JP4514177B2 - Alを含む半導体材料からなるレンズ、それを用いた面型光素子、及びその製造方法 - Google Patents
Alを含む半導体材料からなるレンズ、それを用いた面型光素子、及びその製造方法 Download PDFInfo
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001008401A JP4514177B2 (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | Alを含む半導体材料からなるレンズ、それを用いた面型光素子、及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001008401A JP4514177B2 (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | Alを含む半導体材料からなるレンズ、それを用いた面型光素子、及びその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002214404A JP2002214404A (ja) | 2002-07-31 |
JP2002214404A5 JP2002214404A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2008-03-13 |
JP4514177B2 true JP4514177B2 (ja) | 2010-07-28 |
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ID=18876025
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001008401A Expired - Fee Related JP4514177B2 (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | Alを含む半導体材料からなるレンズ、それを用いた面型光素子、及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4514177B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4507567B2 (ja) | 2003-11-18 | 2010-07-21 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光レーザの製造方法 |
JP4207878B2 (ja) | 2004-10-15 | 2009-01-14 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光レーザ、面発光レーザの製造方法、デバイス及び電子機器 |
WO2006123816A2 (en) * | 2005-05-18 | 2006-11-23 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Process of making an optical lens |
JP4586798B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2010-11-24 | パナソニック電工株式会社 | 半導体レンズの製造方法 |
JP4586796B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2010-11-24 | パナソニック電工株式会社 | 半導体レンズの製造方法 |
JP4586797B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2010-11-24 | パナソニック電工株式会社 | 半導体レンズの製造方法 |
JP5010252B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2012-08-29 | パナソニック株式会社 | 半導体レンズの製造方法 |
KR100996669B1 (ko) | 2008-12-11 | 2010-11-25 | 한국기초과학지원연구원 | 마이크로 렌즈 어레이를 포함하는 이미지 센서 및 그 제조방법 |
CN109052313B (zh) * | 2018-08-16 | 2020-11-20 | 湖南文理学院 | 一种硅基凸面反射镜的制备方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0437802A (ja) * | 1990-06-04 | 1992-02-07 | Ricoh Co Ltd | 光ガイドアレイ |
JPH08102547A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Casio Comput Co Ltd | 光電変換装置及びその製造方法 |
JPH09222505A (ja) * | 1996-02-16 | 1997-08-26 | Casio Comput Co Ltd | マイクロレンズを有するデバイスおよびマイクロレンズの形 成方法 |
JP3092700B2 (ja) * | 1997-07-17 | 2000-09-25 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH11233888A (ja) * | 1998-02-09 | 1999-08-27 | Nec Corp | 光学素子、それを使用した面発光レーザ装置及び端面発光型半導体レーザ装置 |
US6674090B1 (en) * | 1999-12-27 | 2004-01-06 | Xerox Corporation | Structure and method for planar lateral oxidation in active |
-
2001
- 2001-01-17 JP JP2001008401A patent/JP4514177B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002214404A (ja) | 2002-07-31 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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