JP4528954B1 - 導電性試料の比熱容量及び半球全放射率の測定方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】導電性試料に通電して急速加熱し、該試料を目標温度Tmに到達させるステップ、目標温度に到達直後に該電流を変化させ、その直後の温度変化率dT/dt、試料を流れる電流I、試料の電圧降下Vの測定データから異なる該電流に対応する複数のXとYの値を次のXとYの関係式により算出するステップ、
により比熱容量cp及び半球全放射率εtを算出するステップを含む。
【選択図】図6
Description
(1)古典的なパルス通電加熱技術を利用した熱量法(非特許文献1参照)
(2)フィードバック制御パルス通電加熱技術を利用した熱量法(非特許文献2参照)
(3)試料の温度分布を考慮したパルス通電加熱技術を利用した熱量法(非特許文献3、4参照)
以下簡単に紹介する。
また、温度分布を考慮したパルス通電加熱技術を利用した熱量法による半球全放射率の測定方法は、(2)の技術を発展させた方法である。この方法では、電流のフィードバック制御により試料温度を一定に保持した上で同時に測定される電気抵抗率の値から算出される実効的な温度の変動に対応するエンタルピー減少や伝導熱損失の効果を考慮した解析により半球全放射率を算出する(非特許文献4)。
パルス通電加熱法により試料を急速加熱する際、導電性試料を流れる電流は大きく時間変動する場合が多い。電流の時間変化は、電磁干渉ノイズを発生させ、試料と標準抵抗におけるそれぞれの電圧降下の測定に大きな誤差を与えることがある。
図3にモリブデン試料をパルス通電加熱した際の試料の観測温度Tp(試料中心部を放射温度計で観測した値)と電気抵抗率の時間変化を示す。図3中の2本の白線は、試料の昇温時と降温時それぞれの電気抵抗率測定結果についての近似曲線を示す。この測定では、加熱開始から約2×105μsの時間経過後に急速加熱を停止しており、その直前直後における試料の昇温時と降温時の電気抵抗率(ρhとρc)を比較すると系統的な差が存在することが判る。電気抵抗率は試料の温度が同じであれば一致するはずなので、このような電気抵抗率の違いは、試料及び標準抵抗の電圧降下の測定値に何らかの誤差が含まれることを明示している。渡辺と松本は、その誤差要因として電圧降下の測定機器のゼロ点補正の誤りのような常に一定の値で測定値に含まれる定常的な電圧ノイズであるとの考察を報告している(非特許文献3)。同報告によれば、昇温時と降温時どちらの電圧降下の測定値も常に一定の電圧ノイズΔVが含まれると仮定した上で、ρhとρcは同じ大きさであるという関係からΔVを導出し、導出したΔVを用いて電気抵抗率の測定結果を補正している。
これまでの議論から、急速加熱中のIとVの測定値を用いる式[数3−1]、[数3−2]、[数5]により算出した比熱容量と半球全放射率の値には電磁干渉ノイズを起因とする大きな誤差が含まれる可能性がある。また、非特許文献3に記載された比熱容量の測定法では、試料及び標準抵抗の電圧降下の測定値に定常的な電圧誤差が含まれるとの誤った仮定の基で比熱容量が導出されるため、本発明者が測定を行った炭素材料のような試料を測定する場合には、大きな誤差が生じると考えられる。
本発明は、従来の比熱容量及び半球全放射率の測定方法を改良し、低コストな装置により上述の電磁干渉ノイズや試料温度分布の不均一性の問題を解決して高温における導電性試料の比熱容量及び半球全放射率の測定結果の確度を向上させることを課題とする。
導電性試料に通電して急速加熱し、該試料を目標温度Tmに到達させるステップ、目標温度に到達直後に該電流を変化させ、その直後の温度変化率dT/dt、試料を流れる電流I、試料の電圧降下Vの測定データから次の関係式を用いてXとYの値を算出するステップ、
及び目標温度到達後の該電流を様々な値に変えた場合に得られる複数のXとYの値に対して、XとYが次式に示す線形関係を持つことを利用して、近似的に導出したXとYの1次式の傾きと切片の値から比熱容量cp及び半球全放射率εtを算出するステップを含むことを特徴とする導電性試料の比熱容量及び半球全放射率の測定方法。
また本発明によれば、同じ目標温度における複数の測定から算出した複数のXとYの値が線形関係を持つかどうかを評価することにより、測定データ中の深刻な誤差の有無や本発明が実施可能な熱収支関係式[数1]が成立していたかどうかをセルフチェックできる。
本発明は、上述の2つの誤差要因の影響を低減するため、電磁干渉ノイズと試料温度分布の不均一性が小さい急速加熱した直後の測定データを利用して目標温度Tmにおける比熱容量cpと半球全放射率εtを算出することを目的とする。大電流により試料を目標温度に急速加熱した直後であれば、試料温度分布の不均一性や伝導熱損失の影響はほぼ無視できるため試料の熱収支について式[数1]が成立する。そして、式[数1]は、以下のように変形することができる。
測定は、以下の手順により行う。
試料を目標温度Tmに急速加熱した後、MOSFETへのゲート電圧Vgを適当な値に変化させることで、試料に流れる電流I、試料に対応する電圧降下V、温度変化率dT/dtのそれぞれの値について急速加熱を停止する直前の値から変化させる。次に、目標温度Tm到達後のVgの値を変えた測定を繰り返し、さまざまなXとYの値を算出する。
これは例えば図1に示す装置において、複数のXとYの値を求めるために目標温度到達後の電流値を変えてXとYの値を算出するステップを自動的に繰り返す手段を設けることにより実施される。
すなわち目標温度到達後の試料に流す電流は任意の大きさで構わないため、電流を調整するMOSFETのゲート電圧を適当な間隔で複数点変えてXとYの算出に必要なI、V及びdT/dtの測定を繰り返す簡単なコンピュータ・プログラム機能を有する装置により、比熱容量と半球全放射率の自動測定が可能となる。
図5に、前述の複数の測定において得られた複数の試料温度変化曲線を重ね合わせた場合の模式図を示す。このようにして得られた複数の測定に対応するXとYの値を算出し、図6に示すようにXとYの直線関係を導出することによりTmにおけるcpとεtを算出できる。
本発明の第2の利点は、上述の(2)の技術において必要とした温度のフィードバック制御機能を必要としないため、低コストの装置により実施できると共にXとYの測定点を増やすことで容易に比熱容量と半球全放射率の測定結果の確度を向上させることができることである。実際にある炭素材料を試料として本発明の方法により、目標温度到達後のゲート電圧の値を変えて得られた複数のXとYの測定結果を図7に示す。
この図からXの値が8前後の点は明らかに線形関係からずれているが、これらの点は目標温度到達後もかなり大きな温度上昇率が生じるようにゲート電圧を設定した際の測定結果から導出した点である。この場合、明らかに試料温度の急激な上昇に付随する試料の電気抵抗率の変化に応じて試料に流れる電流が大きく時間変動してしまい、結果として深刻な電磁干渉ノイズが電圧測定値に含まれてしまったことを示している。このような、XとYの線形関係からのずれは、試料の熱収支関係が式[数1]に表される理想的な状態からずれてしまうことによって生じる。したがって、電磁干渉ノイズ以外の測定誤差要因例えば試料の汚染等が複数回繰り返す測定のいずれかにおいて発生した場合、その測定から得られる(X,Y)点は他の正常な測定から得られた(X,Y)点が構成する直線からずれることになる。
本発明の第4の利点は、目標温度到達後の試料に流す電流は任意の大きさで構わないため、電流を調整するMOSFETのゲート電圧を適当な間隔で複数点変えてXとYの算出に必要なI、V及びdT/dtの測定を繰り返す簡単なコンピュータ・プログラム機能を有する装置により、比熱容量と半球全放射率の自動測定が可能である点である。
Claims (2)
- 導電性試料に通電して急速加熱し、該試料を目標温度Tmに到達させるステップ、目標温度に到達直後に該電流を変化させ、その直後の温度変化率dT/dt、試料を流れる電流I、試料の電圧降下Vの測定データから次の関係式を利用してXとYを算出するステップ、
(式中のAは試料の有効表面積、σSBはステファン・ボルツマン定数、Tmは目標温度、T0は試料周囲の温度である。)
及び該複数のXとYの値に対して、XとYが次式に示す線形関係を持つことを利用して、近似的に導出したXとYの1次式の傾きと切片の値から比熱容量cp及び半球全放射率εtを算出するステップを含むことを特徴とする導電性試料の比熱容量及び半球全放射率の測定方法。
- 目標温度到達後の電流値を変えることにより複数のXとYの値を算出するステップを自動的に繰り返す手段を備えたことを特徴とする請求項1に記載の比熱容量と半球全放射率の測定方法を実施する装置。
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