JP2008066054A - Electro-optical device and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電気的な作用に応じて光学的な特性が変化する電気光学装置およびその製造
方法に関する。
The present invention relates to an electro-optical device whose optical characteristics change according to an electrical action, and a manufacturing method thereof.
電気光学装置として有機EL(Electro luminescent)パネルがある。有機ELパネル
では、電気エネルギにより発光特性が変化する複数の発光素子として複数の有機EL素子
が基板上に配列される。この有機ELパネルは光ヘッドや画像表示装置として用いられる
。
このような発光素子として、特許文献1には、図12に示す構造が開示されている。図
12(A)に示す構造例は、画素電極が形成された基板200の上に親水性の第1層21
0と撥液性の第2層220を積層したものである。この例では、第1層210が開口部Q
の内側に突出している。また、他の構造例として第1層210と第2層220との開口形
状が同一となる。
これらの構成において、開口部Qには正孔注入層と発光層とを順次積層する。正孔注入
層の材料溶液は水系であるのに対し、発光層の材料溶液は有機溶液である。このため、正
孔注入層の材料溶液は第1層210の内周面に濡れ広がり、発光層の材料溶液は第2層の
内周面に濡れ広がる。
As such a light emitting element,
A layer in which 0 and a liquid repellent
Protrudes inside. Moreover, the opening shape of the
In these configurations, the hole injection layer and the light emitting layer are sequentially stacked in the opening Q. The material solution for the hole injection layer is aqueous, whereas the material solution for the light emitting layer is an organic solution. Therefore, the material solution for the hole injection layer wets and spreads on the inner peripheral surface of the
ところで、第1層210は正孔注入層の材料溶液と親和性が強いので、図12(A)に
示す構造例では、材料溶液が第1層210の上まで濡れ広がり、乾燥させるとその領域の
まま膜となる。この場合、正孔注入層が低抵抗化することがある。すると、電流が開口部
Qの底面より広い領域にも流れ、発光領域が拡大する。このような構造の発光素子を光ヘ
ッドに適用すると、発光領域が拡大するために感光ドラム上の感光径も拡大し、印刷解像
度が低下するという問題が生じる。また、ディスプレイの場合、発光面積が増加するのと
同様な効果が得られるが、表示解像度が低下するといった問題がある。
By the way, since the
一方、図12(B)に示す構造例では、発光層を形成するための材料液が、第2層22
0に対して濡れやすい性質をもっている。開口部Qに発光層の材料液をインクジェット成
膜すると、材料液が第2層の表面にも濡れ広がり、濡れ広がった形状のまま乾燥してしま
う。すると形成領域が画素ごとに異なるため、形成される膜の厚さや形状がばらつく。こ
の結果、各発光素子の輝度がばらついてしまうといった問題がある。
On the other hand, in the structural example shown in FIG. 12B, the material liquid for forming the light emitting layer is the second layer 22.
It has the property of being easily wetted with respect to zero. When the material liquid of the light emitting layer is formed into the opening Q by ink-jet film formation, the material liquid wets and spreads on the surface of the second layer, and dries in the wet spread shape. Then, since the formation region differs for each pixel, the thickness and shape of the formed film vary. As a result, there is a problem that the luminance of each light emitting element varies.
本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、開口部の底面と略等しい領域を発
光させると共に、各発光素子の輝度のばらつきを抑制した電気光学装置及びその製造方法
を提供することを解決課題とする。
The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and provides an electro-optical device that emits light in a region substantially equal to the bottom surface of the opening and suppresses variation in luminance of each light-emitting element, and a method for manufacturing the same. Let it be a solution issue.
本発明に係る電気光学装置は、複数の画素電極(例えば、図2の11、図7の111)
が形成された基板と、前記基板の上に形成された親液層(例えば、図2の12、図7の1
12)と、前記親液層の上に形成された撥液層(例えば、図2の13、図7の61A)と
、前記複数の画素電極に各々対応して設けられ、前記親液層及び撥液層に形成された複数
の画素開口部(例えば、図2及び図7の50B)と、前記複数の画素開口部を囲む共通バ
ンク(例えば、図2の50A、図7の60A)とを備え、前記親液層は、前記撥液層と比
較して液体に対する親和性が強いことを特徴とする。
The electro-optical device according to the invention includes a plurality of pixel electrodes (for example, 11 in FIG. 2 and 111 in FIG. 7).
And a lyophilic layer (for example, 12 in FIG. 2, 1 in FIG. 7).
12), a liquid repellent layer (for example, 13 in FIG. 2, 61A in FIG. 7) formed on the lyophilic layer, and the plurality of pixel electrodes, respectively. A plurality of pixel openings (for example, 50B in FIGS. 2 and 7) formed in the liquid repellent layer, and a common bank (for example, 50A in FIG. 2, 60A in FIG. 7) surrounding the plurality of pixel openings. And the lyophilic layer has a stronger affinity for the liquid than the lyophobic layer.
また本発明に係る電気光学装置は、前記画素開口部内に位置する前記画素電極上に設け
られた電子または正孔を注入する注入層と、前記共通バンクの内側に連続して形成された
有機半導体層と、をさらに有することを特徴とする。
注入層は電子又は正孔を有機半導体層に注入する機能を有する。画素開口部の内周面に
は親液層が露出しており、親液層は撥液層と比較して注入層を形成するための注入層形成
材料液に対する親和性が強いので、注入層形成材料液は画素開口部の内部に濡れ広がる。
これにより、塗布不良を防止できる。さらに、注入層は画素開口部の中だけに形成される
ため、注入層の比抵抗が低くなっても、画素開口部よりも外は発光せず、発光形状を規定
できる。 くわえて、本発明は、複数の画素開口部を囲む共通バンクを有し、そこに有機
半導体層が形成される。このような構造では、画素開口部よりも大面積の共通バンクの内
側全体に有機半導体層を形成することができるので、画素開口部における有機半導体層の
膜厚を均一にすることが可能となる。なお、膜厚を均一にする観点より、共通バンクの短
手方向の境界から画素開口部までの距離を50μm以上とし、さらには100μm以上で
あることが望ましい。また共通バンクの長手方向の境界から画素開口部までの距離は3m
m以上とすることが好ましい。
The electro-optical device according to the present invention includes an injection layer for injecting electrons or holes provided on the pixel electrode located in the pixel opening, and an organic semiconductor formed continuously inside the common bank. And a layer.
The injection layer has a function of injecting electrons or holes into the organic semiconductor layer. The lyophilic layer is exposed on the inner peripheral surface of the pixel opening, and the lyophilic layer has a stronger affinity for the injection layer forming material liquid for forming the injection layer than the liquid repellent layer. The forming material liquid spreads wet inside the pixel opening.
Thereby, application failure can be prevented. Further, since the injection layer is formed only in the pixel opening, even if the specific resistance of the injection layer is lowered, light is not emitted outside the pixel opening and the light emission shape can be defined. In addition, the present invention has a common bank surrounding a plurality of pixel openings, and an organic semiconductor layer is formed there. In such a structure, since the organic semiconductor layer can be formed on the entire inner side of the common bank having a larger area than the pixel opening, the film thickness of the organic semiconductor layer in the pixel opening can be made uniform. . From the viewpoint of making the film thickness uniform, the distance from the boundary in the short direction of the common bank to the pixel opening is preferably 50 μm or more, and more preferably 100 μm or more. The distance from the longitudinal boundary of the common bank to the pixel opening is 3 m.
m or more is preferable.
また本発明に係る電気光学装置において、前記画素開口部は前記親液層及び前記撥液層
において、平面視で略同一形状であることを特徴とする。
本発明によれば、親液層が撥液層の画素開口部の内側に飛び出していない。これにより
、画素開口部の底面に露出する画素電極の領域で画素を発光させることができ、発光領域
の面積を規定することができる。この結果、電気光学装置を光ヘッドとして用いた場合に
は、印字の品質を向上させることができ、表示装置として用いた場合には表示画像の解像
度を向上させることができる。
In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the pixel opening may have substantially the same shape in plan view in the lyophilic layer and the liquid repellent layer.
According to the present invention, the lyophilic layer does not protrude inside the pixel opening of the lyophobic layer. Accordingly, the pixel can emit light in the region of the pixel electrode exposed on the bottom surface of the pixel opening, and the area of the light emitting region can be defined. As a result, when the electro-optical device is used as an optical head, the quality of printing can be improved, and when it is used as a display device, the resolution of a display image can be improved.
上述した電気光学装置のより具体的な態様としては、前記撥液層は、前記複数の画素開
口部の穴が開いた平面形状をしていてもよい(例えば、第1及び第2実施形態)。この場
合、画素開口部内側の親液層をエッチングする場合、画素開口部外側の親液層を保護する
必要がなく、工程を簡略化できる。
あるいは、前記撥液層は、前記複数の画素開口部の各々において前記画素開口部の周囲
を囲む個別バンクとして形成されてもよい。この場合、有機半導体層を形成するための有
機半導体層形成材料液を、共通バンクの内側全体に容易に濡れ広がらせることができ、形
成不良を防止することができる。
As a more specific aspect of the electro-optical device described above, the liquid repellent layer may have a planar shape in which holes of the plurality of pixel openings are opened (for example, the first and second embodiments). . In this case, when etching the lyophilic layer inside the pixel opening, it is not necessary to protect the lyophilic layer outside the pixel opening, and the process can be simplified.
Alternatively, the liquid repellent layer may be formed as an individual bank that surrounds the periphery of the pixel opening in each of the plurality of pixel openings. In this case, the organic semiconductor layer forming material liquid for forming the organic semiconductor layer can be easily wetted and spread over the entire inside of the common bank, and formation defects can be prevented.
また、電気光学装置において、前記共通バンクが複数形成され、前記複数の共通バンク
の各々に形成された前記有機半導体層は単一の色で発光することが好ましい。例えば、カ
ラー画像を表示する場合、複数の発光色(例えば、RGB)に対応した有機半導体層を用
いる。共通バンクの内側には複数の画素開口部が形成され、画素開口部が画素として機能
するが、共通バンクに形成された有機半導体層は単一の色で発光するので、発光色の異な
る有機半導体層が一つの共通バンクの中に混在することがない。したがって、複数の発光
色の有機半導体層を形成する場合、塗り分け時に混色を防止することができる。また、共
通バンクをストライプ状に配列することによって、RGBのカラーストライプで表示が可
能となる。
In the electro-optical device, it is preferable that a plurality of the common banks are formed, and the organic semiconductor layer formed in each of the plurality of common banks emits light in a single color. For example, when displaying a color image, an organic semiconductor layer corresponding to a plurality of emission colors (for example, RGB) is used. A plurality of pixel openings are formed inside the common bank, and the pixel openings function as pixels, but the organic semiconductor layer formed in the common bank emits light in a single color, and thus organic semiconductors having different emission colors Layers do not mix in one common bank. Accordingly, when forming a plurality of light emitting organic semiconductor layers, color mixing can be prevented at the time of painting. Further, by arranging the common banks in a stripe shape, it is possible to display with RGB color stripes.
ここで、前記共通バンクは、前記撥液層と比較して、前記有機半導体層を形成するため
の有機半導体層形成材料液に対する非親和性が強いことが好ましい。共通バンクの有機半
導体層形成材料液に対する親和性が撥液層と同じであると、有機半導体層形成材料液を共
通バンクの内側に充填する際に有機半導体層形成材料液が濡れ広がらず分離することがあ
る。この発明によれば、共通バンクは、撥液層よりも有機半導体層形成材料液の非親和性
が強いので、有機半導体層形成材料液を多量に打ち込み(塗布し)、有機半導体層形成材
料液が分離することを防止できる。さらに、有機半導体層形成材料液が共通バンクから溢
れるのを防止し、有機半導体層の領域を厳密に規定することができる。これにより、基板
ごと、あるいは共通バンクごとの有機半導体層の膜厚ばらつきを抑制し、安定した品質の
有機半導体デバイスを作製できる。
Here, it is preferable that the common bank has a stronger non-affinity with respect to the organic semiconductor layer forming material liquid for forming the organic semiconductor layer than the liquid repellent layer. If the affinity of the common bank to the organic semiconductor layer forming material liquid is the same as that of the liquid repellent layer, the organic semiconductor layer forming material liquid does not spread and separate when filling the inside of the common bank with the organic semiconductor layer forming material liquid Sometimes. According to this invention, since the common bank has stronger affinity for the organic semiconductor layer forming material liquid than the liquid repellent layer, a large amount of organic semiconductor layer forming material liquid is applied (applied), and the organic semiconductor layer forming material liquid is used. Can be prevented from separating. Furthermore, the organic semiconductor layer forming material liquid can be prevented from overflowing from the common bank, and the region of the organic semiconductor layer can be strictly defined. Thereby, variation in the thickness of the organic semiconductor layer for each substrate or for each common bank is suppressed, and an organic semiconductor device with stable quality can be manufactured.
より具体的には、前記共通バンクはフッ素化された樹脂で構成されることが好ましい。
この場合、有機半導体層形成材料液に対する非親和性を強くすることができる。また、前
記親液層は、無機材料からなることが好ましい。さらに、無機材料はケイ素酸化物、ケイ
素窒化物、又はケイ素酸化窒化物を含むことが好ましい。この場合、注入層形成材料液を
水系溶剤とすることにより、親液層の注入層形成材料液に対する親和性を強くすることが
でき、画素開口部に注入層形成材料液を充填する際に注入層形成材料液が濡れ広がりやす
く、塗布不良を防止できる。さらに、絶縁性があるため、ある画素を駆動したときに近く
の画素が発光するのを防止できる。また、半導体装置の絶縁材料として一般的に用いられ
るため、成膜/加工が容易である。一方、前記撥液層及び前記共通バンクは、有機材料か
らなることが好ましい。なお、上述した電気光学装置は、前記有機半導体層の上方に形成
された電極(例えば、図2に示す陰極30)を備えることが好ましい。この場合、複数の
画素に共通の電極とすることで、インピーダンスを低下させることができる。
More specifically, the common bank is preferably made of a fluorinated resin.
In this case, the non-affinity for the organic semiconductor layer forming material liquid can be strengthened. The lyophilic layer is preferably made of an inorganic material. Further, the inorganic material preferably contains silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride. In this case, the affinity of the lyophilic layer to the injection layer forming material liquid can be increased by using the injection layer forming material liquid as an aqueous solvent, and injection is performed when the pixel opening is filled with the injection layer forming material liquid. The layer forming material liquid is easy to spread and prevent application failure. Further, since it has an insulating property, it is possible to prevent nearby pixels from emitting light when a certain pixel is driven. Further, since it is generally used as an insulating material of a semiconductor device, film formation / processing is easy. Meanwhile, the liquid repellent layer and the common bank are preferably made of an organic material. Note that the electro-optical device described above preferably includes an electrode (for example, the
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、複数の画素電極が形成された基板に親
液層を形成する工程と、前記親液層上に前記複数の画素電極の各々に対応する複数の開口
部を有する撥液層を形成する工程と、前記撥液層上に内側に前記複数の開口部を含む共通
バンクを形成する工程と、少なくとも前記撥液層をエッチングマスクとして前記親液層を
エッチングし、前記画素電極を露出する画素開口部を形成する工程と、前記画素開口部の
前記画素電極の上に電子又は正孔を注入する注入層を形成する工程と、前記共通バンクの
内側に有機半導体層を形成する工程と備える。
この製造方法によれば、親液層と撥液層とが同一開口形状を有する構造と、開口形状が
異なる共通バンクが積層された構造を有する電気光学装置を製造することができる。しか
も、親液層をエッチングする工程では、既に形成された撥液層をエッチングマスクとして
親液層をエッチングするので、親液層と撥液層の開口形状を正確に揃えることができる。
Next, a method for manufacturing an electro-optical device according to the invention corresponds to a step of forming a lyophilic layer on a substrate on which a plurality of pixel electrodes are formed, and each of the plurality of pixel electrodes on the lyophilic layer. A step of forming a liquid repellent layer having a plurality of openings, a step of forming a common bank including the plurality of openings on the inside of the liquid repellent layer, and the lyophilic liquid using at least the liquid repellent layer as an etching mask. Etching a layer to form a pixel opening exposing the pixel electrode; forming an injection layer for injecting electrons or holes over the pixel electrode in the pixel opening; and And a step of forming an organic semiconductor layer inside.
According to this manufacturing method, an electro-optical device having a structure in which the lyophilic layer and the liquid repellent layer have the same opening shape and a structure in which common banks having different opening shapes are stacked can be manufactured. Moreover, in the step of etching the lyophilic layer, the lyophilic layer is etched using the already formed lyophobic layer as an etching mask, so that the opening shapes of the lyophilic layer and the lyophobic layer can be accurately aligned.
ここで、前記親液層をプラズマエッチング法(ドライエッチ)でエッチングすることが
好ましい。この場合には、撥液層の下がエッチングされるアンダーカットを抑制できるの
で、より形状差の小さい開口を形成できる。
また、前記注入層を形成する工程において、前記注入層を形成するための注入層形成材
料液をインクジェット法によって画素開口部に充填することが好ましい。この方法によれ
ば、規定量の注入層形成材料液を、位置精度良く塗布できるので、画素開口部からのはみ
出しが無く、所定膜厚の注入層を形成できる。
さらに、前記有機半導体層を形成する工程において、前記有機半導体層を形成するため
の有機半導体層形成材料液をインクジェット法によって共通バンクの内側に充填すること
が好ましい。この方法によれば、有機半導体層形成材料液を、位置精度良く塗布できるの
で、共通バンクからのはみ出しが無く、所定膜厚の有機半導体層を形成できる。
Here, the lyophilic layer is preferably etched by plasma etching (dry etching). In this case, an undercut in which the bottom of the liquid repellent layer is etched can be suppressed, so that an opening with a smaller shape difference can be formed.
Further, in the step of forming the injection layer, it is preferable to fill the pixel opening with an injection layer forming material liquid for forming the injection layer by an inkjet method. According to this method, since a prescribed amount of the injection layer forming material liquid can be applied with high positional accuracy, there is no protrusion from the pixel opening, and an injection layer having a predetermined thickness can be formed.
Furthermore, in the step of forming the organic semiconductor layer, it is preferable that an organic semiconductor layer forming material liquid for forming the organic semiconductor layer is filled inside the common bank by an inkjet method. According to this method, since the organic semiconductor layer forming material liquid can be applied with high positional accuracy, the organic semiconductor layer having a predetermined thickness can be formed without protruding from the common bank.
以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る実施の形態を説明する。なお、図面にお
いては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。
<1.第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学装置の平面図である。第1実施形態の電
気光学装置は光ヘッド1Aである。この図に示すように光ヘッド1Aは、内側が凹部とな
る共通バンク50Aを有しており、共通バンク50Aの内側に複数の発光素子Pが千鳥状
に2列に配列されている。発光素子Pは画素開口部50Bを有する。例えば、画素開口部
50Bの径は40μm、長手方向のピッチは84.5μmであり、2列の千鳥配列となっ
ている。また、列間ピッチは84.5μmである。これにより、600dpiの解像度を
実現可能である。なお、発光素子Pを4列で配置して1200dpi、あるいは8列で配
置して2400dpiといったように高解像度としてもよい。
Embodiments according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the ratio of dimensions of each part is appropriately changed from the actual one.
<1. First Embodiment>
FIG. 1 is a plan view of the electro-optical device according to the first embodiment of the invention. The electro-optical device according to the first embodiment is an
後述するように共通バンク50Aの内側には発光層21(有機半導体層)が形成される
がこの膜厚を均一にする観点より、共通バンク50Aの短手方向の境界から画素開口部5
0Bまでの距離Y1は50μm以上ある必要があり、さらには100μm以上であること
が望ましい。また共通バンク50Aの長手方向の境界から画素開口部50Bまでの距離X
1は3mm以上とすることが好ましい。
As will be described later, the light emitting layer 21 (organic semiconductor layer) is formed inside the
The distance Y1 to 0B needs to be 50 μm or more, and more preferably 100 μm or more. Further, the distance X from the longitudinal boundary of the
1 is preferably 3 mm or more.
図2は、図1に示す光ヘッドのZ1−Z1’における断面図である。図3に、図2に示
す部分Mの斜視断面図を示す。但し、正孔注入層20、発光層21、及び陰極30は除い
てある。基板10には、必要に応じて配線、駆動用TFT(Thin Film Transistor)、層
間絶縁膜などの駆動回路を形成しておく。基板10の上にはITO((Indium Tin Oxide)
などの透明な陽極11が形成される。陽極11は、層間絶縁膜のコンタクトホールを通し
て駆動回路に接続され、画素電極として機能する(図示略)。
陽極11及び基板10の上に親液性絶縁膜12が積層される。親液性絶縁膜12の材料
としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機材料が適している。親液
性絶縁膜12には溶液が濡れ広がる性質がある。親液性絶縁膜12の膜厚は50〜300
nmが好ましい。それ以上の膜厚では、1)成膜時間が長くなる、2)エッチング加工精
度が悪化する、3)後で形成する発光層21の膜厚が画素内で均一になりにくくなるとい
った弊害がある。
2 is a cross-sectional view taken along the line Z1-Z1 ′ of the optical head shown in FIG. FIG. 3 is a perspective sectional view of the portion M shown in FIG. However, the
A
A lyophilic insulating
nm is preferred. If the film thickness is larger than that, 1) the film formation time becomes longer, 2) the etching processing accuracy deteriorates, and 3) the film thickness of the
親液性絶縁膜12(親液層)上には撥液層13が積層され、親液性絶縁膜12の開口部
と同一形状の開口部が形成されている。撥液層13は、例えば、感光性のアクリル、ポリ
イミドなどの有機材料からなる樹脂を採用することができる。撥液層13は、水系溶液を
はじく一方、有機溶剤は若干はじき難い性質を有する。撥液層13の膜厚は100〜30
0nmである。これより薄いと、狙い膜厚に対する膜厚ばらつきの割合が大きくなり過ぎ
、開口部の寸法精度を維持できなくなってしまい、これより厚いと、後で形成する発光層
21の膜厚が均一になりにくいという弊害がある。
A
0 nm. If it is thinner than this, the ratio of the film thickness variation to the target film thickness becomes too large, and the dimensional accuracy of the opening cannot be maintained. If it is thicker than this, the film thickness of the
なお、親液性絶縁膜12の開口部と撥液層13の開口部とを同一形状にするとは、互い
の開口が平面視で一致する場合だけでなく、製造誤差によって若干ずれる場合も含まれる
。これらの開口は、陽極11の数だけ形成されている。撥液層13の上には、そこに形成
されている全ての画素開口部50Bを囲うように共通バンク50Aが形成されている。共
通バンク50Aは撥液層13と同じく、感光性のアクリルやポリイミドなどの有機材料か
らなる樹脂である。即ち、共通バンク50Aは第2の撥液層として機能し、撥液層13と
同様に水系溶液をはじく一方、有機溶剤は若干はじき難い性質を有する。共通バンク50
Aの膜厚は1〜3μm程度である。
The opening of the lyophilic insulating
The film thickness of A is about 1 to 3 μm.
画素開口部50Bの陽極11(画素電極)の上には、正孔注入層20が形成される。正
孔注入層20の材料としては、例えば、導電性ポリマーの一種であるPEDOT−PSS
を用いる。また、正孔注入層20及び共通バンク50Aの内側には有機EL材料からなる
発光層21が形成される。くわえて、共通バンク50A及び発光層21の上には陰極30
が形成される。発光素子Pは、陽極11、正孔注入層20、発光層21及び陰極30から
構成される。さらに、図2では省略したが、発光素子Pを外気から保護するための封止が
なされる。封止構造としては、いわゆる缶封止、べた封止、あるいは薄膜封止などを用い
ることができる。
The
Is used. A
Is formed. The light emitting element P includes an
図4に、光ヘッド1Aの製造工程を示す。まず、同図(A)に示すように基板10の上
に陽極11を形成する。この工程では、ITO膜をパターニングすることにより、所定の
領域に陽極11を形成する。
FIG. 4 shows a manufacturing process of the
次に、同図(B)に示すように親液性絶縁膜12を成膜する。材料は酸化ケイ素、窒化
ケイ素、酸化窒化ケイ素が適しているが、成膜/エッチングが容易な絶縁材料なら変更可
能である。成膜は既知の方法で行なえば良く、方法を限定するものではない。例えば、ス
ピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート、CVD、ス
パッタ等の方法で材料を塗布する。親液性絶縁膜12の厚さは、50〜300nmが適し
ている。それ以上の膜厚では、成膜時間が長くなる、エッチング加工精度が悪化する、後
で形成する発光層21の膜厚が画素内で均一になりにくくなるという弊害がある。
Next, a lyophilic
次に、同図(C)に示すように親液性絶縁膜12の上に、感光性のアクリルやポリイミ
ドなどの有機材料を用いて撥液層13を形成する。撥液層13は、印刷法やリソグラフィ
法等、任意の方法を選択できる。印刷法を使用する場合は、凹版、平版、凸版等任意の方
法でバンク形状に有機材料を直接塗布する。リソグラフィ法を使用する場合は、スピンコ
ート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で材料
を塗布し、撥液層13の形状に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することによ
り所定形状のアクリルやポリイミド樹脂を形成する。最後に焼成して撥液層13とする。
撥液層13の厚さは0.5μm以下、より望ましくは0.3μm以下である。
Next, as shown in FIG. 3C, a
The thickness of the
次に、同図(D)に示すように撥液層13の上に共通バンク50Aを形成する。共通バ
ンク50Aは上述した撥液層13と同様の材料を用いて同様の工程で形成される。共通バ
ンク50Aの厚さは1〜3μm程度必要である。共通バンク50Aの内周の幅は画素形成
領域の幅+200μm、長さは画素形成領域の長さ+6mmである。
Next, a
次に、同図(E)に示すように、陽極11を一部露出する画素開口部50Bを形成する
。この工程では、撥液層13をエッチングマスクにして親液性絶縁膜12をエッチングす
る。撥液層13は有機材料であってレジストとして作用可能である。したがってエッチン
グ材料を選択することにより親液性絶縁膜12のみを選択的にエッチングすることができ
る。エッチングは溶液を用いないドライエッチと溶液を用いるウェットエッチのどちらで
も良いが、アンダーカットが起きにくいドライエッチの方が望ましい。例えば、プラズマ
エッチング法によりエッチングすることが好ましい。このプロセスによって、撥液層13
に形成した開口部と同一形状の開口を親液性絶縁膜12に形成できる。この後、酸素プラ
ズマによる親液化処理とCF4プラズマによる撥液化処理を行ない、陽極11の表面に親
液性、撥液層13および共通バンク50Aの表面に撥液性をもたせる。
すなわち、親液性絶縁膜12及び陽極11の表面は、撥液層13及び共通バンク50A
と比較して、水系溶液に対する親和性が強くなる。さらに、CF4プラズマによる撥液化
処理によって撥液層13および共通バンク50Aはフッ素化される。
Next, as shown in FIG. 5E, a
An opening having the same shape as the opening formed in the step can be formed in the lyophilic insulating
That is, the surfaces of the lyophilic insulating
Compared with, the affinity with respect to an aqueous solution becomes strong. Further, the
次に、正孔注入材料溶液をインクジェット法によって画素開口部50Bに打ち込み、乾
燥させることで正孔注入層20を形成する。正孔注入材料が特に水系溶媒を用いるPED
OT−PSSの場合、撥液層13にはじかれるため、正孔注入層20は画素開口部50B
の内側だけに形成される。また、画素開口部50Bの内側端面には親液性絶縁膜12が露
出しているため、正孔注入材料溶液が画素開口部50B全体に濡れ広がりやすくなり、正
孔注入層20の形成不良を低減することができる。
Next, the hole injection material solution is driven into the
In the case of OT-PSS, the
It is formed only inside. Further, since the lyophilic insulating
その後、発光材料溶液(有機溶液)をインクジェット法に拠って共通バンク50Aに打
ち込み、乾燥させることで発光層21を形成する。発光材料溶液は有機溶剤を用いている
ため、撥液層13の表面でもある程度濡れ広がる。溶液がはじかれて塗布不良が発生しな
いように、発光材料溶液の濃度を下げ、共通バンク50A内に打ち込む溶液の量を増やし
、インクジェットで液滴を打ち込む位置を、隣同士の液滴が若干重なるようにするといっ
た調整も必要に応じて行なう。
Thereafter, the light emitting material solution (organic solution) is driven into the
このように、画素開口部50Bに比べて大面積の共通バンク50A全体に発光層21を
形成する。共通バンク50Aの外周部では、バンクテーパー部に発光層21が厚く付着す
るため、膜厚の均一性は良くない。一方、共通バンク50Aの中央部の画素開口部50B
においては、発光層21が平坦に形成される。ここでいう平坦とは、下層に凹凸があって
も表面が平らになるいわゆる平坦化の平坦ではなく、下層の凹凸に倣い、どこで測定して
も厚さが例えば100nmであるという意味である。その後、Ca/Alなどを蒸着して
陰極30とする。さらに乾燥剤を入れて封止する。
Thus, the
In, the
<2.第2実施形態>
図5は、本発明の第2実施形態に係る電気光学装置の平面図である。第2実施形態の電
気光学装置2は、RGBストライプ配列の表示装置である。例えば、40インチディスプ
レイであって、1920×RGB×1080の画素を備える。各共通バンク50Aの内側
にはRGB各色の発光層21が形成される。但し、一つの共通バンク50Aには単一の発
光色の発光層21が形成される。これによって、発光層21をインクジェット法によって
塗布する際に混色が発生しない。例えば、画素開口部50Bは230×76μmの長円形
、画素ピッチは461μm、ピクセルピッチは154μmである。
画素開口寸法、画素ピッチ、ピクセルピッチ、共通バンク寸法は、パネルサイズ、画素
数、開口率に応じて適宜変更可能である。また、基板10には、必要に応じて配線、駆動
用TFT、層間絶縁膜などの駆動回路を形成してもよい。
電気光学装置2の製造方法は、共通バンク50Aの内部に形成する発光層21を発光色
に応じて塗り分ける点を除いて、第1実施形態と同様であるので、説明を省略する。
<2. Second Embodiment>
FIG. 5 is a plan view of the electro-optical device according to the second embodiment of the invention. The electro-optical device 2 of the second embodiment is a display device having an RGB stripe arrangement. For example, a 40-inch display having 1920 × RGB × 1080 pixels. A
The pixel opening size, the pixel pitch, the pixel pitch, and the common bank size can be appropriately changed according to the panel size, the number of pixels, and the aperture ratio. In addition, a driving circuit such as a wiring, a driving TFT, or an interlayer insulating film may be formed on the
The manufacturing method of the electro-optical device 2 is the same as that of the first embodiment except that the light-emitting
<3.第3実施形態>
図6は、本発明の第3実施形態に係る電気光学装置の平面図である。第3実施形態の電
気光学装置は光ヘッド1Bである。この図に示すように光ヘッド1Bは、内側が凹部とな
る共通バンク60Aを有しており。共通バンク60Aの内側に複数の発光素子Pが千鳥状
に2列に配列されている。発光素子Pは画素開口部50Bを有する。そして、画素開口部
50Bを囲む個別バンク61Aが設けられている。個別バンク61Aは画素開口部50B
の周辺に沿って形成されたリング形状を有している。画素開口部50Bは、例えば、画素
開口部50Bの径は40μm、長手方向のピッチは84.5μmであり、2列の千鳥配列
となっている。また、列間ピッチは84.5μmである。これにより、600dpiの解
像度を実現可能である。なお、発光素子Pを4列で配置して1200dpi、あるいは8
列で配置して2400dpiといったように高解像度としてもよい。後述するように共通
バンク60Aの内側にはインターレイヤを含む発光層121(有機半導体層)が形成され
る。また、共通バンク60Aの内側に形成される発光層121の膜厚を均一にする観点よ
り、共通バンク60Aの短手方向の境界から画素開口部50Bまでの距離Y1は50μm
以上ある必要があり、さらには100μm以上であることが望ましい。また共通バンク6
0Aの長手方向の境界から画素開口部50Bまでの距離X1は3mm以上とすることが好
ましい。
<3. Third Embodiment>
FIG. 6 is a plan view of an electro-optical device according to a third embodiment of the invention. The electro-optical device of the third embodiment is an
It has a ring shape formed along the periphery. The
It may be arranged in rows and have a high resolution such as 2400 dpi. As will be described later, a light emitting layer 121 (organic semiconductor layer) including an interlayer is formed inside the
It is necessary to be above, and it is desirable that it is 100 μm or more. Common bank 6
The distance X1 from the boundary in the longitudinal direction of 0A to the
図7は、図6に示す光ヘッドのZ2−Z2’における断面図である。図8に、図7に示
す部分M’の斜視断面図を示す。但し、正孔注入層120、発光層121、及び陰極13
0は除いてある。基板110には、必要に応じて配線、駆動用TFT(Thin Film Transi
stor)、層間絶縁膜などの駆動回路を形成しておく。基板110の上にはITO(Indium
Tin Oxide)などの透明な陽極111が形成される。陽極111は、層間絶縁膜のコンタク
トホールを通して駆動回路に接続される(図示略)。
陽極111及び基板110の上に親液性絶縁膜112が積層される。親液性絶縁膜11
2の材料としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素等の無機材料が適している
。親液性絶縁膜112には溶液が濡れ広がる性質がある。親液性絶縁膜112の膜厚は正
孔注入層120の膜厚と同じかそれ以上とする。具体的には、膜厚を50〜300nmと
することが好ましい。それ以上の膜厚では、1)成膜時間が長くなる、2)エッチング加
工精度が悪化する、3)後で形成する発光層121の膜厚が画素内で均一になりにくくな
るといった弊害がある。
FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line Z2-Z2 ′ of the optical head shown in FIG. FIG. 8 shows a perspective sectional view of the portion M ′ shown in FIG. However, the
0 is excluded. The
stor), and a drive circuit such as an interlayer insulating film are formed. On the
A
A lyophilic
As the second material, inorganic materials such as silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride are suitable. The lyophilic
親液性絶縁膜112(親液層)には画素開口部50Bが形成される。画素開口部50B
の陽極111の上には、正孔注入層120が形成される。正孔注入層120の材料として
は、例えば、導電性ポリマーの一種であるPEDOT−PSSを用いる。
また、親液性絶縁膜112の上部であって、画素開口部50Bの周囲に個別バンク61
Aが形成される。個別バンク61Aには撥水性の材料が用いられる。例えば、感光性のア
クリル、ポリイミドなどの有機材料からなる樹脂を採用することができる。個別バンク6
1Aの幅は、5〜20μm、バンク高さは0.1〜2μmの範囲とすることが好ましい。
この成膜条件は、正孔注入層120を形成可能であり且つ、インターレイヤを含む発光層
121が共通バンク60A内で成膜が可能であることとする。個別バンク61Aに撥水性
の有機材料を用いることによって、正孔注入層120をインクジェット法で画素開口部5
0Bに充填する際に、材料液が画素開口部50Bの外部に漏れ出るのを防止することがで
きる。
A
A
The individual bank 61 is provided above the lyophilic
A is formed. A water-repellent material is used for the
The width of 1A is preferably 5 to 20 μm, and the bank height is preferably 0.1 to 2 μm.
The film forming conditions are that the
When filling 0B, the material liquid can be prevented from leaking out of the
さらに、親液性絶縁膜112の上部には、複数の個別バンク61Aを囲うように共通バ
ンク60Aが形成されている。共通バンク60Aは個別バンク61Aと同じく、感光性の
アクリルやポリイミドなどの樹脂から構成され撥水性を有する。共通バンク60Aの内側
にはインターレイヤを含む発光層121がインクジェット法で形成される。発光層121
を形成するための材料液を安定して保持させるために共通バンク60Aのバンク高さを2
〜3μmとすることが好ましい。
共通バンク60A及び発光層121の上には陰極130が形成される。発光素子Pは、
陽極111、正孔注入層120、発光層121及び陰極130から構成される。くわえて
、図7では省略したが、発光素子Pを外気から保護するための封止がなされる。封止構造
としては、いわゆる缶封止、べた封止、あるいは薄膜封止などを用いることができる。
Further, a
The bank height of the
It is preferable to be set to ˜3 μm.
A
An
図9に、光ヘッド1Bの製造工程を示す。まず、同図(A)に示すように基板10の上
に陽極111を形成する。この工程では、ITO膜をパターニングすることにより、所定
の領域に陽極111を形成する。
FIG. 9 shows a manufacturing process of the
次に、同図(B)に示すように親液性絶縁膜112を成膜する。材料は酸化ケイ素、窒
化ケイ素、酸化窒化ケイ素が適しているが、成膜/エッチングが容易な絶縁材料なら変更
可能である。成膜は既知の方法で行なえば良く、方法を限定するものではない。例えば、
スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート、CVD、
スパッタ等の方法で材料を塗布する。
Next, a lyophilic
Spin coat, spray coat, roll coat, die coat, dip coat, CVD,
The material is applied by a method such as sputtering.
次に、同図(C)に示すように親液性絶縁膜112の上に、感光性のアクリルやポリイ
ミドなどの有機材料を用いて個別バンク61Aを形成する。個別バンク61Aは、印刷法
やリソグラフィ法等、任意の方法を選択できる。印刷法を使用する場合は、凹版、平版、
凸版等任意の方法でバンク形状に有機材料を直接塗布する。リソグラフィ法を使用する場
合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所
定の方法で材料を塗布し、個別バンク61Aの形状に合わせてマスクを施しレジストを露
光・現像することにより所定形状のアクリルやポリイミド樹脂を形成する。最後に焼成し
て個別バンク61Aとする。
次に同図(D)に示すように、個別バンク61Aの外側で、親液性絶縁膜112を保護
したい領域にレジストパターンを形成する。この時、レジストパターンが個別バンク61
Aと一部が重なるように形成する。
その後、個別バンク61Aをマスクとして親液性絶縁膜112をドライエッチングし、
陽極111を一部露出する画素開口部50Bを形成し、レジストパターンを剥離除去する
。
Next, as shown in FIG. 3C, the
An organic material is directly applied to the bank shape by any method such as letterpress. When using the lithography method, apply the material by a predetermined method such as spin coating, spray coating, roll coating, die coating, dip coating, etc., apply a mask according to the shape of the
Next, as shown in FIG. 4D, a resist pattern is formed outside the
It is formed so as to partially overlap A.
Thereafter, the lyophilic
A
次に、同図(E)に示すように、複数の個別バンク61Aを囲うような形で共通バンク
60Aを形成する。共通バンク60Aは撥水性の材料からなり、例えば、感光性のアクリ
ルあるいはポリイミドなどからなる。共通バンク60Aの成膜は、個別バンク61Aと同
様に印刷法やリソグラフィ法等、任意の方法を選択できる。共通バンク60Aと個別バン
ク61Aは、インターレイヤを含む発光層121の平坦性を確保できるよう配置する。個
別バンク61Aと共通バンク60Aとの端面は、短手方向で少なくとも50μm、長手方
向で少なくとも3mm程度の距離がある事が望ましい。また、個別バンク61Aと共通バ
ンク60Aとの間は親液性絶縁膜112が最上面としてある。なお、共通バンク60Aは
個別バンク61Aと別の工程で形成するので、個別バンク61Aで用いる撥水性材料より
さらに撥水性の高い材料を用いることにより、発光層121の成膜精度をより高める事が
可能となる。
この後、酸素プラズマによる親液化処理とCF4プラズマによる撥液化処理を行ない、
陽極111の表面に親液性を、個別バンク61A及び共通バンク60Aの表面に撥液性を
もたせる。すなわち、親液性絶縁膜112及び陽極111の表面は、個別バンク61A及
び共通バンク60Aと比較して、溶液に対する親和性が強くなる。さらに、CF4プラズ
マによる撥液化処理によって個別バンク61Aおよび共通バンク60Aはフッ素化される
。共通バンク60Aは個別バンク61Aと比較して有機溶液に対する撥液性(非親和性)
が強くなる。
Next, as shown in FIG. 5E, the
Thereafter, a lyophilic process using oxygen plasma and a lyophobic process using CF4 plasma are performed.
The surface of the
Becomes stronger.
次に、同図(F)に示すように正孔注入層120を形成し、続いて同図(G)に示すよ
うに、インターレイヤを含む発光層121を成膜する。成膜方法はインクジェット法を用
い、正孔輸送層121は画素開口部50Bに対応している個別バンク61A内に画素描画
する。インターレイヤを含む発光層121は共通バンク60A内に描画する。それぞれイ
ンクジェットで材料を含むインクを着弾後、真空乾燥機で成膜する。また、発光層121
の成膜方法としてインクジェット法以外に湿式法としてディスペンサー法が考えられる。
インクジェット法により正孔注入層120を個別描画した後、発光層121をディスペン
サーで共通バンク60A内に描画する。この場合、インクジェット法に対して工程時間を
短縮できる。
Next, a
In addition to the ink jet method, a dispenser method can be considered as a wet method.
After the
<4.第4実施形態>
図10は、本発明の第4実施形態に係る電気光学装置の平面図である。第4実施形態の
電気光学装置2Bは、RGBストライプ配列の表示装置である。例えば、40インチディ
スプレイであって、1920×RGB×1080の画素を備える。各共通バンク60Aの
内側にはRGB各色の発光層21が形成される。但し、一つの共通バンク60Aの内側に
は親液性絶縁膜112の上に単一の発光色の発光層121が形成される。これによって、
発光層121をインクジェット法によって塗布する際に混色が発生しない。例えば、画素
開口部50Bは230×76μmの長円形、画素ピッチは461μm、ピクセルピッチは
154μmである。
画素開口寸法、画素ピッチ、ピクセルピッチ、共通バンク寸法は、パネルサイズ、画素
数、開口率に応じて適宜変更可能である。また、基板110には、必要に応じて配線、駆
動用TFT、層間絶縁膜などの駆動回路を形成してもよい。
電気光学装置2Bの製造方法は、共通バンク60Aの内部に形成する発光層121を発
光色に応じて塗り分ける点を除いて、第3実施形態と同様であるので、説明を省略する。
<4. Fourth Embodiment>
FIG. 10 is a plan view of an electro-optical device according to a fourth embodiment of the invention. The electro-
No color mixing occurs when the
The pixel opening size, the pixel pitch, the pixel pitch, and the common bank size can be appropriately changed according to the panel size, the number of pixels, and the aperture ratio. In addition, a driving circuit such as a wiring, a driving TFT, or an interlayer insulating film may be formed on the
The manufacturing method of the electro-
<5.変形例>
(1)上述した第1及び第2実施形態では陽極11、正孔注入層20、発光層21、陰
極30の順に積層して発光素子Pを形成し、上述した第3及び第4実施形態では陽極11
1、正孔注入層120、発光層121、陰極130の順に積層して発光素子Pを形成した
が、基板10、110の上に陰極、電子を輸送する電子注入層、発光層、陽極といった順
序で積層して発光素子Pを形成してもよい。この場合にも、電子注入層を形成するための
材料溶液を水系で構成することにより、画素開口部50Bの内部に材料溶液を濡れ広げる
ことができ、塗布の不具合による不良の発生を抑制することできる。
<5. Modification>
(1) In the first and second embodiments described above, the
1, the
(2)図11に、電気光学装置2A又は2Bを用いた電子機器であるパーソナルコンピ
ュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ1030は、表示ユニットとしての表示部
1031と10本体部32を備える。本体部1032には、電源スイッチ1033及びキ
ーボード1034が設けられている。パーソナルコンピュータ1030によれば、電気光
学装置2A又は2Bが表示部1031として用いているから、高精細化および大画面化の
要請に応えても十分に高い品質で画像を表示することができる。
(2) FIG. 11 shows a configuration of a personal computer that is an electronic apparatus using the electro-
1A,1B,2A,2B…電気光学装置、10,110…基板、11,111…陽極(
画素電極)、12,112…親液性絶縁膜、13…撥液層、20,120…正孔注入層、
21,121…発光層(有機半導体層)、30,130…陰極、50B…画素開口部、5
0A,60A…共通バンク、61A…個別バンク、P…発光素子。
1A, 1B, 2A, 2B ... electro-optical device, 10, 110 ... substrate, 11, 111 ... anode (
Pixel electrode), 12, 112 ... lyophilic insulating film, 13 ... lyophobic layer, 20, 120 ... hole injection layer,
21, 121... Light emitting layer (organic semiconductor layer), 30, 130... Cathode, 50B.
0A, 60A ... common bank, 61A ... individual bank, P ... light emitting element.
Claims (15)
前記基板の上に形成された親液層と、
前記親液層の上に形成された撥液層と、
前記複数の画素電極に各々対応して設けられ、前記親液層及び撥液層に形成された複数
の画素開口部と、
前記複数の画素開口部を囲む共通バンクとを備え、
前記親液層は、前記撥液層と比較して液体に対する親和性が強い、
ことを特徴とする電気光学装置。 A substrate on which a plurality of pixel electrodes are formed;
A lyophilic layer formed on the substrate;
A liquid repellent layer formed on the lyophilic layer;
A plurality of pixel openings provided corresponding to each of the plurality of pixel electrodes and formed in the lyophilic layer and the liquid repellent layer;
A common bank surrounding the plurality of pixel openings,
The lyophilic layer has a strong affinity for liquid compared to the liquid repellent layer,
An electro-optical device.
入層と、
前記共通バンクの内側に連続して形成された有機半導体層と、
をさらに有すること特徴とする請求項1記載の電気光学装置。 An injection layer for injecting electrons or holes provided on the pixel electrode located in the pixel opening;
An organic semiconductor layer continuously formed inside the common bank;
The electro-optical device according to claim 1, further comprising:
を特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。 3. The electro-optical device according to claim 1, wherein the pixel openings have substantially the same shape in plan view in the lyophilic layer and the liquid repellent layer.
る請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の電気光学装置。 4. The electro-optical device according to claim 1, wherein the liquid repellent layer has a planar shape in which holes of the plurality of pixel openings are opened. 5.
ンクとして形成されることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の電気
光学装置。 4. The electro-optical device according to claim 1, wherein the liquid repellent layer is formed as an individual bank surrounding the periphery of the pixel opening in each of the plurality of pixel openings. 5. apparatus.
前記複数の共通バンクの各々に形成された前記有機半導体層は単一の色で発光すること
を特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の電気光学装置。 A plurality of the common banks are formed,
6. The electro-optical device according to claim 1, wherein the organic semiconductor layer formed in each of the plurality of common banks emits light in a single color.
形成材料液に対する非親和性が強いことを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項
に記載の電気光学装置。 7. The common bank has a stronger non-affinity for a liquid repellent layer forming material liquid for forming the organic semiconductor layer than the liquid repellent layer. The electro-optical device according to Item.
電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 7, wherein the common bank is made of a fluorinated resin.
に記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1, wherein the lyophilic layer is made of an inorganic material.
徴とする請求項9に記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 9, wherein the inorganic material includes silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride.
0のうちいずれか1項に記載の電気光学装置。 The liquid repellent layer and the common bank are made of an organic material.
The electro-optical device according to any one of 0.
前記親液層上に前記複数の画素電極の各々に対応する複数の開口部を有する撥液層を形
成する工程と、
前記撥液層上に内側に前記複数の開口部を含む共通バンクを形成する工程と、
少なくとも前記撥液層をエッチングマスクとして前記親液層をエッチングし、前記画素
電極を露出する画素開口部を形成する工程と、
前記画素開口部の前記画素電極の上に電子又は正孔を注入する注入層を形成する工程と
、
前記共通バンクの内側に有機半導体層を形成する工程と、
を備えた電気光学装置の製造方法。 Forming a lyophilic layer on a substrate on which a plurality of pixel electrodes are formed;
Forming a liquid repellent layer having a plurality of openings corresponding to each of the plurality of pixel electrodes on the lyophilic layer;
Forming a common bank including the plurality of openings inside on the liquid repellent layer;
Etching the lyophilic layer using at least the lyophobic layer as an etching mask to form a pixel opening exposing the pixel electrode;
Forming an injection layer for injecting electrons or holes on the pixel electrode of the pixel opening;
Forming an organic semiconductor layer inside the common bank;
A method of manufacturing an electro-optical device comprising:
載の電気光学装置の製造方法。 13. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 12, wherein the lyophilic layer is etched by a plasma etching method.
インクジェット法によって前記画素開口部に充填することを特徴とする請求項12又は1
3に記載の電気光学装置の製造方法。 The step of forming the injection layer fills the pixel opening with an injection layer forming material liquid for forming the injection layer by an inkjet method.
A method for manufacturing the electro-optical device according to claim 3.
導体層形成材料液をインクジェット法によって前記共通バンクの内側に充填することを特
徴とする請求項12乃至14のうちいずれか1項に記載の電気光学装置の製造方法。
15. The step of forming the organic semiconductor layer, wherein an organic semiconductor layer forming material liquid for forming the organic semiconductor layer is filled inside the common bank by an inkjet method. A method for manufacturing the electro-optical device according to claim 1.
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-
2006
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