JP4552417B2 - Light emitting device material and light emitting device using the same - Google Patents
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Description
本発明は、電気エネルギーを光に変換できる発光素子であって、表示素子、フラットパネルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標識、看板、電子写真機および光信号発生器などの分野に利用可能な発光素子に関する。 The present invention is a light emitting element capable of converting electrical energy into light, and can be used in the fields of display elements, flat panel displays, backlights, lighting, interiors, signs, signboards, electrophotographic machines, optical signal generators, and the like. The present invention relates to a light emitting element.
陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合する際に発光するという有機薄膜発光素子の研究が、近年活発に行われている。この発光素子は、薄型でかつ低駆動電圧下での高輝度発光と、発光材料を選ぶことによる多色発光が特徴であり、注目を集めている。 In recent years, research on organic thin-film light emitting devices that emit light when electrons injected from a cathode and holes injected from an anode are recombined in an organic phosphor sandwiched between both electrodes has been actively conducted. This light-emitting element is characterized by thin light emission with high luminance under a low driving voltage and multicolor light emission by selecting a light-emitting material.
この研究は、コダック社のC.W.Tangらが有機薄膜素子が高輝度に発光することを示して以来、多くの研究機関が検討を行っている。コダック社の研究グループが提示した有機薄膜発光素子の代表的な構成は、ITOガラス基板上に正孔輸送性のジアミン化合物、発光層である8−ヒドロキシキノリンアルミニウム、そして陰極としてMg:Agを順次設けたものであり、10V程度の駆動電圧で1,000cd/m2の緑色発光が可能であった(非特許文献1参照)。 This study was conducted by C.D. W. Since Tang et al. Have shown that organic thin film devices emit light with high brightness, many research institutions have studied. The representative structure of the organic thin film light emitting device presented by the Kodak research group is a hole transporting diamine compound on the ITO glass substrate, 8-hydroxyquinoline aluminum as the light emitting layer, and Mg: Ag as the cathode in sequence. It was provided, and green light emission of 1,000 cd / m 2 was possible with a driving voltage of about 10 V (see Non-Patent Document 1).
また、有機薄膜発光素子は、発光層に種々の蛍光材料を用いることにより、多様な発光色を得ることが可能であることから、ディスプレイなどへの実用化研究が盛んである。三原色の発光材料の中では緑色発光材料の研究が最も進んでおり、現在は赤色発光材料と青色発光材料において、特性向上を目指して鋭意研究がなされている。 In addition, organic thin-film light-emitting elements can be obtained in various emission colors by using various fluorescent materials for the light-emitting layer, and therefore, researches for practical application to displays and the like are actively conducted. Among the three primary color luminescent materials, research on the green luminescent material is the most advanced, and at present, intensive research is being conducted to improve the characteristics of the red and blue luminescent materials.
有機薄膜発光素子の最大の課題の一つは、素子の耐久性を高めることである。特に青色発光素子に関しては、耐久性が優れ、信頼性の高い素子を提供する青色発光材料は少ない。例えば、アントラセン化合物を青色発光素子に用いる技術が開示されている。アントラセン単量体(特許文献1参照)やアントラセン二量体(特許文献2参照)を用いた青色発光素子が報告されているが、いずれも発光効率が低く、耐久性も不十分であった。また、アントラセン骨格の9,10位にエチニル基を導入した化合物を発光素子に用いた例が報告されているが、発光波長が長波長化し、青色発光は得られていない(特許文献3参照)。
上述のように、従来の有機薄膜発光素子では、発光効率が高く、耐久性に優れた青色発光素子が提供されていなかった。そこで本発明は、かかる従来技術の問題を解決し、発光効率が高く、かつ耐久性に優れた青色発光素子を提供することを目的とするものである。 As described above, a conventional organic thin film light emitting device has not been provided with a blue light emitting device having high luminous efficiency and excellent durability. Accordingly, an object of the present invention is to provide a blue light emitting device that solves the problems of the prior art and has high luminous efficiency and excellent durability.
本発明は下記一般式(1)で表されるアントラセン化合物を含むことを特徴とする発光素子材料である。 The present invention is a light emitting device material comprising an anthracene compound represented by the following general formula (1).
さらに本発明は、陽極と陰極の間に少なくとも発光層と電子輸送層が存在し、電気エネルギーにより発光する発光素子であって、該発光素子が一般式(1)で表されるアントラセン化合物を含有することを特徴とする発光素子である。
Furthermore, the present invention is a light-emitting element that has at least a light-emitting layer and an electron transport layer between an anode and a cathode and emits light by electric energy, and the light-emitting element contains an anthracene compound represented by the general formula (1) The light emitting element is characterized in that.
本発明によれば、特定の置換基を有するアントラセン化合物を発光素子材料として用いることによって、高い発光効率と優れた耐久性を有する発光素子が得られる。従って、本発明の発光素子は表示素子、フラットパネルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標識、看板、電子写真機および光信号発生器などの分野への応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。 According to the present invention, a light emitting device having high luminous efficiency and excellent durability can be obtained by using an anthracene compound having a specific substituent as a light emitting device material. Therefore, the light-emitting element of the present invention can be applied to fields such as display elements, flat panel displays, backlights, lighting, interiors, signs, signboards, electrophotographic machines, and optical signal generators, and has great technical value. Is.
まず、本発明において用いる一般式(1)で表されるアントラセン化合物について詳細に説明する。 First, the anthracene compound represented by the general formula (1) used in the present invention will be described in detail.
これらの置換基の内、アルキル基とは、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。置換されている場合の置換基には特に制限は無く、例えば、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基等を挙げることができ、この点は、以下の記載にも共通する。また、アルキル基の炭素数は特に限定されないが、入手の容易性やコストの点から、通常、1〜20の範囲である。 Among these substituents, the alkyl group represents, for example, a saturated aliphatic hydrocarbon group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or a butyl group, which may be unsubstituted or substituted. The substituent in the case of being substituted is not particularly limited, and examples thereof include an alkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, and the like, and this point is common to the following description. Further, the number of carbon atoms of the alkyl group is not particularly limited, but is usually in the range of 1 to 20 from the viewpoint of availability and cost.
また、シクロアルキル基とは、例えば、シクロプロピル、シクロヘキシル、ノルボルニル、アダマンチルなどの飽和脂環式炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。アルキル基部分の炭素数は特に限定されないが、通常、3〜20の範囲である。 The cycloalkyl group represents a saturated alicyclic hydrocarbon group such as cyclopropyl, cyclohexyl, norbornyl, adamantyl, and the like, which may be unsubstituted or substituted. Although carbon number of an alkyl group part is not specifically limited, Usually, it is the range of 3-20.
また、アラルキル基とは、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基などの脂肪族炭化水素を介した芳香族炭化水素基を示し、脂肪族炭化水素と芳香族炭化水素はいずれも無置換でも置換されていてもかまわない。脂肪族部分の炭素数は特に限定されないが、通常、1〜20の範囲である。 The aralkyl group refers to an aromatic hydrocarbon group via an aliphatic hydrocarbon such as a benzyl group or a phenylethyl group, and both the aliphatic hydrocarbon and the aromatic hydrocarbon are unsubstituted or substituted. It doesn't matter. Although carbon number of an aliphatic part is not specifically limited, Usually, it is the range of 1-20.
また、アルケニル基とは、例えば、ビニル基、アリル基、ブタジエニル基などの二重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。アルケニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、2〜20の範囲である。 Moreover, an alkenyl group shows the unsaturated aliphatic hydrocarbon group containing double bonds, such as a vinyl group, an allyl group, and a butadienyl group, for example, and this may be unsubstituted or substituted. Although carbon number of an alkenyl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-20.
また、シクロアルケニル基とは、例えば、シクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキセニル基などの二重結合を含む不飽和脂環式炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。 The cycloalkenyl group refers to an unsaturated alicyclic hydrocarbon group containing a double bond such as a cyclopentenyl group, a cyclopentadienyl group, or a cyclohexenyl group, which is unsubstituted or substituted. It doesn't matter.
また、アルキニル基とは、例えば、エチニル基などの三重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。アルキニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、2〜20の範囲である。 The alkynyl group refers to an unsaturated aliphatic hydrocarbon group containing a triple bond such as an ethynyl group, which may be unsubstituted or substituted. Although carbon number of an alkynyl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-20.
また、アルコキシ基とは、例えば、メトキシ基などのエーテル結合を介した脂肪族炭化水素基を示し、脂肪族炭化水素基は無置換でも置換されていてもかまわない。アルコキシ基の炭素数は特に限定されないが、通常、1〜20の範囲である。 The alkoxy group refers to, for example, an aliphatic hydrocarbon group via an ether bond such as a methoxy group, and the aliphatic hydrocarbon group may be unsubstituted or substituted. Although carbon number of an alkoxy group is not specifically limited, Usually, it is the range of 1-20.
また、アルキルチオ基とは、アルコキシ基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。 The alkylthio group is a group in which an oxygen atom of an ether bond of an alkoxy group is substituted with a sulfur atom.
また、アリールエーテル基とは、例えば、フェノキシ基などのエーテル結合を介した芳香族炭化水素基を示し、芳香族炭化水素基は無置換でも置換されていてもかまわない。アリールエーテル基の炭素数は特に限定されないが、通常、6〜40の範囲である。 The aryl ether group refers to, for example, an aromatic hydrocarbon group via an ether bond such as a phenoxy group, and the aromatic hydrocarbon group may be unsubstituted or substituted. Although carbon number of an aryl ether group is not specifically limited, Usually, it is the range of 6-40.
また、アリールチオエーテル基とは、アリールエーテル基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。 The arylthioether group is a group in which the oxygen atom of the ether bond of the arylether group is substituted with a sulfur atom.
また、アリール基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、ターフェニル基、ピレニル基などの芳香族炭化水素基を示す。アリール基は、無置換でも置換されていてもかまわない。アリール基の炭素数は特に限定されないが、通常、6〜40の範囲である。 Moreover, an aryl group shows aromatic hydrocarbon groups, such as a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a phenanthryl group, a terphenyl group, a pyrenyl group, for example. The aryl group may be unsubstituted or substituted. Although carbon number of an aryl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 6-40.
また、ヘテロアリール基とは、例えば、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、ピリジル基、キノリニル基、カルバゾリル基などの炭素以外の原子を有する環状構造基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。ヘテロアリール基の炭素数は特に限定されないが、通常、2〜30の範囲である。 The heteroaryl group refers to, for example, a cyclic structure group having an atom other than carbon, such as a furanyl group, a thiophenyl group, an oxazolyl group, a pyridyl group, a quinolinyl group, or a carbazolyl group, which is unsubstituted or substituted It doesn't matter. Although carbon number of a heteroaryl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-30.
ハロゲンとは、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を示す。 Halogen is fluorine, chlorine, bromine or iodine.
アルデヒド基、カルボニル基、エステル基、カルバモイル基、アミノ基には、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、ヘテロアリール環などで置換されたものも含むことができる。 The aldehyde group, carbonyl group, ester group, carbamoyl group, and amino group may include those substituted with aliphatic hydrocarbons, alicyclic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, heteroaryl rings, and the like.
また、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、ヘテロアリール環は無置換でも置換されていてもかまわない。 Further, the aliphatic hydrocarbon, alicyclic hydrocarbon, aromatic hydrocarbon and heteroaryl ring may be unsubstituted or substituted.
シリル基とは、例えば、トリメチルシリル基などのケイ素化合物基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。シリル基の炭素数は特に限定されないが、通常、3〜20の範囲である。また、ケイ素数は、通常、1〜6である。 The silyl group indicates, for example, a silicon compound group such as a trimethylsilyl group, which may be unsubstituted or substituted. Although carbon number of a silyl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 3-20. Moreover, the number of silicon is 1-6 normally.
本発明における電子受容性窒素とは、隣接原子との間に多重結合を形成している窒素原子を表す。窒素原子が高い電子陰性度を有することから、該多重結合は電子受容的な性質を有する。それゆえ、電子受容性窒素を含むヘテロアリール基は、高い電子親和性を有する。電子受容性窒素を有するヘテロアリール環としては、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、キノリン環、キノキサリン環、ナフチリジン環、ピリミドピリミジン環、ベンゾキノリン環、フェナントロリン環、イミダゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンズイミダゾール環およびフェナンスロイミダゾール環などが挙げられる。 The electron-accepting nitrogen in the present invention represents a nitrogen atom that forms a multiple bond with an adjacent atom. Since the nitrogen atom has a high electronegativity, the multiple bond has an electron accepting property. Therefore, heteroaryl groups containing electron-accepting nitrogen have a high electron affinity. Examples of the heteroaryl ring having an electron-accepting nitrogen include, for example, a pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, quinoline ring, quinoxaline ring, naphthyridine ring, pyrimidopyrimidine ring, benzoquinoline ring, phenanthroline ring, imidazole ring, oxazole ring, Examples thereof include an oxadiazole ring, a triazole ring, a thiazole ring, a thiadiazole ring, a benzoxazole ring, a benzothiazole ring, a benzimidazole ring and a phenanthrimidazole ring.
また、一般式(1)のR9とR10が同時に一般式(2)で表されるエチニル基になることはない。R9とR10がともに一般式(2)で表されるエチニル基である場合、発光波長が長波長化し、青色発光を得ることができない。 Further, R 9 and R 10 in the general formula (1) do not simultaneously become an ethynyl group represented by the general formula (2). When both R 9 and R 10 are ethynyl groups represented by the general formula (2), the emission wavelength becomes longer and blue light emission cannot be obtained.
本発明の一般式(1)で表されるアントラセン化合物は、R1〜R10のうち少なくとも一つが、シアノ基、電子受容性窒素を含むヘテロアリール基および一般式(2)で表されるエチニル基の中から選ばれる少なくとも一つで置換されていることにより、高効率かつ耐久性に優れた発光素子を提供するものである。また、R9もしくはR10のいずれか一方が一般式(2)で表されるエチニル基であると、より高い発光効率が得られるため好ましい。さらに、一般式(2)のAr1がシアノ基で置換されたアリール基もしくは電子受容性窒素を含むヘテロアリール基であると、より耐久性が向上するため好ましい。 In the anthracene compound represented by the general formula (1) of the present invention, at least one of R 1 to R 10 is a heteroaryl group containing a cyano group, an electron-accepting nitrogen, and an ethynyl represented by the general formula (2). By being substituted with at least one selected from the group, a light-emitting element having high efficiency and excellent durability is provided. Further, it is preferable that either one of R 9 and R 10 is an ethynyl group represented by the general formula (2) because higher luminous efficiency can be obtained. Furthermore, Ar 1 in the general formula (2) is preferably an aryl group substituted with a cyano group or a heteroaryl group containing an electron-accepting nitrogen because durability is further improved.
上記のようなアントラセン化合物として具体的には以下のような例が挙げられる。 Specific examples of the anthracene compound as described above include the following.
本発明において、一般式(1)で表されるアントラセン化合物は発光素子材料として好適に用いられる。 In the present invention, the anthracene compound represented by the general formula (1) is suitably used as a light emitting device material.
次に、本発明の発光素子の実施の形態について例をあげて詳細に説明する。本発明の発光素子は、少なくとも陽極と陰極、およびそれら陽極と陰極の間に介在する発光素子材料からなる有機層とで構成されている。 Next, embodiments of the light-emitting element of the present invention will be described in detail with examples. The light emitting device of the present invention comprises at least an anode and a cathode, and an organic layer made of a light emitting device material interposed between the anode and the cathode.
本発明で用いられる陽極は、光を取り出すために、透明であれば良く、酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウム(ITO)などの導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロムなどの金属、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロールおよびポリアニリンなどの導電性ポリマなど、特に限定されるものでないが、ITOガラスやネサガラスを用いることが特に望ましい。 In order to extract light, the anode used in the present invention may be transparent, and conductive metal oxides such as tin oxide, indium oxide and indium tin oxide (ITO), or metals such as gold, silver and chromium, Inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, and conductive polymers such as polythiophene, polypyrrole and polyaniline are not particularly limited, but it is particularly desirable to use ITO glass or Nesa glass.
透明電極の抵抗は、発光素子の発光に十分な電流が供給できればよく、発光素子の消費電力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば、300Ω/□以下のITO基板であれば素子電極として機能するが、現在では10Ω/□程度の基板の供給も可能になっていることから、100Ω/□以下の低抵抗品を使用することが特に望ましい。ITOの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常100〜300nmの間で用いられることが多い。 The resistance of the transparent electrode is sufficient if a current sufficient for light emission of the light emitting element can be supplied, and it is desirable that the resistance is low from the viewpoint of power consumption of the light emitting element. For example, an ITO substrate of 300Ω / □ or less will function as a device electrode, but since it is now possible to supply a substrate of about 10Ω / □, use a low-resistance product of 100Ω / □ or less. Is particularly desirable. The thickness of ITO can be arbitrarily selected according to the resistance value, but is usually used in a range of 100 to 300 nm.
また、発光素子の機械的強度を保つために、発光素子を基板上に形成することが好ましい。基板としては、ソーダガラスや無アルカリガラスなどのガラス基板が好適に用いられる。ガラス基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、0.5mm以上あれば十分である。ガラスの材質については、ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカリガラスの方が好ましいが、SiO2などのバリアコートを施したソーダライムガラスも市販されているのでこれを使用することもできる。さらに、陽極が安定に機能するのであれば、基板はガラスである必要はなく、例えば、プラスチック基板上に陽極を形成しても良い。ITO膜形成方法は、電子線ビーム法、スパッタリング法および化学反応法など特に制限を受けるものではない。 In order to maintain the mechanical strength of the light emitting element, the light emitting element is preferably formed over a substrate. As the substrate, a glass substrate such as soda glass or non-alkali glass is preferably used. As the thickness of the glass substrate, it is sufficient that the thickness is sufficient to maintain the mechanical strength. The glass material is preferably alkali-free glass because it is better to have less ions eluted from the glass, but soda-lime glass with a barrier coat such as SiO 2 is also available on the market. it can. Furthermore, if the anode functions stably, the substrate does not have to be glass. For example, the anode may be formed on a plastic substrate. The ITO film forming method is not particularly limited, such as an electron beam method, a sputtering method, and a chemical reaction method.
本発明で用いられる陰極に用いられる材料としては、電子を有機層に効率良く注入できる物質であれば特に限定されないが、一般に白金、金、銀、銅、鉄、錫、亜鉛、アルミニウム、インジウム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウムおよびマグネシウムおよびこれらの合金などが挙げられる。電子注入効率をあげて素子特性を向上させるためには、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウムまたはこれら低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかしながら、これらの低仕事関数金属は、一般に大気中で不安定であることが多く、例えば、有機層に微量のリチウムやマグネシウム(真空蒸着の膜厚計表示で1nm以下)をドーピングして安定性の高い電極を使用する方法が好ましい例として挙げることができる。また、フッ化リチウムのような無機塩の使用も可能である。更に、電極保護のために白金、金、銀、銅、鉄、錫、アルミニウムおよびインジウムなどの金属、またはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、チタニアおよび窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコール、塩化ビニル、炭化水素系高分子化合物などを積層することが、好ましい例として挙げられる。これらの電極の作製法は、抵抗加熱、電子線ビーム、スパッタリング、イオンプレーティングおよびコーティングなど、導通を取ることができれば特に制限されない。 The material used for the cathode used in the present invention is not particularly limited as long as it can efficiently inject electrons into the organic layer, but generally platinum, gold, silver, copper, iron, tin, zinc, aluminum, indium, Examples thereof include chromium, lithium, sodium, potassium, calcium and magnesium, and alloys thereof. Lithium, sodium, potassium, calcium, magnesium, or alloys containing these low work function metals are effective for increasing the electron injection efficiency and improving device characteristics. However, these low work function metals are generally unstable in the atmosphere. For example, the organic layer is doped with a small amount of lithium or magnesium (1 nm or less in the vacuum vapor deposition thickness meter display) to be stable. A method using a high electrode can be cited as a preferred example. Also, an inorganic salt such as lithium fluoride can be used. Furthermore, for electrode protection, metals such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, aluminum and indium, or alloys using these metals, and inorganic substances such as silica, titania and silicon nitride, polyvinyl alcohol, vinyl chloride Lamination of hydrocarbon polymer compounds and the like is a preferred example. The method for producing these electrodes is not particularly limited as long as conduction can be achieved, such as resistance heating, electron beam, sputtering, ion plating, and coating.
本発明の発光素子は、有機層が一般式(1)で表されるアントラセン化合物を含有する発光素子材料から構成される。発光素子材料とは、自ら発光するもの、およびその発光を助けるもののいずれにも該当し、発光に関与している化合物を指すものであり、具体的には、正孔輸送材料、発光材料および電子輸送材料などが該当する。 The light emitting device of the present invention is composed of a light emitting device material in which the organic layer contains an anthracene compound represented by the general formula (1). The light emitting device material corresponds to both a material that emits light by itself and a material that assists the light emission, and refers to a compound that participates in light emission. Specifically, a hole transport material, a light emitting material, and an electron This includes transportation materials.
本発明の発光素子を構成する有機層は、発光素子材料からなる少なくとも発光層と電子輸送層により形成される。有機層の構成例としては、1)正孔輸送層/発光層/電子輸送層および、2)発光層/電子輸送層などの積層構成が挙げられる。また、上記各層は、それぞれ単一層からなってもよいし、複数層からなってもよい。 The organic layer constituting the light emitting device of the present invention is formed of at least a light emitting layer and an electron transport layer made of a light emitting device material. Examples of the structure of the organic layer include 1) a hole transport layer / light-emitting layer / electron transport layer and 2) a light-emitting layer / electron transport layer. Moreover, each said layer may consist of a single layer, respectively, and may consist of multiple layers.
正孔輸送層は、正孔輸送材料の一種または二種以上を積層、混合するか、正孔輸送材料と高分子結着剤の混合物により形成される。正孔輸送材料としては、例えば、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−4,4’−ジフェニル−1,1’−ジアミン、N,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−4,4’−ジフェニル−1,1’−ジアミン、4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニル(フェニル)アミノ)トリフェニルアミンなどのトリフェニルアミン誘導体、ビス(N−アリルカルバゾール)またはビス(N−アルキルカルバゾール)などのビスカルバゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン系化合物、ヒドラゾン系化合物、ベンゾフラン誘導体やチオフェン誘導体、オキサジアゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体などの複素環化合物、ポリマー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレン誘導体、ポリビニルカルバゾールおよびポリシランなどが好ましいが、発光素子の作製に必要な薄膜を形成し、陽極から正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化合物であれば特に限定されるものではない。 The hole transport layer is formed by laminating and mixing one or more hole transport materials or a mixture of the hole transport material and the polymer binder. Examples of the hole transport material include N, N′-diphenyl-N, N′-di (3-methylphenyl) -4,4′-diphenyl-1,1′-diamine, N, N′-dinaphthyl- Triphenylamine derivatives such as N, N′-diphenyl-4,4′-diphenyl-1,1′-diamine, 4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenyl (phenyl) amino) triphenylamine, Biscarbazole derivatives such as bis (N-allylcarbazole) or bis (N-alkylcarbazole), pyrazoline derivatives, stilbene compounds, hydrazone compounds, benzofuran derivatives, thiophene derivatives, oxadiazole derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, etc. For heterocyclic compounds and polymers, polycarbonates and Derivatives, polyvinylcarbazole, polysilane, and the like are preferable, but the compound is not particularly limited as long as it is a compound that forms a thin film necessary for manufacturing a light-emitting element, can inject holes from the anode, and can further transport holes. .
本発明において、発光層は単一層でも複数層からなってもどちらでもよく、それぞれ発光材料(ホスト材料、ドーパント材料)により形成され、これはホスト材料とドーパント材料との混合物であっても、ホスト材料単独であっても、いずれでもよい。すなわち、本発明の発光素子では、各発光層において、ホスト材料もしくはドーパント材料のみが発光してもよいし、ホスト材料とドーパント材料がともに発光してもよい。ホスト材料とドーパント材料は、それぞれ一種類であっても、複数の組み合わせであっても、いずれでもよい。ドーパント材料はホスト材料の全体に含まれていても、部分的に含まれていても、いずれであってもよい。ドーパント材料は積層されていても、分散されていても、いずれであってもよい。ドーパント材料の量は、多すぎると濃度消光現象が起きるため、ホスト材料に対して20重量%以下で用いることが好ましく、さらに好ましくは10重量%以下である。ドーピング方法としては、ホスト材料との共蒸着法によって形成することができるが、ホスト材料と予め混合してから同時に蒸着しても良い。 In the present invention, the light emitting layer may be either a single layer or a plurality of layers, each formed of a light emitting material (host material, dopant material), which may be a mixture of a host material and a dopant material, Either the material alone or the material may be used. That is, in the light emitting element of the present invention, only the host material or the dopant material may emit light in each light emitting layer, or both the host material and the dopant material may emit light. Each of the host material and the dopant material may be one kind or a plurality of combinations. The dopant material may be included in the host material as a whole, or may be included partially. The dopant material may be either laminated or dispersed. If the amount of the dopant material is too large, a concentration quenching phenomenon occurs, so that it is preferably used at 20% by weight or less, more preferably 10% by weight or less with respect to the host material. As a doping method, it can be formed by a co-evaporation method with a host material, but it may be pre-mixed with the host material and then simultaneously deposited.
本発明の一般式(1)で表されるアントラセン化合物は発光材料として好適に用いられる。また、本発明のアントラセン化合物は、青色領域に強い発光を示すことから、青色用の発光材料として好適に用いられる。本発明における青色発光とは、発光スペクトルのピーク波長が420nm〜490nmの領域にある発光を指すものである。本発明のアントラセン化合物はホスト材料として用いてもよいが、蛍光量子収率が高いことや、発光スペクトルの半値幅が小さいこと、発光スペクトルと励起スペクトルのピーク波長差(ストークスシフト)が小さいことから、ドーパント材料として好適に用いられる。 The anthracene compound represented by the general formula (1) of the present invention is suitably used as a light emitting material. Moreover, since the anthracene compound of the present invention exhibits strong light emission in the blue region, it is suitably used as a light emitting material for blue. The blue light emission in the present invention refers to light emission having a peak wavelength of an emission spectrum in a region of 420 nm to 490 nm. Although the anthracene compound of the present invention may be used as a host material, it has a high fluorescence quantum yield, a small half-value width of the emission spectrum, and a small peak wavelength difference (Stokes shift) between the emission spectrum and the excitation spectrum. It is preferably used as a dopant material.
発光材料に含有されるドーパント材料は、前記アントラセン化合物一種のみに限る必要はなく、複数のアントラセン化合物を混合して用いたり、既知のドーパント材料の一種類以上をアントラセン化合物と混合して用いてもよい。具体的には従来から知られている、ナフタレン、アントラセン、フェナンスレン、ピレン、トリフェニレン、ペリレン、フルオレン、インデンなどの芳香族炭化水素化合物やその誘導体、フラン、ピロール、チオフェン、シロール、9−シラフルオレン、9,9’−スピロビシラフルオレン、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、インドール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、イミダゾピリジン、フェナントロリン、ピラジン、ナフチリジン、キノキサリン、ピロロピリジン、チオキサンテンなどのヘテロアリール環化合物やその誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、スチルベン誘導体、アルダジン誘導体、クマリン誘導体、イミダゾール、チアゾール、チアジアゾール、カルバゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾールなどのアゾール誘導体およびその金属錯体およびN,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−4,4’−ジフェニル−1,1’−ジアミンに代表される芳香族アミン誘導体などが挙げられるが、これに限定されるものではない。 The dopant material contained in the light emitting material need not be limited to only one kind of the anthracene compound, and a plurality of anthracene compounds may be used in combination, or one or more kinds of known dopant materials may be used in combination with the anthracene compound. Good. Specifically, conventionally known aromatic hydrocarbon compounds such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, triphenylene, perylene, fluorene, indene and derivatives thereof, furan, pyrrole, thiophene, silole, 9-silafluorene, 9,9'-spirobisilafluorene, benzothiophene, benzofuran, indole, dibenzothiophene, dibenzofuran, imidazopyridine, phenanthroline, pyrazine, naphthyridine, quinoxaline, pyrrolopyridine, thioxanthene and other heteroaryl ring compounds and derivatives thereof, distyryl Benzene derivative, tetraphenylbutadiene derivative, stilbene derivative, aldazine derivative, coumarin derivative, imidazole, thiazole, thiadiazole, carbazole, oxazole Representative examples include azole derivatives such as oxadiazole and triazole and metal complexes thereof, and N, N′-diphenyl-N, N′-di (3-methylphenyl) -4,4′-diphenyl-1,1′-diamine. Aromatic amine derivatives and the like, but are not limited thereto.
本発明で用いられるホスト材料としては、特に限定されるものではないが、以前から発光体として知られていたアントラセンやピレンなどの縮合環誘導体、トリス(8−キノリノラト)アルミニウムをはじめとする金属キレート化オキシノイド化合物、ジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、インデン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ポリマー系では、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、そして、ポリチオフェン誘導体が好適に用いられる。中でも、下記一般式(3)で表される化合物が、優れた耐久性を有することから、好適に用いられる。 The host material used in the present invention is not particularly limited, but metal chelates such as fused ring derivatives such as anthracene and pyrene, tris (8-quinolinolato) aluminum, which have been known as light emitters. Oxinoid compounds, bisstyryl derivatives such as distyrylbenzene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, indene derivatives, coumarin derivatives, oxadiazole derivatives, pyrrolopyridine derivatives, perinone derivatives, cyclopentadiene derivatives, oxadiazole derivatives, polyphenylene in polymer systems Vinylene derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polythiophene derivatives are preferably used. Among these, a compound represented by the following general formula (3) is preferably used because it has excellent durability.
これらの置換基のうち、ホスフィノ基、ホスフィンオキサイド基には脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、ヘテロアリール環などで置換されたものも含むことができる。その他の置換基については、上記一般式(1)の説明と同様である。 Among these substituents, the phosphino group and phosphine oxide group may include those substituted with aliphatic hydrocarbons, alicyclic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, heteroaryl rings, and the like. About another substituent, it is the same as that of description of the said General formula (1).
上記一般式(3)で表される化合物として、具体的には以下のような例が挙げられる。 Specific examples of the compound represented by the general formula (3) include the following.
電子輸送層に用いられる電子輸送材料としては、特に限定されるものではないが、ナフタレン、アントラセンなどの縮合環系芳香環誘導体、4,4’−ビス(ジフェニルエテニル)ビフェニルに代表されるスチリル系芳香環誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、クマリン誘導体、ナフタルイミド誘導体、アントラキノンやジフェノキノンなどのキノン誘導体、リンオキサイド誘導体、カルバゾール誘導体およびインドール誘導体、トリス(8−キノリノラト)アルミニウムなどのキノリノール錯体やヒドロキシフェニルオキサゾール錯体などのヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体およびフラボノール金属錯体、電子受容性窒素を有するヘテロアリール環からなる化合物などが挙げられる。中でも、駆動電圧の低下や、耐久性の向上の観点から、電子受容性窒素を有するヘテロアリール環からなる化合物を含有し、該ヘテロアリール環からなる化合物が共有結合のみで形成される化合物が、好適に用いられる。電子受容性窒素を有するヘテロアリール環からなる化合物を含有し、該ヘテロアリール環からなる化合物としては、例えば、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ピラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、キノキサリン誘導体、キノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、ビピリジンやターピリジンなどのオリゴピリジン誘導体、キノキサリン誘導体およびナフチリジン誘導体などが好ましい化合物として挙げられる。中でも、トリス(N−フェニルベンズイミダゾール−2−イル)ベンゼンなどのイミダゾール誘導体、1,3−ビス[(4−tert−ブチルフェニル)1,3,4−オキサジアゾリル]フェニレンなどのオキサジアゾール誘導体、N−ナフチル−2,5−ジフェニル−1,3,4−トリアゾールなどのトリアゾール誘導体、バソクプロインや1,3−ビス(2−フェニル−1,10−フェナントロリン−9−イル)ベンゼンなどのフェナントロリン誘導体、2,2’−ビス(ベンゾ[h]キノリン−2−イル)−9,9’−スピロビフルオレンなどのベンゾキノリン誘導体、1,3−ビス(4’−(2,2’:6’2”−ターピリジニル))ベンゼンなどのターピリジン誘導体、ビス(1−ナフチル)−4−(1,8−ナフチリジン−2−イル)フェニルホスフィンオキサイドなどのナフチリジン誘導体が、電子輸送能の観点から好ましく用いられる。 The electron transport material used for the electron transport layer is not particularly limited, but is a condensed ring aromatic ring derivative such as naphthalene or anthracene, and styryl represented by 4,4′-bis (diphenylethenyl) biphenyl. Aromatic ring derivatives, perylene derivatives, perinone derivatives, coumarin derivatives, naphthalimide derivatives, quinone derivatives such as anthraquinone and diphenoquinone, phosphorus oxide derivatives, carbazole derivatives and indole derivatives, quinolinol complexes such as tris (8-quinolinolato) aluminum and hydroxyphenyl Examples thereof include hydroxyazole complexes such as oxazole complexes, azomethine complexes, tropolone metal complexes and flavonol metal complexes, and compounds composed of heteroaryl rings having electron-accepting nitrogen. Among them, from the viewpoint of lowering driving voltage and improving durability, a compound comprising a heteroaryl ring having an electron-accepting nitrogen, and the compound comprising the heteroaryl ring is formed only by a covalent bond, Preferably used. A compound comprising a heteroaryl ring having an electron-accepting nitrogen is used. Examples of the compound comprising a heteroaryl ring include benzimidazole derivatives, benzoxazole derivatives, benzthiazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiadiazole derivatives, and triazole derivatives. Preferred examples include pyrazine derivatives, phenanthroline derivatives, quinoxaline derivatives, quinoline derivatives, benzoquinoline derivatives, oligopyridine derivatives such as bipyridine and terpyridine, quinoxaline derivatives, and naphthyridine derivatives. Among them, imidazole derivatives such as tris (N-phenylbenzimidazol-2-yl) benzene, oxadiazole derivatives such as 1,3-bis [(4-tert-butylphenyl) 1,3,4-oxadiazolyl] phenylene, Triazole derivatives such as N-naphthyl-2,5-diphenyl-1,3,4-triazole, phenanthroline derivatives such as bathocuproine and 1,3-bis (2-phenyl-1,10-phenanthroline-9-yl) benzene, Benzoquinoline derivatives such as 2,2′-bis (benzo [h] quinolin-2-yl) -9,9′-spirobifluorene, 1,3-bis (4 ′-(2,2 ′: 6′2 ”-Terpyridinyl)) terpyridine derivatives such as benzene, bis (1-naphthyl) -4- (1,8-naphthyridine-2- Le) naphthyridine derivatives such as phenyl phosphine oxide are preferably used from the viewpoint of electron transporting capability.
これらの電子輸送材料は単独でも用いられるが、異なる電子輸送材料と混合して使用しても構わない。電子輸送層のイオン化ポテンシャルは、特に限定されるものではないが、好ましくは5.8eV以上8.0eV以下であり、より好ましくは6.0eV以上7.5eV以下である。 These electron transport materials are used alone, but may be used in combination with different electron transport materials. The ionization potential of the electron transport layer is not particularly limited, but is preferably 5.8 eV or more and 8.0 eV or less, and more preferably 6.0 eV or more and 7.5 eV or less.
発光素子を構成する上記各層の形成方法は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、コーティング法など特に限定されるものではないが、通常は、抵抗加熱蒸着または電子ビーム蒸着が特性面で好ましい。 The method for forming each layer constituting the light-emitting element is not particularly limited, such as resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, sputtering, molecular lamination method, coating method, etc., but resistance heating vapor deposition or electron beam vapor deposition is usually a characteristic. In terms of surface.
層の厚みは、発光物質の抵抗値にもよるので限定することはできないが、1〜1,000nmの間から選ばれる。発光層、電子輸送層、正孔輸送層の膜厚は、好ましくは1nm以上200nm以下であり、さらに好ましくは5nm以上100nm以下である。 The thickness of the layer cannot be limited because it depends on the resistance value of the luminescent material, but is selected from 1 to 1,000 nm. The film thickness of the light emitting layer, the electron transport layer, and the hole transport layer is preferably 1 nm to 200 nm, and more preferably 5 nm to 100 nm.
本発明の発光素子は、電気エネルギーを光に変換できる発光素子である。ここに電気エネルギーとは主に直流電流を指すが、パルス電流や交流電流を用いることも可能である。電流値および電圧値は特に制限はないが、素子の消費電力や寿命を考慮すると、できるだけ低いエネルギーで最大の輝度が得られるようにするべきである。 The light-emitting element of the present invention is a light-emitting element that can convert electrical energy into light. Here, the electric energy mainly indicates a direct current, but a pulse current or an alternating current can also be used. The current value and voltage value are not particularly limited, but in consideration of the power consumption and life of the element, the maximum luminance should be obtained with as low energy as possible.
本発明の発光素子は、例えば、マトリクスおよび/またはセグメント方式で表示するディスプレイとして好適に用いられる。 The light emitting device of the present invention is suitably used as a display for displaying in a matrix and / or segment system, for example.
本発明におけるマトリクスとは、表示のための画素が格子状やモザイク状など二次元的に配置されたものをいい、画素の集合で文字や画像を表示する。画素の形状やサイズは用途によって決まる。例えば、パソコン、モニター、テレビの画像および文字表示には、通常一辺が300μm以下の四角形の画素が用いられ、また、表示パネルのような大型ディスプレイの場合は、一辺がmmオーダーの画素を用いることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青の画素を並べて表示させる。この場合、典型的にはデルタタイプとストライプタイプがある。そして、このマトリクスの駆動方法としては、線順次駆動方法やアクティブマトリクスのどちらでもよい。線順次駆動の方が構造が簡単であるという利点があるが、動作特性を考慮した場合、アクティブマトリクスの方が優れる場合があるので、これも用途によって使い分けることが必要である。 The matrix in the present invention is a matrix in which pixels for display are two-dimensionally arranged such as a lattice shape or a mosaic shape, and displays a character or an image by a set of pixels. The shape and size of the pixel are determined by the application. For example, a square pixel with a side of 300 μm or less is usually used for displaying images and characters on a personal computer, monitor, TV, and a pixel with a side of mm order for a large display such as a display panel. become. In monochrome display, pixels of the same color may be arranged, but in color display, red, green, and blue pixels are displayed side by side. In this case, there are typically a delta type and a stripe type. The matrix driving method may be either a line sequential driving method or an active matrix. The line-sequential driving has an advantage that the structure is simple. However, the active matrix may be superior in consideration of operation characteristics, so that it is necessary to use them depending on the application.
本発明におけるセグメント方式(タイプ)とは、予め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、決められた領域を発光させることになる。例えば、デジタル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ機器や電磁調理器などの動作状態表示および自動車のパネル表示などが挙げられる。そして、前記マトリクス表示とセグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよい。 In the segment system (type) in the present invention, a pattern is formed so as to display predetermined information, and a predetermined region is caused to emit light. For example, the time and temperature display in a digital clock or a thermometer, the operation state display of an audio device or an electromagnetic cooker, the panel display of an automobile, and the like can be mentioned. The matrix display and the segment display may coexist in the same panel.
本発明の発光素子は、各種機器等のバックライトとしても好ましく用いられる。バックライトは、主に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使用され、液晶表示装置、時計、オーディオ装置、自動車パネル、表示板および標識などに使用される。特に、液晶表示装置、中でも薄型化が課題となっているパソコン用途のバックライトとしては、従来方式のものが蛍光灯や導光板からなっているため薄型化が困難であることを考えると、本発明における発光素子を用いたバックライトは薄型で軽量が特徴になる。 The light emitting device of the present invention is also preferably used as a backlight for various devices. The backlight is used mainly for the purpose of improving the visibility of a display device that does not emit light, and is used for a liquid crystal display device, a clock, an audio device, an automobile panel, a display panel, a sign, and the like. In particular, as a backlight for liquid crystal display devices, especially personal computers for which thinning is an issue, considering that conventional methods are made of fluorescent lamps and light guide plates, it is difficult to reduce the thickness. The backlight using the light emitting element in the invention is thin and lightweight.
以下、実施例をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。なお、下記の各実施例にある化合物の番号は、前述した化合物群中の番号を指すものである。また構造分析に関する評価方法を下記に示す。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated, this invention is not limited by these Examples. In addition, the number of the compound in each following Example points out the number in the compound group mentioned above. The evaluation method for structural analysis is shown below.
1H−NMRは超伝導FTNMR EX−270(日本電子(株)製)を用い、重クロロホルム溶液にて測定を行った。 1 H-NMR was measured with a deuterated chloroform solution using superconducting FTNMR EX-270 (manufactured by JEOL Ltd.).
(参考例1)
化合物〔1〕の合成方法
9,10−ジフェニルアントラセン−2−カルボキシアルデヒド5g、ヒドロキシルアミン塩酸塩2g、酢酸ナトリウム2.3gと酢酸50mlの混合溶液を窒素気流下、130℃で12時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、水100mlを注入し、沈殿をろ過した。固体をメタノールで洗浄し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。真空乾燥した後、淡黄色結晶1.5gを得た。得られた粉末の1H−NMR分析結果は次の通りであった。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):7.35-7.47(m, 7H), 7.55-7.68(m, 6H), 7.71-7.78(m, 3H), 8.14(d, 1H)
ついで、化合物〔1〕を用いた発光素子を次のように作製した。ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板(旭硝子(株)製、15Ω/□、電子ビーム蒸着品)を30×40mmに切断、エッチングを行った。得られた基板をアセトン、”セミコクリン(登録商標)56”(フルウチ化学(株)製)で各々15分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。続いて、イソプロピルアルコールで15分間超音波洗浄してから熱メタノールに15分間浸漬させて乾燥させた。この基板を素子を作製する直前に1時間UV−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が5×10−5Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔注入材料として、銅フタロシアニンを10nm、正孔輸送材料として、4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニルを50nm蒸着した。次に、発光材料として、ホスト材料として、4,4’−ビス(2,2−ジフェニルエテニル)ビフェニルを、またドーパント材料として化合物〔1〕をドープ濃度が1%になるように35nmの厚さに蒸着した。次に、電子輸送材料として、1,3−ビス(1,10−フェナントロリン−2−イル)ベンゼンを15nmの厚さに積層した。次に、リチウムを0.5nm有機層にドーピングした後、アルミニウムを1,000nm蒸着して陰極とし、5×5mm角の素子を作製した。ここで言う膜厚は、水晶発振式膜厚モニター表示値である。この発光素子からは、発光効率2.1lm/Wの高効率青色発光が得られた。この発光素子は、1mAで直流駆動したところ、輝度半減時間は1,500時間であった。
( Reference Example 1)
Synthesis method of compound [1] A mixed solution of 5 g of 9,10-diphenylanthracene-2-carboxaldehyde, 2 g of hydroxylamine hydrochloride, 2.3 g of sodium acetate and 50 ml of acetic acid was heated and stirred at 130 ° C. for 12 hours under a nitrogen stream. . After cooling to room temperature, 100 ml of water was poured and the precipitate was filtered. The solid was washed with methanol and purified by silica gel column chromatography. After vacuum drying, 1.5 g of pale yellow crystals were obtained. The results of 1 H-NMR analysis of the obtained powder were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 (d = ppm)): 7.35-7.47 (m, 7H), 7.55-7.68 (m, 6H), 7.71-7.78 (m, 3H), 8.14 (d, 1H)
Next, a light emitting device using the compound [1] was produced as follows. A glass substrate on which an ITO transparent conductive film was deposited to a thickness of 150 nm (Asahi Glass Co., Ltd., 15Ω / □, electron beam evaporated product) was cut into 30 × 40 mm and etched. The obtained substrate was ultrasonically washed with acetone and “Semicocrine (registered trademark) 56” (manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 15 minutes, respectively, and then washed with ultrapure water. Subsequently, it was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol for 15 minutes and then immersed in hot methanol for 15 minutes and dried. This substrate was subjected to UV-ozone treatment for 1 hour immediately before producing the device, placed in a vacuum deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus became 5 × 10 −5 Pa or less. By the resistance heating method, first, copper phthalocyanine was deposited as a hole injecting material at 10 nm, and 4,4′-bis (N- (1-naphthyl) -N-phenylamino) biphenyl was deposited as a hole transporting material at 50 nm. Next, 4,4′-bis (2,2-diphenylethenyl) biphenyl is used as a light emitting material, a host material, and a compound [1] as a dopant material is 35 nm thick so that the doping concentration is 1%. Vapor deposited. Next, 1,3-bis (1,10-phenanthrolin-2-yl) benzene was laminated to a thickness of 15 nm as an electron transport material. Next, after doping lithium with a 0.5 nm organic layer, 1,000 nm of aluminum was vapor-deposited to form a cathode, and a 5 × 5 mm square device was fabricated. The film thickness referred to here is a crystal oscillation type film thickness monitor display value. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency of 2.1 lm / W was obtained. This light emitting device was DC driven at 1 mA, and the luminance half time was 1,500 hours.
(参考例2)
化合物〔14〕の合成方法
9,10−ジフェニルアントラセン−2−カルボキシアルデヒド5g、2−アミノベンゼンチオール1.8gとジメチルスルホキシド100mlの混合溶液を、140℃で6時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、水100mlを注入し、沈殿をろ過した。固体を水、メタノールで洗浄し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。真空乾燥した後、黄色結晶4gを得た。得られた粉末の1H−NMR分析結果は次の通りであった。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):7.35-7.74(m, 16H), 7.83(t, 2H), 8.04(dd, 1H), 8.11(dd, 1H), 8.36(d, 1H)
ついで、化合物〔14〕を用いた発光素子を次のように作製した。ドーパント材料として化合物〔14〕をドープ濃度が1%となるように用いた以外は、参考例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率2.3lm/Wの高効率青色発光が得られた。この発光素子は、1mAで直流駆動したところ、輝度半減時間は1,200時間であった。
( Reference Example 2)
Synthesis Method of Compound [14] A mixed solution of 5 g of 9,10-diphenylanthracene-2-carboxaldehyde, 1.8 g of 2-aminobenzenethiol and 100 ml of dimethyl sulfoxide was heated and stirred at 140 ° C. for 6 hours. After cooling to room temperature, 100 ml of water was poured and the precipitate was filtered. The solid was washed with water and methanol and purified by silica gel column chromatography. After vacuum drying, 4 g of yellow crystals were obtained. The results of 1 H-NMR analysis of the obtained powder were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 (d = ppm)): 7.35 to 7.74 (m, 16H), 7.83 (t, 2H), 8.04 (dd, 1H), 8.11 (dd, 1H), 8.36 (d, 1H)
Next, a light emitting device using the compound [14] was produced as follows. A light emitting device was produced in the same manner as in Reference Example 1 except that Compound [14] was used as the dopant material so that the doping concentration was 1%. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency of 2.3 lm / W was obtained. This light emitting device was driven by direct current at 1 mA, and the luminance half time was 1,200 hours.
(参考例3)
化合物〔4〕の合成方法
9−ブロモ−10−シアノアントラセン8g、4−ビフェニルボロン酸8.4g、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)3.3g、リン酸三カリウム18gとトルエン500ml、水300mlの混合溶液を窒素気流下、120℃で24時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、沈殿をろ過し、水およびメタノールで洗浄した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥した後、黄色結晶7.3gを得た。得られた粉末の1H−NMR分析結果は次の通りであった。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):7.43-7.56(m, 7H), 7.68-7.86(m, 8H), 8.52(d, 2H)
ついで、化合物〔4〕を用いた発光素子を次のように作製した。ドーパント材料として化合物〔4〕をドープ濃度が1%となるように用いた以外は、参考例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率1.8lm/Wの高効率青色発光が得られた。この発光素子は、1mAで直流駆動したところ、輝度半減時間は1,600時間であった。
( Reference Example 3)
Method of synthesizing compound [4] 9-bromo-10-cyanoanthracene 8 g, 4-biphenylboronic acid 8.4 g, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) 3.3 g, tripotassium phosphate 18 g and toluene 500 ml, water 300 ml of the mixed solution was heated and stirred at 120 ° C. for 24 hours under a nitrogen stream. After cooling to room temperature, the precipitate was filtered and washed with water and methanol. After purification by silica gel column chromatography and vacuum drying, 7.3 g of yellow crystals were obtained. The results of 1 H-NMR analysis of the obtained powder were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 (d = ppm)): 7.43-7.56 (m, 7H), 7.68-7.86 (m, 8H), 8.52 (d, 2H)
Next, a light emitting device using the compound [4] was produced as follows. A light emitting device was produced in the same manner as in Reference Example 1 except that the compound [4] was used as the dopant material so that the doping concentration was 1%. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency of 1.8 lm / W was obtained. This light emitting device was DC driven at 1 mA, and the luminance half time was 1,600 hours.
(参考例4)
化合物〔11〕の合成方法
9−ブロモ−10−シアノアントラセン8g、1,4−フェニレンジボロン酸2.3g、酢酸パラジウム0.32g、リン酸三カリウム24g、テトラブチルアンモニウムブロミド4.6gとジメチルホルムアミド280mlの混合溶液を窒素気流下、150℃で8時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、水1Lを加えジクロロメタン1Lで抽出した。ジクロロメタン層を1N塩酸水溶液、飽和塩化ナトリウム水溶液、水で洗浄後、エバポレーターで濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。真空乾燥した後、黄色結晶0.6gを得た。得られた粉末の1H−NMR分析結果は次の通りであった。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):7.53-7.88(m, 12H), 7.95(d, 4H),8.58(d, 4H)
ついで、化合物〔11〕を用いた発光素子を次のように作製した。ドーパント材料として化合物〔11〕をドープ濃度が1%となるように用いた以外は、参考例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率1.7lm/Wの高効率青色発光が得られた。この発光素子は、1mAで直流駆動したところ、輝度半減時間は1,800時間であった。
( Reference Example 4)
Synthesis method of compound [11] 9-bromo-10-cyanoanthracene 8 g, 1,4-phenylenediboronic acid 2.3 g, palladium acetate 0.32 g, tripotassium phosphate 24 g, tetrabutylammonium bromide 4.6 g and dimethyl A mixed solution of 280 ml of formamide was heated and stirred at 150 ° C. for 8 hours under a nitrogen stream. After cooling to room temperature, 1 L of water was added and extracted with 1 L of dichloromethane. The dichloromethane layer was washed with a 1N aqueous hydrochloric acid solution, a saturated aqueous sodium chloride solution and water, concentrated with an evaporator, and purified by silica gel column chromatography. After vacuum drying, 0.6 g of yellow crystals was obtained. The results of 1 H-NMR analysis of the obtained powder were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 (d = ppm)): 7.53-7.88 (m, 12H), 7.95 (d, 4H), 8.58 (d, 4H)
Next, a light emitting device using the compound [11] was produced as follows. A light emitting device was produced in the same manner as in Reference Example 1 except that the compound [11] was used as a dopant material so that the doping concentration was 1%. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency of 1.7 lm / W was obtained. This light emitting device was DC driven at 1 mA, and the luminance half time was 1,800 hours.
(実施例1)
化合物〔23〕の合成方法
9−ブロモ−10−フェニルアントラセン5g、フェニルアセチレン1.8g、ヨウ化銅(I)0.29g、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)1.7g、トリエチルアミン120mlとトルエン1.2Lの混合溶液を窒素気流下、60℃で24時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、飽和塩化ナトリウム水溶液1Lを加えジクロロメタン1Lで抽出した。水で洗浄後、エバポレーターで濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。真空乾燥した後、黄色結晶1.5gを得た。得られた粉末の1H−NMR分析結果は次の通りであった。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):7.37-7.62(m, 12H), 7.68(d, 2H), 7.80(d, 2H), 8.74(d, 2H)
ついで、化合物〔23〕を用いた発光素子を次のように作製した。ドーパント材料として化合物〔23〕をドープ濃度が1%となるように用いた以外は、参考例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率2.6lm/Wの高効率青色発光が得られた。この発光素子は、1mAで直流駆動したところ、輝度半減時間は1,900時間であった。
(Example 1 )
Synthesis method of compound [23] 9-bromo-10-phenylanthracene 5 g, phenylacetylene 1.8 g, copper (I) iodide 0.29 g, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) 1.7 g, triethylamine 120 ml A mixed solution of 1.2 L of toluene was heated and stirred at 60 ° C. for 24 hours under a nitrogen stream. After cooling to room temperature, 1 L of saturated aqueous sodium chloride solution was added, and the mixture was extracted with 1 L of dichloromethane. After washing with water, the solution was concentrated with an evaporator and purified by silica gel column chromatography. After vacuum drying, 1.5 g of yellow crystals were obtained. The results of 1 H-NMR analysis of the obtained powder were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 (d = ppm)): 7.37-7.62 (m, 12H), 7.68 (d, 2H), 7.80 (d, 2H), 8.74 (d, 2H)
Next, a light emitting device using the compound [23] was produced as follows. A light emitting device was produced in the same manner as in Reference Example 1 except that Compound [23] was used as the dopant material so that the doping concentration was 1%. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a luminous efficiency of 2.6 lm / W was obtained. This light emitting device was DC driven at 1 mA, and the luminance half time was 1,900 hours.
(比較例1)
ドーパント材料として9,10−ビス(4−メトキシフェニル)アントラセンをドープ濃度が1%となるように用いた以外は、参考例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率0.8lm/Wの青色発光が得られた。この発光素子を1mAで直流駆動したところ、500時間で輝度半減した。
(Comparative Example 1)
A light emitting device was produced in the same manner as in Reference Example 1 except that 9,10-bis (4-methoxyphenyl) anthracene was used as the dopant material so that the doping concentration was 1%. From this light emitting element, blue light emission with a luminous efficiency of 0.8 lm / W was obtained. When this light emitting device was DC driven at 1 mA, the luminance was reduced by half in 500 hours.
(比較例2)
ドーパント材料として9,10−ビス(フェニルエチニル)アントラセンをドープ濃度が1%となるように用いた以外は、参考例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子は、緑色の発光を示し、青色発光素子としては使用できないものであった。
(Comparative Example 2)
A light emitting device was fabricated in the same manner as in Reference Example 1 except that 9,10-bis (phenylethynyl) anthracene was used as a dopant material so that the doping concentration was 1%. This light emitting element emitted green light and could not be used as a blue light emitting element.
(比較例3)
ドーパント材料として4,4’−ビス(2−(4−ジフェニルアミノフェニル)エテニル)ビフェニルをドープ濃度が2%となるように用いた以外は、参考例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率2.5lm/Wの青緑色発光が得られた。この発光素子を1mAで直流駆動したところ、200時間で輝度半減した。
(Comparative Example 3)
A light emitting device was produced in the same manner as in Reference Example 1 except that 4,4′-bis (2- (4-diphenylaminophenyl) ethenyl) biphenyl was used as a dopant material so that the doping concentration was 2%. From this light emitting element, blue-green light emission with a luminous efficiency of 2.5 lm / W was obtained. When this light emitting device was DC driven at 1 mA, the luminance was reduced by half in 200 hours.
(実施例2)
参考例1と同様にして正孔注入材料まで蒸着した後、発光材料として、ホスト材料として9,10−ビス(2−ナフチル)アントラセンを、またドーパント材料として化合物〔23〕をドープ濃度が1%になるように25nmの厚さに蒸着した。次に、電子輸送材料として、1,3−ビス(1,10−フェナントロリン−2−イル)ベンゼンを25nmの厚さに積層した。次にリチウムを0.5nm有機層にドーピングした後、アルミニウムを1000nm蒸着して陰極とし、5×5mm角の素子を作製した。この発光素子からは、発光効率1.9lm/Wの高効率青色発光が得られた。この発光素子は、1mAで直流駆動したところ、輝度半減時間は2,500時間であった。
(Example 2 )
After vapor deposition up to the hole injection material in the same manner as in Reference Example 1, the light emitting material is 9,10-bis (2-naphthyl) anthracene as the host material, and the compound [23] is used as the dopant material with a doping concentration of 1%. Vapor deposition was performed to a thickness of 25 nm. Next, 1,3-bis (1,10-phenanthrolin-2-yl) benzene was laminated to a thickness of 25 nm as an electron transport material. Next, after doping the organic layer with 0.5 nm of lithium, 1000 nm of aluminum was vapor-deposited to form a cathode, and a 5 × 5 mm square device was fabricated. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency of 1.9 lm / W was obtained. This light emitting device was DC-driven at 1 mA, and the luminance half time was 2,500 hours.
(比較例4)
ドーパント材料を用いなかったこと以外は、実施例2と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率0.4lm/Wの青色発光が得られたが、1mAで直流駆動したところ、300時間で輝度半減した。
(Comparative Example 4)
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 2 except that the dopant material was not used. From this light emitting element, blue light emission with a luminous efficiency of 0.4 lm / W was obtained, but when driven by direct current at 1 mA, the luminance was reduced by half in 300 hours.
(実施例3)
ホスト材料として9,10−ビス(9−フェナンスリル)アントラセンを用いた以外は、実施例2と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率2.8lm/Wの高効率青色発光が得られた。この発光素子は、1mAで直流駆動したところ、輝度半減時間は2,200時間であった。
(Example 3 )
A light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 2 except that 9,10-bis (9-phenanthryl) anthracene was used as the host material. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency of 2.8 lm / W was obtained. This light emitting device was DC driven at 1 mA, and the luminance half time was 2,200 hours.
(実施例4)
ホスト材料として9,10−ジフェニル−2−(1−ナフチル)アントラセンを用いた以外は、実施例2と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率2.4lm/Wの高効率青色発光が得られた。この発光素子は、1mAで直流駆動したところ、輝度半減時間は2,100時間であった。
(Example 4 )
A light-emitting element was fabricated in the same manner as in Example 2 , except that 9,10-diphenyl-2- (1-naphthyl) anthracene was used as the host material. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency of 2.4 lm / W was obtained. This light emitting device was DC driven at 1 mA, and the luminance half time was 2,100 hours.
(実施例5)
ホスト材料として(9,10−ジフェニルアントラセン−2−イル)ジフェニルホスフィンオキサイドを用いた以外は、実施例2と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率2.2lm/Wの高効率青色発光が得られた。この発光素子は、1mAで直流駆動したところ、輝度半減時間は2,400時間であった。
(Example 5 )
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 2 except that (9,10-diphenylanthracen-2-yl) diphenylphosphine oxide was used as the host material. From this light emitting element, high efficiency blue light emission with a luminous efficiency of 2.2 lm / W was obtained. This light emitting device was dc-driven at 1 mA, and the luminance half time was 2,400 hours.
(参考例5)
電子輸送材料として1,3−ビス(9−フェニル−1,10−フェナントロリン−2−イル)ベンゼンを用いた以外は、参考例2と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率2.5lm/Wの高効率青色発光が得られた。この発光素子は、1mAで直流駆動したところ、輝度半減時間は1,500時間であった。
( Reference Example 5 )
A light emitting device was produced in the same manner as in Reference Example 2, except that 1,3-bis (9-phenyl-1,10-phenanthrolin-2-yl) benzene was used as the electron transport material. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency of 2.5 lm / W was obtained. This light emitting device was DC driven at 1 mA, and the luminance half time was 1,500 hours.
(参考例6)
電子輸送材料として1,3−ビス(4’−(2,2’:6’2”−ターピリジニル))ベンゼンを用いた以外は、参考例2と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率2.2lm/Wの高効率青色発光が得られた。この発光素子は、1mAで直流駆動したところ、輝度半減時間は1,200時間であった。
( Reference Example 6 )
A light emitting device was produced in the same manner as in Reference Example 2, except that 1,3-bis (4 ′-(2,2 ′: 6′2 ″ -terpyridinyl)) benzene was used as the electron transporting material. From the above, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency of 2.2 lm / W was obtained, and this light-emitting element was dc-driven at 1 mA, and its luminance half-life was 1,200 hours.
(参考例7)
電子輸送材料としてビス(1−ナフチル)−4−(キノキサリン−2−イル)フェニルホスフィンオキサイドを用いた以外は、参考例2と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率2.1lm/Wの高効率青色発光が得られた。この発光素子は、1mAで直流駆動したところ、輝度半減時間は1,000時間であった。
( Reference Example 7 )
A light emitting device was produced in the same manner as in Reference Example 2, except that bis (1-naphthyl) -4- (quinoxalin-2-yl) phenylphosphine oxide was used as the electron transport material. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency of 2.1 lm / W was obtained. This light emitting device was DC-driven at 1 mA, and the luminance half time was 1,000 hours.
(参考例8)
電子輸送材料としてビス(1−ナフチル)−4−(1,8−ナフチリジン−2−イル)フェニルホスフィンオキサイドを用いた以外は、参考例2と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率2.3lm/Wの高効率青色発光が得られた。この発光素子は、1mAで直流駆動したところ、輝度半減時間は1,100時間であった。
( Reference Example 8 )
A light-emitting device was fabricated in the same manner as in Reference Example 2, except that bis (1-naphthyl) -4- (1,8-naphthyridin-2-yl) phenylphosphine oxide was used as the electron transport material. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency of 2.3 lm / W was obtained. This light emitting device was DC driven at 1 mA, and the luminance half time was 1,100 hours.
(参考例9)
電子輸送材料としてフェニルビス(1−ピレニル)ホスフィンオキサイドを用いた以外は、参考例2と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率1.7lm/Wの高効率青色発光が得られた。この発光素子は、1mAで直流駆動したところ、輝度半減時間は1,300時間であった。
( Reference Example 9 )
A light emitting device was fabricated in the same manner as in Reference Example 2, except that phenylbis (1-pyrenyl) phosphine oxide was used as the electron transport material. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency of 1.7 lm / W was obtained. This light emitting device was DC-driven at 1 mA, and the luminance half time was 1,300 hours.
(参考例10)
電子輸送材料としてトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)を用いた以外は、参考例2と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率1.5lm/Wの高効率青色発光が得られた。この発光素子は、1mAで直流駆動したところ、輝度半減時間は1,000時間であった。
( Reference Example 10 )
A light emitting device was produced in the same manner as in Reference Example 2 except that tris (8-quinolinolato) aluminum (III) was used as the electron transport material. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency of 1.5 lm / W was obtained. This light emitting device was DC-driven at 1 mA, and the luminance half time was 1,000 hours.
(実施例6)
ホスト材料として化合物〔23〕を用い、ドーパント材料を用いなかったこと以外は、参考例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率1.6lm/Wの高効率青色発光が得られた。
(Example 6 )
A light emitting device was produced in the same manner as in Reference Example 1 except that Compound [23] was used as the host material and no dopant material was used. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a luminous efficiency of 1.6 lm / W was obtained.
(参考例11)
ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板(旭硝子(株)製、15Ω/□、電子ビーム蒸着品)を30×40mmに切断、フォトリソグラフィ法によって300μmピッチ(残り幅270μm)×32本のストライプ状にパターン加工した。ITOストライプの長辺方向片側は外部との電気的接続を容易にするために1.27mmピッチ(開口部幅800μm)まで広げてある。得られた基板をアセトン、”セミコクリン(登録商標)56”(フルウチ化学(株)製)で各々15分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。続いて、イソプロピルアルコールで15分間超音波洗浄してから熱メタノールに15分間浸漬させて乾燥させた。この基板を素子を作製する直前に1時間UV−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が5×10−4Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔輸送材料として4,4’−ビス(N−(m−トリル)−N−フェニルアミノ)ビフェニルを150nm蒸着した。次に、ホスト材料として4,4’−ビス(2,2−ジフェニルエテニル)ビフェニルを、またドーパント材料として化合物〔14〕をドープ濃度が1%になるように35nmの厚さに蒸着した。次に、電子輸送材料として、1,3−ビス(1,10−フェナントロリン−2−イル)ベンゼンを15nmの厚さに積層した。ここで言う膜厚は、水晶発振式膜厚モニター表示値である。次に、厚さ50μmのコバール板にウエットエッチングによって16本の250μmの開口部(残り幅50μm、300μmピッチに相当)を設けたマスクを、真空中でITOストライプに直交するようにマスク交換し、マスクとITO基板が密着するように裏面から磁石で固定した。そしてリチウムを0.5nm有機層にドーピングした後、アルミニウムを200nm蒸着して32×16ドットマトリクス素子を作製した。本素子をマトリクス駆動させたところ、クロストークなく文字表示できた。
( Reference Example 11 )
A glass substrate (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., 15Ω / □, electron beam evaporation product) on which ITO transparent conductive film is deposited to 150 nm is cut into 30 × 40 mm, and 300 μm pitch (remaining width 270 μm) × 32 stripes by photolithography. Patterned into a shape. One side of the ITO stripe in the long side direction is expanded to a pitch of 1.27 mm (opening width 800 μm) in order to facilitate electrical connection with the outside. The obtained substrate was ultrasonically washed with acetone and “Semicocrine (registered trademark) 56” (manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 15 minutes, respectively, and then washed with ultrapure water. Subsequently, it was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol for 15 minutes and then immersed in hot methanol for 15 minutes and dried. This substrate was subjected to UV-ozone treatment for 1 hour immediately before producing the device, placed in a vacuum deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus became 5 × 10 −4 Pa or less. First, 4,4′-bis (N- (m-tolyl) -N-phenylamino) biphenyl was deposited as a hole transport material by a resistance heating method to a thickness of 150 nm. Next, 4,4′-bis (2,2-diphenylethenyl) biphenyl was deposited as a host material, and compound [14] was deposited as a dopant material to a thickness of 35 nm so that the doping concentration was 1%. Next, 1,3-bis (1,10-phenanthrolin-2-yl) benzene was laminated to a thickness of 15 nm as an electron transport material. The film thickness referred to here is a crystal oscillation type film thickness monitor display value. Next, the mask provided with 16 250 μm openings (corresponding to a remaining width of 50 μm and a pitch of 300 μm) by wet etching on a 50 μm thick Kovar plate was changed to be orthogonal to the ITO stripe in vacuum, It fixed with the magnet from the back surface so that a mask and ITO board | substrate might closely_contact | adhere. And after doping lithium with a 0.5 nm organic layer, aluminum was vapor-deposited 200 nm, and the 32x16 dot matrix element was produced. When this element was driven in matrix, characters could be displayed without crosstalk.
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