JP4503560B2 - 光送受信モジュール用パッケージ - Google Patents

光送受信モジュール用パッケージ Download PDF

Info

Publication number
JP4503560B2
JP4503560B2 JP2006180183A JP2006180183A JP4503560B2 JP 4503560 B2 JP4503560 B2 JP 4503560B2 JP 2006180183 A JP2006180183 A JP 2006180183A JP 2006180183 A JP2006180183 A JP 2006180183A JP 4503560 B2 JP4503560 B2 JP 4503560B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
metal mount
transceiver module
lead wires
optical transceiver
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006180183A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007150241A (ja
Inventor
キム、スン、イル
ムン、ジョン、タエ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI
Original Assignee
Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI filed Critical Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI
Publication of JP2007150241A publication Critical patent/JP2007150241A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4503560B2 publication Critical patent/JP4503560B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/25Arrangements specific to fibre transmission
    • H04B10/2589Bidirectional transmission
    • H04B10/25891Transmission components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

本発明は、光半導体素子用パッケージに関し、特に、モノリシック集積型双方向光送受信モジュールのための高密度小型パッケージに関する。
マルチメディア型高速インターネット、映像会議、IPテレフォニー、注文型ビデオ、インターネットゲーム、在宅勤務、電子商取り引き、遠隔教育、遠隔医療等、新しいサービスが現実化されてきており、バックボーン・ネットワークの転送容量は、非常に増加したのに対し、加入者ネットワークにおける転送容量の変化はほとんどないのが現状である。これは、加入者ネットワークが多様なマルチメディア型サービスを提供するにあたって、加入者とバックボーン・ネットワークとの間にボトルネック現象が発生し得ることを意味する。現在、最も広く使われている加入者ネットワークソリューションであるxDSL(x Digital Subscriber Line)やケーブルモデムネットワークも、前述のようなサービスの提供が不可能である。従って、低価で且つ簡単なネットワーク構造を有し、拡張性に優れていて、データ、音声、ビデオサービスを総て受け入れることができる新しい技術が求められている。
最近、新しい加入者ネットワーク技術として、Ethernet(登録商標) PON(Passive Optical Network)技術が注目されている。PON技術には、主として、ATM PON及びEthernet PON(E−PON)が挙げられ、ATM PONは、IP Data、Video、そして10/100Mbps Ethernetのような高速のサービスを統合して、低価で且つ迅速に提供するために開発された。しかしながら、ATM−PON標準は、ビデオ転送能力が不足しており、不充分な帯域幅を有し、また、複雑度や費用的な面から加入者ネットワークに適さないため、高速イーサネット、ギガビットイーサネット等の技術が発展させられつつ、1.25Gbpsの帯域幅を有するEthernet PON技術が開発され始めた。
Ethernet PON用のモノリシック集積型双方向光送受信モジュールは、半導体の単一チップ上に光信号受信用光電素子(Photodetector)と、光信号転送用電光素子(Laser Diode)と、電光素子の動作をモニタリングするためのモニタ光電素子(MonitorPhotodetector)と、電子素子と、パッケージ部品とにより構成される。モノリシック集積型双方向光送受信モジュールは、光電素子により光信号から電子信号に変換された信号が、モジュールに装着された電子素子に入力され、増幅及び変調され、また、電子素子に入力された電気信号を電光素子を介して光信号に変換し、光ファイバに転送することを目的とする。従って、モノリシック集積型双方向光送受信モジュール用パッケージでは、リードフレームの数が増加するようになり、モジュールの小型化を図るためには、直径4.6mm又は直径5.6mmサイズの小型TO−CANパッケージの信号線の高密度化が必ず要求される。
従来の光送信モジュール用TO−CANパッケージを図1a及び図1bに示した。図1a及び図1bに示すように、従来のTO−CANパッケージは、ステム(Stem)113を用いて構成される。ステム113を貫通するように、一対のフォトダイオード用リード端子105と信号供給用リード端子112とがガラス材料106によって絶縁されて設けられる。また、ステム113の上面には、サブマウント102及び半導体レーザ103が搭載される金属マウント901が信号供給用リード端子112に隣接するように設けられ、上記上面の溝部分の底部109には、他のサブマウント108とモニタ用フォトダイオード107とが設けられる。ここで、モニタ用フォトダイオード107は、半導体レーザ103の射出面の反対側の端面から射出されるレーザ光が入力される位置に設けられる。図1aにおいて、参照符号114は、接地用リード端子を示す。
前述した従来の光送信モジュールは、TO−CANパッケージ用ステム113を使用し、マウント901の一側面に位置するサブマウント102を用いて半導体レーザ103を搭載し、溝部分の底部109に他のサブマウント108を用いてモニタ用フォトダイオード107を搭載し、これら半導体レーザ103又はフォトダイオード107と各リード端子との間をワイヤ104、110、111により接続して構成される。
図2a及び図2bは、従来の他の光送信モジュール用TO−CANパッケージを示す。図2a及び図2bのTO−CANパッケージは、高周波特性を良好にするために、新しいマウント101を使用することを除いて、図1a及び図1bを参照して説明した従来のTO−CANパッケージの構成と同様である。従って、図2a及び図2bでは、図1a及び図1bの参照符号と同じ参照符号を付けて示した。図2a及び図2bにおいて、マウント101は、電気伝導性及び熱伝導性に優れた金属で設計され、半導体レーザ103が設けられる側面101bと、信号供給用リード端子112を取り囲む円周面101aとを備える。また、上記側面101b上には、サブマウント102を用いて半導体レーザ103が装着される。また、マウント101は、半導体レーザ103がステム113上面の上方ほぼ中央部に位置すると同時に、円周面101aと信号供給用リード端子112とがほぼ同軸になるように、ステム113の上面に配置される。前述したTO−CANパッケージにおいて、マウント101の円周面101aは、信号供給用リード端子112が挿入される貫通孔とほぼ同じ直径を有するように設けられている。
しかし、前述した従来の技術は、光半導体レーザのためのTO−CANパッケージ又は光半導体フォトダイオードのためのTO−CANパッケージの開発を目的とする。即ち、光半導体レーザ又はフォトダイオードだけのためのTO−CANパッケージは、一般的に、1個又は2個の高速信号リード線と、1個のDC信号リード線と、1個の接地リード線とにより構成されるので、直径4.6mm又は直径5.6mmのステム上に形成される信号線の集積度が非常に低いという短所がある。従って、前述したTO−CANパッケージは、モノリシック集積型双方向光送受信モジュールに適用することが難しいため、新しいTO−CANパッケージが要求されている。
言い換えれば、モノリシック集積型双方向光送受信モジュールは、光半導体フォトダイオードで光電変換された信号を一次増幅するためのトランスインピーダンス増幅器チップと、光半導体レーザ、モニタフォトダイオード及び光半導体フォトダイオードにより構成された単一光半導体チップと、から構成される。従って、そのために、パッケージは、少なくとも1個の光半導体レーザ高速信号転送用リード線、1個のモニタフォトダイオードリード線、2個のトランスインピーダンス増幅器高速信号転送リード線、1個のトランスインピーダンス増幅器DC信号リード線、及び、光半導体レーザと光半導体フォトダイオードとの間の信号干渉を制御するための4個の接地リード線等、全部で9個の信号リード線が必要である。さらに、単一の光半導体チップには、必要に応じて、光増幅器が追加され得るが、この場合、1個の光増幅器信号リード線が追加され、トランスインピーダンス増幅器の動作性能点検のための信号リード線が1個追加され得る。前述した場合、全部で11個の信号リード線が必ず必要である。
しかし、従来の技術は、図1a及び図1b並びに図2a及び図2bから分かるように、ステム113上に形成された金属マウント901又は101の上面と一方の側面だけを使用するので、同じパッケージサイズ、例えば、直径4.6mm又は直径5.6mmにおいて4個又は5個のリード線しか装着することができないという限界がある。
大韓民国特許公報10−0526504号 米国特許公報US6,885,487B2号 日本公開特許公報 特開2004−294513号 日本公開特許公報 特開2004−363550号 日本公開特許公報 特開2004−311923号
本発明の目的は、Ethernet PON技術を実現するために開発されているモノリシック集積型双方向光送受信モジュールを小型化するための高密度パッケージを提供することにある。即ち、本発明の目的は、同じサイズのパッケージにおいて信号集積度を大きく増加させることができる光送受信モジュール用パッケージを提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る光送受信モジュール用パッケージは、貫通孔を有するステムと、該ステムの上面に位置する金属マウントと、該金属マウントに装着される信号線と、上記ステムの下面に突設され、上記貫通孔を介して上記金属マウントに装着された光素子に電気的に連結される複数のリード線と、を備えることを特徴とする。
好ましくは、上記信号線は、上記金属マウントを貫通し、絶縁体により上記金属マウントと絶縁される。
上記信号線は、別途に製作され、上記金属マウントの溝に装着される。
上記複数のリード線は、上記金属マウントの最も広い面と平行に延在する。
上記複数のリード線のうち一つのリード線は、高速信号転送時、所望のインピーダンス整合をとれるように、上記金属マウントを貫通して装着される。
上記複数のリード線のうち一つのリード線の末端部は、高速信号転送時、所望のインピーダンス整合をとれるように、上記金属マウントの上記一面に露出される。
上記複数のリード線は、同じ特性を有するリード線群として統合処理される。
上記光素子は、光信号転送のための電光素子と、上記電光素子の動作をモニタリングするためのモニタ光電素子、及び、上記光信号受信のための光電素子を、モノリシック集積化した双方向半導体素子と、を備える。
上記金属マウントには、上記光電素子により変換された電子信号を増幅及び変調するためのトランスインピーダンス増幅器が装着される。
本発明は、ステム上に形成された金属マウントの上面及び下面の両方にリード線を形成できるので、同じサイズのパッケージにおいて信号密集度を2倍以上増加させることができる。言い換えれば、本発明では、1.25Gbps級のEthernet PON用のモノリシック集積型双方向モジュールを小型化するために、直径4.6mm又は直径5.6mmサイズのTO−CANパッケージの信号線の密度を増加させることができるという利点がある。
以下、添付の図面を参照して、本発明の好適な実施の形態を詳細に説明する。下記の実施の形態は、当業者に本発明の思想が十分に伝達され得るようにするために一例として提示されるものである。従って、本発明は、下記の実施の形態に限らず、様々な変形が可能である。尚、本明細書において、同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。また、本発明の要旨を不明確にする公知の機能及び構成についての詳細な説明は省略する。
図3aは、本発明の第1の実施の形態に係る光送受信モジュール用パッケージを示す斜視図である。図3bは、図3aの光送受信モジュール用パッケージを反対側から見た斜視図である。
図3a及び図3bを参照すると、本実施の形態に係る光送受信モジュール用パッケージは、ステム(stem)213、金属マウント201、信号線204(以下、他の信号線又はリード線との区別のために連結信号線という。)、及び、複数のリード線206、207、207a、208、209を備える。
ステム213は、TO−CANパッケージを構成する部品であって、その上面と下面とを貫通する貫通孔を有する。貫通孔は、円形や楕円形等の断面を有するように形成され得る。また、ステム213は、キャップ又は光ファイバケーブル(図示せず)との結合のために、その上面に段差部213aを有する。
金属マウント201は、耐久性及び熱伝導率に優れた金属又は合金からなり、ステム213の上面に装着される。金属マウント201の一面上には、高周波信号等の電子信号を光信号に変換して射出する電光素子(Laser Diode)と、電光素子の動作をモニタリングするためのモニタ光電素子(Monitor Photodetector)と、光信号を受信し、受信した光信号を電子信号に変換する光電素子(Photodetector)とが装着される。本実施の形態において、電光素子、モニタ光電素子及び光電素子としては、これらがモノリシック集積された双方向半導体素子202を利用する。そして、上記一面は、ステム213の上面と略直交する最も広い面であり、且つ、光素子202が装着される面である。
また、金属マウント201の一面及び上記一面と対向する他面上には、光電素子により変換された電子信号を増幅及び変調するトランスインピーダンス増幅器203と、トランスインピーダンス前置増幅器203の雑音を除去するためのキャパシタ205aと、DC安定のためのノイズ除去用キャパシタ205bとが装着される。一方、金属マウント201の一面又は他面上には、必要に応じて、インピーダンスマッチング抵抗及びキャパシタが追加的に装着され得る。図3a及び図3bにおいて、参照符号202a、202b、202cは、モノリシック集積型双方向半導体素子202内の電光素子、モニタ光電素子及び光電素子を各々示す。
複数のリード線206、207、207a、208、209は、金属マウント201の一面及び他面とほぼ平行に延在するように装着される。また、複数のリード線206、207、207a、208、209は、ステム213の下面に突設され、且つ、ステムの貫通孔を介して延設され、ボンディングワイヤ210、211、212(以下、ワイヤともいう。)を介して、金属マウント201の一面上に装着される光素子に電気的に連結される。
上記複数のリード線のうち一つのリード線206は、高速信号転送のための目的インピーダンスを考慮して金属マウント201を貫通するように装着され、その末端部がステム213の上面に対応する側面と対向する他の側面に突出するように装着される。上記リード線206の末端部は、ワイヤ210を介して、金属マウント201の一面に位置する電光素子202aに連結される。
また、複数のリード線のうち二つのリード線207は、ワイヤ211を介してトランスインピーダンス増幅器203に連結される。トランスインピーダンス増幅器203は、他のワイヤを介して、光信号受信用光電素子202c、金属マウント201を貫通して装着される3個の連結信号線204のうち中間に位置する連結信号線の一端、及び、インピーダンス増幅器雑音除去用キャパシタ205aに連結される。そして、複数のリード線のうち他のリード線207aは、DC信号を転送し、ワイヤ211を介してインピーダンス増幅器雑音除去用コンデンサ205aに連結される。
また、複数のリード線のうち3個のリード線208は、ワイヤ212を介して3個の連結信号線204の他端に各々連結され、この3個のリード線208のうち一つは、DC安定のためのノイズ除去用コンデンサ205bを経て3個の連結信号線204のうち中間の連結信号線の他端に連結され、この3個のリード線208のうち他の一つは、連結信号線204を介して金属マウント201の一面に装着されたモニタ光電素子202bに電気的に連結される。そして、複数のリード線のうち残余の4個のリード線209は、電光素子と光電素子との間の信号干渉を制御するための接地用リード線であり、ステム213の下面に突出するように装着される。上記接地用リード線を除いた各リード線は、ガラス絶縁体、セラミック絶縁体等の任意の絶縁体214によりステム213と絶縁される。また、同様に、連結信号線204は、ガラス絶縁体、セラミック絶縁体等の任意の絶縁体214により金属マウント201と絶縁される。
前述した各リード線は、同軸ケーブルインピーダンス整合により所望の特定インピーダンスを有するように設計される。例えば、各リード線は、ステム213の下面に突出する各リード線の大きさ及びそれらの間の間隔により目的インピーダンスを有するように設計される。さらに、本発明では、同じ特性を有するリード線を楕円形態に統合して処理することによって、信号集積度を増加させる。
図4aは、本発明の第2の実施の形態に係る光送受信モジュール用パッケージを示す斜視図である。図4bは、図4aの光送受信モジュール用パッケージを反対側から見た斜視図である。
図4a及び図4bを参照すると、本実施の形態に係る光送受信モジュール用パッケージは、第1の実施の形態の光送受信モジュール用パッケージと比較したとき、連結信号線を別途に製作して金属マウント201の溝201aに装着することを特徴とする。
言い換えれば、本実施の形態では、連結信号線を金属マウント201と同時に製作することなく、金属マウント201に“U”字形状の溝201aを形成した後、別途に製作される連結信号線ブロック204aを装着する方式を利用する。上記構成によれば、金属マウントに装着される連結信号線の製作が容易であり、従って、パッケージ製作工程が第1の実施の形態の場合より単純化できるという利点がある。
一方、金属マウントの溝201aは、上記形状以外に、“L”字形状等に適宜形成することができる。また、連結信号線は、円形断面を有するビアの内周面に塗布されたり充填された導体、又は、第1の実施の形態の連結信号線のように四角形の断面を有する導体により形成することができる。同様に、リード線は、四角形の断面を有する構成以外に、円形の断面等の他の断面を有するように形成してもよい。
図5は、本発明の第3の実施の形態に係る光送受信モジュール用パッケージを示す斜視図である。
図5を参照すると、本実施の形態に係る光送受信モジュール用パッケージは、第1の実施の形態の光送受信モジュール用パッケージと比較したとき、リード線206が金属マウント201を貫通して金属マウント201の一方の側面に露出されずに、その末端部206aが金属マウント201の一面上に露出されるように装着されることを特徴とする。ここで、一面は、モノリシック集積型双方向半導体素子202が装着される金属マウント201の一方の面を示す。
上記リード線206は、高速信号転送時、所望のインピーダンス整合を考慮して設計される。上記構成によれば、所望のインピーダンスを考慮して、上記リード線206を金属マウント201を貫通して設計したり、金属マウント201の一面に露出させることができるので、設計自由度が増加する。
一方、本実施の形態に係る光送受信モジュール用パッケージは、第2の実施の形態の連結信号線ブロックと同様に、金属マウント201の溝(図示せず)に別途に製作された連結信号線ブロックが装着されるように具現化され得る。
以上において説明した本発明は、本発明が属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形及び変更が可能であるので、上述した実施の形態及び添付された図面に限定されるものではない。
従来の光送信モジュール用TO−CANパッケージを示す図である。 従来の光送信モジュール用TO−CANパッケージを示す図である。 従来の他の光送信モジュール用TO−CANパッケージを示す図である。 従来の他の光送信モジュール用TO−CANパッケージを示す図である。 本発明の第1の実施の形態に係る光送受信モジュール用パッケージを示す斜視図である。 図3aの光送受信モジュール用パッケージを反対側から見た斜視図である。 本発明の第2の実施の形態に係る光送受信モジュール用パッケージを示す斜視図である。 図4aの光送受信モジュール用パッケージを反対側から見た斜視図である。 本発明の第3の実施の形態に係る光送受信モジュール用パッケージを示す斜視図である。
符号の説明
201 金属マウント
202 モノリシック集積型双方向半導体素子
204 信号線
204a 信号線ブロック
206、207、207a、208、209 リード線
213 ステム(stem)

Claims (9)

  1. 貫通孔を有するステムと、
    前記ステムの上面に位置する金属マウントと、
    前記金属マウントを貫通して絶縁体によって前記金属マウントと絶縁される連結信号線と、
    前記ステムの下面に突設され、前記貫通孔を介して前記金属マウントに装着された光素子に電気的に連結される複数のリード線と、を備え
    前記複数のリード線のうち、少なくとも1つは前記連結信号線によって前記光素子に電気的に連結されることを特徴とする光送受信モジュール用パッケージ。
  2. 前記連結信号線は、別途の連結信号線ブロックに製作され、前記連結信号線ブロックは、前記金属マウントの溝に装着されることを特徴とする請求項1に記載の光送受信モジュール用パッケージ。
  3. 前記複数のリード線は、前記金属マウントの最も広い面と平行に延在することを特徴とする請求項1または2に記載の光送受信モジュール用パッケージ。
  4. 前記複数のリード線のうち一つのリード線は、高速信号転送時、所望のインピーダンス整合をとれるように、前記金属マウントを貫通することを特徴とする請求項に記載の光送受信モジュール用パッケージ。
  5. 前記複数のリード線のうち一つのリード線の末端部は、高速信号転送時、所望のインピーダンス整合をとれるように、前記金属マウントの前記一面に露出されることを特徴とする請求項に記載の光送受信モジュール用パッケージ。
  6. 前記複数のリード線は、同じ特性を有するリード線群として統合処理されることを特徴とする請求項に記載の光送受信モジュール用パッケージ。
  7. 前記光素子は、光信号転送のための電光素子と、前記電光素子の動作をモニタリングするためのモニタ光電素子、及び、前記光信号受信のための光電素子を、モノリシック集積化した双方向半導体素子と、を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の光送受信モジュール用パッケージ。
  8. 前記金属マウントには、前記光電素子により変換された電子信号を増幅及び変調するためのトランスインピーダンス増幅器が装着されることを特徴とする請求項7に記載の光送
    受信モジュール用パッケージ。
  9. 前記金属マウントは、対向する2つの面を持ち、
    前記複数のリード線のうち、一部は前記貫通孔を介して前記光素子が装着された前記金属マウントの一面に延長され、
    前記複数のリード線のうち、他の一部は前記貫通孔を介して前記光素子が装着された前記金属マウントの一面と異なる一面に延長され、
    前記光素子が装着された一面と異なる一面に延長された一部のリード線は、前記連結信号線によって前記光素子に電気的に連結されることを特徴とする請求項1に記載の光送受信モジュール用パッケージ。
JP2006180183A 2005-11-24 2006-06-29 光送受信モジュール用パッケージ Expired - Fee Related JP4503560B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050113006A KR100696192B1 (ko) 2005-11-24 2005-11-24 광송수신 모듈용 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007150241A JP2007150241A (ja) 2007-06-14
JP4503560B2 true JP4503560B2 (ja) 2010-07-14

Family

ID=38053664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006180183A Expired - Fee Related JP4503560B2 (ja) 2005-11-24 2006-06-29 光送受信モジュール用パッケージ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20070116472A1 (ja)
JP (1) JP4503560B2 (ja)
KR (1) KR100696192B1 (ja)
CN (1) CN100546029C (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100696205B1 (ko) * 2005-08-26 2007-03-20 한국전자통신연구원 광 모듈 및 광 모듈 패키지
US20080097718A1 (en) * 2006-10-20 2008-04-24 General Electric Company Interfacing apparatus and method for mounting sensors on the same
JP6715601B2 (ja) * 2016-01-08 2020-07-01 新光電気工業株式会社 光半導体素子用パッケージ
JP6651868B2 (ja) * 2016-01-26 2020-02-19 住友電気工業株式会社 光受信モジュール
US10295768B2 (en) * 2016-07-08 2019-05-21 Finisar Corporation Chip on leadframe optical subassembly
US10073229B2 (en) * 2016-10-26 2018-09-11 Applied Optoelectronics, Inc. Transmitter optical subassembly (TOSA) module with integrated welding member for use in optical transmitters or transceivers
CN112835150A (zh) * 2019-11-22 2021-05-25 佑胜光电股份有限公司 光发射组件、光学收发模块及光纤缆线模块
CN111025492B (zh) * 2019-11-22 2021-06-15 国网河南省电力公司平顶山供电公司 一种电力设备用耦合器安装结构
CN111969397B (zh) * 2020-08-17 2023-10-24 索尔思光电股份有限公司 一种包边封装的tosa及光模块
JP7437278B2 (ja) * 2020-09-25 2024-02-22 CIG Photonics Japan株式会社 光モジュール
WO2023248409A1 (ja) * 2022-06-23 2023-12-28 三菱電機株式会社 受光モジュール及びその製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09139512A (ja) * 1995-11-13 1997-05-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送受信モジュ−ル
JP2003142766A (ja) * 2001-09-06 2003-05-16 Finisar Corp 組込み式温度制御部付きコンパクトレーザーパッケージ
JP2004342882A (ja) * 2003-05-16 2004-12-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ステム
JP2004363360A (ja) * 2003-06-05 2004-12-24 Mitsubishi Electric Corp 光送受信モジュール
JP2005260220A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Alcatel モノリシック集積光トリプレクサおよびその作成方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09186390A (ja) * 1995-12-28 1997-07-15 Fuji Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
KR100403811B1 (ko) * 2001-05-15 2003-10-30 삼성전자주식회사 광모듈
US7073953B2 (en) * 2001-08-31 2006-07-11 Amphenol Corporation Modular fiber optic connection system
TW564601B (en) * 2002-03-26 2003-12-01 Ind Tech Res Inst Packaging of optical transmission module
KR100444233B1 (ko) * 2002-06-18 2004-08-16 삼성전기주식회사 서브마운트 일체형 포토다이오드 및 이를 이용한 레이져다이오드 패키지
KR20030018024A (ko) * 2003-01-18 2003-03-04 (주) 파이오닉스 광 전송 장치 및 방법
KR100526504B1 (ko) * 2003-06-04 2005-11-08 삼성전자주식회사 광소자 모듈 패키지 및 그 제조 방법
KR100575950B1 (ko) * 2003-06-20 2006-05-02 삼성전자주식회사 티오 캔 구조의 광수신 모듈
US7463659B2 (en) * 2003-07-09 2008-12-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Can-type optical transmitting module utilizing a laser diode with impedance matching resistors
US6992250B2 (en) * 2004-02-26 2006-01-31 Kyocera Corporation Electronic component housing package and electronic apparatus

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09139512A (ja) * 1995-11-13 1997-05-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送受信モジュ−ル
JP2003142766A (ja) * 2001-09-06 2003-05-16 Finisar Corp 組込み式温度制御部付きコンパクトレーザーパッケージ
JP2004342882A (ja) * 2003-05-16 2004-12-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ステム
JP2004363360A (ja) * 2003-06-05 2004-12-24 Mitsubishi Electric Corp 光送受信モジュール
JP2005260220A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Alcatel モノリシック集積光トリプレクサおよびその作成方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100696192B1 (ko) 2007-03-20
CN100546029C (zh) 2009-09-30
CN1971909A (zh) 2007-05-30
JP2007150241A (ja) 2007-06-14
US20070116472A1 (en) 2007-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4503560B2 (ja) 光送受信モジュール用パッケージ
US9614620B2 (en) Coaxial transmitter optical subassembly (TOSA) with cuboid type to laser package and optical transceiver including same
JP5625918B2 (ja) 光受信装置および光送信装置
JP4036008B2 (ja) パラレル送受信モジュール
US10989870B2 (en) Transmitter optical subassembly with hermetically-sealed light engine and external arrayed waveguide grating
US8160451B2 (en) Optical network unit transceiver module with arrayed I/O video contacts
US9876576B2 (en) Layered coaxial transmitter optical subassemblies with support bridge therebetween
JP3937911B2 (ja) 光送受信モジュール及びこれを用いた光通信システム
US9977200B2 (en) Optical component assembly with a vertical mounting structure for multi-angle light path alignment and an optical subassembly using the same
KR101871799B1 (ko) 송신용 광 모듈
WO2009090988A1 (ja) 光モジュール
CN109075874A (zh) 晶体管外形(to)封装光收发器
US6522673B1 (en) Method and apparatus for optical transmission
JP2010122312A (ja) 送受信レンズブロック及びそれを用いた光モジュール
US10230471B2 (en) Coaxial transmitter optical subassembly (TOSA) with cuboid type to laser package and optical transceiver including same
US10884201B2 (en) Receptacle configuration to support on-board receiver optical subassembly (ROSA)
US6624507B1 (en) Miniature semiconductor package for opto-electronic devices
JP2010122311A (ja) レンズブロック及びそれを用いた光モジュール
US10197751B2 (en) Coaxial transmitter optical subassembly (TOSA) including ball lens
US6876682B2 (en) Light generating module
US10948671B2 (en) Transmitter optical subassembly (TOSA) with laser diode driver (LDD) circuitry mounted to feedthrough of TOSA housing
KR100883128B1 (ko) 광 하이브리드 모듈
CN109752804A (zh) 光模块构造体
US20050053380A1 (en) Optical transceiver for reducing crosstalk
WO2015012603A1 (ko) 초고속 통신용 광 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090806

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090811

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091110

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100326

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100421

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140430

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees