JP2001237083A - Organic light emission equipment - Google Patents

Organic light emission equipment

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JP2001237083A
JP2001237083A JP2000044436A JP2000044436A JP2001237083A JP 2001237083 A JP2001237083 A JP 2001237083A JP 2000044436 A JP2000044436 A JP 2000044436A JP 2000044436 A JP2000044436 A JP 2000044436A JP 2001237083 A JP2001237083 A JP 2001237083A
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pixel electrode
electrode
inter
pixel
organic light
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Japanese (ja)
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Yoshimasa Fujita
悦昌 藤田
Takashi Ogura
隆 小倉
Noritaka Kawase
徳隆 川瀬
Kimitaka Ohata
公孝 大畑
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent unevenness of light emission of pixels and degradation of a pixel by making a flow of current within a pixel electrode and a flow of a current between a pixel electrode and an inter-pixel electrode smooth. SOLUTION: In an organic light emitting equipment which is comprised of at least one-layer of an organic LED(light emitting diode) layer which is sandwiched between the pixel electrode and the opposite electrode and arranged on a substrate, and the pixel electrodes which are connected by the electrode between pixels, the pixel electrode and the inter-pixel electrode are connected through the connection portion which have a width larger than the width of the inter-pixel electrode.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、有機発光装置に関
し、特に、画素電極どうしの接続が改良された有機発光
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light-emitting device, and more particularly, to an organic light-emitting device with improved connection between pixel electrodes.

【0002】[0002]

【従来の技術】有機発光装置は、画素電極と対向電極に
挟持された、少なくとも1層の有機発光層を含む有機L
ED層を発光画素として基板上に配列したディスプレイ
であり、画素電極と対向電極の間に電圧を印加すること
によって、有機LED層中に含まれる有機発光層からの
発光を得る。有機発光層を構成する有機発光材料は、低
分子から高分子に及ぶ広い範囲のものが選択使用され、
赤色、緑色、青色の発光で寿命1万時間が達成されるに
至っている。また、これらの材料を用いたフルカラー有
機LEDディスプレイも発表されている(S.Miyaguchi
et.al., 9 thInternational Workshop on Inorganic an
d Organic Electroluminescence )。
2. Description of the Related Art An organic light emitting device includes an organic light emitting device including at least one organic light emitting layer sandwiched between a pixel electrode and a counter electrode.
This is a display in which an ED layer is arranged as a light emitting pixel on a substrate, and light is emitted from an organic light emitting layer included in an organic LED layer by applying a voltage between a pixel electrode and a counter electrode. Organic light-emitting materials constituting the organic light-emitting layer, a wide range of low-molecular to high-molecular materials are selectively used,
The lifetime of 10,000 hours has been achieved by emitting red, green and blue light. A full-color organic LED display using these materials has also been announced (S.Miyaguchi
et.al., 9 th International Workshop on Inorganic an
d Organic Electroluminescence).

【0003】一般に、画素電極は、ストライプ状もしく
はデルタ状に配列されている。特にデルタ状の配列をも
つ場合、画素電極は、基板の上に、格子状あるいは入れ
子状に配列され、非発光部となる画素間電極で接続され
ている。この画素間電極は、画素を細密化するために画
素電極の幅より狭い幅で形成されている。
In general, pixel electrodes are arranged in stripes or deltas. In particular, when the pixel electrodes have a delta arrangement, the pixel electrodes are arranged in a lattice or nest on the substrate, and are connected by inter-pixel electrodes serving as non-light emitting portions. The inter-pixel electrode is formed to have a width smaller than the width of the pixel electrode in order to make the pixel finer.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記のような電極構成
を有する有機LEDディスプレイのような有機発光装置
を駆動した場合、図9(a)に示すように、電流Cが画
素間電極8から画素電極2に入るとき、電流Cが画素の
端まで十分に広がらず、画素の隅部での発光が中心部に
比べて弱くなる(101の部分)。また、図9(b)に
示すように、画素電極2から画素間電極8に電流が入る
とき、画素電極2と画素間電極8の接点近傍(図中10
2の部分)で電界集中が生じ、発光が局部的に強くなっ
たり素子の劣化を引き起こすといった問題が生じる。
When an organic light-emitting device such as an organic LED display having the above-described electrode configuration is driven, a current C flows from the inter-pixel electrode 8 to the pixel as shown in FIG. When entering the electrode 2, the current C does not sufficiently spread to the edge of the pixel, and the light emission at the corner of the pixel is weaker than that at the center (portion 101). Further, as shown in FIG. 9B, when a current flows from the pixel electrode 2 to the inter-pixel electrode 8, the vicinity of the contact point between the pixel electrode 2 and the inter-pixel electrode 8 (10 in FIG.
2), there arises a problem that light emission locally increases and the element is deteriorated.

【0005】この発明は、上記の問題点に鑑みてなされ
たものであり、画素電極間での電流の流れを円滑にし
て、画素の発光ムラや素子の劣化を防止することを目的
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to smooth out the flow of current between pixel electrodes to prevent uneven light emission of pixels and deterioration of elements.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この発明によれば、画素
電極と対向電極に挟持された、少なくとも1層の有機発
光層を含む有機LED層が基板上に配列され、画素電極
が画素間電極で接続されてなる有機発光装置であって、
画素電極と画素間電極が、画素間電極の幅より広い接続
部分を介して互いに接続されている有機発光装置が提供
される。
According to the present invention, an organic LED layer including at least one organic light emitting layer sandwiched between a pixel electrode and a counter electrode is arranged on a substrate, and the pixel electrode is an inter-pixel electrode. An organic light emitting device connected by:
An organic light emitting device is provided in which a pixel electrode and an inter-pixel electrode are connected to each other via a connection portion wider than the width of the inter-pixel electrode.

【0007】すなわち、基板の上に格子状あるいは入れ
子状に配列された画素電極どうしを、画素電極の幅より
狭い幅を有する画素間電極で接続する場合に、画素電極
と画素間電極との接続部分を画素間電極の幅より広げる
ことにより、画素電極と画素間電極の間での電流の流
れ、つまり、画素間電極から画素電極への電流の流入お
よび画素電極から画素間電極への電流の流出を円滑にす
ることができる。したがって、画素内での発光ムラある
いは電界集中による素子の劣化が防止される。
That is, when pixel electrodes arranged in a lattice or nest on a substrate are connected by an inter-pixel electrode having a width smaller than the width of the pixel electrode, the connection between the pixel electrodes and the inter-pixel electrodes is reduced. By making the portion wider than the width of the inter-pixel electrode, the current flows between the pixel electrodes, that is, the current flows from the inter-pixel electrode to the pixel electrode and the current flows from the pixel electrode to the inter-pixel electrode. The outflow can be smooth. Therefore, deterioration of the element due to uneven light emission or electric field concentration in the pixel is prevented.

【0008】この発明における接続部分とは、画素電極
と画素間電極とを電気的に接続する接続部分(接点)
〔以下、「接続部分」と称する〕であって、画素間電極
の幅より広い形状を有しかつ導電体で構成される。接続
部分は、画素間電極から扇状に広がって画素電極に接続
されるものが好ましく、画素電極との接続面積(長さ)
が画素間電極との接続面積(長さ)よりも大きいもの、
前記両者の接続面積(長さ)に変化はなくても、画素間
電極から複数の帯状導電体が扇状に広がり画素電極の全
幅にわたって分岐接続されるもの、あるいは両端部近傍
に分岐接続されるものが例示される。
The connection portion in the present invention is a connection portion (contact point) for electrically connecting a pixel electrode and an inter-pixel electrode.
[Hereinafter referred to as a “connection portion”], which has a shape wider than the width of the inter-pixel electrode and is made of a conductor. It is preferable that the connection portion is fan-shaped from the inter-pixel electrode and connected to the pixel electrode, and the connection area (length) with the pixel electrode is preferable.
Is larger than the connection area (length) with the inter-pixel electrode,
A plurality of band-shaped conductors spread in a fan shape from the inter-pixel electrode and are branched and connected over the entire width of the pixel electrode, or are branched and connected near both ends even if the connection area (length) of the two does not change. Is exemplified.

【0009】画素電極は、画素電極の角部が接続部分の
外縁部を臨む入れ子状に配列され、画素電極の角部が接
続部分の外縁部に沿う形状を有することにより、画素電
極と画素間電極の間での電流の流れを円滑にするために
必要な形状および面積を確保するとともに、隣接する画
素電極どうしの絶縁を保持しながら各画素間のピッチを
より細かくして細密なディスプレイを作製することがで
きる。この発明では、画素電極の角部が、角をとられて
なる構成が挙げられる。画素電極の角部の具体的な形態
として、少なくとも1つの直線で角とりがなされたも
の、中心に向かって凹状または凸状をなす曲線で角とり
がなされたものが挙げられる。
The pixel electrodes are arranged in a nested manner such that the corners of the pixel electrode face the outer edge of the connection portion, and the corners of the pixel electrode have a shape along the outer edge of the connection portion. Produces a fine display by securing the shape and area necessary to smooth the flow of current between the electrodes, and making the pitch between each pixel smaller while maintaining insulation between adjacent pixel electrodes. can do. In the present invention, a configuration in which the corners of the pixel electrode are rounded is exemplified. Specific forms of the corners of the pixel electrode include a corner that is chamfered with at least one straight line and a corner that is chamfered with a curve that is concave or convex toward the center.

【0010】この発明では、画素電極と画素間電極との
接続部分が、透明電極のみ、透明電極と金属電極、また
は金属電極のみからなるものが挙げられる。画素電極と
画素間電極が透明電極で形成される場合、画素間電極と
して透明電極上に金属電極を積層することにより、画素
間における配線抵抗を低減することが可能となる。ま
た、画素電極を透明電極で形成し画素間電極を金属電極
で形成することにより、画素間における配線抵抗を低減
することが可能となる。また、画素間電極の端部を金属
電極材料で覆うことにより、画素の隅々まで電流をより
効率的に流すことが可能となる。
In the present invention, the connection portion between the pixel electrode and the inter-pixel electrode may be formed of only a transparent electrode, a transparent electrode and a metal electrode, or only a metal electrode. When the pixel electrode and the inter-pixel electrode are formed of a transparent electrode, by laminating a metal electrode on the transparent electrode as the inter-pixel electrode, it is possible to reduce the wiring resistance between the pixels. Further, by forming the pixel electrode with a transparent electrode and the inter-pixel electrode with a metal electrode, it is possible to reduce wiring resistance between pixels. In addition, by covering the end of the inter-pixel electrode with the metal electrode material, it is possible to more efficiently flow current to every corner of the pixel.

【0011】この発明では、画素電極が略矩形で形成さ
れ、接続部分が画素電極の一辺の中央部、端部または画
素電極の一辺の全幅にわたって形成された形態が例示さ
れる。
In the present invention, an example is shown in which the pixel electrode is formed in a substantially rectangular shape, and the connection portion is formed at the center, the end, or the entire width of one side of the pixel electrode.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、図1から図8を参照して、
この発明の有機発光装置の実施の形態について説明する
が、この発明はこれらの実施の形態によって限定されな
い。図1に、本発明の有機発光装置を形成する有機LE
D素子の基本的な構造を示す。図1において、有機LE
D素子10は、偏向板6、基板1、画素電極2、有機L
ED層3、対向電極4および封止基板5がこの順に積層
されてなり、隔壁7が有機LED層3の周囲を取り囲
み、1つの画素(ピクセル)を形成する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to FIGS.
Embodiments of the organic light emitting device of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these embodiments. FIG. 1 shows an organic LE forming an organic light emitting device of the present invention.
1 shows a basic structure of a D element. In FIG. 1, the organic LE
The D element 10 includes a polarizing plate 6, a substrate 1, a pixel electrode 2, an organic L
The ED layer 3, the counter electrode 4, and the sealing substrate 5 are stacked in this order, and the partition 7 surrounds the periphery of the organic LED layer 3 to form one pixel.

【0013】基板1としては、絶縁性の基板であれば特
に限定されず、例えば、石英基板、ガラス基板などの無
機材料からなる基板、ポリエステル、ポリメタクリレー
ト、ポリカーボネート、ポリサルホンなどのプラスチッ
ク基板などが使用される。
The substrate 1 is not particularly limited as long as it is an insulating substrate. For example, a substrate made of an inorganic material such as a quartz substrate or a glass substrate, or a plastic substrate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, or polysulfone is used. Is done.

【0014】画素電極2および対向電極4は、陽陰両極
を形成する電極対であり、複数の有機LED素子10か
らなるディスプレイを形成したとき、基板1および画素
電極2が透明である場合は、有機LED層3からの発光
が基板1側から出射されるので、発光効率を高めるため
には、対向電極4が反射電極であること、あるいは対向
電極4の有機LED層3と隣接しない側に反射膜を有す
ることが好ましい。逆に、対向電極4を透明材料で構成
して、有機LED層3からの発光を対向電極4側から出
射させることもできる。この場合には、画素電極2が反
射電極であること、基板1が反射基板であること、ある
いは画素電極2と基板1との間に反射膜を有することが
好ましい。
The pixel electrode 2 and the counter electrode 4 are an electrode pair forming a positive electrode and a negative electrode. When a display including a plurality of organic LED elements 10 is formed, when the substrate 1 and the pixel electrode 2 are transparent, Since the light emitted from the organic LED layer 3 is emitted from the substrate 1 side, in order to increase the luminous efficiency, the counter electrode 4 is a reflective electrode or the counter electrode 4 is reflected on the side not adjacent to the organic LED layer 3. It is preferred to have a membrane. Conversely, the opposing electrode 4 may be made of a transparent material so that light emitted from the organic LED layer 3 is emitted from the opposing electrode 4 side. In this case, it is preferable that the pixel electrode 2 is a reflective electrode, the substrate 1 is a reflective substrate, or a reflective film is provided between the pixel electrode 2 and the substrate 1.

【0015】透明電極としては、ITO、SnO2 、Z
nOなどの透明電極が使用される。また、反射電極とし
ては、アルミニウム、カルシウムなどの金属、マグネシ
ウム−銀、リチウム−アルミニウムなどの合金、マグネ
シウム/銀などの金属同士の積層膜、フッ化リチウム/
アルミニウムなどの絶縁体と金属との積層膜などが使用
される。画素電極2および対向電極4は、スパッタ、E
B蒸着、抵抗加熱蒸着などにより基板上または有機LE
D層3の上にそれぞれ形成される。
As the transparent electrode, ITO, SnO 2 , Z
A transparent electrode such as nO is used. Examples of the reflective electrode include metals such as aluminum and calcium; alloys such as magnesium-silver and lithium-aluminum; laminated films of metals such as magnesium / silver;
A laminated film of an insulator such as aluminum and a metal is used. The pixel electrode 2 and the counter electrode 4 are formed by sputtering, E
On the substrate or organic LE by B evaporation, resistance heating evaporation, etc.
Each is formed on the D layer 3.

【0016】有機LED層3は、有機発光層の単層構
造、あるいは電荷輸送層(正孔輸送層、電子輸送層)と
有機発光層の多層構造であってもよい。この多層構造と
しては、正孔輸送層/有機発光層、有機発光層/電子輸
送層、正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層が例示され
る。有機発光層は単層、または多層構造であってもよ
い。有機発光層として使用される発光材料としては、有
機LED用の公知の発光材料が使用され、例えば、低分
子発光材料(例えば、芳香族ジメチリデン化合物、オキ
サジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジ
ンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノ
ン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導
体、フルオレノン誘導体などの蛍光性有機材料、アゾメ
チン亜鉛錯体、(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニ
ウム錯体などの蛍光性有機金属化合物など)、高分子発
光材料(例えば、RO−PPP、PPP−NEt3 +、M
EH−PPV、MPS−PPV、CN−PPPなど)、
高分子発光材料の前駆体(例えば、PPV前駆体、PN
V前駆体、PPP前駆体など)が挙げられる。
The organic LED layer 3 may have a single layer structure of an organic light emitting layer or a multilayer structure of a charge transport layer (hole transport layer, electron transport layer) and an organic light emitting layer. Examples of the multilayer structure include a hole transport layer / organic light emitting layer, an organic light emitting layer / electron transport layer, and a hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer. The organic light emitting layer may have a single layer or a multilayer structure. As the light emitting material used as the organic light emitting layer, a known light emitting material for an organic LED is used. For example, a low molecular light emitting material (for example, an aromatic dimethylidene compound, an oxadiazole derivative, a triazole derivative, a thiopyrazine dioxide) is used. Fluorescent organic materials such as derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, diphenoquinone derivatives, and fluorenone derivatives; fluorescent organic metal compounds such as azomethine zinc complex and (8-hydroxyquinolinato) aluminum complex; (For example, RO-PPP, PPP- NEt3 + , M
EH-PPV, MPS-PPV, CN-PPP, etc.),
Precursor of polymer light emitting material (for example, PPV precursor, PN
V precursor, PPP precursor, etc.).

【0017】また、有機発光層は、前記の発光材料のみ
から構成されてもよいし、公知の電荷輸送層(正孔輸送
材料、電子輸送材料)、添加剤(ドナー、アクセプター
など)、または発光性のドーパントが含有されていても
よい。また、これらがポリカーボネート、ポリビニルカ
ルバゾール、ポリアクリレートなどの高分子材料中、あ
るいはSiO2 、MgOなどの無機材料中に分散されて
いてもよい。電荷輸送層は、単層または多層構造であっ
てもよい。電荷輸送層として使用される電荷輸送材料と
しては、有機LED用、有機光導電体用の公知の電荷輸
送材料が使用される。
The organic light-emitting layer may be composed of only the above-mentioned light-emitting material, or may be a known charge-transport layer (hole-transport material, electron-transport material), an additive (donor, acceptor, etc.), or a light-emitting material. May be contained. Further, these may be dispersed in a polymer material such as polycarbonate, polyvinyl carbazole and polyacrylate, or in an inorganic material such as SiO 2 and MgO. The charge transport layer may have a single layer or a multilayer structure. As the charge transport material used as the charge transport layer, known charge transport materials for organic LEDs and organic photoconductors are used.

【0018】そのような電荷輸送材料としては、例え
ば、正孔輸送材料(例えば、無機p型半導体材料、ポリ
フィリン化合物、N,N’−ビス−(3−メチルフェニ
ル)−N,N’−ビス−(フェニル)ベンジジン、N,
N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェ
ニル−ベンジジンなどの芳香族第三級アミン化合物、ヒ
ドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン
化合物などの低分子材料など、PEDOT、Poly−
TPD、PVCzなどの高分子材料など、Pre−PP
V、Pre−PNVなどの高分子材料前駆体など)、電
子輸送材料(例えば、無機n型半導体材料、オキサジア
ゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオ
キシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導
体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フ
ルオレノン誘導体などの低分子材料など)が挙げられ
る。電荷輸送層は、前記の電荷輸送材料のみから構成さ
れてもよいし、任意の添加剤を含有してもよい。また、
電荷輸送材料が前記の高分子材料中または無機材料中に
分散されていてもよい。
Examples of such a charge transport material include a hole transport material (for example, an inorganic p-type semiconductor material, a porphyrin compound, N, N'-bis- (3-methylphenyl) -N, N'-bis -(Phenyl) benzidine, N,
PEDOT, Poly-, such as low molecular weight materials such as aromatic tertiary amine compounds such as N'-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine, hydrazone compounds, quinacridone compounds and styrylamine compounds;
Pre-PP, such as polymer materials such as TPD and PVCz
V, a polymer material precursor such as Pre-PNV), an electron transporting material (eg, an inorganic n-type semiconductor material, an oxadiazole derivative, a triazole derivative, a thiopyrazine dioxide derivative, a benzoquinone derivative, a naphthoquinone derivative, an anthraquinone derivative, Low-molecular-weight materials such as diphenoquinone derivatives and fluorenone derivatives). The charge transport layer may be composed of only the charge transport material described above, or may contain an optional additive. Also,
The charge transport material may be dispersed in the above-mentioned polymer material or inorganic material.

【0019】前記の有機発光層、電荷輸送層は、スピン
コーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法
などの塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法な
どの印刷法、転写法などのウエットプロセス、あるいは
真空蒸着法などのドライプロセスにより成膜することが
できる。
The organic light emitting layer and the charge transporting layer are formed by a coating method such as a spin coating method, a dipping method and a doctor blade method, a printing method such as an ink jet method and a screen printing method, a wet process such as a transfer method, or a vacuum deposition. The film can be formed by a dry process such as a method.

【0020】隔壁7は、フォトリソグラフィにより作製
することができる。この場合、所望の形状を有する隔壁
7のフォトマスクを準備し、レジスト膜を形成した後、
このフォトマスクを用いて露光し、エッチングを行い、
所望の形状の隔壁7を形成することができる。隔壁7
は、少なくとも画素間の一部に形成されていればよく、
隔壁7の構造は、単層構造であってもよいし、薄膜を重
畳してなる多層構造であってもよい。また、ディスプレ
イとしての表示品質を上げるために、ブラックマトリッ
クス用の材料を用いることも好ましい。
The partition 7 can be manufactured by photolithography. In this case, after preparing a photomask of the partition 7 having a desired shape and forming a resist film,
Exposure and etching using this photomask,
The partition 7 having a desired shape can be formed. Partition wall 7
May be formed at least in a part between pixels,
The structure of the partition wall 7 may be a single-layer structure or a multilayer structure in which thin films are overlapped. It is also preferable to use a material for a black matrix in order to improve display quality as a display.

【0021】封止基板5は、対向電極4の損傷あるいは
劣化を防止するため、また水分が素子中に混入するのを
防止するために設けられる。封止基板5としては、樹
脂、ガラス基板などが例示される。対向電極4と封止基
板5との間には、不活性気体あるいは不活性液体などを
注入してもよい。偏向板6は、有機発光層からの発光が
基板1側から出射される場合に、ディスプレイにおける
良好なコントラストを得るために基板1の外側に設けら
れる。偏向板6としては、従来の直線偏向板と波長1/
4λをろ過する偏向板とを組み合わせたものが好まし
い。
The sealing substrate 5 is provided to prevent the counter electrode 4 from being damaged or deteriorated, and to prevent moisture from entering the element. Examples of the sealing substrate 5 include a resin and a glass substrate. An inert gas or an inert liquid may be injected between the counter electrode 4 and the sealing substrate 5. The deflecting plate 6 is provided outside the substrate 1 in order to obtain good contrast in a display when light emitted from the organic light emitting layer is emitted from the substrate 1 side. As the deflecting plate 6, a conventional linear deflecting plate and a wavelength 1 /
A combination with a deflection plate for filtering 4λ is preferable.

【0022】次に、図2の平面図を参照しながら、有機
LED素子10における画素電極2間の接続の形態を説
明する。有機LED素子10では、画素電極2が、画素
間電極8により、隣接する画素電極2と、あるいは電極
端子部分と接続されている。画素電極2と画素間電極8
は、画素間電極8の幅より広くかつ画素電極2の幅より
狭い接続部分9を介して互いに接続されている。
Next, the form of connection between the pixel electrodes 2 in the organic LED element 10 will be described with reference to the plan view of FIG. In the organic LED element 10, the pixel electrode 2 is connected to the adjacent pixel electrode 2 or the electrode terminal portion by the inter-pixel electrode 8. Pixel electrode 2 and inter-pixel electrode 8
Are connected to each other via a connection portion 9 wider than the width of the inter-pixel electrode 8 and smaller than the width of the pixel electrode 2.

【0023】接続部分9は、図2(a)に示すように、
画素電極2と接する画素間電極8の端部を画素電極2に
向かって直線状に拡大したもの91、図2の(b)およ
び(c)に示すように、画素電極2と接する画素間電極
8の端部を画素電極2に向かって曲線状に拡大したもの
92および93、図2の(d)に示すように、画素間電
極8から複数の帯状導電体が扇状に広がり画素電極2の
両端部近傍に分岐接続されるもの94が例示される。
The connecting portion 9 is, as shown in FIG.
The end 91 of the inter-pixel electrode 8 in contact with the pixel electrode 2 is linearly enlarged 91 toward the pixel electrode 2, and as shown in FIGS. 2B and 2C, the inter-pixel electrode 8 in contact with the pixel electrode 2 2, 92 and 93 are enlarged in a curved shape toward the pixel electrode 2. As shown in FIG. 2D, a plurality of band-shaped conductors spread in a fan shape from the inter-pixel electrode 8, and One 94 that is branched and connected near both ends is exemplified.

【0024】このような接続部分9を形成した場合の画
素電極2と画素間電極8の間における電流の流れを、接
続部分91を有する図2(a)に示された形態を例とし
て図3で説明する。幅の狭い画素間電極8から画素電極
2へ流入する電流Cは、画素間電極8から画素電極2に
入るとき、接続部分9があることにより、画素電極2の
端まで広がる。したがって、画素、すなわち、画素電極
2の上に形成される有機LED層3からなる発光部分の
角部における発光が中心部に比べて弱くなることはな
い。また、画素電極2から幅の狭い画素間電極8へ流出
する電流Cは、接続部分9があることにより、画素電極
2と画素間電極8の接点近傍で電界集中を生じることな
く円滑に流れる。したがって、画素内における発光のム
ラや素子の局部的な劣化を防止することができる。
The flow of current between the pixel electrode 2 and the inter-pixel electrode 8 when such a connection portion 9 is formed will be described with reference to FIG. 3A having a connection portion 91 as an example. Will be described. The current C flowing from the narrow inter-pixel electrode 8 to the pixel electrode 2 spreads to the edge of the pixel electrode 2 due to the connection portion 9 when entering the pixel electrode 2 from the inter-pixel electrode 8. Therefore, the light emission at the corner of the pixel, that is, at the corner of the light emitting portion formed of the organic LED layer 3 formed on the pixel electrode 2 does not become weaker than at the center. In addition, the current C flowing from the pixel electrode 2 to the narrow inter-pixel electrode 8 flows smoothly without electric field concentration near the contact point between the pixel electrode 2 and the inter-pixel electrode 8 due to the connection portion 9. Therefore, it is possible to prevent uneven light emission in the pixel and local deterioration of the element.

【0025】図4の平面図を参照しながら、有機LED
素子10における画素電極2の接続の他の形態を説明す
る。図4の(a)〜(e)は、画素電極2と画素間電極
8とが接する端部で幅広く、あるいは90°より大きく
して、電界集中が生じ難くしてある上に、画素電極2の
角部2aが角をとられた形態を示す。図4のうち、
(a)、(b)および(c)は、画素電極2の各角部2
aが、直線で角とりがなされた形態を示し、(d)およ
び(e)は、画素電極2の各角部2aが、中心に向かっ
て凹状または凸状をなす曲線で角とりがなされた形態を
示す。図4の(c)の接続部分9は、画素間電極8の幅
より広くかつ画素電極2と略等しい幅を有する。
Referring to the plan view of FIG.
Another form of connection of the pixel electrode 2 in the element 10 will be described. 4 (a) to 4 (e) show that, at the end where the pixel electrode 2 and the inter-pixel electrode 8 are in contact with each other, the width is wider or larger than 90 ° so that the electric field concentration is hardly generated. Shows a form in which the corner 2a of FIG. In FIG.
(A), (b) and (c) show each corner 2 of the pixel electrode 2.
"a" indicates a form in which the corners are straightened, and (d) and (e) indicate that each corner 2a of the pixel electrode 2 is rounded in a concave or convex shape toward the center. The form is shown. 4C has a width wider than the width of the inter-pixel electrode 8 and substantially equal to the width of the pixel electrode 2.

【0026】図5の(a)、(b)および(c)は、図
4の(a)、(d)および(e)に示した画素電極2を
基板1上へ配列してなる有機LEDディスプレイ20の
実施の形態を示す。図5において、画素電極2は、画素
電極2の角部2aが接続部分9の縁部9aを臨む入れ子
状に配列され、画素電極2の角部2aが接続部分9の縁
部9aに沿う形状を有する。したがって、画素電極2と
画素間電極8との間の電流の流れを円滑にするために必
要な形状および面積を確保するとともに、隣接する画素
電極2どうしの絶縁を保持しながら、各画素間のピッチ
をより細かくして細密なディスプレイを作製することが
できる。
FIGS. 5A, 5B and 5C show an organic LED in which the pixel electrodes 2 shown in FIGS. 4A, 4D and 4E are arranged on a substrate 1. FIG. 1 shows an embodiment of a display 20. In FIG. 5, the pixel electrode 2 has a shape in which the corners 2 a of the pixel electrode 2 are arranged in a nested shape facing the edge 9 a of the connection portion 9, and the corner 2 a of the pixel electrode 2 is along the edge 9 a of the connection portion 9. Having. Therefore, the shape and area necessary for smoothing the current flow between the pixel electrode 2 and the inter-pixel electrode 8 are ensured, and the insulation between the adjacent pixel electrodes 2 is maintained while maintaining the insulation between the adjacent pixel electrodes 2. A finer display can be manufactured by making the pitch finer.

【0027】画素間電極8は、画素電極2と同一の材料
で構成されてもよいし、異なる材料で構成されてもよ
い。また、それぞれが異なる材料の積層構造から構成さ
れてもよい。画素間電極8としては、従来の透明電極あ
るいは金属電極、または両者を積層した電極が挙げられ
る。透明電極を使用する場合は、配線抵抗を下げるため
に透明電極上に金属電極を形成するのが好ましい。画素
間電極8は、スパッタ、EB蒸着、抵抗加熱蒸着などで
形成される。また、画素間電極8として透明電極を有す
る場合は、メッキ法により透明電極上に金属電極を形成
することも可能である。
The inter-pixel electrode 8 may be made of the same material as the pixel electrode 2 or may be made of a different material. Further, each of them may be constituted by a laminated structure of different materials. Examples of the inter-pixel electrode 8 include a conventional transparent electrode, a metal electrode, or an electrode obtained by laminating both. When a transparent electrode is used, it is preferable to form a metal electrode on the transparent electrode to reduce wiring resistance. The inter-pixel electrode 8 is formed by sputtering, EB evaporation, resistance heating evaporation, or the like. When a transparent electrode is provided as the inter-pixel electrode 8, a metal electrode can be formed on the transparent electrode by a plating method.

【0028】画素電極2と画素間電極8を異なる材料で
構成する際、例えば、画素電極2として透明電極を、画
素間電極8として金属電極をそれぞれ用いた場合に、互
いに接続される画素電極2と画素間電極8は、両者が接
する端部を画素間電極8を形成する金属電極と同一の金
属で覆うのが好ましい。
When the pixel electrode 2 and the inter-pixel electrode 8 are made of different materials, for example, when a transparent electrode is used as the pixel electrode 2 and a metal electrode is used as the inter-pixel electrode 8, the pixel electrodes 2 connected to each other are connected. It is preferable that the ends of the and the inter-pixel electrode 8 that are in contact with each other be covered with the same metal as the metal electrode forming the inter-pixel electrode 8.

【0029】図6は、接続部分9と、画素間電極8に画
素電極2よりも導電性の高い導電層を用いたときの実施
の形態と画素電極2における電流Cの流れを示す。 画
素電極2が略矩形で形成される場合、接続部分9は、画
素電極2の一辺の中央部(図6の(a)および(c)参
照)、または画素電極2の一辺の全幅にわたって(図6
の(b)参照)、あるいは画素電極2の角部(図6の
(d)参照)に形成される。
FIG. 6 shows an embodiment in which a conductive layer having higher conductivity than the pixel electrode 2 is used for the connection portion 9 and the inter-pixel electrode 8, and the flow of the current C in the pixel electrode 2. When the pixel electrode 2 is formed in a substantially rectangular shape, the connection portion 9 is formed at the center of one side of the pixel electrode 2 (see (a) and (c) of FIG. 6) or over the entire width of one side of the pixel electrode 2 (see FIG. 6
(B)) or at the corner of the pixel electrode 2 (see (d) in FIG. 6).

【0030】図7は、画素間電極8の配置の形態を示す
縦断面図である。画素間電極8は、画素電極2と基板1
の間(図7(a)参照)、画素電極2と同一平面(図7
(b)および(c)参照)、あるいは画素電極2上(図
7(d)参照)に配置することができる。本発明による
画素電極2および画素間電極8の形成は、基板1上に電
極パターンを形成した後、フォトリソグラフィー法によ
り画素電極2および画素間電極8をエッチングする方
法、あるいはマスク蒸着法により基板1上に直接、画素
電極2および画素間電極8を形成する方法が挙げられ
る。
FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing the configuration of the arrangement of the inter-pixel electrodes 8. The pixel electrode 8 is composed of the pixel electrode 2 and the substrate 1.
7 (see FIG. 7A), the same plane as the pixel electrode 2 (see FIG.
(See (b) and (c)) or on the pixel electrode 2 (see FIG. 7D). The pixel electrode 2 and the inter-pixel electrode 8 according to the present invention may be formed by forming an electrode pattern on the substrate 1 and then etching the pixel electrode 2 and the inter-pixel electrode 8 by photolithography, or by mask evaporation. There is a method of directly forming the pixel electrode 2 and the inter-pixel electrode 8 above.

【0031】図8の平面図に基づいて、有機LEDディ
スプレイを形成するための画素電極2および画素間電極
8の形成方法の実施の形態を説明する。基板1上に画素
電極2および画素間電極8を形成する場合、以下の3つ
の方法が挙げられる。すなわち、図8(a)に示すよう
に、まず画素電極2と画素間電極8を、例えば透明電極
で同時に形成し(左図)、次に画素間電極8上に金属電
極からなる画素間電極8を再度形成する(右図)方法、
図8(b)に示すように、まず画素電極2を形成し(左
図)、次いで画素間電極8を形成する(右図)方法、図
8(c)に示すように、まず画素間電極8を形成し(左
図)、次いで画素電極2を形成する(右図)方法があ
る。
An embodiment of a method for forming the pixel electrode 2 and the inter-pixel electrode 8 for forming an organic LED display will be described with reference to the plan view of FIG. When the pixel electrode 2 and the inter-pixel electrode 8 are formed on the substrate 1, the following three methods can be used. That is, as shown in FIG. 8A, first, the pixel electrode 2 and the inter-pixel electrode 8 are simultaneously formed of, for example, a transparent electrode (left figure), and then the inter-pixel electrode made of a metal electrode is formed on the inter-pixel electrode 8. 8 again (right figure),
As shown in FIG. 8B, first, a pixel electrode 2 is formed (left figure), and then a method of forming an inter-pixel electrode 8 is shown (right figure). As shown in FIG. 8 (left figure) and then the pixel electrode 2 (right figure).

【0032】[0032]

【実施例】以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらの実施例に限定されるものではない。比較例 まず、130nmの膜厚を有するITO付きガラス基板
上に、フォトリソグラフィ法によりパターニングを行
い、図9に示した従来の形状を有するITO透明電極か
らなる画素電極2と画素間電極8を140μmピッチ、
100μm幅で作製した。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples. Comparative Example First, patterning was performed by photolithography on a glass substrate with ITO having a thickness of 130 nm by photolithography, and the pixel electrode 2 and the inter-pixel electrode 8 composed of the ITO transparent electrode having the conventional shape shown in FIG. pitch,
It was manufactured with a width of 100 μm.

【0033】次に、ITO付きガラス基板1を、イソプ
ロピルアルコール、アセトン、純水を順に用いた従来の
ウエットプロセスによる洗浄法と、UVオゾン処理によ
る従来のドライプロセスにより洗浄した。次に、フォト
リソグラフィ法により画素上のみにポジ型レジストを形
成した。次いで、この基板をスルファミン酸ニッケルメ
ッキ液に浸漬し、0.4Aの電流を流し、電解メッキ法
により画素間電極8上のみに0.4μmの膜厚のニッケ
ル層を形成した。次に、前記のポジ型レジストを剥離液
に5分間浸漬し、イソプロピルアルコール、アセトン、
純水を順に用いた従来のウエットプロセスによる洗浄法
とUVオゾン処理による従来のドライプロセスにより洗
浄した。
Next, the glass substrate 1 with ITO was cleaned by a conventional wet process using isopropyl alcohol, acetone and pure water in that order, and a conventional dry process by UV ozone treatment. Next, a positive resist was formed only on the pixels by photolithography. Next, this substrate was immersed in a nickel sulfamate plating solution, a current of 0.4 A was passed, and a nickel layer having a thickness of 0.4 μm was formed only on the inter-pixel electrode 8 by electrolytic plating. Next, the positive resist was immersed in a stripping solution for 5 minutes, and isopropyl alcohol, acetone,
Cleaning was performed by a conventional wet process using pure water in order and a conventional dry process by UV ozone treatment.

【0034】次に、ポジ型レジストをスピンコート法に
より基板上に塗布し、膜厚3μmのレジスト膜を形成し
た。次に、マスクを用いて露光し、レジストの残渣を洗
い流し、ITO電極と平行する方向には240μmピッ
チ、ITO電極と直交する方向には130μmピッチ
で、40μm幅の隔壁を作製した。次に、市販のスピン
コーターにより、3,4−ポリエチレンジオキシチオフ
ェン水溶液を用い、厚さ50nmの正孔注入層を形成し
た。
Next, a positive resist was applied on the substrate by spin coating to form a resist film having a thickness of 3 μm. Next, the resist was exposed using a mask to wash away the resist residue, and a partition having a width of 40 μm was formed at a pitch of 240 μm in a direction parallel to the ITO electrode and at a pitch of 130 μm in a direction perpendicular to the ITO electrode. Next, a hole injection layer having a thickness of 50 nm was formed using a 3,4-polyethylenedioxythiophene aqueous solution using a commercially available spin coater.

【0035】次に、市販のインクジェットプリンターに
より、赤、緑、青色に発光する発光材料をパターニング
塗布し、厚さ50nmの発光層を形成した。ここで、赤
色発光材料としては、シアノポリフェニレンビニレン前
駆体、緑色発光材料としては、ポリフェニレンビニレン
前駆体、青色発光材料として、ポリパラフェニレンを使
用した。ただし、シアノポリフェニレンビニレン前駆体
とポリフェニレンビニレン前駆体については、塗膜を形
成後、Ar雰囲気下で150℃、6時間の加熱処理を行
い、シアノポリフェニレンビニレンとポリフェニレンビ
ニレンにそれぞれ変換した。次に、厚さ0.2μm、幅
210μm、ピッチ240μmのシャドウマスクを用い
て、AlとLiを共蒸着することにより、AiLi合金
電極を対向電極として形成した。最後に、エポキシ樹脂
を用いて有機LED素子の封止を行った。
Next, a luminescent material emitting red, green and blue light was patterned and applied by a commercially available ink jet printer to form a luminescent layer having a thickness of 50 nm. Here, a cyanopolyphenylenevinylene precursor was used as the red light-emitting material, a polyphenylenevinylene precursor was used as the green light-emitting material, and polyparaphenylene was used as the blue light-emitting material. However, the cyanopolyphenylenevinylene precursor and the polyphenylenevinylene precursor were converted into cyanopolyphenylenevinylene and polyphenylenevinylene, respectively, by performing a heat treatment at 150 ° C. for 6 hours in an Ar atmosphere after forming the coating film. Next, using a shadow mask having a thickness of 0.2 μm, a width of 210 μm, and a pitch of 240 μm, Al and Li were co-evaporated to form an AiLi alloy electrode as a counter electrode. Finally, the organic LED element was sealed using an epoxy resin.

【0036】以上のようにして作製された有機LEDデ
ィスプレイに30Vのパルス電圧を印加し、発光特性を
顕微鏡で観察したところ、画素内に発光ムラが確認され
た。
When a pulse voltage of 30 V was applied to the organic LED display manufactured as described above and the light emission characteristics were observed with a microscope, light emission unevenness was confirmed in the pixel.

【0037】実施例1 まず、130nmの膜厚を有するITO付きガラス基板
1上に、フォトリソグラフィ法によりパターニングを行
い、図4(a)に示した本発明による形状を有するIT
O透明電極からなる画素電極2と画素間電極8を140
μmピッチ、100μm幅で作製した。
EXAMPLE 1 First, a glass substrate 1 with ITO having a thickness of 130 nm was patterned by photolithography to form an IT having the shape according to the present invention shown in FIG.
The pixel electrode 2 composed of an O transparent electrode and the inter-pixel electrode 8
It was manufactured with a pitch of 100 μm and a width of 100 μm.

【0038】次に、ITO付きガラス基板1を、イソプ
ロピルアルコール、アセトン、純水を順に用いた従来の
ウエットプロセスによる洗浄法と、UVオゾン処理によ
る従来のドライプロセスにより洗浄した。次に、フォト
リソグラフィ法により画素上のみにポジ型レジストを形
成した。次いで、この基板1をスルファミン酸ニッケル
メッキ液に浸漬し、0.4Aの電流を流し、電解メッキ
法により画素間電極8上のみに0.4μmの膜厚のニッ
ケル層を形成した(図8(c)右図)。次に、前記のポ
ジ型レジストを剥離液に5分間浸漬し、イソプロピルア
ルコール、アセトン、純水を順に用いた従来のウエット
プロセスによる洗浄法とUVオゾン処理による従来のド
ライプロセスにより洗浄した。
Next, the glass substrate 1 with ITO was cleaned by a conventional wet process using isopropyl alcohol, acetone and pure water in that order, and a conventional dry process by UV ozone treatment. Next, a positive resist was formed only on the pixels by photolithography. Next, the substrate 1 was immersed in a nickel sulfamate plating solution, a current of 0.4 A was passed, and a nickel layer having a thickness of 0.4 μm was formed only on the inter-pixel electrode 8 by electrolytic plating (FIG. 8 ( c) Right figure). Next, the positive resist was immersed in a stripping solution for 5 minutes, and washed by a conventional wet process using isopropyl alcohol, acetone, and pure water in that order and a conventional dry process by UV ozone treatment.

【0039】以下は、比較例1と同様にして有機LED
ディスプレイに30Vのパルス電圧を印加し、発光特性
を顕微鏡で観測したところ、すべての画素から、均一な
発光が得られた。
The following is the same procedure as in Comparative Example 1
When a pulse voltage of 30 V was applied to the display and the light emission characteristics were observed with a microscope, uniform light emission was obtained from all the pixels.

【0040】実施例2 画素電極と画素間電極との形状を、図4(d)および図
5(b)とした以外は、実施例1と同様にして、有機L
EDディスプレイ10を作製した。このようにして作製
した有機LEDディスプレイに30Vのパルス電圧を印
加し、発光特性を顕微鏡で観測したところ、すべての画
素から、均一な発光が得られた。
Example 2 An organic LED was formed in the same manner as in Example 1 except that the shapes of the pixel electrode and the inter-pixel electrode were changed to those shown in FIGS. 4 (d) and 5 (b).
An ED display 10 was manufactured. A pulse voltage of 30 V was applied to the organic LED display thus manufactured, and the light emission characteristics were observed with a microscope. As a result, uniform light emission was obtained from all the pixels.

【0041】実施例3 まず、130nmの膜厚を有するITO付きガラス基板
1上に、フォトリソグラフィ法によりパターニングを行
い、図4(a)および図5(a)に示すような本発明に
よる形状を有するITO透明電極からなる画素電極2と
画素間電極8を140μmピッチ、100μm幅で作製
した。次に、ITO付きガラス基板1を、イソプロピル
アルコール、アセトン、純水を順に用いた従来のウエッ
トプロセスによる洗浄法と、UVオゾン処理による従来
のドライプロセスにより洗浄した。
Example 3 First, a glass substrate with ITO having a thickness of 130 nm was patterned by photolithography to form a shape according to the present invention as shown in FIGS. 4 (a) and 5 (a). The pixel electrodes 2 composed of ITO transparent electrodes and the inter-pixel electrodes 8 were formed at a pitch of 140 μm and a width of 100 μm. Next, the glass substrate 1 with ITO was cleaned by a conventional wet process using isopropyl alcohol, acetone, and pure water in that order, and a conventional dry process by UV ozone treatment.

【0042】次に、画素間にマスク蒸着によりアルミニ
ウムからなる画素間電極8を形成した。次に、ITO付
きガラス基板1を、イソプロピルアルコール、アセト
ン、純水を順に用いた従来のウエットプロセスによる洗
浄法と、UVオゾン処理による従来のドライプロセスに
より洗浄した。以下は、比較例1と同様にして有機LE
Dディスプレイを形成した。
Next, an inter-pixel electrode 8 made of aluminum was formed between the pixels by mask evaporation. Next, the glass substrate 1 with ITO was cleaned by a conventional wet process using isopropyl alcohol, acetone, and pure water in that order, and a conventional dry process by UV ozone treatment. The following is the same as in Comparative Example 1 except that the organic LE
A D display was formed.

【0043】以上のようにして作製した有機LEDディ
スプレイに30Vのパルス電圧を印加し、発光特性を顕
微鏡で観察したところ、すべての画素から、均一な発光
が得られた。
When a pulse voltage of 30 V was applied to the organic LED display manufactured as described above, and the light emission characteristics were observed with a microscope, uniform light emission was obtained from all the pixels.

【0044】[0044]

【発明の効果】この発明では、基板の上に格子状あるい
は入れ子状に配列された画素電極どうしを、画素電極の
幅より狭い幅を有する画素間電極で接続する場合に、画
素電極と画素間電極の接続部分を画素間電極の幅より広
げることにより、画素電極と画素間電極の間での電流の
流れを円滑にすることができる。したがって、画素内で
の発光ムラあるいは電界集中による素子の劣化が防止さ
れる。
According to the present invention, when pixel electrodes arranged in a lattice or nest on a substrate are connected by an inter-pixel electrode having a width smaller than the width of the pixel electrode, the pixel electrode and the pixel By making the connection portion of the electrode wider than the width of the inter-pixel electrode, the flow of current between the pixel electrode and the inter-pixel electrode can be made smooth. Therefore, deterioration of the element due to uneven light emission or electric field concentration in the pixel is prevented.

【0045】画素電極は、画素電極の角部が接続部分の
縁部を臨む入れ子状に配列され、画素電極の角部が接続
部分の縁部に沿う形状を有することにより、画素電極と
画素間電極の間での電流の流れを円滑にするために必要
な形状および面積を確保するとともに、隣接する画素電
極どうしの絶縁を保持しながら各画素間のピッチをより
細かくして細密なディスプレイを作製することができ
る。
The pixel electrodes are arranged in a nested manner such that the corners of the pixel electrodes face the edges of the connection portions, and the corners of the pixel electrodes have a shape along the edges of the connection portions, so that the pixel electrodes and the pixels are separated. Produces a fine display by securing the shape and area necessary to smooth the flow of current between the electrodes, and making the pitch between each pixel smaller while maintaining insulation between adjacent pixel electrodes. can do.

【0046】画素電極の角部が角をとられておれば、画
素の隅部における発光の低下を抑えることができる。
If the corners of the pixel electrode are rounded, it is possible to suppress a decrease in light emission at the corners of the pixel.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明による有機LED素子を説明する縦断
面図。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view illustrating an organic LED element according to the present invention.

【図2】この発明の有機LED素子の画素電極と画素間
電極との接続の形態を説明する平面図。
FIG. 2 is a plan view illustrating a form of connection between a pixel electrode and an inter-pixel electrode of the organic LED element of the present invention.

【図3】図2(a)の画素電極と画素間電極との間の電
流の流れを説明する平面図。
FIG. 3 is a plan view illustrating the flow of current between a pixel electrode and an inter-pixel electrode in FIG.

【図4】この発明の有機LED素子の画素電極と画素間
電極との接続の他の形態を説明する平面図。
FIG. 4 is a plan view illustrating another embodiment of the connection between the pixel electrode and the inter-pixel electrode of the organic LED element of the present invention.

【図5】図4(a)、(d)および(e)に示した画素
電極の基板上への配列の形態を説明する平面図。
FIG. 5 is a plan view illustrating a form of arrangement of the pixel electrodes shown in FIGS. 4A, 4D and 4E on a substrate.

【図6】画素電極と画素間電極との接続部分の形態およ
び画素電極における電流の流れを説明する平面図。
FIG. 6 is a plan view illustrating a form of a connection portion between a pixel electrode and an inter-pixel electrode and a flow of current in the pixel electrode.

【図7】画素電極と画素間電極との配置の形態を示す縦
断面図。
FIG. 7 is a vertical cross-sectional view showing an arrangement of pixel electrodes and inter-pixel electrodes.

【図8】有機LEDディスプレイを形成するための画素
電極および画素間電極の形成方法を説明する平面図。
FIG. 8 is a plan view illustrating a method for forming a pixel electrode and an inter-pixel electrode for forming an organic LED display.

【図9】従来の画素電極と画素間電極との間における電
流の流れを説明する平面図。
FIG. 9 is a plan view illustrating a flow of current between a conventional pixel electrode and an inter-pixel electrode.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 画素電極 2a 角部 3 有機LED層 4 対向電極 5 封止基板 6 偏向板 7 隔壁 8 画素間電極 9 接続部分 9a 隅部 10 有機LED素子 20 有機LEDディスプレイ(有機発光装置) 91〜94 接続部分 101 発光が弱い領域 102 電界が集中する領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Pixel electrode 2a Corner 3 Organic LED layer 4 Counter electrode 5 Sealing substrate 6 Deflection plate 7 Partition 8 Inter-pixel electrode 9 Connection part 9a Corner 10 Organic LED element 20 Organic LED display (organic light emitting device) 91-94 Connection part 101 Area where light emission is weak 102 Area where electric field is concentrated

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川瀬 徳隆 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 大畑 公孝 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB13 AB17 CA01 CA02 CA05 CB01 CC01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA02 5C094 AA03 AA06 AA31 AA60 BA27 EA04 EA05 EB02 ED14 FB01 5F041 CA45 CA77 CA83 CA88 CA93 CA98 FF06  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Noritaka Kawase 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka City, Osaka Inside Sharp Corporation (72) Inventor Kimitaka 22-22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka City, Osaka 3K007 AB13 AB17 CA01 CA02 CA05 CB01 CC01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA02 5C094 AA03 AA06 AA31 AA60 BA27 EA04 EA05 EB02 ED14 FB01 5F041 CA45 CA77 CA83 CA88 CA93 CA98 FF06

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 画素電極と対向電極に挟持された、少な
くとも1層の有機発光層を含む有機LED層が基板上に
配列され、画素電極が画素間電極で接続されてなる有機
発光装置であって、画素電極と画素間電極が、画素間電
極の幅より広い接続部分を介して互いに接続されている
有機発光装置。
1. An organic light-emitting device comprising an organic LED layer including at least one organic light-emitting layer sandwiched between a pixel electrode and a counter electrode, arranged on a substrate, and the pixel electrodes connected by inter-pixel electrodes. The pixel electrode and the inter-pixel electrode are connected to each other via a connection portion wider than the width of the inter-pixel electrode.
【請求項2】 画素電極は、画素電極の角部が前記接続
部分の外縁部を臨む入れ子状に配列され、画素電極の角
部が前記接続部分の外縁部に沿う形状を有する請求項1
に記載の有機発光装置。
2. The pixel electrode according to claim 1, wherein the corners of the pixel electrode are arranged in a nested shape facing the outer edge of the connection portion, and the corners of the pixel electrode have a shape along the outer edge of the connection portion.
3. The organic light emitting device according to claim 1.
【請求項3】 画素電極の角部が、角をとられてなる請
求項1または2に記載の有機発光装置。
3. The organic light emitting device according to claim 1, wherein a corner of the pixel electrode is rounded.
【請求項4】 画素電極の角部が、少なくとも1つの直
線および/または曲線で角とりがなされた請求項3に記
載の有機発光装置。
4. The organic light emitting device according to claim 3, wherein the corners of the pixel electrode are chamfered by at least one straight line and / or curve.
【請求項5】 接続部分が、透明電極のみ、透明電極と
金属電極、または金属電極のみからなる請求項1から4
のいずれか一つに記載の有機発光装置。
5. The connection part comprises a transparent electrode only, a transparent electrode and a metal electrode, or only a metal electrode.
The organic light emitting device according to any one of the above.
【請求項6】 画素電極が略矩形で形成され、接続部分
が画素電極の一辺の中央部、端部または画素電極の一辺
の全幅にわたって形成された請求項1から5のいずれか
一つに記載の有機発光装置。
6. The pixel electrode according to claim 1, wherein the pixel electrode is formed in a substantially rectangular shape, and the connection portion is formed at a central portion, an end portion, or the entire width of one side of the pixel electrode. Organic light emitting device.
【請求項7】 画素間電極が、透明電極上に金属電極を
積層されてなる請求項1から6のいずれか一つに記載の
有機発光装置。
7. The organic light emitting device according to claim 1, wherein the inter-pixel electrode is formed by laminating a metal electrode on a transparent electrode.
【請求項8】 画素電極が透明電極であり、画素間電極
が金属電極である請求項1から6のいずれか一つに記載
の有機発光装置。
8. The organic light emitting device according to claim 1, wherein the pixel electrode is a transparent electrode, and the inter-pixel electrode is a metal electrode.
【請求項9】 画素電極が、少なくともその一部に金属
電極を含む請求項7または8に記載の有機発光装置。
9. The organic light emitting device according to claim 7, wherein the pixel electrode includes a metal electrode in at least a part thereof.
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