JP4474708B2

JP4474708B2 - Substrate for organic electroluminescence display element and organic electroluminescence display element using the same

Info

Publication number: JP4474708B2
Application number: JP37167099A
Authority: JP
Inventors: 克宏鈴木; 懿範銭
Original assignee: Toppan Inc
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1999-12-27
Filing date: 1999-12-27
Publication date: 2010-06-09
Anticipated expiration: 2019-12-27
Also published as: JP2001185361A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、産業用、民生用として情報表示を行う有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板および表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄型軽量、高視野角、高速応答、自発光型という特徴を有する有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬ）表示素子は、ＣＲＴ（Cathod Ray Tube ）やＬＣＤ（Liquid Crystal Display）に替わる表示素子として注目されている。有機ＥＬは、陽極層、有機層、陰極層の積層体であり、陽極、陰極からそれぞれ注入された正孔、電子が有機層で再結合して蛍光を発する。
【０００３】
有機層へ正孔、電子が注入されるよう、陽極には金属酸化物、陰極には金属が用いられる。この時、蛍光を外部へ取り出すために、陽極層には可視光を透過する材料として、一般にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が用いられる。
【０００４】
有機層は、正孔と電子が再結合して蛍光を発する発光層を挟むように、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層など複数層から構成されることもある。ここで用いられる有機物は、一般に耐熱性、耐溶媒性、耐水性、耐酸アルカリ性に劣ることが多いため、また素子の電気的特性を保つために材料の高純度が必要なため、積層体形成にはスパッタ法や蒸着法を採用する。
【０００５】
有機ＥＬ表示素子は、まず基板上に陽極層であるＩＴＯを設け、その上に有機層、陰極層が順次積層される。有機ＥＬ表示素子が様々な情報を表示できるためには、複数本の陽極と複数本の陰極が直交して配設されたマトリックス電極構造となっていなければならない。そのために、陽極に直交する複数本の陰極を形成しなければならないが、前述の有機層の物質の各種耐性の問題から、溶剤や酸アルカリ水溶液を用いるフォトリソグラフィ工程を陰極の形成法に採用することができない。陰極の形成には、金属マスクを用いたマスク蒸着法の適用も考えられる。しかしながら、この方法で大型化、高精細化に対応する場合、金属マスクのパターンは幅数１０μｍ程度の細線となり、しかも金属マスクがたるまないよう張力が与えられるので、次第に伸長変形を起こし、ついには陰極形成不良となる。微細で精度の高いパターンを有する金属マスクは高価であるため、伸長変形を起こす前に金属マスクを交換する工程とすると、製造コストの増大は避けられない。
【０００６】
この問題に対する技術として、米国特許第5,294,870 号、特開平8-315981号が公開されている。これらの技術は、電気絶縁性の隔壁を透明電極と直交するように設け、これにより陰極物質が蒸着時に分離するものである。これらの技術は非常に優れたものではあるが、問題点がある。
【０００７】
これらの技術で透明電極上に設けられる絶縁性の隔壁は、パターニング可能な有機物、例えばフォトレジストである。フォトレジストをパターンとして基板上に残す場合、樹脂分の硬化を促すためにポストベークと呼ばれる熱処理がなされる。ポストベークにより有機物分子の熱架橋が起こり形状が固定されるのだが、固相での反応のため分子中の反応箇所があまり動けずに未反応のまま残るので、反応率は１００％には届かない。このような未反応物は、有機層、陰極層形成時の真空プロセス中に隔壁より飛散してコンタミネーションを引き起こす可能性を有している。
【０００８】
また、フォトレジストには、紫外光で反応を引き起こすために光開始剤、増感剤などの添加剤が入っている。一般的にこれらはレジスト樹脂分に比べると分子量が小さく、前述の真空プロセス中に昇華しコンタミネーションを引き起こす可能性を有している。
【０００９】
有機ＥＬ表示素子において、電極と有機層の接触は電荷の注入に非常に影響するため、電極表面は可能な限り清浄であることが好ましい。電極表面を分子レベルで清浄化するためには、酸アルカリや界面活性剤を用いた洗浄よりも、プラズマアッシングやＵＶ洗浄の方が効果的である。しかしながら、これらの処理では、有機物で形成された隔壁自身も多大なダメージを被る。具体的には、隔壁形状の破壊、分解成分によるコンタミネーションが引き起こされる。
【００１０】
また、有機物からなる隔壁は、その内部に水分や残留溶媒、各種ガス成分を含みやすく、長時間の使用や高温下の使用において、これらが隔壁から放出される、いわゆるアウトガスが問題になる。特に水分は、有機ＥＬ表示素子の劣化を起こし拡大させることが知られている。
【００１１】
さらに、有機ＥＬ表示素子の表示情報量が増えて、走査する電極本数が増加すると、電極１本当たりの電圧印加時間が短くなるため、電圧の立ち上がりに影響する電極配線の電気抵抗の影響が大きくなってくる。電極として蒸着される金属層の厚みは通常数千Åであるが、電気抵抗を下げる目的でさらに蒸着で厚くすることは、工程のスループットを低下させる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、以上の問題を鑑みてなされたものであり、電極表面清浄化のために必要な処理に耐える上、真空プロセス中のコンタミネーションを避ける隔壁を備え、さらに低電気抵抗の陰極電極を有する有機ＥＬ表示素子を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上述の問題は、隔壁材料として有機物を採用するために引き起こされるものである。よって、無機物、しかも加工が容易で電気抵抗など物性が活かせる金属で隔壁を形成することから、本発明は創作された。
【００１４】
請求項１は、透明基板または半透明基板表面に複数本の透明または半透明の導電膜と、前記導電膜間をつなぐ低電気抵抗の金属線とからなる陽極が形成されてなる有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板において、前記金属線の方向に直交し、かつ前記陽極と電気的に接続しないように複数本の導電性の無機物からなる隔壁が前記基板上に設けられ、かつ前記隔壁の前記金属線方向での断面が、前記陽極の前記金属線上の部分は両側にひさし形状を有する略Ｔ字型であり、それ以外は片側のみに壁面および壁面上部のひさしを有する形状であることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子用基である。
請求項２は、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板において、前記隔壁を表示領域外に伸長し電極引き出し部として用いることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子基板である。
請求項３は、請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板に、少なくとも有機層、陰極層を順次積層したことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子である。
請求項４は、請求項１から３の何れか１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板に、少なくとも有機層、陰極層を順次積層し、かつ前記隔壁の片側において前記隔壁と前記陰極が電気的に接続していることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子である。
請求項５は、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板の製造方法であって、前記隔壁が無電解メッキ法により作製した金属膜をエッチングすることで形成されたものであることを特徴する有機エレクトロルミネセンス表示素子基板の製造方法である。
請求項６は、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板の製造方法であって、前記隔壁が無電解メッキ法と電解メッキ法の併用により作製した金属膜をエッチングすることで形成されたものであることを特徴する有機エレクトロルミネセンス表示素子基板の製造方法である。
請求項７は、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板の製造方法であって、前記隔壁が真空成膜法と電解メッキ法により作製した金属膜をエッチングすることで形成されたものであることを特徴する有機エレクトロルミネセンス表示素子基板の製造方法である。
請求項８は、請求項６又は７に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板の製造方法において、前記電解メッキ法により作製するメッキ膜が無機化合物を分散剤として含む機能メッキ膜であることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子基板の製造方法である。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明について、図示しながら詳説する。
図１は、本発明による有機ＥＬ表示素子の有機層蒸着前の基板の概略図である。図１（Ａ）は基板面から見た図、図１（Ｂ）は１点破線１Ａ、１Ｂでの断面、図１（Ｃ）は隔壁部分の俯瞰図である。
【００１６】
透明電極１０１は、画素に対応するよう矩形にパターニングされる。透明電極材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide ）などを使用できる。これらの透明電極１０１は、導電性物質、例えばAl、Cu、Agのような低電気抵抗の金属からなる電極バス１０２で直線的に接続されており、これらで複数本の電極として機能する。これらの電極を陽極とする。透明電極１０１と電極バス１０２は、どちらを基板上に先に設けても構わない。また、透明電極１０１と電気的な接続を保つ限り電極バス１０２上には、電気絶縁性の皮膜を設けても良い。陽極に直交するよう、透明電極１０１の間に金属製の隔壁１０３が設けられる。隔壁１０３は、領域１０４の部分でのみ基板面に接する。図１（Ｂ）（Ｃ）に示すように、隔壁１０３は透明電極１０１とは平面的な位置関係で、電極バス１０２とは立体的な位置関係で離れている。このため透明電極１０１は、透明電極１０１、電極バス１０２と電気的な接続がない。なお、電極バス１０２上に電気絶縁膜を設けて、隔壁１０３と陽極の電気的接続を断ってもよい。隔壁１０３は、基板から離れた側にひさし形状を有している。このひさしにより、蒸着される陰極材料が分離される。
【００１７】
図３、４は、本発明の作製方法の説明図である。図３（Ａ）に示すように、基板上に透明電極３０１と電極バス３０２からなる陽極を形成する。基板材料としては、各種ガラスの他、プラスチックも使用することができる。また、透明電極の下地としてカラーフィルタ、光拡散膜、反射防止膜を設けてあってもよい。透明電極３０１、電極３０２の形成には、フォトリソグラフィ法が適用でき、それぞれのエッチングには、湿式、乾式いずれも使用することができる。図３（Ｂ）に示すように、陽極の形成された基板上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法により隔壁と基板が接する領域３０６のレジストを除去し、第１レジスト層３０３を得る。第１レジスト層３０３の厚みは、隔壁のひさしの高さとなり、その値は０．５μｍ〜１０μｍがよい。これより薄くなると、後で蒸着される有機層、陰極層の厚みでひさしが基板とつながってしまう可能性が高くなり、これより厚くなると、蒸着時の分子の回り込みの影響が大きくなり、蒸着時の分離が不完全になる可能性が高くなる。フォトレジスト材料は、ポジ型ネガ型いずれも使用できる。
【００１８】
図３（Ｃ）に示すように、第１レジスト層３０３および領域３０６表面に無電解メッキ法により、金属膜３０４を形成する。無電解メッキを施す前に、酸性溶液あるいはプラズマ処理で、領域３０６表面を脱脂、粗化しておくと、メッキ膜と基板の密着が向上するのでより好ましい。また、無電解メッキ液は、第１レジスト層３０３側のみスプレー、ノズルでかけるようにするのがよい。これは裏面への余分なメッキを避けるためである。無電解メッキする金属材料としては、Ni、Cu、Ag、Au、Pt、Pd、Co、Snおよびそれらを含む合金が使用できる。多くの場合、レジストは強いアルカリ溶液に溶解するので、無電解メッキ液は、中性〜弱アルカリ性、望ましくは酸性がよい。金属膜３０４の厚みは、隔壁の形状を保てる程度の強度が確保できる値で良く、金属材料にも依るが数μｍ以上あればよい。無電解メッキで厚膜を得るのに、処理時間が長くなる場合がある。その場合、無電解メッキ膜に対し電解メッキを施すことで、処理時間を短縮することができる。この場合、先述の金属の他、Cr、Znも使用することができる。金属膜３０４は、無電解メッキ法の代わりに、スパッタ法、蒸着法を用いて形成しても良い。この場合、膜厚を稼ぐのが難しいため、ある程度の膜厚を成膜した後、電解メッキ法を適用するのが好ましい。
【００１９】
次に図４（Ｄ）に示すように、金属膜３０４上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法により隔壁部分３０５だけレジストを残す（第２レジスト層）。第２レジスト層の厚みは、エッチング可能であればいくらでもよい。第２レジスト層３０５の幅が、隔壁の略Ｔ字の頭部の幅となる。この幅は、隔壁と基板が接する領域３０６の幅より１０μｍ程度、好ましくは５μｍ程度広くする。続いて図４（Ｅ）に示すように、金属膜３０４をエッチングすると、レジスト３０５で保護された部分が残る。最後に図４（Ｆ）に示すように、第１レジスト層３０３、第２レジスト層３０５を除去する。除去方法には、溶剤洗浄、アルカリ洗浄、UV洗浄、プラズマ洗浄が使用できる。隔壁や電極を侵食するような酸洗浄は適用できない。以上の工程により、本発明である導電性の隔壁を有した有機ＥＬ表示素子用基板が得られる。
【００２０】
陽極表面の分子レベルの清浄度を得るために成膜前処理として、プラズマアッシングやUVアッシング、高温加熱処理をこの基板に施すことができる。これらの処理は、基板上に形成されたものがすべて無機物であるため、有機物では耐えられない条件で実施できる。よって、電極表面に残留している不要な有機物や水分を完全に除去できる。
【００２１】
続いて、有機層、陰極層を蒸着し、素子部分を封止して、有機ＥＬ表示素子を得る。
【００２２】
有機層は、単層または複数層であり、複数層の場合、蛍光を発する発光層の他、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などから構成される。有機物質によっては、一層で、例えば発光と正孔輸送と複数の働きを有するものもある。有機層には、以下のような物質を使用することができる。
【００２３】
発光層としては、例えばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、スチリルベンゼン系化合物、１２−フタロペリノン、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、ナフタルイミド誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン系化合物、9,10- ジアリールアントラセン誘導体、サリチル酸塩、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、テトラフェニルブタジエン、9,10- ビス（フェニルエチニル）アントラセン、8-キノリノラートリチウム、トリス（8-キノリノラート）アルミニウム錯体（以下Alq と略す）、Ｎ, Ｎ'-ジフェニル- Ｎ, Ｎ'-ビス（3-メチルフェニル）- ベンジジン（以下TPD と略す）、トリス（5,7-ジクロロ、8-キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（5-クロロ-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（8-キノリノラート）亜鉛錯体、トリス（5-フルオロ-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（4-メチル-5- トリフルオロメチル-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（4-メチル-5- シアノ-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス〔8-（パラートシル）アミノキノリン〕亜鉛錯体およびカドミウム錯体、1,2,3,4-テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ-2,5- ジヘプチルオキシ-P- フェニレンビニレン、あるいは特開平４―３１４８８号公報、米国特許５１４１６７１号、同４７６９２９２号で言及されている蛍光物質やＮ, Ｎ’ジアリール置換ピロロピロール化合物等が使用できる。
【００２４】
正孔注入層としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物等が使用できる。
【００２５】
電子注入層としては、例えばニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が使用できる。
【００２６】
陰極層材料としては、アルミニウムの他MgAg、AlLi、CuLi等が使用できる。
なお、本発明に使用できる物質は、上記例に特に限定されるものではなく、さらなる発光性能を持つ物質を選択できる。
【００２７】
第２レジスト層３０５のパターニング形状を変更すると、図２に示すような形状の隔壁２０３を得られる。図２（Ｂ）に示すような隔壁２０３では、陽極の電極バス２０２の上だけ隔壁断面が略Ｔ字、それ以外の部分の断面は逆略Ｌ字となっているため、陰極層として金属を蒸着すると、図２（Ａ）、（Ｃ）に示すように陰極層と隔壁２０３は隔壁の片側で電気的に接続されることになる。この場合、隔壁材料としては、電気抵抗の低いCu、Au、Ag、Alなどを使用するのが好ましい。メッキで形成される隔壁２０３の厚みは、陰極層よりはるかに厚いため、電気抵抗が低くなり、隔壁２０３自体が電極バスとして機能することができる。さらに、図５に示すように隔壁４０２の端部を表示領域の外側へ伸長することにより、隔壁端部４０１を電極取り出し部として使用することができる。メッキ法により形成された隔壁端部４０１は、蒸着金属層より厚く緻密であるため、接続端子部としての強度を有している。
【００２８】
さらに、メッキをいわゆる機能メッキとすることで、さまざまな特性を隔壁に付与することが可能となる。
【００２９】
SiC 、Al₂O₃、ZrO₂、MoSi₂、TiC 、WC、Cr₃O₂などを分散剤とした分散メッキで隔壁を形成すれば、耐磨耗性、耐摩擦性に優れた隔壁が得られるため、基板のブラシ洗浄やマスク蒸着時のマスクによる隔壁の破損と防ぐことができる。Ni-MoS₂、Ni- グラファイト、Ni- フッ化黒鉛、Cu- グラファイト、Cu- フッ化黒鉛などを分散剤とした分散メッキで隔壁を形成すれば、隔壁に自己潤滑性を付与したものが得られるため、有機層蒸着時に余分な有機物が隔壁に付着することを防ぐことができる。Fe、Co、Niおよびその合金を含むメッキで隔壁を形成すれば、隔壁に磁性を付与することができ、表示素子に磁石マーカーなどを付けることができるようになる。
【００３０】
【実施例】
＜実施例１＞
ガラス基板上に電極バスとしてCu、透明電極としてＩＴＯを成膜、パターニングして、複数本の陽極を得た。その上にポジ型レジストMP-S1813（シプレイファーイースト社製）を５μｍ厚で塗布し、フォトリソグラフィ法により電極バス、透明電極に重ならないよう破線状にレジストを除去した。
【００３１】
無電解メッキの前処理として、クロム酸−硫酸水溶液に基板を３０秒浸して表面を粗面化した後、塩化錫−塩酸溶液、塩化パラジウム溶液で表面を活性化した。次に、硫酸ニッケル、ホスフィン酸ナトリウム、乳酸、プロピオン酸からなるニッケル無電解メッキ液（９０℃）を用いて、基板上にニッケル層を形成した。粗面化、活性化、無電解メッキは、いずれも基板片面にスプレーして、裏面へ溶液がかからないようした。得られたニッケル層表面に対し、硫酸銅−硫酸溶液中で電解メッキ法により銅を膜厚約１０μｍメッキした。
【００３２】
銅メッキ層上にポジ型レジストMP-S1813を塗布し、フォトリソグラフィ法により図１に示すような隔壁形状にパターニングした。次いで、露出した銅、ニッケルを塩化鉄溶液でエッチングした。エッチング後、超音波を併用しながらレジスト剥離液REMOVER １１１２Ａ（シプレイファーイースト社製）で第１レジスト層、第２レジスト層を除去した。以上の工程により、ニッケル／銅よりなる隔壁を基板上に形成した。テスターで確認したところ、陽極と隔壁は電気的絶縁が保たれていた。
【００３３】
この基板を、酸素プラズマ、アルゴンプラズマで処理した後、有機層としてＴＰＤ（Ｎ, Ｎ'-ジフェニル- Ｎ, Ｎ'-ビス（3-メチルフェニル）- ベンジジン）、Ａｌｑ（トリス（8-キノリノラート）アルミニウム錯体）、陰極層としてアルミニウムを順次蒸着した。テスターで確認したところ、陽極の陰極の電気的絶縁は保たれていた。陽極陰極間に電圧を印加したところ、選択した画素のみが発光した。
【００３４】
＜実施例２＞
実施例１と同様にして、ニッケル／銅メッキ層を得た。この上に、ポジ型レジストMP-1813 を塗布し、フォトリソグラフィ法により図２に示すような隔壁形状にパターニングした。次いで、露出した銅、ニッケルを塩化鉄溶液でエッチングした。エッチング後、超音波を併用しながら、レジスト剥離液REMOVER １１１２Ａで第１レジスト層、第２レジスト層を除去した。以上の工程により、ニッケル／銅よりなる隔壁を基板上に形成した。テスターで確認したところ、陽極と隔壁は電気的絶縁が保たれていた。
【００３５】
この基板を、酸素プラズマ、アルゴンプラズマで処理した後、有機層としてＴＰＤ（Ｎ, Ｎ'-ジフェニル- Ｎ, Ｎ'-ビス（3-メチルフェニル）- ベンジジン）、Ａｌｑ（トリス（8-キノリノラート）アルミニウム錯体）、陰極層としてアルミニウムを順次蒸着した。テスターで確認したところ、陽極の陰極の電気的絶縁は保たれていた。また、陰極と隔壁は、１本づつ対になって電気的に接続されており、陰極／隔壁の対同士の電気的絶縁は保たれていた。陽極陰極間に電圧を印加したところ、選択した画素のみが発光した。
【００３６】
【発明の効果】
本発明により、有機層、陰極層を蒸着時に分離することが可能になる上、有機層と接触する電極表面、隔壁、基板から有機物や水分を完全に除去する処理ができるようになる。そのために、有機物汚染による発光不良、水分による発光不良領域の拡大を未然に防ぐことができ、長寿命の有機ＥＬ表示素子を得ることができる。さらに、隔壁を電極バスとすることで配線抵抗を低減できるので、駆動回路の負担が軽減する上、印加信号の鈍りをなくし、走査できる電極の本数が増やせるようになる。さらに、隔壁を表示部外へ伸ばして電極引き出し部とすることで、引き出し部の損傷を防ぎ、より確実な電気的接続を得ることができる。さらに、隔壁を機能メッキ膜とすることで、蒸着マスクによる隔壁の破損を防いだり、余分な有機物付着を防いだり、画面に磁石を貼り付けたりできるようになる。
【００３７】
また、メッキ法を使用するために、工程ほぼすべてを湿式プロセスで構成できるため、多大な設備投資は要らず、バッチ式で大量に生産できるため、生産コストを低減させることが容易である。
【００３８】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による隔壁形状の説明図である。
【図２】本発明による電極バスを兼ねる隔壁形状の説明図である。
【図３】本発明による表示素子用基板の作製方法の説明図である。
【図４】本発明による表示素子用基板の作製方法の説明図である。
【図５】本発明による電極引き出し部の説明図である。
【符号の説明】
１０１…透明電極
１０２…電極バス
１０３…隔壁
１０４…隔壁１０３と基板が接する領域部分
２０１…透明電極
２０２…電極バス
２０３…隔壁
２０４…隔壁２０３と基板が接する領域部分
３０１…透明電極
３０２…電極バス
３０３…第１レジスト層
３０４…金属膜
３０５…第２レジスト層
３０６…隔壁と基板が接する領域
４０１…電極取り出し部として使用する隔壁端部
４０２…隔壁[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an organic electroluminescence display element substrate and a display element for displaying information for industrial use and consumer use.
[0002]
[Prior art]
Organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) display elements that are thin and lightweight, have a high viewing angle, high-speed response, and self-luminous type are attracting attention as alternatives to CRT (Cathod Ray Tube) and LCD (Liquid Crystal Display). Yes. The organic EL is a laminate of an anode layer, an organic layer, and a cathode layer, and holes and electrons injected from the anode and the cathode recombine in the organic layer to emit fluorescence.
[0003]
A metal oxide is used for the anode and a metal is used for the cathode so that holes and electrons are injected into the organic layer. At this time, in order to extract the fluorescence to the outside, ITO (Indium Tin Oxide) is generally used for the anode layer as a material that transmits visible light.
[0004]
The organic layer may be composed of a plurality of layers such as a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer so as to sandwich a light emitting layer that emits fluorescence by recombination of holes and electrons. . The organic materials used here are generally inferior in heat resistance, solvent resistance, water resistance, and acid / alkali resistance, and high purity of the material is necessary to maintain the electrical characteristics of the device. Adopts sputtering or vapor deposition.
[0005]
In the organic EL display element, first, ITO as an anode layer is provided on a substrate, and an organic layer and a cathode layer are sequentially laminated thereon. In order for the organic EL display element to display various information, it must have a matrix electrode structure in which a plurality of anodes and a plurality of cathodes are arranged orthogonally. Therefore, it is necessary to form a plurality of cathodes orthogonal to the anode. However, due to various problems of the durability of the organic layer materials described above, a photolithography process using a solvent or an acid-alkaline aqueous solution is adopted for the cathode formation method. I can't. For the formation of the cathode, it is conceivable to apply a mask vapor deposition method using a metal mask. However, when this method is applied to increase in size and definition, the metal mask pattern becomes a thin line with a width of about several tens of μm, and tension is applied so that the metal mask does not sag. It becomes a cathode formation defect. Since a metal mask having a fine and highly accurate pattern is expensive, an increase in manufacturing cost is unavoidable if the metal mask is replaced before elongating deformation.
[0006]
As techniques for solving this problem, US Pat. No. 5,294,870 and JP-A-8-315981 are disclosed. In these techniques, an electrically insulating partition is provided so as to be orthogonal to the transparent electrode, whereby the cathode material is separated during vapor deposition. Although these techniques are very good, they have problems.
[0007]
The insulating partition provided on the transparent electrode by these techniques is an organic substance that can be patterned, for example, a photoresist. When the photoresist is left as a pattern on the substrate, a heat treatment called post-baking is performed to promote the curing of the resin component. Although post-baking causes thermal cross-linking of organic molecules and the shape is fixed, the reaction site in the molecule remains unreacted without moving much because of the reaction in the solid phase, so the reaction rate reaches 100% Absent. Such unreacted substances have a possibility of scattering from the partition walls during the vacuum process when forming the organic layer and the cathode layer and causing contamination.
[0008]
The photoresist contains additives such as a photoinitiator and a sensitizer in order to cause a reaction with ultraviolet light. In general, these have a smaller molecular weight than the resist resin, and have the possibility of causing sublimation during the vacuum process described above to cause contamination.
[0009]
In the organic EL display element, the contact between the electrode and the organic layer has a great influence on the injection of electric charge, so that the electrode surface is preferably as clean as possible. In order to clean the electrode surface at the molecular level, plasma ashing or UV cleaning is more effective than cleaning using an acid alkali or a surfactant. However, in these treatments, the partition wall itself made of an organic material is also damaged greatly. Specifically, the partition wall shape is broken, and contamination due to decomposition components is caused.
[0010]
In addition, the partition wall made of an organic substance is likely to contain moisture, residual solvent, and various gas components therein, and so-called outgas, which is released from the partition wall when used for a long time or under high temperature, becomes a problem. In particular, it is known that moisture causes the organic EL display element to deteriorate and expand.
[0011]
Further, when the amount of display information of the organic EL display element increases and the number of electrodes to be scanned increases, the voltage application time per electrode is shortened, so that the influence of the electrical resistance of the electrode wiring that affects the rise of the voltage is large. It becomes. Although the thickness of the metal layer deposited as an electrode is usually several thousand mm, increasing the thickness by vapor deposition for the purpose of lowering the electric resistance lowers the throughput of the process.
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made in view of the above problems, and has a partition wall that can withstand the processing necessary for cleaning the electrode surface, avoids contamination during the vacuum process, and further has a cathode electrode with low electrical resistance. The organic EL display element which has is provided.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
The above-described problems are caused by employing an organic material as the partition wall material. Therefore, the present invention was created because the partition wall is formed of an inorganic material and a metal that can be easily processed and can utilize physical properties such as electrical resistance.
[0014]
Claim 1 is an organic electroluminescence device in which an anode comprising a plurality of transparent or semi-transparent conductive films and a low electric resistance metal wire connecting the conductive films is formed on the surface of a transparent substrate or a semi-transparent substrate. In the display element substrate, a partition made of a plurality of conductive inorganic substances is provided on the substrate so as to be orthogonal to the direction of the metal line and not electrically connected to the anode, and the metal of the partition the cross section in the linear direction, wherein the metal line part of the anode is substantially T-shaped having eaves shape on both sides, and characterized in that otherwise a shape having eaves wall and upper wall only on one side This is a group for organic electroluminescence display elements.
A second aspect of the organic electroluminescence display element substrate according to the first aspect of the present invention is the organic electroluminescence display element substrate according to the first aspect, wherein the partition wall extends outside the display region and is used as an electrode lead portion.
A third aspect of the present invention is an organic electroluminescent display element in which at least an organic layer and a cathode layer are sequentially laminated on the organic electroluminescent display element substrate according to the first or second aspect.
According to a fourth aspect of the present invention, at least an organic layer and a cathode layer are sequentially laminated on the organic electroluminescence display element substrate according to any one of the first to third aspects, and the barrier rib and the cathode are disposed on one side of the barrier rib. An organic electroluminescence display element characterized by being electrically connected.
A fifth aspect of the present invention is the method for manufacturing an organic electroluminescent display element substrate according to the first aspect, wherein the partition is formed by etching a metal film produced by an electroless plating method. Is a method for producing an organic electroluminescence display element substrate.
A sixth aspect of the present invention is the method for manufacturing an organic electroluminescence display element substrate according to the first aspect, wherein the partition wall is formed by etching a metal film produced by a combination of an electroless plating method and an electrolytic plating method. It is a manufacturing method of the organic electroluminescent display element substrate characterized by the above-mentioned.
A seventh aspect of the present invention is the method for manufacturing an organic electroluminescence display element substrate according to the first aspect, wherein the partition wall is formed by etching a metal film produced by a vacuum film forming method and an electrolytic plating method. It is a manufacturing method of the organic electroluminescent display element substrate characterized by the above-mentioned.
Claim 8 is the method of manufacturing a substrate for an organic electroluminescence display element according to claim 6 or 7 , wherein the plating film produced by the electrolytic plating method is a functional plating film containing an inorganic compound as a dispersant. It is the manufacturing method of the organic electroluminescent display element substrate characterized.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic view of a substrate before organic layer deposition of an organic EL display device according to the present invention. 1A is a view seen from the substrate surface, FIG. 1B is a cross section taken along one-dotted lines 1A and 1B, and FIG. 1C is an overhead view of a partition wall portion.
[0016]
The transparent electrode 101 is patterned into a rectangle so as to correspond to a pixel. As the transparent electrode material, ITO, IZO (Indium Zinc Oxide) or the like can be used. These transparent electrodes 101 are linearly connected by an electrode bus 102 made of a conductive material, for example, a metal having a low electrical resistance such as Al, Cu, or Ag, and function as a plurality of electrodes. These electrodes are used as anodes. Either the transparent electrode 101 or the electrode bus 102 may be provided on the substrate first. Further, as long as electrical connection with the transparent electrode 101 is maintained, an electrically insulating film may be provided on the electrode bus 102. A metal partition 103 is provided between the transparent electrodes 101 so as to be orthogonal to the anode. The partition wall 103 is in contact with the substrate surface only in the region 104. As shown in FIGS. 1B and 1C, the partition wall 103 is separated from the transparent electrode 101 in a planar positional relationship and separated from the electrode bus 102 in a three-dimensional positional relationship. For this reason, the transparent electrode 101 is not electrically connected to the transparent electrode 101 and the electrode bus 102. Note that an electrical insulating film may be provided over the electrode bus 102 to disconnect the electrical connection between the partition wall 103 and the anode. The partition wall 103 has an eaves shape on the side away from the substrate. This eaves separates the deposited cathode material.
[0017]
3 and 4 are explanatory diagrams of the manufacturing method of the present invention. As shown in FIG. 3A, an anode including a transparent electrode 301 and an electrode bus 302 is formed on a substrate. As a substrate material, plastics can be used in addition to various glasses. Further, a color filter, a light diffusion film, or an antireflection film may be provided as a base of the transparent electrode. Photolithography can be applied to the formation of the transparent electrode 301 and the electrode 302, and both wet and dry processes can be used for each etching. As shown in FIG. 3B, a resist is applied to the substrate on which the anode is formed, and the resist in a region 306 where the partition wall and the substrate are in contact is removed by a photolithography method, whereby a first resist layer 303 is obtained. The thickness of the first resist layer 303 is the height of the eaves of the partition wall, and the value is preferably 0.5 μm to 10 μm. If it is thinner than this, there is a high possibility that the eaves will be connected to the substrate due to the thickness of the organic layer and cathode layer that will be deposited later. There is a high possibility that the separation will be incomplete. Any positive or negative photoresist material can be used.
[0018]
As shown in FIG. 3C, a metal film 304 is formed on the surfaces of the first resist layer 303 and the region 306 by electroless plating. It is more preferable that the surface of the region 306 is degreased and roughened by an acidic solution or plasma treatment before electroless plating because adhesion between the plating film and the substrate is improved. Further, it is preferable that the electroless plating solution is applied only by spraying or nozzles on the first resist layer 303 side. This is to avoid excessive plating on the back surface. As a metal material for electroless plating, Ni, Cu, Ag, Au, Pt, Pd, Co, Sn and alloys containing them can be used. In many cases, since the resist is dissolved in a strong alkaline solution, the electroless plating solution is neutral to weakly alkaline, desirably acidic. The thickness of the metal film 304 may be a value that can secure a strength sufficient to maintain the shape of the partition wall, and may be several μm or more although it depends on the metal material. In order to obtain a thick film by electroless plating, the processing time may be long. In that case, the processing time can be shortened by performing electroplating on the electroless plating film. In this case, Cr and Zn can be used in addition to the aforementioned metals. The metal film 304 may be formed using a sputtering method or a vapor deposition method instead of the electroless plating method. In this case, since it is difficult to increase the film thickness, it is preferable to apply the electroplating method after forming a certain film thickness.
[0019]
Next, as shown in FIG. 4D, a resist is applied on the metal film 304, and only the partition wall portion 305 is left by a photolithography method (second resist layer). The second resist layer may have any thickness as long as it can be etched. The width of the second resist layer 305 is the width of the substantially T-shaped head of the partition wall. This width is about 10 μm, preferably about 5 μm wider than the width of the region 306 where the partition wall and the substrate are in contact with each other. Subsequently, as shown in FIG. 4E, when the metal film 304 is etched, a portion protected by the resist 305 remains. Finally, as shown in FIG. 4F, the first resist layer 303 and the second resist layer 305 are removed. Solvent cleaning, alkali cleaning, UV cleaning, and plasma cleaning can be used as the removal method. Acid cleaning that corrodes the partition walls and electrodes is not applicable. Through the above steps, an organic EL display element substrate having conductive partition walls according to the present invention is obtained.
[0020]
In order to obtain molecular level cleanliness of the anode surface, plasma ashing, UV ashing, and high temperature heat treatment can be applied to the substrate as pre-deposition treatment. These treatments can be performed under conditions that cannot be withstood by organic substances because all the substances formed on the substrate are inorganic substances. Therefore, unnecessary organic substances and moisture remaining on the electrode surface can be completely removed.
[0021]
Then, an organic layer and a cathode layer are vapor-deposited, an element part is sealed, and an organic EL display element is obtained.
[0022]
The organic layer is a single layer or a plurality of layers. In the case of a plurality of layers, in addition to a light emitting layer that emits fluorescence, the organic layer includes a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, and the like. Some organic substances have multiple functions, for example, light emission, hole transport, and the like. The following materials can be used for the organic layer.
[0023]
Examples of the light emitting layer include fluorescent brighteners such as benzothiazole, benzimidazole, and benzoxazole, styrylbenzene compounds, 12-phthaloperinone, 1,4-diphenyl-1,3-butadiene, 1,1,4. , 4-tetraphenyl-1,3-butadiene, naphthalimide derivatives, perylene derivatives, oxadiazole derivatives, pyrazirine derivatives, cyclopentadiene derivatives, pyrrolopyrrole derivatives, styrylamine derivatives, coumarin compounds, 9,10-diarylanthracene derivatives , Salicylate, pyrene, coronene, perylene, rubrene, tetraphenylbutadiene, 9,10-bis (phenylethynyl) anthracene, 8-quinolinolatolithium, tris (8-quinolinolato) aluminum complex (hereinafter abbreviated as Alq), N , N'-Diphenyl- N, N'-bis (3-methylphenyl) -benzidine (hereinafter abbreviated as TPD), tris (5,7-dichloro, 8-quinolinolato) aluminum complex, tris (5-chloro-8-quinolinolato) aluminum complex, bis (8-quinolinolato) zinc complex, tris (5-fluoro-8-quinolinolato) aluminum complex, tris (4-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum complex, tris (4-methyl-5-cyano- 8-quinolinolato) aluminum complex, bis [8- (palatosyl) aminoquinoline] zinc complex and cadmium complex, 1,2,3,4-tetraphenylcyclopentadiene, pentaphenylcyclopentadiene, poly-2,5-diheptyloxy -P-phenylene vinylene, or mentioned in JP-A-4-31488, US Pat. Nos. 5,141,671 and 4,769,292. Fluorescent materials, N, N′diaryl-substituted pyrrolopyrrole compounds, and the like can be used.
[0024]
Examples of the hole injection layer include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, Fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, polysilanes, aniline copolymers, conductive polymer oligomers, porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds can be used. .
[0025]
Examples of electron injection layers include nitro-substituted fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as naphthaleneperylene, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthrone derivatives , Oxadiazole derivatives and the like can be used.
[0026]
As the cathode layer material, MgAg, AlLi, CuLi or the like can be used in addition to aluminum.
In addition, the substance which can be used for this invention is not specifically limited to the said example, The substance which has further luminous performance can be selected.
[0027]
When the patterning shape of the second resist layer 305 is changed, a partition wall 203 having a shape as shown in FIG. 2 can be obtained. In the partition wall 203 as shown in FIG. 2B, the partition wall section is substantially T-shaped only on the anode electrode bus 202, and the other section is approximately L-shaped. When vapor deposition is performed, as shown in FIGS. 2A and 2C, the cathode layer and the partition wall 203 are electrically connected to one side of the partition wall. In this case, it is preferable to use Cu, Au, Ag, Al or the like having a low electrical resistance as the partition wall material. Since the thickness of the partition wall 203 formed by plating is much thicker than that of the cathode layer, the electric resistance is lowered, and the partition wall 203 itself can function as an electrode bus. Further, as shown in FIG. 5, by extending the end portion of the partition wall 402 to the outside of the display area, the partition wall end portion 401 can be used as an electrode extraction portion. Since the partition wall end 401 formed by the plating method is thicker and denser than the vapor-deposited metal layer, it has strength as a connection terminal portion.
[0028]
Furthermore, various characteristics can be imparted to the partition walls by so-called functional plating.
[0029]
If partition walls are formed by dispersion plating using SiC, Al ₂ O ₃ , ZrO ₂ , MoSi ₂ , TiC, WC, Cr ₃ O _2, etc. as a dispersant, partitions with excellent wear resistance and friction resistance can be obtained. Therefore, it is possible to prevent the partition wall from being damaged by the mask during the brush cleaning of the substrate or the mask deposition. If partition walls are formed by dispersion plating using Ni-MoS ₂ , Ni-graphite, Ni-fluorinated graphite, Cu-graphite, Cu-fluorinated graphite, etc. as a dispersant, a product with self-lubricating properties can be obtained. Therefore, it is possible to prevent extra organic matter from adhering to the partition during the organic layer deposition. If the partition walls are formed by plating containing Fe, Co, Ni and an alloy thereof, magnetism can be imparted to the partition walls, and a magnet marker or the like can be attached to the display element.
[0030]
【Example】
<Example 1>
Cu as an electrode bath and ITO as a transparent electrode were formed on a glass substrate and patterned to obtain a plurality of anodes. On top of that, a positive resist MP-S1813 (manufactured by Shipley Far East Co., Ltd.) was applied in a thickness of 5 μm, and the resist was removed in a broken line shape so as not to overlap the electrode bath and the transparent electrode by photolithography.
[0031]
As a pretreatment for electroless plating, the substrate was immersed in a chromic acid-sulfuric acid aqueous solution for 30 seconds to roughen the surface, and then the surface was activated with a tin chloride-hydrochloric acid solution and a palladium chloride solution. Next, a nickel layer was formed on the substrate using a nickel electroless plating solution (90 ° C.) made of nickel sulfate, sodium phosphinate, lactic acid, and propionic acid. Roughening, activation, and electroless plating were all sprayed on one side of the substrate so that no solution was applied to the back side. The obtained nickel layer surface was plated with copper in a thickness of about 10 μm by electrolytic plating in a copper sulfate-sulfuric acid solution.
[0032]
A positive resist MP-S1813 was applied on the copper plating layer and patterned into a partition shape as shown in FIG. 1 by photolithography. Next, the exposed copper and nickel were etched with an iron chloride solution. After the etching, the first resist layer and the second resist layer were removed with a resist remover REMOVER 1112A (manufactured by Shipley Far East Co., Ltd.) while using ultrasonic waves. Through the above steps, a partition wall made of nickel / copper was formed on the substrate. As confirmed by a tester, the anode and the partition were kept electrically insulated.
[0033]
This substrate was treated with oxygen plasma and argon plasma, and then TPD (N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -benzidine), Alq (tris (8-quinolinolato)) was formed as an organic layer. Aluminum complex) and aluminum were sequentially deposited as a cathode layer. When confirmed by a tester, the electrical insulation of the cathode of the anode was maintained. When a voltage was applied between the anode and cathode, only the selected pixel emitted light.
[0034]
<Example 2>
In the same manner as in Example 1, a nickel / copper plating layer was obtained. On top of this, a positive resist MP-1813 was applied and patterned into a partition shape as shown in FIG. 2 by photolithography. Next, the exposed copper and nickel were etched with an iron chloride solution. After the etching, the first resist layer and the second resist layer were removed with a resist remover REMOVER 1112A while using ultrasonic waves. Through the above steps, a partition wall made of nickel / copper was formed on the substrate. As confirmed by a tester, the anode and the partition were kept electrically insulated.
[0035]
This substrate was treated with oxygen plasma and argon plasma, and then TPD (N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -benzidine), Alq (tris (8-quinolinolato)) was formed as an organic layer. Aluminum complex) and aluminum were sequentially deposited as a cathode layer. When confirmed by a tester, the electrical insulation of the cathode of the anode was maintained. Moreover, the cathode and the partition were electrically connected in pairs, and the electrical insulation between the cathode / partition pair was maintained. When a voltage was applied between the anode and cathode, only the selected pixel emitted light.
[0036]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to separate the organic layer and the cathode layer at the time of vapor deposition, and it is possible to completely remove organic substances and moisture from the electrode surface, the partition wall, and the substrate that are in contact with the organic layer. Therefore, it is possible to prevent the light emission failure due to organic contamination and the expansion of the light emission failure region due to moisture, and a long-life organic EL display element can be obtained. Furthermore, since the wiring resistance can be reduced by using the partition wall as an electrode bus, the burden on the driving circuit is reduced, and the applied signal is not dulled, and the number of electrodes that can be scanned can be increased. Further, by extending the partition wall to the outside of the display portion to form the electrode lead portion, damage to the lead portion can be prevented and more reliable electrical connection can be obtained. Furthermore, by using the functional plating film for the partition walls, it is possible to prevent the partition walls from being damaged by the vapor deposition mask, to prevent excessive organic matter from attaching, and to attach a magnet to the screen.
[0037]
In addition, since the plating method is used, almost all the steps can be constituted by a wet process, so that a large capital investment is not required and a large amount can be produced in a batch type, so that the production cost can be easily reduced.
[0038]
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory diagram of a partition shape according to the present invention.
FIG. 2 is an explanatory diagram of a partition shape also serving as an electrode bus according to the present invention.
FIG. 3 is an explanatory diagram of a method for manufacturing a display element substrate according to the present invention.
FIG. 4 is an explanatory diagram of a method for manufacturing a display element substrate according to the present invention.
FIG. 5 is an explanatory diagram of an electrode lead portion according to the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 ... Transparent electrode 102 ... Electrode bus 103 ... Partition 104 ... Area | region part 201 where the partition 103 and a board | substrate contact | connect ... Transparent electrode 202 ... Electrode bus 203 ... Partition 204 ... Area | region part 301 where the partition 203 and board | substrate contact | connect ... Transparent electrode 302 ... Electrode bus 303: First resist layer 304: Metal film 305: Second resist layer 306: Area 401 where the partition wall and the substrate are in contact 401: Partition end part 402 used as an electrode extraction part ... Partition wall

Claims

In an organic electroluminescence display element substrate in which an anode comprising a plurality of transparent or semitransparent conductive films and a low electric resistance metal wire connecting between the conductive films is formed on a transparent substrate or a semitransparent substrate surface A partition made of a plurality of conductive inorganic materials is provided on the substrate so as to be orthogonal to the direction of the metal line and not electrically connected to the anode, and a cross section of the partition in the metal line direction However , the portion of the anode on the metal wire is substantially T-shaped having eaves on both sides , and the other is a shape having eaves on the wall surface and the upper portion of the wall surface on only one side. Display element base.

2. The organic electroluminescence display element substrate according to claim 1, wherein the partition wall extends outside the display area and is used as an electrode lead-out portion.

An organic electroluminescence display element, wherein at least an organic layer and a cathode layer are sequentially laminated on the organic electroluminescence display element substrate according to claim 1.

The organic electroluminescence display element substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein at least an organic layer and a cathode layer are sequentially laminated, and the partition and the cathode are electrically connected to one side of the partition. An organic electroluminescence display element.

2. The method of manufacturing a substrate for an organic electroluminescence display element according to claim 1, wherein the partition wall is formed by etching a metal film produced by an electroless plating method. Manufacturing method of luminescence display element substrate.

It is a manufacturing method of the board | substrate for organic electroluminescent display elements of Claim 1, Comprising: The said partition is formed by etching the metal film produced by combined use of the electroless plating method and the electrolytic plating method. A method for producing an organic electroluminescence display element substrate.

It is a manufacturing method of the board | substrate for organic electroluminescent display elements of Claim 1, Comprising: The said partition is formed by etching the metal film produced by the vacuum film-forming method and the electroplating method. A method for producing a characteristic organic electroluminescence display element substrate.

8. The method for manufacturing an organic electroluminescent display element substrate according to claim 6 or 7 , wherein the plating film produced by the electrolytic plating method is a functional plating film containing an inorganic compound as a dispersant. Manufacturing method of luminescence display element substrate.