JP4564650B2 - 被処理体の熱処理装置及び熱処理方法 - Google Patents
被処理体の熱処理装置及び熱処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4564650B2 JP4564650B2 JP2000397844A JP2000397844A JP4564650B2 JP 4564650 B2 JP4564650 B2 JP 4564650B2 JP 2000397844 A JP2000397844 A JP 2000397844A JP 2000397844 A JP2000397844 A JP 2000397844A JP 4564650 B2 JP4564650 B2 JP 4564650B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- heat treatment
- processed
- reaction chamber
- exhaust pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理体の熱処理装置及び熱処理方法に関する。詳しくは、被処理体から有機系のガスを放出させる、被処理体の熱処理装置及び熱処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程では、例えば、SOG(Spin On Glass)等の処理によって、半導体ウエハのような被処理体に薄膜を形成することが行われている。このSOG処理では、例えば、半導体ウエハにケイ素系高分子の有機溶媒溶液からなる塗布液をスピンコートし、ホットプレートを用いて300℃以下の温度で加熱して有機溶媒を乾燥させるプリベークを行った後、加熱炉を用いて300℃〜600℃の温度で焼成させることにより、半導体ウエハに焼成膜が形成される。
【0003】
ところで、近年の半導体装置の高速化に伴い実効容量の低減のために、低誘電率の材料、特にLow−k材料を用いた各種の処理が注目されている。SOG処理においては、例えば、Low−k材料の有機溶媒溶液からなる塗布液を塗布、焼成して、半導体ウエハにLow−k材料からなる焼成膜を形成し、半導体ウエハに低誘電率の薄膜を形成している。
【0004】
このようなLow−k材料を用いたSOG処理において、Low−k材料からなる焼成膜に多くの有機溶媒が残存していると、焼成膜の膜質が低下してしまうおそれがある。このため、低誘電率の薄膜を形成するには、加熱炉による焼成において、有機溶媒を十分に除去(有機系のガスを十分に放出)することが重要になる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、加熱炉による焼成において、有機物系のガスが十分に放出されたか否かを判断するには、形成された焼成膜に物理的、化学的な分析評価を実施しなければならなかった。このため、有機系のガスが十分に放出されたか否かの判断に時間がかかってしまう。また、有機系のガスが十分に放出されたか否かの判断に時間がかかることから、加熱炉での焼成における最適な焼成シーケンスを作成することも時間がかかってしまうという問題があった。
【0006】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、被処理体から有機物系のガスが十分に放出されたか否かを容易に判断することができる被処理体の熱処理装置及び熱処理方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の第1の観点にかかる被処理体の熱処理装置は、
塗布液による塗布被膜が形成された被処理体を焼成することにより前記塗布被膜から有機系の脱ガスを放出させて、当該被処理体に焼成膜を形成する被処理体の熱処理装置であって、
所定の温度に設定可能な加熱部を有し、被処理体を収容する反応室と、
前記反応室の一端近傍に挿通され、該反応室の他端近傍まで延びるガス供給管を有するガス供給手段と、
前記反応室の一端近傍に接続された排気管を有し、前記被処理体から放出されたガスを前記排気管から排気する排気手段と、
前記排気管に接続され、該排気管内に排気されたガスの成分を検知するガス検知モニターと、
前記ガス検知モニターの検知結果に基づいて、前記被処理体の熱処理の進行度を判別する判別手段と、
を備え、
前記ガス供給手段は、前記ガス供給管から供給されたガスを前記反応室の他端に到達させ、前記排気手段は、前記排気管からの排気により前記反応室の他端に到達されたガスを前記被処理体に供給し、
前記ガス供給管から供給されたガスは、酸素ガス及び窒素ガスである、ことを特徴とする。
【0008】
前記排気管は、例えば、前記ガス供給管と対向するように、前記反応室の一端近傍に接続されている。
【0009】
前記排気手段は、例えば、前記反応室内が減圧下となるように、当該反応室内の圧力を調整する。
【0012】
前記判別手段は、例えば、前記排気管内に排気されたガス中に所定の分子量の成分が存在しなくなると、前記被処理体の熱処理が終了したと判別する。
【0013】
前記所定の分子量は、例えば、分子量40〜60である。
【0014】
この発明の第2の観点にかかる被処理体の熱処理方法は、
被処理体には塗布液による塗布被膜が形成され、前記被処理体を焼成することにより前記塗布被膜から有機系の脱ガスを放出させて、当該被処理体に焼成膜を形成する被処理体の熱処理方法であって、
被処理体を反応室に収容する被処理体収容工程と、
前記被処理体収容工程により前記被処理体が収容された反応室の一端近傍に挿通され、該反応室の他端近傍まで延びるガス供給管からガスを供給するとともに、前記反応室を所定の温度に加熱し、前記被処理体からガスを放出させ、放出したガスを前記反応室の一端近傍に接続された排気管から排気する熱処理工程と、
前記排気管に排気されたガスの成分を検知するガス検知工程と、
前記ガス検知工程の検知結果に基づいて、熱処理の進行度を判別する判別工程と、
を備え、
前記熱処理工程では、前記ガス供給管から供給されたガスを前記反応室の他端に到達させるとともに、前記排気管からの排気により前記反応室の他端に到達されたガスを前記被処理体に供給し、
前記ガス供給管から供給するガスに酸素ガス及び窒素ガスを用いる、ことを特徴とする。
【0015】
前記熱処理工程では、例えば、前記反応室内が減圧下となるように、当該反応室内の圧力を調整する。
【0018】
前記判別工程では、例えば、前記排気管内に排気されたガス中に所定の分子量の成分が存在しなくなると、前記被処理体の熱処理が終了したと判別する。
前記所定の分子量は、例えば、分子量40〜60である。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態にかかる被処理体の熱処理装置及び熱処理方法について説明する。本実施の形態では、被処理体の処理方法、処理装置を、図1に示すバッチ式縦型熱処理装置を用いて、塗布液が塗布された後にプリベークが行われることにより塗布被膜が形成された半導体ウエハ(被処理体)を焼成する場合を例に説明する。
【0020】
図1に示すように、熱処理装置1は、長手方向が垂直方向に向けられた有天井の円筒状に形成された単管構造の反応管2を備えている。反応管2は、耐熱材料、例えば石英により形成されている。
【0021】
反応管2の下方には、筒状に形成されたステンレス鋼(SUS)からなるマニホールド3が配置されている。マニホールド3は、反応管2の下端と気密となるように接続されている。
【0022】
マニホールド3の下方には蓋体4が配置され、図示しないボートエレベータにより蓋体4が上下動可能に構成されている。この蓋体4と、反応管2と、マニホールド3とによって処理室3aが構成されている。そして、蓋体4が上昇してマニホールド3に接触すると、マニホールド3の下方側が閉鎖され、処理室3aが密閉される。
【0023】
蓋体4には、例えば石英からなるウエハボート5が載置されている。ウエハボート5には、被処理体、例えば半導体ウエハ6が垂直方向に所定の間隔をおいて複数枚収容されている。ウエハボート5に収容された半導体ウエハ6は、ウエハボート5が反応管2内に挿入されることにより処理室3aの内部に配置される。
【0024】
また、ウエハボート5には、半導体ウエハ6がウエハボート5に収容された状態で、半導体ウエハ6を回転可能な回転体7が配置されている。回転体7は図示しない回転機構により駆動されている。そして、回転体7を回転させることにより、ウエハボート5が回転され、その結果、半導体ウエハ6が回転される。
【0025】
反応管2は、反応管2内にウエハボート5が挿入された状態で、反応管2の内壁(内側壁)とウエハボート5(半導体ウエハ6)の端部との間に空隙(間隙)Dを有するような大きさに形成されている。この空隙Dは、半導体ウエハ6から放出されるガスを処理室3a外に排出可能な所定の排気コンダクタンスが得られるように、反応管2内部の圧力、反応管2の高さ等を考慮して、例えば、20mm〜50mm程度の大きさに設定されている。
【0026】
反応管2の周囲には、反応管2を取り囲むように、例えば抵抗発熱体からなる昇温用ヒータ8が設けられ、この昇温用ヒータ8を制御することにより、反応管2内が所定の温度に設定される。
【0027】
マニホールド3の側面には第1ガス供給管9が挿通されている。本実施の形態では、第1ガス供給管9から酸素ガスが供給されている。第1ガス供給管9は、その先端部分9aが上方を向くように曲折りされた屈曲形状に形成されており、先端部分9aにおいて反応管2の天井付近まで延びた第1ガス導入部9bを有している。このため、第1ガス供給管9(第1ガス導入部9b)から供給された酸素ガスは、反応管2の天井付近に噴出する。
【0028】
また、マニホールド3の側面には第2ガス供給管10が挿通されている。本実施の形態では、第2ガス供給管10から窒素ガスが供給されている。第2ガス供給管10は、その先端部分10aが上方を向くように曲折りされた屈曲形状に形成されており、先端部分10aにおいて反応管2の天井付近まで延びた第2ガス導入部10bを有している。このため、第2ガス供給管10(第2ガス導入部10b)から供給された窒素ガスは、反応管2の天井付近に噴出する。
【0029】
さらに、マニホールド3の側面には、排気口11が設けられている。排気口11は、マニホールド3内において、第1ガス供給管9及び第2ガス供給管10と対向する位置あるいは近傍に設けられ、反応管2内のガスを排気する。
【0030】
排気口11には、排気管12が気密に接続されている。排気管12には、その上流側から、コンビネーションバルブ13と、真空ポンプ14とが介設されている。コンビネーションバルブ13は、排気管12の開度を調整して、反応管2内及び排気管12内の圧力を所定の圧力に制御する。真空ポンプ14は、排気管12を介して反応管2内のガスを排気するとともに、反応管2内の圧力を調整する。
【0031】
排気管12の排気口11近傍には、ガス検知モニター15が接続されている。
ガス検知モニター15は、排気管12内の有機系のガスについて、所定の分子量を有する成分の分圧を測定し、排気管12内のガスの成分を検知する装置であり、管路16を介して排気管12内に接続されている。反応管2から排気管12に排気されたガスの成分を正確に検知するには、ガス検知モニター15を排気管12の排気口11近傍に配置することが好ましい。このため、ガス検知モニター15には、排気管12の排気口11近傍に配置できるような簡易型ガス検知モニターを用いることが好ましい。管路16は、その先端が図示しないポートから排気管12内に挿通されている。また、管路16にはハンドバルブ17が介設され、ハンドバルブ17を開放した状態で、排気管12内の有機系のガスがガス検知モニター15に供給される。
【0032】
回転体7、昇温用ヒータ8、第1ガス供給管9、第2ガス供給管10、コンビネーションバルブ13、真空ポンプ14、ガス検知モニター15、及びハンドバルブ17には、制御部18が接続されている。図2に制御部18の電気的構成をブロック図で示す。
【0033】
図2に示すように、制御部18は、CPU21と、メモリ22と、入出力インターフェース23と、補助記憶装置24とを備えている。CPU21はメモリ22に記憶されたレシピに定義されている操作を実行することにより、本発明の熱処理を実行する。このレシピは、フロッピーディスクやCD−ROM等の携帯型記録媒体に格納され、携帯型記録媒体から補助記憶装置24に転送され、熱処理実行時にはメモリ22に記憶される。
【0034】
入出力インターフェース23は、熱処理装置1の各部に設けられたセンサ25に接続されている。そして、CPU21は、各部のセンサ25により熱処理装置1の各部の温度、圧力等の測定データを測定させ、入出力インターフェース23を介して測定データを取り込む。
【0035】
補助記憶装置24は、例えばハードディスクメモリから構成され、熱処理条件を設定したレシピと、有機物系のガスが十分に放出された状態でのガスの各成分の分圧データ(既定の分圧データ)とが記憶されている。レシピ及び既定の分圧データはCPU21によりメモリ22に転送される。
【0036】
そして、CPU21は、各部のセンサ25により測定された熱処理装置1の各部の温度、圧力等の測定データとレシピとに基づいて、熱処理装置1の各部に制御信号等を出力して、熱処理装置1の各部を制御する。また、CPU21は、ガス検知モニター15により検知されたガスの各成分の分圧等の測定データと既定の分圧データとに基づいて、熱処理の進行度を判別する。
【0037】
次に、上記構成を有する熱処理装置1を用い、塗布液が塗布された後にプリベークが行われることにより塗布被膜が形成された半導体ウエハ6を焼成する場合について、図3に示すレシピを参照して説明する。なお、以下の説明において、熱処理装置1を構成する各部の動作は、制御部18(CPU21)によりコントロールされている。
【0038】
まず、蓋体4が下げられた状態で、塗布被膜が形成されている半導体ウエハ6が収容されたウエハボート5を蓋体4上に載置する。次に、図示しないボートエレベータにより蓋体4を上昇させ、ウエハボート5(半導体ウエハ6)を処理室3a内にロードする(ロード工程)。これにより、半導体ウエハ6を処理室3a内に収容するとともに、処理室3aを密閉する。また、第2ガス供給管10から処理室3a内に窒素ガスを所定量供給し、処理室3a内のガスを排出する。このとき、処理室3a内の温度を常温から150℃の範囲としておく。
【0039】
続いて、処理室3a内の減圧を開始する。具体的には、第2ガス供給管10から処理室3a内に窒素ガスを所定量供給するとともに、コンビネーションバルブ13の開度を制御しつつ、真空ポンプ14を駆動させて、処理室3a内のガスを排出する。処理室3a内のガスの排出は、処理室3a内の圧力が常圧から所定の圧力、例えば、93100Pa(700Torr)のような微減圧になるまで行う。なお、このときに処理室3a内の圧力を0.4Pa(0.003Torr)程度の減圧としてもよい。また、昇温用ヒータ8により処理室3a内を所定の温度、例えば300℃〜600℃に加熱する。そして、この減圧及び加熱操作を、処理室3a内が所定の圧力及び温度で安定するまで行う(昇温工程)。
【0040】
処理室3a内が所定の圧力及び温度で安定すると、第1ガス供給管9から酸素ガス、第2ガス供給管10から窒素ガスを処理室3a内に所定量供給する(熱処理工程)。また、回転体7を回転させて、ウエハボート5(半導体ウエハ6)を回転させる。半導体ウエハ6は処理室3aの昇温により焼成され、半導体ウエハ6(半導体ウエハ6に形成された塗布被膜)から有機系の脱ガスを放出することにより、半導体ウエハ6に焼成膜が形成される。
【0041】
ここで、第1ガス供給管9から酸素ガスを供給しているのは、半導体ウエハ6に形成される薄膜(焼成膜)の強度(例えば、弾性率)を向上させるためである。また、処理室3a内を微減圧に維持しているので、処理室3a内の酸素濃度を均一にすることができる。さらに、半導体ウエハ6が回転しているので、半導体ウエハ6近傍に窒素ガス及び酸素ガスを供給しやすくなるとともに、半導体ウエハ6から放出された有機系の脱ガスを排気管12に放出しやすくなる。
【0042】
また、第1ガス供給管9の第1ガス導入部9b、及び第2ガス供給管10の第2ガス導入部10bが反応管2の天井付近まで延びているので、処理室3a内に供給される窒素ガス及び酸素ガスは、反応管2の天井に到達する。そして、反応管2の天井に到達された窒素ガス及び酸素ガスが、真空ポンプ14からの吸引によって、半導体ウエハ6近傍に供給される。このように、窒素ガス及び酸素ガスを一旦、反応管2の天井に到達させることにより、窒素ガス及び酸素ガスを半導体ウエハ6近傍に均一に供給することができる。これは、窒素ガス及び酸素ガスが一旦反応管2の天井に到達した後、反応管2内を降下することとなり、このときの双方のガスの流速が遅くなり、窒素ガス及び酸素ガスを半導体ウエハ6近傍(半導体ウエハ6表面)に供給する際に流速による影響を受けなくなるためである。このため、半導体ウエハ6から放出された有機系の脱ガスが半導体ウエハ6近傍に滞留せずに、排気管12に放出されやすくなる。
【0043】
さらに、反応管2は単管構造に形成され、反応管2の内壁と半導体ウエハ6の端部との間に空隙Dが設けられているので、所定の排気コンダクタンスが得られる。このため、半導体ウエハ6から放出された有機系の脱ガスを排気管12に放出しやすくなる。
【0044】
加えて、排気口11が第1ガス供給管9及び第2ガス供給管10と対向するように配置されているので、処理室3a内の排気コンダクタンスを向上させることができる。このため、さらに半導体ウエハ6から放出された有機系の脱ガスを排気管12に放出しやすくなる。
【0045】
次に、第1ガス供給管9からの酸素ガス、及び第2ガス供給管10からの窒素ガスの供給を停止するとともに、ハンドバルブ17を開放して、排気管12に放出された脱ガスを管路16を介してガス検知モニター15に供給する。そして、供給された脱ガスに含まれる各成分の分圧を測定(検知)する(ガス検知工程)。
【0046】
ここで、管路16にハンドバルブ17が介設されているので、脱ガスに含まれる各成分の分圧を測定するときだけに、脱ガスをガス検知モニター15に供給することができる。このため、ガス検知モニター15の劣化を防止することができる。
【0047】
続いて、ガス検知工程の測定結果に基づいて、熱処理の進行度を判別し、判別した進行度に応じて、熱処理工程を制御する(判別・制御工程)。図4に判別・制御工程におけるCPU21の処理例をフローチャートに示す。
【0048】
まず、補助記憶装置24中の既定の分圧データをメモリ22に転送する(ステップS101)。次に、ガス検知工程において、ガス検知モニター15により脱ガスに含まれる各成分の分圧が測定された測定データを取り込む(ステップS102)。
【0049】
図5(図5の実線)に既定の分圧データを示す。既定の分圧データは、半導体ウエハ6から脱ガスが十分に放出された状態でのガスの各成分の分子量とその分圧との関係を示している。ここで、半導体ウエハ6から脱ガスが十分に放出された状態とは、半導体ウエハ6に形成された焼成膜の膜質が低下しない(十分な低誘電率を有する)状態をいい、既定の分圧データと同様の関係を有するときには、十分な低誘電率を有する焼成膜が半導体ウエハ6に形成される。また、半導体ウエハ6から脱ガスが十分に放出されていない(形成された焼成膜が十分な低誘電率を有しない)状態でのガスの各成分の分子量とその分圧との関係を図5中に破線で示す。
【0050】
図5の実線に示すように、半導体ウエハ6から脱ガスが十分に放出された状態では、脱ガス中には高分子量の成分がほぼ存在しなくなる。このため、脱ガス中に高分子量の成分がほぼ存在しなくなると、半導体ウエハ6から脱ガスが十分に放出されたことが確認できる。
【0051】
続いて、測定データと既定の分圧データとを対比して、熱処理の進行度を判別する(ステップS103)。そして、熱処理が十分に進行していると判別した場合(ステップS104:Yes)には熱処理を終了する(ステップS105)。
また、熱処理が十分に進行していないと判別した場合(ステップS104:No)にはステップS102に戻り、再び熱処理工程を行う。
【0052】
具体的には、測定データ中の脱ガスに高分子量の成分がほぼ存在しないか否かを確認し、高分子量の成分がほぼ存在しない場合には熱処理が十分に進行していると判別(ステップS104:Yes)し、熱処理を終了する(ステップS105)。また、高分子量の成分が存在する場合には熱処理が十分に進行していないと判別(ステップS104:No)し、ハンドバルブ17を閉鎖させるとともに、第1ガス供給管9から酸素ガス、及び第2ガス供給管10から窒素ガスを供給して、再び熱処理工程を行う。このように、測定データ中の脱ガスに高分子量の成分がほぼ存在しないか否かにより熱処理の進行度を容易に判別することができ、半導体ウエハ6から脱ガスが十分に放出されたか否かを容易に判断することができる。この例では、分子量40〜60の高分子量の成分に注目したが、分子量15程度の比較的低分子量成分の特定分子量に注目し、熱処理の進行度を判断してもよい。
【0053】
熱処理工程が終了すると、コンビネーションバルブ13の開度を制御しつつ、真空ポンプ14を駆動させて、処理室3a内のガスを排出した後、第2ガス供給管10から処理室3a内に窒素ガスを所定量供給して、処理室3a内のガスを排気管12に排出する。なお、処理室3a内のガスを確実に排出するために、処理室3a内のガスの排出及び窒素ガスの供給を複数回繰り返すことが好ましい。また、処理室3a内を常温から150℃の範囲の温度に冷却する(パージ工程)。
【0054】
処理室3a内の温度が上記温度範囲に降下した後、第2ガス供給管10から処理室3a内に窒素ガスを所定量供給して、処理室3a内を常圧に戻し、ウエハボート5(半導体ウエハ6)を処理室3aからアンロードする(アンロード工程)。
【0055】
以上説明したように、本実施の形態によれば、排気管12の排気口11近傍にガス検知モニター15が配置されているので、熱処理の進行度を容易に判別することができ、半導体ウエハ6から脱ガスが十分に放出されたか否かを容易に判断することができる。
【0056】
本実施の形態によれば、ガス検知モニター15を排気管12の排気口11近傍に配置しているので、排気管12に排気されたガスの成分を正確に検知することができる。
【0057】
本実施の形態によれば、反応管2は単管構造に形成され、反応管2の内壁と半導体ウエハ6の端部との間に空隙Dが設けられているので、所定の排気コンダクタンスを得ることができる。このため、半導体ウエハ6から放出された有機系の脱ガスを排気管12に放出しやすくなる。
【0058】
本実施の形態によれば、管路16にハンドバルブ17が介設されているので、ガス検知モニター15の劣化を防止することができる。
【0059】
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な上記の実施の形態の変形態様について、説明する。
【0060】
上記実施の形態では、塗布液が塗布された後にプリベークが行われることにより塗布被膜が形成された半導体ウエハ6を焼成する場合を例に本発明を説明したが、半導体ウエハ6のような被処理体から有機系のガスを放出させる熱処理装置及び熱処理方法であればよく、例えば、半導体ウエハに付着した有機物からなる汚染物質を分解、除去する半導体ウエハのクリーニングに本発明を適用することができる。この場合、クリーニングの進行度を容易に判別することができ、半導体ウエハ6から脱ガスが十分に放出されたか否かを容易に判断することができる。なお、この場合には、第1ガス供給管9から、オゾンまたは活性な酸化種のようなクリーニングガスが供給される。さらに、熱処理装置のメンテナンス時において、反応管2に付着した膜からの脱ガスが十分に放出されたか否かを容易に判断することもできる。
【0061】
上記実施の形態では、塗布被膜が形成された半導体ウエハ6の熱処理が十分に進行していないと判別された場合には、半導体ウエハ6の熱処理をさらに実行する場合を例に本発明を説明したが、例えば、焼成シーケンスを作成することを目的とする場合のように、低誘電率の薄膜が形成された半導体ウエハ6の製品を必要としない場合には、熱処理が十分に進行していなくても半導体ウエハ6の熱処理をさらに実行しなくてもよい。この場合にも、熱処理の進行度を容易に判別することができ、半導体ウエハ6から脱ガスが十分に放出されたか否かを容易に判断することができる。
【0062】
本実施の形態では、ガス検知モニター15を用い、所定の分子量を有する成分の分圧を測定し、排気管12内のガスの成分を検知する場合を例に本発明を説明したが、排気管12内のガスの成分を検知できるものであればよく、所定の分子量を有する成分の分圧を測定するようなモニターでなくともよい。また、本実施の形態では、熱処理工程後のガス検知工程において排気管12内のガスの成分を検知する場合を例に本発明を説明したが、例えば、常時モニタリングする場合であってもよい。
【0063】
本実施の形態では、反応管2が単管構造に形成され、反応管2の内壁と半導体ウエハ6の端部との間に空隙Dが設けられている場合を例に本発明を説明したが、反応管2は半導体ウエハ6から放出されるガスを処理室3a外に排出可能な所定の排気コンダクタンスを有していればよく、例えば内管と外管とからなる二重管構造に形成されていてもよい。
【0064】
本実施の形態では、バッチ式縦型熱処理装置1を用いて塗布被膜が形成された半導体ウエハ6を焼成する場合を例に本発明を説明したが、例えば、枚葉式の熱処理装置を用いてもよい。この場合にも、熱処理の進行度を容易に判別することができ、半導体ウエハ6から脱ガスが十分に放出されたか否かを容易に判断することができる。
【0065】
上記実施の形態では、第1ガス供給管9及び第2ガス供給管10を処理室3aの下部に配置するとともに、反応管2の天井付近まで延びた第1ガス導入部9b及び第2ガス導入部10bを有する場合を例に本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、第1ガス供給管9及び第2ガス供給管10を反応管2の上部(天井付近)に配置して、半導体ウエハ6に酸素ガス及び窒素ガスを供給してもよい。
【0066】
上記実施の形態では、第1ガス導入部9b及び第2ガス導入部10bが反応管2の天井付近まで延びている場合を例に説明したが、この長さは任意であり、本実施例より長くても短くてもよい。また、第1ガス導入部9b及び第2ガス導入部10bは多孔式(分散式)のノズルであってもよい。
【0067】
第1ガス供給管9及び第2ガス供給管10の数は一つに限らず、複数であってもよい。また、被処理体は半導体ウエハ6に限らず、例えば、ガラス基板であってもよい。さらに、排気管12とガス検知モニター15との間に設置されるハンドバルブ17は、例えば、制御部18で任意の時刻に開閉可能なエアーオペレーションバルブ等の自動制御バルブであってもよい。
【0068】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、被処理体から有機物系のガスが十分に放出されたか否かを容易に判断することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の熱処理装置の模式図である。
【図2】本発明の実施の形態の制御部の電気的構成を示したブロック図である。
【図3】本発明の実施の形態の焼成手順を説明するためのレシピを示した図である。
【図4】本発明の実施の形態の判別・制御工程における処理例を示したフローチャートである。
【図5】本発明の実施の形態の脱ガスの各成分の分子量とその分圧との関係を示したグラフである。
【符号の説明】
1 熱処理装置
2 反応管
3 マニホールド
3a 処理室
4 蓋体
5 ウエハボート
6 半導体ウエハ
7 回転体
8 昇温用ヒータ
9 第1ガス供給管
9a 先端部分
9b 第1ガス導入部
10 第2ガス供給管
10a 先端部分
10b 第2ガス導入部
12 排気管
13 コンビネーションバルブ
14 真空ポンプ
15 ガス検知モニター
16 管路
17 ハンドバルブ
18 制御部
Claims (9)
- 塗布液による塗布被膜が形成された被処理体を焼成することにより前記塗布被膜から有機系の脱ガスを放出させて、当該被処理体に焼成膜を形成する被処理体の熱処理装置であって、
所定の温度に設定可能な加熱部を有し、被処理体を収容する反応室と、
前記反応室の一端近傍に挿通され、該反応室の他端近傍まで延びるガス供給管を有するガス供給手段と、
前記反応室の一端近傍に接続された排気管を有し、前記被処理体から放出されたガスを前記排気管から排気する排気手段と、
前記排気管に接続され、該排気管内に排気されたガスの成分を検知するガス検知モニターと、
前記ガス検知モニターの検知結果に基づいて、前記被処理体の熱処理の進行度を判別する判別手段と、
を備え、
前記ガス供給手段は、前記ガス供給管から供給されたガスを前記反応室の他端に到達させ、前記排気手段は、前記排気管からの排気により前記反応室の他端に到達されたガスを前記被処理体に供給し、
前記ガス供給管から供給されたガスは、酸素ガス及び窒素ガスである、ことを特徴とする被処理体の熱処理装置。 - 前記排気管は、前記ガス供給管と対向するように、前記反応室の一端近傍に接続されている、ことを特徴とする請求項1に記載の被処理体の熱処理装置。
- 前記排気手段は、前記反応室内が減圧下となるように、当該反応室内の圧力を調整する、ことを特徴とする請求項1または2に記載の被処理体の熱処理装置。
- 前記判別手段は、前記排気管内に排気されたガス中に所定の分子量の成分が存在しなくなると、前記被処理体の熱処理が終了したと判別する、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の被処理体の熱処理装置。
- 前記所定の分子量は、分子量40〜60である、ことを特徴とする請求項4に記載の被処理体の熱処理装置。
- 被処理体には塗布液による塗布被膜が形成され、前記被処理体を焼成することにより前記塗布被膜から有機系の脱ガスを放出させて、当該被処理体に焼成膜を形成する被処理体の熱処理方法であって、
被処理体を反応室に収容する被処理体収容工程と、
前記被処理体収容工程により前記被処理体が収容された反応室の一端近傍に挿通され、該反応室の他端近傍まで延びるガス供給管からガスを供給するとともに、前記反応室を所定の温度に加熱し、前記被処理体からガスを放出させ、放出したガスを前記反応室の一端近傍に接続された排気管から排気する熱処理工程と、
前記排気管に排気されたガスの成分を検知するガス検知工程と、
前記ガス検知工程の検知結果に基づいて、熱処理の進行度を判別する判別工程と、
を備え、
前記熱処理工程では、前記ガス供給管から供給されたガスを前記反応室の他端に到達させるとともに、前記排気管からの排気により前記反応室の他端に到達されたガスを前記被処理体に供給し、
前記ガス供給管から供給するガスに酸素ガス及び窒素ガスを用いる、ことを特徴とする被処理体の熱処理方法。 - 前記熱処理工程では、前記反応室内が減圧下となるように、当該反応室内の圧力を調整する、ことを特徴とする請求項6に記載の被処理体の熱処理方法。
- 前記判別工程では、前記排気管内に排気されたガス中に所定の分子量の成分が存在しなくなると、前記被処理体の熱処理が終了したと判別する、ことを特徴とする請求項6または7に記載の被処理体の熱処理方法。
- 前記所定の分子量が分子量40〜60である、ことを特徴とする請求項8に記載の被処理体の熱処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000397844A JP4564650B2 (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 被処理体の熱処理装置及び熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000397844A JP4564650B2 (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 被処理体の熱処理装置及び熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002198363A JP2002198363A (ja) | 2002-07-12 |
JP4564650B2 true JP4564650B2 (ja) | 2010-10-20 |
Family
ID=18862915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000397844A Expired - Fee Related JP4564650B2 (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 被処理体の熱処理装置及び熱処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4564650B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0338829A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH07221087A (ja) * | 1994-02-07 | 1995-08-18 | Tokyo Electron Ltd | 膜形成方法及びその装置 |
JPH09219452A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-08-19 | Matsushita Electron Corp | ボロンリンガラス膜の溶融平坦化方法 |
JPH11345808A (ja) * | 1999-03-05 | 1999-12-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
-
2000
- 2000-12-27 JP JP2000397844A patent/JP4564650B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0338829A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH07221087A (ja) * | 1994-02-07 | 1995-08-18 | Tokyo Electron Ltd | 膜形成方法及びその装置 |
JPH09219452A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-08-19 | Matsushita Electron Corp | ボロンリンガラス膜の溶融平坦化方法 |
JPH11345808A (ja) * | 1999-03-05 | 1999-12-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002198363A (ja) | 2002-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5504793B2 (ja) | 熱処理装置及び冷却方法 | |
JP2007531269A (ja) | 装置の構成要素のプラズマエンハンスクリーニングの方法及びその処理装置 | |
JP2006324506A (ja) | 基板の乾燥処理装置及び乾燥処理方法 | |
KR100280691B1 (ko) | 열처리방법 및 열처리장치 | |
US8075698B2 (en) | Substrate processing unit, method of detecting end point of cleaning of substrate processing unit, and method of detecting end point of substrate processing | |
JP4564650B2 (ja) | 被処理体の熱処理装置及び熱処理方法 | |
JP7482720B2 (ja) | クリーニング方法及び処理装置 | |
JP4610771B2 (ja) | 縦型熱処理装置およびその強制空冷方法 | |
JP7189326B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
WO2020066829A1 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
KR101512874B1 (ko) | 종형 열처리 장치 및 그 제어 방법 | |
KR20220102110A (ko) | 클리닝 방법 및 처리 장치 | |
JP4361179B2 (ja) | オゾン処理装置及びオゾン処理方法 | |
JP2004172409A (ja) | 反応容器のクリーニング方法及び成膜装置 | |
KR20070041204A (ko) | 반도체 제조설비 | |
US7465682B2 (en) | Method and apparatus for processing organosiloxane film | |
KR20070023406A (ko) | 열배기덕트를 채택하는 반도체 제조장비 | |
JP2008211120A (ja) | 樹脂層の熱処理方法 | |
JP4806127B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
JP4607347B2 (ja) | 被処理体の処理方法及び処理装置 | |
US20220270940A1 (en) | Abnormality detection method and processing apparatus | |
KR20210024141A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 | |
JP3864572B2 (ja) | 反応ガス供給管の折損検出装置 | |
JP4626912B2 (ja) | 被処理体の処理方法、処理装置、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP2018148022A (ja) | 基板処理システム、制御装置及び基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070802 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100119 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100413 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100614 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100727 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100802 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130806 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |