Ｄは、露光装置における重ね合わせ誤差を低減するために、第４組のパラメータである＜露光対象のウエハにおける複数のショット領域の配列（グリッド）を規定するパラメータｐｇ、及び投影光学系ＰＬの残存するディストーションｄｉｓ＞の値を最適化する。投影光学系ＰＬの残存するディストーションｄｉｓも、一例として所定次数ｊ（複数でもよい）のツェルニケ多項式の係数Ｚｂｊで表される。

　第５の計算部５６Ｅは、レチクルのパターンにいわゆるＯＰＣ（光学的近接効果補正技術）を適用しても残存している投影像の誤差、及びレチクルのパターンの製造誤差に起因する投影像の誤差（以下、これらの誤差をまとめて、レチクルパターン像の残存誤差という）を最小にするために、第５組のパラメータである＜照明光源のσ値、投影光学系ＰＬの開口数ＮＡ、及び投影光学系ＰＬの残存する波面収差を規定するパラメータ＞の値を最適化する。

　以下の表１において、第１～第５計算部５６Ａ～５６Ｅで最適化されるパラメータに○印を付している。表１において、照明光源形状の規定用のパラメータが照明光源のσ値であり、投影光学系の収差の制御用のパラメータが、投影光学系ＰＬの開口数ＮＡ、投影光学系ＰＬの残存する波面収差を規定するパラメータ、並びに照射エネルギーによる結像特性の変動量の飽和値Ｓａｂ及び時定数τである。

　表１より、第１～第５計算部５６Ａ～５６Ｅで最適化されるパラメータ（第１組～第５組のパラメータ）には少なくとも一部を共通とする組があることが分かる。例えば第２計算部５６Ｂで最適化される第２組のパラメータ中の＜照明光源のσ値＞と、第５計算部５６Ｅで最適化される第５組のパラメータ中の＜照明光源のσ値＞とは共通であり、第１計算部５６Ａで最適化される第１組のパラメータ中の＜露光量Ｄｚ、フォーカス位置ｂｆ＞と、第２計算部５６Ｂで最適化される第２組のパラメータ中の＜露光量Ｄｚ、フォーカス位置ｂｆ＞とは共通である。同様に、第２計算部５６Ｂ、第３計算部５６Ｃ、第４計算部５６Ｄ、及び第５計算部５６Ｅで最適化される第２組、第３組、第４組、及び第５組のパラメータ中の＜投影光学系ＰＬの残存する波面収差（又はディストーション）を規定するパラメータ＞は共通である。

　このように第１～第５計算部５６Ａ～５６Ｅで最適化されるパラメータ間に共通のパラメータがある場合に、第１～第５計算部５６Ａ～５６Ｅで最適化された共通のパラメータの値が互いに異なっている場合、露光装置にその共通のパラメータの値としてどの値を設定するかが問題になる。このため、本実施形態では、一例として、第１～第５計算部５６Ａ～５６Ｅで最適化される第１組～第５組のパラメータ間に表１に示すように優先順位が設定されている。優先順位は番号が小さいほど優先されることを表し、優先順位１の第１組のパラメータの値が最も優先的に露光装置に設定される。なお、優先順位は、例えばＣＤ（Critical Dimension）のように露光装置において最も重要な特性に関するパラメータほど優先されるように設定されている。ただし、優先順位は、レチクルのパターンの最小ピッチ及びウエハ上の露光レイヤ等に応じて変更してもよく、任意の順序に設定することが可能である。

　また、第１組のパラメータの値（例えば露光量Ｄｚ１）を第２組のパラメータの値（例えば露光量Ｄｚ２）よりも優先的に設定するとは、一例として、第１組及び第２組のパラメータの重みをａ１及びｂ１として（ａ１及びｂ１は０以上の実数）、重みａ１を重みｂ１より大きくすることを意味する。このとき、露光装置に設定する露光量Ｄｚ３の値は、次のように露光量Ｄｚ１，Ｄｚ２の加重平均とされる。なお、重みｂ１を０にした場合には、露光装置に設定する露光量Ｄｚ３の値はＤｚ１となる。
　また、それぞれの組で共通するパラメータの値（例えば、露光装置に設定する露光量Ｄｚ３の値）を設定する際、それぞれの組のパラメータの値の平均値を用いることもできる。また、重みａ１及びｂ１をそれぞれほぼ等分にして、第１組及び第２組のパラメータの重みを平均化することもできる。

　Ｄｚ３＝（ａ１・Ｄｚ１＋ｂ１・Ｄｚ２）／（ａ１＋ｂ１）　…（１）
　なお、第１組～第５組のパラメータに付与される重みは、パラメータ毎に異なっていてもよい。
　次に、統合計算部５８は、パラメータ計算部５５の個々の計算部５６Ａ～５６Ｅにそれぞれ対応する組のパラメータを計算させる副制御部６０と、計算部５６Ａ～５６Ｅで計算された５組のパラメータの値から、上述の優先順位に基づいて全部のパラメータの値を決定するパラメータ決定部６２と、仮想露光装置部６３（評価部）と、判定部６４と、最終的に決定されたパラメータの値をＩＯポート８Ａ及び通信回線１２を介して露光装置ＥＸＡ～ＥＸＥの通信ユニット１０Ａ～１０Ｅのいずれかに出力するパラメータ出力部６５とを有する。仮想露光装置部６３は、使用されるレチクル（ここではレチクルＲＡとする）のパターン情報、及び露光装置（ここでは露光装置ＥＸＡとする）の構成情報とその全部のパラメータ（または、一部のパラメータでもよい）の値とを用いて、ソフトウェア上で、レチクルＲＡのパターンを図２の投影光学系ＰＬを介して投影した場合に得られる空間像の光強度分布を計算する。このため、仮想露光装置部６３及び副制御部６０は、それぞれ第１記憶部５１に記憶されたレチクルのパターン情報及び露光装置の構成情報に任意のアクセスできる。

　さらに、仮想露光装置部６３では、その光強度分布を露光量に対応する閾値で２値化して仮想的なレジストパターンの位置及び形状を求めるとともに、露光の継続による照射エネルギーによって変動した後の仮想的なレジストパターンの位置及び形状を求め、これらの仮想的なレジストパターンの位置及び形状の情報に基づいて、ＣＤＵの情報、ＯＰＥ特性、露光光の照射エネルギーによる投影光学系ＰＬの結像特性の変動量、重ね合わせ誤差、及びレチクルパターン像の残存誤差を含む露光結果の予測値を求める（評価する）。この露光結果の予測値の情報は判定部６４に供給される。

　判定部６４では、仮想露光装置部６３から供給される露光結果の予測値、又はパラメータ計算部５５の個々の計算部５６Ａ～５６Ｅで求められる個別の露光結果の予測値をそれぞれ予め設定されている評価基準（例えばある数値範囲内、又はある閾値以上（若しくは以下）であるときに許容範囲とされる基準）と比較し、各露光結果の予測値が評価基準を満たすか否かを判定し、判定結果を副制御部６０に供給する。副制御部６０では、評価基準を満たさない露光結果の予測値がある場合、一例として、パラメータ計算部５５の計算部５６Ａ～５６Ｅにそれぞれ第１組～第５組のパラメータの値を再計算させる。そして、再計算された５組のパラメータをパラメータ決定部６２を介して仮想露光装置部６３に供給し、再度、露光結果の予測値を計算させる。

　そして、各露光結果の予測値がそれぞれ評価基準を満たすときに、副制御部６０は、パラメータ決定部６２で決定されたパラメータ（５組のパラメータに含まれている全部のパラメータ、または一部のパラメータ）の値をレチクルＲＡ及び露光装置ＥＸＡのＩＤ情報に対応させて第２記憶部６１に記憶させる。そのパラメータの値は、各レチクル及び各露光装置ＥＸＡ～ＥＸＥの組み合わせ毎に計算され、計算されたパラメータの値は、レチクル及び露光装置ＥＸＡ～ＥＸＥのＩＤ情報に対応させて第２記憶部６１に記憶される。なお、レチクル及び露光装置の組み合わせ毎に、使用するパラメータが異なっていてもよい。

　以下、本実施形態のリソグラフィシステムＤＭＳにおいて、露光装置ＥＸＡ～ＥＸＥ用のパラメータの値を計算する方法、及びこの計算結果を用いて露光を行ってパターンを形成する方法（パターン形成方法）の一例につき図４のフローチャートを参照して説明する。使用されるレチクルはＩ枚あり（Ｉは１以上の整数）、露光装置はＪ台（Ｊは１以上の整数で、図１の状態ではＪ＝５）あり、設定されるパラメータはＫ組（Ｋは２以上の整数）に分かれているものとする。図３のパラメータ計算部５５は５個の計算部５６Ａ～５６Ｅを有するため、以下ではＫ＝５として説明する。

　まず、図４のステップ１０２において、マスターサーバ６において、オペレータが主制御部５０に、Ｉ枚のレチクル及びＪ台の露光装置用のパラメータの値を決定するように指令を発する。これに応じて、第ｉ番目（ｉ＝１～Ｉ）のレチクルを第ｊ番目（ｊ＝１～Ｊ）の露光装置で使用して露光を行う場合のパラメータの値を決定するものとして説明する。まず、主制御部５０は、第１記憶部５１に第ｉ番目のレチクルのパターン情報が記憶されていない場合には、マスクサーバＭＳＥから通信回線１３を介して第ｉ番目のレチクルのパターン情報（構成データ）を取得して第１記憶部５１に入力する。同様に、主制御部５０は、第１記憶部５１に第ｊ番目の露光装置の構成情報（構成データ）が記憶されていない場合には、第ｊ番目の露光装置から通信回線１２を介して構成情報を取得して第１記憶部５１に入力する。
　なお、レチクルのパターン情報と露光装置の構成情報は、それぞれ必ずしもすべての情報を取得する必要はなく、レチクルのパターン情報の一部、または露光装置の構成情報の一部のみを取得することもできる。

　一例として、その構成情報には、設定が必要なパラメータの種類、設定が必要なパラメータの初期値（設計値）、複数組（本実施形態では５組）のパラメータの値を決定する場合の露光結果の予測値の評価基準ＥＳｋ（ｋ＝１～５）、及び５組のパラメータのそれぞれの重み（優先順位情報）が含まれている。また、その評価基準ＥＳｋは、一例として、それぞれ計算部５６Ａ～５６Ｅで対応する組のパラメータの値を最適化する場合の第１の評価基準ＥＳＡｋと、仮想露光装置部６３でパラメータの値を用いて計算した露光結果の予測値を評価する場合の第２の評価基準ＥＳＢｋとを含んでいる。ここで、第１の評価基準ＥＳＡｋと第２の評価基準ＥＳＢｋとは互いに同じでもよい。また、第１の評価基準ＥＳＡｋに対して第２の評価基準ＥＳＢｋがより狭い（より厳しい）範囲でもよい。

　その後、主制御部５０は、統合演算部５８の副制御部６０に、第ｉ番目のレチクル（以下ではレチクルＲＡとする）及び第ｊ番目の露光装置（以下では露光装置ＥＸＡとする）用のパラメータの値を決定するように指令を発する。これに応じて、副制御部６０は、露光装置ＥＸＡの装置情報から設定が必要なパラメータを認識し、これらのパラメータが含まれる組のパラメータを特定する。ここでは、第１～第５組までのパラメータの値を決定するものとする。このとき、副制御部６０は、第ｋ組（ｋ＝１～５）のパラメータの初期値をパラメータ計算部５５のｋ番目の計算部（５６Ａ～５６Ｅのいずれか）にそれぞれ入力し（ステップ１０４）、露光結果の予測値の第１の評価基準ＥＳＡｋ及び第２の評価基準ＥＳＢｋを判定部６４に入力する（ステップ１０６）。

　次に、副制御部６０は、パラメータ計算部５５のｋ番目の計算部に、それぞれ第ｋ組のパラメータを用いて露光結果の予測値を個別に計算させる（ステップ１０８）。この計算に際して、他の組のパラメータの値が必要になるときには、一例としてこのパラメータの初期値を使用してもよい。ステップ１０４，１０６，１０８は５組のパラメータ（５個の計算部５６Ａ～４５Ｅ）に関してそれぞれ実行される。その５個の露光結果の予測値は判定部６４に供給され、判定部６４では、５個の露光結果の予測値がそれぞれ上記の第１の評価基準ＥＳＡｋ（ｋ＝１～５）の範囲内か否か、すなわち第１の評価基準ＥＳＡｋを満たしているか否かを評価する（ステップ１１０）。

　一例として、第１の計算部５６Ａで求められる露光結果の予測値は、一例として上述のＣＤＵを所定値以上にするために必要な露光量及びフォーカス位置の変動可能な幅を示すプロセスウィンドウＰＷ１（図６（Ｂ）参照）である。プロセスウィンドウＰＷ１の中央の露光量Ｄｚ１（ベストドーズ）及びその中央のフォーカス位置ｂｆ１（ベストフォーカス位置）が第１組のパラメータとなる。そこで、第１組のパラメータに対応する第１の評価基準ＥＳＡ１は、そのプロセスウィンドウの露光量の幅ΔＤｚ及びフォーカス位置の幅Δｂｆを含み、求められたプロセスウィンドウＰＷ１の幅がΔＤｚ及びΔｂｆ以上である場合に、第１の計算部５６Ａで求められる露光結果の予測値は、第１の評価基準ＥＳＡ１を満たしていることになる。

　また、第２の計算部５６Ｂで求められる露光結果の予測値としての上述のＯＰＥ特性は、一例として、図６（Ａ）に示すように、線幅が同じでピッチが異なる種々のライン・アンド・スペースパターンの像を露光した場合に得られる像の線幅をピッチに対応させてプロットした点線の曲線Ａ２である。これに対して、実線の曲線Ａ１は、複数の露光装置でＯＰＥ特性をマッチングさせる際の目標となる特性を示す。そこで、第２組のパラメータに対応する第１の評価基準ＥＳＡ２は、一例として複数のピッチの位置におけるその曲線Ａ１，Ａ２間の差分の自乗和の基準値ΣＳＱである。その曲線Ａ１，Ａ２間の差分の自乗和が基準値ΣＳＱ以下である場合に、第２の計算部５６Ｂで求められる露光結果の予測値は、第１の評価基準ＥＳＡ２を満たしていることになる。

　また、第３の計算部５６Ｃで求められる露光結果の予測値は、一例として、照射エネルギーによる投影光学系ＰＬの結像特性の変動量を結像特性補正装置３０で補正した後の残存収差である。そこで、第３組のパラメータに対応する第１の評価基準ＥＳＡ３は、一例として所定次数までのツェルニケ多項式の係数（ツェルニケ係数）Ｚｃｉである。そして、その残存収差のツェルニケ係数がそれぞれ対応する係数Ｚｃｉ以下である場合に、第３の計算部５６Ｃで求められる露光結果の予測値は、第１の評価基準ＥＳＡ３を満たしていることになる。

　また、第４の計算部５６Ｄで求められる露光結果の予測値は、露光されたパターン像の重ね合わせ誤差であり、この重ね合わせ誤差が第１の評価基準ＥＳＡ４以下である場合に、その露光結果の予測値は、第１の評価基準ＥＳＡ４を満たしていることになる。
　また、第５の計算部５６Ｅで求められる露光結果の予測値は、上述のレチクルパターン像の残存誤差（目標とする形状に対する誤差）であり、この誤差（例えば投影像の線幅の誤差）の絶対値が第１の評価基準ＥＳＡ５以下である場合に、その露光結果の予測値は、第１の評価基準ＥＳＡ５を満たしていることになる。

　その５個の露光結果の予測値のうち、少なくとも一つの露光結果の予測値が第１の評価基準ＥＳＡｋを満たしていない場合、ステップ１１２に移行する。そして、例えばｋ番目の露光結果の予測値が第１の評価基準ＥＳＡｋを満たしていなかった場合、副制御部６０は、ｋ番目の計算部（５６Ａ～５６Ｅのいずれか）に対して、露光結果の予測値が対応する第１の評価基準ＥＳＡｋを満たすように、第ｋ組のパラメータの値を最適化させる。このステップ１１２は、露光結果の予測値が対応する第１の評価基準ＥＳＡｋを満たさなかった全部の計算部（５６Ａ～５６Ｅのいずれか）において実行される。

　その後、ステップ１０８において、最適化された第ｋ組のパラメータを用いて対応する計算部で露光結果の予測値を計算し、ステップ１１０において、その露光結果の予測値が、対応する第１の評価基準ＥＳＡｋを満たしているか否かを評価する。そして、５個の露光結果の予測値がそれぞれ対応する第１の評価基準ＥＳＡｋを満たしたときに、動作はステップ１１４に移行して、副制御部６０は、５個（Ｋ＝５）の計算部５６Ａ～５６Ｅで最適化された５組のパラメータを第２記憶部６１に記憶させる。なお、ステップ１１２を実行した時点で、通常は第ｋ番目の露光結果の予測値は対応する第１の評価基準ＥＳＡｋを満たすため、ステップ１０８，１１０を省略してステップ１１４に移行してもよい。

　その後、パラメータ決定部６５は、その最適化された５組のパラメータのそれぞれの重み（優先順位情報）を用いて、５組のパラメータのうちの共通のパラメータについては加重平均を計算することによって、その５組のパラメータに含まれるパラメータの値を決定し、決定されたパラメータの値を仮想露光装置部６３に入力（設定）する（ステップ１１６）。

　一例として、レチクルＲＡ用の照明光源４４Ａの設計上の光強度分布は、図５（Ａ）に示すように、照明光学系ＩＬＳの光軸ＡＸＩをＸ方向及びＹ方向に挟むように配置された４極の領域４４Ａａで光強度が高くなる分布であるとする。この照明光源４４Ａの外側及び内側のσ値はそれぞれσ１１及びσ２１であるとする。なお、点線の円周４５はσ値が１の境界部を示す。

　これに対して、第２の計算部５６ＢでＯＰＥ特性をマッチングさせるために最適化された第２組のパラメータ中の照明光源のσ値は、図５（Ｂ）の照明光源４４Ｂで示すように、外側の値であるσ１２及び内側の値であるσ２２を含んでいるものとする。また、第５の計算部５６Ｅでレチクルパターン像の残存誤差を最小にするために最適化された第５組のパラメータ中の照明光源のσ値は、図５（Ｃ）の照明光源４４Ｃで示すように、外側の値であるσ１３及び内側の値であるσ２３を含んでいるものとする。これらの照明光源４４Ｂ及び４４Ｃは、それぞれ図５（Ａ）の元の照明光源４４Ａの内径及び外径を調整したものに相当する。

　この場合、一例として、第２組及び第５組のパラメータの重みをａ２及びｂ２として（ａ２及びｂ２は０以上の実数）、重みａ２は重みｂ２より大きく設定されている。そして、仮想露光装置部６３に設定される照明光源のσ値の外側の値σ２４及び内側の値σ２５は、それぞれ以下のような加重平均で表される。このようなσ値を持つ照明光源４４Ｄを図５（Ｄ）に示す。

　σ２４＝（ａ２・σ１２＋ｂ２・σ１３）／（ａ２＋ｂ２）　…（２Ａ）
　σ２５＝（ａ２・σ２２＋ｂ２・σ２３）／（ａ２＋ｂ２）　…（２Ｂ）
　この際に、外側のσ値と内側のσ値とで第２組及び第５組のパラメータの重みを異ならせてもよい。
　また、第１の計算部５６Ａにおいて、ＣＤＵに基づいて最適化された第１組のパラメータ中の露光量及びフォーカス位置の値をそれぞれＤｚ１及びｂｆ１として、第２の計算部５６Ｂにおいて、ＯＰＥ特性マッチングさせるために最適化された第２組のパラメータ中の露光量及びフォーカス位置の値をそれぞれＤｚ２及びｂｆ２とする。この場合、仮想露光装置部６３に設定される露光量の値Ｄｚ３は、上記の式（１）で表される。また、フォーカス位置に関しては、第１組のパラメータの重みを１、第２組のパラメータの重みを０とすると、仮想露光装置部６３に設定されるフォーカス位置の値はｂｆ１となる。この結果、仮想露光装置部６３で求められるプロセスウィンドウＰＷ２は、図６（Ｃ）に示すように、一例として露光量Ｄｚ３及びフォーカス位置ｂｆ１を中心に設定される。同様に複数の組間で共通するパラメータの値も決定される。

　そして、仮想露光装置部６３において、第ｉ番目のレチクルＲＡのパターン情報、第ｊ番目の露光装置ＥＸＡの構成情報、及びそのパラメータの値を用いて、シミュレーションによってレチクルＲＡの投影光学系ＰＬによる空間像の光強度分布を計算することによって、上述の計算部５６Ａ～５６Ｅによって求められた５個の露光結果の予測値に対応する露光結果の予測値（以下、第１～第５の露光結果の予測値という）を求める（ステップ１１８）。

　その後、その第１～第５の露光結果の予測値は判定部６４に供給され、判定部６４では、その５個の露光結果の予測値がそれぞれ上記の第２の評価基準ＥＳＢｋ（ｋ＝１～５）の範囲内か否か、すなわち第２の評価基準ＥＳＢｋを満たしているか否かを評価する（ステップ１２０）。ステップ１２０における動作は、評価基準が第２の評価基準ＥＳＢｋとなっていること以外はステップ１１０の動作と同じである。

　その５個の露光結果の予測値のうち、少なくとも一つの露光結果の予測値が第２の評価基準ＥＳＢｋを満たしていない場合、ステップ１２２に移行する。そして、例えばｋ番目の露光結果の予測値が第２の評価基準ＥＳＢｋを満たしていなかった場合、副制御部６０は、一例として、そのｋ番目の露光結果の予測値に関係するパラメータを含む組のパラメータの値を、対応する計算部（５６Ａ～５６Ｅのうち少なくとも一つ）に再計算させる。この計算に際しては、各計算部において、一例として、それぞれ対応する露光結果の予測値が、その第２の評価基準をより狭くした評価基準を満たすように対応する組のパラメータを最適化する。なお、ステップ１２２においては、一律に全部の計算部５６Ａ～５６Ｅにおいてそれぞれ対応する組のパラメータを再計算させてもよい。

　ステップ１２２において、複数の計算部に対応する組のパラメータを再計算させる場合、優先順位の低い組のパラメータを計算する計算部から順に再計算を行わせてもよい。また、優先順位の低い組のパラメータのみを再計算し、優先順位の高い組のパラメータは再計算しないようにすることもできる。また、例えばある組のパラメータを計算する計算部において、他の組に含まれるパラメータの値が必要になる場合、このパラメータの値としては、他の計算部において最後に計算された値を使用してもよい。

　また、ステップ１２２において、例えば第２計算部５６Ｂにおいて、第２組のパラメータである＜照明光源のσ値、投影光学系ＰＬの開口数ＮＡ、露光量Ｄｚ、フォーカス位置ｂｆ、及び投影光学系ＰＬの残存する波面収差を規定するパラメータ＞の値を再計算する場合を想定する。このとき、一例として、第２組のパラメータ中のフォーカス位置ｂｆの値に関しては、優先順位がより上位の第１計算部５６Ａにおいて直前に計算された第１組のパラメータ中のフォーカス位置ｂｆの値をそのまま使用してもよい。同様に、計算部５６Ｂ～５６Ｅにおいて対応する組のパラメータの値を再計算する場合に、より上位の計算部５６Ａ～５６Ｄにおいて直前に計算された組のパラメータ中の対応するパラメータの値をそのまま使用してもよい。これによって、露光結果の予測値を第２の評価基準を満たすようにして、計算部５６Ｂ～５６Ｅにおける計算量を少なくできる。

　その後、動作はステップ１１６に戻り、ステップ１２２で再計算された組のパラメータを含む５組のパラメータのうちの共通のパラメータについては加重平均を計算することによって、その５組のパラメータに含まれる全部のパラメータの値を決定し、決定された全部のパラメータの値を仮想露光装置部６３に入力（設定）する。その後、ステップ１１８（仮想露光装置部６３における露光結果の予測値の計算）及びステップ１２０（露光結果の予測値の評価）を実行し、５個の露光結果の予測値がそれぞれ対応する第２の評価基準ＥＳＢｋを満たしたときに、動作はステップ１２４に移行して、副制御部６０は、計算された５組のパラメータに含まれる全部のパラメータの値を、第ｉ番目のレチクルのＩＤ情報及び第ｊ番目の露光装置のＩＤ情報に対応させて第２記憶部６１に記憶させる。

　同様にレチクル及び露光装置の他の組み合わせに対してもそれぞれステップ１０２～１２４までの動作を実行することによって、Ｉ枚のレチクル及びｊ台の露光装置の全部の組み合わせに対して、パラメータの値を決定することができる。
　その後、図１の露光装置ＥＸＡにおいて、レチクルＲＡを用いて露光を行うときには、露光装置ＥＸＡの主制御部４０が通信回線１２を介してマスターサーバ６の主制御部５０に、レチクルＲＡ及び露光装置ＥＸＡに対応したパラメータの値を要求する。これに応じて主制御部５０から副制御部６０に当該パラメータの値を送信するように制御情報が出力される。その後、副制御部６０は、第２記憶部６１から読み出した、レチクルＲＡ及び露光装置ＥＸＡに対応するパラメータの値を、パラメータ出力部６５、ＩＯポート８Ａ、通信回線１２、露光装置ＥＸＡの通信ユニット１０Ａを介して露光装置ＥＸＡの主制御部４０に供給する（ステップ１２６）。

　露光装置ＥＸＡの主制御部４０では、供給されたパラメータの値を露光制御部１４に供給し、露光制御部１４は、供給されたパラメータの値を記憶部３８に記憶させるとともに、結像特性補正装置３０及び光学系３７に対応するパラメータの値を設定する。その後、設定されたパラメータの値に基づいて、レチクルＲＡのパターンの像を投影光学系ＰＬを介して所定ロット数のウエハＷの各ショット領域に順次露光する（ステップ１２８）。この際にパラメータの値が最適化されているため、高精度に露光を行うことができる。露光後のウエハをコータ・デベロッパ（不図示）で現像することによって、レジストパターンが形成される。

　その後、レチクルＲＡの代わりに別のレチクルＲＢを用いて露光を行う場合には、マスターサーバ６から露光装置ＥＸＡに、レチクルＲＢ及び露光装置ＥＸＡの組み合わせに対して最適化されたパラメータを供給する。このパラメータを用いて露光を行うことによって、レチクルＲＢのパターンの像を高精度に露光できる。このような露光に際して、露光装置ＥＸＡ側ではパラメータの値の調整を行う必要がないため、例えば小ロット生産を繰り返して行う場合でも、露光精度を高く維持しながら、露光工程のスループットを高く維持できる。

　また、一例として、露光及び現像後のウエハの一部を抜き取り、抜き取ったウエハを図１の検査装置ＭＥＡに搬送し、検査装置ＭＥＡにおいてウエハ上の最も微細なレジストパターンの線幅の均一性（ＣＤＵ）等を計測し、この計測結果を通信回線１２を介してマスターサーバ６に送信してもよい。また、露光装置ＥＸＡにおいて、例えば特性計測装置２０を用いて照明光源の形状、及び／又は照射エネルギーによる投影光学系ＰＬの残存する収差等を計測し、この計測結果を通信回線１２を介してマスターサーバ６に送信してもよい。

　この場合、一例として、それらの計測結果は、マスターサーバ６内で主制御部５０及び副制御部６０を介して判定部６４に供給され、判定部６４でその計測結果が第２の評価基準を満たすか否かを評価してもよい。そして、その計測結果の少なくとも一部がその第２の評価基準を満たしていない場合、ステップ１２２と同様に、その第２の評価基準を満たしていない露光結果に対応する組のパラメータを再計算させ、得られたパラメータによってステップ１１６で決定される全部のパラメータの値を、レチクルＲＡ及び露光装置ＥＸＡ用の全部のパラメータとして露光装置ＥＸＡに供給し、露光装置ＥＸＡではこの供給されたパラメータを用いて露光を行うようにしてもよい。これによって、より高精度に露光を行うことができる。

　上述のように、本実施形態のリソグラフィシステムＤＭＳは、ウエハＷ（基板）に露光及び現像によってパターンを形成するリソグラフィシステムであって、そのパターンの形成に関する露光装置ＥＸＡにおける第１組のパラメータ＜露光量Ｄｚ（ベストドーズ）、及びフォーカス位置ｂｆ（ベストフォーカス位置）＞の値を求める（ステップ１０８）第１計算部５６Ａ（第１のシミュレーション演算部）と、そのパターンの形成に関する露光装置ＥＸＡにおけるその第１組のパラメータと少なくとも一部が共通する第２組のパラメータ＜照明光源のσ値、投影光学系の開口数ＮＡ、露光量Ｄｚ、フォーカス位置ｂｆ、及び投影光学系の残存する波面収差を規定するパラメータ＞の値を求める（ステップ１０８）第２計算部５６Ｂ（第２のシミュレーション演算部）と、を備えている。さらに、リソグラフィシステムＤＭＳは、その第１組及び第２組のパラメータの値に基づいて、ウエハＷに形成されるパターンの状態（例えばＯＰＥ特性）及びこのパターンを形成する際の形成条件（ＣＤＵを最も広くできる露光量及びフォーカス位置の変動可能範囲（プロセスウィンドウ））を評価し（ステップ１１８）、この評価結果に応じて、計算部５６Ａ及び５６Ｂの少なくとも一方に対応する組のパラメータの値を再計算させるか否かを決定する（ステップ１２０）統合演算部５８を備えている。

　また、本実施形態のマスターサーバ６は、ウエハＷにパターンを形成するためのリソグラフィシステム用のシミュレーション装置であって、そのパターンの形成に関して計算されるその第１組のパラメータの値、及びその第１組のパラメータと少なくとも一部が共通するその第２組のパラメータの値に基づいて、ウエハＷに形成されるパターンの状態及びこのパターンを形成する際の形成条件を評価し（ステップ１１８）、この評価結果に応じて、その第１組及び第２組のパラメータの少なくとも一方の値を対応する計算部５６Ａ，５６Ｂに再計算させるか否かを決定する（ステップ１２０）統合演算部５８を備えている。

　本実施形態のリソグラフィシステムＤＭＳ、マスターサーバ６、リソグラフィシステムＤＭＳを用いるパターン形成方法、又はマスターサーバ６を用いるパターン形成方法によれば、統合演算部５８において予め第１組及び第２組のパラメータを含むパラメータを用いてウエハＷに形成されるパターンの状態及びこのパターンを形成する際の形成条件を評価しているため、例えばこの評価結果（露光結果）が所定の基準（評価基準）を満たしていない場合には、対応する組のパラメータを再計算させることによって、実際の露光を行うことなく、その第１組及び第２組のパラメータに含まれる全部のパラメータの値を効率的に最適化できる。

　このため、露光工程（リソグラフィ工程）で使用されるパラメータを効率的に最適化（設定）することができる。そして、最適化（設定）されたパラメータを露光装置ＥＸＡで使用することによって、露光装置ＥＸＡにおいてはレチクルの交換毎にパラメータの調整を行う必要がなくなるため、小ロット生産を行う場合でも、露光工程のスループットを高く維持できる。

　また、本実施形態においては、表１のように優先順位が定められている。そして、第５組のパラメータは、露光装置の照明系の瞳面における光強度分布（照明光源）を規定するパラメータ（σ値）を含み、第４組のパラメータは、露光装置の投影系の結像特性に関するパラメータ（残存するディストーションｄｉｓ）を含んでおり、統合演算部５８で、ステップ１２２において、計算部５６Ｅ及び５６Ｄにそれぞれ対応する組のパラメータの値を再計算させることを決定したときには、優先順位の低い計算部５６Ｅにその第５組のパラメータの値を再計算させた後、より優先順位の高い計算部５６Ｄにその第４組のパラメータの値を再計算させることになる。

　また、第４組のパラメータは、露光装置によって基板に形成されるパターンの重ね合わせ誤差に関するパラメータ（残存するディストーションｄｉｓ）を含み、第３組のパラメータは、露光装置の投影系の収差特性の経時変化に関するパラメータ（照射エネルギーによる結像特性の変動量の飽和値Ｓａｂ及び時定数τ）を含んでおり、統合演算部５８で、ステップ１２２において、計算部５６Ｄ及び５６Ｃにそれぞれ対応する組のパラメータの値を再計算させることを決定したときには、優先順位の低い計算部５６Ｄにその第４組のパラメータの値を再計算させた後、より優先順位の高い計算部５６Ｃにその第３組のパラメータの値を再計算させることになる。これによって、各組のパラメータを効率的に計算できる。

　なお、本実施形態では次のような変形が可能である。
　まず、本実施形態では、全部の露光装置ＥＸＡ～ＥＸＥ用のパラメータを計算しているが、機種が同じ露光装置については、そのうちの１台について計算したパラメータを同じ機種の他の露光装置に設定してもよい。
　また、同一ライン上にある複数の露光装置に関して、例えば重ね合わせ誤差に関するパラメータなどは露光結果の予測値が互いにほぼ同じ結果になるように、パラメータの値を決定してもよい。

　また、本実施形態では、ステップ１２２において、複数の計算部５６Ａ～５６Ｅに対応する組のパラメータを再計算させる場合、一例として優先順位の低い組のパラメータを計算する計算部（優先順位の低い計算部）から順に計算を行わせている。この代わりに、優先順位の高い組のパラメータを計算する計算部（優先順位の高い計算部）から順に計算を行わせてもよい。
　また、優先順位の高い計算部で計算されたパラメータが優先順位の低い計算部で計算する組のパラメータに含まれている場合、その優先順位の高い計算部で計算されたパラメータの値（計算値）については変更することなく、そのまま使用してもよい。
　また、優先順位の低い計算部で計算されたパラメータが優先順位の高い計算部で計算する組のパラメータに含まれている場合、その優先順位の低い計算部で計算されたパラメータの値（計算値）については変更することなく、そのまま使用してもよい。

　また、上述の実施形態では、ステップ１１０で露光結果の予測値が第１評価基準の範囲内でなかった組のパラメータに関して、ステップ１１２で対応する計算部にその組のパラメータの最適化を行わせている。これに対して、最初から複数の計算部に優先順位に応じた順序でそれぞれ対応する組のパラメータを計算させてもよい。一例として、第１計算部が投影光学系ＰＬの残存収差をある許容範囲（この変形例での第１の評価基準）内に収めるために、第１組のパラメータＰＡ，ＰＢ，ＰＣの値又は範囲を求め、第２計算部が、露光装置ＥＸＡのＯＰＥ特性と所定の基準特性（他の露光装置のＯＰＥ特性等）との相違（偏差の自乗和等）をある許容範囲（この変形例での第２の評価基準）内に収めるために、第２組のパラメータＰＡ，ＰＢの値又は範囲を求める場合につき、図７のフローチャートを参照して説明する。この例では、第１計算部の優先順位が第２計算部よりも高く、かつ第１組のパラメータと第２組のパラメータとではパラメータＰＡ，ＰＢが共通であるとする。この例でのパラメータ（ＰＡ，ＰＢ，ＰＣ）は、それぞれ例えば（９次のツェルニケ多項式の係数Ｚａ９、フォーカス位置、９次以外のツェルニケ多項式の係数Ｚａｊ（ｊ＝１～８，１０～４９等））である。

　この変形例においては、一例として優先順位の高い計算部から順に対応するパラメータを計算によって求める。すなわち、図７のステップ１３２において、図４のステップ１０２と同様に、第ｉ番目のレチクルの構成データ（パターン配置、フーリエ変換パターン、三次元構造等のデータ）、及び露光装置ＥＸＡの計測データ（波面収差の計測結果等）を入力し、入力されたデータを第１、第２計算部で使用できるようにする。次に、第１計算部用の残存収差の許容範囲（第１の評価基準）、及び第２計算部用のＯＰＥ特性の許容範囲（第２の評価基準）を例えばオペレータが入力する（ステップ１３４）。なお、この変形例における第１、第２評価基準は、予め設定されている基準を使用してもよい。

　そして、その第１評価基準のもとで、その第１計算部がその第１組のパラメータＰＡ，ＰＢ，ＰＣの許容範囲（ｐａ１±α，ｐｂ１±β，ｐｃ１±γとする）を求め（ステップ１３６）、その第２評価基準のもとで、その第２計算部がその第２組のパラメータＰＡ，ＰＢの値（ｐａ１＋２・α，ｐｂ１＋β／２とする）を求める（ステップ１３８）。その後、ステップ１４０において、その第２組のパラメータＰＡ，ＰＢの値がその第１組のパラメータＰＡ，ＰＢの許容範囲内かどうかを判定する。その第２組のパラメータＰＡ，ＰＢの値がその第１組のパラメータＰＡ，ＰＢの許容範囲内である場合には、動作は図４のステップ１１８に移行する。

　一方、この例では、第２組内のパラメータＰＢの値（ｐｂ１＋β／２）は、第１組の対応するパラメータＰＢの許容範囲（ｐｂ１±β）内であるが、第２組のパラメータＰＡの値（ｐａ１＋２・α）が、第１組の対応するパラメータＰＡの許容範囲（ｐａ１±α）から外れているため、動作はステップ１４２に移行する。そして、一例として、第２組のパラメータのうち、許容範囲外のパラメータＰＡの値（ｐａ１＋２・α）を用いて、その第１計算部でその第１組のパラメータを再び最適化する。すなわち、その第１計算部では、パラメータＰＡの値としてステップ１３８で求められた値（ｐａ１＋２・α）を用いて、その第１評価基準のもとで、他のパラメータＰＢ，ＰＣの許容範囲（ｐｂ２±β１，ｐｃ２±γ１とする）を求める。そして、ステップ１４４において、ステップ１３８で求めた第２組中のパラメータＰＢの値（ｐｂ１＋β／２）が、ステップ１４２で求めた第１組のパラメータＰＢの許容範囲（ｐｂ２±β１）内かどうかを判定する。その第２組のパラメータＰＢの値がその第１組のパラメータＰＢの許容範囲内である場合には、動作は図４のステップ１１８に移行する。

　一方、ステップ１４４において、その第２組のパラメータＰＢの値がその第１組のパラメータＰＢの許容範囲外である場合には、動作はステップ１４６に移行して、その第２計算部で計算する第２組のパラメータの第２評価基準（ＯＰＥ特性の許容範囲）を大きい方向に変更する。その後、ステップ１３８に移行して、その第２計算部でその変更後の第２評価基準のもとで第２組のパラメータＰＡ～ＰＣの最適化を行う。この後、ステップ１４０．１４２，１４４の動作が繰り返される。なお、ステップ１４４の動作を所定回数（例えば２回）繰り返しても、ステップ１４０において、その第２組のパラメータの値がその第１組のパラメータの許容範囲内にならない場合には、例えばオペレータにアラームを発するか、又は第１計算部で求められたパラメータの範囲内で、その第２計算部で求められたパラメータの値に最も近い値を、最適化されたパラメータの値としてもよい。

　上述のように、この変形例のリソグラフィシステムＤＭＳは、ウエハＷ（基板）にパターンを形成するためのリソグラフィシステムであって、そのパターンの形成に関する第１組のパラメータの値を求める第１の演算部（計算部５６Ａ～５６Ｅのいずれか）と、その第１組のパラメータと少なくとも一部が共通する共通パラメータを含む、そのパターンの形成に関する第２組のパラメータの値を求める第２の演算部（計算部５６Ａ～５６Ｅのいずれか）と、その第１組のパラメータの値と、その第２組のパラメータとの少なくとも一方の値を用いて、その共通パラメータの値を決定する統合演算部５８と、を備えている。

　この変形例によれば、優先順位の高い計算部で最適化されたパラメータと整合するように、優先順位の低い計算部でパラメータが最適化されるため、重視したい評価基準に合わせてパラメータを最適化できる。なお、この変形例において、ステップ１４２及び１４６の少なくとも一方を実行するのみでもよい。
　また、優先順位の高い計算部から順に対応するパラメータを計算する方法としては、図８のフローチャートで示すように、グループ別にパラメータを計算する方法を使用してもよい。なお、図８に示す変形例で使用される第１～第７の評価基準は、上述の第１、第２の評価基準とは異なっているとともに、第１計算部等の機能は上述の第１計算部等の機能とは異なっている。

　図８の例においては、第１計算部では、露光結果の露光量及びフォーカス位置の許容範囲であるプロセスウィンドウの幅が許容範囲（第１評価基準）以上になるように、第１組のパラメータ（例えば照明系のσ値、輪帯照明の場合の輪帯比、波面収差中の９次のツェルニケ多項式の係数Ｚａ９、及びステージ系の同期精度を示すＭＳＤ(Moving Standard Deviation: 移動標準偏差)等）を最適化する。また、第２計算部では、残存収差をある許容範囲（第２評価基準）内に収めるために、第２組のパラメータ（ツェルニケ多項式の係数Ｚａｊ（ｊ＝１～４９等），フォーカス位置等）を最適化し、第３計算部では、ＯＰＥ特性をある許容範囲（第３の評価基準）内に収めるために、第３組のパラメータ（ツェルニケ多項式の係数Ｚａ９，フォーカス位置等）を最適化する。

　また、第４計算部では、露光光の照射エネルギーによる投影光学系ＰＬの結像特性の変動量をある許容範囲（第４の評価基準）内に収めるために、第４組のパラメータ（上述のレンズ制御用のパラメータＳａｂ，τ）を最適化し、第５計算部では、ＣＤＵ（Critical Dimension Uniformity）をある許容範囲（第５の評価基準）内に収めるために、第５組のパラメータ（露光量、フォーカス位置等）を最適化する。また、第６計算部では、重ね合わせ誤差をある許容範囲（第６の評価基準）内に収めるために、第６組のパラメータ（投影光学系のディストーション、ステージ系の同期精度を示すＭＳＤ等）を最適化し、第７計算部では、露光対象のウエハ面の投影光学系のベストフォーカス位置からのずれ量をある許容範囲（第７の評価基準）内に収めるために、第７組のパラメータ（フォーカス位置等）を最適化する。この変形例では、第１計算部では、プロセスウィンドウの幅を許容範囲以上にする第１計算部の優先後が最も高いことになる。

　さらに、この変形例においては、第１～第３計算部が第１グループとされ。第４～第７計算部が再２グループとされており、第１グループ内ではパラメータの計算順序を変更することが可能であり、第２グループ内でもパラメータの計算順序を変更することが可能である。これに対して、第１グループ内と第２グループ内との間でパラメータの計算順序を変更することは好ましくない。

　この変形例においては、まず図８のステップ１３２で第ｉ番目のレチクルの構成データ、及び露光装置ＥＸＡの計測データを入力し、ステップ１５０で、オペレータが第１～第７の評価基準を入力する。なお、この変形例における第１～第７の評価基準としても、予め設定されている基準を使用してもよい。

　そして、その第１評価基準のもとで、その第１計算部が第１組のパラメータを最適化し（ステップ１５２）、その第２評価基準のもとで、その第２計算部がその第２組のパラメータを最適化し（ステップ１５４）、その第３評価基準のもとで、その第３計算部がその第３組のパラメータを最適化する（ステップ１５６）。その後、その第４評価基準のもとで、その第４計算部が第４組のパラメータを最適化し（ステップ１５８）、その第５評価基準のもとで、その第５計算部がその第５組のパラメータを最適化し（ステップ１６０）、その第６評価基準のもとで、その第６計算部がその第６組のパラメータを最適化し（ステップ１６２）、その第７評価基準のもとで、その第７計算部がその第７組のパラメータを最適化する（ステップ１６４）。その後、動作は図４のステップ１１８に移行する。

　この変形例によれば、優先度の高い計算部から順に対応する組のパラメータを最適化することによって、優先度の高い評価基準に合わせてパラメータを最適化できる。
　なお、この変形例において、第１～第７計算部の個数は任意であり、複数の計算部を３個以上のグループに分けることも可能である。

　また、上述の実施形態及びその変形例において、例えば第４計算部で第４組のパラメータを最適化するときに、第２計算部で最適化した第２組のパラメータを変化させた方が好ましくなるような結果が生じた場合には、その変化した第２組のパラメータを得るため、第２計算部で第２組のパラメータを再度最適化するようにしてもよい。
　一例を挙げると、まず、ＯＰＥ特性を複数の露光装置間でマッチングするため、第２計算部で、例えば、＜照明光源のσ値（いわゆるコヒーレンスファクタ）、投影光学系ＰＬの開口数ＮＡ、露光量Ｄｚ、フォーカス位置ｂｆ、及び投影光学系ＰＬの残存する波面収差を規定するパラメータ＞の値の最適化を行う。その後、重ね合わせ誤差を低減するため、第４計算部で＜露光対象のウエハにおける複数のショット領域の配列（グリッド）を規定するパラメータｐｇ、及び投影光学系ＰＬの残存するディストーションｄｉｓ＞の値の最適化を行う。

　ここで、第４計算部で値の最適化ができなかった場合には、第２計算部で値の最適化を行った第２組のパラメータのうち、少なくとも１つ（例えばフォーカス位置ｂｆ）の値を他の値（例えば、前に最適化で用いたフォーカス位置ｂｆの値よりも小さなフォーカス位置ｂｆの値）に変更・設定し直した上で、第２計算部で第２組のパラメータの再最適化を行い、その後、第４計算部による第４組のパラメータの再最適化を行うようにしてもよい。
　このようにして、少なくとも１つの計算部（例えば第４計算部）による最適化ができなかった場合、他の計算部（例えば第２計算部）によってすでに最適化された値を変更させた上で、再度少なくとも１つの計算部（例えば第４計算部）による最適化を行うこともできる。

　なお、少なくとも１つの計算部（例えば第２計算部）によって、すでに最適化された値を変更させるのは、１つの値（例えば、フォーカス位置ｂｆ）だけに限らず、複数の値（例えば、照明光源のσ値（いわゆるコヒーレンスファクタ）、投影光学系ＰＬの開口数ＮＡ、露光量Ｄｚ、フォーカス位置ｂｆ、及び投影光学系ＰＬの残存する波面収差を規定するパラメータのうちの少なくとも２つ以上）を変更させることもできる。
　また、少なくとも１つの計算部（例えば第２計算部）によって、すでに最適化された値の影響の大きさ（少なくとも１つの計算部が最適化したパラメータによって、再最適化が必要となる他の計算部の数）によって、各計算部（例えば第１～５計算部）の計算順位（優先度）を決定することもできる。

　一例を挙げると、第１計算部によって第１組のパラメータの最適化を行った後、第２計算部によって第２組のパラメータの再最適化が必要となる場合（１つの計算部に影響）と、第２計算部によって第２組のパラメータの最適化を行った後、第３計算部によって第３組のパラメータの再最適化、および第４計算部によって第４のパラメータの再最適化が必要となる場合（２つの計算部に影響）とがあれば、影響する計算部の数に応じて、第２計算部による最適化よりも第１計算部による最適化の優先順位を上位にしたり、下位にしたりすることができる。

　また、上述の実施形態の変形例において、図８の第１組のパラメータを最適化する評価基準はプロセスウィンドウの幅である。このプロセスウィンドウの幅の代わりの評価基準として、一例として、イメージログスロープ（ＩＬＳ：image log slope）又は正規化イメージログスロープ（ＮＩＬＳ：normalized image log slope）を使用してもよい。
　ＩＬＳ及びＮＩＬＳは、パターンの任意の部分を結像する場合、結像ツールの性能を求めるために使用される既知の評価基準である。また、パターンの空間像の対数の勾配をＩＬＳと呼び、これはパターンのエッジの位置における光強度の勾配を表す。また、ＮＩＬＳは、ＩＬＳにパターン寸法を掛けて規格化したものである。

　また、本実施形態では、マスターサーバ６内に統合演算部５８が設けられている。別の構成として、各露光装置ＥＸＡ～ＥＸＥの通信ユニット１０Ａ～１０Ｅに相当する部分にそれぞれ統合演算部５８と同様のシミュレーション部を設け、このシミュレーション部で、計算部５６Ａ～５６Ｅにおいて計算された第１組～第５組のパラメータを含むパラメータを用いて露光結果の予測値を計算してもよい。この場合、露光結果の予測値が評価基準を満たさない場合に、対応する計算部５６Ａ～５６Ｅにパラメータの再計算（最適化）を行わせることによって、効率的にパラメータの値を設定できる。

　また、露光結果の予測値が評価基準を満たさない場合、評価基準の閾値を変更して、計算部５６Ａ～５６Ｅによる再計算を行うこともできる。
　また、上述の実施形態では、マスターサーバ６において露光装置用のパラメータの値を決定しているが、マスターサーバ６又は統合演算部５８において、コータ・デベロッパ（不図示）用のパラメータの値を決定してもよい。この場合、一例として、第１組のパラメータは＜膜厚の平均値、膜厚のばらつき、及びプリベーク時間＞であり、第２組のパラメータは＜膜厚の平均値、膜厚のばらつき、及び現像時間＞である。この場合、マスターサーバ６又は統合演算部５８は、設定が必要なパラメータをコータ・デベロッパから取得してもよい。

　また、本実施形態では、マスターサーバ６において露光装置用のパラメータの値を決定しているが、マスターサーバ６又は統合演算部５８において、コータ・デベロッパ（不図示）用のパラメータの値を決定してもよい。この場合、一例として、第１組のパラメータは＜膜厚の平均値、膜厚のばらつき、及びプリベーク時間＞であり、第２組のパラメータは＜膜厚の平均値、膜厚のばらつき、及び現像時間＞である。この場合、マスターサーバ６又は統合演算部５８は、設定が必要なパラメータをコータ・デベロッパから取得してもよい。

　また、上記の各実施形態のリソグラフィシステムＤＭＳ、マスターサーバ６、又はこれらを用いたパターン形成方法を用いて半導体デバイス等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造する場合、この電子デバイスは、図９に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ２２１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２２２、デバイスの基材である基板（ウエハ）を製造するステップ２２３、前述した実施形態のリソグラフィシステムＤＭＳ等又はパターン形成方法等によりマスクのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ２２４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２２５、並びに検査ステップ２２６等を経て製造される。

　言い替えると、上記のデバイスの製造方法は、上記の実施形態のリソグラフィシステムＤＭＳ等又はパターン形成方法を用いて、マスクのパターンを介して基板（ウエハ）を露光する工程と、その露光された基板を処理する工程（即ち、基板のレジストを現像し、そのマスクのパターンに対応するマスク層をその基板の表面に形成する現像工程、及びそのマスク層を介してその基板の表面を加工（加熱及びエッチング等）する加工工程）と、を含んでいる。

　このデバイス製造方法によれば、露光装置ＥＸＡ等において、レチクルを交換する毎にパラメータを調整する必要がないため、例えば小ロット生産の電子デバイスを高いスループットで高精度に製造できる。
　なお、上記の実施形態のリソグラフィシステムが備える露光装置は、ステッパー型の露光装置等でもよい。さらに、その露光装置は、露光光として波長１００ｎｍ以下の極端紫外光（Extreme Ultraviolet Light:以下、ＥＵＶ光という）を用いる露光装置（ＥＵＶ露光装置）等であってもよい。

　また、本実施形態のデバイス製造方法では、特に半導体デバイスの製造方法について説明したが、本実施形態のデバイス製造方法は、半導体材料を使用したデバイスの他、例えば液晶パネルや磁気ディスクなどの半導体材料以外の材料を使用したデバイスの製造にも適用することができる。
　なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。

　ＤＭＳ…リソグラフィシステム、ＥＸＡ～ＥＸＥ…露光装置、ＲＡ…レチクル、ＰＬ…投影光学系、Ｗ…ウエハ、６…マスターサーバ、１０Ａ～１０Ｅ…通信ユニット、１２…通信回線、５５…パラメータ計算部、５６Ａ～５６Ｅ…第１～第５計算部、６０…副制御部、６２…パラメータ決定部、６３…仮想露光装置部、６４…判定部

Claims

　基板にパターンを形成するためのリソグラフィシステム用のシミュレーション装置であって、
　前記パターンの形成に関して計算される第１組のパラメータの値を計算する第１演算部、及び前記パターンの形成に関して計算される前記第１組のパラメータと少なくとも一部が共通する第２組のパラメータの値を計算する第２演算部と、
　前記第１組のパラメータの値、及び前記第２組のパラメータの値に基づいて、前記基板に形成されるパターンの状態及び該パターンを形成する際の形成条件の少なくとも一方を評価し、該評価結果に応じて、前記第１組及び第２組のパラメータの少なくとも一方の値を前記第１演算部及び前記第２演算部の少なくとも一方に再計算させるか否かを決定する統合演算部とを備えることを特徴とするシミュレーション装置。
　前記統合演算部は、
　予め前記パラメータの優先順位を決めておき、
　前記評価結果に応じて、前記第１組及び第２組のパラメータの少なくとも一方の値を前記第１演算部及び前記第２演算部の少なくとも一方に再計算させることを決定したとき、
　前記優先順位に従って、前記第１組及び第２組のパラメータの値の少なくとも一方の値を再計算させることを特徴とする請求項１に記載のシミュレーション装置。
　前記統合演算部は、
　予め前記演算部の優先順位を決めておき、
　前記評価結果に応じて、前記第１組及び第２組のパラメータの少なくとも一方の値を前記第１演算部及び前記第２演算部の少なくとも一方に再計算させることを決定したとき、
　前記優先順位に従って、前記第１組及び第２組のパラメータの少なくとも一方の値を再計算させることを特徴とする請求項１に記載のシミュレーション装置。
　前記第１組及び第２組のパラメータには、予め優先順位が高い上位の組のパラメータ、及び前記上位の組のパラメータより優先順位が低い下位の組のパラメータが定められており、
　前記統合演算部は、
　前記評価結果に応じて、前記下位の組のパラメータの値を対応する演算部に再計算させることを決定したとき、
　前記上位の組のパラメータの最新の値に基づいて、前記下位の組のパラメータの値を再計算させることを特徴とする請求項１又は２に記載のシミュレーション装置。
　前記統合演算部は、
　前記下位の組のパラメータのうち、前記上位の組のパラメータ以外のパラメータについて値を再計算させることを特徴とする請求項４に記載のシミュレーション装置。
　前記統合演算部は、
　前記第１組及び第２組のパラメータの値に基づいて、前記基板に前記パターンを形成するリソグラフィ装置に対して、前記第１及び第２の組のパラメータのうち、少なくとも一方の値を再計算させた組のパラメータを含むパラメータの値を設定することを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載のシミュレーション装置。
　前記統合演算部は、前記リソグラフィ装置によって前記基板に形成された前記パターンの状態を検査する検査装置の検査結果に応じて、前記第１及び第２の組のパラメータのうち少なくとも一方の組のパラメータの値を再計算させることを特徴とする請求項６に記載のシミュレーション装置。
　前記統合演算部は、
　計算のためのパラメータを、マスクパターンを照明する照明系及び前記マスクパターンの像を前記基板に投影する投影系を有する露光装置から受け取ることを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載のシミュレーション装置。
　前記第１組のパラメータは、露光装置の照明系の瞳面における光強度分布を規定するパラメータを含み、
　前記第２組のパラメータは、露光装置の投影系の結像特性に関するパラメータを含み、
　前記統合演算部は、
　前記評価結果に応じて、前記第１及び第２の組のパラメータの値をそれぞれ対応する演算部に再計算させることを決定したとき、
　前記第１組のパラメータの値を再計算させた後、前記第２組のパラメータの値を再計算させることを特徴とする請求項１～８のいずれか一項に記載のシミュレーション装置。
　前記第１組のパラメータは、露光装置によって基板に形成されるパターンの重ね合わせ誤差に関するパラメータを含み、
　前記第２組のパラメータは、前記露光装置の投影系の収差特性の経時変化に関するパラメータを含み、
　前記統合演算部は、
　前記評価結果に応じて、前記第１及び第２の組のパラメータをそれぞれ演算部に再計算させることを決定したとき、
　前記第１組のパラメータの値を再計算させた後、前記第２組のパラメータの値を再計算させることを特徴とする請求項１～８のいずれか一項に記載のシミュレーション装置。
　前記統合演算部は、
　計算のためのパラメータを、前記基板に対する感光膜の塗布及び前記感光膜の現像を行うコータ・デベロッパから受け取ることを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載のシミュレーション装置。
　基板にパターンを形成するためのリソグラフィシステム用のシミュレーション装置であって、
　前記パターンの形成に関して求められる第１組のパラメータの第１計算値を計算する第１演算部、及び前記第１組のパラメータと少なくとも一部が共通する共通パラメータを含み、前記パターンの形成に関して求められる第２組のパラメータの第２計算値を計算する第２演算部と、
　前記第１計算値及び前記第２計算値のうち少なくとも一方を用いて、リソグラフィシステムに設定する前記共通パラメータの値を決定する統合演算部とを備えることを特徴とするシミュレーション装置。
　前記統合演算部は、
　前記第１組のパラメータと前記第２組のパラメータとの予め定められた優先順位に従って、前記共通パラメータの値を決定することを特徴とする請求項１２に記載のシミュレーション装置。
　前記統合演算部は、
　前記優先順位に従って、前記第１組のパラメータ及び前記第２組のパラメータの重み付けを決定することを特徴とする請求項１３に記載のシミュレーション装置。
　前記優先順位は、他の演算部への影響度に応じて定められることを特徴とする請求項１３に記載のシミュレーション装置。
　基板にパターンを形成するためのリソグラフィシステムであって、
　請求項１～１５のいずれか一項に記載のシミュレーション装置を備えることを特徴とするリソグラフィシステム。
　前記第１組及び第２組のパラメータの値に基づいて、前記基板に前記パターンを形成するリソグラフィ装置を備えることを特徴とする請求項１６に記載のリソグラフィシステム。
　前記リソグラフィ装置によって前記基板に形成された前記パターンの状態を検査する検査装置を備えることを特徴とする請求項１７に記載のリソグラフィシステム。
　基板にパターンを形成するためのパターン形成方法であって、
　前記パターンの形成に関する第１組のパラメータの値を第１演算部で求めることと、
　前記第１組のパラメータと少なくとも一部が共通するとともに、前記パターンの形成に関する第２組のパラメータの値を第２演算部で求めることと、　
　前記第１組のパラメータの値及び前記第２組のパラメータの値に基づいて、前記基板に形成されるパターンの状態及び該パターンを形成する際の形成条件の少なくとも一方を評価することと、
　前記評価結果に応じて、前記第１組及び第２組のパラメータのうち少なくとも一方の値を前記第１演算部及び前記第２演算部の少なくとも一方に再計算させるか否かを決定することと、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
　予め前記パラメータの優先順位を決めておくことと、
　前記評価結果に応じて、前記第１演算部及び前記第２演算部にそれぞれ対応する組のパラメータの値を再計算させることを決定したとき、
　前記優先順位に従って、前記第１演算部及び前記第２演算部に順次、対応する組のパラメータの値を再計算させることと、を含むことを特徴とする請求項１９に記載のパターン形成方法。
　予め前記演算部の優先順位を決めておくことと、
　前記評価結果に応じて、前記第１組及び第２組のパラメータの少なくとも一方の値を前記第１演算部及び前記第２演算部の少なくとも一方に再計算させることを決定したとき、
　前記優先順位に従って、前記第１組及び第２組のパラメータの少なくとも一方の値を再計算させることと、を含むことを特徴とする請求項１９に記載のパターン形成方法。
　前記第１組及び前記第２組のパラメータには、予め優先順位が高い上位の組のパラメータ、及び前記上位の組のパラメータより優先順位が低い下位の組のパラメータが定められており、
　前記評価結果に応じて、前記下位の組のパラメータの値を対応する演算部に再計算させることを決定したとき、
　前記上位の組のパラメータの最新の値に基づいて、前記下位の組のパラメータの値を対応する演算部に再計算させることを特徴とする請求項１９又は２０に記載のパターン形成方法。
　前記下位の組のパラメータのうち、前記上位の組のパラメータ以外のパラメータについて値を再計算させることを特徴とする請求項２２に記載のパターン形成方法。
　前記第１組及び第２組のパラメータの値に基づいて、前記基板に前記パターンを形成するリソグラフィ装置に対して、前記第１演算部及び前記第２演算部の少なくとも一方に再計算させて得られる前記第１組及び第２組のパラメータの値を設定することを含むことを特徴とする請求項１９～２３のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
　前記リソグラフィ装置によって前記基板に形成された前記パターンの状態を検査する検査装置の検査結果に応じて、前記第１及び第２の演算部のうち少なくとも一方に対応する組のパラメータの値を再計算させることを含むことを特徴とする請求項２４に記載のパターン形成方法。
　計算のためのパラメータを、マスクパターンを照明する照明系及び前記マスクパターンの像を前記基板に投影する投影系を有する露光装置から受け取ることを特徴とする請求項１９～２５のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
　前記第１組のパラメータは、露光装置の照明系の瞳面における光強度分布を規定するパラメータを含み、
　前記第２組のパラメータは、露光装置の投影系の結像特性に関するパラメータを含み、
　前記評価結果に応じて、前記第１及び第２の演算部にそれぞれ対応する組のパラメータの値を再計算させることを決定したとき、
　前記第１の演算部に前記第１組のパラメータの値を再計算させた後、前記第２の演算部に前記第２組のパラメータの値を再計算させることを含むことを特徴とする請求項１９～２６のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
　前記第１組のパラメータは、露光装置によって基板に形成されるパターンの重ね合わせ誤差に関するパラメータを含み、
　前記第２組のパラメータは、前記露光装置の投影系の収差特性の経時変化に関するパラメータを含み、
　前記評価結果に応じて、前記第１演算部及び前記第２演算部にそれぞれ対応する組のパラメータの値を再計算させることを決定したとき、
　前記第１演算部に前記第１組のパラメータの値を再計算させた後、前記第２演算部に前記第２組のパラメータの値を再計算させることを含むことを特徴とする請求項１９～２６のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
　計算のためのパラメータを、前記基板に対する感光膜の塗布及び前記感光膜の現像を行うコータ・デベロッパから受け取ることを特徴とする請求項１９～２５のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
　基板にパターンを形成するためのパターン形成方法であって、
　前記パターンの形成に関する第１組のパラメータの値を第１演算部で求めることと、
　前記第１組のパラメータと少なくとも一部が共通する共通パラメータを含み、前記パターンの形成に関する第２組のパラメータの値を第２の演算部で求めることと、
　前記第１組のパラメータの値及び前記第２組のパラメータの値のうち少なくとも一方の値を用いて、前記共通パラメータの値を決定することと、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
　前記共通パラメータの値を決定することは、
　前記第１組のパラメータと前記第２組のパラメータとの予め定められた優先順位に従って、前記共通パラメータの値を決定することを含むことを特徴とする請求項３０に記載のパターン形成方法。
　前記共通パラメータの値を決定することは、
　前記優先順位に従って、前記第１組のパラメータ及び前記第２組のパラメータの重み付けを決定することを含むことを特徴とする請求項３１に記載のパターン形成方法。
　前記優先順位は、他の演算部又はパラメータへの影響度に応じて定められることを特徴とする請求項３２に記載のパターン形成方法。
　前記第１組及び第２組のパラメータの値に基づいて、前記基板に前記パターンを形成するリソグラフィ工程を含むことを特徴とする請求項１９～３３のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
　前記リソグラフィ工程によって前記基板に形成された前記パターンの状態を検査する検査工程を含むことを特徴とする請求項３４に記載のパターン形成方法。
　請求項１６～１８のいずれか一項に記載のリソグラフィシステムを用いて、所定のパターンを基板に形成することと、
　前記所定のパターンを介して前記基板の表面を加工することと、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
　請求項１９～３５のいずれか一項に記載のパターン形成方法を用いて、所定のパターンを基板に形成することと、
　前記所定のパターンを介して前記基板の表面を加工することと、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
　基板を露光するためのリソグラフィシステムの管理装置であって、
　前記露光を実施するために設定する第１組のパラメータの値を計算する第１演算部と、
　前記露光を実施するために設定される前記第１組のパラメータと少なくとも一部が共通する第２組のパラメータの値を計算する第２演算部と、
　前記第１組のパラメータと前記第２組のパラメータとで共通するパラメータの値を、予め設定した条件に従って前記リソグラフィシステムに設定する統合演算部と、を備えることを特徴とする管理装置。
　前記第２演算部は、前記第１組のパラメータと前記第２組のパラメータとで共通するパラメータに関し、前記第１演算部で算出した値を用いて、前記第２組のパラメータの値の少なくとも一部を計算する請求項３８に記載の管理装置。
　前記統合演算部は、前記第１組のパラメータと前記第２組のパラメータとで共通するパラメータに関し、前記第１組及び第２組のパラメータの少なくとも一方で算出された値を、前記第１演算部及び前記第２演算部の少なくとも一方に再計算させることを特徴とする請求項３８に記載の管理装置。
　前記統合演算部は、前記露光の状態を評価し、該評価の結果に応じて前記第１組及び第２組のパラメータの少なくとも一方の値を前記第１演算部及び前記第２演算部の少なくとも一方に再計算させるか否かを決定することを特徴とする請求項４０に記載の管理装置。
　前記統合演算部は、
　複数の前記パラメータのうちで値を計算する優先順位を予め決めておき、
　該優先順位に従って、前記第１組及び第２組のパラメータの値の少なくとも一方の値を再計算させることを特徴とする請求項４１に記載の管理装置。
　前記統合演算部は、
　前記第１演算部と前記第２演算部との間でどちらに演算させるかの優先順位を決めておき、
　前記第１組及び第２組のパラメータの少なくとも一方の値を前記第１演算部及び前記第２演算部の少なくとも一方に再計算させることを決定したとき、
　前記優先順位に従って、前記第１組及び第２組のパラメータの少なくとも一方の値を再計算させることを特徴とする請求項４１又は４２に記載の管理装置。
　前記第１組及び第２組のパラメータには、計算順序に関して予め優先順位が高い上位の組のパラメータ、及び前記上位の組のパラメータより前記優先順位が低い下位の組のパラメータが定められており、
　前記統合演算部は、
　前記評価結果に応じて、前記下位の組のパラメータの値を対応する演算部に再計算させることを決定したとき、
　前記上位の組のパラメータの最新の値に基づいて、前記下位の組のパラメータの値を再計算させることを特徴とする請求項４１～４３のいずれか一項に記載の管理装置。
　前記統合演算部は、
　前記下位の組のパラメータのうち、前記上位の組のパラメータ以外のパラメータについて値を再計算させることを特徴とする請求項４４に記載の管理装置。
　前記統合演算部は、
　前記第１組及び第２組のパラメータの値に基づいて、前記リソグラフィ装置に対し、前記第１及び第２の組のパラメータのうち、少なくとも一方の値を再計算させた組のパラメータを含むパラメータの値を設定することを特徴とする請求項４１～４５のいずれか一項に記載の管理装置。
　前記統合演算部は、
前記リソグラフィ装置によって前記基板に形成された前記パターンの状態を検査する検査装置の検査結果に応じて、前記第１及び第２の組のパラメータのうち少なくとも一方の組のパラメータの値を再計算させることを特徴とする請求項４１～４６のいずれか一項に記載の管理装置。
　前記統合演算部は、
　前記露光に用いるマスクパターンを照明する前記リソグラフィ装置の照明系及び前記マスクパターンの像を前記基板に投影する前記リソグラフィ装置の投影系に関するパラメータを用いて前記計算を行なうことを特徴とする請求項３８～４７のいずれか一項に記載の管理装置。
　前記第１組のパラメータは、前記リソグラフィシステムの照明系の瞳面における光強度分布を規定するパラメータを含み、
　前記第２組のパラメータは、前記リソグラフィシステムの投影系の結像特性に関するパラメータを含み、
　前記統合演算部は、
　前記評価結果に応じて、前記第１及び第２の組のパラメータの値をそれぞれ対応する演算部に再計算させることを決定したとき、
　前記第１組のパラメータの値を再計算させた後、前記第２組のパラメータの値を再計算させることを特徴とする請求項４１～４８のいずれか一項に記載の管理装置。
　前記第１組のパラメータは、前記リソグラフィシステムによって前記基板に形成されるパターンの重ね合わせ誤差に関するパラメータを含み、
　前記第２組のパラメータは、前記露光装置の投影系の収差特性の経時変化に関するパラメータを含み、
　前記統合演算部は、
　前記評価結果に応じて、前記第１及び第２の組のパラメータをそれぞれ演算部に再計算させることを決定したとき、
　前記第１組のパラメータの値を再計算させた後、前記第２組のパラメータの値を再計算させることを特徴とする請求４１～４９のいずれか一項に記載の管理装置。
　前記統合演算部は、
　前記基板に対する感光膜の塗布及び前記感光膜の現像を行うコータ・デベロッパに関するパラメータを用いて前記計算を行なうことを特徴とする請求項３８～５０のいずれか一項に記載の管理装置。
　前記請求項３８～５１のいずれか一項に記載の管理装置を実行させるプログラム。