JP4568157B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、反射及び発光表示の両機能を有する表示装置に係り、特に、電気化学発光（ＥＣＬ）を示すＥＣＬ材料を利用して発光表示し、エレクトロクロミック（ＥＣ）現象を示すＥＣ材料を利用して反射表示する表示装置に関する。

屋外及び屋内で使用する携帯電話等の表示装置として、反射表示及び発光表示の両表示が可能な半透過型ＬＣＤが提案されている。この半透過型ＬＣＤは、例えば、特許文献１に開示されるように、外光線を反射して画素を表示する反射表示のために画素の一部に凹凸形状の反射層が設けられ、又、バックライトからの光線の透過を制御して光線を外部に向ける発光表示のためにその他の領域に透過表示部が設けられ、この透過表示部の下にバックライトが設けられている。

このように反射表示及び発光表示の両表示が可能な方法では、発光表示に関しては、バックライトの明るさ次第で十分明るく見やすい表示が可能である。しかし、反射表示に関しては、偏光板を用いるという液晶の表示原理上の制約、１画素を反射表示と発光表示との２領域に分割することによる表示面積の制約を受けて、十分なコントラストを有した、見やすい表示が得られない問題がある。又、偏光板を使用しているため、更に光の利用効率が半減する。

一方、コントラストの高い反射表示を可能とする表示装置として、エレクトロクロミック表示装置（ＥＣＤ）がある。この表示装置は、例えば、特許文献２に記載されるように、電気化学的な酸化、若しくは、還元により変色、若しくは析出、若しくは溶解する着色用物質（ＥＣ材料）と、電解質とが、２つの電極間に配置されている構造からなる。しかしながら、ＥＣＤは反射表示のみであるため、暗いところでは表示が見えにくい問題がある。
特開２００３−２４１１８８公報（第３−５頁、第３図） 特開２００３−２１８４８公報（第４−１４頁、第１図）

この問題に鑑み、本発明は、１画素あたりの表示面積の制約を受けることがなく、十分なコントラストを有し、且つ暗いところでも表示が見やすい、反射表示と発光表示の双方が可能な表示装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の態様は、（イ）電気化学発光材料を含む第１層と、（ロ）この第１層の少なくとも一部と対向配置され、エレクトロクロミック材料を含む第２層と、（ハ）第１層に電界を印加し、電気化学発光材料の電気化学的発光をさせる第１の電界印加手段と、（に）エレクトロクロミック材料に電界を印加し、エレクトロクロミック材料を変色させる第２の電界印加手段と、（ホ）第１の電界印加手段と第２の電界印加手段とを選択的に動作させる切換手段とを具備した画素を備える表示装置であることを特徴とする。

本発明によれば、１画素あたりの表示面積の制約を受けることがなく、十分なコントラストを有し、且つ暗いところでも表示が見やすい、反射表示と発光表示の双方が可能な表示装置を提供することができる。

次に、図面を参照して、本発明の第１〜第９の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付し、重複する事項に関してはその説明を省略している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。

又、以下に示す第１〜第９の実施の形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。

（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係る表示装置は、図１に示すように、垂直方向（列方向）に走行する複数の第１信号配線Ｂ１_j，Ｂ１_j+1，・・・・・及び複数の第２信号配線Ｂ２_j，Ｂ２_j+1，・・・・・と、この複数の第１信号配線Ｂ１_j，Ｂ１_j+1，・・・・・及び複数の第２信号配線Ｂ２_j，Ｂ２_j+1，・・・・・に対し直交する水平方向（行方向）に伸延する複数の第１走査配線Ｗ１_i，Ｗ１_i+1，・・・・・及び複数の第２走査配線Ｗ２_i，Ｗ２_i+1，・・・・・により構成されたマトリクスの内部に、それぞれ画素（ピクセル）Ｘ_i,jが２次元配置されている（ｉ＝１〜ｎ；ｊ＝１〜ｍ：ｎ，ｍは正の整数）。更に、第１信号配線Ｂ１_j，Ｂ１_j+1，・・・・・及び第２信号配線Ｂ２_j，Ｂ２_j+1，・・・・・と平行して、第１電源配線Ｐ１_j，Ｐ１_j+1，・・・・・及び第２電源配線Ｐ２_j，Ｐ２_j+1，・・・・・が走行している。

図１に示すように、第１信号配線Ｂ１_jには第１書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ１_i,jの第１端子が接続され、第１走査配線Ｗ１_iには第１書き込みトランジスタＱ１_i,jの制御端子が接続されている。第１書き込みトランジスタＱ１_i,jの第２端子には、第１駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ２_i,jの制御端子と第１補助容量Ｃ１_i,jの一方の端子が接続されている。第１駆動トランジスタＱ２_i,jの第１端子は第１電源配線Ｐ１_jに接続され、第１駆動トランジスタＱ２_i,jの第２端子は表示セルＬ_i,jに接続されている。第１補助容量Ｃ１_i,jの他方の端子は接地されている。「第１端子」とは、バイポーラトランジスタ（ＢＪＴ）においてエミッタ端子又はコレクタ端子のいずれか一方となる端子を意味する。電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）や静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ）においてはソース端子又はドレイン端子のいずれか一方となる端子を意味する。「第２端子」とは、ＢＪＴ等においては上記第１端子とはならないエミッタ端子又はコレクタ端子のいずれか一方となる端子、ＦＥＴ，ＳＩＴにおいては上記第１端子とはならないソース端子又はドレイン端子のいずれか一方となる端子を意味する。即ち、第１端子が、エミッタ端子であれば、第２端子はコレクタ端子であり、第１端子がソース端子であれば、第２端子はドレイン端子であル。又、「制御端子」とは第１端子及び第２端子の間を流れる電流を制御する端子、ショットキー接合端子、絶縁ゲート構造の端子又は構造を意味する。例えば、ＦＥＴ，ＳＩＴでは、ゲート端子、若しくはゲート構造を意味し、ＢＪＴではベース端子を意味する。一般にＴＦＴ等では、第１端子及び第２端子とは対称構造であるので、どちらをソース端子又はドレイン端子と呼ぶか、或いはどちらをエミッタ端子又はコレクタ端子と呼ぶかは単なる選択の問題である。第２信号配線Ｂ２_jには第２書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ３_i,jの第２端子が接続され、第２走査配線Ｗ２_iには第２書き込みトランジスタＱ３_i,jの制御端子が接続されている。第２書き込みトランジスタＱ３_i,jの第２端子には、第２駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ４_i,jの制御端子と第２補助容量Ｃ２_i,jの一方の端子が接続されている。第２駆動トランジスタＱ４_i,jの第２端子は第２電源配線Ｐ２_jに接続され、第２駆動トランジスタＱ４_i,jの第２端子は表示セルＬ_i,jに接続されている。第２補助容量Ｃ２_i,jの他方の端子は接地されている。

更に、第１信号配線Ｂ１_jには第１書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ１_i+1,jの第１端子が接続され、第１走査配線Ｗ１_i+1には第１書き込みトランジスタＱ１_i+1,jの制御端子が接続されている。第１書き込みトランジスタＱ１_i+1,jの第２端子には、第１駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ２_i+1,jの制御端子と第１補助容量Ｃ１_i+1,jの一方の端子が接続されている。第１駆動トランジスタＱ２_i+1,jの第１端子は第１電源配線Ｐ１_jに接続され、第１駆動トランジスタＱ２_i+1,jの第２端子は表示セルＬ_i+1,jに接続されている。第１補助容量Ｃ１_i+1,jの他方の端子は接地されている。第２信号配線Ｂ２_jには第２書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ３_i+1,jの第２端子が接続され、第２走査配線Ｗ２_i+1には第２書き込みトランジスタＱ３_i+1,jの制御端子が接続されている。第２書き込みトランジスタＱ３_i+1,jの第２端子には、第２駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ４_i+1,jの制御端子と第２補助容量Ｃ２_i+1,jの一方の端子が接続されている。第２駆動トランジスタＱ４_i+1,jの第２端子は第２電源配線Ｐ２_jに接続され、第２駆動トランジスタＱ４_i+1,jの第２端子は表示セルＬ_i+1,jに接続されている。第２補助容量Ｃ２_i+1,jの他方の端子は接地されている。

又、第１信号配線Ｂ１_j+1には第１書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ１_i,j+1の第１端子が接続され、第１走査配線Ｗ１_iには第１書き込みトランジスタＱ１_i,j+1の制御端子が接続されている。第１書き込みトランジスタＱ１_i,j+1の第２端子には、第１駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ２_i,j+1の制御端子と第１補助容量Ｃ１_i,j+1の一方の端子が接続されている。第１駆動トランジスタＱ２_i,j+1の第１端子は第１電源配線Ｐ１_j+1に接続され、第１駆動トランジスタＱ２_i,j+1の第２端子は表示セルＬ_i,j+1に接続されている。第１補助容量Ｃ１_i,j+1の他方の端子は接地されている。第２信号配線Ｂ２_j+1には第２書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ３_i,j+1の第２端子が接続され、第２走査配線Ｗ２_iには第２書き込みトランジスタＱ３_i,j+1の制御端子が接続されている。第２書き込みトランジスタＱ３_i,j+1の第２端子には、第２駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ４_i,j+1の制御端子と第２補助容量Ｃ２_i,j+1の一方の端子が接続されている。第２駆動トランジスタＱ４_i,j+1の第２端子は第２電源配線Ｐ２_j+1に接続され、第２駆動トランジスタＱ４_i,j+1の第２端子は表示セルＬ_i,j+1に接続されている。第２補助容量Ｃ２_i,j+1の他方の端子は接地されている。

更に、第１信号配線Ｂ１_j+1には第１書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ１_i+1,j+1の第１端子が接続され、第１走査配線Ｗ１_i+1には第１書き込みトランジスタＱ１_i+1,j+1の制御端子が接続されている。第１書き込みトランジスタＱ１_i+1,j+1の第２端子には、第１駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ２_i+1,j+1の制御端子と第１補助容量Ｃ１_i+1,j+1の一方の端子が接続されている。第１駆動トランジスタＱ２_i+1,j+1の第１端子は第１電源配線Ｐ１_j+1に接続され、第１駆動トランジスタＱ２_i+1,j+1の第２端子は表示セルＬ_i+1,j+1に接続されている。第１補助容量Ｃ１_i+1,j+1の他方の端子は接地されている。第２信号配線Ｂ２_j+1には第２書き込みトランジスタ(ＴＦＴ）Ｑ３_i+1,j+1の第２端子が接続され、第２走査配線Ｗ２_i+1には第２書き込みトランジスタＱ３_i+1,j+1の制御端子が接続されている。第２書き込みトランジスタＱ３_i+1,j+1の第２端子には、第２駆動トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑ４_i+1,j+1の制御端子と第２補助容量Ｃ２_i+1,j+1の一方の端子が接続されている。第２駆動トランジスタＱ４_i+1,j+1の第２端子は第２電源配線Ｐ２_j+1に接続され、第２駆動トランジスタＱ４_i+1,j+1の第２端子は表示セルＬ_i+1,j+1に接続されている。第２補助容量Ｃ２_i+1,j+1の他方の端子は接地されている。

第１書き込みトランジスタＱ１_i,j，Ｑ１_i＋１,j，Ｑ１_i,j+1，Ｑ１_i+1,j+1、第１駆動トランジスタＱ２_i,j，Ｑ２_i＋１,j，Ｑ２_i,j+1，Ｑ２_i+1,j+1、第２書き込みトランジスタＱ３_i,j，Ｑ３_i＋１,j，Ｑ３_i,j+1，Ｑ３_i+1,j+1、及び第２駆動トランジスタＱ４_i,j，Ｑ４_i＋１,j，Ｑ４_i,j+1，Ｑ４_i+1,j+1は、ＬＣＤや有機ＥＬに使用されているアクティブマトリクス基板に用いられているＴＦＴを用いれば良い。

第１走査配線Ｗ１_i，Ｗ１_i+1，・・・・・と第１信号配線Ｂ１_j，Ｂ１_j+1，・・・・・を同期させて電圧を印加し、第１書き込みトランジスタＱ１_i,j，Ｑ１_i＋１,j，Ｑ１_i,j+1，Ｑ１_i+1,j+1、・・・・・から表示信号を第１補助容量Ｃ１_i,j，Ｃ１_i＋１,j，Ｃ１_i,j+1，Ｃ１_i+1,j+1、・・・・・に蓄積させる。この第１補助容量Ｃ１_i,j，Ｃ１_i＋１,j，Ｃ１_i,j+1，Ｃ１_i+1,j+1、・・・・・の表示信号の電荷量により、第１駆動トランジスタＱ２_i,j，Ｑ２_i＋１,j，Ｑ２_i,j+1，Ｑ２_i+1,j+1、・・・・・₁は、表示セルＬ_i,j，Ｌ_i＋１,j，Ｌ_i,j+1，Ｌ_i+1,j+1に流す電流量を制御できる。同様に、第２走査配線Ｗ２_i，Ｗ２_i+1，・・・・・と第２信号配線Ｂ２_j，Ｂ２_j+1，・・・・・を同期させて電圧を印加し、第２書き込みトランジスタＱ３_i,j，Ｑ３_i＋１,j，Ｑ３_i,j+1，Ｑ３_i+1,j+1、・・・・・から表示信号を第２補助容量Ｃ２_i,j，Ｃ２_i＋１,j，Ｃ２_i,j+1，Ｃ２_i+1,j+1、・・・・・に蓄積させる。この第２補助容量Ｃ２_i,j，Ｃ２_i＋１,j，Ｃ２_i,j+1，Ｃ２_i+1,j+1、・・・・・の表示信号の電荷量により、第２駆動トランジスタＱ４_i,j，Ｑ４_i＋１,j，Ｑ４_i,j+1，Ｑ４_i+1,j+1・・・・・は、表示セルＬ_i,j，Ｌ_i＋１,j，Ｌ_i,j+1，Ｌ_i+1,j+1に流す電流量を制御できる。

この結果、第１電源配線Ｐ１_j，Ｐ１_j+1，・・・・・及び第２電源配線Ｐ２_j，Ｐ２_j+1，・・・・・から供給される電圧により表示セルＬ_i,j，Ｌ_i＋１,j，Ｌ_i,j+1，Ｌ_i+1,j+1に流れる電流を切換え、反射表示と発光表示の両機能を切換ながら表示することができる。

図２〜図５は、図１に示した表示装置の画素（ピクセル）Ｘ_i,jの表示セルＬ_i,jの構造の一例を示している（ｉ＝１〜ｎ；ｊ＝１〜ｍ：ｎ，ｍは正の整数）。図２〜図５に示すように、それぞれの画素（ピクセル）Ｘ_i,jは、電気化学発光材料（ＥＣＬ材料）を含む第１層６と、この第１層６の少なくとも一部と対向配置され、エレクトロクロミック材料を含む第２層７と、第１層６に電界を印加し、電気化学発光材料の電気化学的発光をさせる第１の電界印加手段（３，４，Ｖ_ECL）と、 エレクトロクロミック材料（ＥＣ材料）に電界を印加し、エレクトロクロミック材料を変色させる第２の電界印加手段（３，４，５，Ｅ１，Ｅ２）と、第１の電界印加手段（３，４，Ｖ_ECL）と第２の電界印加手段（３，４，５，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換手段（Ｓ１，Ｓ２）とを備える。即ち、画素（ピクセル）Ｘ_i,jの表示セルＬ_i,jは、第１基板１を備え、この第１基板１上には、互いに電気的に分離された第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４が設けられている。第１基板１に離間対向して第２基板２が設けられ、第２基板上２には、ＥＣ側電極５が設けられている。第１ＥＣＬ側電極３は、図１に示した第１駆動トランジスタＱ２_i,jの第２端子に接続され、第２ＥＣＬ側電極４は、図１に示した第２駆動トランジスタＱ４_i,jの第２端子に接続されている。

第１基板１と第２基板２との間の第２基板２側には、電圧印加により可逆的に発色（着色），消色を示すＥＣ材料を含む第２層７が設けられる。第１基板１と第２基板２との間の第１基板１側には、ＥＣ材料のＥＣ反応に係わるイオンを含む電解質材料中に電気化学的な酸化若しくは還元により発光するＥＣＬ材料を含む第１層６が設けられている。一組の第１ＥＣＬ側電極３と第２ＥＣＬ側電極４によって１つの画素Ｘ_i,jの第１の電界印加手段（３，４，Ｖ_ECL）の一部の構造が形成され、一組の第１ＥＣＬ側電極３、第２ＥＣＬ側電極４及びＥＣ側電極５によって画素Ｘ_i,jの第２の電界印加手段（３，４，５，Ｅ１，Ｅ２）の一部の構造が形成される。又、ＥＣ側電極５及びその上の第２層７とは、画素Ｘ_i,j毎にパターニングされている。複数の画素Ｘ_i,jは、図１に示すように、マトリクス状に配置され、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置が構成される。このため、第１基板１及び第２基板２の間は、それぞれ複数の画素Ｘ_i,jに共通な基板として形成することが可能である。

第１層６には、電圧の印加によりＥＣＬ材料、若しくは他の材料が電気化学的な酸化若しくは還元され、発生した酸化体（カチオンラジカル）と還元体（アニオンラジカル）が衝突することによって励起された発光材料が失活する際に発光する発光材料、つまり電気化学発光（ＥＣＬ）を示す材料が含まれる。ＥＣＬは、ＥＣＬ材料、若しくは他の材料が電圧の印加により、電極、又は電極とＥＣ膜近傍で酸化されてカチオンラジカル、還元されてアニオンラジカルとなり、この両者が会合消失する際に、ＥＣＬ材料の励起状態が生成しその失活過程において発光する。これにより発光表示を行う。

又、第２層７には、電圧の印加により電気化学的な酸化若しくは還元反応が生じ、変色する発色材料、つまり、エレクトロクロミック（ＥＣ）現象を示す材料が含まれる。ＥＣ現象は、ＥＣ材料が還元されることにより発色若しくは消色し、酸化されることにより消色若しくは発色する。この際、第１層６に含まれる、電解質、若しくはＥＣ材料のＥＣ反応に係わるイオンを含む電解質がこのＥＣ反応に必須である。例えば、ＥＣ材料としての酸化タングステン（Ｗ₁Ｏ₃）にあっては、酸化反応により消色されて透明となり、還元反応により発色されて青色となる。尚、使用するＥＣ材料によって、ＥＣＬ材料を含む第１層（ＥＣＬ・電解質層）６中のイオンもこの反射表示のＥＣ（酸化・還元）反応に係わる。ＥＣＬ材料として例えば、Ｗ₁Ｏ₃からなる第２層（ＥＣ層）７を適用した場合、ＥＣＬ材料を含む第１層（電解質層）６中にＬｉ⁺を含むもの（支持塩としてはリチウム塩複合体（ＬｉＣＦ₃ＳＯ₃等）を使用する。この場合、（１）式のようなＥＣ反応が起こる。

Ｗ₁Ｏ₃＋ｘｅ^-＋ｘＬｉ⁺ ⇔ ＬｉxＷ₁Ｏ₃ ・・・・・（１）
（１）式の左辺で示される酸化反応では消色（透明）、（１）式の右辺で示される還元反応では発色（青色）する。このようなＥＣ現象の特性が利用されて、反射表示される。

図２及び図３は、発光表示の場合の表示セルＬ_i,jの等価回路表示である。図２〜図５において、第１ＥＣＬ側電極３と第１層（電解質層）６との界面には、この界面でのイオン移動過程の界面インピーダンスを示す界面抵抗Ｒ¹ _c1と界面容量Ｃ¹ _c1との並列回路が示されている。同様に、第２ＥＣＬ側電極４と第１層（電解質層）６との界面には、この界面でのイオン移動過程の界面インピーダンスを示す界面抵抗Ｒ¹ _c2と界面容量Ｃ¹ _c2との並列回路が示されている。図２〜図５に示す第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極側の界面インピーダンスは、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４中のホスト格子の酸化還元反応、即ち、ホスト格子と第１層（電解質層）６との間の電子授受と酸化還元反応の伝搬のための電子のホスト格子中の移動を伴うと考えられる。したがって、表示セルＬ_i,jの反応の進行には（１）式で示したような、界面を横切るＬｉ⁺の移動、ホスト格子の再配列とその伝搬、電子のホスト格子内での移動、Ｌｉ⁺の界面での移動の各反応ステップを表していると考えられる。

界面抵抗Ｒ¹ _c1と界面容量Ｃ¹ _c1との並列回路に接続される抵抗Ｒ_ECL1は、第１層（電解質層）６中での抵抗成分を示し、界面抵抗Ｒ¹ _c2と界面容量Ｃ¹ _c2との並列回路に接続される抵抗Ｒ_ECL2も第１層（電解質層）６中での抵抗成分を示す。

抵抗Ｒ_ECL1に接続される界面抵抗Ｒ² _c1と界面容量Ｃ² _c1との並列回路は、第１層（電解質層）６と第２層（ＥＣ層）７との界面でのイオン移動過程の界面インピーダンスを示す。同様に、抵抗Ｒ_ECL2に接続される界面抵抗Ｒ² _c2と界面容量Ｃ² _c2との並列回路も第１層（電解質層）６と第２層（ＥＣ層）７との界面でのイオン移動過程の界面インピーダンスを示す。

界面抵抗Ｒ² _c1と界面容量Ｃ² _c1との並列回路に接続される抵抗Ｒ_EC1は、第２層（ＥＣ層）７中での抵抗成分を示し、界面抵抗Ｒ² _c2と界面容量Ｃ² _c2との並列回路に接続される抵抗Ｒ_EC2も第２層（ＥＣ層）７中での抵抗成分を示す。抵抗Ｒ_EC1と抵抗Ｒ_EC2とを接続する抵抗Ｒ_Gは、ＥＣ側電極５の抵抗である。

図３では、図２に示した抵抗Ｒ_ECL1に接続される界面抵抗Ｒ² _c1と界面容量Ｃ² _c1との並列回路は、及び抵抗Ｒ_ECL2に接続される界面抵抗Ｒ² _c2と界面容量Ｃ² _c2との並列回路が省略され、第２層（ＥＣ層）７中での抵抗成分Ｒ_ECで単純化して示している。発光表示は、図２の等価回路からなるＥＣＬ反応と図３の等価回路からなるＥＣＬ反応が協奏的に生じると考えられる。図２と図３の反応のどちらが支配的かは、構成する部材によって決定される。

第２層７に用いるＥＣ材料としては、無機材料である、酸化マンガン（ＭｎＯ₂）、オキシ水酸化コバルト（ＣｏＯＯＨ）、オキシ水酸化ニッケル（ＮｉＯＯＨ）、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ₂）、酸化ロジウム（Ｒｈ₂Ｏ₃）、酸化イリジウム（ＩｒＯ_x）、プルシアンブルー、酸化タングステン（Ｗ_１Ｏ₃）、酸化モリブデン（ＭｏＯ₃）、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化バナジウム（Ｖ₂Ｏ₅）、酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）、沃化銀（ＡｇＩ）等が使用可能である。

又、低分子有機材料である、ビオロゲン系有機材料がＥＣ材料として使用可能である。

更に他の低分子有機材料としては、オルソクロラニル、４−ベンゾイルピリジウム誘導体、ルテニウムートリス、ルテニウムービス、オスミウムートリス、オスミウムーピス型の遷移金属錯体（式［I]参照。）、多核錯体、又はルテニウムーシスージアクアービピリシル錯体、又はフタロシアニン色素、ナフタロシアニン色素、ポルフィリン色素、ペリレン色素、アントラキノン色素、アゾ色素、キノフタロン色素、ナフトキノン色素、シアニン色素、メロシアニン色素、ジフタロシアニン錯体、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレニリデンマロノニトリル、テトラシアノキノジメタン等がＥＣ材料として使用可能である。

更に、式［II]〜式[IX]に示すような導電性高分子である、ポリピロール誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリアズレン誘導体、ポリイソチアナフテン、ポリ（Ｎ−メチルイソインドール）、ポリ（ジチエノ［３，４−ｂ：３’，４’−ｄ］チオフェン）、ポリジアリルアミン誘導体、ポリピロロピロール誘導体、Ｒｕ錯体系導電性高分子等がＥＣ材料としてあげられるが、これらに限定されるものではない。

第２層７は、無機材料を用いる場合は、蒸着、スパッタ、気相成長、ゾルゲル法や微粒子焼結、又は前駆体である過酸化ポリ酸溶液の塗布・乾燥で成膜する。又、低分子有機材料を用いる場合は、蒸着、塗布・乾燥（溶液化して）する。又、導電性高分子では、塗布・乾燥（溶液化して）や電解重合）する。これらにより固体層ができる。

第１層６は、ＥＣＬ材料及び電解質を含む。ＥＣＬ材料としては、式[X]に示すようなキレート金属錯体（ルテニウムビピリジル錯体）であるトリス(2,2'-ビピラジル)ルテニウム(II)[Ru(bpy)₃]²⁺等や、

多環芳香族化合物である、ナフタセン誘導体（式[XI]に示すようなルブレン、式[XIII]に示すような５，１２−ジフェニルナフタセン）、式[XII]に示すようなアントラセン誘導体（９，１０−ジフェニルアントラセン）、ペンタセン誘導体（６，１０−ジフェニルペンタセン）、式[XIV]に示すようなペリフランテン誘導体（ジベンゾテトラ（メチルフェニル）ペリフランテン）等や、

π電子共役高分子である、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等や、ヘテロ芳香族化合物であるクマリン等や、有機金属化合物であるトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム等や、キレートランタノイド錯体などがあげられる。

ここで、式［I]，[III]，[IV]，[VII]，[VIII]，[XVI]〜[XXIII]中のＲ１及びＲ２としては、それぞれ水素、炭素数が２４個までのアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルコキシアルキル基、炭素数が６〜１８個のアリール基、アリールオキシ基又はアラルキル基等がある。

電解質は、溶媒（液体電解質として第１層６を液体層とする場合）、若しくはこの溶媒で膨潤したゲル状の高分子（固体電解質として第１層６を固体層とする場合）と、これに溶解した支持塩とを有し、支持塩は、過塩素酸テトラブチルアンモニウム(Tetrabutylammonium perchlorate）、ヘキサフルオロりん酸カリウム、リチウムトリフルオロメタンスルホン酸（Lithium trifluoromethanesulfonate）、過塩素酸リチウム、テトラフルオロほう酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、トリプロピルアミン(tripropyl amine）、ホウフッ化テトラ-n-ブチルアンモニウム（tetra-n-butylammonium fluoroborate）等があげられる。

又、溶媒としては、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、プロピレンカーボネート、ｏ−ジクロロベンゼン、１，２ジメトキシエタン、グリセリン、水、エチルアルコール、プロピルアルコール、ジメチルカーボネート、エチレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン(ＮＭＰ)、２−メチルテトラヒドロフラン、トルエン、テトラヒドロフラン、ベンゾニトリル、シクロヘキサン、ノルマルヘキサン、アセトン、ニトロベンゼン、１，３−ジオキソラン、フラン、ベンゾトリフルオリド等からなる単一溶媒又は混合溶媒があげられる。

又、ゲル状の高分子としては、ポリアクリルニトリル（ＰＡＮ）、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と６フッ化プロピレン（ＨＦＰ）の共重合体、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）等があげられる。

この第１層６を液体層とする場合は、上述の溶媒に支持塩及びＥＣＬ材料を溶解させて用いれば良く、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４を形成した第１基板１と、ＥＣ側電極５と第２層７とを積層した第２基板２との間に注入すれば良い。又、第１層６を固体層とする場合は、支持塩と溶媒を含むゲル状高分子の溶液（溶媒多め）を塗布・乾燥で形成すれば良い。
第１の実施の形態に係る表示装置では、図２〜図４に示すように第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４がスイッチング素子Ｓ１を介して交流電源Ｖ_ECLに接続され、
第１の電界印加手段（３，４，Ｖ_ECL）を構成している。又、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４とＥＣ側電極５とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電界印加手段（３，４，５，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ１とスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電界印加手段（３，４，Ｖ_ECL）と第２の電界印加手段（３，４，５，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換手段（Ｓ１，Ｓ２）を構成している。

発光表示においては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、第１ＥＣＬ側電極３，第２ＥＣＬ側電極４及びＥＣ側電極５が直流電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ１が閉じて、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４が交流電源Ｖ_ECLに接続される。したがって、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４間に交流電界が生じ、この電界によって発光材料を含む第１層６が発光して発光色が観察される。この画素Ｘ_i,jの第１基板１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板１の側から観察される。この交流電源Ｖ_ECLからの電圧印加が止められれば、第１層６が発光せず、画素Ｘ_i,jの背景色、例えば、黒色が表示される。

一方、図５では、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４がスイッチング素子Ｓ１を介して直流電源Ｅ_ECLに接続され、第１の電界印加手段（３，４，Ｅ_ECL）を構成している。又、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４とＥＣ側電極５とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電界印加手段（３，４，５，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。図５の場合の発光表示においては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、第１ＥＣＬ側電極３，第２ＥＣＬ側電極４及びＥＣ側電極５が直流電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ１が閉じて、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４が直流電源Ｅ_ECLに接続される。したがって、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４間に直流電界が生じ、この電界によって発光材料を含む第１層６が発光して発光色が観察される。図２〜図４と同様に、この画素Ｘ_i,jの第１基板１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板１の側から観察される。この直流電源Ｅ_ECLからの電圧印加が止められれば、第１層６が発光せず、画素Ｘ_i,jの背景色、例えば、黒色が表示される。

反射表示においては、第１ＥＣＬ側電極３と第２ＥＣＬ側電極４が互いに短絡されるようにスイッチング素子Ｓ１が切り替えられてスイッチング素子Ｓ２が閉じて、同電位の第１ＥＣＬ側電極３，第２ＥＣＬ側電極４と、ＥＣ側電極５との間が互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２のいずれかに接続される。

反射表示の場合の表示セルＬ_i,jの等価回路はその図示を省略しているが、図２に示した発光表示の場合の表示セルＬ_i,jの等価回路表示において、抵抗Ｒ_EC1と抵抗Ｒ_EC2とを接続するＥＣ側電極５の抵抗Ｒ_Gを無視した等価回路で表現可能である。したがって、図２に示した等価回路で、界面抵抗Ｒ¹ _c1と界面容量Ｃ¹ _c1との並列回路と、界面抵抗Ｒ¹ _c2と界面容量Ｃ¹ _c2との並列回路とを互いに短絡するノードに図２のスイッチング素子Ｓ２が接続され、第２層（ＥＣ層）７中での抵抗成分を示す抵抗Ｒ_EC1と、抵抗Ｒ_EC2とを互いに短絡するノードに直流電源Ｅ１，Ｅ２が接続された等価回路で反射表示の場合の表示セルＬ_i,jの等価回路が表現できる。

即ち、同電位の第１ＥＣＬ側電極３，第２ＥＣＬ側電極４と、ＥＣ側電極５との間に直流電界が生じてＥＣ現象を示す材料を含む第２層７が着色或いは透明化される。その結果、第１基板１の外からは、着色された第２層７或いは透明化された第２層７を介して第２基板２が背景色として観察される。直流電源Ｅ１，Ｅ２からの印加電界の極性を変えると、第２層７が着色から透明に、或いは、透明から着色に変化され、その結果、背景色或いは着色が第１基板１の側から観察される。

図２，３，５は、第１基板１の側から画素Ｘ_i,jの内部状態が観察される場合の構造であり、第１基板１を透明材料で構成し、且つ第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４は、好ましくは、略透明材料で構成される。

これに対して、図４は、第２基板２の側から画素Ｘ_i,jの内部状態が観察される場合であり、第２基板２及びＥＣ側電極５が透明材料で構成され、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４、或いは第１基板１が反射層として機能するか、若しくは別途反射層を設ける。背景色に定められる。第１基板１は通常、表示装置の観察面となる部分であるから、第１基板１は光透過性材料で形成するのが普通である。そのような光透過性材料として、好ましくは可視光領域で吸収が少ない材料、例えばガラス等の無機材料、及び光透過性樹脂等の有機性材料が良く、具体的には例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）等をあげることができる。第２基板２は、光透過性の必要がないが、通常、第１基板１と同様な材料で形成するのが普通である。

第１ＥＣＬ側電極３，第２ＥＣＬ側電極４及びＥＣ側電極５としては、第１層（電解質溶液層）６及び第２層（ＥＣ層）７による表示を観察できるように、通常、光透過性材料によって構成される。そのような光透過性材料としては、金属酸化物半導体では、遷移金属の酸化物、例えばチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）の（複合）酸化物、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、Ｂ１ａＴｉＯ_３、ＭｇＴｉＯ_３、ＳｒＮｂ_２Ｏ_６のようなペロブスカイト、或いはこれらの複合酸化物又は酸化物混合物、窒化ガリウム（ＧａＮ）、等を用いることができる。良く使用されるものとして、錫（Ｓｎ）をドープした酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）膜（ＩＴＯ）、インジウム（Ｉｎ）をドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜（ＩＺＯ）、ガリウム（Ｇａ）をドープした酸化亜鉛膜（ＧＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、耐酸性を付与するためにフッ素をドープした酸化亜鉛膜（ＦＴＯ）等の透明電極が使用可能である。又、透明であることを要しない電極としては、各種の導電性材料を用いることができる。そのうち光反射率が高いもの、例えばＡｌ、Ａｇ等、を用いると、発光表示及び反射表示をより明るく、鮮明に行うことが可能になる。

このように図２〜図５に示すような表示セルを用いることにより、第１の実施の形態に係る表示装置において、利用者は、発光表示或いは反射表示を選択することができる。即ち、利用者は、使用環境に応じていずれかの表示を選択指示することができる。このスイッチの指示情報に応じて、交流電源Ｖ_ECL（直流電源Ｅ_ECL）及び互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２が切り替えられて、所定の電圧が第１ＥＣＬ側電極３，第２ＥＣＬ側電極４及びＥＣ側電極５に印加され、発光表示或いは反射表示で画素Ｘ_i,jの内部状態が表示される。

［表示装置の製造方法］
本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の製造方法を説明する。尚、以下に述べる表示装置の製造方法は、一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により、実現可能であることは勿論である。
（イ）まず、第１基板１、第２基板２として、厚さ０．７ｍｍのガラスからなる基板を用い、膜厚１００ｎｍのＩＴＯをスパッタにより形成し、パターニングして第１ＥＣＬ側電極３、第２ＥＣＬ側電極４、ＥＣ側電極５とする。

（ロ）ＥＣ側電極５を形成した第２基板２の表面をＵＶ処理した後、予め合成した、４モル／ｌのタングステンとなるような過酸化ポリタングステン酸水溶液をスピンコートし、ＥＣ層（Ｗ₁Ｏ₃膜）７を約１００ｎｍの厚さとなるよう形成する。

（ハ）第１基板１と第２基板２とを、２μｍ粒径のガラスビーズスペーサーを介して、２μｍギャップとなるよう対向配置し、注入口を残して周囲をエポキシ樹脂で固め、セルとする。

（ニ）支持塩とし１０ｍＭのリチウム塩複合体（ＬｉＣＦ₃ＳＯ₃）、又イオン伝導補助剤として１，２−ジフェノキシエタンを、ｏ−ジクロロベンゼン／アセトニトリル混合溶媒（２／１）に溶解させた電解質に、１０ｍＭのルブレンをＥＣＬ材料として溶解させ、このセルに注入して第１層（ＥＣＬ・電解質層）６とし、予め作成しておいたＡｌの反射板とセルを貼り合わせて表示装置を完成する。

［表示装置の動作］
上記の表示装置の製造方法を用い、２．５インチ四方の表示装置を作製した。各画素Ｘ_i,jはの表示セルＬ_i,jは単色の電気化学反応素子からなる図２に示す構成とし、１画素Ｘ_i,jのサイズを１００μｍ四方となるように作製した。第１ＥＣＬ側電極３と第２ＥＣＬ側電極４とを同電位とし、これら電極３，４とＥＣ側電極５間に−１．５〜＋３Ｖとなるよう電圧を印加する。すると、ＥＣ側電極５が正となるように、印加電界の極性を選択し、＋１．８Ｖを印加することにより、消色状態が実現された。

又、ＥＣ側電極５が負となるように、印加電界の極性を選択し、−２．７Ｖを印加することにより、青色の着色状態を実現し、反射表示が可能であることがわかった。

又、ＥＣ側電極５には電圧を印加せず、第１ＥＣＬ側電極３と第２ＥＣＬ側電極４との間に±８Ｖとなるよう、２０Ｈｚの交流を印加すると、黄色の発光が観測された。

（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る表示装置も、図１に示したと同様に、複数の第１信号配線Ｂ１_j，Ｂ１_j+1，・・・・・及び複数の第２信号配線Ｂ２_j，Ｂ２_j+1，・・・・・と、この複数の第１信号配線Ｂ１_j，Ｂ１_j+1，・・・・・及び複数の第２信号配線Ｂ２_j，Ｂ２_j+1，・・・・・に対し直交する水平方向（行方向）に伸延する複数の第１走査配線Ｗ１_i，Ｗ１_i+1，・・・・・及び複数の第２走査配線Ｗ２_i，Ｗ２_i+1，・・・・・により構成されたマトリクスの内部に、それぞれ画素（ピクセル）Ｘ_i,jが２次元配置されている（ｉ＝１〜ｎ；ｊ＝１〜ｍ：ｎ，ｍは正の整数）。更に、第１信号配線Ｂ１_j，Ｂ１_j+1，・・・・・及び第２信号配線Ｂ２_j，Ｂ２_j+1，・・・・・と平行して、第１電源配線Ｐ１_j，Ｐ１_j+1，・・・・・及び第２電源配線Ｐ２_j，Ｐ２_j+1，・・・・・が走行しているが、画素（ピクセル）Ｘ_i,jの表示セルＬ_i,jの構造が異なる。

図６は、第２の実施の形態に係る表示装置の表示セルＬ_i,jの構造を概略的に示す断面図である。第２の実施の形態に係る表示装置については、第１の実施の形態と異なる点のみ説明し、同様な点については図面に同一の符号を付してその説明を省略する。

図２〜図５を用いて説明したように、第１の実施の形態の表示セルＬ_i,jで実現する反射／発光の表示は、ＥＣＬ反応とＥＣ反応の反応に必要な実効電圧（電位）や反応速度の違いによって切り替え可能になっていると考えられる。そこで、第２の実施の形態に係る表示装置においては、図６に示すように第１基板１上に第１ＥＣＬ側電極３のみが設けられた構造である。

第２の実施の形態に係る表示装置では、図６に示すようにＥＣＬ側電極３とＥＣ側電極５がスイッチング素子Ｓ３を介して交流電源Ｖ３に接続され、第１の電界印加手段（３，５，Ｖ３）を構成している。更に、ＥＣＬ側電極３とＥＣ側電極５とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電界印加手段（３，５，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。交流電源Ｖ３は、ＥＣ反応が追随できない周波数で交流電界を供給する。スイッチング素子Ｓ３とスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電界印加手段（３，５，Ｖ３）と第２の電界印加手段（３，５，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換手段（Ｓ３，Ｓ２）を構成している。

図６に示すＥＣＬ側電極３のみが設けられた構造において、発光表示に関しては、スイッチング素子Ｓ２を開放し、スイッチング素子Ｓ３を閉じて、ＥＣＬ側電極３とＥＣ側電極５間に、ＥＣ反応が追随できない周波数で交流電界を印加すれば、第１層６で発光が観測される。

又、反射表示に関しては、スイッチング素子Ｓ２を閉じ、スイッチング素子Ｓ３を開放して、ＥＣＬ側電極３とＥＣ側電極５間に互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、この間に、ＥＣ反応が生じる電圧（電位）が印加され、第２層７で発色・消色が観測される。直流電源Ｅ１，Ｅ２からの印加電界の極性を変えると、第２層７が着色から透明に、或いは、透明から着色に変化され、その結果、背景色或いは着色が第１基板１の側から観察される。この反射表示駆動時に、第２層７／第１層６においてＥＣＬ・電解質層／ＥＣ層界面で電気２重層が形成され、第２層７が第１層６からのイオンの出入りだけではなく、ＥＣＬ材料が酸化還元される場合（発光表示の誤動作の可能性）があるが、第２層７の実効電圧（電位）降下等によりＥＣ反応に適正な電圧（電位）や電流を制御することによって良好な反射表示が可能となる。

本発明の第２の実施の形態に係る表示装置によれば、第２の実施の形態と比較して、簡易な構造で反射・発光表示を実現できる。

（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態に係る表示装置も、図１に示したと同様に、複数の第１信号配線Ｂ１_j，Ｂ１_j+1，・・・・・及び複数の第２信号配線Ｂ２_j，Ｂ２_j+1，・・・・・と、この複数の第１信号配線Ｂ１_j，Ｂ１_j+1，・・・・・及び複数の第２信号配線 Ｂ２_j，Ｂ２_j+1，・・・・・に対し直交する水平方向（行方向）に伸延する複数の第１走査配線Ｗ１_i，Ｗ１_i+1，・・・・・及び複数の第２走査配線Ｗ２_i，Ｗ２_i+1，・・・・・により構成されたマトリクスの内部に、それぞれ画素（ピクセル）Ｘ_i,jが２次元配置されている（ｉ＝１〜ｎ；ｊ＝１〜ｍ：ｎ，ｍは正の整数）。更に、第１信号配線Ｂ１_j，Ｂ１_j+1，・・・・・及び第２信号配線Ｂ２_j，Ｂ２_j+1，・・・・・と平行して、第１電源配線Ｐ１_j，Ｐ１_j+1，・・・・・及び第２電源配線Ｐ２_j，Ｐ２_j+1，・・・・・が走行しているが、画素（ピクセル）Ｘ_i,jの表示セルＬ_i,jの構造が異なる。

図７，８は、第３の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘ_i,jを概略的に示す断面図である。第３の実施の形態に係る表示装置については、第１及び第２の実施の形態と異なる点のみ説明し、同様な点については図面に同一の符号を付してその説明を省略する。

図７，８のように、第３の実施の形態に係る表示装置の表示セルＬ_i,jは、第２層７と第１層６間に、透明な中間電極１１と電解質層１２を設けている。中間電極１１は表示を観察できるように、通常、光透過性材料によって構成される。そのような光透過性材料としては、金属酸化物半導体では、遷移金属の酸化物、例えばチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）の（複合）酸化物、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、Ｂ１ａＴｉＯ_３、ＭｇＴｉＯ_３、ＳｒＮｂ_２Ｏ_６のようなペロブスカイト、或いはこれらの複合酸化物又は酸化物混合物、窒化ガリウム（ＧａＮ）、等を用いることができる。良く使用されるものとして、錫（Ｓｎ）をドープした酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）膜（ＩＴＯ）、インジウム（Ｉｎ）をドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜（ＩＺＯ）、ガリウム（Ｇａ）をドープした酸化亜鉛膜（ＧＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、耐酸性を付与するためにフッ素をドープした酸化亜鉛膜（ＦＴＯ）等の透明電極が使用可能である。

電解質層１２の材料としては、溶媒（液体電解質として第１層６を液体層とする場合）、若しくはこの溶媒で膨潤したゲル状の高分子（固体電解質として第１層６を固体層とする場合）と、これに溶解した支持塩とを有し、支持塩は、過塩素酸テトラブチルアンモニウム(Tetrabutylammonium perchlorate）、ヘキサフルオロりん酸カリウム、リチウムトリフルオロメタンスルホン酸（Lithium trifluoromethanesulfonate）、過塩素酸リチウム、テトラフルオロほう酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、トリプロピルアミン(tripropyl amine）、ホウフッ化テトラ-n-ブチルアンモニウム（tetra-n-butylammonium fluoroborate）等があげられる。

又、溶媒としては、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、プロピレンカーボネート、ｏ−ジクロロベンゼン、１，２ジメトキシエタン、グリセリン、水、エチルアルコール、プロピルアルコール、ジメチルカーボネート、エチレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン(ＮＭＰ)、２−メチルテトラヒドロフラン、トルエン、テトラヒドロフラン、ベンゾニトリル、シクロヘキサン、ノルマルヘキサン、アセトン、ニトロベンゼン、１，３−ジオキソラン、フラン、ベンゾトリフルオリド、等からなる単一溶媒又は混合溶媒があげられる。

又、ゲル状の高分子としては、ポリアクリルニトリル（ＰＡＮ）、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と６フッ化プロピレン（ＨＦＰ）の共重合体、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）等が使用可能である。

発光表示は第１ＥＣＬ側電極３と第２ＥＣＬ側電極４間に交流又は直流電界を印加することによって行う。

第３の実施の形態に係る表示装置では、図７に示すように第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４がスイッチング素子Ｓ４を介して交流電源Ｖ_ECLに接続され、第１の電界印加手段（３，４，Ｖ_ECL）を構成している。又、中間電極１１とＥＣ側電極５とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電界印加手段（１１，５，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ４とスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電界印加手段（３，４，Ｖ_ECL）と第２の電界印加手段（１１，５，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換手段（Ｓ４，Ｓ２）を構成している。

発光表示においては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、中間電極１１及びＥＣ側電極５が直流電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ４が閉じて、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４が交流電源Ｖ_ECLに接続される。したがって、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４間（中間電極１１を介した）に交流電界が生じ、この電界によって発光材料を含む第１層６が発光して発光色が観察される。この画素Ｘ_i,jの第１基板１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板１の側から観察される。この交流電源Ｖ_ECLからの電圧印加が止められれば、第１層６が発光せず、画素Ｘ_i,jの背景色、例えば、黒色が表示される。

一方、図８では、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４がスイッチング素子Ｓ４を介して直流電源Ｅ_ECLに接続され、第１の電界印加手段（３，４，Ｅ_ECL）を構成している。又、中間電極１１とＥＣ側電極５とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電界印加手段（１１，５，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ４とスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電界印加手段（３，４，Ｅ_ECL）と第２の電界印加手段（１１，５，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換手段（Ｓ４，Ｓ２）を構成している。

図８の場合の発光表示においては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、中間電極１１及びＥＣ側電極５が直流電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ４が閉じて、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４が直流電源Ｅ_ECLに接続される。したがって、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４間（中間電極１１を介した）に直流電界が生じ、この電界によって発光材料を含む第１層６が発光して発光色が観察される。図７と同様に、この画素Ｘ_i,jの第１基板１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板１の側から観察される。この直流電源Ｅ_ECLからの電圧印加が止められれば、第１層６が発光せず、画素Ｘ_i,jの背景色、例えば、黒色が表示される。

反射表示においては、スイッチング素子Ｓ２が閉じて、中間電極１１及びＥＣ側電極５とが互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２のいずれかに接続される。したがって、中間電極１１とＥＣ側電極５との間に直流電界が生じてＥＣ現象を示す材料を含む第２層７が着色或いは透明化される。その結果、第１基板１の外からは、着色された第２層７或いは透明化された第２層７を介して第２基板２が背景色として観察される。直流電源Ｅ１，Ｅ２からの印加電界の極性を変えると、第２層７が着色から透明に、或いは、透明から着色に変化され、その結果、背景色或いは着色が第１基板１の側から観察される。

第３の実施の形態に係る表示装置によれば、反射表示部と発光表示部が独立した系になり、誤動作を起こしにくくなる。

（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態に係る表示装置も、図１に示したと同様なマトリクスの内部に、それぞれ画素（ピクセル）Ｘ_i,jが２次元配置されている（ｉ＝１〜ｎ；ｊ＝１〜ｍ：ｎ，ｍは正の整数）。それぞれの画素（ピクセル）Ｘ_i,jは、図９，１０に示すように、第２層７と第１層６との間に、中間電極１１と電解質層１２を設けている点では、第３の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘ_i,jの表示セルＬ_i,jと同様である。しかし、第２の実施の形態に係る表示装置と同様に、第１基板１上には、ＥＣＬ側電極３のみが設けられた構造である点が、第３の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘ_i,jの表示セルＬ_i,jとは異なる。中間電極１１は表示を観察できるように、通常、光透過性材料によって構成される。そのような光透過性材料としては、金属酸化物半導体では、遷移金属の酸化物、例えばチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）の（複合）酸化物、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、Ｂ１ａＴｉＯ_３、ＭｇＴｉＯ_３、ＳｒＮｂ_２Ｏ_６のようなペロブスカイト、或いはこれらの複合酸化物又は酸化物混合物、窒化ガリウム（ＧａＮ）、等を用いることができる。良く使用されるものとして、錫（Ｓｎ）をドープした酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）膜（ＩＴＯ）、インジウム（Ｉｎ）をドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜（ＩＺＯ）、ガリウム（Ｇａ）をドープした酸化亜鉛膜（ＧＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、耐酸性を付与するためにフッ素をドープした酸化亜鉛膜（ＦＴＯ）等の透明電極が使用可能である。電解質層１２の材料としては、溶媒（液体電解質として第１層６を液体層とする場合）、若しくはこの溶媒で膨潤したゲル状の高分子（固体電解質として第１層６を固体層とする場合）と、これに溶解した支持塩とを有し、支持塩は、過塩素酸テトラブチルアンモニウム(Tetrabutylammonium perchlorate）、ヘキサフルオロりん酸カリウム、リチウムトリフルオロメタンスルホン酸（Lithium trifluoromethanesulfonate）、過塩素酸リチウム、テトラフルオロほう酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、トリプロピルアミン(tripropyl amine）、ホウフッ化テトラ-n-ブチルアンモニウム（tetra-n-butylammonium fluoroborate）等があげられる。

又、溶媒としては、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、プロピレンカーボネート、ｏ−ジクロロベンゼン、１，２ジメトキシエタン、グリセリン、水、エチルアルコール、プロピルアルコール、ジメチルカーボネート、エチレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン(ＮＭＰ)、２−メチルテトラヒドロフラン、トルエン、テトラヒドロフラン、ベンゾニトリル、シクロヘキサン、ノルマルヘキサン、アセトン、ニトロベンゼン、１，３−ジオキソラン、フラン、ベンゾトリフルオリド、等からなる単一溶媒又は混合溶媒があげられる。

又、ゲル状の高分子としては、ポリアクリルニトリル（ＰＡＮ）、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と６フッ化プロピレン（ＨＦＰ）の共重合体、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）等が使用可能である。

第４の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘ_i,jでは、図９に示すように、ＥＣＬ側電極３及び中間電極１１が、スイッチング素子Ｓ５ｄを介して、互いに極性の異なる直流電源Ｅ_ECL1及び直流電源Ｅ_ECL2に接続され、第１の電界印加手段（３，１１，Ｅ_ECL1，Ｅ_ECL2）を構成している。更に、中間電極１１とＥＣ側電極５とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電界印加手段（１１，５，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ５ｄとスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電界印加手段（３，１１，Ｅ_ECL1，Ｅ_ECL2）と第２の電界印加手段（１１，５，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換手段（Ｓ５ｄ，Ｓ２）を構成している。

第４の実施の形態に係る表示装置の表示セルＬ_i,jの発光表示はＥＣＬ側電極３と中間電極１１間に交流又は直流電界を印加することによって行う。即ち、図９に示す表示セルＬ_i,jの発光表示においては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、中間電極１１及びＥＣ側電極５が直流電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ５ｄがいずれかの極性に閉じて、ＥＣＬ側電極３及び中間電極１１が、極性の異なる直流電源Ｅ_ECL1及び直流電源Ｅ_ECL2のいずれかに接続される。したがって、ＥＣＬ側電極３及び中間電極１１間に直流電界が生じ、この電界によって発光材料を含む第１層６が発光して発光色が観察される。この画素Ｘ_i,jの第１基板１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板１の側から観察される。この直流電源Ｅ_ECLからの電圧印加が止められれば、第１層６が発光せず、画素Ｘ_i,jの背景色、例えば、黒色が表示される。

一方、図１０では、ＥＣＬ側電極３及び中間電極１１がスイッチング素子Ｓ５ａを介して交流電源Ｖ_ECLに接続され、第１の電界印加手段（３，１１，Ｖ_ECL）を構成している。又、中間電極１１とＥＣ側電極５とがスイッチング素子Ｓ２を介して直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電界印加手段（１１，５，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ５ａとスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電界印加手段（３，１１，Ｖ_ECL）と第２の電界印加手段（１１，５，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換手段（Ｓ５ａ，Ｓ２）を構成している。

発光表示においては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、中間電極１１及びＥＣ側電極５が互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ５ａが閉じて、ＥＣＬ側電極３及び中間電極１１が交流電源Ｖ_ECLに接続される。したがって、ＥＣＬ側電極３及び中間電極１１間に交流電界が生じ、この電界によって発光材料を含む第１層６が発光して発光色が観察される。この画素Ｘ_i,jの第１基板１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板１の側から観察される。この交流電源Ｖ_ECLからの電圧印加が止められれば、第１層６が発光せず、画素Ｘ_i,jの背景色、例えば、黒色が表示される。

反射表示においては、スイッチング素子Ｓ２が閉じて、中間電極１１及びＥＣ側電極５とが、互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２のいずれかに接続される。したがって、中間電極１１とＥＣ側電極５との間に直流電界が生じてＥＣ現象を示す材料を含む第２層７が着色或いは透明化される。その結果、第１基板１の外からは、着色された第２層７或いは透明化された第２層７を介して第２基板２が背景色として観察される。直流電源Ｅ１，Ｅ２からの印加電界の極性を変えると、第２層７が着色から透明に、或いは、透明から着色に変化され、その結果、背景色或いは着色が第１基板１の側から観察される。

第４の実施の形態に係る表示装置によれば、反射表示部と発光表示部が独立した系になり、第３の実施の形態と比較して、簡易な構造で反射・発光表示を実現できる。

（第５の実施の形態）
本発明の第５の実施の形態に係る表示装置も、図１に示したと同様なマトリクスの内部に、それぞれ画素（ピクセル）Ｘ_i,jが２次元配置されている（ｉ＝１〜ｎ；ｊ＝１〜ｍ：ｎ，ｍは正の整数）。それぞれの画素（ピクセル）Ｘ_i,jは、図１１，１２に示すように、第１基板１上に第１ＥＣＬ側電極３と第２ＥＣＬ側電極４が設けられている点では、第１の実施の形態と同様であるが、更に、第２層７と第１層６と間に、電解質層１２と、多孔質性電極、又は多孔質材料を含む多孔質電極（第１多孔質電極）１６とを設けている点で第１の実施の形態とは異なる。ここで多孔質電極（第１多孔質電極）１６は、多孔質電極（ＥＣ層側）と多孔質な絶縁膜（電解質側）からなる複合膜でも良い。多孔質電極（第１多孔質電極）１６の孔径は、１ｎｍから１０００ｎｍの範囲、好ましくは１ｎｍから１００ｎｍの範囲とすれば良く、種々の導電体(ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＳｎＯ₂等)が使用可能で、孔径がこれらの範囲にあれば、一様な孔形状や孔径である必要はない。多孔質電極（第１多孔質電極）１６は表示を観察できるように、通常、光透過性材料によって構成される。そのような光透過性材料としては、金属酸化物半導体では、遷移金属の酸化物、例えばチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）の（複合）酸化物、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、Ｂ１ａＴｉＯ_３、ＭｇＴｉＯ_３、ＳｒＮｂ_２Ｏ_６のようなペロブスカイト、或いはこれらの複合酸化物又は酸化物混合物、窒化ガリウム（ＧａＮ）、等を用いることができる。良く使用されるものとして、錫（Ｓｎ）をドープした酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）膜（ＩＴＯ）、インジウム（Ｉｎ）をドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜（ＩＺＯ）、ガリウム（Ｇａ）をドープした酸化亜鉛膜（ＧＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、耐酸性を付与するためにフッ素をドープした酸化亜鉛膜（ＦＴＯ）等の透明電極が使用可能である。

電解質層１２の材料としては、溶媒（液体電解質として第１層６を液体層とする場合）、若しくはこの溶媒で膨潤したゲル状の高分子（固体電解質として第１層６を固体層とする場合）と、これに溶解した支持塩とを有し、支持塩は、過塩素酸テトラブチルアンモニウム(Tetrabutylammonium perchlorate）、ヘキサフルオロりん酸カリウム、リチウムトリフルオロメタンスルホン酸（Lithium trifluoromethanesulfonate）、過塩素酸リチウム、テトラフルオロほう酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、トリプロピルアミン(tripropyl amine）、ホウフッ化テトラ-n-ブチルアンモニウム（tetra-n-butylammonium fluoroborate）等があげられる。

又、溶媒としては、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、プロピレンカーボネート、ｏ−ジクロロベンゼン、１，２ジメトキシエタン、グリセリン、水、エチルアルコール、プロピルアルコール、ジメチルカーボネート、エチレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン(ＮＭＰ)、２−メチルテトラヒドロフラン、トルエン、テトラヒドロフラン、ベンゾニトリル、シクロヘキサン、ノルマルヘキサン、アセトン、ニトロベンゼン、１，３−ジオキソラン、フラン、ベンゾトリフルオリド、等からなる単一溶媒又は混合溶媒があげられる。

又、ゲル状の高分子としては、ポリアクリルニトリル（ＰＡＮ）、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と６フッ化プロピレン（ＨＦＰ）の共重合体、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）等が使用可能である。 図１１に示す第５の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘ_i,jの表示セルＬ_i,jでは、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４がスイッチング素子Ｓ１を介して交流電源Ｖ_ECLに接続され、第１の電界印加手段（３，４，Ｖ_ECL）を構成している。又、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４とＥＣ側電極５とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電界印加手段（３，４，５，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ１とスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電界印加手段（３，４，Ｖ_ECL）と第２の電界印加手段（３，４，５，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換手段（Ｓ１，Ｓ２）を構成している。

図１１に示す表示セルＬ_i,jの発光表示においては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、第１ＥＣＬ側電極３，第２ＥＣＬ側電極４及びＥＣ側電極５が直流電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ１が閉じて、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４が交流電源Ｖ_ECLに接続される。したがって、第１ＥＣＬ側電極３と第２ＥＣＬ側電極４間（多孔質電極１６を介した）に交流電界が生じ、この電界によって発光材料を含む第１層６が発光して発光色が観察される。この画素Ｘ_i,jの第１基板１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板１の側から観察される。この交流電源Ｖ_ECLからの電圧印加が止められれば、第１層６が発光せず、画素Ｘ_i,jの背景色、例えば、黒色が表示される。

一方、図１２では、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４がスイッチング素子Ｓ１を介して直流電源Ｅ_ECLに接続され、第１の電界印加手段（３，４，Ｅ_ECL）を構成している。又、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４とＥＣ側電極５とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電界印加手段（３，４，５，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ１とスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電界印加手段（３，４，Ｅ_ECL）と第２の電界印加手段（３，４，５，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換手段（Ｓ１，Ｓ２）を構成している。

図１２の場合の発光表示においては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、第１ＥＣＬ側電極３，第２ＥＣＬ側電極４及びＥＣ側電極５が直流電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ１が閉じて、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４が直流電源Ｅ_ECLに接続される。したがって、第１ＥＣＬ側電極３と第２ＥＣＬ側電極４間（多孔質電極１６を介した）間に直流電界が生じ、この電界によって発光材料を含む第１層６が発光して発光色が観察される。図１１と同様に、この画素Ｘ_i,jの第１基板１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板１の側から観察される。この直流電源Ｅ_ECLからの電圧印加が止められれば、第１層６が発光せず、画素Ｘ_i,jの背景色、例えば、黒色が表示される。

反射表示においては、第１ＥＣＬ側電極３と第２ＥＣＬ側電極４とが互いに短絡されるようにスイッチング素子Ｓ１が切り替えられ、スイッチング素子Ｓ２が閉じて、同電位の第１ＥＣＬ側電極３，第２ＥＣＬ側電極４と、ＥＣ側電極５との間が互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２のいずれかに接続される。したがって、同電位の第１ＥＣＬ側電極３，第２ＥＣＬ側電極４と、ＥＣ側電極５との間に直流電界が生じてＥＣ現象を示す材料を含む第２層７が着色或いは透明化される。その結果、第１基板１の外からは、着色された第２層７或いは透明化された第２層７を介して第２基板２が背景色として観察される。直流電源Ｅ１，Ｅ２からの印加電界の極性を変えると、第２層７が着色から透明に、或いは、透明から着色に変化され、その結果、背景色或いは着色が第１基板１の側から観察される。

第５の実施の形態に係る表示装置によれば、第４の実施の形態と比較して、簡易な構造で反射・発光表示を実現できる。

（第６の実施の形態）
本発明の第６の実施の形態に係る表示装置も、図１に示したと同様なマトリクスの内部に、それぞれ画素（ピクセル）Ｘ_i,jが２次元配置されている（ｉ＝１〜ｎ；ｊ＝１〜ｍ：ｎ，ｍは正の整数）。それぞれの画素（ピクセル）Ｘ_i,jは、図１３，１４に示すように、第５の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘ_i,jの表示セルＬ_i,jと同様に、第２層７と第１層６間に電解質層１２と多孔質性電極、又は多孔質材料を含む多孔質電極（第１多孔質電極）１６とを設けている点で第１の実施の形態とは異なる。ここで多孔質電極（第１多孔質電極）１６は、多孔質電極（ＥＣ層側）と多孔質な絶縁膜（電解質側）からなる複合膜でも良い。多孔質電極（第１多孔質電極）１６の孔径は、１ｎｍから１０００ｎｍの範囲、好ましくは１ｎｍから１００ｎｍの範囲とすれば良く、種々の導電体(ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＳｎＯ₂等)が使用可能で、孔径がこれらの範囲にあれば、一様な孔形状や孔径である必要はない。多孔質電極（第１多孔質電極）１６は表示を観察できるように、通常、光透過性材料によって構成される。そのような光透過性材料としては、金属酸化物半導体では、遷移金属の酸化物、例えばチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）の（複合）酸化物、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、Ｂ１ａＴｉＯ_３、ＭｇＴｉＯ_３、ＳｒＮｂ_２Ｏ_６のようなペロブスカイト、或いはこれらの複合酸化物又は酸化物混合物、窒化ガリウム（ＧａＮ）、等を用いることができる。良く使用されるものとして、錫（Ｓｎ）をドープした酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）膜（ＩＴＯ）、インジウム（Ｉｎ）をドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜（ＩＺＯ）、ガリウム（Ｇａ）をドープした酸化亜鉛膜（ＧＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、耐酸性を付与するためにフッ素をドープした酸化亜鉛膜（ＦＴＯ）等の透明電極が使用可能である。

電解質層１２の材料としては、溶媒（液体電解質として第１層６を液体層とする場合）、若しくはこの溶媒で膨潤したゲル状の高分子（固体電解質として第１層６を固体層とする場合）と、これに溶解した支持塩とを有し、支持塩は、過塩素酸テトラブチルアンモニウム(Tetrabutylammonium perchlorate）、ヘキサフルオロりん酸カリウム、リチウムトリフルオロメタンスルホン酸（Lithium trifluoromethanesulfonate）、過塩素酸リチウム、テトラフルオロほう酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、トリプロピルアミン(tripropyl amine）、ホウフッ化テトラ-n-ブチルアンモニウム（tetra-n-butylammonium fluoroborate）等があげられる。

又、溶媒としては、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、プロピレンカーボネート、ｏ−ジクロロベンゼン、１，２ジメトキシエタン、グリセリン、水、エチルアルコール、プロピルアルコール、ジメチルカーボネート、エチレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン(ＮＭＰ)、２−メチルテトラヒドロフラン、トルエン、テトラヒドロフラン、ベンゾニトリル、シクロヘキサン、ノルマルヘキサン、アセトン、ニトロベンゼン、１，３−ジオキソラン、フラン、ベンゾトリフルオリド、等からなる単一溶媒又は混合溶媒があげられる。

又、ゲル状の高分子としては、ポリアクリルニトリル（ＰＡＮ）、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と６フッ化プロピレン（ＨＦＰ）の共重合体、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）等が使用可能である。 図１３，１４に示すように、第６の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘ_i,jの発光表示は第１ＥＣＬ側電極３と第２ＥＣＬ側電極４間に交流又は直流電界を印加することによって行う。又、反射表示は、第１ＥＣＬ側電極３・第２ＥＣＬ側電極４（同電位）と多孔質電極（第１多孔質電極）１６間に直流電界を印加することによって行う。

即ち、第６の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘ_i,jでは、図１３に示すように第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４がスイッチング素子Ｓ１を介して交流電源Ｖ_ECLに接続され、第１の電界印加手段（３，４，Ｖ_ECL）を構成している。又、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４と多孔質電極（第１多孔質電極）１６とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電界印加手段（３，４，１６，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ１
とスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電界印加手段（３，４，Ｖ_ECL）と第２の電界印加手段（３，４，１６，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換手段（Ｓ１，Ｓ２）を構成している。

図１３に示す表示セルＬ_i,jでの発光表示においては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、第１ＥＣＬ側電極３，第２ＥＣＬ側電極４及び多孔質電極（第１多孔質電極）１６が直流電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ１が閉じて、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４が交流電源Ｖ_ECLに接続される。したがって、第１ＥＣＬ側電極３と第２ＥＣＬ側電極４間（多孔質電極１６を介した）に交流電界が生じ、この電界によって発光材料を含む第１層６が発光して発光色が観察される。この画素Ｘ_i,jの第１基板１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板１の側から観察される。この交流電源Ｖ_ECLからの電圧印加が止められれば、第１層６が発光せず、画素Ｘ_i,jの背景色、例えば、黒色が表示される。

一方、図１４に示す表示セルＬ_i,jでは、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４がスイッチング素子Ｓ１を介して直流電源Ｅ_ECLに接続され、第１の電界印加手段（３，４，Ｅ_ECL）を構成している。又、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４と多孔質電極１６とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電界印加手段（３，４，１６，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ１とスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電界印加手段（３，４，Ｅ_ECL）と第２の電界印加手段（３，４，１６，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換手段（Ｓ１，Ｓ２）を構成している。

図１４の場合の発光表示においては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、第１ＥＣＬ側電極３，第２ＥＣＬ側電極４及び多孔質電極１６が直流電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ１が閉じて、第１ＥＣＬ側電極３及び第２ＥＣＬ側電極４が直流電源Ｅ_ECLに接続される。したがって、第１ＥＣＬ側電極３と第２ＥＣＬ側電極４間（多孔質電極１６を介した）に直流電界が生じ、この電界によって発光材料を含む第１層６が発光して発光色が観察される。図１３と同様に、この画素Ｘ_i,jの第１基板１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板１の側から観察される。この直流電源Ｅ_ECLからの電圧印加が止められれば、第１層６が発光せず、画素Ｘ_i,jの背景色、例えば、黒色が表示される。

反射表示においては、第１ＥＣＬ側電極３と第２ＥＣＬ側電極４とが互いに短絡されるようにスイッチング素子Ｓ１が切り替えられ、スイッチング素子Ｓ２が閉じて、同電位の第１ＥＣＬ側電極３，第２ＥＣＬ側電極４と、多孔質電極１６との間が互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２のいずれかに接続される。したがって、同電位の第１ＥＣＬ側電極３，第２ＥＣＬ側電極４と、多孔質電極１６との間に直流電界が生じてＥＣ現象を示す材料を含む電解質層１２が着色或いは透明化される。その結果、第１基板１の外からは、着色された電解質層１２或いは透明化された電解質層１２を介して第２基板２が背景色として観察される。直流電源Ｅ１，Ｅ２からの印加電界の極性を変えると、電解質層１２が着色から透明に、或いは、透明から着色に変化され、その結果、背景色或いは着色が第１基板１の側から観察される。

（第７の実施の形態）
本発明の第７の実施の形態に係る表示装置も、図１に示したと同様なマトリクスの内部に、それぞれ画素（ピクセル）Ｘ_i,jが２次元配置されている（ｉ＝１〜ｎ；ｊ＝１〜ｍ：ｎ，ｍは正の整数）。それぞれの画素（ピクセル）Ｘ_i,jは、図１５，１６に示すように、第１基板１上にＥＣＬ側電極３のみを設け、更に、第２層７と第１層６との間に、透明な中間電極１１／電解質層１２／多孔質からなる多孔質電極（第１多孔質電極）１６を設けている。

第７の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘ_i,jでは、図１５に示すように、ＥＣＬ側電極３及び中間電極１１が、スイッチング素子Ｓ５ｄを介して、互いに極性の異なる直流電源Ｅ_ECL1及び直流電源Ｅ_ECL2に接続され、第１の電界印加手段（３，１１，Ｅ_ECL1，Ｅ_ECL2）を構成している。更に、中間電極１１と多孔質電極（第２多孔電極）１６とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電界印加手段（１１，１６，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ５ｄとスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電界印加手段（３，１１，Ｅ_ECL1，Ｅ_ECL2）と第２の電界印加手段（１１，１６，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換手段（Ｓ５ｄ，Ｓ２）を構成している。

第７の実施の形態に係る表示装置の表示セルＬ_i,jの発光表示はＥＣＬ側電極３と中間電極１１間に交流又は直流電界を印加することによって行う。即ち、図１５に示す表示セルＬ_i,jの場合の発光表示においては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、中間電極１１及び多孔質電極（第１多孔質電極）１６が直流電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ５ｄがいずれかの極性に閉じて、ＥＣＬ側電極３及び中間電極１１が、極性の異なる直流電源Ｅ_ECL1及び直流電源Ｅ_ECL2のいずれかに接続される。したがって、ＥＣＬ側電極３及び中間電極１１間に直流電界が生じ、この電界によって発光材料を含む第１層６が発光して発光色が観察される。この画素Ｘ_i,jの第１基板１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板１の側から観察される。この直流電源Ｅ_ECLからの電圧印加が止められれば、第１層６が発光せず、画素Ｘ_i,jの背景色、例えば、黒色が表示される。

一方、図１６では、ＥＣＬ側電極３及び中間電極１１がスイッチング素子Ｓ５ａを介して交流電源Ｖ_ECLに接続され、第１の電界印加手段（３，１１，Ｖ_ECL）を構成している。又、中間電極１１及び多孔質電極（第１多孔質電極）１６とがスイッチング素子Ｓ２を介して直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続されて、第２の電界印加手段（１１，１６，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ５ａとスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電界印加手段（３，１１，Ｖ_ECL）と第２の電界印加手段（１１，１６，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換手段（Ｓ５ａ，Ｓ２）を構成している。

図１６に示す表示セルＬ_i,jの発光表示においては、スイッチング素子Ｓ２が開放され、中間電極１１及び多孔質電極（第１多孔質電極）１６が互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２から切断される。更に、スイッチング素子Ｓ５ａが閉じて、ＥＣＬ側電極３及び中間電極１１が交流電源Ｖ_ECLに接続される。したがって、ＥＣＬ側電極３及び中間電極１１間に交流電界が生じ、この電界によって発光材料を含む第１層６が発光して発光色が観察される。この画素Ｘ_i,jの第１基板１上にカラーフィルターが設けられていれば、そのフィルター色が第１基板１の側から観察される。この交流電源Ｖ_ECLからの電圧印加が止められれば、第１層６が発光せず、画素Ｘ_i,jの背景色、例えば、黒色が表示される。

又、反射表示は、中間電極１１及び多孔質電極（第１多孔質電極）１６間に直流電界を印加することによって行う。反射表示においては、スイッチング素子Ｓ２が閉じて、中間電極１１及び多孔質電極（第１多孔質電極）１６とが、互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２のいずれかに接続される。したがって、中間電極１１と多孔質電極（第１多孔質電極）１６との間に直流電界が生じてＥＣ現象を示す材料を含む電解質層１２が着色或いは透明化される。その結果、第１基板１の外からは、着色された電解質層１２或いは透明化された電解質層１２を介して第２基板２が背景色として観察される。直流電源Ｅ１，Ｅ２からの印加電界の極性を変えると、電解質層１２が着色から透明に、或いは、透明から着色に変化され、その結果、背景色或いは着色が第１基板１の側から観察される。

（第８の実施の形態）
本発明の第８の実施の形態に係る表示装置も、図１に示したと同様なマトリクスの内部に、それぞれ画素（ピクセル）Ｘ_i,jが２次元配置されている（ｉ＝１〜ｎ；ｊ＝１〜ｍ：ｎ，ｍは正の整数）。それぞれの画素（ピクセル）Ｘ_i,jは、図１７に示すように、第２層７と第１層６との間に多孔質性電極、又は多孔質材料を含む多孔質電極（第２多孔質電極）１５を設けている。ここで多孔質電極（第２多孔質電極）１５は、多孔質電極（ＥＣ層側）と多孔質な絶縁膜（電解質側）からなる複合膜でも良い。多孔質電極（第２多孔質電極）１５の孔径は、１ｎｍから１０００ｎｍの範囲、好ましくは１ｎｍから１００ｎｍの範囲とすれば良く、種々の導電体(ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＳｎＯ₂等)が使用可能で、孔径がこれらの範囲にあれば、一様な孔形状や孔径である必要はない。多孔質電極（第２多孔質電極）１５は表示を観察できるように、通常、光透過性材料によって構成される。そのような光透過性材料としては、金属酸化物半導体では、遷移金属の酸化物、例えばチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）の（複合）酸化物、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、Ｂ１ａＴｉＯ_３、ＭｇＴｉＯ_３、ＳｒＮｂ_２Ｏ_６のようなペロブスカイト、或いはこれらの複合酸化物又は酸化物混合物、窒化ガリウム（ＧａＮ）、等を用いることができる。良く使用されるものとして、錫（Ｓｎ）をドープした酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）膜（ＩＴＯ）、インジウム（Ｉｎ）をドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜（ＩＺＯ）、ガリウム（Ｇａ）をドープした酸化亜鉛膜（ＧＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、耐酸性を付与するためにフッ素をドープした酸化亜鉛膜（ＦＴＯ）等の透明電極が使用可能である。
図１７に示すようにＥＣＬ側電極３と多孔質電極（第２多孔質電極）１５がスイッチング素子Ｓ６を介して交流電源Ｖ_ECLに接続され、第１の電界印加手段（３，１５，Ｖ_ECL）を構成している。更に、ＥＣＬ側電極３とＥＣ側電極５とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電界印加手段（３，５，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ６とスイッチング素子Ｓ２とは、
第１の電界印加手段（３，１５，Ｖ_ECL）と第２の電界印加手段（３，５，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換手段（Ｓ６，Ｓ２）を構成している。

第８の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘ_i,jでは、発光表示はＥＣＬ側電極３と多孔質電極（第２多孔質電極）１５間に交流又は直流電界を印加することによって行う。即ち、図１７に示すＥＣＬ側電極３のみが設けられた表示セルＬ_i,jの構造において、発光表示に関しては、スイッチング素子Ｓ２を開放し、スイッチング素子Ｓ６を閉じて、ＥＣＬ側電極３と多孔質電極（第２多孔質電極）１５間に、交流電界を印加すれば、第１層６で発光が観測される。

又、反射表示は、ＥＣＬ側電極３とＥＣ側電極５との間に直流電界を印加することによって行う。即ち、反射表示に関しては、スイッチング素子Ｓ２を閉じ、スイッチング素子Ｓ６を開放して、ＥＣＬ側電極３とＥＣ側電極５間に互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２のいずれかが接続され、この間に、ＥＣ反応が生じる電圧（電位）が印加され、第２層７で発色・消色が観測される。直流電源Ｅ１，Ｅ２からの印加電界の極性を変えると、第２層７が着色から透明に、或いは、透明から着色に変化され、その結果、背景色或いは着色が第１基板１の側から観察される。

（第９の実施の形態）
本発明の第９の実施の形態に係る表示装置も、図１に示したと同様なマトリクスの内部に、それぞれ画素（ピクセル）Ｘ_i,jが２次元配置されている（ｉ＝１〜ｎ；ｊ＝１〜ｍ：ｎ，ｍは正の整数）。それぞれの画素（ピクセル）Ｘ_i,jは、図１８，１９に示すように、第１基板１上に第１ＥＣＬ駆動用電極１７と第１ＥＣ駆動用電極１９、第２基板２上に第２ＥＣＬ駆動用電極１８と第２ＥＣ駆動用電極２０を配置している。そして、第１基板１ト第２基板２との間に第１層６を挿入している。更に、第１層６と第２ＥＣ駆動用電極２０間に局所的に第２層７を設けている。

図１８に示す第９の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘ_i,jでは、第１ＥＣＬ駆動用電極１７と第２ＥＣＬ駆動用電極１８とがスイッチング素子Ｓ７を介して直流電源Ｅ_ECLに接続され、第１の電界印加手段（１７，１８，Ｅ_ECL）を構成している。更に、第１ＥＣ駆動用電極１９と第２ＥＣ駆動用電極２０とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電界印加手段（１９，２０，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ７とスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電界印加手段（１７，１８，Ｅ_ECL）と第２の電界印加手段（１９，２０，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換手段（Ｓ７，Ｓ２）を構成している。

図１８に示す第９の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘ_i,jの表示セルＬ_i,jにおける発光表示は第１ＥＣＬ駆動用電極１７と第２ＥＣＬ駆動用電極１８間に直流電界を印加することによって行う。即ち、図１８に示す表示セルＬ_i,jの構造において、発光表示に関しては、スイッチング素子Ｓ２を開放し、スイッチング素子Ｓ７を閉じて、第１ＥＣＬ駆動用電極１７と第２ＥＣＬ駆動用電極１８間に、直流電界を印加すれば、第１層６で発光が観測される。

図１９に示す第９の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘ_i,jでは、第１ＥＣＬ駆動用電極１７と第２ＥＣＬ駆動用電極１８がスイッチング素子Ｓ７を介して交流電源Ｖ_ECLに接続され、第１の電界印加手段（１７，１８，Ｖ_ECL）を構成している。更に、第１ＥＣ駆動用電極１９と第２ＥＣ駆動用電極２０とがスイッチング素子Ｓ２を介して互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２に接続され、第２の電界印加手段（１９，２０，Ｅ１，Ｅ２）を構成している。スイッチング素子Ｓ７とスイッチング素子Ｓ２とは、第１の電界印加手段（１７，１８，Ｖ_ECL）と第２の電界印加手段（１９，２０，Ｅ１，Ｅ２）とを選択的に動作させる切換手段（Ｓ７，Ｓ２）を構成している。

図１９に示す第９の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）Ｘ_i,jの表示セルＬ_i,jにおける発光表示は、第１ＥＣＬ駆動用電極１７と第２ＥＣＬ駆動用電極１８間に交流電界を印加することによって行う。即ち、図１９に示す表示セルＬ_i,jの構造において、発光表示に関しては、スイッチング素子Ｓ２を開放し、スイッチング素子Ｓ７を閉じて、第１ＥＣＬ駆動用電極１７と第２ＥＣＬ駆動用電極１８間に、ＥＣ反応が追随できない周波数で交流電界を印加すれば、第１層６で発光が観測される。

又、反射表示は、第１ＥＣ駆動用電極１９と第２ＥＣ駆動用電極２０間に直流電界を印加することによって行う。即ち、反射表示に関しては、図１８及び図１９に示したスイッチング素子Ｓ２を閉じ、スイッチング素子Ｓ７を開放して、第１ＥＣ駆動用電極１９と第２ＥＣ駆動用電極２０間に互いに極性の異なる直流電源Ｅ１，Ｅ２のいずれかに接続することにより、この間に、ＥＣ反応が生じる電圧（電位）が印加され、第２層７で発色・消色が観測される。直流電源Ｅ１，Ｅ２からの印加電界の極性を変えると、第２層７が着色から透明に、或いは、透明から着色に変化され、その結果、背景色或いは着色が第１基板１の側から観察される。

（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は第１〜第９の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。

例えば、図６に示した第２の実施の形態に係る表示装置の表示セルＬ_i,jの構造では、反射表示の場合、ＥＣＬ側電極３や第２層７から発生する少量のＥＣＬ材料のイオンラジカル種が反応して、発光という誤動作を生じる可能性がある。そこで、図２０に示すように、ＥＣＬ側電極３上に導電体、若しくは半導体、若しくは絶縁体からなる多孔質膜１３を設けることにより、ＥＣＬ側電極３側から生じるイオンラジカル種の第２層７側への移動（拡散）を防止し、イオンラジカル種の移動（拡散）に伴う発光（誤動作）を防ぐことができる。多孔質膜１３の孔径は、１ｎｍから１０００ｎｍの範囲、好ましくは３ｎｍから１００ｎｍの範囲、更に好ましくは３ｎｍから３０ｎｍの範囲とすれば良く、種々の導電体(ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＳｎＯ₂等)、半導体（ＴｉＯ₂等）、若しくは絶縁体(SiO₂等)が使用可能で、孔径がこれらの範囲にあれば、一様な孔形状や孔径である必要はない。

更に、図２０に示すように、ＥＣＬ側電極３に多孔質膜１３を設けることによって、ＥＣＬ側電極３側の発光輝度の向上が期待できる。これはＥＣＬ側電極３側から発生した、極性の異なるイオンラジカル種が、多孔質膜１３中にとどまり電解質中へ拡散しないため、多孔質膜１３中で効率良く衝突⇒発光を起こすためである。

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。

本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の画素の配列の一部（２×２部分）を示す平面図である。 図１に示した表示装置の画素（ピクセル）の表示セルの構造の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第１の実施の形態の変形例（第１変形例）に係る表示装置の画素（ピクセル）の表示セルの構造の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第１の実施の形態の他の変形例（第２変形例）に係る表示装置の画素（ピクセル）の表示セルの構造の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第１の実施の形態の更に他の変形例（第３変形例）に係る表示装置の画素（ピクセル）の表示セルの構造の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）の表示セルの構造の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）の表示セルの構造の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第３の実施の形態の変形例に係る表示装置の画素（ピクセル）の表示セルの構造の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）の表示セルの構造の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第４の実施の形態の変形例に係る表示装置の画素（ピクセル）の表示セルの構造の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）の表示セルの構造の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第５の実施の形態の変形例に係る表示装置の画素（ピクセル）の表示セルの構造の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）の表示セルの構造の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第６の実施の形態の変形例に係る表示装置の画素（ピクセル）の表示セルの構造の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第７の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）の表示セルの構造の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第７の実施の形態の変形例に係る表示装置の画素（ピクセル）の表示セルの構造の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第８の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）の表示セルの構造の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第９の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）の表示セルの構造の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第９の実施の形態の変形例に係る表示装置の画素（ピクセル）の表示セルの構造の一例を示す模式的な断面図である。 本発明のその他の実施の形態に係る表示装置の画素（ピクセル）の表示セルの構造の一例を示す模式的な断面図である。

符号の説明

Ｂ１_j，Ｂ１_j+1，・・・・・…第１信号配線
Ｂ２_j，Ｂ２_j+1，・・・・・…第１信号配線
Ｃ１_i,j，Ｃ１_i＋１,j，Ｃ１_i,j+1，Ｃ１_i+1,j+1…第１補助容量
Ｃ２_i,j，Ｃ２_i＋１,j，Ｃ２_i,j+1，Ｃ２_i+1,j+1…第２補助容量
Ｅ_ECL…直流電源
Ｅ１，Ｅ２…直流電源
Ｌ_i,j，Ｌ_i＋１,j，Ｌ_i,j+1，Ｌ_i+1,j+1…表示セル
Ｐ１_j，Ｐ１_j+1，・・・・・…第１電源配線
Ｐ２_j，Ｐ２_j+1，・・・・・…第２電源配線
Ｑ１_i,j，Ｑ１_i＋１,j，Ｑ１_i,j+1，Ｑ１_i+1,j+1…第１書き込みトランジスタ
Ｑ２_i,j，Ｑ２_i＋１,j，Ｑ２_i,j+1，Ｑ２_i+1,j+1…第１駆動トランジスタ
Ｑ３_i,j，Ｑ３_i＋１,j，Ｑ３_i,j+1，Ｑ３_i+1,j+1…第２書き込みトランジスタ
Ｑ４_i,j，Ｑ４_i＋１,j，Ｑ４_i,j+1，Ｑ４_i+1,j+1…第２駆動トランジスタ
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５ａ，Ｓ５ｄ，Ｓ６，Ｓ７…スイッチング素子
Ｖ_ECL…交流電源
Ｖ３…交流電源
Ｗ１_i，Ｗ１_i+1，・・・・・…第１走査配線
Ｗ２_i，Ｗ２_i+1，・・・・・…第２走査配線
Ｘ_i,j，Ｘ_i＋１,j，Ｘ_i,j+1，Ｘ_i+1,j+1…画素
１…第１基板
２…第２基板
２…第２基板上
３…第１ＥＣＬ側電極（ＥＣＬ側電極）
４…第２ＥＣＬ側電極
５…ＥＣ側電極
６…第１層
７…第２層
１１…中間電極
１２…電解質層
１３…多孔質膜
１５…多孔質電極（第２多孔質電極）
１６…多孔質電極（第１多孔質電極）
１７…第１ＥＣＬ駆動用電極
１８…第２ＥＣＬ駆動用電極
１９…第１ＥＣ駆動用電極
２０…第２ＥＣ駆動用電極

Claims (13)

1. 電気化学発光材料を含む第１層と、
   該第１層側に設けられた第１基板と、
   前記第１層の少なくとも一部と対向配置され、エレクトロクロミック材料を含む第２層と、
   該第２層側に設けられ、前記第１基板に対向する第２基板と、
   前記第１層に電界を印加し、前記電気化学発光材料の電気化学的発光をさせる第１の電界印加手段と、
   前記エレクトロクロミック材料に電界を印加し、前記エレクトロクロミック材料を変色させる第２の電界印加手段と、
   前記第１の電界印加手段と前記第２の電界印加手段とを選択的に動作させる切換手段
   とを具備し、前記第１基板と前記第２基板とで前記第１層と前記第２層とを挟んだ画素を備えることを特徴とする表示装置。
2. 列方向に走行する複数の第１信号配線、複数の第２信号配線、複数の第１電源配線及び複数の第２電源配線と、
   行方向に伸延する複数の第１走査配線及び複数の第２走査配線
   とを更に備え、前記画素は、前記第１信号配線、第２信号配線、第１電源配線、第２電源配線、第１走査配線及び第２走査配線がなすマトリクスに２次元配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記切換手段は、
   前記第１信号配線に第１端子が、前記第１走査配線に制御端子が接続された第１書き込みトランジスタと、
   該第１書き込みトランジスタの第２端子に制御端子が、前記第１電源配線に第１端子が、前記第１ＥＣＬ側電極に第２端子が接続された第１駆動トランジスタと
   前記第１書き込みトランジスタの第２端子と前記第１駆動トランジスタの制御端子との接続ノードに一方の端子を、他方の端子を接地した第１補助容量と、
   前記第２信号配線に第１端子が、前記第２走査配線に制御端子が接続された第２書き込みトランジスタと、
   該第２書き込みトランジスタの第２端子に制御端子が、前記第２電源配線に第１端子が、前記第２ＥＣＬ側電極に第２端子が接続された第２駆動トランジスタと
   前記第２書き込みトランジスタの第２端子と前記第２駆動トランジスタの制御端子との接続ノードに一方の端子を、他方の端子を接地した第２補助容量
   とを備えることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１の電界印加手段は、前記第１基板上に設けられたＥＣＬ側電極と前記第２基板上に設けられたＥＣ側電極との間の電界により、前記第１層に電界を印加し、
   前記第２の電界印加手段は、前記ＥＣＬ側電極と前記ＥＣ側電極との間の電界により、前記第２層に電界を印加し、
   前記ＥＣＬ側電極と前記第１層との間に、多孔質膜を備えることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 前記画素は、前記第1層と前記２層との間に、中間電極を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
6. 前記画素は、前記中間電極と前記２層との間に、電解質層を更に備えることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
7. 前記画素は、前記中間電極と前記１層との間に、電解質層を更に備えることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
8. 前記画素は、前記電解質層と前記２層との間に、前記中間電極に対向する多孔質電極を更に備え、前記中間電極と前記多孔質電極とにより前記電解質層を挟んだことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第１の電界印加手段は、前記第１基板上に設けられた第１ＥＣＬ駆動用電極と前記第２基板上に設けられた第２ＥＣＬ駆動用電極との間の電界により、前記第１層に電界を印加し、
   前記第２の電界印加手段は、前記第１基板上に設けられた第１ＥＣ駆動用電極と前記第２基板上に設けられた第２ＥＣ駆動用電極との間の電界により、前記第２層に電界を印加し、
   前記第２層は、前記第２ＥＣ駆動用電極の表面を含んで、局在していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
10. 前記第１層は、前記電気化学発光材料及び電解質を含む固体層若しくは液体層であり、前記第２層は、前記エレクトロクロミック材料を含む固体層であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の表示装置。
11. 前記第１層が、前記電気化学発光材料及び電解質を含む固体層であり、前記第２層が、前記エレクトロクロミック材料及び電解質を含む固体層であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の表示装置。
12. 前記第１層及び前記第２層の少なくとも１つが液体層であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の表示装置。
13. 前記第１層が、前記電気化学発光材料及び前記エレクトロクロミック材料の反応に係わるイオンを有した電解質を含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の表示装置。

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