JP4497665B2 - プローブの走査制御装置、該走査制御装置による走査型プローブ顕微鏡、及びプローブの走査制御方法、該走査制御方法による測定方法 - Google Patents
プローブの走査制御装置、該走査制御装置による走査型プローブ顕微鏡、及びプローブの走査制御方法、該走査制御方法による測定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4497665B2 JP4497665B2 JP2000197970A JP2000197970A JP4497665B2 JP 4497665 B2 JP4497665 B2 JP 4497665B2 JP 2000197970 A JP2000197970 A JP 2000197970A JP 2000197970 A JP2000197970 A JP 2000197970A JP 4497665 B2 JP4497665 B2 JP 4497665B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- sample
- scanning
- sampling
- sampling rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はプローブの走査制御装置、該走査制御装置による走査型プローブ顕微鏡、及びプローブの走査制御方法、該走査制御方法による測定方法に関し、特に探針で測定試料を相対走査して該測定試料上の情報を取得するSPM(走査型プローブ顕微鏡)の技術分野に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、導体の電子構造を直接観察できる走査型トンネル顕微銃(以後、STMと略す)の開発[G.Binning et al.Phys.Rev.Lett,49,57(1982)]以来、AFM(原子間力顕微鏡)、SCM(走査型容量顕微鏡)、SNOM(近接場光学顕微鏡)といった、先端の尖ったプローブを走査することにより様々な情報とその分布を得る顕微鏡装置が、次々と開発されてきた。現在、これらの顕微鏡群は、走査型プローブ顕微鏡(SPM)と総称され、原子、分子レベルの解像度を持つ、微細構造の観察手段として、広く用いられるようになっている。
【0003】
従来、これらSPM装置は、金属や雲母グラファイト等の結晶へき開面や、シリコン基板といった平面形状の試料の表面観察装置として使用されてきた。しかしながら、現在では、半導体プロセスで作成された配線構造、マイクロマシン技術で作成された微小構造物等、立体構造物の観察手段としても工業的応用を期待されている。
【0004】
以下、一般的なSPM装置の動作として、AFMの動作を簡単に説明する。平面状の試料の表面形状を測定するために、先の尖った探針をカンチレバーと呼ばれる弾性体で支え、探針先端を試料に対して所定の力で押しつける。カンチレバーは板ばねとして作用するため、カンチレバーのたわみ量を検出する事で、押し付け力を知る事が出来る。試料面と平行な平面内において動作するxyステージを用い、試料と探針を直線状に一定速度で相対走査する。走査時に、試料面に垂直に動作するzステージを用い、押し付け力一定すなわちカンチレバーのたわみが一定となるように、探針と試料表面との距離を制御することで、探針は試料表面の凹凸に追従する。このzステージの制御量を等時間間隔でサンプリングする事により、直線状に表面形状の断面プロファイルが得られる。さらに、試料面と平行な面内において、いわゆるラスタ状に前記の動作を繰り返す事により、試料形状の2次元分布を得る。
【0005】
測定中に、例えば、導電性の探針を用いて、試料との間にバイアス電圧をかけて、電流を測定すれば、試料表面の導電性の分布を知る事が出来るし、微小開口を持つプローブを近接場領域まで近づけた状態でプローブから試料表面に光を入射しその散乱光を測定すればSNOMとなる。また、STMにおいては、探針と試料との間に流れるトンネル電流を一定として同様の距離制御を行い、測定を行う。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来、試料平面全体が走査面に対して傾いている場合、試料の局所的凹凸により試料平面内でのサンプリング間隔が変化するという問題に対して、例えば、特開平6−147821号公報に見られるように試料平面方向に等間隔でサンプリングを行う方法が提案されている。
しかしながら、前述のような立体構造物は、試料表面の観察対象の分布に比べ、大きな空間周波数の構造を持つ、すなわち大形状(試料形状)の上に表面形状等の微細構造(表面構造)を有するため、これら一般的な構成のSPM装置を表面観察手段として使用する場合には、別の問題が発生する。この事について、以下、図を用いて説明する。
【0007】
説明のため、図3の示すように半円状の立体形状を持つ試料112を6分割し、7点で測定量をサンプリングし、従来のSPM装置で表面測定を行う場合について考える。走査方向202に走査を行いながら間隔制御方向203に間隔制御を行って、走査方向202について等間隔でサンプリングを行う。この走査方向におけるサンプリング点間の距離を、dhとし、以下、走査方向サンプリング距離301とする。
【0008】
図中dr1からdr3はサンプリング点間において、探針が実際に試料112の形状に沿って追従した距離であり、これを以下、試料形状方向サンプリング距離302とする。
dr1からdr3およびdhの関係は、
dr1>dr2>dr3>dh
であり、走査方向について等間隔でサンプリングしても試料形状方向では等間隔にならず、傾斜角が大きい程、試料形状方向のサンプリング間隔は大きくなってしまう。この事は、従来のように平面と見なせる試料の測定においては大きな問題にはならないが、前述したような立体形状上の表面測定を行う場合は、観察する立体形状面の走査方向に対する傾斜角の変化によって試料形状方向のサンプリングレートが変化する、すなわち、表面測定の分解能が変化するという問題を引き起こしていた。
【0009】
そこで、本発明は、上記課題を解決し、走査方向に対して傾斜角の変化する立体形状試料に対して、試料形状方向の分解能を一定として検出できるプローブの走査制御装置、該走査制御装置による走査型プローブ顕微鏡、及びプローブの走査制御方法、該走査制御方法による測定方法を提供することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を達成するため、つぎの(1)〜(8)のように構成したプローブの走査制御装置、該走査制御装置による走査型プローブ顕微鏡、及びプローブの走査制御方法、該走査制御方法による測定方法を提供するものである。
(1)探針を試料に対し相対走査して該試料上の情報を検出するプローブの走査制御装置において、
前記探針における、前記試料の表面形状に沿って追従した距離である試料形状方向についての追従距離が、該試料形状方向に等間隔で分割した各サンプリング点間で一定となるようにサンプリングを行う間隔制御手段を有し、
前記間隔制御手段が、各サンプリング点間について探針が試料形状方向に追従した距離が一定となるようにサンプリングレートを演算するサンプリングレート演算手段と、
前記サンプリングレート演算手段の演算結果に基づき、測定情報をサンプリングするサンプリング手段と、サンプリングの時間間隔を記憶するサンプリングレート記憶手段と、
を有することを特徴とするプローブの走査制御装置。
(2)前記サンプリングレート演算手段が、前記追従した距離とみなす試料上の形状の空間周波数を制限する空間周波数制限手段を有することを特徴とする上記(1)に記載のプローブの走査制御装置。
(3)探針を試料に対し相対走査して該試料上の情報を検出するプローブを有する走査型プローブ顕微鏡において、
前記プローブの走査が、上記(1)または(2)のいずれかに記載の走査制御装置によって制御するように構成されていることを特徴とする走査型プローブ顕微鏡。
(4)前記サンプリングレート演算回路の演算した各サンプリング点間のサンプリングレートを記憶するサンプリングレート記憶手段と、
前記サンプリングレート記憶手段が記憶する各サンプリング点間のサンプリングレートを用いて、測定情報の2次元分布を合成する情報合成手段を有することを特徴とする上記(3)に記載の走査型プローブ顕微鏡。
(5)探針を試料に対し相対走査して該試料上の情報を検出するプローブの走査制御方法において、
前記探針における、前記試料の表面形状に沿って追従した距離である試料形状方向についての追従距離が、該試料形状方向に等間隔で分割した各サンプリング点間で一定となるように間隔制御してサンプリングを行うに際し、
前記間隔制御を、各サンプリング点間について探針が試料形状方向に追従した距離が一定となるようにサンプリングレートを演算し、
該サンプリングレートの演算結果に基づいて、測定情報をサンプリングすると共に、サンプリングの時間間隔を記憶することにより行うことを特徴とするプローブの走査制御方法。
(6)前記サンプリングレートを演算するに際し、前記追従した距離とみなす測定試料上の形状の空間周波数を制限することを特徴とする上記(5)に記載のプローブの走査制御方法。
(7)試料に対し相対走査するプローブを用い試料の表面形状を測定する測定方法において、前記プローブの走査が上記(5)または(6)に記載の走査制御方法によって制御されることを特徴とする試料の表面情報を測定する測定方法。
(8)前記各サンプリング点間のサンプリングレートを記憶し、該記憶した各サンプリング点間のサンプリングレートを用いて測定情報の2次元分布を合成することを特徴とする上記(7)に記載の試料の表面情報を測定する測定方法。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態においては、上記構成を適用して、試料表面に探針を追従させて、試料表面を測定する走査型プローブ顕微鏡において、サンプリング点間の探針の試料形状方向についての追従距離が一定となるように、サンプリングを行うことにより、走査方向と試料形状方向のなす傾斜角が変化するような立体形状をもつ試料の表面測定に対しても、平面状の試料を測定する場合と同様に、等分解能での表面測定を可能とすることができる。また、探針の追従距離を計算する信号の周波数を制限することにより、試料形状として扱う空間周波数を設定することを可能とすることができる。さらに、サンプルリングの時間間隔を参照して、走査平面内での測定情報の2次元合成が可能となる。
【0012】
【実施例】
以下、図面を用いて、本発明の実施例について以下に詳細な説明を行う。
図4は、本発明の原理を説明するための模式図であり、図4において走査方向202に走査を行いながら間隔制御方向203に間隔制御を行って、探針が実際に試料112上を追従した距離、すなわち、試料形状方向サンプリング距離302について等間隔でサンプリングを行う。
【0013】
以下、本実施例の装置とその動作について、説明する。
図1に示すように、弾性体109と探針110からなるプローブ111が、試料112の表面に対向するように配置される。プローブ111は、固定されており、試料112は、xyz駆動ステージ108に取り付けられる。
プローブ111は、半導体プロセスにより作成され、図5に示す構成を有している。プローブ111において、探針110は、Siで構成される弾性体109により支持される。弾性体109の表面には、Asを打ち込むことで、図5に示すように、ピエゾ抵抗層501が形成されており、弾性体の変形によって生じる応力に応じて、抵抗値が変化する。
【0014】
変位検出回路102はプローブ111の弾性体109に図5に示すようにバイアス電圧を印加し、流れる電流値を検出する事で、弾性体109のたわみ量を検出し、位置制御量演算回路103に送る。弾性体109は板ばねとして機能するため、そのたわみ量は、十分小さい場合には、探針押し込み力に比例する。位置制御量演算回路103は、探針押し込み力を一定、すなわち、弾性体109のたわみ量が一定となるように、探針110と試料112との間隔制御量を演算し、位置制御回路106、サンプリングレート演算回路104、サンプリング回路105に送る。また、探針110と試料112との平面内での相対走査量を位置制御回路106とサンプリングレート演算回路104に送る。位置制御回路106は、指示された制御量に従い、xyz駆動ステージ108を制御し、探針110と試料112との相対位置を変化させる。
【0015】
ここで、サンプリングレート演算回路104の動作について説明する。入力された間隔制御量は、まず、あらかじめ設定したカットオフ周波数を持つローパスフィルタを通る。次に、この出力信号と走査信号とをそれぞれ微分し、間隔制御方向速度Vh及び、走査方向速度Vvを求める。走査方向と間隔制御方向は直行しているので、試料形状方向速度Vsは、
となる。
【0016】
次にこのVsを積分してゆき、あらかじめ定める試料形状方向サンプリング距離をdr、一つ前のサンプリング時刻をts-1とすると、
となるtsにサンプリング回路105とサンプリングレート記憶回路106にトリガ信号を出力する。
【0017】
サンプリング回路105はトリガ信号を受け、その時点での位置制御量を取得する。サンプリングレート記憶回路106は、サンプリングの時間間隔を記憶する。
以上の構成の装置を用い、L×Lの正方形の範囲に対して測定動作を行う。直線状に、長さLだけ走査を行い、図2に示すように、表面形状のラインプロファイルを得る。このラインプロファイルはローパスフィルタのカットオフ周波数と走査速度とから定まる空間周波数、
以下の空間周波数を持つ試料形状方向に等分解能で測定されたものとなっている。
【0018】
次に、探針110と試料112を走査方向と直行する方向にdrだけ相対的に移動させ、同様の測定動作を行う。これを繰り返し、L×Lの測定範囲全体を走査する。
さらに、走査方向を90度回転させ、同様の測定操作を行う。以上の動作により、走査範囲全体について、直行する2方向について、ラインプロファイル群が取得できる。
【0019】
次に測定結果を2次元に合成する。まず、測定範囲全体についての合成を行う。合成される2次元データのピクセル数は、適宜定めることが出来るが、ここでは
ピクセルを用いる。ここまでの動作で得られた2つの走査方向に関する、各サンプリング点は各走査方向に対して、等間隔ではない。サンプリングレート記憶回路に記憶された、各サンプリング点の時間間隔と走査速度Vhおよび各走査間の距離drから各サンプリング点の位置がわかるので、各ピクセルに対してもっとも近いサンプリング点の情報をそのピクセルの情報とする。こうして得られた2次元データは、サンプリング点とピクセルの位置ずれという誤差を持つが、いわば全体像として利用できる。また、もちろん、各ピクセルからの距離に応じた重み付け平均化処理等、他の合成手法を用いてもかまわない。
【0020】
なお、本実施例では、探針110の変位量の検出に弾性体109のたわみによるピエゾ抵抗層501の抵抗変化を用いたが、もちろんこれは、光てこ等、他の変位検出手段でもかまわない。
また、本実施例では、試料113の表面形状を測定する原子間力顕微鏡としての装置構成例を示したが、走査中に別の物理量を同時に検出することで、例えば、近接場光学顕微鏡、静電容量顕微鏡等、他の走査型プローブ顕微鏡装置にも本発明は適用可能である。
【0021】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、傾斜角の変化する立体形状試料に対して、試料形状方向の分解能を一定として検出可能なプローブの走査制御装置、該走査制御装置による走査型プローブ顕微鏡、及びプローブの走査制御方法、該走査制御方法による測定方法を実現することができる。
また、本発明によれば、探針の追従距離を計算する信号の周波数を制限するように構成することによって、試料形状として扱う空間周波数を設定することが可能となる。
さらに、本発明によれば、サンプルリングの時間間隔を参照して、走査平面内での測定情報の2次元合成を可能とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例における表面観察装置の構成を説明する図。
【図2】本発明の実施例における測定動作を説明する図。
【図3】本発明において解決すべき課題を説明する図。
【図4】本発明の原理を説明する図。
【図5】本発明の実施例におけるプローブの構成を説明する図。
【符号の説明】
101:筐体
102:変位検出回路
103:位置制御量演算回路
104:サンプリングレー卜演算回路
105:サンプリング回路
106:位置制御回路
107:情報合成回路
108:xyz駆動ステージ
109:弾性体
110:探針
111:プローブ
112:試料
201:サンプリング点
202:走査方向
203:間隔制御方向
301:走査方向サンプリング距離
302:試料形状方向サンプリング距離
501:ピエゾ抵抗層
Claims (8)
- 探針を試料に対し相対走査して該試料上の情報を検出するプローブの走査制御装置において、
前記探針における、前記試料の表面形状に沿って追従した距離である試料形状方向についての追従距離が、該試料形状方向に等間隔で分割した各サンプリング点間で一定となるようにサンプリングを行う間隔制御手段を有し、
前記間隔制御手段が、各サンプリング点間について探針が試料形状方向に追従した距離が一定となるようにサンプリングレートを演算するサンプリングレート演算手段と、
前記サンプリングレート演算手段の演算結果に基づき、測定情報をサンプリングするサンプリング手段と、サンプリングの時間間隔を記憶するサンプリングレート記憶手段と、
を有することを特徴とするプローブの走査制御装置。 - 前記サンプリングレート演算手段が、前記追従した距離とみなす試料上の形状の空間周波数を制限する空間周波数制限手段を有することを特徴とする請求項1に記載のプローブの走査制御装置。
- 探針を試料に対し相対走査して該試料上の情報を検出するプローブを有する走査型プローブ顕微鏡において、
前記プローブの走査が、請求項1または請求項2に記載の走査制御装置によって制御するように構成されていることを特徴とする走査型プローブ顕微鏡。 - 前記サンプリングレート演算回路の演算した各サンプリング点間のサンプリングレートを記憶するサンプリングレート記憶手段と、
前記サンプリングレート記憶手段が記憶する各サンプリング点間のサンプリングレートを用いて、測定情報の2次元分布を合成する情報合成手段を有することを特徴とする請求項3に記載の走査型プローブ顕微鏡。 - 探針を試料に対し相対走査して該試料上の情報を検出するプローブの走査制御方法において、
前記探針における、前記試料の表面形状に沿って追従した距離である試料形状方向についての追従距離が、該試料形状方向に等間隔で分割した各サンプリング点間で一定となるように間隔制御してサンプリングを行うに際し、
前記間隔制御を、各サンプリング点間について探針が試料形状方向に追従した距離が一定となるようにサンプリングレートを演算し、
該サンプリングレートの演算結果に基づいて、測定情報をサンプリングすると共に、サンプリングの時間間隔を記憶することにより行うことを特徴とするプローブの走査制御方法。 - 前記サンプリングレートを演算するに際し、前記追従した距離とみなす測定試料上の形状の空間周波数を制限することを特徴とする請求項5に記載のプローブの走査制御方法。
- 試料に対し相対走査するプローブを用い試料の表面形状を測定する測定方法において、前記プローブの走査が請求項5または請求項6に記載の走査制御方法によって制御されることを特徴とする試料の表面情報を測定する測定方法。
- 前記各サンプリング点間のサンプリングレートを記憶し、該記憶した各サンプリング点間のサンプリングレートを用いて測定情報の2次元分布を合成することを特徴とする請求項7に記載の試料の表面情報を測定する測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000197970A JP4497665B2 (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | プローブの走査制御装置、該走査制御装置による走査型プローブ顕微鏡、及びプローブの走査制御方法、該走査制御方法による測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000197970A JP4497665B2 (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | プローブの走査制御装置、該走査制御装置による走査型プローブ顕微鏡、及びプローブの走査制御方法、該走査制御方法による測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002014025A JP2002014025A (ja) | 2002-01-18 |
JP4497665B2 true JP4497665B2 (ja) | 2010-07-07 |
Family
ID=18696218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000197970A Expired - Fee Related JP4497665B2 (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | プローブの走査制御装置、該走査制御装置による走査型プローブ顕微鏡、及びプローブの走査制御方法、該走査制御方法による測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4497665B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4705815B2 (ja) * | 2005-07-12 | 2011-06-22 | 株式会社ミツトヨ | データ処理装置、およびデータ処理方法、データ処理プログラム |
JP2008157720A (ja) | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Sii Nanotechnology Inc | 走査型プローブ顕微鏡および走査方法 |
JP6558032B2 (ja) * | 2015-04-03 | 2019-08-14 | 株式会社島津製作所 | 分取クロマトグラフ |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60173201A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-06 | 鹿島建設株式会社 | 路面の凹凸測定解析装置 |
JP3207994B2 (ja) * | 1993-02-17 | 2001-09-10 | キヤノン株式会社 | 走査型プローブ顕微鏡、およびそれを用いた情報記録再生装置 |
JPH10153602A (ja) * | 1996-11-21 | 1998-06-09 | Olympus Optical Co Ltd | 走査型プローブ顕微鏡 |
-
2000
- 2000-06-30 JP JP2000197970A patent/JP4497665B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002014025A (ja) | 2002-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100961571B1 (ko) | 주사 탐침 현미경 | |
US8489356B2 (en) | Variable density scanning | |
US5204531A (en) | Method of adjusting the size of the area scanned by a scanning probe | |
JP2915554B2 (ja) | バリアハイト測定装置 | |
US5253516A (en) | Atomic force microscope for small samples having dual-mode operating capability | |
JPH06213910A (ja) | 形状を除く表面のパラメータを正確に測定し、または形状に関連した仕事を行うための方法および相互作用装置 | |
JP5373284B2 (ja) | ねじれ共振モードにおいて電気的な特性を測定するための方法及び装置 | |
JP2983876B2 (ja) | リアルタイムかつナノメータスケールの位置測定方法および装置 | |
CN107085127B (zh) | 一种新型扫描探针显微镜的检测方法和系统 | |
WO2015085316A1 (en) | Force measurement with real-time baseline determination | |
JP3069923B2 (ja) | カンチレバー型プローブ及び原子間力顕微鏡、情報記録再生装置 | |
US9366693B2 (en) | Variable density scanning | |
JP3070216B2 (ja) | 表面顕微鏡及び顕微方法 | |
JP4243403B2 (ja) | 走査型プローブ顕微鏡の走査方法 | |
JP4497665B2 (ja) | プローブの走査制御装置、該走査制御装置による走査型プローブ顕微鏡、及びプローブの走査制御方法、該走査制御方法による測定方法 | |
JPH08233836A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡、並びにその高さ方向較正用基準器および較正方法 | |
JP4497664B2 (ja) | 走査型プローブ顕微鏡及び加工装置 | |
JP4621908B2 (ja) | 表面状態計測方法、表面状態計測装置、顕微鏡、情報処理装置 | |
JP4280382B2 (ja) | 走査型プローブを有する情報検出装置及び情報検出方法 | |
JP3892184B2 (ja) | 走査型プローブ顕微鏡 | |
JP2000338025A (ja) | 複数のプローブを備えた情報検出装置および複数のプローブによる情報検出方法 | |
Stadelmann | Review of Scanning Probe Microscopy Techniques | |
JPH10213749A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡による表面観察方法 | |
Shi et al. | Segmental calibration for commercial AFM in vertical direction | |
JP2001183283A (ja) | 走査型プローブを有する情報検出装置及び情報検出方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070628 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090805 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091001 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091029 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100324 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100413 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140423 Year of fee payment: 4 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |