JP2004296154A - Electrode, its manufacturing method, and organic electroluminescent element - Google Patents

Electrode, its manufacturing method, and organic electroluminescent element Download PDF

Info

Publication number
JP2004296154A
JP2004296154A JP2003084061A JP2003084061A JP2004296154A JP 2004296154 A JP2004296154 A JP 2004296154A JP 2003084061 A JP2003084061 A JP 2003084061A JP 2003084061 A JP2003084061 A JP 2003084061A JP 2004296154 A JP2004296154 A JP 2004296154A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
wiring
current
fuse
supplying
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003084061A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Kita
Yoshiyuki Suzurisato
Taketoshi Yamada
弘志 北
岳俊 山田
善幸 硯里
Original Assignee
Konica Minolta Holdings Inc
コニカミノルタホールディングス株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Holdings Inc, コニカミノルタホールディングス株式会社 filed Critical Konica Minolta Holdings Inc
Priority to JP2003084061A priority Critical patent/JP2004296154A/en
Publication of JP2004296154A publication Critical patent/JP2004296154A/en
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrode capable of restraining non-luminescence in the entire area of a luminescent surface due to a short circuit of an organic EL element constituting respective pixels, simply manufacturable at a low cost, and capable of easily forming respective layers constituting the organic EL element by application or printing; to provide its manufacturing method; and to provide an organic EL element using the electrode.
SOLUTION: This island-shaped electrode is formed by being separated on a substrate, and is characterized by that the electrode is connected to a wire for feeding a current to the electrode through a wire melted down or broken down by an overcurrent to be electrically insulated.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、過電流により溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線によって接続されている電極および、該電極を用いた有機エレクトロルミネッセンス子に関するものである。 The present invention, electrodes and are connected by a fuse-type wiring electrically insulated blown or broken by an overcurrent, it relates to an organic Erekutororuminessensuko using the electrode.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
有機エレクトロルミネッセンス素子(以下有機EL素子ということがある)は非常に薄い薄膜を陽極と陰極ではさみ電流を流すことで発光する電流駆動型発光素子である。 The organic electroluminescence device (hereinafter, sometimes referred to organic EL elements) is a current-driven type light emitting element which emits very thin films by passing a scissors current at the anode and the cathode.
【0003】 [0003]
通常、有機物は絶縁体であるが有機層の膜厚を非常に薄くすることにより電流注入が可能となり有機EL素子として駆動する事が可能となる。 Usually, organic material it is possible but an insulator for driving an organic EL device enables current injection by a very thin film thickness of the organic layer.
【0004】 [0004]
しかし、有機層の膜厚は非常に薄いことから電極上のごみや電極の凹凸等により陽極と陰極が短絡することがある。 However, the thickness of the organic layer may be an anode and a cathode are short-circuited due to irregularities such as the dust or the electrode on the electrode since very thin.
【0005】 [0005]
その場合、電極の短絡により短絡部が過電流により破壊され絶縁化される場合もあるが、最悪の場合には更なる短絡部の増加をまねき、結果的に電流のほとんどすべてが短絡している部分を流れることによって素子全体が発光しなくなってしまうことがある。 In that case, there is a case where short circuit portion by short-circuiting of the electrodes are insulated destroyed by overcurrent, in the worst case lead to a further increase in the short circuit portion, almost all results in current is shorted the entire device by flowing a portion is sometimes no longer emit light.
【0006】 [0006]
この様な現象は将来的に有機EL素子をディスプレー用途のみでなく照明への応用も考えたときには大きな問題となってしまう。 Such phenomenon becomes a serious problem when also considering application to future illuminate the organic EL element not only display applications.
【0007】 [0007]
なぜならば、一つの短絡部により発光面全面が非発光化してしまうからである。 This is because the light emitting surface over the entire surface will be non-emission by one short-circuit portion.
【0008】 [0008]
このような短絡によるEL素子全体の非発光を解決するために、特許文献1(特開2001−319778号公報)の開示においては、発光領域が、小画素形成用隔壁により複数のEL素子からなる小画素に分割されており、各々の画素を形成する画素形成用隔壁の一部が切り欠かれており、該小画素内の面状電極が該切り欠き部を介して隔壁外にある電流を供給する配線と接続した構成をとっている。 In order to solve the non-light emission of the entire EL element by such a short circuit, in the disclosure of Patent Document 1 (JP 2001-319778), the light emitting region is composed of a plurality of EL elements by the small pixel forming bulkhead is divided into small pixels, it is cut out part of the pixels forming partition walls forming each pixel, a current is outside the partition wall planar electrode in the small pixel through the cutout portion are taking a configuration in which the connection wiring and supplies. 各々の画素内の電極において短絡が発生した場合には該切り欠かれた部分が溶断し電極と電流を供給する配線が切り離されることで、該小画素内と該小画素外とが電気的に遮断されるように工夫されている。 If a short circuit in the electrode in each pixel is generated by 該切 Ri-away portion is disconnected wiring for supplying the blown electrode and current, and in the the small pixel outside the small pixel is electrically it is devised to be cut off.
【0009】 [0009]
しかしながら、上記公開公報に開示された有機EL素子においては小画素形成用隔壁を設け、更にその一部分が切り欠かれる構成を作り込んでいるために、製造方法が非常に複雑となる。 However, in the organic EL device disclosed in the above publication is provided with a small pixel forming barrier ribs, because of crowded make the structure further portion thereof is cut, a manufacturing method is very complicated.
【0010】 [0010]
しかも、隔壁を用いるため、その上に形成する有機EL素子はスピンコート等の塗布、印刷等を用いて形成することができない。 Moreover, since the use of the partition wall, the organic EL element formed thereon can not be formed by using a coating such as spin coating, printing or the like.
【0011】 [0011]
また、最近では隔壁を製造する際のエッチング液が隔壁部に残っているために有機EL素子の素子寿命に影響を与えるなどの報告もされている。 In recent years there has been reported, such as the etching solution in the production of partition walls affects the element lifetime of the organic EL elements to remain in the partition wall.
【0012】 [0012]
【特許文献1】 [Patent Document 1]
特開2001−319778号公報【0013】 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-319778 Publication [0013]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
従って本発明の目的は、各々の画素を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の短絡による発光面全域の非発光を抑制することができ、かつ、簡単、低コストで製造可能であり、更に、塗布、印刷により有機EL素子を構成する各層を容易に形成できる電極とその製造方法、更には該電極を用いた有機EL素子を提供することにある。 An object of the present invention, therefore, it is possible to suppress the non-light emission of the light emitting surface throughout due to a short circuit of the organic electroluminescent devices constituting each pixel, and simple, can be manufactured at low cost, and further, coating, printing the electrodes and a method of manufacturing the same of each layer can be easily formed of the organic EL element, further to provide an organic EL device using the electrode.
【0014】 [0014]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
本発明の上記目的は以下の手段により達成される。 The above object of the present invention is achieved by the following means.
【0015】 [0015]
1. 1. 基板上に分離して形成された島状の電極であって、該電極に電流を供給する配線との間が、過電流により溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線によって接続されていることを特徴とする電極。 An electrode of the island-shaped separately formed on the substrate, between the wiring for supplying the current to the electrodes, are connected by a fuse-type wiring electrically insulated blown or destroyed by overcurrent electrode, characterized in that there.
【0016】 [0016]
2. 2. 電極に過電流が流れることにより溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化する配線が導電性高分子化合物からなることを特徴とする前記1に記載の電極。 Electrode according to the 1, characterized in that wiring for electrically insulated blown or destroyed by an excessive current flows through the electrode is made of conductive polymer compounds.
【0017】 [0017]
3. 3. 基板上に分離して形成された、電流を供給する配線との間が過電流により溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化する配線により接続された島状の電極の製造方法において、過電流により溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線が導電性高分子化合物からなり、且つ、インクジェット法または印刷法により形成されることを特徴とする電極の製造方法。 Were separately formed on the substrate, in the manufacturing method of fusing or destroyed electrically connected by wires to insulated the island-shaped electrode by overcurrent between the wiring for supplying a current, fused by overcurrent or destroyed fuse type wiring electrically insulated is made of a conductive polymer compound, and method of manufacturing the electrode, characterized in that it is formed by an inkjet method or a printing method.
【0018】 [0018]
4. 4. 過電流が流れることにより溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線を、電極に電流を供給する配線又は電極と同じ金属材料で構成したことを特徴とする前記1に記載の電極。 Electrode according to the 1, characterized in that the fuse-type wiring electrically insulated blown or destroyed by overcurrent, was constructed in an identical metal material and a wiring or an electrode for supplying current to the electrodes.
【0019】 [0019]
5. 5. 基板上に分離して形成された、電流を供給する配線との間が過電流により溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線により接続された島状の電極の製造方法において、前記島状の電極、該電極に電流を供給する配線及び過電流により溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線を同じ金属材料から形成し、且つ、蒸着またはスパッタにより一度に形成することを特徴とする電極の製造方法。 It was separately formed on the substrate, in the manufacturing method of the connected islands electrode by fuse-type wiring electrically insulated blown or destroyed by overcurrent between the wiring for supplying the electric current, the island forming Jo electrode, a fuse-type wiring electrically insulated blown or destroyed by the wiring and the overcurrent supplying current to the electrodes of the same metal material, and, characterized by forming at once by vapor deposition or sputtering manufacturing method of the electrode.
【0020】 [0020]
6. 6. 透明導電膜からなることを特徴とする前記1または2に記載の電極。 Electrode as described in 1 or 2, characterized in that a transparent conductive film.
7. 7. 前記1、2、4または6に記載の電極を用いたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 An organic electroluminescent device characterized by using the electrode according to the 1, 2, 4 or 6.
【0021】 [0021]
8. 8. 電界発光が燐光に基づくものであることを特徴とする前記7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to the 7 where electroluminescence is characterized in that is based on phosphorescence.
【0022】 [0022]
9. 9. 前記1、2、4または6に記載の電極上に単層、もしくは複数の層からなる有機化合物層、更に第2の電極を順次に積層することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 Wherein 1, 2, 4, or monolayer on the electrode according to 6 or more of layers the organic compound layer further method of manufacturing an organic electroluminescent device characterized by sequentially laminating the second electrode.
【0023】 [0023]
10. 10. 単層、もしくは複数の層からなる有機化合物層を塗布にて形成することを特徴とする前記9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 Method of manufacturing an organic electroluminescent device according to the 9, wherein the forming monolayer or multiple of layers the organic compound layer by a coating.
【0024】 [0024]
11. 11. 基板上に第1の電極、単層、もしくは複数の層からなる有機化合物層、第2の電極が順次に積層される有機EL素子において、第2の電極は過電流が流れることで溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線を介して電流を供給する配線に接続していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 A first electrode on a substrate, a single layer or multiple of layers the organic compound layer in the organic EL device has a second electrode are sequentially stacked, the second electrode fusing or destroyed by overcurrent flows is organic electroluminescent device, characterized in that connected to a wiring for supplying a current through the electrically-fuse wiring insulated.
【0025】 [0025]
12. 12. 過電流が流れることで溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線が金属材料からなることを特徴とする前記11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to the 11-fuse wiring electrically insulated blown or destroyed by overcurrent is characterized in that it consists of a metallic material.
【0026】 [0026]
13. 13. 過電流が流れることで溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線を、金属材料膜を蒸着またはスパッタにより形成した後、マスク材料を用いパターニングして形成したことを特徴とする前記12に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The fuse-type wiring electrically insulated blown or destroyed by overcurrent flows, after forming by vapor deposition or sputtering a metal material film, the 12, characterized in that formed by patterning using a mask material the organic electroluminescent device according.
【0027】 [0027]
14. 14. 過電流が流れることで溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線が導電性高分子化合物からなることを特徴とする前記11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to the 11, wherein the fuse-type wiring electrically insulated blown or destroyed by overcurrent flows is made of conductive polymer compounds.
【0028】 [0028]
15. 15. 導電性高分子化合物からなる過電流が流れることで溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線がインクジェット法または印刷法によりパターニングされたことを特徴とする前記14に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device according to the 14-fuse wiring electrically insulated blown or destroyed by overcurrent flows made of a conductive polymer compound is characterized in that it is patterned by an inkjet method or a printing method .
【0029】 [0029]
16. 16. 基板がフレキシブルな樹脂基板であることを特徴とする前記11〜15のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to any one of the 11 to 15 the substrate is characterized by a flexible resin substrate.
【0030】 [0030]
17. 17. 照明用の光源として用いることを特徴とする前記11〜16のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to any one of the 11 to 16, which comprises using as a light source for illumination.
【0031】 [0031]
以下、本発明を詳細に説明する。 The present invention will be described in detail.
有機EL素子を表示素子として用いる際には前記特開2001−319778に開示されたように、各画素間の色濁り等を防止するため画素間に隔壁を設けるのが好ましいため、隔壁に切り欠き部を設けそこから駆動用のトランジスタに導通をとる必要がある。 As when using organic EL element as a display element is disclosed in the JP 2001-319778, since preferably provided partition walls between pixels to prevent color contamination or the like between the pixels, notched partition wall parts need to obtain conductivity in the transistor for driving the provided therefrom. 隔壁はエッチング等で作製しなければならないため、隔壁の形成と各画素でのショート(短絡)による過電流によって全発光領域が発光しなくなるというような欠点の改良された構成を両者ともに作り込むといったことは、特に照明等の用途においては、コストが高くなる上に製造が難かしくなる。 Since the partition wall must be fabricated by etching or the like, such as fabricated a structure having improved the drawbacks of the entire light emitting region does not emit light by overcurrent due to short circuit of the formation and the pixel partition wall Both it is especially in the applications such as lighting, production on the cost is high is flame Kashiku. 又、隔壁の存在により有機EL素子を電極上に塗布、印刷等を用いて簡単に形成することは難しい。 Also, applying an organic EL element on the electrode due to the presence of the partition wall, it is difficult to easily formed using printing.
【0032】 [0032]
本発明は、電極間に隔壁を一切設けず、且つ、電極間のショート(短絡)により、全発光領域が非発光となる現象を解決できる、特に、照明用として用いる有機EL素子に適した電極を提供するものである。 Electrode present invention is not provided any partition walls between the electrodes, and, in which the short-circuit between the electrodes (short), can be solved the problem that the entire light emitting region becomes the non-light emission, which in particular, suitable for an organic EL device used for lighting it is intended to provide.
【0033】 [0033]
表示用途の有機EL素子において、陽極或いは陰極の少なくともどちらか一方は、BGR等の各画素単位それぞれに対応した複数の有機EL素子を構成するようにそれぞれ分離された島状に形成され使用されている。 In the organic EL elements of the display applications, at least one of the anode or cathode is formed in each so as to constitute a plurality of organic EL elements corresponding to each of pixels of BGR such isolated islands used there.
【0034】 [0034]
又、照明用光源として有機EL素子を用いる場合にも、全面を単一の電極で構成することは、均一性の面から製造が困難であり、全面を1つの素子とせず、複数の有機EL素子に(従って複数の電極を有する)分割してこれを構成している。 Further, in the case of using an organic EL element as a light source for illumination is also possible to configure the entire surface of a single electrode, it is difficult to manufacture in terms of uniformity, without one element entirely, a plurality of organic EL constitute this (hence having a plurality of electrodes) divided by the element.
【0035】 [0035]
これらの複数の有機EL素子によって表示用途や照明用光源用途の素子を構成する場合、各有機EL素子のうち例えば1つにおいて電極がショートを起こすと、各電極は電流を供給する配線とそれぞれ接続しているため、ショートした部分に電流が集中し、その他の画素を構成する素子に電流が流れず、発光が低下或いは全く発光しなくなってしまうことがある。 When configuring a device of a display application or a light source for illumination purposes by the plurality of organic EL elements, the electrode in one example of the organic EL device causes a short circuit, each electrode wirings respectively connected to supply current because you are, current is concentrated to the short portion, no current flows to the element of the other pixel, light emission may be no longer reduced or no emission.
【0036】 [0036]
本発明は、この様な欠点を解決するものであり、以下の構成をとることにより有機EL素子等に用いる電極として有用であって、電極間のショートにより、全発光領域が非発光となる現象を解決できる電極を得ることが出来る。 The present invention is intended to solve such drawback, a useful as an electrode for use in an organic EL element or the like by taking the following configuration, a short circuit between the electrodes, the entire light emitting region becomes the non-light emitting phenomenon it can be obtained an electrode that can solve.
【0037】 [0037]
本発明においては、有機EL素子の各画素(表示用途におけるBGR等の画素、或いは、照明用途においても複数の分離された小画素を併せてこの様に呼ぶ)を構成する電極の少なくとも一方の、各画素に対応した分離した島状の電極を、過電流により溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線(以下、単にヒューズ型配線ともいう)を介して電流を供給する配線と接続するようにする。 In the present invention, each pixel of the organic EL element (the BGR and the like in display applications pixels, or this as called together a plurality of isolated small pixel even in lighting applications) electrodes constituting at least one of, an island-shaped electrodes separated corresponding to each pixel, a fuse-type wiring electrically insulated blown or destroyed by overcurrent (hereinafter, simply referred to as the fuse-type wiring) connected to the wiring for supplying a current through the so as to.
【0038】 [0038]
即ち、基板上に島状に分離して形成された、電流を供給する配線との間を過電流により溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線で接続した電極をどちらか一方の電極(陰極或いは陽極)として用いて有機EL素子を構成すればよい。 That is, separately formed in an island shape on the substrate, either one of the electrodes of the electrode connected with a fuse-type wiring electrically insulated blown or broken by an overcurrent between the wiring for supplying the electric current it may be the organic EL element used as a (cathode or anode).
【0039】 [0039]
この様な電極を有機EL素子の少なくとも一方の電極として用いることで、電極間がショートすると、該ショートした有機EL素子(画素)の電極のみが、電流を供給する配線に接続した過電流によって溶断もしくは破壊されるヒューズ型配線が破壊されることによって、電流を供給する配線から電気的に絶縁されるので、その画素のみは発光しなくなり、有機EL素子全体の電界発光に影響を及ぼすことがない。 Such a electrode by using as at least one electrode of the organic EL element blown, when the electrodes are short-circuited, only the electrode of the organic EL elements (pixels) that the short circuit, the overcurrent of connecting the current to a wiring for supplying or by a fuse-type wiring is broken to be destroyed, since the electrically insulated from the wiring for supplying a current, the pixel only will not emit light, there is no affect on the light emitting of the entire organic EL device .
【0040】 [0040]
例えば表示用途の有機EL素子の場合、陽極(通常陽極側から観察するので透明電極が使用される)となるITO電極と駆動線(電流を供給する配線)に接続するトランジスタのソース或いはドレイン電極間を接続する配線として、前記過電流が流れると溶断もしくは破壊される配ヒューズ型線を用いる。 For example, in the case of the organic EL elements of the display application, the anode (usually because the observation from the anode side transparent electrode is used) and a ITO electrode as the drive line between the source or drain electrode of the transistor connected to the (current wiring for supplying the) as connecting wires, using the distribution fuse-type line overcurrent is fused or destroyed to flow.
【0041】 [0041]
又、照明光源用途として用いる場合には、電流を供給する配線と、有機EL素子を構成する電極のいずれか一方とを、直接、過電流が流れると溶断もしくは破壊されるヒューズ型配線で接続することで、上記の効果を得ることができる。 Further, when used as a lighting source application, a wiring for supplying a current, and one of the electrodes constituting the organic EL element, directly connected by a fuse-type wiring to be blown or destroyed when an overcurrent flows it is, it is possible to obtain the effects described above.
【0042】 [0042]
本発明に係わる電極は、電流を供給する配線と電極がトランジスタ等の介在なしに、直接、接続する照明光源用途の有機EL素子に適用するのが効果が高く好ましい。 Electrode according to the present invention, the wiring and the electrode for supplying an electric current without intervention such as transistors, directly, to apply to an organic EL element connected to the illumination light source applications is preferably highly effective. 従って、又、表示用途の有機EL素子においても駆動トランジスタを用いたアクティブマトリクス駆動方式の有機EL素子よりも、単純マトリクス方式のほうが過電流による影響が直接的であり本発明の効果が大きい。 Therefore, also from the organic EL device of the active matrix driving method using even driving transistor in the organic EL elements of the display applications, a large effect of is the invention a direct influence due to an overcurrent more simple matrix type.
【0043】 [0043]
過電流が流れることで溶断もしくは破壊されるヒューズ型配線とは、前記島状に形成された電極及び電流を供給する配線の、断面積を小さくする、例えば太さを細く、幅を狭く或いは厚み等を薄く形成することで過電流が流れたときにそこが溶断もしくは破壊されるように配線を形成すればよく、前記島状に形成された電極または電流を供給する配線を構成する材料と同じ材料によって形成しても良い。 The fuse-type wiring to be blown or destroyed by overcurrent flows, the wiring for supplying the electrodes and a current formed in the island shape, the cross-sectional area smaller, eg thinner the thickness, narrow or thick width etc. may be formed wires so there is fused or destroyed when an overcurrent flows by a thin, same as the material constituting the wiring for supplying the electrodes or current formed in the island-like it may be formed by the material. 例えば、電極材料を有機EL素子の陰極材料例えばAl或いはMg/Ag等の混合物等で形成したとき、電流を供給する配線をやはり同じ金属材料で形成し、又、該配線および電極を接続する前記ヒューズ型配線も同じ材料で形成し、その幅、太さ又は厚みを小さくして過電流によりその部分が破壊されるようにする。 For example, when the electrode material was formed with a mixture such as a cathode material such as Al or Mg / Ag organic EL element, a wiring for supplying a current also made of the same metal material, also connects the wiring and the electrode wherein fuse-type wiring is also formed of the same material, the width, that portion overcurrent by reducing the thickness or thickness to be destroyed. 同じ金属材料で形成する場合、一様に金属膜を形成した後、マスク材料を用いてパターニングして、該配線部分を過電流により溶断もしくは破壊されるヒューズ型配線として機能するように断面積を小さく形成するのが好ましい。 If formed of the same metallic material, after forming a uniform metal film, the cross-sectional area as by patterning using a mask material, it serves as a fuse-type wiring to be blown or destroy the wiring portion overcurrent preferably formed small.
【0044】 [0044]
溶断とは配線の発熱によって溶融し、配線が断線し、島状の電極と該電極に電流を供給する配線間が絶縁することであり、破壊とは、溶融状態を経ることなく配線が断裂し、電極と電流を供給する配線間が絶縁することをいう。 Blown and is melted by the heat generated in the wiring, the wiring is disconnected is to insulation between wiring for supplying a current to the island-shaped electrode and the electrode, and destruction, the wiring is torn without undergoing a molten state , between wiring for supplying the electrodes and current refers to the insulation.
【0045】 [0045]
有機EL素子の陰極材料は仕事関数の小さい金属を用いるため、駆動線等の電流を供給する配線としては、安定性の良い金属材料を用いることができ、前記島状に形成された電極の材料として、有機EL素子の陰極に適した仕事関数の小さい金属材料を用い、電流を供給する配線は別の例えば、金、銀、銅等の安定な導電性の高い(抵抗率の低い)金属材料で形成してもよい。 For the cathode material of the organic EL element using a metal having a low work function, as a wiring for supplying a current, such as drive lines, the can be used with good stability metallic material, formed in the island-shaped electrode material as a small metallic materials using work function suitable for the cathode of the organic EL element, another example is wiring for supplying a current, (low resistivity) gold, silver, highly stable conductivity such as copper metal material in may be formed. この場合該電極と電流を供給する配線を接続する前記ヒューズ型配線としては電極又は電流を供給する配線の材料と同じものを用いるのが好ましい。 In this case it is preferable to use the same as the material of wiring for supplying the electrodes or current as the fuse-type wiring connecting wiring for supplying the electrode and current.
【0046】 [0046]
島状の電極、電流を供給する配線および該電極と電流を供給する配線間を結ぶヒューズ型配線を同じ金属材料により形成する場合、他の配線に比べ断面積を小さく形成する。 Island electrodes, when the fuse-type wiring connecting the wiring for supplying the wire and the electrode and the current supplied to the current form of the same metal material and formed small cross-sectional area than other wiring. 例えば基板上に100nm〜300nmの厚みの金、銀、銅等の金属膜を一様に形成した後、パターニングにより島状の電極(1つの画素に対応する)を、一辺600μmの矩形として、又、電流を供給する配線の幅を50〜300μmに、該電極と電流を供給する配線間を結ぶヒューズ型配線の幅は2〜50μm、好ましくは1〜20μmとなるように形成する。 For example gold thickness 100nm~300nm on the substrate, silver, after uniformly forming a metal film such as copper, the island-shaped electrode by patterning (corresponding to one pixel), as one side of the rectangle 600 .mu.m, also , the width of the wiring for supplying a current to 50 to 300 [mu] m, the width of the fuse-type wiring connecting the wiring for supplying the electrode and the current 2 to 50 [mu] m, preferably is formed to be 1 to 20 [mu] m. ヒューズ型配線は電流を供給する配線よりも断面積を小さくすることで過電流が流れた場合に破断しやすくする。 Fuse-type wiring is easily broken when an overcurrent flows by reducing the cross-sectional area than the wiring for supplying a current.
【0047】 [0047]
前記過電流により溶断もしくは破壊されるヒューズ型配線を形成するには、必ずしも電極または電流を供給する配線と一緒に、また、同じ材料を用いてこれを形成する必要はなく、島状の電極及び電流を供給する配線を形成した後、各島状の電極と電流を供給する配線を種々の導電性材料を用いてヒューズ型配線を形成して電気的に接続することができる。 Wherein the forming a fuse-type wiring is blown or destroyed by overcurrent, necessarily together with wiring for supplying the electrodes or current, also, there is no need to form it using the same material, the island-shaped electrode and after forming the wiring for supplying a current, it can be electrically connected to form a fuse type wiring using various conductive materials wiring for supplying the respective island-shaped electrode and current.
【0048】 [0048]
即ち、基板上にパターニングにより金属膜からなる島状の電極および電流を供給する配線を同時に形成した後、該島状の電極と電流を供給する配線間を導電性材料からなるインク或いはペーストにより印刷法或いはインクジェット法等によって過電流により溶断もしくは破壊されるヒューズ型配線をパターニング形成して接続してもよい。 That printing, after simultaneously forming the wiring for supplying the island-shaped electrode and the current made of a metal film by patterning on a substrate, the ink or paste comprising a conductive material between the wires for supplying the island-shaped electrode and the current law or fuse-type wiring is blown or destroyed by overcurrent by an ink jet method or the like may be connected by patterning form.
【0049】 [0049]
通常の駆動時に電極間に流れる電流値においては該ヒューズ型配線は殆ど発熱せず、短絡電流が流れたときに、ヒューズ型配線に、その他の配線材料によりある程度大きい抵抗値をもたせ、発熱による温度上昇が大きいように材質及び断面積等を選択すると共に、短絡電流においてその材料が溶断或いは破壊される様にその溶断或いは破壊温度が選ばれることが必要である。 The fuse-type wire in current flowing between the electrodes during normal driving is hardly fever, when a short-circuit current flows, the fuse-type wiring, remembering relatively large resistance value other wiring material, the temperature due to heat rise while selecting the material and cross-sectional area such as large, it is necessary that the fusing or breaking temperature as the material in the short-circuit current is blown or destroyed is selected. 有機EL素子の短絡電流としては、使用する有機EL材料やその構成また電極面積等によって異なってくるが、動作時の数倍〜数十倍程度になったときに破断するようにする。 The short-circuit current of the organic EL element, varies depending organic EL material and its structure are also electrode area or the like for use, so as to break when it becomes several times to several tens times during operation. ヒューズ型配線の抵抗値は電流供給のための配線より低すぎると電流供給配線に負荷がかかり好ましくなく、また電流供給のためのユニットの保護という面からも好ましくない。 The resistance value of the fuse-type wiring is not preferable load is applied to the from too low a current supply wiring line for the current supply, is not preferable from the standpoint of protecting the unit for the current supply. また余り大きすぎると短絡電流値がそれ程大きくならず、配線が破断に至る温度に達しないことが考えられる。 The remainder too large and the short-circuit current value is not so large, the wiring can be considered that not reach the temperature to fracture. 従って、ヒューズ型配線の抵抗値や、これを決める配線の断面積等は、短絡電流の値、また、用いるヒューズ型配線を構成する材料の電気伝導度及び溶断若しくは破壊される温度等の因子を考慮して実験的に選ばれる。 Accordingly, and the resistance value of the fuse-type wire, the cross-sectional area and the like of the wiring decide this, the value of short-circuit current, also factors such as temperature that are electrical conductivity and fusing or destruction of the material constituting the fuse-type wiring using It is chosen experimental taken into consideration. 材料としては、電気伝導度が高く(抵抗率が小さく)、前記の短絡電流により溶断或いは破壊されるような材料が好ましい。 The material, high electrical conductivity (low resistivity), materials such as fused or destroyed by the short-circuit current is preferred.
【0050】 [0050]
ある程度以上の電気伝導度を有するものとしては、金属材料が好ましく、比較的溶断或いは破壊されやすいものを選択する。 As those having a certain degree of electrical conductivity, the metal material is preferably selected so as likely to be relatively blown or destroyed. また、電流を供給する配線が溶断しないようにするために、金属を用いる場合には、特に同じ材料を用いるとき、ヒューズ型配線の断面積を電流を供給する配線に比べ小さくして、稍抵抗値を大きくして、ここで溶断するようにすることができる。 Further, in order to wiring for supplying a current to not blow, in the case of using a metal, especially when using the same material, the cross-sectional area of ​​the fuse-type wiring is reduced compared with current to a wiring for supplying, somewhat resistance increase the value can be adapted to blow here. 断面積は電流を供給する配線に比べ1/3以下に、更に好ましくは1/5以下にするのがよい。 Cross-sectional area 1/3 or less as compared to a wiring for supplying a current, more preferably better to 1/5 or less.
【0051】 [0051]
融点の低い、短絡電流で容易に溶融する材料を用いたり、電極材料または電流を供給する配線と同じ材料を用いる場合には、短絡電流によるそこでの発熱を大きくして、溶断或いは破壊される温度まで温度が上昇するように配線を細くしなければならない。 Low melting point, temperature or using readily melt the material to short-circuit currents, in the case of using the same material as the wiring for supplying the electrode material or current, by increasing the heat generated therein by the short-circuit current, which is blown or destroyed temperature must thin the wiring to rise up. また、予想される短絡電流に対して充分溶断或いは破壊される温度まで温度が上昇する様にその配線の抵抗値は選ばれる。 The resistance value of the wiring as the temperature is increased to a temperature which is sufficiently fused or broken against the expected short-circuit current is selected. 一方でまた、余り抵抗値を大きくすると電流自体が低下してしまう。 While also, it decreases the current itself when too the resistance value is increased.
【0052】 [0052]
前記複数の島状の電極と該電極に対して電流を供給する配線との間を過電流が流れた場合に溶断もしくは破壊されるヒューズ型配線の材料としては、前記の様に導電性材料である限り特に限定されず、前記同様に電極または電流を供給する配線と同じ金属材料で構成するほか、ヒューズ型配線を銀ペースト等の金属ペースト、およびカーボンペースト等、他の導電性物質を用いてもよく、特に比較的低い温度で、溶断或いは破壊するために有機導電性高分子化合物が好ましい。 The material of the fuse-type wiring to be blown or destroyed when an overcurrent flows between the wiring for supplying a current to the plurality of island-shaped electrode and the electrode, with the conductive material like the as long as there is not particularly limited, in addition to constituting the same manner the electrodes or current of the same metal material as the wiring for supplying the fuse-type wiring using metallic paste such as silver paste, and carbon paste or the like, other conductive material at best, especially at relatively low temperatures, organic conductive polymer compound is preferable in order to blow or destroyed. 導電性高分子化合物はその重合度や、ドープ材料等により比較的広い範囲から電気伝導度や溶断或いは破壊温度等について選択できるので好ましい。 Conductive polymer compounds and their polymerization degree, because the relatively wide range by doping materials can be selected for the electrical conductivity, fusing, or failure temperature or the like.
【0053】 [0053]
本発明に有利に用いられる導電性高分子化合物としては、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン等の導電性ポリマー、あるいはこれらの導電性ポリマーをドーピング等により導電率を向上させた導電性ポリマー、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体(PEDOT/PSS)などの導電性ポリマーが好適に用いられる。 The conductive polymer compound that may be advantageously used with the present invention, conductive polyaniline, conductive polypyrrole, conductive conductive polythiophene polymer or conductive with these conductive polymers to improve the conductivity by doping or the like, polymers, for example, a conductive polymer such as a complex of polyethylene dioxythiophene and polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS) is preferably used.
これらのうち電気伝導度として10 S/m以上の材料が好ましい。 10 3 S / m or more materials as the electrical conductivity of these are preferred.
【0054】 [0054]
また、導電性ポリマーでヒューズ型電極を形成した場合にも前記の金属の場合と同様にその抵抗値が低すぎることで、その他の配線の発熱が大きくなりそこが溶断或いは破壊することのないように、また、抵抗値が大きすぎて、過電流の値が、ヒューズ型配線の溶断或いは破壊に至らない程度に小さくなってしまうことのないように導電性ポリマー材料が選択される。 Further, since the resistance value as in the case of the metal even when forming a fuse-type electrode with a conductive polymer is too low, other so as not to heat generation of the wiring is there increased blown or broken to, also, the resistance value is too large, the value of the overcurrent, a conductive polymer material so as not to become small as not reach the fusing or breaking of the fuse-type wiring is selected. 前記の電気伝導度を有する導電性ポリマー材料でヒューズ型配線を形成するときには、やはりその断面積は電流を供給する配線よりも小さいことが好ましく、1/3以下がより好ましく1/5以下が更に好ましい。 When forming a fuse-type wiring of a conductive polymeric material having an electrical conductivity of the, also it is preferable that the cross-sectional area is smaller than the wiring for supplying a current, 1/3 or less, more preferably 1/5 or less further preferable.
【0055】 [0055]
これら導電性ポリマーによる配線の形成方法は、導電性ポリマーの溶液あるいは分散液や懸濁液を直接インクジェット法によりパターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーションなどにより形成してもよい。 Method of forming a wiring according to these conducting polymers, to a solution or dispersion or suspension of the conductive polymer may be patterned directly by ink jet method, it may be formed by a lithography or laser ablation from the coating film . さらに導電性ポリマーを含むインク、ペーストなどを凸版、凹版、平版、スクリーン印刷などの印刷法でパターニングする方法も用いることができる。 Furthermore ink containing conductive polymers, paste or the like relief printing, intaglio printing, planographic, a method of patterning by a printing method such as screen printing can be used. ヒューズ型配線の断面積はパターニングの幅や層厚によって調節できる。 Sectional area of ​​the fuse-type wire can be adjusted by the width or thickness of the patterning.
【0056】 [0056]
前記導電性ポリマーのうちでも、特に、前記PEDOT/PSSは好ましく、水性懸濁液、或いはペーストとして、市販品(例えば、Bayer製 Bytron)が入手できるので、これらの導電性ポリマー分散液等を直接インクジェット法によりパターニングする方法、又、導電性ポリマーをペーストとしたものなどを例えばスクリーン印刷法等でパターニングする方法が単純な手順で精度良く実施でき好ましい。 Among the conductive polymer, in particular, the PEDOT / PSS, preferably an aqueous suspension, or as a paste, a commercial product (e.g., Bayer Ltd. Bytron) because it availability, direct these conductive polymer dispersion such as method of patterning by an inkjet method, also, how the conductive polymer is patterned in a like those paste for example, a screen printing method or the like can be accurately performed by a simple procedure preferred.
【0057】 [0057]
又、導電性ポリマーの場合、過電流により溶断もしくは破壊される材料であっても、発光中に破壊が進んだり、配線としての耐久性に問題があってはならないので、Tg(ガラス転移点)としては100℃以上、更に好ましくは150℃以上の導電性ポリマーが選ばれる。 In the case of the conductive polymer, it is a material that is blown or broken by an overcurrent, or advance is destroyed during emission, so there should be no problem in the durability as a wiring, Tg (glass transition point) 100 ° C. or higher as, more preferably is 0.99 ° C. or more conductive polymer selected.
【0058】 [0058]
又、過電流により電流を供給する配線から絶縁される島状の電極は、有機EL素子において陽極として用いられる、例えば、ITO薄膜からなる透明電極であってもよく、基板上にITO薄膜を蒸着により一様に形成した後、パターニングによって、陽極となる島状の透明電極及び電流を供給する配線の両者をともにITO薄膜により形成してもよい。 Further, the island-shaped electrode insulated from the wiring for supplying a current by overcurrent is used as the anode in the organic EL element, for example, it may be a transparent electrode made of ITO thin film, depositing an ITO film on a substrate after uniformly formed by, by the patterning, both of the wiring for supplying the island-like transparent electrode and current serving as an anode may together form a ITO thin film. 但し、有機EL素子の電極材料としては、陽極としては仕事関数の大きい金や、白金、或いはITO膜等の材料を用いなければならず、一方、陰極としては逆に仕事関数の小さい、ナトリウム、マグネシウム、アルミニウム等の金属を用いる必要があり、陰極材料として透明な材料は難しいので、陽極材料として、透明導電膜であるITO薄膜を用い、島状の電極をパターニング形成するのが好ましいが、ITO薄膜は回路を構成する材料としては、例えば金や銅等の金属に比べて抵抗率が大きいので、電流を供給する配線としては抵抗率の低い金属膜を用いることが好ましく、従って、ITO薄膜からなる島状の電極を形成した後、更に、別途、フォトレジスト等を用いてマスク材を形成し銅等の安定性の高い金属の薄膜をスパッタにより However, as the electrode material of the organic EL device, the anode and large gold work function, platinum, or must be used material such as an ITO film, whereas a low work function conversely as a cathode, sodium, magnesium, it is necessary to use a metal such as aluminum, since the transparent material is hard as a cathode material, as an anode material, using an ITO thin film is a transparent conductive film, it is preferable to patterning the island-shaped electrode, ITO the material thin film constituting the circuit, for example, the resistance rate compared to metal gold or copper is large, it is preferable to use a low resistivity metal film as a wiring for supplying a current, therefore, an ITO thin film after forming the island-shaped electrode made, further, separately, by sputtering a thin film of high stability metal such as copper to form a mask material by using a photoresist or the like 成、パターニングして電流を供給する配線を別途形成するのが好ましい。 Adult, preferably separately formed wiring for supplying a current and patterned. 電流を供給する配線をITOで形成すると、ヒューズ型配線はこれよりも導電性の低い材料で構成しなければならないので、過電流の値が必然的に小さくなるので、ヒューズ型配線の選択がやや限られる。 When the wiring for supplying a current to form in ITO, since it is necessary to configure the fuse-type wiring material having a low conductivity than this, since the value of the overcurrent becomes inevitably small, the selection of the fuse-type wiring is slightly limited. 導電性の良い金属材料は、ITO薄膜のように透明ではないが、例えばブラックマトリクス等のシャドーマスクによって各画素が分離している場合、電流を供給する配線は、これに隠れて設けることができる。 Good conductivity metal material is not transparent so that the ITO thin film, for example, if each pixel is separated by the black matrix or the like shadow mask, wiring for supplying a current may be provided hiding thereto . また、照明用途においても電流を供給する配線を導電性のよい材料をもちいて、配線の幅を各画素にくらべ目立たない幅で形成すことができる。 Further, using a material with good conductivity wiring for supplying a current even in lighting applications, the width of the wiring can be formed with a width inconspicuous compared to each pixel.
【0059】 [0059]
島状の電極及び電流を供給する配線をITO膜により形成した後、或いは、ITO膜による島状の電極を形成し、更に、電流を供給するための配線を抵抗率の低い、例えば金、銅等の別の金属膜で形成した後、これら電極と電流を供給する配線間のヒューズ型配線を、前述のように、他の導電性材料で形成することができる。 After the wiring for supplying the island-shaped electrode and the current was formed by ITO film, or to form an island-shaped electrode of ITO film, further, lower the wiring for supplying current resistivity, such as gold, copper after forming a different metal film etc., a fuse-type wiring between the wiring for supplying the electrodes and current, as described above, can be formed of other conductive materials. しかしながら、ヒューズ型配線は電流を供給するための配線と同じ、例えば金、銅等の別の金属膜で形成するのが好ましく、また、例えば前記PEDOT/PSS等の導電性高分子化合物の水性分散液または懸濁液、或いはペースト等を用いて、直接インクジェット法によりパターニングしたり、又、ペーストをスクリーン印刷法等でパターニング形成する方法がヒューズ型配線を簡単に精度良く形成でき好ましい。 However, the fuse-type wiring are the same wiring for supplying a current, such as gold, an aqueous dispersion of formed preferably with another metal film such as copper, also for example, a conductive polymer compound such the PEDOT / PSS liquid or suspension, or by using a paste or the like, or patterned by direct ink-jet method, also, paste can be easily formed with high accuracy method for patterning a fuse-type wiring by screen printing or the like.
【0060】 [0060]
島状の電極及び該電極に電流を供給する配線及びこれを電気的に接続する過電流により溶断もしくは破壊するヒューズ型配線について以上述べたが、対極となる第2の電極については製造上の観点から面状、或いは、ライン状に形成されることが多く、本発明は、該島状に形成された電極が対極とショートした場合に該島状に形成された電極を陽極或いは陰極とした有機EL素子を過電流によって電気的に絶縁し、分離するものであって、例えば該島状に形成された電極に電流を供給する配線が、島状に形成された電極の対極となる第2の電極と重ならないように配置することが好ましいので、対極となる第2の電極を、該電流を供給する配線と重ならなず、且つ、平行に配置するのが好ましい。 Have been described above for fuse-type wire melts or destroyed by the island-shaped electrode and overcurrent for electrically connecting the wiring and which supplies current to the electrode, a manufacturing point of view for the second electrode serving as a counter electrode surface from or often formed in a line shape, the present invention relates to an organic to an electrode formed on the island shape when the electrodes formed on the island shape is shorted and the counter electrode was an anode or cathode electrically insulates the EL element by an overcurrent, there is the separation, for example, wiring for supplying a current to the electrodes formed on the island shape, a second of the counter electrode formed into an island shape since it is preferable to arrange so as not to overlap with the electrode, the second electrode serving as a counter electrode, not an overlap with the wiring for supplying the electric current, and, preferably arranged in parallel. 直交して配置する場合、電流を供給する配線と、これに直交する対極となる第2の電極の重なり部分には信頼性の高い絶縁膜を塗設することが好ましい。 When placing orthogonally, a wiring for supplying a current, it is preferable to Coating reliable insulating film in the overlapping portion of the second electrode serving as a counter electrode that is perpendicular thereto.
【0061】 [0061]
従って、表示用途の有機EL素子においては、例えば陽極であるITO電極を島状にパターニングして形成したとき、陰極となる第2の電極を、帯状に形成するのが好ましく、且つ、陽極である各島状にパターニングされたITO電極の列及び電流を供給する配線(駆動線)に対して、直交配置しなければならないので、電流を供給する配線と陰極となる第2の電極との重なり部分が生じ、この部分においてショートが起こると、ヒューズ型配線よりも電源側でこれが起こることになり、有機EL素子全体の発光に影響がでてしまう。 Accordingly, in the organic EL elements of the display applications, for example, when the ITO electrodes were formed by patterning into an island shape is an anode, the second electrode serving as a cathode is preferably formed in a strip shape, and is the anode the wiring for supplying a column and the current of the patterned ITO electrodes on each island (drive line), since they must be disposed orthogonal, overlap between the second electrode serving as a wiring and a cathode for supplying an electric current occurs, if a short occurs in this portion, will be than the fuse type wire which occurs at the power supply side, thus is affected to the emission of the entire organic EL device. 従って、この場合重なり部分のの絶縁を完全にすることが必要となり構成的に複雑になる。 Therefore, it becomes constitutively required complicated to complete the insulation of the overlapping portion in this case.
【0062】 [0062]
照明用の有機EL素子の場合には、各画素の時分割動作を行う必要はないので、この様な直交配置の必要がなく、分離した複数の島状の電極を陽極とした場合、これと平行ににパターニングされ、該電極に電流を供給する電流を供給する配線と、対極となる有機EL素子の陰極の帯状のパターンを重ならないように平行に配置できるので好ましい。 In the case of the organic EL element for illumination, it is not necessary to perform a division operation time of each pixel, there is no need of such orthogonal arrangement, when a plurality of island-shaped electrodes separated was the anode, and this are patterned into parallel, wiring and supplies current for supplying current to the electrode, it is possible to parallel arranged not to overlap the band-like pattern of the cathode of the organic EL element to be counter preferable.
【0063】 [0063]
次に、本発明に係わる電極が用いられる有機EL素子について説明する。 It will now be described organic EL element electrode according to the present invention is used.
有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子は、単層、もしくは複数の層からなる有機化合物層、具体的には、発光層、また、必要に応じ発光層の他に、正孔輸送層、電子輸送層、陽極バッファー層および陰極バッファー層等の層を陰極と陽極で狭持された構造を取る。 The organic electroluminescent (EL) device is a single layer or multiple of layers the organic compound layer, specifically, the light emitting layer, in addition to the light-emitting layer as necessary, a hole transport layer, an electron transporting layer, anode buffer layer and take sandwiched structure a layer of cathode buffer layer or the like in the cathode and anode. 前記の本発明に係わる電極を、陽極或いは陰極の少なくとも一方に用いて、本発明の有機EL素子が構成される。 The electrode according to the the present invention, with reference to at least one of the anode or the cathode, the organic EL element is composed of the present invention.
【0064】 [0064]
具体的には、 In particular,
(i)陽極/発光層/陰極(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極(iii)陽極/発光層/電子輸送層/陰極(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極(vi)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極などの構造がある。 (I) anode / light emitting layer / cathode (ii) anode / hole transporting layer / light emitting layer / cathode (iii) anode / light emitting layer / electron transporting layer / cathode (iv) anode / hole transporting layer / light emitting layer / electron transporting layer / cathode (v) anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transporting layer / cathode buffer layer / cathode (vi) anode / anode buffer layer / hole transport layer / luminescent layer / hole blocking there are structures such as layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode.
【0065】 [0065]
上記発光層は電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子および正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であっても良い。 The light emitting layer electrode or the electron-transporting layer, a layer in which electrons and holes, injected from the hole transporting layer, are recombined to emit light, part of light emission and the light emitting layer even in a layer of light-emitting layer it may be the interface with the adjacent layer.
【0066】 [0066]
発光層に使用される材料(以下、発光材料という)は、蛍光または燐光を発する有機化合物または錯体であることが好ましく、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。 Materials used in the light-emitting layer (hereinafter, referred to as light emitting material) is preferably an organic compound or complex emits fluorescence or phosphorescence, appropriately selected and from known to be used in the light emitting layer of the organic EL device it can be used. このような発光材料は、主に有機化合物であり、所望の色調により、例えば、Macromol. Such luminescent materials are mainly organic compounds, the desired color tone, for example, Macromol. Synth. Synth. ,125巻,17〜25頁に記載の化合物等を用いることができる。 , It can be used 125 vol, such compounds described on pages 17-25.
【0067】 [0067]
発光材料は、発光性能の他に、正孔輸送機能や電子輸送機能を併せもっていても良く、正孔輸送材料や電子輸送材料の殆どが、発光材料としても使用できる。 Luminescent materials, in addition to emission performance may have combined a hole transport function and an electron transport function, most of the hole transporting material and electron transporting materials can be used as the light emitting material.
【0068】 [0068]
発光材料は、ポリビニルカルバゾール、p−ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン等のような高分子材料でも良く、さらに前記発光材料を高分子鎖に導入した、または前記発光材料を高分子の主鎖とした高分子材料を使用しても良い。 Luminescent materials, polyvinylcarbazole, p- polyphenylene vinylene may be a polymeric material such as polyfluorene etc., and further the light emitting material is introduced into the polymer chain, or the light emitting material as the main chain of the polymer macromolecule material may be used.
【0069】 [0069]
この発光層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法などの公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。 The light-emitting layer, the compounds, for example, vacuum deposition, spin coating, casting, can be formed by a film by a known thin method such as LB method. 発光層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は5nm〜5μm、好ましくは5nm〜200nmの範囲で選ばれる。 The film thickness of the light-emitting layer is not particularly limited, usually 5 nm to 5 [mu] m, it is preferably selected in the range of 5 nm to 200 nm. この発光層は、これらの発光材料一種又は二種以上からなる一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成又は異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。 The light emitting layer may be a single layer structure consisting of the luminescent materials one or two or more, or may be a laminated structure comprising a plurality of layers of the same composition or different compositions.
【0070】 [0070]
発光層の材料が2種以上であるとき、主成分をホスト化合物、その他の成分をドーパントという。 When the material of the light-emitting layer is 2 or more, mainly composed of host compound, the other components of the dopant. 発光層にはドーパント(ゲスト物質)を併用することが好ましく、有機EL素子のドーパントとして使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。 Preferably used in combination dopant (guest material) in the light-emitting layer, it can be used optionally selected from the known ones used as the dopant of the organic EL element.
【0071】 [0071]
ドーパントの具体例としては、例えばキナクリドン、DCM(4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン)、クマリン誘導体、ローダミン、ルブレン、デカシクレン、ピラゾリン誘導体、スクアリリウム誘導体、ユーロピウム錯体等がその代表例として挙げられる。 Specific examples of dopants, for example quinacridone, DCM (4-dicyanomethylene-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl) -4H- pyran), coumarin derivatives, rhodamine, rubrene, decacyclene, pyrazoline derivatives, squarylium derivatives , europium complexes, and the like as a typical example.
【0072】 [0072]
また、例えば特開2001−247859号明細書に挙げられるイリジウム錯体あるいはWO0070655号明細書16〜18ページに挙げられるような式で表される例えばトリス(2−フェニルピリジン)イリジウム等やオスミウム錯体、あるいは2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポルフィリン白金錯体のような白金錯体もドーパントとして挙げられる。 Further, for example, Japanese represented as tris formula as mentioned iridium complex or WO0070655 Pat 16-18 pages mentioned in 2001-247859 Pat (2-phenylpyridine) iridium and osmium complex, or, 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21H, include platinum complexes also dopants such as 23H- porphyrin platinum complex. ドーパントとしてこのような燐光性化合物を用いることにより、燐光に基づく内部量子効率の高い発光有機EL素子を実現できる。 By using such a phosphorescent compound as a dopant, it can realize a high light-emitting organic EL device internal quantum efficiency based on phosphorescence.
【0073】 [0073]
これらの燐光性化合物として具体的に好ましいのは、特に、元素の周期律表でVIII属の金属を中心金属とする錯体系化合物である。 Specific preferred as these phosphorescent compounds are particularly complex-based compound that the Group VIII metal as a central metal in the periodic table of elements. さらに好ましくは、中心金属がオスミウム、イリジウムまたは白金錯体系化合物である。 More preferably, the central metal is osmium, iridium or platinum-based complex compound. 最も、好ましくは、イリジウム錯体である。 Most preferably, the iridium complex.
【0074】 [0074]
これらの燐光性化合物ドーパントとしては、以下の化合物があげられる。 These phosphorescent compound dopant, the following compounds are mentioned below.
【0075】 [0075]
【化1】 [Formula 1]
【0076】 [0076]
【化2】 ## STR2 ##
【0077】 [0077]
【化3】 [Formula 3]
【0078】 [0078]
これらの発光層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法などの公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。 These light-emitting layer, the compounds, for example, vacuum deposition, spin coating, casting, can be formed by a film by a known thin method such as LB method. 発光層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は5nm〜5μmの範囲で選ばれる。 The film thickness of the light-emitting layer is not particularly limited, usually selected in the range of 5 nm to 5 [mu] m.
【0079】 [0079]
発光層は、これらの発光材料一種又は二種以上からなる一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成又は異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。 Emitting layer may be a single layer structure consisting of the luminescent materials one or two or more, or may be a laminated structure comprising a plurality of layers of the same composition or different compositions.
【0080】 [0080]
また、これらの発光層は、特開昭57−51781号公報に記載されているように、樹脂などの結着材と共に上記発光材料を溶剤に溶かして溶液としたのち、これをスピンコート法などにより薄膜化して形成することができる。 Further, these light-emitting layer, as disclosed in JP-A-57-51781, the light emitting material with a binder such as a resin After a solution dissolved in a solvent, which spin coating, etc. it can be formed into a thin film by.
【0081】 [0081]
又、この発光層は、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、Langmuir−Blodgett法(LB法)などの公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。 Further, the light emitting layer is, for example, a vacuum deposition method, a spin coating method, casting method, can be formed by a film by Langmuir-Blodgett method (LB method) known thin method such. 発光層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は5nm〜5μmの範囲で選ばれる。 The film thickness of the light-emitting layer is not particularly limited, usually selected in the range of 5 nm to 5 [mu] m. これらの発光層は、これらの発光材料一種又は二種以上からなる一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成又は異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。 These light-emitting layer may be a single layer structure consisting of the luminescent materials one or two or more, or may be a laminated structure comprising a plurality of layers of the same composition or different compositions.
【0082】 [0082]
次に正孔注入層、正孔輸送層および電子注入層、電子輸送層について説明する。 Then the hole injection layer, a hole transport layer and an electron injection layer, will be described electron transport layer.
【0083】 [0083]
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔輸送層を陽極と発光層の間に介在させることにより、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入され、そのうえ、発光層に陰極、陰極バッファー層、電子注入層または電子輸送層より注入された電子は、発光層と正孔輸送層の界面に存在する電子の障壁により、発光層内の界面に累積され発光効率が向上するなど発光性能の優れた素子となる。 Hole injection layer, a hole transport layer has a function of transporting holes injected from the anode to the light emitting layer, by interposing the hole transport layer between the anode and the light emitting layer, a lower electric field electronic in many holes are injected into the light emitting layer, moreover, the cathode to the light emitting layer, a cathode buffer layer, electrons injected from the electron injection layer or an electron transport layer, at the interface of the light-emitting layer and the hole transport layer the barriers are accumulated at the interface of the light emitting layer becomes excellent device emitting performance such as luminous efficiency is improved. この正孔輸送層の材料(以下、正孔注入材料、正孔輸送材料という)については、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものやEL素子の正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。 The material of the hole transport layer (hereinafter, hole injection materials, as the hole transport material) for is not particularly limited as long as they have the preferred properties described above, conventionally, in Hikarishirubeden material, a hole charge it can be used from the injection transport material as known for use in the hole transport layer of one or EL elements which are conventionally those select any one.
【0084】 [0084]
上記正孔注入材料、正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。 The hole injection material, a hole transporting material, a hole injection or transport, which has any of the electron barrier property, organic matter may be any of inorganic substance. この正孔輸送材料としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマーなどが挙げられる。 As the hole transport material, for example a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyaryl alkane derivative, a pyrazoline derivative and a pyrazolone derivative, a phenylenediamine derivative, an arylamine derivative, an amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styryl anthracene derivatives , fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymer, and an electroconductive oligomer, particularly like thiophene oligomers. 正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。 As the hole transporting material, it is possible to use those mentioned above, porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds, it is particularly preferable to use an aromatic tertiary amine compound.
【0085】 [0085]
上記芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N Representative examples of the aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds, N, N, N ', N'- tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N, N'-diphenyl -N, N' - bis (3-methylphenyl) - [1,1'-biphenyl] -4,4'-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di -p- tolyl-aminophenyl) propane; 1,1 bis (4-di -p- tolyl-aminophenyl) cyclohexane; N, N, N ', N'- tetra -p- tolyl-4,4'-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di -p- tolylaminophenyl) -4-phenyl cyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenyl methane, bis (4-di -p- tolyl-aminophenyl) phenyl methane; N, N'-diphenyl -N, N −ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−3 - di (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'- tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-bis (diphenylamino) Kuodori phenyl; N, N, N-tri (p- tolyl) amine; 4- (di -p- tolylamino) -4 '- [4- (di -p- tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenyl amino - (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4'-N, N-diphenylamino stilbene; N- phenyl carbazole, further is described in U.S. Patent No. 5,061,569 those having two condensed aromatic rings in the molecule, such as 4,4'-bis [N-(1-naphthyl) -N- phenylamino] biphenyl (NPD), JP-a-4-3 8688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)などが挙げられる。 Triphenylamine units disclosed in 8688 JP is coupled to the three starburst 4,4 ', 4 "- tris [N- (3- methylphenyl) -N- phenylamino] triphenylamine ( MTDATA) and the like.
【0086】 [0086]
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。 Furthermore these materials are introduced in a polymer chain, or these materials can also be used polymeric materials whose main chain of the polymer.
【0087】 [0087]
また、p型−Si、p型−SiCなどの無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。 Further, it is possible to p-type -Si, inorganic compounds such as p-type -SiC used hole injection material, a hole transport material. この正孔注入層、正孔輸送層は、上記正孔注入材料、正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法などの公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。 The hole injection layer, a hole transport layer, the hole injecting material, a hole transport material, for example, vacuum deposition, spin coating, casting, by a known method such as LB method, by thinning it can be formed. 正孔注入層、正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度である。 Hole injection layer, there is no particular limitation on the thickness of the hole transport layer, usually of the order of 5 nm to 5 [mu] m. この正孔注入層、正孔輸送層は、上記材料の一種又は二種以上からなる一層構造であってもよく、同一組成又は異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。 The hole injection layer, a hole transport layer may be a single layer structure made of one or two or more of the above materials or a multilayer structure composed of plural layers of the same composition or different compositions. さらに、必要に応じて用いられる電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。 Further, an electron transport layer for use as needed, optionally selected from conventionally known compounds may have a function of transporting electrons injected from the cathode to the light-emitting layer, as the material it can be used in.
【0088】 [0088]
電子注入層、電子輸送層に用いられる材料(以下、電子注入材料、電子輸送材料という)の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体などが挙げられる。 Electron injection layer, the material used for the electron-transporting layer (hereinafter, electron injection material, as an electron transport material) Examples of a nitro-substituted fluorene derivatives, diphenyl derivatives, thiopyran dioxide derivatives, heterocyclic tetracarboxylic such naphthaleneperylene carboxylic acid anhydrides, carbodiimides, deflection distyrylpyrazine derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, and phenanthroline derivatives. さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子注入材料、電子輸送材料として用いることができる。 Further, in the above-mentioned oxadiazole derivatives, thiadiazole derivatives oxygen atom is replaced with a sulfur atom in the oxadiazole ring, also quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group, using an electron injection material, an electron transport material be able to.
【0089】 [0089]
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。 Furthermore these materials are introduced in a polymer chain, or these materials can also be used polymeric materials whose main chain of the polymer.
【0090】 [0090]
また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)など、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPbに置き替わった金属錯体も、電子注入材料、電子輸送材料として用いることができる。 Also, 8-quinolinol derivative metal complexes such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq3), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum, tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), and the central metal of these metal complexes is an in, Mg, Cu , Ca, Sn, even Ga or Pb, can be used an electron injection material, an electron transporting material. その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基などで置換されているものも、電子注入材料、電子輸送材料として好ましく用いることができる。 Furthermore, a metal free or metal phthalocyanine, or others their ends is replaced by a substituent such as an alkyl group or a sulfonic acid group, it can be preferably used an electron injecting material, an electron transporting material. また、発光層の材料として用いられるジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、n型−Si、n型−SiCなどの無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。 Further, distyryl pyrazine derivatives used as a material for the light-emitting layer may preferably be used as the electron transporting material, a hole injection layer, as a hole transport layer, n-type -Si, inorganic, such as n-type -SiC the semiconductor may also be used as electron transporting materials.
【0091】 [0091]
この電子注入層、電子輸送層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法などの公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。 The electron injection layer and the electron transporting layer, the compound, for example, vacuum deposition, spin coating, casting, can be formed by a film by a known thin method such as LB method. 電子注入層、電子輸送層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は5nm〜5μmの範囲で選ばれる。 Electron injection layer, the film thickness of the electron transport layer is not particularly limited, usually selected in the range of 5 nm to 5 [mu] m. この電子注入層、電子輸送層は、これらの電子注入材料、電子輸送材料一種又は二種以上からなる一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成又は異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。 The electron injection layer and the electron-transporting layer, these electron injecting materials may be a single layer structure made of an electron transporting material one or two or more, or a laminated structure comprising a plurality of layers of the same composition or different compositions it may be.
【0092】 [0092]
さらに、陽極と発光層または正孔注入層の間、および、陰極と発光層または電子注入層との間にはバッファー層(電極界面層)を存在させてもよい。 Furthermore, between the anode and the light emitting layer or a hole injection layer, and may be present buffer layer (electrode interface layer) between the cathode and the light-emitting layer or an electron injection layer.
【0093】 [0093]
バッファー層とは、駆動電圧低下や発光効率向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日 エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(第123頁〜第166頁)に詳細に記載されており、陽極バッファー層と陰極バッファー層とがある。 The buffer layer, a layer which is arranged between an electrode and an organic layer to decrease an operating voltage and luminous efficiency, "Organic EL element and its Industrialization Front (Nov. 30, 1998 issued from NTS Inc. ) 2 Chapter 2 of "" electrode material "(which is described in detail in page 123, second page 166), there is an anode buffer layer and the cathode buffer layer.
【0094】 [0094]
陽極バッファー層は、特開平9−45479号、同9−260062号、同8−288069号等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。 Anode buffer layer, JP-A-9-45479, the 9-260062 Patent describes a also detailed in the 8-288069 Patent etc., specific examples include a phthalocyanine buffer layer represented by a copper phthalocyanine, vanadium oxide an oxide buffer layer represented, an amorphous carbon buffer layer, polyaniline (emeraldine) and a polymer buffer layer employing an electroconductive polymer such as polythiophene to.
【0095】 [0095]
陰極バッファー層は、特開平6−325871号、同9−17574号、同10−74586号等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。 Cathode buffer layer, JP-A-6-325871, the 9-17574 JP, also in the same 10-74586 Patent etc. have been described the details, specifically a metal buffer layer represented by a strontium or aluminum, etc., an alkali metal compound buffer layer represented by lithium fluoride, an alkaline earth metal compound buffer layer represented by magnesium fluoride and an oxide buffer layer represented by aluminum oxide.
【0096】 [0096]
特に、本発明の有機EL素子において、陰極バッファー層が存在した場合、駆動電圧低下や発光効率向上が大きく得られた。 In particular, in the organic EL device of the present invention, when the cathode buffer layer is present, the drive voltage reduction and luminous efficiency was obtained greatly.
【0097】 [0097]
上記バッファー層はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は0.1〜100nmの範囲が好ましい。 The buffer layer is preferably a very thin film, although it depends on the material, its thickness in the range of 0.1~100nm is preferred.
【0098】 [0098]
さらに上記基本構成層の他に必要に応じてその他の機能を有する層を積層してもよく、本発明においては、例えば特開平11−204258号、同11−204359号、および「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日 エヌ・ティー・エス社発行)」の第237頁等に記載されている正孔ブロック層などのような機能層を有しているのが好ましい。 Further it may be laminated a layer having other functions as required in addition to the above basic constituent layers, in the present invention, for example, JP-A-11-204258, the 11-204359 JP, and "an organic EL device preferably it has a functional layer such as its industrialization Front (Nov. 30, 1998 issued from NTS Inc.) "# 237 pp such hole blocking layer described in the.
【0099】 [0099]
正孔ブロック層は、発光層と電子輸送層の間に、又、発光層を正孔輸送層が兼ねる場合には、正孔輸送層と電子輸送層の間に設けられ、ホールの輸送を制御するためのものである。 The hole blocking layer between the light-emitting layer and the electron transporting layer, and, when serving as a light-emitting layer is the hole transport layer is provided between the hole transport layer and an electron transporting layer, controlling the transport of holes it is meant to be. 代表的にはバソクプロイン(BC)やフェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体等の化合物がもちいられているが(前記特開平8−109373号及び特開平10−233284号等)、正孔ブロック層の存在により、注入されたホールは電子輸送層に移動しにくくなるため、正孔ブロック層に充満するようになり、正孔ブロック層に充満した正孔によって、発光層中に正孔が効率よく蓄積し、発光層での電子−正孔の再結合確率を向上させ、発光の高効率化を達成する。 Typically bathocuproine (BC) or phenanthroline derivatives, compounds such as triazole derivatives have been using (JP said Hei 8-109373 and JP-A-10-233284, etc.), the presence of the hole blocking layer, injection to become holes difficult to move to the electron-transporting layer which is, now fills the hole blocking layer, the hole filling the hole blocking layer, holes are efficiently accumulated in the light-emitting layer, the light-emitting layer electrons at - hole improves the probability of recombination, to achieve high efficiency of light emission.
【0100】 [0100]
次に有機EL素子で使用する電極について説明する。 It will now be described electrodes used in organic EL devices. 有機EL素子の電極は、陰極と陽極からなる。 Electrode of the organic EL element is composed of a cathode and an anode.
【0101】 [0101]
この有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。 As the anode in the organic EL device, a large work function (4 eV or more) metals, alloys, those are preferably used for the conductive compound and a mixture thereof with electrode material. このような電極物質の具体例としてはAuなどの金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO 、ZnOなどの導電性透明材料が挙げられる。 Metals such as Au Specific examples of the electrode substance, CuI, indium tin oxide (ITO), a conductive transparent material such as SnO 2, ZnO and the like.
【0102】 [0102]
上記陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。 The anode by methods such as vapor deposition or sputtering of the electrode material film to form, if not desired shape pattern may be formed of, or pattern accuracy requires less by photolithography (100 [mu] m or degree), a pattern may be formed through a mask of a desired form at the time of depositing or spattering of the electrode material. この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。 When light is emitted through the anode, the transmittance is preferably set to not greater than 10%, and the sheet resistance of the anode is preferably several hundreds Omega / □ or less. さらに膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μm、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれる。 Further, although the layer thickness depends on a material, usually 10 nm to 1 m, preferably chosen in the range of 10 nm to 200 nm.
【0103】 [0103]
一方、陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。 On the other hand, as a cathode, a small work function (also referred to as an electron injecting metal) (4 eV or less) metal, alloy, and an electroconductive compound, or a mixture thereof is used as the electrode material. このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウムーカリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al )混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属などが挙げられる。 Specific examples of the electrode substance include sodium, sodium over potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, a magnesium / silver mixture, a magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3) mixture, indium, a lithium / aluminum mixture, and rare earth metals. これらの中で、電子注入性及び酸化などに対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al )混合物、リチウム/アルミニウム混合物などが好適である。 Among these, from the viewpoint of durability against electron injection property and oxidation, a mixture of a second metal values ​​of the electron injection metal and a work function than this is the large stable metal, such as magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3) mixture, it is preferable and lithium / aluminum mixture.
【0104】 [0104]
更に本発明の有機EL素子に用いる陰極としては、アルミニウム合金が好ましく、特にアルミニウム含有量が90質量%以上100質量%未満であることが好ましく、最も好ましくは95質量%以上100質量%未満である。 Furthermore as the cathode used in the organic EL device of the present invention is preferably an aluminum alloy, it is preferable, and most preferably less than 100 wt% to 95 wt%, especially the aluminum content is less than 90 mass% to 100 mass% . これにより、有機EL素子の発光寿命や、最高到達輝度を非常に向上させることができる。 Accordingly, the emission lifetime or the organic EL element can greatly improve the maximum brightness.
【0105】 [0105]
上記陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることにより、作製することができる。 The cathode, by a method such as vapor deposition or sputtering of the electrode material by forming a thin film can be produced. また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜1μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。 The sheet resistance is preferably several hundreds Omega / □ or less of the cathode, the thickness is usually 10 nm to 1 m, is preferably selected in the range of 50 to 200 nm. なお、発光を透過させるため、有機EL素子の陽極又は陰極のいずれか一方が、透明又は半透明であれば発光効率が向上し好都合である。 Herein, to transmit emission, either the anode or the cathode of the organic EL element, emission efficiency it is advantageous to increase if transparent or translucent.
【0106】 [0106]
本発明の有機EL素子に好ましく用いられる基板は、ガラス、プラスチックなどの種類には特に限定はなく、また、透明のものであれば特に制限はない。 Preferably the substrate used for the organic EL device of the present invention, glass, specifically limited to the type such as plastic is not also not particularly limited as long as the transparent. 本発明のエレクトロルミネッセンス素子に好ましく用いられる基板としては例えばガラス、石英、光透過性プラスチックフィルムを挙げることができる。 As preferred substrate used in the electroluminescent device of the present invention may include, for example, glass, quartz, light transmitting plastic film.
【0107】 [0107]
光透過性プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)等からなるフィルム等が挙げられるが、可撓性を有し軽量で好ましい。 The light transmitting plastic film, such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyether sulfone (PES), polyetherimide, polyether ether ketone, polyphenylene sulfide, polyarylate, polyimide, polycarbonate (PC) , cellulose triacetate (TAC), but such a film made of such a cellulose acetate propionate (CAP) and the like, preferably a lightweight flexible.
【0108】 [0108]
次に、該有機EL素子を作製する好適な例を説明する。 Next, a preferred example of manufacturing the organic EL element. 例として、前記の陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極からなるEL素子の作製法について説明する。 As an example, it described manufacturing method of the anode / anode buffer layer / hole transport layer / luminescent layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / consisting cathode EL element. まず適当な基板上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陽極を作製する。 First suitable substrate, desired electrode material, for example, a thin film made of an anode substance, 1 [mu] m or less, preferably such that the thickness in the range of 10 to 200 nm, is formed by a method such as vapor deposition or sputtering, an anode the to produce. 次に、この上に陽極バッファー層、正孔輸送層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、陰極バッファー層の材料からなる薄膜を形成させる。 Then, anode buffer layer on the hole transport layer, light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer to form a thin film made of a material of the cathode buffer layer.
【0109】 [0109]
この有機薄膜層の製膜法としては、前記の如くスピンコート法、キャスト法、蒸着法などがあるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくいなどの点から、真空蒸着法またはスピンコート法が特に好ましい。 The method of forming the organic thin film layer, a spin-coating method as described above, casting, in view of it is such as an evaporation method, homogeneous film is liable to be obtained, and pinholes are not easily generated, vacuum deposition law or spin coating method is particularly preferred. さらに層ごとに異なる製膜法を適用しても良い。 It may be further apply different film method per layer. 製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類、分子堆積膜の目的とする結晶構造、会合構造などにより異なるが、一般にボート加熱温度50〜450℃、真空度10 −6 〜10 −2 Pa、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50〜300℃、膜厚5nm〜5μmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。 When employing the vapor deposition film, the deposition conditions may vary depending upon the particular compound used, the crystal structure of interest of the molecular deposit film, varies depending on such association structures, generally boat temperature 50 to 450 ° C., vacuum 10 -6 to 10 -2 Pa, deposition rate of 0.01 to 50 / sec, a substrate temperature of -50~300 ° C., it is desirable to select appropriate thickness in the range of 5 nm to 5 [mu] m.
【0110】 [0110]
これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、1μm以下好ましくは50〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望のEL素子が得られる。 After formation of these layers, to a thin film made of a cathode material is formed thereon, 1 [mu] m or less preferably such that the thickness in the range of 50 to 200 nm, for example, is formed by a method such as vapor deposition or sputtering, providing a cathode Accordingly, the desired EL element is obtained. この有機EL素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施してもかまわないが、その際には作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。 Preparation of the organic EL element is, but may be subjected to film formation method different extraction halfway preferably made from a single consistently positive hole injection layer vacuuming to the cathode, when the becomes necessary to consider, such as carried out under a dry inert gas atmosphere to work.
【0111】 [0111]
また作製順序を逆にして、陰極、陰極バッファー層、電子輸送層、正孔ブロック層、発光層、正孔輸送層、陽極バッファー層、陽極の順に作製することも可能である。 Further, reversing the preparation order, a cathode, a cathode buffer layer, an electron transport layer, a hole blocking layer, an emission layer, a hole transport layer, an anode buffer layer, it is also possible to prepare the order of the anode. このようにして得られたEL素子に、直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧5〜40V程度を印加すると、発光が観測できる。 Thus the EL element obtained, when applying a DC voltage, the anode to plus and that of the cathode - the application of a voltage of about 5~40V as polarity, light emission occurs. また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。 Also, no at all emission without current flows even if a voltage is applied in reverse polarity. さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が+、陰極が−の状態になったときのみ発光する。 Furthermore, when an AC voltage is applied, the anode +, cathode - emits light only in a state. なお、印加する交流の波形は任意でよい。 The waveform of the alternating current may be arbitrary.
【0112】 [0112]
本発明の電極を用いた有機EL素子においては、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用するのが好ましいが、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレイ)として使用しても良い。 In the organic EL device using the electrode of the present invention, it is preferred to use as a kind of lamps, such as illumination lamp or a light source for exposure, visible type projection apparatus that projects an image, still images and moving images directly it may be used as a type of display device (display) to be. 動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでも良いが。 Although it may be either in an active matrix method in a simple matrix (passive matrix) method driving method when used as a display device for video playback. 前述のように、直接駆動線に電極が接続する、単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式の場合に効果が大きく好ましい。 As described above, the electrode is connected directly to the drive line, the effect is greatly preferred when the simple matrix (passive matrix) method. また、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を2種以上使用することにより、多色を発光させることが可能である。 Further, the organic EL device of the present invention having different emission colors by using two or more, it is possible to emit multiple colors.
【0113】 [0113]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下、本発明に係わる電極及び有機EL素子の実施の形態について具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Hereinafter specifically be described embodiments of the electrode and the organic EL element according to the present invention, the present invention is not limited thereto.
【0114】 [0114]
図1は、ガラス基板上にマスク材を形成した後、金等の金属を蒸着或いはスパッタリングすることで形成した、金等の金属からなる島状の電極1と該電極に電流を供給する配線2、そして、該電極と電流を供給する配線間を電気的に接続し過電流によって溶断もしくは破壊されるヒューズ型配線3からなる本発明の電極の概略図である。 1, after forming a mask material on a glass substrate was formed by metal deposition or sputtering of gold or the like, and supplies a current to the island-shaped electrode 1 and the electrode made of a metal such as gold wire 2 and is a schematic view of the electrode of the present invention comprising a fuse-type wire 3 to be blown or destroyed by electrically connecting overcurrent between wiring for supplying the electrode and current. また、均一な、例えば金等の金属膜形成の後、エッチングにより形成しても良い。 Moreover, uniform, for example, after the metal film forming the gold or the like may be formed by etching.
【0115】 [0115]
例えば、電極及び配線を構成する金属膜は、厚みが200nm(50nmから500nmの範囲が好ましい)になるように蒸着或いはスパッタリング形成され、島状の電極1は600μm×600μmの矩形、該電極1に電流を供給する配線2は幅80μm、電極及び電流を供給する配線の間隔は20μmとなるようにパターニングされる。 For example, the metal film constituting the electrodes and the wiring thickness is deposited or sputtered formed so as to 200 nm (preferably a range of 500nm from 50 nm), the island-shaped electrode 1 is rectangular 600 .mu.m × 600 .mu.m, to the electrode 1 wiring for supplying a current 2 width 80 [mu] m, interval of the wiring for supplying the electrodes and current is patterned so that 20 [mu] m.
【0116】 [0116]
過電流によって溶断もしくは破壊されるヒューズ型配線3は導電性高分子化合物PEDOT/PSSの水性懸濁液(Bayer製 Bytron P TP AI 4083)を用いインクジェット法により島状の電極1と電流を供給する配線2の間に乾燥時の厚みが例えば100nm、配線幅が例えば15μmとなるように印字形成される。 Fuse-type wire 3 to be blown or destroyed by overcurrent supplies the island-shaped electrode 1 and the current by an ink jet method using an aqueous suspension of a conductive polymer compound PEDOT / PSS (Bayer Ltd. Bytron P TP AI 4083) dry thickness, for example 100nm between wire 2, is printed formed so that wiring width is 15μm for example. この配線を細くすることで過電流が流れたときにこの部分が破断し、電極を電流を供給する配線から絶縁できる。 When an overcurrent flows by slimming the wiring breaks this part, it insulated from the wiring for supplying a current to the electrodes. このヒューズ型配線は、又、スクリーン印刷法によって、PEDOT/PSS等の導電性高分子化合物をペースト状としてパターン様に印刷することでも形成できる。 The fuse-type wiring also by screen printing, a conductive polymer compound such as PEDOT / PSS may form by printing in a pattern like as a paste.
【0117】 [0117]
図1(a)は電極及び配線を上面からみた概略図であり、(b)はインクジェット法により導電性高分子化合物懸濁液を島状の電極1及び電流を供給する配線2間に印字したところ、(c)は乾燥されヒューズ型配線が形成されたされたところを示すそれぞれ電極及び配線のa−a′断面図である。 1 (a) is a schematic view of the electrode and the wiring from the top surface, (b) were printed a conducting polymer suspension the island-shaped electrode 1 and current between the wiring 2 for supplying by an ink-jet method where, (c) is a-a 'cross-sectional views, respectively electrodes and wiring showing the place where dried-fuse wire is formed. 金のような仕事関数の大きい金属からなる電極は有機EL素子の陽極として用いることができる。 Electrode made of metal having a large work function such as gold can be used as an anode of the organic EL element. この場合、有機EL素子の陰極は光を取り出せるようにITOのような透明導電膜を用いた電極で構成される。 In this case, the cathode of the organic EL element is composed of an electrode using a transparent conductive film such as ITO to retrieve light.
【0118】 [0118]
図2はITOの様な透明導電性材料で島状の電極を形成した、本発明の有機EL素子の一例を示す概略図である。 Figure 2 is formed the island-shaped electrode with a transparent conductive material such as ITO, is a schematic diagram showing an example of an organic EL device of the present invention. ITO膜を全面ガラス基板上に形成した後(厚み150nm)、フォトリソグラフィーによりマスクを形成し、エッチング(エッチング液としては水、濃塩酸及び40質量%第二塩化鉄溶液を質量比で85:8:7で混合したものをもちいた)によりパターニングを行い複数の島状の電極1を形成する(600μm×600μmの矩形)。 After forming the ITO film on the entire surface of glass substrate (thickness 150 nm), a mask is formed by photolithography, etching (water as an etchant of concentrated hydrochloric acid and 40 wt% ferric chloride solution in a weight ratio of 85: 8 : it was used a mixture 7) by forming the electrodes of a plurality of islands were patterned (rectangle 600 .mu.m × 600 .mu.m). 次いで、フォトマスク形成の後、銅或いは金等の金属膜をスパッタリングにより形成した後(厚み150nm)、マスクを除き、金或いは銅等の金属膜による電流を供給する配線2のパターンを形成する。 Then, after the photomask forming, after forming by sputtering a metal film such as copper or gold (thickness 150 nm), except for the mask to form the wiring 2 of the pattern for supplying a current due to gold or a metal film such as copper. 電流を供給する配線の幅は80μmとなるように、又、各島状の電極との間隔が40μmになるようにパターニングした。 Current so that 80μm is the width of the wiring for supplying a, and the distance between the respective island-shaped electrodes are patterned to be 40 [mu] m. ITO膜による島状の電極及び金属からなる電流を供給する配線パターンに、前記と同様、PEDOT/PSS懸濁液(Bayer製Bytron P TP AI 4083)を用いてインクジェット法により、ITOからなる電極及び電流を供給する配線の間に幅30μm、乾燥時の厚みで50nmのヒューズ型配線3を形成してこれらを接続する。 A wiring pattern for supplying a current consisting of island-shaped electrode and the metal of ITO film, similar to the above, by an inkjet method PEDOT / PSS is used suspension (Bayer Ltd. Bytron P TP AI 4083), electrode and made of ITO width 30μm between wiring for supplying a current, in a dry thickness of forming a fuse-type wiring 3 of 50nm connecting them.
【0119】 [0119]
これら、ITO膜による島状の電極及び金属からなる配線等をパターニングした基板を洗浄容器に入れ、IPA洗浄した後、以下の様に有機EL層4(有機EL素子を構成する電極以外の正孔輸送層、電子輸送層又は発光層等の各層を併せてこう呼ぶ)を一様に順次有機溶媒系の塗布により形成した。 These, a substrate having patterned wiring, etc. formed of island-shaped electrode and the metal of ITO film placed in a cleaning vessel, after IPA washing, holes other than the electrode constituting the organic EL layer 4 (the organic EL element as follows transport layer, call it together layers such as an electron-transporting layer or emitting layer) was formed by coating a uniformly sequential organic solvent system.
【0120】 [0120]
即ち、正孔輸送材料としてポリビニルカルバゾール(Mw=63,000 アルドリッチ製)をジクロロメタンに溶解して得た液をスピンコーターを用いて塗布し乾燥させた40nmの正孔輸送層を形成した。 That is, to form a hole transport layer of 40nm with a solution obtained by dissolving polyvinyl carbazole (Mw = 63,000 Aldrich) in dichloromethane as the hole transport material is applied and dried using a spin coater.
【0121】 [0121]
次いで、更に、湖の正孔輸送層上にポリメチルメタクリレート(PMMA、Mw=120,000 アルドリッチ製)と電子輸送材料としての4,4′−N,N′−ジカルバゾールビフェニル(CBP)と、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム錯体とを、10:20:1の質量比で、メチルエチルケトン/トルエン混合溶液に溶解して得た液を、スピンコーターを用いて塗布し、真空乾燥させることで厚みが40nmの発光層を形成した。 Then, further, polymethyl methacrylate on the hole transport layer of the lake (PMMA, Mw = 120,000 Aldrich) and 4,4'-N as an electron transport material, and N'- dicarbazole biphenyl (CBP), and tris (2-phenylpyridine) iridium complex 10: 20: 1 weight ratio, methyl ethyl ketone / liquid obtained was dissolved in toluene mixed solution was coated using a spin coater, a thickness by vacuum dried There was formed a light-emitting layer of 40 nm.
【0122】 [0122]
次いで有機EL層4をステンレス鋼製のマスク材により覆った後、真空蒸着装置中において、例えば、Mo製抵抗加熱ボート中にマグネシウムを又タングステン製の蒸着用バスケットに銀を入れて、2×10 −4 Paの条件下それぞれを加熱してマグネシウム及び銀を共蒸着して(厚み110nm)銀/マグネシウム混合物からなる陰極5のパターンを、前記陽極である島状の電極1に略対応する幅で電極に対向させるように、且つ、該各島状の電極1に電流を供給する配線2と重ならないように平行に形成する。 Then after covering the organic EL layer 4 by a stainless steel mask material, in a vacuum deposition apparatus, for example, put the silver or tungsten deposition basket magnesium in Mo resistance heating boat, 2 × 10 -4 were co-evaporated heating magnesium and silver, respectively under conditions of Pa pattern of the cathode 5 consisting of (thickness 110 nm) silver / magnesium mixture, substantially corresponding width to the island-shaped electrode 1 is the anode so as to face the electrode, and, in parallel form so as not to overlap with the wiring 2 for supplying a current to the respective island shape electrode 1.
【0123】 [0123]
図2(a)はこの様にして形成した有機EL素子の主に電極及び配線の配置を示す上面概略図であり、図2(b)がb−b′断面図を示す。 2 (a) is a schematic top view showing a main arrangement of the electrodes and wiring of the organic EL element formed in this manner, and FIG. 2 (b) shows a b-b 'cross section.
【0124】 [0124]
照明用として用いることを前提としているため。 Since it is assumed to use for lighting. 陽極に電流を供給する配線と、陰極を構成する帯が平行に重ならないように形成される。 Wiring and for supplying a current to the anode, the band constituting the cathode is formed so as not to overlap in parallel.
【0125】 [0125]
又、全て配線をITO膜で形成しても良いが、ITO膜は金属膜に比べ抵抗率が稍大きいので、これに電流を供給する配線は金属で形成している。 Further, it may be formed all wiring with ITO film, since the ITO film resistivity than metal film is large somewhat, wiring for supplying a current thereto is made of a metal. 仕事関数の低い金属電極が有機EL素子の陰極には用いられるが、透過率の高い陰極材料を得ることは難しい。 Lower metal electrode work function is used for cathode of the organic EL element, it is difficult to obtain a high transmittance cathode material. 一方ITO等の膜は陽極として用いることができるため陽極を透明導電膜とする構成が普通である。 Meanwhile film such as ITO has a usual configuration for the transparent conductive film anode because it can be used as an anode.
【0126】 [0126]
図3は前記のITO膜を用いた島状の電極1のパターニングの後、電流を供給する配線2を金属で形成する際に、電流を供給する配線と同じ材料で過電流により溶断若しくは破壊されるヒューズ型配線3を同時にパターニング形成した例である。 3 after patterning the island-shaped electrode 1 ITO film using the above wiring 2 for supplying a current to the time of forming a metal, blown or broken by an overcurrent in the same material as the wiring for supplying a current is an example of a fuse-type wiring 3 are simultaneously formed by patterning that.
【0127】 [0127]
即ち、ITO膜からなる島状の電極1の形成の後、フォトマスク形成、銅或いは金等の金属膜を蒸着又はスパッタリングにより形成し、マスクを除いて、金或いは銅等の金属からなるで電流を供給する配線2及び過電流によって溶断もしくは破壊されるヒューズ型配線3を同時に形成する。 That is, after the formation of the island-shaped electrode 1 made of an ITO film, a photomask formed, is formed of a metal film vapor deposition or sputtering of such as copper or gold, with the exception of the mask made of a metal such as gold or copper current simultaneously forming a fuse-type wire 3 to be blown or destroyed by the wiring 2 and overcurrent supplies.
図3(a)はこの様にして形成した有機EL素子の主に電極及び配線の配置を示す上面概略図であり、図3(b)がc−c′断面図を示す。 3 (a) is a schematic top view showing a main arrangement of the electrodes and wiring of the organic EL element formed in this manner, and FIG. 3 (b) shows a c-c 'sectional view.
【0128】 [0128]
この例においてはヒューズ型配線と電流を供給する配線が同じ金属材料となるためヒューズ型配線の断面積を電流を供給する配線の1/5以下とすればよい。 May be set to 1/5 or less of the wiring for supplying a current the cross-sectional area of ​​the fuse-type wiring for the wiring for supplying the fuse-type wiring and current are the same metal material in this example.
【0129】 [0129]
その後に有機EL層4及び陰極5を図2における説明と同様に形成して、有機EL素子が得られる。 Thereafter the organic EL layer 4 and the cathode 5 are formed in the same manner as described in FIG. 2, the organic EL device can be obtained. 電極及び各配線のサイズ、幅等については図2と基本的に同じである。 Electrodes and the size of each wiring is basically the same as Figure 2 for width and the like.
【0130】 [0130]
図4には、島状の電極、該電極に電流を供給する配線及びこれらを接続する過電流によって溶断若しくは破壊されるヒューズ型配線を同時に形成した例を示す。 FIG. 4 shows island-like electrodes, an example of forming simultaneously a fuse-type wiring to be blown or destroyed by overcurrent connecting wires and those for supplying current to the electrode.
【0131】 [0131]
ガラス基盤上に形成されたITO膜(厚み100nm)から基板上に第1の電極Aを幅500μmに帯状にパターニング形成した後(陽極として用いる)該電極を有するガラス基板上に以下の各層からなる有機EL層Bを積層した。 Consists of the following layers on a glass substrate having a (used as an anode) the electrode was patterned in a strip shape to the first electrode A width 500μm from a glass substrate on the formed ITO film (thickness 100 nm) on the substrate the organic EL layer B laminated.
【0132】 [0132]
即ち、該ガラス基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、α−NPD(4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル)、CBP(4,4′−(N,N′−ビスカルバゾリル)ビフェニル)、Ir(ppy) (トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム錯体)、BC(バソキュプロイン)、Alq3(トリス(8−キノリノラート)アルミニウム(III))をそれぞれモリブデン製抵抗加熱ボートに入れ真空蒸着装置に取り付けた。 That is, to secure the glass substrate on a substrate holder of a vacuum deposition apparatus available on the market, alpha-NPD (4,4'-bis [N-(1-naphthyl) -N- phenylamino] biphenyl), CBP (4, 4 '- (N, N'Bisukarubazoriru) biphenyl), Ir (ppy) 3 (tris (2-phenylpyridine) iridium complex), BC (the bathocuproin), Alq3 (tris (8-quinolinolato) aluminum (III)), respectively It was attached to a vacuum vapor deposition apparatus placed in a molybdenum resistance heating boat.
【0133】 [0133]
真空槽を4×10 −4 Paまで減圧した後、α−NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、ITO上に正孔輸送層としてα−NPDを蒸着速度0.1〜0.2nm/secで40nmの厚さに蒸着した。 After pressure in the vacuum tank was reduced to 4 × 10 -4 Pa, α- NPD having entered was heated by supplying an electric current to the boat, it deposited alpha-NPD as a hole transport layer on the ITO speed from 0.1 to 0. It was deposited to a thickness of 40nm at 2nm / sec. さらに、CBPの入った前記加熱ボートとIr(ppy) の入ったボートをそれぞれ独立に通電してCBPとIr(ppy) の蒸着速度が100:7になるように調節し、20nmの厚さに蒸着し発光層を設けた。 Further, the deposition rate of the energized CBP of containing said heating boat and Ir (ppy) 3 of containing the boat independently CBP and Ir (ppy) 3 is 100: adjusted so that the 7, the 20nm thick the light-emitting layer provided by vapor deposition to be.
【0134】 [0134]
次いで、BCの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/secで厚さ10nmの正孔ブロック層を設けた。 Then heated by supplying an electric current to the heating boat charged with BC, a hole blocking layer with a thickness of 10nm at a deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / sec. 更に、Alq3の入った前記加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/secで膜厚40nmの電子輸送層を設けた。 Further heated by energizing the heating boat containing Alq3, an electron transporting layer having a thickness of 40nm at a deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / sec. さらに、酸化リチウム(Li O)を0.5nm蒸着した。 In addition, the lithium oxide (Li 2 O) was 0.5nm deposition. 以上により形成した有機EL層Bの上に、ステンレス鋼性のマスク材により覆った後、アルミニウムを真空蒸着によって、110nm積層し、前記第1の電極Aに対向した島状の第2の電極C、電流を供給する配線D及び該第2の電極と電流を供給する配線を接続する過電流により破断するヒューズ型配線Eを同時に形成した。 On the organic EL layer B formed by the above, after covering the stainless steel of the mask material, an aluminum vacuum deposition, 110 nm are stacked, the second electrode C of the first electrode A opposite the islands to form a fuse type wire E to break the overcurrent connecting a wiring for supplying a wire D and the second electrode and the current supplying current simultaneously. 図4に示すように第2の電極は前記ITO膜からなる第1の電極と対向させるように、500×500μmの矩形に、又、これと平行に電流を供給する配線を80μmの幅で、島状の電極との間隔が20μm、接続するヒューズ型配線の幅が15μmとなるようにパターニングした。 As the second electrode 4 is opposed to the first electrode made of the ITO film, a rectangular 500 × 500 [mu] m, also in 80μm width wiring and supplies the parallel to current, distance between the island-shaped electrode is 20 [mu] m, the width of the fuse-type wire to be connected is patterned so that 15 [mu] m. この例では、有機EL素子の陰極を本発明に係わる過電流によって電流を供給する配線から絶縁される電極として用いている。 In this example, it is used as an electrode which is insulated from the wiring for supplying a current by an overcurrent according to the present invention the cathode of the organic EL element.
図4(a)はこの様にして形成した有機EL素子の主に電極及び配線の配置を示す上面概略図であり、図4(b)がd−d′断面図を示す。 4 (a) is a schematic top view showing a main arrangement of the electrodes and wiring of the organic EL element formed in this manner, and FIG. 4 (b) shows a d-d 'sectional view.
ちなみに、この有機EL素子からは、イリジウム錯体であるIr(ppy) からの緑色の発光が得られる。 Incidentally, from the organic EL device, green light emission from Ir (ppy) 3 is an iridium complex is obtained.
【0135】 [0135]
図5には、ガラス基板上に島状の電極及び電流を供給する配線の両方をITO膜で1度にパターニング形成しヒューズ型配線として導電性高分子化合物でこれらを接続し、陽極として用いた有機EL素子例を示す。 Figure 5, both of the wiring for supplying the island-shaped electrode and current on a glass substrate and connecting them with a conductive polymer compound as a pattern formed fuse-type wire at a time in the ITO film was used as an anode It shows an organic EL device example. (a)はガラス等の基板10上にITO透明導電膜を蒸着により形成したところを示す。 (A) shows a was formed by depositing a transparent conductive ITO film on the substrate 10 such as glass. また、NHテクノグラス社製(NA−45)等の様にガラス上にITOを150nm成膜した上市されているガラス基板を用いてもよい。 It is also possible to use a glass substrate with ITO on glass is the city on the 150nm deposited during regular NH Techno Glass (NA-45). (b)はこれにパターニングを行って、ITO膜からなる島状の電極1及び電流を供給する配線2をパターンを形成したところである。 (B) by performing the patterning in this is the wire 2 to supply the island-shaped electrode 1 and the current made of an ITO film was patterned.
【0136】 [0136]
島状の電極は500μm×500μmの矩形、又、電流を供給する配線は幅80μmとし、電極及び電流を供給する配線の間隔は20μmとなるようにパターニングする。 Rectangular island-shaped electrode is 500 [mu] m × 500 [mu] m, also wiring for supplying a current to the width 80 [mu] m, interval of the wiring for supplying the electrodes and current is patterned so that 20 [mu] m.
(c)は形成した島状の電極1及び電流を供給する配線2間を前記同様にPEDOT/PSS水系懸濁液(Bayer製 Bytron P TP AI 4083)を用いてインクジェット法によりパターン印字したところを示す。 (C) a is was patterned printed by an ink jet method using the formed island-shaped electrode 1 and the current the same manner PEDOT / PSS aqueous suspension between lines 2 for supplying (Bayer Ltd. Bytron P TP AI 4083) show.
(d)は真空乾燥により島状の電極1と電流を供給する配線2間を接続するヒューズ型配線3が形成されたところを示す。 (D) of indicating the place where the fuse-type wire 3 for connecting between wiring 2 for supplying the island-shaped electrode 1 and the current by vacuum drying was formed. 乾燥時の厚みはITO膜と同じ、且つ、配線幅は10μmとする。 Dry thickness is the same as the ITO film, and the wiring width and 10 [mu] m.
【0137】 [0137]
次いで、該電極パターン上に、図4の有機EL層と同じ有機EL層を順次、蒸着により形成する(図5(e))。 Then, on the electrode pattern, sequentially the same organic EL layer and the organic EL layer in FIG. 4, it is formed by vapor deposition (FIG. 5 (e)).
【0138】 [0138]
更に該有機EL層4上にマスク材を用いて、アルミニウムを真空蒸着によって、110nm積層し、前記の島状の電極と対向させ、略500μmの幅にパターニング形成して陰極5とする。 Further using a mask material on the organic EL layer 4, the aluminum vacuum deposition, 110 nm are laminated to face the island-shaped electrode, a cathode 5 is patterned to a width of approximately 500 [mu] m.
【0139】 [0139]
電極に電流を供給する配線及びヒューズ型配線と同時に形成された島状の電極を陰極とした有機EL素子の一例を示す概略図である。 Simultaneously formed island-like electrodes and wiring and fuses type wiring for supplying a current to the electrodes is a schematic diagram showing an example of an organic EL device as a cathode.
【0140】 [0140]
図6は、一度のパターニングによって同時にガラス基板上に形成された、電流を供給する配線D、該配線に接続する過電流によって溶断若しくは破壊され電極を電流を供給する配線から絶縁するヒューズ型配線E及びヒューズ型配線と接続する島状の第1の電極A(図6(d)に得られたパターンを示す)を陰極として、該陰極上に、前記図4の説明における順序と逆に有機EL層Bを積層し、該有機EL層上に、ITO膜からなる第2の電極Cを陽極としてマスクパターンを介して、スパッタリングにより形成(厚み100nm)し有機EL素子を形成した例である。 6 were formed on a glass substrate simultaneously by one time of patterning, wiring for supplying a current D, a fuse-type wire E to insulate the wiring for supplying a current to blow or disrupted electrode by an overcurrent to be connected to wiring and the island-shaped first electrode a to be connected to the fuse-type wiring (showing the resulting pattern in FIG. 6 (d)) as a cathode, to said cathode electrode, the organic EL in the opposite order in the description of FIG. 4 the layers B are laminated, the organic EL layer, the second electrode C made of an ITO film through a mask pattern as an anode, an example of forming an organic EL element is formed by sputtering (thickness 100 nm). 前記同様、陰極となる島状の第1の電極Aは600μm×600μmの矩形、又、これに電流を供給する配線2は幅80μmとし、電極及び電流を供給する配線の間隔は20μm、島状の電極と電流を供給する配線を接続するヒューズ型配線は15μmの幅となるようパターニングし、又、陽極である第1の電極Aに対向する帯状のITO膜からなる第2の電極Cの幅は第1の電極Aと略同じ幅とした。 The same, a rectangular island-like first electrode A 600 .mu.m × 600 .mu.m as a cathode, and this in a wiring 2 width 80μm supplies current, the distance of the wiring for supplying the electrodes and current 20 [mu] m, islands fuse-type wiring connecting wiring for supplying the electrode and the current was formed by patterning so that the width of 15 [mu] m, the width of the second electrode C made of a strip-shaped ITO film facing the first electrode a is an anode was substantially the same width as the first electrode a.
【0141】 [0141]
図6(a)は基板10上に第1の電極A、電流を供給する配線D及びヒューズ型配線Eを同時に形成したところを、(b)は該電極パターンを有する基板上に有機EL層Bを形成したところを、更に(c)が第2の電極Cを形成して有機EL素子を構成したところを示す。 6 (a) shows the first electrode A on the substrate 10, a was simultaneously form a wiring D and-fuse wire E for supplying a current, (b) an organic EL layer on the substrate having the electrode pattern B the was forming, showing the place where further (c) has the organic EL device to form a second electrode C.
【0142】 [0142]
以上の様な構成によって、有機EL素子における画素の電極間のショートによって過電流が流れたとき、断面積が小さく形成されたヒューズ型配線が溶断もしくは破壊され、短絡した有機EL素子が電流を供給する配線から絶縁されることで切り離されるために、他の発光単位(画素となる有機EL素子)は影響を受けることがないので、有機EL素子全体としては発光を維持し、全面的なダメージを受けることがない。 By such a structure described above, when the overcurrent flows through a short circuit between electrodes of the pixel in the organic EL element, a fuse-type wiring cross-sectional area which is smaller is blown or destroyed, supplying an organic EL element is a current short-circuited to be detached by being insulated from the wiring, since the other light emitting units (organic EL element comprising a pixel) is not affected, the whole organic EL element to maintain the light emission, the overall damage It does not receive. 照明用の光源に用いる有機EL素子の場合にはトランジスタによって駆動されておらず電流を供給する配線と直接接続する構成となっているので特に効果が高い。 Since a configuration of connecting directly to a wiring for supplying a current not being driven by the transistor in the case of the organic EL element used for illuminating the source effect is particularly high.
【0143】 [0143]
本発明を用いることにより、有機EL(主に照明)用電極を容易に作製することができる。 By using the present invention, it is possible to easily form an electrode for an organic EL (mainly lighting).
【0144】 [0144]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
各々の発光単位を構成する有機EL素子の短絡による発光面全域の非発光を抑制でき、かつ、塗布、印刷により、簡単に、低コストで有機EL素子を構成する各層が形成できる有機EL素子が得られた。 Each can be suppressed non-light emission of the light emitting surface throughout due to a short circuit of the organic EL elements constituting the light emitting unit, and coating, by printing, easily, the organic EL element layers can be formed of the organic EL element at low cost obtained.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】本発明の電極の概略図である。 1 is a schematic view of the electrode of the present invention.
【図2】本発明の有機EL素子の一例を示す概略図である。 Is a schematic diagram showing an example of the organic EL element of the present invention; FIG.
【図3】電流を供給する配線とヒューズ型配線を同時に形成した有機EL素子の一例を示す概略図である。 Figure 3 is a schematic diagram showing an example of an organic EL element formed simultaneously wires and fuse-type wiring for supplying a current.
【図4】島状の電極、電流を供給する配線及びヒューズ型配線を同時に形成した有機EL素子の一例を示す概略図である。 [4] an island-shaped electrode is a schematic diagram showing an example of an organic EL element formed simultaneously wiring and fuse-type wiring for supplying a current.
【図5】島状の電極及び電流を供給する配線の両方をITO膜で1度に形成した有機EL素子の一例を示す概略図である。 [5] Both wiring for supplying the island-shaped electrode and the current is a schematic diagram showing an example of an organic EL element formed in one portion of an ITO film.
【図6】電流を供給する配線及びヒューズ型配線と同時に形成された島状の電極を陰極とした有機EL素子の一例を示す概略図である。 6 is a schematic diagram showing an example of an organic EL device with a cathode at the same time formed island-like electrodes and wiring and fuses type wiring for supplying a current.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
1 島状の電極2,D 電流を供給する配線3,E ヒューズ型配線4,B 有機EL層5 陰極10 ガラス基板A 第1の電極C 第2の電極 1 island electrode 2, wiring for supplying a D current 3, E-fuse wire 4, B organic EL layer 5 the cathode 10 glass substrate A first electrode C second electrode

Claims (17)

  1. 基板上に分離して形成された島状の電極であって、該電極に電流を供給する配線との間が、過電流により溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線によって接続されていることを特徴とする電極。 An electrode of the island-shaped separately formed on the substrate, between the wiring for supplying the current to the electrodes, are connected by a fuse-type wiring electrically insulated blown or destroyed by overcurrent electrode, characterized in that there.
  2. 電極に過電流が流れることにより溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化する配線が導電性高分子化合物からなることを特徴とする請求項1に記載の電極。 The electrode of claim 1, characterized in that wiring for electrically insulated blown or destroyed by an excessive current flows through the electrode is made of conductive polymer compounds.
  3. 基板上に分離して形成された、電流を供給する配線との間が過電流により溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化する配線により接続された島状の電極の製造方法において、過電流により溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線が導電性高分子化合物からなり、且つ、インクジェット法または印刷法により形成されることを特徴とする電極の製造方法。 Were separately formed on the substrate, in the manufacturing method of fusing or destroyed electrically connected by wires to insulated the island-shaped electrode by overcurrent between the wiring for supplying a current, fused by overcurrent or destroyed fuse type wiring electrically insulated is made of a conductive polymer compound, and method of manufacturing the electrode, characterized in that it is formed by an inkjet method or a printing method.
  4. 過電流が流れることにより溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線を、電極に電流を供給する配線又は電極と同じ金属材料で構成したことを特徴とする請求項1に記載の電極。 The electrode of claim 1, characterized in that the fuse-type wiring electrically insulated blown or destroyed by overcurrent, was constructed in an identical metal material and a wiring or an electrode for supplying current to the electrodes.
  5. 基板上に分離して形成された、電流を供給する配線との間が過電流により溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線により接続された島状の電極の製造方法において、 Were separately formed on the substrate, in the manufacturing method of the connected islands electrode by fuse-type wiring electrically insulated blown or destroyed by overcurrent between the wiring for supplying the electric current,
    前記島状の電極、該電極に電流を供給する配線及び過電流により溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線を同じ金属材料から形成し、且つ、蒸着またはスパッタにより一度に形成することを特徴とする電極の製造方法。 The island-shaped electrode, the fuse-type wiring electrically insulated blown or destroyed by the wiring and the overcurrent supplying current to the electrodes and formed of the same metallic material, and is formed at one time by vapor deposition or sputtering method of manufacturing an electrode according to claim.
  6. 透明導電膜からなることを特徴とする請求項1または2に記載の電極。 The electrode according to claim 1 or 2, characterized in that a transparent conductive film.
  7. 請求項1、2、4または6に記載の電極を用いたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 An organic electroluminescent device characterized by using the electrode according to claim 1, 2, 4 or 6.
  8. 電界発光が燐光に基づくものであることを特徴とする請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to claim 7 where electroluminescence is characterized in that is based on phosphorescence.
  9. 請求項1、2、4または6に記載の電極上に単層、もしくは複数の層からなる有機化合物層、更に第2の電極を順次に積層することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 Claim 1, 2, 4 or monolayer on the electrode according to 6 or more of layers the organic compound layer further method of manufacturing an organic electroluminescent device characterized by sequentially stacking the second electrode, .
  10. 単層、もしくは複数の層からなる有機化合物層を塗布にて形成することを特徴とする請求項9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 Single layer, or a method of manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 9, a plurality of a layer organic compound layer and forming at the coating.
  11. 基板上に第1の電極、単層、もしくは複数の層からなる有機化合物層、第2の電極が順次に積層される有機EL素子において、第2の電極は過電流が流れることで溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線を介して電流を供給する配線に接続していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 A first electrode on a substrate, a single layer or multiple of layers the organic compound layer in the organic EL device has a second electrode are sequentially stacked, the second electrode fusing or destroyed by overcurrent flows is organic electroluminescent device, characterized in that connected to a wiring for supplying a current through the electrically-fuse wiring insulated.
  12. 過電流が流れることで溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線が金属材料からなることを特徴とする請求項11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device according to claim 11, fuse-type wiring electrically insulated blown or destroyed by overcurrent is characterized in that it consists of a metallic material.
  13. 過電流が流れることで溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線を、金属材料膜を蒸着またはスパッタにより形成した後、マスク材料を用いパターニングして形成したことを特徴とする請求項12に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 Claim fuse type wiring electrically insulated blown or destroyed by overcurrent flows, after forming by vapor deposition or sputtering a metal material film, characterized by being formed by patterning using a mask material 12 the organic electroluminescent device according to.
  14. 過電流が流れることで溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線が導電性高分子化合物からなることを特徴とする請求項11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to claim 11, characterized in that the fuse-type wiring electrically insulated blown or destroyed by overcurrent flows is made of conductive polymer compounds.
  15. 導電性高分子化合物からなる過電流が流れることで溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線がインクジェット法または印刷法によりパターニングされたことを特徴とする請求項14に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence according to claim 14, fuse-type wiring electrically insulated blown or destroyed by overcurrent flows made of a conductive polymer compound is characterized in that it is patterned by an inkjet method or a printing method element.
  16. 基板がフレキシブルな樹脂基板であることを特徴とする請求項11〜15のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to any one of claims 11 to 15 in which the substrate is characterized in that it is a flexible resin substrate.
  17. 照明用の光源として用いることを特徴とする請求項11〜16のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to any one of claims 11 to 16 which comprises using as a light source for illumination.
JP2003084061A 2003-03-26 2003-03-26 Electrode, its manufacturing method, and organic electroluminescent element Pending JP2004296154A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003084061A JP2004296154A (en) 2003-03-26 2003-03-26 Electrode, its manufacturing method, and organic electroluminescent element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003084061A JP2004296154A (en) 2003-03-26 2003-03-26 Electrode, its manufacturing method, and organic electroluminescent element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004296154A true JP2004296154A (en) 2004-10-21

Family

ID=33399309

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003084061A Pending JP2004296154A (en) 2003-03-26 2003-03-26 Electrode, its manufacturing method, and organic electroluminescent element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004296154A (en)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007005257A (en) * 2005-06-27 2007-01-11 Matsushita Electric Works Ltd Lighting system
US7242141B2 (en) * 2004-09-27 2007-07-10 Osram Opto Semiconductor Gmbh Integrated fuses for OLED lighting device
JP2007227927A (en) * 2006-02-21 2007-09-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Illumination apparatus
JP2009252454A (en) * 2008-04-03 2009-10-29 Rohm Co Ltd Organic electroluminescent device
JP2010509775A (en) * 2006-11-13 2010-03-25 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company Organic electronic devices
JP2010518573A (en) * 2007-02-12 2010-05-27 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Large-area light-emitting diode light sources
JP2011513925A (en) * 2008-03-07 2011-04-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH Optoelectronic element
JP2011526416A (en) * 2008-06-26 2011-10-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company The organic light emitting diode lighting apparatus
WO2011136205A1 (en) * 2010-04-28 2011-11-03 Necライティング株式会社 Organic electroluminescent lighting device and method for manufacturing same
KR101084266B1 (en) * 2009-09-23 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting diode lighting apparatus
WO2012032663A1 (en) * 2010-09-11 2012-03-15 東北パイオニア株式会社 Organic el panel
WO2012032661A1 (en) * 2010-09-11 2012-03-15 パイオニア株式会社 Organic el panel
WO2012032662A1 (en) * 2010-09-11 2012-03-15 パイオニア株式会社 Organic el panel
WO2013098951A1 (en) * 2011-12-27 2013-07-04 パイオニア株式会社 Organic electroluminescence device and method for manufacturing same
WO2014002231A1 (en) * 2012-06-28 2014-01-03 パイオニア株式会社 Organic electroluminescent panel
CN103650070A (en) * 2011-04-07 2014-03-19 拜耳知识产权有限责任公司 Conductive polymers fuse
US8772767B2 (en) 2009-08-24 2014-07-08 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
WO2015079718A1 (en) 2013-11-28 2015-06-04 パイオニア株式会社 Light emitting device
JP2015521361A (en) * 2012-05-31 2015-07-27 エルジー・ケム・リミテッド The organic light emitting device and manufacturing method thereof
US9195058B2 (en) 2011-03-22 2015-11-24 Parker-Hannifin Corporation Electroactive polymer actuator lenticular system
US9231186B2 (en) 2009-04-11 2016-01-05 Parker-Hannifin Corporation Electro-switchable polymer film assembly and use thereof
JP2016518000A (en) * 2013-04-01 2016-06-20 エルジー・ケム・リミテッド The organic light emitting device and manufacturing method thereof
US9425383B2 (en) 2007-06-29 2016-08-23 Parker-Hannifin Corporation Method of manufacturing electroactive polymer transducers for sensory feedback applications
US9553254B2 (en) 2011-03-01 2017-01-24 Parker-Hannifin Corporation Automated manufacturing processes for producing deformable polymer devices and films
US9590193B2 (en) 2012-10-24 2017-03-07 Parker-Hannifin Corporation Polymer diode
US9761790B2 (en) 2012-06-18 2017-09-12 Parker-Hannifin Corporation Stretch frame for stretching process
US9876160B2 (en) 2012-03-21 2018-01-23 Parker-Hannifin Corporation Roll-to-roll manufacturing processes for producing self-healing electroactive polymer devices

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7242141B2 (en) * 2004-09-27 2007-07-10 Osram Opto Semiconductor Gmbh Integrated fuses for OLED lighting device
JP2007005257A (en) * 2005-06-27 2007-01-11 Matsushita Electric Works Ltd Lighting system
JP2007227927A (en) * 2006-02-21 2007-09-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Illumination apparatus
JP2010509775A (en) * 2006-11-13 2010-03-25 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company Organic electronic devices
JP2010518573A (en) * 2007-02-12 2010-05-27 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Large-area light-emitting diode light sources
US9425383B2 (en) 2007-06-29 2016-08-23 Parker-Hannifin Corporation Method of manufacturing electroactive polymer transducers for sensory feedback applications
JP2011513925A (en) * 2008-03-07 2011-04-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH Optoelectronic element
US8653509B2 (en) 2008-03-07 2014-02-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component
JP2009252454A (en) * 2008-04-03 2009-10-29 Rohm Co Ltd Organic electroluminescent device
JP2011526416A (en) * 2008-06-26 2011-10-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company The organic light emitting diode lighting apparatus
US9231186B2 (en) 2009-04-11 2016-01-05 Parker-Hannifin Corporation Electro-switchable polymer film assembly and use thereof
US8772767B2 (en) 2009-08-24 2014-07-08 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
KR101084266B1 (en) * 2009-09-23 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting diode lighting apparatus
US8247808B2 (en) 2009-09-23 2012-08-21 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting lighting apparatus
US9680125B2 (en) 2010-04-28 2017-06-13 Nec Lighting, Ltd. Organic electroluminescent lighting device and method for manufacturing the same
JPWO2011136205A1 (en) * 2010-04-28 2013-07-22 Necライティング株式会社 The organic electroluminescent lighting device, and a manufacturing method thereof
WO2011136205A1 (en) * 2010-04-28 2011-11-03 Necライティング株式会社 Organic electroluminescent lighting device and method for manufacturing same
JPWO2012032662A1 (en) * 2010-09-11 2013-12-12 パイオニア株式会社 Organic el panel
WO2012032661A1 (en) * 2010-09-11 2012-03-15 パイオニア株式会社 Organic el panel
WO2012032663A1 (en) * 2010-09-11 2012-03-15 東北パイオニア株式会社 Organic el panel
WO2012032662A1 (en) * 2010-09-11 2012-03-15 パイオニア株式会社 Organic el panel
US9553254B2 (en) 2011-03-01 2017-01-24 Parker-Hannifin Corporation Automated manufacturing processes for producing deformable polymer devices and films
US9195058B2 (en) 2011-03-22 2015-11-24 Parker-Hannifin Corporation Electroactive polymer actuator lenticular system
EP2695170A4 (en) * 2011-04-07 2015-05-27 Parker Hannifin Corp Conductive polymer fuse
CN103650070A (en) * 2011-04-07 2014-03-19 拜耳知识产权有限责任公司 Conductive polymers fuse
WO2013098951A1 (en) * 2011-12-27 2013-07-04 パイオニア株式会社 Organic electroluminescence device and method for manufacturing same
US9876160B2 (en) 2012-03-21 2018-01-23 Parker-Hannifin Corporation Roll-to-roll manufacturing processes for producing self-healing electroactive polymer devices
JP2015521361A (en) * 2012-05-31 2015-07-27 エルジー・ケム・リミテッド The organic light emitting device and manufacturing method thereof
JP2017143074A (en) * 2012-05-31 2017-08-17 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Organic light-emitting element and method of manufacturing the same
US9761790B2 (en) 2012-06-18 2017-09-12 Parker-Hannifin Corporation Stretch frame for stretching process
US9444071B2 (en) 2012-06-28 2016-09-13 Pioneer Corporation Organic electroluminescent panel
WO2014002231A1 (en) * 2012-06-28 2014-01-03 パイオニア株式会社 Organic electroluminescent panel
US9590193B2 (en) 2012-10-24 2017-03-07 Parker-Hannifin Corporation Polymer diode
JP2016518000A (en) * 2013-04-01 2016-06-20 エルジー・ケム・リミテッド The organic light emitting device and manufacturing method thereof
WO2015079718A1 (en) 2013-11-28 2015-06-04 パイオニア株式会社 Light emitting device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5358050B2 (en) The light-emitting device
JP3488474B2 (en) The anode modifying for an organic light-emitting diode
JP4608170B2 (en) Active drive type organic el display device and manufacturing method thereof
CN1278295C (en) Organic luminous display device
JP5236060B2 (en) The organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof
JP3526877B2 (en) Color variable bipolar / ac light-emitting element
JP4112030B2 (en) Organic electroluminescent devices
CA2514506C (en) Oleds having inorganic material containing anode capping layer
US5834894A (en) Carrier injection type organic electro-luminescent device which emits light in response to an application of a voltage
EP1289015B1 (en) Multicolor light emission apparatus and manufacturing method thereof
JP3463971B2 (en) Organic active el light-emitting device
JP4408382B2 (en) The organic light-emitting display device
JP4770033B2 (en) The organic electroluminescence element
JP4144192B2 (en) Method of fabricating an organic light emitting element
JP4225043B2 (en) The organic electroluminescence device, a method of manufacturing a display device, an illumination device and light source
JP4302901B2 (en) Light emitter and a light-emitting system
KR100385500B1 (en) multicolor organic LED array and method of fabrication
EP1786242B1 (en) Organic electroluminescence device, display apparatus and lighting apparatus
JP4427947B2 (en) The organic electroluminescent element and a display device
JP4264994B2 (en) The method of manufacturing the organic electroluminescent display device
KR100915271B1 (en) Organic Electroluminescence Element and Display
JP4288895B2 (en) A method of manufacturing an organic electroluminescence
JP4689176B2 (en) The organic electroluminescence element
JP4837958B2 (en) The organic electroluminescence element
JP5389313B2 (en) Organic light-emitting element

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20060314

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090127

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090609