JP4534575B2 - Wiring board manufacturing method - Google Patents

Wiring board manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP4534575B2
JP4534575B2 JP2004128942A JP2004128942A JP4534575B2 JP 4534575 B2 JP4534575 B2 JP 4534575B2 JP 2004128942 A JP2004128942 A JP 2004128942A JP 2004128942 A JP2004128942 A JP 2004128942A JP 4534575 B2 JP4534575 B2 JP 4534575B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic component
wiring
metal film
conductor wiring
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004128942A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2005311202A (en
Inventor
大三 馬場
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2004128942A priority Critical patent/JP4534575B2/en
Publication of JP2005311202A publication Critical patent/JP2005311202A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4534575B2 publication Critical patent/JP4534575B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Description

本発明は、電源やアース等に接続されるパワー系配線と、信号系配線とを併設することができる配線基板の製造方法に関するものである。 The present invention includes a power system wiring connected to power and ground, etc., a method of manufacturing a wiring board capable of features and a signal based wiring.

近年、電子機器の高機能化、小型薄型化への要求に伴い、半導体装置等の電子部品は高集積化され、且つ配線基板に高密度に実装されるようになっている。特にパワーエレクトロニクスの分野においては、発熱量の大きい電子部品（例えば、ＬＥＤ）が高密度に実装されることとなるため、配線基板に対しては、微細パターン（ファインパターン）による高密度配線の設計が容易であることが要求される。   2. Description of the Related Art In recent years, electronic components such as semiconductor devices have been highly integrated and mounted on a wiring board with high density in response to demands for higher functionality and smaller and thinner electronic devices. Especially in the field of power electronics, electronic components (for example, LEDs) that generate a large amount of heat are mounted at high density, so high-density wiring is designed with fine patterns (fine patterns) on the wiring board. Is required to be easy.

ところで、このような配線基板に形成される導体配線としては、制御信号等の授受を行うための信号系配線と、電子部品等へ駆動用の電力を供給するために電源やアース等に接続されるパワー系配線とがある。信号系配線を流れる電流は電流値が小さいために断面積の小さい配線にて形成することができるが、パワー系配線は流れる電流値が大きいために断面積をより大きくしなければならない。   By the way, the conductor wiring formed on such a wiring board is connected to a signal system wiring for transmitting and receiving control signals and the like, and a power source and a ground for supplying driving power to electronic components and the like. And power system wiring. Since the current flowing through the signal wiring has a small current value, it can be formed with a wiring having a small cross-sectional area. However, since the current flowing through the power wiring has a large value, the cross-sectional area must be increased.

このため、信号系配線とパワー系配線とを一つの基板に併設する場合には、パワー系配線の幅をより広く形成したり、導体配線の厚みを厚くしてパワー系配線を幅狭に形成しても大電流を導通可能としたり、或いは基板を多層化して信号系配線とパワー系配線とを別の層に形成したりすることが行われていた（特許文献１参照）。   For this reason, when the signal system wiring and the power system wiring are provided on a single substrate, the power system wiring is made wider or the conductor wiring is made thicker to make the power system wiring narrower. Even so, a large current can be conducted, or the signal wiring and the power wiring are formed in different layers by multilayering the substrate (see Patent Document 1).

しかし、パワー系配線の幅を広くすると導体配線の細線化に逆行し、基板面積が大型化するという問題がある。また導体配線の厚みを厚くすると、エッチングにより導体配線を形成する場合にサイドエッチ量が大きくなり、エッチング時の導体配線とレジストとの間の密着面積が小さくなってレジスト剥離が生じるなどの問題がある。また基板の多層化は基板厚みの増大を招いてしまうものである。
特開平０５−１８３２７１号公報 However, if the width of the power wiring is increased, there is a problem that the conductor area is reduced and the substrate area is increased. In addition, when the thickness of the conductor wiring is increased, the amount of side etching increases when the conductor wiring is formed by etching, and the adhesion area between the conductor wiring and the resist at the time of etching decreases, resulting in resist peeling. is there. Further, the increase in the thickness of the substrate causes an increase in the thickness of the substrate.
JP 05-183271 A

本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、一つの基板に信号系配線とパワー系配線とを併設すると共に細線化、小型化が可能な配線基板の製造方法を提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above, to provide a production method of thinning, miniaturization possible wiring board as well as features and signal system wiring and power system interconnection on one substrate It is intended.

本発明に係る配線基板の製造方法により製造される配線基板は、絶縁層４と導体配線とが積層成形された配線基板において、絶縁層４の同一面側に、前記導体配線として、薄肉導体配線７と、前記薄肉導体配線７よりも厚みの厚い厚肉導体配線６とが設けられている。これにより、薄肉導体配線７を信号系配線として形成すると共に、厚肉導体配線６を大電流を導通可能としてパワー系配線として形成することができ、一つの配線基板の同一面に信号系配線とパワー系配線とを併設することが可能となる。 The wiring board manufactured by the method for manufacturing a wiring board according to the present invention is a wiring board in which the insulating layer 4 and the conductor wiring are laminated and formed on the same surface side of the insulating layer 4 as the conductor wiring. 7, a thick walled conductive wiring 6 thicker than the thin conductive wire 7 that provided. As a result, the thin conductor wiring 7 can be formed as a signal system wiring, and the thick conductor wiring 6 can be formed as a power system wiring so that a large current can be conducted. It is possible to add power wiring.

この配線基板においては、上記薄肉導体配線７の厚みを５０μｍ以下に形成すると共に、上記厚肉導体配線６の厚みを３００μｍ以上に形成することが好ましい。これにより薄肉導体配線７を十分に微細化して信号系配線として形成すると共に、厚肉導体配線６が大電流が導通可能であり且つ放熱性の高いパワー系配線として形成することが可能となり、一つの配線基板の同一面に信号系配線とパワー系配線とを併設することが可能となる。   In this wiring board, the thickness of the thin conductor wiring 7 is preferably 50 μm or less, and the thickness of the thick conductor wiring 6 is preferably 300 μm or more. As a result, the thin conductor wiring 7 is sufficiently miniaturized and formed as a signal system wiring, and the thick conductor wiring 6 can be formed as a power system wiring capable of conducting a large current and having high heat dissipation. It is possible to install signal system wiring and power system wiring on the same surface of two wiring boards.

また、上記導体配線は、上記絶縁層４に埋設するように形成し、この導体配線が形成されている側の面に底面が絶縁層４の表面よりも内奥に位置する凹部９を形成すると共にこの凹部の底面において上記厚肉導体配線６が露出するように形成することが好ましい。このようにすると配線基板をフラッシュ配線基板として形成することができ、また厚肉導体配線６の両側に突出した絶縁層４によって絶縁障壁が形成され、非常に高い絶縁信頼性を得ることができる。また厚肉導体配線６において半田接続を行う場合には、厚肉導体配線６の両側に突出した絶縁層４によって半田の流出を堰き止めることができ、これによってショートサーキットを防止することができる。   Further, the conductor wiring is formed so as to be embedded in the insulating layer 4, and a concave portion 9 is formed on the surface on which the conductor wiring is formed, the bottom surface being located inward from the surface of the insulating layer 4. At the same time, it is preferable that the thick conductor wiring 6 is exposed at the bottom surface of the recess. In this way, the wiring board can be formed as a flash wiring board, and an insulating barrier is formed by the insulating layers 4 projecting on both sides of the thick conductor wiring 6, so that very high insulation reliability can be obtained. Further, when solder connection is performed in the thick conductor wiring 6, the outflow of solder can be blocked by the insulating layers 4 protruding on both sides of the thick conductor wiring 6, thereby preventing a short circuit.

また、この配線基板に、電子部品１０が搭載される金属製の電子部品搭載部８を設けることも好ましく、このようにすると、発熱量の大きいＬＥＤ等の発光素子、パワーＩＣ、パワーコンデンサ等を電子部品搭載部８に搭載することで、これらの電子部品１０からの発熱を効率よく放熱することができる。   In addition, it is also preferable to provide a metal electronic component mounting portion 8 on which the electronic component 10 is mounted on this wiring board. In this way, a light emitting element such as an LED having a large calorific value, a power IC, a power capacitor, etc. By mounting on the electronic component mounting portion 8, the heat generated from these electronic components 10 can be efficiently radiated.

また、電子部品搭載部８として、厚肉導体配線６を兼ねるものを設けることも好ましい。この厚肉導体配線６を兼ねる電子部品搭載部８は、電子部品１０が搭載されると共にこの電子部品１０と電気的に接続することができ、電子部品１０が搭載される箇所を導体配線を形成するために利用することができて、配線密度をさらに向上して配線基板の更なる小型化を達成することができるものである。   It is also preferable to provide an electronic component mounting portion 8 that also serves as the thick conductor wiring 6. The electronic component mounting portion 8 which also serves as the thick conductor wiring 6 can be electrically connected to the electronic component 10 while the electronic component 10 is mounted, and a conductor wiring is formed at a place where the electronic component 10 is mounted. Therefore, the wiring density can be further improved and further miniaturization of the wiring board can be achieved.

また、電子部品搭載部８にその露出面側に開口する凹所１５を設けると共にこの凹所１５の内面に電子部品１０として発光部品１０ａが搭載される配置部１７と、配置部１７に搭載された発光部品１０ａからの発光を反射する反射面１６とを形成しても良い。このような電子部品搭載部８の配置部１７に発光部品１０ａを搭載すると、発光部品１０ａからの発光が反射面１６に到達した際にその大部分が反射されることとなり、これにより発光部品１０ａの発光輝度を向上することができる。また金属は光による劣化が少ないことから、耐久性の高い反射面１６が形成される。また、発光部品１０ａとして特にＵＶ光（紫外線）を発するＬＥＤ等を用いる場合では、ＵＶ光を反射面１６にて反射させることでこのＵＶ光が絶縁層４に照射されることを防ぐことができ、絶縁層４がＵＶ光によって絶縁特性の低下等のような劣化が生じることを防ぐことができ、またこの絶縁層４を形成するために耐ＵＶ性の高い特殊な成形材料を用いるような必要もなくなるものである。   In addition, the electronic component mounting portion 8 is provided with a recess 15 that opens to the exposed surface side, and the light emitting component 10a is mounted on the inner surface of the recess 15 as the electronic component 10 and the mounting portion 17 is mounted. The reflective surface 16 that reflects the light emitted from the light emitting component 10a may be formed. When the light emitting component 10a is mounted on the arrangement portion 17 of the electronic component mounting portion 8 as described above, most of the light emitted from the light emitting component 10a is reflected when it reaches the reflecting surface 16, thereby causing the light emitting component 10a to be reflected. It is possible to improve the light emission luminance. Further, since metal is less deteriorated by light, a highly durable reflective surface 16 is formed. Further, when an LED or the like that emits UV light (ultraviolet light) is used as the light emitting component 10a, the UV light can be prevented from being applied to the insulating layer 4 by reflecting the UV light on the reflecting surface 16. In addition, it is possible to prevent the insulating layer 4 from being deteriorated by UV light, such as a decrease in insulating properties, and to use the special molding material having high UV resistance to form the insulating layer 4 Will also disappear.

また、上記凹所１５の反射面１６には銀皮膜を設けることが好ましく、このようにすると反射面１６における光の反射率を向上し、発光部品１０ａの発光輝度をさらに向上することができる。   Moreover, it is preferable to provide a silver film on the reflecting surface 16 of the recess 15, and in this way, the reflectance of light on the reflecting surface 16 can be improved, and the light emission luminance of the light emitting component 10a can be further improved.

また、上記絶縁層４の、上記導体配線とは反対側の面に、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、及び少なくともこれらのうち１種以上のものを含む合金、並びに銅インバー銅の複層材から選ばれた金属材料にて形成されるヒートシンク材５を積層して設けても良く、これにより放熱性の向上を図ることができる。   Further, on the surface of the insulating layer 4 opposite to the conductor wiring, copper, aluminum, nickel, iron, an alloy containing at least one of these, and a copper-invar copper multilayer material A heat sink material 5 formed of a selected metal material may be provided in a stacked manner, thereby improving heat dissipation.

本発明に係る配線基板の製造方法は、転写用基材１の一面にパターン状の金属膜２を形成した後、この金属膜２表面の所定位置に金属個片３を接合し、次いで前記転写用基材１の前記金属膜２及び金属個片３を設けた面に絶縁層４を前記金属膜２及び金属個片３が埋設されるように積層して形成した後、転写用基材１を剥離することにより、前記絶縁層４の同一面側に前記金属膜２にて構成される薄肉導体配線７と、互いに接合された金属膜２及び金属個片３にて構成され薄肉導体配線７よりも厚みの厚い厚肉導体配線６とを埋設させて形成することを特徴とするものである。このようにすると、絶縁層４の同一面側に、前記導体配線として、薄肉導体配線７と、前記薄肉導体配線７よりも厚みの厚い厚肉導体配線６とが設けられたフラッシュ配線基板を製造することができ、且つこの配線基板においては、薄肉導体配線７を信号系配線として形成すると共に、厚肉導体配線６を大電流を導通可能としてパワー系配線として形成することができ、一つの配線基板の同一面に信号系配線とパワー系配線とを併設することが可能となる。
また、前記厚肉導体配線６を兼ねる電子部品１０が搭載される金属製の電子部品搭載部８を形成するため、発熱量の大きいＬＥＤ等の発光素子、パワーＩＣ、パワーコンデンサ等を電子部品搭載部８に搭載することで、これらの電子部品１０からの発熱を効率よく放熱することができると共に、厚肉導体配線６を兼ねる電子部品搭載部８は、電子部品１０が搭載されると共にこの電子部品１０と電気的に接続することができ、電子部品１０が搭載される箇所を導体配線を形成するために利用することができて、配線密度をさらに向上して配線基板の更なる小型化を達成することができるものである。 In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, after a patterned metal film 2 is formed on one surface of a transfer substrate 1, a metal piece 3 is joined to a predetermined position on the surface of the metal film 2, and then the transfer is performed. After the insulating layer 4 is laminated and formed on the surface of the base material 1 for the metal film 2 and the metal piece 3 so that the metal film 2 and the metal piece 3 are embedded, the transfer base material 1 Is peeled off to form a thin conductor wiring 7 composed of the metal film 2 on the same side of the insulating layer 4 and a thin conductor wiring 7 composed of the metal film 2 and the metal piece 3 bonded to each other. The thick conductor wiring 6 having a larger thickness is embedded and formed. In this way, a flash wiring board is manufactured in which the thin conductor wiring 7 and the thick conductor wiring 6 thicker than the thin conductor wiring 7 are provided on the same surface side of the insulating layer 4 as the conductor wiring. In this wiring board, the thin conductor wiring 7 can be formed as a signal system wiring, and the thick conductor wiring 6 can be formed as a power system wiring capable of conducting a large current. Signal system wiring and power system wiring can be provided on the same surface of the substrate.
Further, in order to form a metal electronic component mounting portion 8 on which the electronic component 10 also serving as the thick conductor wiring 6 is mounted, a light emitting element such as an LED, a power IC, a power capacitor, etc. with a large amount of heat generation are mounted on the electronic component. By being mounted on the portion 8, the heat generated from these electronic components 10 can be efficiently radiated, and the electronic component mounting portion 8 also serving as the thick conductor wiring 6 has the electronic component 10 mounted thereon and the electronic component mounting portion 8. It can be electrically connected to the component 10 and can be used to form a conductor wiring at a place where the electronic component 10 is mounted, further improving the wiring density and further reducing the size of the wiring board. It can be achieved.

この配線基板の製造方法においては、上記転写用基材１を剥離した後、金属個片３に接合されている金属膜２を除去することにより、金属個片３のみにて構成される厚肉導体配線６を形成すると共に導体配線が形成されている側の面に底面が絶縁層５の表面よりも内奥に位置する凹部９を形成し、この凹部９の底面において上記厚肉導体配線６を露出させるようにしても良い。このようにすると厚肉導体配線６の両側に突出した絶縁層４によって絶縁障壁が形成され、非常に高い絶縁信頼性を得ることができる。また厚肉導体配線６において半田接続を行う場合には、厚肉導体配線６の両側に突出した絶縁層４によって半田の流出を堰き止めることができ、これによってショートサーキットを防止することができる。   In this method of manufacturing a wiring board, after the transfer substrate 1 is peeled off, the metal film 2 bonded to the metal piece 3 is removed, thereby forming a thick wall composed only of the metal piece 3. The conductor wiring 6 is formed, and a concave portion 9 whose bottom surface is located inward of the surface of the insulating layer 5 is formed on the surface on which the conductor wiring is formed, and the thick conductor wiring 6 is formed on the bottom surface of the concave portion 9. May be exposed. In this way, an insulating barrier is formed by the insulating layer 4 projecting on both sides of the thick conductor wiring 6, and very high insulation reliability can be obtained. Further, when solder connection is performed in the thick conductor wiring 6, the outflow of solder can be blocked by the insulating layers 4 protruding on both sides of the thick conductor wiring 6, thereby preventing a short circuit.

また、本発明に係る他の配線基板の製造方法は、転写用基材１の一面にパターン状の金属膜２を形成した後、この金属膜２表面の所定位置に金属個片３を接合し、次いで前記転写用基材１の前記金属膜２及び金属個片３を設けた面に仮保持層１３を前記金属膜２及び金属個片３が埋設されるように積層して形成し、次いで転写用基材１を剥離し、前記仮保持層１３の金属膜２が露出する面に絶縁層４を積層して形成した後、仮保持層１３を除去することにより、絶縁層４の同一面側に、金属膜２にて構成される薄肉導体配線７と、互いに接合された金属膜２及び金属個片３にて構成され前記薄肉導体配線７よりも厚みの厚い厚肉導体配線６とを形成することを特徴とするものである。このようにすると、絶縁層４の同一面側に、前記導体配線として、薄肉導体配線７と、前記薄肉導体配線７よりも厚みの厚い厚肉導体配線６とが積層して設けられた配線基板を製造することができ、且つこの配線基板においては、薄肉導体配線７を信号系配線として形成すると共に、厚肉導体配線６を大電流を導通可能としてパワー系配線として形成することができ、一つの配線基板の同一面に信号系配線とパワー系配線とを併設することが可能となる。
また、前記厚肉導体配線６を兼ねる電子部品１０が搭載される金属製の電子部品搭載部８を形成するため、発熱量の大きいＬＥＤ等の発光素子、パワーＩＣ、パワーコンデンサ等を電子部品搭載部８に搭載することで、これらの電子部品１０からの発熱を効率よく放熱することができると共に、厚肉導体配線６を兼ねる電子部品搭載部８は、電子部品１０が搭載されると共にこの電子部品１０と電気的に接続することができ、電子部品１０が搭載される箇所を導体配線を形成するために利用することができて、配線密度をさらに向上して配線基板の更なる小型化を達成することができるものである。 In another method for manufacturing a wiring board according to the present invention, after a patterned metal film 2 is formed on one surface of a transfer substrate 1, a metal piece 3 is bonded to a predetermined position on the surface of the metal film 2. Next, a temporary holding layer 13 is laminated and formed on the surface of the transfer substrate 1 on which the metal film 2 and the metal piece 3 are provided, so that the metal film 2 and the metal piece 3 are embedded, After the transfer substrate 1 is peeled off and the insulating layer 4 is laminated on the surface of the temporary holding layer 13 where the metal film 2 is exposed, the temporary holding layer 13 is removed, so that the same surface of the insulating layer 4 is removed. On the side, a thin conductor wiring 7 composed of the metal film 2 and a thick conductor wiring 6 composed of the metal film 2 and the metal piece 3 joined to each other and thicker than the thin conductor wiring 7 are provided. It is characterized by forming. In this way, the wiring board in which the thin conductor wiring 7 and the thick conductor wiring 6 thicker than the thin conductor wiring 7 are laminated on the same surface side of the insulating layer 4 as the conductor wiring. In this wiring board, the thin conductor wiring 7 can be formed as a signal system wiring, and the thick conductor wiring 6 can be formed as a power system wiring capable of conducting a large current. It is possible to install signal system wiring and power system wiring on the same surface of two wiring boards.
Further, in order to form a metal electronic component mounting portion 8 on which the electronic component 10 also serving as the thick conductor wiring 6 is mounted, a light emitting element such as an LED, a power IC, a power capacitor, etc. with a large amount of heat generation are mounted on the electronic component. By being mounted on the portion 8, the heat generated from these electronic components 10 can be efficiently radiated, and the electronic component mounting portion 8 also serving as the thick conductor wiring 6 has the electronic component 10 mounted thereon and the electronic component mounting portion 8. It can be electrically connected to the component 10 and can be used to form a conductor wiring at a place where the electronic component 10 is mounted, further improving the wiring density and further reducing the size of the wiring board. It can be achieved.

本発明によれば、一つの基板の同一面に信号系配線とパワー系配線とを併設すると共に、これらの配線の細線化を図ることができ、これにより配線基板の小型化が可能なものである。   According to the present invention, the signal system wiring and the power system wiring are provided on the same surface of one substrate, and the wirings can be thinned, thereby enabling the wiring board to be miniaturized. is there.

以下、本発明をその実施をするための最良の形態に基づいて説明する。   Hereinafter, the present invention will be described based on the best mode for carrying out the invention.

図１，２は、本発明に係る配線基板をフラッシュ配線基板として形成する場合の、製造工程の一例を示すものである。   1 and 2 show an example of a manufacturing process when a wiring board according to the present invention is formed as a flash wiring board.

図示のものでは、まず図１（ａ）に示すように、転写用基材１の一面にパターン状の金属膜２を形成する。この転写用基材１としては例えばステンレス製の板材を用いることができる。この転写用基材１には金属膜２との密着強度の調整のための表面処理を施しておくことが好ましく、例えば転写用基材１に対して、金属膜２が形成される面に、硝酸とフッ酸との混酸や、あるいは塩化第二鉄溶液、これに銅、塩酸等を含有させたもの等のエッチング液によりソフトエッチング処理を施すなどの化学研磨による粗化処理を施して転写用基材１と金属膜２との間の密着強度を調整することが好ましい。   In the illustrated example, first, as shown in FIG. 1A, a patterned metal film 2 is formed on one surface of a transfer substrate 1. As this transfer substrate 1, for example, a stainless steel plate can be used. The transfer substrate 1 is preferably subjected to a surface treatment for adjusting the adhesion strength with the metal film 2. For example, the surface of the transfer substrate 1 on which the metal film 2 is formed, For transfer by roughening treatment by chemical polishing such as soft etching with mixed acid of nitric acid and hydrofluoric acid or etching solution such as ferric chloride solution, copper, hydrochloric acid etc. It is preferable to adjust the adhesion strength between the substrate 1 and the metal film 2.

上記表面処理による密着強度の調整は、後述する金属個片３の接合工程や絶縁層４の形成工程等の後工程において転写用基材１と金属膜２や絶縁層４との間に剥離が発生せず、また転写用基材１を絶縁層４及び金属膜２から剥離する際には容易に剥離することができる程度となるようにする。その処理の程度は、金属膜２や絶縁層４の材質、形成方法、その他の具体的な後処理の処理条件などによって異なり、適宜調整されるべきものであるが、例えばステンレス製の厚み２０〜１５０μｍの転写用基材１に対して塩化鉄溶液等により粗化処理を施すことにより、例えば厚み３５μｍのめっき被膜により金属膜２を形成する場合に、転写用基材１の表面粗度Ｒａが０．３〜１．０μｍの範囲となるようにするなどして、転写用基材１と金属膜２との間のピール強度が５０〜２００ｇ／ｍ（０．４９〜１．９６Ｎ／ｍ）の範囲となるようにすると、上記のような特性を発揮させることができる。   The adjustment of the adhesion strength by the surface treatment described above is the separation between the transfer substrate 1 and the metal film 2 or the insulating layer 4 in a subsequent process such as a joining process of the metal pieces 3 and a forming process of the insulating layer 4 described later. In addition, when the transfer substrate 1 is peeled from the insulating layer 4 and the metal film 2, it can be easily peeled off. The degree of the treatment differs depending on the material of the metal film 2 and the insulating layer 4, the forming method, and other specific post-treatment treatment conditions, and should be appropriately adjusted. When the metal film 2 is formed by, for example, a 35 μm thick plating film by subjecting the 150 μm transfer substrate 1 to a roughening treatment with an iron chloride solution or the like, the surface roughness Ra of the transfer substrate 1 is The peel strength between the transfer substrate 1 and the metal film 2 is 50 to 200 g / m (0.49 to 1.96 N / m), for example, in a range of 0.3 to 1.0 μm. If it is in the range, the above characteristics can be exhibited.

上記の金属膜２は銅等の適宜の金属にて形成することができ、転写用基材１へのパターン状の金属膜２の形成は、めっき法により行うことができる。この金属膜２は、所望の薄肉導体配線７と厚肉導体配線６のパターン形状に形成されるものであり、また必要に応じて電子部品１０の搭載箇所に相当する位置（電子部品搭載部８）にも金属膜２を形成するものである。金属膜２の薄肉導体配線７と厚肉導体配線６に相当する部分はファインパターンに形成することが好ましく、例えば薄肉導体配線７のライン幅は２０〜２００μｍ、厚肉導体配線６のライン幅は５００〜５０００μｍの範囲に形成し、スペース幅は２０〜１０００μｍの範囲に形成することが好ましい。またこの金属膜２の厚みは５〜３５μｍの範囲に形成することが好ましい。また、電子部品１０の搭載箇所に後述する電子部品搭載部８を形成する場合には、この電子部品１０の搭載箇所にも金属膜２を、搭載される電子部品１０の寸法に応じた所望の電子部品搭載部８の寸法に形成する。   The metal film 2 can be formed of an appropriate metal such as copper, and the pattern-like metal film 2 can be formed on the transfer substrate 1 by a plating method. The metal film 2 is formed in a desired pattern shape of the thin conductor wiring 7 and the thick conductor wiring 6, and a position (electronic component mounting portion 8) corresponding to the mounting position of the electronic component 10 as necessary. ) Also forms the metal film 2. The portions corresponding to the thin conductor wiring 7 and the thick conductor wiring 6 of the metal film 2 are preferably formed in a fine pattern. For example, the line width of the thin conductor wiring 7 is 20 to 200 μm, and the line width of the thick conductor wiring 6 is It is preferable to form in the range of 500-5000 micrometers, and to form the space width in the range of 20-1000 micrometers. The thickness of the metal film 2 is preferably in the range of 5 to 35 μm. Further, when an electronic component mounting portion 8 to be described later is formed at a mounting location of the electronic component 10, the metal film 2 is also applied to the mounting location of the electronic component 10 according to a desired size according to the dimensions of the electronic component 10 to be mounted. It is formed to the dimensions of the electronic component mounting portion 8.

次に、図１（ｂ）に示すように、上記金属膜２のうち、厚肉導体配線６に相当する部位に金属個片３を接合して積層配置する。金属個片３は適宜の金属によって、平面視形状が厚肉導体配線６のパターン形状と合致するように形成される。金属個片３は、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、及び少なくともこれらのうち１種以上のものを含む合金、並びに銅インバー銅の複層材（銅、各種インバー合金、銅をこの順に積層成形して得られるクラッド材）から選ばれた金属材料にて形成することができ、この場合、必要に応じて熱伝導性の向上、反射率の向上、軽量化等の目的に応じた材料を選択することができる。金属個片３の配置位置及び配置個数は、厚肉導体配線６のパターン形状に依存するものであり、必要に応じて一個又は複数個の金属個片３が配置される。また、電子部品搭載部８を形成する場合には、金属膜２における電子部品搭載部８に相当する箇所にも、電子部品搭載部８を形成するための金属個片３を接合して積層配置する。また、このような金属個片３を複数個設ける場合には、必要に応じて互いに厚みの異なる金属個片３を設けることができる。これらの金属個片３の厚みは適宜調整されるが、厚肉導体配線６を形成するための金属個片３の厚みは３００μｍ〜３ｍｍの範囲とすることが好ましく、また電子部品搭載部８を形成するための金属個片３の厚みは５００μｍ〜５ｍｍの範囲とすることが好ましい。   Next, as shown in FIG. 1B, the metal pieces 3 are joined and laminated to a portion corresponding to the thick conductor wiring 6 in the metal film 2. The metal piece 3 is formed of an appropriate metal so that the shape in plan view matches the pattern shape of the thick conductor wiring 6. The metal piece 3 is, for example, copper, aluminum, nickel, iron, and an alloy containing at least one of these, and a copper invar copper multilayer material (copper, various invar alloys, and copper in this order) In this case, a material suitable for the purpose of improving thermal conductivity, improving reflectance, reducing weight, etc. is selected as necessary. can do. The arrangement position and the number of arrangement of the metal pieces 3 depend on the pattern shape of the thick conductor wiring 6, and one or a plurality of metal pieces 3 are arranged as necessary. Further, when the electronic component mounting portion 8 is formed, the metal pieces 3 for forming the electronic component mounting portion 8 are joined and laminated at locations corresponding to the electronic component mounting portion 8 in the metal film 2. To do. Further, when a plurality of such metal pieces 3 are provided, the metal pieces 3 having different thicknesses can be provided as necessary. Although the thickness of these metal pieces 3 is adjusted as appropriate, the thickness of the metal pieces 3 for forming the thick conductor wiring 6 is preferably in the range of 300 μm to 3 mm. The thickness of the metal piece 3 to be formed is preferably in the range of 500 μm to 5 mm.

金属個片３を金属膜２に積層配置する手法は適宜選択できるが、好ましくは半田等の低融点金属（合金）を介して溶着する。この場合、転写用基材１を金属膜２が上面側に位置するように配置した状態で、各金属個片３を半田等の低融点金属を介して金属膜２上の所定の位置に配置し、この状態でリフロー加熱することで、複数の金属個片３を一括して金属膜２上に密着するように積層配置することができる。また、このようなリフロー処理にて金属個片３を積層配置すると、金属個片３は、その形状と合致する形状の金属膜２上に、溶融した半田の表面張力によって位置決めして配置され、この状態で半田を介して金属膜２と密着して積層されるものであり、このため金属個片３を正確に位置決めして配置することができる。   Although the method of laminating and arranging the metal pieces 3 on the metal film 2 can be selected as appropriate, it is preferably welded via a low melting point metal (alloy) such as solder. In this case, each metal piece 3 is arranged at a predetermined position on the metal film 2 via a low melting point metal such as solder in a state where the transfer substrate 1 is arranged so that the metal film 2 is located on the upper surface side. And by carrying out reflow heating in this state, the several metal piece 3 can be laminated | stacked so that it may closely_contact | adhere on the metal film 2 collectively. Further, when the metal pieces 3 are stacked and arranged by such reflow treatment, the metal pieces 3 are positioned and arranged on the metal film 2 having a shape matching the shape by the surface tension of the molten solder, In this state, the metal film 2 is laminated in close contact with the solder, so that the metal pieces 3 can be positioned and arranged accurately.

このようなリフロー処理を行う場合の処理条件は適宜設定されるが、例えば低融点金属として共晶半田を用いる場合は２２０〜２８０℃で２０〜４０秒間加熱することができる。ここで、転写用基材１として予めその表面に上記のような密着性調整のための表面処理をしたものを用いれば、リフロー処理における加熱により転写用基材１と金属膜２とが剥離することを防止することができる。   The treatment conditions for performing such a reflow treatment are appropriately set. For example, when eutectic solder is used as the low melting point metal, heating can be performed at 220 to 280 ° C. for 20 to 40 seconds. Here, if the surface of the transfer substrate 1 that has been subjected to the surface treatment for adhesion adjustment as described above is used, the transfer substrate 1 and the metal film 2 are peeled off by heating in the reflow process. This can be prevented.

金属個片３の積層配置は、上記のような低融点金属による溶着を用いたものに限られず、適宜の手法を用いることができる。例えば金属個片３をアルミニウムにて形成する場合には、そのままでは半田実装が出来ないので、表面処理したものを使うか、半田実装以外の接合方法、例えばペースト材料、各種接着剤等により接合させることができる。   The stacked arrangement of the metal pieces 3 is not limited to the one using the low melting point metal welding as described above, and any appropriate technique can be used. For example, when the metal piece 3 is formed of aluminum, solder mounting cannot be performed as it is, so that a surface-treated one is used or a bonding method other than solder mounting, such as a paste material or various adhesives, is used. be able to.

また、金属膜２と金属個片３の各接合面にそれぞれ予め金被膜を形成しておけば、いわゆる金−金接合により金属膜２に金属個片３を接合することができる。すなわち、例えば金被膜を有する金属膜２に金被膜を有する金属個片３を直接重ねた状態で、加熱処理を施したり超音波振動を加えたりすることにより、接合面同士を溶着することができるものである。金被膜を形成するにあたっては、金属膜２と金属個片３とを接合する前に、例えば金属膜２と金属個片３の各接合面の最外面に、それぞれめっき処理等により金被膜を形成しておくようにすることができる。尚、このように金被膜を形成する場合には、まずめっき法等によりニッケル被膜を形成した後に、金被膜を形成するようにしても良い。   Further, if a gold film is formed in advance on each bonding surface of the metal film 2 and the metal piece 3, the metal piece 3 can be bonded to the metal film 2 by so-called gold-gold bonding. That is, for example, the joining surfaces can be welded by performing heat treatment or applying ultrasonic vibration in a state where the metal piece 3 having a gold coating is directly stacked on the metal film 2 having a gold coating. Is. In forming the gold film, before joining the metal film 2 and the metal piece 3, for example, the gold film is formed on the outermost surface of each joint surface of the metal film 2 and the metal piece 3 by plating or the like. It can be made to keep. In the case of forming the gold film in this way, the gold film may be formed after first forming the nickel film by plating or the like.

また、必要に応じて、上記金属膜２と電気的に接続するように電子部品１１を搭載する。電子部品１１としてはチップコンデンサやチップ抵抗等のチップ部品などを用いることができ、これらの電子部品１１は、通常は薄肉導体配線７に相当する金属膜２に電気的に接続するように搭載する。この場合、例えば転写用基材１を金属膜２が上面側に位置するように配置した状態で、電子部品１１を半田等の低融点金属を介して金属膜２上の所定の位置に配置し、この状態でリフロー加熱することで、電子部品１１を搭載することができる。   Moreover, the electronic component 11 is mounted so that it may electrically connect with the said metal film 2 as needed. Chip components such as chip capacitors and chip resistors can be used as the electronic components 11, and these electronic components 11 are usually mounted so as to be electrically connected to the metal film 2 corresponding to the thin conductor wiring 7. . In this case, for example, the electronic component 11 is disposed at a predetermined position on the metal film 2 via a low melting point metal such as solder in a state where the transfer base material 1 is disposed so that the metal film 2 is positioned on the upper surface side. The electronic component 11 can be mounted by reflow heating in this state.

上記の金属個片３の積層配置と電子部品１１の搭載とを行う場合には、この金属個片３の積層配置と電子部品１１の搭載とを半田リフロー処理により一括して行うことができる。すなわち、転写用基材１を金属膜２が上面側に位置するように配置した状態で、金属個片３と電子部品１１とを半田等の低融点金属を介して金属膜２上の所定の位置に配置し、この状態でリフロー加熱することで、金属個片３を積層配置すると同時に電子部品１１を搭載することができるものである。   In the case where the above-described stacking arrangement of the metal pieces 3 and the mounting of the electronic component 11 are performed, the stacking arrangement of the metal pieces 3 and the mounting of the electronic component 11 can be performed collectively by a solder reflow process. That is, in a state where the transfer substrate 1 is arranged so that the metal film 2 is positioned on the upper surface side, the metal piece 3 and the electronic component 11 are connected to a predetermined on the metal film 2 via a low melting point metal such as solder. The electronic component 11 can be mounted at the same time as the metal pieces 3 are laminated and disposed by being disposed at a position and performing reflow heating in this state.

次に、図１（ｃ）（ｄ）に示すように、転写用基材１の金属膜２が形成されている面に絶縁層４を積層して形成すると共に、この絶縁層４に上記金属膜２、金属個片３、及び電子部品１１を設けている場合には電子部品１１を埋設する。   Next, as shown in FIGS. 1C and 1D, an insulating layer 4 is formed on the surface of the transfer substrate 1 on which the metal film 2 is formed, and the metal layer is formed on the insulating layer 4. When the film 2, the metal piece 3, and the electronic component 11 are provided, the electronic component 11 is embedded.

上記絶縁層４は適宜の熱硬化性樹脂組成物や熱可塑性樹脂組成物等のような成形材料を用いて形成することができる。これらの組成物としては、フィラーを含有しないものを用いてもよいが、成形時の流動性の調整や形成される絶縁層４の熱伝導性の向上を図るためには無機フィラーを含有するものを用いることが好ましい。このような組成物は、配線基板の絶縁層４形成に適用可能な適宜の熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂に必要に応じて公知の無機フィラー、硬化剤、硬化促進剤、溶剤、表面処理剤、顔料などを添加することによって、調製することができる。   The insulating layer 4 can be formed using a molding material such as an appropriate thermosetting resin composition or a thermoplastic resin composition. As these compositions, those containing no filler may be used, but those containing an inorganic filler in order to adjust the fluidity during molding and improve the thermal conductivity of the insulating layer 4 to be formed. Is preferably used. Such a composition includes a known inorganic filler, a curing agent, a curing accelerator, a solvent, and a surface treatment agent as required for an appropriate thermosetting resin or thermoplastic resin applicable to the formation of the insulating layer 4 of the wiring board. It can be prepared by adding pigments and the like.

特に成形材料として熱硬化性樹脂組成物を用いる場合は、主成分となる熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂等を用いることができ、また、難燃性を付与するため臭素化された樹脂やリン変性された樹脂を用いることもできる。なお、添加型難燃剤を使用すると絶縁層４の耐熱性や機械的強度の低下を招くおそれがあるが、耐熱性等に影響が出ない程度であれば上記難燃剤を熱硬化性樹脂に添加して使用してもよい。   In particular, when a thermosetting resin composition is used as a molding material, for example, an epoxy resin, a phenol resin, a cyanate resin, or the like can be used as a thermosetting resin as a main component, and flame retardancy is imparted. Therefore, a brominated resin or a phosphorus-modified resin can also be used. If an additive-type flame retardant is used, the heat resistance and mechanical strength of the insulating layer 4 may be reduced. However, the flame retardant is added to the thermosetting resin as long as the heat resistance is not affected. May be used.

また、成形材料として熱硬化性樹脂組成物を用いる場合に無機フィラーを高充填することが好ましい。このように無機フィラーを高充填することによって、絶縁層４の熱伝導性をさらに高めることができ、電子部品１０からの発熱をより効率よく放散させることができると共に、絶縁層４の熱膨張係数が金属膜２や金属個片３の熱膨張係数に近付き、配線基板の熱的な信頼性を向上させることができるものである。   Moreover, when using a thermosetting resin composition as a molding material, it is preferable to highly fill an inorganic filler. Thus, by highly filling the inorganic filler, the thermal conductivity of the insulating layer 4 can be further increased, the heat generated from the electronic component 10 can be dissipated more efficiently, and the thermal expansion coefficient of the insulating layer 4 However, it approaches the thermal expansion coefficient of the metal film 2 or the metal piece 3 and can improve the thermal reliability of the wiring board.

上記の無機フィラーとしては、特に限定されるものではないが、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮ、ＳｉＯ2から選ばれるものを用いるのが好ましい。これらの無機フィラーは、その他の無機フィラーよりも熱伝導性に優れている上に、粒度分布に自由度があり、高充填化するための粒度設計を容易に行うことができるからである。なお、無機フィラーの熱硬化性樹脂への分散性を向上させるため、カップリング剤や分散剤等を併用するのが好ましい。 Examples of the inorganic filler include, but are not particularly limited, Al 2 O 3, MgO, BN, AlN, preferred to use one selected of SiO 2. This is because these inorganic fillers are superior in thermal conductivity to other inorganic fillers, have a degree of freedom in particle size distribution, and can easily design a particle size for high filling. In addition, in order to improve the dispersibility to the thermosetting resin of an inorganic filler, it is preferable to use a coupling agent, a dispersing agent, etc. together.

成形材料の形態は、特に限定されるものではないが、特に図示のようにシート状の成形材料１４を用いると、薄くて均一な厚みの絶縁層４を容易に形成することができる。シート状の成形材料１４を用いる場合には、具体的には、ＰＥＴフィルム等のような基体に成形材料を塗布してＢステージ状態とすることにより得られる接着フィルム（樹脂シート）や、ガラス布等の基材に成形材料を含浸した後Ｂステージ状態とすることにより得られるプリプレグ等を用いることができる。このようなシート状の成形材料１４を用いて絶縁層４を形成する場合には、例えばエポキシ樹脂組成物等のような熱硬化性樹脂組成物にて形成した樹脂シートやプリプレグ等のシート状の成形材料１４を用い、転写用基材１の金属膜２を形成した面に前記のようなシート状の成形材料１４を一枚又は複数枚積層し、加熱加圧して成形硬化することで絶縁層４を形成することができる。このとき加熱により溶融したシート状の成形材料１４が金属膜２等の形状に沿って流動し、金属膜２等が埋設されるものである。   The form of the molding material is not particularly limited, but the insulating layer 4 having a thin and uniform thickness can be easily formed by using a sheet-like molding material 14 as shown in the drawing. When the sheet-shaped molding material 14 is used, specifically, an adhesive film (resin sheet) obtained by applying the molding material to a substrate such as a PET film to obtain a B-stage state, or a glass cloth A prepreg or the like obtained by impregnating a base material such as a molding material into a B-stage state can be used. When the insulating layer 4 is formed using such a sheet-shaped molding material 14, for example, a sheet-shaped resin sheet or prepreg formed with a thermosetting resin composition such as an epoxy resin composition or the like. Using the molding material 14, one or a plurality of the sheet-like molding materials 14 as described above are laminated on the surface of the transfer substrate 1 on which the metal film 2 is formed, and heated and pressed to form and harden the insulating layer. 4 can be formed. At this time, the sheet-shaped molding material 14 melted by heating flows along the shape of the metal film 2 or the like, and the metal film 2 or the like is embedded.

また、成形材料として、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂に必要に応じて公知の無機フィラー、硬化剤、硬化促進剤、溶剤、表面処理剤、顔料などを添加し、混練機等を用いてスラリー化したペースト状の樹脂組成物を用いることもできる。この場合、このペースト状の樹脂組成物を、転写用基材１の金属膜２を形成した面に印刷塗布し、必要に応じて硬化成形することで絶縁層４を形成することができる。   Further, as a molding material, a known inorganic filler, curing agent, curing accelerator, solvent, surface treatment agent, pigment, etc. are added to a thermosetting resin or thermoplastic resin as necessary, and a slurry is obtained using a kneader or the like. A paste-like resin composition can be used. In this case, the insulating layer 4 can be formed by printing and applying this paste-like resin composition to the surface of the transfer substrate 1 on which the metal film 2 is formed, and curing and forming as necessary.

上記絶縁層４の厚みは、金属膜２の厚み、金属個片３の厚み、及び電子部品１０を搭載する場合はこの電子部品１０の厚みに応じて、これらの金属膜２、金属個片３、電子部品１０が絶縁層４に埋設されるように適宜調整される。このときシート状の成形材料１４を用いる場合は、シート状の成形材料１４の厚みに応じて、絶縁層４が所望の厚みになるように適宜の枚数のシート状の成形材料１４を用いて絶縁層４を形成する。また、特にこの絶縁層４の金属膜２が設けられている側とは反対側の表面と、絶縁層４に埋設されている金属個片３の金属膜２が設けられている側とは反対側の表面との間の寸法は、４０μｍ以上となるようにすることが好ましく、この厚みが４０μｍ未満であると絶縁層４に混入した気泡や金属個片３等の表面の微細な突起により絶縁不良が発生する可能性が高くなる。また、この寸法を１５０μｍ以下とすることで金属個片３にて形成される厚肉導体配線６や電子部品搭載部８からの放熱性を特に向上することができるものであり、この寸法が１５０μｍを超えると、特に電子部品搭載部８を構成する金属個片３の場合では放熱特性が低下し電子部品１０の発熱を十分に抑制することが困難となる。   The thickness of the insulating layer 4 depends on the thickness of the metal film 2, the thickness of the metal piece 3, and the thickness of the electronic component 10 when the electronic component 10 is mounted. The electronic component 10 is appropriately adjusted so as to be embedded in the insulating layer 4. In this case, when the sheet-shaped molding material 14 is used, an appropriate number of sheet-shaped molding materials 14 are insulated so that the insulating layer 4 has a desired thickness according to the thickness of the sheet-shaped molding material 14. Layer 4 is formed. In particular, the surface of the insulating layer 4 opposite to the side where the metal film 2 is provided is opposite to the side where the metal film 2 of the metal piece 3 embedded in the insulating layer 4 is provided. It is preferable that the dimension between the side surface and the surface is 40 μm or more. If the thickness is less than 40 μm, insulation is caused by air bubbles mixed in the insulating layer 4 or fine protrusions on the surface of the metal piece 3 or the like. There is a high possibility that defects will occur. Further, by setting this dimension to 150 μm or less, the heat dissipation from the thick conductor wiring 6 and the electronic component mounting portion 8 formed by the metal piece 3 can be particularly improved, and this dimension is 150 μm. Exceeding this, especially in the case of the metal piece 3 constituting the electronic component mounting portion 8, the heat dissipation characteristics are deteriorated, and it becomes difficult to sufficiently suppress the heat generation of the electronic component 10.

上記のような絶縁層４の形成は絶縁層４内における気泡発生を抑制するために真空下又は減圧雰囲気下で行うことが好ましく、例えば１．３３ｋＰａ（１０ｔｏｒｒ）以下の圧力下で行うようにする。   The formation of the insulating layer 4 as described above is preferably performed under a vacuum or a reduced-pressure atmosphere in order to suppress the generation of bubbles in the insulating layer 4, for example, under a pressure of 1.33 kPa (10 torr) or less. .

また、上記絶縁層４には、図示のように、金属膜２が形成されている側とは反対側の面に、ヒートシンク材５を積層して設けることができる。ヒートシンク材５は適宜の金属材料にて形成することができるが、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、及び少なくともこれらのうち１種以上のものを含む合金、並びに銅インバー銅の複層材から選ばれた金属材料にて形成することができ、この場合、必要に応じて熱伝導性の向上、反射率の向上、軽量化等の目的に応じた材料を選択することができる。このヒートシンク材５は、例えば平板状に形成し、これを絶縁層４の金属膜２が形成されている側とは反対側の面に全面に亘って密着して積層成形することができる。また、発熱量の大きい電子部品１０が搭載される電子部品搭載部８に相当する部位にのみヒートシンク材５を設けるようにしても良い。このヒートシンク材５の厚みは適宜調整されるが、０．５〜１０ｍｍの範囲に形成することが好ましい。   Further, as shown in the drawing, the insulating layer 4 can be provided by laminating a heat sink material 5 on the surface opposite to the side on which the metal film 2 is formed. The heat sink material 5 can be formed of an appropriate metal material, and is selected from, for example, copper, aluminum, nickel, iron, an alloy including at least one of these, and a copper invar copper multilayer material. In this case, if necessary, a material can be selected according to purposes such as improvement in thermal conductivity, improvement in reflectance, weight reduction, and the like. The heat sink material 5 is formed, for example, in a flat plate shape, and can be laminated and adhered to the entire surface of the insulating layer 4 opposite to the side on which the metal film 2 is formed. Further, the heat sink material 5 may be provided only in a portion corresponding to the electronic component mounting portion 8 on which the electronic component 10 having a large calorific value is mounted. Although the thickness of this heat sink material 5 is adjusted suitably, it is preferable to form in the range of 0.5-10 mm.

また、上記のヒートシンク材５には放熱フィン１８（図４（ｄ）、図６参照）を設けることで放熱性を更に向上することも好ましい。このとき、ヒートシンク材５を構成する金属板に放熱フィン１８を接合すると共に放熱グリース等を塗って熱的に接合させても良いが、両者の間に隙間が生じることにより放熱性が低下したり、またコストが高くなったりするおそれがある。そこで、ヒートシンク材５として放熱フィン１８を一体に形成したものを用いることが好ましく、これにより高い放熱性を発揮させると共に、厚みの増大を抑制して更なる小型化を図ることができ、また放熱フィン１８のための別部品を不要とすると共に接合作業を行う手間を省くすることができて製造コストの抑制も図ることができる。 It is also preferable to further improve the heat dissipation by providing the heat sink material 5 with heat radiation fins 18 (see FIGS. 4D and 6 ). At this time, the heat radiation fins 18 may be joined to the metal plate constituting the heat sink material 5 and may be thermally joined by applying heat radiation grease or the like. In addition, the cost may increase. Therefore, it is preferable to use the heat sink material 5 in which the heat radiating fins 18 are integrally formed. This makes it possible to achieve high heat dissipation and to further reduce the size by suppressing an increase in thickness. A separate part for the fin 18 is not required, and the labor for performing the joining work can be saved, and the manufacturing cost can be reduced.

ヒートシンク材５を設ける場合には、適宜の手法を用いることができるが、例えば図１（ｃ）（ｄ）に示すように、絶縁層４を形成する際に同時にヒートシンク材５と絶縁層４とを一体に密着して積層成形することができる。例えば上記のように絶縁層４をシート状の成形材料１４にて形成する場合には、転写用基材１の金属膜２を形成した面に前記のようなシート状の成形材料１４を一枚又は複数枚積層すると共に、更に転写用基材１とは反対側にヒートシンク材５を積層して重ね、この状態で成形材料を硬化成形することにより絶縁層４を形成すると共に、この絶縁層４に対してヒートシンク材５を密着して積層成形することができる。   When the heat sink material 5 is provided, an appropriate method can be used. For example, as shown in FIGS. 1C and 1D, when the insulating layer 4 is formed, the heat sink material 5 and the insulating layer 4 are simultaneously formed. Can be laminated and molded together. For example, when the insulating layer 4 is formed of the sheet-shaped molding material 14 as described above, the sheet-shaped molding material 14 as described above is applied to the surface of the transfer substrate 1 on which the metal film 2 is formed. Alternatively, a plurality of sheets are laminated, and further, a heat sink material 5 is laminated on the side opposite to the transfer substrate 1, and an insulating layer 4 is formed by curing and molding the molding material in this state. On the other hand, the heat sink material 5 can be adhered and laminated.

次に、転写用基材１を絶縁層４及び金属膜２の表面から剥離して除去することにより、図２（ａ）のような配線基板が得られる。転写用基材１の剥離は適宜の手法で行うことができるが、例えば転写用基材１を撓らせながら絶縁層４の端部から引き剥がすことにより行うことができる。   Next, the transfer substrate 1 is peeled off and removed from the surfaces of the insulating layer 4 and the metal film 2 to obtain a wiring substrate as shown in FIG. The transfer substrate 1 can be peeled off by an appropriate method. For example, the transfer substrate 1 can be peeled off from the end of the insulating layer 4 while being bent.

このようにして形成される配線基板は、金属膜２のみからなる薄肉導体配線７が絶縁層４の一面側に露出するように埋設して形成されており、また互いに接合された金属膜２と金属個片３とが積層してなる厚肉導体配線６が絶縁層４の前記一面側に露出するように埋設して形成されている。すなわち、薄肉導体配線７と、薄肉導体配線７よりも厚みの厚い厚肉導体配線６という、厚みの異なる導体配線が、絶縁層４の同一面側に露出するように形成されるものである。また必要に応じて互いに接合された金属膜２と金属個片３とが積層してなる電子部品搭載部８も絶縁層４の前記一面側に露出するように埋設して形成されている。また、必要に応じて前記薄肉導体配線７の所定位置と電気的に接続されたチップ抵抗やチップコンデンサ等の電子部品１１が絶縁層４に埋設して設けられている。また、ヒートシンク材５を設ける場合には、絶縁層４の、薄肉導体配線７等が露出する面とは反対側の面にヒートシンク材５が積層して設けられている。   The wiring board formed in this way is formed by being embedded so that the thin conductor wiring 7 made only of the metal film 2 is exposed on one surface side of the insulating layer 4, and the metal film 2 bonded to each other. A thick conductor wiring 6 formed by laminating the metal pieces 3 is embedded and formed so as to be exposed on the one surface side of the insulating layer 4. That is, the conductor wires having different thicknesses, that is, the thin conductor wires 7 and the thick conductor wires 6 that are thicker than the thin conductor wires 7 are formed so as to be exposed on the same surface side of the insulating layer 4. In addition, an electronic component mounting portion 8 formed by laminating the metal film 2 and the metal piece 3 bonded to each other as needed is also embedded and formed so as to be exposed on the one surface side of the insulating layer 4. Further, an electronic component 11 such as a chip resistor or a chip capacitor electrically connected to a predetermined position of the thin conductor wiring 7 is embedded in the insulating layer 4 as necessary. When the heat sink material 5 is provided, the heat sink material 5 is laminated on the surface of the insulating layer 4 opposite to the surface where the thin conductor wiring 7 and the like are exposed.

また、厚肉導体配線６については、図２（ｂ）（ｃ）に示すように金属膜２を除去することにより金属個片３のみで構成しても良い。例えば配線基板上に薄肉導体配線７を覆うようにレジスト膜１２を形成すると共に、厚肉導体配線６は露出させ、この状態でエッチング処理を施した後、前記レジスト膜１２を剥離することにより、厚肉導体配線６における金属膜２（半田等の低融点金属にて溶着している場合には更にこの低融点金属）を除去し、これにより厚肉導体配線６を金属個片３のみで構成することができる。この場合、厚肉導体配線６の表面は、絶縁層４の表面よりも除去された金属膜２の厚みの分だけ内奥側に一段下がった位置に形成されることとなり、これにより配線基板の表面には、厚肉導体配線６の形成位置に凹部９が形成されると共に、この凹部９の底面に厚肉導体配線６の表面が露出するようになる。このような凹部９を形成すると、厚肉導体配線６の両側に突出した絶縁層４によって絶縁障壁が形成され、非常に高い絶縁信頼性を得ることができる。また厚肉導体配線６において半田接続を行う場合には、厚肉導体配線６の両側に突出した絶縁層４によって半田の流出を堰き止めることができ、これによってショートサーキットを防止することができるものである。   Further, the thick conductor wiring 6 may be constituted by only the metal piece 3 by removing the metal film 2 as shown in FIGS. For example, the resist film 12 is formed so as to cover the thin conductor wiring 7 on the wiring substrate, and the thick conductor wiring 6 is exposed. After performing the etching process in this state, the resist film 12 is peeled off, The metal film 2 in the thick conductor wiring 6 (if the metal is welded with a low melting point metal such as solder, this low melting point metal) is removed, whereby the thick conductor wiring 6 is composed of only the metal pieces 3. can do. In this case, the surface of the thick conductor wiring 6 is formed at a position one step down inward from the surface of the insulating layer 4 by the thickness of the metal film 2 removed. On the surface, a recess 9 is formed at the position where the thick conductor wiring 6 is formed, and the surface of the thick conductor wiring 6 is exposed on the bottom surface of the recess 9. When such a concave portion 9 is formed, an insulating barrier is formed by the insulating layer 4 projecting on both sides of the thick conductor wiring 6, and very high insulation reliability can be obtained. Further, when solder connection is performed in the thick conductor wiring 6, the outflow of solder can be blocked by the insulating layers 4 protruding on both sides of the thick conductor wiring 6, thereby preventing a short circuit. It is.

また、金属個片３と金属膜２とで構成される電子部品搭載部８を形成する場合には、厚肉導体配線６の場合と同様にして金属膜２を除去することで、電子部品搭載部８を金属個片３のみで構成することもできる。この場合、例えば配線基板上に薄肉導体配線７を覆うようにレジスト膜１２を形成すると共に、厚肉導体配線６と電子部品搭載部８とを露出させ、この状態でエッチング処理を施すことにより厚肉導体配線６と電子部品搭載部８における金属膜２（半田等の低融点金属にて溶着している場合には更にこの低融点金属）を同時に除去した後、前記レジスト膜１２を剥離することができる。この場合、電子部品搭載部８の表面も、絶縁層４の表面よりも除去された金属膜２の厚みの分だけ内奥側に一段下がった位置に形成されることとなり、これにより配線基板の表面には、電子部品搭載部８の形成位置に凹部９が形成されると共にこの凹部９の底面に電子部品搭載部８の表面が露出することとなる。   Further, when the electronic component mounting portion 8 composed of the metal piece 3 and the metal film 2 is formed, the electronic component mounting is performed by removing the metal film 2 in the same manner as in the case of the thick conductor wiring 6. The part 8 can also be composed of only the metal piece 3. In this case, for example, a resist film 12 is formed so as to cover the thin conductor wiring 7 on the wiring board, the thick conductor wiring 6 and the electronic component mounting portion 8 are exposed, and etching is performed in this state to thereby increase the thickness. The metal film 2 (if the metal conductor 2 is welded with a low melting point metal such as solder or the like) is removed at the same time, and then the resist film 12 is peeled off. Can do. In this case, the surface of the electronic component mounting portion 8 is also formed at a position one step down inward from the surface of the insulating layer 4 by the thickness of the metal film 2 removed. On the surface, a concave portion 9 is formed at the position where the electronic component mounting portion 8 is formed, and the surface of the electronic component mounting portion 8 is exposed on the bottom surface of the concave portion 9.

このように形成される薄肉導体配線７、厚肉導体配線６、電子部品搭載部８等の露出面には、必要に応じてその一部又は全部に、めっき処理等により金被膜を形成することでワイヤボンディング性の向上等を図ることができ、またこのときまずニッケル被膜を形成した後に金被膜を形成することで、ニッケル被膜により耐食性、耐久性の向上を図ることもできる。   On the exposed surfaces of the thin conductor wiring 7, the thick conductor wiring 6, the electronic component mounting portion 8, and the like thus formed, a gold film is formed on a part or all of the exposed surface by plating or the like as necessary. In this case, the wire bondability can be improved, and at this time, by first forming the nickel coating and then forming the gold coating, the nickel coating can improve the corrosion resistance and durability.

また、金属個片３を金属膜２に接合する前に、予め金属個片３の金属膜２との接合面にめっき法等により金被膜（あるいはニッケル被膜及び金被膜）を形成しておけば、絶縁層４形成後にめっき処理等を施すことなく、厚肉導体配線６、電子部品搭載部８等の露出面に金被膜（あるいはニッケル被膜及び金被膜）が形成された状態とすることもできる。また、金属個片３を金属膜２に接合する前に、予め金属膜２の金属個片３との接合面にめっき法等により金被膜（あるいはニッケル被膜及び金被膜）を設けておけば、上記のように金属膜２を除去した際に金属個片３の露出面に金被膜が残存し、これにより絶縁層４形成後にめっき処理等を施すことなく、厚肉導体配線６、電子部品搭載部８等の露出面に金被膜が形成された状態とすることもできる。また、上記のように金属個片３と金属膜２とを金−金接合により接合する場合には、上記のように金属膜２を除去した際に、やはり金属個片３の露出面に金被膜が残存し、これにより絶縁層４形成後にめっき処理等を施すことなく、厚肉導体配線６、電子部品搭載部８等の露出面に金被膜が形成された状態とすることもできる。   Further, before the metal piece 3 is bonded to the metal film 2, a gold film (or nickel film and gold film) is previously formed on the bonding surface of the metal piece 3 with the metal film 2 by a plating method or the like. Further, a gold coating (or nickel coating and gold coating) may be formed on the exposed surfaces of the thick conductor wiring 6 and the electronic component mounting portion 8 without performing a plating process or the like after the insulating layer 4 is formed. . Further, before the metal piece 3 is bonded to the metal film 2, a gold film (or a nickel film and a gold film) is provided in advance on the joint surface of the metal film 2 with the metal piece 3 by plating or the like. When the metal film 2 is removed as described above, a gold film remains on the exposed surface of the metal piece 3, so that the thick conductor wiring 6 and the electronic component mounting can be performed without performing plating or the like after forming the insulating layer 4. It can also be set as the state in which the gold film was formed in the exposed surface of the part 8 grade | etc.,. Further, when the metal piece 3 and the metal film 2 are bonded by gold-gold bonding as described above, the metal piece 3 is also exposed on the exposed surface of the metal piece 3 when the metal film 2 is removed as described above. Thus, the coating film remains, so that the gold coating film can be formed on the exposed surfaces of the thick conductor wiring 6 and the electronic component mounting portion 8 without performing a plating process or the like after the insulating layer 4 is formed.

ここで、上記配線基板は多数個取りで形成することができ、この場合はルータ等を用いて配線基板を切断して個片化することができる。   Here, a large number of the wiring boards can be formed, and in this case, the wiring board can be cut into pieces by using a router or the like.

このように形成された配線基板には、電子部品１０をバンプ接続やワイヤボンディング接続等により薄肉導体配線７や厚肉導体配線６に電気的に接続して実装することができる。このとき電子部品搭載部８を形成している場合には、パワートランジスタやＬＥＤ等のように発熱量の大きい電子部品１０については、図２（ｄ）に示すように、電子部品搭載部８の表面にダイボンディングするなどして搭載すると共に、ワイヤボンディング等にて薄肉導体配線７や厚肉導体配線６に電気的に接続して実装することができる。   On the wiring board thus formed, the electronic component 10 can be mounted by being electrically connected to the thin conductor wiring 7 or the thick conductor wiring 6 by bump connection or wire bonding connection. At this time, when the electronic component mounting portion 8 is formed, the electronic component 10 having a large calorific value such as a power transistor or an LED, as shown in FIG. It can be mounted on the surface by die bonding or the like, and can be mounted by being electrically connected to the thin conductor wiring 7 or the thick conductor wiring 6 by wire bonding or the like.

ここで、電子部品搭載部８は、厚肉導体配線６を兼ねる配線として形成することもできる。この場合、例えば電子部品搭載部８に搭載された電子部品１０をワイヤボンディング接続等により、この電子部品１０が搭載されている電子部品搭載部８（兼厚肉導体配線６）と電気的に接続することができる。このような電子部品搭載部８を厚肉導体配線６を兼ねる配線として形成する場合は、電子部品搭載部８の露出面の最外層に金被膜を形成するなどして、この面にワイヤボンディングによりワイヤを接続することができる。   Here, the electronic component mounting portion 8 can also be formed as a wiring that also serves as the thick conductor wiring 6. In this case, for example, the electronic component 10 mounted on the electronic component mounting portion 8 is electrically connected to the electronic component mounting portion 8 (also serving as the thick conductor wiring 6) on which the electronic component 10 is mounted by wire bonding connection or the like. can do. When such an electronic component mounting portion 8 is formed as a wiring that also serves as the thick conductor wiring 6, a gold film is formed on the outermost layer of the exposed surface of the electronic component mounting portion 8, and this surface is subjected to wire bonding. Wire can be connected.

また、上記のような電子部品搭載部８には、電子部品１０として特にＬＥＤ等の光電変換素子のような発光部品１０ａを搭載する場合、図３（ａ）に示すように、座ぐり加工を施すなどしてその露出面側に開口する凹所１５を形成しても良い。この凹所１５は、その底面が電子部品１０が配置される配置部１７として形成し、この内面を反射面１６として形成することができる。反射面１６を形成する場合は、例えば凹所１５の内側面に、凹所１５の開口側ほど外側方に向かうように傾斜する反射面１６を形成することができる。このような電子部品搭載部８の配置部１７に図３（ｂ）に示すように発光部品１０ａを搭載すると、金属製の電子部品搭載部８の表面からなる反射面１６は光の反射率が非常に高いことから、発光部品１０ａからの発光が反射面１６に到達するとその大部分が反射されることとなり、これにより発光部品１０ａの発光輝度を向上することができる。また金属は光による劣化が少ないことから、耐久性の高い反射面１６が形成されるものである。また、発光部品１０ａとして特にＵＶ光（紫外線）を発するＬＥＤ等を用いる場合では、ＵＶ光を反射面１６にて反射させることでこのＵＶ光が絶縁層４の照射されることを防ぐことができ、絶縁層４がＵＶ光によって絶縁特性の低下等のような劣化が生じることを防ぐことができ、またこの絶縁層４を形成するために耐ＵＶ性の高い特殊な成形材料を用いるような必要もなくなるものである。   Further, when mounting the light emitting component 10a such as a photoelectric conversion element such as an LED as the electronic component 10 on the electronic component mounting portion 8 as described above, as shown in FIG. You may form the recess 15 opened to the exposed surface side by giving. The bottom surface of the recess 15 can be formed as an arrangement portion 17 in which the electronic component 10 is disposed, and the inner surface can be formed as the reflection surface 16. When the reflecting surface 16 is formed, for example, the reflecting surface 16 that is inclined toward the outer side toward the opening side of the recess 15 can be formed on the inner surface of the recess 15. When the light emitting component 10a is mounted on the arrangement portion 17 of the electronic component mounting portion 8 as shown in FIG. 3B, the reflective surface 16 formed of the surface of the metal electronic component mounting portion 8 has a light reflectance. Since it is very high, when the light emitted from the light emitting component 10a reaches the reflecting surface 16, most of the light is reflected, whereby the light emission luminance of the light emitting component 10a can be improved. Further, since metal is less deteriorated by light, a highly durable reflective surface 16 is formed. Further, when an LED or the like that emits UV light (ultraviolet light) is used as the light emitting component 10a, it is possible to prevent the UV light from being applied to the insulating layer 4 by reflecting the UV light on the reflecting surface 16. In addition, it is possible to prevent the insulating layer 4 from being deteriorated by UV light, such as a decrease in insulating properties, and to use the special molding material having high UV resistance to form the insulating layer 4 Will also disappear.

更に、上記凹所１５に発光部品１０ａを搭載すると共にこの凹所１５に蛍光剤を含有する封止材を充填すると、発光部品１０ａからのＵＶ光等の発光により蛍光剤を励起させて、この蛍光剤も発光させ、更なる高輝度化を達成することもでき、近年ＬＥＤ業界において検討されているＵＶ発光による高輝度化にも十分対応することができる。この場合、封止材として透明なものを用いれば、反射面１６としての機能が損なわれることなく、蛍光発光による発光輝度の更なる向上を達成することができる。   Further, when the light emitting component 10a is mounted in the recess 15 and the sealing material containing the fluorescent agent is filled in the recess 15, the fluorescent agent is excited by light emission from the light emitting component 10a, and the like. The fluorescent agent can also emit light to achieve further increase in brightness, and can sufficiently cope with the increase in brightness due to UV emission, which has been studied in the LED industry in recent years. In this case, if a transparent material is used as the sealing material, the function of the reflecting surface 16 is not impaired, and further improvement in the light emission luminance due to fluorescence can be achieved.

また、上記の凹所１５の内面、特に反射面１６にめっき処理により銀被膜を形成しておくと、反射面１６における光の反射量が増大し、更なる発光輝度の向上を達成することができる。   In addition, if a silver coating is formed on the inner surface of the recess 15, particularly the reflective surface 16 by plating, the amount of light reflected by the reflective surface 16 increases, and further improvement in light emission luminance can be achieved. it can.

また、上記のような凹所１５を形成しない場合でも、電子部品搭載部８にＬＥＤ等の発光部品１０ａを搭載した後、この発光部品１０ａの周囲に反射鏡を取り付けることで、発光輝度の向上や絶縁層４のＵＶ光による劣化抑制を図るようにしても良い。   Even when the recess 15 as described above is not formed, after the light emitting component 10a such as an LED is mounted on the electronic component mounting portion 8, a reflection mirror is attached around the light emitting component 10a, thereby improving the light emission luminance. Alternatively, the deterioration of the insulating layer 4 by UV light may be suppressed.

また、このような凹所１５を有する電子部品搭載部８に発光部品１０ａ等の電子部品１０を搭載する場合においても、この電子部品搭載部８を厚肉導体配線６を兼ねる配線として形成することができる。この場合も、例えば電子部品搭載部８に搭載された電子部品１０をワイヤボンディング接続等により、この電子部品１０が搭載されている電子部品搭載部８（兼厚肉導体配線６）と電気的に接続することができる。このような凹所１５を有する電子部品搭載部８を厚肉導体配線６を兼ねる配線として形成する場合は、電子部品搭載部８の露出面のうち、凹所１５の外側方に位置する面の最外層に金被膜を形成するなどして、この面にワイヤボンディングによりワイヤを接続することができる。   Further, even when the electronic component 10 such as the light emitting component 10 a is mounted on the electronic component mounting portion 8 having such a recess 15, the electronic component mounting portion 8 is formed as a wiring that also serves as the thick conductor wiring 6. Can do. Also in this case, for example, the electronic component 10 mounted on the electronic component mounting portion 8 is electrically connected to the electronic component mounting portion 8 (also serving as the thick conductor wiring 6) on which the electronic component 10 is mounted by wire bonding connection or the like. Can be connected. In the case where the electronic component mounting portion 8 having such a recess 15 is formed as a wiring that also serves as the thick conductor wiring 6, the exposed surface of the electronic component mounting portion 8 is a surface located on the outer side of the recess 15. A wire can be connected to this surface by wire bonding, for example, by forming a gold film on the outermost layer.

上記のように形成される配線基板は、絶縁層４の同一面側に薄肉導体配線７と厚肉導体配線６とが併設されているものであり、また厚肉導体配線６は薄肉導体配線７よりも厚みが厚く形成されているために、厚肉導体配線６の面積を大きくすることなく十分な大電流を導通させることが可能となる。これにより、薄肉導体配線７を信号系配線として形成すると共に、厚肉導体配線６を大電流を導通可能としてパワー系配線として形成することができ、一つの配線基板の同一面に信号系配線とパワー系配線とを併設することが可能となり、且つ信号系配線とパワー系配線とが併設されていても細線化が可能となって、配線基板の小型化を図ることができる。また、電子部品搭載部８に発熱量の大きい電子部品１０を搭載すると、電子部品１０からの発熱を電子部品搭載部８に速やかに伝達させることができて、放熱性を向上することができるものである。   In the wiring board formed as described above, the thin conductor wiring 7 and the thick conductor wiring 6 are provided on the same surface side of the insulating layer 4, and the thick conductor wiring 6 is the thin conductor wiring 7. Since the thickness is formed thicker than that, a sufficiently large current can be conducted without increasing the area of the thick conductor wiring 6. As a result, the thin conductor wiring 7 can be formed as a signal system wiring, and the thick conductor wiring 6 can be formed as a power system wiring so that a large current can be conducted. The power wiring can be provided, and even if the signal wiring and the power wiring are provided, the wiring can be reduced, and the wiring board can be reduced in size. In addition, when the electronic component 10 having a large calorific value is mounted on the electronic component mounting portion 8, heat generated from the electronic component 10 can be quickly transmitted to the electronic component mounting portion 8 and heat dissipation can be improved. It is.

このとき上記の薄肉導体配線７はその厚みが好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは５〜３５μｍの範囲となるように形成するものであり、また、厚肉導体配線６はその厚みが好ましくは３００μｍ以上、特に好ましくは３００μｍ〜３ｍｍの範囲となるように形成する。このようにすると、薄肉導体配線７を信号系配線として形成すると共にその配線の微細化（ファインパターン化）が可能となるものであり、また厚肉導体配線６は大電流が導通可能であり且つ放熱性の高いパワー系配線として形成することができると共にこのパワー系配線の面積やライン幅の増大を抑制して、配線の微細化に寄与することができるものである。   At this time, the thin conductor wiring 7 is formed to have a thickness of preferably 50 μm or less, particularly preferably 5 to 35 μm, and the thick conductor wiring 6 has a thickness of preferably 300 μm or more. Especially preferably, it forms so that it may become the range of 300 micrometers-3 mm. In this way, the thin conductor wiring 7 can be formed as a signal system wiring and the wiring can be made finer (fine pattern), and the thick conductor wiring 6 can conduct a large current and In addition to being able to be formed as a power system wiring with high heat dissipation, it is possible to contribute to the miniaturization of the wiring by suppressing an increase in the area and line width of the power system wiring.

また、電子部品搭載部８を設ける場合には、その厚みは５００μｍ〜５ｍｍの範囲となるように形成することが好ましく、この場合、電子部品搭載部８に大きな熱容量を付与することができて電子部品搭載部８にダイボンディング等で直付けにより搭載された電子部品１０から発せられる熱を速やかに電子部品搭載部８に搭載すると共に、この熱を電子部品１０の搭載面とは反対側の面に向けて速やかに伝達することができて、特に優れた放熱性を発揮するようになり、またこの電子部品搭載部８が絶縁層４で覆われることで優れた絶縁性を発揮する。また電子部品搭載部８の平面視寸法は、搭載される電子部品１０の寸法に応じて適宜調整されるが、電子部品１０からの発熱は理論的には下方に向けて４５度の方向へ拡散するので、この熱が拡散する領域が電子部品搭載部８の内側に収まるような寸法に形成することが好ましい。電子部品搭載部８の平面視寸法はこれよりも更に大きくしても良いが、電子部品搭載部８の増大に比して放熱性の増大はそれほど見込まれず、また基板面積の増大により配線基板の小型化を損ねたり、コストの増大を招いたりする場合がある。   Moreover, when providing the electronic component mounting part 8, it is preferable to form the thickness so that it may become the range of 500 micrometers-5 mm. In this case, a big heat capacity can be provided to the electronic component mounting part 8, and it is electronic. The heat generated from the electronic component 10 mounted directly on the component mounting portion 8 by die bonding or the like is quickly mounted on the electronic component mounting portion 8, and this heat is the surface opposite to the mounting surface of the electronic component 10. The electronic component mounting portion 8 is covered with the insulating layer 4 so as to exhibit excellent insulating properties. In addition, the planar view size of the electronic component mounting portion 8 is appropriately adjusted according to the size of the electronic component 10 to be mounted, but the heat generated from the electronic component 10 theoretically diffuses downward in a 45 degree direction. For this reason, it is preferable that the heat diffusion region be formed in such a size as to fit inside the electronic component mounting portion 8. Although the size of the electronic component mounting portion 8 in plan view may be further larger than this, an increase in heat dissipation is not expected as much as the increase in the electronic component mounting portion 8, and the increase in the board area leads to an increase in the wiring board. In some cases, downsizing may be impaired, or cost may be increased.

図４は、本実施形態にて作製することができる配線基板の例を示す。   FIG. 4 shows an example of a wiring board that can be manufactured in this embodiment.

図４（ａ）に示すものでは、絶縁層４に金属膜２が埋設されると共にこの金属膜２が絶縁層４の一面側で露出するようになっており、この金属膜２の所定の部位には、金属個片３が接合されると共にこの金属個片３は絶縁層４内に埋設されている。これにより、金属膜２のみからなる薄肉導体配線７が絶縁層４に埋設されると共に絶縁層４の一面側に露出するように形成され、また金属膜２と金属個片３とが接合して構成された厚肉導体配線６が絶縁層４に埋設されると共に絶縁層４の前記一面側に露出するように形成される。また金属膜２と金属個片３とが接合して構成された電子部品搭載部８も絶縁層４に埋設されると共に絶縁層４の前記一面側に露出するように形成されている。   4A, the metal film 2 is embedded in the insulating layer 4 and the metal film 2 is exposed on one surface side of the insulating layer 4, and a predetermined portion of the metal film 2 is exposed. In addition, the metal piece 3 is joined and the metal piece 3 is embedded in the insulating layer 4. As a result, the thin conductor wiring 7 made of only the metal film 2 is embedded in the insulating layer 4 and exposed to one surface of the insulating layer 4, and the metal film 2 and the metal piece 3 are joined to each other. The formed thick conductor wiring 6 is embedded in the insulating layer 4 and is formed so as to be exposed on the one surface side of the insulating layer 4. The electronic component mounting portion 8 formed by joining the metal film 2 and the metal piece 3 is also embedded in the insulating layer 4 and is exposed to the one surface side of the insulating layer 4.

また、図４（ｂ）に示すものでは、絶縁層４に金属膜２と金属個片３とが埋設されると共にこの金属膜２と金属個片３とが絶縁層４の一面側で露出するようになっている。これにより、金属膜２のみからなる薄肉導体配線７が絶縁層４に埋設されると共に絶縁層４の一面側に露出するように形成され、また金属個片３のみから構成された厚肉導体配線６が絶縁層４に埋設されると共に絶縁層４の前記一面側に露出するように形成される。また金属個片３のみから構成された電子部品搭載部８も絶縁層４に埋設されると共に絶縁層４の前記一面側に露出するように形成されている。また、絶縁層４には前記一面側に開口する複数の凹部９が設けられていると共に、この凹部９の底面において前記厚肉導体配線６と電子部品搭載部８とが露出するように形成されている。   4B, the metal film 2 and the metal piece 3 are embedded in the insulating layer 4, and the metal film 2 and the metal piece 3 are exposed on one surface side of the insulating layer 4. It is like that. Thereby, the thin conductor wiring 7 consisting only of the metal film 2 is formed so as to be embedded in the insulating layer 4 and exposed on one surface side of the insulating layer 4, and is also composed of only the metal piece 3. 6 is embedded in the insulating layer 4 and is exposed to the one surface side of the insulating layer 4. An electronic component mounting portion 8 composed only of the metal piece 3 is also embedded in the insulating layer 4 and is exposed on the one surface side of the insulating layer 4. The insulating layer 4 is provided with a plurality of recesses 9 that open to the one surface side, and the thick conductor wiring 6 and the electronic component mounting portion 8 are formed to be exposed at the bottom surface of the recesses 9. ing.

また、絶縁層４には、薄肉導体配線７、厚肉導体配線６及び電子部品搭載部８が露出する面とは反対側の面に、ヒートシンク材５が積層して設けられている。   The insulating layer 4 is provided with a heat sink material 5 laminated on the surface opposite to the surface from which the thin conductor wiring 7, the thick conductor wiring 6, and the electronic component mounting portion 8 are exposed.

このように形成される配線基板では、電子部品搭載部８が設けられている共に、更にヒートシンク材５が設けられていることから、高い放熱性を有するものであり、特に電子部品搭載部８に発熱量の大きい電子部品１０を搭載した場合、電子部品１０から発せられた熱が速やかに電子部品搭載部８に伝達され、更にこの熱がヒートシンク材５に伝達されて放熱されることとなり、非常に高い放熱性を有することになる。また、凹部９の底面に厚肉導体配線６と電子部品搭載部８が露出することから、厚肉導体配線６と電子部品搭載部８の両側に突出した絶縁層４によって絶縁障壁が形成されて高い絶縁信頼性が得られ、また厚肉導体配線６において半田接続を行う場合には、厚肉導体配線６の両側に突出した絶縁層４によって半田の流出を堰き止めることができ、これによってショートサーキットを防止することができる。   In the wiring board formed in this way, the electronic component mounting portion 8 is provided and the heat sink material 5 is further provided. Therefore, the wiring board has a high heat dissipation property. When the electronic component 10 having a large calorific value is mounted, the heat generated from the electronic component 10 is quickly transmitted to the electronic component mounting portion 8, and this heat is transmitted to the heat sink material 5 to be dissipated. It will have high heat dissipation. Further, since the thick conductor wiring 6 and the electronic component mounting portion 8 are exposed at the bottom surface of the recess 9, an insulating barrier is formed by the insulating layer 4 protruding on both sides of the thick conductor wiring 6 and the electronic component mounting portion 8. When high insulation reliability is obtained and solder connection is performed in the thick conductor wiring 6, the outflow of solder can be blocked by the insulating layers 4 projecting on both sides of the thick conductor wiring 6, thereby short-circuiting. Circuits can be prevented.

また、図４（ｃ）に示す配線基板は、図４（ｂ）に示すタイプの配線基板に電子部品１０を実装したものであり、電子部品搭載部８には、パワートランジスタやパワーＩＣ等のような発熱量の大きい電子部品１０がダイボンディングされて搭載されており、薄肉導体配線７や厚肉導体配線６とワイヤボンディング等により接続されている。また薄肉導体配線７に対してＩＣ等の電子部品１０がバンプ接続（表面実装）により実装されている。また厚肉導体配線６を兼ねる電子部品搭載部８も形成されており、パワートランジスタ等の電子部品１０を電源やアースに接続する場合などに、この電子部品１０を厚肉導体配線６を兼ねる電子部品搭載部８に搭載すると共にワイヤボンディング接続等により、この電子部品搭載部８と電気的に接続することができる。   The wiring board shown in FIG. 4C is obtained by mounting the electronic component 10 on the wiring board of the type shown in FIG. 4B. The electronic component mounting portion 8 includes a power transistor, a power IC, and the like. Such an electronic component 10 having a large calorific value is mounted by die bonding, and is connected to the thin conductor wiring 7 or the thick conductor wiring 6 by wire bonding or the like. An electronic component 10 such as an IC is mounted on the thin conductor wiring 7 by bump connection (surface mounting). An electronic component mounting portion 8 also serving as the thick conductor wiring 6 is formed. When the electronic component 10 such as a power transistor is connected to a power source or ground, the electronic component 10 is also used as an electronic component serving as the thick conductor wiring 6. The electronic component mounting unit 8 can be electrically connected to the electronic component mounting unit 8 by being mounted on the component mounting unit 8 and by wire bonding connection or the like.

また、図４（ｄ）に示すものでは、絶縁層４に金属膜２と金属個片３とが埋設されると共にこの金属膜２と金属個片３とが絶縁層４の一面側で露出するようになっている。これにより、金属膜２のみからなる薄肉導体配線７が絶縁層４に埋設されると共に絶縁層４の一面側に露出するように形成され、また金属個片３のみから構成された電子部品搭載部８が絶縁層４に埋設されると共に絶縁層４の前記一面側に露出するように形成される。また、この配線基板には前記一面側に開口する複数の凹部９が設けられていると共に、この凹部９の底面において前記電子部品搭載部８が露出するように形成されている。またこの電子部品搭載部８には、その露出面側に開口する凹所１５が設けられており、この凹所１５は底面が電子部品１０が配置される配置部１７として形成され、この内面が反射面１６として形成されており、前記配置部１７には電子部品１０としてＬＥＤ等の発光部品１０ａが搭載されている。また電子部品搭載部８は厚肉導体配線６を兼用するものとして形成されており、各電子部品１０は、ワイヤボンディングにより薄肉導体配線７とこの電子部品１０が搭載されている電子部品搭載部８（兼厚肉導体配線６）とに電気的に接続されている。また、この電子部品搭載部８と薄肉導体配線７との間もワイヤボンディングにより電気的に接続されている。また絶縁層４の薄肉導体配線７及び電子部品搭載部８が露出する面とは反対側の面には、放熱フィン１８を有するヒートシンク材５が積層して設けられている。   4D, the metal film 2 and the metal piece 3 are embedded in the insulating layer 4, and the metal film 2 and the metal piece 3 are exposed on one surface side of the insulating layer 4. It is like that. Thereby, the thin conductor wiring 7 made of only the metal film 2 is embedded in the insulating layer 4 and exposed on one surface side of the insulating layer 4, and the electronic component mounting portion composed only of the metal piece 3 8 is embedded in the insulating layer 4 and exposed to the one surface side of the insulating layer 4. The wiring board is provided with a plurality of recesses 9 that are open on the one surface side, and is formed so that the electronic component mounting portion 8 is exposed on the bottom surface of the recesses 9. The electronic component mounting portion 8 is provided with a recess 15 that opens to the exposed surface side. The recess 15 is formed as a placement portion 17 on the bottom surface where the electronic component 10 is disposed, and the inner surface thereof is formed. A light-emitting component 10 a such as an LED is mounted as the electronic component 10 on the placement portion 17. Further, the electronic component mounting portion 8 is formed to be used also as the thick conductor wiring 6, and each electronic component 10 has a thin conductor wiring 7 and an electronic component mounting portion 8 on which the electronic component 10 is mounted by wire bonding. It is electrically connected to (also thick conductor wiring 6). The electronic component mounting portion 8 and the thin conductor wiring 7 are also electrically connected by wire bonding. A heat sink material 5 having heat radiation fins 18 is laminated on the surface of the insulating layer 4 opposite to the surface where the thin conductor wiring 7 and the electronic component mounting portion 8 are exposed.

このように構成される配線基板では、電子部品搭載部８が設けられている共に、更に放熱フィン１８を有するヒートシンク材５が設けられていることから、高い放熱性を有するものであり、特に電子部品搭載部８に発熱量の大きい電子部品１０を搭載した場合、電子部品１０から発せられた熱が速やかに電子部品搭載部８に伝達され、更にこの熱がヒートシンク材５に伝達されて放熱フィン１８から放熱されることとなり、非常に高い放熱性を有することになる。また、凹部９の底面に厚肉導体配線６を兼ねる電子部品搭載部８が露出することから、電子部品搭載部８の両側に突出した絶縁層４によって絶縁障壁が形成されて高い絶縁信頼性が得られ、また厚肉導体配線６を兼ねる電子部品搭載部８において半田接続を行う場合には、電子部品搭載部８の両側に突出した絶縁層４によって半田の流出を堰き止めることができ、これによってショートサーキットを防止することができる。また、電子部品搭載部８に電子部品１０として発光部品１０ａを搭載すると、金属製の電子部品搭載部８の表面からなる反射面１６は光の反射率が非常に高いことから、発光部品１０ａからの発光が反射面１６に到達するとその大部分が反射されることとなり、これにより発光部品１０ａの発光輝度を向上することができる。また金属は光による劣化が少ないことから、耐久性の高い反射面１６が形成されるものである。また、発光部品１０ａとして特にＵＶ光（紫外線）を発するＬＥＤ等を用いる場合では、ＵＶ光を反射面１６にて反射させることでこのＵＶ光が絶縁層４の照射されることを防ぐことができ、絶縁層４がＵＶ光によって絶縁特性の低下等のような劣化が生じることを防ぐことができ、またこの絶縁層４を形成するために耐ＵＶ性の高い特殊な成形材料を用いるような必要もなくなるものである。   In the wiring board configured as described above, the electronic component mounting portion 8 is provided, and the heat sink material 5 having the heat radiating fins 18 is further provided. When the electronic component 10 having a large calorific value is mounted on the component mounting portion 8, the heat generated from the electronic component 10 is quickly transmitted to the electronic component mounting portion 8, and this heat is further transmitted to the heat sink material 5 to be radiated fins. The heat is dissipated from 18 and has very high heat dissipation. Further, since the electronic component mounting portion 8 that also serves as the thick conductor wiring 6 is exposed on the bottom surface of the concave portion 9, an insulating barrier is formed by the insulating layers 4 projecting on both sides of the electronic component mounting portion 8, and high insulation reliability is achieved. In the case where solder connection is performed in the electronic component mounting portion 8 that is also obtained and serves also as the thick conductor wiring 6, the outflow of solder can be blocked by the insulating layers 4 protruding on both sides of the electronic component mounting portion 8. Can prevent a short circuit. When the light emitting component 10a is mounted on the electronic component mounting portion 8 as the electronic component 10, the reflective surface 16 formed of the surface of the metal electronic component mounting portion 8 has a very high light reflectance. When the light emission reaches the reflecting surface 16, most of the light is reflected, which can improve the light emission luminance of the light emitting component 10a. Further, since metal is less deteriorated by light, a highly durable reflective surface 16 is formed. Further, when an LED or the like that emits UV light (ultraviolet light) is used as the light emitting component 10a, it is possible to prevent the UV light from being applied to the insulating layer 4 by reflecting the UV light on the reflecting surface 16. In addition, it is possible to prevent the insulating layer 4 from being deteriorated by UV light, such as a decrease in insulating properties, and to use the special molding material having high UV resistance to form the insulating layer 4 Will also disappear.

図５，６は、本発明に係る配線基板を形成する場合の製造工程の他例を示すものである。   5 and 6 show another example of the manufacturing process for forming the wiring board according to the present invention.

図示のものでは、まず図５（ａ）に示すように、転写用基材１の一面にパターン状の金属膜２を形成する。この転写用基材１としては例えばステンレス製の板材を用いることができる。この転写用基材１には金属膜２との密着強度の調整のための表面処理を施しておくことが好ましく、例えば転写用基材１に対して、金属膜２が形成される面に、硝酸とフッ酸との混酸や、あるいは塩化第二鉄溶液、これに銅、塩酸等を含有させたもの等のエッチング液によりソフトエッチング処理を施すなどの化学研磨による粗化処理を施して転写用基材１と金属膜２との間の密着強度を調整することが好ましい。   In the illustrated example, first, as shown in FIG. 5A, a patterned metal film 2 is formed on one surface of the transfer substrate 1. As this transfer substrate 1, for example, a stainless steel plate can be used. The transfer substrate 1 is preferably subjected to a surface treatment for adjusting the adhesion strength with the metal film 2. For example, the surface of the transfer substrate 1 on which the metal film 2 is formed, For transfer by roughening treatment by chemical polishing such as soft etching with mixed acid of nitric acid and hydrofluoric acid or etching solution such as ferric chloride solution, copper, hydrochloric acid etc. It is preferable to adjust the adhesion strength between the substrate 1 and the metal film 2.

上記表面処理による密着強度の調整は、後述する金属個片３の接合工程、仮保持層１３の形成工程、絶縁層４の形成工程等の後工程において転写用基材１と金属膜２や仮保持層１３との間に剥離が発生せず、また転写用基材１を仮保持層１３及び金属膜２から剥離する際には容易に剥離することができる程度となるようにする。その処理の程度は、金属膜２や仮保持層１３の材質、形成方法、その他の具体的な後処理の処理条件などによって異なり、適宜調整されるべきものであるが、例えばステンレス製の厚み２０〜１５０μｍの転写用基材１に対して塩化鉄溶液等により粗化処理を施すことにより、例えば厚み３５μｍのめっき被膜により金属膜２を形成する場合に、転写用基材１の表面粗度Ｒａが０．３〜１．０μｍの範囲となるようにするなどして、転写用基材１と金属膜２との間のピール強度が５０〜２００ｇ／ｍ（０．４９〜１．９６Ｎ／ｍ）の範囲となるようにすると、上記のような特性を発揮させることができる。   The adjustment of the adhesion strength by the surface treatment described above is performed in a post-process such as a metal piece 3 joining process, a temporary holding layer 13 forming process, and an insulating layer 4 forming process, which will be described later. Peeling does not occur with the holding layer 13, and when the transfer substrate 1 is peeled from the temporary holding layer 13 and the metal film 2, it is set so that it can be easily peeled off. The degree of the treatment varies depending on the material of the metal film 2 and the temporary holding layer 13, the formation method, and other specific post-treatment treatment conditions, and should be adjusted as appropriate. When the metal film 2 is formed with a plating film having a thickness of 35 μm, for example, by subjecting the transfer substrate 1 having a thickness of 150 μm to a roughening treatment with an iron chloride solution or the like, the surface roughness Ra of the transfer substrate 1 The peel strength between the transfer substrate 1 and the metal film 2 is 50 to 200 g / m (0.49 to 1.96 N / m), for example, by setting the value to be in the range of 0.3 to 1.0 μm. ), The above characteristics can be exhibited.

また、上記の金属膜２は、上記の図１，２に示す実施形態の場合と同様にして形成される。   The metal film 2 is formed in the same manner as in the embodiment shown in FIGS.

続いて、図１，２に示す場合と同様の手法により、図５（ｂ）に示すように、金属膜２の所定箇所に厚肉導体配線６を形成するための金属個片３を積層して接合すると共に、必要に応じて金属膜２の所定箇所に電子部品搭載部８を形成するための金属個片３を積層して接合し、また更に必要に応じて金属膜２の所定箇所に電気的に接続するようにしてチップ抵抗やチップコンデンサ等の電子部品１１を実装する。   Subsequently, by the same method as shown in FIGS. 1 and 2, the metal pieces 3 for forming the thick conductor wiring 6 are laminated at predetermined positions of the metal film 2 as shown in FIG. 5B. In addition, the metal pieces 3 for forming the electronic component mounting portion 8 are laminated and bonded to predetermined positions of the metal film 2 as necessary, and further bonded to predetermined positions of the metal film 2 as necessary. Electronic components 11 such as chip resistors and chip capacitors are mounted so as to be electrically connected.

次いで、図５（ｃ）に示すように、転写用基材１の金属膜２を形成した面に仮保持層１３を積層して形成すると共に、この仮保持層１３に上記金属膜２、金属個片３、及び電子部品１１を設けている場合には電子部品１１を埋設する。この仮保持層１３は、特定の薬剤に溶解する材質や、加熱等により容易に軟化・溶融させることが可能な材質などのように、成形後に容易に除去可能な材質にて形成するものであり、例えばエッチングレジストやめっきレジストなどとして用いられるアルカリ溶解タイプの樹脂組成物や、適宜の熱可塑性材料、ろう材等を成形して形成することができる。具体的には、例えば転写用基材１の金属膜２等が設けられている側の面に、液状のアルカリ溶解タイプの樹脂組成物（例えばＮＡＺＤＡＲ社製の印刷インキ「２２９Ｂｌｕｅ」）を、金属膜２、金属個片３、及び電子部品１１を設けている場合にはこの電子部品１１が、全て埋まるようになるまで複数回に分けて塗布、硬化を繰り返すことにより、仮保持層１３を形成すると共にその表面が平滑になるようにする。このとき仮保持層１３の形成は、仮保持層１３内における気泡発生を抑制したり、或いは電子部品１１を設けている場合には電子部品１１と転写用基材１との間の空間まで仮保持相１３を充填させるようにするために真空下又は減圧雰囲気下で行うことが好ましく、例えば１．３３ｋＰａ（１０ｔｏｒｒ）以下の圧力下で行うようにする。   Next, as shown in FIG. 5C, a temporary holding layer 13 is formed on the surface of the transfer substrate 1 on which the metal film 2 is formed, and the metal film 2 and the metal are formed on the temporary holding layer 13. When the piece 3 and the electronic component 11 are provided, the electronic component 11 is embedded. The temporary holding layer 13 is formed of a material that can be easily removed after molding, such as a material that dissolves in a specific drug or a material that can be easily softened and melted by heating or the like. For example, an alkali-soluble resin composition used as an etching resist or a plating resist, an appropriate thermoplastic material, a brazing material, or the like can be molded and formed. Specifically, for example, a liquid alkali-soluble resin composition (for example, printing ink “229Blue” manufactured by NAZDAR) is applied to the surface of the transfer substrate 1 on which the metal film 2 or the like is provided. When the film 2, the metal piece 3, and the electronic component 11 are provided, the temporary holding layer 13 is formed by repeating application and curing in a plurality of times until the electronic component 11 is completely filled. And make the surface smooth. At this time, the temporary holding layer 13 is formed by suppressing the generation of bubbles in the temporary holding layer 13, or when the electronic component 11 is provided, the space between the electronic component 11 and the transfer substrate 1 is temporarily set. In order to fill the holding phase 13, it is preferable to carry out under a vacuum or a reduced pressure atmosphere, for example, under a pressure of 1.33 kPa (10 torr) or less.

上記の仮保持層１３を形成するにあたっては適宜の手法を採用することができるが、例えばアルカリ溶解タイプの樹脂組成物を用いる場合には、例えばペースト状に調製されたアルカリ溶解タイプの樹脂組成物を転写用基材１の金属膜２を形成した面に印刷塗布し、必要に応じて硬化成形することで仮保持層１３を形成することができる。   In forming the temporary holding layer 13, an appropriate technique can be adopted. For example, when an alkali-soluble resin composition is used, for example, an alkali-soluble resin composition prepared in a paste form is used. The temporary holding layer 13 can be formed by printing and applying to the surface of the transfer substrate 1 on which the metal film 2 is formed, followed by curing as necessary.

次に、転写用基材１を仮保持層１３及び金属膜２の表面から剥離して除去する。転写用基材１の剥離は適宜の手法で行うことができるが、例えば転写用基材１を撓らせながら絶縁層４の端部から引き剥がすことにより行うことができる。このとき仮保持層１３の一面に金属膜２が露出するように形成される。   Next, the transfer substrate 1 is peeled off from the surfaces of the temporary holding layer 13 and the metal film 2 and removed. The transfer substrate 1 can be peeled off by an appropriate method. For example, the transfer substrate 1 can be peeled off from the end of the insulating layer 4 while being bent. At this time, the metal film 2 is formed so as to be exposed on one surface of the temporary holding layer 13.

このように形成される仮保持層１３は、後述する絶縁層４を形成する前に、金属膜２及び金属個片３を保持してその配置位置を固定する機能を有し、これにより後工程において絶縁層４の同一面に厚みの異なる導体配線を形成することを可能とする。   The temporary holding layer 13 formed in this way has a function of holding the metal film 2 and the metal pieces 3 and fixing their arrangement positions before forming an insulating layer 4 to be described later. It is possible to form conductor wirings having different thicknesses on the same surface of the insulating layer 4.

次に、図６（ａ）（ｂ）に示すように、仮保持層１３の金属膜２が露出する面側に、絶縁層４を積層して形成する。上記絶縁層４は上記の場合と同様の適宜の熱硬化性樹脂組成物や熱可塑性樹脂組成物等のような成形材料を用いて形成することができ、また上記の場合と同様に接着フィルム（樹脂シート）や、プリプレグ等のシート状の成形材料１４や、ペースト状に調製されたもの等のように適宜の形態のものが用いられる。   Next, as shown in FIGS. 6A and 6B, the insulating layer 4 is laminated and formed on the surface of the temporary holding layer 13 where the metal film 2 is exposed. The insulating layer 4 can be formed using a molding material such as an appropriate thermosetting resin composition or a thermoplastic resin composition similar to the above case, and an adhesive film ( Resin sheet), a sheet-like molding material 14 such as a prepreg, or a material having an appropriate form such as a paste prepared.

絶縁層４を形成するにあたっては適宜の手法が用いられるが、例えばシート状の成形材料１４を用いる場合は、仮保持層１３の金属膜２が露出する面に前記のようなシート状の成形材料１４を一枚又は複数枚積層し、加熱加圧して成形硬化することで絶縁層４を形成することができる。   In forming the insulating layer 4, an appropriate method is used. For example, when a sheet-shaped molding material 14 is used, the sheet-shaped molding material as described above is formed on the surface of the temporary holding layer 13 where the metal film 2 is exposed. The insulating layer 4 can be formed by laminating one or a plurality of 14, heating and pressurizing and curing.

また、成形材料としてペースト状の樹脂組成物を用いる場合は、このペースト状の樹脂組成物を、仮保持層１３の金属膜２が露出する面に印刷塗布し、必要に応じて硬化成形することで絶縁層４を形成することができる。またこの絶縁層４の形成は絶縁層４内における気泡発生を抑制するために真空下又は減圧雰囲気下で行うことが好ましく、例えば１．３３ｋＰａ（１０ｔｏｒｒ）以下の圧力下で行うようにする。   When a paste-like resin composition is used as a molding material, the paste-like resin composition is printed on the surface of the temporary holding layer 13 where the metal film 2 is exposed, and is cured and molded as necessary. Thus, the insulating layer 4 can be formed. The formation of the insulating layer 4 is preferably performed in a vacuum or a reduced pressure atmosphere in order to suppress the generation of bubbles in the insulating layer 4, for example, under a pressure of 1.33 kPa (10 torr) or less.

上記絶縁層４の厚みは特に制限されるものではないが、４０〜１５０μｍの範囲とすることが好ましい。   The thickness of the insulating layer 4 is not particularly limited, but is preferably in the range of 40 to 150 μm.

また、上記絶縁層４には、図示のように、金属膜２が形成されている側とは反対側の面に、ヒートシンク材５を積層して設けることができる。ヒートシンク材５としては上記のものと同様のものを形成することができる。   Further, as shown in the drawing, the insulating layer 4 can be provided by laminating a heat sink material 5 on the surface opposite to the side on which the metal film 2 is formed. As the heat sink material 5, the same one as described above can be formed.

ヒートシンク材５を設ける場合には、適宜の手法を用いることができるが、例えば絶縁層４を形成する際に同時にヒートシンク材５と絶縁層４とを一体に密着して積層成形することができる。例えば上記のように絶縁層４をシート状の成形材料１４にて形成する場合には、仮保持層１３の金属膜２が露出する面に前記のようなシート状の成形材料１４を一枚又は複数枚積層すると共に、更に仮保持層１３とは反対側にヒートシンク材５を積層して重ね、この状態で成形材料を硬化成形することにより絶縁層４を形成すると共に、この絶縁層４に対してヒートシンク材５を密着して積層成形することができる。   When the heat sink material 5 is provided, an appropriate method can be used. For example, when the insulating layer 4 is formed, the heat sink material 5 and the insulating layer 4 can be integrally adhered and laminated. For example, when the insulating layer 4 is formed of the sheet-shaped molding material 14 as described above, one sheet-shaped molding material 14 as described above is formed on the surface of the temporary holding layer 13 where the metal film 2 is exposed. In addition to stacking a plurality of sheets, a heat sink material 5 is stacked on the opposite side of the temporary holding layer 13 and stacked. In this state, the molding material is cured to form an insulating layer 4. Thus, the heat sink material 5 can be adhered and laminated.

このヒートシンク材５は、上記図１，２に示す実施形態の場合と同様の材質にて形成することができる。またこの図６に示す例では、ヒートシンク材５として放熱フィン１８が設けられたものを用いており、これにより放熱性を更に向上することができる。 The heat sink material 5 can be formed of the same material as in the embodiment shown in FIGS. In the example shown in FIG. 6 , the heat sink material 5 provided with the heat radiation fins 18 is used, whereby the heat radiation performance can be further improved.

次に、図６（ｃ）に示すように、仮保持層１３をその材質に応じた手法により除去する。すなわち、例えば仮保持層１３をアルカリ溶解タイプの樹脂組成物の成形体にて形成する場合には、仮保持層１３をアルカリ性溶液にて処理することにより溶解除去し、また仮保持層１３を熱可塑性材料やろう材等の成形体にて形成している場合には仮保持層１３を加熱するなどして軟化・溶融させることにより除去し、配線基板を得る。   Next, as shown in FIG. 6C, the temporary holding layer 13 is removed by a method according to the material. That is, for example, when the temporary holding layer 13 is formed of a molded body of an alkali-soluble resin composition, the temporary holding layer 13 is dissolved and removed by treating with an alkaline solution, and the temporary holding layer 13 is heated. When formed of a molded body such as a plastic material or a brazing material, the temporary holding layer 13 is removed by being softened and melted by heating or the like to obtain a wiring board.

このようにして形成される配線基板は、金属膜２のみからなる薄肉導体配線７が絶縁層４の一面側に露出するように積層して形成されており、また金属膜２と金属個片３とが積層してなる厚肉導体配線６が絶縁層４の前記一面側に露出するように積層して形成されている。すなわち、薄肉導体配線７と、薄肉導体配線７よりも厚みの厚い厚肉導体配線６という、厚みの異なる導体配線が、絶縁層４の同一面側に露出するように形成されるものである。また必要に応じて金属膜２と金属個片３とが積層してなる電子部品搭載部８も絶縁層４の前記一面側に露出するように積層して形成されている。また、必要に応じて前記薄肉導体配線７の所定位置と電気的に接続されたチップ抵抗やチップコンデンサ等の電子部品１１が絶縁層４から露出するように設けられている。また、ヒートシンク材５を設ける場合には、絶縁層４の、薄肉導体配線７等が露出する面とは反対側の面にヒートシンク材５が積層して設けられている。   The wiring board formed in this way is formed by laminating so that the thin conductor wiring 7 consisting only of the metal film 2 is exposed on one surface side of the insulating layer 4, and the metal film 2 and the metal piece 3. Are laminated so as to be exposed on the one surface side of the insulating layer 4. That is, the conductor wires having different thicknesses, that is, the thin conductor wires 7 and the thick conductor wires 6 that are thicker than the thin conductor wires 7 are formed so as to be exposed on the same surface side of the insulating layer 4. Further, the electronic component mounting portion 8 formed by laminating the metal film 2 and the metal piece 3 is also laminated so as to be exposed on the one surface side of the insulating layer 4 as necessary. Further, if necessary, an electronic component 11 such as a chip resistor or a chip capacitor electrically connected to a predetermined position of the thin conductor wiring 7 is provided so as to be exposed from the insulating layer 4. When the heat sink material 5 is provided, the heat sink material 5 is laminated on the surface of the insulating layer 4 opposite to the surface where the thin conductor wiring 7 and the like are exposed.

このように形成される薄肉導体配線７、厚肉導体配線６、電子部品搭載部８等の露出面には、必要に応じてその一部又は全部に、めっき処理等により金被膜を形成することでワイヤボンディング性の向上等を図ることができ、またこのときまずニッケル被膜を形成した後に金被膜を形成することで、ニッケル被膜により耐食性、耐久性の向上を図ることもできる。   On the exposed surfaces of the thin conductor wiring 7, the thick conductor wiring 6, the electronic component mounting portion 8, and the like thus formed, a gold film is formed on a part or all of the exposed surface by plating or the like as necessary. In this case, the wire bondability can be improved, and at this time, by first forming the nickel coating and then forming the gold coating, the nickel coating can improve the corrosion resistance and durability.

また、仮保持層１３を形成する前、例えば金属膜２と金属個片３とを接合する前に、金属膜２における薄肉導体配線７の露出面となる面や、金属個片３における厚肉導体配線や電子部品搭載部８の露出面となる面に、予め金被膜を形成したり、ニッケル被膜、金被膜を順次形成したりしておけば、仮保持層１３を除去した後にめっき処理等を施すことなく、薄肉導体配線７、厚肉導体配線６、電子部品搭載部８等の露出面に金被膜が形成された状態とすることができる。このとき、例えば金属膜２と金属個片３とを接合する前に、金属膜２に金被膜（又はニッケル被膜及び金被膜）を形成すると共に、金属個片３には厚肉導体配線や電子部品搭載部８の露出面となる面と、金属膜２との接合面の最外面に金被膜（又はニッケル被膜及び金被膜）を形成しておくこともでき、この場合は、金被膜を、上記のように金属個片３と金被膜２とを金−金接合するために利用することもできる。   Further, before forming the temporary holding layer 13, for example, before joining the metal film 2 and the metal piece 3, the surface that becomes the exposed surface of the thin conductor wiring 7 in the metal film 2 or the thick wall in the metal piece 3. If a gold film is formed in advance on the conductive wiring or the exposed surface of the electronic component mounting portion 8, or if a nickel film and a gold film are sequentially formed, a plating process or the like is performed after the temporary holding layer 13 is removed. Without applying the above, it is possible to obtain a state in which a gold film is formed on the exposed surfaces of the thin conductor wiring 7, the thick conductor wiring 6, the electronic component mounting portion 8, and the like. At this time, for example, before joining the metal film 2 and the metal piece 3, a gold film (or nickel film and gold film) is formed on the metal film 2, and the metal piece 3 has a thick conductor wiring or an electron. A gold coating (or nickel coating and gold coating) can also be formed on the outer surface of the joint surface with the metal film 2 and the exposed surface of the component mounting portion 8. As described above, the metal piece 3 and the gold coating 2 can be used for gold-gold bonding.

ここで、上記配線基板は多数個取りで形成することができ、この場合はルータ等を用いて配線基板を切断して個片化することができる。   Here, a large number of the wiring boards can be formed, and in this case, the wiring board can be cut into pieces by using a router or the like.

このように形成された配線基板には、電子部品１０をバンプ接続やワイヤボンディング接続等により薄肉導体配線７や厚肉導体配線６に電気的に接続して実装することができる。このとき電子部品搭載部８を形成している場合には、パワートランジスタやＬＥＤ等のように発熱量の大きい電子部品１０については、電子部品搭載部８の表面にダイボンディングするなどして搭載すると共に、ワイヤボンディング等にて薄肉導体配線７や厚肉導体配線６に電気的に接続して実装することができる。   On the wiring board thus formed, the electronic component 10 can be mounted by being electrically connected to the thin conductor wiring 7 or the thick conductor wiring 6 by bump connection or wire bonding connection. In this case, when the electronic component mounting portion 8 is formed, the electronic component 10 having a large calorific value, such as a power transistor or LED, is mounted on the surface of the electronic component mounting portion 8 by die bonding or the like. At the same time, the thin conductor wiring 7 and the thick conductor wiring 6 can be electrically connected and mounted by wire bonding or the like.

ここで、電子部品搭載部８は、厚肉導体配線６を兼ねる配線として形成することもできる。この場合、例えば電子部品搭載部８に搭載された電子部品１０をワイヤボンディング接続等により、この電子部品１０が搭載されている電子部品搭載部８（兼厚肉導体配線６）と電気的に接続することができる。このような電子部品搭載部８を厚肉導体配線６を兼ねる配線として形成する場合は、電子部品搭載部８の露出面の最外層に金被膜を形成するなどして、この面にワイヤボンディングによりワイヤを接続することができる。   Here, the electronic component mounting portion 8 can also be formed as a wiring that also serves as the thick conductor wiring 6. In this case, for example, the electronic component 10 mounted on the electronic component mounting portion 8 is electrically connected to the electronic component mounting portion 8 (also serving as the thick conductor wiring 6) on which the electronic component 10 is mounted by wire bonding connection or the like. can do. When such an electronic component mounting portion 8 is formed as a wiring that also serves as the thick conductor wiring 6, a gold film is formed on the outermost layer of the exposed surface of the electronic component mounting portion 8, and this surface is subjected to wire bonding. Wire can be connected.

また、上記のような電子部品搭載部８には、図１，２に示すものと同様に、電子部品１０として特にＬＥＤ等の光電変換素子のような発光部品１０ａを搭載する場合、座ぐり加工を施すなどしてその露出面側に開口する凹所１５を形成しても良い。このような電子部品搭載部８の配置部１７に発光部品１０ａを搭載すると、金属製の電子部品搭載部８の表面からなる反射面１６は光の反射率が非常に高いことから、発光部品１０ａからの発光が反射面１６に到達するとその大部分が反射されることとなり、これにより発光部品１０ａの発光輝度を向上することができる。また金属は光による劣化が少ないことから、耐久性の高い反射面１６が形成されるものである。また、発光部品１０ａとして特にＵＶ光（紫外線）を発するＬＥＤ等を用いる場合では、ＵＶ光を反射面１６にて反射させることでこのＵＶ光が絶縁層４の照射されることを防ぐことができ、絶縁層４がＵＶ光によって絶縁特性の低下等のような劣化が生じることを防ぐことができ、またこの絶縁層４を形成するために耐ＵＶ性の高い特殊な成形材料を用いるような必要もなくなるものである。   Further, in the same manner as shown in FIGS. 1 and 2, when mounting a light emitting component 10 a such as a photoelectric conversion element such as an LED as the electronic component 10 on the electronic component mounting portion 8 as described above, a spot facing process is performed. For example, the recess 15 may be formed on the exposed surface side. When the light emitting component 10a is mounted on the arrangement portion 17 of the electronic component mounting portion 8 as described above, the reflection surface 16 formed from the surface of the metal electronic component mounting portion 8 has a very high light reflectance. When the light emitted from the light reaches the reflecting surface 16, most of the light is reflected, whereby the light emission luminance of the light emitting component 10a can be improved. Further, since metal is less deteriorated by light, a highly durable reflective surface 16 is formed. Further, when an LED or the like that emits UV light (ultraviolet light) is used as the light emitting component 10a, it is possible to prevent the UV light from being applied to the insulating layer 4 by reflecting the UV light on the reflecting surface 16. In addition, it is possible to prevent the insulating layer 4 from being deteriorated by UV light, such as a decrease in insulating properties, and to use the special molding material having high UV resistance to form the insulating layer 4 Will also disappear.

更に、上記１，２に示す場合と同様に、上記凹所１５に発光部品１０ａを搭載すると共にこの凹所１５に蛍光剤を含有する封止材を充填すると、発光部品１０ａからのＵＶ光等の発光により蛍光剤を励起させて、この蛍光剤も発光させ、更なる高輝度化を達成することもでき、近年ＬＥＤ業界において検討されているＵＶ発光による高輝度化にも十分対応することができる。この場合、封止材として透明なものを用いれば、反射面１６としての機能が損なわれることなく、蛍光発光による発光輝度の更なる向上を達成することができる。   Further, as in the case shown in the above 1 and 2, when the light emitting component 10a is mounted in the recess 15 and a sealing material containing a fluorescent agent is filled in the recess 15, UV light from the light emitting component 10a, etc. It is possible to excite the fluorescent agent by the emission of light, and to make this fluorescent agent also emit light to achieve further increase in brightness, and it can sufficiently cope with the increase in brightness by UV light emission that has been studied in the LED industry in recent years. it can. In this case, if a transparent material is used as the sealing material, the function of the reflecting surface 16 is not impaired, and further improvement in the light emission luminance due to fluorescence can be achieved.

また、上記の凹所１５の内面、特に反射面１６にめっき処理により銀被膜を形成しておくと、反射面１６における光の反射量が増大し、更なる発光輝度の向上を達成することができる。   In addition, if a silver coating is formed on the inner surface of the recess 15, particularly the reflective surface 16 by plating, the amount of light reflected by the reflective surface 16 increases, and further improvement in light emission luminance can be achieved. it can.

また、上記のような凹所１５を形成しない場合でも、電子部品搭載部８にＬＥＤ等の発光部品１０ａを搭載した後、この発光部品１０ａの周囲に反射鏡を取り付けることで、発光輝度の向上や絶縁層４のＵＶ光による劣化抑制を図るようにしても良い。   Even when the recess 15 as described above is not formed, after the light emitting component 10a such as an LED is mounted on the electronic component mounting portion 8, a reflection mirror is attached around the light emitting component 10a, thereby improving the light emission luminance. Alternatively, the deterioration of the insulating layer 4 by UV light may be suppressed.

また、このような凹所１５を有する電子部品搭載部８に発光部品１０ａ等の電子部品１０を搭載する場合においても、この電子部品搭載部８を厚肉導体配線６を兼ねる配線として形成することができる。この場合も、例えば電子部品搭載部８に搭載された電子部品１０をワイヤボンディング接続等により、この電子部品１０が搭載されている電子部品搭載部８（兼厚肉導体配線６）と電気的に接続することができる。このような凹所１５を有する電子部品搭載部８を厚肉導体配線６を兼ねる配線として形成する場合は、電子部品搭載部８の露出面のうち、凹所１５の外側方に位置する面の最外層に金被膜を形成するなどして、この面にワイヤボンディングによりワイヤを接続することができる。   Further, even when the electronic component 10 such as the light emitting component 10 a is mounted on the electronic component mounting portion 8 having such a recess 15, the electronic component mounting portion 8 is formed as a wiring that also serves as the thick conductor wiring 6. Can do. Also in this case, for example, the electronic component 10 mounted on the electronic component mounting portion 8 is electrically connected to the electronic component mounting portion 8 (also serving as the thick conductor wiring 6) on which the electronic component 10 is mounted by wire bonding connection or the like. Can be connected. In the case where the electronic component mounting portion 8 having such a recess 15 is formed as a wiring that also serves as the thick conductor wiring 6, the exposed surface of the electronic component mounting portion 8 is a surface located on the outer side of the recess 15. A wire can be connected to this surface by wire bonding, for example, by forming a gold film on the outermost layer.

上記のように形成される配線基板は、絶縁層４の同一面側に薄肉導体配線７と厚肉導体配線６とが併設されているものであり、また厚肉導体配線６は薄肉導体配線７よりも厚みが厚く形成されているために、厚肉導体配線６の面積を大きくすることなく十分な大電流を導通させることが可能となる。これにより、薄肉導体配線７を信号系配線として形成すると共に、厚肉導体配線６を大電流を導通可能としてパワー系配線として形成することができ、一つの配線基板の同一面に信号系配線とパワー系配線とを併設することが可能となり、且つ信号系配線とパワー系配線とが併設されていても細線化が可能となって、配線基板の小型化を図ることができる。また、電子部品搭載部８に発熱量の大きい電子部品１０を搭載すると、電子部品１０からの発熱を電子部品搭載部８に速やかに伝達させることができて、放熱性を向上することができるものである。   In the wiring board formed as described above, the thin conductor wiring 7 and the thick conductor wiring 6 are provided on the same surface side of the insulating layer 4, and the thick conductor wiring 6 is the thin conductor wiring 7. Since the thickness is formed thicker than that, a sufficiently large current can be conducted without increasing the area of the thick conductor wiring 6. As a result, the thin conductor wiring 7 can be formed as a signal system wiring, and the thick conductor wiring 6 can be formed as a power system wiring so that a large current can be conducted. The power wiring can be provided, and even if the signal wiring and the power wiring are provided, the wiring can be reduced, and the wiring board can be reduced in size. In addition, when the electronic component 10 having a large calorific value is mounted on the electronic component mounting portion 8, heat generated from the electronic component 10 can be quickly transmitted to the electronic component mounting portion 8 and heat dissipation can be improved. It is.

このとき上記の薄肉導体配線７はその厚みが好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは５〜３５μｍの範囲となるように形成するものであり、また、厚肉導体配線６はその厚みが好ましくは３００μｍ以上、特に好ましくは３００μｍ〜３ｍｍの範囲となるように形成する。このようにすると、薄肉導体配線７を信号系配線として形成すると共にその配線の微細化（ファインパターン化）が可能となるものであり、また厚肉導体配線６は大電流が導通可能であり且つ放熱性の高いパワー系配線として形成することができると共にこのパワー系配線の面積やライン幅の増大を抑制して、配線の微細化に寄与することができるものである。   At this time, the thin conductor wiring 7 is formed to have a thickness of preferably 50 μm or less, particularly preferably 5 to 35 μm, and the thick conductor wiring 6 has a thickness of preferably 300 μm or more. Especially preferably, it forms so that it may become the range of 300 micrometers-3 mm. In this way, the thin conductor wiring 7 can be formed as a signal system wiring and the wiring can be made finer (fine pattern), and the thick conductor wiring 6 can conduct a large current and In addition to being able to be formed as a power system wiring with high heat dissipation, it is possible to contribute to the miniaturization of the wiring by suppressing an increase in the area and line width of the power system wiring.

また、電子部品搭載部８を設ける場合には、その厚みは５００μｍ〜５ｍｍの範囲となるように形成することが好ましく、この場合、電子部品搭載部８に大きな熱容量を付与することができて電子部品搭載部８にダイボンディング等で直付けにより搭載された電子部品１０から発せられる熱を速やかに電子部品搭載部８に搭載すると共に、この熱を電子部品１０の搭載面とは反対側の面に向けて速やかに伝達することができて、特に優れた放熱性を発揮するようになり、またこの電子部品搭載部８が絶縁層４で覆われることで優れた絶縁性を発揮する。また電子部品搭載部８の平面視寸法は、搭載される電子部品１０の寸法に応じて適宜調整されるが、電子部品１０からの発熱は理論的には下方に向けて４５度の方向へ拡散するので、この熱が拡散する領域が電子部品搭載部８の内側に収まるような寸法に形成することが好ましい。電子部品搭載部８の平面視寸法はこれよりも更に大きくしても良いが、電子部品搭載部８の増大に比して放熱性の大きな増大は見込まれず、また基板面積の増大により配線基板の小型化を損ねたり、コストの増大を招いたりする場合がある。   Moreover, when providing the electronic component mounting part 8, it is preferable to form the thickness so that it may become the range of 500 micrometers-5 mm. In this case, a big heat capacity can be provided to the electronic component mounting part 8, and it is electronic. The heat generated from the electronic component 10 mounted directly on the component mounting portion 8 by die bonding or the like is quickly mounted on the electronic component mounting portion 8, and this heat is the surface opposite to the mounting surface of the electronic component 10. The electronic component mounting portion 8 is covered with the insulating layer 4 so as to exhibit excellent insulating properties. In addition, the planar view size of the electronic component mounting portion 8 is appropriately adjusted according to the size of the electronic component 10 to be mounted, but the heat generated from the electronic component 10 theoretically diffuses downward in a 45 degree direction. For this reason, it is preferable that the heat diffusion region be formed in such a size as to fit inside the electronic component mounting portion 8. The size of the electronic component mounting portion 8 in plan view may be larger than this, but a large increase in heat dissipation is not expected as compared with the increase in the electronic component mounting portion 8, and the increase in the board area increases the wiring board. In some cases, downsizing may be impaired, or cost may be increased.

本発明についての更に具体的な実施例を以下に説明する。   More specific examples of the present invention will be described below.

（実施例１）
厚み１００μｍのステンレス製の転写用基材１を、塩化第２鉄溶液に銅、塩酸等を混入させたエッチング液にて処理することで表面を粗化した後、パターンめっき処理により銅製の厚み３５μｍの金属膜２をパターン状に形成した。 Example 1
The surface of the transfer substrate 1 made of stainless steel having a thickness of 100 μm is roughened by treating it with an etching solution in which copper, hydrochloric acid, etc. are mixed in a ferric chloride solution, and then the thickness of the copper made is 35 μm by pattern plating. The metal film 2 was formed in a pattern.

次に、厚肉導体配線６と電子部品搭載部８とを形成するための銅製の厚み２ｍｍの複数の金属個片３を打ち抜き形成し、これらを金属膜２上の所定位置に半田リフロー処理により接合した。   Next, a plurality of copper metal pieces 3 having a thickness of 2 mm for forming the thick conductor wiring 6 and the electronic component mounting portion 8 are formed by punching, and these are formed at predetermined positions on the metal film 2 by solder reflow processing. Joined.

一方、樹脂シートを次のようにして形成した。まず、エポキシ樹脂１００重量部、ジシアンジアミド（硬化剤）５重量部、２−エチル−４−メチルイミダゾール（硬化促進剤）０．１重量部、エポキシシランカップリング剤１０重量部、メチルエチルケトン及びジメチルフォルムアミドからなる溶剤（ＭＥＫ：ＤＭＦ＝１：２（重量比））７０重量部をあらかじめ混合して溶解させた溶液を準備した。次に、この溶液にさらに平均粒径５μｍのアルミナフィラー（無機フィラー）７００重量部を混合し、これをディスパーで撹拌することにより、固形分９３質量％、粘度３０００ｃｐｓ（ｃＰ）のスラリーとした。そしてこのスラリーをＰＥＴフィルムの上に塗布し、これを１５０℃で１０分間乾燥することによって、厚み１００μｍの接着性を有するＢステージ状態の樹脂シート（無機フィラー８５質量％含有）を作製した。   On the other hand, the resin sheet was formed as follows. First, 100 parts by weight of epoxy resin, 5 parts by weight of dicyandiamide (curing agent), 0.1 part by weight of 2-ethyl-4-methylimidazole (curing accelerator), 10 parts by weight of epoxy silane coupling agent, methyl ethyl ketone and dimethylformamide A solution was prepared by previously mixing 70 parts by weight of a solvent (MEK: DMF = 1: 2 (weight ratio)). Next, 700 parts by weight of an alumina filler (inorganic filler) having an average particle size of 5 μm was further mixed with this solution, and this was stirred with a disper to obtain a slurry having a solid content of 93 mass% and a viscosity of 3000 cps (cP). And this slurry was apply | coated on PET film, this was dried at 150 degreeC for 10 minute (s), and the resin sheet (85 mass% of inorganic filler containing) of the B-stage state which has 100 micrometers in thickness adhesiveness was produced.

次に、厚み１ｍｍのアルミニウム板からなるヒートシンク材５を、上記転写用基材１における金属膜２及び金属個片３が設けられた面と対向させて配置すると共に、その間に２０枚の上記樹脂シートを介在させるように積層し、６．６７ｈＰａ（５ｔｏｒｒ）以下の減圧雰囲気下で、実圧０．２９ＭＰａ（３ｋｇｆ／ｃｍ2）をかけながら、１３０℃で１０分処理した後、１７５℃で６０分処理することで加熱加圧成形し、次いで転写用基材１を手で剥ぎ取った。 Next, the heat sink material 5 made of an aluminum plate having a thickness of 1 mm is disposed so as to face the surface of the transfer substrate 1 on which the metal film 2 and the metal pieces 3 are provided, and 20 pieces of the resin are interposed therebetween. The sheets were laminated so as to interpose them, and were treated at 130 ° C. for 10 minutes under a reduced pressure atmosphere of 6.67 hPa (5 torr) or less while applying an actual pressure of 0.29 MPa (3 kgf / cm 2 ). The material was heat-pressed by partial treatment, and then the transfer substrate 1 was peeled off by hand.

次に、絶縁層４の表面に露出する金属膜２を、金属個片３が接合されている部位を除いてエッチングレジストにて被覆し、金属膜２の露出する部分をエッチング処理により除去した。   Next, the metal film 2 exposed on the surface of the insulating layer 4 was covered with an etching resist except for the portion where the metal pieces 3 were joined, and the exposed portion of the metal film 2 was removed by an etching process.

これにより、金属膜２のみにて構成される薄肉導体配線７と、金属個片３のみで構成される厚肉導体配線６と、金属個片３のみで構成される電子部品搭載部８とを絶縁層４に埋設すると共にその同一面側を露出させ、また厚肉導体配線６と電子部品搭載部８の露出面は配線基板の凹部９の底部に露出するように形成され、且つ絶縁層４の他面側にヒートシンク材５が積層成形された配線基板を得た。   Thereby, the thin conductor wiring 7 constituted only by the metal film 2, the thick conductor wiring 6 constituted only by the metal piece 3, and the electronic component mounting portion 8 constituted only by the metal piece 3. It is embedded in the insulating layer 4 and the same surface side is exposed, and the exposed surface of the thick conductor wiring 6 and the electronic component mounting portion 8 is formed to be exposed at the bottom of the concave portion 9 of the wiring board, and the insulating layer 4 A wiring board in which the heat sink material 5 was laminated and formed on the other surface side was obtained.

そして、この配線基板をルータにより切断して個片化した。   The wiring board was cut into pieces by a router.

（実施例２）
厚み１００μｍのステンレス製の転写用基材１を、塩化第２鉄溶液に銅、塩酸等を混入させたエッチング液にて処理することで表面を粗化した後、パターンめっき処理により厚み０．１μｍの金被膜、厚み０．５μｍのニッケル被膜、厚み１８μｍの銅被膜を順次積層して金属膜２を形成した。 (Example 2)
The surface of the transfer substrate 1 made of stainless steel having a thickness of 100 μm is roughened by treating it with an etching solution in which copper, hydrochloric acid, etc. are mixed in a ferric chloride solution, and then the thickness is 0.1 μm by pattern plating. A metal film 2 was formed by sequentially laminating a gold film, a nickel film having a thickness of 0.5 μm, and a copper film having a thickness of 18 μm.

次に、厚肉導体配線６と電子部品搭載部８とを形成するための銅製の厚み２ｍｍの複数の金属個片３を打ち抜き形成し、これにめっき処理を施して厚み０．５μｍのニッケル被膜、厚み０．１μｍの金被膜を順次形成し、この金属個片３を金属膜２上の所定位置に、金−金接合により接合した。   Next, a plurality of 2 mm thick metal pieces 3 made of copper for forming the thick conductor wiring 6 and the electronic component mounting portion 8 are formed by punching, and this is plated to form a nickel coating having a thickness of 0.5 μm. Then, a gold film having a thickness of 0.1 μm was sequentially formed, and the metal pieces 3 were bonded to predetermined positions on the metal film 2 by gold-gold bonding.

一方、プリプレグを次のようにして形成した。まず、エポキシ樹脂１００重量部、ジシアンジアミド（硬化剤）６重量部、２−エチル−４−メチルイミダゾール（硬化促進剤）０．３重量部、エポキシシランカップリング剤２重量部、メチルエチルケトン及びジメチルフォルムアミドからなる溶剤（ＭＥＫ：ＤＭＦ＝１：２（重量比））７０重量部をあらかじめ混合して溶解させて樹脂ワニスを調製した。この樹脂ワニスをガラス不織布に含浸させた後、１５０℃で１０分間乾燥することによって、厚み３００μｍの接着性を有するＢステージ状態のプリプレグを作製した。   On the other hand, a prepreg was formed as follows. First, 100 parts by weight of epoxy resin, 6 parts by weight of dicyandiamide (curing agent), 0.3 part by weight of 2-ethyl-4-methylimidazole (curing accelerator), 2 parts by weight of epoxy silane coupling agent, methyl ethyl ketone and dimethylformamide A resin varnish was prepared by previously mixing and dissolving 70 parts by weight of a solvent consisting of (MEK: DMF = 1: 2 (weight ratio)). The resin varnish was impregnated into a glass nonwoven fabric and then dried at 150 ° C. for 10 minutes to prepare a B-stage prepreg having a thickness of 300 μm.

次に、厚み１ｍｍのアルミニウム板に放熱フィン１８を設けたヒートシンク材５を、上記転写用基材１における金属膜２及び金属個片３が設けられた面と対向させて配置すると共に、その間に７枚の上記樹脂シートを介在させるように積層し、６．６７ｈＰａ（５ｔｏｒｒ）以下の減圧雰囲気下で、実圧０．２９ＭＰａ（３ｋｇｆ／ｃｍ2）をかけながら、１３０℃で１０分処理した後、１７５℃で６０分処理することで加熱加圧成形し、次いで転写用基材１を手で剥ぎ取った。 Next, the heat sink material 5 provided with the heat radiation fins 18 on the aluminum plate having a thickness of 1 mm is disposed so as to face the surface of the transfer base material 1 on which the metal film 2 and the metal piece 3 are provided. After laminating the above seven resin sheets and treating them at 130 ° C. for 10 minutes under a reduced pressure atmosphere of 6.67 hPa (5 torr) and applying an actual pressure of 0.29 MPa (3 kgf / cm 2 ). The substrate was heated and pressed by treatment at 175 ° C. for 60 minutes, and then the transfer substrate 1 was peeled off by hand.

次に、絶縁層４の表面に露出する金属膜２を、金属個片３が接合されている部位を除いてエッチングレジストにて被覆し、金属膜２の露出する部分をエッチング処理により除去した。   Next, the metal film 2 exposed on the surface of the insulating layer 4 was covered with an etching resist except for the portion where the metal pieces 3 were joined, and the exposed portion of the metal film 2 was removed by an etching process.

これにより、金属膜２のみにて構成される薄肉導体配線７と、金属個片３のみで構成される厚肉導体配線６と、金属個片３のみで構成される電子部品搭載部８とを絶縁層４に埋設すると共にその同一面側を露出させ、また厚肉導体配線６と電子部品搭載部８の露出面は配線基板の凹部９の底部に露出するように形成され、且つ絶縁層４の他面側に放熱フィン１８を有するヒートシンク材５が積層成形された配線基板を得た。   Thereby, the thin conductor wiring 7 constituted only by the metal film 2, the thick conductor wiring 6 constituted only by the metal piece 3, and the electronic component mounting portion 8 constituted only by the metal piece 3. It is embedded in the insulating layer 4 and the same surface side is exposed, and the exposed surface of the thick conductor wiring 6 and the electronic component mounting portion 8 is formed to be exposed at the bottom of the concave portion 9 of the wiring board, and the insulating layer 4 A wiring board in which the heat sink material 5 having the heat radiation fins 18 on the other surface side was laminated and formed was obtained.

そして、この配線基板をルータにより切断して個片化した。   The wiring board was cut into pieces by a router.

（実施例３）
実施例１において、ヒートシンク材５としてアルミニウム製のものに代えて銅製のものを用いた以外は、実施例１と同様にして、配線基板を形成した。 (Example 3)
In Example 1, a wiring board was formed in the same manner as in Example 1 except that the heat sink material 5 was made of copper instead of aluminum.

この配線基板における電子部品搭載部８に座ぐり加工を施すことで、電子部品搭載部８の露出面側に平面視円形状に開口する凹所１５を形成し、この凹所１５の底面の配置部１７にＬＥＤを搭載し、ワイヤボンディング法により二つの電極のうち一方を制御系配線に接続すると共に他方をＬＥＤが搭載されている電子部品搭載部８（兼厚肉導体配線６）に接続した。   The electronic component mounting portion 8 of this wiring board is counterbored to form a recess 15 that opens in a circular shape in plan view on the exposed surface side of the electronic component mounting portion 8. An LED is mounted on the portion 17, and one of the two electrodes is connected to the control system wiring by the wire bonding method, and the other is connected to the electronic component mounting portion 8 (also serving as the thick conductor wiring 6) on which the LED is mounted. .

（実施例４）
厚み１００μｍのステンレス製の転写用基材１を、塩化第２鉄溶液に銅、塩酸等を混入させたエッチング液にて処理することで表面を十分に粗化した後、パターンめっき処理により銅製の厚み３５μｍのパターン状の金属膜２を、転写用基材１との間のピール強度が２００ｇ／ｃｍとなるように形成した。 Example 4
The surface of the transfer substrate 1 made of stainless steel having a thickness of 100 μm is sufficiently roughened by treating it with an etching solution in which copper, hydrochloric acid, etc. are mixed in a ferric chloride solution, and then made of copper by pattern plating. A patterned metal film 2 having a thickness of 35 μm was formed so that the peel strength with the transfer substrate 1 was 200 g / cm.

次に、厚肉導体配線６と電子部品搭載部８とを形成するための銅製の厚み３００μｍの複数の金属個片３を打ち抜き形成し、これらを金属膜２上の所定位置に半田リフロー処理により接合した。   Next, a plurality of copper metal pieces 3 having a thickness of 300 μm for forming the thick conductor wiring 6 and the electronic component mounting portion 8 are formed by punching, and these are formed at predetermined positions on the metal film 2 by solder reflow processing. Joined.

次に、一般的にエッチングレジストとして使用されているアルカリ溶解タイプの樹脂組成物（ＮＡＺＤＡＲ社製のスクリーン印刷インキ「２２９Ｂｌｕｅ」）を用い、これを転写用基材１の金属膜２が形成されている側の面に６．６７ｈＰａ（５ｔｏｒｒ）以下の減圧雰囲気下で塗布した後に１５０℃で５分間加熱乾燥する操作を繰り返すことにより、仮保持層１３を形成すると共にこの仮保持層１３の内部に金属膜２及び金属個片３を埋設した。次いで、仮保持層１３の冷却後、仮保持層１３及び金属膜２から転写用基材１を手で引き剥がした。   Next, an alkali-soluble resin composition (screen printing ink “229Blue” manufactured by NAZDAR), which is generally used as an etching resist, is used to form the metal film 2 of the transfer substrate 1. The temporary holding layer 13 is formed by repeating the operation of applying to the surface on the side where the pressure is reduced to 6.67 hPa (5 torr) or less and then drying by heating at 150 ° C. for 5 minutes to form the temporary holding layer 13. A metal film 2 and metal pieces 3 were embedded. Next, after the temporary holding layer 13 was cooled, the transfer substrate 1 was peeled off from the temporary holding layer 13 and the metal film 2 by hand.

一方、樹脂シートを次のようにして形成した。まず、エポキシ樹脂１００重量部、ジシアンジアミド（硬化剤）５重量部、２−エチル−４−メチルイミダゾール（硬化促進剤）０．１重量部、エポキシシランカップリング剤１０重量部、メチルエチルケトン及びジメチルフォルムアミドからなる溶剤（ＭＥＫ：ＤＭＦ＝１：２（重量比））７０重量部をあらかじめ混合して溶解させた溶液を準備した。次に、この溶液にさらに平均粒径５μｍのアルミナフィラー（無機フィラー）７００重量部を混合し、これをディスパーで撹拌することにより、固形分９３質量％、粘度３０００ｃｐｓ（ｃＰ）のスラリーとした。そしてこのスラリーをＰＥＴフィルムの上に塗布し、これを１５０℃で１０分間乾燥することによって、厚み１００μｍの接着性を有するＢステージ状態の樹脂シート（無機フィラー８５質量％含有）を作製した。   On the other hand, the resin sheet was formed as follows. First, 100 parts by weight of epoxy resin, 5 parts by weight of dicyandiamide (curing agent), 0.1 part by weight of 2-ethyl-4-methylimidazole (curing accelerator), 10 parts by weight of epoxy silane coupling agent, methyl ethyl ketone and dimethylformamide A solution was prepared by previously mixing 70 parts by weight of a solvent (MEK: DMF = 1: 2 (weight ratio)). Next, 700 parts by weight of an alumina filler (inorganic filler) having an average particle size of 5 μm was further mixed with this solution, and this was stirred with a disper to obtain a slurry having a solid content of 93 mass% and a viscosity of 3000 cps (cP). And this slurry was apply | coated on PET film, this was dried at 150 degreeC for 10 minute (s), and the resin sheet of B stage state (85 mass% of inorganic filler containing) which has adhesiveness of 100 micrometers in thickness was produced.

次に、厚み２ｍｍのアルミニウム板からなるヒートシンク材５を、上記仮保持層１３における金属膜２が露出する面と対向させて配置すると共に、その間に１枚の上記樹脂シートを介在させるように積層し、６．６７ｈＰａ（５ｔｏｒｒ）以下の減圧雰囲気下で、実圧０．２９ＭＰａ（３ｋｇｆ／ｃｍ2）をかけながら、１３０℃で１０分処理した後、１７５℃で６０分処理することで加熱加圧成形した。 Next, the heat sink material 5 made of an aluminum plate having a thickness of 2 mm is disposed so as to face the surface of the temporary holding layer 13 where the metal film 2 is exposed, and is laminated so that one resin sheet is interposed therebetween. Then, in a reduced pressure atmosphere of 6.67 hPa (5 torr) or less, while applying an actual pressure of 0.29 MPa (3 kgf / cm 2 ), it was treated at 130 ° C. for 10 minutes, and then treated at 175 ° C. for 60 minutes for heating. Press molded.

次に、アルカリエッチングにより仮保持層１３を溶解除去し、これにより、金属膜２のみにて構成される薄肉導体配線７と、金属膜２及び金属個片３で構成される厚肉導体配線６と、金属膜２及び金属個片３で構成される電子部品搭載部８が絶縁層４の一面側に積層して形成されると共に、絶縁層４の他面側に放熱フィン１８を有するヒートシンク材５が積層して形成された配線基板を得た。   Next, the temporary holding layer 13 is dissolved and removed by alkali etching, whereby the thin conductor wiring 7 constituted only by the metal film 2 and the thick conductor wiring 6 constituted by the metal film 2 and the metal pieces 3 are obtained. And an electronic component mounting portion 8 composed of the metal film 2 and the metal piece 3 is laminated on one surface side of the insulating layer 4 and has a heat radiation fin 18 on the other surface side of the insulating layer 4. A wiring board formed by laminating 5 was obtained.

そして、この配線基板をルータにより切断して個片化した。   The wiring board was cut into pieces by a router.

以上のような各実施例により、一つの配線基板の同一面に信号系配線とパワー系配線とを併設することができ、且つ信号系配線とパワー系配線とが併設されていても細線化が可能となって、小型化された配線基板を得ることができた。また、電子部品搭載部８に発熱量の大きい電子部品１０を搭載すると、電子部品１０からの発熱を電子部品搭載部８に速やかに伝達させ、或いは更にヒートシンク材に伝達させて放熱することができ、配線基板の放熱性を向上することができた。   According to each of the embodiments described above, the signal system wiring and the power system wiring can be provided on the same surface of one wiring board, and even if the signal system wiring and the power system wiring are provided, the thinning can be achieved. It was possible to obtain a miniaturized wiring board. Further, when the electronic component 10 having a large calorific value is mounted on the electronic component mounting portion 8, heat generated from the electronic component 10 can be quickly transmitted to the electronic component mounting portion 8 or further transmitted to the heat sink material for heat dissipation. The heat dissipation of the wiring board could be improved.

本発明の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ）から（ｄ）は概略の断面図である。FIG. 1 shows an example of an embodiment of the present invention, and (a) to (d) are schematic cross-sectional views. 本発明の実施の形態の一例における、図１に続く工程を示すものであり、（ａ）から（ｄ）は概略の断面図である。FIG. 2 shows a step following FIG. 1 in an example of the embodiment of the present invention, wherein (a) to (d) are schematic cross-sectional views. 本発明の実施の形態の他例を示すものであり、（ａ）（ｂ）は概略の断面図である。The other example of embodiment of this invention is shown, (a) (b) is a schematic sectional drawing. 本発明に係る配線基板の例を示すものであり、（ａ）から（ｄ）は概略の断面図である。The example of the wiring board which concerns on this invention is shown, (a)-(d) is schematic sectional drawing. 本発明の実施の形態の更に他例を示すものであり、（ａ）から（ｃ）は概略の断面図である。Another example of embodiment of this invention is shown, (a)-(c) is a schematic sectional drawing. 本発明の実施の形態の更に他例における、図５に続く工程を示すものであり、（ａ）から（ｃ）は概略の断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing steps subsequent to FIG. 5 in still another example of the embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ 転写用基材
２ 金属膜
３ 金属個片
４ 絶縁層
５ ヒートシンク材
６ 厚肉導体配線
７ 薄肉導体配線
８ 電子部品搭載部
９ 凹部
１０ 電子部品
１０ａ 発光部品
１３ 仮保持層
１５ 凹所
１６ 反射面
１７ 配置部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transfer base material 2 Metal film 3 Metal piece 4 Insulating layer 5 Heat sink material 6 Thick conductor wiring 7 Thin conductor wiring 8 Electronic component mounting part 9 Recess 10 Electronic component 10a Light emitting component 13 Temporary holding layer 15 Recess 16 Reflecting surface 17 Placement section

Claims (5)

転写用基材の一面にパターン状の金属膜を形成した後、この金属膜の表面の所定位置に金属個片を接合し、次いで前記転写用基材の前記金属膜及び金属個片を設けた面に絶縁層を前記金属膜及び金属個片が埋設されるように積層して形成した後、転写用基材を剥離することにより、前記絶縁層の同一面側に金属膜のみにて構成される薄肉導体配線と、互いに接合された金属膜及び金属個片にて構成され薄肉導体配線よりも厚みの厚い厚肉導体配線とを埋設させて形成すると共に前記厚肉導体配線を兼ねる電子部品が搭載される金属製の電子部品搭載部を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。   After forming a patterned metal film on one surface of the transfer substrate, a metal piece was bonded to a predetermined position on the surface of the metal film, and then the metal film and the metal piece of the transfer substrate were provided. After the insulating layer is formed on the surface by laminating the metal film and the metal pieces so as to be embedded, the transfer base material is peeled off, so that only the metal film is formed on the same surface side of the insulating layer. An electronic component that is formed by embedding a thin conductor wiring and a thick conductor wiring that is composed of metal films and metal pieces bonded to each other and is thicker than the thin conductor wiring. A method of manufacturing a wiring board, comprising forming a metal electronic component mounting portion to be mounted. 請求項１において、上記転写用基材を剥離した後、金属個片に接合されている金属膜を除去することにより、金属個片のみにて構成される厚肉導体配線を形成すると共に導体配線が形成されている側の面に底面が絶縁層の表面よりも内奥に位置する凹部を形成し、この凹部の底面において上記厚肉導体配線を露出させることを特徴とする配線基板の製造方法。 2. The method according to claim 1, wherein after the transfer substrate is peeled off, the metal film bonded to the metal piece is removed, thereby forming a thick conductor wiring composed only of the metal piece and the conductor wiring. A method of manufacturing a wiring board comprising: forming a recess having a bottom surface located inward of the surface of the insulating layer on the surface on which the thick conductor is formed; and exposing the thick conductor wiring at the bottom surface of the recess . 転写用基材の一面にパターン状の金属膜を形成した後、この金属膜の表面の所定位置に金属個片を接合し、次いで前記転写用基材の前記金属膜及び金属個片を設けた面に仮保持層を前記金属膜及び金属個片が埋設されるように積層して形成し、次いで転写用基材を剥離し、前記仮保持層の金属膜が露出する面に絶縁層を積層して形成した後、仮保持層を除去することにより、絶縁層の同一面側に、金属膜にて構成される薄肉導体配線と、互いに接合された金属膜及び金属個片にて構成され前記薄肉導体配線よりも厚みの厚い厚肉導体配線とを形成すると共に前記厚肉導体配線を兼ねる電子部品が搭載される金属製の電子部品搭載部を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。   After forming a patterned metal film on one surface of the transfer substrate, a metal piece was bonded to a predetermined position on the surface of the metal film, and then the metal film and the metal piece of the transfer substrate were provided. A temporary holding layer is laminated on the surface so that the metal film and the metal pieces are embedded, and then the transfer substrate is peeled off, and an insulating layer is laminated on the surface of the temporary holding layer where the metal film is exposed. After forming, the temporary holding layer is removed, and on the same surface side of the insulating layer, the thin conductor wiring composed of a metal film, and the metal film and the metal piece joined to each other are used. A method of manufacturing a wiring board, comprising: forming a metal conductor mounting portion on which a thick conductor wiring thicker than a thin conductor wiring is formed and an electronic component also serving as the thick conductor wiring is mounted . 請求項１から３のいずれかに記載の方法にて製造された配線基板に、電子部品を実装することを特徴とする配線基板の製造方法。 請 from Motomeko 1 to the wiring board manufactured by the method according to any one of 3, method for manufacturing a wiring substrate characterized in that for mounting electronic components. 電子部品搭載部の表面に電子部品を直付けにより搭載すると共に、電子部品をワイヤボンディングにて薄肉導体配線又は厚肉導体配線に電気的に接続することを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。 5. The wiring according to claim 4 , wherein the electronic component is mounted directly on the surface of the electronic component mounting portion, and the electronic component is electrically connected to the thin conductor wiring or the thick conductor wiring by wire bonding. A method for manufacturing a substrate.
JP2004128942A 2004-04-23 2004-04-23 Wiring board manufacturing method Expired - Fee Related JP4534575B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004128942A JP4534575B2 (en) 2004-04-23 2004-04-23 Wiring board manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004128942A JP4534575B2 (en) 2004-04-23 2004-04-23 Wiring board manufacturing method

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009277684A Division JP5010669B2 (en) 2009-12-07 2009-12-07 Wiring board and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005311202A JP2005311202A (en) 2005-11-04
JP4534575B2 true JP4534575B2 (en) 2010-09-01

Family

ID=35439586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004128942A Expired - Fee Related JP4534575B2 (en) 2004-04-23 2004-04-23 Wiring board manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4534575B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010056576A (en) * 2009-12-07 2010-03-11 Panasonic Electric Works Co Ltd Wiring substrate and manufacturing method thereof
JP7540785B2 (en) 2022-08-31 2024-08-27 株式会社羽野製作所 Method for manufacturing printed wiring board

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4631785B2 (en) * 2006-04-06 2011-02-16 パナソニック電工株式会社 Metal base circuit board, manufacturing method thereof, mounted component, and module
TWI437938B (en) * 2007-03-01 2014-05-11 Ajinomoto Kk A method of manufacturing a circuit board, a subsequent thin film to which a metal film is attached, and a circuit board
JP5087048B2 (en) * 2009-06-25 2012-11-28 パナソニック株式会社 Circuit board with integrated heat dissipation components
JP7339231B2 (en) * 2015-11-19 2023-09-05 マクセル株式会社 Substrates for semiconductor devices, semiconductor devices

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59145594A (en) * 1983-02-09 1984-08-21 ホモフア−ベルデザイン株式会社 Method of forming printed circuit
JPS59227185A (en) * 1983-06-07 1984-12-20 日立化成工業株式会社 Method of producing printed circuit board
JPS6372193A (en) * 1986-09-13 1988-04-01 松下電工株式会社 Circuit board
JPS63182886A (en) * 1987-01-24 1988-07-28 松下電工株式会社 Printed wiring board and manufacture of the same
JPH02159789A (en) * 1988-12-14 1990-06-19 Meiko Denshi Kogyo Kk Manufacture of printed wiring board
JPH1168263A (en) * 1997-08-18 1999-03-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electronic circuit board
JP2001053421A (en) * 1999-08-10 2001-02-23 Katsurayama Technol:Kk Smooth printed wiring board and its manufacturing method
JP2001217511A (en) * 2000-02-02 2001-08-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Heat-conductive substrate and its manufacturing method
JP2002204043A (en) * 2000-10-31 2002-07-19 Kyocera Corp Circuit board and its manufacturing method
JP2004039691A (en) * 2002-06-28 2004-02-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Heat conduction wiring board for led lighting device, led lighting device using the same, and method of manufacturing them

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59145594A (en) * 1983-02-09 1984-08-21 ホモフア−ベルデザイン株式会社 Method of forming printed circuit
JPS59227185A (en) * 1983-06-07 1984-12-20 日立化成工業株式会社 Method of producing printed circuit board
JPS6372193A (en) * 1986-09-13 1988-04-01 松下電工株式会社 Circuit board
JPS63182886A (en) * 1987-01-24 1988-07-28 松下電工株式会社 Printed wiring board and manufacture of the same
JPH02159789A (en) * 1988-12-14 1990-06-19 Meiko Denshi Kogyo Kk Manufacture of printed wiring board
JPH1168263A (en) * 1997-08-18 1999-03-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electronic circuit board
JP2001053421A (en) * 1999-08-10 2001-02-23 Katsurayama Technol:Kk Smooth printed wiring board and its manufacturing method
JP2001217511A (en) * 2000-02-02 2001-08-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Heat-conductive substrate and its manufacturing method
JP2002204043A (en) * 2000-10-31 2002-07-19 Kyocera Corp Circuit board and its manufacturing method
JP2004039691A (en) * 2002-06-28 2004-02-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Heat conduction wiring board for led lighting device, led lighting device using the same, and method of manufacturing them

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010056576A (en) * 2009-12-07 2010-03-11 Panasonic Electric Works Co Ltd Wiring substrate and manufacturing method thereof
JP7540785B2 (en) 2022-08-31 2024-08-27 株式会社羽野製作所 Method for manufacturing printed wiring board

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005311202A (en) 2005-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4085917B2 (en) Circuit components for high thermal conductivity light emitting devices and high heat dissipation modules
JP4392157B2 (en) WIRING BOARD SHEET MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND MULTILAYER BOARD AND ITS MANUFACTURING METHOD
US7394663B2 (en) Electronic component built-in module and method of manufacturing the same
JPH10173097A (en) Sheetlike substance for heat conductive substrate, its manufacture, heat conductive substrate using it and its manufacture
JP6027001B2 (en) Heat dissipation circuit board
US7491895B2 (en) Wiring substrate and method of fabricating the same
JP2011044593A (en) Led substrate and led package
JP2000012723A (en) Circuit board mounting structure and multilayer circuit board therefor
JP5025399B2 (en) Wiring board and manufacturing method thereof
US8487192B2 (en) Printed wiring board and method for manufacturing the same
JP4925296B2 (en) Method for manufacturing high thermal conductivity circuit module and high thermal conductivity circuit module
US20060193108A1 (en) Circuit device and manufacturing method thereof
JP5010669B2 (en) Wiring board and manufacturing method thereof
JP4534575B2 (en) Wiring board manufacturing method
JP2002246542A (en) Power module and manufacturing method therefor
JPH11340367A (en) Multilayer wiring board and its manufacture
JP4421081B2 (en) Power module and manufacturing method thereof
US10477692B2 (en) Printed board, light source device, semiconductor device, and methods of manufacturing same
JP2005072382A (en) Lead frame substrate for heat dissipation and manufacturing method therefor, and semiconductor device
JP3982233B2 (en) Wiring board manufacturing sheet material and multilayer board
KR20060134512A (en) Manufacturing method for embedded printed circuit board
JP2010021420A (en) Substrate for mounting light-emitting element, light-emitting element panel, light-emitting element package, and method of manufacturing substrate for mounting light-emitting element
JP2006080003A (en) Reflector for illumination device, its manufacturing method, illumination device using this, and its manufacturing method
JP3969370B2 (en) Manufacturing method of high thermal conductivity circuit components
JP5101418B2 (en) Light emitting element mounting substrate, light emitting element panel, light emitting element package, and method for manufacturing light emitting element mounting substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090821

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091006

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100406

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100426

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100525

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100607

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4534575

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees