JP2009064562A

JP2009064562A - Manufacturing method of light emitting apparatus, and light emitting apparatus

Info

Publication number: JP2009064562A
Application number: JP2007228609A
Authority: JP
Inventors: Taku Akagawa; 卓赤川
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2007-09-04
Filing date: 2007-09-04
Publication date: 2009-03-26

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting apparatus which improves an extraction efficiency of light emission without reducing the yield. <P>SOLUTION: The manufacturing method of a light emitting apparatus includes a seed forming process in which a seed portion 32 of an island shape is formed on a substrate 31, a reflection layer forming process in which a reflection layer 33 is formed with the seed portion 32 as a core, and a light emitting element forming process in which an organic EL element 21 having a light emitting functional layer 42 is formed on the reflection layer 33. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光装置の製造方法及び発光装置に関するものである。 The present invention relates to a light emitting device manufacturing method and a light emitting device.

有機ＥＬ（Electroluminescence）装置などの発光装置は、薄型、全固体型、面状自発光及び高速応答であるといった特徴を有しており、フラットディスプレイパネルやバックライトへの応用が期待されている。このような有機ＥＬ装置は、一対の電極間に発光層を配置した構成を有しており、一対の電極間に電圧を印加して発光層内で正孔と電子とを再結合させることにより発光する。
ここで、発光素子を形成する基板の表面に凹凸形状を付すことにより、発光の取り出し効率の向上を図ったボトムエミッション構造の有機ＥＬ装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開平９−１１５６６７号公報 A light emitting device such as an organic EL (Electroluminescence) device has features such as a thin type, an all-solid-state type, a planar self-emission and a high-speed response, and is expected to be applied to a flat display panel and a backlight. Such an organic EL device has a configuration in which a light emitting layer is disposed between a pair of electrodes, and a voltage is applied between the pair of electrodes to recombine holes and electrons in the light emitting layer. Emits light.
Here, an organic EL device having a bottom emission structure has been proposed in which unevenness is given to the surface of a substrate on which a light emitting element is formed to improve the light emission extraction efficiency (see, for example, Patent Document 1).
JP-A-9-115667

しかしながら、上記従来の有機ＥＬ装置においても、以下の課題が残されている。すなわち、上記有機ＥＬ装置では、基板に加工を施して凹凸形状を付しているため、有機ＥＬ装置の歩留まりが低下するという問題がある。 However, the following problems remain in the conventional organic EL device. In other words, the organic EL device has a problem that the yield of the organic EL device is reduced because the substrate is processed to have a concavo-convex shape.

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms.

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかる発光装置の製造方法は、基材上に島状のシード部を形成するシード形成工程と、無電解メッキ法により、前記シード部を核として反射層を形成する反射層形成工程と、前記反射層上に発光機能層を有する発光素子を形成する発光素子形成工程とを備えることを特徴とする。 The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems. That is, a method for manufacturing a light emitting device according to the present invention includes a seed formation step of forming an island-shaped seed portion on a substrate, and a reflective layer formation that forms a reflective layer with the seed portion as a nucleus by an electroless plating method. And a light emitting element forming step of forming a light emitting element having a light emitting functional layer on the reflective layer.

この発明では、無電解メッキ法により表面に曲面が形成された反射層が形成されるため、発光装置の歩留まりを低下させることなく発光素子における発光の取り出し効率を向上させることができる。
すなわち、無電解メッキ法を用いることで、反射層の構成材料がシード層を核としてシード部の表面において等方的に析出される。このため、基材に加工を施して発光装置の歩留まりを低下させることなく、反射層の表面に曲面形状を付すことができる。そして、発光機能層から反射層に向けて放射される光は、反射層により反射して発光素子における基材から離間する一方の面から射出する。また、発光機能層から基材の面方向と平行な方向に放射された光も、表面に凹凸形状が付された反射層において反射して発光素子における基材から離間する一方の面から射出する。これにより、発光素子における発光の取り出し効率が向上する。
また、反射層の表面に凹凸形状を付して反射層の表面を平面とした場合と比較して発光機能層の表面積を増大させることにより、発光素子における発光効率をさらに向上させることができる。 In this invention, since the reflective layer having a curved surface is formed by the electroless plating method, it is possible to improve the light extraction efficiency in the light emitting element without reducing the yield of the light emitting device.
That is, by using the electroless plating method, the constituent material of the reflective layer is isotropically deposited on the surface of the seed portion with the seed layer as a nucleus. For this reason, a curved surface shape can be given to the surface of the reflective layer without processing the base material to reduce the yield of the light emitting device. And the light radiated | emitted toward a reflection layer from a light emitting functional layer is inject | emitted from one surface separated from the base material in a light emitting element, reflected by a reflection layer. In addition, light emitted from the light emitting functional layer in a direction parallel to the surface direction of the base material is also reflected by the reflective layer having a concavo-convex shape on the surface and is emitted from one surface separated from the base material in the light emitting element. . Thereby, the light extraction efficiency of the light emitting element is improved.
In addition, the luminous efficiency of the light-emitting element can be further improved by increasing the surface area of the light-emitting functional layer as compared with the case where the surface of the reflective layer is uneven and the surface of the reflective layer is flat.

また、本発明にかかる発光装置の製造方法は、前記シード形成工程で、前記基材上における前記発光素子の形成領域内に前記シード部を複数形成することが好ましい。
この発明では、シード部の分布を適宜変更することで、反射層の表面における凹凸形状を制御できる。したがって、有機ＥＬ装置の視角特性を調整できる。 In the method for manufacturing a light emitting device according to the present invention, it is preferable that in the seed formation step, a plurality of the seed portions are formed in a formation region of the light emitting element on the substrate.
In this invention, the uneven | corrugated shape in the surface of a reflection layer is controllable by changing the distribution of a seed part suitably. Therefore, the viewing angle characteristic of the organic EL device can be adjusted.

また、本発明にかかる発光装置の製造方法は、前記反射層形成工程で、隣り合う前記シード部それぞれを被覆する前記反射層それぞれが、互いに接続することが好ましい。
この発明では、発光機能層から基材に向けて放射された光が基材から射出することを防止し、発光素子において基材から離間する一方の面から射出させることができる。 In the method for manufacturing a light emitting device according to the present invention, it is preferable that in the reflective layer forming step, the reflective layers covering the adjacent seed parts are connected to each other.
In this invention, it can prevent that the light radiated | emitted toward the base material from the light emission functional layer inject | emits from a base material, and can make it inject | emitted from one side spaced apart from a base material in a light emitting element.

また、本発明にかかる発光装置の製造方法は、前記反射層が、前記発光素子を構成する一対の電極の一方を構成することが好ましい。
この発明では、反射層が発光素子を構成して発光機能層に対して電圧を印加する一対の電極の一方として機能することで、製造工程の簡略化が図れる。 In the method for manufacturing a light emitting device according to the present invention, it is preferable that the reflective layer constitutes one of a pair of electrodes constituting the light emitting element.
In this invention, since the reflective layer functions as one of a pair of electrodes that constitute a light emitting element and applies a voltage to the light emitting functional layer, the manufacturing process can be simplified.

また、本発明にかかる発光装置の製造方法は、前記反射層が、ニッケルで形成されていることが好ましい。
この発明では、発光素子を構成する一方の電極として一般的に用いられるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）と同程度の仕事関数を有するニッケルを用いて反射層を形成する。 In the method for manufacturing a light emitting device according to the present invention, it is preferable that the reflective layer is made of nickel.
In the present invention, the reflective layer is formed using nickel having a work function similar to that of ITO (Indium Tin Oxide) generally used as one electrode constituting the light emitting element.

また、本発明にかかる発光装置は、基材と、該基材上に形成された島状のシード部と、該シード部を被覆して表面が曲面である反射層と、該反射層上に形成されて発光機能層を有する発光素子とを備えることを特徴とする。
この発明では、上述と同様に、発光装置の歩留まりを低下させることなく発光素子における発光の取り出し効率を向上させることができる。また、反射層の表面に凹凸形状を付して発光機能層の表面積を増大させることにより、発光素子における発光効率をさらに向上させることができる。 In addition, the light emitting device according to the present invention includes a base material, an island-shaped seed portion formed on the base material, a reflective layer that covers the seed portion and has a curved surface, and a reflective layer on the reflective layer. And a light-emitting element having a light-emitting functional layer.
In the present invention, as described above, the light extraction efficiency of the light emitting element can be improved without reducing the yield of the light emitting device. Moreover, the luminous efficiency in the light emitting element can be further improved by increasing the surface area of the light emitting functional layer by providing an uneven shape on the surface of the reflective layer.

［第１の実施形態］
〔有機ＥＬ装置〕
以下、本発明における有機ＥＬ装置（発光装置）及び有機ＥＬ装置の製造方法の第１の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。ここで、図１は有機ＥＬ装置を示す概略構成図、図２は図１の等価回路図、図３（ａ）は本実施形態における有機ＥＬ装置の画素領域を示す断面図、図３（ｂ）は画素領域を示す平面図である。なお、図３（ｂ）では、陰極層の図示を省略している。 [First Embodiment]
[Organic EL device]
Hereinafter, a first embodiment of an organic EL device (light-emitting device) and a method for manufacturing an organic EL device according to the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing used in the following description, the scale is appropriately changed to make each member a recognizable size. Here, FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an organic EL device, FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of FIG. 1, FIG. 3A is a cross-sectional view showing a pixel region of the organic EL device in this embodiment, and FIG. ) Is a plan view showing a pixel region. In FIG. 3B, the cathode layer is not shown.

本実施形態における有機ＥＬ装置１は、図１に示すように、平面視でほぼ矩形の基板２と、基板２に重ね合わされた封止基板３（図３（ａ）に示す）とを備えている。基板２の中央部分には、図１及び図２に示すように、複数の画素領域１１、データ線１２、走査線１３及び電源線１４が配置された実表示領域１５が形成されている。また、基板２の実表示領域１５の外側には、図１に示すように、データ線駆動回路１６及び走査線駆動回路１７が配置されたダミー領域１８が形成されている。そして、基板２のダミー領域１８の外側には、後述する陰極層（一対の電極の他方）４３に接続される陰極用配線１９が配置されている。この実表示領域１５及びダミー領域１８により、画素部２０が形成されている。 As shown in FIG. 1, the organic EL device 1 according to the present embodiment includes a substantially rectangular substrate 2 in plan view and a sealing substrate 3 (shown in FIG. 3A) superimposed on the substrate 2. Yes. As shown in FIGS. 1 and 2, an actual display area 15 in which a plurality of pixel areas 11, data lines 12, scanning lines 13, and power supply lines 14 are arranged is formed in the central portion of the substrate 2. Further, as shown in FIG. 1, a dummy area 18 in which the data line driving circuit 16 and the scanning line driving circuit 17 are arranged is formed outside the actual display area 15 of the substrate 2. A cathode wiring 19 connected to a cathode layer (the other of the pair of electrodes) 43 described later is disposed outside the dummy region 18 of the substrate 2. A pixel portion 20 is formed by the actual display area 15 and the dummy area 18.

複数の画素領域１１それぞれには、図２に示すように、有機ＥＬ素子（発光素子）２１が設けられている。また、複数の画素領域１１それぞれには、有機ＥＬ素子２１の後述する陽極層（一対の電極の一方）４１をスイッチング制御するためのＴＦＴ素子２２、２３と、保持容量２４とが設けられている。
ＴＦＴ素子２２は、ゲートが走査線１３に接続されて、ソースがデータ線１２に接続され、ドレインがＴＦＴ素子２３及び保持容量２４に接続されている。また、ＴＦＴ素子２２は、走査線１３を介して走査線駆動回路１７から供給された走査信号に応じて、データ線１２を介してデータ線駆動回路１６から供給されたデータ信号を保持容量２４に供給する構成となっている。
ＴＦＴ素子２３は、ゲートがＴＦＴ素子２２のドレインに接続され、ソースが電源線１４に接続され、ドレインが陽極層４１に接続されている。そして、ＴＦＴ素子２３は、保持容量２４で保持されたデータ信号に応じてオン・オフ状態が決定され、電源線１４を介して供給される駆動電流を陽極層４１に供給する構成となっている。
データ線１２、走査線１３及び電源線１４は、実表示領域１５内において格子状に配置されている。そして、データ線１２はデータ線駆動回路１６に接続され、走査線１３は走査線駆動回路１７に接続されている。 Each of the plurality of pixel regions 11 is provided with an organic EL element (light emitting element) 21 as shown in FIG. Each of the plurality of pixel regions 11 is provided with TFT elements 22 and 23 for switching control of an anode layer (one of a pair of electrodes) 41 described later of the organic EL element 21 and a storage capacitor 24. .
The TFT element 22 has a gate connected to the scanning line 13, a source connected to the data line 12, and a drain connected to the TFT element 23 and the storage capacitor 24. Further, the TFT element 22 supplies the data signal supplied from the data line driving circuit 16 via the data line 12 to the storage capacitor 24 in accordance with the scanning signal supplied from the scanning line driving circuit 17 via the scanning line 13. It is configured to supply.
The TFT element 23 has a gate connected to the drain of the TFT element 22, a source connected to the power supply line 14, and a drain connected to the anode layer 41. The TFT element 23 is configured to be turned on / off according to the data signal held by the holding capacitor 24 and to supply the anode layer 41 with the drive current supplied via the power line 14. .
The data lines 12, the scanning lines 13, and the power supply lines 14 are arranged in a grid pattern in the actual display area 15. The data line 12 is connected to the data line driving circuit 16, and the scanning line 13 is connected to the scanning line driving circuit 17.

次に、有機ＥＬ装置１の画素領域１１における詳細な構成について、図３を参照しながら説明する。
基板２は、図３（ａ）に示すように、基材３１と、基材３１上に積層されたシード部３２、反射層３３、有機ＥＬ素子２１とを備えている。なお、本実施形態における有機ＥＬ装置１は、有機ＥＬ素子２１で発光した光を基板２の上面から射出するトップエミッション構造となっている。
基材３１は、例えばガラスなどで形成された基板本体３５と、基板本体３５上に積層された駆動素子層３６とを備えている。この駆動素子層３６には、上述したＴＦＴ素子２２、２３、保持容量２４、データ線１２、走査線１３及び電源線１４と適宜の絶縁膜（図示略）とが設けられている。 Next, a detailed configuration of the pixel region 11 of the organic EL device 1 will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 3A, the substrate 2 includes a base material 31, a seed portion 32, a reflective layer 33, and an organic EL element 21 stacked on the base material 31. The organic EL device 1 according to the present embodiment has a top emission structure in which light emitted from the organic EL element 21 is emitted from the upper surface of the substrate 2.
The base material 31 includes a substrate body 35 made of, for example, glass, and a drive element layer 36 stacked on the substrate body 35. The driving element layer 36 is provided with the TFT elements 22 and 23, the storage capacitor 24, the data line 12, the scanning line 13, the power supply line 14, and an appropriate insulating film (not shown).

シード部３２は、例えばＡｌ（アルミニウム）で形成されており、図３（ｂ）に示すように、画素領域１１内において島状に複数（図３（ｂ）においては２つ）配置されている。シード部３２は、平面視でほぼ帯状であって平面視でほぼ矩形の画素領域１１における一対の長辺それぞれの縁部において長軸方向に沿って延在している。また、同一の画素領域１１内に配置された複数のシード部３２のうち少なくとも１つは、駆動素子層３６に設けられたＴＦＴ素子２３のドレインに接続されている。
反射層３３は、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、例えばＮｉ（ニッケル）で形成されており、複数のシード部３２それぞれを被覆している。そして、複数の反射層３３それぞれは、図３（ｂ）に示すように、被覆しているシード部３２を核として等方的に形成されており、画素領域１１の短軸方向の中央部において他方の反射層３３の縁部に接続されている。したがって、反射層３３の延在方向は、画素領域１１の長軸方向に沿っている。また、反射層３３がシード部３２を核として等方的に形成されていることから、反射層３３の少なくとも一部は、基材３１の上面と接触している。 The seed part 32 is made of, for example, Al (aluminum), and as shown in FIG. 3B, a plurality of seed parts 32 (two in FIG. 3B) are arranged in the pixel region 11. . The seed part 32 extends along the major axis direction at the edge of each of the pair of long sides in the pixel region 11 that is substantially band-like in plan view and substantially rectangular in plan view. In addition, at least one of the plurality of seed parts 32 arranged in the same pixel region 11 is connected to the drain of the TFT element 23 provided in the drive element layer 36.
As shown in FIGS. 3A and 3B, the reflective layer 33 is made of, for example, Ni (nickel) and covers each of the plurality of seed portions 32. As shown in FIG. 3B, each of the plurality of reflective layers 33 is formed isotropically with the covering seed portion 32 as a nucleus, and in the central portion of the pixel region 11 in the minor axis direction. The other reflection layer 33 is connected to the edge. Therefore, the extending direction of the reflective layer 33 is along the long axis direction of the pixel region 11. Further, since the reflective layer 33 is isotropically formed with the seed portion 32 as a nucleus, at least a part of the reflective layer 33 is in contact with the upper surface of the base material 31.

有機ＥＬ素子２１は、図３（ａ）に示すように、反射層３３側から順に陽極層４１、発光機能層４２及び陰極層４３を積層した構成となっている。
陽極層４１は、例えばＩＴＯで形成されており、シード部３２及び反射層３３を介して駆動素子層３６に設けられたＴＦＴ素子２３のドレインに接続されている。 As shown in FIG. 3A, the organic EL element 21 has a configuration in which an anode layer 41, a light emitting functional layer 42, and a cathode layer 43 are laminated in order from the reflective layer 33 side.
The anode layer 41 is made of, for example, ITO, and is connected to the drain of the TFT element 23 provided in the drive element layer 36 via the seed portion 32 and the reflective layer 33.

発光機能層４２は、陽極層４１側から順に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を積層した構成となっている。
ここで、正孔注入層及び正孔輸送層それぞれは、例えばトリフェニルアミン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などで形成されている。 The light emitting functional layer 42 has a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are stacked in this order from the anode layer 41 side.
Here, each of the hole injection layer and the hole transport layer is formed of, for example, a triphenylamine derivative, a pyrazoline derivative, an arylamine derivative, a stilbene derivative, a triphenyldiamine derivative, or the like.

また、発光層は、低分子の有機発光色素や高分子発光体のような各種の蛍光物質や燐光物質などの発光物質、例えばＡｌｑ_３（トリス（８−キノリノール）アルミニウム））などで形成されている。発光物質となる共役系高分子の中では、アリーレンビニレンまたはポリフルオレン構造を含むものなどが特に好ましい。また、低分子発光体では、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体などが使用可能である。なお、発光層は、電圧の印加により白色に発光するように形成されている。 The light-emitting layer is formed of various fluorescent materials such as low-molecular organic light-emitting dyes and polymer light-emitting materials, and light-emitting materials such as phosphorescent materials, such as Alq ₃ (Tris (8-quinolinol) aluminum)). Yes. Among the conjugated polymers that serve as a light-emitting substance, those containing an arylene vinylene or polyfluorene structure are particularly preferable. Further, in the low molecular light emitter, for example, naphthalene derivatives, anthracene derivatives, perylene derivatives, polymethine-based, xanthene-based, coumarin-based, cyanine-based pigments, 8-hydroquinoline and its metal complexes, aromatic amines, tetra Phenylcyclopentadiene derivatives and the like can be used. Note that the light emitting layer is formed so as to emit white light when a voltage is applied.

そして、電子輸送層は、例えばアキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体などで形成されている。 And the electron transport layer is, for example, an axadiazole derivative, anthraquinodimethane and its derivative, benzoquinone and its derivative, naphthoquinone and its derivative, anthraquinone and its derivative, tetracyanoanthraquinodimethane and its derivative, fluorenone derivative, diphenyl It is formed of dicyanoethylene and derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and derivatives thereof, and the like.

陰極層４３は、発光機能層４２側から順にＬｉＦ（フッ化リチウム）膜及びＡｌ（アルミニウム）膜を積層した構成となっている。なお、陰極層４３、複数の画素領域１１の全域にわたる共通電極となっている。
また、基材３１の上面には、各画素領域１１を縁取る隔壁４４が設けられている。隔壁４４は、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂などで形成されている。 The cathode layer 43 has a structure in which a LiF (lithium fluoride) film and an Al (aluminum) film are stacked in this order from the light emitting functional layer 42 side. Note that the cathode layer 43 and the plurality of pixel regions 11 are common electrodes.
A partition wall 44 that borders each pixel region 11 is provided on the upper surface of the substrate 31. The partition 44 is made of, for example, an acrylic resin or a polyimide resin.

封止基板３は、透明接着層４５により基板２に貼り合わされており、基板本体４６と、基板本体４６の表面に形成されたカラーフィルタ層４７及び遮光膜４８とを備えている。
基板本体４６は、例えばガラスなどの透光性材料で形成されている。
カラーフィルタ層４７は、画素領域１１に対応して配置されており、例えばアクリルなどで構成されて各画素領域１１の表示色に対応する色材を含有している。
遮光膜４８は、平面視で隔壁４４と重なるように配置されており、画素領域１１を縁取っている。 The sealing substrate 3 is bonded to the substrate 2 with a transparent adhesive layer 45 and includes a substrate body 46, a color filter layer 47 and a light shielding film 48 formed on the surface of the substrate body 46.
The substrate body 46 is made of a light-transmitting material such as glass.
The color filter layer 47 is disposed corresponding to the pixel region 11 and is made of, for example, acrylic and contains a color material corresponding to the display color of each pixel region 11.
The light shielding film 48 is disposed so as to overlap the partition wall 44 in plan view, and borders the pixel region 11.

〔有機ＥＬ素子の製造方法〕
次に、異常のような構成の有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。
まず、基材３１を形成する。ここでは、基板本体３５上に上述したＴＦＴ素子２２、２３、保持容量２４、データ線１２、走査線１３及び電源線１４と適宜の絶縁膜（図示略）を設け、駆動素子層３６を形成する。
次に、基材３１の上面にシード部３２を形成する（シード形成工程）。ここでは、駆動素子層３６の上面にＡｌ膜を形成し、これをパターニングする。これにより、基材３１上において画素領域１１となる領域それぞれにシード部３２が形成される。そして、基材３１の上面に隔壁４４を形成する。 [Method for producing organic EL element]
Next, a manufacturing method of the organic EL device 1 having an abnormal configuration will be described.
First, the base material 31 is formed. Here, the TFT elements 22 and 23, the storage capacitor 24, the data line 12, the scanning line 13 and the power supply line 14 and an appropriate insulating film (not shown) are provided on the substrate body 35 to form the driving element layer 36. .
Next, the seed part 32 is formed on the upper surface of the base material 31 (seed formation process). Here, an Al film is formed on the upper surface of the drive element layer 36 and patterned. Thereby, the seed part 32 is formed in each area | region used as the pixel area | region 11 on the base material 31. FIG. Then, a partition wall 44 is formed on the upper surface of the base material 31.

続いて、シード部３２を核として無電解メッキ法により反射層３３を形成する（反射層形成工程）。
ここでは、最初にＡｌからなるシード部３２の残渣の除去やシード部３２の表面の濡れ性の向上を行う。まず、フッ酸を０．０１重量％以上０．１重量％以下、硫酸を０．０１重量％以上１重量％以下含有する水溶液中に、シード部３２が形成された基材３１を１分から５分浸漬する。なお、０．１重量％以上１０重量％以下の水酸化ナトリウムなどを含有するアルカリ水溶液中に、シード部３２が形成された基材３１を１分から１０分浸漬してもよい。 Subsequently, the reflection layer 33 is formed by electroless plating using the seed portion 32 as a nucleus (reflection layer forming step).
Here, first, the residue of the seed part 32 made of Al is removed and the wettability of the surface of the seed part 32 is improved. First, the base material 31 on which the seed portion 32 is formed in an aqueous solution containing 0.01 to 0.1% by weight of hydrofluoric acid and 0.01 to 1% by weight of sulfuric acid for 1 minute to 5%. Immerse for a minute. In addition, you may immerse the base material 31 in which the seed part 32 was formed in 1 to 10 minutes in alkaline aqueous solution containing 0.1 weight% or more and 10 weight% or less sodium hydroxide.

そして、水酸化ナトリウムを含有してｐＨが９から１３であって２０℃以上６０℃以下に加温したアルカリ水溶液中に、シード部３２が形成された基材３１を浸漬し、シード部３２の表面に形成された酸化膜であるアルミナを除去する。なお、５重量％以上３０重量％以下の硝酸を含有してｐＨが１から３であって２０℃以上６０℃以下に加温した酸性水溶液中に、シード部３２が形成された基材３１を１秒から５分浸漬してもよい。
その後、酸化亜鉛を含有してｐＨが１１から１３であるジンケート溶液中に、シード部３２が形成された基材３１を１秒から２分浸漬し、シード部３２の表面を亜鉛で置換する。そして、５重量％以上３０重量％以下の硝酸を含有する水溶液中に、シード部３２が形成された基材３１を１秒から６０秒浸漬し、シード部３２の表面に置換された亜鉛を除去する。さらに、再度ジンケート溶液中に、シード部３２が形成された基材３１を１秒から２分浸漬し、シード部３２の表面に緻密な亜鉛粒子を析出させる。
これにより、シード部３２の残渣が除去されると共に、シード部３２の表面の濡れ性が向上する。 Then, the base material 31 on which the seed portion 32 is formed is immersed in an alkaline aqueous solution containing sodium hydroxide and having a pH of 9 to 13 and heated to 20 ° C. or more and 60 ° C. or less. The alumina that is an oxide film formed on the surface is removed. In addition, the base material 31 on which the seed part 32 is formed is contained in an acidic aqueous solution containing 5 wt% or more and 30 wt% or less nitric acid and having a pH of 1 to 3 and heated to 20 ° C. or more and 60 ° C. or less. You may immerse for 1 second to 5 minutes.
Thereafter, the base material 31 on which the seed part 32 is formed is immersed in a zincate solution containing zinc oxide and having a pH of 11 to 13, and the surface of the seed part 32 is replaced with zinc. Then, the base material 31 on which the seed part 32 is formed is immersed in an aqueous solution containing 5% by weight or more and 30% by weight or less nitric acid for 1 to 60 seconds to remove zinc substituted on the surface of the seed part 32 To do. Further, the base material 31 on which the seed part 32 is formed is immersed again in the zincate solution for 1 second to 2 minutes, and dense zinc particles are deposited on the surface of the seed part 32.
Thereby, the residue of the seed part 32 is removed and the wettability of the surface of the seed part 32 is improved.

次に、無電解メッキ浴にシード部３２が形成された基材３１を浸漬し、シード部３２の表面にＮｉ膜を析出させる。ここで、無電解メッキ浴は、次亜リン酸を還元剤としており、ｐＨが４から５、浴温が８５℃以上９５℃以下となっている。これにより、シード部３２を核として、厚さが１μｍ以上１０μｍ程度のＮｉ膜が等方的に析出される。
なお、本実施形態において、各化学処理の間には水洗処理が行われている。水洗処理に用いられる水洗槽は、オーバーフロー構造や純水リンスバス機構を有しており、窒素ガスによるバブリングを行っている。バブリングは、穴が形成されたチューブや焼結体を通じて窒素ガスを槽内に送り出すことで行われている。これにより、短時間で十分に効果のあるリンスが行える。
以上のようにして、駆動素子層３６の上面にシード部３２を被覆する反射層３３が形成される。なお、各画素領域１１に対応する複数の反射層３３それぞれの縁部は、互いに重なっている。また、反射層３３の表面は、反射層３３がシード部３２を核として等方的に形成されるため、曲面となっている。 Next, the base material 31 on which the seed part 32 is formed is immersed in an electroless plating bath, and a Ni film is deposited on the surface of the seed part 32. Here, the electroless plating bath uses hypophosphorous acid as a reducing agent, has a pH of 4 to 5, and a bath temperature of 85 ° C. or higher and 95 ° C. or lower. Thereby, a Ni film having a thickness of about 1 μm to 10 μm isotropically deposited with the seed portion 32 as a nucleus.
In this embodiment, a water washing process is performed between each chemical process. The washing tank used for the washing treatment has an overflow structure and a pure water rinse bath mechanism, and performs bubbling with nitrogen gas. Bubbling is performed by sending nitrogen gas into the tank through a tube having a hole or a sintered body. Thereby, a sufficiently effective rinsing can be performed in a short time.
As described above, the reflective layer 33 that covers the seed portion 32 is formed on the upper surface of the drive element layer 36. Note that the edges of the plurality of reflective layers 33 corresponding to the pixel regions 11 overlap each other. The surface of the reflective layer 33 is a curved surface because the reflective layer 33 is formed isotropically with the seed portion 32 as a nucleus.

続いて、反射層３３の上面に有機ＥＬ素子２１を形成する（発光素子形成工程）。ここでは、最初に反射層３３の上面にＩＴＯ膜をパターニングすることにより、陽極層４１を形成する。そして、陽極層４１の上面に例えばマスクを用いた蒸着法などにより発光機能層４２を形成する。さらに、発光機能層４２及び隔壁４４の上面にＬｉＦ膜及びＡｌ膜を積層することにより、陰極層４３を形成する。以上のようにして、基板２を形成する。
その後、基板２と封止基板３とを透明接着層４５により接着する。以上のようにして、有機ＥＬ装置１が製造される。 Subsequently, the organic EL element 21 is formed on the upper surface of the reflective layer 33 (light emitting element forming step). Here, the anode layer 41 is formed by first patterning an ITO film on the upper surface of the reflective layer 33. Then, the light emitting functional layer 42 is formed on the upper surface of the anode layer 41 by, for example, a vapor deposition method using a mask. Furthermore, a cathode layer 43 is formed by laminating a LiF film and an Al film on the upper surfaces of the light emitting functional layer 42 and the partition wall 44. The substrate 2 is formed as described above.
Thereafter, the substrate 2 and the sealing substrate 3 are bonded by the transparent adhesive layer 45. As described above, the organic EL device 1 is manufactured.

以上のような構成の有機ＥＬ装置１では、陽極層４１及び陰極層４３の間に電圧を印加すると、発光機能層４２が発光する。ここで、発光機能層４２から基材３１に向けて放射される光は、反射層３３の表面において封止基板３に向けて反射される。また、発光機能層４２から基材３１の面方向と平行な方向に放射される光も、反射層３３の表面が曲面であることから、反射層３３の表面において封止基板３に向けて反射される。なお、反射層３３が画素領域１１の長軸方向に沿って形成されていることから、発光機能層４２で発生した光は、画素領域１１の短軸方向において長軸方向と比較して散乱しやすくなっている。したがって、本実施形態における有機ＥＬ装置１では、画素領域１１の短軸方向における視角が画素領域１１の長軸方向における視角と比較して広くなる。 In the organic EL device 1 configured as described above, when a voltage is applied between the anode layer 41 and the cathode layer 43, the light emitting functional layer 42 emits light. Here, the light emitted from the light emitting functional layer 42 toward the base material 31 is reflected toward the sealing substrate 3 on the surface of the reflective layer 33. Further, the light emitted from the light emitting functional layer 42 in the direction parallel to the surface direction of the base material 31 is also reflected toward the sealing substrate 3 on the surface of the reflective layer 33 because the surface of the reflective layer 33 is a curved surface. Is done. Since the reflective layer 33 is formed along the major axis direction of the pixel region 11, the light generated in the light emitting functional layer 42 is scattered in the minor axis direction of the pixel region 11 compared to the major axis direction. It has become easier. Therefore, in the organic EL device 1 according to this embodiment, the viewing angle in the minor axis direction of the pixel region 11 is wider than the viewing angle in the major axis direction of the pixel region 11.

〔電子機器〕
以上のような構成の有機ＥＬ装置１は、例えば図４に示すような携帯電話機（電子機器）１００の表示部１０１として用いられる。この携帯電話機１００は、表示部１０１、複数の操作ボタン１０２、受話口１０３、送話口１０４及び上記表示部１０１を有する本体部を備えている。〔Electronics〕
The organic EL device 1 having the above configuration is used as a display unit 101 of a cellular phone (electronic device) 100 as shown in FIG. The cellular phone 100 includes a display unit 101, a plurality of operation buttons 102, an earpiece 103, a mouthpiece 104, and a main body unit including the display unit 101.

以上のように、本実施形態における有機ＥＬ装置１及び有機ＥＬ装置の製造方法によれば、無電解メッキ法により表面が曲面である反射層３３が形成されるため、有機ＥＬ装置１の歩留まりを低下させることなく有機ＥＬ素子２１における発光の取り出し効率が向上する。そして、反射層３３の表面を曲面として発光機能層４２の表面積を増大させることで、有機ＥＬ素子２１における発光効率がさらに向上する。
また、シード部３２の形状や配置を変更することで、有機ＥＬ装置１の視角特性を調整できる。 As described above, according to the organic EL device 1 and the manufacturing method of the organic EL device in the present embodiment, the reflective layer 33 having a curved surface is formed by the electroless plating method, and thus the yield of the organic EL device 1 is increased. The extraction efficiency of light emission in the organic EL element 21 is improved without being lowered. And the luminous efficiency in the organic EL element 21 further improves by making the surface of the reflective layer 33 a curved surface and increasing the surface area of the light emitting functional layer 42.
Further, the viewing angle characteristics of the organic EL device 1 can be adjusted by changing the shape and arrangement of the seed portion 32.

［第２の実施形態］
続いて、本発明における有機ＥＬ装置及び有機ＥＬ装置の製造方法の第２の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、本実施形態では、第１の実施形態とシード部及び反射層の構成が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。ここで、図５（ａ）は本実施形態における有機ＥＬ装置の画素領域を示す断面図、図５（ｂ）は画素領域を示す平面図である。なお、図５（ｂ）では、陰極層の図示を省略している。 [Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the organic EL device and the method for manufacturing the organic EL device according to the present invention will be described with reference to the drawings. In this embodiment, since the configuration of the seed unit and the reflective layer is different from that of the first embodiment, this point will be mainly described, and the components described in the above embodiment are denoted by the same reference numerals. Description is omitted. Here, FIG. 5A is a cross-sectional view showing a pixel region of the organic EL device in the present embodiment, and FIG. 5B is a plan view showing the pixel region. In FIG. 5B, the cathode layer is not shown.

本実施形態における有機ＥＬ装置１１０を構成する基板１１１は、図５（ｂ）に示すように、各画素領域１１において分散して配置された複数のシード部１１２を備えている。そして、複数のシード部１１２それぞれは、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、反射層１１３により被覆されている。
シード部１１２は、平面視でほぼ矩形となっており、画素領域１１の長軸方向に沿って一定間隔をあけて複数（図５（ｂ）では４つ）配置されると共に、画素領域１１の短軸方向に沿って一定の間隔をあけて複数（図５（ｂ）では３つ）配置されている。なお、同一の画素領域１１に配置された複数のシード部３２のうち少なくとも１つは、上述と同様に駆動素子層３６に設けられたＴＦＴ素子２３のドレインに接続されている。
反射層１１３は、複数のシード部１１２それぞれを被覆している。そして、複数の反射部＃それぞれは、被覆しているシード部１１２を核として等方的に形成されており、その縁部が隣り合う他のシード部１１２を被覆する反射層１１３の縁部に接続されている。したがって、複数の反射層１１３により形成される凹凸形状は、画素領域１１の長軸方向及び短軸方向それぞれに沿って形成される。 As shown in FIG. 5B, the substrate 111 constituting the organic EL device 110 in the present embodiment includes a plurality of seed portions 112 arranged in a dispersed manner in each pixel region 11. Each of the plurality of seed portions 112 is covered with a reflective layer 113 as shown in FIGS.
The seed part 112 is substantially rectangular in a plan view, and a plurality (four in FIG. 5B) are arranged at regular intervals along the major axis direction of the pixel area 11, and A plurality (three in FIG. 5B) are arranged at regular intervals along the minor axis direction. Note that at least one of the plurality of seed portions 32 arranged in the same pixel region 11 is connected to the drain of the TFT element 23 provided in the drive element layer 36 as described above.
The reflective layer 113 covers each of the plurality of seed parts 112. Each of the plurality of reflection portions # is isotropically formed with the seed portion 112 that is covered as a nucleus, and the edge portion is formed on the edge portion of the reflection layer 113 that covers another adjacent seed portion 112. It is connected. Therefore, the concavo-convex shape formed by the plurality of reflective layers 113 is formed along each of the major axis direction and the minor axis direction of the pixel region 11.

以上のような構成の有機ＥＬ装置１１０の製造方法では、シード部形成工程において、駆動素子層３６の上面にＡｌ膜を形成した後、画素領域１１となる領域それぞれにおいてシード部１１２が分散配置されるようにＡｌ膜をパターニングする。その他の工程は、上述した第１の実施形態と同様である。 In the method of manufacturing the organic EL device 110 configured as described above, after the Al film is formed on the upper surface of the drive element layer 36 in the seed portion forming step, the seed portions 112 are dispersedly arranged in the regions to be the pixel regions 11. The Al film is patterned so that Other steps are the same as those in the first embodiment described above.

以上のような構成の有機ＥＬ装置１１０では、複数の反射層１１３により形成される凹凸形状が画素領域１１の長軸方向及び短軸方向それぞれに沿って形成されている。そのため、反射層１１３に向けて放射された光は、反射層１１３において画素領域１１の長軸方向及び短軸方向それぞれで散乱される。したがって、本実施形態における有機ＥＬ装置１１０では、上述した第１の実施形態と比較して画素領域１１の長軸方向における視角が広くなる。 In the organic EL device 110 configured as described above, the concavo-convex shape formed by the plurality of reflective layers 113 is formed along each of the major axis direction and the minor axis direction of the pixel region 11. Therefore, the light emitted toward the reflective layer 113 is scattered in the major axis direction and the minor axis direction of the pixel region 11 in the reflective layer 113. Therefore, in the organic EL device 110 according to the present embodiment, the viewing angle in the major axis direction of the pixel region 11 is wider than that in the first embodiment described above.

以上のように、本実施形態における有機ＥＬ装置１１０及び有機ＥＬ装置の製造方法においても、上述と同様の作用、効果を奏する。 As described above, the organic EL device 110 and the method for manufacturing the organic EL device according to the present embodiment also have the same operations and effects as described above.

［第３の実施形態］
続いて、本発明における有機ＥＬ装置及び有機ＥＬ装置の製造方法の第３の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、本実施形態では、第１の実施形態と発光素子の構成が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。ここで、図６（ａ）は本実施形態における有機ＥＬ装置の画素領域を示す断面図、図６（ｂ）は画素領域を示す平面図である。なお、図６（ｂ）では、陰極層の図示を省略している。 [Third Embodiment]
Next, a third embodiment of the organic EL device and the method for manufacturing the organic EL device according to the present invention will be described with reference to the drawings. In this embodiment, since the configuration of the light emitting element is different from that of the first embodiment, this point will be mainly described, and the same reference numerals are given to the components described in the above embodiment, and the description thereof will be omitted. To do. Here, FIG. 6A is a cross-sectional view showing a pixel region of the organic EL device in the present embodiment, and FIG. 6B is a plan view showing the pixel region. In FIG. 6B, the cathode layer is not shown.

本実施形態における有機ＥＬ装置１２０を構成する基板１２１は、図６（ａ）に示すように、反射層３３が発光素子１２２の陽極層を構成している。なお、反射層３３を構成するＮｉの仕事関数は、ＩＴＯの仕事関数と同程度となっている。
発光素子１２２は、駆動素子層３６側から順に陽極層として機能する反射層３３、発光機能層４２及び陰極層４３を積層した構成となっている。 In the substrate 121 constituting the organic EL device 120 in this embodiment, the reflective layer 33 constitutes the anode layer of the light emitting element 122 as shown in FIG. The work function of Ni constituting the reflective layer 33 is approximately the same as the work function of ITO.
The light emitting element 122 has a configuration in which a reflective layer 33 that functions as an anode layer, a light emitting functional layer 42, and a cathode layer 43 are stacked in this order from the drive element layer 36 side.

以上のような構成の有機ＥＬ装置１２０の製造方法では、発光素子形成工程において、反射層３３の上面に発光機能層４２を形成する。その他の工程は、上述した第１の実施形態と同様である。 In the method for manufacturing the organic EL device 120 configured as described above, the light emitting functional layer 42 is formed on the upper surface of the reflective layer 33 in the light emitting element forming step. Other steps are the same as those in the first embodiment described above.

以上のように、本実施形態における有機ＥＬ装置１２０及び有機ＥＬ装置の製造方法においても、上述と同様の作用、効果を奏するが、反射層３３を陽極層として機能させることで、製造工程の簡略化が図れる。
なお、本実施形態において、シード部３２を上述した第２の実施形態と同様に画素領域１１の長軸方向及び短軸方向それぞれにおいて間隔をあけて複数配置してもよい。 As described above, the organic EL device 120 and the method for manufacturing the organic EL device according to the present embodiment also have the same operations and effects as described above. However, by making the reflective layer 33 function as an anode layer, the manufacturing process can be simplified. Can be achieved.
In the present embodiment, a plurality of seed portions 32 may be arranged at intervals in the major axis direction and the minor axis direction of the pixel region 11 as in the second embodiment described above.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、シード部は、画素領域において少なくとも１つ形成されていればよい。
また、シード部の形状や配置は、有機ＥＬ装置に求められる視角特性に応じて適宜変更してもよい。
そして、同一の画素領域内において隣り合うシード部それぞれを被覆する各反射層の縁部は、互いに重なっていなくてもよい。ただし、第３の実施形態と同様に反射層を発光素子の陽極層として機能させる場合には、各反射層間の導通を確保するために互いの縁部を重ねる必要がある。
さらに、シード部がＡｌにより形成されているが、無電解メッキ法により反射層の構成材料をシード部の上面に析出できれば、他の材料であってもよい。同様に、反射層がＮｉにより形成されているが、発光機能層における発光光を反射可能であって無電解メッキ法により反射層の構成材料をシード部の上面に析出できれば、他の材料であってもよい。
また、発光機能層の構造は、陽極層及び陰極層間に電圧を印加した際に発光する発光層を含んでいればよい。ここで、封止基板には、発光機能層が白色に発光することからカラーフィルタ層を設けているが、カラーフィルタ層を設けなくてもよい。
そして、隔壁により各画素領域を区画しているが、隔壁を設けなくてもよい。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
For example, at least one seed portion may be formed in the pixel region.
Further, the shape and arrangement of the seed portion may be changed as appropriate according to the viewing angle characteristics required for the organic EL device.
And the edge part of each reflection layer which coat | covers each seed part adjacent in the same pixel area | region does not need to mutually overlap. However, when the reflective layer functions as the anode layer of the light emitting element as in the third embodiment, it is necessary to overlap the edges of each other in order to ensure conduction between the reflective layers.
Furthermore, although the seed part is formed of Al, other materials may be used as long as the constituent material of the reflective layer can be deposited on the upper surface of the seed part by electroless plating. Similarly, although the reflective layer is made of Ni, other materials can be used as long as the light emitted from the light emitting functional layer can be reflected and the constituent material of the reflective layer can be deposited on the upper surface of the seed portion by electroless plating. May be.
The structure of the light emitting functional layer only needs to include a light emitting layer that emits light when a voltage is applied between the anode layer and the cathode layer. Here, although the color filter layer is provided on the sealing substrate because the light emitting functional layer emits white light, the color filter layer may not be provided.
Each pixel region is partitioned by a partition, but the partition may not be provided.

本発明の第１の実施形態における有機ＥＬ装置を示す概略平面図である。1 is a schematic plan view showing an organic EL device according to a first embodiment of the present invention. 図１の等価回路図である。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of FIG. 1. 画素領域を示す断面図及び平面図である。It is sectional drawing and a top view which show a pixel area | region. 有機ＥＬ装置を備える携帯電話機を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows a mobile telephone provided with an organic EL apparatus. 本発明の第２の実施形態における画素領域を示す断面図及び平面図である。It is sectional drawing and the top view which show the pixel area | region in the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施形態における画素領域を示す断面図及び平面図である。It is sectional drawing and the top view which show the pixel area | region in the 3rd Embodiment of this invention.

Explanation of symbols

１，１１０，１２０有機ＥＬ装置（発光装置）、２，１１１，１２１基板、２１，１２２有機ＥＬ素子（発光素子）、３１基材、３２，１１２シード部、３３，１１３反射層、４１陽極層（一対の電極の一方）、４２発光機能層、４３陰極層（一対の電極の他方）、１００携帯電話機 1,110,120 Organic EL device (light emitting device), 2,111,121 substrate, 21,122 Organic EL device (light emitting device), 31 base material, 32,112 seed part, 33,113 reflective layer, 41 anode layer (One of a pair of electrodes), 42 light-emitting functional layer, 43 cathode layer (the other of the pair of electrodes), 100 mobile phone

Claims

A seed formation step of forming an island-shaped seed portion on the substrate;
A reflection layer forming step of forming a reflection layer with the seed portion as a nucleus by an electroless plating method;
And a light emitting element forming step of forming a light emitting element having a light emitting functional layer on the reflective layer.

2. The method of manufacturing a light emitting device according to claim 1, wherein, in the seed formation step, a plurality of the seed portions are formed in a formation region of the light emitting element on the base material.

3. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 2, wherein, in the reflective layer forming step, the reflective layers covering the adjacent seed parts are connected to each other.

The method for manufacturing a light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the reflective layer constitutes one of a pair of electrodes constituting the light emitting element.

The method for manufacturing a light emitting device according to claim 4, wherein the reflective layer is formed of nickel.

A light emitting device having a base material, an island-shaped seed portion formed on the base material, a reflective layer covering the seed portion and having a curved surface, and a light emitting functional layer formed on the reflective layer A light emitting device comprising: