JP4506788B2 - EL panel manufacturing method - Google Patents

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本発明は、基板とこの基板に設けられたＥＬ素子とを備えるＥＬパネルの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an EL panel including a substrate and an EL element provided on the substrate.

有機ＥＬ素子はアノード電極、有機材料からなる有機ＥＬ層、カソード電極の順に積層された積層構造を為しており、アノード電極とカソード電極の間に順バイアス電圧が印加されると有機ＥＬ層において発光する。このような有機ＥＬ素子を画素として基板上にマトリクス状に配列して、各有機ＥＬ素子を所定の階調輝度で発光することによって画像表示を行う有機ＥＬ表示パネルが実現化されている。   The organic EL element has a laminated structure in which an anode electrode, an organic EL layer made of an organic material, and a cathode electrode are laminated in this order. When a forward bias voltage is applied between the anode electrode and the cathode electrode, Emits light. An organic EL display panel that displays images by arranging such organic EL elements as pixels in a matrix on a substrate and emitting each organic EL element with a predetermined gradation luminance is realized.

アクティブマトリクス構造の有機ＥＬ表示パネルでは、アノード電極又はカソード電極のうちの一方の電極を全ての画素に共通する共通電極とすることができるが、少なくとも他方の電極及び有機ＥＬ層を画素ごとにパターニングする必要がある。アノード電極やカソード電極を画素ごとにパターニングする手法は従来の半導体素子製造技術を適用できる。つまり、真空蒸着法、スパッタ法のようなＰＶＤ法又はＣＶＤ法等による成膜工程、フォトリソグラフィー法等によるマスク工程、エッチング法等による薄膜の形状加工工程を適宜行うことで、アノード電極やカソード電極を画素ごとにパターニングすることができる。   In an organic EL display panel having an active matrix structure, one of the anode electrode and the cathode electrode can be a common electrode common to all pixels, but at least the other electrode and the organic EL layer are patterned for each pixel. There is a need to. A conventional semiconductor element manufacturing technique can be applied to the method of patterning the anode electrode and the cathode electrode for each pixel. In other words, the anode electrode and the cathode electrode can be appropriately formed by performing a film forming process such as a vacuum deposition method, a PVD method such as a sputtering method or a CVD method, a masking step such as a photolithography method, and a thin film shape processing step such as an etching method. Can be patterned for each pixel.

有機ＥＬ層の成膜方法については、材料等の条件に応じてドライ蒸着法と湿式コーティング法に大別できる。ドライ蒸着法を用いる場合には、ドライ蒸着法により有機ＥＬ層を一面に成膜した後にシャドウマスクを行い、その後マスクの無い部分をエッチングで除去すると、画素ごとに有機ＥＬ層をパターニングすることができる。一方、湿式コーティング法を用いる場合には、インクジェット技術を応用することで画素ごとに有機ＥＬ層をパターニングすることができる。つまり、有機ＥＬ層になる材料を溶媒で溶解してなるＥＬ溶液の液滴を画素ごとに噴出することで、画素ごとに有機ＥＬ層をパターニングすることができる。インクジェット技術を応用した湿式コーティング法では成膜工程と、画素ごとのパターニング工程をほぼ同時に行えることから、インクジェット方式は主流の技術となりつつある。   The method for forming the organic EL layer can be broadly classified into a dry vapor deposition method and a wet coating method according to conditions such as materials. In the case of using the dry evaporation method, after forming the organic EL layer on the entire surface by the dry evaporation method, a shadow mask is performed, and then the portion without the mask is removed by etching, thereby patterning the organic EL layer for each pixel. it can. On the other hand, when the wet coating method is used, the organic EL layer can be patterned for each pixel by applying an inkjet technique. That is, the organic EL layer can be patterned for each pixel by ejecting a droplet of an EL solution obtained by dissolving a material that becomes the organic EL layer with a solvent for each pixel. In the wet coating method using the ink jet technology, the film forming process and the patterning process for each pixel can be performed almost simultaneously, so the ink jet method is becoming a mainstream technology.

ところで、高解像度の画像表示を行う有機ＥＬ表示パネルを提供するためには、有機ＥＬ層を微細パターンで形成しなければならない。インクジェット方式では、ＥＬ溶液の液滴の粒径が非常に小さいため有機ＥＬ層を微細パターンで形成することは可能であるが、液滴が着弾した形状で固化してしまうため、所望の形状に成膜しにくく、また固化するまでの間に滲んで拡散してしまうため、わずかなインクジェットヘッドの位置ズレや着弾位置ずれにより隣りの画素の有機ＥＬ層のＥＬ溶液と混じってしまう恐れがあった。そこで、基板上に予め網目状の隔壁を微細パターニングしてから、隔壁によって囲繞された領域に液滴を噴出することで、隣り合う画素同士のＥＬ溶液が混ざることを防止する技術が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）   By the way, in order to provide an organic EL display panel that performs high-resolution image display, the organic EL layer must be formed in a fine pattern. In the inkjet method, since the particle size of the droplets of the EL solution is very small, it is possible to form the organic EL layer with a fine pattern, but since the droplets solidify in the landed shape, the desired shape is obtained. Since it is difficult to form a film and it spreads and diffuses until solidifying, there is a possibility that it may be mixed with the EL solution of the organic EL layer of the adjacent pixel due to a slight misalignment of the ink jet head or a landing position deviation. . Therefore, a technique for preventing the EL solution of adjacent pixels from being mixed is proposed by finely patterning a mesh-like partition wall on the substrate in advance and then ejecting a droplet to a region surrounded by the partition wall. Yes. (For example, refer to Patent Document 1.)

図１１には、隔壁３０８を具備する従来の有機ＥＬ表示パネル３０１が示されている。この有機ＥＬ表示パネル３０１では、平面視して網目状の隔壁３０８が基板３１２に形成されており、隔壁３０８に囲繞された一つの領域に一つの有機ＥＬ素子３０２が設けられ、このような有機ＥＬ素子３０２が複数マトリクス状に配列されている。また、隔壁３０８の密着性を向上させるため、酸化シリコンからなる網目状の下地層３０９が隔壁３０８と基板３１２との間に形成されている。   FIG. 11 shows a conventional organic EL display panel 301 having a partition wall 308. In this organic EL display panel 301, a partition wall 308 having a mesh shape in plan view is formed on the substrate 312, and one organic EL element 302 is provided in one region surrounded by the partition wall 308. A plurality of EL elements 302 are arranged in a matrix. In order to improve the adhesion of the partition 308, a network-like base layer 309 made of silicon oxide is formed between the partition 308 and the substrate 312.

この有機ＥＬ表示パネル３０１の製造方法としては、まず、基板３１２上に複数のアノード電極３１５をマトリクス状にパターニングした後、各アノード電極３１５の間において基板３１２上に下地層３０９を網目状にパターニングする。次に、下地層３０９上に隔壁３０８をパターニングする。   As a manufacturing method of the organic EL display panel 301, first, a plurality of anode electrodes 315 are patterned on a substrate 312 in a matrix shape, and then a base layer 309 is patterned on the substrate 312 between the anode electrodes 315 in a mesh shape. To do. Next, the partition 308 is patterned on the base layer 309.

次に、酸素プラズマクリーニング装置にこの基板３１２をセットして、酸素プラズマクリーニング装置でアノード電極３１５上に付着した有機汚物をアッシングすることでアノード電極３１５をクリーニングする。アノード電極３１５をクリーニングするのは、有機ＥＬ層３１６をインクジェット方式で成膜するに際してＥＬ溶液の液滴がアノード電極３１５上で濡れやすくするためである。   Next, this substrate 312 is set in an oxygen plasma cleaning device, and the organic electrode attached on the anode electrode 315 is ashed by the oxygen plasma cleaning device, thereby cleaning the anode electrode 315. The reason for cleaning the anode electrode 315 is that when the organic EL layer 316 is formed by an ink jet method, the droplets of the EL solution are easily wetted on the anode electrode 315.

次に、フッ化物プラズマ照射装置にこの基板３１２をセットして、フッ化物プラズマ照射装置で隔壁３０８にフッ化物プラズマ照射することで隔壁３０８の表層に撥液性の高いフッ化物層を形成する。隔壁３０８の表層に撥液性の高いフッ化物層を形成するのは、隔壁３０８の頭頂部より高くなるような大量のＥＬ溶液が噴出された場合でも隔壁３０８上にＥＬ溶液が滲むことを防止してアノード電極３１５上のみにＥＬ溶液が定着させるとともに、隔壁３０８上で隣り合う画素のＥＬ溶液が混じることを防止するためである。   Next, this substrate 312 is set in a fluoride plasma irradiation apparatus, and the fluoride plasma irradiation is performed on the partition wall 308 with the fluoride plasma irradiation apparatus, thereby forming a highly liquid-repellent fluoride layer on the surface layer of the partition wall 308. The reason why the fluoride layer having high liquid repellency is formed on the surface layer of the partition wall 308 is to prevent the EL solution from spreading on the partition wall 308 even when a large amount of EL solution that is higher than the top of the partition wall 308 is ejected. This is because the EL solution is fixed only on the anode electrode 315 and the EL solution of adjacent pixels on the partition wall 308 is prevented from being mixed.

次に、インクジェット式成膜装置にこの基板３１２をセットして、インクジェット式成膜装置で各アノード電極３１５上にＥＬ溶液を噴出後に乾燥させて、各アノード電極３１５上に有機ＥＬ層３１６をパターニングする。次に、有機ＥＬ層３１２上にカソード電極３１７を成膜する。
特開２０００−３２３２７６号公報 Next, the substrate 312 is set in an ink jet film forming apparatus, and an EL solution is ejected onto each anode electrode 315 by the ink jet film forming apparatus, followed by drying, and an organic EL layer 316 is patterned on each anode electrode 315. To do. Next, a cathode electrode 317 is formed on the organic EL layer 312.
JP 2000-323276 A

ところで、上記製造方法では、下地層３０９をパターニングした後に隔壁３０８をパターニングしているため、下地層３０９上に隔壁３０８が確実に成膜されるように、平面視して下地層３０９の幅を隔壁３０８の幅より広くする必要がある。このように下地層３０９の幅が隔壁３０８の幅より広く、下地層３０９がアノード電極３１５の周縁部上に形成されるため、発光部分が狭く、所謂開口率が低い。一方、下地層３０９の幅を狭くすることで開口率を高めたものとしても、隔壁３０８の形成において隔壁３０８がアノード電極３１５上にはみ出てしまうため隔壁３０８の密着性が低下する。従って、隔壁３０８はアノード電極３１５に重なった部分から剥がれてしまう恐れがある。   In the above manufacturing method, since the partition 308 is patterned after the base layer 309 is patterned, the width of the base layer 309 is reduced in plan view so that the partition 308 is reliably formed on the base layer 309. It is necessary to make it wider than the width of the partition wall 308. Thus, since the width of the base layer 309 is wider than the width of the partition wall 308 and the base layer 309 is formed on the peripheral edge of the anode electrode 315, the light emitting portion is narrow and the so-called aperture ratio is low. On the other hand, even when the aperture ratio is increased by narrowing the width of the base layer 309, the partition wall 308 protrudes over the anode electrode 315 in the formation of the partition wall 308, so that the adhesion of the partition wall 308 is lowered. Therefore, the partition 308 may be peeled off from the portion overlapping the anode electrode 315.

一方、酸素プラズマクリーニングを行わなければ、ＥＬ溶液がアノード電極３１５上で広がらず、アノード電極３１５上において有機ＥＬ層３１６の成膜されていない部分が生じてしまう恐れがある。また、フッ化物プラズマ照射を行わなければ、ＥＬ溶液が隔壁３０８上に滲んでしまい、隣り同士の画素同士のＥＬ溶液が隔壁３０８上で混じってしまう可能性がある。しかしながら、酸素プラズマクリーニングやフッ化物プラズマ照射を行うため、製造工程が煩雑になる。   On the other hand, if oxygen plasma cleaning is not performed, the EL solution does not spread on the anode electrode 315, and there is a possibility that a portion where the organic EL layer 316 is not formed on the anode electrode 315 may be generated. In addition, if fluoride plasma irradiation is not performed, the EL solution may ooze on the partition 308, and the EL solution of adjacent pixels may be mixed on the partition 308. However, since the oxygen plasma cleaning and fluoride plasma irradiation are performed, the manufacturing process becomes complicated.

以上のように従来の製造方法では、高品質の有機ＥＬ表示パネルの提供と、製造工程の簡便さとを両立するにも限度がある。そこで、本発明の課題は、高品質のＥＬ表示パネルの提供と製造工程の簡便さの両立を図ることである。   As described above, the conventional manufacturing method has a limit in achieving both the provision of a high-quality organic EL display panel and the simplicity of the manufacturing process. Accordingly, an object of the present invention is to provide both a high-quality EL display panel and a simple manufacturing process.

以上の課題を解決するために、請求項１記載の発明に係る製造方法は、例えば図１〜８に示すように、基板（例えば、ＴＦＴ駆動基板６）の一方の面（例えば、表面６ａ）に形成された第一電極（例えば、アノード電極１５）ごと被覆するように前記基板の一方の面上に下地膜（例えば、酸化シリコン下地膜９’）を成膜する下地膜形成工程（例えば図４に図示）と、前記下地膜上の一面にレジスト膜（例えば、レジスト膜８’）を形成するレジスト膜形成工程（例えば図５に図示）と、前記レジスト膜を部分的に除去することによって残留したレジスト膜（例えば、隔壁８）で囲繞された囲繞領域内に前記第一電極を配するように、前記レジスト膜を形状加工する形状加工工程（例えば、図６に図示）と、前記残留したレジスト膜をマスクとしてＣ4Ｆ8又はＣＦ4を含むガスで前記下地膜をエッチングすると同時に前記レジスト膜の表層に撥液層を形成するエッチング工程（例えば図７に図示）と、前記レジスト膜間にＥＬ層を形成するＥＬ層形成工程（例えば、図８に図示）と、を含むことを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, the manufacturing method according to the first aspect of the present invention is, for example, as shown in FIGS. A base film forming step (for example, FIG. 5) for forming a base film (for example, a silicon oxide base film 9 ′) on one surface of the substrate so as to cover the first electrode (for example, the anode electrode 15) formed on the substrate. 4), a resist film forming step (for example, illustrated in FIG. 5) for forming a resist film (for example, resist film 8 ′) on one surface of the base film, and partially removing the resist film A shape processing step (for example, shown in FIG. 6) for processing the resist film so that the first electrode is disposed in the surrounding region surrounded by the remaining resist film (for example, the partition wall 8); The resist film used as a mask And Te C 4 F 8 or CF 4 etching process for forming a liquid repellent layer on the surface layer of the resist film at the same time etching the underlying film with a gas (e.g. shown in FIG. 7), EL layer between the resist film And an EL layer forming step (for example, shown in FIG. 8).

請求項２記載の発明は、請求項１記載の製造方法において、前記形状加工工程において、前記第一電極の外縁部分に前記残留したレジスト膜が重なるように前記レジスト膜を形状加工することを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, in the manufacturing method according to the first aspect, in the shape processing step, the resist film is shape-processed so that the remaining resist film overlaps an outer edge portion of the first electrode. And

請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の製造方法において、前記基板の一方の面に形成された前記第一電極は複数であり、前記下地膜形成工程において複数の前記第一電極ごと前記下地膜で被覆し、前記形状加工工程において前記囲繞領域を複数形成するように、且つ一つの囲繞領域に少なくとも一つの前記第一電極が配されるように前記レジスト膜を形状加工することを特徴とする。   A third aspect of the present invention is the manufacturing method according to the first or second aspect, wherein the first electrode formed on one surface of the substrate is plural, and the plurality of first electrodes are formed in the base film forming step. The resist film is coated with the base film, and the resist film is shaped so that a plurality of the surrounding areas are formed in the shaping process and at least one of the first electrodes is arranged in one surrounding area. It is characterized by.

請求項４記載の発明は、請求項３に記載の製造方法において、前記ＥＬ層（例えば、有機ＥＬ層１６）は、ＥＬ材料を溶解したＥＬ溶液を液滴（例えば、液滴１１６）として前記囲繞領域に向けて噴出することによって形成されることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the manufacturing method according to the third aspect, the EL layer (for example, the organic EL layer 16) is formed by using an EL solution in which an EL material is dissolved as a droplet (for example, the droplet 116). It is formed by ejecting toward the Go area.

請求項１から４の何れかに記載の発明では、レジスト膜を形状加工して残留したレジスト膜が従来の隔壁３０８に相当するものとなる。ここで、残留したレジスト膜をマスクとして、下地膜をエッチングしているため、残留した下地膜の形状は残留したレジスト膜の形状に合致する。残留した下地膜は従来の下地層３０９に相当するものであり、残留した下地膜が残留したレジスト膜（つまり、隔壁）に合致するため、ＥＬ素子の発光範囲を最大限に広げることができる。また、残留したレジスト膜が残留した下地膜に合致しているから、残留したレジスト膜が下地膜から第一電極や基板にはみ出てないから、残留したレジスト膜が剥がれにくい。故に、高品質のＥＬパネルを提供することができる。   In the invention according to any one of the first to fourth aspects, the resist film remaining after the resist film is shaped corresponds to the conventional partition wall 308. Here, since the underlying film is etched using the remaining resist film as a mask, the shape of the remaining underlying film matches the shape of the remaining resist film. The remaining base film corresponds to the conventional base layer 309, and the remaining base film matches the remaining resist film (that is, the partition wall), so that the light emission range of the EL element can be maximized. Further, since the remaining resist film matches the remaining base film, the remaining resist film does not protrude from the base film to the first electrode or the substrate, so that the remaining resist film is difficult to peel off. Therefore, a high quality EL panel can be provided.

また、残留したレジスト膜をマスクとして下地膜を形状加工しているため、従来のように下地層３０９をパターニングした後に隔壁３０８を下地層３０９上に成膜する場合と比較しても、工程が省略されて、ＥＬパネルの製造方法が簡便化される。以上のように請求項１から４の何れかに記載の発明では、高品質のＥＬパネルの提供と製造工程の簡便さの両立を図ることができる。   In addition, since the base film is processed using the remaining resist film as a mask, the steps are different from those in the case where the partition wall 308 is formed on the base layer 309 after patterning the base layer 309 as in the prior art. Omitted to simplify the EL panel manufacturing method. As described above, in the invention according to any one of claims 1 to 4, it is possible to achieve both the provision of a high-quality EL panel and the simplicity of the manufacturing process.

また、残留したレジスト膜をマスクとしてＣ4Ｆ8又はＣＦ4を含むガスで下地膜をエッチングしているため、残留したレジスト膜の表層にフッ素を含む化合物の層が形成される。フッ素を含む化合物の層は一般的に撥液性が高いため、残留したレジスト膜にフッ化物プラズマ照射をしなくても、ＥＬ溶液が残留したレジスト膜上に広がらない。従って、請求項４記載の発明のようにＥＬ溶液でＥＬ層を成膜しようとした場合、残留したレジスト膜上において隣り同士の画素のＥＬ溶液が混じることもない。また、フッ化物プラズマ照射を省略しても残留したレジスト膜上にＥＬ溶液が広がらないから、従来の製造方法に比較してもＥＬパネルの製造方法が簡便化される。 Further, since the underlying film is etched with a gas containing C 4 F 8 or CF 4 using the remaining resist film as a mask, a layer of a compound containing fluorine is formed on the surface layer of the remaining resist film. Since a fluorine-containing compound layer generally has high liquid repellency, even if the remaining resist film is not irradiated with fluoride plasma, the EL solution does not spread on the remaining resist film. Therefore, when an EL layer is formed with an EL solution as in the fourth aspect of the invention, the EL solution of adjacent pixels is not mixed on the remaining resist film. In addition, since the EL solution does not spread on the remaining resist film even if fluoride plasma irradiation is omitted, the EL panel manufacturing method is simplified compared to the conventional manufacturing method.

以上のように請求項１から４の何れかに記載の発明によれば、残留した酸化シリコン膜の形状は残留したレジスト膜の形状に合致するから、残留した酸化シリコン及び残留したレジスト膜に囲繞された囲繞領域において、第一電極、ＥＬ層及び第二電極からなるＥＬ素子の発光範囲を最大限に広げることができる。従って、高品質のＥＬパネルを提供することができる。また、残留したレジスト膜をマスクとして酸化シリコン膜を形状加工しているため、残留したレジスト膜が、第一電極、ＥＬ層及び第二電極からなるＥＬ素子を囲繞する隔壁となる。従って、工程が省略されて、ＥＬパネルの製造方法が簡便化される。   As described above, according to the invention of any one of claims 1 to 4, since the shape of the remaining silicon oxide film matches the shape of the remaining resist film, the remaining silicon oxide and the remaining resist film are surrounded. In the enclosed region, the light emission range of the EL element composed of the first electrode, the EL layer, and the second electrode can be maximized. Therefore, a high quality EL panel can be provided. In addition, since the silicon oxide film is shaped using the remaining resist film as a mask, the remaining resist film becomes a partition surrounding the EL element including the first electrode, the EL layer, and the second electrode. Therefore, the process is omitted, and the EL panel manufacturing method is simplified.

また、残留したレジスト膜の表層にフッ素を含む化合物の層が形成されるから、残留したレジスト膜にフッ化物プラズマ照射をしなくても良い。従って、従来の製造方法に比較してもＥＬパネルの製造方法が簡便化される。   Further, since the compound layer containing fluorine is formed on the surface layer of the remaining resist film, the remaining resist film may not be irradiated with fluoride plasma. Therefore, the EL panel manufacturing method can be simplified compared to the conventional manufacturing method.

以下に、図面を用いて本発明の具体的な態様について説明する。ただし、発明の範囲を図示例に限定するものではない。なお、以下の説明において、『平面視して』とは、『発光面に対して垂直な方向に見て』という意味である。   Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the scope of the invention is not limited to the illustrated examples. In the following description, “when viewed in plan” means “when viewed in a direction perpendicular to the light emitting surface”.

図１には、有機ＥＬ表示パネル１の断面図が示されている。平面視して、有機ＥＬ表示パネル１では赤色、緑色及び青色の複数の画素がマトリクス状に配列されており、一つの画素は、一つの有機ＥＬ素子２（詳細については後述する。）によって発光する発光部３と、その発光部３の周囲において発光しない非発光部４とからなる。   FIG. 1 shows a cross-sectional view of the organic EL display panel 1. In plan view, the organic EL display panel 1 has a plurality of red, green, and blue pixels arranged in a matrix, and one pixel emits light from one organic EL element 2 (details will be described later). And a non-light emitting portion 4 that does not emit light around the light emitting portion 3.

有機ＥＬ表示パネル１は、アクティブマトリクス駆動方式によりカラー表示を行うものである。即ち、有機ＥＬ表示パネル１は、一つの画素につき、一つの有機ＥＬ素子２と、有機ＥＬ素子２を駆動するための一つの画素スイッチング回路（薄膜トランジスタ５を含む）と、から構成されており、周辺ドライバ回路から出力された信号に従って画素スイッチング回路が有機ＥＬ素子２に流れる電流をオン・オフしたり、有機ＥＬ素子２の発光期間中に電流値を保持することで有機ＥＬ素子２の発光輝度を一定に制御したりする。なお、画素スイッチング回路は、一つにつき、少なくとも一つ以上の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと述べる。）から構成され、適宜コンデンサ等も付加されることもあるが、以下では画素スイッチング回路のＴＦＴのうち、他の電気素子を介しないで有機ＥＬ素子２に直接接続されるＴＦＴ５を例にして説明する。   The organic EL display panel 1 performs color display by an active matrix driving method. That is, the organic EL display panel 1 includes one organic EL element 2 and one pixel switching circuit (including the thin film transistor 5) for driving the organic EL element 2 for each pixel. The pixel switching circuit turns on / off the current flowing through the organic EL element 2 in accordance with the signal output from the peripheral driver circuit, or maintains the current value during the light emission period of the organic EL element 2, thereby emitting light from the organic EL element 2. Is controlled to be constant. Each pixel switching circuit is composed of at least one thin film transistor (hereinafter referred to as TFT), and a capacitor or the like may be added as appropriate. An example of the TFT 5 that is directly connected to the organic EL element 2 without passing through other electric elements will be described.

有機ＥＬ表示パネル１は、画素スイッチング回路（ＴＦＴ５を含む）を有するＴＦＴ駆動基板６と、ＴＦＴ駆動基板６に対向した平板状の対向基板７と、ＴＦＴ駆動基板６と対向基板７との間においてマトリクス状にパターニング形成された複数の有機ＥＬ素子２と、有機ＥＬ素子２の周囲に設けられた平面視網目状の隔壁８と、隔壁８とＴＦＴ駆動基板６との間に形成された平面視網目状の下地層９と、隔壁８及び下地層９の表層の撥液層１０と、有機ＥＬ素子２を封止する封止樹脂層１１等とを具備する。   The organic EL display panel 1 includes a TFT drive substrate 6 having a pixel switching circuit (including TFT 5), a flat counter substrate 7 facing the TFT drive substrate 6, and between the TFT drive substrate 6 and the counter substrate 7. A plurality of organic EL elements 2 patterned and formed in a matrix, a planar partition wall 8 provided around the organic EL element 2, and a plan view formed between the partition wall 8 and the TFT drive substrate 6. A network-like base layer 9, a partition wall 8, a liquid repellent layer 10 on the surface of the base layer 9, a sealing resin layer 11 for sealing the organic EL element 2, and the like are provided.

ＴＦＴ駆動基板６は、光に対して透過性を有する絶縁性の透明基板１２を基本構成としている。透明基板１２は、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他のガラスといった材料で平板状に形成されている。この透明基板１２の一方の面１２ａにＴＦＴ５、配線１９（例えば、走査線、信号線等）、その他の電気素子等が形成され、透明基板１２の全面にゲート絶縁膜１３及び層間絶縁膜１４が成膜されて、ＴＦＴ駆動基板６が構成される。   The TFT drive substrate 6 is basically composed of an insulating transparent substrate 12 that is transparent to light. The transparent substrate 12 is formed in a flat plate shape using a material such as borosilicate glass, quartz glass, or other glass. The TFT 5, the wiring 19 (for example, scanning lines, signal lines, etc.), other electric elements, etc. are formed on one surface 12 a of the transparent substrate 12, and the gate insulating film 13 and the interlayer insulating film 14 are formed on the entire surface of the transparent substrate 12. The TFT drive substrate 6 is configured by forming a film.

ＴＦＴ５は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極、半導体層、不純物半導体層等から構成されたＭＯＳ型の電界効果トランジスタであり、半導体層はアモルファスシリコンであっても、ポリシリコンであってもよく、逆スタガ構造であってもコプラナ構造であってもよい。更に、ＴＦＴ５は配線１９に接続されており、周辺ドライバ回路から各ＴＦＴ５に電流が流れたり、電圧が印加されたりする。ゲート絶縁膜１３は、ＴＦＴ５の半導体層、不純物半導体層、ソース電極並びにドレイン電極とゲート電極との間に介在するとともに、走査線等の配線１９を被覆する。ゲート絶縁膜１３は、可視光に対して透過性を有するとともに絶縁性を有する。層間絶縁膜１４は、全てのＴＦＴ５を被覆して、ＴＦＴ駆動基板６の表面６ａを構成する。また、層間絶縁膜１４は信号線等の配線も被覆する。層間絶縁膜１４は、可視光に対して透光性を有するとともに絶縁性を有する。   The TFT 5 is a MOS field effect transistor composed of a gate electrode, a drain electrode, a source electrode, a semiconductor layer, an impurity semiconductor layer, and the like. The semiconductor layer may be amorphous silicon or polysilicon, An inverted staggered structure or a coplanar structure may be used. Further, the TFT 5 is connected to the wiring 19, and a current flows from the peripheral driver circuit to each TFT 5 or a voltage is applied. The gate insulating film 13 is interposed between the semiconductor layer, the impurity semiconductor layer, the source electrode, the drain electrode, and the gate electrode of the TFT 5 and covers the wiring 19 such as a scanning line. The gate insulating film 13 is transparent to visible light and has an insulating property. The interlayer insulating film 14 covers all the TFTs 5 and constitutes the surface 6 a of the TFT drive substrate 6. The interlayer insulating film 14 also covers wiring such as signal lines. The interlayer insulating film 14 has a light-transmitting property with respect to visible light and an insulating property.

層間絶縁膜１４上に複数の有機ＥＬ素子２がマトリクス状に配列されている。各有機ＥＬ素子２は、アノード電極（第一電極）１５と、有機ＥＬ層１６と、カソード電極（第二電極）１７とを具備しており、層間絶縁膜１４側から順にアノード電極１５、有機ＥＬ層１６、カソード電極１７が積層した積層構造となっている。
ここでは、カソード電極１７は、全ての有機ＥＬ素子２に共通した電極となっており、一面に形成されている。一方、アノード電極１５及び有機ＥＬ層１６は、画素ごとに設けられており、平面視して複数マトリクス状に配列されている。 A plurality of organic EL elements 2 are arranged in a matrix on the interlayer insulating film 14. Each organic EL element 2 includes an anode electrode (first electrode) 15, an organic EL layer 16, and a cathode electrode (second electrode) 17, and the anode electrode 15 and organic layers are sequentially formed from the interlayer insulating film 14 side. It has a laminated structure in which the EL layer 16 and the cathode electrode 17 are laminated.
Here, the cathode electrode 17 is an electrode common to all the organic EL elements 2, and is formed on one surface. On the other hand, the anode electrode 15 and the organic EL layer 16 are provided for each pixel, and are arranged in a plurality of matrices in plan view.

アノード電極１５は、導電性を有するとともに可視光に対して透光性を有している。更に、アノード電極１５は、比較的仕事関数が高く、有機ＥＬ層１２へ正孔を効率よく注入するものが好ましい。アノード電極１５としては、インジウム・スズ・酸化物（ＩＴＯ:Indium-Tin-Oxide）が望ましいが、例えば、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分としたものでも良い。なお、画素ごとに層間絶縁膜１４にコンタクトホール１８が設けられており、コンタクトホール１８を介してＴＦＴ５のドレイン電極又はカソード電極がアノード電極１５に電気的に接続されている。 The anode electrode 15 has conductivity and translucency for visible light. Furthermore, it is preferable that the anode electrode 15 has a relatively high work function and efficiently injects holes into the organic EL layer 12. The anode electrode 15 is preferably indium-tin-oxide (ITO). For example, zinc-doped indium oxide (IZO), indium oxide (In 2 O 3 ), tin oxide (SnO 2 ). Alternatively, the main component may be zinc oxide (ZnO). Note that a contact hole 18 is provided in the interlayer insulating film 14 for each pixel, and the drain electrode or the cathode electrode of the TFT 5 is electrically connected to the anode electrode 15 through the contact hole 18.

有機ＥＬ層１６は、アノード電極１５上に形成されている。有機ＥＬ層１６は、例えば、アノード電極１５から順に正孔輸送層、狭義の発光層、電子輸送層となる三層構造であっても良いし、アノード電極１５から順に正孔輸送層、狭義の発光層となる二層構造であっても良いし、狭義の発光層からなる一層構造であっても良いし、これらの層構造において適切な層間に電子或いは正孔の注入層が介在した積層構造であっても良いし、その他の層構造であっても良い。   The organic EL layer 16 is formed on the anode electrode 15. The organic EL layer 16 may have, for example, a three-layer structure including a hole transport layer, a narrow light emitting layer, and an electron transport layer in order from the anode electrode 15, or a hole transport layer and a narrow sense in order from the anode electrode 15. The light emitting layer may have a two-layer structure or a single-layer structure composed of a narrowly defined light emitting layer, or a laminated structure in which an electron or hole injection layer is interposed between appropriate layers in these layer structures. Or other layer structures.

有機ＥＬ層１６は、正孔及び電子を注入する機能、正孔及び電子を輸送する機能、正孔と電子の再結合により励起子を生成して赤色、緑色又は青色の何れかに発光する機能を有する広義の発光層である。つまり、画素が赤である場合にはその画素の有機ＥＬ層１６は赤色に発光し、画素が緑である場合にはその画素の有機ＥＬ層１６は緑色に発光し、画素が青である場合にはその画素の有機ＥＬ層１６は青色に発光する。   The organic EL layer 16 has a function of injecting holes and electrons, a function of transporting holes and electrons, and a function of generating excitons by recombination of holes and electrons to emit red, green, or blue light. Is a light emitting layer in a broad sense. That is, when the pixel is red, the organic EL layer 16 of the pixel emits red light, and when the pixel is green, the organic EL layer 16 of the pixel emits green light and the pixel is blue. The organic EL layer 16 of the pixel emits blue light.

また、有機ＥＬ層１６は、電子的に中立な有機化合物であることが望ましく、これにより正孔と電子が有機ＥＬ層１６でバランス良く注入及び輸送される。また、電子輸送性の物質が狭義の発光層に適宜混合されていても良いし、正孔輸送性の物質が狭義の発光層に適宜混合されても良いし、電子輸送性の物質及び正孔輸送性の物質が狭義の発光層に適宜混合されていても良い。なお、有機ＥＬ層１６に発光材料（蛍光材料）が含有されているが、発光材料は高分子系材料である。この有機ＥＬ層１６は、後述する成膜装置５０によって液滴噴出方式（所謂インクジェット方式）で形成されたものである。   The organic EL layer 16 is desirably an electronically neutral organic compound, whereby holes and electrons are injected and transported in the organic EL layer 16 in a balanced manner. In addition, an electron transporting substance may be appropriately mixed in the narrowly defined light emitting layer, a hole transporting substance may be appropriately mixed in the narrowly defined light emitting layer, or the electron transporting substance and the hole may be mixed. A transporting substance may be appropriately mixed in the light-emitting layer in the narrow sense. The organic EL layer 16 contains a light emitting material (fluorescent material), but the light emitting material is a polymer material. The organic EL layer 16 is formed by a droplet ejection method (so-called ink jet method) by a film forming apparatus 50 described later.

カソード電極１７は、仕事関数の低い材料で形成されており、具体的なものとして、マグネシウム、カルシウム、リチウム若しくはバリウム又はこれらの少なくとも一種を含む合金若しくは混合物等で形成され、その上を例えばアルミニウム、クロム等高仕事関数で且つ低抵抗の材料で覆った積層構造になっている。また、カソード電極１７は可視光に対して遮光性を有するのが望ましく、かつ、有機ＥＬ層１６から発する可視光に対して高い反射性を有するのが望ましい。つまり、カソード電極１７は可視光を反射する鏡面として作用する。   The cathode electrode 17 is formed of a material having a low work function. Specifically, the cathode electrode 17 is formed of magnesium, calcium, lithium, barium, an alloy or a mixture containing at least one of them, and aluminum is formed thereon. The laminated structure is covered with a high work function and low resistance material such as chromium. The cathode electrode 17 desirably has a light shielding property with respect to visible light, and desirably has a high reflectivity with respect to visible light emitted from the organic EL layer 16. That is, the cathode electrode 17 acts as a mirror surface that reflects visible light.

マトリクス状に配列された複数のアノード電極１５及び有機ＥＬ層１６をそれぞれ仕切るように、下地層９及び隔壁８が平面視して網目状に設けられている。下地層９は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）により形成されており、可視光に対して透過性を有するとともに絶縁性を有する。 The base layer 9 and the partition wall 8 are provided in a mesh shape in plan view so as to partition the plurality of anode electrodes 15 and the organic EL layer 16 arranged in a matrix. The underlayer 9 is made of silicon oxide (SiO 2 ) and has transparency to visible light and insulation.

隔壁８は、下地層９上に形成されており、平面視して下地層９の形状に合致している。従って、平面視して、隔壁８が下地層９からはみ出ておらず、下地層９が隔壁８からはみ出ていない。また、隔壁８は、ポリイミド樹脂等の感光性樹脂で形成されている。隔壁８とＴＦＴ駆動基板６との間に下地層９が介在することで、ＴＦＴ駆動基板６に対して隔壁８の密着性が高くなっている。隔壁８及び下地層９の表層に撥液層１０が形成されているが、撥液層１０はフッ素と炭素の化合物であり、有機ＥＬ層１６の材料（有機ＥＬ材料）を数％の濃度で溶媒に溶解したＥＬ溶液をはじく性質を有する。なお、カソード電極１７は、全ての有機ＥＬ素子２に共通の電極であるため、隔壁８の上面や隔壁８の側面上にも形成されている。   The partition wall 8 is formed on the base layer 9 and matches the shape of the base layer 9 in plan view. Accordingly, the partition wall 8 does not protrude from the base layer 9 and the base layer 9 does not protrude from the partition wall 8 in plan view. The partition wall 8 is made of a photosensitive resin such as a polyimide resin. Since the base layer 9 is interposed between the partition wall 8 and the TFT drive substrate 6, the adhesion of the partition wall 8 to the TFT drive substrate 6 is enhanced. The liquid repellent layer 10 is formed on the surface layer of the partition wall 8 and the base layer 9. The liquid repellent layer 10 is a compound of fluorine and carbon, and the material of the organic EL layer 16 (organic EL material) is at a concentration of several percent. It has the property of repelling an EL solution dissolved in a solvent. Since the cathode electrode 17 is an electrode common to all the organic EL elements 2, it is also formed on the upper surface of the partition wall 8 and the side surface of the partition wall 8.

封止樹脂層１１は、以上のように構成された複数の有機ＥＬ素子２全体を被覆するように成膜されている。この封止樹脂層１１は、例えば、エポキシ樹脂等により形成されている。対向基板７は、この封止樹脂層１１によって有機ＥＬ素子２上に接着されており、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他のガラスといった材料で形成されている。   The sealing resin layer 11 is formed so as to cover the entire plurality of organic EL elements 2 configured as described above. This sealing resin layer 11 is formed of, for example, an epoxy resin. The counter substrate 7 is bonded onto the organic EL element 2 by the sealing resin layer 11 and is formed of a material such as borosilicate glass, quartz glass, or other glass.

次に、液滴噴出方式で有機ＥＬ層１６を成膜する成膜装置５０について説明する。
図２には、成膜装置５０が示された概略側面図である。
成膜装置５０は、有機溶媒（例えば、トルエン又はキシレン等）または水溶性の溶媒に有機ＥＬ層１６の材料（発光性物質、正孔輸送性物質、電子輸送性物質等の有機ＥＬ材料）が溶解してなるＥＬ溶液を液滴としてＴＦＴ駆動基板６に噴出することで有機ＥＬ層１６を成膜するものである。ここで、有機ＥＬ層１６を成膜する際には、下地層９、隔壁８及びアノード電極１５が表面６ａ上に形成されているＴＦＴ駆動基板６を用いる。 Next, the film forming apparatus 50 for forming the organic EL layer 16 by the droplet ejection method will be described.
FIG. 2 is a schematic side view showing the film forming apparatus 50.
In the film forming apparatus 50, the material of the organic EL layer 16 (organic EL material such as a light emitting substance, a hole transporting substance, and an electron transporting substance) is mixed with an organic solvent (for example, toluene or xylene) or a water-soluble solvent. The organic EL layer 16 is formed by ejecting the dissolved EL solution as droplets onto the TFT drive substrate 6. Here, when forming the organic EL layer 16, the TFT drive substrate 6 in which the base layer 9, the partition wall 8, and the anode electrode 15 are formed on the surface 6a is used.

成膜装置５０は、平坦で且つ水平な上面を有するワークテーブル５１と、ワークテーブル５１を副走査方向Ｙ（ワークテーブル５１に平行である。）の順方向及び逆方向の両方に移動する移動装置５２と、副走査方向Ｙに対して略直角な主走査方向Ｘ（ワークテーブル５１に平行である。）に延在するガイド部５３と、ガイド部５３に案内されてガイド部５３に沿って主走査方向Ｘの順方向及び逆方向に移動するヘッド部５４と、ＥＬ溶液を液滴として噴出する複数のノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂと、プラズマ照射を行う酸素プラズマ照射ヘッド５６及びフッ化物プラズマ照射ヘッド５７と、内部空間６６ａを形成した箱体６６等とを具備する。   The film forming apparatus 50 includes a work table 51 having a flat and horizontal upper surface, and a moving apparatus that moves the work table 51 in both the forward and reverse directions in the sub-scanning direction Y (parallel to the work table 51). 52, a guide part 53 extending in a main scanning direction X (parallel to the work table 51) substantially perpendicular to the sub-scanning direction Y, and a guide part 53 guided by the guide part 53 along the guide part 53. A head portion 54 that moves in the forward and reverse directions of the scanning direction X, a plurality of nozzles 55R, 55G, and 55B that eject the EL solution as droplets, an oxygen plasma irradiation head 56 and a fluoride plasma irradiation head that perform plasma irradiation 57, a box 66 having an internal space 66a, and the like.

ワークテーブル５１にはＴＦＴ駆動基板６が載置される。
移動装置５２は、ヘッド部５４の動作に合わせてワークテーブル５１とともにＴＦＴ駆動基板６を副走査方向Ｙに搬送するものであり、具体的には、間欠的にＴＦＴ駆動基板６を搬送するものである。 The TFT drive substrate 6 is placed on the work table 51.
The moving device 52 conveys the TFT drive substrate 6 in the sub-scanning direction Y together with the work table 51 in accordance with the operation of the head unit 54, and specifically conveys the TFT drive substrate 6 intermittently. is there.

ヘッド部５４は、間欠的なＴＦＴ駆動基板６の搬送に合わせて、ワークテーブル５１上においてガイド部５３に沿って主走査方向Ｘに往復移動するものであり、具体的にはＴＦＴ駆動基板６が停止している際に主走査方向Ｘに少なくとも一往復の移動をするものである。   The head portion 54 reciprocates in the main scanning direction X along the guide portion 53 on the work table 51 in accordance with intermittent conveyance of the TFT drive substrate 6. When it is stopped, it moves at least once in the main scanning direction X.

ヘッド部５４に複数のノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂが設けられている。ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂは、主走査方向Ｘに一列となって等間隔に並んでいる。   The head portion 54 is provided with a plurality of nozzles 55R, 55G, and 55B. The nozzles 55R, 55G, and 55B are arranged in a line in the main scanning direction X at equal intervals.

各ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂの内部にはそれぞれ互いに発光色の異なる有機ＥＬ材料を含むＥＬ溶液が充填されており、各ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂには噴出手段が設けられているとともに、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂの下端部にはそれぞれ噴出口５５Ｒａ，５５Ｇａ，５５Ｂａが設けられている。ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂはそれぞれの噴出手段の作動によりそれぞれの噴出口５５Ｒａ，５５Ｇａ，５５ＢａからＥＬ溶液をＴＦＴ駆動基板６に向けて噴出する。噴出手段は、サーマルジェット式、ピエゾ式又は静電式等が挙げられる。   Each nozzle 55R, 55G, 55B is filled with an EL solution containing organic EL materials having different emission colors, and each nozzle 55R, 55G, 55B is provided with ejection means, and the nozzle 55R. , 55G, 55B are provided with jet outlets 55Ra, 55Ga, 55Ba, respectively. The nozzles 55R, 55G, and 55B eject the EL solution toward the TFT drive substrate 6 from the respective ejection ports 55Ra, 55Ga, and 55Ba by the operation of the ejection means. Examples of the ejection means include a thermal jet type, a piezo type, and an electrostatic type.

サーマルジェット式の噴出手段は、発熱体でノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内のＥＬ溶液に気泡を発生することでノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内の圧力を変化させることによって、ＥＬ溶液の液滴を噴出するものである。   The thermal jet type ejecting means ejects droplets of the EL solution by changing the pressure in the nozzles 55R, 55G, and 55B by generating bubbles in the EL solution in the nozzles 55R, 55G, and 55B with a heating element. To do.

ピエゾ式の噴出手段は、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内の溶液に接したピエゾ素子の体積を変化させることでノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内の圧力を変化させることによって、ＥＬ溶液の液滴を噴出するものである。   Piezo-type ejection means ejects droplets of an EL solution by changing the pressure in the nozzles 55R, 55G, and 55B by changing the volume of the piezo elements in contact with the solution in the nozzles 55R, 55G, and 55B. To do.

静電式の噴出手段は、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内の溶液に接したコンデンサに電圧を印加してコンデンサの電極の引力又は斥力を変化させることでノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内の溶液の圧力を変化させることによって、ＥＬ溶液の液滴を噴出するものである。   The electrostatic ejection means applies a voltage to a capacitor in contact with the solution in the nozzles 55R, 55G, and 55B to change the attractive force or repulsive force of the electrodes of the capacitor, thereby changing the pressure of the solution in the nozzles 55R, 55G, and 55B. The liquid droplets of the EL solution are ejected by changing.

なお、噴出口５５Ｒａからは、赤色に発光する有機ＥＬ層１６のＥＬ溶液が噴出され、噴出口５５Ｇａからは緑発光のＥＬ溶液が噴出され、噴出口５５Ｂａからは青発光のＥＬ溶液が噴出される。   The EL solution of the organic EL layer 16 that emits red light is ejected from the ejection port 55Ra, the EL solution that emits green light is ejected from the ejection port 55Ga, and the EL solution that emits blue light is ejected from the ejection port 55Ba. The

更に、ヘッド部５４には、酸素プラズマ照射ヘッド５６と、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７とが設けられている。酸素プラズマ照射ヘッド５６は、ＴＦＴ駆動基板６に向けて酸素のプラズマ照射を行うものである。フッ化物プラズマ照射ヘッド５７は、ＴＦＴ駆動基板６に向けてフッ化物のプラズマ照射を行うものである。   Further, the head unit 54 is provided with an oxygen plasma irradiation head 56 and a fluoride plasma irradiation head 57. The oxygen plasma irradiation head 56 performs oxygen plasma irradiation toward the TFT drive substrate 6. The fluoride plasma irradiation head 57 performs plasma irradiation of fluoride toward the TFT drive substrate 6.

酸素プラズマ照射においては、酸素ガス供給源５８からガス混合器６０へ酸素ガスが供給され、不活性ガス供給源５９からガス混合器６０へアルゴンガス又はヘリウムガスが供給され、酸素ガスとアルゴンガスの混合ガス、又は酸素ガスとヘリウムガスの混合ガスがガス混合器６０から酸素プラズマ照射ヘッド５６へ供給されるようになっている。ここで、高周波電源６１で酸素プラズマ照射ヘッド５６の電極に高周波電圧が印加されると、酸素プラズマ照射ヘッド５６からＴＦＴ駆動基板６に向けて酸素プラズマ（電離した酸素ガス（例えば、酸素ラジカル、酸素イオン等））が照射されるようになっている。酸素プラズマ照射ヘッド５６から照射されたプラズマは、大気圧のプラズマであるが、大気圧より気圧の低い減圧プラズマであっても良い。   In the oxygen plasma irradiation, oxygen gas is supplied from the oxygen gas supply source 58 to the gas mixer 60, argon gas or helium gas is supplied from the inert gas supply source 59 to the gas mixer 60, and oxygen gas and argon gas are mixed. A mixed gas or a mixed gas of oxygen gas and helium gas is supplied from the gas mixer 60 to the oxygen plasma irradiation head 56. Here, when a high frequency voltage is applied to the electrode of the oxygen plasma irradiation head 56 by the high frequency power supply 61, oxygen plasma (ionized oxygen gas (for example, oxygen radical, oxygen radical, oxygen gas) from the oxygen plasma irradiation head 56 toward the TFT drive substrate 6 is obtained. Ions))). The plasma irradiated from the oxygen plasma irradiation head 56 is a plasma at atmospheric pressure, but may be a reduced-pressure plasma whose atmospheric pressure is lower than the atmospheric pressure.

フッ化物プラズマ照射においては、フッ化物ガス供給源６２からガス混合器６４へＦ2ガス又はＣＦ4ガス（以下、Ｆ2ガス、ＣＦ4ガスをまとめてフッ化物ガスと称する。）が供給され、不活性ガス供給源６３からガス混合器６４へアルゴンガス又はヘリウムガスが供給され、フッ化物ガスとアルゴンガスの混合ガス、又はフッ化物ガスとヘリウムガスの混合ガスがガス混合器６４からフッ化物プラズマ照射ヘッド５７へ供給されるようになっている。ここで、高周波電源６５でフッ化物プラズマ照射ヘッド５７の電極に高周波電圧が印加されると、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７からＴＦＴ駆動基板６に向けてフッ化物プラズマ（電離したフッ化物ガス（例えば、フッ化物ラジカル、フッ化物イオン等））が照射されるようになっている。フッ化物プラズマ照射ヘッド５７から照射されるプラズマは、大気圧のプラズマであるが、大気圧より気圧の低い減圧プラズマであっても良い。なお、ガス混合器６４へＯ2ガスが供給されても良い。 In the fluoride plasma irradiation, F 2 gas or CF 4 gas (hereinafter, F 2 gas and CF 4 gas are collectively referred to as fluoride gas) is supplied from the fluoride gas supply source 62 to the gas mixer 64. Argon gas or helium gas is supplied from the inert gas supply source 63 to the gas mixer 64, and a mixed gas of fluoride gas and argon gas, or a mixed gas of fluoride gas and helium gas is supplied from the gas mixer 64 to fluoride plasma. It is supplied to the irradiation head 57. Here, when a high frequency voltage is applied to the electrode of the fluoride plasma irradiation head 57 by the high frequency power source 65, fluoride plasma (ionized fluoride gas (for example, ionized fluoride gas (for example, for example)) is directed from the fluoride plasma irradiation head 57 toward the TFT drive substrate 6. Fluoride radicals, fluoride ions, etc.) are irradiated. The plasma irradiated from the fluoride plasma irradiation head 57 is an atmospheric pressure plasma, but may be a reduced pressure plasma having an atmospheric pressure lower than the atmospheric pressure. Note that O 2 gas may be supplied to the gas mixer 64.

酸素プラズマ照射ヘッド５６及びフッ化物プラズマ照射ヘッド５７は、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂとともに主走査方向Ｘに一列となって並んでいる。つまり、酸素プラズマ照射ヘッド５６、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７及びノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂは一直線状に配列されており、酸素プラズマ照射ヘッド５６、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７及びノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂを結ぶ直線は主走査方向Ｘに平行となっている。   The oxygen plasma irradiation head 56 and the fluoride plasma irradiation head 57 are arranged in a line in the main scanning direction X together with the nozzles 55R, 55G, and 55B. That is, the oxygen plasma irradiation head 56, the fluoride plasma irradiation head 57, and the nozzles 55R, 55G, and 55B are arranged in a straight line, and the oxygen plasma irradiation head 56, the fluoride plasma irradiation head 57, and the nozzles 55R, 55G, and 55B are arranged. The connecting straight line is parallel to the main scanning direction X.

また、酸素プラズマ照射ヘッド５６は、主走査方向Ｘの順方向の最前に配置されており、酸素プラズマ照射ヘッド５６の逆方向側にフッ化物プラズマ照射ヘッド５７が配置されており、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７の逆方向側にノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂが配置されている。従って、ヘッド部５４が主走査方向Ｘの順方向に移動している場合、ＴＦＴ駆動基板６上のある点の直上を、酸素プラズマ照射ヘッド５６、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂの順に通過する。なお、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂの並び順は、どのような並び順であっても良い。   The oxygen plasma irradiation head 56 is disposed in front of the forward direction of the main scanning direction X, and a fluoride plasma irradiation head 57 is disposed on the opposite side of the oxygen plasma irradiation head 56, so that fluoride plasma irradiation is performed. Nozzles 55R, 55G, and 55B are arranged on the opposite side of the head 57. Therefore, when the head unit 54 moves in the forward direction of the main scanning direction X, the oxygen plasma irradiation head 56, the fluoride plasma irradiation head 57, the nozzles 55R, 55G, Pass in the order of 55B. The arrangement order of the nozzles 55R, 55G, and 55B may be any arrangement order.

ワークテーブル５１、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ、酸素プラズマ照射ヘッド５６及びフッ化物プラズマ照射ヘッド５７は、箱体６６内に配設されている。従って、ＴＦＴ駆動基板６が副走査方向Ｙに移動されること、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５ＢからＥＬ溶液の液滴が噴出されること、ＥＬ溶液の液滴がＴＦＴ駆動基板６に着弾すること、ＴＦＴ駆動基板６に酸素プラズマ照射すること、及びＴＦＴ駆動基板にフッ化物プラズマ照射することが、箱体６６の内部空間６６ａにおいて行われる。   The work table 51, the nozzles 55R, 55G, and 55B, the oxygen plasma irradiation head 56, and the fluoride plasma irradiation head 57 are disposed in a box 66. Accordingly, the TFT drive substrate 6 is moved in the sub-scanning direction Y, the EL solution droplets are ejected from the nozzles 55R, 55G, and 55B, and the EL solution droplets land on the TFT drive substrate 6. Irradiation of oxygen plasma to the TFT drive substrate 6 and irradiation of fluoride plasma to the TFT drive substrate are performed in the internal space 66 a of the box 66.

なお、移動装置５２、ヘッド部５４、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ、酸素プラズマ照射ヘッド５６、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７、高周波電源６１及び高周波電源６５は制御装置（図示略）によって制御されて所定タイミングで動作したり、停止したりする。   Note that the moving device 52, the head portion 54, the nozzles 55R, 55G, and 55B, the oxygen plasma irradiation head 56, the fluoride plasma irradiation head 57, the high frequency power supply 61, and the high frequency power supply 65 are controlled by a control device (not shown) to have a predetermined timing. Operate with or stop.

有機ＥＬ表示パネル１の製造方法について説明する。
まず、ＴＦＴ駆動基板６を製造する。つまり、ＰＶＤ法或いはＣＶＤ法等による成膜工程、フォトリソグラフィー法等によるマスク工程、エッチング法等による薄膜形状加工工程を適宜行うことによって、画素ごとに画素スイッチング回路（ＴＦＴ５を含む）を透明基板１２の面１２ａにパターニング形成するとともに、面１２ａに配線１９をパターニング形成し、更に一面に層間絶縁膜１４を成膜する。 A method for manufacturing the organic EL display panel 1 will be described.
First, the TFT drive substrate 6 is manufactured. That is, a pixel switching circuit (including the TFT 5) is provided for each pixel by appropriately performing a film forming process such as a PVD method or a CVD method, a masking process such as a photolithography method, and a thin film shape processing process such as an etching method. Then, the wiring 19 is patterned on the surface 12a, and the interlayer insulating film 14 is formed on one surface.

次に、層間絶縁膜１４にコンタクトホールを形成後、ＰＶＤ法或いはＣＶＤ法等による成膜工程、フォトリソグラフィー法等によるマスク工程、エッチング法等による薄膜形状加工工程を適宜行うことによって、層間絶縁膜１４上に複数のアノード電極１５をマトリクス状にパターニング形成し、コンタクトホール１８を介してアノード電極１５をＴＦＴ５に接続する（図３）。なお、図３（ｂ）はこの工程直後におけるＴＦＴ駆動基板６の平面図を示し、図３（ａ）は図３（ｂ）の破断線Ａ−Ａにおける断面図を示す。   Next, after forming a contact hole in the interlayer insulating film 14, a film forming process by a PVD method or a CVD method, a mask process by a photolithography method or the like, and a thin film shape processing process by an etching method or the like are appropriately performed. A plurality of anode electrodes 15 are formed in a matrix on 14, and the anode electrodes 15 are connected to the TFTs 5 through the contact holes 18 (FIG. 3). FIG. 3B is a plan view of the TFT drive substrate 6 immediately after this step, and FIG. 3A is a cross-sectional view taken along the broken line AA in FIG.

次に、ＰＶＤ法或いはＣＶＤ法等による成膜工程を行うことで、複数のアノード電極１５の形成された層間絶縁膜１４上の一面に酸化シリコン下地膜９’を成膜する（図４）。ここで、酸化シリコン下地膜９’で全てのアノード電極１５を被覆するように、酸化シリコン下地膜９’を成膜する。なお、図４（ｂ）はこの工程直後におけるＴＦＴ駆動基板６の平面図を示し、図４（ａ）は図４（ｂ）の破断線Ｂ−Ｂにおける断面図を示す。   Next, a silicon oxide base film 9 ′ is formed on one surface of the interlayer insulating film 14 on which the plurality of anode electrodes 15 are formed by performing a film forming process such as a PVD method or a CVD method (FIG. 4). Here, the silicon oxide base film 9 ′ is formed so as to cover all the anode electrodes 15 with the silicon oxide base film 9 ′. 4B is a plan view of the TFT drive substrate 6 immediately after this process, and FIG. 4A is a cross-sectional view taken along the broken line BB in FIG. 4B.

次に、スピンコート法又はディップ法等によって、酸化シリコン下地膜９’上の一面に感光性樹脂のレジスト膜８’を成膜する（図５）。酸化シリコン下地膜９’はレジスト膜８’に対して密着性が高いから、酸化シリコン下地膜９’を成膜せずにＴＦＴ駆動基板６の透明基板１２のガラス表面やアノード電極１５の表面に直接レジスト膜８’を成膜した場合よりもレジスト膜８’が剥がれにくい。なお、図５（ｂ）はこの工程直後におけるＴＦＴ駆動基板６の平面図を示し、図５（ａ）は図５（ｂ）の破断線Ｃ−Ｃにおける断面図を示す。   Next, a resist film 8 'of a photosensitive resin is formed on one surface of the silicon oxide base film 9' by a spin coat method or a dip method (FIG. 5). Since the silicon oxide base film 9 ′ has high adhesion to the resist film 8 ′, the silicon oxide base film 9 ′ is not formed on the glass surface of the transparent substrate 12 or the surface of the anode electrode 15 of the TFT drive substrate 6. The resist film 8 ′ is less likely to be peeled off than when the resist film 8 ′ is formed directly. 5B is a plan view of the TFT drive substrate 6 immediately after this step, and FIG. 5A is a cross-sectional view taken along the broken line CC in FIG. 5B.

次に、レジスト膜８’を形状加工するために、レジスト膜８’を選択的に露光する。ここで、レジスト膜８’がネガ型である場合には隔壁８となる部分を露光し、レジスト膜８’がポジ型である場合には隔壁８となる部分以外を露光する。次に、レジスト膜８’に現像液を散布して、隔壁８となる部分以外のレジスト膜８’を現像液で除去することで、レジスト膜８’を形状加工する。レジスト膜８’の残留した部分が隔壁８となる（図６）。ここで、図６（ｂ）に示すように、平面視して、各アノード電極１５の外縁部に隔壁８の一部が重なるようにレジスト膜８’を形状加工する。レジスト膜８’を形状加工することで隔壁８が形成されるが、隔壁８で囲繞される囲繞領域は複数形成され、この時点では平面視してそれぞれの囲繞領域に一つのアノード電極１５が配される。なお、図６（ｂ）はこの工程直後におけるＴＦＴ駆動基板６の平面図を示し、図６（ａ）は図６（ｂ）の破断線Ｄ−Ｄにおける断面図を示す。   Next, in order to process the shape of the resist film 8 ', the resist film 8' is selectively exposed. Here, when the resist film 8 'is a negative type, a portion to be the partition wall 8 is exposed, and when the resist film 8' is a positive type, the portion other than the portion to be the partition wall 8 is exposed. Next, a developing solution is sprayed on the resist film 8 ′, and the resist film 8 ′ other than the portion that becomes the partition wall 8 is removed with the developing solution, so that the resist film 8 ′ is processed. The remaining portion of the resist film 8 'becomes the partition wall 8 (FIG. 6). Here, as shown in FIG. 6B, the resist film 8 ′ is shaped so that a part of the partition wall 8 overlaps the outer edge portion of each anode electrode 15 in plan view. The resist film 8 ′ is shaped to form the partition wall 8. A plurality of surrounding regions surrounded by the partition wall 8 are formed. At this time, one anode electrode 15 is arranged in each surrounding region in plan view. Is done. 6B is a plan view of the TFT drive substrate 6 immediately after this step, and FIG. 6A is a cross-sectional view taken along the broken line DD in FIG. 6B.

次に、隔壁８をマスクとして酸化シリコン下地膜９’をＣ4Ｆ8ガスによるドライエッチング（プラズマエッチング）を行う。これにより、酸化シリコン下地膜９’のうち隔壁８に平面視して重なっていない部分が除去され、隔壁８に重なった部分が残留して下地層９となる（図７）。隔壁８をマスクとしているため、図７（ｂ）に示すように、酸化シリコン下地膜９’の残留した部分（つまり、下地層９）の形状は平面視して隔壁８に合致しており、下地層９が隔壁８からはみ出ていることもなく、隔壁８が下地層９からはみ出ていることもない。隔壁８によって囲繞された囲繞領域で酸化シリコン下地膜９’が除去されることで、囲繞領域にアノード電極１５が露出する。 Next, dry etching (plasma etching) is performed on the silicon oxide base film 9 ′ with C 4 F 8 gas using the partition wall 8 as a mask. As a result, the portion of the silicon oxide base film 9 ′ that does not overlap the partition wall 8 in plan view is removed, and the portion that overlaps the partition wall 8 remains to form the base layer 9 (FIG. 7). Since the partition wall 8 is used as a mask, as shown in FIG. 7B, the shape of the remaining portion of the silicon oxide base film 9 ′ (that is, the base layer 9) matches the partition wall 8 in plan view. The base layer 9 does not protrude from the partition wall 8, and the partition wall 8 does not protrude from the base layer 9. By removing the silicon oxide base film 9 ′ in the surrounding region surrounded by the partition wall 8, the anode electrode 15 is exposed in the surrounding region.

また、ドライエッチングにおいてＣ4Ｆ8がプラズマ化すると、ＣＦやＣＦ2のラジカル種が発生するが、ラジカル種が酸化シリコンと反応するから酸化シリコン下地膜９’が除去される。一方、ラジカル種は感光性樹脂（ポリイミド樹脂）と反応しないため、隔壁８の表層ではラジカル種が重合することで、フッ素と炭素の化合物が形成されて、隔壁８の表層に撥液層１０が形成される。従って、隔壁８をマスクとしたＣ4Ｆ8ガスのドライエッチングによって、酸化シリコン下地膜９’を形状加工することと、隔壁８の表層に撥液層１０を成膜することを同時行うことができる上、更に、下地層９の形状を隔壁８と合致することができる。なお、エッチングガスとしてＣ4Ｆ8の代わりに、ＣＦ4やこれらの少なくともいずれかを含む混合ガスを用いても良く、酸化シリコン下地膜９’をエッチングできるとともに隔壁８の表層にフッ素化合物の撥液層１０を成膜できるフッ素化合物ガスであれば何でも良い。なお、図７（ｂ）はこの工程直後におけるＴＦＴ駆動基板６の平面図を示し、図７（ａ）は図７（ｂ）の破断線Ｅ−Ｅにおける断面図を示す。 Further, when C 4 F 8 is turned into plasma in dry etching, radical species of CF and CF 2 are generated, but since the radical species react with silicon oxide, the silicon oxide base film 9 ′ is removed. On the other hand, since the radical species do not react with the photosensitive resin (polyimide resin), the radical species are polymerized on the surface layer of the partition wall 8 to form a fluorine and carbon compound, and the liquid repellent layer 10 is formed on the surface layer of the partition wall 8. It is formed. Therefore, the silicon oxide base film 9 ′ is processed by dry etching of C 4 F 8 gas using the partition wall 8 as a mask, and the liquid repellent layer 10 is formed on the surface layer of the partition wall 8 simultaneously. In addition, the shape of the underlayer 9 can be matched with the partition wall 8. Note that CF 4 or a mixed gas containing at least one of them may be used instead of C 4 F 8 as an etching gas, and the silicon oxide base film 9 ′ can be etched and the surface of the partition wall 8 is made of a fluorine compound. Any fluorine compound gas that can form the liquid layer 10 may be used. 7B shows a plan view of the TFT drive substrate 6 immediately after this step, and FIG. 7A shows a cross-sectional view taken along the broken line EE in FIG. 7B.

次に、アノード電極１５、隔壁８、下地層９及び撥液層１０の形成されたＴＦＴ駆動基板６を成膜装置５０にセッティングする。つまり、箱体６６内のワークテーブル５１上にＴＦＴ駆動基板６を載置する。次に、成膜装置５０を用いて、アノード電極１５を酸素プラズマ照射することでアノード電極１５をクリーニングしつつ、且つ、隔壁８をフッ化物プラズマ照射することで隔壁８の表層に撥液層１０を成膜しつつ、隔壁８に囲繞された囲繞領域に有機溶媒の液滴を噴出することで隔壁８に囲繞された囲繞領域に有機ＥＬ層１６を成膜する。   Next, the TFT drive substrate 6 on which the anode electrode 15, the partition wall 8, the base layer 9 and the liquid repellent layer 10 are formed is set in the film forming apparatus 50. That is, the TFT drive substrate 6 is placed on the work table 51 in the box 66. Next, using the film forming apparatus 50, the anode electrode 15 is irradiated with oxygen plasma to clean the anode electrode 15, and the partition wall 8 is irradiated with fluoride plasma so that the liquid repellent layer 10 is formed on the surface layer of the partition wall 8. The organic EL layer 16 is formed in the surrounding region surrounded by the partition wall 8 by ejecting a droplet of the organic solvent to the surrounding region surrounded by the partition wall 8.

詳細には成膜装置５０は、制御装置に制御されて以下のように動作する。
つまり、成膜装置５０が、移動装置５２でＴＦＴ駆動基板６を副走査方向Ｙに間欠的に搬送する。ここで、ＴＦＴ駆動基板６が停止している際に、ヘッド部５４が主走査方向Ｘに少なくとも一往復する。 Specifically, the film forming apparatus 50 operates as follows under the control of the control apparatus.
That is, the film forming apparatus 50 intermittently conveys the TFT drive substrate 6 in the sub-scanning direction Y by the moving device 52. Here, when the TFT drive substrate 6 is stopped, the head portion 54 reciprocates in the main scanning direction X at least once.

図８に示すように、ヘッド部５４が主走査方向Ｘの順方向に移動している最中では、まず、酸素プラズマ照射ヘッド５６がアノード電極１５の直上を通過するとともに、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７が隔壁８の直上を通過する。酸素プラズマ照射ヘッド５６がアノード電極１５の直上を通過している最中には、酸素プラズマ照射ヘッド５６がアノード電極１５に向けて酸素プラズマを噴出し、これによりアノード電極１５の表面に付着した有機不要物が灰化（アッシング）されて、アノード電極１５がクリーニングされる。   As shown in FIG. 8, while the head portion 54 is moving in the forward direction of the main scanning direction X, first, the oxygen plasma irradiation head 56 passes immediately above the anode electrode 15 and the fluoride plasma irradiation head. 57 passes immediately above the partition wall 8. While the oxygen plasma irradiation head 56 is passing immediately above the anode electrode 15, the oxygen plasma irradiation head 56 ejects oxygen plasma toward the anode electrode 15, whereby the organic adhering to the surface of the anode electrode 15. Unnecessary substances are ashed (ashed), and the anode electrode 15 is cleaned.

一方、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７が隔壁８の直上を通過している最中には、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７が隔壁８に向けてフッ化物プラズマを噴出し、これにより隔壁８の表層でフッ化物プラズマのラジカル種が重合して、隔壁８の表層に撥液層１０が成膜される。先程のドライエッチングによって撥液層１０が十分に成膜されていない場合でも、フッ化物プラズマ照射によって隔壁８の表層に撥液層１０が確実に成膜される。   On the other hand, while the fluoride plasma irradiation head 57 is passing immediately above the partition wall 8, the fluoride plasma irradiation head 57 ejects fluoride plasma toward the partition wall 8, thereby The radical species of the fluoride plasma is polymerized to form the liquid repellent layer 10 on the surface layer of the partition wall 8. Even when the liquid repellent layer 10 is not sufficiently formed by the previous dry etching, the liquid repellent layer 10 is reliably formed on the surface layer of the partition wall 8 by the fluoride plasma irradiation.

酸素プラズマ照射ヘッド５６がアノード電極１５上の通過後、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂがアノード電極１５の直上を通過する。ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂがアノード電極１５上を通過している最中には、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂのうちの色に応じた一つのノズルがアノード電極１５に向けてＥＬ溶液を液滴１１６として一回又は複数回噴出する。   After the oxygen plasma irradiation head 56 passes over the anode electrode 15, the nozzles 55 </ b> R, 55 </ b> G, and 55 </ b> B pass immediately above the anode electrode 15. While the nozzles 55R, 55G, and 55B are passing over the anode electrode 15, one nozzle corresponding to the color of the nozzles 55R, 55G, and 55B is directed toward the anode electrode 15 to drop the EL solution 116. As one or more times.

アノード電極１５に着弾した液滴１１６がアノード電極１５上で広がって膜になり、そして固化することによって、有機ＥＬ層１６が形成される。アノード電極１５がプラズマクリーニングされているので、アノード電極１５はＥＬ溶液に対して濡れ性が高いとともに撥液性が低いから、ＥＬ溶液はアノード電極１５上で広がりやすい。従って、隔壁８に囲繞された囲繞領域において、ＥＬ溶液がアノード電極１５一面に広がり、有機ＥＬ層１６がアノード電極１５の一面に均等な厚さで成膜される。   The droplets 116 landed on the anode electrode 15 spread on the anode electrode 15 to form a film and solidify, whereby the organic EL layer 16 is formed. Since the anode electrode 15 is plasma-cleaned, the anode electrode 15 has high wettability and low liquid repellency with respect to the EL solution, so that the EL solution easily spreads on the anode electrode 15. Therefore, in the surrounding area surrounded by the partition wall 8, the EL solution spreads over the entire surface of the anode electrode 15, and the organic EL layer 16 is formed with a uniform thickness on the entire surface of the anode electrode 15.

また、隔壁８の頭頂部より高くなるような大量のＥＬ溶液が噴出された場合でも、隔壁８の表層に撥液性の高い撥液層１０が成膜されているため、ＥＬ溶液が隔壁８上に滲むことがない。そのため、隣り合う二つの画素のＥＬ溶液同士が隔壁８上で混ざることがない。ここで、固体（撥液層１０）の臨界表面張力をγｃとし、液体（ＥＬ溶液）の表面張力をγＬとし、固体と液体との接触角をθとすると、式（１）のような関係式が成立する。
ＣＯＳθ＝１＋ｂ（γc−γL） …（１） （但し、ｂは定数）
撥液層１０の材料から望ましいＥＬ溶液の表面張力を考慮すると、撥液層１０がポリ四フッ化エチレンからできている場合、臨界界面張力γcは約１８×１０-3となる。このため、表面張力γLが、γL＜１８×１０-3［Ｎ／ｍ］であるＥＬ溶液であれば、ポリ四フッ化エチレンの撥液層１０の撥液性が生じ効果が生じることになる。ＥＬ溶液の表面張力から望ましい撥液層１０の材料を考慮すると、ＥＬ溶液中の有機溶剤で主に用いられるトルエンやキシレンの表面張力は、γL≒２８×１０-3［Ｎ／ｍ］であり、ＥＬ溶液もほぼ同様の値なので撥液層１０の臨界界面張力γcが表面張力より小さくなれば、良好な撥液性を示すから、撥液層１０の臨界界面張力γc≦２８×１０-3［Ｎ／ｍ］が望ましい。 Further, even when a large amount of EL solution that is higher than the top of the partition wall 8 is ejected, since the liquid repellent layer 10 having high liquid repellency is formed on the surface layer of the partition wall 8, the EL solution is used as the partition wall 8. Does not bleed up. Therefore, the EL solutions of two adjacent pixels are not mixed on the partition wall 8. Here, when the critical surface tension of the solid (liquid repellent layer 10) is γc, the surface tension of the liquid (EL solution) is γL, and the contact angle between the solid and the liquid is θ, the relationship as shown in Expression (1) The formula holds.
COSθ = 1 + b (γ c −γ L ) (1) (where b is a constant)
Considering the surface tension of the desired EL solution from the material of the liquid repellent layer 10, when the liquid repellent layer 10 is made of polytetrafluoroethylene, the critical interfacial tension γ c is about 18 × 10 −3 . For this reason, if the EL solution has a surface tension γ L of γ L <18 × 10 −3 [N / m], the liquid repellency of the polytetrafluoroethylene liquid repellent layer 10 is generated and the effect is produced. become. Considering the desired material of the liquid repellent layer 10 from the surface tension of the EL solution, the surface tension of toluene or xylene mainly used in the organic solvent in the EL solution is γ L ≈28 × 10 −3 [N / m]. There, if less than the critical surface tension gamma c is the surface tension of the liquid repellent layer 10 because EL solution also almost the same value, because exhibits good liquid repellency, the critical surface tension γ c ≦ 28 × repellent layer 10 10 −3 [N / m] is desirable.

以上のようにヘッド部５４が主走査方向Ｘに少なくと一往復した後、成膜装置５０は、移動装置５２でＴＦＴ駆動基板６を副走査方向Ｙに所定距離搬送する。そして、ＴＦＴ駆動基板６が再び停止したら、成膜装置５０はヘッド部５４の往復移動、ＥＬ溶液の噴出、及びプラズマ照射を再び行う。以降、成膜装置５０が上述の動作を繰り返すことにより、隔壁８に囲繞された囲繞領域全てに有機ＥＬ層１６が成膜される。   As described above, after the head unit 54 reciprocates at least once in the main scanning direction X, the film forming apparatus 50 conveys the TFT drive substrate 6 in the sub-scanning direction Y by the moving device 52. When the TFT drive substrate 6 stops again, the film forming apparatus 50 performs the reciprocating movement of the head portion 54, the ejection of the EL solution, and the plasma irradiation again. Thereafter, when the film forming apparatus 50 repeats the above-described operation, the organic EL layer 16 is formed in all the surrounding regions surrounded by the partition walls 8.

なお、酸素プラズマ照射ヘッド５６によるプラズマ照射、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７によるプラズマ照射及びノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂによる液滴噴出が行われている最中には、ヘッド部５４が停止しても良いし、ヘッド部５４が移動していても良い。また、隔壁８の寸法や間隔、隔壁８に囲繞された囲繞領域の寸法や間隔が予め制御装置に記憶されており、記憶されたデータに基づいて制御装置は、ヘッド部５４の移動速度、移動開始タイミング並びに停止タイミング、移動装置５２の移動速度、移動開始タイミング並びに停止タイミング、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂの噴出タイミング、酸素プラズマ照射ヘッド５６の照射タイミング、及びフッ化物プラズマ照射ヘッド５７の照射タイミングを演算し、移動装置５２、ヘッド部５４、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ、酸素プラズマ照射ヘッド５６及びフッ化物プラズマ照射ヘッド５７を制御する。   The head unit 54 may be stopped during the plasma irradiation by the oxygen plasma irradiation head 56, the plasma irradiation by the fluoride plasma irradiation head 57, and the droplet ejection by the nozzles 55R, 55G, and 55B. However, the head part 54 may be moving. In addition, the dimensions and intervals of the partition walls 8 and the dimensions and intervals of the surrounding area surrounded by the partition walls 8 are stored in advance in the control device. Based on the stored data, the control device moves the movement speed and movement of the head unit 54. The start timing and stop timing, the moving speed of the moving device 52, the movement start timing and stop timing, the ejection timing of the nozzles 55R, 55G, and 55B, the irradiation timing of the oxygen plasma irradiation head 56, and the irradiation timing of the fluoride plasma irradiation head 57 Calculation is performed to control the moving device 52, the head unit 54, the nozzles 55R, 55G, and 55B, the oxygen plasma irradiation head 56, and the fluoride plasma irradiation head 57.

成膜装置５０による有機ＥＬ層１６の成膜が終了したら、ＰＶＤ法又はＣＶＤ法等による成膜工程を行うことで、一面にカソード電極１７を成膜する。次に、流動性のある封止樹脂をディスペンサ装置又はスプレー装置等によって一面に塗布し、封止樹脂でカソード電極１７に対向基板７を接着する。封止樹脂が固化することで、それが封止樹脂層１１となり、有機ＥＬ表示パネル１が完成する。   When the film formation of the organic EL layer 16 by the film formation apparatus 50 is completed, the cathode electrode 17 is formed on one surface by performing a film formation process by a PVD method or a CVD method. Next, a fluid sealing resin is applied on one surface by a dispenser device or a spray device, and the counter substrate 7 is bonded to the cathode electrode 17 with the sealing resin. When the sealing resin is solidified, it becomes the sealing resin layer 11 and the organic EL display panel 1 is completed.

以上の実施の形態では、隔壁８をマスクとしてドライエッチングすることによって下地層９を形状加工しているため、隔壁８に下地層９を合致することができる。故に、平面視して、下地層９の面積を最小限にすることができ、発光部３を最大限に広げることができる。従って、この有機ＥＬ表示パネル１では、画素の発光効率が高く、高コントラストの表示を行うことができる。   In the above embodiment, since the base layer 9 is processed by dry etching using the partition wall 8 as a mask, the base layer 9 can be matched with the partition wall 8. Therefore, in plan view, the area of the base layer 9 can be minimized, and the light emitting unit 3 can be expanded to the maximum. Therefore, in this organic EL display panel 1, the pixel has a high light emission efficiency, and a high contrast display can be performed.

また、平面視して隔壁８が下地層９に合致しているため、隔壁８がアノード電極１５上にはみ出ていない。従って、隔壁８が剥がれにくい。   Further, since the partition wall 8 matches the base layer 9 in plan view, the partition wall 8 does not protrude on the anode electrode 15. Therefore, the partition wall 8 is difficult to peel off.

また、隔壁８をマスクに代用しているため、従来のように下地層３０９に形状加工した後に隔壁３０８を下地層３０９上に成膜する場合と比較しても、本実施形態では工程が省略されて、有機ＥＬ発光パネルの製造方法が簡便化される。   In addition, since the partition wall 8 is used as a mask, the steps are omitted in this embodiment as compared with the case where the partition wall 308 is formed on the base layer 309 after the shape processing to the base layer 309 as in the past. Thus, the manufacturing method of the organic EL light emitting panel is simplified.

また、以上の説明では、撥液層１０を確実に成膜するために成膜装置５０でフッ化物プラズマ照射を行っていたが、ドライエッチングによって撥液層１０を成膜することを同時行うことができるから、フッ化物プラズマ照射を省略することができる。   In the above description, fluoride film irradiation is performed by the film forming apparatus 50 in order to reliably form the liquid repellent layer 10. However, the liquid repellent layer 10 is simultaneously formed by dry etching. Therefore, fluoride plasma irradiation can be omitted.

また、成膜装置５０には酸素プラズマ照射機能が付加されているから、プラズマクリーニング用の装置から有機ＥＬ層成膜用の装置へとＴＦＴ駆動基板６を移し替えることなく、アノード電極１５のクリーニングと有機ＥＬ層１６の成膜を行える。つまり、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂと酸素プラズマ照射ヘッド５６とがヘッド部５４に設けられているから、アノード電極１５をプラズマクリーニングした直後にＥＬ溶液の液滴をアノード電極１５に噴出することができる。従い、アノード電極１５の濡れ性を安定して高い状態に維持した状態で、ＥＬ溶液の液滴をアノード電極１５に着弾することができ、有機ＥＬ層１６を均等な厚さで成膜することができる。そのうえ、所謂白抜けの発生を抑えることができる。ここで白抜けとは、隔壁８に囲繞された囲繞領域においてアノード電極１５上において有機ＥＬ層１６の成膜されていない部分であり、隔壁８に囲繞された囲繞領域において発光しない部分である。   Since the film forming apparatus 50 has an oxygen plasma irradiation function, the anode electrode 15 is cleaned without transferring the TFT drive substrate 6 from the apparatus for plasma cleaning to the apparatus for forming the organic EL layer. And the organic EL layer 16 can be formed. That is, since the nozzles 55R, 55G, and 55B and the oxygen plasma irradiation head 56 are provided in the head portion 54, a droplet of the EL solution can be ejected to the anode electrode 15 immediately after the anode electrode 15 is plasma cleaned. . Accordingly, in a state where the wettability of the anode electrode 15 is stably maintained at a high level, the droplet of the EL solution can be landed on the anode electrode 15, and the organic EL layer 16 is formed with a uniform thickness. Can do. In addition, the occurrence of so-called white spots can be suppressed. Here, the white space is a portion where the organic EL layer 16 is not formed on the anode electrode 15 in the surrounding region surrounded by the partition wall 8 and is a portion where light is not emitted in the surrounding region surrounded by the partition wall 8.

また、成膜装置５０にフッ化物プラズマ照射機能が付加されているから、フッ化物プラズマ照射用の装置から有機ＥＬ層成膜用の装置へとＴＦＴ駆動基板６を移し替えることなく、撥液層１０の成膜と有機ＥＬ層１６の成膜を行える。従って、撥液層１０が汚染されることなく、隔壁８の表層の撥液性を安定して高い状態に維持した状態で、ＥＬ溶液の液滴をアノード電極１５に着弾することができる。故に、隣り合う二つの画素のＥＬ溶液同士が隔壁８上で混ざることがない。   In addition, since the fluoride plasma irradiation function is added to the film forming apparatus 50, the liquid repellent layer is transferred without transferring the TFT drive substrate 6 from the apparatus for film irradiation with the fluoride plasma to the apparatus for film formation of the organic EL layer. 10 and the organic EL layer 16 can be formed. Accordingly, the liquid droplets of the EL solution can be landed on the anode electrode 15 in a state where the liquid repellency of the surface layer of the partition wall 8 is stably maintained high without being contaminated. Therefore, the EL solutions of two adjacent pixels are not mixed on the partition wall 8.

また、成膜装置５０では、酸素プラズマ照射ヘッド５６がヘッド部５４に設けられ、酸素プラズマ照射ヘッド５６から酸素プラズマを照射する構成となっているから、部分的に酸素プラズマをアノード電極１５に照射することができ、酸素プラズマを隔壁８に照射しなくても済む。従って、酸素プラズマによって隔壁８がアッシングされることがない。同様に、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７がヘッド部５４に設けられ、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７からフッ化物プラズマを照射する構成となっているから、部分的に酸素プラズマを隔壁８に照射することができ、酸素プラズマをアノード電極１５に照射しなくても済む。従って、アノード電極１５の表層にフッ素と炭素を含む化合物が形成されなく、アノード電極１５の濡れ性を高く維持できる。   Further, in the film forming apparatus 50, the oxygen plasma irradiation head 56 is provided in the head portion 54, and the oxygen plasma irradiation head 56 is configured to irradiate oxygen plasma. It is not necessary to irradiate the partition wall 8 with oxygen plasma. Therefore, the partition wall 8 is not ashed by oxygen plasma. Similarly, since the fluoride plasma irradiation head 57 is provided in the head portion 54 and is configured to irradiate fluoride plasma from the fluoride plasma irradiation head 57, it is possible to partially irradiate the partition wall 8 with oxygen plasma. It is not necessary to irradiate the anode electrode 15 with oxygen plasma. Therefore, a compound containing fluorine and carbon is not formed on the surface layer of the anode electrode 15, and the wettability of the anode electrode 15 can be maintained high.

また、この成膜装置５０を用いれば、アノード電極１５のクリーニングと、隔壁８に撥液性の付与と、有機ＥＬ層１６の成膜とをほぼ同時に行えるから、有機ＥＬ発光パネル１の製造方法が簡便化される。   In addition, when the film forming apparatus 50 is used, the cleaning of the anode electrode 15, the application of liquid repellency to the partition walls 8, and the film formation of the organic EL layer 16 can be performed almost simultaneously. Is simplified.

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。例えば、上記実施形態ではカソード電極１７が共通電極でありアノード電極１５が画素ごとにパターニングされた電極であるが、逆にカソード電極が画素ごとにパターニングされた電極でアノード電極が共通電極であっても良い。この際、にも下地層９及び隔壁８がアノード電極上に網目状に形成されるが、隔壁８及び下地層９が網目状に形成された時点では隔壁８に囲繞された囲繞領域においてアノード電極が露出する。   The present invention is not limited to the above embodiment, and various improvements and design changes may be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above embodiment, the cathode electrode 17 is a common electrode and the anode electrode 15 is an electrode patterned for each pixel. Conversely, the cathode electrode is an electrode patterned for each pixel, and the anode electrode is a common electrode. Also good. At this time, the base layer 9 and the partition wall 8 are also formed in a mesh shape on the anode electrode, but when the partition wall 8 and the base layer 9 are formed in a mesh shape, the anode electrode is formed in the surrounding region surrounded by the partition wall 8. Is exposed.

また、上記実施形態ではＴＦＴ駆動基板６に複数のアノード電極１５をパターニングし、その後下地膜９’を成膜したが、透明なガラス基板に複数のアノード電極１５をパターニングし、その後下地膜９’を成膜しても良い。   In the above embodiment, the plurality of anode electrodes 15 are patterned on the TFT driving substrate 6 and then the base film 9 ′ is formed. However, the plurality of anode electrodes 15 are patterned on the transparent glass substrate and then the base film 9 ′. May be formed.

また、上記実施形態では、下地層９及び下地膜９’が酸化シリコンであったが、下地層９’及び下地膜９’が窒化シリコンであっても良い。   In the above embodiment, the base layer 9 and the base film 9 ′ are silicon oxide, but the base layer 9 ′ and the base film 9 ′ may be silicon nitride.

また、上記実施形態ではヘッド部５４に設けられる各色のノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂはそれぞれ一つずつであったが、各色のノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂが複数であっても良い。   In the above embodiment, each of the nozzles 55R, 55G, and 55B of each color provided in the head unit 54 is one, but a plurality of nozzles 55R, 55G, and 55B of each color may be provided.

また、上記実施形態ではヘッド部５４が主走査方向Ｘの順方向に移動している際に、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂから液滴が噴出されているが、ヘッド部５４が逆方向に移動している際にもノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂから液滴が噴出されても良い。この場合、ノズル５５Ｂの逆方向側においてフッ化物プラズマ照射ヘッド及び酸素プラズマ照射ヘッドをヘッド部５４に設けるのが望ましい。   In the above embodiment, when the head unit 54 moves in the forward direction of the main scanning direction X, droplets are ejected from the nozzles 55R, 55G, and 55B, but the head unit 54 moves in the reverse direction. In this case, droplets may be ejected from the nozzles 55R, 55G, and 55B. In this case, it is desirable to provide the head 54 with a fluoride plasma irradiation head and an oxygen plasma irradiation head on the opposite side of the nozzle 55B.

また、上記実施形態ではヘッド部５４が主走査方向Ｘに移動可能であったが、主走査方向Ｘ及び副走査方向Ｙに移動可能、つまりワークテーブル５１に対して平行な面に沿って移動可能であっても良い。この場合、ワークテーブル５１が固定されていても良い。
同様に、ワークテーブル５１が移動装置５２によって主走査方向Ｘ及び副走査方向Ｙに移動可能であっても良い。この場合、ヘッド部５４が固定されていても良い。
つまり、ワークテーブル５１に載置されたＴＦＴ駆動基板６に対してヘッド部５４が相対的に移動可能であれば良い。 In the above embodiment, the head unit 54 can be moved in the main scanning direction X, but can be moved in the main scanning direction X and the sub-scanning direction Y, that is, can be moved along a plane parallel to the work table 51. It may be. In this case, the work table 51 may be fixed.
Similarly, the work table 51 may be movable in the main scanning direction X and the sub-scanning direction Y by the moving device 52. In this case, the head part 54 may be fixed.
That is, it is only necessary that the head unit 54 can be moved relative to the TFT drive substrate 6 placed on the work table 51.

また、図９に示すように、ヘッド部５４にフッ化物プラズマ照射ヘッドが設けられてない成膜装置１５０で有機ＥＬ層１６を成膜しても良く、図１０に示すように、ヘッド部５４に酸素プラズマヘッドが設けられていない成膜装置２５０で有機ＥＬ層１６を成膜しても良い。なお、成膜装置１５０及び成膜装置２５０については、成膜装置５０と同様の構成要素に同様の符号を付してその説明を省略する。   Further, as shown in FIG. 9, the organic EL layer 16 may be formed by a film forming apparatus 150 in which the head 54 is not provided with a fluoride plasma irradiation head. As shown in FIG. Alternatively, the organic EL layer 16 may be formed by a film forming apparatus 250 that is not provided with an oxygen plasma head. In addition, regarding the film forming apparatus 150 and the film forming apparatus 250, the same reference numerals are given to the same components as those of the film forming apparatus 50, and the description thereof is omitted.

図１は、有機ＥＬ表示パネルの部分的な断面図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional view of an organic EL display panel. 図２は、有機ＥＬ層を成膜する成膜装置を示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing a film forming apparatus for forming an organic EL layer. 図３は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程を示した図面である。FIG. 3 is a drawing showing one step in the method of manufacturing the organic EL display panel of FIG. 図４は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程を示した図面である。FIG. 4 is a drawing showing one step in the method of manufacturing the organic EL display panel of FIG. 図５は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程を示した図面である。FIG. 5 is a drawing showing one step of the method of manufacturing the organic EL display panel of FIG. 図６は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程を示した図面である。FIG. 6 is a drawing showing one step in the method of manufacturing the organic EL display panel of FIG. 図７は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程を示した図面である。FIG. 7 is a drawing showing one step of the method of manufacturing the organic EL display panel of FIG. 図８は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程を示した図面である。FIG. 8 is a drawing showing one step in the method of manufacturing the organic EL display panel of FIG. 図９は、図２の成膜装置とは別の成膜装置を示した側面図である。FIG. 9 is a side view showing a film forming apparatus different from the film forming apparatus of FIG. 図１０は、図２又は図９の成膜装置とは別の成膜装置を示した側面図である。FIG. 10 is a side view showing a film forming apparatus different from the film forming apparatus shown in FIG. 図１１は、従来の有機ＥＬ表示パネルを示した平面図及び断面図である。FIG. 11 is a plan view and a cross-sectional view showing a conventional organic EL display panel.

符号の説明Explanation of symbols

１ 有機ＥＬ表示パネル（有機ＥＬパネル）
２ 有機ＥＬ素子
５ 薄膜トランジスタ
６ ＴＦＴ駆動基板（基板）
６ａ 表面
７ 対向基板
８ 隔壁（残留したレジスト膜）
８’ レジスト膜
９ 下地層
９’ 酸化シリコン下地膜（下地膜）
１０ 撥液層
１２ 透明基板
１５ アノード電極（第一電極、電極）
１６ 有機ＥＬ層
１７ カソード電極
５０、１５０、２５０ 成膜装置
５４ ヘッド部（移動体）
５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ ノズル（液滴噴出部）
５６ 酸素プラズマ照射ヘッド（酸素プラズマ照射部）
５７ フッ化物プラズマ照射ヘッド（フッ化物プラズマ照射部） 1 Organic EL display panel (organic EL panel)
2 Organic EL element 5 Thin film transistor 6 TFT drive substrate (substrate)
6a Surface 7 Counter substrate 8 Partition (residual resist film)
8 'resist film 9 underlayer 9' silicon oxide underlayer (underlayer)
10 Liquid repellent layer 12 Transparent substrate 15 Anode electrode (first electrode, electrode)
16 Organic EL layer 17 Cathode electrode 50, 150, 250 Film forming apparatus 54 Head (moving body)
55R, 55G, 55B nozzle (droplet ejection part)
56 Oxygen plasma irradiation head (oxygen plasma irradiation section)
57 Fluoride plasma irradiation head (fluoride plasma irradiation section)

Claims (4)

基板の一方の面に形成された第一電極ごと被覆するように前記基板の一方の面上に下地膜を成膜する下地膜形成工程と、
前記下地膜上の一面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜を部分的に除去することによって残留したレジスト膜で囲繞された囲繞領域内に前記第一電極を配するように、前記レジスト膜を形状加工する形状加工工程と、
前記残留したレジスト膜をマスクとしてＣ4Ｆ8又はＣＦ4を含むガスで前記下地膜をエッチングすると同時に前記レジスト膜の表層に撥液層を形成するエッチング工程と、
前記レジスト膜間にＥＬ層を形成するＥＬ層形成工程と、
を含むＥＬパネルの製造方法。 A base film forming step of forming a base film on one surface of the substrate so as to cover the first electrode formed on one surface of the substrate;
A resist film forming step of forming a resist film on one surface of the base film;
A shape processing step for processing the resist film so as to dispose the first electrode in the surrounding region surrounded by the resist film remaining by partially removing the resist film;
Etching the base film with a gas containing C 4 F 8 or CF 4 using the remaining resist film as a mask and simultaneously forming a liquid repellent layer on the surface of the resist film ;
An EL layer forming step of forming an EL layer between the resist films;
The manufacturing method of the EL panel containing this. 前記形状加工工程において、前記第一電極の外縁部分に前記残留したレジスト膜が重なるように前記レジスト膜を形状加工することを特徴とする請求項１記載のＥＬパネルの製造方法。   2. The method of manufacturing an EL panel according to claim 1, wherein, in the shape processing step, the resist film is shape-processed so that the remaining resist film overlaps with an outer edge portion of the first electrode. 前記基板の一方の面に形成された前記第一電極は複数であり、
前記下地膜形成工程において複数の前記第一電極ごと前記下地膜で被覆し、
前記形状加工工程において前記囲繞領域を複数形成するように、且つ一つの囲繞領域に少なくとも一つの前記第一電極が配されるように前記レジスト膜を形状加工することを特徴とする請求項１又は２記載のＥＬパネルの製造方法。 A plurality of the first electrodes formed on one surface of the substrate;
Covering the plurality of first electrodes with the base film in the base film forming step,
2. The shape processing of the resist film according to claim 1, wherein the resist film is shape-processed so as to form a plurality of the surrounding regions and to arrange at least one of the first electrodes in one of the surrounding regions. 2. The method for producing an EL panel according to 2. 前記ＥＬ層は、ＥＬ材料を溶解したＥＬ溶液を液滴として前記囲繞領域に向けて噴出することによって形成されることを特徴とする請求項３に記載のＥＬパネルの製造方法。   4. The method of manufacturing an EL panel according to claim 3, wherein the EL layer is formed by ejecting an EL solution in which an EL material is dissolved as droplets toward the surrounding region.
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