JP4504070B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 - Google Patents
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フルオロアルキル基を含有する有機ケイ素化合物が撥水性を有することから
この電子ブロック層の上に形成される発光層の溶媒の影響を防ぐ効果が高く、なおかつ電気陰性度が大きいことから、発光層へ注入された電子が正孔注入層等へ通過するのを阻害する作用がより大きい。
また、フルオロアルキル基を含有する有機ケイ素化合物が撥水性を有することからこの電子ブロック層の上に形成される発光層の溶媒の影響を防ぐ効果が高く、なおかつ電気陰性度が大きいことから、発光層へ注入された電子が正孔注入層等へ通過するのを阻害する作用がより大きい。
本発明に係る有機EL素子用材料は、有機EL素子内の電子ブロック層を形成するための材料であって、少なくとも硬化後にはSiO結合を有する有機ケイ素化合物であることを特徴とする。なお、電子ブロック層は有機EL素子内の電子が通過する有機材料層の界面に存在して電子が通過することを阻止する層をいう。
次に、本発明の有機EL素子およびその製造方法について詳しく説明する。
本発明に係る有機EL素子は、基板上に少なくとも陽極と有機材料を含む発光層と陰極が設けられた有機エレクトロルミネセンス素子であって、発光層と陽極の間にのみ、SiO結合を有する有機ケイ素化合物の硬化物を含む電子ブロック層が形成されていることを特徴とする。
本発明の有機EL素子8は、図1に示すように、陽極2が形成された基板1と陰極6が形成された基板7との間に、正孔注入層3と発光層5から成る有機層が設けられたものであり、発光層5と陽極2の間であって正孔注入層3と発光層5の間にSiO結合を有する有機ケイ素化合物の硬化物を含む電子ブロック層4が形成されている。
本発明の有機EL素子に用いられる電子ブロック層4は、発光層と陽極の間に存在して、発光層へ注入された電子が他の有機層へ通過することを阻止し、発光層での正孔と電子の再結合効率を上げる機能を有するものである。電子ブロック層4は、有機EL素子の層構成により適宜異なるが、図1のような層構成の場合には発光層と正孔注入層の間、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極のような層構成の場合には発光層と正孔輸送層の間等、通常、好ましくは発光層の陽極側の界面に設けられる。但し、電子ブロック層と発光層の間に他の機能層が含まれても良い。
発光層の両側に配置される基板1,7は、本発明の有機EL素子8の支持体になるものであり、例えばフレキシブルな材質であっても、硬質な材質であってもよい。具体的に用いることができる材料としては、例えば、ガラス、石英、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメタクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエステル、ポリカーボネート等を挙げることができる。発光層5で発光した光が基板1側を透過して取り出される場合においては、少なくともその基板1が透明な材質である必要があるが、光が基板7側を透過して取り出される場合においては、少なくともその基板7が透明な材質である必要がある。これらのうち、合成樹脂製の基板を使用する場合には、ガスバリア性を有することが望ましい。各基板1,7の厚さは特に限定されないが、通常、0.5〜2.0mm程度である。
陽極2および陰極6は、発光層5で発光した光の取り出し方向により、どちらの電極2,6に透明性が要求されるか否かが異なり、基板1側から光を取り出す場合には陽極2を透明な材料で形成する必要があり、また基板7側から光を取り出す場合には陰極6を透明な材料で形成する必要がある。
発光層5は、図1に示すように、陽極2が形成された基板1と陰極6が形成された基板7との間に、発光材料により形成される。
正孔注入層3は、図1に示すように、陽極2が形成された基板1と発光層5との間に形成されるが、電子ブロック層4を有する本発明においては、陽極2と電子ブロック層4の間に形成される。正孔注入層は、発光層に正孔を注入する機能を有するため、設けられることが好ましい。
本発明に係る有機EL素子は、電子ブロック層を有するため、発光層における正孔と電子の再結合効率が高くなり、輝度、発光効率、寿命特性等、素子特性が向上した有機EL素子である。
本発明に係る有機EL素子の製造方法は、基板上に陽極を形成する工程と、少なくとも硬化後にはSiO結合を有する有機ケイ素化合物を用いて電子ブロック層を形成する工程と、非水系溶媒を用いた湿式コーティングにより発光層を形成する工程と、陰極を形成する工程を含むことを特徴とする。
電子ブロック層、発光層以外は、通常の有機EL素子の製造方法によることができる。
ソーダライムガラスから成る基板上にITO薄膜が形成されたITO基板(三容真空社製、膜厚:1500Å、シート抵抗:20Ω)を用いた。そのITO基板を中性洗剤にて、10分間超音波洗浄、純水シャワー、純水にて10分間超音波洗浄、純水中で窒素バブリング1分間、その後、130℃に加熱したホットプレート上で30分間乾燥させ、さらに、15分間UV/オゾン洗浄を行った。
比較例1の素子は、上記実施例1と同様に、洗浄方法にてITO基板を洗浄し、PEDOT:PSSを成膜し、その後、発光層、カルシウム、銀を成膜し、封止して作製した。
更に上記実施例1の作製方法にて、同様に発光層まで成膜し、更にもう1層陰極側にフルオロアルキルシラン層を成膜して、カルシウム、銀を成膜し、封止して実施例2の有機EL素子を作製した。
図2に電圧−電流特性を示す。実施例1は比較例1よりも電流特性は良好であった。そして、図3に輝度を示すが、実施例は明らかに比較例1よりも輝度が向上した。その結果、図4に見られるような発光効率の結果が得られた。これらの結果から、正孔注入層(PEDOT:PSS層)の上に炭素原子を有し且つ少なくとも硬化後にはSiO結合を有するケイ素化合物を含む層を成膜することによって、これが電子ブロック層として機能し、輝度、効率向上につながったことが明らかになった。
2…陽極
3…正孔注入層
4…中間層
5…発光層
6…陰極
8…有機EL素子
Claims (10)
- 有機EL素子内の電子ブロック層を形成するための材料であって、少なくとも硬化後にはSiO結合を有する、フルオロアルキル基を含有する有機ケイ素化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子用材料。
- YnSiX4−n(Yはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、または、エポキシ基であり、Yは少なくとも1つはフルオロアルキル基である。Xはハロゲン、メトキシル基、エトキシル基、または、アセチル基である。n=1〜3である。)で表される有機ケイ素化合物からなる、請求項1に記載の有機エレクトロルミネセンス素子用材料。
- 基板上に少なくとも陽極と有機材料を含む発光層と陰極が設けられた有機エレクトロルミネセンス素子であって、発光層と陽極の間にのみ、フルオロアルキル基を含有する有機ケイ素化合物の硬化物を含み、当該有機ケイ素化合物の硬化物がSiO結合を有する電子ブロック層が形成されていることを特徴とする有機エレクロルミネッセンス素子。
- 前記電子ブロック層の材料が、YnSiX4−n(Yはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、または、エポキシ基であり、Yは少なくとも1つはフルオロアルキル基である。Xはハロゲン、メトキシル基、エトキシル基、または、アセチル基である。n=1〜3である。)で表される有機ケイ素化合物を含むことを特徴とする請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記電子ブロック層の厚さが0.5nm以上、200nm以下であることを特徴とする請求項3又は4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記電子ブロック層の最表面の水に対する接触角が80度以上130度以下であることを特徴とする請求項3乃至5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層の材料が、蛍光発光または燐光発光する高分子化合物または蛍光発光または燐光発光する低分子化合物を含む高分子化合物であることを特徴とする請求項3乃至6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネセンス素子。
- 前記電子ブロック層は、湿式コーティングまたはドライプロセスにより形成されたこと特徴とする請求項3乃至7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 基板上に陽極を形成する工程と、少なくとも硬化後にはSiO結合を有する、フルオロアルキル基を含有する有機ケイ素化合物を用いて電子ブロック層を形成する工程と、非水系溶媒を用いた湿式コーティングにより発光層を形成する工程と、陰極を形成する工程を含むことを特徴とする有機エレクロルミネッセンス素子の製造方法。
- アルコール系溶媒を用いた湿式コーティングにより前記電子ブロック層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項9に記載の有機エレクロルミネッセンス素子の製造方法。
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