JP4527355B2 - 電導体を基板に溶接する方法及びその装置 - Google Patents

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Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は電導体を基板に溶接する方法及び装置、特に可撓製金属バンド又は剛性金属バンドのような電導体を直接結合銅（ＤＢＣ）絶縁金属基板のような基板に溶接する方法及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電導体は高電流を伝送するために、その成分は一般的には銅に基づいている。
【０００３】
電導体を基板に溶接するために現在までに多数の技術が使用されている。電気溶接が試みられたが、銅の非常に高い電気伝導性のため、加熱が不十分であるので、溶接が非常に困難であった。この欠点を回避するため、電流が流れるときに強い加熱作用を発生するタングステン電極を使用する考察が行なわれ、その電極からの熱は溶接される銅部材に迅速に伝わり、その銅部材は銅の電気抵抗を増大する。
【０００４】
電子カラム溶接も使用されたが、その溶接は真空中でかつ連続的に行うことができるだけである。この方法は隣接部材の磁気を除去してしまう。
【０００５】
更に、金属バンドのような電導体を基板上にレーザー溶接する方法（例えば、特許文献１）も存在するが、該方法は前もって電導体と基板とをスズメッキしてレーザー溶接を行うため、電導体を溶融させて基体と一体的に合体させてしまうような過熱を生じさせてしまう。
【０００６】
【特許文献１】
米国特許第４６９７０６１号明細書
【０００７】
【発明が解決しようとする問題点】
本発明は上述した従来技術の欠点を除去し、非常に簡単で確実にレーザースポット溶接を行うことができると共に電導体を非常に経済的に基板に溶接することができる方法及び装置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【問題点を解決するための手段】
本発明による方法は基板に端子を取付け、スタッドには容量ごとに電導体と同じ成分を備え、レーザースポット溶接により電導体をスタッドに取付けることを特徴とするものである。
【０００９】
これは基板に対して有害であるスタッドの加熱を避け、電導体の表面が材料によって吸収された放射により加熱されるようになる。レーザー放射は小さな区域に集中し、それは非常に高い電力密度を発生し、そして金属が蒸発する。蒸気の膨張は下層液体槽に作用する逆圧力を発生し、その逆圧力はレーザースポットの中心から端縁に向けて液化材料を移動させる。熱ガス毛細管が形成され、そして毛細管の底部における圧力が十分に高い限り、熱ガス毛細管が深く浸透する。気化金属は加熱されているプラズマを形成するためイオン化する。
【００１０】
電導体の中間部分における溶接を容易にするため、スタッドはスタッドに溶接されることを意図した電導体の一端の寸法よりも多少大きい寸法を有するものを使用することが好ましい。
【００１１】
本発明による方法の他の特徴によれば、電導体はスポット溶接前に、例えばニッケルメッキにより被覆されるようにしてある。
【００１２】
スポット溶接は好ましくはＸ字状に配置させてあり、又同様にＷ字状にも配置させることができる。
【００１３】
本発明は上述した方法を実施するための装置に関するものであり、該装置は基板を案内しかつ位置決めするための手段を有する基台と、電導体の一端を案内するための手段と、スタッドに対して電導体の一端を押圧するための手段と、適当な電源と制御手段に接続されているレーザー溶接ヘッドを支持する枠体とから成り、枠体にアームの一端を取付け、アームの他端には電導体の一端を案内する手段を構成する案内体によって延伸している偏向器を支持させ、枠体を基台から直立する支柱に沿って移動可能にし、基台には基板を案内するための案内溝と基板を位置決めするための伸縮自在の接合部材とを備えたことを特徴とするものである。
【００１４】
本発明による装置の他の特徴によれば、案内手段とスタッドに対して電導体の一端を押圧するための手段は低熱伝導性耐火材料の底板を備えている。
【００１５】
低熱伝導性耐火材料の底板は好ましくはタングステンから形成されている。
【００１６】
【実施例】
本発明を添付図面に示した実施例について以下に詳細に説明する。
【００１７】
図に示した装置は基板２を案内するための案内溝１ａと基板２を溶接位置に固定するための伸縮可能な接合部材１５とを有する基台１を備えている。基板２はアルミニウム底板と、ポリマー層と、銅の薄い層とから成り、基板２の銅層上には前もってスタッド３が半田付けされ、該スタッド３は銅又は銅合金から形成され、そして下にニッケル層を位置させてある。
【００１８】
基台１には支柱４が取付けられ、支柱４に沿って枠体５が移動できるようにしてある。
【００１９】
枠体５はレーザー溶接ヘッド６を支持し、該レーザー溶接ヘッド６からレーザーコラムがガルバノメーター反射鏡により移動する。
【００２０】
枠体５にはアーム７の一端が取付けられ、アーム７の他端は電導体１０を案内しかつ位置決めするための案内体９によって延伸している偏向器８を支持している。
【００２１】
偏向器８は内側リム１１を有し、内側リム１１の下側にはタングステン製の底板１２が取付けられている。
【００２２】
電導体１０は１ｍｍ以下の厚さを有し、その厚さが１ｍｍより大きい場合には、薄肉部分１３を形成するために溶接される区域に穴を穿設させることができる。
【００２３】
電導体１０はレーザー放射の最初の吸収を容易にするためにその表面をニッケルメッキすることが好ましく、ニッケルは銅で無限固溶体を生成する。
【００２４】
スタッド３の容量ごとの成分は電導体１０のものと同一であり、熱によるひび割れを促進させる低凝固温度を有する合金形成の危険を減少させる。
【００２５】
枠体５は支柱４に沿って移動し、基板２は案内溝１ａ間に挿入できかつ伸縮可能な接合部材により固定させることができ、電導体１０の溶接端をタングステン製底板１２の下側に摺動させ、そして案内体９により保持される。枠体５が降下すると、溶接される電導体の部分がスタッド３に対して強く押圧され、スタッド３は材料の飛散を防止しかつ再現可能な溶接を非常に良好に行うことができる。溶接後に、接合部材１５が収縮し、基板２と電導体１０が取外され、それに代えて、溶接される次の２つの部材２，１０が位置付けされる。
【００２６】
レーザー溶接ヘッド６とスタッドに対して電導体を保持する手段が枠体５により搬送され、これらの部材は良好なスポット溶接を保証するために正確な位置に位置決めされるようになっている。
【００２７】
溶接中に、偏向器７は余剰のスプラッシュ（飛散）を取りもどすようになっている。
【００２８】
スポット溶接１６は電導体とスタッドが機械的な応力又は振動を受ける場合に好ましい軸線を中心に電導体の移動を制限させるためにＸ字状に配置されている。
【００２９】
スポット溶接１６に代えて、図３に示したようにＷ字形を形成するようにスポット溶接１６ａを行うことができる。
【００３０】
本発明は上述しかつ図面に示した実施例に限定するものではなく、本発明の範囲から逸脱することなく、各種の変形例を行うことができることは勿論のことである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による装置の斜視図である。
【図２】 スポット溶接の１つの配置の斜視図である。
【図３】 スポット溶接の他の配置の斜視図である。
【符号の説明】
１ 基台
１ａ 案内溝
２ 基板
３ スタッド
４ 支柱
５ 枠体
６ レーザー溶接ヘッド
７ アーム
８ 偏向器
９ 案内体
１０ 電導体
１１ 内側リム
１２ タングステン製底板
１３ 薄肉部分
１５ 接合部材
１６ スポット溶接

Claims (9)

  1. 基台を備えたレーザー溶接装置を用いて、基板に取り付けたスタッドで電導体を基板に溶接する方法であって、前記基板を前記基台の所定位置に置き、前記電導体の溶接すべき部分を該電導体と同じ成分を備えた前記スタッドの表面に対して押圧して、前記レーザー溶接装置を用いて該電導体をスタッドにスポット溶接することを特徴とする電導体を基板に溶接する方法。
  2. スタッドの寸法をスタッドに溶接される電導体の溶接端の寸法よりも大きくしたことを特徴とする請求項１に記載の電導体を基板に溶接する方法。
  3. 電導体をスポット溶接する前に被覆させることを特徴とする請求項１に記載の電導体を基板に溶接する方法。
  4. 電導体をスポット溶接前にニッケルメッキさせることを特徴とする請求項３に記載の電導体を基板に溶接する方法。
  5. スポット溶接をＸ状に配置させたことを特徴とする請求項１に記載の電導体を基板に溶接する方法。
  6. スポット溶接をＷ状に配置させたことを特徴とする請求項１に記載の電導体を基板に溶接する方法。
  7. 基板（２）を案内しかつ位置決めするための手段（１ａ，１５）を有する基台（１）と、電導体（１０）の一端を案内しかつスタッド（３）に対して電導体（１０）の一端を押圧する手段（９）と、適宜の電源及び制御機構に接続されているレーザー溶接ヘッド（６）を支持する枠体（５）とから成り、枠体（５）にはアーム（７）の一端を取付け、電導体（１０）の一端を案内するための手段を構成する案内体（９）によって延伸させた偏向器（８）をアーム（７）の他端に支持させ、枠体（５）を基台（１）から直立している支柱（４）に沿って移動可能にし、基台（１）には基板（２）を案内するための案内溝（１ａ）と基板（２）を位置決めするための伸縮可能な接合部材（１５）とを備えたことを特徴とするスタッドを有する基板に電導体を溶接する装置。
  8. 案内手段とスタッド（３）に対して電導体（１０）の一端を押圧する手段には低熱伝導性耐火材料製の底板（１２）を備えたことを特徴とする請求項７に記載の基板に電導体を溶接する装置。
  9. 低熱伝導性耐火材料製の底板（１２）をタングステンから形成したことを特徴とする請求項８に記載の基板に電導体を溶接する装置。
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