JP4527703B2

JP4527703B2 - アンテナユニット

Info

Publication number: JP4527703B2
Application number: JP2006302858A
Authority: JP
Inventors: 祐介中村; 友樹池田; 一博中野; 幸夫大滝
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2006-06-20
Filing date: 2006-11-08
Publication date: 2010-08-18
Anticipated expiration: 2026-11-08
Also published as: JP2008028978A

Description

本発明は、誘電体や磁性体からなる基体に帯状の放射導体が巻装されているチップアンテナをアンテナ基板上に実装してユニット化（モジュール化）した小型のアンテナユニットに係り、特に、放射導体に可変容量素子を分散配置して広帯域の周波数に同調できるようにしたアンテナユニットに関する。

従来より、誘電体や磁性体からなる柱状の基体に放射導体を螺旋状に巻装して所望の周波数に同調させるようにしたチップアンテナが知られている。また、この種のチップアンテナで広帯域の周波数が同調できるようにするため、放射導体に可変容量素子を分散配置し、バイアス制御信号に基づく同調電圧を可変容量素子に供給して容量値を変化させることにより、放射導体の共振周波数が同調電圧に応じて変化するように構成したアンテナ装置が従来提案されている（例えば、特許文献１参照）。かかる従来提案において、チップアンテナは、給電回路やバイアス回路等が配設された回路基板上に実装されて、チップアンテナの放射導体の給電部が給電回路と接続され、可変容量素子にはバイアス回路から直流の同調電圧が供給されるようになっている。このように広帯域の周波数に同調可能なチップアンテナは、携帯電話器等の携帯無線機器に容易に内蔵できると共に、テレビ放送のＵＨＦ帯用の受信アンテナ等として使用できるため、その実用的価値は今後ますます高まるものと予想される。
特開２００５−２１０５６４号公報（第４−６頁、図１）

ところで、前述したように広帯域の周波数に同調可能なチップアンテナを携帯電話器等の携帯無線機器に内蔵する場合、従来は、チップアンテナが携帯無線機器内の母基板（マザーボード）に直接実装されるようになっているため、この母基板にはチューナから出力されるバイアス制御信号を平滑化した後に昇圧して同調電圧を生成するというバイアス回路が設けられている。ここで、バイアス回路に昇圧手段が必要な理由は、携帯電話器のように低電圧で動作する機器においては同調電圧を電源電圧よりも高く設定しなければならないからである。

しかるに、携帯電話器等の携帯無線機器では重視する機能（例えば小型化や多機能化）等の違いによって電源電圧を異にする場合が多いため、この種の携帯無線機器において電源電圧が異なる機種の回路設計を行う際には、アンテナ性能を変更する必要がなくてもバイアス回路の昇圧手段を電源電圧に応じて変更しなければならないという煩雑さがあった。つまり、電源電圧の異なる機種であってもバイアス回路に変更を加える必要がなければ、バイアス回路等を配設したアンテナ基板にチップアンテナを実装してユニット化（モジュール化）したアンテナユニットを使用可能となるが、こうした汎用姓に富むアンテナユニットはこれまで提案されていなかった。

本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、広帯域の周波数に同調可能であると共に、電源電圧が異なっても適用可能な汎用性に富むアンテナユニットを提供することにある。

上記の目的を達成するため、本発明のアンテナユニットでは、誘電体または磁性体からなる基体に帯状の放射導体が巻装されていると共に、この放射導体が可変容量素子を介して直列接続された複数の分割導体部に分割されているチップアンテナと、このチップアンテナが実装されると共に、前記放射導体の給電部に接続される伝送線路および外部回路基板（母基板）の配線パターンに接続される複数の外部接続端子を有するアンテナ基板とを備え、前記アンテナ基板に前記可変容量素子にバイアス制御信号に基づく同調電圧を供給して容量値を変化させるバイアス回路が設けられており、このバイアス回路が、所定の前記外部接続端子に入力された電源電圧を一定の動作電圧に昇圧する昇圧手段と、この動作電圧を前記バイアス制御信号として別の前記外部接続端子に入力されたパルス信号でスイッチングすることによって該バイアス制御信号を昇圧済みバイアス信号に変調するスイッチング手段と、この昇圧済みバイアス信号を平滑化することによって前記同調電圧を生成する平滑手段とを有している構成とした。

このようにバイアス回路の昇圧手段が電源電圧を一定の動作電圧に昇圧するというものであれば、該動作電圧をバイアス制御信号として入力されたパルス信号でスイッチングすることにより、バイアス制御信号を昇圧済みバイアス信号に変調することができるので、電源電圧が異なっても共通のバイアス回路によってバイアス制御信号に基づく同調電圧を生成することが可能となる。つまり、母基板側の電源電圧に応じてバイアス回路を変更する必要がないので、電源電圧が異なる別種の母基板に共通のアンテナユニットを適用させることができる。また、このアンテナユニットは、伝送線路と外部接続端子およびバイアス回路等が設けられたアンテナ基板にチップアンテナを実装したモジュールなので、母基板上への装着が容易であると共に、母基板の回路設計時にアンテナ関連の設計作業に煩わされなくなるという利点がある。そして、このように取扱い性および汎用性に優れたアンテナユニットを採用すれば、携帯無線機器の開発設計が容易になって機種の多様化が図りやすくなる。

上記の構成において、昇圧手段がＤＣ／ＤＣコンバータで、その出力端がＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）スイッチ回路に接続されていると共に、バイアス制御信号がＰＷＭ信号であって、このＰＷＭ信号をＦＥＴスイッチ回路に供給することによって昇圧済みバイアス信号が得られるようにしてあると、バイアス制御信号を昇圧済みバイアス信号に変調する機構が簡素化できて高信頼性も確保できるため好ましい。

この場合において、ＤＣ／ＤＣコンバータとＦＥＴスイッチ回路との間に分圧回路を介設し、この分圧回路によってＦＥＴスイッチ回路からの出力電圧値を可変するように構成すると、例えばアンテナユニットを内包する筐体の厚みの違いに起因してチップアンテナの同調周波数が基準値よりも高くなってしまった場合、分圧回路によってＦＥＴスイッチ回路からの出力電圧値を下げれば、可変容量素子の印加電圧が下がって周波数を下げることができる。その反対にチップアンテナの同調周波数が基準値よりも低くなってしまった場合、分圧回路によってＦＥＴスイッチ回路からの出力電圧値を上げれば、可変容量素子の印加電圧が高くなって周波数を上げることができる。

また、ＤＣ／ＤＣコンバータとＦＥＴスイッチ回路との間にサーミスタを介設する構成とした場合、環境温度に応じてサーミスタの抵抗が上下動することでＦＥＴスイッチ回路からの出力電圧値を変化させ、それに伴って可変容量素子の印加電圧を変えて周波数を上下動できるため、かかるサーミスタによる周波数調整で環境温度変化に起因するチップアンテナの同調周波数の変動分をキャンセルすることができる。

また、上記の構成において、アンテナ基板を損失正接（Ｔａｎδ）が０．０５以下の誘電体材料によって形成することが好ましく、これにより、母基板がアンテナ基板よりも損失正接の大きい安価な誘電体材料からなるものであったとしても、誘電体による損失が少ないアンテナとして動作させることができる。

本発明のアンテナユニットは、バイアス回路の昇圧手段が電源電圧を一定の動作電圧に昇圧し、該動作電圧をバイアス制御信号として入力されたパルス信号でスイッチングすることにより、該バイアス制御信号を昇圧済みバイアス信号に変調するというものなので、電源電圧が異なっても共通のバイアス回路によってバイアス制御信号に基づく同調電圧を生成することが可能となる。つまり、母基板側の電源電圧に応じてバイアス回路を変更する必要がないので、電源電圧が異なる別種の母基板に共通のアンテナユニットを適用させることができる。また、このアンテナユニットは、伝送線路と外部接続端子およびバイアス回路等が設けられたアンテナ基板にチップアンテナを実装したモジュールなので、母基板上への装着が容易であると共に、母基板の回路設計時にアンテナ関連の設計作業に煩わされなくなるという利点がある。そして、このように取扱い性および汎用性に優れたアンテナユニットを採用すれば、携帯無線機器の開発設計が容易になって機種の多様化が図りやすくなる。

発明の実施の形態を図面を参照して説明すると、図１は本発明の第１実施形態例に係るアンテナユニットを母基板上に実装した状態を示す外観図、図２は該アンテナユニットの等価回路図である。

本実施形態例に係るアンテナユニット１はチップアンテナ２をアンテナ基板３に実装してユニット化したモジュールであり、図１に示すように、このアンテナユニット１は外部回路基板である母基板３０に装着されてテレビ放送のＵＨＦ帯用の受信アンテナとして使用されるようになっている。この母基板３０は携帯電話器等の携帯無線機器に内蔵される回路基板であって、アンテナユニット１はアンテナ基板３が母基板３０上の縁部に実装される。なお、図２に示すように、母基板３０には電源回路３１やチューナ回路３２等が配設されており、電源電圧は例えば３ボルトに設定されている。

アンテナユニット１について説明すると、チップアンテナ２は、誘電体からなる柱状の基体４と、この基体４の外表面に螺旋状に巻装された第１の放射導体５および第２の放射導体６と、これら両放射導体５，６の線路中に分散配置された複数の可変容量素子（バラクタダイオード）７とによって主に構成されている。第１および第２の放射導体５，６は一端どうしが接続点Ｐ１で直列に連結されている。第１の放射導体５の他端は給電端Ｐ２となっており、第２の放射導体６の他端は開放端Ｑとなっている。第１の放射導体５は複数の分割導体部５ａ〜５ｃに分割されており、隣接する分割導体部どうしの間（５ａ，５ｂ間や５ｂ，５ｃ間）が可変容量素子７を介して直列に接続されている。同様に、第２の放射導体６は複数の分割導体部６ａ〜６ｃに分割されており、隣接する分割導体部どうしの間（６ａ，６ｂ間や６ｂ，６ｃ間）が可変容量素子７を介して直列に接続されている。このチップアンテナ２はアンテナ基板３上に位置決め固定され、第１および第２の放射導体５，６の適宜箇所がアンテナ基板３の配線パターンと半田付けされる。なお、基体４の材料は磁性体であってもよく、その形状が板状であってもよい。

アンテナ基板３は、損失正接（Ｔａｎδ）が０．０１と小さい誘電体材料（例えばＦＲ−４）からなり、母基板３０上の所定領域に載置固定される。このアンテナ基板３には、両放射導体５，６の接続点Ｐ１に給電信号を供給する第１の伝送線路８と、第１の放射導体５の給電端Ｐ２に給電信号を供給する第２の伝送線路９と、入力端１０ａと出力端１０ｂとの間の導通を開閉する高周波切換スイッチ１０と、バイアス制御信号に基づく同調電圧をチップアンテナ２の可変容量素子７に供給して容量値を変化させるバイアス回路１１と、第２の放射導体６に接続された周波数調整用パターン１２と、インダクタ１３やキャパシタ等を含み入力インピーダンスと特性インピーダンスを整合させる整合回路と、母基板３０の配線パターンに半田付けされる複数の外部接続端子１４ａ〜１４ｄとが配設されている。

これらの外部接続端子１４ａ〜１４ｄは母基板３０側の電源回路３１やチューナ回路３２に接続されている。例えば、外部接続端子１４ａには電源回路３１から電源電圧が入力され、外部接続端子１４ｂにはチューナ回路３２から給電信号（ＲＦ信号）２０が入力される。また、外部接続端子１４ｃにはバイアス制御信号としてＰＷＭ（パルス幅変調）信号２１が入力され、外部接続端子１４ｄには高周波切換スイッチ１０を開閉させるためのＳＷ制御信号２２が入力される。なお、図１に示す周波数調整用パターン１２は、適宜箇所をトリミングすることによって第２の放射導体６の電気長が微調整できるというものであり、この微調整によってアンテナ性能のばらつきを回避している。

高周波切換スイッチ１０の入力端１０ａは、チューナ回路３２の給電回路に接続されていると共に第２の伝送線路９に接続されている。高周波切換スイッチ１０の出力端１０ｂは第１の伝送線路８に接続されており、入力端１０ａと出力端１０ｂとが導通されたスイッチオン状態では、第１の伝送線路８を介して接続点Ｐ１に給電信号２０が供給可能である。また、入力端１０ａと出力端１０ｂとの導通が遮断されたスイッチオフ状態では、第２の伝送線路９を介して給電端Ｐ２に給電信号２０が供給可能である。この高周波切換スイッチ１０は、ＳＷ制御信号２２が供給されているときにスイッチオン状態となり、ＳＷ制御信号２２が供給されていないときはスイッチオフ状態となる。

バイアス回路１１には、電源電圧（３ボルト）を常に一定の動作電圧（例えば５ボルト）に昇圧するＤＣ／ＤＣコンバータ１５と、このＤＣ／ＤＣコンバータ１５の出力（動作電圧）をＰＷＭ信号２１でスイッチングすることによって昇圧済みバイアス信号２３を生成するＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）スイッチ回路１６と、この昇圧済みバイアス信号２３を平滑化して直流の同調電圧２４を生成する平滑化回路１７とが設けられている。つまり、このバイアス回路１１によって、電圧レベルが０または１．８ボルトのパルス信号（ＰＷＭ信号２１）が、電圧レベルが０または５ボルトのパルス信号（昇圧済みバイアス信号２３）に変調された後、昇圧済みバイアス信号２３が平滑化されて同調電圧２４が生成されるようになっており、この同調電圧２４はＰＷＭ信号２１のパルス幅に応じて０．２〜４．８ボルトの範囲内で適宜変更可能である。それゆえ、同調電圧２４を可変容量素子７に供給して容量値を変化させることにより、チップアンテナ２の同調周波数を適宜変更させることができる。

次に、上記の如くに構成されるアンテナユニット１の動作について説明する。このアンテナユニット１は、図２に示すように高周波切換スイッチ１０が入力端１０ａと出力端１０ｂとを導通させているスイッチオン状態のとき、第１の伝送線路８を介して接続点Ｐ１に給電信号２０を供給することができるため、第２の放射導体６を所定の周波数帯域（ハイバンド）で共振させることができる。このとき、ハイバンドに対応する給電信号２０は、インダクタ１３が介設されている第２の伝送線路９へはほとんど供給されない。そして、かかるハイバンドモードで可変容量素子７に印加する同調電圧２４を変化させれば、チップアンテナ２の同調周波数（第２の放射導体６の共振周波数）を適宜変更することができる。

また、高周波切換スイッチ１０が入力端１０ａと出力端１０ｂとの間の導通を遮断しているスイッチオフ状態のときには、第２の伝送線路９を介して給電端Ｐ２に給電信号２０を供給することができるため、第１および第２の放射導体５，６の全体を前記ハイバンドよりも低い周波数帯域（ローバンド）で共振させることができる。そして、かかるローバンドで可変容量素子７に印加する同調電圧２４を変化させれば、チップアンテナ２の同調周波数（第１および第２の放射導体５，６全体の共振周波数）を適宜変更することができる。

このように本実施形態例に係るアンテナユニット１は、バイアス回路１１が、電源電圧を常に一定の動作電圧に昇圧するＤＣ／ＤＣコンバータ１５を有しており、該動作電圧をバイアス制御信号として入力されたＰＷＭ信号２１でスイッチングすることによって、ＰＷＭ信号２１を昇圧済みバイアス信号２３に変調しているので、母基板３０側の電源電圧が異なっても共通のバイアス回路１１によってＰＷＭ信号２１に基づく同調電圧２４を生成することができる。つまり、母基板３０側の電源電圧に応じてバイアス回路１１を変更する必要がないので、電源電圧が異なる別種の母基板３０に共通のアンテナユニット１を適用させることができる。また、このアンテナユニット１は、バイアス回路１１や第１および第２の伝送線路８，９、高周波切換スイッチ１０、外部接続端子１４ａ〜１４ｄ等が設けられたアンテナ基板３にチップアンテナ２を実装したモジュールなので、母基板３０上への装着が容易であると共に、母基板３０の回路設計時にアンテナ関連の設計作業に煩わされなくなるという利点がある。そして、このように取扱い性および汎用性に優れたアンテナユニット１を採用すれば、携帯無線機器の開発設計が容易になって機種の多様化が図りやすくなる。

また、このアンテナユニット１では、バイアス回路１１にＤＣ／ＤＣコンバータ１５やＦＥＴスイッチ回路１６等を用いているため、バイアス制御信号であるＰＷＭ信号２１を昇圧済みバイアス信号２３に変調する機構を簡素化できて高信頼性も確保されている。

また、このアンテナユニット１では、アンテナ基板３が損失正接（Ｔａｎδ）の小さい誘電体材料からなるため、母基板３０がアンテナ基板３よりも損失正接の大きい安価な誘電体材料からなるものであったとしても、誘電体による損失が少ないアンテナとして動作させることができる。

また、このアンテナユニット１は、高周波切換スイッチ１０で入力端１０ａと出力端１０ｂとの間の導通を開閉することによってハイバンドモードとローバンドモードが任意に選択できるため、選択したバンドに応じた給電信号を供給することによって高低いずれの周波数帯域でも使用可能となる２バンド化が実現されている。さらに、ハイバンドとローバンドのいずれを選択した場合でも、バイアス回路１１から同調電圧２４を供給することによって各バンドの同調周波数が変更できるようになっている。それゆえ、このアンテナユニット１は、携帯無線機器に容易に内蔵できる小型化を維持しつつ広い周波数帯域に亘って良好な受信感度を得ることができ、テレビ放送のＵＨＦ帯用の受信アンテナとして好適である。ただし、所要の周波数帯域に１バンドで対応できる場合には、高周波切換スイッチ１０や第１の伝送線路８等を省略した構成にしてもよい。

図３は本発明の第２実施形態例に係るアンテナユニットの等価回路図であり、図２と対応する部分に同一符号を付すことで重複する説明は省略してある。

本実施形態例に係るアンテナユニット４０では、トリマ抵抗（可変抵抗器）４１ａと固定抵抗４１ｂで構成される分圧回路４１をＤＣ／ＤＣコンバータ１５とＦＥＴスイッチ回路１６との間に介設し、このトリマ抵抗４１ａを用いてＦＥＴスイッチ回路１６からの出力電圧値を可変できるようにしてあり、それ以外の構成は前述した第１実施形態例に係るアンテナユニット１と基本的に同じである。

このように構成されたアンテナユニット４０においても、高周波切換スイッチ１０が入力端１０ａと出力端１０ｂとを導通させているスイッチオン状態のとき、第１の伝送線路８を介して接続点Ｐ１に給電信号２０を供給することができるため、第２の放射導体６をハイバンドで共振させることができる。また、高周波切換スイッチ１０が入力端１０ａと出力端１０ｂとの間の導通を遮断しているスイッチオフ状態のときには、第２の伝送線路９を介して給電端Ｐ２に給電信号２０を供給することができるため、第１および第２の放射導体５，６の全体をローバンドで共振させることができる。そして、前述した第１実施形態例と同様に、ハイバンドとローバンドのいずれを選択した場合でも、可変容量素子７に印加する同調電圧２４を変化させることにより、各バンドの同調周波数が変更できるようになっている。

また、このアンテナユニット４０の場合、ＤＣ／ＤＣコンバータ１５とＦＥＴスイッチ回路１６との間に分圧回路４１（トリマ抵抗４１ａと固定抵抗４１ｂ）を介設してあるため、例えばアンテナユニット４０を内包する図示せぬ筐体の影響を受けてチップアンテナ２の同調周波数が基準値よりも高くなってしまった場合は、トリマ抵抗４１ａの抵抗値を上げてＦＥＴスイッチ回路１６の出力電圧値を下げれば、可変容量素子７の印加電圧が下がってチップアンテナ２の同調周波数を基準値の範囲内まで下げることができる。その反対にチップアンテナ２の同調周波数が基準値よりも低くなってしまった場合は、トリマ抵抗４１ａの抵抗値を下げてＦＥＴスイッチ回路１６の出力電圧値を上げれば、可変容量素子７の印加電圧が上がってチップアンテナ２の同調周波数を基準値の範囲内まで上げることができる。

図４は本発明の第３実施形態例に係るアンテナユニットの等価回路図であり、図２と対応する部分に同一符号を付すことで重複する説明は省略してある。

本実施形態例に係るアンテナユニット５０では、ＤＣ／ＤＣコンバータ１５とＦＥＴスイッチ回路１６との間にサーミスタ５１を介設すると共に、このサーミスタ５１とＦＥＴスイッチ回路１６間を固定抵抗５２を介して接地してあり、それ以外の構成は前述した第１実施形態例に係るアンテナユニット１と基本的に同じである。

このように構成されたアンテナユニット５０においても、高周波切換スイッチ１０が入力端１０ａと出力端１０ｂとを導通させているスイッチオン状態のとき、第１の伝送線路８を介して接続点Ｐ１に給電信号２０を供給することができるため、第２の放射導体６をハイバンドで共振させることができる。また、高周波切換スイッチ１０が入力端１０ａと出力端１０ｂとの間の導通を遮断しているスイッチオフ状態のときには、第２の伝送線路９を介して給電端Ｐ２に給電信号２０を供給することができるため、第１および第２の放射導体５，６の全体をローバンドで共振させることができる。そして、前述した第１実施形態例と同様に、ハイバンドとローバンドのいずれを選択した場合でも、可変容量素子７に印加する同調電圧２４を変化させることにより、各バンドの同調周波数が変更できるようになっている。

また、このアンテナユニット５０の場合、ＤＣ／ＤＣコンバータ１５とＦＥＴスイッチ回路１６との間にサーミスタ５１を介設してあり、環境温度が上昇してサーミスタ５１の抵抗値が下がると、それに応じてＦＥＴスイッチ回路１６の出力電圧値が上がるため、可変容量素子７の印加電圧が上がってチップアンテナ２の同調周波数を高くすることができる。これにより、環境温度の上昇時に可変容量素子７の容量値が増えてチップアンテナの同調周波数が下がってしまうことを、サーミスタ５１の抵抗低下に伴って周波数が高くなることでキャンセルすることができる。これとは逆に環境温度が下降してサーミスタの抵抗値が上がると、それに応じてＦＥＴスイッチ回路１６の出力電圧値が下がるため、可変容量素子７の印加電圧が下がってチップアンテナ２の同調周波数を下げることができる。これにより、環境温度の下降時に可変容量素子７の容量値が減ってチップアンテナの同調周波数が上がってしまうことを、サーミスタ５１の抵抗上昇に伴って周波数が低くなることでキャンセルすることができる。

本発明の第１実施形態例に係るアンテナユニットを母基板上に実装した状態を示す外観図である。該アンテナユニットの等価回路図である。本発明の第２実施形態例に係るアンテナユニットの等価回路図である。本発明の第３実施形態例に係るアンテナユニットの等価回路図である。

符号の説明

１，４０，５０アンテナユニット
２チップアンテナ
３アンテナ基板
４基体
５，６放射導体
５ａ〜５ｃ，６ａ〜６ｃ分割導体部
７可変容量素子
８，９伝送線路
１１バイアス回路
１４ａ〜１４ｄ外部接続端子
１５ＤＣ／ＤＣコンバータ（昇圧手段）
１６ＦＥＴスイッチ回路（スイッチング手段）
１７平滑化回路（平滑手段）
２０給電信号（ＲＦ信号）
２１ＰＷＭ信号（バイアス制御信号）
２３昇圧済みバイアス信号
２４同調電圧
３０母基板
３１電源回路
３２チューナ回路
４１分圧回路
４１ａトリマ抵抗
４１ｂ固定抵抗
５１サーミスタ
５２固定抵抗
Ｐ１接続点
Ｐ２給電端
Ｑ開放端

Claims

誘電体または磁性体からなる基体に帯状の放射導体が巻装されていると共に、この放射導体が可変容量素子を介して直列接続された複数の分割導体部に分割されているチップアンテナと、
このチップアンテナが実装されると共に、前記放射導体の給電部に接続される伝送線路および外部回路基板の配線パターンに接続される複数の外部接続端子を有するアンテナ基板とを備え、
前記アンテナ基板に前記可変容量素子にバイアス制御信号に基づく同調電圧を供給して容量値を変化させるバイアス回路が設けられており、このバイアス回路が、所定の前記外部接続端子に入力された電源電圧を一定の動作電圧に昇圧する昇圧手段と、この動作電圧を前記バイアス制御信号として別の前記外部接続端子に入力されたパルス信号でスイッチングすることによって該バイアス制御信号を昇圧済みバイアス信号に変調するスイッチング手段と、この昇圧済みバイアス信号を平滑化することによって前記同調電圧を生成する平滑手段とを有していることを特徴とするアンテナユニット。
請求項１の記載において、前記昇圧手段がＤＣ／ＤＣコンバータで、その出力端がＦＥＴスイッチ回路に接続されていると共に、前記バイアス制御信号がＰＷＭ信号であって、このＰＷＭ信号を前記ＦＥＴスイッチ回路に供給することによって前記昇圧済みバイアス信号が得られるようにしたことを特徴とするアンテナユニット。
請求項２の記載において、前記ＤＣ／ＤＣコンバータと前記ＦＥＴスイッチ回路との間に分圧回路を介設し、この分圧回路によって前記ＦＥＴスイッチ回路からの出力電圧値を可変するようにしたことを特徴とするアンテナユニット。
請求項２の記載において、前記ＤＣ／ＤＣコンバータと前記ＦＥＴスイッチ回路との間にサーミスタを介設したことを特徴とするアンテナユニット。
請求項１〜４のいずれか１項の記載において、前記アンテナ基板を損失正接が０．０５以下の誘電体材料で形成したことを特徴とするアンテナユニット。