JP4493374B2

JP4493374B2 - カラーフィルタ基板の製造方法およびカラーフィルタ基板の検査方法並びに液晶表示装置の製造方法

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Publication number: JP4493374B2
Application number: JP2004066244A
Authority: JP
Inventors: 康雄藤田; 昭範角
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2004-03-09
Filing date: 2004-03-09
Publication date: 2010-06-30
Anticipated expiration: 2024-03-09
Also published as: JP2005257807A

Description

本発明はＯＡ機器等の画像、文字情報の表示装置として用いられるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に用いるカラーフィルタ基板の製造方法およびカラーフィルタ基板の検査方法並びに液晶表示装置の製造方法に関する。

一般に液晶表示装置用のカラーフィルタ基板は、ガラス基板上にカラー表示を行うための赤、青、緑からなる画素および液晶分子に電圧を印加させるための透明導電膜などから構成されている。
カラーフィルタ基板の製造方法の一例が下記の引用文献に記載されている。

特開２００１−３１１８１５号公報（第３−４頁、第１−５図）

液晶表示装置において、カラーフィルタ基板上に形成する透明導電膜の位置がずれ、画素形成領域内に透明導電膜が形成されない領域があると、液晶分子に電圧を印加することができず、配光乱れ（光抜け）が発生する。また、着色層が透明導電膜に覆われない領域では着色層中に存在する不純物が液晶分子中に露出し、液晶分子に印加する実効電圧が局所的に異なることで、表示ムラとなる場合がある。

また、液晶表示装置のカラーフィルタ基板とスイッチング素子を形成したＴＦＴ基板の周囲には、両基板を貼り合わせるためシールが設けられている。この貼り合わされた基板のシール形成領域の外側に透明導電膜が形成されると、シール形成領域外に形成された透明導電膜とＴＦＴ基板側の配線との間で電位差がある場合、両者の間に水などが存在することにより、透明導電膜及び配線に腐食が生じ、品質異常や歩留まり低下の原因となる。

前記特許文献１に示されたカラーフィルタ基板の検査方法は、共に所定のパターン形状のブラックマトリクスと透明導電膜とが所定量以上相対的に位置ずれしているか否かを検査するのに、被合わせマークの幅内に合わせマークが収まっているか否かを目視によって判定している。

しかしながら、透明導電膜をマスクスパッタ法等により、所定パターンに形成する場合、マスクエッジからのまわり込み、またはパターン周辺部にテ−パが形成されることなどにより、透明導電膜の端部は境界のはっきりとしないボケ部が形成されてしまう。よって、透明導電膜が画素形成領域を確実に覆っているかどうかの判断を目視のみで行うことは、透明導電膜が透明であるうえに端部では境界のはっきりとしないボケ部が形成されているため非常に難しく、透明導電膜の検査用にマージンが必要となっていた。

本発明は前記問題を鑑みてなされたものであり、透明導電膜がブラックマトリクスの画素形成領域を含む位置に形成されているかどうかを正確に判定することができるカラーフィルタ基板の製造方法および検査方法を提供することを目的とする。

本発明によるカラーフィルタ基板の製造方法は、ガラス基板上に、縦横に配列される複数の画素開口部を有するブラックマトリクスを形成する工程と、前記画素開口部に着色層を設けることにより画素形成領域を形成する工程と、前記ブラックマトリクスの周辺部に導電性を有する電極マークを形成する工程と、前記画素形成領域上に透明導電膜を堆積すると同時に、前記透明導電膜が前記画素形成領域上に位置ずれなく堆積された場合に前記電極マークと重なる位置に形成される透明導電膜マークを堆積する工程とを含むカラーフィルタ基板の製造方法において、さらに、前記電極マークと前記透明導電膜マークとの導通を検査することにより、前記画素形成領域上に前記透明導電膜が位置ずれなく堆積されているかどうかを判定する検査工程を含むことを特徴とするものである。

本発明によるカラーフィルタ基板の検査方法は、ガラス基板と、前記ガラス基板上に形成され、縦横に配列される複数の着色層からなる画素形成領域を有するブラックマトリクスと、前記ブラックマトリクスの周辺部に形成された導電性を有する電極マークと、前記画素形成領域上に堆積された透明導電膜と、該透明導電膜と同時に、前記透明導電膜が前記画素形成領域上に位置ずれなく堆積された場合に前記電極マークと重なる位置に形成された透明導電膜マークとを備えたカラーフィルタ基板の検査方法において、前記電極マークと前記透明導電膜マークとの導通を検査することにより、前記透明導電膜が形成された位置を判定することを特徴とするものである。

本発明による液晶表示装置の製造方法は、ＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板にシール部材
を介して接着されるカラーフィルタ基板とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、ガラス基板上に、縦横に配列される複数の画素開口部を有するブラックマトリクスを形成する工程と、前記画素開口部に着色層を設けることにより画素形成領域を形成する工程と、前記ブラックマトリクスの周辺部に導電性を有する電極マークを形成する工程と、前記画素形成領域上に透明導電膜を堆積すると同時に、前記透明導電膜が、前記シール部材が設けられるシール形成領域内に堆積された場合に、電極マークと所定領域離れた位置に配される透明導電膜マークを形成する工程と、前記電極マークと前記透明導電膜マークとの導通を検査し、前記シール部材が設けられるシール形成領域外に透明導電膜が堆積されていないかどうかを判定する工程とを含むことを特徴とするものである。

また、本発明による別の液晶表示装置の製造方法は、カラーフィルタ基板のガラス基板上に、縦横に配列される複数の画素開口部を有するブラックマトリクスを形成する工程と、前記画素開口部に着色層を設けることにより画素形成領域を形成する工程と、前記ブラックマトリクスの周辺部に導電性を有する電極マークを形成する工程と、前記画素形成領域上に透明導電膜を堆積すると同時に、トランスファ材を介して前記透明導電膜に電荷を供給するＴＦＴ基板上のトランスファ電極の形成領域上にトランスファパッドを形成し、また、前記トランスファパッドが前記トランスファ電極の形成領域と重なり、しかも前記透明導電膜が前記画素形成領域上に位置ずれなく堆積された場合に、前記電極マークと重なる位置に透明導電膜マークを堆積する工程と、前記電極マークと前記透明導電膜マークとの導通を検査することにより、前記画素形成領域上に前記透明導電膜が位置ずれなく堆積されているかどうかを判定し、また前記トランスファパッドが前記トランスファ電極の形成領域に重なっているかどうかを判定する検査工程とを含むことを特徴とする。

本発明によるカラーフィルタ基板の製造方法およびカラーフィルタ基板の検査方法では、画素形成領域上に透明導電膜が堆積されているかどうかを、電極マークと透明導電膜マークとの導通を検査することにより正確に判定することができる。

また、本発明による液晶表示装置の製造方法では、シール部材が設けられるシール形成領域外に透明導電膜が堆積されていないかどうかを、電極マークと透明導電膜マークとの導通を検査することにより正確に判定することができる。

また、本発明による別の液晶表示装置の製造方法では、画素形成領域上に透明導電膜が堆積されているかどうか、およびトランスファパッドがトランスファ電極の形成領域に重なっているかどうかを、電極マークと透明導電膜マークとの導通を検査することにより正確に判定できる。

以下、本発明のカラーフィルタ基板およびカラーフィルタ基板の製造方法およびカラーフィルタ基板の検査方法の実施の形態を図面に基づいて説明する。
なお、各図において同一の符号を付されたものは、実質的に同様の構成要素を示している。

実施の形態１.
以下、図面を用いて本発明のカラーフィルタ基板およびカラーフィルタ基板の製造方法について詳細に説明する。図１〜６は本発明に関わるカラーフィルタ基板の製造方法について説明するための平面図である。

図１は、本発明に関わるカラーフィルター基板の完成時の全体構成を示す平面図である。

図１に示すように、カラーフィルタ基板８は、ガラス基板７と、当該ガラス基板７上に設けられたブラックマトリクス６と、当該ブラックマトリクス６の画素開口部９に設けられるＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の着色層１０と、この着色層１０が形成される画素形成領域Ｒを覆う透明導電膜５から構成される。本発明によるカラーフィルタ基板８の製造方法においては、ガラス基板７のコーナー部に電極マーク１と透明導電膜マーク１１とが設けられる。電極マーク１は、Ｔ字型電極１ａ〜１ｄにより構成される。

［カラーフィルタ基板の製造方法］
図２〜４は本発明に関わるカラーフィルタ基板８の製造工程を示す図である。以下、図２〜４に基づいてカラーフィルタ基板８の製造方法の一実施例を説明する。

［ブラックマトリクス形成工程］
図２に示すように、ガラス基板７上にＣｒ等の金属膜をスパッタ法により３００ｎｍの膜厚で全面に形成する。次いで、縦横に配列された複数の画素開口部９と電極マーク１（各Ｔ字型電極１ａ〜１ｄ）のパターンを形成したマスクを用いてフォトリソグラフィー法でパターニングを行う。これにより、画素開口部９が形成されたブラックマトリクス６と電極マーク１（各Ｔ字型電極１ａ〜１ｄ）が設けられる。

［着色層形成工程］
次に、図２に示すように、ブラックマトリクス６に形成された画素開口部９に１．５μｍ厚の着色層１０を形成する。着色層１０は、フォトリソグラフィー法等を用いて画素開口部９に可染媒体を設け、これをＲ、Ｇ、Ｂに着色することにより形成することができる。着色層を１０を形成した後、必要に応じてオーバーコート層（図示せず）を形成する。

［透明導電膜形成工程］
次に、図３に示すように、透明導電膜５の形成領域に対応する開口部と、透明導電膜マーク１１に対応する開口部とを備えたマスクをガラス基板７に密着させ、このマスクを介してガラス基板上にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等を蒸着させることにより、画素形成領域Ｒを含む位置に透明導電膜５を形成するとともに、透明導電膜マーク１１を電極マーク１と重なる位置に形成する。

液晶表示装置は、カラーフィルタ基板８と、液晶を駆動するためのスイッチング素子が形成されたＴＦＴ基板との間に配置された液晶分子に電圧を印加し、液晶分子を通過する光の偏光方向を変化させることで表示を行う。ここで、透明導電膜５は液晶分子に電圧を印加する一方の電極として作用する。

図４に示すように、透明導電膜５が画素形成領域Ｒを含む位置に形成された場合、つまり、透明導電膜５と画素形成領域Ｒとの間にずれがない場合、透明導電膜マーク１１は、電極マーク１の各々のＴ字型電極１ａ〜１ｄと重なる位置に形成される。

一方、透明導電膜５がブラックマトリクス６の画素形成領域Ｒからはみ出した位置に形成されると、図６に示すように、透明導電膜マーク１１は電極マーク１の少なくともいずれか一つと重ならなくなる。

ここで、図４、図５を用いて、透明導電膜５の形成領域と、透明導電膜マーク１１と、電極マーク１の位置関係について説明する。

図４において、ブラックマトリクス６の画素形成領域Ｒと、透明導電膜５の目標形成領域Ｌとの距離をａ１〜ａ４とする。

また、図５に示すように、透明導電膜５が目標形成領域Ｌ内にずれを生じることなく堆積された場合、同時に堆積される透明導電膜マーク１１と電極マーク１（Ｔ字型電極１ａ〜１ｄ）との重なり量がそれぞれａ１〜ａ４となるよう設計したマスク（開口）を用いて透明導電膜マーク１１を形成した。

透明導電膜マーク１１は透明導電膜５と同一のマスクで形成するため、画素形成領域Ｒにおける透明導電膜５の位置ずれとおなじ量のずれが電極マーク１上に堆積される透明導電膜マーク１１においても発生することになる。

このため、透明導電膜５がブラックマトリクス６の画素形成領域Ｒを含まない位置に形成されると、図６に示すように、透明導電膜マーク１１は電極マーク１の少なくともいずれか一つと重ならなくなる。

目視では前述したとおり、透明導電膜５の端部の境界の判定がしづらいため、透明導電膜５がブラックマトリクスの画素形成領域Ｒ全体を含む位置に形成されているかどうかの判定は困難である。そこで、本発明においては、電極マーク１と透明導電膜マーク１１との導通を調べることで、電極マーク１と透明導電膜マーク１１とが重なっているかどうかを検査する。また、導通は透明導電膜マーク１１と電極マーク１の各Ｔ字型電極１ａ〜１ｄとの間の抵抗を測定する。

例えば、形成する透明導電膜とブラックマトリクスの膜厚にもよるが、透明導電膜マーク１１と各Ｔ字型電極１ａ〜１ｄとの抵抗の測定値が数１０Ω以下であれば、両者は導通しており、電極マーク１の各々に透明導電膜マーク１１が重なっていることがわかる。このとき、透明導電膜５はブラックマトリクス６の画素形成領域Ｒを含む位置に形成されているので、このカラーフィルタ基板８については合格と判定する。

また、透明導電膜マーク１１と各Ｔ字型電極１ａ〜１ｄとの抵抗の測定値が数ＭΩ以上となるものがあれば、両者は導通していないので、これらは重なっていないことがわかる。このとき、透明導電膜５はブラックマトリクス６の画素形成領域Ｒを含む位置に形成されていないので、このカラーフィルタ基板８については不合格と判定する。なお、Ｔ字型電極１ａ〜１ｄのうち、２つの電極間の導通を調べることで、透明導電膜マーク１１と電極マーク１とが重なっているかどうかを検査してもよい。

このとき、電極マーク１の各Ｔ字型電極１ａ〜１ｄのいずれが導通していないかにより、ずれ方向を判別することができる。このずれ方向に基づいてマスク位置等を調整することにより、目標形成領域Ｌ上に透明導電膜を形成することができる。

本発明においては、電極マーク１と、透明導電膜マーク１１との重なりを、目視ではなく、両者の導通を測定することによって判断するので、透明導電膜５がブラックマトリクス６の画素形成領域Ｒを含む位置に形成されているかどうかを正確に判定することができる。なお、上記実施例において、ブラックマトリクス６は金属膜を用いて形成したが、遮光剤により着色された樹脂を用いて形成してもよい。この場合、電極マーク１は透明導電膜５と導通する材料で別工程により形成する

また、カラーフィルタ基板８上に着色層１０を形成する方法としては、上述したフォトリソグラフィ法を用いて形成した可染媒体を染色する方法のほか、感光性の顔料分散組成物を用いる方法、非感光性の顔料分散組成物をエッチングする方法、パターニングした電極を利用した電着法、低コストの製造方法として印刷法やインクジェット法で着色部分を形成する方法、フィルム上に形成された着色パターンをガラス基板に転写する方法などが
ある。

また、透明導電膜５を形成する方法として、上記マスクスパッタ方式のほか、基板上にフォトレジストでネガ画像を形成し、その後透明導電膜を蒸着などにより成膜し、続いてレジストを除去することにより所定のパターンを得るリフトオフ方式、基板表面全体に透明導電膜を成膜し、その後ポジ型レジストでパターンを形成し現像・エッチング・剥離工程をおこなうレジスト方式などがある。

ところで、画素形成領域Ｒの端部に形成される画素は着色層のエッジの欠けなどにより、所望の形状の画素が形成されない場合がある。そこで、図７に示すように、カラーフィルタ基板８は画素形成領域内に形成される画素の形状を保持するため、画素形成領域Ｒの周辺部に表示に使用しないダミーの画素１７を設けてもよい。ダミー画素１７はブラックマトリクス６上に着色層１０のみを設けることにより形成するため、透明導電膜５を堆積しない場合、着色層１０中に存在する不純物が露出する場合がある。そこで、透明導電膜５が目標形成領域Ｌ内にずれなく堆積された場合、図７に示すように、ダミー画素形成領域Ｄと、透明導電膜５の目標形成領域Ｌとの距離（ｂ１〜ｂ４）が、透明導電膜マーク１１と電極マーク１（Ｔ字型電極１ａ〜１ｄ）との重なり量となるよう透明導電膜マーク１１を上記と同様に形成する。このような構成とすることで、画素形成領域を含むダミー画素１７の形成領域Ｄに重なるように透明導電膜５が形成されるかどうかを透明導電膜マーク１１および電極マーク１（Ｔ字型電極１ａ〜１ｄ）を用いて同様に判定することができる。

電極マーク１の変形例として、図８の部分拡大図に示すように、各Ｔ字型電極１ａ〜１ｄと透明導電膜マーク１１との導通の測定を容易にするため、測定用電極２をＴ字型電極１ａ〜１ｄと同一の工程で形成してもよい。その他の構成は図１〜４と同様である。

図８に示すように、測定用電極２は、Ｔ字型電極１ａ〜１ｄの中央部に形成される重なり部２ａと、検査部２ｃと、重なり部２ａと検査部２ｃとを結ぶ延長部２ｂとで形成される。なお、Ｔ字型電極１ａ〜１ｄと測定用電極２とは重ならないように形成する。

透明導電膜マーク１１は無色なので導通を測定する際、その位置が判別しづらい。
本変形例においては検査部２ｃを備えた測定用電極２をさらに設け、この測定用電極２の検査部２ｃと各Ｔ字型電極１ａ〜１ｄとの間で導通を測定することにより、検査を容易に行うことができる。

図９は電極マーク１の他の変形例を示す図である。図９に示すように、電極マーク３はコの字型の電極３ａ、３ｂおよび測定用電極４から構成されている。その他の構成は図１〜４と同様である。

本変形例のコの字型電極３ａは、図９に示すように、透明導電膜マーク１１と重なる位置に水平部Ｈ１と垂直部Ｖ１を備えている。コの字型電極３ａの水平部Ｈ１と垂直部Ｖ１は、透明導電膜５が目標形成領域Ｌ内にずれを生じることなく堆積された場合、同時に形成される透明導電膜マーク１１との重なり量がａ１となるように形成される。このように形成することによって、コの字型電極３ａの水平部Ｈ１と垂直部Ｖ１によって、図５に示すＴ字型電極１ａにより検出していた垂直（下）方向のずれと、Ｔ字型電極１ｄにより検出していた水平（右）方向のずれを同時に検出することができる。

また、コの字型電極３ｂにもＴ字型電極１ｃにより検出していた垂直（上）方向のずれと、Ｔ字型電極１ｂにより検出していた水平（左）方向のずれとを同時に検出するための水平部と垂直部を、コの字型電極３ａと同様に形成する。また、測定用電極４は、上述し
た測定用電極２と同様に形成する。

本変形例によれば、水平部Ｈ１と垂直部Ｖ１を備えたコの字型電極３ａ、３ｂと、透明導電膜マーク１１との導通を測定することにより、水平方向と垂直方向のずれを同時に検出することができる。よって、形成する電極マークの数を減らすことができるとともに、導通検査の回数を減らすことができる。また、本変形例の電極マークは、水平方向に形成する電極の幅を狭くすることができる。

実施の形態２.
図１０は、本実施の形態２によるカラーフィルタ基板８の他の実施形態を示す図である。図１０に示すように、カラーフィルタ基板８の周囲には当該カラーフィルタ基板とＴＦＴ基板（図示せず）とを貼り合わせるためシール１２が設けられる。本実施の形態２においては、このシール１２が形成されるシール形成領域Ｓの外側に透明導電膜５がはみ出していないかどうかを、電極マーク１４と透明導電膜マーク１３との導通を測定することによって判断する。

以下、図１０を用いて、透明導電膜５の形成領域と、透明導電膜マーク１３と、電極マーク１４の構成および位置関係について説明する。

図１０に示すように、透明導電膜５がシール形成領域Ｓの内側に形成された場合、つまり、透明導電膜５とシール形成領域Ｓとの間にずれがない場合、透明導電膜マーク１３は、電極マーク１４の各々のＴ字型電極１４ａ〜１４ｄと重ならない位置に形成される。

ここで、図１０に示すように、シール形成領域Ｓと、透明導電膜５の目標形成領域Ｌとの距離をｃ１〜ｃ４とする。

また、透明導電膜５および透明導電膜マーク１３の形成に用いるマスクは、図１０に示すように、透明導電膜５がシール形成領域Ｓ内にずれを生じることなく堆積された場合、透明導電膜マーク１３と電極マーク１４との距離がそれぞれｃ１〜ｃ４となる位置に形成されるよう設計される。

透明導電膜マーク１３は透明導電膜５と同一のマスクで形成するため、シール形成領域Ｓにおける透明導電膜５の位置ずれと同じ量のずれが、電極マーク１４上に堆積される透明導電膜マーク１３においても発生することになる。

このため、透明導電膜５がシール形成領域Ｓの外側にはみ出して形成されると、図１０に示すように、透明導電膜マーク１３は電極マーク１４の少なくともいずれか一つと重なってしまう。また、透明導電膜５が目標形成領域Ｌより大きく形成され、シール形成領域Ｓの外側にはみ出して形成された場合、透明導電膜マーク１３は電極マーク１４の少なくともいずれか一つと重なってしまう。

そこで、電極マーク１４と透明導電膜マーク１３との導通を調べることで、電極マーク１４と透明導電膜マーク１３とが重なっているかどうかを検査する。これにより、透明導電膜５がシール形成領域Ｓからはみ出していないかどうかを判別することができる。

このとき、電極マーク１４の各Ｔ字型電極１４ａ〜１４ｄのいずれが導通しているかにより、ずれ方向を判別することができる。このずれ方向に基づいてマスク位置等を調整することにより、シール形成領域Ｓの内部に透明導電膜を形成することができる。なお、その他の構成は実施の形態１と同様である。

本実施の形態２においては、電極マーク１４と、透明導電膜マーク１３との重なりを、目視ではなく、両者の導通を測定することによって判断するので、透明導電膜５がシール形成領域Ｓの外側にはみ出して形成されるかどうかを正確に判定することができる。

電極マーク１４の変形例として、図１２の部分拡大図に示すように、各Ｔ字型電極１４ａ〜１４ｄと透明導電膜マーク１１との導通の測定を容易にするため、図８に示す測定用電極２をＴ字型電極１４ａ〜１４ｄと同一の工程で形成してもよい。その他の構成は図１０と同様である。

本変形例においては電極マーク１４に測定用電極２をさらに設け、この測定用電極２と各Ｔ字型電極１４ａ〜１４ｄとの間で導通を測定することにより、検査を容易に行うことができる。

図１３は電極マーク１４の他の変形例を示す図である。図１３に示すように、電極マーク１６は水平部Ｈ２と垂直部Ｖ２を有する電極１６ａ、１６ｂおよび測定用電極１５から構成されている。その他の構成は図９と同様である。

本変形例の電極１６ａは、図１３に示すように水平部Ｈ２と垂直部Ｖ２を備えている。電極１６ａの水平部Ｈ２と垂直部Ｖ２は、透明導電膜５がシール形成領域Ｓの内部にずれを生じることなく堆積された場合、同時に形成される透明導電膜マーク１３との距離がｃ１、ｃ４となる位置に形成される。このように形成することで、電極１６ａに水平部Ｈ２と垂直部Ｖ２によって、図１０に示すＴ字型電極１４ｄにより検出していた水平（右）方向のずれとＴ字型電極１４ａにより検出していた垂直（下）方向のずれをそれぞれ同時に検出することができる。また、電極１６ｂについてもＴ字型電極１４ｂが検出していた水平（左）方向のずれと、Ｔ字型電極１４ｃが検出していた垂直（上）方向のずれを同時に検出するための水平部と垂直部を電極１６ａと同様に形成する。また、測定用電極１５は、上述した測定用電極２と同様に用いることができる。

本変形例によれば、水平部Ｈ２と垂直部Ｖ２を備えた電極１６ａ、１６ｂと、透明導電膜マーク１３との導通を測定することにより水平方向と垂直方向のずれを同時に検出することができる。よって、形成する電極マークの数を減らすことができるとともに、導通検査の回数を減らすことができる。

実施の形態３．
図１４は、本実施の形態３によるカラーフィルタ基板８の実施形態を示す図である。図１４に示すように、カラーフィルタ基板８の画素形成領域Ｒの外側に、透明導電膜５に電荷を供給するためのトランスファーパッド１８を備えた透明導電膜５を形成する。カラーフィルタ基板８上の透明導電膜５への電荷の供給は、ＴＦＴ基板上に形成されるトランスファー電極１９から印加され、両基板間に配されたトランスファー材（図示せず）を介し、当該トランスファー電極１９と対向配置されるトランスファパッド１８を通じて行われる。したがって、ＴＦＴ基板上のトランスファ電極１９と重なる位置にトランスファパッド１８を形成しなければ、カラーフィルタ基板に電荷が供給されない。本実施の形態３においては、トランスファパッド１８がトランスファ電極１９の形成領域Ｔと重なる位置に形成されているかどうかを電極マーク１と透明導電膜マーク１１との導通を測定することによって実施の形態１と同様に判断する。

なお、トランスファパッド１８とトランスファ電極１９との間には電位差が生じることがないため、トランスファパッド１８をシール形成領域の外側に形成した場合でも透明導電膜５が腐食されることはない。

以下、図１４を用いて、トランスファパッド１８の形成領域Ｐと、透明導電膜マーク１１と、電極マーク１の構成および位置関係について説明する。

図１４に示すように、トランスファパッド１８がトランスファ電極１９と重なる位置に形成された場合、つまり、トランスファパッド１８の形成領域Ｐとトランスファ電極１９の形成領域Ｔとの間にずれがない場合、透明導電膜マーク１１は、電極マーク１の各々のＴ字型電極１ａ〜１ｄと重なる位置に形成される。

ここで、図１４に示すように、トランスファ電極の形成領域Ｔとトランスファパッド形成領域Ｐとの距離をｄ１〜ｄ４とする。

また、トランスファパッド１８を備えた透明導電膜５および透明導電膜マーク１１の形成に用いるマスクは、図１４に示すように、透明導電膜５がトランスファ電極形成領域Ｔにずれを生じることなく堆積された場合、透明導電膜マーク１１と電極マーク１との重なりがそれぞれｄ１〜ｄ４となる位置に形成されるよう設計される。

図１５に示すように、透明導電膜マーク１１は透明導電膜５と同一のマスクで形成するため、トランスファパッド形成領域Ｐにおける透明導電膜５の位置ずれと同じ量のずれが、電極マーク１上に堆積される透明導電膜マーク１１においても発生することになる。トランスファパッド１８がトランスファ電極１９と重ならない位置に形成されると、カラーフィルタ基板８に電荷が供給されないため表示不良が生じる。

そこで、電極マーク１と透明導電膜マーク１１との導通を調べることで、電極マーク１と透明導電膜マーク１１とが重なっているかどうかを検査する。これにより、トランスファパッド１８がトランスファ電極形成領域Ｔと重なる位置に形成されているかどうかを判別することができる。その他の構成は実施の形態１と同様である。

本実施の形態３においては、電極マーク１と、透明導電膜マーク１１との重なりを、目視ではなく、両者の導通を測定することによって判断するので、トランスファパッド１８がトランスファ電極１９と重なる位置に形成されるかどうかを正確に判定することができる。

また、トランスファパッド１８が、ＴＦＴ基板上のトランスファ電極と異なる電位となる配線２０と重なるように形成されると、両者の間には電位差があるため、もし間に水などが存在すると透明導電膜５及び配線２０に腐食が発生する場合がある。そこで、図１６に示すように、配線２０とトランスファパッド１８が重なることなく形成されるかどうかを検出するために実施の形態２と同様の電極マーク１４と透明導電膜マーク１３を形成することで正確に判定することができる。なお、図１６に示すように、配線２０とトランスファパッド１８との距離をｅ１とし、電極マーク１４と透明導電膜マーク１３との距離がｅ１となるよう両者を設計する。その他の構成は実施の形態２と同様である。

前記図２等に示す電極マーク１の各電極の形状はＴ字型とし、導通の測定に使用する領域が確保されるようＴ字型としたが、電極の形状はこれに限定するものではなく導通の測定に使用する領域が確保される範囲において変更可能である。また、実施の形態１で形成した電極マーク（１または３）と実施の形態２で形成した電極マーク（１４または１６）を組合せ、透明導電膜５とブラックマトリクスの画素形成領域Ｒとのずれ、および透明導電膜５とシール形成領域Ｓとのずれを検出することも可能である。さらに、透明導電膜５のずれを検出することで、歩留まりの低下を防ぐことができる。

本発明によるカラーフィルタ基板の製造方法およびカラーフィルタ基板の検査方法並びに液晶表示装置の製造方法は、ＯＡ機器等の画像、文字情報の表示装置として用いられるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に用いられる。

本発明によるカラーフィルタ基板の一実施形態の全体構成を示す平面図である。本発明によるカラーフィルタ基板の一実施形態の製造工程を示す平面図である。本発明によるカラーフィルタ基板の一実施形態の製造工程を示す平面図である。本発明によるカラーフィルタ基板の一実施形態の製造工程を示す平面図である。電極マークの一例を示す部分拡大図である。本発明によるカラーフィルタ基板の製造方法の説明のための平面図である。本発明によるカラーフィルタ基板の製造方法の説明のための平面図である。電極マークの一例を示す部分拡大図である。電極マークの一例を示す部分拡大図である。本発明によるカラーフィルタ基板の製造方法の説明のための平面図である。本発明によるカラーフィルタ基板の製造方法の説明のための平面図である。電極マークの一例を示す部分拡大図である。電極マークの一例を示す部分拡大図である。本発明によるカラーフィルタ基板の製造方法の説明のための平面図である。本発明によるカラーフィルタ基板の製造方法の説明のための平面図である。本発明によるカラーフィルタ基板の製造方法の説明のための平面図である。

１・・・電極マーク、１ａ〜１ｄ・・・電極、２・・・測定用電極
３・・・電極マーク、３ａ、３ｂ・・・電極、４・・・測定用電極
５・・・透明導電膜、６・・・ブラックマトリクス、７・・・ガラス基板
８・・・カラーフィルタ基板、９・・・画素開口部、１０・・・着色層
１１・・・透明導電膜マーク、１２・・・シール、１３・・・透明導電膜マーク１４・・・電極マーク、１４ａ〜１４ｄ・・・電極、１５・・・測定用電極
１６・・・電極マーク、１６ａ、１６ｂ・・・電極、１７・・・ダミー画素
１８・・・トランスファパッド、１９・・・トランスファ電極、２０・・・配線
Ｌ・・・透明導電膜の目標形成領域、Ｒ・・・ブラックマトリクスの画素形成領域
Ｓ・・・シール形成領域、Ｄ・・・ダミー画素形成領域
Ｐ・・・トランスファパッド形成領域
Ｔ・・・トランスファ電極形成領域

Claims

ガラス基板上に、縦横に配列される複数の画素開口部を有するブラックマトリクスを形成する工程と、
前記画素開口部に着色層を設けることにより画素形成領域を形成する工程と、
前記ブラックマトリクスの周辺部に導電性を有する電極マークを形成する工程と、
前記画素形成領域上に透明導電膜を堆積すると同時に、前記透明導電膜が前記画素形成領域上に位置ずれなく堆積された場合に前記電極マークと重なる位置に形成される透明導電膜マークを堆積する工程とを含むカラーフィルタ基板の製造方法において、
さらに、前記電極マークと前記透明導電膜マークとの導通を検査することにより、前記画素形成領域上に前記透明導電膜が位置ずれなく堆積されているかどうかを判定する検査工程を含むことを特徴とするカラーフィルタ基板の製造方法。
ガラス基板と、
前記ガラス基板上に形成され、縦横に配列される複数の着色層からなる画素形成領域を有するブラックマトリクスと、
前記ブラックマトリクスの周辺部に形成された導電性を有する電極マークと、
前記画素形成領域上に堆積された透明導電膜と、
該透明導電膜と同時に、前記透明導電膜が前記画素形成領域上に位置ずれなく堆積された場合に前記電極マークと重なる位置に形成された透明導電膜マークとを備えたカラーフィルタ基板の検査方法において、
前記電極マークと前記透明導電膜マークとの導通を検査することにより、前記透明導電膜が形成された位置を判定することを特徴とするカラーフィルタ基板の検査方法。
ＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板にシール部材を介して接着されたカラーフィルタ基板とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、
ガラス基板上に、縦横に配列される複数の画素開口部を有するブラックマトリクスを形成する工程と、
前記画素開口部に着色層を設けることにより画素形成領域を形成する工程と、
前記ブラックマトリクスの周辺部に導電性を有する電極マークを形成する工程と、
前記画素形成領域上に透明導電膜を堆積すると同時に、前記透明導電膜が、前記シール部材が設けられるシール形成領域内に堆積された場合に、前記電極マークと所定領域離れた位置に配される透明導電膜マークを形成する工程と、
前記電極マークと前記透明導電膜マークとの導通を検査し、前記シール形成領域外に透明導電膜が堆積されていないかどうかを判定する工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
前記透明導電膜は、前記画素形成領域を設ける際に、当該画素形成領域周辺に形成されるダミー画素を含むように設けられることを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタ基板の製造方法。
カラーフィルタ基板のガラス基板上に、縦横に配列される複数の画素開口部を有するブラックマトリクスを形成する工程と、
前記画素開口部に着色層を設けることにより画素形成領域を形成する工程と、
前記ブラックマトリクスの周辺部に導電性を有する電極マークを形成する工程と、
前記画素形成領域上に透明導電膜を堆積すると同時に、トランスファ材を介して前記透明導電膜に電荷を供給するＴＦＴ基板上のトランスファ電極の形成領域上にトランスファパッドを形成し、また、前記トランスファパッドが前記トランスファ電極の形成領域と重なり、しかも前記透明導電膜が前記画素形成領域上に位置ずれなく堆積された場合に、前記電極マークと重なる位置に透明導電膜マークを堆積する工程と、
前記電極マークと前記透明導電膜マークとの導通を検査することにより、前記画素形成領域上に前記透明導電膜が位置ずれなく堆積されているかどうかを判定し、また前記トランスファパッドが前記トランスファ電極の形成領域に重なっているかどうかを判定する検査工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
前記電極マークと前記透明導電膜マークとの水平方向および垂直方向の重なり量は、前記透明導電膜が目標形成領域内にずれを生じることなく堆積された場合、前記画素形成領域と前記透明導電膜の目標形成領域との水平方向および垂直方向の距離とそれぞれ等しくなるように設計されることを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタ基板の製造方法。
前記電極マークと前記透明導電膜マークとの水平方向および垂直方向の距離は、前記透明導電膜がシール形成領域内にずれを生じることなく堆積された場合、前記透明導電膜とシール形成領域との水平方向および垂直方向の距離とそれぞれ等しくなるように設計されることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置の製造方法。
前記電極マークは少なくとも水平方向と垂直方向に配される４個の電極で構成され、前記４個の電極マークと透明導電膜マークとの導通を検査することにより、前記透明導電膜マークの上、下、左、右の方向のずれを検出することを特徴とする請求項１、４、６のいずれか１項記載のカラーフィルタ基板の製造方法。
前記電極マークは少なくとも水平方向と垂直方向に配される４個の電極で構成され、前記４個の電極マークと透明導電膜マークとの導通を検査することにより、前記透明導電膜マークの上、下、左、右の方向のずれを検出することを特徴とする請求項３、５、７のいずれか１項記載の液晶表示装置の製造方法。
前記電極マークは水平部と垂直部とを備えた少なくとも２個の電極で構成され、前記２個の電極マークと透明導電膜マークとの導通を検査することにより、前記透明導電膜マークの水平方向と垂直方向のずれを同時に検出することを特徴とする請求項１、４、６、８のいずれか１項記載のカラーフィルタ基板の製造方法。
前記電極マークは水平部と垂直部とを備えた少なくとも２個の電極で構成され、前記２個の電極マークと透明導電膜マークとの導通を検査することにより、前記透明導電膜マークの水平方向と垂直方向のずれを同時に検出することを特徴とする請求項３、５、７、９のいずれか１項記載の液晶表示装置の製造方法。
前記電極マークと前記透明導電膜マークとの導通を検査するための測定用電極をさらに設けたことを特徴とする請求項１、４、６のいずれか１項記載のカラーフィルタ基板の製造方法。
前記電極マークと前記透明導電膜マークとの導通を検査するための測定用電極をさらに設けたことを特徴とする請求項３、５、７のいずれか１項記載の液晶表示装置の製造方法。
前記電極マークは、Ｔ字型とすることを特徴とした請求項１、４、６、８のいずれか１項記載のカラーフィルタ基板の製造方法。
前記電極マークは、Ｔ字型とすることを特徴とした請求項３、５、７、９のいずれか１項記載の液晶表示装置の製造方法。
前記電極マークはブラックマトリクスと同時に形成されることを特徴とする請求項１、４、６、８、１０、１２のいずれか１項記載のカラーフィルタ基板の製造方法。
前記電極マークはブラックマトリクスと同時に形成されることを特徴とする請求項３、５、７、９、１１、１３のいずれか１項記載の液晶表示装置の製造方法。