JP4432313B2 - Tetraphenylmethane derivative and light emitting device including the same - Google Patents

Description

【００１２】
（ここでＲ^１〜Ｒ^２０は水素である。但し、Ｒ^１〜Ｒ^５のうち少なくとも１つ及びＲ^６〜Ｒ^１０のうち少なくとも１つはピリジル基、ビピリジル基、ターピリジル基、クウォーターピリジル基、キノリニル基、ベンゾキノリニル基、フェナントロリン基、アクリジニル基、ナフチリジニル基、ピラジル基、キノキサリニル基、ベンゾキノキサリニル基またはフェナジニル基から選ばれる。）
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明において新規な化合物は、下記一般式（１）で表されるテトラフェニルメタン誘導体である。
【００１４】
【化３】

【００１５】
（ここでＲ¹〜Ｒ²⁰は水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル基、隣接置換基との間に形成される環構造の中から選ばれる。但し、Ｒ¹〜Ｒ⁵のうち少なくとも１つ及びＲ⁶〜Ｒ¹⁰のうち少なくとも１つはピリジン環骨格を有する置換基である）。
【００１６】
これらの置換基の内、アルキル基とは例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。また、シクロアルキル基とは例えばシクロプロピル、シクロヘキシル、ノルボルニル、アダマンチルなどの飽和脂環式炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。また、アラルキル基とは例えばベンジル基、フェニルエチル基などの脂肪族炭化水素を介した芳香族炭化水素基を示し、脂肪族炭化水素と芳香族炭化水素はいずれも無置換でも置換されていてもかまわない。また、アルケニル基とは例えばビニル基、アリル基、ブタジエニル基などの二重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。また、シクロアルケニル基とは例えばシクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキセン基などの二重結合を含む不飽和脂環式炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。また、アルキニル基とは例えばアセチレニル基などの三重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。また、アルコキシ基とは例えばメトキシ基などのエーテル結合を介した脂肪族炭化水素基を示し、脂肪族炭化水素基は無置換でも置換されていてもかまわない。また、アルキルチオ基とはアルコキシ基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。また、アリールエーテル基とは例えばフェノキシ基などのエーテル結合を介した芳香族炭化水素基を示し、芳香族炭化水素基は無置換でも置換されていてもかまわない。また、アリールチオエーテル基とはアリールエーテル基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。また、アリール基とは例えばフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、ターフェニル基、ピレニル基などの芳香族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。また、複素環基とは例えばフリル基、チエニル基、オキサゾリル基、ピリジル基、キノリニル基、カルバゾリル基などの炭素以外の原子を有する環状構造基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。ハロゲンとはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素を示す。ハロアルカン、ハロアルケン、ハロアルキンとは例えばトリフルオロメチル基などの、前述のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基の一部あるいは全部が、前述のハロゲンで置換されたものを示し、残りの部分は無置換でも置換されていてもかまわない。アルデヒド基、カルボニル基、エステル基、カルバモイル基、アミノ基には脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、複素環などで置換されたものも含み、さらに脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、複素環は無置換でも置換されていてもかまわない。シリル基とは例えばトリメチルシリル基などのケイ素化合物基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。シロキサニル基とは例えばトリメチルシロキサニル基などのエーテル結合を介したケイ素化合物基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。また、隣接置換基との間に環構造を形成しても構わない。形成される環構造は無置換でも置換されていてもかまわない。
【００１７】
ピリジン環骨格を有する置換基とは、ピリジル基を１つ乃至複数含有する置換基や、ピリジン環を含む多環芳香族基を示し、例えば、ピリジル基、ビピリジル基、ターピリジル基、クウォーターピリジル基、キノリニル基、ベンゾキノリニル基、フェナントロリン基、アクリジニル基、ナフチリジニル基などが挙げられ、これらは水素以外の置換基を有していてもよい。
【００１８】
また、ピリジン環骨格のかわりに、ピリジン環の４位の炭素原子が窒素原子に置き換わったピラジン環骨格を使用することもできる。このような置換基として、例えば、ピラジル基、キノキサリニル基、ベンゾキノキサリニル基、フェナジニル基などが挙げられ、これらは水素以外の置換基を有していてもよい。
【００１９】
上記ピリジン環骨格またはピラジン環骨格を有する置換基は耐熱性の点から、多環芳香族基であることが好ましい。
【００２０】
電荷輸送性や薄膜形成性などの機能性を効果的に発現させるために、Ｒ¹〜Ｒ²⁰の少なくとも一つに、機能性置換基を導入することもできる。その例としては、トリフェニルアミン、ジフェニルアミン、カルバゾール、インドール、ジフェニルビニル、フルオレニル、フェナンスリル、アントラニル、ピレニル、ペリレニル、ビフェニル、ターフェニル、クオーターフェニルなどの電荷輸送性置換基や、アルキル基、アルコキシ基、アリールエーテル基などの薄膜形成性置換基が挙げられるが特に限定されるものではない。
【００２１】
ピリジン環骨格を有する置換基の数は特に限定されるものではないが、２つ以上４つ以下が好ましく、２つがより好ましい。１つの場合は電荷輸送性が低く機能発現が不十分なことがあり、５つ以上の場合は合成や精製が困難であったり、昇華性が低いために真空蒸着時に分解や重合等の変性が起こってしまうことがある。
【００２２】
ピリジン環骨格を有する置換基の位置は特に限定されるものではないが、合成の容易さの観点からＲ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹が好ましく、耐熱性の観点からＲ³、Ｒ⁸、Ｒ¹³、Ｒ¹⁸がより好ましい。
【００２３】
ピリジン環骨格を有する置換基はテトラフェニルメタン骨格に直接結合していても、テトラフェニルメタン骨格との間に２価の連結基を介していてもよい。この場合の２価の連結基とは特に限定されるものではないが、アルキル基、エーテル基、チオエーテル基、ケトン基、置換あるいは無置換のアミノ基、アミド基、アリール基、複素環基などが挙げられる。合成の容易さや耐熱性の観点から、機能性置換基は直接、または２価の連結基としてアリール基、複素環基を介して結合していることが好ましい。
【００２４】
一般式（１）で表される化合物は以下の方法で合成することができるが特に限定されるものではない。
【００２５】
テトラフェニルメタン骨格の合成については、参考文献としてＡｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．ｖｏｌ．２５（１９８６）Ｎｏ．１２の第１０９８頁や、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．３８（１９９７）の第１４８７頁などがあげられる。具体的には、無溶媒または酢酸溶媒中、トリフェニルメタノールまたはトリフェニルメチルクロライドを、アニリンまたはアニリン塩酸塩と１００℃乃至２２０℃で反応させ、得られた中間体を常法で処理して単離し、次いでエタノール／硫酸の混合溶媒中、−１０℃でイソアミルナイトライトと反応させ、ホスフィン酸を加えて加熱還流し、常法で処理し得ることができる。
【００２６】
テトラフェニルメタン骨格へのピリジン環骨格を有する置換基や前述の機能性置換基の導入については、直接でも良いが、まず反応性置換基を導入し、その後該置換基を導入する方法が好ましい。反応性置換基としては、アセチル基、ヨード基、ブロモ基などがあげられるが特に限定されるものではない。
【００２７】
アセチル基の導入法としては、一般的かつ簡便なフリーデル・クラフツのアシル化があげられる。参考文献としては、特開平７−２７８５３７号公報の第２７頁「実施例Ａ．出発化合物（ｆ）２，２’−ジアセチル−９，９’−スピロビフルオレン」やＨｅｌｖｅｔｉｃａ Ｃｈｉｍｉｃａ Ａｃｔａ，ｖｏｌ．５２（１９６９）第１２１０頁「Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｅｌｌｅｒ Ｔｅｌｌ ２，２’−ｄｉａｃｅｔｙｌ−９，９’−ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（IV）」などがあげられる。具体的には、テトラフェニルメタンを１，２−ジクロロエタン中で５０℃で塩化アセチルと塩化アルミニウムと反応させ、常法で処理し、アセチル基を導入することができる。塩化アセチルと塩化アルミニウムの当量を変えて、１〜４置換体を得ることができる。
【００２８】
ヨード基の導入については、参考文献として、前述のＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎＬｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．３８（１９９７）の第１４８７頁などがあげられる。具体的には、テトラフェニルメタンを四塩化炭素中で５０℃乃至６０℃でヨウ素とビス（トリフルオロアセトキシ）ヨードベンゼンと反応させ、常法で処理し、ヨード基を導入することができる。
【００２９】
ブロモ基の導入については、参考文献として、前述のＡｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．２５（１９８６）Ｎｏ．１２の第１０９８頁などがあげられる。具体的には、テトラフェニルメタンを室温で臭素と反応させ、常法で処理し、ブロモ基を導入することができる。臭素の当量を変えて、１〜４置換体を得ることができる。
【００３０】
反応性置換基を導入した後のテトラフェニルメタン骨格へのピリジン環骨格を有する置換基や機能性置換基の導入については、アセチル基からフェナントロリン基、ベンゾキノリニル基、ナフチリジニル基、ターピリジル基、インドール基の導入、ヨード基、ブロモ基からフェナントロリン基、ビピリジル基、ターピリジル基、ジフェニルアミノ基、カルバゾール基、ジフェニルエチレン基、ポリフェニレン基、ｎ−ブチル基の導入などがあげられるが特に限定されるものではない。
【００３１】
フェナントロリン基の導入については、参考文献として、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．４０（１９９９）．第７３１２頁スキームやＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９６，６１．第３０２０頁「２−Ｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｎｔｏｒｏｌｉｎｅ」、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．２３（１９８２）．第５２９１頁〜第５２９４頁などがあげられる。具体的には、テトラフェニルメタンのアセチル体をジオキサン中で６０℃で８−アミノ−７−キノリンカルボアルデヒド、水酸化カリウムと反応させ、常法で処理する方法や、テトラフェニルメタンのヨード体またはブロモ体を金属リチウムでリチオ化し、次いで無水フェナントロリンと反応させて、水、二酸化マンガンで処理する方法などで、フェナントロリン基を導入することができる。
【００３２】
インドール基の導入については、参考文献として、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．４０（１９９９）．第７３１２頁スキームなどがあげられる。具体的には、テトラフェニルメタンのアセチル体と１−メチル−１−フェニルヒドラジンをエタノール中で加熱環流させ、酢酸を加えてさらに加熱環流させ、常法で処理し、ヒドラジン体を得て、これをポリりん酸中で１６０℃で加熱し、常法で処理し、インドール基を導入することができる。
【００３３】
ジフェニルエチレン基の導入については、参考文献として、ＳＰＩＥ，ｖｏｌ．３７９７．第３１７頁「２．１Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ＥＭ１」などがあげられる。具体的には、テトラフェニルメタンのブロモ体にジフェニルビニルボロン酸、炭酸ナトリウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム触媒を加え、水−トルエン中で１００℃で反応させ、常法で処理し、ジフェニルビニル基を導入することができる。同様にポリフェニレンを導入することができる。
【００３４】
ジフェニルアミノ基の導入については、参考文献として、ＳＰＩＥ，ｖｏｌ．３７９７．第３１７頁「２．１Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ＨＴＭ１」などがあげられる。具体的には、テトラフェニルメタンのブロモ体に、ジフェニルアミン、ｔ−ブトキシナトリウム、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、酢酸パラジウムを加え、トルエン中で加熱環流させ、常法で処理し、ジフェニルアミノ基を導入することができる。同様にカルバゾリル基を導入することができる。
【００３５】
ｎ−ブチル基の導入については、具体的には、テトラフェニルメタンのブロモ体にＴＨＦ中室温でｎ−ブチルリチウムと反応させ、常法で処理し、ｎ−ブチル基を導入することができる。テトラフェニルメタンのブロモ体からの上述の機能性置換基導入の際に残留する未反応ブロモ基を処理することができ、薄膜形成性にも有利である。
【００３６】
上記のテトラフェニルメタン誘導体として、具体的には下記のような構造があげられるが特に限定されるものではない。
【００３７】
【化４】

【００３８】
【化５】

【００３９】
また、本発明は上記一般式（１）で表される電子輸送材料を、陽極と陰極の間に存在する電子輸送層として用いた発光素子である。
【００４０】
一般式（１）で表されるテトラフェニルメタン誘導体は立体的な骨格であるため、耐熱性が高く、結晶化を防ぎ、薄膜形成性に優れた化合物である。さらに化学的、電気化学的に安定であり、真空蒸着時に分解や重合などの変性が起こることがなく、極めて耐久性に優れるという特徴を有する。
【００４１】
本発明の発光素子において陽極は、光を取り出すために透明であれば酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）などの導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロムなどの金属、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性ポリマーなど特に限定されるものでないが、ＩＴＯガラスやネサガラスを用いることが特に望ましい。透明電極の抵抗は素子の発光に十分な電流が供給できればよいので限定されないが、素子の消費電力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば３００Ω／□以下のＩＴＯ基板であれば素子電極として機能するが、現在では１０Ω／□程度の基板の供給も可能になっていることから、低抵抗品を使用することが特に望ましい。ＩＴＯの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常１００〜３００ｎｍの間で用いられることが多い。また、ガラス基板はソーダライムガラス、無アルカリガラスなどが用いられ、また厚みも機械的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、０．５ｍｍ以上あれば十分である。ガラスの材質については、ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカリガラスの方が好ましいが、ＳｉＯ₂ などのバリアコートを施したソーダライムガラスも市販されているのでこれを使用できる。ＩＴＯ膜形成方法は、電子線ビーム法、スパッタリング法、化学反応法など特に制限を受けるものではない。
【００４２】
本発明の発光素子において陰極は、電子を本有機物層に効率良く注入できる物質であれば特に限定されないが、一般に白金、金、銀、銅、鉄、錫、亜鉛、アルミニウム、インジウム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウムなどがあげられるが、電子注入効率をあげて素子特性を向上させるためにはリチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウムまたはこれら低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかし、これらの低仕事関数金属は、一般に大気中で不安定であることが多く、例えば、有機層に微量のリチウムやセシウム、マグネシウム（真空蒸着の膜厚計表示で１ｎｍ以下）をドーピングして安定性の高い電極を使用する方法が好ましい例として挙げることができるが、フッ化リチウムのような無機塩の使用も可能であることから特にこれらに限定されるものではない。更に電極保護のために白金、金、銀、銅、鉄、錫、アルミニウム、インジウムなどの金属、またはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、チタニア、窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコール、塩化ビニル、炭化水素系高分子などを積層することが好ましい例として挙げられる。これらの電極の作製法も抵抗加熱、電子線ビーム、スパッタリング、イオンプレーティング、コーティングなど導通を取ることができれば特に制限されない。
【００４３】
本発明の発光素子において発光物質とは、１）正孔輸送層／発光層、２）正孔輸送層／発光層／電子輸送層、３）発光層／電子輸送層、そして、４）以上の組合わせ物質を一層に混合した形態のいずれであってもよい。即ち、素子構成としては、上記１）〜３）の多層積層構造の他に４）のように発光材料単独または発光材料と正孔輸送材料や電子輸送材料を含む層を一層設けるだけでもよい。さらに、本発明の発光素子における発光物質は自ら発光するもの、その発光を助けるもののいずれにも該当し、発光に関与している化合物、層などを指すものである。
【００４４】
本発明の発光素子において正孔輸送性材料は、電界を与えられた電極間において陽極からの正孔を効率良く輸送することが必要で、正孔注入効率が高く、注入された正孔を効率良く輸送することが望ましい。そのためにはイオン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが要求される。
【００４５】
このような条件を満たす物質として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミンや、Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミンなどのトリフェニルアミン類、ビス（Ｎ−アリルカルバゾール）や、ビス（Ｎ−アルキルカルバゾール）類などのカルバゾール類、インドール誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン系化合物、ヒドラゾン系化合物、オキサジアゾール誘導体やフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体に代表される複素環化合物、ポリマー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリシランなどがあげられるが特に限定されるものではない。
【００４６】
本発明における発光材料はホスト材料のみでも、ホスト材料とドーパント材料の組み合わせでも、いずれであってもよい。また、ドーパント材料はホスト材料の全体に含まれていても、部分的に含まれていても、いずれであってもよい。ドーパント材料は積層されていても、分散されていても、いずれであってもよい。
【００４７】
本発明の発光素子において発光材料は、正孔輸送層あるいは直接陽極から受けとった正孔と、電子輸送層あるいは直接陰極から受け取った電子を効率よく再結合させることが必要で、ドーパント材料を含む場合は、再結合のエネルギーをドーパント材料に効率よく移動させることが必要である。さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが要求される。
【００４８】
このような条件を満たす物質として、本発明におけるテトラフェニルメタン誘導体や、以前から発光体として知られていたアントラセン、フェナンスレン、ピレン、ペリレン、クリセンなどの縮合環誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムを始めとするキノリノール誘導体の金属錯体、ベンズオキサゾール誘導体、スチルベン誘導体、ベンズチアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、チオフェン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体やジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、キノリノール誘導体と異なる配位子を組み合わせた金属錯体、オキサジアゾール誘導体金属錯体、ベンズアゾール誘導体金属錯体、クマリン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ピロロピロール誘導体、シロール誘導体、ペリノン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、ポリマー系では、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、そして、ポリチオフェン誘導体などがあげられるが特に限定されるものではない。
【００４９】
発光材料に添加するドーパント材料は、ホスト材料からの再結合エネルギーを効率よく受け取ることが必要で、量子収率が高く、しかも濃度消光を起こしにくいことが望ましい。さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが要求される。
【００５０】
このような条件を満たす物質として、本発明におけるテトラフェニルメタン誘導体や、従来から知られている、フェナンスレン、アントラセン、ピレン、テトラセン、ペンタセン、ペリレン、ナフトピレン、ジベンゾピレン、ルブレンなどの縮合環誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン誘導体、チオフェン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体やジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、ジアザインダセン誘導体、フラン誘導体、ベンゾフラン誘導体、フェニルイソベンゾフラン、ジメシチルイソベンゾフラン、ジ（２−メチルフェニル）イソベンゾフラン、ジ（２−トリフルオロメチルフェニル）イソベンゾフラン、フェニルイソベンゾフランなどのイソベンゾフラン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、７−ジアルキルアミノクマリン誘導体、７−ピペリジノクマリン誘導体、７−ヒドロキシクマリン誘導体、７−メトキシクマリン誘導体、７−アセトキシクマリン誘導体、３−ベンズチアゾリルクマリン誘導体、３−ベンズイミダゾリルクマリン誘導体、３−ベンズオキサゾリルクマリン誘導体などのクマリン誘導体、ジシアノメチレンピラン誘導体、ジシアノメチレンチオピラン誘導体、ポリメチン誘導体、シアニン誘導体、オキソベンズアンスラセン誘導体、キサンテン誘導体、ローダミン誘導体、フルオレセイン誘導体、ピリリウム誘導体、カルボスチリル誘導体、アクリジン誘導体、オキサジン誘導体、フェニレンオキサイド誘導体、キナクリドン誘導体、キナゾリン誘導体、ピロロピリジン誘導体、フロピリジン誘導体、１，２，５−チアジアゾロピレン誘導体、ピロメテン誘導体、ペリノン誘導体、ピロロピロール誘導体、スクアリリウム誘導体、ビオラントロン誘導体、フェナジン誘導体、アクリドン誘導体、ジアザフラビン誘導体などがあげられるが、特に限定されるものではない。
【００５１】
また、ドーパント材料として上記蛍光性（一重項発光）材料だけでなく、燐光性（三重項発光）材料も好ましく用いられる。具体的には、ポルフィリン白金錯体やトリス（２−フェニルピリジル）イリジウム錯体、トリス｛２−（２−チオフェニル）ピリジル｝イリジウム錯体、トリス｛２−（２−ベンゾチオフェニル）ピリジル｝イリジウム錯体、トリス（２−フェニルベンゾチアゾール）イリジウム錯体、トリス（２−フェニルベンゾオキサゾール）イリジウム錯体、トリスベンゾキノリンイリジウム錯体、ビス（２−フェニルピリジル）（アセチルアセトナート）イリジウム錯体、ビス｛２−（２−チオフェニル）ピリジル｝イリジウム錯体、ビス｛２−（２−ベンゾチオフェニル）ピリジル｝（アセチルアセトナート）イリジウム錯体、ビス（２−フェニルベンゾチアゾール）（アセチルアセトナート）イリジウム錯体、ビス（２−フェニルベンゾオキサゾール）（アセチルアセトナート）イリジウム錯体、ビスベンゾキノリン（アセチルアセトナート）イリジウム錯体などがあげられるが特に限定されるものではない。
【００５２】
本発明の発光素子において電子輸送性材料は、電界を与えられた電極間において陰極からの電子を効率良く輸送することが必要で、電子注入効率が高く、注入された電子を効率良く輸送することが望ましい。そのためには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが要求される。しかしながら、正孔と電子のバランスを考えた場合に、陽極からの正孔が再結合せずに陰極側へ流れるのを効率よく阻止できる役割を主に果たす場合には、電子輸送能力がそれ程高くなくても、発光効率を向上させる効果は電子輸送能力が高い材料と同等に有する。したがって、本発明における電子輸送層は、正孔の移動を効率よく阻止できる正孔阻止層も同義のものとして含まれる。
【００５３】
このような条件を満たす物質として、本発明におけるテトラフェニルメタン誘導体や、８−ヒドロキシキノリンアルミニウムに代表されるキノリノール誘導体金属錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属錯体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、ナフタレン導体、クマリン誘導体、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、チオフェン誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ジフェニルリンオキサイド誘導体、シロール誘導体、トリフェニルシラン誘導体、アルダジン誘導体、ビススチリル誘導体、ピラジン誘導体などがあげられるが特に限定されるものではない。
【００５４】
本発明におけるテトラフェニルメタン誘導体は発光材料と電子輸送性材料のいずれにも用いることができるが、電子輸送能と正孔阻止能が高いため、電子輸送性材料として用いることがより好ましい。
【００５５】
以上の正孔輸送層、発光層、電子輸送層に用いられる材料は単独または二種類以上の物質を積層、混合して各層を形成することができるが、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフェニレンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリサルフォン、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キシレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させて用いることも可能である。
【００５６】
本発明の発光素子において発光物質の形成方法は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、コーティング法など特に限定されるものではないが、通常は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着が特性面で好ましい。層の厚みは、発光物質の抵抗値にもよるので限定することはできないが、１〜１０００ｎｍの間から選ばれる。
【００５７】
本発明において電気エネルギーとは主に直流電流を指すが、パルス電流や交流電流を用いることも可能である。電流値および電圧値は特に制限はないが、素子の消費電力、寿命を考慮するとできるだけ低いエネルギーで最大の輝度が得られるようにするべきである。
【００５８】
本発明における発光素子はマトリクスタイプとして用いるのに適している。本発明においてマトリクスとは、表示のための画素が格子状に配置されたものをいい、画素の集合で文字や画像を表示する。画素の形状、サイズは用途によって決まる。例えばパソコン、モニター、テレビの画像および文字表示には、通常一辺が３００μｍ以下の四角形の画素が用いられるし、表示パネルのような大型ディスプレイの場合は、一辺がｍｍオーダーの画素を用いることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青の画素を並べて表示させる。この場合、典型的にはデルタタイプとストライプタイプがある。そして、このマトリクスの駆動方法としては、線順次駆動方法やアクティブマトリックスのどちらでもよい。線順次駆動の方が構造が簡単であるという利点があるが、動作特性を考慮した場合、アクティブマトリックスの方が優れる場合があるので、これも用途によって使い分けることが必要である。
【００５９】
本発明における発光素子はセグメントタイプとして用いるのに適している。本発明においてセグメントタイプとは、予め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、決められた領域を発光させることになる。例えば、デジタル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ機器や電磁調理器などの動作状態表示、自動車のパネル表示などがあげられる。そして、前記マトリクス表示とセグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよい。
【００６０】
本発明における発光素子はバックライトとして用いるのに適している。本発明においてバックライトとは、主に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使用され、液晶表示装置、時計、オーディオ機器、自動車パネル、表示板、標識などに使用される。特に液晶表示装置、中でも薄型化が課題となっているパソコン用途のバックライトとしては、従来方式のものが蛍光灯や導光板からなっているため薄型化が困難であることを考えると本発明におけるバックライトは、薄型、軽量が特徴になる。
【００６１】
【実施例】
以下、実施例および比較例をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
【００６２】
実施例１（ＥＴＭ−１の合成）
テトラフェニルメタン２．５ｇ、塩化アルミニウム２．０８ｇ、塩化アセチル１．２２ｍｌを１，２−ジクロロエタン１００ｍｌに加え、室温で１．５時間、次いで７０℃で２時間反応させ、常法で処理しジアセチルテトラフェニルメタン１．０３ｇを得た。¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，ｐｐｍ）：７．８６（ｄ，４Ｈ）、７．３５（ｄ，４Ｈ）、７．２４（ｍ，１０Ｈ）。
【００６３】
上述のジアセチルテトラフェニルメタン１．０ｇをジオキサン中で６０℃で８−アミノ−７−キノリンカルボアルデヒド１．０６ｇ、水酸化カリウム１．０ｇと反応させ、常法で処理し、下記式に示すＥＴＭ−１を１．２１ｇ得た。¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，ｐｐｍ）：９．２１（ｄ・ｄ，２Ｈ）、８．３１−８．１９（ｍ，８Ｈ）、８．０７（ｄ，２Ｈ）、７．７６（ｑ，４Ｈ）、７．６２（ｄ・ｄ，２Ｈ）、７．５０（ｄ，４Ｈ）、７．３９−７．２０（ｍ，１０Ｈ）。
【００６４】
【化６】

【００６５】
実施例２（ＥＴＭ−２の合成）
実施例１の方法で合成したジアセチルテトラフェニルメタン０．７６７ｇをジオキサン中で２−アミノニコチンアルデヒド０．５１ｇ、水酸化カリウム０．７６ｇと４時間加熱還流させ、常法で処理し、下記式に示すＥＴＭ−２を０．８１７ｇ得た。¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，ｐｐｍ）：９．１２（ｄ・ｄ，２Ｈ）、８．２２（ｍ，８Ｈ）、８．００（ｄ，２Ｈ）、７．４６（ｍ，６Ｈ）、７．２８（ｍ，１０Ｈ）。
【００６６】
【化７】

【００６７】
実施例３（ＥＴＭ−３の合成）
実施例１の方法で合成したジアセチルテトラフェニルメタン１．０ｇを１．５％水酸化カリウムメタノール溶液中でピリジン−２−アルデヒド１．８７ｍｌと室温で反応させ、ろ過、メタノール洗浄し、褐色粉末を得た。この褐色粉末１．０ｇをエタノール中で２−ピリダジルピリジニウムヨージド１．１２ｇ、アンモニウムアセテート１．７ｇと４時間加熱還流させ、常法で処理し、下記式に示すＥＴＭ−３を０．４３ｇ得た。¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，ｐｐｍ）：８．９２（ｄ，２Ｈ）、８．７５（ｄ・ｄ，４Ｈ）、８．６７（ｄ，２Ｈ）、８．５２（ｄ，２Ｈ）、８．１８（ｄ，４Ｈ）、８．０４（ｄ，２Ｈ）、７．８５（ｔ，４Ｈ）、７．４７（ｄ，４Ｈ）、７．３１（ｍ，１４Ｈ）。
【００６８】
【化８】

【００６９】
実施例４
ＩＴＯ透明導電膜を１５０ｎｍ堆積させたガラス基板（旭硝子（株）製、１５Ω／□、電子ビーム蒸着品）を３０×４０ｍｍに切断、エッチングを行った。得られた基板をアセトン、”セミコクリン５６”（フルウチ化学（株）製）で各々１５分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。続いてイソプロピルアルコールで１５分間超音波洗浄してから熱メタノールに１５分間浸漬させて乾燥させた。この基板を素子を作製する直前に１時間ＵＶ−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が５×１０^-5Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔注入材料として、銅フタロシアニンを２０ｎｍ、正孔輸送材料として、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルを１００ｎｍ蒸着した。次に発光材料として、トリスキノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）を５０ｎｍの厚さに積層した。次に電子輸送材料として、前述のＥＴＭ−１を１００ｎｍの厚さに積層した。次にリチウムを０．５ｎｍ有機層にドーピングした後、アルミニウムを２００ｎｍ蒸着して陰極とし、５×５ｍｍ角の素子を作製した。ここで言う膜厚は水晶発振式膜厚モニター表示値である。この発光素子からは、発光波長５３０ｎｍ、輝度２００００カンデラ／平方メートルの高輝度緑色発光が得られた。この発光素子の耐久性は非常に優れたものであり、１０００時間で８０％以上の輝度を保持した。
【００７０】
また、この発光素子を真空セル内で１ｍＡパルス駆動（Ｄｕｔｙ比１／６０、パルス時の電流値６０ｍＡ）させたところ、良好な発光が確認された。
【００７１】
比較例１
電子輸送材料として２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＴＣＰＮ）を用いた他は実施例４と全く同様にして発光素子を作製した。この発光素子の耐久性は著しく短く、１００時間で輝度が半減した。
【００７２】
実施例５
発光材料として、ホスト材料としてトリスキノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）を、ゲスト材料として４−（ジシアノメチレン）−２−ｔブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＪＴＢ）をドープ濃度が２％になるように用いた他は実施例４と全く同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光波長６３０ｎｍ、輝度１００００カンデラ／平方メートルの高輝度赤橙色発光が得られた。この発光素子の耐久性は非常に優れたものであり、１０００時間で８０％以上の輝度を保持した。
【００７３】
実施例６
ホスト材料として、４，４’−ビス（ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を用いた他は実施例４と全く同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光波長４６０ｎｍ、輝度１００００カンデラ／平方メートルの高輝度青色発光が得られた。
【００７４】
比較例２
電子輸送材料としてトリスキノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）を用いた他は実施例６と全く同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは発光材料からの発光に加えて電子輸送材料からの緑色発光が観察され、色純度が著しく悪かった。
【００７５】
実施例７
ホスト材料として、１，４−ジケト−２，５−ビス（３，５−ジメチルベンジル）−３，６−ビス（４−メチルフェニル）ピロロ［３，４−ｃ］ピロールを、ゲスト材料として４，４−ジフルオロ−１，３，５，７−テトラフェニル−４−ボラ−３ａ，４ａ−ジアザ−インダセンをドープ濃度が１％になるように用いた他は実施例５と全く同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光波長６１０ｎｍ、輝度１００００カンデラ／平方メートルの高輝度赤色発光が得られた。この発光素子の耐久性は非常に優れたものであり、５００時間で６０％以上の輝度を保持した。
【００７６】
実施例８
電子輸送材料として前述のＥＴＭ−２を用いた他は実施例７と全く同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光波長６１０ｎｍ、輝度９５００カンデラ／平方メートルの高輝度赤色発光が得られた。この発光素子の耐久性は非常に優れたものであり、５００時間で５５％以上の輝度を保持した。
【００７７】
実施例９
電子輸送材料として前述のＥＴＭ−３を用いた他は実施例７と全く同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光波長６１０ｎｍ、輝度８０００カンデラ／平方メートルの高輝度赤色発光が得られた。この発光素子の耐久性は非常に優れたものであり、５００時間で５５％以上の輝度を保持した。
【００７８】
比較例３
電子輸送材料としてトリスキノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）を用いた他は実施例７と全く同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは発光材料からの赤色発光に加えて電子輸送材料からの緑色発光が観察され、色純度が著しく悪かった。
【００７９】
実施例１０
ＩＴＯ透明導電膜を１５０ｎｍ堆積させたガラス基板（旭硝子（株）製、１５Ω／□、電子ビーム蒸着品）を３０×４０ｍｍに切断、フォトリソグラフィ法によって３００μｍピッチ（残り幅２７０μｍ）×３２本のストライプ状にパターン加工した。ＩＴＯストライプの長辺方向片側は外部との電気的接続を容易にするために１．２７ｍｍピッチ（開口部幅８００μｍ）まで広げてある。得られた基板をアセトン、”セミコクリン５６”で各々１５分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。続いてイソプロピルアルコールで１５分間超音波洗浄してから熱メタノールに１５分間浸漬させて乾燥させた。この基板を素子を作製する直前に１時間ＵＶ−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が５×１０^-4Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔輸送材料として４，４’−ビス（Ｎ−（ｍ−トリル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルを１５０ｎｍ蒸着し、発光材料としてトリスキノリノールアルミニウム錯体を５０ｎｍの厚さに蒸着した。次に電子輸送材料として、前述のＥＴＭ−１を１００ｎｍの厚さに積層した。ここで言う膜厚は水晶発振式膜厚モニター表示値である。次に厚さ５０μｍのコバール板にウエットエッチングによって１６本の２５０μｍの開口部（残り幅５０μｍ、３００μｍピッチに相当）を設けたマスクを、真空中でＩＴＯストライプに直交するようにマスク交換し、マスクとＩＴＯ基板が密着するように裏面から磁石で固定した。そしてリチウムを０．５ｎｍ有機層にドーピングした後、アルミニウムを２００ｎｍ蒸着して３２×１６ドットマトリクス素子を作製した。本素子をマトリクス駆動させたところ、クロストークなく文字表示できた。
【００８０】
【発明の効果】
本発明は、発光効率が高く、高輝度で色純度が良く、しかも耐久性に優れた発光素子を提供できるものである。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention is an element that can convert electrical energy into light, and can be used in the fields of display elements, flat panel displays, backlights, lighting, interiors, signs, signboards, electrophotographic machines, optical signal generators, and the like. The present invention relates to an element and a material for a light emitting element.
[0002]
[Prior art]
In recent years, research on an organic laminated thin film light emitting device in which light is emitted when electrons injected from a cathode and holes injected from an anode are recombined in an organic phosphor sandwiched between both electrodes has been actively conducted. This element is attracting attention because it is thin, has high luminance emission under a low driving voltage, and multicolor emission by selecting a fluorescent material.
[0003]
This study was conducted by C.D. W. Since Tang et al. Have shown that organic laminated thin film elements emit light with high brightness (see Non-Patent Document 1), many research institutions have studied. A typical structure of an organic laminated thin film light emitting device presented by a research group of Kodak Company is a hole transporting diamine compound on an ITO glass substrate, 8-hydroxyquinoline aluminum as a light emitting layer, and Mg: Ag as a cathode. It is provided sequentially, and is 1000 cd / m with a driving voltage of about 10V. ² Green light emission was possible. Some organic multilayer thin film light emitting elements have different configurations such as those provided with an electron transport layer in addition to the above-described element constituent elements, but basically follow the configuration of Kodak Company.
[0004]
With the aim of realizing a full-color display, light emitting materials are required to have three primary colors (RGB), so far green light emitting materials have been studied most, followed by blue light emitting materials, and most recently red light emitting materials. Improvement is desired and earnest research has been done. As a light emitting material, not only a fluorescent material but also a phosphorescent material has been studied. In addition, as a charge transport material, research on a hole transport material has been active so far, but recently, an electron transport material has been eagerly studied (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).
[0005]
[Non-Patent Document 1]
Appl. Phys. Lett. 51 (12) 21, p. 913, 1987 (914 pages)
[0006]
[Patent Document 1]
JP 2000-119644 A (page 17)
[0007]
[Patent Document 2]
International Publication No. 00/03565 Pamphlet (Claims)
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, many of the light emitting materials, hole transport materials, and electron transport materials used in the prior art are inferior in durability. Crystallization is caused by heat generation from the element due to energization for a long time, and the element life is shortened. In addition, since the material imparted with the amorphous property to suppress the crystallization has a low sublimation property, many of the materials are subject to modification such as decomposition and polymerization during vacuum deposition.
[0009]
An object of the present invention is to solve the problems of the prior art, and to provide a light emitting device having high luminous efficiency, high luminance, good color purity, and excellent durability.
[0010]
That is, the present invention relates to a tetraphenylmethane derivative represented by the general formula (1). Electron transport material having And the Electron transport material Between the anode and cathode Electron transport layer It is the light emitting element used as.
[0011]
[Chemical formula 2]

[0012]
(Where R ¹ ~ R ²⁰ Is hydrogen. However, R ¹ ~ R ⁵ At least one of R and R ⁶ ~ R ¹⁰ At least one of Selected from pyridyl, bipyridyl, terpyridyl, quarterpyridyl, quinolinyl, benzoquinolinyl, phenanthroline, acridinyl, naphthyridinyl, pyrazyl, quinoxalinyl, benzoquinoxalinyl or phenazinyl . )
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The novel compound in the present invention is a tetraphenylmethane derivative represented by the following general formula (1).
[0014]
[Chemical 3]

[0015]
(Where R ¹ ~ R ²⁰ Is hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, aralkyl group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, hydroxyl group, mercapto group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group, aryl thioether group, aryl group, heterocyclic group, halogen , Haloalkane, haloalkene, haloalkyne, cyano group, aldehyde group, carbonyl group, carboxyl group, ester group, carbamoyl group, amino group, nitro group, silyl group, siloxanyl group, ring structure formed between adjacent substituents Chosen from the inside. However, R ¹ ~ R ^Five At least one of R and R ⁶ ~ R ^Ten At least one of them is a substituent having a pyridine ring skeleton).
[0016]
Among these substituents, the alkyl group represents, for example, a saturated aliphatic hydrocarbon group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or a butyl group, which may be unsubstituted or substituted. The cycloalkyl group represents a saturated alicyclic hydrocarbon group such as cyclopropyl, cyclohexyl, norbornyl, adamantyl, and the like, which may be unsubstituted or substituted. The aralkyl group is an aromatic hydrocarbon group via an aliphatic hydrocarbon such as a benzyl group or a phenylethyl group, and both the aliphatic hydrocarbon and the aromatic hydrocarbon may be unsubstituted or substituted. It doesn't matter. The alkenyl group refers to an unsaturated aliphatic hydrocarbon group containing a double bond such as a vinyl group, an allyl group or a butadienyl group, which may be unsubstituted or substituted. The cycloalkenyl group refers to an unsaturated alicyclic hydrocarbon group containing a double bond such as a cyclopentenyl group, a cyclopentadienyl group, or a cyclohexene group, which may be unsubstituted or substituted. . The alkynyl group refers to an unsaturated aliphatic hydrocarbon group containing a triple bond such as an acetylenyl group, which may be unsubstituted or substituted. The alkoxy group refers to an aliphatic hydrocarbon group via an ether bond such as a methoxy group, and the aliphatic hydrocarbon group may be unsubstituted or substituted. The alkylthio group is a group in which an oxygen atom of an ether bond of an alkoxy group is substituted with a sulfur atom. The aryl ether group refers to an aromatic hydrocarbon group via an ether bond such as a phenoxy group, and the aromatic hydrocarbon group may be unsubstituted or substituted. The arylthioether group is a group in which the oxygen atom of the ether bond of the arylether group is substituted with a sulfur atom. The aryl group represents an aromatic hydrocarbon group such as a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a phenanthryl group, a terphenyl group, or a pyrenyl group, which may be unsubstituted or substituted. The heterocyclic group is a cyclic structural group having an atom other than carbon, such as a furyl group, a thienyl group, an oxazolyl group, a pyridyl group, a quinolinyl group, or a carbazolyl group, which may be unsubstituted or substituted. Absent. Halogen is fluorine, chlorine, bromine or iodine. Haloalkane, haloalkene, haloalkyne means, for example, a part or all of the above-mentioned alkyl group, alkenyl group, alkynyl group such as trifluoromethyl group substituted with the above-mentioned halogen, and the remaining part may be unsubstituted It may be replaced. Aldehyde groups, carbonyl groups, ester groups, carbamoyl groups, amino groups include those substituted with aliphatic hydrocarbons, alicyclic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, heterocyclic rings, etc. The cyclic hydrocarbon, aromatic hydrocarbon and heterocyclic ring may be unsubstituted or substituted. A silyl group refers to a silicon compound group such as a trimethylsilyl group, which may be unsubstituted or substituted. The siloxanyl group refers to a silicon compound group via an ether bond such as a trimethylsiloxanyl group, which may be unsubstituted or substituted. A ring structure may be formed between adjacent substituents. The ring structure formed may be unsubstituted or substituted.
[0017]
The substituent having a pyridine ring skeleton refers to a substituent containing one or more pyridyl groups or a polycyclic aromatic group containing a pyridine ring. For example, a pyridyl group, a bipyridyl group, a terpyridyl group, a quarterpyridyl group, A quinolinyl group, a benzoquinolinyl group, a phenanthroline group, an acridinyl group, a naphthyridinyl group and the like may be mentioned, and these may have a substituent other than hydrogen.
[0018]
Instead of the pyridine ring skeleton, a pyrazine ring skeleton in which the carbon atom at the 4-position of the pyridine ring is replaced with a nitrogen atom can also be used. Examples of such a substituent include a pyrazyl group, a quinoxalinyl group, a benzoquinoxalinyl group, a phenazinyl group, and the like, and these may have a substituent other than hydrogen.
[0019]
The substituent having the pyridine ring skeleton or the pyrazine ring skeleton is preferably a polycyclic aromatic group from the viewpoint of heat resistance.
[0020]
In order to effectively express the functionality such as charge transporting property and thin film forming property, R ¹ ~ R ²⁰ A functional substituent can also be introduced into at least one of the above. Examples thereof include triphenylamine, diphenylamine, carbazole, indole, diphenylvinyl, fluorenyl, phenanthryl, anthranyl, pyrenyl, perylenyl, biphenyl, terphenyl, quarterphenyl, and other charge transporting substituents, alkyl groups, alkoxy groups, Although there are thin film forming substituents such as aryl ether groups, it is not particularly limited.
[0021]
The number of substituents having a pyridine ring skeleton is not particularly limited, but is preferably 2 or more and 4 or less, and more preferably 2. In one case, the charge transportability is low and the function expression may be insufficient, and in the case of five or more, synthesis and purification are difficult, or because of low sublimation, modification such as decomposition or polymerization is caused during vacuum deposition. It may happen.
[0022]
The position of the substituent having a pyridine ring skeleton is not particularly limited. ² , R ^Three , R ^Four , R ⁷ , R ⁸ , R ⁹ , R ¹² , R ¹³ , R ¹⁴ , R ¹⁷ , R ¹⁸ , R ¹⁹ R is preferable from the viewpoint of heat resistance. ^Three , R ⁸ , R ¹³ , R ¹⁸ Is more preferable.
[0023]
The substituent having a pyridine ring skeleton may be directly bonded to the tetraphenylmethane skeleton, or a divalent linking group may be interposed between the substituent and the tetraphenylmethane skeleton. The divalent linking group in this case is not particularly limited, but includes an alkyl group, an ether group, a thioether group, a ketone group, a substituted or unsubstituted amino group, an amide group, an aryl group, a heterocyclic group, and the like. Can be mentioned. From the viewpoint of ease of synthesis and heat resistance, the functional substituent is preferably bonded directly or via an aryl group or heterocyclic group as a divalent linking group.
[0024]
The compound represented by the general formula (1) can be synthesized by the following method, but is not particularly limited.
[0025]
For the synthesis of the tetraphenylmethane skeleton, reference is made to Angew. Chem. Int. Ed. Engl. vol. 25 (1986) No. 25. 12, page 1098, Tetrahedron Letters, vol. 38 (1997), page 1487, and the like. Specifically, triphenylmethanol or triphenylmethyl chloride is reacted with aniline or aniline hydrochloride at 100 ° C. to 220 ° C. in a solvent-free or acetic acid solvent, and the resulting intermediate is treated by a conventional method. And then reacted with isoamyl nitrite in a mixed solvent of ethanol / sulfuric acid at −10 ° C., added with phosphinic acid, heated to reflux and treated in a conventional manner.
[0026]
The introduction of a substituent having a pyridine ring skeleton into the tetraphenylmethane skeleton or the above-described functional substituent may be direct, but a method of first introducing a reactive substituent and then introducing the substituent is preferred. Examples of the reactive substituent include, but are not particularly limited to, an acetyl group, an iodo group, and a bromo group.
[0027]
Examples of the method for introducing an acetyl group include general and simple acylation of Friedel-Crafts. Examples of references include “Example A. Starting compound (f) 2,2′-diacetyl-9,9′-spirobifluorene” on page 27 of JP-A-7-278537, Helvetica Chimica Acta, vol. 52 (1969), page 1210, “Experimenteller Tell 2,2′-diacetyl-9,9′-spirobifluorene (IV)”. Specifically, tetraphenylmethane can be reacted with acetyl chloride and aluminum chloride in 1,2-dichloroethane at 50 ° C. and treated in a conventional manner to introduce an acetyl group. By changing the equivalent of acetyl chloride and aluminum chloride, 1 to 4 substituents can be obtained.
[0028]
For introduction of an iodo group, reference is made to Tetrahedron Letters, vol. 38 (1997), page 1487, and the like. Specifically, tetraphenylmethane can be reacted with iodine and bis (trifluoroacetoxy) iodobenzene at 50 ° C. to 60 ° C. in carbon tetrachloride and treated in a conventional manner to introduce an iodo group.
[0029]
Regarding the introduction of bromo group, the above-mentioned Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 25 (1986) No. 25. 12 page 1098 and the like. Specifically, tetraphenylmethane can be reacted with bromine at room temperature and treated in a conventional manner to introduce a bromo group. By changing the equivalent of bromine, 1 to 4 substituents can be obtained.
[0030]
For the introduction of a substituent having a pyridine ring skeleton or a functional substituent into the tetraphenylmethane skeleton after the introduction of the reactive substituent, from the acetyl group to the phenanthroline group, benzoquinolinyl group, naphthyridinyl group, terpyridyl group, indole group Introduction, iodo group, bromo group to phenanthroline group, bipyridyl group, terpyridyl group, diphenylamino group, carbazole group, diphenylethylene group, polyphenylene group, n-butyl group and the like can be mentioned but are not particularly limited.
[0031]
For introduction of a phenanthroline group, Tetrahedron Letters, vol. 40 (1999). Page 7312 scheme and J.P. Org. Chem. 1996, 61. Page 3020 “2-Phenyl-1,10-phenanthroline”, Tetrahedron Letters, vol. 23 (1982). Page 5291 to page 5294. Specifically, a method of reacting an acetyl form of tetraphenylmethane with 8-amino-7-quinolinecarbaldehyde and potassium hydroxide in dioxane at 60 ° C. and treating by an ordinary method, an iodine form of tetraphenylmethane, A phenanthroline group can be introduced by, for example, a method in which a bromo compound is lithiated with lithium metal and then reacted with anhydrous phenanthroline and treated with water or manganese dioxide.
[0032]
For the introduction of indole groups, reference is made to Tetrahedron Letters, vol. 40 (1999). A 73rd page scheme etc. are mention | raise | lifted. Specifically, the acetylated form of tetraphenylmethane and 1-methyl-1-phenylhydrazine were heated to reflux in ethanol, acetic acid was added and further heated to reflux, and treated in the usual manner to obtain a hydrazine form. Can be heated in polyphosphoric acid at 160 ° C. and treated in a conventional manner to introduce indole groups.
[0033]
For introduction of diphenylethylene group, reference is made to SPIE, vol. 3797. Page 317 "2.1 Synthesis EM1". Specifically, diphenylvinylboronic acid, sodium carbonate, and tetrakis (triphenylphosphine) palladium catalyst are added to the bromo form of tetraphenylmethane, reacted at 100 ° C. in water-toluene, treated in a conventional manner, and diphenylvinyl Groups can be introduced. Similarly, polyphenylene can be introduced.
[0034]
For introduction of the diphenylamino group, reference is made to SPIE, vol. 3797. Page 317 "2.1 Synthesis HTM1". Specifically, diphenylamine, t-butoxy sodium, 2,2′-bis (diphenylphosphino) -1,1′-binaphthyl, and palladium acetate are added to the bromo form of tetraphenylmethane, and heated to reflux in toluene. The diphenylamino group can be introduced by a conventional method. Similarly, a carbazolyl group can be introduced.
[0035]
Regarding the introduction of the n-butyl group, specifically, the n-butyl group can be introduced by reacting the bromo form of tetraphenylmethane with n-butyllithium in THF at room temperature and treating it in a conventional manner. The unreacted bromo group remaining at the time of introducing the above-mentioned functional substituent from the bromo form of tetraphenylmethane can be treated, which is advantageous for thin film formation.
[0036]
Specific examples of the tetraphenylmethane derivative include the following structures, but are not particularly limited.
[0037]
[Formula 4]

[0038]
[Chemical formula 5]

[0039]
Moreover, this invention is represented by the said General formula (1). Electron transport material Between the anode and cathode Electron transport layer It is the light emitting element used as.
[0040]
Since the tetraphenylmethane derivative represented by the general formula (1) has a three-dimensional skeleton, it has high heat resistance, prevents crystallization, and is excellent in thin film formation. Furthermore, it is chemically and electrochemically stable, has no characteristics such as decomposition or polymerization during vacuum deposition, and has extremely excellent durability.
[0041]
In the light emitting device of the present invention, if the anode is transparent for extracting light, a conductive metal oxide such as tin oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), or a metal such as gold, silver, or chromium, or iodide Inorganic conductive materials such as copper and copper sulfide, and conductive polymers such as polythiophene, polypyrrole, and polyaniline are not particularly limited, but it is particularly desirable to use ITO glass or Nesa glass. The resistance of the transparent electrode is not limited as long as a current sufficient for light emission of the element can be supplied. For example, an ITO substrate of 300 Ω / □ or less functions as an element electrode. However, since it is now possible to supply a substrate of about 10 Ω / □, it is particularly desirable to use a low resistance product. The thickness of ITO can be arbitrarily selected according to the resistance value, but is usually used in a range of 100 to 300 nm. Further, soda lime glass, non-alkali glass or the like is used for the glass substrate, and the thickness of the glass substrate only needs to be sufficient to maintain the mechanical strength, so 0.5 mm or more is sufficient. As for the glass material, it is better to use alkali-free glass because it is better to have less ions eluted from the glass. ₂ Since soda lime glass with a barrier coating such as is commercially available, it can be used. The ITO film forming method is not particularly limited, such as an electron beam method, a sputtering method, or a chemical reaction method.
[0042]
In the light emitting device of the present invention, the cathode is not particularly limited as long as it can efficiently inject electrons into the organic layer, but generally platinum, gold, silver, copper, iron, tin, zinc, aluminum, indium, chromium, lithium , Sodium, potassium, calcium, magnesium, etc., but lithium, sodium, potassium, calcium, magnesium, or alloys containing these low work function metals are effective for increasing the electron injection efficiency and improving device characteristics. . However, these low work function metals are generally unstable in the atmosphere. For example, the organic layer is doped with a small amount of lithium, cesium, or magnesium (1 nm or less in the thickness gauge display of vacuum deposition). A method using a highly stable electrode can be mentioned as a preferable example, but an inorganic salt such as lithium fluoride can also be used, and the method is not particularly limited thereto. Furthermore, for electrode protection, metals such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, aluminum, indium, or alloys using these metals, and inorganic substances such as silica, titania, silicon nitride, polyvinyl alcohol, vinyl chloride, Preferred examples include laminating hydrocarbon polymers. The method for producing these electrodes is not particularly limited as long as conduction can be achieved such as resistance heating, electron beam, sputtering, ion plating, and coating.
[0043]
In the light emitting device of the present invention, the light emitting substance is 1) hole transport layer / light emitting layer, 2) hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer, 3) light emitting layer / electron transport layer, and 4) Any of the mixed substances may be mixed. That is, as the element structure, in addition to the multilayer laminated structure of the above 1) to 3), only the light emitting material alone or a layer containing the light emitting material and the hole transport material or electron transport material may be provided as in 4). Furthermore, the light-emitting substance in the light-emitting element of the present invention corresponds to both a substance that emits light by itself and a substance that assists the light emission, and refers to a compound, a layer, and the like that are involved in light emission.
[0044]
In the light emitting device of the present invention, the hole transporting material is required to efficiently transport holes from the anode between electrodes to which an electric field is applied, and the hole injection efficiency is high. It is desirable to transport well. For this purpose, it is required that the ionization potential is low, the hole mobility is high, the stability is high, and the trapping impurities are difficult to be generated during production and use.
[0045]
Examples of substances satisfying such conditions include N, N′-diphenyl-N, N′-di (3-methylphenyl) -4,4′-diphenyl-1,1′-diamine, and N, N′-dinaphthyl. -Triphenylamines such as -N, N'-diphenyl-4,4'-diphenyl-1,1'-diamine, carbazoles such as bis (N-allylcarbazole) and bis (N-alkylcarbazole) s, Indole derivatives, pyrazoline derivatives, stilbene compounds, hydrazone compounds, oxadiazole derivatives, phthalocyanine derivatives, heterocyclic compounds typified by porphyrin derivatives, in the case of polymers, polycarbonates or styrene derivatives having the above-mentioned monomers in the side chain, polyvinyl Examples thereof include carbazole and polysilane, but are not particularly limited.
[0046]
The light emitting material in the present invention may be either a host material alone or a combination of a host material and a dopant material. Further, the dopant material may be included in the entire host material, or may be included partially. The dopant material may be either laminated or dispersed.
[0047]
In the light emitting device of the present invention, the light emitting material is required to efficiently recombine the holes received from the hole transport layer or the direct anode and the electrons received from the electron transport layer or the direct cathode, and includes a dopant material. It is necessary to efficiently transfer the recombination energy to the dopant material. Furthermore, it is required to be a substance that is excellent in stability and is unlikely to generate trapping impurities during manufacturing and use.
[0048]
As a substance satisfying such conditions, the tetraphenylmethane derivative in the present invention, condensed ring derivatives such as anthracene, phenanthrene, pyrene, perylene, chrysene, etc., which have been known as light emitters, tris (8-quinolinolato) aluminum are used. Starting metal complexes of quinolinol derivatives, benzoxazole derivatives, stilbene derivatives, benzthiazole derivatives, thiadiazole derivatives, thiophene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, cyclopentadiene derivatives, oxadiazole derivatives, bisstyrylanthracene derivatives, distyrylbenzene derivatives, etc. Bisstyryl derivatives, metal complexes combining quinolinol derivatives with different ligands, oxadiazole derivative metal complexes, benzazole derivative metal complexes, coumarin derivatives , Pyrrolopyridine derivatives, pyrrolopyrrole derivatives, silole derivatives, perinone derivatives, thiadiazolopyridine derivatives, polymer systems include polyphenylene vinylene derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polythiophene derivatives, but are not particularly limited. Absent.
[0049]
The dopant material added to the light-emitting material needs to efficiently receive recombination energy from the host material, and desirably has a high quantum yield and hardly causes concentration quenching. Furthermore, it is required to be a substance that is excellent in stability and is unlikely to generate trapping impurities during manufacturing and use.
[0050]
Substances satisfying such conditions include tetraphenylmethane derivatives in the present invention, conventionally known condensed ring derivatives such as phenanthrene, anthracene, pyrene, tetracene, pentacene, perylene, naphthopylene, dibenzopyrene, and rubrene, benz Oxazole derivatives, benzthiazole derivatives, benzimidazole derivatives, benztriazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiazole derivatives, imidazole derivatives, thiadiazole derivatives, triazole derivatives, pyrazoline derivatives, stilbene derivatives, thiophene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, cyclo Bisstyryl derivatives such as pentadiene derivatives, bisstyrylanthracene derivatives and distyrylbenzene derivatives, diazaindacene Conductor, furan derivative, benzofuran derivative, phenylisobenzofuran, dimesitylisobenzofuran, di (2-methylphenyl) isobenzofuran, di (2-trifluoromethylphenyl) isobenzofuran, isobenzofuran derivatives such as phenylisobenzofuran, dibenzofuran Derivatives, 7-dialkylaminocoumarin derivatives, 7-piperidinocoumarin derivatives, 7-hydroxycoumarin derivatives, 7-methoxycoumarin derivatives, 7-acetoxycoumarin derivatives, 3-benzthiazolylcoumarin derivatives, 3-benzimidazolylcoumarin derivatives , Coumarin derivatives such as 3-benzoxazolyl coumarin derivatives, dicyanomethylenepyran derivatives, dicyanomethylenethiopyran derivatives, polymethine derivatives, cyanine derivatives, oxobenzua Thracene derivatives, xanthene derivatives, rhodamine derivatives, fluorescein derivatives, pyrylium derivatives, carbostyril derivatives, acridine derivatives, oxazine derivatives, phenylene oxide derivatives, quinacridone derivatives, quinazoline derivatives, pyrrolopyridine derivatives, furopyridine derivatives, 1,2,5-thiadiazo Lopylene derivatives, pyromethene derivatives, perinone derivatives, pyrrolopyrrole derivatives, squarylium derivatives, violanthrone derivatives, phenazine derivatives, acridone derivatives, diazaflavin derivatives and the like can be mentioned, but are not particularly limited.
[0051]
As the dopant material, not only the fluorescent (singlet light emission) material but also a phosphorescent (triplet light emission) material is preferably used. Specifically, porphyrin platinum complex, tris (2-phenylpyridyl) iridium complex, tris {2- (2-thiophenyl) pyridyl} iridium complex, tris {2- (2-benzothiophenyl) pyridyl} iridium complex, tris (2-phenylbenzothiazole) iridium complex, tris (2-phenylbenzoxazole) iridium complex, trisbenzoquinoline iridium complex, bis (2-phenylpyridyl) (acetylacetonato) iridium complex, bis {2- (2-thiophenyl) ) Pyridyl} iridium complex, bis {2- (2-benzothiophenyl) pyridyl} (acetylacetonato) iridium complex, bis (2-phenylbenzothiazole) (acetylacetonato) iridium complex, bis (2-phenylbenzooxa) Z Le) (acetylacetonato) iridium complex, bis benzoquinoline (acetylacetonate), but such an iridium complex and the like are not particularly limited.
[0052]
In the light-emitting element of the present invention, the electron transporting material needs to efficiently transport electrons from the cathode between electrodes to which an electric field is applied, and has high electron injection efficiency and efficiently transports injected electrons. Is desirable. For this purpose, it is required that the material has a high electron affinity, a high electron mobility, excellent stability, and a substance that does not easily generate trapping impurities during manufacturing and use. However, considering the balance between holes and electrons, if the role of effectively preventing the holes from the anode from flowing to the cathode side without recombination is mainly played, the electron transport capability is so high. Even if not, the effect of improving the luminous efficiency is equivalent to that of a material having a high electron transport capability. Therefore, the electron transport layer in the present invention includes a hole blocking layer that can efficiently block the movement of holes as the same meaning.
[0053]
Examples of substances satisfying such conditions include tetraphenylmethane derivatives in the present invention, quinolinol derivative metal complexes represented by 8-hydroxyquinoline aluminum, tropolone metal complexes, flavonol metal complexes, perylene derivatives, perinone derivatives, naphthalene conductors, coumarins. Derivatives, pyridine derivatives, quinoline derivatives, quinoxaline derivatives, benzoquinoline derivatives, phenanthroline derivatives, thiophene derivatives, oxazole derivatives, thiazole derivatives, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, benzothiazole derivatives, benzoxazole derivatives, benzimidazole derivatives, diphenyl phosphorus oxide Derivatives, silole derivatives, triphenylsilane derivatives, aldazine derivatives, bisstyryl derivatives, pyrazine derivatives, etc. It is not limited in particular.
[0054]
The tetraphenylmethane derivative in the present invention can be used for either a light emitting material or an electron transporting material, but is more preferably used as an electron transporting material because of its high electron transporting ability and hole blocking ability.
[0055]
The materials used for the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer can be formed by laminating and mixing two or more kinds of substances, and each layer can be formed by using polyvinyl chloride as a polymer binder, Polycarbonate, polystyrene, poly (N-vinylcarbazole), polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin, polysulfone, polyamide, ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS Used by dispersing in solvent-soluble resins such as resins and polyurethane resins, and curable resins such as phenol resins, xylene resins, petroleum resins, urea resins, melamine resins, unsaturated polyester resins, alkyd resins, epoxy resins, and silicone resins. Rukoto is also possible.
[0056]
In the light emitting device of the present invention, the method for forming the luminescent material is not particularly limited, such as resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, sputtering, molecular lamination method, and coating method. It is preferable in terms of characteristics. The thickness of the layer depends on the resistance value of the luminescent material and cannot be limited, but is selected from 1 to 1000 nm.
[0057]
In the present invention, electrical energy mainly refers to a direct current, but a pulse current or an alternating current can also be used. The current value and the voltage value are not particularly limited, but the maximum luminance should be obtained with the lowest possible energy in consideration of the power consumption and lifetime of the element.
[0058]
The light-emitting element in the present invention is suitable for use as a matrix type. In the present invention, the matrix refers to a matrix in which pixels for display are arranged in a grid pattern, and a character or image is displayed by a set of pixels. The shape and size of the pixel are determined by the application. For example, a rectangular pixel with a side of 300 μm or less is normally used for displaying images and characters on a personal computer, monitor, television, etc. In a large display such as a display panel, a pixel with a side of mm order is used. . In monochrome display, pixels of the same color may be arranged. However, in color display, red, green, and blue pixels are displayed side by side. In this case, there are typically a delta type and a stripe type. The matrix driving method may be either a line sequential driving method or an active matrix. The line-sequential driving has an advantage that the structure is simple. However, the active matrix may be superior in consideration of the operation characteristics, so that it is necessary to properly use it depending on the application.
[0059]
The light emitting device in the present invention is suitable for use as a segment type. In the present invention, the segment type means that a pattern is formed so as to display predetermined information, and a predetermined region is caused to emit light. For example, the time and temperature display in a digital clock or a thermometer, the operation status display of an audio device or an electromagnetic cooker, the panel display of an automobile, etc. The matrix display and the segment display may coexist in the same panel.
[0060]
The light emitting element in the present invention is suitable for use as a backlight. In the present invention, the backlight is used mainly for the purpose of improving the visibility of a display device that does not emit light, and is used for a liquid crystal display device, a clock, an audio device, an automobile panel, a display board, a sign, and the like. In particular, as a backlight for a liquid crystal display device, in particular, a personal computer application for which thinning is an issue, it is difficult to reduce the thickness of the conventional method because it is made of a fluorescent lamp or a light guide plate. The backlight is thin and lightweight.
[0061]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example are given and this invention is demonstrated, this invention is not limited by these examples.
[0062]
Example 1 (Synthesis of ETM-1)
Add 2.5 g of tetraphenylmethane, 2.08 g of aluminum chloride, and 1.22 ml of acetyl chloride to 100 ml of 1,2-dichloroethane, react at room temperature for 1.5 hours, then at 70 ° C. for 2 hours, treat in the usual manner, and diacetyl. 1.03 g of tetraphenylmethane was obtained. ¹ H-NMR (CDCl _Three , Ppm): 7.86 (d, 4H), 7.35 (d, 4H), 7.24 (m, 10H).
[0063]
ETM shown in the following formula is obtained by reacting 1.0 g of the above-mentioned diacetyltetraphenylmethane with 1.06 g of 8-amino-7-quinolinecarbaldehyde and 1.0 g of potassium hydroxide in dioxane at 60 ° C. 1.21 g of -1 was obtained. ¹ H-NMR (CDCl _Three , Ppm): 9.21 (d · d, 2H), 8.31-8.19 (m, 8H), 8.07 (d, 2H), 7.76 (q, 4H), 7.62 ( d · d, 2H), 7.50 (d, 4H), 7.39-7.20 (m, 10H).
[0064]
[Chemical 6]

[0065]
Example 2 (Synthesis of ETM-2)
0.767 g of diacetyltetraphenylmethane synthesized by the method of Example 1 was heated to reflux with 0.51 g of 2-aminonicotinaldehyde and 0.76 g of potassium hydroxide in dioxane for 4 hours and treated in the usual manner. 0.817 g of the indicated ETM-2 was obtained. ¹ H-NMR (CDCl _Three , Ppm): 9.12 (d · d, 2H), 8.22 (m, 8H), 8.00 (d, 2H), 7.46 (m, 6H), 7.28 (m, 10H) .
[0066]
[Chemical 7]

[0067]
Example 3 (Synthesis of ETM-3)
1.0 g of diacetyltetraphenylmethane synthesized by the method of Example 1 was reacted with 1.87 ml of pyridine-2-aldehyde in a 1.5% potassium hydroxide methanol solution at room temperature, filtered, washed with methanol, Obtained. 1.0 g of this brown powder was heated to reflux with 1.12 g of 2-pyridazylpyridinium iodide and 1.7 g of ammonium acetate in ethanol for 4 hours and treated in a conventional manner. 43 g was obtained. ¹ H-NMR (CDCl _Three , Ppm): 8.92 (d, 2H), 8.75 (d · d, 4H), 8.67 (d, 2H), 8.52 (d, 2H), 8.18 (d, 4H) 8.04 (d, 2H), 7.85 (t, 4H), 7.47 (d, 4H), 7.31 (m, 14H).
[0068]
[Chemical 8]

[0069]
Example 4
A glass substrate on which an ITO transparent conductive film was deposited to a thickness of 150 nm (Asahi Glass Co., Ltd., 15Ω / □, electron beam evaporated product) was cut into 30 × 40 mm and etched. The obtained substrate was ultrasonically washed with acetone and “Semicocrine 56” (manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 15 minutes, respectively, and then washed with ultrapure water. Subsequently, it was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol for 15 minutes and then immersed in hot methanol for 15 minutes to dry. This substrate was treated with UV-ozone for 1 hour immediately before producing the device, and placed in a vacuum vapor deposition apparatus. The degree of vacuum in the apparatus was 5 × 10 ^-Five It exhausted until it became Pa or less. By the resistance heating method, first, copper phthalocyanine was deposited to 20 nm as a hole injecting material, and 4,4′-bis (N- (1-naphthyl) -N-phenylamino) biphenyl was deposited to 100 nm as a hole transporting material. Next, a triskinolinol aluminum complex (Alq3) was laminated to a thickness of 50 nm as a light emitting material. Next, the above-mentioned ETM-1 was laminated to a thickness of 100 nm as an electron transport material. Next, after doping the organic layer with 0.5 nm of lithium, aluminum was deposited to 200 nm to form a cathode, and a 5 × 5 mm square device was produced. The film thickness mentioned here is a display value of a crystal oscillation type film thickness monitor. From this light-emitting element, high-luminance green light emission having an emission wavelength of 530 nm and a luminance of 20,000 candela / square meter was obtained. The durability of this light-emitting element was very excellent, and maintained a luminance of 80% or more in 1000 hours.
[0070]
Further, when this light emitting element was driven in a vacuum cell by 1 mA pulse (Duty ratio 1/60, current value at the time of pulse 60 mA), good light emission was confirmed.
[0071]
Comparative Example 1
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 4 except that 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BTCPN) was used as the electron transport material. The durability of this light emitting device was extremely short, and the luminance was reduced by half in 100 hours.
[0072]
Example 5
Trisquinolinol aluminum complex (Alq3) as the host material and 4- (dicyanomethylene) -2-tbutyl-6- (1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9- as the guest material A light emitting device was fabricated in exactly the same manner as in Example 4 except that enyl) -4H-pyran (DCJTB) was used so that the doping concentration was 2%. From this light-emitting element, high-luminance red-orange light emission with an emission wavelength of 630 nm and a luminance of 10,000 candela / square meter was obtained. The durability of this light-emitting element was very excellent, and maintained a luminance of 80% or more in 1000 hours.
[0073]
Example 6
A light emitting device was fabricated in exactly the same manner as in Example 4 except that 4,4′-bis (diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi) was used as the host material. From this light-emitting element, high-luminance blue light emission with an emission wavelength of 460 nm and a luminance of 10,000 candela / square meter was obtained.
[0074]
Comparative Example 2
A light emitting device was fabricated in exactly the same manner as in Example 6 except that triskinolinol aluminum complex (Alq3) was used as the electron transporting material. From this light emitting element, green light emission from the electron transport material was observed in addition to light emission from the light emitting material, and the color purity was extremely poor.
[0075]
Example 7
1,4-diketo-2,5-bis (3,5-dimethylbenzyl) -3,6-bis (4-methylphenyl) pyrrolo [3,4-c] pyrrole as the host material and 4 as the guest material , 4-difluoro-1,3,5,7-tetraphenyl-4-bora-3a, 4a-diaza-indacene was used in the same manner as in Example 5 except that the doping concentration was 1%. An element was produced. From this light-emitting element, high-luminance red light emission having an emission wavelength of 610 nm and a luminance of 10,000 candela / square meter was obtained. The durability of this light-emitting element was extremely excellent, and the luminance of 60% or more was maintained in 500 hours.
[0076]
Example 8
A light emitting device was fabricated in exactly the same manner as in Example 7 except that ETM-2 was used as the electron transport material. From this light-emitting element, high-luminance red light emission having an emission wavelength of 610 nm and a luminance of 9500 candela / square meter was obtained. The durability of this light emitting element was very excellent, and the luminance of 55% or more was maintained in 500 hours.
[0077]
Example 9
A light emitting device was fabricated in exactly the same manner as in Example 7 except that ETM-3 was used as the electron transport material. From this light-emitting element, high-luminance red light emission having an emission wavelength of 610 nm and a luminance of 8000 candela / square meter was obtained. The durability of this light emitting element was very excellent, and the luminance of 55% or more was maintained in 500 hours.
[0078]
Comparative Example 3
A light emitting device was fabricated in exactly the same manner as in Example 7 except that triskinolinol aluminum complex (Alq3) was used as the electron transporting material. From this light emitting element, in addition to red light emission from the light emitting material, green light emission from the electron transport material was observed, and the color purity was extremely poor.
[0079]
Example 10
A glass substrate (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., 15Ω / □, electron beam evaporation product) on which an ITO transparent conductive film is deposited to 150 nm is cut into 30 × 40 mm, and 300 μm pitch (remaining width 270 μm) × 32 stripes by photolithography. Patterned into a shape. One side of the ITO stripe in the long side direction is expanded to a 1.27 mm pitch (opening width 800 μm) in order to facilitate electrical connection with the outside. The obtained substrate was ultrasonically washed with acetone and “Semicocrine 56” for 15 minutes, respectively, and then washed with ultrapure water. Subsequently, it was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol for 15 minutes and then immersed in hot methanol for 15 minutes to dry. This substrate was treated with UV-ozone for 1 hour immediately before producing the device, and placed in a vacuum vapor deposition apparatus. The degree of vacuum in the apparatus was 5 × 10 ^-Four It exhausted until it became Pa or less. First, 4,4′-bis (N- (m-tolyl) -N-phenylamino) biphenyl is deposited as a hole transport material by 150 nm by resistance heating, and a triskinolinol aluminum complex is formed as a light emitting material to a thickness of 50 nm. Vapor deposited. Next, the above-mentioned ETM-1 was laminated to a thickness of 100 nm as an electron transport material. The film thickness mentioned here is a display value of a crystal oscillation type film thickness monitor. Next, the mask in which 16 250 μm openings (corresponding to the remaining width of 50 μm and 300 μm pitch) were formed by wet etching on a 50 μm thick Kovar plate was replaced in a vacuum so as to be orthogonal to the ITO stripe. And it fixed with the magnet from the back so that an ITO board | substrate might closely_contact | adhere. And after doping lithium with a 0.5 nm organic layer, aluminum was vapor-deposited 200 nm, and the 32x16 dot matrix element was produced. When this element was driven in matrix, characters could be displayed without crosstalk.
[0080]
【The invention's effect】
The present invention can provide a light-emitting element having high luminous efficiency, high luminance, good color purity, and excellent durability.

Claims (2)

An electron transport material having a tetraphenylmethane derivative represented by the general formula (1).

(Wherein R ^{1 to} R ²⁰ are hydrogen, provided that at least one of R ^{1 to} R ⁵ and at least one of R ^{6 to} R ¹⁰ are a pyridyl group, a bipyridyl group, a terpyridyl group, a quarterpyridyl group, (Selected from quinolinyl group, benzoquinolinyl group, phenanthroline group, acridinyl group, naphthyridinyl group, pyrazyl group, quinoxalinyl group, benzoquinoxalinyl group or phenazinyl group .) A light emitting device comprising at least a light emitting layer and an electron transport layer between an anode and a cathode and emitting light by electric energy, wherein the electron transport layer comprises the electron transport material according to claim 1 .