JP4457007B2 - サブストレートに被膜を被覆する装置および方法 - Google Patents
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Claims (11)
- マグネトロンスパッタリングによってサブストレートに被膜を被覆する装置であって、
少なくとも1つのスパッタ源と、
少なくとも1つの、少なくとも一時的に陽極(7)として接続される電極と、
少なくとも1つの電流供給ユニット(8)を有しており、
前記スパッタ源はマグネトロンの原理に従い、少なくともそれぞれ1つの、自由に選択可能な電気的ポテンシャルに設定されるターゲット(1)を有しており、当該ターゲットは表面上にそれ自体で閉じているトンネル状の磁界(5)を伴い、当該ターゲットは少なくとも一時的に陰極として接続され、
前記電流供給ユニットは、1つまたは複数のターゲットと、1つの電極または複数の電極との間に電圧を生じさせる形式のものにおいて、
前記少なくとも一時的に陽極として接続される電極がプラズマシールド(6;16)の後ろに配置されており、当該プラズマスシールドは当該電極を直接的な層被覆から保護し、
前記電極には磁界形成装置(9)が対応して設けられており、電極表面が少なくとも部分的に磁界によって貫通され、
電極表面に対して平行な磁界成分の最大値HE ll, maxは、ターゲット表面に対して平行な磁界成分の最大値HT ll, maxの少なくとも5%である、
ことを特徴とする、マグネトロンスパッタリングによってサブストレートに被膜を被覆する装置。 - 前記電極を貫通する磁界を形成するために、永久磁石が使用されている、請求項1記載の装置。
- 前記電極を貫通する磁界を形成するために、少なくとも1つの電磁石が使用されている、請求項1記載の装置。
- 前記磁界は電極内の電流が流れる手段によって形成されている、請求項3記載の装置。
- 電極表面に作用する磁界の平行成分の最大値HE ll, maxは、永久磁石の位置を変えることによって変えられる、請求項2記載の装置。
- 電極表面に作用する磁界の平行成分の最大値HE ll, maxは、電磁石の電流強度を変えることによって変えられる、請求項3記載の装置。
- 前記磁界は少なくとも部分的に環状に、前記電極を中心に閉じている、請求項1から6までのいずれか1項記載の装置。
- 前記電極表面の部分領域上で、磁力線が実質的に垂直に出ている、請求項1から6までのいずれか1項記載の装置。
- 電極表面上の磁力線の出る位置は、前記永久磁石の位置を変えることによって、または少なくとも1つの電磁石の電流を変えることによって変えられる、請求項8記載の装置。
- 請求項1に記載された装置を用いて、マグネトロンスパッタリングによってサブストレートに被膜を被覆する方法において、
電極表面に作用する磁界の平行成分の最大値HE ll, maxおよび/または磁界の出る位置を、サブストレート上に析出された層の層特性が所望の値をとるように設定する、
ことを特徴とする、請求項1に記載された装置を用いて、マグネトロンスパッタリングによってサブストレートに被膜を被覆する方法。 - 磁界強度および/または磁界の磁力線の出る位置を、所定の時間関数に応じてサブストレート上に層を形成するために導く、請求項10記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2002134859 DE10234859B4 (de) | 2002-07-31 | 2002-07-31 | Einrichtung und Verfahren zum Beschichten von Substraten |
PCT/EP2003/008001 WO2004013374A2 (de) | 2002-07-31 | 2003-07-22 | Einrichtung und verfahren zum beschichten von substraten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005534807A JP2005534807A (ja) | 2005-11-17 |
JP4457007B2 true JP4457007B2 (ja) | 2010-04-28 |
Family
ID=30128547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004525279A Expired - Fee Related JP4457007B2 (ja) | 2002-07-31 | 2003-07-22 | サブストレートに被膜を被覆する装置および方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4457007B2 (ja) |
AU (1) | AU2003281856A1 (ja) |
DE (1) | DE10234859B4 (ja) |
WO (1) | WO2004013374A2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007054731A1 (de) * | 2007-11-14 | 2009-05-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Element zur Reflexion von UV-Strahlung, Herstellungsverfahren dafür und Projektionsbelichtungsanlage damit |
DE102013106351A1 (de) * | 2013-06-18 | 2014-12-18 | Innovative Ion Coatings Ltd. | Verfahren zur Vorbehandlung einer zu beschichtenden Oberfläche |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4581118A (en) * | 1983-01-26 | 1986-04-08 | Materials Research Corporation | Shaped field magnetron electrode |
CH668565A5 (de) * | 1986-06-23 | 1989-01-13 | Balzers Hochvakuum | Verfahren und anordnung zum zerstaeuben eines materials mittels hochfrequenz. |
DE3727901A1 (de) * | 1987-08-21 | 1989-03-02 | Leybold Ag | Zerstaeubungskathode nach dem magnetronprinzip |
EP0404973A1 (de) * | 1989-06-27 | 1991-01-02 | Hauzer Holding B.V. | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten |
DE4009151A1 (de) * | 1990-03-22 | 1991-09-26 | Leybold Ag | Vorrichtung zum beschichten von substraten durch katodenzerstaeubung |
DE4345403C2 (de) * | 1993-05-06 | 1997-11-20 | Leybold Ag | Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung |
DE4412906C1 (de) * | 1994-04-14 | 1995-07-13 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung für die ionengestützte Vakuumbeschichtung |
AU2001223384A1 (en) * | 2000-02-23 | 2001-09-03 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Method for controlling plasma density or the distribution thereof |
-
2002
- 2002-07-31 DE DE2002134859 patent/DE10234859B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-07-22 AU AU2003281856A patent/AU2003281856A1/en not_active Abandoned
- 2003-07-22 WO PCT/EP2003/008001 patent/WO2004013374A2/de active Application Filing
- 2003-07-22 JP JP2004525279A patent/JP4457007B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10234859A1 (de) | 2004-02-12 |
DE10234859B4 (de) | 2007-05-03 |
WO2004013374A3 (de) | 2004-12-09 |
JP2005534807A (ja) | 2005-11-17 |
WO2004013374A2 (de) | 2004-02-12 |
AU2003281856A1 (en) | 2004-02-23 |
AU2003281856A8 (en) | 2004-02-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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