JP4537620B2 - Lead frame with runner through hole - Google Patents

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JP4537620B2 JP2001173950A JP2001173950A JP4537620B2 JP 4537620 B2 JP4537620 B2 JP 4537620B2 JP 2001173950 A JP2001173950 A JP 2001173950A JP 2001173950 A JP2001173950 A JP 2001173950A JP 4537620 B2 JP4537620 B2 JP 4537620B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置を樹脂封止した後、リードフレームに付着したランナー及びゲートを除去するためのリードフレームの貫通穴並びにランナー配置端面に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体チップを搭載し樹脂封止するリードフレームとして、単一のリードフレーム上で単列にモールド部を配置するリードフレームや、複数列にモールド部を配置するマトリックスフレームが用いられている。そして、このようなリードフレームではリードフレームを横切るように隣接するモールド部の間にランナーを配置し、そのランナーと接続するゲートを各モールド部に連結して樹脂封止を行う。すると、マトリックスフレームの場合には一度に多数個のパッケージを成形できて、パッケージの生産性を高く製造効率を向上させることができる。
【0003】
しかし、リードフレームを横切るようにランナーを長く配置するため、樹脂封止した後、ランナーとゲート中で硬化して付着する残留樹脂を剥離するのが困難である。そこで、本出願人は先に特開平3―184351号において、リードフレームにその残留樹脂を樹脂付着面と反対面側からピンで突いて剥離するピン挿入穴を穿設することを提示した。更に特開平5―206353号において、リードフレームにランナーとゲート中で硬化して付着する残留樹脂を樹脂付着面と反対面側からパンチで突いて剥離するために、残留樹脂と一体のパンチ当て突起形成穴を穿設することも提示した。
【0004】
しかし、近年ではQFN(クウォードフラットノンリード)を代表とする半導体パッケージに用いるリードフレームは、リードが露出しているため、パッケージ裏面にあるリードを脱落しない断面形状にした脱落防止構造が採用されている。それ故、リードフレームを普通の抜き加工であるスタンピング加工では抜くことができず、エッチング加工によって形成している。又、最近では短納期による内部パターンの変更に容易に対応できるようにするため、或いは試作等の少量生産向けにエッチング加工が多く行われるようになった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、リードフレームにエッチング加工を施して貫通穴を設ける場合には、両面からエッチング加工をするため、その貫通穴1は図7に示すように真中がくびれて内方に突起を有する形状になる。それ故、このようなリードフレームを使用して樹脂封止をすると、貫通穴1に樹脂が食いついてしまい、取れ難いという現象が発生する。特に、リードフレームを横切るようにランナーを配置するマトリックスフレームの場合、リードフレームのランナー付着面から反対側より突きピン等で突いてランナー除去とゲートブレークを行うことは非常に困難である。即ち、従来のようなスタンピン加工ではランナー突き貫通穴内の樹脂を500g/穴で抜けるが、エッチング加工によるランナー突き貫通穴1では穴内の樹脂が突起に引っ掛かるため、そのような小さな力では抜けず1.5kg/穴の非常に大きな力を必要とする。なお、2は板厚が0.125〜0.25mm程のリードフレーム、3がランナー、4がランナー突きピンである。
【0006】
このようにして、リードフレーム2上のランナー3とゲート中で硬化して付着する残留樹脂を従来より非常に大きな力を用いて突く場合、リードフレーム2より無理に残留樹脂を剥離させるので、パッケージや残留樹脂の欠け、損傷、リードフレーム2の変形等がまれに発生する。又、コストダウンのため、1リードフレーム当りの高集積化を計って、パッケージの間隔を狭め、ランナー突き貫通穴の径を小さくして、従来のランナー突きピン径より細いピンを用いなければならない。例えば、従来穴の直径が2.2mmでピンの直径が1.2mmであったのを、穴の直径を1.2mmにする必要性が生じている。それ故、ランナー突きピンの強度不足という相反する問題がある。
【0007】
しかも、高集積化の際にはリードフレームの幅方向におけるパッケージ間隔を狭めて、パッケージ個数を増加するため、パッケージ直近のゲート近くにランナー突き貫通穴がないとランナーとゲート中で硬化して付着する残留樹脂の剥離を上手に行えない。それ故、パッケージ直近のゲート近くにランナー突き貫通穴がない場合には、パッケージ個数に合わせてランナー突きピン数を一段と増加する必要があり、ランナーとゲート剥離機構全体の力を大きくしなければならない。
【0008】
本発明はこのような従来の問題点に着目してなされたものであり、パッケージやランナーとゲート中の残留樹脂の欠け、損傷、リードフレームの変形等が発生し難く、幅広リードフレームの採用と1リードフレーム当りのパッケージの高集積化が可能なランナー突き貫通穴を有するリードフレームを提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明によるランナー突き貫通穴を有するリードフレームでは、リードフレーム上の隣接するモールド部の間にランナーを配置し、そのランナーと接続するゲートを各モールド部に連結して樹脂封止されるリードフレームのランナーとゲート中で硬化して付着する残留樹脂を樹脂付着面と反対面側から突いて剥離するランナー突き貫通穴をエッチング加工によって穿設する。そして、上記ランナー突き貫通穴の樹脂付着面に設ける穴径を大きくし、反対面に設ける穴径を小さくすると共に、リードフレームのランナー配置端面をエッチング加工によって、ランナー突き貫通穴を設けた樹脂付着面よりその反対面を側方に突出した傾斜面に形成する。更に、前記リードフレームのエッチング加工時に、リードフレームの両面を各々被うマスキングフィルムの穴の大きさを変え、QFN型半導体パッケージ用のインナーリードの断面形状をパッケージ側が大きく、非パッケージ側が小さくなるように形成する。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図1〜6を参照にして、本発明の実施の形態を説明する。
図1は本発明を適用したランナー突き貫通穴を有するQFN型半導体パッケージ用マトリックスフレームの樹脂封止後に型開きした状態を示す平面図である。このマトリックスフレーム5は1リードフレーム6当りのパッケージ成形を高集積化するため、半導体チップを搭載したモールド部を従来より多くし、本実施例の図では例えば5列にする。そして、金型によりリードフレーム6上の隣接するモールド部の中間にそのリードフレーム6を横断するようにランナー7(7a、7b、7c)を配置し、その各ランナー7から枝分かれしたゲート8を各モールド部に連結して、一度に6行分のモールド部を樹脂封止することにより、各パッケージ9を成形する。なお、10(10a、10b、10c)は対応する各ランナー7と連結するカルである。
【0011】
このようにして、マトリックスフレーム5上に各パッケージ9を形成すると、型開き後に各ランナー7とゲート8中で硬化して付着する残留樹脂を樹脂付着面と反対の面側、図1では下面側から上方に突いて剥離しなければならない。それ故、リードフレーム6には前以って各ランナー7の点線で示すゲート枝分かれ箇所に各々残留樹脂を突いて剥離するランナー突き貫通穴11をエッチング加工によって穿設しておく。その際、リードフレーム6の上、下面を各々被うマスキングフィルムの穴の大きさを上下で変え、或いはエッチング液の濃度を上下で変える等して穿設する。
【0012】
すると、図2に示すようにランナー突き貫通穴11の樹脂付着面に設ける穴径を大きくし、反対面に設ける穴径を小さくすることができる。特に、図3に示すようにランナー突き貫通穴11の穴径を樹脂付着面から反対面に向って順次小さくするとよい。
【0013】
剥離時には、図4に示すようにリードフレーム6の下面側からランナー突きピン12を矢印方向に移動する。すると、ランナー突き貫通穴11が樹脂付着面に設ける穴径を大きくし、反対面に設ける穴径を小さくすることにより、穴内樹脂の抜き抵抗が小さくなっているため、ピン12を穴内に挿入して樹脂を押すと、小さな力でランナー7とゲート8中で硬化し付着している残留樹脂を上面から剥離することができる。しかも、残留樹脂を小さな力で剥離できるため、パッケージ9、ランナー7とゲート8中の残留樹脂、リードフレーム6等に無理な力が加わらず、パッケージ9やランナー7とゲート8中の残留樹脂の欠け、損傷、リードフレーム6の変形等が発生し難い。特に、ランナー突き貫通穴11の穴径が樹脂付着面から反対面に向って順次小さくなっていると、一層良くなる。なお、QFNの場合、インナーリード13が脱落しないようにそのインナーリード13の断面形状がパッケージ側で大となる形状になっている。
【0014】
このようにランナー突き貫通穴11を形成すると、小さな力で残留樹脂を剥離できるため、ランナー突きピン12の直径を小さくすることができる。それ故、ランナー突き貫通穴11の直径を小さくでき、その穴位置をパッケージ9の直近にあるランナー7のゲート枝分かれ箇所に設けることが可能になる。しかし、ランナー突きピン12の直径は強度上1.2mm以下にすることは好ましくないので、ランナー突き貫通穴11の直径を1.2mm以下にする場合にはピン12の先端部を先細にして対応する。なお、ランナー突き貫通穴11の穴形状を樹脂付着面に設ける穴径を大きくし、反対面に設ける穴径を小さくして小さな力で残留樹脂を剥離するようにすると、1リードフレーム6当りに設けるパッケージ9の高集積化が可能になるばかりでなく、そのリードフレーム6を幅広にすることもできて好都合となる。
【0015】
上記実施の形態ではリードフレーム6のランナー7とゲート8中で硬化して付着する残留樹脂を樹脂付着面と反対面側から突いて剥離するランナー突き貫通穴11をエッチング加工によって、その樹脂付着面に設ける穴径を大きくし、反対面に設ける穴径を小さく穿設する場合について説明したが、リードフレーム6の各カル10から伸びるランナー7が夫々通過するランナー配置端面14をエッチング加工によって、図5に示すようにそのランナー突き貫通穴11を設けた樹脂付着面(上面)15よりその反対面(下面)16を側方に長さL突出した傾斜面に形成すると好ましくなる。特に、図6に示すようにランナー配置端面14を傾斜角度一定の平滑面にするとよい。
【0016】
このようなランナー配置端面14をエッチング加工によって傾斜面に形成する場合、リードフレーム6の上、下面15、16を各々被うマスキングフィルムの上下の位置をずらすことにより実施する。そして、リードフレーム6のランナー配置端面14を上面15より下面16を側方に突出した傾斜面に形成すると、剥離抵抗が小さくなるため、剥離時にリードフレーム6の下面16の側からランナー突きピン12を穴11の内部に挿入して上面15の側に樹脂を押すことにより、ランナー7中で硬化して端面14に付着している残留樹脂をその端面14から小さな力により剥離することができる。その際、図4に示すようにランナー配置端面14の近くにブロックやピン等からなるランナープッシャー17を設けておき、矢印方向に移動してその端面14近くの残留樹脂を押すとよい。なお、ランナープッシャー17はランナー7と共にカル10中の残留樹脂を押すようにしてもよい。
【0017】
それ故、ランナー7とゲート8中で硬化して上面15と端面14に付着している残留樹脂を一層小さな力で剥離できる。従って、更にパッケージ9、ランナー7とゲート8中の残留樹脂、リードフレーム6等に無理な力が加わらなくなり、パッケージ9やランナー7とゲート8中の残留樹脂の欠け、損傷、リードフレーム6の変形等が発生し難い。特に、ランナー配置端面14を傾斜角度一定の平滑面にするとよくなる。
【0018】
なお、上記実施の形態ではランナー突きピン12を穴11の内部に挿入して残留樹脂を剥離するランナー突き貫通穴11とランナー配置端面14について説明したが、そのランナー突き貫通穴11の穴形状をパンチで突起を突いて残留樹脂を剥離するランナー突き貫通穴に適用すると同様の効果を得ることができる。
【0019】
【発明の効果】
以上説明した本発明によれば、ランナー突き貫通穴をエッチング加工によって、樹脂付着面に設ける穴径を大きくし、反対面に設ける穴径を小さくすることにより、その穴内樹脂の抜き抵抗を小さくすることができる。又、リードフレームのランナー配置端面をエッチング加工によって、ランナー突き貫通穴を設けた樹脂付着面よりその反対面を側方に突出した傾斜面に形成することにより、そのランナー配置端面の剥離抵抗を小さくすることができる。それ故、ランナーとゲート中で硬化して付着する残留樹脂を小さな力で剥離することができ、パッケージ、ランナーとゲート中で硬化して付着する残留樹脂、リードフレーム等に無理な力が加わらず、パッケージや残留樹脂の欠け、損傷、リードフレームの変形等の発生を確実に抑えることができる。そして、リードフレームに幅広のものを採用でき、1リードフレーム当りのパッケージの高集積化が可能になる。
【0020】
更に、前記リードフレームのエッチング加工時に、リードフレームの両面を各々被うマスキングフィルムの穴の大きさを変え、QFN型半導体パッケージ用のインナーリードの断面形状をパッケージ側が大きく、非パッケージ側が小さくなるように形成することにより、残留樹脂の剥離時にインナーリードがパッケージから脱落しない断面形状となっているので、リードフレームの変形等の発生を一層確実に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用したランナー突き貫通穴を有するQFN型半導体パッケージ用マトリックスフレームの樹脂封止後に型開きした状態を示す平面図である。
【図2】同QFN型半導体パッケージ用マトリックスフレームのリードフレームにエッチング加工によって穿設したランナー突き貫通穴の一形状と、その穴内に充填した樹脂と一体のランナー内残留樹脂を示す要部断面図である。
【図3】同QFN型半導体パッケージ用マトリックスフレームのリードフレームにエッチング加工によって穿設したランナー突き貫通穴の他の形状と、その穴内に充填した樹脂と一体のランナー内残留樹脂を示す要部断面図である。
【図4】同QFN型半導体パッケージ用マトリックスフレームのランナー突き直前の状態を示す要部断面図である。
【図5】同QFN型半導体パッケージ用マトリックスフレームのリードフレームにそのランナー配置端面をエッチング加工によって傾斜面に形成した一形状と、そのランナー付き貫通穴を設けた樹脂付着面とを示す要部断面図である。
【図6】同QFN型半導体パッケージ用マトリックスフレームのリードフレームにそのランナー配置端面をエッチング加工によって傾斜面に形成した他の形状と、そのランナー付き貫通穴を設けた樹脂付着面とを示す要部断面図である。
【図7】従来のQFN型半導体パッケージ用マトリックスフレームのランナー突き直前の状態を示す要部断面図である。
【符号の説明】
5…マトリックスフレーム 6…リードフレーム 7…ランナー 8…ゲート9…パッケージ 10…カル 11…ランナー突き貫通穴 12…ランナー突きピン 14…ランナー配置端面 15…樹脂付着面(上面) 16…反対面(下面)
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a through hole of a lead frame and a runner arrangement end surface for removing runners and gates attached to a lead frame after resin-sealing a semiconductor device.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as a lead frame on which a semiconductor chip is mounted and resin-sealed, a lead frame in which mold parts are arranged in a single row on a single lead frame or a matrix frame in which mold parts are arranged in a plurality of rows has been used. In such a lead frame, a runner is disposed between adjacent mold parts so as to cross the lead frame, and a gate connected to the runner is connected to each mold part to perform resin sealing. Then, in the case of the matrix frame, a large number of packages can be formed at a time, and the productivity of the package can be increased and the manufacturing efficiency can be improved.
[0003]
However, since the runner is disposed long so as to cross the lead frame, it is difficult to peel off the residual resin adhering by curing in the runner and the gate after sealing with the resin. In view of this, the present applicant previously proposed in JP-A-3-184351 that a lead insertion frame is provided with a pin insertion hole for peeling off the residual resin from the surface opposite to the resin adhesion surface. Further, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-206353, a punch contact protrusion integrated with the residual resin is used to peel and remove the residual resin that is cured and adhered to the lead frame in the runner and the gate from the side opposite to the resin adhesion surface. It was also suggested to drill a formation hole.
[0004]
However, in recent years, lead frames used in semiconductor packages typified by QFN (Quad Flat Non-Lead) have exposed leads, so a drop-off preventing structure with a cross-sectional shape that does not drop the leads on the back of the package has been adopted. ing. Therefore, the lead frame cannot be removed by a stamping process which is a normal punching process, and is formed by an etching process. In recent years, many etching processes have been performed in order to easily cope with changes in internal patterns due to short delivery times or for small-scale production such as trial production.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, when etching is performed on the lead frame to provide a through hole, etching is performed from both sides, so that the through hole 1 is constricted in the middle and has a projection inward as shown in FIG. . Therefore, when resin sealing is performed using such a lead frame, a phenomenon occurs in which the resin bites into the through hole 1 and is difficult to remove. In particular, in the case of a matrix frame in which runners are arranged so as to cross the lead frame, it is very difficult to perform runner removal and gate break by thrusting with a thrust pin or the like from the opposite side of the lead frame from the runner adhesion surface. That is, in the conventional stamping process, the resin in the runner push-through hole is pulled out at 500 g / hole. However, in the runner push-through hole 1 by the etching process, the resin in the hole is caught by the protrusion, so that it cannot be pulled out with such a small force. It requires a very large force of 5 kg / hole. In addition, 2 is a lead frame with a plate thickness of about 0.125 to 0.25 mm, 3 is a runner, and 4 is a runner thrust pin.
[0006]
In this manner, when the runner 3 on the lead frame 2 and the residual resin that hardens and adheres in the gate are pierced using a much larger force than before, the residual resin is forcibly peeled off from the lead frame 2, so that the package In rare cases, chipping or damage of the residual resin, deformation of the lead frame 2 or the like occurs. Also, for cost reduction, high integration per lead frame must be achieved, the package interval must be narrowed, the diameter of the runner thrust through hole must be reduced, and a pin thinner than the conventional runner thrust pin diameter must be used. . For example, the diameter of the hole is 2.2 mm and the diameter of the pin is 1.2 mm, but the diameter of the hole is required to be 1.2 mm. Therefore, there is a conflicting problem of insufficient strength of the runner thrust pin.
[0007]
In addition, in the case of high integration, the package interval in the width direction of the lead frame is narrowed to increase the number of packages. Therefore, if there is no runner punch through hole near the gate near the package, it will harden and adhere in the runner and gate. The residual resin cannot be peeled off well. Therefore, if there is no runner thrust through hole near the gate closest to the package, it is necessary to increase the number of runner thrust pins according to the number of packages, and the force of the runner and the entire gate peeling mechanism must be increased. .
[0008]
The present invention has been made paying attention to such conventional problems, and it is difficult to cause chipping, damage, deformation of the lead frame, etc. in the residual resin in the package or runner and the gate. It is an object of the present invention to provide a lead frame having a runner push-through hole that enables high integration of packages per lead frame.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, in a lead frame having a runner push-through hole according to the present invention, a runner is disposed between adjacent mold parts on the lead frame, and a gate connected to the runner is connected to each mold part. The runner pierced through hole is formed by etching to pierce the runner of the lead frame that is resin-sealed and the residual resin that hardens and adheres in the gate from the side opposite to the resin adhesion surface. Then, the hole diameter provided on the resin adhering surface of the runner push-through hole is increased, the hole diameter provided on the opposite surface is reduced, and the runner placement end face of the lead frame is etched to provide resin adhering with the runner push-through hole. The opposite surface of the surface is formed as an inclined surface protruding sideways. Further , when the lead frame is etched, the size of the hole in the masking film covering both sides of the lead frame is changed so that the cross-sectional shape of the inner lead for the QFN type semiconductor package is larger on the package side and smaller on the non-package side. To form.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a plan view showing a state in which a QFN type semiconductor package matrix frame having a runner push-through hole to which the present invention is applied is opened after resin sealing. The matrix frame 5 has a larger number of mold parts on which semiconductor chips are mounted than in the prior art in order to achieve high integration of package formation per lead frame 6, and, for example, in the figure of this embodiment, there are five rows. Then, runners 7 (7a, 7b, 7c) are arranged so as to cross the lead frame 6 in the middle of adjacent mold parts on the lead frame 6 by a mold, and the gates 8 branched from the runners 7 are connected to the gates 8 respectively. Each package 9 is formed by connecting to the mold part and resin-sealing the mold part for six rows at a time. In addition, 10 (10a, 10b, 10c) is a cull connected to each corresponding runner 7.
[0011]
When each package 9 is formed on the matrix frame 5 in this way, the residual resin that is cured and adhered in each runner 7 and gate 8 after mold opening is opposite to the resin adhesion surface, in FIG. It must peel off from the top. Therefore, the lead frame 6 is previously drilled with a runner push-through hole 11 through which the residual resin protrudes and peels off at the gate branching location indicated by the dotted line of each runner 7. At that time, the hole is formed by changing the size of the hole of the masking film covering the upper and lower surfaces of the lead frame 6 up and down, or changing the concentration of the etching solution up and down.
[0012]
Then, as shown in FIG. 2, the hole diameter provided in the resin adhesion surface of the runner thrust through hole 11 can be increased, and the hole diameter provided on the opposite surface can be reduced. In particular, as shown in FIG. 3, the hole diameter of the runner push-through hole 11 may be sequentially decreased from the resin adhesion surface toward the opposite surface.
[0013]
At the time of peeling, the runner thrust pin 12 is moved in the direction of the arrow from the lower surface side of the lead frame 6 as shown in FIG. Then, the runner push-through hole 11 increases the hole diameter provided on the resin adhesion surface and decreases the hole diameter provided on the opposite surface, thereby reducing the resistance to removing resin in the hole. Therefore, the pin 12 is inserted into the hole. When the resin is pressed, the residual resin cured and adhered in the runner 7 and the gate 8 can be peeled off from the upper surface with a small force. Moreover, since the residual resin can be peeled off with a small force, the residual resin in the package 9, the runner 7 and the gate 8, the lead frame 6 and the like are not subjected to excessive force, and the residual resin in the package 9, the runner 7 and the gate 8 Chipping, damage, deformation of the lead frame 6 and the like are unlikely to occur. In particular, when the hole diameter of the runner push-through hole 11 is gradually reduced from the resin adhesion surface to the opposite surface, the runner push-through hole 11 is further improved. In the case of QFN, the cross-sectional shape of the inner lead 13 is large on the package side so that the inner lead 13 does not fall off.
[0014]
Since the residual resin can be peeled off with a small force when the runner thrust through hole 11 is formed in this manner, the diameter of the runner thrust pin 12 can be reduced. Therefore, the diameter of the runner push-through hole 11 can be reduced, and the hole position can be provided at the gate branching location of the runner 7 in the immediate vicinity of the package 9. However, since it is not preferable that the diameter of the runner thrust pin 12 is 1.2 mm or less in terms of strength, when the diameter of the runner thrust through hole 11 is 1.2 mm or less, the tip of the pin 12 is tapered. To do. If the hole diameter of the runner thrust through hole 11 is increased on the resin adhesion surface and the hole diameter provided on the opposite surface is decreased so that the residual resin is peeled off with a small force, the per runner 6 per Not only can the package 9 to be provided be highly integrated, but also the lead frame 6 can be widened, which is advantageous.
[0015]
In the above-described embodiment, the resin adhering surface is formed by etching the runner through-holes 11 that are peeled off from the side opposite to the resin adhering surface by curing the residual resin that is cured and adhered in the runner 7 and the gate 8 of the lead frame 6. Although the case where the hole diameter provided in the lead frame 6 is made larger and the hole diameter provided on the opposite surface is made smaller is explained, the runner arrangement end face 14 through which the runners 7 extending from the respective calves 10 of the lead frame 6 pass is etched. As shown in FIG. 5, it is preferable that the opposite surface (lower surface) 16 is formed on an inclined surface projecting a length L laterally from the resin adhesion surface (upper surface) 15 provided with the runner push-through hole 11. In particular, as shown in FIG. 6, the runner arrangement end surface 14 may be a smooth surface with a constant inclination angle.
[0016]
When such a runner-arranged end surface 14 is formed on an inclined surface by etching, the upper and lower positions of the masking film covering the upper and lower surfaces 15 and 16 of the lead frame 6 are shifted. When the runner arrangement end face 14 of the lead frame 6 is formed on an inclined surface projecting the lower face 16 laterally from the upper face 15, the peeling resistance is reduced, and therefore, the runner thrust pin 12 extends from the lower face 16 side of the lead frame 6 at the time of peeling. Is inserted into the hole 11 and the resin is pushed toward the upper surface 15, whereby the residual resin cured in the runner 7 and adhering to the end surface 14 can be peeled off from the end surface 14 with a small force. At that time, as shown in FIG. 4, a runner pusher 17 made of a block, a pin, or the like is provided near the runner arrangement end face 14 and moved in the direction of the arrow to push the residual resin near the end face 14. The runner pusher 17 may push the residual resin in the cal 10 together with the runner 7.
[0017]
Therefore, the residual resin cured in the runner 7 and the gate 8 and adhering to the upper surface 15 and the end surface 14 can be peeled off with a smaller force. Accordingly, excessive force is not applied to the residual resin in the package 9 and the runner 7 and the gate 8 and the lead frame 6, and the residual resin in the package 9 and the runner 7 and the gate 8 is chipped and damaged, and the lead frame 6 is deformed. Etc. are unlikely to occur. In particular, the runner arrangement end face 14 is preferably a smooth surface with a constant inclination angle.
[0018]
In addition, although the runner thrust pin 12 was inserted into the inside of the hole 11 and the runner thrust through hole 11 and the runner arrangement end face 14 were peeled off in the above embodiment, the hole shape of the runner thrust through hole 11 is described. The same effect can be obtained when applied to a runner push-through hole in which the protrusion is pierced with a punch and the residual resin is peeled off.
[0019]
【The invention's effect】
According to the present invention described above, the runner piercing through hole is etched to increase the hole diameter provided on the resin adhesion surface and reduce the hole diameter provided on the opposite surface, thereby reducing the resistance of the resin in the hole. be able to. Also, the run-off end face of the lead frame is formed by an etching process on the inclined surface that protrudes laterally from the resin adhering face provided with the runner piercing through hole, thereby reducing the peeling resistance of the runner placement end face. can do. Therefore, the residual resin that hardens and adheres in the runner and gate can be peeled off with a small force, and no excessive force is applied to the package, the residual resin that adheres and adheres in the runner and gate, the lead frame, etc. Further, it is possible to reliably suppress the occurrence of chipping or damage of the package or residual resin, deformation of the lead frame, etc. A wide lead frame can be used, and high integration of packages per lead frame can be achieved.
[0020]
Further, when etching the lead frame, the size of the hole in the masking film covering both sides of the lead frame is changed so that the cross-sectional shape of the inner lead for the QFN type semiconductor package is larger on the package side and smaller on the non-package side. By forming in this way, the inner lead has a cross-sectional shape that does not drop off from the package when the residual resin is peeled off, so that the deformation of the lead frame can be more reliably suppressed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a state where a QFN type semiconductor package matrix frame having a runner push-through hole to which the present invention is applied is opened after resin sealing.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part showing one shape of a runner push-through hole formed in the lead frame of the matrix frame for the QFN type semiconductor package by etching and residual resin in the runner integrated with the resin filled in the hole; It is.
FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part showing another shape of a runner push-through hole formed in the lead frame of the matrix frame for the QFN type semiconductor package by etching and residual resin in the runner integrated with the resin filled in the hole; FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the principal part showing a state immediately before the runner hits the matrix frame for the QFN type semiconductor package;
FIG. 5 is a cross-sectional view of an essential part showing a shape of a lead frame of the matrix frame for the QFN type semiconductor package having a runner arrangement end face formed on an inclined surface by etching and a resin adhesion surface provided with a through hole with the runner. FIG.
FIG. 6 is a main portion showing another shape of the lead frame of the matrix frame for the QFN type semiconductor package in which the runner arrangement end face is formed into an inclined surface by etching and a resin adhering surface provided with the through hole with the runner; It is sectional drawing.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a main part of a conventional QFN type semiconductor package matrix frame immediately before a runner is pushed.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 5 ... Matrix frame 6 ... Lead frame 7 ... Runner 8 ... Gate 9 ... Package 10 ... Cal 11 ... Runner thrust through hole 12 ... Runner thrust pin 14 ... Runner arrangement end surface 15 ... Resin adhesion surface (upper surface) 16 ... Opposite surface (lower surface) )

Claims (1)

リードフレーム上の隣接するモールド部の間にランナーを配置し、そのランナーと接続するゲートを各モールド部に連結して樹脂封止されるリードフレームのランナーとゲート中で硬化して付着する残留樹脂を樹脂付着面と反対面側から突いて剥離するランナー突き貫通穴をエッチング加工によって穿設してなるランナー突き貫通穴を有するリードフレームにおいて、上記ランナー突き貫通穴の樹脂付着面に設ける穴径を大きくし、反対面に設ける穴径を小さくすると共に、リードフレームのランナー配置端面をエッチング加工によって、ランナー突き貫通穴を設けた樹脂付着面よりその反対面を側方に突出した傾斜面に形成し、更に前記リードフレームのエッチング加工時に、リードフレームの両面を各々被うマスキングフィルムの穴の大きさを変え、QFN型半導体パッケージ用のインナーリードの断面形状をパッケージ側が大きく、非パッケージ側が小さくなるように形成することを特徴とするランナー突き貫通穴を有するリードフレーム。A runner is placed between adjacent mold parts on the lead frame, and a gate connected to the runner is connected to each mold part and resin-sealed lead frame runner and residual resin that hardens and adheres in the gate. In a lead frame having a runner push-through hole that is formed by etching a runner push-through hole that protrudes and peels from the surface opposite to the resin-attached surface, the hole diameter provided on the resin adherent surface of the runner push-through hole is increased, the smaller the hole diameter is provided on the opposite side, the runner placement end surface of the lead frame by etching, to form the opposite side from the resin adhesion surface having a runner pushing through hole on the inclined surface projecting laterally further during the etching process of the lead frame, the large holes in the masking film covering each of both surfaces of the lead frame By changing the Is, it increases the inner leads of the cross-sectional shape of a QFN type semiconductor package is the package side, a lead frame having a runner pushing through holes and forming such a non-package side is reduced.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03184351A (en) * 1989-12-13 1991-08-12 Yamada Seisakusho:Kk Degating method for matrix frame
JPH0426149A (en) * 1990-05-22 1992-01-29 Toppan Printing Co Ltd Lead frame and method of connecting lead frame with semiconductor device
JPH1126488A (en) * 1997-07-04 1999-01-29 Nec Corp Metal mold for semiconductor resin sealing
JPH11176854A (en) * 1997-12-09 1999-07-02 Rohm Co Ltd Molding machine for synthetic resin package in electronic component

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03184351A (en) * 1989-12-13 1991-08-12 Yamada Seisakusho:Kk Degating method for matrix frame
JPH0426149A (en) * 1990-05-22 1992-01-29 Toppan Printing Co Ltd Lead frame and method of connecting lead frame with semiconductor device
JPH1126488A (en) * 1997-07-04 1999-01-29 Nec Corp Metal mold for semiconductor resin sealing
JPH11176854A (en) * 1997-12-09 1999-07-02 Rohm Co Ltd Molding machine for synthetic resin package in electronic component

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