KR101871799B1 - 송신용 광 모듈 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 송신용 광 모듈에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 의한 송신용 광 모듈은 송신용 광 어셈블리 구조를 가지며, 광 신호를 발생하는 제 1 패키지, 상기 제 1 패키지와 칩투칩본딩(chip-to-chip bonding)에 의하여 결합되며, 실리카 광 회로 플랫폼 구조를 가지고, 상기 광 신호를 증폭하는 제 2 패키지 및 상기 제 1 패키지로부터 상기 제 2 패키지로 상기 광 신호의 전송 통로를 형성하는 광 도파로를 포함한다. 본 발명의 실시예에 따른 송신용 광 모듈은 고속 동작 및 고출력 특징을 가지면서도 초소형으로 제작될 수 있다. 따라서 가입자는 효율적으로 서비스를 전달받을 수 있다.

Description

송신용 광 모듈{TRANSMITTER OPTICAL MODULE}
본 발명은 송신용 광 모듈에 관한 것이다.
전화국의 기지국에서 서비스를 가입자에게 제공하기 위한 기술로서 TDM-PON(time domain multiplexing passive optical network) 시스템이 최근 표준화되고 있다. TDM-PON 시스템은 여러 명의 가입자가 하나의 송신용 광 모듈을 공유하여 전화국으로부터 데이터를 전달받는 방식이다. TDM-PON 시스템의 효율은 하나의 송신용 광 모듈이 광 분배기를 이용하여 얼마나 많은 분기수를 가질 수 있는지에 의하여 결정된다.
TDM-PON 시스템에서, 송신용 광 모듈의 분기수가 증가함에 따라 가입자에게 전달되는 정보량은 감소한다. 따라서 이를 보상하기 위하여 송신용 광 모듈은 높은 데이터 전송 속도와 출력을 가져야 한다. 예를 들어, 128분기 이상을 가지는 TDM-PON 시스템의 송신용 광 모듈은 10Gbps 이상의 전송 속도와 10dBm 이상의 출력을 요구한다.
이러한 고속동작 및 고출력 특성을 가지는 송신용 광 모듈을 구현하기 위해서는 광출력 모듈과 광증폭기 모듈이 결합되어야 한다. 그러나 두 모듈이 패키지되지 않고 외부에서 연결되는 구성을 취하면 송신용 광 모듈의 크기가 증가되는 문제점이 있다. 또한 두 모듈이 단일 집적(monolithic integratioin)되는 구성을 취하면 광출력 모듈과 광증폭기 모듈을 최적화시키는 공정이 매우 어려워 단일 집적 수율이 낮아지는 문제점이 있다.
본 발명은 고속 동작 및 고출력 특성을 가지는 송신용 광 모듈을 제공하는 데에 그 목적이 있다.
본 발명의 실시예에 따른 송신용 광 모듈은 광신호를 발생시키는 제 1 패키지, 상기 제 1 패키지와 칩투칩본딩(chip-to-chip bonding)에 의하여 결합되며, 실리콘 광 회로 플랫폼 구조를 가지고, 상기 광신호를 증폭하는 제 2 패키지 및 상기 제 1 패키지로부터 상기 제 2 패키지로 상기 광신호의 전송 통로를 형성하는 광 도파로를 포함한다.
실시예에 있어서, 상기 제 1 패키지는 제 1 실리콘 기판, 상기 제 1 실리콘 기판 위에 부착되며, 광신호를 출력하는 EML(electro absorption modulated laser) 칩, 상기 제 1 실리콘 기판 위에 부착되며, 상기 EML 칩으로부터 출력된 광신호를 모니터링하는 모니터 포토 다이오드, 상기 제 1 실리콘 기판 위에 부착되며, 상기 EML 칩으로 RF 신호를 전달하는 RF 전송선로 및 상기 제 1 실리콘 기판 위에 부착되며, 상기 RF 전송선로를 터미네이션하는 매칭 저항을 포함한다.
실시예에 있어서, 상기 제 2 패키지는 제 2 실리콘 기판 및 상기 제 1 패키지로부터 광신호를 전달받아 증폭시키는 반도체 광증폭기를 포함한다.
실시예에 있어서, 상기 광도파로는 상기 제 2 실리콘 기판 위에 부착되며, 상기 EML 칩으로부터 출력된 광신호를 입력받는 입출력 광도파로를 포함한다.
실시예에 있어서, 상기 입출력 광도파로는 상기 반도체 광증폭기에 대하여 일직선상에서 기울어져 형성된다.
실시예에 있어서, 상기 입출력 광도파로는 상기 입출력 광도파로에서 출력되는 광신호의 방사각을 조절하는 광모드 크기 변환기를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 송신용 광 모듈은 고속 동작 및 고출력 특징을 가진다. 또한 초소형으로 제작이 가능하다. 따라서 가입자는 효율적으로 서비스를 전달받을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 송신용 광 모듈의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 송신용 광 모듈을 도시하는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제 3의 실시예에 의한 송신용 광 모듈을 도시하는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제 4의 실시예에 의한 송신용 광 모듈을 도시하는 단면도이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 또한 이하에서 사용되는 용어들은 오직 본 발명을 설명하기 위하여 사용된 것이며 본 발명의 범위를 한정하기 위해 사용된 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 송신용 광 모듈의 평면도이다. 도 1을 참조하면, 송신용 광 모듈(100)은 제 1 패키지(110) 및 제 2 패키지(120)를 포함한다.
제 1 패키지(110)는 광출력 모듈이다. 제 1 패키지(110)는 송신용 광 서브 어셈블리(transmitter optical subassembly, TOSA) 구조로 제작될 수 있다. 제 1 패키지(110)는 제 1 실리콘 기판(111), EML(전계 흡수형 변조기 집적 레이저, electro absorption modulated laser) 칩(112), 모니터 포토 다이오드(monitor photo diode, MPD)(113), RF(radio frequency) 전송선로(114) 및 매칭 저항(115)을 포함한다.
제 1 실리콘 기판(111)은 1mm의 두께를 가진다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 제 1 실리콘 기판(111) 상부에는 접지(ground) 기능을 수행하는 금속이 증착된다. 제 1 실리콘 기판(111)의 상부에 증착되는 금속은 Cr/Ni/Au 다층막 또는 Ti/Pt/Au 다층막 등이 될 수 있다. 제 1 실리콘 기판(111)은 높은 열전도 특성(thermal conductivity)을 가진다. 따라서 제 1 실리콘 기판(111)은 EML 칩(112)으로부터 발생한 열을 효과적으로 방출한다.
EML 칩(112)은 제 1 실리콘 기판(111) 상부의 금속 위에 결합된다. EML 칩(112)은 실버 에폭시(silver epoxy) 또는 솔더 페이스트(solder paste)를 이용하여 제 1 실리콘 기판(111)과 다이본딩(die bonding)될 수 있다. 또는, EML 칩(112)은 AuSn 솔더(solder)를 이용하여 제 1 실리콘 기판(111)과 플립칩본딩(flip chip bonding)될 수 있다. EML 칩(112)은 칩의 p면이 위를 향하도록 제 1 실리콘 기판(111)과 결합될 수 있다.
EML 칩(112)은 광원(112a), EAM(electro absorption modulator)(112b) 및 출력부 도파로(112c)를 포함한다.
광원(112a)은 광신호를 발생시킨다. 광원(112a)에서 발생되는 광신호는 연속파(continuous wave, CW)이다. 광원(112a)은 DFB-LD(distributed feedback laser diode)일 수 있다. 광원(112a)에서 발생된 광신호는 EAM(112b)에서 RF 신호에 의해 변조된다. EAM(112b)에서 변조된 광신호는 출력부 도파로(112c)로 전달된다.
출력부 도파로(112c)는 전달받은 광신호를 제 1 패키지(110) 외부로 출력한다. 출력부 도파로(112c)는 광원(112a) 및 EAM(112b)과 일직선을 이루지 않고 특정 각도로 기울어질 수 있다. 또한 출력부 도파로(112c)는 무반사 코팅될 수 있다. 이를 통해 출력부 도파로(112c)는 출력된 광신호가 광원(112a)로 재반사되는 것을 방지한다. 본 실시예에서 출력부 도파로(112c)는 광원(112a)과 EAM(112b)이 이루는 직선에 대하여 7도 가량 기울어져 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
모니터 포토 다이오드(113)는 제 1 실리콘 기판(111) 상부의 접지 금속 위에 결합된다. 모니터 포토 다이오드(113)는 제 1 실리콘 기판(111)과 다이본딩(die bonding)될 수 있다.
모니터 포토 다이오드(113)는 EML 칩(112)의 후방에 위치된다. 모니터 포토 다이오드(113)는 EML 칩(112)의 광신호를 모니터링(monitoring)한다. 모니터 포토 다이오드(113)는 EML 칩(112)에 대하여 기울어지게 배치될 수 있다. 이를 통하여 모니터 포토 다이오드(113)는 EML 칩(112)의 광신호를 수광할 때 모니터 포토 다이오드(113) 수광면에서 반사된 광이 EML 칩(112)에 영향을 주지 않도록 한다.
제 1 RF 전송선로(114a) 및 제 2 RF 전송선로(114b)는 EML 칩(112)에 고주파 신호(RF 신호)를 전달한다. 제 1 RF 전송선로(114a) 및 제 2 RF 전송선로(114b)는 EML 칩(112)과 와이어 본딩(wire bonding)된다. 제 1 RF 전송선로(114a) 및 제 2 RF 전송선로(114b)는 GCPW(grounded coplanar waveguide) 전극이 형성된 FPCB(flexible printed circuit board)일 수 있다. FPCB는 세라믹 서브마운트(ceramic submount)보다 단가가 낮고 생산 공정이 용이하다. 또한 FPCB는 세라믹 서브마운트에 비해 유전율이 낮으므로 세라믹 서브마운트에 비해 높은 고주파 특성을 가진다.
매칭저항(115)은 제 1 RF 전송선로(114a) 및 제 2 RF 전송선로(114b)를 50Ω으로 터미네이션(termination)하는 역할을 한다. 매칭저항(115)은 SMD(surface mountable device) 형태를 가질 수 있다. SMD형 매칭저항은 박막형 매칭저항에 비해 단가가 낮고 생산 공정이 용이하다. 본 실시예의 SMD형 매칭저항(115)은 실버 에폭시(silver epoxy) 또는 솔더 페이스트(solder paste)를 이용하여 RF 전송선로(114)와 다이본딩(die bonding)된다.
제 2 패키지(120)는 광증폭기 모듈이다. 제 2 패키지(120)는 실리카 평면형 광파 회로 플팻폼(silica planar lightwave circuit platform) 구조를 가질 수 있다. 제 2 패키지(120)는 제 2 실리콘 기판(121), 반도체 광증폭기(semiconductor optical amplifier, SOA)(122) 및 입출력 광도파로(123)를 포함한다.
본 실시예에서 제 2 실리콘 기판(121)은 1mm의 두께를 가진다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 제 2 실리콘 기판(121) 상부에는 반도체 광증폭기(122)를 실장(mounting)하기 위한 트렌치(trench)가 형성된다. 트렌치 상부에는 UBM(under bump metallurgy) 전극이 형성된다. UBM 전극은 Cr/Ni/Au 다층막 또는 Ti/Pt/Au 다층막 등으로 구성될 수 있다. UBM 전극 상부에는 솔더필름(solder film)이 형성된다. 솔더 필름은 AuSn으로 구성될 수 있다. 본 실시예에서 솔더 필름의 두께는 2-4um이다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
반도체 광증폭기(122)는 솔더필름에 의하여 플립칩본딩(flip chip bonding)되는 것으로 제 2 실리콘 기판(121)과 결합된다. 반도체 광증폭기(122)의 한쪽 측면은 입출력 광도파로(123)와 광결합된다. 반도체 광증폭기(122)는 EML 칩(112)으로부터 출력되어 입출력 광도파로(123)를 통해 반도체 광증폭기(122)에 입력되는 광신호를 증폭시키는 역할을 한다. 반도체 광증폭기(122)의 반대쪽 측면은 증폭된 광신호를 제 2 패키지(120) 외부로 출력한다.
입출력 광도파로(123)는 하부 클래드(lower-clad), 코어(core) 및 상부 클래드(upper-clad)로 구성되는 실리카(silica) 광도파로일 수 있다. 입출력 광도파로(123)는 반도체 광증폭기(122)에 대하여 기울어지게 배치될 수 있다. 본 실시예에서 입출력 광도파로(123)는 반도체 광증폭기(122)에 대하여 7도 기울어져 배치된다. 이를 통해 입출력 광도파로(123)는 반도체 광증폭기(122)의 ASE(asynchronous spontaneous emission) 광의 반사의 영향을 감소시킨다. 또한 반도체 광증폭기(122) 내부에 형성되는 입출력 도파로(미도시)와 입출력 광도파로(123) 간의 광결합 손실을 줄이기 위하여 반도체 광증폭기(122) 내부의 입출력 도파로에 광모드 크기 변환기(spot size converter, SSC)가 형성될 수 있다. 광모드 크기 변환기는 각 도파로에서 출력되는 광신호의 방사각을 조절한다.
제 1 패키지(110)와 제 2 패키지(120)는 능동 광정렬 방식으로 칩투칩본딩(chip-to-chip bonding)된다. 제 1 패키지(110)의 제 1 실리콘 기판(111)의 한쪽 측면은 제 2 패키지(120)와 결합되기 위해 폴리싱(polishing)된다. 제 2 패키지(120)의 제 2 실리콘 기판(121)의 한쪽 측면 역시 제 1 패키지(121)과 결합되기 위해 폴리싱된다. 폴리싱 작업을 통해 제 1 실리콘 기판(111) 및 제 2 실리콘 기판(121)의 한쪽 측면은 작은 표면 거칠기를 가진다. 제 1 패키지(110)와 제 2 패키지(120) 사이의 칩투칩 본딩은 UV 에폭시(ultraviolet epoxy)에 의해 이루어질 수 있다. 작은 수축률을 가지는 UV 에폭시를 사용함으로써 칩투칩본딩의 틀어짐이 감소될 수 있다.
제 1 패키지(110)의 출력부 도파로(112c)와 제 2 패키지(120)의 입출력 광도파로(123)는 서로 광결합된다. 두 도파로 간의 광결합 손실을 줄이기 위하여 출력부 도파로(112c)에 광모드 크기 변환기(spot size converter, SSC)가 형성될 수 있다. 광모드 크기 변환기는 각 도파로에서 출력되는 광의 방사각을 조절한다. 본 실시예에서는 광출력의 방사각이 18도 이하가 되도록 한다. 이를 통하여 두 도파로 사이에서 발생하는 광결합 손실이 감소될 수 있다.
본 실시예에 의한 송신용 광 모듈은 광출력 모듈과 광 증폭기 모듈을 포함하므로 높은 출력의 광신호를 출력할 수 있다. 각 모듈은 개별적으로 패키지되어 결합되므로 하나의 패키지에 집적되는 것에 비하여 공정이 용이하고 소자의 좁은 방출각도 요구되지 않는다. 또한 초소형으로 공정이 가능하여 송신용 광 모듈의 효율적인 배치가 가능하다. 또, 두 모듈의 EML 칩과 반도체 광증폭기 사이의 광신호 전달이 기울어진 광도파로에 의해 이루어지므로 두 소자를 직접 칩투칩 본딩한 것에 비하여 광결합 손실이 적다. 두 모듈 간의 광도파로에 광모드 크기 변환기를 형성하는 것으로 광결합 손실은 더욱 감소된다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 송신용 광 모듈을 도시하는 평면도이다. 도 2의 송신용 광 모듈(200)은 도 1의 송신용 광 모듈(100)에 비하여 렌즈(230) 및 광섬유 페룰(ferrule)(240)이 추가된 점 이외에는 동일하다. 따라서 유사한 구성 요소에 대하여는 유사한 참조번호를 사용하였다. 도 2를 참조하면, 송신용 광 모듈(200)은 제 1 패키지(210), 제 2 패키지(220), 렌즈(230) 및 광섬유 페룰(240)을 포함한다.
렌즈(230)는 제 2 패키지(220)에 대하여 제 1 패키지(210)의 반대쪽 측면에 위치한다. 렌즈(230)는 제 2 패키지(220)의 반도체 광증폭기(222)에서 출력되는 광신호를 집광한다. 렌즈(230)에서 집광된 광신호는 광섬유 페룰(240)로 전달된다.
즉, 광섬유 페룰(240)은 렌즈를 통하여 반도체 광증폭기와 광결합된다. 광섬유 페룰(240)은 광결합 손실을 줄이기 위해 폴리싱될 수 있다. 광섬유 페룰(240)의 단면은 일정 각도로 경사지게 형성될 수 있다. 본 실시예에서 광섬유 페룰(240)의 단면은 8도의 경사를 가진다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
본 실시예에 의한 송신용 광 모듈에서는 렌즈를 이용하여 광섬유 페룰로 출력 광신호가 정렬되므로 광신호를 출력할 때의 광손실이 더욱 감소된다. 또한, 실리카 평면형 광파 회로 플팻폼(silica planar lightwave circuit platform)을 사용하는 구조에서 렌즈를 사용하는 패키징은 밀봉(hermetic sealing)을 가능하게 한다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 송신용 광 모듈을 도시하는 평면도이다. 도 3의 송신용 광 모듈은 도 1의 송신용 광 모듈(100)에 비하여 서미스터(thermistor)(324)가 추가된 점 이외에는 동일하다. 따라서 유사한 구성 요소에 대하여는 유사한 참조 번호를 사용하였다.
도 3을 참조하면, 송신용 광 모듈(300)은 제 1 패키지(310) 및 제 2 패키지(320)를 포함한다. 제 2 패키지(320)는 제 2 실리콘 기판(321), 반도체 광증폭기(322), 입출력 광도파로(323) 및 서미스터(324)를 포함한다.
서미스터(324)는 제 2 실리콘 기판(321) 위에 결합된다. 서미스터(324)는 실버 에폭시(silver epoxy)를 이용하여 제 2 실리콘 기판(321)과 다이본딩(diebonding)될 수 있다. 서미스터(324)는 반도체 광증폭기(322)에서 발생되는 열을 감지한다.
본 실시예에 의한 송신용 광 모듈은 서미스터를 이용하여 패키지의 열을 상시 감지하므로 과열에 의한 오작동을 즉시 탐지할 수 있다. 또, 지정된 값 이상으로 패키지의 온도가 올라가는 경우 서미스터로부터 신호를 발생시켜 송신용 광 모듈의 동작을 제어할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 송신용 광 모듈을 도시하는 단면도이다. 도 4의 송신용 광 모듈(400)은 도 1의 송신용 광 모듈(100)에 비하여 금속 광벤치(metal optical bench, MOB)(430), 온도 패드(thermal pad)(440) 및 열전 냉각 소자(thermo-electric cooler, TEC)(450)가 추가된 점 이외에는 동일하다. 따라서 유사한 구성 요소에 대하여는 유사한 참조 번호를 사용하였다. 모니터 포토 다이오드 및 매칭 저항은 미도시되었다.
도 4를 참조하면, 송신용 광 모듈(400)은 제 1 패키지(410), 제 2 패키지(420), 금속 광벤치(430), 온도 패드(440) 및 열전 냉각 소자(450)를 포함한다.
제 2 패키지(420)는 금속 광벤치(430) 위에 부착된다. 제 2 패키지(420)는 실버 에폭시(silver epoxy)를 이용하여 금속 광벤치(430)에 부착될 수 있다. 이를 통해 제 2 패키지(420)의 반도체 광증폭기(422)에서 발생한 열은 금속 광벤치(430)로 방출된다.
제 1 패키지(410)는 온도 패드(440) 위에 부착된다. 온도 패드(440)는 금속 광벤치(430) 상부에 부착된다. 즉, 온도 패드(440)는 제 1 패키지(410)와 금속 광벤치(430) 사이에 삽입된다. 온도 패드(440)는 제 1 패키지(410)의 EML 칩(412)으로부터 발생한 열이 금속 광벤치(430)로 방출되는 것을 조절한다. 이를 통해 온도 패드(440)는 온도주기 시험시 제 1 패키지(410)와 제 2 패키지(420) 간의 열팽창 계수 차이로 인하여 발생되는 잔류 응력(residual stress)를 감소시킨다. 온도 패드(440)를 삽입하지 않고 제 1 패키지(410)와 제 2 패키지(420)를 금속 광벤치(430) 상부에 동시 부착하면 온도 주기 시험시 두 패키지 사이에 팽창에 의한 뒤틀림이 생겨 광결합 손실이 발생된다.
금속 광벤치(430)의 하부에는 열전 냉각 소자(450)가 형성된다. 열전 냉각 소자(450)는 제 1 패키지(410) 및 제 2 패키지(420)에서 발생하여 금속 광벤치(430)로 방출된 열을 통신용 광 모듈(400) 외부로 방출한다.
따라서 본 실시예에 의한 송신용 광 모듈은 온도 패드와 금속 광벤치, 열전 냉각 소자를 이용하여 열을 효과적으로 송신용 광 모듈 외부로 방출한다. 또한 공정시의 온도 주기 시험에서 발생하는 광결합 손실이 감소되므로 효율적으로 광신호가 송신될 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이 본 발명의 실시예에 의한 송신용 광 모듈은 높은 출력을 가지면서도 고속으로 동작할 수 있다.
예를 들어, 본 실시예에 의한 송신용 광 모듈은 제 1 패키지와 제 2 패키지 사이의 광도파로에 18도 이하의 출력 광신호 방사각을 가지도록 광모드 크기 변환기 구조를 형성한다. 그러면 두 패키지의 광결합에서 발생하는 광손실은 3dB 이하이다.
또, 본 실시예에 의한 송신용 광 모듈에서 반도체 광증폭기는 제 2 실리콘 기판에 플립칩 본딩된다. 이 과정에서 발생하는 반도체 광증폭기와 실리콘 기판 사이의 비정렬에 의한 광손실은 5dB라 가정한다. 더하여, 본 실시예에 의한 송신용 광 모듈에서 제 2 패키지의 출력광이 렌즈를 통하여 광섬유 페룰로 정렬되는 과정에서 발생되는 광손실은 2dB라 가정한다.
일반적으로 EML 칩을 10Gbps 이상에서 동작시킬 때 출력되는 광신호의 출력은 약 3dBm이다. 그러면, 포화(saturation) 출력이 13dBm이고 이득(gain)이 18dB인 반도체 광증폭기를 사용할 경우 광섬유 페률로 출력되는 광신호는 약 11dBm이 됨을 계산할 수 있다.
따라서 본 발명의 실시예에 의한 송신용 광 모듈은 10dBm 이상의 고출력을 가지면서도 10Gbps 이상의 고속 동작이 가능하다. 또한 초소형으로 제작이 가능하여 가입자는 효율적으로 서비스를 전달받을 수 있다. 또한 세라믹 서브마운트와 박막형 매칭저항 대신 FPCB와 SMD형 매칭저항을 사용하여 공정 비용을 절감할 수 있다.
100, 200, 300, 400: 송신용 광 모듈
110, 210, 310, 410: 제 1 패키지
120, 220, 320, 420: 제 2 패키지
111, 211, 311, 411: 제 1 실리콘 기판
112, 212, 312, 412: EML 칩
113, 213, 313: 모니터 포토 다이오드
114a, 114b, 214a, 214b, 314a, 314b, 414: RF 전송선로
121, 221, 321, 412: 제 2 실리콘 기판
122, 222, 322, 422: 반도체 광증폭기
123, 223, 323, 423: 입출력 광도파로
230: 렌즈
240: 광섬유 페룰

Claims (18)

  1. 광신호를 발생시키는 제 1 패키지; 및
    상기 제 1 패키지와 칩투칩본딩(chip-to-chip bonding)에 의하여 결합되며, 실리콘 광 회로 플랫폼 구조를 가지고, 상기 광신호를 증폭하는 제 2 패키지를 포함하되,
    상기 제 2 패키지는:
    상기 제 1 패키지로부터 상기 광신호를 전달받아 증폭시키는 반도체 광증폭기; 및
    상기 제 1 패키지로부터 출력된 상기 광신호를 입력받고, 상기 반도체 광증폭기와 연결되고, 그리고 상기 반도체 광증폭기에 대하여 일직선상에서 기울어져 형성되는 입출력 광도파로를 포함하는 송신용 광 모듈.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 패키지는
    제 1 실리콘 기판;
    상기 제 1 실리콘 기판 위에 부착되며, 상기 광신호를 출력하는 EML(electro absorption modulated laser) 칩;
    상기 제 1 실리콘 기판 위에 부착되며, 상기 EML 칩으로부터 출력된 상기 광신호를 모니터링하는 모니터 포토 다이오드;
    상기 제 1 실리콘 기판 위에 부착되며, 상기 EML 칩으로 RF 신호를 전달하는 RF 전송선로; 및
    상기 제 1 실리콘 기판 위에 부착되며, 상기 RF 전송선로를 터미네이션하는 매칭 저항을 포함하는 송신용 광 모듈.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 2 패키지는
    제 2 실리콘 기판을 더 포함하는 송신용 광 모듈.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 입출력 광도파로는 상기 제 2 실리콘 기판 위에 형성되고 상기 EML 칩으로부터 출력된 상기 광신호를 입력받는 송신용 광 모듈.
  5. 삭제
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 반도체 광증폭기는 상기 반도체 광증폭기로 입력되는 상기 광신호의 방사각을 조절하는 송신용 광 모듈.
  7. 제 3항에 있어서,
    상기 반도체 광증폭기로부터 출력된 광신호를 집광하는 렌즈; 및
    상기 렌즈를 통해 집광된 광신호를 입력받는 광섬유 페룰을 더 포함하고,
    상기 광섬유 페룰의 단면은 일정한 각도로 경사져 있는 송신용 광 모듈.
  8. 제 3항에 있어서,
    상기 제 2 패키지는 상기 반도체 광증폭기로부터 발생하는 열을 감지하는 서미스터를 더 포함하는 송신용 광 모듈.
  9. 제 2항에 있어서,
    상기 모니터 포토 다이오드는 상기 EML 칩에 대하여 일직선상에서 기울어져 배치되는 송신용 광 모듈.
  10. 제 2항에 있어서,
    상기 RF 전송 선로는 GCPW(grounded coplanar waveguide) 전극이 형성된 FPCB(flexible printed circuit board)인 송신용 광 모듈.
  11. 제 2항에 있어서,
    상기 매칭 저항은 SMD 방식인 송신용 광 모듈.
  12. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1 실리콘 기판 상부에는 전기적 접지를 형성하는 금속이 증착되고, 상기 금속의 상부에는 상기 EML 칩, 상기 모니터 포토 다이오드, 상기 RF 전송선로 및 상기 매칭 저항이 결합되는 송신용 광 모듈.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 EML 칩은 플립칩본딩 방법으로 상기 금속과 결합되는 송신용 광 모듈.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 EML 칩은 다이본딩 방법으로 상기 금속과 결합되는 송신용 광 모듈.
  15. 제 2항에 있어서,
    상기 EML 칩은 연속광을 출력하는 광원; 및
    상기 연속광을 입력받아 상기 광신호로 변조하는 EAM(electro absorption modulator)을 포함하고,
    상기 제 1 패키지는 상기 EAM에서 변조된 상기 광신호를 상기 제 1 패키지 외부로 출력하는 출력부 도파로를 포함하며,
    상기 출력부 도파로는 상기 EML과 상기 EAM의 일직선상에서 기울어져 형성되는 송신용 광 모듈.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 출력부 도파로는 상기 변조된 광신호의 방사각을 조절하는 송신용 광 모듈.
  17. 제 3항에 있어서,
    상기 제 1 패키지 및 상기 제 2 패키지 하단에 위치하고 상기 제 2 패키지 하단과 결합하여 상기 제 2 패키지에서 생성되는 열을 전달받는 금속 광벤치;
    상기 제 1 패키지 하단과 금속 광벤치 상단 사이에 삽입되어 상기 제 1 패키지에서 생성되는 열을 상기 금속 광벤치로 전달하는 온도 패드; 및
    상기 금속 광벤치 하단과 결합되어 상기 금속 광벤치로부터 방출된 열을 외부로 방출하는 열전 냉각 소자를 더 포함하는 송신용 광 모듈.
  18. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 패키지와 상기 제 2 패키지는 UV 에폭시에 의하여 결합되는 송신용 광 모듈.



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