JP4455524B2 - 複数のストリングを使用して状態情報を保存する方法及び不揮発性保存装置 - Google Patents
複数のストリングを使用して状態情報を保存する方法及び不揮発性保存装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4455524B2 JP4455524B2 JP2006072733A JP2006072733A JP4455524B2 JP 4455524 B2 JP4455524 B2 JP 4455524B2 JP 2006072733 A JP2006072733 A JP 2006072733A JP 2006072733 A JP2006072733 A JP 2006072733A JP 4455524 B2 JP4455524 B2 JP 4455524B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- state information
- cell
- strings
- data
- page
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 91
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 2
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 claims 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 231
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 210000004460 N cell Anatomy 0.000 description 6
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 3
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/22—Safety or protection circuits preventing unauthorised or accidental access to memory cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Security & Cryptography (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Debugging And Monitoring (AREA)
- Communication Control (AREA)
Description
フラッシュメモリは、不揮発性メモリの一種であって、データが保存された後で電源が供給されてもデータを保持する。フラッシュメモリには、NAND、NOR、AND型などが存在する。フラッシュメモリは、大きくブロックに分けられ、各ブロックは、2つ以上のページを含む。また、各ページは、セクターに分けられるが、1ページに1つ以上のセクターが割当てられる。またページは、実際データを保存する部分(メインストリング)と余分のストリング(Spare String)とで構成される。余分のストリングは、通常該当ページについての情報を保存するか、データを保存する。
フラッシュメモリのようにデータを保存することをプログラムと称する。プログラムされたセルは、後で削除(消去)する作業を経て初めて、再びデータを保存することができる。
1つのセクターでページが構成されることを小ブロックフラッシュメモリといい、2つ以上のセクターでページが構成されることを大ブロックフラッシュメモリという。
セルは、情報を保存する素子である。nMOS、pMOS、CMOSなどのいろいろな素子を使用しうる。セルは、通常1ビット以上の情報を保存することができ、図1で説明したように、浮遊ゲートに負電荷があるか、または正電荷があるかなどでデータが保存されたことを表現する。ストリングは、セルのソースとドレインとが結合された、セルが直列に連結されている単位を意味する。ページは、複数のストリングに所属された複数のセルのうち、1つのセルを取って情報を構成する。ページは、複数のストリングで特定のセル(例えば、特定位置)をまとめる。通常のフラッシュメモリでは、セルのコントロールゲートに同じ電源を付加させる単位をページと称する。
200 ページ
300 ストリング
400 セクター
500 ブロック
910 メモリ制御部
920 保存部
1000 不揮発性保存装置
Claims (19)
- 1ビット以上のデータを保存可能なセルと、
前記2つ以上のセルが直列に連結された複数のストリングと、
前記セルの集合である複数のページと、を備え、
前記複数のストリングは、前記セルにデータを保存するストリングで構成されたメインストリンググループと前記メインストリンググループにデータが保存されたか否かの状態情報を保存する2つ以上のストリングを備える余分のストリンググループとで構成される複数のストリングを使用して状態情報を保存する不揮発性メモリであって、
前記各余分のストリングは、前記状態情報を保存する1つのセルと前記状態情報を保存しない複数のセルとで連結され、
1つのストリングには、1つのセクターについてのデータが保存されたか否かの状態情報だけを保存し、セクターのページが異なると、1つのストリングの異なる位置に保存する、複数のストリングを使用して状態情報を保存する不揮発性メモリ。 - 前記ページは、複数のセクターを含み、前記各余分のストリングは、前記複数のセクターのうち、少なくとも1つのセクターの状態情報を保存する1つのセルと状態情報を保存していない複数のセルとで連結された請求項1に記載の複数のストリングを使用して状態情報を保存する不揮発性メモリ。
- 前記ページのデータ保存如何は、前記ページに該当する余分のストリンググループ内の前記状態情報を保存したセルの値で判断する請求項1に記載の複数のストリングを使用して状態情報を保存する不揮発性メモリ。
- 前記余分のストリンググループ内の同一ページに含まれた少なくとも一部のセルは、同じ状態情報を保存する請求項1に記載の複数のストリングを使用して状態情報を保存する不揮発性メモリ。
- 1ページについての状態情報を保存したセルのうち、同じ値を有するセルが存在する時、前記ページにデータが保存されたと判断される請求項4に記載の複数のストリングを使用して状態情報を保存する不揮発性メモリ。
- 前記不揮発性メモリは、フラッシュメモリを含む請求項1に記載の複数のストリングを使用して状態情報を保存する不揮発性メモリ。
- 前記フラッシュメモリは、NANDまたはAND型フラッシュメモリを含む請求項6に記載の複数のストリングを使用して状態情報を保存する不揮発性メモリ。
- 1ビット以上のデータが保存可能なセルと、
前記2つ以上のセルが直列に連結された複数のストリングと、
前記セルの集合である複数のページを含む不揮発性の保存部と、
前記データを前記保存部のセルに保存時、前記セルを選択するメモリ制御部と、を備え、
前記メモリ制御部は、前記複数のストリングが前記セルにデータを保存するストリングで構成されたメインストリンググループと前記メインストリンググループにデータが保存されたか否かの状態情報を保存する2つ以上のストリングと、を含む余分のストリンググループで構成されるように制御する複数のストリングを使用して状態情報を保存する不揮発性保存装置であって、
前記余分のストリングは、前記状態情報を保存する1つのセルと前記状態情報を保存していない複数のセルとで連結され、
1つのストリングには、1つのセクターについてのデータが保存されたか否かの状態情報だけを保存し、セクターのページが異なると、1つのストリングの異なる位置に保存する、複数のストリングを使用して状態情報を保存する不揮発性保存装置。 - 前記ページは、複数のセクターを含み、前記各余分のストリングは、前記複数のセクターのうち、少なくとも1つのセクターの状態情報を保存する1つのセルと状態情報を保存していない複数のセルとで連結された請求項8に記載の複数のストリングを使用して状態情報を保存する不揮発性保存装置。
- 前記メモリ制御部は、前記ページのデータ保存如何を、前記余分のストリンググループ内の前記状態情報を保存したセルの値で判断する請求項8に記載の複数のストリングを使用して状態情報を保存する不揮発性保存装置。
- 前記メモリ制御部は、前記余分のストリンググループ内の同一ページに含まれた少なくとも一部セルが同じ状態情報を保存する請求項8に記載の複数のストリングを使用して状態情報を保存する不揮発性保存装置。
- 前記メモリ保存部は、1ページについての状態情報を保存したセルのうち、同じ値を有するセルが存在する時、前記ページにデータが保存されたと判断する請求項11に記載の複数のストリングを使用して状態情報を保存する不揮発成保存装置。
- 前記不揮発性保存装置は、フラッシュメモリを含む請求項8に記載の複数のストリングを使用して状態情報を保存する不揮発性保存装置。
- 前記フラッシュメモリは、NANDまたはAND型フラッシュメモリを含む請求項13に記載の複数のストリングを使用して状態情報を保存する不揮発性保存装置。
- (a)データの保存のためのアドレス情報とデータとを受信する段階と、
(b)メインストリンググループで前記アドレスを構成するセルに前記データを保存する段階と、
(c)前記データが保存されたセルを含むページの状態情報を保存するために余分のストリンググループからセルを選択する段階と、
(d)前記選択されたセルに前記状態情報を保存する段階と、を含み、
前記余分のストリンググループは、前記メインストリンググループにデータが保存されたか否かの状態情報を保存するセルが含まれた2つ以上のストリングで構成された複数のストリングを使用して状態情報を保存する方法であって、
前記セルは、1ビット以上のデータを保存でき、前記ストリングは2つ以上のセルが直列に連結されており、前記ページは、コントロールゲートが連結されたセルの集合であり、
前記(d)段階は、前記状態情報を保存するセルが前記各ストリングに1つだけ存在するように保存する段階を含み、
1つのストリングには、1つのセクターについてのデータが保存されたか否かの状態情報だけを保存し、セクターのページが異なると、1つのストリングの異なる位置に保存し、
ストリングは2つ以上のセルが直列に連結されており、前記ページは、コントロールゲートが連結されたセルの集合である、複数のストリングを使用して状態情報を保存する方法。 - 前記ページは、複数のセクターを含み、前記(d)段階は、前記セクターの状態情報を保存するセルが前記各余分のストリングに1つだけ存在するように保存する段階を含む請求項15に記載の複数のストリングを使用して状態情報を保存する方法。
- 前記状態情報を保存したセルの値で前記ページのデータ保存如何を判断する段階をさらに含む請求項15に記載の複数のストリングを使用して状態情報を保存する方法。
- 前記(d)段階は、複数のストリングの少なくとも一部セルに同じ前記状態情報を保存する段階を含む請求項15に記載の複数のストリングを使用して状態情報を保存する方法。
- 1ページについての状態情報を保存したセルのうち、同じ値を有するセルが存在する時、前記ページにデータが保存されたと判断する請求項18に記載の複数のストリングを使用して状態情報を保存する方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050024970A KR100704628B1 (ko) | 2005-03-25 | 2005-03-25 | 다수의 스트링을 사용하여 상태 정보를 저장하는 방법 및비휘발성 저장 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006277921A JP2006277921A (ja) | 2006-10-12 |
JP4455524B2 true JP4455524B2 (ja) | 2010-04-21 |
Family
ID=36579802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006072733A Active JP4455524B2 (ja) | 2005-03-25 | 2006-03-16 | 複数のストリングを使用して状態情報を保存する方法及び不揮発性保存装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7457911B2 (ja) |
EP (1) | EP1708203B1 (ja) |
JP (1) | JP4455524B2 (ja) |
KR (1) | KR100704628B1 (ja) |
CN (1) | CN100550201C (ja) |
AT (1) | ATE396483T1 (ja) |
DE (1) | DE602006001237D1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006302342A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ装置とメモリシステム |
US7911834B2 (en) * | 2006-05-15 | 2011-03-22 | Apple Inc. | Analog interface for a flash memory die |
US7613043B2 (en) * | 2006-05-15 | 2009-11-03 | Apple Inc. | Shifting reference values to account for voltage sag |
US7639531B2 (en) * | 2006-05-15 | 2009-12-29 | Apple Inc. | Dynamic cell bit resolution |
US8000134B2 (en) | 2006-05-15 | 2011-08-16 | Apple Inc. | Off-die charge pump that supplies multiple flash devices |
US7701797B2 (en) * | 2006-05-15 | 2010-04-20 | Apple Inc. | Two levels of voltage regulation supplied for logic and data programming voltage of a memory device |
US7511646B2 (en) * | 2006-05-15 | 2009-03-31 | Apple Inc. | Use of 8-bit or higher A/D for NAND cell value |
US7852690B2 (en) * | 2006-05-15 | 2010-12-14 | Apple Inc. | Multi-chip package for a flash memory |
US7568135B2 (en) * | 2006-05-15 | 2009-07-28 | Apple Inc. | Use of alternative value in cell detection |
US7551486B2 (en) * | 2006-05-15 | 2009-06-23 | Apple Inc. | Iterative memory cell charging based on reference cell value |
US7639542B2 (en) * | 2006-05-15 | 2009-12-29 | Apple Inc. | Maintenance operations for multi-level data storage cells |
JP4660520B2 (ja) * | 2007-09-03 | 2011-03-30 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置およびその駆動方法 |
US8261174B2 (en) | 2009-01-13 | 2012-09-04 | International Business Machines Corporation | Protecting and migrating memory lines |
KR101616099B1 (ko) * | 2009-12-03 | 2016-04-27 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
CN105989898B (zh) * | 2014-10-08 | 2018-11-27 | 光宝科技股份有限公司 | 存储器阵列中故障地址的数据结构及故障地址的编码方法 |
KR102438988B1 (ko) * | 2016-04-07 | 2022-09-02 | 삼성전자주식회사 | 랜덤화 연산을 수행하는 불휘발성 메모리 장치 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3155847B2 (ja) | 1993-01-13 | 2001-04-16 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置およびこれを用いた記憶システム |
JPH07122080A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-05-12 | Sony Corp | 半導体不揮発性記憶装置 |
US5603001A (en) | 1994-05-09 | 1997-02-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor disk system having a plurality of flash memories |
JP2848300B2 (ja) | 1995-12-27 | 1999-01-20 | 日本電気株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR100206709B1 (ko) * | 1996-09-21 | 1999-07-01 | 윤종용 | 멀티비트 불휘발성 반도체 메모리의 셀 어레이의 구조 및 그의 구동방법 |
EP0952554A3 (en) * | 1998-02-26 | 2003-01-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Information processing apparatus and information processing method |
JP3822081B2 (ja) | 2001-09-28 | 2006-09-13 | 東京エレクトロンデバイス株式会社 | データ書込装置、データ書込制御方法及びプログラム |
KR100454119B1 (ko) | 2001-10-24 | 2004-10-26 | 삼성전자주식회사 | 캐쉬 기능을 갖는 불 휘발성 반도체 메모리 장치 및 그것의 프로그램, 읽기, 그리고 페이지 카피백 방법들 |
US6740940B2 (en) | 2001-11-27 | 2004-05-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory devices having dummy active regions |
JP2003196142A (ja) | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Sony Corp | ライトワンス型メモリ装置及びファイル管理方法 |
US6549457B1 (en) | 2002-02-15 | 2003-04-15 | Intel Corporation | Using multiple status bits per cell for handling power failures during write operations |
JP3935139B2 (ja) | 2002-11-29 | 2007-06-20 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
KR100518777B1 (ko) * | 2003-09-05 | 2005-10-06 | 한국원자력연구소 | 지진 안전성 평가시스템 및 그 방법 |
-
2005
- 2005-03-25 KR KR1020050024970A patent/KR100704628B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-03-13 CN CNB2006100570265A patent/CN100550201C/zh active Active
- 2006-03-16 JP JP2006072733A patent/JP4455524B2/ja active Active
- 2006-03-22 US US11/385,804 patent/US7457911B2/en active Active
- 2006-03-23 EP EP06111631A patent/EP1708203B1/en active Active
- 2006-03-23 AT AT06111631T patent/ATE396483T1/de not_active IP Right Cessation
- 2006-03-23 DE DE602006001237T patent/DE602006001237D1/de active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060215454A1 (en) | 2006-09-28 |
CN1838319A (zh) | 2006-09-27 |
JP2006277921A (ja) | 2006-10-12 |
KR100704628B1 (ko) | 2007-04-09 |
CN100550201C (zh) | 2009-10-14 |
DE602006001237D1 (de) | 2008-07-03 |
EP1708203B1 (en) | 2008-05-21 |
KR20060102908A (ko) | 2006-09-28 |
US7457911B2 (en) | 2008-11-25 |
EP1708203A1 (en) | 2006-10-04 |
ATE396483T1 (de) | 2008-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4455524B2 (ja) | 複数のストリングを使用して状態情報を保存する方法及び不揮発性保存装置 | |
US7679965B2 (en) | Flash memory with improved programming precision | |
JP4270994B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
KR101950758B1 (ko) | 반도체 장치 | |
US20060013048A1 (en) | Memory systems including defective block management and related methods | |
US7697347B2 (en) | Non-volatile memory device and method of driving the same | |
JP2005108273A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2010218637A (ja) | 半導体記憶装置およびその制御方法 | |
JP5336053B2 (ja) | 不揮発性メモリ装置及びその動作方法 | |
JP2011044200A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2006302342A (ja) | 不揮発性半導体メモリ装置とメモリシステム | |
JP2011128984A (ja) | メモリシステム | |
US20120063237A1 (en) | Nonvolatile memory device and method of operating the same | |
US20080247231A1 (en) | Nand flash memory device | |
US8971116B1 (en) | Semiconductor device and method of operating the same | |
JP5731622B2 (ja) | フラッシュメモリ、バッドブロックの管理方法および管理プログラム | |
US20110238889A1 (en) | Semiconductor memory device from which data can be read at low power | |
JP4467371B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の置換情報の設定方法 | |
JP2009259326A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2008158908A (ja) | メモリコントローラ及びフラッシュメモリシステム並びにフラッシュメモリの制御方法 | |
CN112037837A (zh) | 存储器系统、存储器控制器和存储器设备 | |
US11443814B1 (en) | Memory structure with marker bit and operation method thereof | |
JP4332108B2 (ja) | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 | |
KR101081879B1 (ko) | 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 | |
JP2009003994A (ja) | 半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090413 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090901 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100105 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100203 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4455524 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140212 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |