JP4539621B2 - メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 - Google Patents

メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4539621B2
JP4539621B2 JP2006219627A JP2006219627A JP4539621B2 JP 4539621 B2 JP4539621 B2 JP 4539621B2 JP 2006219627 A JP2006219627 A JP 2006219627A JP 2006219627 A JP2006219627 A JP 2006219627A JP 4539621 B2 JP4539621 B2 JP 4539621B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sector
sector area
written
area
position information
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006219627A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008046727A (ja
Inventor
直樹 向田
琢真 光永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2006219627A priority Critical patent/JP4539621B2/ja
Publication of JP2008046727A publication Critical patent/JP2008046727A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4539621B2 publication Critical patent/JP4539621B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、フラッシュメモリに対するアクセスを制御するメモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法に係り、特に、フラッシュメモリに対する書き込み処理において、書き込み先の物理ブロックのデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する機能を有するメモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法に関するものである。
メモリカードやシリコンディスク等の記憶媒体である半導体メモリとして、NAND型フラッシュメモリが多く用いられている。このフラッシュメモリは、複数のメモリセルを有し、各メモリセルが消去状態のとき論理値「1」とされ、書き込み状態のとき論理値「0」とされる。
ところで、これらのメモリセルを消去状態から書き込み状態に変化させる場合には、メモリセル単位で行うことができるが、メモリセルを書き込み状態から消去状態に変化させる場合には、メモリセル単位で行うことができず、所定数のメモリセルからなるブロック単位で一括消去することが行われる(ブロック消去)。
また、所定数のメモリセルからなるブロック(物理ブロック)は、書き込み及び読み出しのアクセス処理単位である複数のページで構成されている。すなわち、小ブロックでは32ページ、大ブロックでは64ページである。また、小ブロックでは、1個のページが1セクタ(512バイト)のユーザ領域と16バイトの冗長領域とによって構成されている。
また、大ブロックでは、1個のページが、4セクタ(2048バイト)のユーザ領域(以下、512バイト単位のユーザ領域をセクタ領域という)と、64バイトの冗長領域とで構成され、ユーザ領域と冗長領域とがそれぞれ4分割して使用される(以下、大ブロックでは、冗長領域を4分割したものを部分冗長領域という)。よって、小ブロックでは1個のページが1個のセクタ領域に対応し、大ブロックでは1個のページが4個のセクタ領域に対応している。
このようなフラッシュメモリに対する書き込み処理を制御するメモリコントローラは、ホストシステムから与えられるコマンド等に従って、ホストシステムから与えられるデータをフラッシュメモリに書き込む。ここで、フラッシュメモリにデータを書き込む場合は、物理ブロック内の先頭のページ(セクタ領域)から順番にデータが書き込まれる。従って、物理ブロック内の途中のページ(セクタ領域)までデータが書き込まれている物理ブロックにデータを書き込む場合には、データが書き込まれていないページ(セクタ領域)の先頭を検索し、検出されたページ(セクタ領域)からデータの書き込みが開始される。
また、ホストシステム側から与えられる論理アドレスであるLBA(Logical Block Address)に基づいて、各物理ブロック内での書き込み先のページ(セクタ領域)を決めている場合には、既にデータが存在する物理ブロックに対して、データの書き込みを行うことができるかどうかを判別する。このような場合、物理ブロックのデータが書き込まれていないページ(セクタ領域)の先頭を検索する検索処理が行われ、検出されたページ(セクタ領域)がデータの書き込みを開始するセクタ領域より後でなければ、その物理ブロックに対してデータが書き込まれる。一方、検出されたページ(セクタ領域)がデータの書き込みを開始するページ(セクタ領域)より後であれば、別の消去されている物理ブロックにデータが書き込まれる。
このようなデータが書き込まれていないページ(セクタ領域)の先頭を検索する場合、1個の物理ブロックに含まれるセクタ領域の数が増加するにつれて処理負担も増加する。例えば、小ブロックの場合、1個の物理ブロックに含まれるセクタ領域の数は32個であるが、大ブロックの場合、1個の物理ブロックに含まれるセクタ領域の数は256個になる。また、異なるチップ内の物理ブロックを仮想的に結合した仮想ブロックを、1個の物理ブロックと見なしてアクセスする場合には、更に、データが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する際の処理負担が増加する。
次に、2つのインターフェースchA、chBを備えたメモリコントローラで仮想ブロックを形成した場合について、図7を参照して説明する。図7(a)は、chAのインターフェースを介してアクセスされる物理ブロックと、chBのインターフェースを介してアクセスされる物理ブロックとを示している。以下、chAのインターフェースを介してアクセスされる物理ブロックを“chAの物理ブロック”といい、chBのインターフェースを介してアクセスされる物理ブロックを“chBの物理ブロック”という。
この仮想ブロックは、図7(b)に示したようにchAの物理ブロック内のセクタ領域とchBの物理ブロック内のセクタ領域とが交互配列された512個のセクタ領域を含んでいる。ここで、SNa#0〜SNa#255はchAの物理ブロック内のセクタ領域に付けられた通番であり(以下、物理セクタ番号という)、SNb#0〜SNb#255はchBの物理ブロック内のセクタ領域に付けられた通番である(以下、物理セクタ番号と言う)。
また、SN#0〜SN#511は仮想ブロックに含まれる512個のセクタ領域に付けられた通番である(以下、セクタ番号SNという)。つまり、図7(b)に示した仮想ブロックでは、SN#0がSNa#0に対応し、SN#1がSNb#0に対応し、SN#2がSNa#1に対応し、SN#3がSNb#1に対応し、以下同様に順次割り当てられている。
データが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する方法として、たとえば特許文献1に示されているようなスタートページ情報を用いた検索方法と一般的に用いられている2分木検索とがある。これらの検索方法について、図面を参照して説明する。尚、以下の説明では、図7(b)に示した仮想ブロックのSN#221のセクタ領域(SNb#110のセクタ領域)までデータが書き込まれている場合の検索過程を説明する。又、検索する範囲の先頭を示す先頭位置情報をスタートポインタXとし、その末尾を示す末尾位置情報をエンドポインタYとする。
図8は、一般的に用いられている2分木検索の場合の検索過程を示している。この検索では、まずスタートポインタXに最初のセクタ領域のセクタ番号SN#0に対応する0を設定し、エンドポインタYに最後のセクタ領域のセクタ番号SN#511に1を加えた512を設定する。続いて、スタートポインタXに設定した値(0)とエンドポインタYに設定した値(512)の中間点に対応するSN#256のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域に書き込まれている付加情報(セクタ領域にデータが書き込まれているか否かを判断することができる付加情報)を参照し、セクタ番号SNがSN#256のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かを判断する(検索回数:1)。
ここで、データが書き込まれていると判断した場合には、スタートポインタXの設定値を参照したセクタ領域のセクタ番号SNの値に変更する。一方、データが書き込まれていないと判断した場合には、エンドポインタYの設定値を参照したセクタ領域のセクタ番号SNの値に変更する。この例では、SN#256のセクタ領域にデータが書き込まれていないので、エンドポインタYの設定値を256に変更する。
次に、スタートポインタXに設定した値(0)とエンドポインタYに設定した値(256)の中間点に対応するSN#128のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域に書き込まれている付加情報を参照し、SN#128のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かを判断する(検索回数:2)。この例では、SN#128のセクタ領域にデータが書き込まれているので、スタートポインタXの設定値を128に変更する。
次に、スタートポインタXに設定した値(128)とエンドポインタYに設定した値(256)の中間点に対応するSN#192のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域に書き込まれている付加情報を参照し、SN#192のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かを判断する(検索回数:3)。この例では、SN#192のセクタ領域にデータが書き込まれているので、スタートポインタXの設定値を192に変更する。
以下同様に、スタートポインタXに設定した値とエンドポインタYに設定した値の中間点に対応するセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域に書き込まれている付加情報を参照して、スタートポインタX又はエンドポインタYの更新を順次行っていき、スタートポインタXに設定した値とエンドポインタYに設定した値の差が1になったときにエンドポインタYに設定した値を、データが書き込まれていないセクタ領域の先頭のセクタ番号SNであると判断する。
図9は、特許文献1に示されているようなスタートページ情報を用いた検索方法の場合の検索過程を示している。なお、特許文献1におけるスタートページ情報(小ブロックのフラッシュメモリにおけるスタートページ情報)を大ブロックのフラッシュメモリに適用するため、以下では、スタートページ情報をセクタポインタ情報として説明するものとする。つまり、セクタポインタ情報は、図7(b)に示したように、一連データの書き込み処理でデータが最後に書き込まれるセクタ領域の番号に1を加えた番号を示す情報である。例えば、SN#0〜4のセクタ領域に対する書き込み処理や、SN#5〜19のセクタ領域に対する書き込み処理が、一連データの書き込み処理に対応する。又、SN#0〜4のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域には、セクタポインタ情報として「5」が書き込まれ、SN#5〜19のセクタ領域に割り当てられた部分冗長領域には、セクタポインタ情報として「20」が書き込まれる。
この検索では、まず、SN#0のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域のセクタポインタ情報を参照する(検索回数:1)。この後、参照した部分冗長領域にセクタポインタ情報が書き込まれていた場合は、そのセクタポインタ情報に基づいて順次セクタポインタ情報を参照していき、セクタポインタ情報が書き込まれていなかった場合は検索を終了する。図9に示した例では、SN#0のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報の「5」に基づいて、SN#5のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域のセクタポインタ情報を参照する(検索回数:2)。次に、SN#5のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報の「20」に基づいて、SN#20のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域のセクタポインタ情報を参照する(検索回数:3)。
このような検索過程でSN#0、SN#5、SN#20、SN#40、SN#70、SN#90、SN#128、SN#164、SN#198及びSN#222のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域を順次参照していき、SN#222のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域にセクタポインタ情報が書き込まれていないので、検索を終了する。そして、SN#222のセクタ領域が、データが書き込まれていないセクタ領域の先頭であると判断する(検索回数:10)。
特開2002−196977号公報
ところが、上述した2分木検索では、検索回数が検索対象の物理ブロック若しくは仮想ブロックに含まれるセクタ領域の数によって決まってしまう。例えば、図7(b)のように、仮想ブロックに含まれるセクタ領域が512個(2の9乗個)の場合、9回の検索が必要となる。言い換えれば、セクタ領域の数が2のn乗個の場合には常にn回の検索を行わなければならないという問題があった。
また、上述した特許文献1のようなスタートページ情報を用いた検索処理では、セクタポインタ情報に基づいて、部分冗長領域を順次参照していくため、書き込まれている一連データの数が多くなると検索回数が多くなってしまうという問題があった。
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決することができるメモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法を提供することを目的とする。
本発明のメモリコントローラは、ブロック単位で記憶データの消去が行われるフラッシュメモリに対するアクセスを制御するメモリコントローラであって、前記フラッシュメモリにアクセスするための2つのインターフェースを有するインターフェース手段と、前記インターフェース手段の一方のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックと他方のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックとを仮想的に結合した仮想ブロックを形成する仮想ブロック形成手段と、前記仮想ブロックに対する一連データの書き込み処理でデータが最後に書き込まれるセクタ領域の番号に1を加えた番号を示すセクタポインタ情報を、前記一連データの書き込み処理でデータが書き込まれるセクタ領域に対応する冗長領域に書き込むセクタポインタ情報書込み手段と、前記ブロック内の検索範囲を特定する情報として、検索範囲の先頭セクタ領域の番号を示す先頭位置情報と検索範囲の末尾セクタ領域の番号を示す末尾位置情報とを保持する検索範囲保持手段と、前記検索範囲保持手段に保持されている先頭位置情報が示す番号に対応する第1のセクタ領域と、前記インターフェース手段の前記第1のセクタ領域と異なる側のインターフェースに接続されたフラッシュメモリに属し、前記検索範囲保持手段に保持されている先頭位置情報が示す番号より大きく末尾位置情報が示す番号より小さい番号に対応する第2のセクタ領域とにデータが書き込まれているか否かを判断し、前記第1のセクタ領域と前記第2セクタ領域の双方にデータが書き込まれていないと判断した場合は、前記検索範囲保持手段に保持されている末尾位置情報を前記第1のセクタ領域に対応する番号に変更し、前記第1のセクタ領域だけにデータが書き込まれていると判断した場合は、前記検索範囲保持手段に保持されている先頭位置情報を前記第1のセクタ領域と対応する冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報が示す番号の値に変更すると共に前記検索範囲保持手段に保持されている末尾位置情報を前記第2のセクタ領域に対応する番号に変更し、前記第1のセクタ領域と前記第2セクタ領域の双方にデータが書き込まれていると判断した場合は、前記検索範囲保持手段に保持されている先頭位置情報を前記第2のセクタ領域と対応する冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報が示す番号の値に変更する検索手段とを有することを特徴とする。
なお、上記セクタポインタ情報は、前記仮想ブロックに対する一連データの書き込み処理でデータが最後に書き込まれるセクタ領域の番号を示す情報であってもよい。但し、その場合、上記セクタポインタ情報に基づいて先頭位置情報又は末尾位置情報を更新するときに、先頭位置情報又は末尾位置情報をセクタポインタ情報が示す番号に1を加えた値に変更する。
また、前記第1セクタ領域にデータが書き込まれているか否かは、前記第1のセクタ領域と対応する冗長領域にセクタポインタ情報が書き込まれているか否かによって判断することができる。つまり、前記第1のセクタ領域と対応する冗長領域にセクタポインタ情報が書き込まれている場合は、前記第1セクタ領域にデータが書き込まれていると判断し、前記第1のセクタ領域と対応する冗長領域にセクタポインタ情報が書き込まれていない場合は、前記第1セクタ領域にデータが書き込まれていないと判断する。前記第2セクタ領域にデータが書き込まれているか否かについても、同様に判断することができる。つまり、前記第2のセクタ領域と対応する冗長領域にセクタポインタ情報が書き込まれている場合は、前記第2セクタ領域にデータが書き込まれていると判断し、前記第2のセクタ領域と対応する冗長領域にセクタポインタ情報が書き込まれていない場合は、前記第2セクタ領域にデータが書き込まれていないと判断する。
また、前記第2のセクタ領域が前記検索範囲保持手段に保持されている先頭位置情報が示す番号と末尾位置情報が示す番号の中間点に対応するセクタ領域、又は該中間点の前後の番号に対応するセクタ領域であるようにすることができる。
また、前記先頭位置情報が示す番号と前記末尾位置情報が示す番号とが等しくなったときに、前記先頭位置情報が示す番号又は前記末尾位置情報が示す番号から前記仮想ブロック内のデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を判別するセクタ領域判別手段を有するようにすることができる。
本発明のフラッシュメモリシステムは、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のメモリコントローラと、このメモリコントローラによりアクセスが制御されるフラッシュメモリとを備えることを特徴とする。
本発明のフラッシュメモリの制御方法は、ブロック単位で記憶データの消去が行われるフラッシュメモリに対するアクセスを制御するフラッシュメモリの制御方法であって、前記フラッシュメモリにアクセスするための一方のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックと他方のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックとを仮想的に結合した仮想ブロックを形成し、該仮想ブロックに対する一連データの書き込み処理でデータが最後に書き込まれるセクタ領域の番号に1を加えた番号を示すセクタポインタ情報を、前記一連データの書き込み処理でデータが書き込まれるセクタ領域に対応する冗長領域に書き込むステップと、前記ブロック内の検索範囲を特定する情報として、検索範囲の先頭セクタ領域の番号を示す先頭位置情報と検索範囲の末尾セクタ領域の番号を示す末尾位置情報とを保持するステップと、前記保持されている先頭位置情報が示す番号に対応する第1のセクタ領域と、該第1のセクタ領域と異なる側のインターフェースに接続されたフラッシュメモリに属し、前記保持されている先頭位置情報が示す番号より大きく末尾位置情報が示す番号より小さい番号に対応する第2のセクタ領域とにデータが書き込まれているか否かを判断し、前記第1のセクタ領域と前記第2セクタ領域の双方にデータが書き込まれていないと判断した場合は、前記保持されている末尾位置情報を前記第1のセクタ領域に対応する番号に変更し、前記第1のセクタ領域だけにデータが書き込まれていると判断した場合は、前記保持されている先頭位置情報を前記第1のセクタ領域と対応する冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報が示す番号の値に変更すると共に前記保持されている末尾位置情報を前記第2のセクタ領域に対応する番号に変更し、前記第1のセクタ領域と前記第2セクタ領域の双方にデータが書き込まれていると判断した場合は、前記保持されている先頭位置情報を前記第2のセクタ領域と対応する冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報が示す番号の値に変更するステップとを有することを特徴とする。
なお、上記セクタポインタ情報は、前記仮想ブロックに対する一連データの書き込み処理でデータが最後に書き込まれるセクタ領域の番号を示す情報であってもよい。但し、その場合、上記セクタポインタ情報に基づいて先頭位置情報又は末尾位置情報を更新するときに、先頭位置情報又は末尾位置情報をセクタポインタ情報が示す番号に1を加えた値に変更する。
また、前記第1セクタ領域にデータが書き込まれているか否かは、前記第1のセクタ領域と対応する冗長領域にセクタポインタ情報が書き込まれているか否かによって判断することができる。つまり、前記第1のセクタ領域と対応する冗長領域にセクタポインタ情報が書き込まれている場合は、前記第1セクタ領域にデータが書き込まれていると判断し、前記第1のセクタ領域と対応する冗長領域にセクタポインタ情報が書き込まれていない場合は、前記第1セクタ領域にデータが書き込まれていないと判断する。前記第2セクタ領域にデータが書き込まれているか否かについても、同様に判断することができる。つまり、前記第2のセクタ領域と対応する冗長領域にセクタポインタ情報が書き込まれている場合は、前記第2セクタ領域にデータが書き込まれていると判断し、前記第2のセクタ領域と対応する冗長領域にセクタポインタ情報が書き込まれていない場合は、前記第2セクタ領域にデータが書き込まれていないと判断する。
また、前記第2のセクタ領域が前記保持されている先頭位置情報が示す番号と末尾位置情報が示す番号の中間点に対応するセクタ領域、又は該中間点の前後の番号に対応するセクタ領域であるようにすることができる。
また、前記先頭位置情報が示す番号と前記末尾位置情報が示す番号とが等しくなったときに、前記先頭位置情報が示す番号又は前記末尾位置情報が示す番号から前記仮想ブロック内のデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を判別するステップを有するようにすることができる。
本発明のメモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法では、第1のセクタ領域と第2セクタ領域の双方にデータが書き込まれていないと判断した場合は、保持されている末尾位置情報を第1のセクタ領域に対応する番号に変更し、第1のセクタ領域だけにデータが書き込まれていると判断した場合は、保持されている先頭位置情報を第1のセクタ領域と対応する冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報が示す番号の値に変更すると共に保持されている末尾位置情報を第2のセクタ領域に対応する番号に変更し、第1のセクタ領域と第2セクタ領域の双方にデータが書き込まれていると判断した場合は、保持されている先頭位置情報を第2のセクタ領域と対応する冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報が示す番号の値に変更する。
そして、先頭位置情報が示す番号と末尾位置情報が示す番号との差がなくなったとき、先頭位置情報が示す番号又は末尾位置情報が示す番号から仮想ブロック内のデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を判別する。
本発明のメモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法によれば、先頭位置情報が示す番号に対応する第1のセクタ領域に割り当てられている冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報と、第1のセクタ領域と異なる側のインターフェースに接続されたフラッシュメモリに属し、先頭位置情報が示す番号より大きく末尾位置情報が示す番号より小さい番号に対応する第2のセクタ領域に割り当てられている冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報を並行して参照していくことにより、データが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する平均的な検索速度を向上させることができる。つまり、検索対象の物理ブロック若しくは仮想ブロックに含まれるセクタ領域の数が2のn乗個の場合、通常の2分木検索であれば、常にn回の検索を行わなければならないが、本発明のメモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法によれば、n回以下の検索回数で、検索対象のセクタ領域を検出することができる。また、検索対象のセクタ領域を検出するまでの検索回数は、一連データの書き込み状況によって変化するが、書き込まれている一連データの数が多くなった場合でも、検索回数がn回より多くなることはない。
本実施形態では、先頭位置情報が示す番号に対応する第1のセクタ領域に割り当てられている冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報と、第1のセクタ領域と異なる側のインターフェースに接続されたフラッシュメモリに属し、先頭位置情報が示す番号より大きく末尾位置情報が示す番号より小さい番号に対応する第2のセクタ領域に割り当てられている冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報を並行して参照する。第1のセクタ領域と第2セクタ領域の双方にデータが書き込まれていないと判断した場合は、保持されている末尾位置情報を第1のセクタ領域に対応する番号に変更し、第1のセクタ領域だけにデータが書き込まれていると判断した場合は、保持されている先頭位置情報を第1のセクタ領域と対応する冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報が示す番号の値に変更すると共に保持されている末尾位置情報を第2のセクタ領域に対応する番号に変更し、第1のセクタ領域と第2セクタ領域の双方にデータが書き込まれていると判断した場合は、保持されている先頭位置情報を第2のセクタ領域と対応する冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報が示す番号の値に変更する。この処理を繰り返すことで、仮想ブロック内でのデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索するようにした。
これにより、仮想ブロック内のセクタ領域の数が2のn乗個の場合、通常の2分木検索であれば、常にn回の検索を行わなければならないが、本実施形態では、n回以下の検索回数で物理ブロックのデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検出することができる。また、検索対象のセクタ領域を検出するまでの検索回数は、一連データの書き込み状況によって変化するが、書き込まれている一連データの数が多くなった場合でも、検索回数がn回より多くなることはない。
なお、セクタ領域と対応する冗長領域(第1のセクタ領域と対応する冗長領域、第2のセクタ領域と対応する冗長領域)とは、そのセクタ領域に書き込んだデータに対応するセクタポインタ情報やエラーコレクションコード(ECC)を書き込むために割り当てられた冗長領域内の領域である。従って、1ページが複数のセクタ領域で構成されているフラッシュメモリ(例えば、大ブロックのフラッシュメモリ)の場合は、セクタ領域毎に冗長領域内の異なる領域が割り当てられる。
以下、本発明の詳細を図面に基づいて説明する。図1は、本発明のフラッシュメモリシステムの一実施例の概略を説明するためのブロック図である。図1に示すように、フラッシュメモリシステム1は、フラッシュメモリ2と、それを制御するメモリコントローラ3で構成されている。また、フラッシュメモリシステム1は、外部バス13を介してホストシステム4と接続される。
ホストシステム4は、ホストシステム4の全体の動作を制御するためのCPU(Central Processing Unit)と、フラッシュメモリシステム1との情報の授受を担うコンパニオンチップ等とから構成される。ホストシステム4は、たとえば文字、音声、あるいは画像情報等の種々の情報を処理するパーソナルコンピュータやデジタルスチルカメラをはじめとする各種情報処理装置であってもよい。
フラッシュメモリ2は、不揮発性メモリであり、レジスタとメモリセルとの間でデータの複写を行って、データの書き込み又は読み出しを行う。
メモリセルアレイは、複数のメモリセル群と、ワード線とを備える。各メモリセル群は、複数のメモリセルが直列に接続されたものである。ワード線は、メモリセル群の特定のメモリセルを選択するためのものである。このワード線を介して選択されたメモリセルとレジスタとの間で、データの複写、すなわち、レジスタから選択されたメモリセルへの複写又は選択されたメモリセルからレジスタへのデータの複写が行われる。つまり、メモリコントローラ3から与えられたデータは、レジスタを介してメモリセルアレイに書き込まれ、メモリセルアレイに記憶されているデータはレジスタを介してメモリコントローラ3に供給される。
メモリセルアレイを構成するメモリセルは、2つゲートを備えたMOSトランジスタによって構成される。ここで、一方のゲートはコントロールゲート、他方のゲートはフローティングゲートとそれぞれ呼ばれている。フローティングゲートに電荷(電子)を注入若しくはフローティングゲートから電荷(電子)を排出することによって、データの書き込み若しくはデータの消去が行われる。
このフローティングゲートは、周囲が絶縁体で囲まれているので、注入された電子は長期間にわたって保持される。なお、フローティングゲートに電子を注入するときは、コントロールゲートが高電位側となる高電圧がコントロールゲートとフローティングゲートとの間に印加される。また、フローティングゲートから電子を排出するときは、コントロールゲートが低電位側となる高電圧がコントロールゲートとフローティングゲートとの間に印加される。
ここで、フローティングゲートに電子が注入されている状態が書き込み状態であり、論理値「0」に対応する。また、フローティングゲートから電子が排出されている状態が消去状態であり、論理値「1」に対応する。
このようなフラッシュメモリ2のアドレス空間は、“ページ”及び“ブロック(物理ブロック)”で構成されている。ページは、フラッシュメモリ2にて行われるデータ読み出し動作及びデータ書き込み動作における処理単位である。物理ブロックは、フラッシュメモリ2にて行われるデータ消去動作における処理単位であり、複数個のページで構成されている。
ここで、図2は、フラッシュメモリ2のアドレス空間の構造を概略的に示すものであり、1個のページが、4セクタ(2048バイト)のユーザ領域25と、64バイトの冗長領域26とで構成され、1個の物理ブロックは64個のページで構成されている。また、ビットb0〜b7は、1バイトに含まれる各ビットを示している。また、ユーザ領域25と冗長領域26とはそれぞれ4分割して使用される(以下、ユーザ領域25を4分割した512バイトの領域をセクタ領域といい、冗長領域26の各セクタ領域に割り当てられている領域を部分冗長領域という)。また、1個のセクタ領域には1個の部分冗長領域がそれぞれ割り当てられている。つまり、このフラッシュメモリ2の各物理ブロックは、256個のセクタ領域と各セクタ領域に割り当てられた256個の部分冗長領域とで構成されているとみなすことができる。
また、物理ブロックには、図3(c)に示したように、それぞれに固有の物理ブロックアドレス(PBA)が割り当てられている。さらに、記憶領域を複数のゾーンに分割して管理する場合には、複数個の物理ブロックで物理ゾーンを構成し、各物理ゾーンに固有の物理ゾーン番号(PZN)を割り当てている。各物理ゾーンに含まれる物理ブロックの、各物理ゾーン内での通番を物理ゾーン内ブロック番号(PZIBN)と呼んでいる。
一方、ホストシステム4側のアドレス空間は、図3(a)に示したようにセクタ(512バイト)単位で分割した領域に付けた通番であるLBA(Logical Block Address)で管理されている。さらに、複数個のセクタをまとめたものを論理ブロックと呼び、複数個の論理ブロックをまとめたものを論理ゾーンと呼んでいる。また、図3(b)に示したように論理ブロックに付けられた通番を論理ブロック番号(LBN)と呼び、論理ゾーンに付けられた通番を論理ゾーン番号(LZN)と呼んでいる。また、各論理ゾーンに含まれる論理ブロックの、各論理ゾーン内での通番を論理ゾーン内ブロック番号(LZIBN)と呼んでいる。
また、各論理ゾーンにはそれぞれ1個の物理ゾーンが割り当てられ、論理ゾーンに含まれる各論理ブロックに対応するデータは、その論理ゾーンに割り当てられた物理ゾーンに含まれる物理ブロックに書き込まれる。したがって、1個の論理ブロックに含まれるセクタ数は、1個の物理ブロックに含まれるセクタ領域の個数に応じて設定される。但し、1個の論理ブロックを複数個の物理ブロックに割り当てる場合には、その複数個の物理ブロックを1個の物理ブロックとみなして1個の論理ブロックに含まれるセクタ数を設定する。
図3に示した例では、1個の物理ブロックが256個のセクタ領域で構成されたフラッシュメモリを想定しているため、256セクタが1個の論理ブロックに対応している。したがって、LBN#0〜#499の500個の論理ブロックで構成されたLZN#0の論理ゾーンは、LBA#0〜#127999の128000セクタの領域に対応している。
以下同様に、LZN#1の論理ゾーンは、LBA#128000〜#255999の128000セクタの領域に対応し、LZN#2の論理ゾーンは、LBA#256000〜#383999の128000セクタの領域に対応し、LZN#3の論理ゾーンは、LBA#384000〜#511999の128000セクタの領域に対応している。
また、LBN#0〜#499の500個の論理ブロックで構成されたLZN#0の論理ゾーンは、PBA#0〜#511の512個の物理ブロックで構成されたPZN#0の物理ゾーンに割り当てられている。以下同様に、LZN#1の論理ゾーンは、PZN#1の物理ゾーンに割り当てられ、LZN#2の論理ゾーンは、PZN#2の物理ゾーンに割り当てられ、LZN#3の論理ゾーンは、PZN#3の物理ゾーンに割り当てられている。
ここで、物理ゾーンに含まれる物理ブロックの個数を、論理ゾーンに含まれる論理ブロックの個数より多くしているのは、同一の論理ブロックに対応する新データと旧データが別々の物理ブロックに並存する場合や、データを正常に書き込むことができない不良ブロックが発生した場合等を考慮したものである。
また、各物理ブロックには、その物理ブロックに割り当てられた論理ブロックのデータがLBAの順番で書き込むようにする場合は、物理ブロックと論理ブロックとの対応関係を管理することにより、ホストシステム4から与えられるLBAとフラッシュメモリ2内のアクセス領域の対応関係を管理することができる。
なお、物理ブロックと論理ブロックとの対応関係は、データの書き込みや消去が行われる毎に変化する。このため、個々の時点における両者の対応関係を管理するためアドレス変換テーブルが作成され、対応関係が変化する毎にアドレス変換テーブルが更新される。また、上述のように論理ゾーンと物理ゾーンとの対応関係が予め設定されている場合、アドレス変換テーブルは論理ゾーン毎に作成することができる。
このアドレス変換テーブルは、物理ブロックの先頭ページの冗長領域26に書き込まれる論理ブロックを示す情報(以下、論理アドレス情報という)に基づいて作成される。冗長領域26に書き込まれる論理アドレス情報としては、LBN等の論理ブロックを特定する情報が用いられる。なお、論理ゾーンと物理ゾーンとの対応関係は予め設定されている場合は、LZIBNに基づいてアドレス変換テーブルを作成することができるので、LBNよりデータ量の少ないLZIBNを論理アドレス情報として用いることが好ましい。
また、物理ブロックの先頭ページの冗長領域26には、その物理ブロックが不良ブロックであるか否かを示すブロックステータス(フラグ)が書き込まれる。各セクタ領域に割り当てられた部分冗長領域には、それぞれ対応するセクタ領域に書き込まれたユーザデータのエラーコレクションコード(ECC)と、セクタポインタ情報(SP)とが書き込まれる。
次に、フラッシュメモリ2に対してアクセス処理を行うメモリコントローラ3について説明する。メモリコントローラ3は、フラッシュメモリ2にデータ、アドレス情報、内部コマンド等を供給することにより読み出し処理、書き込み処理、ブロック消去処理等の各処理を行う。
ここで、内部コマンドとは、メモリコントローラ3がフラッシュメモリ2に処理の実行を指示するためのコマンドであり、フラッシュメモリ2はメモリコントローラ3から与えられる内部コマンドに従って動作する。一方、ホストシステム4からメモリコントローラ3に与えられるコマンドを外部コマンドという。
メモリコントローラ3は、図1に示すように、マイクロプロセッサ6と、ホストインターフェースブロック7と、ワークエリア8と、バッファ9と、フラッシュメモリインターフェースブロック10と、ECC(エラー・コレクション・コード)ブロック11と、ROM(Read Only Memory)12とを備えている。これら機能ブロックによって構成されるメモリコントローラ3は、1つの半導体チップ上に集積される。
マイクロプロセッサ6は、ROM12に記憶されているプログラムに従って、メモリコントローラ3の全体の動作を制御する。
また、マイクロプロセッサ6は、ROM12に記憶されているプログラムを読み込むことで、セクタポインタ情報書込み手段、検索範囲保持手段、セクタ領域検索手段、セクタポインタ情報更新手段、第1のセクタ領域判別手段、第2のセクタ領域判別手段を実現している。
ROM12は、不揮発性の記憶素子であり、上記のシーケンスコマンド等を記憶している。ワークエリア8は、フラッシュメモリ2の制御に必要なデータが一時的に格納される作業領域であり、複数のSRAM(Static Random Access Memory)セルによって構成される。上述のアドレス変換テーブルは、このワークエリア8上に作成される。
バッファ9は、フラッシュメモリ2から読み出されたデータ及びフラッシュメモリ2に書き込むべきデータを一時的に蓄積する。すなわち、フラッシュメモリ2から読み出されたデータは、ホストシステム4が受け取り可能な状態となるまでバッファ9に保持され、フラッシュメモリ2に書き込むべきデータは、フラッシュメモリ2が書き込み可能な状態となるまでバッファ9に保持される。
ECCブロック11は、フラッシュメモリ2に書き込むデータに付加されるエラーコレクションコードを生成するとともに、読み出しデータに付加されたエラーコレクションコードに基づいて、読み出したデータに含まれる誤りを検出・訂正する。
ホストインターフェースブロック7は、ホストシステム4との間で、外部バス13を介し、データ、アドレス情報、外部コマンド等の授受を行う。ホストシステム4よりフラッシュメモリシステム1に供給されるデータ等は、ホストインターフェースブロック7を入口としてフラッシュメモリシステム1の内部(たとえば、バッファ9)に取り込まれる。フラッシュメモリシステム1からホストシステム4に供給されるデータ等は、ホストインターフェースブロック7を出口としてホストシステム4に供給される。
フラッシュメモリインターフェースブロック10は、各種処理等を定義したコマンドセット(以下、シーケンスコマンドという)をROM12から読み出し、このシーケンスコマンドに従って処理を実行する。このシーケンスコマンドに従って処理を実行することにより、フラッシュメモリインターフェースブロック10は、内部バス14を介して、フラッシュメモリ2とデータ、アドレス情報、ステータス情報、内部コマンド等の授受を行う。
ホストインターフェースブロック7及びフラッシュメモリインターフェースブロック10は、図4に示すような各種レジスタを備える。すなわち、ホストインターフェースブロック7は、コマンドレジスタR1、セクタ数レジスタR2及びLBAレジスタR3等を備えている。また、フラッシュメモリインターフェースブロック10は、物理ブロックアドレスレジスタR11、セクタ番号レジスタR12、カウンタR13、セクタポインタレジスタR14等を備えている。
コマンドレジスタR1、セクタ数レジスタR2及びLBAレジスタR3には、ホストシステム4から与えられる情報が書き込まれる。コマンドレジスタR1には、書き込みコマンド、読み出しコマンド等の外部コマンドが書き込まれる。セクタ数レジスタR2にはアクセス対象領域のセクタ数が書き込まれる。LBAレジスタR3には、アクセス対象領域の先頭のLBAが書き込まれる。
物理ブロックアドレスレジスタR11、セクタ番号レジスタR12、カウンタR13には、セクタ数レジスタR2及びLBAレジスタR3に書き込まれた情報に基づく、フラッシュメモリ2内のアクセス対象領域を指示する情報が書き込まれる。
たとえば、LBAが連続する256セクタの領域を、フラッシュメモリ2(1ブロックが64ページで、1ページが4セクタの場合)の1個の物理ブロックに割り当てた場合、LBAの下位8ビットがセクタ番号SNに対応し、この下位8ビットを除いた上位側のビットが論理ブロック番号(LBN)に対応する。
つまり、LBAが連続する256セクタの領域を1個の論理ブロックとした場合、LBAの下位8ビットが論理ブロック内の各セクタに付けた通番であるセクタ番号(SN:#0〜#255)を示し、このLBAの下位8ビットを除いた上位側のビットが論理ブロック番号(LBN)を示している。なお、LBA、論理ブロック番号(LBN)及びセクタ番号(SN)のビット数については、フラッシュメモリ2の容量や仕様等に応じて決定される。
次に、物理ブロックアドレスレジスタR11、セクタ番号レジスタR12、カウンタR13に設定される情報について説明する。セクタ番号レジスタR12には、LBAレジスタR3に書き込まれたLBAのセクタ番号SNに対応する部分が書き込まれる。
ここで、各物理ブロックにはLBAの順番でユーザデータが書き込まれるので、上記のセクタ番号(SN)は、各物理ブロックに含まれるセクタ領域に付けられた通番に対応する。一方、物理ブロックアドレスレジスタR11には、LBAレジスタR3に書き込まれたLBAの論理ブロック番号(LBN)を示す部分に基づいて特定された論理ブロックと対応する物理ブロックの物理ブロックアドレス(PBA)又は空きブロックの物理ブロックアドレス(PBA)が書き込まれる。
つまり、特定された論理ブロックに対応する物理ブロックからユーザデータを読み出す場合、又は、その物理ブロックに追加書き込みをする場合には、特定された論理ブロックと対応する物理ブロックの物理ブロックアドレス(PBA)が物理ブロックアドレスレジスタR11に書き込まれる。また、特定された論理ブロックに対応するユーザデータを空きブロックに書き込む場合には、その空きブロックの物理ブロックアドレス(PBA)が物理ブロックアドレスレジスタR11に書き込まれる。カウンタR13には、セクタ数レジスタR2に設定されたセクタ数が書き込まれる。
なお、LBAレジスタR3及びセクタ数レジスタR2に設定された情報に基づいて特定されるアクセス対象領域が複数の論理ブロックに跨っている場合、アクセス対象領域の物理ブロックも複数の物理ブロックに跨っているので、物理ブロックアドレスレジスタR11、セクタ番号レジスタR12、カウンタR13に対する情報の設定は論理ブロック毎に行い、カウンタR13には各論理ブロックのアクセス対象領域に含まれるセクタ数を設定する。
したがって、LBAレジスタR3及びセクタ数レジスタR2に設定された情報に基づいて特定されるアクセス対象領域が複数の論理ブロックに跨っている場合、ホストシステム4から与えられる1回の書き込みコマンドに基づいて複数回(たとえば、2個の論理ブロックに跨っている場合は2回)のシーケンス書き込み処理が実行される。
書き込み処理の場合には、セクタポインタレジスタR14にそのシーケンス書き込み処理で最後にユーザデータが書き込まれるセクタ領域の次のセクタ領域の番号が設定される。つまり、セクタポインタレジスタR14には、セクタ番号レジスタR12に設定された値にカウンタR13に設定された値を加えた値が設定される。
また、シーケンス書き込み処理では、1セクタのユーザデータがバッファ9からフラッシュメモリ2に供給される毎にセクタ番号レジスタR12に設定されている値がインクリメント(1ずつ増加)され、カウンタR13に設定されている値がデクリメント(1ずつ減少)される。カウンタR13に設定されている値が0になったときにシーケンス書き込み処理が終了する。
たとえば、セクタ番号レジスタR12に「10」を設定し、カウンタR13に「8」を設定してシーケンス書き込み処理を開始した場合、SN#10〜#17のセクタ領域にユーザデータが書き込まれる。また、セクタポインタレジスタR14には「18(10+8)」が設定されるので、このシーケンス書き込み処理でユーザデータが書き込まれたセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域にはセクタポインタ情報(SP)として「18」が書き込まれる。
また、シーケンス書き込み処理で連続的に書き込まれるデータを、一連データと呼んでいる。したがって、一連データのセクタ数はカウンタR13に設定された数値によって決まり、一連データが書き込まれたセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域には、同一のセクタポインタ情報(SP)が書き込まれる。
また、一連データの書き込み処理を開始するときに、その一連データの書き込み先の物理ブロックに既にデータが存在する場合には、一連データを書き込むことができるかどうかを判別する。つまり、一連データの先頭データの書き込み先に対応するセクタ領域が、その物理ブロックのデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭より前であれば一連データを書き込むことができないと判断し、前でなければ一連データを書き込むことができると判断する。この判断をするため、データが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する検索処理が行われる。
次に、このようなデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する検索処理を、図5及び図6を用いて説明する。なお、以下に説明する検索処理は、図7(a)、(b)で説明したように、chAのインターフェースを介してアクセスされる物理ブロックと、chBのインターフェースを介してアクセスされる物理ブロックを仮想的に結合した仮想ブロックで行うものとする。また、それぞれの物理ブロックは、1個の物理ブロックが256個のセクタ領域で構成されているとみなすことができる大ブロックの場合とする。
この仮想ブロックでは、連続するLBAがchAの物理ブロックとchBの物理ブロックに交互に割り振られる。つまり、LBAの最下位ビットが振り分け先の物理ブロック(chAの物理ブロック又はchBの物理ブロック)を識別する情報として使用される。又、LBAの下位側から数えて2〜9ビット目は、各物理ブロック内のセクタ領域に付けられた通番である物理セクタ番号に対応し、LBAの下位9ビットを除いた上位側のビットが論理ブロック番号(LBN)に対応する。この論理ブロック番号(LBN)はchAの物理ブロックの物理ブロックアドレス(PBA)とchBの物理ブロックにそれぞれ変換される。
また、chAの物理ブロックとchBの物理ブロックには交互にデータが書き込まれるので、仮想ブロック内のセクタ領域に付けられたセクタ番号が偶数であれば、そのセクタ領域はchAの物理ブロックに含まれ、仮想ブロック内のセクタ領域に付けられたセクタ番号が奇数であれば、そのセクタ領域はchBの物理ブロックに含まれる。
また、仮想ブロック内の検索範囲を特定する情報として、先頭位置情報(検索範囲の先頭セクタ領域の番号を示す情報)が示す番号をスタートポインタXとし、末尾位置情報(検索範囲の末尾セクタ領域の番号を示す情報)が示す番号をエンドポインタYとする。
次に、図5のフローチャートを参照してデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する検索処理の処理手順を説明する。
この検索処理を開始するときは、スタートポインタXとエンドポインタYに初期値を設定する。つまり、スタートポインタXには仮想ブロック内の先頭セクタ領域のセクタ番号である0を設定し、エンドポインタYには、仮想ブロック内の末尾セクタ領域のセクタ番号に1を加算した512を設定する(ステップS1)。
次に、エンドポインタYとスタートポインタXとの差が1であるか否かを判断する(ステップS2)。エンドポインタYとスタートポインタXとの差が1でない場合(ステップS2:No)、第1のセクタ領域のセクタ番号(SN)に対応する番号であるNaの値をNa=Xに設定し、第2のセクタ領域のセクタ番号(SN)に対応する番号であるNbの値をNb=(X+Y)/2に設定する(ステップS3)。つまり、NaはスタートポインタXに設定されている値に設定され、NbはスタートポインタXとエンドポインタYの中間点に対応する値に設定される。なお、Nbの値は、スタートポインタXの値より大きくエンドポインタYより小さい値であれば、スタートポインタXとエンドポインタYの中間点に対応する値でなくてもよい。
次いで、ステップS3で設定したNaとNbの双方が偶数、又は双方が奇数であるかを判断する(ステップS4)。NaとNbの双方が偶数、又は双方が奇数の場合(ステップS4:Yes)、Nbから1を減算する調整を行った後(ステップS5)、ステップS6に進む。この調整により、セクタ番号(SN)がNaの第1のセクタ領域とセクタ番号(SN)がNbの第2のセクタ領域は、一方がchAの物理ブロックに含まれるセクタ領域になり、他方がchBの物理ブロックに含まれるセクタ領域になる。
NaとNbの一方が偶数で他方が奇数の場合(ステップS4:No)、ステップS5の調整を行わずにステップS6に進む。ステップS5の調整で、NaとNbの一方が偶数で他方が奇数になるようにするのは、第1のセクタ領域(セクタ番号(SN)がNaのセクタ領域)に割り当てられている部分冗長領域と第2のセクタ領域(セクタ番号(SN)がNbのセクタ領域)に割り当てられている部分冗長領域を、chAのインターフェースとchBのインターフェースを介して並行してアクセスするためである。
次に、chAのインターフェースとchBのインターフェースを介して、セクタ番号(SN)がNaの第1のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域とセクタ番号(SN)がNbの第2のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域を平行して参照する。ここでは、部分冗長領域のセクタポインタ情報(SP)が書き込まれる領域が参照される。尚、セクタポインタ情報(SP)は、セクタ領域にデータが書き込まれたときに書き込まれるので、セクタポインタ情報(SP)の有無によって、セクタ領域にデータが書き込まれているか否かを判断することができる。
第1のセクタ領域(セクタ番号(SN)がNaのセクタ領域)に割り当てられている部分冗長領域にセクタポインタ情報(SP)が書き込まれているか否か判断し(ステップS6)、セクタポインタ情報(SP)が有る場合(ステップS6:Yes)は、ステップS7に進み、セクタポインタ情報(SP)が無い場合(ステップS6:No)は、ステップS13に進む。
第2のセクタ領域(セクタ番号(SN)がNbのセクタ領域)に割り当てられている部分冗長領域にセクタポインタ情報(SP)が書き込まれているか否か判断し(ステップS7)、セクタポインタ情報(SP)が有る場合(ステップS7:Yes)は、ステップS8に進み、セクタポインタ情報(SP)が無い場合(ステップS7:No)は、ステップS9に進む。
つまり、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが書き込まれていない場合(ステップS6:No)は、ステップS13に進む。第1のセクタ領域にデータが書き込まれていて第2のセクタ領域にデータが書き込まれていない場合(ステップS6:Yes、ステップS7:No)は、ステップS9に進む。第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが書き込まれている場合(ステップS6:Yes、ステップS7:Yes)は、ステップS8に進む。
第1のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域にセクタポインタ情報(SP)が無い場合、つまり、第1のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域と第2のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域の双方にセクタポインタ情報(SP)が無い場合(ステップS6:No)は、エンドポインタYの値をNaの値に変更する(ステップS13)。つまり、第1のセクタ領域以降のセクタ領域にはデータは書き込まれていないので、エンドポインタYの値を第1のセクタ領域のセクタ番号であるNaの値に変更する。ここで、各セクタ領域にはセクタ番号の順番でデータが書き込まれるので、第1のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域にセクタポインタ情報(SP)が書き込まれていない場合、第1のセクタ領域より後のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域には、セクタポインタ情報(SP)が書き込まれていない。従って、第1のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域にセクタポインタ情報(SP)が書き込まれていない場合は、第2のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域にもセクタポインタ情報(SP)が書き込まれていない。
第1のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域にセクタポインタ情報(SP)が有り、第2のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域にセクタポインタ情報(SP)が無い場合(ステップS6:Yes、ステップS7:No)、スタートポインタXの値を、第1のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報(SP)であるSPaの値に変更し、エンドポインタYの値をNbの値に変更する(ステップS9)。つまり、セクタ番号(SN)がSPaより前のセクタ領域にはデータは書き込まれているので、スタートポインタXの値をSPaの値に変更し、第2のセクタ領域以降のセクタ領域にはデータは書き込まれていないので、エンドポインタYの値を第2のセクタ領域のセクタ番号であるNbの値に変更する。
第1のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域と第2のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域の双方にセクタポインタ情報(SP)が有る場合(ステップS6:Yes、ステップS7:Yes)、スタートポインタXの値を、第2のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報(SP)であるSPbの値に変更する(ステップS8)。つまり、セクタ番号(SN)がSPbより前のセクタ領域にはデータは書き込まれているので、スタートポインタXの値をSPbの値に変更する。
ステップS8,9,12,13でスタートポインタXとエンドポインタYの双方又はいずれか一方の値を変更した後に、変更後のスタートポインタXとエンドポインタYとが等しくなったか否か判断する(ステップS14)。スタートポインタXとエンドポインタYとが等しくない場合(ステップS14:No)、ステップS2に戻る。
次に、スタートポインタXとエンドポインタYの値の変更を繰り返すことにより、エンドポインタYとスタートポインタXとの差が1になった場合(ステップS2:No)について説明する。エンドポインタYとスタートポインタXとの差が1になった場合(ステップS2:No)、Naの値をNa=Xに設定する(ステップS10)。つまり、NaはスタートポインタXに設定されている値に設定される。尚、スタートポインタXの値より大きくエンドポインタYより小さい値は存在しないので、Nbの値は設定しない。従って、エンドポインタYとスタートポインタXとの差が1になった場合(ステップS2:No)は、第1のセクタ領域(セクタ番号(SN)がNaのセクタ領域)に割り当てられている部分冗長領域のセクタポインタ情報(SP)が書き込まれる領域だけが参照される。
続いて、第1のセクタ領域(セクタ番号(SN)がNaのセクタ領域)に割り当てられている部分冗長領域にセクタポインタ情報(SP)が書き込まれているか否か判断し(ステップS11)、セクタポインタ情報(SP)が有る場合(ステップS11:Yes)は、ステップS12に進み、セクタポインタ情報(SP)が無い場合(ステップS11:No)は、ステップS13に進む。
第1のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域にセクタポインタ情報(SP)がある場合(ステップS11:Yes)、スタートポインタXの値を、第1のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報(SP)であるSPaの値に変更する(ステップS12)。
上述のスタートポインタXとエンドポインタYの値の変更は、スタートポインタXとエンドポインタYとが等しくなるまで繰り返される。そして、スタートポインタXとエンドポインタYとが等しくなったときに検索処理を終了し(ステップS14:Yes)、検索処理を終了したときにスタートポインタXとエンドポインタYに設定されている値が、データが書き込まれていないセクタ領域の先頭のセクタ番号(SN)に一致する。
次に、仮想ブロック内のSN#221のセクタ領域までデータが書き込まれている場合の検索処理について図6を参照して具体的に説明する。
<検索回数1>
スタートポインタXの初期値0とエンドポインタYの初期値512に基づいてNaの値を0に設定し(Na=X=0)、Nbの値を256に設定する(Nb=(0+512)/2)。ここで、NaとNbの双方が偶数なのでNbの値を255に変更する(Nb=256−1)。SN#0の第1のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域とSN#255の第2のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域を参照する。参照した結果、第1のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域にセクタポインタ情報(SP)が有り、第2のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域にセクタポインタ情報(SP)が無いと判断し、スタートポインタXの値を、第1のセクタ領域に対応する部分冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報(SP)の値である5に変更すると共に、エンドポインタYの値をNbの値255に変更する。
<検索回数2>
スタートポインタXの値5とエンドポインタYの値255に基づいてNaの値を5に設定し(Na=X=5)、Nbの値を130に設定する(Nb=(5+255)/2)。SN#5の第1のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域とSN#130の第2のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域を参照する。参照した結果、第1のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域と第2のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域の双方にセクタポインタ情報(SP)が有ると判断し、スタートポインタXの値を、第2のセクタ領域に対応する部分冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報(SP)の値である164に変更する。
<検索回数3>
スタートポインタXの値164とエンドポインタYの値255に基づいてNaの値を164に設定し(Na=X=164)、Nbの値を209に設定する(Nb=(164+255)/2)。SN#164の第1のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域とSN#209の第2のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域を参照する。参照した結果、第1のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域と第2のセクタ領域に割り当てられている対応する部分冗長領域の双方にセクタポインタ情報(SP)が有ると判断し、スタートポインタXの値を、第2のセクタ領域に対応する部分冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報(SP)の値である222に変更する。
<検索回数4>
スタートポインタXの値222とエンドポインタYの値255に基づいてNaの値を222に設定し(Na=X=222)、Nbの値を238に設定する(Nb=(222+255)/2)。ここで、NaとNbの双方が偶数なのでNbの値を237に変更する(Nb=238−1)。SN#222の第1のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域とSN#237の第2のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域を参照する。参照した結果、第1のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域と第2のセクタ領域に割り当てられている部分冗長領域の双方に、セクタポインタ情報(SP)が無いと判断し、エンドポインタYの値をNaの値222に変更する。
ここで、スタートポインタXの値とエンドポインタYの値の双方が222になったので検索を終了し、データが書き込まれていないセクタ領域の先頭のセクタ番号SNは222であると判断する。
以上で説明したように、本実施例では、セクタ番号(SN)がスタートポインタXの値と一致する第1のセクタ領域に割り当てられている冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報と、セクタ番号(SN)がスタートポインタXの値より大きくエンドポインタYの値より小さい第2のセクタ領域に割り当てられている冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報を並行して参照する。そして、その参照結果に基づいて、スタートポインタXとエンドポインタYの値を変更していくことにより、データが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する平均的な検索速度を向上させることができる。
なお、セクタポインタ情報は、一連データの書き込み処理でデータが最後に書き込まれるセクタ領域の番号を示す情報であってもよい。但し、その場合、セクタポインタ情報に基づいてスタートポインタX(先頭位置情報)又はエンドポインタY(末尾位置情報)を更新するときに、スタートポインタX(先頭位置情報)又はエンドポインタY(末尾位置情報)をセクタポインタ情報が示す番号に1を加えた値に変更する。つまり、セクタポインタ情報は、一連データの書き込み処理でデータが最後に書き込まれたセクタ領域の次のセクタ領域を知ることができる情報であればよい。
また、本発明のメモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法は、データが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する平均的な検索速度を向上させることが目的であり、データが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する検索処理を実行するメモリコントローラ、フラッシュメモリシステム等であれば、書き込み処理やアドレス変換の方法が異なっていても本発明を適用することができる。また、フラッシュメモリについては、上述した大ブロックのフラッシュメモリに限定されず、小ブロックのフラッシュメモリ若しくはその他のフラッシュメモリであってもよい。
本発明のフラッシュメモリシステムの一実施例の概略を説明するためのブロック図である。 図1のフラッシュメモリのアドレス空間の構造を概略的に示す図である。 アドレス変換の概要を説明するための図である。 図1のホストインターフェースブロック及びフラッシュメモリインターフェースブロックの詳細を示すブロック図である。 仮想ブロック内でのデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する検索処理を説明するためのフローチャートである。 仮想ブロック内でのデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する検索処理を具体的に説明するための図である。 仮想ブロックの概要を説明するための図である。 従来の2分木 検索を用いた検索方法を説明するための図である。 従来のセクタポインタ情報を用いた検索方法を説明するための図である。
符号の説明
1 フラッシュメモリシステム
2 フラッシュメモリ
3 メモリコントローラ
4 ホストシステム
6 マイクロプロセッサ(セクタポインタ情報書込み手段、検索範囲保持手段、セクタ領域検索手段、セクタポインタ情報更新手段、第1のセクタ領域判別手段、第2のセクタ領域判別手段)
7 ホストインターフェースブロック
8 ワークエリア
9 バッファ
10 フラッシュメモリインターフェースブロック
11 ECCブロック
12 ROM
13 外部バス
14 内部バス
25 ユーザ領域
26 冗長領域
R1 コマンドレジスタ
R2 セクタ数レジスタ
R3 LBAレジスタ
R11 物理ブロックアドレスレジスタ
R12 セクタ番号レジスタ
R13 カウンタ
R14 セクタポインタレジスタ

Claims (9)

  1. ブロック単位で記憶データの消去が行われるフラッシュメモリに対するアクセスを制御するメモリコントローラであって、
    前記フラッシュメモリにアクセスするための2つのインターフェースを有するインターフェース手段と、
    前記インターフェース手段の一方のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックと他方のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックとを仮想的に結合した仮想ブロックを形成する仮想ブロック形成手段と、
    前記仮想ブロックに対する一連データの書き込み処理でデータが最後に書き込まれるセクタ領域の番号に1を加えた番号を示すセクタポインタ情報を、前記一連データの書き込み処理でデータが書き込まれるセクタ領域に対応する冗長領域に書き込むセクタポインタ情報書込み手段と、
    前記ブロック内の検索範囲を特定する情報として、検索範囲の先頭セクタ領域の番号を示す先頭位置情報と検索範囲の末尾セクタ領域の番号を示す末尾位置情報とを保持する検索範囲保持手段と、
    前記検索範囲保持手段に保持されている先頭位置情報が示す番号に対応する第1のセクタ領域と、前記インターフェース手段の前記第1のセクタ領域と異なる側のインターフェースに接続されたフラッシュメモリに属し、前記検索範囲保持手段に保持されている先頭位置情報が示す番号より大きく末尾位置情報が示す番号より小さい番号に対応する第2のセクタ領域とにデータが書き込まれているか否かを判断し、前記第1のセクタ領域と前記第2セクタ領域の双方にデータが書き込まれていないと判断した場合は、前記検索範囲保持手段に保持されている末尾位置情報を前記第1のセクタ領域に対応する番号に変更し、前記第1のセクタ領域だけにデータが書き込まれていると判断した場合は、前記検索範囲保持手段に保持されている先頭位置情報を前記第1のセクタ領域と対応する冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報が示す番号の値に変更すると共に前記検索範囲保持手段に保持されている末尾位置情報を前記第2のセクタ領域に対応する番号に変更し、前記第1のセクタ領域と前記第2セクタ領域の双方にデータが書き込まれていると判断した場合は、前記検索範囲保持手段に保持されている先頭位置情報を前記第2のセクタ領域と対応する冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報が示す番号の値に変更する検索手段とを有する
    ことを特徴とするメモリコントローラ。
  2. ブロック単位で記憶データの消去が行われるフラッシュメモリに対するアクセスを制御するメモリコントローラであって、
    前記フラッシュメモリにアクセスするための2つのインターフェースを有するインターフェース手段と、
    前記インターフェース手段の一方のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックと他方のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックとを仮想的に結合した仮想ブロックを形成する仮想ブロック形成手段と、
    前記仮想ブロックに対する一連データの書き込み処理でデータが最後に書き込まれるセクタ領域の番号を示すセクタポインタ情報を、前記一連データの書き込み処理でデータが書き込まれるセクタ領域に対応する冗長領域に書き込むセクタポインタ情報書込み手段と、
    前記ブロック内の検索範囲を特定する情報として、検索範囲の先頭セクタ領域の番号を示す先頭位置情報と検索範囲の末尾セクタ領域の番号を示す末尾位置情報とを保持する検索範囲保持手段と、
    前記検索範囲保持手段に保持されている先頭位置情報が示す番号に対応する第1のセクタ領域と、前記インターフェース手段の前記第1のセクタ領域と異なる側のインターフェースに接続されたフラッシュメモリに属し、前記検索範囲保持手段に保持されている先頭位置情報が示す番号より大きく末尾位置情報が示す番号より小さい番号に対応する第2のセクタ領域とにデータが書き込まれているか否かを判断し、前記第1のセクタ領域と前記第2セクタ領域の双方にデータが書き込まれていないと判断した場合は、前記検索範囲保持手段に保持されている末尾位置情報を前記第1のセクタ領域に対応する番号に変更し、前記第1のセクタ領域だけにデータが書き込まれていると判断した場合は、前記検索範囲保持手段に保持されている先頭位置情報を前記第1のセクタ領域と対応する冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報が示す番号に1を加えた値に変更すると共に前記検索範囲保持手段に保持されている末尾位置情報を前記第2のセクタ領域に対応する番号に変更し、前記第1のセクタ領域と前記第2セクタ領域の双方にデータが書き込まれていると判断した場合は、前記検索範囲保持手段に保持されている先頭位置情報を前記第2のセクタ領域と対応する冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報が示す番号に1を加えた値に変更する検索手段とを有する
    ことを特徴とするメモリコントローラ。
  3. 前記第2のセクタ領域が前記検索範囲保持手段に保持されている先頭位置情報が示す番号と末尾位置情報が示す番号の中間点に対応するセクタ領域、又は該中間点の前後の番号に対応するセクタ領域であることを特徴とする請求項1又は2に記載のメモリコントローラ。
  4. 前記先頭位置情報が示す番号と前記末尾位置情報が示す番号とが等しくなったときに、前記先頭位置情報が示す番号又は前記末尾位置情報が示す番号から前記仮想ブロック内のデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を判別するセクタ領域判別手段を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のメモリコントローラ。
  5. 請求項1乃至4のいずれか1項に記載のメモリコントローラと、このメモリコントローラによりアクセスが制御されるフラッシュメモリとを備えることを特徴とするフラッシュメモリシステム。
  6. ブロック単位で記憶データの消去が行われるフラッシュメモリに対するアクセスを制御するフラッシュメモリの制御方法であって、
    前記フラッシュメモリにアクセスするための一方のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックと他方のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックとを仮想的に結合した仮想ブロックを形成し、該仮想ブロックに対する一連データの書き込み処理でデータが最後に書き込まれるセクタ領域の番号に1を加えた番号を示すセクタポインタ情報を、前記一連データの書き込み処理でデータが書き込まれるセクタ領域に対応する冗長領域に書き込むステップと、
    前記ブロック内の検索範囲を特定する情報として、検索範囲の先頭セクタ領域の番号を示す先頭位置情報と検索範囲の末尾セクタ領域の番号を示す末尾位置情報とを保持するステップと、
    前記保持されている先頭位置情報が示す番号に対応する第1のセクタ領域と、該第1のセクタ領域と異なる側のインターフェースに接続されたフラッシュメモリに属し、前記保持されている先頭位置情報が示す番号より大きく末尾位置情報が示す番号より小さい番号に対応する第2のセクタ領域とにデータが書き込まれているか否かを判断し、前記第1のセクタ領域と前記第2セクタ領域の双方にデータが書き込まれていないと判断した場合は、前記保持されている末尾位置情報を前記第1のセクタ領域に対応する番号に変更し、前記第1のセクタ領域だけにデータが書き込まれていると判断した場合は、前記保持されている先頭位置情報を前記第1のセクタ領域と対応する冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報が示す番号の値に変更すると共に前記保持されている末尾位置情報を前記第2のセクタ領域に対応する番号に変更し、前記第1のセクタ領域と前記第2セクタ領域の双方にデータが書き込まれていると判断した場合は、前記保持されている先頭位置情報を前記第2のセクタ領域と対応する冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報が示す番号の値に変更するステップとを有する
    ことを特徴とするフラッシュメモリの制御方法。
  7. ブロック単位で記憶データの消去が行われるフラッシュメモリに対するアクセスを制御するフラッシュメモリの制御方法であって、
    前記フラッシュメモリにアクセスするための一方のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックと他方のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックとを仮想的に結合した仮想ブロックを形成し、該仮想ブロックに対する一連データの書き込み処理でデータが最後に書き込まれるセクタ領域の番号を示すセクタポインタ情報を、前記一連データの書き込み処理でデータが書き込まれるセクタ領域に対応する冗長領域に書き込むステップと、
    前記ブロック内の検索範囲を特定する情報として、検索範囲の先頭セクタ領域の番号を示す先頭位置情報と検索範囲の末尾セクタ領域の番号を示す末尾位置情報とを保持するステップと、
    前記保持されている先頭位置情報が示す番号に対応する第1のセクタ領域と、該第1のセクタ領域と異なる側のインターフェースに接続されたフラッシュメモリに属し、前記保持されている先頭位置情報が示す番号より大きく末尾位置情報が示す番号より小さい番号に対応する第2のセクタ領域とにデータが書き込まれているか否かを判断し、前記第1のセクタ領域と前記第2セクタ領域の双方にデータが書き込まれていないと判断した場合は、前記保持されている末尾位置情報を前記第1のセクタ領域に対応する番号に変更し、前記第1のセクタ領域だけにデータが書き込まれていると判断した場合は、前記保持されている先頭位置情報を前記第1のセクタ領域と対応する冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報が示す番号に1を加えた値に変更すると共に前記保持されている末尾位置情報を前記第2のセクタ領域に対応する番号に変更し、前記第1のセクタ領域と前記第2セクタ領域の双方にデータが書き込まれていると判断した場合は、前記保持されている先頭位置情報を前記第2のセクタ領域と対応する冗長領域に書き込まれているセクタポインタ情報が示す番号に1を加えた値に変更するステップとを有する
    ことを特徴とするフラッシュメモリの制御方法。
  8. 前記第2のセクタ領域が前記保持されている先頭位置情報が示す番号と末尾位置情報が示す番号の中間点に対応するセクタ領域、又は該中間点の前後の番号に対応するセクタ領域であることを特徴とする請求項6又は7に記載のフラッシュメモリの制御方法。
  9. 前記先頭位置情報が示す番号と前記末尾位置情報が示す番号とが等しくなったときに、前記先頭位置情報が示す番号又は前記末尾位置情報が示す番号から前記仮想ブロック内のデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を判別するステップを有することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載のフラッシュメモリの制御方法。
JP2006219627A 2006-08-11 2006-08-11 メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 Active JP4539621B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006219627A JP4539621B2 (ja) 2006-08-11 2006-08-11 メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006219627A JP4539621B2 (ja) 2006-08-11 2006-08-11 メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008046727A JP2008046727A (ja) 2008-02-28
JP4539621B2 true JP4539621B2 (ja) 2010-09-08

Family

ID=39180436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006219627A Active JP4539621B2 (ja) 2006-08-11 2006-08-11 メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4539621B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016122485A (ja) 2014-12-24 2016-07-07 富士通株式会社 情報記録プログラム、情報記録方法、および情報記録装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002052416A1 (fr) * 2000-12-27 2002-07-04 Tdk Corporation Systeme de memoire flash
JP2007272657A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Tdk Corp メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法
JP2007323138A (ja) * 2006-05-30 2007-12-13 Tdk Corp メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002052416A1 (fr) * 2000-12-27 2002-07-04 Tdk Corporation Systeme de memoire flash
JP2007272657A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Tdk Corp メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法
JP2007323138A (ja) * 2006-05-30 2007-12-13 Tdk Corp メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008046727A (ja) 2008-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7870328B2 (en) Memory controller and flash memory system
JP4501881B2 (ja) メモリコントローラ及びフラッシュメモリシステム
JP4661497B2 (ja) メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法
JP4235646B2 (ja) メモリコントローラおよびフラッシュメモリシステム
JP4661191B2 (ja) メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法
JP4153535B2 (ja) メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法
JP4636005B2 (ja) メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法
JP4609406B2 (ja) メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法
JP4539621B2 (ja) メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法
JP4513782B2 (ja) メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法
JP4241741B2 (ja) メモリコントローラ及びフラッシュメモリシステム
JP4434171B2 (ja) メモリコントローラ及びフラッシュメモリシステム
JP4497124B2 (ja) メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法
JP4697146B2 (ja) メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法
JP4273106B2 (ja) メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法
JP4000124B2 (ja) メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法
JP3934659B1 (ja) メモリコントローラ及びフラッシュメモリシステム
JP4661748B2 (ja) メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法
JP2005292925A (ja) メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法
JP4254933B2 (ja) メモリコントローラ及びフラッシュメモリシステム
JP4235595B2 (ja) メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法
JP4569554B2 (ja) メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法
JP4254930B2 (ja) メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法
JP4194518B2 (ja) メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法
JP4213166B2 (ja) メモリコントローラおよびフラッシュメモリシステム

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100601

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100614

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4539621

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702

Year of fee payment: 3