JP4487264B2 - スパッタ装置及びスパッタ成膜方法 - Google Patents
スパッタ装置及びスパッタ成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4487264B2 JP4487264B2 JP2006175623A JP2006175623A JP4487264B2 JP 4487264 B2 JP4487264 B2 JP 4487264B2 JP 2006175623 A JP2006175623 A JP 2006175623A JP 2006175623 A JP2006175623 A JP 2006175623A JP 4487264 B2 JP4487264 B2 JP 4487264B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- magnetron
- light
- film
- sputtering apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Description
前記ドラムの内側に前記投光手段若しくは前記受光手段のいずれか一方が配置されていることを特徴とする。
第27の発明は、第20乃至26の発明の何れか1項に記載のスパッタ成膜方法において、前記ドラムの内側に投光手段若しくは受光手段のいずれか一方を配置することを特徴とする。
反応室となるチャンバー12は、図示せぬ排気用ポンプと連結され、スパッタに必要な低圧を得ることができる。また、図示されていないが、チャンバー12には、スパッタに必要なガスを導入するためのガス供給手段やローディング用ドアが設けられている。なお、チャンバー12の内壁は、ドラム17と概略所定間隔をもって対向する形状(内周形状)を有している。
また、それぞれの基板ホルダー14には、厚さ1.1mm、10cm角のガラス基板18を9枚ずつ、縦方向に並んで取り付ける。次いで、チャンバー12をロータリーポンプで5Paまで粗引きした後、クライオポンプで1×10-3Paまで排気する。
これら各マグネトロン23、27、33、37は、その中心線23A、27A、33A、37A(各マグネトロンの中心を通り、ターゲット支持面に垂直な線)が基板ホルダー14の回転中心(中心軸16)と交差するように、回転中心の方向に向いて配置されている。図16のように、基板ホルダー14によって構成される正十二角形の内接円を15A、外接円を15Bとすると、基板ホルダー14と各マグネトロン23、27、33、37までの距離は、基板ホルダー14の回転に伴い、内接円15Aから外接円15Bの範囲で変動する。同図では、基板ホルダー14の基板支持面の中心点と、該基板支持面から見た各マグネトロン23、27、33、37の中心点との距離が最小となったときの状態(基板とターゲットが対向する位置関係の状態)が示されている。
目標とする光学膜厚nd(ただし、nは膜の屈折率、dは物理膜厚) に対して、次式(1)
[数1]nd=mλ/4 …(1)
ただし、mは正の整数、λは光の波長とする。
Claims (28)
- チャンバー内に、横断面が多角形状または円形状のドラムが回転自在に設置され、該ドラムの外周面上に基板ホルダーが設けられ、チャンバー壁の内側にはターゲットと該ターゲットを保持するマグネトロン部からなるマグネトロンスパッタ源が配置され、前記ターゲットは前記ドラムの回転軸と平行となるように前記マグネトロン部により保持された構造を有するカルーセル型スパッタ装置において、
前記マグネトロン部に電力を供給する電源を有し、
前記マグネトロン部と前記基板の間に必要に応じてシャッターが設けられ、
前記基板ホルダーを介して前記ドラムの外周面上に複数の基板が取り付けられ、
前記電源から前記マグネトロン部に電力を供給しつつ前記ドラムを回転させながら前記複数の基板上に膜を形成する成膜中に、前記ドラムとともに回転する前記複数の基板のうち、前記マグネトロンスパッタ源と対向しない位置の基板について膜厚を測定する膜厚測定手段と、
前記膜厚測定手段で得られる測定結果を利用して前記電源、前記ドラムの回転速度、前記チャンバーの圧力、または前記シャッターの開閉を制御して成膜制御を行う制御手段と、
を備えたことを特徴とするスパッタ装置。 - 請求項1に記載のスパッタ装置において、該スパッタ装置は、隣接して配置された二つのターゲットのアノード/カソードの関係を所定周波数で交互に切り替えるAC型マグネトロンスパッタ源と、
単一のマグネトロン部にターゲットが取り付けられたマグネトロンスパッタ源と、を備えたことを特徴とするスパッタ装置。 - 請求項2に記載のスパッタ装置において、
前記制御手段は、はじめに前記AC型マグネトロンスパッタ源を利用して目標膜厚の手前の所定膜厚まで成膜した後、前記AC型マグネトロンスパッタ源による成膜を停止し、その後前記単一のマグネトロン部にターゲットが取り付けられたマグネトロンスパッタ源のみを利用して前記目標膜厚までの成膜を実施するように制御することを特徴とするスパッタ装置。 - 請求項3に記載のスパッタ装置において、
前記制御手段は、前記単一のマグネトロン部にターゲットが取り付けられたマグネトロンスパッタ源のみを利用した成膜中に前記膜厚測定手段によって膜厚を監視し、膜厚が前記目標膜厚に到達したことが検出された時点で前記単一のマグネトロン部にターゲットが取り付けられたマグネトロンスパッタ源による成膜を停止する制御を行うことを特徴とするスパッタ装置。 - 請求項1に記載のスパッタ装置において、
前記マグネトロンスパッタ源は、隣接して配置された二つのターゲットのアノード/カソードの関係を所定周波数で交互に切り替えるAC型マグネトロンスパッタ源であることを特徴とするスパッタ装置。 - 請求項1に記載のスパッタ装置において、
前記マグネトロンスパッタ源は、単一のマグネトロン部にターゲットが取り付けられたマグネトロンスパッタ源であることを特徴とするスパッタ装置。 - 請求項1乃至6の何れか1項に記載のスパッタ装置において、該スパッタ装置は、
低屈折率膜の成膜に用いられるターゲットが取り付けられる低屈折率膜形成用のマグネトロンスパッタ源と、
高屈折率膜の成膜に用いられるターゲットが取り付けられる高屈折率膜形成用のマグネトロンスパッタ源と、が併設されていることを特徴とするスパッタ装置。 - 請求項1乃至7の何れか1項に記載のスパッタ装置において、
前記膜厚測定手段は、前記基板に対して測定光を照射する投光手段と、
前記基板に照射された前記測定光の透過光または反射光を受光して、その受光量に応じた電気信号を出力する受光手段と、を備え、
前記ドラムの回転中に前記投光手段から前記基板に測定光を照射することにより、前記膜厚の測定を行うことを特徴とするスパッタ装置。 - 請求項8に記載のスパッタ装置において、
前記受光手段から出力される受光信号に基づいて透過率または反射率を算出する演算手段を備えたことを特徴とするスパッタ装置。 - 請求項9に記載のスパッタ装置において、
前記演算手段は、前記測定光の入射角度が0°及びその近傍を含む所定の角度範囲のときに前記受光手段から得られる信号に基づいて、入射角度に応じた透過率または反射率を求め、入射角度と透過率または反射率の関係を示すデータを取得することを特徴とするスパッタ装置。 - 請求項8乃至10の何れか1項に記載のスパッタ装置において、
前記投光手段は、前記基板に対して波長の異なる複数種類の測定光を選択的に照射し得る光源部を有していることを特徴とするスパッタ装置。 - 請求項11に記載のスパッタ装置において、
前記受光手段から出力される受光信号に基づいて、前記波長の異なる複数種類の測定光に対する透過率または反射率を算出する演算手段を備えたことを特徴とするスパッタ装置。 - 請求項12に記載のスパッタ装置において、
前記演算手段は、前記波長の異なる複数種類の測定光に対して、それぞれ入射角度が0°及びその近傍を含む所定の角度範囲のときに前記受光手段から得られる受光信号に基づいて、入射角度に応じた透過率または反射率を求め、入射角度と透過率または反射率の関係を示すデータを取得することを特徴とするスパッタ装置。 - 請求項10または13に記載のスパッタ装置において、
前記演算手段は、前記取得した入射角度と透過率または反射率の関係を示すデータから近似変換を行って分光透過率または分光反射率を算出することを特徴とするスパッタ装置。 - 請求項8乃至14の何れか1項に記載のスパッタ装置において、
前記ドラムの内側に前記投光手段若しくは前記受光手段のいずれか一方が配置されていることを特徴とするスパッタ装置。 - 請求項1乃至15の何れか1項に記載のスパッタ装置において、
前記ターゲットは、前記基板と対向する位置関係になったときに、前記基板に対面するターゲット面が基板面に対して平行とならないように前記ターゲット面が所定の傾斜角度を有していることを特徴とするスパッタ装置。 - チャンバー内に、横断面が多角形状または円形状のドラムが回転自在に設置され、該ドラムの外周面上に基板ホルダーが設けられ、チャンバー壁の内側にはターゲットと該ターゲットを保持するマグネトロン部からなるマグネトロンスパッタ源が配置され、前記ターゲットは、前記ドラムの回転軸と平行となるように前記マグネトロン部により保持された構造を有するカルーセル型スパッタ装置を用いて成膜を行うスパッタ成膜方法であって、該方法は、
前記基板ホルダーを介して前記ドラムの外周面上に複数の基板を取り付け、前記マグネトロン部に電源から電力を供給しつつ前記ドラムを回転させながら前記複数の基板上に膜を形成する成膜中に、前記ドラムとともに回転する前記複数の基板のうち、前記マグネトロンスパッタ源と対向しない位置の基板について膜厚を測定する膜厚測定工程と、
前記膜厚測定工程で得られた膜厚の測定結果を前記電源にフィードバックすることにより、膜厚が設計膜厚になるように成膜制御を行う成膜工程と、
を含むことを特徴とするスパッタ成膜方法。 - 請求項17に記載のスパッタ成膜方法において、
前記スパッタ装置は、隣接して配置された二つのターゲットのアノード/カソードの関係を所定周波数で交互に切り替えるAC型マグネトロンスパッタ源と、単一のマグネトロン部にターゲットが取り付けられたマグネトロンスパッタ源と、を有し、
該スパッタ成膜方法は、
はじめに前記AC型マグネトロンスパッタ源を利用した成膜を実行して目標膜厚の手前の所定膜厚まで成膜した後に、前記AC型マグネトロンスパッタ源による成膜を停止し、その後前記単一のマグネトロン部にターゲットが取り付けられたマグネトロンスパッタ源のみを利用した成膜に切り替えて前記目標膜厚までの成膜を実施するようことを特徴とするスパッタ成膜方法。 - 請求項17に記載のスパッタ成膜方法において、
前記マグネトロンスパッタ源として、隣接して配置された二つのターゲットのアノード/カソードの関係を所定周波数で交互に切り替えるAC型マグネトロンスパッタ源を利用し、前記ドラムを回転させながら、前記基板ホルダーに取り付けられている基板上に膜を形成する成膜工程を有することを特徴とするスパッタ成膜方法。 - 請求項17に記載のスパッタ成膜方法において、
前記膜厚測定工程は、
前記ドラムを回転させながら前記基板に対して測定光を照射する投光工程と、
前記基板に照射された前記測定光の透過光または反射光を受光して、その受光量に応じた電気信号を出力する受光工程と、
を含むことを特徴とするスパッタ成膜方法。 - 請求項20に記載のスパッタ成膜方法において、
前記受光工程により出力される受光信号に基づいて透過率または反射率を算出する演算工程を含むことを特徴とするスパッタ成膜方法。 - 請求項21に記載のスパッタ成膜方法において、
前記演算工程は、前記測定光の入射角度が0°及びその近傍を含む所定の角度範囲のときに前記受光工程で得られる受光信号に基づいて、入射角度に応じた透過率または反射率を求め、入射角度と透過率または反射率の関係を示すデータを取得することを特徴とするスパッタ成膜方法。 - 請求項17乃至19の何れか1項に記載のスパッタ成膜方法において、
前記膜厚測定工程は、
前記ドラムを回転させながら前記基板に対して波長の異なる複数種類の測定光を選択的に照射する投光工程と、
前記基板に照射された前記測定光の透過光または反射光を受光して、その受光量に応じた電気信号を出力する受光工程と、を含むことを特徴とするスパッタ成膜方法。 - 請求項23に記載のスパッタ成膜方法において、
前記受光工程で得られる受光信号に基づいて、前記波長の異なる複数種類の測定光に対する透過率または反射率を算出する演算工程を含むことを特徴とするスパッタ成膜方法。 - 請求項24に記載のスパッタ成膜方法において、
前記演算工程は、前記波長の異なる複数種類の測定光に対して、それぞれ入射角度が0°及びその近傍を含む所定の角度範囲のときに前記受光工程で得られる受光信号に基づいて、入射角度に応じた透過率または反射率を求め、入射角度と透過率または反射率の関係を示すデータを取得することを特徴とするスパッタ成膜方法。 - 請求項22または25に記載のスパッタ成膜方法において、
前記演算工程は、前記取得した入射角度と透過率または反射率の関係を示すデータから近似変換を行って分光透過率または分光反射率を算出することを特徴とするスパッタ成膜方法。 - 請求項20乃至26の何れか1項に記載のスパッタ成膜方法において、
前記ドラムの内側に投光手段若しくは受光手段のいずれか一方を配置することを特徴とするスパッタ成膜方法。 - 請求項17乃至27の何れか1項に記載のスパッタ成膜方法において、前記ターゲットが前記基板と対向する位置関係になったときに、前記基板に対向するターゲット面が基板面に対して平行とならないように前記ターゲット面が傾斜面で構成されたターゲットを用いることを特徴とするスパッタ成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006175623A JP4487264B2 (ja) | 2006-06-26 | 2006-06-26 | スパッタ装置及びスパッタ成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006175623A JP4487264B2 (ja) | 2006-06-26 | 2006-06-26 | スパッタ装置及びスパッタ成膜方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001220943A Division JP4280890B2 (ja) | 2001-07-23 | 2001-07-23 | スパッタ装置及びスパッタ成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006265739A JP2006265739A (ja) | 2006-10-05 |
JP4487264B2 true JP4487264B2 (ja) | 2010-06-23 |
Family
ID=37201990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006175623A Expired - Fee Related JP4487264B2 (ja) | 2006-06-26 | 2006-06-26 | スパッタ装置及びスパッタ成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4487264B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101449602B1 (ko) * | 2012-12-11 | 2014-10-08 | 한국세라믹기술원 | 금속층을 포함한 3상 형성이 가능한 하이브리드 코팅 장치 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5135965B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2013-02-06 | 凸版印刷株式会社 | 低欠陥成膜法及び低欠陥薄膜並びに低欠陥膜成膜装置 |
JP5126909B2 (ja) * | 2010-10-08 | 2013-01-23 | 株式会社シンクロン | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
CN103384811B (zh) | 2012-02-15 | 2014-11-26 | 株式会社新柯隆 | 光学式膜厚测量装置及采用光学式膜厚测量装置的薄膜形成装置 |
KR102169017B1 (ko) * | 2014-01-10 | 2020-10-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법 |
WO2016156496A1 (de) | 2015-03-31 | 2016-10-06 | Bühler Alzenau Gmbh | Verfahren zur herstellung von beschichteten substraten |
CN108203808A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-06-26 | 同济大学 | 提高x射线反射镜薄膜均匀性和生产效率的方法及装置 |
JP7326015B2 (ja) | 2019-05-08 | 2023-08-15 | マクセル株式会社 | 真空プロセス用粘着テープ |
CN113755806A (zh) * | 2021-09-10 | 2021-12-07 | 四川旭虹光电科技有限公司 | 反射式磁控溅射镀膜厚度监测装置、镀膜机及方法 |
-
2006
- 2006-06-26 JP JP2006175623A patent/JP4487264B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101449602B1 (ko) * | 2012-12-11 | 2014-10-08 | 한국세라믹기술원 | 금속층을 포함한 3상 형성이 가능한 하이브리드 코팅 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006265739A (ja) | 2006-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4487264B2 (ja) | スパッタ装置及びスパッタ成膜方法 | |
JPWO2002063064A1 (ja) | スパッタ装置及びスパッタ成膜方法 | |
JP2023113733A (ja) | 基板上に少粒子層を形成するための方法および装置 | |
US8956511B2 (en) | Method for producing a multilayer coating and device for carrying out said method | |
Vergöhl et al. | Industrial-scale deposition of highly uniform and precise optical interference filters by the use of an improved cylindrical magnetron sputtering system | |
JP4280890B2 (ja) | スパッタ装置及びスパッタ成膜方法 | |
Bruns et al. | High rate deposition of mixed oxides by controlled reactive magnetron-sputtering from metallic targets | |
US20220213591A1 (en) | Device and method for coating substrates having planar or shaped surfaces by means of magnetron sputtering | |
JP2001181850A (ja) | 常圧プラズマを用いた連続成膜法 | |
JP4530776B2 (ja) | 多層膜形成用スパッタリング装置及びその膜厚制御方法 | |
JP4547612B2 (ja) | 膜厚制御方法及び装置、並びに光学多層膜の製造方法 | |
JP2002093870A (ja) | エッチング深さ測定方法および装置、エッチング方法 | |
JP3892961B2 (ja) | 光学薄膜の製造方法 | |
Zoeller et al. | High accurate in-situ optical thickness monitoring | |
Voronov et al. | Control and broadband monitoring of transparent multilayer thin films deposited by magnetron sputtering | |
CN116676582A (zh) | 一种镀膜设备的直接光控系统及方法 | |
JP2002266071A (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
TW202415787A (zh) | 藉由磁控濺鍍以沉積量子化奈米層的方法 | |
JP2004151492A (ja) | 誘電体多層膜の製造装置 | |
EP2761049B1 (en) | Process of coating a substrate with a thin film of metal or semiconductor compound | |
WO2024056313A1 (en) | Process to deposit quantized nano layers by magnetron sputtering | |
JP2022181017A (ja) | スパッタリング装置、成膜方法、及び物品の製造方法 | |
JP2002004046A (ja) | 成膜方法および成膜装置 | |
Zoeller et al. | Direct optical monitoring enables high performance applications in mass production | |
US20160178819A1 (en) | Self-filtered optical monitoring of narrow bandpass filters |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090722 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090915 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100305 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100318 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140409 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |