JP4998710B2 - Manufacturing method of display device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device comprising a display panel on which an excellent light-emitting functional layer (organic EL layer) is formed, and a manufacturing method of the display device. <P>SOLUTION: After a nozzle printing method or an ink-jet method or the like is applied to a pixel forming region Rpx (forming region of organic EL element OLED) of each color, and an organic compound-containing liquid to contain an organic polymer-based electron transport light-emitting material (carrier transport material) is coated on a positive hole transport layer 15a three times (plurality of times) by the same amount by heating a stage in nitrogen atmosphere by carrying out drying treatment, and by removing a remaining solvent, the organic polymer-based electron transport light-emitting material is fixed to the positive hole transport layer 15a, and an electron transport light-emitting layer 15b is formed which is a carrier transport layer and also a light-emitting layer. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、表示装置製造方法に関し、特に、複数の表示素子を2次元配列してなる表示パネルを備えた表示装置製造方法に関する。
The present invention relates to a method for manufacturing a display device, and more particularly to a method for manufacturing a display device including a display panel in which a plurality of display elements are two-dimensionally arranged.

近年、携帯電話や携帯音楽プレーヤ等の電子機器の表示デバイスとして、自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」と略記する)を2次元配列した表示パネル(有機EL表示パネル)を備えたものが知られている。特に、アクティブマトリックス駆動方式を適用した有機EL表示パネルにおいては、広く普及している液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性も小さく、液晶表示装置のようにバックライトを必要としない等の利点を有している。そのため、今後様々な電子機器への適用が期待されている。   2. Description of the Related Art In recent years, a display panel (organic EL display panel) in which organic electroluminescence elements (hereinafter abbreviated as “organic EL elements”), which are self-luminous elements, are two-dimensionally arranged as display devices for electronic devices such as mobile phones and portable music players. ) Is known. In particular, in an organic EL display panel to which an active matrix driving method is applied, the display response speed is faster and the viewing angle dependency is smaller than that of a widely used liquid crystal display device. Has the advantage that it is not necessary. Therefore, application to various electronic devices is expected in the future.

ここで、有機EL素子は、周知のように、例えば概略、ガラス基板等の一面側に、アノード(陽極)電極と、有機EL層(発光機能層)と、カソード(陰極)電極と、を順次積層した素子構造を有し、有機EL層に発光しきい値を越えるようにアノード電極に正電圧、カソード電極に負電圧を印加することにより、有機EL層内で注入されたホールと電子が再結合する際に生じるエネルギーに基づいて光(励起光)が放射されるものであるが、有機EL層となる担体輸送層を形成する有機材料(正孔輸送材料や電子輸送材料)に応じて、低分子系と高分子系の有機EL素子に大別することができる。   Here, as is well known, for example, an organic EL element generally includes an anode (anode) electrode, an organic EL layer (light emitting functional layer), and a cathode (cathode) electrode sequentially on one side of a glass substrate or the like. It has a stacked element structure. By applying a positive voltage to the anode electrode and a negative voltage to the cathode electrode so as to exceed the light emission threshold, the holes and electrons injected in the organic EL layer are regenerated. Light (excitation light) is radiated based on the energy generated when bonding, depending on the organic material (hole transport material or electron transport material) that forms the carrier transport layer to be the organic EL layer, It can be roughly classified into low molecular weight and high molecular weight organic EL elements.

低分子系の有機材料を適用した有機EL素子の場合、一般に、製造プロセスにおいて蒸着法が適用されているため、画素形成領域のアノード電極上にのみ当該低分子系の有機膜を選択的に薄膜形成する際に、上記アノード電極以外の領域への低分子材料の蒸着を防止するためのマスクが用いられており、当該マスクの表面にも低分子材料が付着することになるため、製造時の材料ロスが大きいうえ、製造プロセスが非効率的であるという問題を有している。   In the case of an organic EL element to which a low molecular organic material is applied, since the vapor deposition method is generally applied in the manufacturing process, the low molecular organic film is selectively thinned only on the anode electrode in the pixel formation region. When forming, a mask is used to prevent the deposition of a low molecular material in a region other than the anode electrode, and the low molecular material adheres to the surface of the mask. In addition to the large material loss, the manufacturing process is inefficient.

一方、高分子系の有機材料を適用した有機EL素子の場合には、一般に、湿式成膜法としてインクジェット法(液滴吐出法)やノズルプリンティング法(液流吐出法)等を適用することができるので、アノード電極上、又は、アノード電極を含む特定の領域にのみ選択的に上記有機材料の溶液を塗布することができ、材料ロスが少なく効率的な製造プロセスで精度良く有機EL層(正孔輸送層や電子輸送層、発光層等)の薄膜を形成することができるという利点を有している。   On the other hand, in the case of an organic EL element to which a polymer organic material is applied, in general, an inkjet method (droplet discharge method), a nozzle printing method (liquid flow discharge method), or the like can be applied as a wet film forming method. Therefore, the organic material solution can be selectively applied only on the anode electrode or only on a specific region including the anode electrode, and the organic EL layer (correction) can be accurately performed by an efficient manufacturing process with little material loss. A hole transport layer, an electron transport layer, a light emitting layer, etc.) can be formed.

そして、このような高分子系の有機EL表示パネルにおいては、絶縁性基板上に配列される各表示画素の形成領域(画素形成領域)を画定するとともに、高分子系有機材料を含む液状材料を塗布する際に、隣接する画素形成領域に異なる色の発光材料が混入して表示画素間で発光色の混合(混色)等が生じる現象を防止するために、各画素形成領域間に絶縁性基板上に突出し、連続的に形成された隔壁を設けたパネル構造を有するものが知られている。このような隔壁を備えた有機EL表示パネルについては、例えば、特許文献1等に詳しく説明されている。   In such a polymer organic EL display panel, a formation region (pixel formation region) of each display pixel arranged on the insulating substrate is defined, and a liquid material containing a polymer organic material is used. In order to prevent a phenomenon in which light emitting materials of different colors are mixed in adjacent pixel formation areas when applying and light emission colors are mixed (mixed colors) between display pixels, an insulating substrate is formed between the pixel formation areas. What has the panel structure which provided the partition which protruded upwards and was formed continuously is known. The organic EL display panel provided with such a partition is described in detail in, for example, Patent Document 1 and the like.

特開2001−76881号公報 (第4頁〜第7頁、図1〜図6)JP 2001-76881 A (pages 4 to 7, FIGS. 1 to 6)

しかしながら、上述したような高分子系の有機EL素子においては、インクジェット法やノズルプリンティング法等の湿式成膜法を適用して有機EL層(正孔輸送層及び電子輸送層、発光層等)を製造する際に、上記有機材料を含む液状材料が塗布される各画素形成領域や各表示画素(画素形成領域)間に設けられた隔壁の表面の特性(親液性や撥液性)、上記液状材料(塗布液)の溶媒成分に起因する表面張力や凝集力等の様々な要因により、隣接する画素形成領域に異なる色の発光材料が混入して表示画素間で発光色の混合(混色)が生じたり、あるいは、画素形成領域内に形成される有機EL層の膜厚が不均一になったりするという問題を有していた。   However, in the polymer organic EL element as described above, an organic EL layer (a hole transport layer, an electron transport layer, a light emitting layer, etc.) is applied by applying a wet film forming method such as an ink jet method or a nozzle printing method. The characteristics of the surface of the partition provided between each pixel formation region and each display pixel (pixel formation region) to which the liquid material containing the organic material is applied during manufacture (lyophilicity or liquid repellency), Due to various factors such as surface tension and cohesive force caused by the solvent component of the liquid material (coating liquid), the light emitting materials of different colors are mixed in the adjacent pixel formation region and the light emission color is mixed (mixed color) between the display pixels. Or the film thickness of the organic EL layer formed in the pixel formation region becomes non-uniform.

そのため、有機EL層の膜厚の薄い領域に発光駆動電流が集中して流れることにより、有機EL層(有機EL素子)の劣化が著しくなり、表示パネルの信頼性が低下したり、発光開始電圧が設計値から変化して(ずれて)、所望の発光輝度が得られなくなり、表示パネルの表示画質が低下したりするという問題を有していた。   For this reason, the emission driving current concentrates and flows in the thin region of the organic EL layer, so that the deterioration of the organic EL layer (organic EL element) becomes remarkable, the reliability of the display panel is reduced, and the emission start voltage is reduced. However, there is a problem that the desired light emission luminance cannot be obtained and the display image quality of the display panel is deteriorated.

そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、良好な発光機能層(有機EL層)が形成された表示パネルを備えた表示装置製造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a method of manufacturing a display device comprising a display panel having good light-emitting functional layer (organic EL layer) is formed.

請求項1記載の発明は、担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素が配列された表示パネルを備えた表示装置の製造方法において、基板上の隔壁に囲まれた前記表示画素の形成領域に、ノズルプリンティング法によって担体輸送性材料を含む有機溶液を連続した液流状にして複数回塗布する際に、各塗布後に、それぞれ塗布された前記有機溶液を加熱乾燥し、且つ最終回に塗布される前記有機溶液の量を、それ以前の各回に塗布される前記有機溶液の量よりも少なくするように設定し、前記有機溶液を前記隔壁に接するように前記表示画素の形成領域に塗布した後、最終回に前記担体輸送性材料と同じ材料を含む有機溶液を、それ以前の回に塗布される前記有機溶液による担体輸送層の被覆領域よりも小さくなるように前記表示画素の形成領域に塗布して前記担体輸送層を形成する担体輸送層形成工程を含むことを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, in the method of manufacturing a display device including a display panel in which a plurality of display pixels including a light emitting element having a carrier transport layer are arranged, the display pixels surrounded by a partition on the substrate are formed. When the organic solution containing the carrier transporting material is applied to the region in a continuous liquid flow by applying a plurality of times by the nozzle printing method , the applied organic solution is dried by heating after each application, and in the final round The amount of the organic solution to be applied is set to be smaller than the amount of the organic solution to be applied each time before that, and the organic solution is applied to the display pixel formation region so as to be in contact with the partition. After that, the display pixel is made so that the organic solution containing the same material as the carrier transporting material is made smaller in the final time than the coverage area of the carrier transporting layer by the organic solution applied in the previous time. Is applied to forming region, characterized in that it comprises a carrier transport layer forming step of forming the carrier transport layer.

各回における前記有機溶液を排出するノズルの単位時間の前記有機溶液の排出量を同じに設定し、前記表示画素の形成領域上をノズルが走査するように前記ノズルの走査速度或いは前記基板が載置されているステージの走査速度を、1回目の塗布より2回目以降早くするように設定することを特徴とする。The discharge rate of the organic solution per unit time of the nozzle that discharges the organic solution at each time is set to be the same, and the scanning speed of the nozzle or the substrate is placed so that the nozzle scans the display pixel formation region. It is characterized in that the scanning speed of the stage being set is set to be faster than the first application after the second application.

本発明に係る表示装置及びその製造方法によれば、良好な発光機能層(担体輸送層;有機EL層)が形成された表示パネルを実現することができる。   According to the display device and the manufacturing method thereof according to the present invention, it is possible to realize a display panel in which a favorable light emitting functional layer (carrier transport layer; organic EL layer) is formed.

以下、本発明に係る表示装置及びその製造方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。ここで、以下に示す実施形態においては、表示画素を構成する発光素子として、有機材料を塗布して形成される有機EL層を備えた有機EL素子を適用した場合について説明する。   Hereinafter, a display device and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described in detail with reference to embodiments. Here, in the embodiment described below, a case where an organic EL element including an organic EL layer formed by applying an organic material is applied as a light emitting element constituting a display pixel will be described.

<第1の実施形態>
(表示パネル)
まず、本発明に係る表示装置に適用される表示パネル(有機ELパネル)及び表示画素について説明する。
<First Embodiment>
(Display panel)
First, a display panel (organic EL panel) and display pixels applied to the display device according to the present invention will be described.

図1は、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す概略平面図であり、図2は、本発明に係る表示装置の表示パネルに2次元配列される各表示画素(発光素子及び画素駆動回路)の回路構成例を示す等価回路図である。なお、図1に示す平面図においては、説明の都合上、表示パネル(絶縁性基板)の一面側(有機EL素子の形成側)から見た、各表示画素(色画素)に設けられる画素電極の配置と各配線層の配設構造との関係、及び、各表示画素の形成領域を画定するバンク(隔壁)との配置関係のみを示し、各表示画素の有機EL素子(発光素子)を発光駆動するために、各表示画素に設けられる図2に示す画素駆動回路内のトランジスタ等の表示を省略した。また、図1においては、画素電極及び各配線層、バンクの配置を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。   FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of a pixel arrangement state of a display panel applied to a display device according to the present invention, and FIG. 2 is a diagram of each two-dimensional array on the display panel of the display device according to the present invention. It is an equivalent circuit diagram which shows the circuit structural example of a display pixel (a light emitting element and a pixel drive circuit). In the plan view shown in FIG. 1, for convenience of explanation, pixel electrodes provided in each display pixel (color pixel) viewed from one surface side (organic EL element formation side) of the display panel (insulating substrate). Only the relationship between the arrangement of each wiring layer and the arrangement structure of each wiring layer and the arrangement relationship with the bank (partition) that defines the formation region of each display pixel are shown, and the organic EL element (light emitting element) of each display pixel emits light. In order to drive, the display of transistors and the like in the pixel driving circuit shown in FIG. 2 provided in each display pixel is omitted. Further, in FIG. 1, the pixel electrodes, the respective wiring layers, and the banks are hatched for the sake of convenience in order to clarify the arrangement.

本発明に係る表示装置(表示パネル)は、図1に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板11の一面側に、赤(R)、緑(G)、青(B)の3色を有する色画素PXr、PXg、PXbを一組として、この組が行方向(図面左右方向)に繰り返し複数配列されるとともに、列方向(図面上下方向)に同一色の色画素PXr、PXg、PXbが複数配列されている。ここでは、隣接するRGB3色の色画素PXr、PXg、PXbを一組として一の表示画素PIXが形成されている。   As shown in FIG. 1, the display device (display panel) according to the present invention has three colors of red (R), green (G), and blue (B) on one side of an insulating substrate 11 such as a glass substrate. A set of color pixels PXr, PXg, and PXb having the same color pixel PXr, PXg, and PXb of the same color in the column direction (vertical direction in the drawing) and a plurality of sets are repeatedly arranged in the row direction (horizontal direction in the drawing). Multiple sequences are arranged. Here, one display pixel PIX is formed by combining the adjacent RGB color pixels PXr, PXg, and PXb.

表示パネル10は、図1に示すように、絶縁性基板11の一面側に突出し、柵状又は格子状の平面パターンを有して連続的に配設されたバンク(隔壁)17により、列方向に配列された同一色の複数の色画素PXr、PXg、又は、PXbの画素形成領域(各色画素領域)が画定される。また、各色画素PXr、PXg、又は、PXbの画素形成領域には、画素電極(例えばアノード電極)14が形成されているとともに、上記バンク17の配設方向に並行して列方向(図面上下方向)にデータライン(信号ライン)Ldが配設され、また、当該データラインLdに直交する行方向(図面左右方向)に走査ライン(選択ライン)Ls及び供給電圧ライン(例えばアノードライン)Laが並行に配設されている。
また、詳しくは後述するが、表示パネル10には、絶縁性基板11上に2次元配列された複数の表示画素PIXの画素電極14に対して共通に対向するように、単一の電極層(べた電極)からなる対向電極(例えばカソード電極)16が形成されている。
As shown in FIG. 1, the display panel 10 protrudes from one side of the insulating substrate 11 and is arranged in a column direction by banks (partition walls) 17 that are continuously arranged with a fence-like or grid-like plane pattern. A pixel formation region (each color pixel region) of a plurality of color pixels PXr, PXg, or PXb of the same color arranged in the same manner is defined. In addition, pixel electrodes (for example, anode electrodes) 14 are formed in the pixel formation region of each color pixel PXr, PXg, or PXb, and in the column direction (vertical direction in the drawing) in parallel with the arrangement direction of the bank 17. ), And a scanning line (selection line) Ls and a supply voltage line (for example, an anode line) La are parallel to each other in a row direction (horizontal direction in the drawing) orthogonal to the data line Ld. It is arranged.
Further, as will be described in detail later, the display panel 10 has a single electrode layer (a single electrode layer (so as to be commonly opposed to the pixel electrodes 14 of the plurality of display pixels PIX) two-dimensionally arranged on the insulating substrate 11). A counter electrode (for example, a cathode electrode) 16 made of a solid electrode is formed.

表示画素PIXの各色画素PXr、PXg、PXbは、図2に示すように、絶縁性基板11上に1乃至複数のトランジスタ(例えばアモルファスシリコン薄膜トランジスタ等)を有する画素駆動回路(又は画素回路)DCと、当該画素駆動回路DCにより制御される発光駆動電流が、上記画素電極14に供給されることにより発光動作する有機EL素子(発光素子)OLEDと、を備えた回路構成を有している。   As shown in FIG. 2, each color pixel PXr, PXg, PXb of the display pixel PIX includes a pixel driving circuit (or pixel circuit) DC having one or more transistors (for example, an amorphous silicon thin film transistor) on the insulating substrate 11. The light emitting driving current controlled by the pixel driving circuit DC is supplied to the pixel electrode 14 to have a circuit configuration including an organic EL element (light emitting element) OLED that emits light.

画素駆動回路DCは、具体的には、例えば図2に示すように、ゲート端子が走査ラインLsに、ドレイン端子が表示パネル10の列方向に配設されたデータラインLdに、ソース端子が接点N11に各々接続されたトランジスタ(選択トランジスタ)Tr11と、ゲート端子が接点N11に、ドレイン端子が供給電圧ラインLaに、ソース端子が接点N12に各々接続されたトランジスタ(発光駆動トランジスタ)Tr12と、トランジスタTr12のゲート端子及びソース端子間に接続されたキャパシタCsと、を備えている。   Specifically, for example, as shown in FIG. 2, the pixel driving circuit DC has a gate terminal at the scanning line Ls, a drain terminal at the data line Ld arranged in the column direction of the display panel 10, and a source terminal at the contact point. A transistor (selection transistor) Tr11 connected to each of N11, a transistor (light emitting drive transistor) Tr12 having a gate terminal connected to the contact N11, a drain terminal connected to the supply voltage line La, and a source terminal connected to the contact N12; And a capacitor Cs connected between the gate terminal and the source terminal of the Tr12.

ここでは、トランジスタTr11、Tr12はいずれもnチャネル型の薄膜トランジスタ(電界効果型トランジスタ)が適用されている。トランジスタTr11、Tr12がpチャネル型であれば、ソース端子及びドレイン端子が互いに逆になる。また、キャパシタCsはトランジスタTr12のゲート−ソース間に形成される寄生容量、又は、該ゲート−ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくは、これらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である(図5参照)。   Here, n-channel thin film transistors (field effect transistors) are applied to the transistors Tr11 and Tr12. If the transistors Tr11 and Tr12 are p-channel type, the source terminal and the drain terminal are opposite to each other. The capacitor Cs is a parasitic capacitance formed between the gate and the source of the transistor Tr12, an auxiliary capacitance additionally provided between the gate and the source, or a capacitance component composed of these parasitic capacitance and auxiliary capacitance. Yes (see FIG. 5).

また、有機EL素子OLEDは、アノード端子(アノード電極となる画素電極14)が上記画素駆動回路DCの接点N12に接続され、カソード端子(カソード電極)が、上述した単一の電極層により形成された対向電極16と一体的に形成された共通電圧ラインLcに接続されている。   In the organic EL element OLED, the anode terminal (pixel electrode 14 serving as an anode electrode) is connected to the contact N12 of the pixel driving circuit DC, and the cathode terminal (cathode electrode) is formed by the single electrode layer described above. The common voltage line Lc formed integrally with the counter electrode 16 is connected.

図2に示した表示画素PIX(画素駆動回路DC及び有機EL素子OLED)において、走査ラインLsは、例えば図示を省略した走査ドライバに接続され、所定のタイミングで表示パネル10の行方向に配列された複数の表示画素PIX(色画素PXr、PXg、PXb)を選択状態に設定するための選択電圧(走査信号)Sselが印加される。また、データラインLdは、図示を省略したデータドライバに接続され、上記表示画素PIXの選択状態に同期するタイミングで表示データに応じたデータ電圧(階調信号)Vpixが印加される。   In the display pixel PIX (pixel drive circuit DC and organic EL element OLED) shown in FIG. 2, the scanning line Ls is connected to, for example, a scanning driver (not shown) and arranged in the row direction of the display panel 10 at a predetermined timing. A selection voltage (scanning signal) Ssel for setting the plurality of display pixels PIX (color pixels PXr, PXg, PXb) to a selected state is applied. The data line Ld is connected to a data driver (not shown), and a data voltage (grayscale signal) Vpix corresponding to display data is applied at a timing synchronized with the selection state of the display pixel PIX.

また、供給電圧ラインLaは、例えば所定の高電位電源に直接又は間接的に接続され、各表示画素PIX(色画素PXr、PXg、PXb)に設けられる有機EL素子OLEDの画素電極(例えばアノード電極)14に表示データに応じた発光駆動電流を流すために、有機EL素子OLEDの対向電極16(例えばカソード電極;共通電圧ラインLc)に印加される基準電圧Vssより電位の高い、所定の高電圧(供給電圧Vdd)が印加され、また、共通電圧ラインLcは、例えば所定の低電位電源に直接又は間接的に接続され、絶縁性基板11上に2次元配列された全ての表示画素PIX(有機EL素子OLEDのカソード電極)に対して、単一の電極層により形成された対向電極16を介して、所定の低電圧(基準電圧Vss;例えば接地電位GND)が共通に印加されるように設定されている。   The supply voltage line La is directly or indirectly connected to, for example, a predetermined high potential power source, and is a pixel electrode (for example, an anode electrode) of the organic EL element OLED provided in each display pixel PIX (color pixels PXr, PXg, PXb). ) A predetermined high voltage having a potential higher than the reference voltage Vss applied to the counter electrode 16 (for example, cathode electrode; common voltage line Lc) of the organic EL element OLED in order to flow a light emission driving current according to display data to 14) (Supply voltage Vdd) is applied, and the common voltage line Lc is connected to, for example, a predetermined low potential power source directly or indirectly, and all the display pixels PIX (organic) arranged two-dimensionally on the insulating substrate 11 A predetermined low voltage (reference voltage Vss; for example, ground potential) through the counter electrode 16 formed by a single electrode layer with respect to the cathode electrode of the EL element OLED) ND) is set to be commonly applied.

すなわち、各表示画素PIXにおいて、直列に接続されたトランジスタTr12と有機EL素子OLEDの組の両端(トランジスタTr12のドレイン端子と有機EL素子OLEDのカソード端子)にそれぞれ供給電圧Vddと基準電圧Vssを印加して有機EL素子OLEDに順バイアスを付与して有機EL素子OLEDが発光できる状態にし、さらに、階調信号Vpixに応じて流れる発光駆動電流の電流値を画素駆動回路DCにより制御している。   That is, in each display pixel PIX, the supply voltage Vdd and the reference voltage Vss are applied to both ends (the drain terminal of the transistor Tr12 and the cathode terminal of the organic EL element OLED) of the pair of the transistor Tr12 and the organic EL element OLED connected in series. Then, a forward bias is applied to the organic EL element OLED so that the organic EL element OLED can emit light, and the current value of the light emission drive current that flows according to the gradation signal Vpix is controlled by the pixel drive circuit DC.

そして、このような回路構成を有する表示画素PIXにおける駆動制御動作は、まず、図示を省略した走査ドライバから走査ラインLsに対して、所定の選択期間に、選択レベル(オンレベル;例えばハイレベル)の選択電圧Sselを印加することにより、トランジスタTr11がオン動作して選択状態に設定される。このタイミングに同期して、図示を省略したデータドライバから表示データに応じた電圧値を有する階調信号VpixをデータラインLdに印加するように制御する。これにより、トランジスタTr11を介して、階調信号Vpixに応じた電位が接点N11(すなわち、トランジスタTr12のゲート端子)に印加される。   In the drive control operation in the display pixel PIX having such a circuit configuration, first, a scanning level (on level; for example, high level) is applied to a scanning line Ls from a scanning driver (not shown) during a predetermined selection period. When the selection voltage Ssel is applied, the transistor Tr11 is turned on and set to the selected state. In synchronization with this timing, control is performed so that a gradation signal Vpix having a voltage value corresponding to display data is applied to the data line Ld from a data driver (not shown). As a result, a potential corresponding to the gradation signal Vpix is applied to the contact N11 (that is, the gate terminal of the transistor Tr12) via the transistor Tr11.

図2に示した回路構成を有する画素駆動回路DCにおいては、トランジスタTr12のドレイン−ソース間電流(すなわち、有機EL素子OLEDに流れる発光駆動電流)の電流値は、ドレイン−ソース間の電位差及びゲート−ソース間の電位差によって決定される。ここで、トランジスタTr12のドレイン端子(ドレイン電極)に印加される供給電圧Vddと、有機EL素子OLEDのカソード端子(カソード電極)に印加される基準電圧Vssは固定値であるので、トランジスタTr12のドレイン−ソース間の電位差は、供給電圧Vddと基準電圧Vssによって予め固定されている。そして、トランジスタTr12のゲート−ソース間の電位差は、階調信号Vpixの電位によって一義的に決定されるので、トランジスタTr12のドレイン−ソース間に流れる電流の電流値は、階調信号Vpixによって制御することができる。   In the pixel drive circuit DC having the circuit configuration shown in FIG. 2, the current value of the drain-source current of the transistor Tr12 (that is, the light emission drive current flowing through the organic EL element OLED) is the potential difference between the drain-source and the gate. -Determined by the potential difference between the sources. Here, since the supply voltage Vdd applied to the drain terminal (drain electrode) of the transistor Tr12 and the reference voltage Vss applied to the cathode terminal (cathode electrode) of the organic EL element OLED are fixed values, the drain of the transistor Tr12 The potential difference between the sources is fixed beforehand by the supply voltage Vdd and the reference voltage Vss. Since the potential difference between the gate and source of the transistor Tr12 is uniquely determined by the potential of the gradation signal Vpix, the current value of the current flowing between the drain and source of the transistor Tr12 is controlled by the gradation signal Vpix. be able to.

このように、トランジスタTr12が接点N11の電位に応じた導通状態(すなわち、階調信号Vpixに応じた導通状態)でオン動作して、高電位側の供給電圧VddからトランジスタTr12及び有機EL素子OLEDを介して低電位側の基準電圧Vss(接地電位GND)に、所定の電流値を有する発光駆動電流が流れるので、有機EL素子OLEDが階調信号Vpix(すなわち表示データ)に応じた輝度階調で発光動作する。また、このとき、接点N11に印加された階調信号Vpixに基づいて、トランジスタTr12のゲート−ソース間のキャパシタCsに電荷が蓄積(充電)される。   As described above, the transistor Tr12 is turned on in a conductive state corresponding to the potential of the contact N11 (that is, a conductive state corresponding to the gradation signal Vpix), and the transistor Tr12 and the organic EL element OLED are supplied from the supply voltage Vdd on the high potential side. Since a light emission driving current having a predetermined current value flows through the reference voltage Vss (ground potential GND) on the low potential side through the organic EL element OLED, the luminance gradation corresponding to the gradation signal Vpix (that is, display data) The flash operates with. At this time, charges are accumulated (charged) in the capacitor Cs between the gate and the source of the transistor Tr12 based on the gradation signal Vpix applied to the contact N11.

次いで、上記選択期間終了後の非選択期間において、走査ラインLsに非選択レベル(オフレベル;例えばローレベル)の選択電圧Sselを印加することにより、表示画素PIXのトランジスタTr11がオフ動作して非選択状態に設定され、データラインLdと画素駆動回路DCとが電気的に遮断される。このとき、上記キャパシタCsに蓄積された電荷が保持されることにより、トランジスタTr12のゲート端子に階調信号Vpixに相当する電圧が保持された(すなわち、ゲート−ソース間の電位差が保持された)状態となる。   Next, in the non-selection period after the end of the selection period, by applying a selection voltage Ssel of a non-selection level (off level; for example, low level) to the scanning line Ls, the transistor Tr11 of the display pixel PIX is turned off and non-selected. The selected state is set, and the data line Ld and the pixel drive circuit DC are electrically disconnected. At this time, the charge accumulated in the capacitor Cs is held, so that the voltage corresponding to the gradation signal Vpix is held at the gate terminal of the transistor Tr12 (that is, the potential difference between the gate and the source is held). It becomes a state.

したがって、上記選択状態における発光動作と同様に、供給電圧VddからトランジスタTr12を介して、有機EL素子OLEDに所定の発光駆動電流が流れて、発光動作状態が継続される。この発光動作状態は、次の階調信号Vpixが印加される(書き込まれる)まで、例えば、1フレーム期間継続するように制御される。そして、このような駆動制御動作を、表示パネル10に2次元配列された全ての表示画素PIX(各色画素PXr、PXg、PXb)について、例えば各行ごとに順次実行することにより、所望の画像情報を表示する画像表示動作を実行することができる。   Accordingly, similarly to the light emission operation in the selected state, a predetermined light emission drive current flows from the supply voltage Vdd to the organic EL element OLED via the transistor Tr12, and the light emission operation state is continued. This light emitting operation state is controlled so as to continue, for example, for one frame period until the next gradation signal Vpix is applied (written). Then, such a drive control operation is sequentially executed for every row, for example, for all the display pixels PIX (each color pixel PXr, PXg, PXb) two-dimensionally arranged on the display panel 10, thereby obtaining desired image information. An image display operation to be displayed can be executed.

なお、図2においては、表示画素PIXに設けられる画素駆動回路DCとして、表示データに応じて各表示画素PIX(具体的には、画素駆動回路DCのトランジスタTr12のゲート端子;接点N11)に書き込む階調信号Vpixの電圧値を調整(指定)することにより、有機EL素子OLEDに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所望の輝度階調で発光動作させる電圧指定型の階調制御方式の回路構成を示したが、表示データに応じて各表示画素PIXに書き込む電流値を調整(指定)することにより、有機EL素子OLEDに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所望の輝度階調で発光動作させる電流指定型の階調制御方式の回路構成を有するものであってもよい。   In FIG. 2, the pixel driving circuit DC provided in the display pixel PIX is written in each display pixel PIX (specifically, the gate terminal of the transistor Tr12 of the pixel driving circuit DC; the contact N11) according to display data. A voltage designation type gradation control method for controlling the current value of the light emission drive current to flow through the organic EL element OLED by adjusting (specifying) the voltage value of the gradation signal Vpix so that the light emission operation is performed at a desired luminance gradation. However, the current value of the light emission drive current that flows through the organic EL element OLED is controlled by adjusting (specifying) the current value to be written to each display pixel PIX according to the display data, so that the desired luminance can be obtained. It may have a circuit configuration of a current designation type gradation control system that performs light emission operation at gradation.

(表示画素のデバイス構造)
次いで、上述したような回路構成を有する表示画素(発光駆動回路及び有機EL素子)の具体的なデバイス構造(平面レイアウト及び断面構造)について説明する。ここでは、有機EL層において発光した光を、絶縁性基板を介して視野側(絶縁性基板の他面側)に出射するボトムエミッション型の発光構造を有する表示パネル(有機ELパネル)について示す。
(Device structure of display pixel)
Next, a specific device structure (planar layout and cross-sectional structure) of the display pixel (light emission drive circuit and organic EL element) having the circuit configuration as described above will be described. Here, a display panel (organic EL panel) having a bottom emission type light emitting structure in which light emitted from the organic EL layer is emitted to the viewing side (the other side of the insulating substrate) through the insulating substrate will be described.

図3は、本発明に係る表示装置(表示パネル)に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、図1に示した表示画素PIXの赤(R)、緑(G)、青(B)の各色画素PXr、PXg、PXbのうちの、特定の一の色画素の平面レイアウトを示す。なお、図3においては、画素駆動回路DCの各トランジスタ及び配線等が形成された層を中心に示す。また、図4(a)及び図4(b)は、図3に示した平面レイアウトを有する表示画素におけるIVA−IVA線(本明細書においては図3中に示したローマ数字の「4」に対応する記号として便宜的に「IV」を用いる。以下同じ)に沿った断面及びIVB−IVB線に沿った断面を示す概略断面図である。   FIG. 3 is a plan layout view showing an example of display pixels applicable to the display device (display panel) according to the present invention. Here, a planar layout of one specific color pixel among the red (R), green (G), and blue (B) color pixels PXr, PXg, and PXb of the display pixel PIX shown in FIG. 1 is shown. In FIG. 3, the layer in which each transistor, wiring, and the like of the pixel driving circuit DC are formed is mainly shown. 4A and 4B show the IVA-IVA line (in this specification, the Roman numeral “4” shown in FIG. 3) in the display pixel having the planar layout shown in FIG. For convenience, “IV” is used as a corresponding symbol. The same applies hereinafter) and a cross-sectional view taken along the line IVB-IVB.

図2に示した表示画素PIX(色画素PXr、PXg、PXb)は、具体的には、絶縁性基板11の一面側に設定された画素形成領域(各色画素PXr、PXg、PXbにおける有機EL素子の形成領域;図4中、Rpxとして表記)において、例えば図3に示すような平面レイアウトの上方及び下方の縁辺領域に行方向(図面左右方向)に延在するように走査ラインLs及び供給電圧ラインLaが各々配設されるとともに、これらのラインLs、Laに直交するように、上記平面レイアウトの左方の縁辺領域に列方向(図面上下方向)に延在するようにデータラインLdが配設されている。また、上記平面レイアウトの右方の縁辺領域には右側に隣接する色画素にまたがって列方向に延在するようにバンク(詳しくは後述する)17が配設されている。   Specifically, the display pixels PIX (color pixels PXr, PXg, PXb) shown in FIG. 2 are pixel formation regions (organic EL elements in the color pixels PXr, PXg, PXb) set on one surface side of the insulating substrate 11. 4 (indicated as Rpx in FIG. 4), for example, the scanning line Ls and the supply voltage extend in the row direction (horizontal direction in the drawing) in the upper and lower edge regions of the planar layout as shown in FIG. Each line La is arranged, and the data line Ld is arranged so as to extend in the column direction (vertical direction in the drawing) in the left edge region of the planar layout so as to be orthogonal to the lines Ls and La. It is installed. A bank (detailed later) 17 is disposed in the right edge region of the planar layout so as to extend in the column direction across the color pixels adjacent to the right side.

ここで、例えば図3、図4(a)、(b)に示すように、データラインLdは、走査ラインLs及び供給電圧ラインLaよりも下層側(絶縁性基板11側)に設けられ、トランジスタTr11、Tr12のゲート電極Tr11g、Tr12gを形成するためのゲートメタル層をパターニングすることによって当該ゲート電極と同じ工程で形成され、その上に成膜されたゲート絶縁膜12に設けられたコンタクトホールCh1を介して、信号配線層Ldxと一体的に形成されたトランジスタTr11のドレイン電極Tr11dに接続されている。   Here, for example, as shown in FIGS. 3, 4A, and 4B, the data line Ld is provided on the lower layer side (insulating substrate 11 side) than the scanning line Ls and the supply voltage line La, and the transistor By patterning the gate metal layer for forming the gate electrodes Tr11g and Tr12g of Tr11 and Tr12, the contact hole Ch1 is formed in the same process as the gate electrode and provided in the gate insulating film 12 formed thereon. To the drain electrode Tr11d of the transistor Tr11 formed integrally with the signal wiring layer Ldx.

また、走査ラインLsは、データラインLdよりも上層側に設けられ、トランジスタTr11、Tr12のソース電極Tr11s、Tr12s、ドレイン電極Tr11d、Tr12dを形成するためのソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって当該ソース電極、ドレイン電極と同じ工程で形成され、トランジスタTr11のゲート電極Tr11gの両端に位置するゲート絶縁膜12に設けられたコンタクトホールCh2を介してゲート電極Tr11gに接続されている。   Further, the scanning line Ls is provided on the upper layer side than the data line Ld, and the source and drain metal layers for forming the source electrodes Tr11s and Tr12s and the drain electrodes Tr11d and Tr12d of the transistors Tr11 and Tr12 are patterned to pattern the scanning line Ls. It is formed in the same process as the source electrode and the drain electrode, and is connected to the gate electrode Tr11g through contact holes Ch2 provided in the gate insulating film 12 located at both ends of the gate electrode Tr11g of the transistor Tr11.

ここで、走査ラインLsは、例えば下層配線部Ls0と上層配線部Ls1を積層した配線構造を有し、また、供給電圧ラインLa(後述する給電配線層Layを含む)も、下層配線部La0と上層配線部La1を積層した配線構造を有している。下層配線部Ls0、La0は、ともに、トランジスタTr12のソース電極Tr12s及びドレイン電極Tr12dと同層、又は、一体的に設けられ、当該ソース電極Tr12s及びドレイン電極Tr12dを形成するためのソース、ドレインメタル層をパターニングする工程において同時に形成される。   Here, the scanning line Ls has, for example, a wiring structure in which a lower layer wiring portion Ls0 and an upper layer wiring portion Ls1 are stacked, and a supply voltage line La (including a power supply wiring layer La described later) is also connected to the lower layer wiring portion La0. It has a wiring structure in which an upper layer wiring portion La1 is laminated. The lower layer wiring portions Ls0 and La0 are both provided in the same layer as or integrally with the source electrode Tr12s and the drain electrode Tr12d of the transistor Tr12, and a source and drain metal layer for forming the source electrode Tr12s and the drain electrode Tr12d. Are simultaneously formed in the patterning step.

なお、下層配線部Ls0、La0は、各々、クロム(Cr)やチタン(Ti)等のマイグレーションを低減するための遷移金属層と、当該遷移金属層の上に設けられているアルミニウム単体やアルミニウム合金等の配線抵抗を低減するための低抵抗金属層と、の積層構造を有している。上層配線部Ls1、La1は、アルミニウム単体やアルミニウム合金等の配線抵抗を低減するための低抵抗金属の単層により形成するものであってもよいし、クロム(Cr)やチタン(Ti)等のマイグレーションを低減するための遷移金属層上に上記低抵抗金属層が設けられた積層構造を有するものであってもよい。   The lower wiring portions Ls0 and La0 are respectively composed of a transition metal layer for reducing migration of chromium (Cr), titanium (Ti), etc., and an aluminum simple substance or an aluminum alloy provided on the transition metal layer. And a low-resistance metal layer for reducing the wiring resistance. The upper layer wiring portions Ls1 and La1 may be formed of a single layer of a low resistance metal for reducing wiring resistance such as aluminum alone or an aluminum alloy, or may be made of chromium (Cr) or titanium (Ti). You may have a laminated structure in which the said low resistance metal layer was provided on the transition metal layer for reducing migration.

そして、画素駆動回路DCは、より具体的には、例えば図3に示すように、図2に示したトランジスタTr11が行方向に配設された走査ラインLs(又はデータラインLdに接続され、行方向に形成された信号配線層Ldx)に沿って延在するように配置され、また、トランジスタTr12が供給電圧ラインLaから列方向に突出して形成された給電配線層Lay(又はバンク17)に沿って延在するように配置されている。   More specifically, for example, as shown in FIG. 3, the pixel driving circuit DC is connected to the scanning line Ls (or the data line Ld) in which the transistor Tr11 shown in FIG. The transistor Tr12 is disposed so as to extend along the signal wiring layer Ldx formed in the direction, and the transistor Tr12 extends along the power supply wiring layer Lay (or bank 17) formed so as to protrude from the supply voltage line La in the column direction. It is arranged to extend.

ここで、各トランジスタTr11、Tr12は、周知の電界効果型の薄膜トランジスタ構造を有し、各々、ゲート電極Tr11g、Tr12gと、ゲート絶縁膜12を介して各ゲート電極Tr11g、Tr12gに対応する領域に形成された半導体層SMCと、該半導体層SMCの両端部に延在するように形成されたソース電極Tr11s、Tr12s及びドレイン電極Tr11d、Tr12dと、を有している。   Here, each of the transistors Tr11 and Tr12 has a well-known field effect type thin film transistor structure, and is formed in a region corresponding to each of the gate electrodes Tr11g and Tr12g via the gate electrodes Tr11g and Tr12g and the gate insulating film 12, respectively. And the source electrodes Tr11s and Tr12s and the drain electrodes Tr11d and Tr12d formed so as to extend to both ends of the semiconductor layer SMC.

なお、各トランジスタTr11、Tr12のソース電極とドレイン電極が対向する半導体層SMC上には当該半導体層SMCへのエッチングダメージを防止するための酸化シリコン又は窒化シリコン等のチャネル保護層BLが形成され、また、ソース電極及びドレイン電極と半導体層SMCとの間には、当該半導体層SMCとソース電極及びドレイン電極とのオーミック接続を実現するための不純物層OHMが形成されている。   A channel protective layer BL such as silicon oxide or silicon nitride for preventing etching damage to the semiconductor layer SMC is formed on the semiconductor layer SMC where the source electrode and the drain electrode of the transistors Tr11 and Tr12 face each other. An impurity layer OHM for realizing ohmic connection between the semiconductor layer SMC and the source and drain electrodes is formed between the source and drain electrodes and the semiconductor layer SMC.

そして、図2に示した画素駆動回路DCの回路構成に対応するように、トランジスタTr11は、図3に示すように、ゲート電極Tr11gがゲート絶縁膜12に設けられたコンタクトホールCh2を介して走査ラインLsに接続され、同ドレイン電極Tr11dが信号配線層Ldxと一体的に形成されている。   Then, to correspond to the circuit configuration of the pixel driving circuit DC shown in FIG. 2, the transistor Tr11 scans through the contact hole Ch2 in which the gate electrode Tr11g is provided in the gate insulating film 12, as shown in FIG. The drain electrode Tr11d is connected to the line Ls and formed integrally with the signal wiring layer Ldx.

また、トランジスタTr12は、図3、図4に示すように、ゲート電極Tr12gがゲート絶縁膜12に設けられたコンタクトホールCh3を介して上記トランジスタTr11のソース電極Tr11sに接続され、同ドレイン電極Tr12dが供給電圧ラインLaと一体的に形成された給電配線層Layに接続され、同ソース電極Tr12sが有機EL素子OLEDの画素電極14に直接接続されている。   3 and 4, the transistor Tr12 has a gate electrode Tr12g connected to the source electrode Tr11s of the transistor Tr11 through a contact hole Ch3 provided in the gate insulating film 12, and the drain electrode Tr12d is connected to the transistor Tr12. The source electrode Tr12s is directly connected to the pixel electrode 14 of the organic EL element OLED, connected to the power supply wiring layer La formed integrally with the supply voltage line La.

有機EL素子OLEDは、図3、図4に示すように、上記トランジスタTr11、Tr12のゲート絶縁膜12上に設けられるとともに、トランジスタTr12のソース電極Tr12sに直接接続されて、所定の発光駆動電流が供給される画素電極(例えばアノード電極)14と、絶縁性基板11上に列方向に配設されたバンク17により画定された(バンク17間に設定された)画素形成領域Rpx(後述する有機化合物含有液の塗布領域に相当する)に形成された正孔輸送層15a(担体輸送層)と電子輸送性発光層15b(担体輸送層)からなる有機EL層(発光機能層)15と、絶縁性基板11上に2次元配列された各表示画素PIXに共通に設けられた単一の電極層(べた電極)からなる対向電極16と、が順次積層されている。   As shown in FIGS. 3 and 4, the organic EL element OLED is provided on the gate insulating film 12 of the transistors Tr11 and Tr12, and is directly connected to the source electrode Tr12s of the transistor Tr12 so that a predetermined light emission drive current is generated. A pixel formation region Rpx (an organic compound described later) defined by a bank 17 disposed in the column direction on the insulating substrate 11 (set between the banks 17). An organic EL layer (light emitting functional layer) 15 composed of a hole transport layer 15a (carrier transport layer) and an electron transporting light emitting layer 15b (carrier transport layer) formed in the coating region of the containing liquid, and an insulating property A counter electrode 16 composed of a single electrode layer (solid electrode) provided in common to each display pixel PIX two-dimensionally arranged on the substrate 11 is sequentially laminated.

ここで、本実施形態に係る表示パネル10においては、ボトムエミッション型の発光構造を有しているので、画素電極14がITO等の透明な電極材料により形成されて光透過特性を有するとともに、対向電極16が光反射特性を有している。なお、対向電極16は、各画素形成領域Rpxだけでなく、当該画素形成領域Rpxを画定するバンク17上にも延在するように設けられている。   Here, since the display panel 10 according to the present embodiment has a bottom emission type light emitting structure, the pixel electrode 14 is formed of a transparent electrode material such as ITO and has light transmission characteristics, and is opposed to the display panel 10. The electrode 16 has light reflection characteristics. The counter electrode 16 is provided so as to extend not only on each pixel formation region Rpx but also on the bank 17 that defines the pixel formation region Rpx.

上述の構造では、走査ラインLsがソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって形成され、データラインLdがゲートメタル層をパターニングすることによって形成され、コンタクトホールCh1、Ch2によりドレイン電極やゲート電極に接続しているが、これに限らず、走査ラインLsがゲートメタル層をパターニングすることによって形成され、データラインLdがソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって形成されることでコンタクトホールCh1、Ch2を設けることなく、ゲート電極やドレイン電極と一体的に設けるようにしてもよい。   In the above-described structure, the scanning line Ls is formed by patterning the source and drain metal layers, the data line Ld is formed by patterning the gate metal layer, and is connected to the drain electrode and the gate electrode by the contact holes Ch1 and Ch2. However, the present invention is not limited to this, and the scan lines Ls are formed by patterning the gate metal layer, and the data lines Ld are formed by patterning the source and drain metal layers, thereby forming the contact holes Ch1 and Ch2. You may make it provide integrally with a gate electrode or a drain electrode, without providing.

また、供給電圧ラインLa及び給電配線層Layは、ソース、ドレインメタル層と別層により形成されたが、ソース、ドレインメタル層をパターニングすることにより形成されていてもよい。この場合、供給電圧ラインLaがソース、ドレインメタル層をパターニングすることにより形成される他の配線と電気的に絶縁していなければならない。   In addition, the supply voltage line La and the power supply wiring layer La are formed by layers different from the source and drain metal layers, but may be formed by patterning the source and drain metal layers. In this case, the supply voltage line La must be electrically insulated from other wirings formed by patterning the source and drain metal layers.

バンク17は、表示パネル10に2次元配列される複数の表示画素PIX(各色画素PXr、PXg、PXb)相互の境界領域であって、表示パネル10の列方向に(表示パネル10全体では図1に示すように柵状又は格子状の平面パターンを有するように)配設されている。ここで、図3、図4(a)に示すように、上記境界領域のうち、表示パネル10(絶縁性基板11)の列方向には上記トランジスタTr12が延在して形成されており、当該トランジスタTr12を被覆し、各画素形成領域Rpxに形成される画素電極14相互の層間絶縁膜としての機能を果たす絶縁膜13a、13bが形成され、バンク17は、絶縁膜13a、13b上に、絶縁性基板11表面から連続的に突出するように樹脂層を積層することにより形成されている。これにより、列方向に延在するバンク17により囲まれた領域(列方向(図1の上下方向)に配列された複数の表示画素PIXの画素形成領域Rpx)が、有機EL層15(正孔輸送層15a及び電子輸送性発光層15b)を形成する際の有機化合物材料の塗布領域として規定される。   The bank 17 is a boundary region between a plurality of display pixels PIX (each color pixel PXr, PXg, PXb) two-dimensionally arranged on the display panel 10, and extends in the column direction of the display panel 10 (the display panel 10 as a whole is shown in FIG. As shown in Fig. 2). Here, as shown in FIGS. 3 and 4A, the transistor Tr12 extends in the column direction of the display panel 10 (insulating substrate 11) in the boundary region. Insulating films 13a and 13b are formed so as to cover the transistor Tr12 and serve as an interlayer insulating film between the pixel electrodes 14 formed in each pixel formation region Rpx, and the bank 17 is insulated on the insulating films 13a and 13b. It is formed by laminating resin layers so as to protrude continuously from the surface of the conductive substrate 11. As a result, the region surrounded by the banks 17 extending in the column direction (pixel formation regions Rpx of the plurality of display pixels PIX arranged in the column direction (vertical direction in FIG. 1)) is formed in the organic EL layer 15 (holes). It is defined as an application region of an organic compound material when forming the transport layer 15a and the electron transporting light emitting layer 15b).

本実施形態に適用されるバンク17は、少なくともバンク17の表面(側面及び上面)が、画素形成領域Rpxに塗布される有機化合物含有液に対して撥液性を有するように表面処理が施されている。また、バンク17は、例えば感光性の樹脂材料を用いて形成されている。
なお、上述した画素駆動回路DC、有機EL素子OLED及びバンク17が形成された絶縁性基板11の一面側は、図示を省略したメタルキャップや封止基板等を貼り合わせることにより封止されている。
The bank 17 applied to this embodiment is subjected to a surface treatment so that at least the surface (side surface and upper surface) of the bank 17 has liquid repellency with respect to the organic compound-containing liquid applied to the pixel formation region Rpx. ing. The bank 17 is formed using, for example, a photosensitive resin material.
Note that one side of the insulating substrate 11 on which the pixel driving circuit DC, the organic EL element OLED, and the bank 17 are formed is sealed by bonding a metal cap, a sealing substrate, or the like (not shown). .

そして、このような表示パネル10においては、トランジスタTr11、Tr12等の機能素子、走査ラインLsやデータラインLd、供給電圧ライン(アノードライン)La等の配線層からなる画素駆動回路DCにおいて、データラインLdを介して供給された表示データに応じた階調信号Vpixに基づいて、所定の電流値を有する発光駆動電流がトランジスタTr12のソース−ドレイン間に流れ、有機EL素子OLEDの画素電極14に供給されることにより、各表示画素PIX(各色画素PXr、PXg、PXb)の有機EL素子OLEDが上記表示データに応じた所望の輝度階調で発光動作する。   In such a display panel 10, in the pixel driving circuit DC including functional elements such as the transistors Tr11 and Tr12, wiring layers such as the scanning line Ls, the data line Ld, and the supply voltage line (anode line) La, the data line Based on the gradation signal Vpix corresponding to the display data supplied via Ld, a light emission drive current having a predetermined current value flows between the source and drain of the transistor Tr12 and is supplied to the pixel electrode 14 of the organic EL element OLED. Thus, the organic EL element OLED of each display pixel PIX (each color pixel PXr, PXg, PXb) emits light with a desired luminance gradation corresponding to the display data.

このとき、本実施形態に示した表示パネル10、つまり、画素電極14が光透過特性を有し、対向電極16が光反射特性を有することにより(すなわち、有機EL素子OLEDがボトムエミッション型であることにより)、各表示画素PIX(各色画素PXr、PXg、PXb)の有機EL層15において発光した光は、光透過特性を有する画素電極14を介して直接、あるいは、光反射特性を有する対向電極16で反射し、絶縁性基板11(表示パネル10)を透過して、視野側である絶縁性基板11の他面側(図4、図5の図面下方)に出射される。   At this time, the display panel 10 shown in the present embodiment, that is, the pixel electrode 14 has light transmission characteristics and the counter electrode 16 has light reflection characteristics (that is, the organic EL element OLED is a bottom emission type). Therefore, the light emitted from the organic EL layer 15 of each display pixel PIX (each color pixel PXr, PXg, PXb) is directly transmitted through the pixel electrode 14 having light transmission characteristics or the counter electrode having light reflection characteristics. 16, passes through the insulating substrate 11 (display panel 10), and is emitted to the other surface side of the insulating substrate 11 that is the visual field side (downward in FIGS. 4 and 5).

(表示装置の製造方法)
次に、本発明に係る表示装置(表示パネル)の製造方法について説明する。
図5乃至図8は、本発明に係る表示装置(表示パネル)の製造方法の第1の実施形態を示す工程断面図である。ここでは、図4(a)、(b)に示したIVA−IVA線に沿った断面及びIVB−IVB線に沿った断面を、図5乃至図8の各図の右方及び左方に分けて示す。また、図9は、本実施形態に係る表示装置(表示パネル)の製造方法における有機化合物含有液の塗布工程(塗布走査経路)を示す概念図であり、図10は、本実施形態に係る表示装置(表示パネル)の製造方法における有機EL層(電子輸送性発光層)の形成工程を示す概念図である。なお、図10においては、有機化合物含有液を塗布する工程を概念的に示すために図示を簡略化し、便宜的に絶縁性基板上に画素電極や絶縁膜が直接形成された断面構造を示した。
(Manufacturing method of display device)
Next, a method for manufacturing a display device (display panel) according to the present invention will be described.
5 to 8 are process cross-sectional views illustrating a first embodiment of a method for manufacturing a display device (display panel) according to the present invention. Here, the cross section along the line IVA-IVA and the cross section along the line IVB-IVB shown in FIGS. 4A and 4B are divided into the right side and the left side of each of FIGS. Show. FIG. 9 is a conceptual diagram showing a coating process (coating scanning path) of the organic compound-containing liquid in the manufacturing method of the display device (display panel) according to the present embodiment, and FIG. 10 is a display according to the present embodiment. It is a conceptual diagram which shows the formation process of the organic electroluminescent layer (electron transport light emitting layer) in the manufacturing method of an apparatus (display panel). In FIG. 10, the illustration is simplified to conceptually show the step of applying the organic compound-containing liquid, and a cross-sectional structure in which pixel electrodes and insulating films are directly formed on an insulating substrate is shown for convenience. .

上述した表示装置(表示パネル)の製造方法は、まず、図5(a)〜(d)に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板11の一面側(図面上面側)に設定された表示画素PIX(各色画素PXr、PXg、PXb)の画素形成領域Rpxごとに、上述した画素駆動回路(図2、図3参照)DCのトランジスタTr11、Tr12やデータラインLd、信号配線層Ldx、走査ラインLsの下層配線部Ls0及び供給電圧ラインLaの下層配線部La0等の配線層を形成するとともに、有機EL素子OLEDのアノード電極となる画素電極14を形成する。   In the manufacturing method of the display device (display panel) described above, first, as shown in FIGS. 5A to 5D, a display set on one surface side (the upper surface side of the drawing) of the insulating substrate 11 such as a glass substrate. For each pixel formation region Rpx of the pixel PIX (each color pixel PXr, PXg, PXb), the above-described pixel drive circuit (see FIGS. 2 and 3) DC transistors Tr11 and Tr12, data line Ld, signal wiring layer Ldx, scanning line A wiring layer such as a lower layer wiring portion Ls0 of Ls and a lower layer wiring portion La0 of the supply voltage line La is formed, and a pixel electrode 14 serving as an anode electrode of the organic EL element OLED is formed.

具体的には、透明な絶縁性基板11上にゲートメタル層を成膜してから、図5(a)に示すように、ゲートメタル層をパターニングすることによってゲート電極Tr11g、Tr12g、及び、データラインLdを同時に形成し、その後、絶縁性基板11の全域にゲート絶縁膜12、アモルファスシリコン等からなる半導体層SMCとなる半導体膜、チャネル保護層BLとなる窒化シリコン等の絶縁膜を連続被覆形成する。   Specifically, after forming a gate metal layer on the transparent insulating substrate 11, the gate electrodes Tr11g, Tr12g, and data are patterned by patterning the gate metal layer as shown in FIG. The line Ld is formed at the same time, and thereafter, the gate insulating film 12, the semiconductor film that becomes the semiconductor layer SMC made of amorphous silicon, and the insulating film such as silicon nitride that becomes the channel protective layer BL are continuously formed over the entire area of the insulating substrate 11. To do.

次いで、図5(b)に示すように、上記絶縁膜、半導体膜を適宜パターニングしてゲート絶縁膜12上のゲート電極Tr11g及びTr12gに対応する領域に、チャネル保護層BL、半導体層SMCを順次形成する。その後、当該半導体層SMCの両端部にオーミック接続のための不純物層OHMを形成する。   Next, as shown in FIG. 5B, the insulating film and the semiconductor film are appropriately patterned, and the channel protective layer BL and the semiconductor layer SMC are sequentially formed in regions corresponding to the gate electrodes Tr11g and Tr12g on the gate insulating film 12. Form. Thereafter, impurity layers OHM for ohmic connection are formed at both ends of the semiconductor layer SMC.

次いで、図5(c)に示すように、上記ゲート絶縁膜12上であって、各表示画素PIXの画素形成領域Rpxの略中央領域(図3に示した平面レイアウトにおいてトランジスタTr11、Tr12や各種配線が配置された周辺部を除く領域)に矩形状の平面パターンを有し、錫ドープ酸化インジウム(Indium Thin Oxide;ITO)や亜鉛ドープ酸化インジウム(Indium Zinc Oxide;IZO)等の透明な電極材料からなる(光透過特性を有する)画素電極14を形成する。この後、図3に示したように、データラインLd、トランジスタTr11及びTr12のゲート電極Tr11g、Tr12gの所定の位置の上面が露出するように、ゲート絶縁膜12にコンタクトホールCh1、Ch2、Ch3を形成する。   Next, as shown in FIG. 5C, on the gate insulating film 12 and in the substantially central region of the pixel formation region Rpx of each display pixel PIX (in the planar layout shown in FIG. Transparent electrode material such as tin-doped indium oxide (ITO) or zinc-doped indium oxide (IZO) having a rectangular planar pattern in the area (except for the periphery where wiring is arranged) A pixel electrode 14 made of (having light transmission characteristics) is formed. Thereafter, as shown in FIG. 3, contact holes Ch1, Ch2, and Ch3 are formed in the gate insulating film 12 so that the upper surfaces of the data line Ld and the gate electrodes Tr11g and Tr12g of the transistors Tr11 and Tr12 at predetermined positions are exposed. Form.

そして、図5(d)に示すように、トランジスタTr11及びTr12の半導体層SMCの両端部に上記不純物層OHMを介して延在するように、ソース電極Tr11s、Tr12s及びドレイン電極Tr11d、Tr12dを形成するとともに、走査ラインLsの下層配線部Ls0、供給電圧ラインLa(給電配線層Layを含む)の下層配線部La0、及び信号配線層Ldxを同時に形成する。   Then, as shown in FIG. 5D, source electrodes Tr11s and Tr12s and drain electrodes Tr11d and Tr12d are formed at both ends of the semiconductor layer SMC of the transistors Tr11 and Tr12 via the impurity layer OHM. At the same time, the lower layer wiring portion Ls0 of the scanning line Ls, the lower layer wiring portion La0 of the supply voltage line La (including the power supply wiring layer Lay), and the signal wiring layer Ldx are simultaneously formed.

ここで、ソース電極Tr11s、Tr12s、ドレイン電極Tr11d、Tr12d、走査ラインLsの下層配線部Ls0、供給電圧ラインLaの下層配線部La0及び信号配線層Ldxは、図5(c)の工程後、ソース、ドレインメタル層を成膜した後、パターニングすることによって一括して形成される。これにより、信号配線層Ldxは、コンタクトホールCh1を介して下方に位置するデータラインLdに接続され、走査ラインLsは、コンタクトホールCh2を介して下方に位置するゲート電極Tr11gに接続され、ソース電極Tr11sは、コンタクトホールCh3を介して下方に位置するゲート電極Tr12gに接続される。また、トランジスタTr12のソース電極Tr12sの他端側は画素電極14上にまで延在して、電気的に接続される。   Here, the source electrodes Tr11s and Tr12s, the drain electrodes Tr11d and Tr12d, the lower layer wiring portion Ls0 of the scanning line Ls, the lower layer wiring portion La0 of the supply voltage line La, and the signal wiring layer Ldx are formed after the step of FIG. After forming the drain metal layer, the drain metal layer is collectively formed by patterning. Thereby, the signal wiring layer Ldx is connected to the data line Ld located below via the contact hole Ch1, and the scanning line Ls is connected to the gate electrode Tr11g located below via the contact hole Ch2, Tr11s is connected to the gate electrode Tr12g located below via the contact hole Ch3. The other end side of the source electrode Tr12s of the transistor Tr12 extends to the pixel electrode 14 and is electrically connected.

また、少なくとも、上述したトランジスタTr11のソース電極Tr11s及びドレイン電極Tr11d、トランジスタTr12のソース電極Tr12s及びドレイン電極Tr12d、走査ラインLsの下層配線部Ls0、供給電圧ラインLa(給電配線層Layを含む)の下層配線部La0及び信号配線層Ldxを形成するためのソース、ドレインメタル層は、例えば、クロム(Cr)単体又はクロム合金等からなる下層側の金属層と、アルミニウム(Al)単体又はアルミニウム−チタン(AlTi)、アルミニウム−ネオジウム−チタン(AlNdTi)等のアルミニウム合金からなる上層側の金属層と、を積層した配線構造を有している。   In addition, at least the source electrode Tr11s and drain electrode Tr11d of the transistor Tr11, the source electrode Tr12s and drain electrode Tr12d of the transistor Tr12, the lower layer wiring portion Ls0 of the scanning line Ls, and the supply voltage line La (including the power supply wiring layer Lay). The source and drain metal layers for forming the lower layer wiring portion La0 and the signal wiring layer Ldx are, for example, a lower layer metal layer made of chromium (Cr) alone or a chromium alloy, aluminum (Al) alone, or aluminum-titanium. It has a wiring structure in which an upper metal layer made of an aluminum alloy such as (AlTi) or aluminum-neodymium-titanium (AlNdTi) is laminated.

次いで、上記トランジスタTr11、Tr12、走査ラインLs及び供給電圧ラインLaの下層配線部Ls0、La0を含む絶縁性基板11の一面側全域を被覆するように、窒化シリコン(SiN)等の無機の絶縁性材料からなる絶縁膜を形成した後、当該絶縁膜をパターニングして、図6(a)に示すように、走査ラインLsの下層配線部Ls0及び供給電圧ラインLaの下層配線部La0の上面、並びに、画素電極14の上面が露出する開口部を有する絶縁膜13aを形成する。   Next, an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiN) is formed so as to cover the entire area of one surface of the insulating substrate 11 including the transistors Tr11 and Tr12, the scanning line Ls, and the lower wiring portions Ls0 and La0 of the supply voltage line La. After forming the insulating film made of the material, the insulating film is patterned, and as shown in FIG. 6A, the upper surface of the lower wiring portion Ls0 of the scanning line Ls and the lower wiring portion La0 of the supply voltage line La, and Then, an insulating film 13a having an opening through which the upper surface of the pixel electrode 14 is exposed is formed.

次いで、絶縁膜13aが形成された絶縁性基板11上に、例えばスパッタリング法やイオンプレーティング法、真空蒸着法、メッキ法等により、アルミニウム(Al)単体又はアルミニウム−チタン(AlTi)、アルミニウム−ネオジウム−チタン(AlNdTi)等のアルミニウム合金等の配線抵抗を低減するための低抵抗金属層(アルミ薄膜)を形成した後、パターニングすることにより、図6(b)に示すように、走査ラインLs及び供給電圧ラインLa(給電配線層Layを含む)の平面パターンに対応する領域にのみ、アルミ薄膜からなる上層配線部Ls1、La1が形成され、当該上層配線部Ls1、La1と上記下層配線部Ls0、La0からなる積層配線構造を有する走査ラインLs及び供給電圧ラインLa(給電配線層Layを含む)が形成される。   Next, on the insulating substrate 11 on which the insulating film 13a is formed, aluminum (Al) alone, aluminum-titanium (AlTi), aluminum-neodymium, for example, by sputtering, ion plating, vacuum deposition, plating, or the like. -After forming a low resistance metal layer (aluminum thin film) for reducing the wiring resistance such as aluminum alloy such as titanium (AlNdTi), by patterning, as shown in FIG. Upper layer wiring portions Ls1, La1 made of an aluminum thin film are formed only in a region corresponding to the planar pattern of the supply voltage line La (including the power supply wiring layer Lay). The upper layer wiring portions Ls1, La1 and the lower layer wiring portions Ls0, A scanning line Ls and a supply voltage line La (including a power supply wiring layer Lay) having a laminated wiring structure made of La0 are formed. It is.

次いで、上記走査ラインLs及び供給電圧ラインLaを含む絶縁性基板11の一面側全域を被覆するように、化学気相成長法(CVD法)等を用いて、例えば窒化シリコン等からなる絶縁膜を形成した後、当該絶縁膜をパターニングして、図6(c)に示すように、上記トランジスタTr11、Tr12、走査ラインLs及び供給電圧ラインLa(給電配線層Layを含む)を被覆するとともに、各表示画素PIXの画素電極14の上面が露出する開口部を有する絶縁膜13bを形成する。   Next, an insulating film made of, for example, silicon nitride is used by using a chemical vapor deposition method (CVD method) or the like so as to cover the entire area of one surface side of the insulating substrate 11 including the scanning line Ls and the supply voltage line La. After the formation, the insulating film is patterned to cover the transistors Tr11 and Tr12, the scanning line Ls, and the supply voltage line La (including the power supply wiring layer Lay) as shown in FIG. An insulating film 13b having an opening through which the upper surface of the pixel electrode 14 of the display pixel PIX is exposed is formed.

次いで、図7(a)に示すように、隣接する表示画素PIX間の境界領域に形成された上記絶縁膜13b上に、例えばポリイミド系やアクリル系等の感光性の樹脂材料からなるバンク17を形成する。具体的には、上記絶縁膜13bを含む絶縁性基板11の一面側全域を被覆するように、例えば1〜5μmの膜厚を有して形成された感光性樹脂層に対して、露光、現像処理を施すことにより、行方向に隣接する表示画素PIX間の境界領域であって、表示パネル10の列方向に延在する領域を含む柵状又は格子状の平面パターン(図1参照)を有するバンク(隔壁)17を形成する。ここで、樹脂材料としては、例えば東レ株式会社製のポリイミドコーティング材「フォトニースPW−1030」等を良好に適用することができる。これにより、表示パネル10の列方向に配列された同一色の複数の表示画素PIXの画素形成領域Rpx(有機EL素子OLEDの有機EL層15の形成領域)がバンク17により囲まれて画定されて、絶縁膜13a、13bに形成された開口部により外縁が規定された画素電極14の上面が露出する(隔壁形成工程)。   Next, as shown in FIG. 7A, a bank 17 made of a photosensitive resin material such as polyimide or acrylic is formed on the insulating film 13b formed in the boundary region between adjacent display pixels PIX. Form. Specifically, exposure and development are performed on a photosensitive resin layer formed to have a film thickness of, for example, 1 to 5 μm so as to cover the entire area of one surface side of the insulating substrate 11 including the insulating film 13b. By performing the processing, it has a fence-like or grid-like plane pattern (see FIG. 1) that includes a boundary region between display pixels PIX adjacent in the row direction and extending in the column direction of the display panel 10. Banks (partitions) 17 are formed. Here, as the resin material, for example, a polyimide coating material “Photo Nice PW-1030” manufactured by Toray Industries, Inc. can be favorably applied. Thereby, the pixel formation region Rpx (the formation region of the organic EL layer 15 of the organic EL element OLED) of the plurality of display pixels PIX of the same color arranged in the column direction of the display panel 10 is surrounded and defined by the bank 17. Then, the upper surface of the pixel electrode 14 whose outer edge is defined by the openings formed in the insulating films 13a and 13b is exposed (partition wall forming step).

次いで、絶縁性基板11を純水で洗浄した後、例えば酸素プラズマ処理やUVオゾン処理等を施すことにより、上記バンク17により画定された各画素形成領域Rpxに露出する画素電極14や絶縁膜13a、13bの表面を、後述する担体輸送層形成工程において使用する正孔輸送材料や電子輸送性発光材料の有機化合物含有液に対して親液化する処理を施す(親液化工程)。   Next, after the insulating substrate 11 is washed with pure water, the pixel electrode 14 and the insulating film 13a exposed to each pixel formation region Rpx defined by the bank 17 by performing, for example, oxygen plasma treatment or UV ozone treatment. The surface of 13b is subjected to a lyophilic treatment with respect to the organic compound-containing liquid of the hole transport material or electron transporting light-emitting material used in the carrier transport layer forming step described later (lyophilic step).

次いで、バンク17の表面を上記有機化合物含有液に対して撥液化する。具体的には、絶縁性基板11を例えばフッ素系(フッ素化合物)の撥液処理溶液に浸漬した後、取り出した絶縁性基板11をアルコールや純水で洗浄、乾燥させて、バンク17の表面に撥液性の薄膜(被膜)を形成する。ここで、上記撥液処理溶液として例えばフッ化アルキルアミン等を適用した場合、酸化膜や窒化膜とは反応しないため、画素形成領域Rpx内に露出する画素電極14表面のITOやIZO等の金属酸化物や絶縁膜13a、13b表面には形成されず、上述した酸素プラズマ処理やUVオゾン処理により付与された親液性を保持する。   Next, the surface of the bank 17 is made liquid repellent with respect to the organic compound-containing liquid. Specifically, after the insulating substrate 11 is immersed in, for example, a fluorine-based (fluorine compound) lyophobic solution, the taken-out insulating substrate 11 is washed with alcohol or pure water and dried to form the surface of the bank 17. A liquid-repellent thin film (film) is formed. Here, when, for example, fluorinated alkylamine or the like is applied as the liquid repellent treatment solution, it does not react with the oxide film or the nitride film, and therefore a metal such as ITO or IZO on the surface of the pixel electrode 14 exposed in the pixel formation region Rpx. It is not formed on the surface of the oxide or the insulating films 13a and 13b, and retains the lyophilic property imparted by the above-described oxygen plasma treatment or UV ozone treatment.

これにより、同一の絶縁性基板11上において、樹脂材料により形成されたバンク17の表面のみが撥液化処理され、当該バンク17により画定された各画素形成領域Rpxに露出する画素電極14の表面は撥液化されていない状態(親液性が保持された状態)が実現される。   Thereby, on the same insulating substrate 11, only the surface of the bank 17 formed of the resin material is subjected to the liquid repellent treatment, and the surface of the pixel electrode 14 exposed to each pixel formation region Rpx defined by the bank 17 is A state where liquid repellency is not achieved (a state where lyophilicity is maintained) is realized.

このようなバンク17により各表示画素PIX(有機EL素子OLED)の画素形成領域Rpxを画定することにより、後述する担体輸送層形成工程において、有機化合物含有液をノズルプリンティング法やインクジェット法を用いて塗布し、有機EL層15の発光層(電子輸送性発光層15b)を形成する場合であっても、隣接する画素形成領域Rpxへの有機化合物含有液の漏出や乗り越えを防止することができ、隣接画素相互の混色を抑制して、赤、緑、青色の塗り分けが可能となる。   By defining the pixel formation region Rpx of each display pixel PIX (organic EL element OLED) by such a bank 17, the organic compound-containing liquid can be used by a nozzle printing method or an ink jet method in the carrier transport layer forming step described later. Even when the organic EL layer 15 is applied and the light emitting layer (electron transporting light emitting layer 15b) is formed, it is possible to prevent leakage and overcoming of the organic compound-containing liquid into the adjacent pixel formation region Rpx. It is possible to separate red, green, and blue while suppressing color mixing between adjacent pixels.

なお、本実施形態において使用する「撥液性」とは、後述する正孔輸送層となる正孔輸送材料を含有する有機化合物含有液や、電子輸送性発光層となる電子輸送性発光材料を含有する有機化合物含有液、もしくは、これらの溶液に用いる有機溶媒を、絶縁性基板上等に滴下して、接触角の測定を行った場合に、当該接触角が50°以上になる状態と規定する。また、「撥液性」に対峙する「親液性」とは、本実施形態においては、上記接触角が40°以下、好ましくは10°以下になる状態と規定する。   Note that “liquid repellency” used in the present embodiment refers to an organic compound-containing liquid containing a hole transport material to be a hole transport layer, which will be described later, and an electron transport light-emitting material to be an electron transport light-emitting layer. When the contact angle is measured by dropping an organic compound-containing liquid or an organic solvent used in these solutions onto an insulating substrate or the like, the contact angle is determined to be 50 ° or more. To do. In addition, “lyophilic” as opposed to “liquid repellency” is defined in the present embodiment as a state in which the contact angle is 40 ° or less, preferably 10 ° or less.

次いで、図7(b)に示すように、各色の画素形成領域Rpx(有機EL素子OLEDの形成領域)に対して、連続した溶液(液流)を吐出するノズルプリンティング(ノズルコート)法、又は、互いに分離した不連続の複数の液滴を所定位置に吐出するインクジェット法等を適用して同一工程で、正孔輸送材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥させて正孔輸送層(担体輸送層)15aを形成する。   Next, as shown in FIG. 7B, a nozzle printing (nozzle coating) method for discharging a continuous solution (liquid flow) to the pixel formation region Rpx (formation region of the organic EL element OLED) of each color, or Applying a solution or dispersion of a hole transport material in the same step by applying an inkjet method or the like that discharges a plurality of discrete droplets separated from each other in a predetermined position, and then drying by heating and drying the hole transport layer (Carrier transport layer) 15a is formed.

具体的には、有機高分子系の正孔輸送材料(担体輸送性材料)を含む有機化合物含有液として、例えばポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸水溶液(PEDOT/PSS;導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェンPEDOTと、ドーパントであるポリスチレンスルホン酸PSSを水系溶媒に分散させた分散液)を、上記画素電極14上に塗布した後、絶縁性基板11が載置されているステージを100℃以上の温度条件で加熱して乾燥処理を行って残留溶媒を除去することにより、少なくとも画素電極14上に有機高分子系の正孔輸送材料を定着させて、担体輸送層である正孔輸送層15aを形成する。   Specifically, as an organic compound-containing liquid containing an organic polymer-based hole transport material (carrier transport material), for example, a polyethylene dioxythiophene / polystyrene sulfonic acid aqueous solution (PEDOT / PSS; polyethylene disulfide as a conductive polymer). After applying oxythiophene PEDOT and a dispersion of polystyrene sulfonate PSS, which is a dopant, in an aqueous solvent) on the pixel electrode 14, the stage on which the insulating substrate 11 is placed is heated to 100 ° C. or higher. By heating under temperature conditions and performing a drying treatment to remove the residual solvent, an organic polymer hole transport material is fixed on at least the pixel electrode 14, and the hole transport layer 15a as a carrier transport layer is formed. Form.

ここで、画素形成領域Rpx内に露出する画素電極14の上面及びその外縁部の絶縁膜13a、13bの表面は、上記親液化処理により正孔輸送材料を含む有機化合物含有液に対して親液性を有しているので、バンク17により画定された画素形成領域Rpxに塗布された有機化合物含有液は、画素形成領域Rpx内(画素電極14及びその外縁部の絶縁膜13a、13b上)に十分馴染んで広がる。一方、バンク17は、塗布される上記有機化合物含有液(PEDOT/PSS)の高さに対して十分高く設定され、かつ、当該有機化合物含有液に対して十分な撥液性を有しているので、隣接する画素形成領域Rpxへの有機化合物含有液の漏出や乗り越えを防止することができる。   Here, the upper surface of the pixel electrode 14 exposed in the pixel formation region Rpx and the surfaces of the insulating films 13a and 13b at the outer edges thereof are lyophilic with respect to the organic compound-containing liquid containing the hole transport material by the lyophilic process. Therefore, the organic compound-containing liquid applied to the pixel formation region Rpx defined by the bank 17 is in the pixel formation region Rpx (on the pixel electrode 14 and the insulating films 13a and 13b at the outer edges thereof). It spreads well enough. On the other hand, the bank 17 is set sufficiently high with respect to the height of the organic compound-containing liquid (PEDOT / PSS) to be applied, and has sufficient liquid repellency with respect to the organic compound-containing liquid. Therefore, it is possible to prevent the organic compound-containing liquid from leaking out and over to the adjacent pixel formation region Rpx.

なお、この正孔輸送層15aの形成工程において、絶縁性基板11の列方向に画定された複数の表示画素PIXの画素形成領域Rpxに対して、正孔輸送材料を含む有機化合物含有液を例えば連続的に塗布するノズルプリンティング法を適用する場合、図9に示すように、図示を省略したノズルプリンティングマシンのノズルを、絶縁性基板11に対して列方向(図面上下方向)に走査させつつ往復動作させ、かつ、往路と復路で異なる列(隣接する列)の画素形成領域Rpxに塗布されるように(図中、矢印参照)、当該ノズルもしくは絶縁性基板11が載置されたステージを移動制御する。   In the step of forming the hole transport layer 15a, for example, an organic compound-containing liquid containing a hole transport material is applied to the pixel formation regions Rpx of the plurality of display pixels PIX defined in the column direction of the insulating substrate 11. When applying the nozzle printing method for continuous application, as shown in FIG. 9, the nozzle of a nozzle printing machine (not shown) is reciprocated while scanning the insulating substrate 11 in the column direction (vertical direction in the drawing). The stage on which the nozzle or the insulating substrate 11 is placed is moved so that it is applied and applied to the pixel formation regions Rpx in different rows (adjacent rows) in the forward pass and the return pass (see arrows in the figure). Control.

次いで、図8(a)に示すように、各色の画素形成領域Rpx(有機EL素子OLEDの形成領域)に対して、ノズルプリンティング法又はインクジェット法等を適用して、上記正孔輸送層15a上に電子輸送性発光材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥させて電子輸送性発光層(担体輸送層)15bを形成する。   Next, as shown in FIG. 8A, a nozzle printing method, an ink jet method, or the like is applied to the pixel formation region Rpx (formation region of the organic EL element OLED) of each color, and the above-described hole transport layer 15a is formed. An electron transporting light emitting material solution or dispersion is applied to the substrate, and then heated and dried to form an electron transporting light emitting layer (carrier transport layer) 15b.

具体的には、有機高分子系の電子輸送性発光材料(担体輸送性材料)を含む有機化合物含有液として、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む赤(R)、緑(G)、青(B)色の発光材料を、適宜水系溶媒或いはテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒に溶解または分散した0.1wt%〜5wt%の溶液を、例えば図10(a)〜(c)に示すように、上記正孔輸送層15a上に同量(一定量)ずつ3回(複数回)に分けて塗布した後、窒素雰囲気中で上記ステージを加熱して乾燥処理を行って残留溶媒を除去することにより、図8(a)、図10(d)に示すように、正孔輸送層15a上に有機高分子系の電子輸送性発光材料を定着させて、担体輸送層であり発光層でもある電子輸送性発光層15bを形成する。   Specifically, as an organic compound-containing liquid containing an organic polymer-based electron-transporting light-emitting material (carrier-transporting material), for example, red containing a conjugated double bond polymer such as polyparaphenylene vinylene-based or polyfluorene-based ( R), green (G), and blue (B) light emitting materials are appropriately dissolved in an aqueous solvent or an organic solvent such as tetralin, tetramethylbenzene, mesitylene, xylene, or the like to prepare a 0.1 wt% to 5 wt% solution. For example, as shown in FIGS. 10A to 10C, after applying the same amount (fixed amount) by 3 times (multiple times) on the hole transport layer 15a, the stage in a nitrogen atmosphere is applied. The organic solvent type electron transporting light emitting material is formed on the hole transporting layer 15a as shown in FIGS. 8 (a) and 10 (d) by heating and drying the material to remove the residual solvent. Fix the carrier transport layer There is also a light-emitting layer to form an electron transporting light emitting layer 15b.

ここで、画素形成領域Rpx内に形成された上記正孔輸送層15aの表面は、電子輸送性発光材料を含む有機化合物含有液に対して親液性を有しているので、バンク17により画定された画素形成領域Rpxに塗布された有機化合物含有液は、画素形成領域Rpx内(正孔輸送層15a上)に十分馴染んで広がる。一方、バンク17は、塗布される上記有機化合物含有液の高さに対して十分高く設定され、かつ、当該有機化合物含有液に対して十分な撥液性を有しているので、隣接する画素形成領域Rpxへの有機化合物含有液の漏出や乗り越えを防止することができる。   Here, the surface of the hole transport layer 15a formed in the pixel formation region Rpx is lyophilic with respect to the organic compound-containing liquid containing the electron transporting light-emitting material, and thus is defined by the bank 17. The organic compound-containing liquid applied to the pixel forming region Rpx spreads out sufficiently in the pixel forming region Rpx (on the hole transport layer 15a). On the other hand, the bank 17 is set sufficiently high with respect to the height of the organic compound-containing liquid to be applied and has sufficient liquid repellency with respect to the organic compound-containing liquid. It is possible to prevent the organic compound-containing liquid from leaking into and overcoming the formation region Rpx.

なお、図10においては、図示の都合上、画素形成領域Rpxに塗布される有機化合物含有液EM11〜EM13を便宜的に不連続の液滴状に示したが、ノズルプリンティング法を適用した場合には連続した液流状に吐出される。また、図10(a)〜(c)に示した1〜3回目の有機化合物含有液EM11〜EM13の塗布工程においては、上述した正孔輸送層15aの形成工程と同様に、ノズルプリンティングマシンのノズルNZLを図面に垂直方向(すなわち、図1、図9に示した絶縁性基板11の列方向)に走査させつつ往復動作させ、かつ、往路(例えば図9中、上から下に向かった走査方向による道筋)と復路(例えば図9中、下から上に向かった走査方向による道筋)で異なる列(同材料成膜により発光色が同色の画素となる次の列)の画素形成領域Rpxに塗布されるように、当該ノズルNZLもしくは絶縁性基板11が載置されたステージを移動制御する。   In FIG. 10, for convenience of illustration, the organic compound-containing liquids EM11 to EM13 applied to the pixel formation region Rpx are shown as discontinuous droplets for convenience. However, when the nozzle printing method is applied. Is discharged in a continuous liquid flow. Further, in the first to third organic compound-containing liquid EM11 to EM13 application processes shown in FIGS. 10A to 10C, the nozzle printing machine is similar to the above-described formation process of the hole transport layer 15a. The nozzle NZL is reciprocated while being scanned in the direction perpendicular to the drawing (that is, the row direction of the insulating substrate 11 shown in FIGS. 1 and 9), and the forward path (for example, scanning from the top to the bottom in FIG. 9). In the pixel formation region Rpx in different columns (the next column in which the emission color becomes the same color pixel by forming the same material) on the return path (for example, the path in the scanning direction from bottom to top in FIG. 9). The movement of the stage on which the nozzle NZL or the insulating substrate 11 is placed is controlled so as to be applied.

また、本実施形態においては、図9に示したように、ノズルNZLを表示パネル10(絶縁性基板11)に2次元配列された表示画素PIX(画素形成領域Rpx)に対して、略一定の走査速度で、かつ、各列ごとに往路走査及び復路走査を順次繰り返すことにより、いわゆる一筆書きの経路で1回分の塗布工程を実行する。したがって、2回目以降の塗布工程においても同様の動作が一定の周期で繰り返されるので、各画素形成領域Rpxに対するノズルの走査方向が常に一定に設定されるとともに、各回における有機化合物含有液の塗布量が略同一になり、かつ、各回相互の時間間隔が略一定となるように設定される。   In the present embodiment, as shown in FIG. 9, the nozzle NZL is substantially constant with respect to the display pixel PIX (pixel formation region Rpx) in which the display panel 10 (insulating substrate 11) is two-dimensionally arranged. By sequentially repeating the forward scanning and the backward scanning for each column at the scanning speed, a coating process for one time is executed through a so-called one-stroke path. Accordingly, since the same operation is repeated at a constant cycle in the second and subsequent coating steps, the nozzle scanning direction with respect to each pixel formation region Rpx is always set to be constant, and the coating amount of the organic compound-containing liquid at each time Are set to be substantially the same, and the time interval between them is set to be substantially constant each time.

この場合、有機化合物含有液として上述したキシレン等の揮発性の有機溶媒を用いた場合、次回の塗布工程(例えば2回目や3回目)までに塗布した溶媒が揮発して多少の自然乾燥が観測されるが、次回の塗布工程によって塗布される有機化合物含有液と良好に混合する程度の液状を保持している。   In this case, when the volatile organic solvent such as xylene described above is used as the organic compound-containing liquid, the solvent applied up to the next coating step (for example, the second and third times) is volatilized and some natural drying is observed. However, it retains a liquid that is well mixed with the organic compound-containing liquid to be applied in the next application step.

そして、図1に示したように、RGB3色の表示画素PIX(色画素PXr、PXg、PXb)が各色ごとに列方向に配列され、かつ、RGBの3色が繰り返し配列された表示パネル10においては、各色ごとにノズルNZLを3列おきに往路走査と復路走査を繰り返して絶縁性基板11の全域を走査することにより3色分の塗布動作を実行し、このような動作を図10(a)〜(c)のように3回繰り返してRGBの各色に対応した電子輸送性発光層15bを形成する。   As shown in FIG. 1, in the display panel 10 in which display pixels PIX of three colors RGB (color pixels PXr, PXg, PXb) are arranged in the column direction for each color, and three colors of RGB are repeatedly arranged. Performs the coating operation for three colors by scanning the entire area of the insulating substrate 11 by repeating the forward scanning and the backward scanning every three rows of nozzles NZL for each color, and this operation is shown in FIG. ) To (c), the electron transporting light emitting layer 15b corresponding to each color of RGB is formed by repeating three times.

ここで、絶縁性基板11上に形成された各表示画素PIXの画素電極14上に形成される電子輸送性発光層15bの膜厚特性について詳しく検証する。
図11は、本実施形態に係る有機EL層(電子輸送性発光層)の形成工程における効果(膜厚の均一化)を実証するための実験データの一例であり、図12は、本実施形態に係る有機EL層(電子輸送性発光層)の形成工程における効果(膜厚のバラツキの縮小)を実証するための実験データの一例である。
Here, the film thickness characteristic of the electron transporting light emitting layer 15b formed on the pixel electrode 14 of each display pixel PIX formed on the insulating substrate 11 will be examined in detail.
FIG. 11 is an example of experimental data for demonstrating the effect (uniform film thickness) in the formation process of the organic EL layer (electron transporting light emitting layer) according to the present embodiment. FIG. It is an example of the experimental data for demonstrating the effect (reduction of the variation in film thickness) in the formation process of the organic electroluminescent layer (electron transport light emitting layer) which concerns on this.

ここでは、バンクにより画素形成領域が画定された単一の絶縁性基板において、ノズルプリンティング法を適用して赤色の発光材料をキシレン(有機溶媒)に2wt%の濃度で溶解又は分散した上述の有機化合物含有液を、図11(a)に示すように同画素に同量ずつ2回に分けて塗布(2回塗り)する場合と、図11(b)に示すように同画素に同量ずつ3回に分けて塗布(3回塗り)する場合の各画素(画素番号)における発光層の膜厚を測定した。この場合の基板温度は40℃、ノズルからの吐出量は129.56±0.94μl/min、ノズル走査速度は1回目の塗布走査では1.5m/s、2回目の塗布走査では1.25m/s、3回目の塗布走査では1.25m/sに設定した。なお、3回塗りにおける塗布総量は、2回塗りにおける塗布総量よりも塗布1回分多くなっている。   Here, the above-mentioned organic material in which a red light emitting material is dissolved or dispersed in xylene (organic solvent) at a concentration of 2 wt% by applying a nozzle printing method on a single insulating substrate in which a pixel formation region is defined by a bank. As shown in FIG. 11 (a), the compound-containing liquid is applied to the same pixel twice in the same amount (applied twice), and the same amount is applied to the same pixel as shown in FIG. 11 (b). The film thickness of the light emitting layer in each pixel (pixel number) in the case of application (three times application) in three times was measured. In this case, the substrate temperature is 40 ° C., the discharge amount from the nozzle is 129.56 ± 0.94 μl / min, and the nozzle scanning speed is 1.5 m / s for the first application scan and 1.25 m for the second application scan. / S was set to 1.25 m / s in the third coating scan. Note that the total coating amount in the third coating is larger by one coating than the total coating amount in the second coating.

また、絶縁性基板に配列される1列の画素数を100画素、各表示画素(画素形成領域)における塗布領域の寸法を370×55μm、各表示画素(画素形成領域)における測定領域の寸法を325×20μmに設定し、各列100画素全てに連続して塗布した後、各列の表示画素のうち、列方向1画素おきに50画素(すなわち奇数番目又は偶数番目の画素)を抽出して各表示画素における上記測定領域内での発光層の膜厚を測定し、最大値(最厚値)、最小値(最薄値)及び平均値を算出して評価を行った。つまり、図11の横軸の画素番号は、各列方向に沿って配列された画素の配列順番の値であり、ここでは、奇数番目のみ膜厚を示している。   In addition, the number of pixels in one column arranged on the insulating substrate is 100 pixels, the size of the application region in each display pixel (pixel formation region) is 370 × 55 μm, and the size of the measurement region in each display pixel (pixel formation region). After setting to 325 × 20 μm and continuously applying to all 100 pixels in each column, 50 pixels (that is, odd or even pixels) are extracted every other pixel in the column direction from the display pixels in each column. The film thickness of the light emitting layer in the measurement region in each display pixel was measured, and evaluation was performed by calculating a maximum value (thickest value), a minimum value (thinnest value), and an average value. That is, the pixel number on the horizontal axis in FIG. 11 is a value in the arrangement order of the pixels arranged along each column direction, and here, only the odd-numbered film thickness is shown.

これによれば、各画素形成領域に有機化合物含有液を2回塗りした場合には、図11(a)に示すように、測定領域内の発光層の膜厚の最大値及び最小値ともバラツキがあったが、塗布総量を同じ条件にして1回塗りした場合に比べて膜厚のバラツキは抑えられ、膜厚の平均値に対する最大値と最小値の差が膜厚の5%以内であった表示画素は66%であり、膜厚の平均値に対する最大値と最小値の差が膜厚の2%以内であった表示画素は0%であった。   According to this, when the organic compound-containing liquid is applied twice to each pixel formation region, both the maximum value and the minimum value of the film thickness of the light emitting layer in the measurement region vary as shown in FIG. However, the variation in film thickness was suppressed compared to the case where the coating was applied once with the same total coating amount, and the difference between the maximum value and the minimum value with respect to the average value of the film thickness was within 5% of the film thickness. The display pixel was 66%, and the display pixel in which the difference between the maximum value and the minimum value with respect to the average value of the film thickness was within 2% of the film thickness was 0%.

各画素形成領域に有機化合物含有液を3回塗りした場合には、図11(b)に示すように、測定領域内の発光層の膜厚の最大値及び最小値ともバラツキが大幅に抑制されて、膜厚の平均値に対する最大値と最小値の差が膜厚の5%以内であった表示画素は100%であり、同様に、膜厚の平均値に対する最大値と最小値の差が膜厚の2%以内であった表示画素は88%に達することが判明した。   When the organic compound-containing liquid is applied three times to each pixel formation region, as shown in FIG. 11B, variations in both the maximum value and the minimum value of the thickness of the light emitting layer in the measurement region are significantly suppressed. Thus, the display pixel in which the difference between the maximum value and the minimum value with respect to the average value of the film thickness is within 5% of the film thickness is 100%, and similarly, the difference between the maximum value and the minimum value with respect to the average value of the film thickness is It was found that display pixels that were within 2% of the film thickness reached 88%.

また、単一画素における列方向の膜厚のバラツキを検証するため、絶縁性基板上の特定の表示画素(例えば、49画素目)を抽出し、当該測定領域の略全域で形成された発光層の膜厚の最大値及び最小値を測定し、各測定位置における平均値(平均膜厚)に対するバラツキ(平均膜厚を0に換算したときの膜厚の差分)を検証すると、図12に示すように、2回塗りの場合(図中、点線で表示)に比較して3回塗りの場合(図中、実線で表示)の方が膜厚のバラツキが大幅に抑制される(ほぼ平均膜厚に近似する)ことが判明した。   In addition, in order to verify the variation in the film thickness in the column direction in a single pixel, a specific display pixel (for example, the 49th pixel) on the insulating substrate is extracted, and a light emitting layer formed over substantially the entire measurement region. When the maximum value and the minimum value of the film thickness are measured and the variation (the difference in film thickness when the average film thickness is converted to 0) with respect to the average value (average film thickness) at each measurement position is verified, it is shown in FIG. In this way, the variation in film thickness is greatly suppressed (approximate average film thickness) in the case of coating three times (indicated by a solid line in the figure) compared to the case of twice coating (indicated by a dotted line in the figure). It was found to approximate the thickness).

このように、ノズルプリンティング法やインクジェット法を用いて、同量の有機化合物含有液を複数回(例えば3回)に分けて塗布した後、加熱乾燥処理を行うことにより、画素電極14上に略均一な膜厚を有する電子輸送性発光層15bを含む有機EL層(発光機能層)15が形成される(担体輸送層形成工程)。   As described above, the same amount of the organic compound-containing liquid is applied a plurality of times (for example, three times) using a nozzle printing method or an ink jet method, and then subjected to a heat-drying process, so that it is substantially formed on the pixel electrode 14. An organic EL layer (light emitting functional layer) 15 including an electron transporting light emitting layer 15b having a uniform film thickness is formed (carrier transport layer forming step).

次いで、図8(b)に示すように、上記バンク17及び有機EL層15(正孔輸送層15a及び電子輸送性発光層15b)が形成された絶縁性基板11上に光反射特性を有し、各画素形成領域Rpxの有機EL層15を介して各画素電極14に対向する共通の対向電極(例えばカソード電極)16を形成する。   Next, as shown in FIG. 8B, the insulating layer 11 on which the bank 17 and the organic EL layer 15 (the hole transport layer 15a and the electron transport light emitting layer 15b) are formed has light reflection characteristics. Then, a common counter electrode (for example, cathode electrode) 16 is formed to face each pixel electrode 14 via the organic EL layer 15 in each pixel formation region Rpx.

ここで、対向電極16は、例えば真空蒸着法やスパッタリング法を用いて、1〜10nm厚のカルシウム(Ca)、バリウム(Ba)、リチウム(Li)、インジウム(In)等の仕事関数の低い電子注入層(カソード電極)と、100nm以上の厚さのアルミニウム(Al)、クロム(Cr)、銀(Ag)、パラジウム銀(AgPd)系の合金、又は、ITO等の透明電極等からなる高仕事関数の薄膜(給電電極)と、を積層した電極構造を適用することができる。   Here, the counter electrode 16 is an electron having a low work function such as calcium (Ca), barium (Ba), lithium (Li), indium (In), etc. having a thickness of 1 to 10 nm by using, for example, a vacuum deposition method or a sputtering method. High work consisting of injection layer (cathode electrode) and aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), palladium silver (AgPd) based alloy having a thickness of 100 nm or more, or a transparent electrode such as ITO An electrode structure in which a thin film (feed electrode) of a function is laminated can be applied.

また、対向電極16は、図1、図4に示したように、各画素形成領域Rpx(有機EL素子OLEDの形成領域)内の上記画素電極14に対向する領域のみならず、各画素形成領域Rpx(有機EL素子OLEDの形成領域)を画定するバンク17及び絶縁膜13a、13b上にまで延在する単一の導電層(べた電極)として形成される(対向電極形成工程)。   As shown in FIGS. 1 and 4, the counter electrode 16 is not only a region facing the pixel electrode 14 in each pixel formation region Rpx (formation region of the organic EL element OLED), but also each pixel formation region. It is formed as a single conductive layer (solid electrode) extending to the bank 17 and the insulating films 13a and 13b that define Rpx (formation region of the organic EL element OLED) (counter electrode forming step).

次いで、上記対向電極16を形成した後、絶縁性基板11の一面側全域にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる封止層18をCVD法等を用いて形成することにより、図4に示したような断面構造(ボトムエミッション型の発光構造)を有する複数の表示画素PIX(有機EL素子OLEDと画素駆動回路DC)がマトリクス状に配列された表示パネル10が完成する。なお、上記封止層18に加えて、又は、封止層18に替えて、UV硬化又は熱硬化接着剤を用いて、メタルキャップ(封止蓋)やガラス等の封止基板を接合するものであってもよい。   Next, after the counter electrode 16 is formed, a sealing layer 18 made of a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like is formed over the entire surface of the one surface of the insulating substrate 11 by using a CVD method or the like, as shown in FIG. A display panel 10 in which a plurality of display pixels PIX (organic EL elements OLED and pixel driving circuit DC) having such a cross-sectional structure (bottom emission type light emitting structure) are arranged in a matrix is completed. In addition to the sealing layer 18 or in place of the sealing layer 18, a sealing substrate such as a metal cap (sealing lid) or glass is bonded using a UV curing or thermosetting adhesive. It may be.

以上説明したように、本実施形態に係る表示装置の製造方法によれば、発光層となる有機化合物含有液を塗布する工程において、ノズルから複数回に分けて、同量(一定量)もしくは略同等の量の有機化合物含有液を吐出することにより、少なくとも画素電極上を含む画素形成領域内の広い領域に当該有機化合物含有液を馴染ませて塗布して、発光層である電子輸送性発光層を平坦化することができるので、有機EL層(正孔輸送層及び電子輸送性発光層)の膜厚の薄い領域に発光駆動電流が集中して流れることに起因して、有機EL層(有機EL素子)の劣化が著しくなったり、発光開始電圧が設計値から変化して(ずれて)、所望の発光輝度が得られなくなる現象を抑制して、信頼性や表示画質に優れた表示パネルを提供することができる。   As described above, according to the manufacturing method of the display device according to the present embodiment, in the step of applying the organic compound-containing liquid to be the light emitting layer, the same amount (a constant amount) or substantially the same amount is divided into a plurality of times from the nozzle. By discharging an equivalent amount of the organic compound-containing liquid, the organic compound-containing liquid is applied and applied to a wide area in the pixel formation region including at least the pixel electrode, and the electron-transporting light-emitting layer is a light-emitting layer. Can be flattened, so that the emission driving current flows in a concentrated manner in the thin region of the organic EL layer (hole transport layer and electron transporting light emitting layer). A display panel with excellent reliability and display image quality by suppressing the phenomenon that the EL element) is significantly deteriorated or the light emission start voltage changes (shifts) from the design value and the desired light emission luminance cannot be obtained. Can be offered .

<第2実施形態>
次に、本発明に係る表示装置の製造方法における第2の実施形態について説明する。ここで、表示パネルの画素配列状態や各表示画素の回路構成及び平面レイアウトは、上述した第1の実施形態と同等であるので、図1〜図9を適宜参照しながら、第2の実施形態に係る表示装置の製造方法に特徴的な工程ついてのみ具体的に説明する。
Second Embodiment
Next, a second embodiment of the display device manufacturing method according to the present invention will be described. Here, since the pixel arrangement state of the display panel, the circuit configuration of each display pixel, and the planar layout are the same as those of the first embodiment described above, the second embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 9 as appropriate. Only the steps characteristic to the method of manufacturing the display device according to the present invention will be specifically described.

上述した第1の実施形態においては、各表示画素PIXの色を規定する発光層である電子輸送性発光層15bを平坦化するための手法として、ノズルプリンティング法やインクジェット法を用いて同量の有機化合物含有液を複数回に分けて塗布した後、絶縁性基板を加熱乾燥処理して発光層を形成する場合について説明したが、本実施形態においては、ノズルプリンティング法やインクジェット法を用いて有機化合物含有液を複数回に分けて塗布し、各回ごとに加熱乾燥処理を施して発光層の一部となる薄膜を順次積層形成するとともに、少なくとも最終回に塗布される有機化合物含有液により形成される薄膜により被覆される領域を、それ以前の回に塗布された有機化合物含有液により形成される薄膜の被覆領域よりも狭く(小さく)なるように制御して、平坦化された発光層(例えば電子輸送性発光層)を形成することを特徴としている。   In the first embodiment described above, as a method for flattening the electron-transporting light-emitting layer 15b, which is a light-emitting layer that defines the color of each display pixel PIX, the same amount is used by using a nozzle printing method or an inkjet method. Although the case where the organic compound-containing liquid is applied in a plurality of times and then the insulating substrate is heated and dried to form the light emitting layer has been described, in the present embodiment, organic printing is performed using a nozzle printing method or an inkjet method. The compound-containing liquid is applied in several batches, and each time it is heated and dried to form a thin film that is part of the light-emitting layer, and at least the organic compound-containing liquid that is applied at the final time is formed. The area covered by the thin film becomes narrower (smaller) than the area covered by the thin film formed by the organic compound-containing liquid applied in the previous round. And controlled so, it is characterized by forming a planarized light emitting layer (for example, an electron transport luminescent layer).

本実施形態に係る発光層の形成方法は、具体的には、以下に示すような手法の一つ、又は、2つ以上の組み合わせを良好に適用することができる。
(1)複数回に分けて塗布する有機化合物含有液の量(塗布量)を制御して、最終回に塗布される有機化合物含有液の量を、それ以前の各回に塗布される有機化合物含有液の量よりも少なくするように設定する。
Specifically, one of the methods as shown below or a combination of two or more can be favorably applied to the method for forming the light emitting layer according to the present embodiment.
(1) Controlling the amount (application amount) of the organic compound-containing liquid to be applied in multiple times, the amount of organic compound-containing liquid to be applied in the last round contains the organic compound to be applied each time before that Set to be less than the amount of liquid.

(2)有機化合物含有液を複数回に分けて塗布する際の絶縁性基板(厳密には絶縁性基板が載置されたステージ)の温度を制御して、最終回に塗布される有機化合物含有液の乾燥速度を、それ以前の各回における乾燥速度よりも速くするように設定する。
(3)塗布面の種類により親液性(濡れ性)が異なる有機化合物含有液(発光材料及び有機溶媒)を選択して、有機化合物含有液を塗布することにより形成される薄膜に対する親液性が、絶縁性基板又は下地となる部材(画素電極又は正孔輸送層)に対する親液性よりも小さくなるように設定する。
(2) Controlling the temperature of the insulating substrate (strictly, the stage on which the insulating substrate is placed) when applying the organic compound-containing liquid in a plurality of times, and containing the organic compound applied in the final round The drying speed of the liquid is set to be faster than the drying speed in each previous time.
(3) The lyophilicity for a thin film formed by selecting an organic compound-containing liquid (light emitting material and organic solvent) having different lyophilicity (wetting properties) depending on the type of application surface and applying the organic compound-containing liquid. However, it is set to be smaller than the lyophilicity with respect to the insulating substrate or the underlying member (pixel electrode or hole transport layer).

以下に、上述した(1)〜(3)の手法のうち、(1)の手法のみを適用した場合の有機EL層(電子輸送性発光層)の形成方法について説明する。ここで、上述した第1の実施形態と同等の製造方法については、その説明を簡略化又は省略する。
図13は、本実施形態に係る表示装置(表示パネル)の製造方法における有機EL層(電子輸送性発光層)の形成工程の一例を示す概念図である。なお、図13においては、有機化合物含有液を塗布する工程を概念的に示すために図示を簡略化し、便宜的に絶縁性基板上に画素電極や絶縁膜が直接形成された断面構造を示した。
Below, the formation method of the organic electroluminescent layer (electron transport light emitting layer) at the time of applying only the method of (1) among the methods of (1)-(3) mentioned above is demonstrated. Here, the description of the manufacturing method equivalent to that of the first embodiment described above is simplified or omitted.
FIG. 13 is a conceptual diagram showing an example of a process for forming an organic EL layer (electron transporting light emitting layer) in the method for manufacturing a display device (display panel) according to this embodiment. In FIG. 13, the illustration is simplified to conceptually show the step of applying the organic compound-containing liquid, and a cross-sectional structure in which pixel electrodes and insulating films are directly formed on an insulating substrate is shown for convenience. .

本実施形態に係る表示装置の製造方法は、上述した第1の実施形態と同様に、まず、絶縁性基板11表面から連続的に突出するようにバンク17を形成して、当該バンク17により各表示画素PIXの画素形成領域Rpxを画定し、当該絶縁性基板11に酸素プラズマ処理やUVオゾン処理を施して、少なくとも画素形成領域Rpx内に露出する画素電極14の上面を親液化する。ここで、上述した第1の実施形態においては、画素電極14の親液化処理の後、バンク17表面を撥液化処理する場合について説明したが、本実施形態においてはバンク17の撥液化処理を行わない。   In the manufacturing method of the display device according to the present embodiment, as in the first embodiment described above, first, the bank 17 is formed so as to continuously protrude from the surface of the insulating substrate 11, and each bank 17 forms each bank. A pixel formation region Rpx of the display pixel PIX is defined, and the insulating substrate 11 is subjected to oxygen plasma treatment or UV ozone treatment to make at least the upper surface of the pixel electrode 14 exposed in the pixel formation region Rpx lyophilic. Here, in the first embodiment described above, the case where the surface of the bank 17 is subjected to lyophobic treatment after the lyophilic process of the pixel electrode 14 has been described, but in this embodiment, the lyophobic process of the bank 17 is performed. Absent.

次いで、画素形成領域Rpx内に正孔輸送材料を含む有機化合物含有液を塗布して、少なくとも画素電極14上に正孔輸送層15aを形成し、その後、図13(a)に示すように、1回目の塗布工程としてノズル(図示を省略)から電子輸送性発光材料を含む第1の量の有機化合物含有液EM21を吐出して画素形成領域Rpx内に塗布し、加熱乾燥処理を施して、図13(b)に示すように、電子輸送性発光材料の薄膜FL21を形成する。   Next, an organic compound-containing liquid containing a hole transport material is applied in the pixel formation region Rpx to form a hole transport layer 15a on at least the pixel electrode 14, and then, as shown in FIG. As a first coating step, a first amount of an organic compound-containing liquid EM21 containing an electron-transporting luminescent material is discharged from a nozzle (not shown), applied to the pixel formation region Rpx, and subjected to a heat drying process. As shown in FIG. 13B, a thin film FL21 of an electron transporting luminescent material is formed.

有機化合物含有液EM21は、有機化合物含有液EM21の表面張力、有機化合物含有液EM21と正孔輸送層15aとの間の表面張力、有機化合物含有液EM21とバンク17との間の表面張力によって中央がへこむようなメニスカスが形成される。このため、1回目の塗布工程によりこの状態で乾燥して堆積された薄膜FL21は、中央がへこんだ形状になっている。ここで、第1の量は、有機化合物含有液EM21が例えはバンク17側面を含む画素形成領域Rpx内の全域に馴染んで広がる程度の比較的多い量に設定されている。   The organic compound-containing liquid EM21 is centered by the surface tension of the organic compound-containing liquid EM21, the surface tension between the organic compound-containing liquid EM21 and the hole transport layer 15a, and the surface tension between the organic compound-containing liquid EM21 and the bank 17. A meniscus with a dent is formed. For this reason, the thin film FL21 dried and deposited in this state by the first coating process has a concave shape at the center. Here, the first amount is set to a relatively large amount such that the organic compound-containing liquid EM21 spreads in accordance with the entire area of the pixel formation region Rpx including the side surface of the bank 17, for example.

このように、画素形成領域Rpx内の画素電極14上に正孔輸送層15aを介して有機化合物含有液EM21が十分馴染んで薄く広がって有機化合物含有液EM21がバンク17に接することでこれらの界面での表面張力が発生してしまい、当該有機化合物含有液EM21の液面端部が撥液化処理を施してないバンク17側面に沿って迫り上がるように広がるので、有機化合物含有液EM21の液面は、絶縁性基板11表面の段差や、バンク17側面への両端部の迫り上がりにより、画素電極14中央付近の液面が相対的に低くなり、その液面に応じた表面段差を有する薄膜FL21が形成される。   As described above, the organic compound-containing liquid EM21 is sufficiently familiar and spreads thinly on the pixel electrode 14 in the pixel formation region Rpx via the hole transport layer 15a, and the organic compound-containing liquid EM21 is in contact with the bank 17 so as to contact these interfaces. The surface tension of the organic compound-containing liquid EM21 spreads so as to rise along the side of the bank 17 where the liquid-repellent treatment is not performed, so that the liquid level of the organic compound-containing liquid EM21 In the thin film FL21 having a surface step corresponding to the liquid level, the liquid level in the vicinity of the center of the pixel electrode 14 becomes relatively low due to the step on the surface of the insulating substrate 11 and the rise of both ends toward the side surface of the bank 17. Is formed.

次いで、図13(c)に示すように、2回目の塗布工程としてノズル(図示を省略)から電子輸送性発光材料を含む第2の量の有機化合物含有液EM22を吐出して画素形成領域Rpx内の画素電極14上の領域に塗布し、加熱乾燥処理を施して、図13(e)に示すように、電子輸送性発光材料の薄膜FL22を形成する。ここで、有機化合物含有液EM22は、1回目の有機化合物含有液EM21と同じ溶液であり、また、第2の量は、図13(d)、(e)に示すように、薄膜FL21上に塗布された有機化合物含有液EM22が、例えば画素電極14の平面パターンに対応する領域には広がるが、その液面の両端部がバンク17の側面に接しない、或いは接したとしても有機化合物含有液EM21とバンク17との間の表面張力が1回目の塗布のときと比べて相対的に大きくならない程度の比較的少ない量に設定されている。   Next, as shown in FIG. 13C, a second amount of organic compound-containing liquid EM22 containing an electron-transporting light-emitting material is discharged from a nozzle (not shown) as a second coating step to thereby form a pixel formation region Rpx. The thin film FL22 of an electron transporting light emitting material is formed as shown in FIG. Here, the organic compound-containing liquid EM22 is the same solution as the first organic compound-containing liquid EM21, and the second amount is on the thin film FL21 as shown in FIGS. 13 (d) and 13 (e). The applied organic compound-containing liquid EM22 spreads, for example, in a region corresponding to the planar pattern of the pixel electrode 14, but both ends of the liquid surface do not contact or contact the side surface of the bank 17, and the organic compound-containing liquid The surface tension between the EM 21 and the bank 17 is set to a relatively small amount so that it does not become relatively large as compared with the first application.

これにより、図13(e)に示すように、1回目の塗布工程に基づく薄膜FL21の表面段差が比較的低く形成されていた画素形成領域Rpx内の画素電極14に対応する領域に、2回目の塗布工程において塗布された有機化合物含有液EM21が十分馴染んで広がるとともにバンク17による迫り上がりを抑えて、少なくとも画素形成領域Rpx内の画素電極14に対応する領域(又はバンク17による段差の影響を受けない領域)に薄膜FL21のへこみを緩和するように薄膜FL22が堆積されるので、平坦化された薄膜FL21及び薄膜FL22の積層構造が略均一な膜厚となる電子輸送性発光層15bが形成される。   As a result, as shown in FIG. 13E, the second time is applied to the region corresponding to the pixel electrode 14 in the pixel formation region Rpx in which the surface step of the thin film FL21 based on the first coating step is formed to be relatively low. The organic compound-containing liquid EM21 applied in the coating step is sufficiently familiar and spreads, and the urge of the bank 17 is suppressed, and at least the region corresponding to the pixel electrode 14 in the pixel formation region Rpx (or the effect of the step difference due to the bank 17). Since the thin film FL22 is deposited so as to relieve the dent of the thin film FL21, the planarized thin film FL21 and the electron transporting light emitting layer 15b having a substantially uniform film thickness are formed. Is done.

なお、本実施形態においても、図10に示した場合と同様に、画素形成領域Rpxに塗布される有機化合物含有液EM21、EM22を、図示の都合上、便宜的に液滴状に示したが、ノズルプリンティング法を適用した場合には液流状に吐出される。また、図13(a)、(c)に示した1、2回目の有機化合物含有液EM21、EM22の塗布工程においては、上述した正孔輸送層15aの形成工程と同様に、ノズルNZLを図面に垂直方向(すなわち、図1、図9に示した絶縁性基板11の列方向)に走査させつつ往復動作させ、かつ、往路と復路で異なる列(同色となる次の列)の画素形成領域Rpxに塗布されるように、当該ノズルもしくは絶縁性基板11が載置されたステージを移動制御する。   In this embodiment, as in the case shown in FIG. 10, the organic compound-containing liquids EM21 and EM22 applied to the pixel formation region Rpx are shown in the form of droplets for convenience of illustration. When the nozzle printing method is applied, the liquid is discharged in a liquid flow. In the first and second coating steps of the organic compound-containing liquids EM21 and EM22 shown in FIGS. 13A and 13C, the nozzle NZL is illustrated in the same manner as the hole transport layer 15a forming step described above. The pixel forming region is reciprocated while scanning in the vertical direction (that is, the column direction of the insulating substrate 11 shown in FIG. 1 and FIG. 9), and the column is different in the forward path and the backward path (the next column having the same color). The stage on which the nozzle or the insulating substrate 11 is placed is controlled to be applied to Rpx.

ここで、1、2回目の有機化合物含有液EM21、EM22の量(第1及び第2の量)を変化させる手法としては、ノズルからの有機化合物含有液の吐出量自体を変化させる手法のほか、図9に示したような走査経路での塗布工程において、ノズルもしくはステージの移動速度(すなわち塗布走査速度)を変化させることにより、上記第1及び第2の量を任意に制御するものであってもよい。   Here, as a method of changing the amount (first and second amounts) of the first and second organic compound-containing liquids EM21 and EM22, in addition to a method of changing the discharge amount of the organic compound-containing liquid from the nozzle itself. In the coating process in the scanning path as shown in FIG. 9, the first and second amounts are arbitrarily controlled by changing the moving speed of the nozzle or stage (that is, the coating scanning speed). May be.

また、図1に示したように、RGB3色の表示画素PIX(色画素PXr、PXg、PXb)が各色ごとに列方向に配列され、かつ、RGBの3色が繰り返し配列された表示パネル10においては、各色ごとにノズルを3列おきに往路走査と復路走査を繰り返して絶縁性基板11の全域を走査することにより3色分の塗布動作を実行し、このような動作を図13(a)、(c)のように2回繰り返してRGBの各色に対応した電子輸送性発光層15bを形成する。   Further, as shown in FIG. 1, in the display panel 10 in which display pixels PIX of three colors RGB (color pixels PXr, PXg, and PXb) are arranged in the column direction for each color, and three colors of RGB are repeatedly arranged. Performs the coating operation for three colors by scanning the entire area of the insulating substrate 11 by repeating the forward scanning and the backward scanning every three rows of nozzles for each color, and this operation is shown in FIG. , (C) is repeated twice to form the electron transporting light emitting layer 15b corresponding to each color of RGB.

このように、本実施形態に係る表示装置の製造方法によれば、有機化合物含有液を塗布して発光層(例えば電子輸送性発光層)を形成する工程において、ノズルから有機化合物含有液を複数回に分けて塗布し、各回ごとに加熱乾燥処理を施して発光層の一部となる薄膜を順次積層形成するとともに、少なくとも最終回に塗布される有機化合物含有液の量を、それ以前の回に塗布される有機化合物含有液の量よりも少なくして、最終回の塗布により形成される薄膜の被覆領域を、それ以前の回の塗布により形成される薄膜の被覆領域よりも狭く(小さく)なるように制御することにより、複数の薄膜を積層してなる発光層の全体の膜厚を均一化することができる。   Thus, according to the method for manufacturing a display device according to the present embodiment, in the step of applying the organic compound-containing liquid to form the light-emitting layer (for example, the electron-transporting light-emitting layer), a plurality of organic compound-containing liquids are discharged from the nozzle. It is applied in batches, and each time it is heated and dried to form a thin film that becomes part of the light-emitting layer, and at least the amount of organic compound-containing liquid applied in the final round is adjusted to the previous round. The coating area of the thin film formed by the final coating is narrower (smaller) than the coating area of the thin film formed by the previous coating by reducing the amount of the organic compound-containing liquid applied to By controlling in such a manner, the entire thickness of the light emitting layer formed by laminating a plurality of thin films can be made uniform.

また、発光層となる複数の薄膜を順次積層形成し、各薄膜の被覆領域が変化するように制御することにより、絶縁性基板上に連続して突出するバンクによる段差の影響を抑制して、画素電極上の発光層を平坦化することができる。
したがって、上述した第1の実施形態と同様に、有機EL層(正孔輸送層及び電子輸送性発光層)の膜厚のバラツキに起因する有機EL層(有機EL素子)の劣化や発光輝度のずれを抑制して、信頼性や表示画質に優れた表示パネルを提供することができる。
ノズルにおける単位時間の有機化合物含有液の排出量が1回目との塗布と2回目以降で同じ場合、塗布量を減らすためにノズルの走査速度を2回目以降早くすればよい。
In addition, by sequentially laminating a plurality of thin films to be the light emitting layer, and controlling so that the coating area of each thin film changes, the effect of the step due to the bank protruding continuously on the insulating substrate is suppressed, The light emitting layer on the pixel electrode can be planarized.
Therefore, as in the first embodiment described above, the deterioration of the organic EL layer (organic EL element) due to the variation in the film thickness of the organic EL layer (hole transport layer and electron transporting light emitting layer) and the emission luminance. A display panel excellent in reliability and display image quality can be provided by suppressing the shift.
When the discharge amount of the organic compound-containing liquid per unit time at the nozzle is the same between the first application and the second application, the nozzle scanning speed may be increased after the second to reduce the application amount.

なお、上述した具体例においては、(1)の手法における有機EL層(電子輸送性発光層)の形成方法について説明したが、(2)の手法においては、具体的には、ノズルから有機化合物含有液を複数回に分けて塗布し、各回ごとに加熱乾燥処理を施して発光層の一部となる薄膜を順次積層形成する際に、少なくとも最終回(図13に示した塗布工程においては2回目)の塗布工程における絶縁性基板の温度を高く設定して、それ以前の回の塗布工程における有機化合物含有液よりも速く(例えばバンク側面に到達する前に)乾燥するようにし、最終回の塗布により形成される薄膜の被覆領域を、それ以前の回の塗布により形成される薄膜の被覆領域よりも狭く(小さく)なるように制御する。   In the above-described specific example, the method for forming the organic EL layer (electron transporting light-emitting layer) in the method (1) has been described. In the method (2), specifically, the organic compound is formed from the nozzle. When the containing liquid is applied in a plurality of times and a thin film that is a part of the light emitting layer is sequentially formed by heating and drying each time, at least the last time (2 in the coating process shown in FIG. 13). The temperature of the insulating substrate in the application process of the second time is set high so that it dries faster (for example, before reaching the bank side surface) than the liquid containing the organic compound in the previous application process. The coating area of the thin film formed by coating is controlled to be narrower (smaller) than the coating area of the thin film formed by previous coating.

また、(3)の手法においては、具体的には、ノズルから有機化合物含有液を複数回に分けて塗布し、各回ごとに加熱乾燥処理を施して発光層の一部となる薄膜を順次積層形成する際に、塗布面となる正孔輸送層15aにおける有機化合物含有液に対する親液性が、有機化合物含有液を塗布して形成された薄膜における有機化合物含有液に対する親液性よりも大きくなるように、有機化合物含有液をなる発光材料や有機溶媒を選択して、少なくとも最終回(図13に示した塗布工程においては2回目)の塗布工程における有機化合物含有液の広がりを、それ以前の回の塗布により形成される薄膜の被覆領域よりも狭く(小さく)なるように制御する。
このような(2)、(3)の手法によっても、複数の薄膜を積層してなる発光層(例えば電子輸送性発光層)の全体の膜厚を均一化することができる。
Further, in the method (3), specifically, the organic compound-containing liquid is applied in a plurality of times from the nozzle, and a thin film that becomes a part of the light emitting layer is sequentially laminated by applying a heat drying process each time. When forming, the lyophilicity with respect to the organic compound-containing liquid in the hole transport layer 15a serving as the coating surface is greater than the lyophilicity with respect to the organic compound-containing liquid in the thin film formed by applying the organic compound-containing liquid. As described above, the light-emitting material and the organic solvent that constitute the organic compound-containing liquid are selected, and the spread of the organic compound-containing liquid in the application process of the last time (second time in the application process shown in FIG. 13) Control is performed so as to be narrower (smaller) than the coating area of the thin film formed by the coating process.
Also by the methods (2) and (3), the entire film thickness of a light emitting layer (for example, an electron transporting light emitting layer) formed by laminating a plurality of thin films can be made uniform.

ところで、上述した第1及び第2の実施形態においては、有機化合物含有液が画素形成領域Rpxを越えて漏洩しないように絶縁性基板11表面から連続的に突出するようにバンク17が形成され、当該バンク17により画定された画素形成領域Rpxに有機化合物含有液を塗布する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、バンクを用いることなく各画素形成領域が規定された絶縁性基板に有機化合物含有液を塗布して発光層を形成する場合であっても良好に適用することができる。以下に、具体的に説明する。   By the way, in the first and second embodiments described above, the bank 17 is formed so as to continuously protrude from the surface of the insulating substrate 11 so that the organic compound-containing liquid does not leak beyond the pixel formation region Rpx. Although the case where the organic compound-containing liquid is applied to the pixel formation region Rpx defined by the bank 17 has been described, the present invention is not limited to this, and each pixel formation region is defined without using a bank. Even in the case where a light emitting layer is formed by applying an organic compound-containing liquid to an insulating substrate, it can be applied satisfactorily. This will be specifically described below.

図14は、本実施形態に係る表示装置(表示パネル)の製造方法における有機EL層(電子輸送性発光層)の形成工程の他の例を示す概念図である。なお、図14においては、有機化合物含有液を塗布する工程を概念的に示すために図示を簡略化し、便宜的に絶縁性基板上に画素電極や絶縁膜が直接形成された断面構造を示した。   FIG. 14 is a conceptual diagram illustrating another example of the formation process of the organic EL layer (electron transporting light emitting layer) in the method for manufacturing the display device (display panel) according to the present embodiment. In FIG. 14, the illustration is simplified to conceptually show the step of applying the organic compound-containing liquid, and a cross-sectional structure in which pixel electrodes and insulating films are directly formed on an insulating substrate is shown for convenience. .

本具体例に係る表示装置の製造方法は、まず、図14(a)に示すように、絶縁性基板11上に所定の配列(表示画素に対応する配列)で形成された複数の画素電極14間に、隣接する表示画素相互の境界となる絶縁膜13(上述した絶縁膜13a、13bに相当する)が形成され、少なくとも画素形成領域Rpx内に露出する画素電極14の上面を有機化合物含有液に対して親液化するとともに、絶縁膜13表面を有機化合物含有液に対して撥液化する。   In the manufacturing method of the display device according to this example, first, as shown in FIG. 14A, a plurality of pixel electrodes 14 formed in a predetermined array (an array corresponding to the display pixel) on the insulating substrate 11. An insulating film 13 (corresponding to the above-described insulating films 13a and 13b) is formed between the adjacent display pixels, and at least the upper surface of the pixel electrode 14 exposed in the pixel formation region Rpx is formed with an organic compound-containing liquid. The surface of the insulating film 13 is made lyophobic with respect to the organic compound-containing liquid.

次いで、各画素形成領域Rpxを含む絶縁性基板11全域に正孔輸送材料を含む有機化合物含有液を塗布して、少なくとも画素電極14上に正孔輸送層15aを形成する。このとき、有機化合物含有液は画素電極14上のみならず絶縁膜13上にも跨って塗布されるので、正孔輸送層15aは画素電極14と絶縁膜13との間の段差によって絶縁膜13上において隆起している。その後、図14(a)に示すように、1回目の塗布工程として電子輸送性発光材料を含む第1の量の有機化合物含有液EM31を吐出して絶縁膜13に囲まれた画素形成領域Rpx内に塗布し、加熱乾燥処理を施して、図14(b)に示すように、電子輸送性発光材料の薄膜FL31を形成する。   Next, an organic compound-containing liquid containing a hole transport material is applied to the entire insulating substrate 11 including each pixel formation region Rpx to form a hole transport layer 15 a on at least the pixel electrode 14. At this time, since the organic compound-containing liquid is applied not only on the pixel electrode 14 but also on the insulating film 13, the hole transport layer 15 a is formed by the step between the pixel electrode 14 and the insulating film 13. Raised above. After that, as shown in FIG. 14A, a first amount of organic compound-containing liquid EM31 containing an electron-transporting light-emitting material is discharged as a first coating process, and the pixel formation region Rpx surrounded by the insulating film 13 is discharged. Then, a thin film FL31 of an electron transporting light emitting material is formed as shown in FIG. 14 (b).

ここで、各表示画素PIX(画素形成領域Rpx)間に形成された絶縁膜13によって隆起している正孔輸送層15aは、画素電極14上において相対的に凹んでいるので第1の量の有機化合物含有液EM31も正孔輸送層15aの凹凸に影響され、有機化合物含有液EM31の液面は、画素電極14中央上の領域の液面が相対的に低くなり、その液面に応じた表面段差を有する薄膜FL31が形成される。   Here, since the hole transport layer 15a raised by the insulating film 13 formed between the display pixels PIX (pixel formation region Rpx) is relatively recessed on the pixel electrode 14, a first amount of the hole transport layer 15a is formed. The organic compound-containing liquid EM31 is also affected by the unevenness of the hole transport layer 15a, and the liquid level of the organic compound-containing liquid EM31 is relatively low in the region on the center of the pixel electrode 14 and corresponds to the liquid level. A thin film FL31 having a surface step is formed.

次いで、図14(c)に示すように、2回目の塗布工程として電子輸送性発光材料を含む第2の量の有機化合物含有液EM32を吐出して画素形成領域Rpx内の画素電極14上の領域に塗布し、加熱乾燥処理を施して、図14(e)に示すように、電子輸送性発光材料の薄膜FL32を形成する。ここで、有機化合物含有液EM32は、1回目の有機化合物含有液EM31と同じ溶液であり、また、第2の量は、図14(d)、(e)に示すように、薄膜FL31上に塗布された有機化合物含有液EM32が、例えば画素電極14の平面パターンに対応する領域には広がるが、その液面の両端部が画素形成領域Rpxを画定する絶縁膜13上までは広がらない程度の比較的少ない量に設定されている。   Next, as shown in FIG. 14C, a second amount of organic compound-containing liquid EM32 containing an electron-transporting light-emitting material is discharged as a second coating step to form a pixel on the pixel electrode 14 in the pixel formation region Rpx. The thin film FL32 of an electron transporting luminescent material is formed as shown in FIG. Here, the organic compound-containing liquid EM32 is the same solution as the first organic compound-containing liquid EM31, and the second amount is on the thin film FL31 as shown in FIGS. 14 (d) and 14 (e). For example, the applied organic compound-containing liquid EM32 spreads in a region corresponding to the planar pattern of the pixel electrode 14, but both ends of the liquid surface do not spread over the insulating film 13 that defines the pixel formation region Rpx. It is set to a relatively small amount.

これにより、図14(e)に示すように、1回目の塗布工程に基づく薄膜FL31の表面段差が比較的低く形成されていた画素形成領域Rpx内の画素電極14に対応する領域に、2回目の塗布工程において塗布された有機化合物含有液EM31が十分馴染んで広がり、少なくとも画素形成領域Rpx内の画素電極14に対応する領域に薄膜FL31及び薄膜FL32を積層してなる、略均一な膜厚を有する電子輸送性発光層15bが形成される。   As a result, as shown in FIG. 14E, the second time is applied to the region corresponding to the pixel electrode 14 in the pixel formation region Rpx in which the surface level difference of the thin film FL31 based on the first coating process is formed to be relatively low. The organic compound-containing liquid EM31 applied in the coating step is sufficiently familiar and spreads, and has a substantially uniform film thickness formed by laminating the thin film FL31 and the thin film FL32 at least in a region corresponding to the pixel electrode 14 in the pixel formation region Rpx The electron transporting light emitting layer 15b is formed.

このように、本実施形態に係る表示装置の製造方法によれば、上述した各実施形態に示したように、絶縁性基板上に連続して突出するバンクを形成することなく画素電極上に均一な膜厚を有する発光層(電子輸送性発光層)を形成することができる。
したがって、上述した各実施形態と同様に、有機EL層(正孔輸送層及び電子輸送性発光層)の膜厚のバラツキに起因する有機EL層(有機EL素子)の劣化や発光輝度のずれを抑制して、信頼性や表示画質に優れた表示パネルを提供することができる。
As described above, according to the method for manufacturing a display device according to the present embodiment, as shown in each of the above-described embodiments, it is uniform on the pixel electrode without forming a bank protruding continuously on the insulating substrate. A light emitting layer (electron transporting light emitting layer) having a sufficient thickness can be formed.
Therefore, as in each of the above-described embodiments, deterioration of the organic EL layer (organic EL element) and deviation of emission luminance due to variations in the film thickness of the organic EL layer (hole transport layer and electron transporting light emitting layer) are prevented. It is possible to provide a display panel with excellent reliability and display image quality.

なお、図13、図14に示した表示装置の製造方法においては、有機化合物含有液の塗布動作を2回実行する場合について説明したが、3回以上の複数回塗布動作を実行するものであってもよい。この場合、最終回の塗布動作において形成される薄膜の被覆領域を、それ以前の回の塗布動作により形成される薄膜の被覆領域よりも狭く(小さく)なるように制御するものであればよい。   In the manufacturing method of the display device shown in FIGS. 13 and 14, the case where the coating operation of the organic compound-containing liquid is performed twice has been described. However, the coating operation is performed three or more times. May be. In this case, what is necessary is just to control the thin film coating region formed in the final coating operation so as to be narrower (smaller) than the thin film coating region formed by the previous coating operation.

(具体的な実験データによる効果の検証)
次に、上述した各実施形態について、さらに具体的な実験データを示して効果を検証する。
上述した第1実施形態において、1ライン240画素にして、1画素における画素電極14の開口部が縦266.5μm、横64μmで、画素電極14の親液化処理として酸素プラズマ処理を行ったものについて1回塗り、2回塗り、3回塗りの塗り総量が同じになるように設定して120番目の表面(中央の画素)の状態を測定した。ポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料を用いた2.0wt%キシレン溶液の塗布を行った。
(Verification of effects by concrete experimental data)
Next, the effect of each embodiment described above will be verified by showing more specific experimental data.
In the first embodiment described above, one pixel is 240 pixels per line, the opening of the pixel electrode 14 in one pixel is 266.5 μm in length and 64 μm in width, and the oxygen plasma treatment is performed as the lyophilic treatment of the pixel electrode 14. The state of the 120th surface (center pixel) was measured by setting the total amount of the first, second, and third coatings to be the same. A 2.0 wt% xylene solution using a light emitting material containing a conjugated double bond polymer such as polyparaphenylene vinylene or polyfluorene was applied.

図15は3回塗り、2回塗りの膜の表面の段差を測定したグラフである。
3回塗りでは、ノズルNZLの塗布走査速度が2.5m/sec、基板11の加熱温度が40℃、総塗布流量が80.87μl/minに設定し、流量のバラツキ(3σ値)が1.10μl/minであった。図15から明らかなように、膜表面の凹凸ばらつきが最も小さい結果となった。
FIG. 15 is a graph obtained by measuring the level difference on the surface of the film that was applied three times or twice.
In the third coating, the coating scanning speed of the nozzle NZL is set to 2.5 m / sec, the heating temperature of the substrate 11 is set to 40 ° C., the total coating flow rate is set to 80.87 μl / min, and the flow rate variation (3σ value) is 1. It was 10 μl / min. As is apparent from FIG. 15, the unevenness of the film surface was the smallest.

2回塗りでは、ノズルNZLの塗布走査速度が1.5m/sec、基板11の加熱温度が40℃、総塗布流量が79.55μl/minに設定し、流量のバラツキ(3σ値)が1.07μl/minであった。膜表面の凹凸ばらつきが3回塗りより凹凸の程度が多少大きく見られた。   In the two-time coating, the coating scanning speed of the nozzle NZL is set to 1.5 m / sec, the heating temperature of the substrate 11 is set to 40 ° C., the total coating flow rate is set to 79.55 μl / min, and the flow rate variation (3σ value) is 1. It was 07 μl / min. The unevenness of the film surface was found to be slightly larger than that of the third coating.

図16は1回塗りの膜の表面の段差を測定したグラフである。
1回塗りでは、ノズルNZLの塗布走査速度が1m/sec、基板11の加熱温度が40℃、総塗布流量が79.12μl/minに設定し、流量のバラツキ(3σ値)が1.11μl/minであった。1回塗りは膜厚が2回塗り、3回塗りより薄く、また、大きくばらつきが見られた。
FIG. 16 is a graph obtained by measuring the level difference on the surface of the single-coated film.
In one-time coating, the coating scanning speed of the nozzle NZL is set to 1 m / sec, the heating temperature of the substrate 11 is set to 40 ° C., the total coating flow rate is set to 79.12 μl / min, and the flow rate variation (3σ value) is 1.11 μl / min. min. One-time coating was thinner than two-time and third-time coatings, and a large variation was observed.

図17は、3回塗りにおいて、1ライン240画素のうち6画素ごとに1画素の膜の表面の膜厚を測定したものであり、これらの測定を複数のラインで行い、最小値、最大値、平均値を求めたものである。最大値と最小値の差が膜厚の5%以内であった表示画素は100%であり、膜厚の平均値に対する最大値と最小値の差が膜厚の2%以内であった表示画素は97.5%であり、膜厚の平均値に対する最大値と最小値の差が膜厚の1.5%以内であった表示画素は77.5%であった。   FIG. 17 shows the measurement of the film thickness of the film surface of one pixel every six pixels out of 240 pixels in one line, and these measurements are performed on a plurality of lines. The average value is obtained. The display pixel in which the difference between the maximum value and the minimum value is within 5% of the film thickness is 100%, and the display pixel in which the difference between the maximum value and the minimum value with respect to the average film thickness is within 2% of the film thickness Was 77.5%, and the difference between the maximum value and the minimum value with respect to the average value of the film thickness was within 1.5% of the film thickness was 77.5%.

図18は、2回塗りにおいて、1ライン240画素のうち6画素ごとに1画素の膜の表面の膜厚を測定したものであり、これらの測定を複数のラインで行い、最小値、最大値、平均値を求めたものである。最大値と最小値の差が膜厚の5%以内であった表示画素は100%であり、膜厚の平均値に対する最大値と最小値の差が膜厚の2%以内であった表示画素は72.5%であり、膜厚の平均値に対する最大値と最小値の差が膜厚の1.5%以内であった表示画素は17.5%であった。   FIG. 18 shows the measurement of the film thickness of the film surface of one pixel every six pixels out of 240 pixels in one line, and these measurements are performed on a plurality of lines. The average value is obtained. The display pixel in which the difference between the maximum value and the minimum value is within 5% of the film thickness is 100%, and the display pixel in which the difference between the maximum value and the minimum value with respect to the average film thickness is within 2% of the film thickness Was 72.5%, and the difference between the maximum value and the minimum value with respect to the average value of the film thickness was within 1.5% of the film thickness was 17.5%.

また、第2実施形態において、1ライン240画素にして、1画素における画素電極14の開口部が縦266.5μm、横64μmで、画素電極14の親液化処理として酸素プラズマ処理を行ったものについて2回塗りでの横方向での膜厚のばらつきを測定した。ポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料を用いた2.0wt%キシレン溶液の塗布を行った。   In the second embodiment, one pixel is 240 pixels per line, the opening of the pixel electrode 14 in one pixel is 266.5 μm in length and 64 μm in width, and oxygen plasma treatment is performed as a lyophilic process for the pixel electrode 14. The variation in the film thickness in the horizontal direction in the second coating was measured. A 2.0 wt% xylene solution using a light emitting material containing a conjugated double bond polymer such as polyparaphenylene vinylene or polyfluorene was applied.

2回塗りにおいて、基板11の加熱温度が40℃とし、1回目の塗布での塗布流量が84〜86μl/min、ノズルNZLの塗布走査速度が3.0m/secに設定し、2回目の塗布での塗布流量が46〜50μl/minと1回目より少なくし、ノズルNZLの塗布走査速度が1.0m/secから0.2m/secごとに上昇して3.0m/secまでの11パターンに設定した。   In the second coating, the heating temperature of the substrate 11 is set to 40 ° C., the coating flow rate in the first coating is set to 84 to 86 μl / min, and the coating scanning speed of the nozzle NZL is set to 3.0 m / sec. The coating flow rate at 50 to 50 μl / min is less than the first time, and the coating scanning speed of the nozzle NZL increases from 1.0 m / sec every 0.2 m / sec to 11 patterns up to 3.0 m / sec. Set.

図19は、1回目の塗布での塗布流量が84.66μl/min、流量のバラツキ(3σ値)が1.37μl/min、2回目の塗布での塗布流量が46.86μl/min、流量のバラツキ(3σ値)が2.07μl/minであったときの画素の横方向での膜厚のバラツキを示すものであり、左側及び右側で高いのは、バンク17による影響である。ここで、画素内の膜厚が、膜厚の最小値(62.5nm)から最小値の110%となる68.75nmまでの間(最小値から+10%以内;図中では便宜的にハッチングを施して表記)に収まる横方向の長さが29μmあった。   FIG. 19 shows that the coating flow rate in the first coating is 84.66 μl / min, the flow rate variation (3σ value) is 1.37 μl / min, the coating flow rate in the second coating is 46.86 μl / min, This shows the variation in the film thickness in the horizontal direction of the pixel when the variation (3σ value) is 2.07 μl / min. The higher values on the left and right sides are the influence of the bank 17. Here, the film thickness in the pixel is between 68.75 nm where the film thickness is minimum (62.5 nm) and 110% of the minimum value (within + 10% from the minimum); The length in the horizontal direction that fits within the notation was 29 μm.

また、図20は、2回目のノズルNZLの塗布走査速度をそれぞれ変調した場合の、それぞれの画素内の膜厚が、最小値から最小値の110%のまでの間(最小値から+10%以内)に収まる画素の横方向の長さをプロットしたグラフであり、ノズルNZLの塗布走査速度1.6m/sec〜2.4m/secが、画素の横方向の長さが28μmを越えて最も長かった。図21は、2回目のノズルNZLの塗布走査速度をそれぞれ1.2m/sec、2.2m/sec、2.8m/secとしたときの画素の横方向での表面の高さを示すグラフである。2回目のノズルNZLの塗布走査速度が1.4m/sec以下では、塗布走査速度が遅い(塗布量が多い)ため、バンク17の際部への吸い上げ量も多く、バンク17の頂点部への乗り上げが見られ、また、画素中央が薄くなってしまっている。   FIG. 20 shows a case where the film thickness in each pixel is 110% of the minimum value to the minimum value (within + 10% from the minimum value) when the application scanning speed of the second nozzle NZL is modulated. ) Is a graph plotting the horizontal length of the pixels within the range, and the nozzle NZL coating scanning speed of 1.6 m / sec to 2.4 m / sec is the longest with the pixel horizontal length exceeding 28 μm. It was. FIG. 21 is a graph showing the height of the surface in the horizontal direction of the pixel when the application scanning speed of the second nozzle NZL is 1.2 m / sec, 2.2 m / sec, and 2.8 m / sec, respectively. is there. When the coating scanning speed of the second nozzle NZL is 1.4 m / sec or less, the coating scanning speed is slow (the coating amount is large), so that the amount of suction to the edge of the bank 17 is large, and the top of the bank 17 reaches the top. Riding is seen, and the center of the pixel has become thinner.

2回目のノズルNZLの塗布走査速度が2.6m/sec以上では、バンク17の際部に到達する前に乾燥する割合が高くなり、バンク17の際部よりやや中央寄りが突出するメニスカスが形成されている。乾燥速度が早くバンク17による吸い上げが抑えられ、また塗布走査速度が早い(塗布量が少ない)ため、平坦性が低下したと考えられる。   When the coating scanning speed of the second nozzle NZL is 2.6 m / sec or more, the rate of drying before reaching the edge of the bank 17 increases, and a meniscus that protrudes slightly toward the center from the edge of the bank 17 is formed. Has been. It is considered that the flatness is lowered because the drying speed is fast and the sucking by the bank 17 is suppressed, and the coating scanning speed is fast (the coating amount is small).

2回目のノズルNZLの塗布走査速度が1.4m/sec以下のように、塗布量が多いときは、基板11の加熱温度を上げる、もしくは低沸点溶媒を用い、乾燥速度を早めることによって膜厚の均一性の改善が可能となる。つまり、バンク17の頂点部やバンク17の際部へ吸い上がる前に乾燥しやすくなるため、平坦性は向上できる。   When the coating scanning speed of the second nozzle NZL is 1.4 m / sec or less, the film thickness is increased by increasing the heating temperature of the substrate 11 or using a low boiling point solvent to increase the drying speed. It is possible to improve the uniformity. That is, since it becomes easy to dry before sucking up to the top part of the bank 17 and the edge part of the bank 17, flatness can be improved.

2回目のノズルNZLの塗布走査速度が2.6m/sec以上のように、塗布量が少ないとき、基板11の加熱温度を下げ、もしくは高沸点溶媒を用い、乾燥速度を遅くさせることによって膜厚の均一性の改善が可能となる。つまり、溶液がバンク17の際部に到達しやすくなるので上述したメニスカスの形成を抑え、平坦性は向上できる。   When the coating scanning speed of the second nozzle NZL is 2.6 m / sec or more, when the coating amount is small, the heating temperature of the substrate 11 is lowered, or a high boiling point solvent is used to slow down the drying speed, thereby reducing the film thickness. It is possible to improve the uniformity. That is, since the solution easily reaches the edge of the bank 17, the above-described meniscus formation can be suppressed and the flatness can be improved.

なお、上述した各実施形態においては、有機EL層が正孔輸送層及び電子輸送性発光層からなる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば正孔輸送兼電子輸送性発光層のみでもよく、正孔輸送性発光層及び電子輸送層でもよく、また、間に適宜担体輸送層が介在してもよく、その他の担体輸送層の組合せであってもよい。   In each of the above-described embodiments, the case where the organic EL layer is composed of a hole transport layer and an electron transporting light emitting layer has been described. However, the present invention is not limited to this. Only the transporting light emitting layer may be used, the hole transporting light emitting layer and the electron transporting layer may be used, or a carrier transporting layer may be appropriately interposed between them, or a combination of other carrier transporting layers may be used.

そして、上述した各実施形態に示した表示装置の製造方法は、電子輸送性発光層のような発光層に限定されるものではなく、正孔輸送層や電子輸送層、その他の担体輸送層に対しても良好に適用することができる。さらに、これらの有機EL層(正孔輸送層や電子輸送層、発光層等)に限らず、有機溶液を塗布する湿式成膜法により他の有機膜を形成する場合にも良好に適用することができる。   And the manufacturing method of the display apparatus shown to each embodiment mentioned above is not limited to light emitting layers like an electron transporting light emitting layer, It is not limited to a hole transport layer, an electron transport layer, and other carrier transport layers. Also, it can be applied satisfactorily. Furthermore, the present invention is not limited to these organic EL layers (hole transport layer, electron transport layer, light emitting layer, etc.), but can be applied well when other organic films are formed by a wet film forming method in which an organic solution is applied. Can do.

また、上述した各実施形態においては、ボトムエミッション型の発光構造を有する表示パネルについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、トップエミッション型の発光構造を有するものであってもよい。この場合、画素電極はアルミニウムやクロム等の光反射特性を有する導電性材料により形成され、対向電極はITO等の光透過特性を有する導電性材料により形成されていればよい。
さらに、上述した各実施形態においては、画素電極をアノード電極としたが、これに限らずカソード電極としてもよい。このとき、有機EL層は、画素電極に接する担体輸送層が電子輸送性の層であればよい。
In each of the above-described embodiments, the display panel having the bottom emission type light emitting structure has been described. However, the present invention is not limited to this, and the display panel may have a top emission type light emitting structure. Good. In this case, the pixel electrode may be formed of a conductive material having a light reflection characteristic such as aluminum or chromium, and the counter electrode may be formed of a conductive material having a light transmission characteristic such as ITO.
Furthermore, in each of the embodiments described above, the pixel electrode is an anode electrode, but the present invention is not limited to this and may be a cathode electrode. At this time, in the organic EL layer, the carrier transport layer in contact with the pixel electrode may be an electron transport layer.

本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the pixel arrangement state of the display panel applied to the display apparatus which concerns on this invention. 本発明に係る表示装置の表示パネルに2次元配列される各表示画素(発光素子及び画素駆動回路)の回路構成例を示す等価回路図である。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram illustrating a circuit configuration example of each display pixel (light emitting element and pixel driving circuit) two-dimensionally arranged on the display panel of the display device according to the present invention. 本発明に係る表示装置(表示パネル)に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。It is a plane layout figure which shows an example of the display pixel applicable to the display apparatus (display panel) which concerns on this invention. 本発明に係る平面レイアウトを有する表示画素における概略断面図である。It is a schematic sectional drawing in the display pixel which has the plane layout which concerns on this invention. 本発明に係る表示装置(表示パネル)の製造方法の第1の実施形態を示す工程断面図(その1)である。It is process sectional drawing (the 1) which shows 1st Embodiment of the manufacturing method of the display apparatus (display panel) which concerns on this invention. 本発明に係る表示装置(表示パネル)の製造方法の第1の実施形態を示す工程断面図(その2)である。It is process sectional drawing (the 2) which shows 1st Embodiment of the manufacturing method of the display apparatus (display panel) which concerns on this invention. 本発明に係る表示装置(表示パネル)の製造方法の第1の実施形態を示す工程断面図(その3)である。It is process sectional drawing (the 3) which shows 1st Embodiment of the manufacturing method of the display apparatus (display panel) which concerns on this invention. 本発明に係る表示装置(表示パネル)の製造方法の第1の実施形態を示す工程断面図(その4)である。It is process sectional drawing (the 4) which shows 1st Embodiment of the manufacturing method of the display apparatus (display panel) which concerns on this invention. 本実施形態に係る表示装置(表示パネル)の製造方法における有機化合物含有液の塗布工程(塗布走査経路)を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the application | coating process (application | coating scanning path | route) of the organic compound containing liquid in the manufacturing method of the display apparatus (display panel) which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る表示装置(表示パネル)の製造方法における有機EL層(電子輸送性発光層)の形成工程を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the formation process of the organic electroluminescent layer (electron transport light emitting layer) in the manufacturing method of the display apparatus (display panel) which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る有機EL層(電子輸送性発光層)の形成工程における効果(膜厚の均一化)を実証するための実験データの一例である。It is an example of the experimental data for demonstrating the effect (uniformity of a film thickness) in the formation process of the organic electroluminescent layer (electron transport light emitting layer) which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る有機EL層(電子輸送性発光層)の形成工程における効果(膜厚のバラツキの縮小)を実証するための実験データの一例である。It is an example of the experimental data for demonstrating the effect (reduction of the variation in film thickness) in the formation process of the organic EL layer (electron transport light emitting layer) according to the present embodiment. 本実施形態に係る表示装置(表示パネル)の製造方法における有機EL層(電子輸送性発光層)の形成工程の一例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows an example of the formation process of the organic electroluminescent layer (electron transport light emitting layer) in the manufacturing method of the display apparatus (display panel) which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る表示装置(表示パネル)の製造方法における有機EL層(電子輸送性発光層)の形成工程の他の例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the other example of the formation process of the organic electroluminescent layer (electron transport light emitting layer) in the manufacturing method of the display apparatus (display panel) which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る表示装置(表示パネル)の製造方法における有機EL層(電子輸送性発光層)の3回塗り、2回塗りの膜の表面の段差を示す実験データの一例である。It is an example of the experimental data which shows the level | step difference of the surface of the film | membrane of 3 times coating of the organic EL layer (electron transport light emitting layer) and 2 times coating in the manufacturing method of the display apparatus (display panel) concerning this embodiment. 本実施形態に係る表示装置(表示パネル)の製造方法における有機EL層(電子輸送性発光層)の1回塗りの膜の表面の段差を示す実験データの一例である。It is an example of the experimental data which shows the level | step difference of the film | membrane of the once coating of the organic EL layer (electron transport light emitting layer) in the manufacturing method of the display apparatus (display panel) which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る表示装置(表示パネル)の製造方法における各画素の膜の表面の膜厚を測定した実験データの一例(その1)である。It is an example (the 1) of the experimental data which measured the film thickness of the surface of the film | membrane of each pixel in the manufacturing method of the display apparatus (display panel) which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る表示装置(表示パネル)の製造方法における各画素の膜の表面の膜厚を測定した実験データの一例(その2)である。It is an example (the 2) of the experimental data which measured the film thickness of the surface of the film | membrane of each pixel in the manufacturing method of the display apparatus (display panel) which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る表示装置(表示パネル)の製造方法における1つの画素の横方向の表面の高さを測定した実験データの一例(その1)である。It is an example (the 1) of the experimental data which measured the height of the surface of the horizontal direction of one pixel in the manufacturing method of the display apparatus (display panel) which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る表示装置(表示パネル)の製造方法における1つの画素の横方向の均一な膜の部分の長さを測定した実験データの一例である。It is an example of the experimental data which measured the length of the part of the uniform film | membrane of the horizontal direction of one pixel in the manufacturing method of the display apparatus (display panel) which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る表示装置(表示パネル)の製造方法における1つの画素の横方向の表面の高さを測定した実験データの一例(その2)である。It is an example (the 2) of the experimental data which measured the height of the surface of the horizontal direction of one pixel in the manufacturing method of the display apparatus (display panel) which concerns on this embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10 表示パネル
11 絶縁性基板
13a、13b 絶縁膜
14 画素電極
15 有機EL層
15a 正孔輸送層
15b 電子輸送性発光層
16 対向電極
17 バンク
PIX 表示画素
Rpx 画素形成領域
EM11〜EM13、EM21〜EM22、EM31〜EM32 有機化合物含有液
FL21〜FL22、FL31〜FL32 薄膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Display panel 11 Insulating substrate 13a, 13b Insulating film 14 Pixel electrode 15 Organic EL layer 15a Hole transport layer 15b Electron transport light emitting layer 16 Counter electrode 17 Bank PIX Display pixel Rpx Pixel formation area EM11-EM13, EM21-EM22, EM31-EM32 Organic compound-containing liquid FL21-FL22, FL31-FL32 thin film

Claims (2)

担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素が配列された表示パネルを備えた表示装置の製造方法において、
基板上の隔壁に囲まれた前記表示画素の形成領域に、ノズルプリンティング法によって担体輸送性材料を含む有機溶液を連続した液流状にして複数回塗布する際に、各塗布後に、それぞれ塗布された前記有機溶液を加熱乾燥し、且つ最終回に塗布される前記有機溶液の量を、それ以前の各回に塗布される前記有機溶液の量よりも少なくするように設定し、前記有機溶液を前記隔壁に接するように前記表示画素の形成領域に塗布した後、最終回に前記担体輸送性材料と同じ材料を含む有機溶液を、それ以前の回に塗布される前記有機溶液による担体輸送層の被覆領域よりも小さくなるように前記表示画素の形成領域に塗布して前記担体輸送層を形成する担体輸送層形成工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
In a method for manufacturing a display device including a display panel in which a plurality of display pixels including a light emitting element having a carrier transport layer is arranged,
When an organic solution containing a carrier transporting material is applied in a continuous liquid flow multiple times by the nozzle printing method to the display pixel formation region surrounded by the partition on the substrate, it is applied after each application. The organic solution is dried by heating, and the amount of the organic solution applied in the final round is set to be smaller than the amount of the organic solution applied in each previous round, and the organic solution is After applying to the formation region of the display pixel so as to be in contact with the partition, an organic solution containing the same material as the carrier transporting material is coated in the last round, and the carrier transport layer is coated with the organic solution applied in the previous round. A method for manufacturing a display device, comprising: a carrier transport layer forming step of forming the carrier transport layer by applying to the display pixel formation region so as to be smaller than the region.
各回における前記有機溶液を排出するノズルの単位時間の前記有機溶液の排出量を同じに設定し、前記表示画素の形成領域上をノズルが走査するように前記ノズルの走査速度或いは前記基板が載置されているステージの走査速度を、1回目の塗布より2回目以降早くするように設定することを特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。
The discharge rate of the organic solution per unit time of the nozzle that discharges the organic solution at each time is set to be the same, and the scanning speed of the nozzle or the substrate is placed so that the nozzle scans the display pixel formation region. 2. The method of manufacturing a display device according to claim 1, wherein the scanning speed of the stage being set is set to be faster after the second application than the first application.
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