JP4553539B2 - 容量性感知アレイ装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【技術分野】
本発明は、基板上に担持されると共に感知面を規定する誘電体材料の層により被覆された感知電極のアレイを備える構造を有するような容量性感知アレイ装置に関する。
【０００２】
【背景技術】
上述した種類のものであって、特に指紋パターンを容量的に感知することを意図する装置は、米国特許第５３２５４４２号に記載されている。該装置は、行及び列のマトリクスアレイに配列された複数の感知素子を比較する。各感知素子は、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の形態の対応するスイッチング装置に接続された感知電極からなり、該アレイのスイッチング装置は、基板上に担持されると共に上記感知電極の間に延在する行及び列のアドレス導体の組を介して周辺駆動回路に接続されている。各ＴＦＴのドレイン電極は、上記感知素子の感知電極に接続されている。指が誘電体材料の上に置かれると、感知電極と、誘電体材料の上側層及び個々の指紋部分とがコンデンサを構成する。行アドレス導体は走査回路に接続されており、該走査回路は各行導体に選択信号を順次供給して、当該行における感知素子のＴＦＴをオンさせる。選択信号と同時に、上記コンデンサを充電するために列アドレス導体に電位が印加される。これらコンデンサの個々の容量は、当該指紋の峰部又は谷部の存在により決まる該指紋部分の感知電極からの離隔に依存し、前記駆動回路に組み込まれた電流又は電荷感知増幅回路を用いて、これらコンデンサの充電の間に上記列導体を流れる充電電流を感知することにより測定される。行アドレス期間の終了時に、上記ＴＦＴはオフされ、ゲート信号が次の行の導体に供給されて、次の行の感知素子のＴＦＴがオンされる。このようにして、各行の感知素子は順番にアドレス指定され、指紋の峰部パターンにより感知素子のアレイ上に生成される感知容量の変化が当該指紋パターンの電子的画像又は表現を提供する。上記感知素子アレイは、薄膜技術を用いて、例えばガラス又はプラスチックの絶縁基板上の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有するトランジスタを備えて形成されることに加えて、該アレイは他の例としてシリコン基板を用いて集積回路を有することもできる。
【０００３】
この明細書に記載された指紋感知装置の一実施例の変形例においては、上記構造は、指表面との電気的接触を改善する目的で、誘電体層の表面上に設けられると共に、格子模様に又は直線状導体として前記感知電極の間の空間に重なるような金属接地導体を含んでいる。
【０００４】
これも記載されている別の実施例においては、各感知素子が、第２の電気的に絶縁された電極を誘電体層の表面上に備え、該電極は感知電極と同様の寸法のものであると共に該感知電極に重なるように配置されている。これらの第２電極は、使用時に当該電極上に置かれる人の指の峰部により接触されて接地されることを意図するもので、これにより、下側の感知電極及び介在する誘電体材料と共に、当該指紋の峰部の位置において略同一であって、より明確なコンデンサを規定する。
【０００５】
容量性感知電極を備えるアクティブマトリクスを有するが、より大きな面積を占め、且つ、感知電極のピッチが増加されているような、上述したものと類似の種類の装置を、人の指又は針に応答するグラフィックスタブレットのようなタッチ入力装置として使用することができる。
【０００６】
このような容量性感知アレイ装置の問題点は、当該装置に接触する又は当該感知面の近傍に指を持っていく人の身体からの静電電荷が、特に斯様な電荷の影響を受け易いスイッチング装置を損傷させ得るということである。
【０００７】
【発明の開示】
本発明の目的は、上記のようにして生じる損傷を受けにくい改善された容量性感知アレイ装置を提供することにある。
【０００８】
本発明によれば、冒頭の段落に記載したような種類の容量性感知アレイ装置であって、接地導体が前記感知面に隣接すると共に前記感知電極の各々の少なくとも１つの縁部の側部に沿って延在するように設けられ、前記誘電体層の材料は少なくとも前記接地導体の領域において非線形電流／電圧特性を持つような半絶縁体（semi-insulating）材料を有し、これにより、使用時に当該装置構造へ転送され又は当該装置構造に誘起される静電電荷が該半絶縁材料を介して前記接地導体に導通されることを特徴とする容量性感知アレイ装置が提供される。
【０００９】
人が帯びる静電電荷により、当該装置に触る場合、又は人体部分を当該装置の近傍にもっていった場合に、当該装置に対して、特に前記感知電極に関連されたスイッチング装置（例えばトランジスタ）のような部品に対して損傷が生じる危険性が大幅に低減される。本発明は、米国特許第5325442号に記載された前記感知面上の導体が、人の指が帯びる電荷を、該指が上記導体に接触した場合に放散させるよう作用するかも知れないが、特に指が当該装置の近傍にもっていかれた場合における静電放電の振る舞い及び特に位置が高度に予測不可能であり、また、上記導体の面積は上記感知電極により占められる面積と比べて比較的小さいので、斯様な電荷は例えば上記導体を容易にバイパスし、誘電体層を経て感知電極へ、更に該電極からスイッチング装置へと通過し得るという認識を有するものである。前記接地導体に隣接する高度に非線形な材料を使用することにより、高電圧における該材料の振る舞いによって、静電電荷は代わりに接地導体に通過するのを効果的に促進される。該接地導体と放電が発生する領域との間の電位が上昇するにつれて、これらの間の上記材料のインピーダンスが低下し、これにより、該電荷が制御された態様で導通除去されるのを可能にする。
【００１０】
上記の高度に非線形な半絶縁体材料は、好ましくは、シリコン窒化物（silicon nitride）、シリコン炭化物（silicon carbide）、シリコン酸化物（silicon oxide）又はシリコン酸化窒化物（silicon oxynitride）のような非化学量論的（富シリコン）アモルファスシリコン合金、又は他の例としてタンタル酸化物（tantalum oxide）を有する。この点に関しての斯様な材料の振る舞いは良く知られている。このような材料は薄膜ダイオード（ＴＦＤ）のような２端子非線形装置用途に採用されており、該用語は、ここでは、アクティブマトリクス表示装置等において双方向性２端子スイッチング素子として使用されるＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）装置を含むように使用されている。これらの材料は通常は絶縁状態であるが、それらの導電性は印加される電界の強い関数である。これら材料は、敷居特性を示し、印加電圧が敷居レベル（何れかの極性の）に一旦到達すると、導通を開始する。これら材料のうち、非化学量論的（富シリコン）水素添加アモルファスシリコン窒化物が、この材料の高度に制御可能且つ予測可能な非線形特性の点で特に好ましい。これらの特に言及したもの以外の、同様の目的に使用され、且つ、或るポリマを含む既知の非線形材料も好適である。
【００１１】
好ましい一実施例においては、上記接地導体は前記感知面の下に設けられ、各感知電極は感知面上に該感知電極に重なるように担持された第２電極に関連付けられ、該第２電極の縁部は接地導体に近接され、前記誘電体層における少なくとも上記接地導体と感知面との間の領域は前記半絶縁体材料を有している。この構成によれば、所定の敷居レベルを越え、且つ、当該電極に接触し又は接近する電荷を帯びた指等からの結果としての上記第２電極上の如何なる電圧の振れ（voltage excursion）も、上記電極と接地導体との間の上記非線形材料のインピーダンスを低下させ、上記電荷が接地導体へ導通されるのを可能にする。好ましくは、上記第２電極の縁部は接地導体と重なり合うように配置される。該重なり合い領域において、既知の薄膜ダイオードのものと類似の導体／非線形誘電体／導体構造が得られ、上記２つの導体の間の非線形材料の厚さは前記誘電体材料の上側部分（副層）の厚さに相当する。この厚さは上記敷居レベルを決定し、使用される付着工程において良好に規定することができるので、これにより形成される薄膜ダイオード構造の動作特性、特にその敷居レベル、は容易に高度に制御可能且つ予測可能なものとすることができる。
【００１２】
他の好ましい実施例においては、上記接地導体は感知面上に担持され、感知電極と感知面との間の誘電体層の材料は前記半絶縁体材料を有する。この構成においては、上記誘電体層は該層に掛かる電圧が一旦臨界的な敷居値より上昇すると導通状態となり、従って、人の指上の静電電荷の影響の結果として上記感知電極上の電圧が過度なレベルにまで増加すると、該電荷は該層を経て接地導体へ導通除去される。感知電極上の電圧の増加は、静電電荷が感知面に若しくはその近傍に存在する際の容量結合効果により、又は斯様な電荷が当該電極に通過するのを許すような上記誘電体材料の実際の降伏（ブレークダウン）により生じ得る。この電荷が接地導体に導通されるレベルは、感知電極に結合されたスイッチング装置に損傷が生じるレベルよりも低く選定される。
【００１３】
従って、好ましい両実施例において、感知電極上に発生する電圧の振れは制限され、結果として、該電極に電気的に接続された部品に損傷が生じる危険性は減少される。低い電圧においては、上記半絶縁体材料を介しての接地に対するインピーダンスは相対的に非常に高いので、当該装置の通常の動作は影響を受けない。
【００１４】
上記接地導体は感知電極の隣接する行又は列の間に直線的に延在することができるが、好ましくは、該接地導体は各感知電極が格子部分により囲まれるような格子の形態で設けられる。
【００１５】
本発明は例えば米国特許第5325442号に記載された種類の容量型指紋感知装置に特に有利であるが、勿論、静電電荷による同様の問題が生じ得るような他の種類の容量性感知アレイ装置にも有利に適用することができる。
【００１６】
【発明を実施するための最良の形態】
以下、本発明による容量性アレイ装置の一実施例、更に詳細には指紋感知装置を添付図面を参照して例示として説明する。
【００１７】
尚、図は単なる概念的なもので、寸法通りには描かれていない。また、同一の符号は全図を通して同一又は類似の部分を示すために使用されている。
【００１８】
図１を参照すると、該容量性指紋感知アレイ装置は米国特許第５３２５４４２号に記載された種類のもので、その構成及び動作の詳細な説明に関しては該米国特許を参照されたい。要約すると、該装置はアクティブマトリクスによりアドレス指定される感知パッド１０を有し、該パッドは、指紋を走査するように動作する、各々がｃ個の感知素子を備えるｒ行（１からｒ）からなる規則的に離隔された感知素子１２のＸ−Ｙアレイを有している。簡略化のために数個の行及び列のみしか示されていないが、実際には、約２.５平方ｃｍの面積を占める約５１２の行及び列の感知素子が存在することができる。
【００１９】
この特定の実施例においては、上記アレイの各感知素子はスイッチング装置に接続された感知電極１４を有し、該スイッチング装置はｎ型の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の形態の３端子スイッチング装置１６を有している。該Ｘ−Ｙアレイの感知素子は、規則的に離隔された行（選択）アドレス導体１８の組と、規則的に離隔された列（感知）アドレス導体２０の組とを介してアドレス指定されるようになっており、個々の感知素子は上記２組の導体の各交点に位置される。同一の行の全感知素子は、対応する共通の行導体１８に接続され、同一の列の全感知素子は対応する共通の列導体２０に接続されている。行導体１８は一端においてデジタルシフトレジスタ回路を有する行駆動回路２２に接続され、列導体２０は一端において感知回路２４に接続されている。１つの行の各感知素子のＦＥＴ１６のゲート電極は共通行導体１８に接続され、そのドレインは感知電極１４に接続され、そのソースは共通導体２０に接続されている。
【００２０】
パッド１０の感知素子１２並びにアドレス導体１８及び２０は、例えばアクティブマトリクスアドレス式表示装置に使用されているような標準の薄膜技術を用いて製造され、絶縁基板上での導電、絶縁及び半導体材料の多数の層の付着及びフォトリソグラフ処理による規定を含むもので、斯様なものであるから、ここでは該製造の方法を詳細には説明をする必要がないと思量する。電極１４並びにアドレス導体１８及び２０の組は金属から形成することができ、ＦＥＴ１６は例えばガラス、ポリマ又は石英等の適切な絶縁基板を用いてアモルファスシリコン又は多結晶シリコン薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）として形成することができる。例えばヨーロッパ特許出願公開第EP-A-0836417号（出願人整理番号PHB34068）に記載されているように、各感知素子には２以上のスイッチング装置を使用することもできる。上記スイッチング装置はＦＥＴを有することを要さず、ヨーロッパ特許出願公開第EP-A-0920669号（出願人整理番号PHB34153）に記載されているように、その代わりに前記行導体と感知電極との間に接続された、例えば薄膜p-i-n装置又は他の２端子非線形スイッチング装置のようなダイオード構造を有することもできる。薄膜装置技術を使用することが好ましいが、感知パッド１０は他の例として（Ｓｉ）半導体ウェファ及び集積回路技術を用いてチップとして製造することもできる。
【００２１】
本発明によれば、この既知の装置の構造は、当該装置に接触する又は当該装置の近傍にもっていかれる人の身体からの静電電荷により損傷が生じるのを防止するように修正される。
【００２２】
図２は、本発明による斯様な修正された装置の一実施例における感知装置構造の代表的部分の概念的断面図であり、図３は該修正された装置の一部の概念的平面図である。
【００２３】
図２に示された装置構造の部分は、１つの完全な感知素子を有し、当該アレイの他の感知素子も略同様に構成されている。この区域には見ることができないＴＦＴスイッチング装置１６は、絶縁基板３０上において、ＴＦＴのチャンネルを構成するアモルファス又は多結晶シリコン材料の付着層から形成され、例えば窒化シリコン等の誘電体材料の付着層が該ＴＦＴのゲート絶縁層を構成する。規則的に離隔されると共に等しい寸法にされた方形導電性パッドを有する感知電極１４と、これらの間に延在するアドレス導体２０の組とが、共通に付着された金属層から規定される。電極１４の一体的延長部がＴＦＴ１６のドレイン接点を各々形成し、導体２０の一体的延長部がＴＦＴのソース接点を形成する。導体１８と２０との間には、これらが交差する領域に絶縁材料が設けられる。行導体１８の組（図２では見えない）は付着された金属層から形成され、各行導体は感知電極１４の隣接する行の間に延在すると共に、その長さ方向に沿い離隔されてＴＦＴ１６のゲート電極として作用する一体的延長部を有している。
【００２４】
当該感知装置の基本構造を完成させるために、所定の厚さの誘電体材料の層３２が基板３０上の感知素子アレイ構造を完全に覆うように付着され、これにより前記基板の面から離隔されると共に該基板面に略平行な連続的な感知面３４を設ける。
【００２５】
感知電極１４の物理的寸法は、指紋感知における所望の分解能特性に従って選定される。例示として、該感知電極は行及び列の両方向において約５０ないし１００マイクロメータのピッチを有することができる。誘電体層３２の厚さは、使用される材料の比誘電率の値を考慮に入れて選定され、例えば、約６なる比誘電率を持つ材料の場合、感知電極が約５０平方マイクロメートルとして約０.１マイクロメータの膜厚を使用することができる。
【００２６】
誘電体層３２は、例えば窒化シリコン又はポリイミドからなる下側の絶縁膜３３と、前記感知面に直に隣接すると共に該感知面と前記感知電極のレベルとの間に延在するような連続した表面副層を提供する上側の比較的薄い膜３５とからなっている。副層３５の材料は、高度に非線形な電流／電圧特性を持つ半絶縁体材料を有している。本例では、該材料は、非化学量論的な富シリコン水素添加アモルファスシリコン合金（non-stoichiometric, silicon rich, hydrogenated amorphous silicon alloy）、もっと特定的には、下側の回路の薄膜生成と完全に互換性のある形成方法の窒化シリコン合金（a-SiNx）を有している。斯様な層は、標準のＣＶＤ薄膜付着処理を用いて容易に形成することができる。他の例として、富シリコンアモルファスシリコン酸化物、シリコン炭化物若しくはシリコン酸化窒化物又はタンタル（ペント）酸化物若しくは何らかのポリマ等の他の既知の非線形材料を使用することもできる。この種の材料は、薄膜ダイオード及びＡＭＬＣＤでスイッチング装置として使用されるＭＩＭ構造において使用されており、このような目的に使用される斯かる装置の例は、１９９５年のITG-Fachbericht真空電子工学及び表示器、VDE-Verlagベルリン第１３２巻、第２９１〜２９８頁にJ. Shannonにより著された“２端子装置を用いたアクティブマトリクスＬＣＤのアドレッシング”なる題名の文献に記載されている。詳細については、該文献を参照されたい。
【００２７】
層３５の付着に先立ち、層３３の面上には直に、接地導体ライン構造４０が設けられる。本例においては、該導体ライン構造は付着された金属からなる導電性格子を有し、該格子の部分は感知素子の行及び列の側部に沿い且つ感知電極１４の間の間隙に重なる層３３の表面の領域に延在する一方、各格子セルは対応する感知電極を完全に取り囲んでいる。しかしながら、他の例として、上記導体ライン構造は、例えば各導体ラインが対応する行及び列のアドレス導体に重なるようにして、感知電極の隣接する行又は列の間の間隙上に延在する直線状導体の組として設けることもできる。当該装置の動作時には、上記導体ライン構造は当該感知装置電子回路の接地電位に維持される。
【００２８】
各感知電極１４の位置において、層３５の面上には直に第２の電極４５が設けられ、該電極は下側の感知電極１４と略類似の形状ではあるが、感知電極１４よりは僅かに大きく、且つ、該感知電極と垂直方向に位置合わせされている。該第２電極４５は個別の電気的に絶縁された導電性パッドとして形成される。
【００２９】
導体ライン構造４０及び第２電極４５のアレイは、誘電体層３２及び３５の面上に付着された金属又は他の適切な導電性材料の層をフォトリソグラフ的に適切にパターニングすることにより形成される。
【００３０】
図２及び図３から分かるように、第２電極４５は対向する辺において格子構造４０の部分の上に延在している。代わりに又は同時に、電極４５は格子構造４０の隣接する水平腕部上に延在するように配置することもできる。第２電極４５と上記格子構造の部分との間の重なり合う領域の各々において、重なり合う導電性部分と、これら挟持された半絶縁体膜３５の一部とを有する或る形態の薄膜ダイオード構造が規定される。典型的には、この層３５の厚さは３０nmと３００nmとの間にすることができる。このダイオード構造は、第２電極４５と接地格子４０との間に高度に非線形なインピーダンスをもたらし、これらの部分の間の電圧差が或る値（上述した層３５の厚さ範囲に対しては、例えば５ボルトと５０ボルトとの間の）に到達することに応答して双方向的且つ敷居（スイッチング）的な特性を呈する。この敷居レベルよりも低い電極４５上の低電圧においては、接地に対するインピーダンスは非常に高く、当該装置の通常の動作は影響を受けることがない。上記ダイオード構造のスイッチング動作は、完全に可逆的であって、材料３５は電圧を除去すれば、その初期の絶縁状態に戻る。
【００３１】
動作時には、指紋が走査されるべき指が感知面３４上に置かれる。この場合、図２に示すように該指紋の峰部において第２電極４５との物理的接触が発生するが、図２では指の表面３７の一部の１つの峰部３６が図示されており、該峰が電極４５を接地する。該指紋の輪郭の谷部は面３４及び第２電極４５からは非常に大きな距離により離隔されている。従って、峰状の指表面は電極１４のアレイからは、薄膜３２と電極４５との厚さにより決まる最小距離だけ離隔される。各感知電極１４と、谷部における指表面の上に重なる部分又は峰部における電極４５の何れかとが、図２に点線で示すように、コンデンサ３８の対向するプレートを形成し、上記指表面部分又は電極４５により構成される上側プレートは、通常、実効的に接地電位となる。これらの個々のコンデンサの容量は指表面と感知面３４との間の間隔の関数として変化し、大きな容量は指紋峰部が電極４５と接触する箇所で発生し、小さな容量は指紋の谷部が感知電極４５の上に位置する箇所で発生する。このように、指紋の峰部のパターンにより当該パッド１０の感知素子１２のアレイ上で発生される容量の変化は、該指紋表面の電子イメージを提供する。
【００３２】
これらの容量は当該感知装置内で感知されると共に、その変化、従って指紋のパターンを示す出力が得られる。上記アレイにおける個々の感知素子１２の容量の実際の感知は、前述した特許明細書に記載されたようにして達成され、詳細な情報に関しては該特許明細書を参照されたい。
【００３３】
上記格子構造４０及び第２電極４５は、介在する層３５と共に、当該感知アレイが大きな電荷を帯びた人により使用される際に、上記感知素子のスイッチング装置に対して静電的損傷が生じる可能性を防止するか又は少なくとも低減するように作用する（さもなければ上記電荷は上記スイッチング装置へ放電される可能性がある）。既知の装置では、人の指上の如何なる電荷も、その指が感知素子アレイに接触する又は接近する際に、感知電極へ、従って対応するスイッチ装置へ放電される傾向にある。斯様な電荷は、代わりに、容量結合を介して上記感知電極上に高電圧を誘起し得る。図２又は図３に示される構成は、感知電極１４上の如何なる電圧の振れ（voltage excursion）も制限されるのを保証することを意図する。この目的のため、人の指上の電荷は、層３５の薄い上に重なる部分を介して接地格子４０に直接放電されるか、又は第２電極４５で収集されるかの何れかとされる。第２電極４５上の電圧が静電放電により上昇して或るレベルに到達すると、層３５の接地格子４０と重なる領域におけるインピーダンスが特に低下し、上記電荷は、これら領域における層３５を介して接地格子構造へ導通除去され、これにより上記感知電極上の如何なる電圧の振れも制限する。電荷が一旦導通除去されると、層３５は以前の絶縁状態に戻り、該材料には損傷は生じない。
【００３４】
上記の重なり合う領域において実効的に形成される薄膜ダイオードの、この点に関しての動作は、主として層３５の組成及び厚さにより、高度に制御可能であり、従って、電極４５からの電荷の導通は高度に信頼性のおける且つ予測可能な態様で達成することができる。
【００３５】
通常の動作において、第２電極４５上に指紋の峰部が存在しない場合は、該電極は浮動状態であり、当該感知電極１４と接地との間の容量は比較的小さい。指紋の峰部が第２電極４５に接触すると、該電極は指のインピーダンスを介して実効的に接地され、既知の感知装置におけるように接地に対する容量が増加する。
【００３６】
図４は、本発明による感知アレイ装置の他の好ましい実施例の代表的部分を断面として概念的に示している。図示のように、誘電体層３２としては単一層が使用され、感知電極１４に対して前記実施例のものと概ね同様の構造及び配置の接地格子構造４０が、この層の表面、即ち感知面３４上に直に担持されている。この実施例においては、誘電体層３２は全体として、前述したもののような半導体的な高度に非線形な電流／電圧特性の材料から形成され、該材料は感知面３４と感知電極１４のレベルとの間に延在する。この感知装置の指紋パターンを感知する動作は、前述した特許明細書に記載された装置のものと概ね同様である。
【００３７】
接地格子４０は、人の指が帯びる電荷を、該指が該格子に触れた場合、又は該指が上記感知面に接近して電荷が該格子により占められる感知面の領域に飛んだ場合に、放散するよう作用する。しかしながら、斯様な電荷が上記接地格子により直接導通除去されず、感知電極１４に到達してしまった場合は、該電極１４と上記接地格子との間に生じる電圧差が所定の臨界的敷居レベル（該電極１４に接続された部品を損傷し得るものより低い）に向かって上昇するにつれて、介在する上記半導体的材料のインピーダンスが低下し、上記電荷は該層を介して上記格子へ導通除去される。従って、ここでも、静電電荷による感知電極上の電圧の振れの程度は制限される。層３２のスイッチングの性質は完全に可逆的であり、電荷が導通除去されると共に該非線形材料の間の電圧が消滅すると、該材料は以前の絶縁状態に戻る。
【００３８】
この実施例の変形例においては、誘電体層３２の上側表面領域のみが、高度に非線形な材料から副層として形成され、該層３２の残部は通常の誘電体材料のものとすることもできる。
【００３９】
図５は、ここではブロック６０により表される上記感知装置を組み込んだ指紋認識システムを概念的ブロック図の形態で示している。該システムは、上記装置の感知回路からの出力に応答して、感知された指紋の感知容量に従う特徴データを供給する手段と、該特徴データを、１以上の指紋に関する記憶された特徴データと比較する手段とを含んでいる。必要なら、上記感知装置から得られる出力は、既知の光学指紋感知装置においてイメージセンサにより供給されるビデオ出力と同等の形で供給されるようにする。従って、当業者には明らかであろうように、上記感知装置以外の当該システムの構成要素は、概ね、光学感知装置を使用するシステムで使用される種類のものとすることができる。上記特徴データは、峰部の線の向き及び細部の相対位置、即ち線の終端及び分岐に関する情報の形をとることができる。特徴データを生成し及び比較する、上記感知装置から得られた情報の処理は、既知の方法及び技術に従うことができる。検証は、細部の空間的位置に加えて幾何学構造的特徴を利用することにより得ることができるが、勿論、より低い精度が許容されるならば、所要の処理を単純化するために二次元的峰パターンに関する情報のみを利用することもできる。要約すると、適切に前処理された装置６０の出力は、指紋の特徴的フィーチャを検出するようにプログラムされた解析回路６１に供給される。該回路６１からのデータは、コンピュータ６２に供給され、該コンピュータは、標準のアルゴリズムにより上記データを、当該システムが識別の目的に使用されるか又は単なる検証の目的に使用されるかに依存して、記憶装置６３に保持された複数の指紋又は単一の指紋に関するデータと比較すると共に、一致が見つかったか否かに従う出力を供給する。
【００４０】
回路６１は、装置６０からの特定の出力信号値を選択するための適切な分別により、既知の光学感知装置から得られるものと同様の二値イメージに似た、二次元峰パターンを表すような特別な情報を使用するようにプログラムされる。
【００４１】
本開示を読むことにより、当業者にとっては他の変形例が明らかとなるであろう。斯様な変形例は、指紋感知及びその構成部分の分野で既に知られ、並びにここで既述した特徴の代わりに又は斯かる特徴に加えて使用することができる他の特徴を含むことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、既知の容量性指紋感知アレイ装置の簡略化された概念図である。
【図２】 図２は、本発明による容量性感知アレイ装置の一実施例の代表的部分の概念的断面図である。
【図３】 図３は、図２の感知アレイ装置の一部の平面概念図である。
【図４】 図４は、本発明による感知アレイ装置の第２実施例の代表的部分の概念的断面図である。
【図５】 図５は、図２及び図４の感知装置を用いた指紋認識システムを簡単なブロック図の形で示す。
【符号の説明】
１０…感知パッド
１４…感知電極
１８、２０…アドレス導体
３０…絶縁基板
３２…誘電体層
３３…下側絶縁膜
３５…副層
３４…感知面
３６…峰部
３７…指の表面
４０…格子構造
４５…第２電極

Claims (11)

1. 基板上に担持されると共に、感知面を規定する誘電体材料の層により被覆された感知電極のアレイを備えるような構造を有する容量性感知アレイ装置であって、接地導体は、前記感知面に隣接すると共に前記感知電極の各々の少なくとも１つの縁部に沿って延在するように設けられ、前記誘電体層の材料は、少なくとも前記接地導体の領域において非線型な電流／電圧特性を持つ半絶縁体材料を有して、使用時に当該装置の構造に転送され又は当該装置の構造において誘起される静電電荷が、前記半絶縁体材料を介して前記接地導体へ導通されるようにした、容量性感知アレイ装置。
2. 請求項１に記載の容量性感知アレイ装置であって、前記接地導体は、前記感知面の下に設けられ、前記感知電極の各々は、前記感知面上に当該感知電極に重なるように担持され且つ接地導体に近接する縁部を有する第２電極に関連付けられ、少なくとも前記接地導体と前記感知面との間の前記誘電体層の領域は、前記半絶縁体材料を有する、ことを特徴とする容量性感知アレイ装置。
3. 請求項２に記載の容量性感知アレイ装置であって、前記第２電極の縁部は、接地導体と重なり合うように配置されている、ことを特徴とする容量性感知アレイ装置。
4. 請求項３に記載の容量性感知アレイ装置であって、前記接地導体は、前記感知面上に担持され、前記感知電極と前記感知面との間の前記誘電体層の材料は、前記半絶縁体材料を有する、ことを特徴とする容量性感知アレイ装置。
5. 請求項１ないし４のうちいずれか１つに記載の容量性感知アレイ装置であって、前記半絶縁体材料は、非化学量論的な富シリコンアモルファスシリコン合金を有する、ことを特徴とする容量性感知アレイ装置。
6. 請求項１ないし４のうちいずれか１つに記載の容量性感知アレイ装置であって、前記半絶縁体材料は、タンタル酸化物を有する、ことを特徴とする容量性感知アレイ装置。
7. 請求項１ないし６のうちいずれか１つに記載の容量性感知アレイ装置であって、前記接地導体は、各感知電極が格子部分により囲まれるような格子の形態で設けられる、ことを特徴とする容量性感知アレイ装置。
8. 請求項１ないし７のうちいずれか１つに記載の容量性感知アレイ装置であって、前記感知電極の各々は、前記基板上に前記誘電体材料の層の下に担持されると共に接地導体の下に位置するアドレス導体に接続されたスイッチング装置に結合される、ことを特徴とする容量性感知アレイ装置。
9. 請求項８に記載の容量性感知アレイ装置であって、前記スイッチング装置は、薄膜ダイオード又は薄膜トランジスタを有する、ことを特徴とする容量性感知アレイ装置。
10. 請求項１ないし９のうちいずれか１つに記載の容量性感知アレイ装置であって、該感知アレイ装置は、指紋感知装置である、ことを特徴とする容量性感知アレイ装置。
11. 請求項１０に記載の指紋感知装置と、該感知装置からの出力に応答して感知された指紋の特徴データを供給する手段と、前記特徴データを１以上の指紋に関する記憶された特徴データと比較する手段とを有することを特徴とする指紋感知システム。

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