JP2022181017A - スパッタリング装置、成膜方法、及び物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】安定してプラズマ光をモニタすることを可能にするスパッタリング装置を提供する。【解決手段】スパッタリング装置１００は、容器１０１とともに成膜室４を画成し、容器１０１に対して回転軸Ｃ１まわりに回転駆動され、複数のターゲット２が周方向Ｒ１に並べて装着されるカソードユニット１と、カソードユニット１とともに回転するようカソードユニット１に支持され、複数のターゲット２のうち対応するターゲット２の近傍に発生したプラズマの光を導光して出力する導光部２０１と、導光部２０１と間隔をあけて配置され、導光部２０１から出力された光を導光する導光部２０２と、導光部２０２に導光された光をモニタする計測器２１と、を備える。【選択図】図１

Description

本発明は、スパッタリング技術に関する。

金属製のターゲットに反応性ガスを供給し、スパッタリングにより絶縁性の薄膜を形成する成膜方法が知られている。この種の成膜方法では、反応性ガスの供給量が少ないと、成膜速度は速いが導電性の薄膜が形成され、反応性ガスの供給量が多いと、成膜速度は遅いが絶縁性の薄膜が形成される。絶縁性の薄膜を高速に成膜する方法として、スパッタリング時にターゲットの表面近傍に発生するプラズマの発光強度に基づいて反応性ガスの供給量を制御し、遷移モードと呼ばれる領域で成膜をする遷移モード成膜技術が知られている。

遷移モード成膜技術においては、プラズマの発光をモニタする必要があり、モニタ値の変化を抑制するために、モニタ対象であるプラズマに対する集光ユニットの相対位置の変動を抑制する必要がある。特許文献１には、集光ユニットをチャンバに固定して、ターゲット近傍をモニタする構成が開示されている。

一方、特許文献２には、回転軸まわりに回転駆動され、複数のターゲットが周方向に並べて装着されるカソードユニットを備えるスパッタリング装置が開示されている。特許文献２によれば、レンズの形状やターゲット材の変更によりスパッタ粒子の放出角度分布が変化しても、カソードユニットを回転軸周りに回転させてレンズに対するターゲット成膜面の角度を調整することにより、所望の膜厚分布を実現することができる。

特開２０１８－１５０５９０号公報 特開２００４－２６９９８８号公報

光学素子には複数種類の化合物層を含む反射防止膜が用いられることが多く、各層は高い精度で所望の膜厚分布で形成する必要がある。そこで、特許文献１の反応性スパッタリング装置に、複数種類の化合物膜を成膜できる特許文献２のカソードユニットを組み合わせる構成は、このような反射防止膜の成膜に好ましい。ところが、特許文献１のように集光ユニットをチャンバに対して固定していると、回転軸周りにターゲットを回転させることによって、集光ユニットとターゲット成膜面（即ちプラズマ）の相対位置が変動し、安定してプラズマ光をモニタすることができなくなる恐れがある。

本発明は、回転軸まわりに回転駆動され、複数のターゲットが周方向に並べて装着されるカソードユニットを用いる反応性スパッタにおいて、安定してプラズマ光をモニタすることを可能にするスパッタリング装置を提供することを目的とする。

本発明のスパッタリング装置は、外囲器と、前記外囲器とともに成膜室を画成し、前記外囲器に対して回転軸まわりに回転駆動され、複数のターゲットが周方向に並べて装着されるカソードユニットと、前記カソードユニットとともに回転するよう前記カソードユニットに支持され、前記複数のターゲットのうち対応するターゲットの近傍に発生したプラズマの光を導光して出力する第１導光部と、前記第１導光部と間隔をあけて配置され、前記第１導光部から出力された光を導光する第２導光部と、前記第２導光部に導光された光をモニタするモニタ部と、を備える、ことを特徴とする。

本発明によれば、安定してプラズマ光をモニタすることができる。

実施形態に係るスパッタリング成膜装置の説明図。 （ａ）及び（ｂ）は実施形態に係るカソードユニットの概略構成図。 （ａ）は実施形態に係るレンズと真空フィードスルーとの配置関係を示す説明図。（ｂ）は実施形態に係るレンズと光ファイバーとの配置関係を示す説明図。

以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、実施形態に係るスパッタリング装置１００の説明図である。図２（ａ）及び図２（ｂ）は、実施形態に係るカソードユニット１の概略構成図である。スパッタリング装置１００は、本実施形態ではマグネトロンスパッタリング装置である。スパッタリング装置１００は、反応性スパッタリングにより、成膜対象であるワーク（被成膜物）Ｗの表面に絶縁性の薄膜を形成する。スパッタリング装置１００によってワークＷの表面に薄膜を形成することにより、最終品又は中間品等の物品が製造される。ワークＷは、例えばレンズ基体であり、形成される膜は、例えば複数種類の金属酸化物層からなる積層膜である、反射防止膜である。

スパッタリング装置１００は、外囲器の一例である容器１０１と、容器１０１に対して回転可能に支持されたカソードユニット１と、を備える。容器１０１は、真空容器本体である。容器１０１及びカソードユニット１によって成膜室４が画成される。容器１０１には、成膜室４を低真空まで排気可能な粗引き用の真空ポンプと、成膜室４を高真空まで排気可能な本引き用の真空ポンプと、が取り付けられている。

成膜室４に隣接する位置には、不図示のロードロック室が設けられていてもよい。その際、不図示のロードロック室と成膜室４との間には、不図示の仕切弁が設けられるのが好ましく、不図示の仕切弁によって成膜室４の真空を破壊せずにワークＷの供排可能となる。なお、成膜室４を大気圧状態にしてワークＷを成膜室４に直接供給し、成膜室４を真空状態に排気する構成であってもよい。

また、スパッタリング装置１００は、成膜室４に配置され、成膜室４に供給されたワークＷを保持するホルダ８を備える。また、スパッタリング装置１００は、駆動機構１０２と、容器１０１に設置された一対の軸受９と、軸受９を介して容器１０１に回転可能に支持され、駆動機構１０２により回転軸Ｃ１を中心に回転駆動されるカソードユニット１と、を備える。駆動機構１０２は、カソードユニット１に直接、又は不図示の伝達機構を介して接続された不図示のモータを有し、カソードユニット１を回転駆動可能に構成されている。

カソードユニット１は、複数のターゲット２が周方向Ｒ１に並べて装着されるように構成されている。カソードユニット１に装着された複数のターゲット２は、成膜室４に位置する。そして、カソードユニット１が回転軸Ｃ１を中心に回転することにより、複数のターゲット２のうち１つが、ホルダ８、即ちホルダ８に保持されたワークＷと対向することになる。

カソードユニット１は、一対の軸受９を介して容器１０１に回転可能に支持された筒状部材１ａと、筒状部材１ａの内側に配置された、複数のカソード３０及び複数のマグネット３と、を有する。複数のターゲット２は、筒状部材１ａの外側に固定して配置されている。複数のターゲット２の各々は、金属ターゲットである。複数のターゲット２は、いずれも同種材質のターゲットであってもよいし、すべて互いに異なる種類の材質のターゲットであってもよい。カソードユニット１に複数種類のターゲット２を設置すると、１つの成膜室内で複数種類の材質の層からなる積層膜を形成することができる。

カソードユニット１の内側の空間、即ち筒状部材１ａの内側の空間には、大気が存在している。よって、カソードユニット１の内側の空間、即ち筒状部材１ａの内側の空間は、大気圧状態である。各カソード３０は、複数のマグネット３のうち対応するマグネット３と一体に構成されている。各カソード３０及び各マグネット３は、対応するターゲット２の裏面の近傍に設置されており、対応するターゲット２の表面近傍に高密度のプラズマを生成することができる。各マグネット３は、対応するターゲット２との相対位置が変わらないように筒状部材１ａに固定されている。カソードユニット１の内側の空間には、さらに冷却液によってターゲットを冷却する冷却機構が設けられているのも好ましい。

ターゲット２の数は、図２（ａ）に示すように偶数であってもよいし、図２（ｂ）に示すように奇数であってもよい。また、ターゲット２の形状は、図２（ａ）に示すように平板形状であってもよいし、図２（ｂ）に示すように湾曲した形状であってもよい。また、ターゲット２の表面の外形は、多角形であってもよいし、円形や楕円形であってもよい。

本実施形態において、カソードユニット１は、回転軸Ｃ１の延びる方向が垂直方向となるように配置されているが、回転軸Ｃ１の延びる方向は、これに限定するものではない。例えばカソードユニット１は、回転軸Ｃ１の延びる方向が水平方向となるように配置されていてもよい。

また、スパッタリング装置１００は、成膜室４に配置され、成膜室４に反応性ガスを供給する反応性ガス供給部５と、容器１０１の外部に配置され、反応性ガス供給部５と接続されたマスフローコントローラ６と、を備える。反応性ガス供給部５は、例えばノズルで構成されている。反応性ガスは、例えば酸素（Ｏ_２）である。マスフローコントローラ６は、反応性ガス供給部５から成膜室４に供給する反応性ガスの流量を調整する。なお、反応性ガス供給部５は、容器１０１の内面における上面、下面又は側面に配置してもよい。反応性ガス供給部５は、カソードユニット１とホルダ８との間、即ち複数のターゲット２のうちホルダ８と対向するターゲット２の近傍に配置されるのが好ましい。

また、スパッタリング装置１００は、成膜室４に配置され、成膜室４に不活性ガスを供給する不図示の不活性ガス供給部を備える。不活性ガスは、例えばアルゴン（Ａｒ）である。

カソードユニット１は、複数のターゲット２のうち対応するターゲット２がワークＷと対向する回転角度に位置決めされる。カソードユニット１を回転させることで、成膜に用いるターゲット２を切り替えることができる。即ち、カソードユニット１を回転させることで、複数のターゲット２のうち成膜に用いるターゲット２を、ワークＷに対向させることができる。反応性ガス供給部５から反応性ガスが、不図示の不活性ガス供給部から不活性ガスが、それぞれ真空状態にある成膜室４に供給される。成膜室４が所定の圧力に到達後、不図示の電源より、対応するカソード３０、即ち対応するターゲット２へ電圧が印加されると、対応するターゲット２の表面の近傍にプラズマが発生する。このとき、マグネット３によって形成される磁場により、ターゲット２の表面の近傍におけるプラズマの発生位置が決まる。マグネット３によって形成される磁場は、マグネット３の形態及び配置位置によって決まる。プラズマ中のイオン化した不活性ガスの粒子がターゲット２の表面に衝突することで、ターゲット２の表面がスパッタリングされ、ターゲット粒子がはじき出される。はじき出されたターゲット粒子は、ターゲット２の表面において反応性ガスと結合した成膜粒子となっているか、又は成膜室４に存在する反応性ガスと結合して成膜粒子となる。そして、複数の成膜粒子のうちの一部がワークＷの表面に付着する。成膜粒子がワークＷの表面上に堆積することで、ワークＷの表面に絶縁性の薄膜、例えば金属酸化膜が形成される。ワークＷに形成される薄膜の膜厚分布は、カソードユニット１の回転角度を変化させることで調整することができる。即ち、制御用ＰＣ２２は、カソードユニット１の回転角度が変化するよう駆動機構１０２を制御する。

本実施形態では、スパッタリング装置１００は、反応性スパッタリングによってワークＷの表面に絶縁性の薄膜を形成する。反応性スパッタリングでは、金属のターゲット２の表面状態として、成膜速度や膜質の異なる３つのモードが存在する。３つのモードは、金属モード、化合物モード、及び金属モードと化合物モードとの間の遷移モードである。

化合物モードは、ターゲット２の表面の化合物を維持するのに十分な量の反応性ガスが存在する状態である。反応性ガスがＯ_２の場合、化合物は金属酸化物である。化合物モードの場合、十分に反応が進み化学量論比を満足する化合物を得やすいが、他の２つのモードに比べ成膜速度が遅い。ターゲット２の表面の化合物膜の結合力やターゲット材料と化合物膜との結合力は、金属などのターゲット材料の結合力よりも強い。これらの結合を切り、ターゲット２をスパッタして化合物をたたき出すには、より多くのエネルギーが必要になるため、化合物のスパッタ率は金属のスパッタ率よりも低くなり、その結果、成膜速度が遅くなる。

金属モードは、ターゲット２の表面を化合物化するのに十分な量の反応性ガスが存在せず、ターゲット２の表面が化合物よりも金属の割合が高い状態である。その結果、成膜速度は化合物モードよりも速くなるが、形成される薄膜は、反応が十分に進んでいない金属的なものとなる。したがって、所望の絶縁性の薄膜が形成されないことがある。

遷移モードは、化合物モードと金属モードとの中間の量の反応性ガスが存在する状態である。ターゲット２の表面は部分的に化合物が形成され、化合物と金属とが混在する。そのため、成膜速度は、化合物モードよりも速くなるが、不安定な状態である。

本実施形態の反応性スパッタリングでは、化合物モードよりも成膜速度の速い遷移モードにおいて、プラズマエミッションモニタ制御、即ちＰＥＭ制御によって絶縁性の薄膜をワークＷの表面に化合物膜を形成する。スパッタリング装置１００は、プラズマの発光をモニタするモニタ部の一例である計測器２１と、計測器２１によってモニタされたプラズマの発光強度に基づいて、反応性ガスの流量を制御する制御部の一例である制御用ＰＣ２２と、を備える。計測器２１および制御用ＰＣ２２は、容器１０１の外部に配置されている。マスフローコントローラ６および計測器２１は、制御用ＰＣ２２と通信可能に接続されている。

スパッタリング装置１００は、プラズマ光を計測器２１に導光する導光経路を形成する導光系２００を備える。ここで、カソードユニット１は、容器１０１に対して回転するが、計測器２１は、容器１０１に対して回転しない。

導光系２００は、第１導光部の一例である導光部２０１と、導光部２０１と空間をあけて配置された第２導光部の一例である導光部２０２と、を有する。導光部２０２は、光が進行する方向において、導光部２０１の下流に配置される。導光部２０１は、カソードユニット１とともに回転するようカソードユニット１に支持されている。導光部２０１は、複数のターゲット２のうち対応するターゲット２の近傍に発生したプラズマの光を導光して導光部２０２に出力する。導光部２０２は、導光部２０１と間隔をあけて配置されており、導光部２０１から出力された光を導光して計測器２１に出力する。

計測器２１は、例えば分光器で構成され、回折格子及びＣＣＤセンサを有する。計測器２１は、導光部２０１及び導光部２０２を介して取得したプラズマ光を分光分析して、所定波長毎の光の強度を示す情報である光強度値、即ちモニタ値を、電気信号として制御用ＰＣ２２へ送信する。制御用ＰＣ２２は、取得した光強度値に基づいてマスフローコントローラ６を制御することで、反応性ガスの流量を制御する。

導光部２０１，２０２について説明する。導光部２０１は、集光ユニット１１、光ファイバー１２、真空フィードスルー１３、レンズ１４、及びミラー１５を有する。導光部２０２は、レンズ１６及び光ファイバー１７を有する。光ファイバー１２は、第１光ファイバーの一例であり、光ファイバー１７は、第２光ファイバーの一例である。レンズ１４は、第１レンズの一例であり、レンズ１６は、第２レンズの一例である。集光ユニット１１及び光ファイバー１２は、成膜室４に配置され、レンズ１４及びミラー１５は、大気がある筒状部材１ａの内側に配置されている。導光部２０２、即ちレンズ１６及び光ファイバー１７は、大気がある筒状部材１ａの内側に配置されている。ここで、光ファイバーとは、光ファイバー本体が被覆部材で被覆されたものをいう。

導光部２０１の各部について詳細に説明する。集光ユニット１１の数は、ターゲット２の数以下であればよく、本実施形態では、ターゲット２の数と同じである。光ファイバー１２、真空フィードスルー１３、及びレンズ１４のそれぞれの数は、集光ユニット１１の数と同じである。ミラー１５は、例えば多角錐形状であり、集光ユニット１１の数と同じ数の反射面１５ａを有する。即ち、導光部２０１において、集光ユニット１１、光ファイバー１２、真空フィードスルー１３、レンズ１４、及びミラー１５の反射面１５ａにより、集光ユニット１１と同じ数の導光経路Ｐ１が画成される。そして、カソードユニット１を回転させることにより、成膜に用いるターゲットとともに、光をモニタするのに用いる導光経路Ｐ１が切り替わる。導光部２０１の導光経路Ｐ１において、集光ユニット１１、光ファイバー１２、真空フィードスルー１３、レンズ１４、及び反射面１５ａは、この順で光の進行する方向に配置されている。よって、導光経路Ｐ１において、レンズ１４は、光ファイバー１２に対して光が進行する方向の下流に配置されている。ここで、反射面１５ａは、反射部の一例である。なお、ミラー１５に含まれる複数の反射面１５ａの角度は、全て同じ角度であってもよいし、個別に違う角度であってもよい。また、各反射部がミラー１５の各反射面１５ａである場合について説明したが、これに限定するものではない。例えば各反射部が、複数のミラーで構成されていてもよい。また、各反射部が、１つ又は複数のプリズムで構成されていてもよい。

各集光ユニット１１は、コリメータであり、成膜室４に配置されている。プラズマの位置は、マグネット３により形成される磁場によって決まるため、集光ユニット１１は、マグネット３及びターゲット２に対する相対位置の変動を抑制する必要がある。各集光ユニット１１は、対応するターゲット２の近傍に発生したプラズマの光を集光する位置に配置されている。具体的には、各集光ユニット１１は、対応するターゲット２の近傍に発生したプラズマの光を集光するよう、対応するターゲット２の表面近傍に、対応するターゲット２の表面と平行な向きに配置されている。各集光ユニット１１は、対応するターゲット２、即ち対応するマグネット３との相対位置が変動しないよう、カソードユニット１に固定されている。

各集光ユニット１１と各真空フィードスルー１３とは、各光ファイバー１２で接続されている。各真空フィードスルー１３は、カソードユニット１の筒状部材１ａの側壁を貫通するように筒状部材１ａに固定されている。

各レンズ１４は、入射光を平行光とするコリメートレンズである。真空フィードスルー１３は、筒状部材１ａの外側から内側へプラズマの光を導光するよう、筒状部材１ａに固定されている。

ミラー１５は、回転軸Ｃ１上に配置されている。各反射面１５ａは、対応する真空フィードスルー１３及びレンズ１４を介して導光された光を導光部２０２に向けて反射する。具体的には、各反射面１５ａは、対応する真空フィードスルー１３及びレンズ１４を介して導光された光を導光部２０２のレンズ１６に向けて回転軸Ｃ１の延びる方向に反射する。このように、導光部２０１は、導光した光を回転軸Ｃ１の延びる方向に出力する。

図３（ａ）は実施形態に係るレンズ１４と真空フィードスルー１３との配置関係を示す説明図である。図３（ａ）に示すように、真空フィードスルー１３は、図１の光ファイバー１２が接続される光ファイバー本体１３ａを有する。レンズ１４は、光ファイバー本体１３ａの径の中心に対して、光軸中心が同軸となる位置に配置されている。また、レンズ１４は、焦点が光ファイバー本体１３ａの端面の近傍の位置となるように配置されており、好ましくは焦点が光ファイバー本体１３ａの端面と一致するように配置されている。

以上、導光部２０１の構成である集光ユニット１１、光ファイバー１２、真空フィードスルー１３、レンズ１４およびミラー１５は、カソードユニット１に支持されている。そのため、導光部２０１は、カソードユニット１と一体に回転軸Ｃ１まわりに回転する。

次に、導光部２０２の各部について詳細に説明する。レンズ１６及び光ファイバー１７により、導光経路Ｐ２が画成される。導光部２０２の導光経路Ｐ２において、レンズ１６は、光ファイバー１７に対して光が進行する方向の上流に配置されている。

レンズ１６は、回転軸Ｃ１に対してレンズ１６の光軸中心が同軸となる位置に配置されている。レンズ１６は、入射光を集光するコリメートレンズである。図３（ｂ）は、実施形態に係るレンズ１６と光ファイバー１７との配置関係を示す説明図である。図３（ｂ）に示すように、光ファイバー１７は、光ファイバー本体１７ａを有する。光ファイバー１７は、レンズ１６の光軸中心に対して光ファイバー本体１７ａの径中心が同軸となる位置に配置されている。また、光ファイバー本体１７ａは、端面がレンズ１６の焦点の近傍の位置となるように配置されており、好ましくは端面が焦点の位置と一致するように配置されている。

導光部２０２および計測器２１は、容器１０１に固定されていてもよいし、不図示の別の部材に固定されていてもよい。そのため、導光部２０２は、カソードユニット１とともに回転しないように、カソードユニット１から分離されている。

以上の構成により、ターゲット２の表面近傍で発生したプラズマの発光の一部は、集光ユニット１１内に入射した後、光ファイバー１２、真空フィードスルー１３を経由してカソードユニット１の内側へと伝搬する。真空フィードスルー１３より出射された光は、レンズ１４へ入射された後にコリメートされ、ミラー１５の反射面１５ａで反射される。反射光は、レンズ１６へ入射後に集光され、光ファイバー１７へと導光される。レンズ１６および光ファイバー１７は、それぞれの光軸中心が回転軸Ｃ１と同軸となるように配置されているため、カソードユニット１の回転角度に関わらず光を導光することができる。光ファイバー１７より出射された光は、計測器２１でモニタ値として計測され、モニタ値は制御用ＰＣ２２へと送信される。光ファイバー１２を含む導光部２０１の全体がカソードユニット１と連動し、光ファイバー１７を含む導光部２０２がカソードユニット１と連動しないので、カソードユニット１の回転動作による光ファイバー１２，１７の屈曲および捻れを防止できる。これにより、プラズマの発光を計測器２１まで安定的に導光することができ、モニタ値が変化するのを抑制することができる。

また、光ファイバー１２，１７が回転に伴って屈曲したり捻れたりするのを防止できるので、光ファイバー１２，１７の耐久性が向上する。

以上に説明したように、プラズマ光の導光系２００を、カソードユニット１とともに回転駆動される導光部２０１と、回転駆動されない導光部２０２とに分離することで、モニタ値が変動するのを抑制し、プラズマ発光を安定して計測することができる。

本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。また、実施形態に記載された効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載されたものに限定されない。

上述の実施形態では、カソードユニット１の数が１つである場合を例に説明したが、これに限定するものではない。カソードユニット１の数は、複数であってもよい。

１…カソードユニット、４…成膜室、２１…計測器（モニタ部）、１００…スパッタリング装置、１０１…容器（外囲器）、２０１…導光部（第１導光部）、２０２…導光部（第２導光部）

Claims (15)

1. 外囲器と、
   前記外囲器とともに成膜室を画成し、前記外囲器に対して回転軸まわりに回転駆動され、複数のターゲットが周方向に並べて装着されるカソードユニットと、
   前記カソードユニットとともに回転するよう前記カソードユニットに支持され、前記複数のターゲットのうち対応するターゲットの近傍に発生したプラズマの光を導光して出力する第１導光部と、
   前記第１導光部と間隔をあけて配置され、前記第１導光部から出力された光を導光する第２導光部と、
   前記第２導光部に導光された光をモニタするモニタ部と、を備える、
   ことを特徴とするスパッタリング装置。
2. 前記成膜室に反応性ガスを供給する反応性ガス供給部と、
   前記モニタ部によりモニタされた光の強度に基づいて、前記反応性ガスの流量を制御する制御部と、を備える、
   ことを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
3. 前記第１導光部は、前記プラズマの光を集光する位置に配置された集光ユニットを有する、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載のスパッタリング装置。
4. 前記第１導光部は、第１光ファイバーを有し、
   前記第２導光部は、第２光ファイバーを有する、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。
5. 前記第１導光部は、前記第１導光部の導光経路において、前記第１光ファイバーに対して下流に配置された第１レンズを有し、
   前記第２導光部は、前記第２導光部の導光経路において、前記第２光ファイバーに対して上流に配置された第２レンズを有する、
   ことを特徴とする請求項４に記載のスパッタリング装置。
6. 前記第１レンズ及び前記第２レンズのそれぞれがコリメートレンズである、
   ことを特徴とする請求項５に記載のスパッタリング装置。
7. 前記カソードユニットは、
   筒状部材と、
   前記筒状部材の内側に配置された複数のマグネットと、を有し、
   前記第１導光部は、
   前記筒状部材の外側から内側へ前記プラズマの光を導光する真空フィードスルーを有する、
   ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。
8. 前記第１導光部は、前記筒状部材の内側に配置され、前記真空フィードスルーを介して導光された光を前記第２導光部に反射する反射部を有する、
   ことを特徴とする請求項７に記載のスパッタリング装置。
9. 前記第１導光部は、導光した光を前記回転軸の延びる方向に出力する、
   ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載のスパッタリング装置を用いて被成膜物に化合物膜を成膜する、
    ことを特徴とする成膜方法。
11. 請求項２に記載のスパッタリング装置を用いて被成膜物に化合物膜を成膜する成膜方法であって、
    前記カソードユニットに金属ターゲットを設置し、
    前記反応性ガス供給部から酸素を含むガスを供給し、
    前記化合物膜として金属酸化物を含む膜を形成する、
    ことを特徴とする成膜方法。
12. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載のスパッタリング装置を用いて被成膜物に化合物膜を成膜して物品を製造する、
    ことを特徴とする物品の製造方法。
13. 請求項２に記載のスパッタリング装置を用いて被成膜物に化合物膜を成膜して物品を製造する方法であって、
    前記カソードユニットに金属ターゲットを設置し、
    前記反応性ガス供給部から酸素を含むガスを供給し、
    前記化合物膜として金属酸化物を含む膜を形成する、
    ことを特徴とする物品の製造方法。
14. 前記化合物膜が複数種類の金属酸化物層を含む積層膜である、
    ことを特徴とする請求項１３に記載の物品の製造方法。
15. 前記被成膜物がレンズである、
    ことを特徴とする請求項１４に記載の物品の製造方法。

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