JP4500908B2 - 位相ずれ量測定装置及び位相ずれ量測定方法並びに位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents

位相ずれ量測定装置及び位相ずれ量測定方法並びに位相シフトマスクの製造方法 Download PDF

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本発明は位相ずれ量測定装置及び位相ずれ量測定方法並びに位相シフトマスクの製造方法に関し、特に詳しくは光を透過する光透過部と位相のずれを生じさせるシフターが形成されたシフター部との間の位相ずれ量を測定する位相ずれ量装置及び位相ずれ量測定方法に関する。
半導体集積回路の高集積化・微細化に伴い、フォトリソグラフィー工程で解像限界の高い位相シフトマスク(PSM,Phase Shift Mask)が用いられるようになっている。PSMは透明なガラス基板上に形成された遮光パターンに加え、遮光パターンが設けられていない光透過部の一部に凹凸が設けられ、透過する光にλ/2の位相差を与えるように構成されている。すなわち、位相を反転する為にシフターと呼ばれる薄膜を形成する。あるいは、石英基板をエッチングにより掘り込むことでシフターを形成する。このシフターの光学的高さが露光波長のλ/2の波長になるように構成されており、シフターを通過する光はシフターを通過しない光に比べて伝播速度が遅れ、λ/2の位相差が生じることになる。
このシフターの光学的高さすなわち位相差は露光波長及びガラス基板の屈折率によって決定される。位相差が設計値からずれたPSMを使用した場合、期待通りの解像度が得られないだけでなく、フォーカスオフセットやパターンサイズのばらつき等に悪影響があるため、正確にコントロールする必要がある。このため、PSMの製造工程において、シフターの位相シフト量の検査をすることが必要である。
PSMの検査は、光をPSMに照射して、シフターが形成されていない部分を透過する光とシフターが形成されている部分を透過する光との位相のずれを検出する。さらに、シフターの透過率を求めることも重要である。PSMの測定に用いる光はウェハ露光と同一波長で、位相差と透過率を直接測定する方法と、異なる波長で測定して計算により求める2種類の方法が考えられる。露光波長とは異なる波長での測定値から露光波長での位相差と透過率を換算で求めた場合には誤差を生ずることがある。これを回避するために露光波長と同一波長の光を用いて、直接測定することが重要である。
PSMの検査装置にはシャリング干渉計を用いた検査装置が開示されている(例えば、特許文献1、特許文献2)。このPSMの検査装置について図11を用いて説明する。図11はPSMの検査装置の構成を示す図である。図11に示す従来の検査装置について以下に簡単な説明を行う。光源125から出た光束はフィルタ107、108によって、単一な波長を有する光線にされる。この波長は露光波長と同一な波長である。この光線はレンズ104a、104b、104cにより適当なスポットにされてPSM101の裏面に照射される。PSM101は位相差を設けるためのシフターが形成されたシフター部103を備えている。シフター部103が形成されていない部分を光透過部101bとする。この光透過部101b及びシフター部103に光源125からの光が照射される。
PSM101を透過した光はハーフミラー105aによって2つの光束に分離される。2つに分離された光束のうちの一方は右方向に反射されて第1の光束111aを形成する。他方、ハーフミラー105aを透過した第2の光束111bは全反射ミラー106bによって右方向に反射される。第1の光束111a及び第2の光束111bはそれぞれ光透過部101bを透過した光透過部透過領域とシフター部103を透過したシフター部透過領域の2つの領域から構成される。光透過部透過領域とシフター部透過領域とでは光路長が異なり、位相差が生じている。
第2の光束111bは光学シャリング部材116によって、光路が横方向にずらされる。ハーフミラー105aによって反射された第1の光束111aは光学くさび115を通過することによって、光路長が調整される。光学シャリング部材116を通過した第2の光束111b'と光学くさび115を通過した第1の光束111a'はハーフミラー105bによって重ね合わされ、干渉光113となる。光学シャリング部材116によって、異なる領域である光透過部101bとシフター部103を透過した第1の光束111a'と第2の光束111b'とが干渉可能に合成するように第1の光束111a'の位置を変化させる。これにより、干渉光113は図12に示すように干渉縞が形成される。
図12において、領域51は第1の光束111a'のシフター部透過領域と第2の光束111b'のシフター部透過領域とが重ね合わされた領域の干渉光113を示しており、この領域51をシフター部/シフター部領域51とする。領域52は第1の光束111a'のシフター部透過領域と第2の光束111b'の光透過部透過領域とが重ね合わされた領域の干渉光113を示しており、この領域52をシフター部/光透過部領域52とする。領域53は、第1の光束111a'の光透過部透過領域と第2の光束111b'のシフター部透過領域とが重ね合わされた領域の干渉光113を示しており、この領域53を光透過部/シフター部領域53とする。領域54は第1の光束111a'の光透過部透過領域と第2の光束111b'の光透過部透過領域とが重ね合わされた領域の干渉光113を示しており、この領域54を光透過部/光透過部領域54とする。
干渉光113の一部は測光ターゲット117によって上方に反射され、フォトマルチプライア118に入射する。フォトマルチプライア118の出力は電流/電圧変換アンプ22及びA/D変換機23によって、デジタル値に変換されてコンピュータに入力される。すなわち、コンピュータ21は干渉光13の強度信号をデジタル信号として内蔵されているメモリに記憶する。干渉光13の残りの部分は測光ターゲット17の外側を通過して、紫外線用のTVカメラ上に投影される。すなわち、測定者はTV画面(図示せず)で測定箇所を観察できる。
ここで図12(a)に示すように測光ターゲット117はシフター部/光透過部領域52に配置されている。光学くさび115はコンピュータ121により制御される直線駆動機構120によって光路と垂直方向に移動される。これにより、光学くさび115が図11に示す矢印の方向に移動して、第1の光束111a'の光路長を変化させることができる。従って、第1の光束111a'の位相は第2の光束111b'に対して相対的に変化する。第1の光束111a'に位相にしたがって干渉光113の強度は変化する。フォトマルチプライア118により検出される光の強度は光学くさび115の位置にしたがって正弦波状に変化する。光学くさび115を移動させて、1周期分のデータを測定することにより、1回目の測定が終了する。
次にXYステージ101Aを移動して1回目の測定と同様の測定を行う。ここでは図11に示すXYステージ101Aを移動して測光ターゲット117の位置が光透過部/シフター部領域53となるようにする。これにより、図12(b)に示すよう、測光ターゲット117の位置は光透過部/シフター部領域53に移動する。1回目の測定と同様に光学くさび115を移動して測定を行うと、光の強度は光学くさび115の位置にしたがって正弦波状に変化する。光学くさび115の位置を変化させ1周期分のデータを測定することにより、2回目の測定が終了する。
干渉光の測定から位相差を求める方法について図13を用いて説明する。図13はPSM101と透過した光の波面を示す図である。図13において波面1は第1の光束111aの波面を示しており、波面2は第2の光束111bの波面を示している。各波面における凸部はシフター部透過領域を示している。波面1と波面2は光学シェアリング部材116と光学くさびの分だけ位相がずれている。さらに波面1と波面2では光学シェアリング部材116によって、光透過領域の位置が横方向にずれている。
図13において、φはPSM101の光透過部101bとシフター部103との位相差すなわちシフター部103による位相シフト量を示している。位相差φは光束111aにおける光透過部101bを透過した光の位相と光束111bにおけるシフター部103を透過した光の位相との差を示している。位相差φは光束111aにおけるシフター部103を透過した光の位相と光束111bにおける光透過部101bを透過した光の位相との差を示している。φは光束111aにおける光透過部101bを透過した光の位相と光束111bにおける光透過部101bを透過した光の位相との差を示している。
位相シフト量φは各光束における光透過部101bを透過した光とシフター部103を透過した光の位相のずれであるため、φ=φ−φであり、φ=φ−φとなる。φを消すために左辺同士、右辺同士を足すとφ=(φ−φ)/2となる。従って、φ及びφを測定することによりシフター部103による位相のずれを求めることができる。
φ及びφはそれぞれ上述した1回目の測定と2回目の測定により求めることができる。1回目の測定ではシフター部/光透過部領域52における干渉光の強度を測定しているため、φを求めることができる。この干渉光と測光ターゲットの関係を図14(a)に示す。図14において波面1は第1の光束111aの波面であり、波面2は第2の光束111bの波面である。矢印の位置が測光ターゲットの位置を示している。φ1を求めるため、1回目の測定で得られた正弦波のデータを、フーリエ変換する。実数部の虚数部に対する正接を求めることにより、位相φを求める。2回目の測定では図14(b)に示すようにステージを移動させて、PSM101の位置を変えているため、測光ターゲット117との相対位置が変化する。これにより、光学系を変化させずに光透過部/シフター部領域53における干渉光の強度を測定ができる。2回目の測定で得られた正弦波のデータから1回目の測定と同様に位相φを求めることができる。
位相φとφとの差からシフター部103による位相のずれφを算出する。具体的にはφ=(φ−φ)/2となる。上述の検査装置ではφを求めることなく、位相のずれを検出することができる。すなわち、1回目と2回目の測定におけるφを平均化することによって、干渉計内部にある位相φに影響されることなく、位相シフト量φを求めることができる。これにより、正確な測定を行うことができる。
さらに上述の検査装置でシフター部103における透過率を求めることも可能である。具体的には測光ターゲット117を光透過部/光透過部領域54に移動させて、光透過部/光透過部領域54における干渉光の強度の変化を測定する。この干渉光の波面と検出点の関係は図15(a)に示す構成となる。フォトマルチプライア118により検出される光の強度は光学くさび115の位置にしたがって正弦波状に変化する。光学くさび115を移動させて、1周期分のデータを測定することにより、1回目の測定が終了する。
XYステージ101Aを移動させて、測光ターゲット117の位置はシフター部/シフター部領域51に移動する。この干渉光の波面と検出点の関係は図15(b)に示す構成となる。1回目の測定と同様に光学くさび115を移動して測定を行うと、光の強度は光学くさび115の位置にしたがって正弦波状に変化する。1周期分のデータを測定することにより、2回目の測定が終了する。
この1回目と2回目の測定におけるデータをフーリエ変換する。そして、1回目の測定における干渉光の振幅A1と2回目の測定における干渉光の振幅を求める。この振幅の比から透過率を求めることができる。このように、上述の検査装置では、光学系に基づく位相に影響を受けず正確に位相差及び透過率の測定を行うことができる。
一方、半導体集積回路の高集積化・微細化に伴い、フォトリソグラフィーの露光波長としてますます短波長の光が利用されるようになってきている。次世代のリソグラフィ技術は、0.15μm以下のデザイン・ルールを必要とする1ギガビットDRAMをターゲットとしており、ArF(フッ化アルゴン)エキシマ・レーザを利用したリソグラフィ技術が最も有力視されている。ArFエキシマ・レーザによる露光波長は193nmであり、露光光は真空紫外の領域に入っている。さらにArF以降のリソグラフィ技術は、F(フッ素ダイマ)レーザ・リソグラフィ(露光波長157nm)、もしくはX線を利用するリソグラフィ技術などが検討されており、光源の波長はますます短いものとなっていく。従って検査装置の光源の波長をそれに合わせて短波長のものを用いる必要がある。
200nm以下の真空紫外領域においては、大気中の酸素分子、水分子による光の吸収が起こりうる。特に、Fレーザ・リソグラフィによる157nm以下の短波長領域においては、酸素分子もしくは水分子による光の大きな吸収があるため、大気中で検査を行うことが困難となる。従って、真空中、もしくは高純度の窒素やヘリウムなどの雰囲気中に光学系を配置することが必要とされる。しかし、検査装置全体を真空チャンバに配置して、真空中で検査を行う構成とすると、装置が大型化してしまう。さらに、検査するマスクを交換する毎に排気等を行う必要があり、実用的ではない。従って、検査装置を高純度の窒素もしくはヘリウムによってパージすることによって、酸素分子もしくは水分子による光の吸収を防止することが望まれる。
従来の検査装置における光学系において窒素パージを行いながら、検査を行った場合、以下に示す問題点が発生した。光路中において窒素パージを行うと、窒素ガスの空間分布が時間とともに揺らぎ、測定光の位相に影響を与えてしまう。上記の測定では1回目の測定と2回目の測定の間でステージを移動するため、約10秒程度の時間が経過する。この間に窒素の空間分布が変化して、屈折率の空間分布が変動する。従って、1回目の測定と2回目の測定で異なる光路長となってしまう。これにより、位相にずれが生じ、位相差及び透過率の測定結果にばらつきが生じてしまうという問題点があった。この位相のずれにより、検査装置として要求されている仕様を満足することできなくなってしまった。特に露光波長が157nmのPSMに対しては、従来のPSMに比べて厳しい仕様が要求されるため、この問題点は顕在化する。
特開平7−159978号公報 特開2000−241121号公報
上述のように、従来の位相シフトマスクの検査装置では光路の少なくとも一部がパージガスによりパージされている場合には、精度よく検査を行うことができないという問題点があった。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、位相シフターの位相シフト量を精度良く検出することができる位相シフト量測定装置及び位相シフト量測定方法並びに生産性の優れた位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。
本発明にかかる位相シフト量測定方法は、光を透過する光透過部(例えば、本発明に実施の形態における光透過部16c)と、透過した光に前記光透過部を透過した光と位相差を生じさせる位相シフター(例えば、本発明に実施の形態におけるシフター17)が形成されたシフター部(例えば、本発明に実施の形態における16b)とを有する基板(例えば、本発明に実施の形態における基板16a)において前記位相シフターの位相シフト量(例えば、本発明に実施の形態における位相シフト量φ)を測定する位相シフト量測定装置であって、光を発生する光源(例えば、本発明に実施の形態における光源11)と、前記光源から発生した光から第1の可干渉光と第2の可干渉光とを生成する可干渉光生成手段(例えば、本発明に実施の形態におけるグレーティング15)と、前記基板の光透過部及びシフター部に前記第1の可干渉光と第2の可干渉光の一部を重ね合わせて入射させる光学手段(例えば、本発明に実施の形態におけるレンズ13b)と、前記基板を透過した第1の可干渉光及び第2の可干渉光を第1の光束と第2の光束に分岐する光分岐手段(例えば、本発明に実施の形態におけるビームスプリッター25a)と、光分岐手段によって分岐された前記第1の光束と前記第2の光束との間に位相差を与える位相差生成手段(例えば、本発明に実施の形態における光学くさび28)と、前記位相差生成手段により位相差が与えられた前記第1の光束と前記第2の光束を重ね合わせて干渉光を生成する干渉光生成手段(例えば、本発明に実施の形態におけるビームスプリッター25b)と、前記第1の光束と前記第2の光束の重ね合わせにおいて、前記第1の光束と前記第2の光束との間に横方向のずれを生じさせるシャリング手段(例えば、本発明に実施の形態における光学シャリング部材26)と、前記位相差生成手段を移動させ、前記位相差生成手段によって生成された前記第1の光束と前記第2の光束との間の位相差を変化させる位相差変化手段(例えば、本発明に実施の形態における直線駆動機構29)と、前記位相差変化手段による位相差の変化に応じた前記干渉光の光強度を異なる2つの検出点(例えば、本発明に実施の形態における検出点55a、55b)で略同時に検出する光検出手段(例えば、本発明に実施の形態における検出器30)とを備え、前記2つの検出点における光強度の信号の位相差に基づいて前記位相シフターの位相シフト量を測定するものである。これにより精度良く位相シフト量を測定することができる。
上述の位相シフト量測定装置において、前記基板を載置して移動可能なステージをさらに備え、前記2つの検出点における光強度の信号の振幅に基づいて前記位相シフターの透過率を測定することが望ましい。これにより、さらに透過率も精度良く測定することができる。
上述の位相シフト量測定装置の好適な実施例は、前記光源が真空紫外光を発生する真空紫外光源であり、前記光源から前記検出器までの光路の少なくとも一部がパージガスによりパージされているものである。これにより、パージガスによる位相のずれの影響を低減することができ、精度よく測定を行うことができる。
本発明にかかる位相シフト量測定方法は、光を透過する光透過部と、透過した光に前記光透過部を透過した光と位相差を生じさせる位相シフターが形成されたシフター部とを有する基板において前記位相シフターの位相シフト量を測定する位相シフト量測定方法であって、第1の可干渉光及び第2の可干渉光を生成するステップと、前記第1の可干渉光と前記第2の可干渉光の重なり合う領域を前記基板の前記光透過部及び前記シフター部に照射するステップと、前記基板を透過した第1の干渉光及び前記第2の干渉光を第1の光束と第2の光束に分岐するステップと、前記第1の光束と前記第2の光束との間に位相差を与える位相差生成手段を移動して、前記第1の光束と前記第2の光束との間の位相差を変化させるステップと、前記第1の光束と前記第2の光束との間に横方向のずれを生じさせ、前記第1の光束と前記第2の光束を重ね合わせて干渉光を生成するステップと、前記位相差の変化に応じた前記干渉光の光強度を異なる2つの検出点で略同時に検出するステップと、前記2つの検出点における光強度の信号の位相差に基づいて前記位相シフターの位相シフト量を測定するステップとを備えるものである。これにより、位相シフト量を精度良く測定することが出来る。
上述の位相シフト量の測定において、前記2つの検出点の一方は、前記第1の光束の前記シフター部を透過したシフター部透過領域と前記第2の光束の前記光透過部を透過した光透過部透過領域とを重ね合わせたシフター部/光透過部領域に配置され、前記2つの検出点の他方は、前記第1の光束の前記光透過部透過領域と前記第2の光束の前記シフター部透過領域とを重ね合わせた光透過部/シフター部領域に配置され、前記シフター部/光透過部領域と光透過部/シフター部領域との間の光強度の信号の位相差に基づいて、前記位相シフターの位相シフト量が測定されることが望ましい。これにより、光学系における位相のずれを低減することができ、位相シフト量を精度よく測定することができる。
上述の位相シフト量測定方法において、前記基板が載置されたステージを移動して前記2つの検出点を、前記干渉光の同じ領域に配置するステップと、前記干渉光の同じ領域に配置された2つの検出点における光強度の信号の位相差に基づいて、前記第1の光束の波面と第2の光束の波面との間の傾きの差によって、前記2つの検出点の間に生じるチルト量を測定するステップとをさらに備え、前記チルト量に基づいて前記位相シフト量が測定されることが望ましい。これにより、検出点の違いによる位相のずれが低減され、精度良く測定することができる。
本発明にかかる位相シフトマスクの製造方法は、上述の位相シフト量測定方法により、位相シフトマスクに設けられた位相シフターの位相シフト量を測定するステップと、前記位相シフト量が設定された許容範囲に含まれるか否かを判別するステップと、前記位相シフト量が許容範囲に含まれていない位相シフターを修復するステップとを有するものである。これにより、位相シフトマスクの生産性を向上することができる。
本発明によれば、位相シフターの位相シフト量を精度良く検出することができる位相シフト量測定装置及び位相シフト量測手方法並びに生産性の優れた位相シフトマスクの製造方法を提供することできる。
本発明の実施の形態について以下に図面を参照して説明する。以下の説明は、本発明の好適な実施例を示すものであって、本発明の範囲が以下の実施例に限定されるものではない。以下の説明において、同一の符号が付されたものを実質的に同様の内容を示している。
本発明にかかる位相シフトマスクの検査装置について図1を用いて説明する。図1は検査装置の構成を示す図である。11は光源、12はビームホモジェナイザー、13a、13b、13cはレンズ、14はエネルギーモニタ、15はグレーティング、16は位相シフトマスク(PSM)、17はシフターである。これらは窒素パージ空間10に配置されており、大気中の酸素分子や水分子による真空紫外光の吸収を防いでいる。21a、21b、21cはレンズ、22a、22bはミラー、25a、25bはビームスプリッター、26は光学シェアリング部材、27a、27bは全反射ミラー、28は光学くさび、30は検出器である。これらは真空チャンバー内に配置され真空空間20の内部に設けられており、空気中の酸素や水分による紫外線の吸収を防いでいる。29は光学くさび28を移動させる直線駆動機構、31は検出信号30の検出結果の処理を行うコンピュータである。上述の光学部品は真空紫外光に対する吸収を低減するよう、フッ素ドープした材料等を用いている。
本実施の形態では、光源11としてF2レーザー光源を用いている。F2レーザー光源は露光波長と同じ157nmの真空紫外線のレーザー光を出射する。レーザー光はビームホモジェナイザー12に入射する。ビームホモジェナイザー12はPSM16上の視野を均一な照明光で照明するため、レーザー光を空間的に均一にする。ビームホモジェナイザー112によって均一化された光40はレンズ13aと通過して、エネルギーモニタ14に入射する。エネルギーモニタ14はレーザー光の一部を分岐して、分岐された光の強度を測定している。この光40の強度からレーザー光の出力の変化をモニターしている。このレーザー光の出力の変動がコンピューター31に検出信号にフィードバックされる。
エネルギーモニタ14を通過した光はグレーティング15に入射する。グレーティング15は入射瞳の位置に配置されている。グレーティング15を通過した光は回折されて、0次、±1次、±2次・・・の回折光に分岐される。すなわち、光は次数に基づいた所定の回折角で回折されるため、複数の回折光が生成される。それぞれの回折光は可干渉性を有する光である。このグレーティング15を通過した光はレンズ13bに入射する。対物レンズであるレンズ13bに入射した光は平行光束となりPSM16の裏面側に入射する。
PSM16には表面側に位相差を設けるためのシフター17が形成されている。このシフター17は例えば、屈折率が約1.5のSiO2からなる薄膜が形成されている。シフター17は露光波長157nmの光が透過した場合、所定の位相差を生じさせるように膜厚及び屈折率が調整されている。もちろん、エッチングにより基板の一部を薄くしてシフター部を形成してもよい。
このPSM16の構成について図2を用いて説明する。図2はPSM16の構成を示す断面図である。PSM16において基板16にシフターが形成されている部分をシフター部16bとし、シフターが形成されていない部分を光透過部16cとする。この光透過部16cとシフター部16bとの屈折率と厚さの差に基づいて、それぞれを透過する光に位相差が生じることになる。PSM16には光40が裏面側から照射されている。PSM16の観察点には0次の回折光40a及び1次の回折光40bが重ね合わされて面状に照射されるようにレンズ13b等の光学系が配置されている。すなわち、グレーティング15によって生成された0次の回折光40aと0次の回折光と特定の回折角を有する1次の回折光40bとは、レンズ13bによって一部が重ね合わされた平行光束となりPSM16を照明する。すなわち、シフター部16b及び光透過部16cには0次の回折光40aと1次の回折光40bの両方が投射されている。
この0次の回折光40aと1次の回折光40bとのPSM上でのずれ量は、後述するシャリング干渉計における光学シェアリング部材26による横ずらしの量と略同じになっている。回折光を用いることにより、PSM16上の異なる2点をコヒーレントに照明できる。もちろん、0次と1次の回折光に限らず、これ以外の次数の回折光を用いてもよい。
光源1からレンズ13cまでの光路は窒素パージ空間10に設けられている。窒素パージ空間10は、例えば、光源11からPSM16の間に光路を囲む円筒(図示せず)を設け、円筒内にパージガスであるNガスを供給することによって形成される。円筒とPSM16との間はわずかな隙間が開いており、N2の圧力を周辺の大気圧よりも高くすることにより、この隙間からNガスが流出する。これにより光源11からPSM16までの光路がNでパージされる。同様にPSM16からレンズ13cの間に円筒を設けNパージ空間10を形成する。これにより、簡易な構成でNパージでき、空気中の酸素や水分による紫外線の吸収を防ぐことができる。さらに、PSM16の測定箇所のみを円筒で囲み窒素パージすればよいため、PSM16の外周部を大気中に配置できる。これにより、PSM16の移動や交換などの操作を容易に行うことができ、利便性を向上できる。さらにPSM16は外周部が移動可能なXYステージ(図示せず)に載置されており、任意の位置を検査することができるようになっている。
PSM16を透過した光はレンズ13cを介してレンズ21aに入射する。レンズ21aから検出器30までの光学部品は空気中の酸素や水分による紫外線の吸収を防ぐため、真空空間20内に設けられている。レンズ21aからの光はミラー22a、ミラー22b及びレンズ21bを通過し、光束はビームスプリッター25aに入射する。このビームスプリッター25aからの光学系はマッハ・ツェンダー型のシャリング干渉計が構成されている。このマッハ・ツェンダー型のシャリング干渉計について以下に説明する。
ビームスプリッター25aは入射した光の一部を透過して第1の光束41aを形成する。他方、ビームスプリッター25aで左に反射した第2の光束41bは光学シェアリング部材26に入射する。第1の光束41aと第2の光束41bはそれぞれ0次の回折光及び1次の回折光が含まれている。第2の光束41bは光学シャリング部材26によって、光路が横方向にずらされる。ハーフミラー27aによって反射された第1の光束41aは光学くさび28を通過することによって、光路長が調整され、位相ずれが生じる。光学くさび28は対向する2面が異なる角度の平面で形成され、位置を変えることにより、光の位相差を変化させることができる。光学シャリング部材26を通過した第2の光束41bと光学くさび28を通過した第1の光束41aはビームスプリッター25bによって重ね合わされ、干渉光42となる。ビームスプリッター25aとビームスプリッター25bは例えば、ハーフミラーであり、同じ光量の光束が重ね合わされる。干渉光42はレンズ21cを介して検出器30に入射される。光学シャリング部材26によって、異なる領域である光透過部16cとシフター部16bを透過した第1の光束41aと第2の光束41bとが干渉可能に合成するように第1の光束111aの位置を変化させる。これにより、干渉光113は図3に示すように干渉縞が形成される。
図3において、領域51は第1の光束41aのシフター部透過領域と第2の光束41bのシフター部透過領域とが重ね合わされた干渉光42を示しており、この領域51をシフター部/シフター部領域51とする。領域52は第1の光束41aのシフター部透過領域と第2の光束41bの光透過部透過領域とが重ね合わされた干渉光42を示しており、この領域52をシフター部/光透過部領域52とする。領域53は、第1の光束41aの光透過部透過領域と第2の光束41bのシフター部透過領域とが重ね合わされた干渉光42を示しており、この領域53を光透過部/シフター部領域53とする。領域54は第1の光束41aの光透過部透過領域と第2の光束41bの光透過部透過領域とが重ね合わされた干渉光42を示しており、この領域54を光透過部/光透過部領域54とする。また、シフター部/光透過部領域52又は光透過部/シフター部領域53の幅が光学シェアリング部材による横ずらし量である。この横ずらし量は0次の回折光40aと1次の回折光40bによるずれと同一である。
検出器30はCCDカメラ等のイメージセンサであり、各画素にて受光した光の強度に応じた信号を出力する。検出器30は図3に示すような干渉光42の干渉縞の画像を撮像して光強度を検出する。さらに検出器30によって検出された信号は、コンピュータ31のメモリに記憶され、位相差及び透過率を求めるための演算処理がなされる。コンピュータ31を操作して、検出された画像における任意の2点を指定する。図3に指定された2つの検出点を示す。2つの検出点の一方の検出点55aはシフター部/光透過部領域52の点であり、2つの検出点の他方の検出点55bは光透過部領域/シフター部53の点である。この2つの検出点55a、55bにおける光強度の信号波形により、シフター17の位相シフト量が測定される。検出点55a、55bはCCDカメラの特定の画素に対応しており、その画素において受光した光の強度がコンピュータ31に記憶される。検出点55a、55bが複数の画素から構成される場合は、各画素において検出された光の強度の積分値が、光強度として記憶される。コンピュータ31は2つの検出点55a、55bにおける光強度の信号を順に記憶していく。なお、検出器30はイメージセンサでなく、2つの光検出器によって構成してもよい。
次に光学くさび28をコンピュータ31により制御される直線駆動機構29によって光路と垂直方向に移動させる。これにより、光学くさび28が図1に示す矢印の方向に移動して、第1の光束41aの光路長を変化させることができる。従って、第1の光束41aの位相は第2の光束41bに対して相対的に変化する。第1の光束41aの位相の変化にしたがって干渉光42の強度は変化するため、検出器30により検出される光の強度は光学くさび42の位置にしたがって変化する。コンピュータ31には光学くさび28の移動量が直線駆動機構29により伝送される。この光学くさび28は直線駆動機構29により、一定の速度で移動する。コンピュータ31には検出点55a、55bにおける光の強度の時間変動すなわち光学くさび42の位置による光強度の変化が記憶される。
図4は光学くさび42の位置による光強度信号の変化を示す図である。図4において横軸は光学くさびの相対位置Xであり、縦軸は検出器によって検出された光の強度Iを示している。Aの信号は検出点55aすなわちシフター部/光透過部領域52における干渉光の強度の変化を示しており、Bの信号は検出点55bすなわち光透過部領域/シフター部53における干渉光の強度の変化を示している。信号波形A及び信号波形Bは同じ振幅で光学くさび42に位置に対して正弦波状に変化する。信号波形Aと信号波形Bはそれぞれ異なる位相で変化している。検出点55aと検出点55bの検出を同時に行っているため、信号波形Aと信号波形Bとを同時に測定することができる。これにより、パージガスの変動による位相のばらつきを排除することができる。
図13を用いて説明したようにシフター17の位相シフト量φは光透過部16cを透過した光とシフター部16bを透過して光の位相差である。光束41aの波面1における光透過部16cと光束41bの波面2におけるシフター部16bの位相差及び光束41bの波面1におけるシフター部16bと光束41bの波面における光透過部16cの位相差に基づいて求められる。すなわち、図13における(φ−φ)/2が位相のずれφとなる。この位相差について図5を用いて説明する。
図5はPSM16と透過した光の波面を示す図である。図5において波面1は第1の光束41aの波面を示しており、波面2は第2の光束41bの波面を示している。図5における波面上の左側の矢印は図3における検出点55aの位置を示している。一方、波面上の右側の矢印は図3における検出点55bの位置を示している。なお、図5と同様の構成の他の図においても波面1は第1の光束41aの波面、波面2は第2の光束41bの波面を示しており、波面上の矢印は検出点の位置を示している。各波面における凸部はシフター部透過領域を示している。波面1と波面2は光学シェアリング部材26と光学くさび28の分だけ位相がずれている。さらに波面1と波面2では光学シェアリング部材26によって、光透過部の位置が横方向にずれている。このずれ量は上述のように、0次の回折光と1次の回折光のずれ量と同じである。
本発明では図5に示すように2つの検出点における光強度を測定することにより、波面1における光透過部16cと波面2におけるシフター部16bの位相差φ及び光束41bの波面1におけるシフター部16bと波面2における光透過部16cの位相差φを同時に測定している。このφ−φに基づいて位相シフト量φが検出される。具体的には(φ−φ)/2=φとなる。
次にφの算出方法について説明する。検出点55a、55bにおける干渉光の光強度I、Iはそれぞれ次式で表すことができる。
=A +A +2Acos(φ+p)
=A +A +2Acos(φ+p)
ここでAは光透過部16cを透過した光の振幅、Aはシフター部16bを透過した光の振幅である。Iの式において、Aは第1の光束41aの振幅であり、Aは第2の光束42bの振幅である。一方、Iの式において、Aは第2の光束41bの振幅であり、Aは第1の光束42aの振幅である。pは光学くさび42による光路長の変化量を示している。光学くさび28を移動して、第1の光束41aの位相を光の1波長分変化させる周期をfとするとp=2πftとなる。
干渉光の光強度I、Iをそれぞれフーリエ変換して、複素ベクトルの長さと向きにより、振幅と位相を求める。すなわち、実数部の虚数部に対する正接を求めることにより、位相φR、φLを求める。このφRとφLの差に基づいて位相シフト量φを算出することができる。上述の方法では、PSM16上の異なる2点を同時に測定することができるため、窒素の分布のばらつきによる影響を低減することができる。これにより、位相シフタの位相シフト量を高い精度で測定することができる。なお、上述の説明ではシフター部/光透過部領域52と光透過部領域/シフター部53の差により位相ずれ量を求めたが、検出点55aと検出点55bの一方を光透過部/光透過部領域54又はシフター部/シフター部51として位相ずれ量を求めてもよい。
本発明では異なる2点を測定しているため、光学系において波面の傾きが異なることがある。すなわち、第1の光束41aと第2の光束とで波面に傾きが生じてしまう。この場合、図6に示すように波面1と波面2が傾いて、位相ずれ量の検出に影響を与えてしまう。上述の位相シフト量φからこの傾きによる位相のずれを除去する方法について図6を用いて説明する。
まず、PSM16が載置されたXYステージを移動して2つの検出点を干渉光42の同じ領域に配置する。干渉光の同じ領域とは、例えば、検出点55aがシフター部/シフター部領域51に配置され、検出点55bも検出点55aと同じシフター部/シフター部領域51に配置されることを示す。もちろんシフター部/シフター部領域51に限らず、光透過部/光透過部領域54、シフター部/光透過部領域52又は光透過部/シフター部領域53でもよい。
2つの検出点のうち、検出点55aにおける波面1と波面2の位相差をφ0Lとし、他方の検出点55bにおける波面1と波面2の位相差をφ0Rとする。このφ0Lとφ0Rは、シフター部/シフター部領域51の干渉光を測定することにより、φとφと同様に求めることができる。すなわち、XYステージを移動させて、2つの検出点でシフター部/シフター部領域51を透過した第1の光束41aとシフター部/シフター部領域51を透過した第2の光束41bとの干渉光42の強度を検出する。そして、光学くさび28を移動させて、光強度の変化を検出して、フーリエ変換によりそれぞれの位相差φ0L、φ0Rを求める。
2つの検出点における位相差は同じシフター部/シフター部領域51の干渉光なので、波面1と波面2との間に傾きが無いとき、φ0L=φ0Rとなる。しかし、波面1と波面2が傾いているとφ0Lとφ0Rに差が生じる。この差が位相シフト量の測定におけるノイズとなって、測定精度を低下させる。この波面1と波面2との傾きにより生じる2点の検出点の位相差をチルト量φ0tiltとすると、チルト量φ0tilt=φ0R―φ0Lとなる。このφ0tiltが位相ずれ量φの測定において、それぞれにφとφに含まれることになる。よって、波面の傾きによるチルト量を除去した場合、φ=(φ―φ―φ0tilt)/2となる。これにより、波面の傾きにより生じるチルト量を除去することができ、より精度の高い測定を行うことができる。
実際の測定ではまずφ0Lとφ0Rを検出して、φ0tiltを算出する。このφ0tiltをコンピュータ31に記憶しておく。そのあと、検出点55a、55bは移動させずにXYステージを移動させて、干渉光42と検出点の相対位置を移動させる。シフター部/光透過部領域52と光透過部/シフター部領域53の干渉光を測定する。この測定により検出されたφとφとφ0tiltに基づいてφを求める。これにより、波面の傾きにより生じる位相差を除去することができ、より精度の高い測定を行うことができる。
次にシフター部106bの透過率の測定について図7〜図9を用いて説明する。図7は検出器によって検出された干渉光の画像である。図8はこの検出された干渉光の強度の信号波形を示す図である。透過率の測定では光学くさび28を移動させて1回目の測定を行った後に、XYステージを移動して、もう1度光学くさび28を移動させて2回目の測定を行う。図9(a)は1回目の測定における波面と検出点を示す図であり、図9(b)は2回目の測定における波面と検出点を示す図である。
1回目の測定では、検出点55aを光透過部/光透過部領域54に、検出点55bをシフター部/シフター部領域51に合わせる。そして、光学くさび28を移動させて、第1の光束41aと第2の光束41bとの間の位相を変化させる。直線駆動機構29により光学くさび28を1周期分移動させると1回目の測定が終了する。これにより、図8に示す正弦波上の検出信号が検出される。図8において横軸は光学くさび28の移動量であり、縦軸は干渉光の光強度である。図8の信号波形Cは光透過部/光透過部領域54における光強度の信号波形を示しており、信号波形Dはシフター部/シフター部領域51における光強度の信号波形を示している。信号波形Cと信号波形Dでは振幅が異なり、位相が同じ波形となる。1回目の測定において、信号波形Cは検出点55aにて検出され、信号波形Dは検出点55bにて検出される。
次に2回目の測定を行うためPSM16が載置されているXYステージを移動して、検出点55aをシフター部/シフター部領域51に、検出点55bを光透過部/光透過部領域54に合わせる。そして、同様に光学くさび28を移動して、干渉光の光強度を1周期分検出していく。これにより、検出点55aでは正弦波状の信号波形Dが検出され、検出点55bでは正弦波状の信号波形Cが検出される。2回の測定により検出点55aと検出点55bの両方の検出点で、シフター部/シフター部領域51と光透過部/光透過部領域54の光強度の変化を検出する。
図9に示すように第1の光束41aの波面1と第2の光束41の波面2は光学シェアリング部材26により横方向にずれている。図9(a)に示すように1回目の測定における検出点55aにより検出された光強度の振幅をAL1とし、検出点55bにより検出された光強度の振幅をAR1とする。AL1は光透過部/光透過部領域54の光強度の振幅を示し、AR1はシフター部/シフター部領域51の光強度の振幅を示している。すなわち、AL1は信号波形Cの振幅を示し、AR1は信号波形Dの振幅を示している。振幅AL1は1回目の測定における信号波形Cをフーリエ変換することにより、算出することができる。AR1は1回目の測定における信号波形Dをフーリエ変換することにより、算出することができる。このAL1とAR1の比により透過率を算出することができる。具体的には1回目の測定における透過率をTとするとT=AR1/AL1となる。本発明では、AR1/AL1の測定は同時に行われているため、窒素パージの影響を受けることなく透過率を測定することができる。
2回目の測定では図9(b)に示すようにPSM16を移動して、検出点55aでシフター部/シフター部領域51の光強度を検出しており、検出点55bで光透過部/光透過部領域54の光強度を検出している。この2回目の測定における検出点55aによって検出されたシフター部/シフター部領域51の光強度の振幅をAL2とし、検出点55bによって検出された光透過部/光透過部領域54の光強度の振幅をAR2とする。すなわち、AL2は信号波形Dの振幅を示し、AR2は信号波形Dの振幅を示している。この振幅AL2は2回目の測定における信号波形Dをフーリエ変換することにより、算出することができる。一方、振幅AR2は2回目の測定における信号波形Cをフーリエ変換することにより、算出することができる。2回目の測定における透過率T2は1回目の測定と同様にAR2とAR2により算出され、具体的にはT=AR2/AL2となる。
本発明では透過率Tと透過率Tの相乗平均を透過率Tとしている。具体的には透過率T=(T×T1/2で表される。AR1とAL1を異なる2点で検出しているため、光学系において明るさの分布が生じることがある。この場合、シフター部/シフター部領域51と光透過部/光透過部領域54の光強度が検出点の位置で異なる信号となってしまう。すなわち、検出点によって振幅にばらつきが生じ、精度よく透過率を測定できない場合がある。本発明では検出点の違いによる、振幅の違いを除去するために同じ検出点における2回の測定を平均化している。すなわち、光透過部/光透過部領域54とシフター部/シフター部領域51の干渉光が検出点55aと検出点55bでそれぞれ1度づつ検出されるため、光学系による明るさの分布がキャンセルすることができる。これにより、透過率を精度よく測定を行うことができる。
次に、上述の処理を行うためのコンピュータ31の構成について図10を用いて説明する。図10はコンピュータ31の構成を示すブロック図であるコンピュータは通常のパーソナルコンピュータ等であり、所定の処理を行う中央処理装置(CPU)及び処理結果や信号波形を記憶するメモリやハードディスク等の記憶装置を備えている。さらに、処理結果や信号波形を画面上に表示する表示装置及びマウスやキーボードなどの所定の処理を実行させるための入力装置を備えている。
コンピュータ31には検出器30において測定された光強度と光学くさび28を移動させる直線移動機構29からの光学くさび28の位置との信号が入力される。コンピュータ31のデータ記憶部32には2つの検出点の光強度と光学くさび28の位置が対応付けて記憶される。このデータ記憶部32に記憶されたデータは例えば、図4や図8のような信号波形となる。このデータ記憶部32に記憶されたデータに基づいて高速フーリエ変換(FFT)が実行され、位相差や振幅等を算出する。
位相ずれ量の測定を行う前に、波面1と波面2との傾きにより生じる2点の検出点のチルト量φ0tiltを測定してチルト記憶部34に記憶する。位相差算出部33では信号をフーリエ変換して、検出点55aと検出点55bの位相差に基づいた値を算出する。φ0tilt算出時には、今で記憶されていたφ0tiltは考慮されず、そのまま検出点55aと検出点55bの位相差が算出される。この位相差φ0tiltがチルト量としてチルト記憶部34に記憶される。このφ0tiltは次のφ0tiltが算出されるまでシフター17の位相ずれ量φの算出時に使用される。チルト量が記憶されていない場合は、チルト量を0として算出する。
シフター17の位相ずれ量を算出する時、位相差算出部33は検出点55aと検出点55bの信号をフーリエ変換して位相差を求め、さらにチルト記憶部34に記憶されているφ0tiltを考慮して位相すれ量φを算出する。透過率算出部35は検出点55aと検出点55bの信号をフーリエ変換して、振幅を求めて、振幅の比の相乗平均を透過率とする。オペレータの操作によって、シフタ17の位相シフト量の測定、チルト量の測定又は透過率の測定であるかが指示され、コンピュータ31は指示内容に応じた演算処理を実行する。このようにして位相シフト量等が測定される。
なお、上述の位相シフト量の測定により、シフター17の位相シフト量が設定された位相シフト量の許容範囲よりもずれている場合、その箇所のシフター17を修復する。これにより、位相シフトマスクをよく生産することができる。なお、測定対象は位相シフトマスクのみに、透過する光に位相ずれを生じさせる位相シフターが形成された基板、例えば、光導波路や光集積回路などに利用することができる。また、パージガスはN2に限らず、その他の気体を用いても良い。さらに、本発明においてパージとは、クリーンルーム内のダウンフロー等、気体に一定の流れがあるものを含むものとする。
本発明にかかる検査装置の構成を示す図である。 位相シフトマスクの構成を示す断面図である。 位相ずれ量測定時において検出器により検出された干渉光と検出点との構成を示す図である。 位相ずれ量測定時において検出器により検出された光強度の信号波形を示す図である。 位相ずれ量測定時における検出点と波面の関係を示す図である。 チルト量測定時における検出点と波面の関係を示す図である。 透過率測定時において検出器により検出された干渉光と検出点との関係を示す図である。 透過率測定時において検出器によって検出された光強度の信号波形を示す図である。 透過率測定時における検出点と波面の関係を示す図である。 本発明にかかる検査装置のコンピュータの構成を示すブロック図である。 従来の位相シフトマスクの検査装置の構成を示す図である。 従来の検査装置における干渉光と検出点の関係を示す図である。 シェアリング干渉計における干渉光の波面を示す図である。 従来の検査装置の位相ずれ量測定時における検出点と波面の関係を示す図である。 従来の検査装置の透過率測定時における検出点と波面の関係を示す図である。
符号の説明
10 窒素パージ空間、11 光源、12 ビームホモジナイザー、
13a〜13c レンズ、14 エネルギーモニター、15 グレーティング、
16 位相シフトマスク(PSM)、16a 基板、16b シフター部、
16c 光透過部、17 シフター、
20 真空空間、21a〜21c レンズ、22a、22b ミラー、
25a、25bビームスプリッター、26 光学シェアリング部材
27a、27b 全反射ミラー、28 光学くさび、29 直線駆動機構、30 検出器31 コンピューター、32データ記憶部、33 位相差算出部、
34 チルト記憶部、35 透過率算出部、40a 0次の回折光、
40b 1次の回折光、41a 第1の光束、41b 第2の光束、43 干渉光
101 位相シフトマスク(PSM)、101A XYステージ、101b 光透過部、
103 シフター部、104a〜104f レンズ、105a〜105b ハーフミラー
106a〜106c ミラー、111a 第1の光束、111b 第2の光束、
113 干渉光、117 測光ターゲット、118 フォトマルチプライア、
119 TVカメラ、121 コンピューター、122 電流/電圧変換器、
123 A/D変換器、125 光源、

Claims (6)

  1. 光を透過する光透過部と、透過した光に前記光透過部を透過した光と位相差を生じさせる位相シフターが形成されたシフター部とを有する基板において前記位相シフターの位相シフト量を測定する位相シフト量測定装置であって、
    光を発生する光源と、
    前記光源で発生した光から、m次(mは整数)の回折光による第1の可干渉光とn次(nはmと異なる整数)の回折光による第2の可干渉光とを生成するグレーティングと、
    前記基板の光透過部及びシフター部に前記第1の可干渉光と第2の可干渉光の一部を重ね合わせて入射させる光学手段と、
    前記基板を透過した第1の可干渉光及び第2の可干渉光を、それぞれ当該第1の可干渉光及び第2の可干渉光を含む第1の光束と第2の光束に分岐する光分岐手段と、
    光分岐手段によって分岐された前記第1の光束と前記第2の光束との間に位相差を与える位相差生成手段と、
    前記位相差生成手段により位相差が与えられた前記第1の光束と前記第2の光束を重ね合わせて干渉光を生成する干渉光生成手段と、
    前記第1の光束と前記第2の光束の重ね合わせにおいて、前記第1の光束と前記第2の光束との間に、前記基板での前記第1の可干渉光と前記第2の可干渉光のずれ量に応じた横方向のずれを生じさせるシャリング手段と、
    前記位相差生成手段を移動させ、前記位相差生成手段によって生成された前記第1の光束と前記第2の光束との間の位相差を変化させる位相差変化手段と、
    前記位相差変化手段による位相差の変化に応じた前記干渉光の光強度を、一方が前記第1の光束の前記シフター部を透過したシフター部透過領域と前記第2の光束の前記光透過部を透過した光透過部透過領域とを重ね合わせたシフター部/光透過部領域に配置され、他方が前記第1の光束の前記光透過部透過領域と前記第2の光束の前記シフター部透過領域とを重ね合わせた光透過部/シフター部領域に配置される異なる2つの検出点で略同時に検出する光検出手段とを備え、
    前記2つの検出点における前記光強度から前記第1の光束と前記第2の光束との位相差をそれぞれ算出し、当該第1の光束と第2の光束との位相差に基づいて前記位相シフターの位相シフト量を測定する位相シフト量測定装置。
  2. 前記基板を載置して移動可能なステージをさらに備え、
    前記2つの検出点における光強度の信号の振幅に基づいて前記位相シフターの透過率を測定する請求項1記載の位相シフト量測定装置。
  3. 前記光源が真空紫外光を発生する真空紫外光源であり、
    前記光源から前記検出器までの光路の少なくとも一部がパージガスによりパージされている請求項1又は2記載の位相シフト量測定装置。
  4. 光を透過する光透過部と、透過した光に前記光透過部を透過した光と位相差を生じさせる位相シフターが形成されたシフター部とを有する基板において前記位相シフターの位相シフト量を測定する位相シフト量測定方法であって、
    グレーティングを用いて、m次(mは整数)の回折光による第1の可干渉光とn次(nはmと異なる整数)の回折光による第2の可干渉光とを生成するステップと、
    前記第1の可干渉光と前記第2の可干渉光の重なり合う領域を前記基板の前記光透過部及び前記シフター部に照射するステップと、
    前記基板を透過した第1の可干渉光及び前記第2の可干渉光を、それぞれ当該第1の可干渉光及び第2の可干渉光を含む第1の光束と第2の光束に分岐するステップと、
    前記第1の光束と前記第2の光束との間に位相差を与える位相差生成手段を移動して、前記第1の光束と前記第2の光束との間の位相差を変化させるステップと、
    前記第1の光束と前記第2の光束との間に、前記基板での前記第1の可干渉光と前記第2の可干渉光のずれ量に応じた横方向のずれを生じさせ、前記第1の光束と前記第2の光束を重ね合わせて干渉光を生成するステップと、
    前記位相差の変化に応じた前記干渉光の光強度を、一方が前記第1の光束の前記シフター部を透過したシフター部透過領域と前記第2の光束の前記光透過部を透過した光透過部透過領域とを重ね合わせたシフター部/光透過部領域に配置され、他方が前記第1の光束の前記光透過部透過領域と前記第2の光束の前記シフター部透過領域とを重ね合わせた光透過部/シフター部領域に配置される異なる2つの検出点で略同時に検出するステップと、
    前記2つの検出点における前記光強度から前記第1の光束と前記第2の光束との位相差をそれぞれ算出し、当該第1の光束と第2の光束との位相差に基づいて前記位相シフターの位相シフト量を測定するステップとを備える位相シフト量測定方法。
  5. 前記第1の光束と前記第2の光束が重ね合わされた前記干渉光のうち、前記第1の光束の前記シフター部を通過したシフター部透過領域と前記第2の光束の前記光透過部を透過した光透過部透過領域とが重ね合わされた領域をシフター部/光透過部領域とし、前記第1の光束の前記シフター部を通過したシフター部透過領域と前記第2の光束の前記シフター部を透過したシフター透過領域とが重ね合わされた領域をシフター部/シフター部領域とし、前記第1の光束の前記光透過部を通過した光透過部透過領域と前記第2の光束の前記光透過部を透過した光透過部透過領域とが重ね合わされた領域を光透過部/光透過部領域とし、前記第1の光束の前記光透過部を通過した光透過部透過領域と前記第2の光束の前記シフター部を透過したシフター透過領域とが重ね合わされた領域を光透過部/シフター部領域とした場合に、前記基板が載置されたステージを移動して前記2つの検出点を、前記干渉光の前記シフター部/光透過部領域、シフター部/シフター部領域、光透過部/光透過部領域及び光透過部/シフター部領域の中の同じ領域に配置するステップと、
    前記干渉光の同じ領域に配置された2つの検出点における光強度の信号の位相差に基づいて、前記第1の光束の波面と第2の光束の波面との間の傾きの差によって、前記2つの検出点の間に生じるチルト量を測定するステップとをさらに備え、
    前記チルト量に基づいて前記位相シフト量が測定される請求項4記載の位相シフト量測定方法。
  6. 請求項4又は5記載の位相シフト量測定方法により、位相シフトマスクに設けられた位相シフターの位相シフト量を測定するステップと、
    前記位相シフト量が設定された許容範囲に含まれるか否かを判別するステップと、
    前記位相シフト量が許容範囲に含まれていない位相シフターを修復するステップとを有する位相シフトマスクの製造方法。
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