JP4487634B2 - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents
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そして、このようなイメージセンサでは、一般に、画像信号の輝度レベルを決定するための基準となる黒基準レベルを得るために、遮光膜で遮蔽した領域にフォトダイオードを設け、このフォトダイオードから得られる信号レベルを黒基準として採用するOPB(optical black)部を設けるようになっている。
しかしながら、このような方法でOPB部を形成した場合、遮光膜で遮光した後の工程で、遮光膜の有無(つまり、開口部の有無)によってフォトダイオードに及ぼす影響が有効画素とOPB部とで異なり、有効画素のフォトダイオードとOPB部のフォトダイオードとで特性上の段差が生じる場合がある。
このため、実際に必要となる黒基準レベルに誤差が生じ、その誤差が大きくなると、例えば暗時に有効画素の信号レベルがOPB部の信号レベルより大きいときには、黒となるべきところが黒にならないので、不自然な画像となってしまう。
また、逆に暗時に有効画素の信号レベルがOPB部の信号レベルより小さいときには、OPB部より小さい信号レベルの有効画素が黒と認識されて無視され、映るべき画像が消えてしまい、不自然な画像となってしまう。
なお、有効画素とOPB部との特性上の段差を除去する方法として、両者の形状を変化させる方法も可能であるが、この場合には、有効画素とは別のマスクを用いてOPB部を作成することが必要となり、製造工程の煩雑化や製造コストの増大を招くという問題があった。
また、本発明の固体撮像素子は、光電変換素子を含む半導体素子が形成される半導体基板と、前記半導体基板上に上層膜を介して配置される遮光膜とを備えるとともに、前記半導体基板に、前記遮光膜に形成した開口部より入射した光を受光して光電変換を行う光電変換素子を有する複数の有効画素と、前記遮光膜に遮蔽された暗状態で黒基準となる信号を生成する光電変換素子を有するOPB部とを備え、
前記OPB部の光電変換素子は、前記有効画素の光電変換素子には注入しない追加の不純物が注入されたことにより、当該OPB領域と当該有効画素との黒基準レベルの誤差に係わる特性上の段差を除去できる不純物プロファイルを有していることを特徴とする。
なお、追加の不純物イオン注入は、OPB部のフォトダイオードの全体に行ってもよいが、部分的に行うことも可能であり、フォトダイオードの不純物プロファイル等に応じて最適な領域を適宜選択して行えば、さらに特性の向上を図ることが可能である。
本実施例において、有効画素とOPB部は基本的に共通の構造を有しており、フォトダイオード部分に対する不純物の注入状態だけが相違点である。
一方、図2に示すように、OPB部20にも、光電変換素子としてのフォトダイオードPD2が設けられ、このフォトダイオードPD2から信号電荷をフローティングデフュージョン部FD2に転送する転送ゲート21と、フローティングデフュージョン部FD2の電位を電圧信号または電流信号に変換する増幅ゲート22と、フローティングデフュージョン部FD2の電位を電源電位VDDにリセットするリセットゲート23と、増幅ゲートの出力信号を出力信号線に接続する選択ゲート24の各MOSトランジスタが設けられている。なお、有効画素10及びOPB部20は素子分離領域1によって隣接画素と分離されている。
また、各フォトダイオードPD1、PD2の側部には、上述した転送ゲート11、21が配置されており、半導体基板30の上面に絶縁膜40を介して転送ゲート電極36、37が設けられるとともに、その外側にフローティングデフュージョン部FD1、FD2となるN+層38、39が形成されている。
また、半導体基板30の上部には、絶縁膜40及び転送ゲート電極36、37の上層に層間絶縁膜41を介して複数層の配線層42が設けられ、層間絶縁膜41の上面に遮光膜43が配置されている。この遮光膜43は、アルミ膜等からなり、有効画素10のフォトダイオードPD1の受光領域に対応して開口部43Aが形成されているが、OPB部20のフォトダイオードPD2については開口部を持たず、完全な遮蔽構造となっている。
なお、遮光膜の上部には、さらに上層膜を介してカラーフィルタやオンチップレンズが配置されるが、本発明の構成には直接関係しないため、ここでは省略する。
本実施例において、有効画素10のフォトダイオードPD1とOPB部20のフォトダイオードPD2の特性上の段差を除去するため、OPB部20のフォトダイオードPD2には、有効画素10のフォトダイオードPD1には導入しない追加のイオン注入を行う。
この追加のイオン注入は、新規のイオン注入工程を用いるのではなく、従来から既存のイオン注入工程を1回または複数回繰り返すことにより、工程の大幅追加を伴うことなく安価に実現できる。
また、追加するイオン注入は、OPB部20のフォトダイオードPD2の特性上の段差を除去するために、OPB部20の暗電流の発生量を最適化するように、イオン種及びドーズ量と注入エネルギを決定するものとする。なお、最終的な条件は、試作実験等によって詳細を決定することができる。
例えば、図3に示す不純物プロファイルを得るために、P型イオンを追加注入する場合には、このP型イオン注入によってフォトダイオードの光電変換領域が浅くなるため、転送ゲート21から離した領域(具体的には転送ゲートに隣接する辺を除く3辺に沿う領域)にイオン注入を行うことにより、信号電荷の読み出し特性に影響を与えないようにする。
また、図4は図2と異なるイオン注入領域を選択した例を示している。この例は、図3に示す不純物プロファイルを得るために、N型イオンを追加注入する場合である。この場合、追加のイオン注入は斜線領域52で示すように、転送ゲート21の近傍領域に行う。つまり、N型イオン注入によってフォトダイオードの光電変換領域が深くなるため、転送ゲート21の近傍領域にイオン注入を行うことにより、信号電荷の読み出し特性に影響を与えないようにする。
したがって、OPB部20の特性段差低減の試作回数や作業時間を大幅に増加することなく、最適な特性を実現できる。
Claims (7)
- 光電変換素子を含む半導体素子が形成される半導体基板と、前記半導体基板上に上層膜を介して配置される遮光膜とを備え、前記遮光膜に形成した開口部より入射した光を受光して光電変換を行う光電変換素子を有する複数の有効画素と、前記遮光膜に遮蔽された暗状態で黒基準となる信号を生成する光電変換素子を有するOPB部とを前記半導体基板に形成した固体撮像素子の製造方法であって、
前記OPB部の光電変換素子に対し、前記有効画素の光電変換素子には注入しない追加の不純物注入を行うことにより、当該OPB領域と当該有効画素との黒基準レベルの誤差に係わる特性上の段差を除去できる不純物プロファイルを得る工程を設けた、
固体撮像素子の製造方法。 - 前記追加の不純物注入は有効画素とOPB部で共通する不純物注入工程をOPB部だけに1回または複数回追加して行う請求項1記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記追加の不純物注入は前記OPB部の光電変換素子の一部に注入する請求項1または2に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記追加の不純物注入は前記OPB部の光電変換素子における読み出しゲートから離れた位置に注入する請求項1〜3の何れかに記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記追加の不純物注入は前記OPB部の光電変換素子における読み出しゲートの近傍位置に注入する請求項1〜3の何れかに記載の固体撮像素子の製造方法。
- 光電変換素子を含む半導体素子が形成される半導体基板と、前記半導体基板上に上層膜を介して配置される遮光膜とを備えるとともに、前記半導体基板に、前記遮光膜に形成した開口部より入射した光を受光して光電変換を行う光電変換素子を有する複数の有効画素と、前記遮光膜に遮蔽された暗状態で黒基準となる信号を生成する光電変換素子を有するOPB部とを備え、
前記OPB部の光電変換素子は、前記有効画素の光電変換素子には注入しない追加の不純物が注入されたことにより、当該OPB領域と当該有効画素との黒基準レベルの誤差に係わる特性上の段差を除去できる不純物プロファイルを有する
固体撮像素子。 - 前記OPB部の光電変換素子は、その一部に前記追加の不純物が注入されている請求項6記載の固体撮像素子。
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