JP4474567B2 - 半導体モジュール - Google Patents
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Description
しかしながら高い出力範囲でのパワー半導体の使用は、電圧−および電流強度が制限されているために要求が高い。
ここでハウジングの内部に、少なくとも部位ごとにハウジングの壁と半導体素子との間に配設された高耐熱性の絶縁体を設けることを考慮しており、絶縁体の内壁と少なくとも半導体素子の端末電極の部分との間にアークを拡散するための少なくとも1つの内部空洞が設けられている。
アークを開始させるためのこの種の装置によって、たとえば基本的にアークが惹起されてはならず、単に過負荷時に、直ちにアークもしくは放電が発生しまたは発生が非常に確実である場合に該アークが完全に一定の箇所で、たとえば局所の電界強度を生ぜしめ、アーク自体のルートを引き込むことができる端末電極での鋭角の隆起部によって定在化されることが保証されるべきである。この方法により、アークが燃焼するとき、該アークのハウジングに及ぼす作用が好適な措置によって緩和できる場所に該アークを位置決めできることが保証されている。
この措置によってハウジングは過負荷時にアークが発生する場合に可能な限り最良にその破壊的作用から保護される。高耐熱性の絶縁体は、たとえば一方でハウジングが効果的に遮蔽され、他方では自体アークの作用によって殆ど損傷されない好適なセラミックから形成することができる。
この場合ハウジングは、たとえば発生するアークの位置に関係なく半導体素子でその円筒形の内壁の全領域で高耐熱性の絶縁体によって効果的に保護されている。
さらに、絶縁体が中空円筒体の形状を有し、その内部に半導体素子を収容することを考慮することもできる。
この構造によって、アークの一方のルートを端末電極の一方に形成するアークが該アークのルートの領域でさらに絶縁体によって取り囲まれており、その結果、半導体素子と、場合によりハウジングとがアークの作用から良好に保護されることが保証されている。
さらに絶縁体の内径は区間ごとに半導体素子の外部寸法に相当し、その結果、絶縁体が半導体素子を芯合せすることを考慮することができる。
また絶縁体が少なくとも1つの肩部または1つの円周方向のウェブを有し、該肩部/該ウェブに端末電極の少なくとも1本を芯合せ可能である。
この特長によって半導体モジュールの組立がさらに容易になり、モジュールの個々の部材の再現可能の位置決めが達成される。さらに、絶縁体が端末電極の1本に当接する場合、それによってアークが端末電極で絶縁体の内部からかつハウジング壁の付近へ達することを阻止するアーク空間の終結が絶縁体の内部で達成されている。端末電極への絶縁体の当接は気密ではなく、その結果、この場所でガス交換が行われ、場合により発生するアークによって過圧を絶縁体の内部で分解することができる。単にアーク自体は絶縁体の内部に保持される。
特に簡単かつ組み立て易い本発明による半導体モジュールの構造は、円筒形の外部フランジを有する端末電極が、外部フランジの円周に該外部フランジと気密に接続される、ハウジングの円筒形の部分と気密に接続するための外部フランジを有することによって生じる。
本発明は、以下、図面の図に表した実施例を利用してより詳しく説明する。
絶縁体4はその肩部15と異なる前面端で第2端末電極3bが寸法精確に嵌入される縮小された内径の部分16を有する。
第1端末電極3aと絶縁体4との間に、本発明により内部のアーク空間2(空洞、チャンバ)が形成されており、前記アーク空間の中に第2端末電極3bと第1端末電極3aとの間で燃焼する、半導体素子1の外側を通過して形成されるアークを渦流にすることができる。第1端末電極3aの外部フランジ13の中の溝8によって前記アーク空間が付加的に拡大される。
符号9で表した絶縁体4の領域で第1端末電極3aに突き当たる箇所に、いわゆるラビリンスが形成されている。すなわちガスに対して透過性であるが、アークをアーク空間2の中に保持する領域が形成されている。熱機械的に屈撓可能とは、絶縁体4が温度変動時に、該絶縁体がたとえば前記コンタクト箇所でコンタクト箇所のわずかな開放によって透過性になるように機械的に変化することである。
図2により、第1端末電極3aの半導体モジュールの図1に対して多少変更された構造で第2端末電極3cが組み込まれており、前記第2端末電極はアーク空間2aを拡大するための溝8aと、対称の絶縁体4aを芯合せするためのウェブ14aとを有する。この実施形態では全体的にアークに提供される空間2、2aが図1の実施例よりも拡大されている。
この構造によって半導体モジュールの高い可負荷性と長い耐用期間とが達成される。
Claims (15)
- 1個の半導体素子(1)と、2本の端末電極(3a、3b、3c)とを備える半導体モジュールにおいて、前記端末電極の間に半導体素子(1)が配設され、かつ前記端末電極と該半導体素子が導電性に接触されており、半導体素子(1)が壁を有する少なくとも部分的に電気的に絶縁されたハウジング(5、7、11、12)によって取り囲まれており、ハウジング(5、7、11、12)の内部に、内壁として形成された高耐熱性の絶縁体(4、4a)が少なくとも部位ごとにハウジング(5、7、11、12)の内壁と半導体素子(1)との間に配設されており、かつ絶縁体(4)の内壁と少なくとも端末電極(3a、3b、3c)の部分との間にアークを拡散するための少なくとも1つの内部空洞(2、2a)を設けており、
絶縁体(4、4a)が端末電極(3a、3c)に突き当たる箇所に、ガスに対して透過性を有し、アークを内部空洞(2、2a)の中に保持するラビリンスが形成されている半導体モジュール。 - 絶縁体(4)の外壁とハウジング(5、7、11、12)の内壁との間に少なくとも1つの外部空洞(22)が設けられており、絶縁体(4)が熱機械的に屈撓可能に構成された、請求項1記載の半導体モジュール。
- 端末電極(3a、3b、3c)の少なくとも1本が少なくとも部分的に絶縁体(4)の内部へ突出する、請求項1または2記載の半導体モジュール。
- 絶縁体(4)の内壁が円筒形に形成されている、請求項1、2または3記載の半導体モジュール。
- 絶縁体(4)が半導体素子を円環形に取り囲む、請求項4記載の半導体モジュール。
- 絶縁体(4)がセラミック、ガラスおよび/またはプラスチックからなる、上記請求項のいずれか一項記載の半導体モジュール。
- 絶縁体(4)の肉厚がハウジング(5、7、11、12)の肉厚よりも薄い、上記請求項のいずれか一項記載の半導体モジュール。
- 内部空洞(2、2a)が外部空洞(22)より小さい体積を有する、請求項2記載の半導体モジュール。
- 端末電極(3a、3b、3c)および/または半導体素子(1)がアークの開始のための装置(20)を担持する、上記請求項のいずれか一項記載の半導体モジュール。
- アークの開始のための装置(20)が絶縁体(4)によってハウジング(5、7、11、12)に対して遮蔽された半導体素子(1)の周囲の領域に配設されている、上記請求項のいずれか一項記載の半導体モジュール。
- 絶縁体(4)の内径が部分的に半導体素子(1)の外部寸法に相当して絶縁体(4)と半導体素子(1)とが接触しており、その結果、半導体素子(1)は絶縁体(4)の内壁で芯合わせが可能である、上記請求項のいずれか一項記載の半導体モジュール。
- 絶縁体(4)が少なくとも1つの肩部または1つの円周方向のウェブ(15)を有し、該肩部/該ウェブに端末電極(3a、3b、3c)の少なくとも1本が芯合せ可能である、請求項11記載の半導体モジュール。
- 端末電極(3a、3b、3c)の少なくとも1本が円筒形の外部フランジ(13)を有し、前記外部フランジが絶縁体(4)で芯合せするための円筒対称のプロフィル(14)と、中心で前記プロフィルの内部でアークに提供される絶縁体(4)の内部の空間(2)を拡大するための円周方向の溝(8)とを有する、請求項11または12記載の半導体モジュール。
- 端末電極(3a、3b、3c)の少なくとも1本が円筒形の外部フランジ(13)を有し、前記外部フランジが絶縁体(4)で芯合せするための円筒対称のプロフィル(14)と、前記プロフィルの内部にアークルートを案内するための円周方向のウェブとを有する、請求項11または12記載の半導体モジュール。
- 円筒形の外部フランジ(13)を有する端末電極(3a、3b、3c)が外部フランジの円周に該外部フランジと気密に連結される、ハウジングの円筒形の部分(5)と気密に連結するための端末板を有する、請求項13または14のいずれか一項記載の半導体モジュール。
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