JP4567370B2 - ガス供給集積ユニット - Google Patents
ガス供給集積ユニット Download PDFInfo
- Publication number
- JP4567370B2 JP4567370B2 JP2004140039A JP2004140039A JP4567370B2 JP 4567370 B2 JP4567370 B2 JP 4567370B2 JP 2004140039 A JP2004140039 A JP 2004140039A JP 2004140039 A JP2004140039 A JP 2004140039A JP 4567370 B2 JP4567370 B2 JP 4567370B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- unit
- holding member
- gas supply
- fixing plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
- F17D1/00—Pipe-line systems
- F17D1/02—Pipe-line systems for gases or vapours
- F17D1/04—Pipe-line systems for gases or vapours for distribution of gas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/34—Hydrogen distribution
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Details Of Valves (AREA)
- Valve Housings (AREA)
- Pipeline Systems (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
ジクロールシラン等のプロセスガスの液化を防止するため、特許文献1のガス供給装置では、例えば図9に示すように、配管、継手、ガス弁62、64及び質量流量計付電磁弁61等により構成されるガスユニットの両側に、伝熱ブロック51と副伝熱ブロック52とに形成された保持溝53、54にテープ状のヒータ60が保持され、配設されることにより、ジクロールシラン等が気化温度以上になるように加熱保温される。
また、図10に示すように、伝熱ブロック51の上面は、質量流量計付電磁弁61に下方から接触する接触面65となっており、質量流量計付電磁弁61を加熱保温している。
(1)ガス供給装置はコストダウンのため、小型化と集積化が望まれているが、図9に示すガス供給装置は、ガスユニットの両側に、伝熱ブロック51と副伝熱ブロック52とに形成された保持溝53、54にテープ状のヒータ60を保持するように配接しているので、ガスユニット巾が、ヒータを必要としないガスユニットに比較して大きくなる。
(2)ガス供給装置は、ガスユニットの両側にヒータ60、伝熱ブロック51及び副伝熱ブロック52など、加熱保温のための部品を多く必要とし、コストが高くなる。
そこで本発明は、係る課題を解決すべく、常温常圧では液化しやすいプロセスガスを加熱保温しながら供給するためのガス供給集積ユニットを提供することを目的とする。
(1)出口流路に設けられた第1手動弁と、該第1手動弁とプロセスガス共通流路とを連通する位置に設けられたエアオペレート弁と、該第1手動弁とパージガス共通流路とを連通する位置に設けられた第2手動弁とが流路ブロック及びユニット固定板により直列一体に連結されているガスユニットを複数備えるガス供給集積ユニットにおいて、断面がコの字型であって、前記流路ブロック及びユニット固定板が嵌合される保持部材と、前記ユニット固定板の下部に配設され、前記保持部材と前記流路ブロック及び前記ユニット固定板との間に挟まれて固定される平面ヒータとを有することを特徴とする。
(2)(1)に記載するガス供給集積ユニットにおいて、前記ガスユニットが前記保持部材に嵌合されて、締結されるレールと、前記保持部材と前記レールの間に狭持される板状のスペーサ部材とを有することを特徴とする。
(3)出口流路に設けられた第1手動弁と、該第1手動弁とプロセスガス共通流路とを連通する位置に設けられたエアオペレート弁と、該第1手動弁とパージガス共通流路とを連通する位置に設けられた第2手動弁とが流路ブロック及びユニット固定板により直列一体に連結されているガスユニットを複数備えるガス供給集積ユニットにおいて、前記ガスユニットの底面に接して配設される1枚又は2枚以上の平面ヒータと、前記平面ヒータを保持する保持部材と、前記平面ヒータを前記保持部材と前記流路ブロック及び前記ユニット固定板との間に挟んで、保持部材を固定する保持部材固定板とを有することを特徴とする。
本発明のガス供給集積ユニットは、出口流路に設けられた第1手動弁と、該第1手動弁とプロセスガス共通流路とを連通する位置に設けられたエアオペレート弁と、該第1手動弁とパージガス共通流路とを連通する位置に設けられた第2手動弁とが流路ブロック及びユニット固定板により直列一体に連結されているガスユニットを複数備えるガス供給集積ユニットにおいて、断面がコの字型であって、前記流路ブロック及び前記ユニット固定板が嵌合される保持部材と、前記ユニット固定板の下部に配設され、前記保持部材と前記流路ブロック及び前記ユニット固定板との間に挟まれて固定される平面ヒータとを有するので、ガスユニットの外形寸法を平面ヒータを必要としないガスユニットと全く同一にすることが出来る。従って、ガスユニットを集積したガス供給集積ユニット全体でも外形寸法が変化しない。更に、ガスユニットの流路ブロック及びユニット固定板を裏面から加熱保温するので、加熱保温するための部品として、1ガスユニットに対して、1枚の平面ヒータと1個の保持部材を必要するだけで、部品点数が少なく、コストダウンすることが出来る。
また、本発明のガス供給集積ユニットは、出口流路に設けられた第1手動弁と、該第1手動弁とプロセスガス共通流路とを連通する位置に設けられたエアオペレート弁と、該第1手動弁とパージガス共通流路とを連通する位置に設けられた第2手動弁とが流路ブロック及びユニット固定板により直列一体に連結されているガスユニットを複数備えるガス供給集積ユニットにおいて、前記ガスユニットの底面に接して配設される1枚又は2枚以上の平面ヒータと、前記平面ヒータを保持する保持部材と、前記平面ヒータを前記保持部材と前記流路ブロック及び前記ユニット固定板との間に挟んで、保持部材を固定する保持部材固定板とを有するので、ガスユニット毎に平面ヒータと保持部材を各1個必要とせず、ガス供給集積ユニット全体で平面ヒータと保持部材がそれぞれ、1枚又は2枚以上であればよく、ガス供給集積ユニットを加熱保温するための部品点数が少なく、コストダウンすることが出来る。更に、平面ヒータの枚数が減ることで配線が容易になり、平面ヒータの交換もし易い。
2本のレール10、12は、両端をレール固定棒13,14により平行に固定される。レール固定棒13,14に平行に、左からパージガスユニット、プロセスガスユニット、ガスユニットA、B、C,D、Eがそれぞれユニット固定板15により、レール10、12に沿って横方向に平行移動可能に取り付けられる。パージガスユニット、プロセスガスユニット、ガスユニットA、B、C,D、Eにそれぞれ取り付けられる機器の回路構成は図3に示す。
パージガス手動弁29はパージガス供給口28を介して図示しないパージガスタンクと接続する。パージガス手動弁29は、エアオペレート弁32、逆止弁33、パージガス共通流路43を介して、第2手動弁25A、25B、25C,25D、25Eの一方のポートに接続する。パージガス手動弁29と、エアオペレート弁32とを連通させる流路に、圧力計31が連通される。第2手動弁25A、25B、25C,25D、25Eの他のポートは、レギュレータ24A、24B、24C,24D、24Eの一方のポートに接続される。
エアオペレート弁26A、26B、26C,26D、26Eの他のポートは、レギュレータ24A、24B、24C,24D、24Eの一方のポートに接続される。レギュレータ24A、24B、24C,24D、24Eの他のポートは、第1手動弁22A、22B、22C,22D、22Eを介して、プロセスガス出口21A、21B、21C,21D、21Eと連通される。レギュレータ24A、24B、24C,24D、24Eと、第1手動弁22A、22B、22C,22D、22Eとを連通させる流路に、圧力計23A、23B、23C,23D、23Eが連通される。
プロセスガス共通流路44の端部は、プロセスガス共通流路端部手動弁41により封止される。また、パージガス共通流路43の端部は、パージガス共通流路端部手動弁38により封止される。
また、第1実施例のガス供給集積ユニットによれば、ガスユニットが保持部材18に嵌合されて、締結されるレール10、レール12と、保持部材18とレール10、レール12の間に狭持される板状のスペーサ部材19とを有するので、平面ヒータ16の交換が容易で、メンテナンスし易い。即ち、スペーサ部材19を抜き取ることにより、ガス供給集積ユニットを使用できる状態を維持したままで、平面ヒータ16を取り外し、別の平面ヒータ16を取り付けることができる。
平面ヒータ17は、1枚又は2枚以上であるが、図7及び図8では、2枚の例で示す。2枚の平面ヒータ17は、パージガスユニット、プロセスガスユニット、ガスユニットA、B、C,D、Eがそれぞれ固定されているユニット固定板15の下部に接して、ユニット固定板15の長手方向に直交して配設される。2枚の平面ヒータ17はそれぞれ保持部材48により保持され、保持部材48は締結手段49により、二つの保持部材固定板47により固定される。一つの保持部材固定板47は、レール固定棒13と平行にプロセスガスユニットの左側に取り付けられ、もう一つの保持部材固定板47は、レール固定棒14と平行にガスユニットEの右側に取り付けられる。二つの保持部材固定板47は両端をそれぞれレール10、12に固定される。
なお、本発明の実施の一形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されることなく、様々な応用が可能である。
12 レール
15 ユニット固定板
16 平面ヒータ
17 平面ヒータ
18 保持部材
19 スペーサ部材
22 第1手動弁
25 第2手動弁
26 エアオペレート弁
43 パージガス共通流路
44 プロセスガス共通流路
46 流路ブロック
47 保持部材固定板
48 保持部材
Claims (3)
- 出口流路に設けられた第1手動弁と、該第1手動弁とプロセスガス共通流路とを連通する位置に設けられたエアオペレート弁と、該第1手動弁とパージガス共通流路とを連通する位置に設けられた第2手動弁とが流路ブロック及びユニット固定板により直列一体に連結されているガスユニットを複数備えるガス供給集積ユニットにおいて、
断面がコの字型であって、前記流路ブロック及びユニット固定板が嵌合される保持部材と、
前記ユニット固定板の下部に配設され、前記保持部材と前記流路ブロック及び前記ユニット固定板との間に挟まれて固定される平面ヒータとを有することを特徴とするガス供給集積ユニット。 - 請求項1に記載するガス供給集積ユニットにおいて、
前記ガスユニットが前記保持部材に嵌合されて、締結されるレールと、
前記保持部材と前記レールの間に狭持される板状のスペーサ部材とを有することを特徴とするガス供給集積ユニット。 - 出口流路に設けられた第1手動弁と、該第1手動弁とプロセスガス共通流路とを連通する位置に設けられたエアオペレート弁と、該第1手動弁とパージガス共通流路とを連通する位置に設けられた第2手動弁とが流路ブロック及びユニット固定板により直列一体に連結されているガスユニットを複数備えるガス供給集積ユニットにおいて、
前記ガスユニットの底面に接して配設される1枚又は2枚以上の平面ヒータと、
前記平面ヒータを保持する保持部材と、
前記平面ヒータを前記保持部材と前記流路ブロック及び前記ユニット固定板との間に挟んで、保持部材を固定する保持部材固定板とを有することを特徴とするガス供給集積ユニット。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004140039A JP4567370B2 (ja) | 2004-05-10 | 2004-05-10 | ガス供給集積ユニット |
PCT/JP2005/007308 WO2005109482A1 (ja) | 2004-05-10 | 2005-04-15 | ガス供給集積ユニット |
CNB2005800149890A CN100440454C (zh) | 2004-05-10 | 2005-04-15 | 气体供给集成单元 |
KR1020067025097A KR101074265B1 (ko) | 2004-05-10 | 2005-04-15 | 가스 공급 집적 유닛 |
TW094112680A TW200538678A (en) | 2004-05-10 | 2005-04-21 | Gas supply integration unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004140039A JP4567370B2 (ja) | 2004-05-10 | 2004-05-10 | ガス供給集積ユニット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005322797A JP2005322797A (ja) | 2005-11-17 |
JP4567370B2 true JP4567370B2 (ja) | 2010-10-20 |
Family
ID=35320469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004140039A Expired - Fee Related JP4567370B2 (ja) | 2004-05-10 | 2004-05-10 | ガス供給集積ユニット |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4567370B2 (ja) |
KR (1) | KR101074265B1 (ja) |
CN (1) | CN100440454C (ja) |
TW (1) | TW200538678A (ja) |
WO (1) | WO2005109482A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4753173B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2011-08-24 | 株式会社フジキン | 流体制御装置 |
JP2008014390A (ja) * | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Hitachi Metals Ltd | 集積形流体制御装置 |
US7807222B2 (en) * | 2007-09-17 | 2010-10-05 | Asm International N.V. | Semiconductor processing parts having apertures with deposited coatings and methods for forming the same |
JP5000469B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2012-08-15 | 株式会社キッツエスシーティー | 容器用ブロックバルブ |
JP5410173B2 (ja) * | 2009-06-30 | 2014-02-05 | Ckd株式会社 | ガス供給装置 |
JP5775696B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2015-09-09 | 株式会社フジキン | 流体制御装置 |
JP5559842B2 (ja) * | 2012-06-18 | 2014-07-23 | 株式会社テムテック研究所 | 集積ガス供給装置用の平面発熱板およびその製造方法 |
JP5753831B2 (ja) | 2012-11-29 | 2015-07-22 | 株式会社フジキン | 流体制御装置 |
JP6966499B2 (ja) * | 2019-03-06 | 2021-11-17 | Ckd株式会社 | ガス供給ユニット及びガス供給方法 |
JP7482533B2 (ja) * | 2019-06-28 | 2024-05-14 | 株式会社フジキン | 流体制御装置 |
CN118414690A (zh) * | 2021-12-22 | 2024-07-30 | 株式会社博迈立铖 | 气化器 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005251790A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Ckd Corp | ガス供給集積ユニット |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5964254A (en) * | 1997-07-11 | 1999-10-12 | Advanced Delivery & Chemical Systems, Ltd. | Delivery system and manifold |
WO1999064780A1 (en) | 1998-06-08 | 1999-12-16 | Advanced Delivery & Chemical Systems, Ltd. | Chemical delivery system having purge system utilizing multiple purge techniques |
JP2001073144A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-21 | Pioneer Electronic Corp | 化学気相成長法における原料供給装置 |
JP2002173777A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-21 | C Bui Res:Kk | Cvd装置の金属液体気化ユニット及び気化方法 |
-
2004
- 2004-05-10 JP JP2004140039A patent/JP4567370B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-04-15 KR KR1020067025097A patent/KR101074265B1/ko active IP Right Grant
- 2005-04-15 WO PCT/JP2005/007308 patent/WO2005109482A1/ja active Application Filing
- 2005-04-15 CN CNB2005800149890A patent/CN100440454C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-04-21 TW TW094112680A patent/TW200538678A/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005251790A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Ckd Corp | ガス供給集積ユニット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1950931A (zh) | 2007-04-18 |
KR20070011549A (ko) | 2007-01-24 |
CN100440454C (zh) | 2008-12-03 |
TWI343464B (ja) | 2011-06-11 |
TW200538678A (en) | 2005-12-01 |
WO2005109482A1 (ja) | 2005-11-17 |
KR101074265B1 (ko) | 2011-10-19 |
JP2005322797A (ja) | 2005-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2005109482A1 (ja) | ガス供給集積ユニット | |
JP4753173B2 (ja) | 流体制御装置 | |
US4542650A (en) | Thermal mass flow meter | |
US8905074B2 (en) | Apparatus for controlling gas distribution using orifice ratio conductance control | |
JP2002349797A (ja) | 流体制御装置 | |
JP2001200995A (ja) | 中間媒体式気化器及び当該気化器を用いた天然ガスの供給方法 | |
JP4677805B2 (ja) | 流体制御装置 | |
JP6482571B2 (ja) | 熱交換器用の接続装置および当該接続装置の備え付けられた熱交換器 | |
JP2695745B2 (ja) | ガス供給装置 | |
KR102375472B1 (ko) | 기화기 | |
JP2001280595A (ja) | 集積型ガス供給ユニット用モジュールブロック | |
JP2008292484A (ja) | 集積タイプのマスフローコントローラを用いた流体供給機構 | |
JPH11294615A (ja) | 集積弁 | |
JP3919208B2 (ja) | プロセスガス供給ユニット | |
JP2008014390A (ja) | 集積形流体制御装置 | |
JP3665708B2 (ja) | 集積弁 | |
JP4435999B2 (ja) | マスフローコントローラを用いた流体供給機構および取替基板ならびにアタプタ | |
JP2690269B2 (ja) | ガス供給装置 | |
TWI845647B (zh) | 溫度感測器的安裝構造體 | |
JP2000230670A (ja) | ヒータ付き集積流体制御装置 | |
JP6484497B2 (ja) | 断熱カバーおよび流体制御装置 | |
KR101094269B1 (ko) | 가속관 공진 주파수 제어를 위한 냉각 제어 장치 | |
JPH07286721A (ja) | ガス供給装置の温度制御装置 | |
JP2021026257A (ja) | 流量制御装置、流体制御装置および半導体製造装置 | |
CN117810130A (zh) | 测量气体流量的方法和校准流量控制器的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100413 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100510 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100727 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100805 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4567370 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140813 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |