JP4454419B2 - 微細加工電気機械素子 - Google Patents

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Description

本発明は、微細加工素子を製造するための方法および装置に関する。特に、本発明は、微小電気機械システム素子用の圧電ベースの微細構造を製造するための方法および装置に関する。
圧電材料は、マイクロセンサ、マイクロアクチュエータ、マイクロポンプ、圧電式インクジェット印刷ヘッド等のような各種の微小電気機械システム(MEMS)素子の用途向けに大きな可能性を有している。これらのMEMS素子の多くにおいて、圧電薄膜のような圧電材料が基板の一方の面に形成され、複数の凹部を含む微細構造が基板の反対面に形成される。
圧電薄膜を形成する当技術分野において多くの方法が用いられているが、その中で、溶液スピンコーティングプロセスは、複合酸化物組成物および圧電ポリマーで無機圧電膜を調製するために広く用いられている。複合酸化物組成物を有する無機圧電膜は、他の報告されている薄膜に比して最良の圧電能を有している。ゾル−ゲルおよび金属有機分解(MOD)のような複数の熱処理が続く複数の溶液スピンコーティングを含む溶液スピンコーティングプロセスには、高性能な圧電複合酸化被膜を得る際の精密な組成制御および低コストという大きな利点がある。
溶液スピンコーティングプロセスによる圧電MEMS素子の従来の製造方法において、最初に圧電薄膜が基板の一面に成膜され、次に、所望の微細構造が基板の反対面に、ウェットエッチングプロセスのようなエッチングプロセスによって形成される。エッチングプロセスの前に、基盤上に形成された圧電膜は、腐食性の高いエッチング溶液が圧電膜に接触してこれを損なうことがないように、一時的に保護される必要がある。
エッチングプロセスでのMEMS素子製造の間に圧電膜を保護する当技術分野には、通常2つの方法がある。1つの方法は、エッチングプロセスに先立って、感光性ポリイミド、ワックス等のような保護材料の厚いコーティングを圧電膜上に形成することである。もう1つの方法は、エッチングプロセスに先立って、圧電膜を覆う保護ジグを使用することによる機械的保護のタイプである。
2つの方法双方に欠点がある。第1の方法においては、圧電膜上でコーティングが緊密に被包されないと、エッチング剤はコーティング内に漏入し、それゆえ圧電膜を損傷および/または汚染することがある。加えて、コーティングは一時的な保護の目的で形成されるので、エッチングプロセス後、コーティングは除去される必要があり、従って、コーティングは、時間、材料および労力を費やし、それゆえ製造コストが高い。さらに、コーティングの除去は汚染を引き起こして圧電膜を損傷することがある。第2の方法においては、保護ジグも、保護ジグのいずれかの不完全な密閉に起因する潜在的な漏洩問題に遭遇することがある。加えて、保護ジグは圧電膜または基板に機械的に取り付ける必要があるので、機械的取り付けにより引き起こされた応力が基板を損なうことがある。さらに、このプロセスの生産性は非常に低い。
従って、基板上に形成された圧電膜が製造プロセス中の損傷および/または汚染から十分に保護されうる、MEMS素子用圧電膜構造を製造するための方法および装置を提供することが必要である。一方、微細加工圧電素子製造の歩留まりおよび生産性を向上させることも必要である。
本発明の第1の側面によれば、微細加工素子の膜構造の製造方法が提供され、この方法は、裏面、この裏面と反対側の前面および周辺部分を有する基板を用意するステップを含む。所望の微細構造が基板の裏面に形成される。先駆物質溶液が基板の前面上に滴下され、先駆物質溶液により基盤上に薄膜層が形成されるように基板が回転される。
好ましくは、微細構造がベースプレートに接触しないままにしておくために、基板を周辺部分によってベースプレート上に設置し、微細構造とベースプレートとの間に間隔が形成されるようにする。
好ましくは、この方法は、微細構造をベースプレートから持ち上げるために、ベースプレートから突出させた隆条部上に基板の周辺部分を設置するステップをさらに含む。
1つの実施の形態においては、この方法は、微細構造を先駆物質溶液から隔離するために、基板の周辺部分をベースプレート上で隆条部を介して封止するステップをさらに含む。
好ましくは、先駆物質溶液が微細構造と接触することをさらに防止するために、高圧区域が基板の周辺部分を囲むように基板の回転時に形成される。
1つの実施の形態においては、この方法は、2つの基板の裏面に微細構造をそれぞれ形成するステップをさらに含む。これらの2つの基板は次に、裏面が互いに向かい合うように接合される。その後、接合された2つの基板は回転するように支持されると共に、最初に一方の基板の前面を先駆物質溶液が滴下されるように露出し、その上に薄膜層が形成されるようにする。その後、もう一方の基板の前面を先駆物質溶液が滴下されるように露出し、表面に薄膜層が形成されるようにする。従って、接合基板、接合基板内部に形成された微細構造および外面に形成された2つの薄膜層を有する両面微細加工素子が形成される。
本発明の第2の側面によれば、裏面に形成された微細構造を溶液スピン堆積法(Solution Spin Deposition)の間保護するための基板支持体が提供される。基板支持体は、頂面を有する回転可能なベースプレートを備えており、ベースプレート上に基板を受け止める接触境界面を形成する座部がベースプレートに連結されている。接触境界面は、微細構造をベースプレートから離す。基板支持体は、ベースプレートに連結された保持部材も備えており、その結果、基板をベースプレートによって回転できるように、基板をベースプレート上に固定することができる。基板がベースプレート上へ設置されると、基板の微細構造は、薄膜形成の間、座部によってベースプレートから持ち上げられる。基板および座部は、薄膜形成の間、微細構造を密閉するための接触境界面を形成する。
1つの実施の形態においては、基板およびベースプレートは、ベースプレートの回転の間、高圧区域を生成するために接触境界面を包囲する空隙を形成する。高圧区域は、基板の裏面に形成された微細構造が接触されることをさらに防止する。
好ましくは、ベースプレートは、高圧区域からの空気力学的な移行を提供するために、空隙から外方かつ下方へ延びる円錐形側壁をさらに備えている。
1つの実施の形態においては、座部は、基板と接触するために、ベースプレートの周辺部分から突出した肩部または基板とベースプレートの周辺部分との間に配置されたスペーサーを備える。
本発明によると、MEMS素子製造プロセスの間の薄膜層の一時的保護プロセスが首尾よく排除され、従って、生産効率および歩留まりは大きく向上され、労力、材料等の製造コストが大きく低減される。新プロセスの要件を満たすために、基板上に形成された微細構造が効果的に保護され、ひいては、高性能MEMS素子が得られる支持装置が開発されている。
本発明のこれらおよびその他の局面および利点は、添付図面に関連して詳細に説明される。
図1(a)〜(h)に示されるように、本発明の1つの実施の形態に従うMEMS素子の製造方法は、最初に基板110を用意するステップを含む。基板110は、半導体シリコンウェーハのように、所望のMEMS素子を形成するのに適した如何なる材料を用いてもよい。基板110は、微細構造がその上に形成されることになる裏面110a、およびこの裏面110aの反対側にあり、圧電薄膜のような薄膜構造がその上に形成されることになる前面110bを有している。基板110は、約1000℃〜1200℃の温度まで加熱されることによって熱的に酸化され、その結果、図1(b)に示されるように、基板110の裏面110aおよび前面110bの両方に厚さ約1.2マイクロメートル(μm)の酸化ケイ素層112が形成される。
次のステップにおいて、所定のパターンを有するフォトレジスト膜(図示せず)が、フォトリソグラフィプロセスにより、基板110の裏面110aおよび前面110bに形成される。酸化ケイ素層をフッ化水素酸およびフッ化アンモニウム水溶液で処理することにより、酸化ケイ素層中に開口114が形成される。
その後、フォトレジスト膜(図示せず)が除去され、基板110は、水酸化カリウム水溶液のような基板が可溶な溶液(図示せず)中に浸漬される。このようにして、開口114により露出される基板110の部分110cがエッチングされ得る。1つの例では、エッチング速度は、温度60℃で毎時約10μmである。エッチング時間を制御することにより、基板110の残存厚さ110dは、約2μm〜60μmの厚さに形成できる。このステップの終了時に、複数の凹部110e(例示用に1つだけ示してある)が基板110の裏面110aに得られる。凹部110eは、図1(d)に示されるような、所望の微細構造を形成する。
図1(e)および1(f)に示されるように、中間層122および第1の電極層124が、スパッタリングにより基板110の前面110bに成膜される。1つの実施の形態においては、中間層122は、厚さ約50nmのTiで形成され、第1の電極層124は、厚さ約0.5μmのPtで形成される。
基板110の前面110bに圧電薄膜層を形成するために、圧電薄膜を形成する次のスピンコーティングプロセスの間、基板110を支持するための基板ホルダー200が提供される。図2(a)、2(b)および2(c)にさらに詳細に示されるように、基板ホルダー200は、ベースプレート210を備えている。ベースプレート210は、回転機(図示せず)に連結するために裏面に形成されたアダプタ212を有している。ベースプレート210の前面には、ベースプレート210の周辺部分から上方へ延びる座部214が形成されている。座部214は、基板110をその上に受け止めるために基板110の周辺部分110fに対応する寸法214aを有している。
基板110がベースプレート210上へ設置されると、複数の凹部110eを有する微細構造は、座部214と基板110の周辺部分110fとの間の接触によりベースプレート210から間隔をおいて保持される。この形態のおかげで、周辺部分110fよりも強度および剛性において相対的に弱い微細構造110eは、以降の圧電薄膜形成ステップの間ベースプレート210と接触しない。
ベースプレート210に連結された3本のピン216a、216bおよび216cのような保持部材が、図2(a)および2(b)に示されるように、基板110を包囲するために設けられている。2本のピン216aおよび216bは、基板110の周縁部に沿って配置されており、第3のピン216cは、基板110の主要切欠き部に係合するように設置されている。ピン216a、216bおよび216cにより保持されているので、基板110とベースプレート210との間の相対的な側方および回転運動は妨げられ、その後、ベースプレート210の回転を基板110へ伝達することができ、それによって、基板110はベースプレート210の回転に従って回転可能である。
図1(g)に示されるような次のステップにおいて、圧電性先駆物質溶液120が基板110の前面110bに滴下され、第1の電極層124の上に圧電膜が形成されるようにベースプレート210によって基板110が回転される。先駆物質溶液は圧電膜を形成するための組成要素を含んでおり、そこでは主成分を鉛−ジルコン酸塩−チタン(Pb−Zr−Ti、またはPZT)とするのが好ましい。1つの実施の形態においては、圧電膜は、厚さが約0.5〜20μmであり、Pb(Zr0.52Ti0.48)Oのような、PbOが約10〜20原子%過剰なモルフォトロピック相境界(MPB)近傍の組成を有している。圧電膜調製の詳細を以下説明する。
図1(g)に示されるステップにおいて、順序は、基板110が最初に回転され、続いて回転の間に圧電膜が基板上に形成されるように基板上に先駆物質溶液120が滴下されるようにしてもよいことが理解されるべきである。
Pb:Zr:Ti=1:0.52:0.48の原子比を有する圧電性先駆物質溶液は、酢酸鉛三水和物(Pb[CHCOO])、ジルコニウムプロポキシド(Zr[OCH(CH])、およびチタンイソプロポキシド(Ti[OCH(CH)から調製される。2−メトキシエタノール(CHOCHCHOH)が溶媒として用いられる。溶液濃度は0.4Mである。約30重量%のポリエチレングリコールが溶液に添加される。
この実施の形態においては、圧電性先駆物質溶液120は、第1の電極層124上に滴下され、基板110は、約4500rpmの速度で30秒間回転される。先駆物質溶液は、基板上に湿潤膜を形成し、110℃で2分間乾燥され、続いて熱分解プロセスが410℃で10分間行われる。上記の先駆物質溶液の滴下、乾燥および熱分解プロセスは3回繰り返され、形成された膜は、560℃で20分間加熱される。さらに、先駆物質溶液の滴下、乾燥、熱分解プロセスおよび膜加熱プロセスは2回繰り返されてもよく、形成された最終的な圧電膜は、700℃で5分間焼きなまされて、厚さ約1.5μmの結晶化圧電膜126が得られる。
図1(h)に示されるような次のステップにおいて、厚さ約0.2〜0.3μmのAu層128のような第2の電極が、スパッタリングにより圧電膜126上に形成される。Au層128は、基板の裏面に形成された微細構造との整合を確実にするための両面アライナーを用いたフォトリソグラフィ、続いてヨウ素水溶液およびヨウ化カリウム水溶液を用いたエッチングプロセスによりパターン成形される。圧電膜126は、例えば、HNOおよびHF酸溶液を用いるエッチングによりパターン成形してもよい。
上記の方法に従って形成されたMEMS素子の性能を評価するため、180kV/cmの電界が圧電薄膜に印加される。実験により、圧電膜が効果的に分極されて圧電特性を発揮することが示される。4.2mm×1.35mm×0.06mmの寸法を有する試料MEMS素子の振動をレーザー振動計で検出した。2kHzで印加された5Vの電気信号の下で、PZT膜の振動の大きさは約24nmである。
上記で例示される本発明の方法に従って形成された一般的なMEMS素子に基づき、様々な特殊なタイプのMEMS素子を付加的な製造ステップにより得ることができる。図3(a)に示されるような1つの例においては、膜構造のための以下の貫通エッチングプロセスにより片持ち梁構造圧電素子350が形成できる。この貫通エッチングプロセスは、ヨウ素およびヨウ化カリウム溶液を用いた頂部電極Au層358のエッチング、HNOおよびHF酸溶液による圧電薄膜356のエッチング、ならびにアルゴンイオンミルプロセスによる底部電極354およびその中間層のエッチングを含んでいる。CFおよびHBr/Clによる反応イオンエッチングプロセスは、SiO層および薄いシリコン基板を貫通エッチングするために用いられる。上記のエッチングプロセスはすべて、膜構造の3つの側面351(1つの面のみを示してある)に沿って実行される。これらのエッチングプロセスの後、片持ち梁構造素子350を得ることができる。
図3(b)に示される別タイプのMEMS素子であるブリッジ構造圧電素子360は、上記で例示されたような膜構造のための貫通エッチングプロセスを、頂部電極層368、圧電薄膜層366、底部電極層364およびその中間層、SiO層、ならびに薄いシリコン基板それぞれにおいて続けることによって形成できる。3つの側面に沿って膜構造を貫通エッチングする代わりに、上記のすべての貫通エッチングステップは、膜構造のそれぞれの2つの側面361に沿って実行される。これらのエッチングプロセスの後、ブリッジ構造素子360を得ることができる。
図4(a)、4(b)および4(c)は、本発明の別の実施の形態に従って基板上に圧電薄膜を形成するために基板を支持するホルダー400を示している。ホルダー400は、ベースプレート410および回転用機械または駆動装置(図示せず)に取り付けるためにベースプレート410の裏面に形成されたアダプタ412を備えている。隆条部414がベースプレート410の前面から突出して形成されている。代わりに、隆条部は、同じ目的のために基板とベースプレートとの間に配置されたスペーサーの形状としてもよい。
使用時において、微細構造が表面に形成された基板110は、微細構造をベースプレート410に向けて、隆条部またはスペーサー414上に設置される。隆条部またはスペーサー414により持ち上げられているので、微細構造はベースプレート410から間隔を置いて配置される。この形態のおかげで、微細構造は、それに続く圧電薄膜形成ステップの間保護される。薄膜形成の間の微細構造に対する損傷および/または汚染のリスクは低減または防止できる。基板110の周縁部に係合して基板110とベースプレート410との相対的な回転を制限するために、3本の保持ピン416a、416bおよび416cが設けてある。
基板110の周辺部分とベースプレート410の前面との間に空隙420が形成される。ベースプレート410の頂面は、滑らかな空力移行部411と、基板110の周辺部分に隣接して伸びている円錐形壁430を有している。ベースプレート410および基板110の回転の間、周囲の空気圧よりも高い空気圧が空隙420中で形成される。従って、圧電薄膜形成の間に用いられる先駆物質溶液による微細構造との接触、損傷および/または汚染がさらに防止される。
図5(a)および5(b)は、本発明のさらなる実施の形態に従って基板上に圧電薄膜を形成するために基板を支持するホルダー500を示している。ホルダー500は、基板を受け入れてこれを支持するために、図2(a)、2(b)または4(a)、4(b)において例示される構造と同様な前面構造を備えるベースプレート510を有している。ベースプレート510は平坦な裏面512を有している。従来の真空スピンチャック50を、平坦な裏面512を介してベースプレート510に取り付けることができる。真空スピンチャック50は、圧電薄膜層形成のために回転するためにホルダー500そしてさらに基板を支える。
図6(a)〜6(d)は、本発明の別の実施の形態に従ってMEMS素子を製造する方法600を示す。最初に、2つの基板610および620が用意され、各基板は、それぞれの裏面612、622、およびそれぞれの前面614、624を有している。微細構造612aおよび622aは、各基板の裏面612および614にそれぞれ形成される(図6(a))。すべての酸化ケイ素層はHF酸を用いて剥離することができ、基板は、表面粗さを改善するために化学機械研磨(CMP)プロセスにより研磨される(図6(b))。
次に、2つの基板610および620は、裏面612および622を互いに対面させて接合される(図6(c))。2つの基板を接合するためにSi−Si融解結合プロセスを用いてもよく、これは約1050℃で4時間行われる。このようにして、接合基板構造が得られる。この実施の形態においては、2つの基板が接合され、これはその後の薄膜形成プロセスにおいて用いられる温度よりも高い温度に耐え得る。
その後、それぞれのSiO層615および625、中間層616および626、ならびに第1の電極617および627が、第1の基板610および第2の基板620のそれぞれの前面614および624に形成される。SiO層は、プラズマ強化化学蒸着(PECVD)プロセスによって形成され、中間層および第1の電極は、スパッタリングによって形成される(図6(d))。次いで、接合された第1および第2の基板は、支持および回転され、それによりそれぞれの第1の電極617および627上にそれぞれの圧電膜が形成される。図1(a)〜1(h)に関連する上記の例示に従い、同様の乾燥、焼きなまし等を行ってもよい。結晶化圧電膜618および628を形成することができる。同様に、それぞれの圧電膜618および628上に第2の電極619および629が形成され、その結果、両面微細加工圧電素子が得られる。完成時、両面素子は、内部に空洞を有する接合基板を備える。各面で形成された圧電膜は、独立して制御できる。
それぞれの圧電膜618および628を形成する目的で、図2(a)、2(b)、4(a)、4(b)、5(a)および5(b)に関連して上記で例示されるようなホルダーを、基板を支持し回転させるために用いることができる。図7に示されるような1つの実施の形態においては、はじめに前面614をホルダー690に向けて第1の基板610を支持することにより、第2の基板620の前面624を露出して、先駆物質溶液680を用いて回転の間に圧電膜628を成膜する。続いて前面624を装置に向けて第2の基板620を支持することにより、第1の基板610の前面614を露出して、先駆物質溶液680を用いて回転の間に圧電膜618を成膜する。
本発明の実施の形態を添付図面と関連して上記の詳細な説明中で例示してきたが、本発明は、開示された実施の形態に限定されず、特許請求の範囲により記述および列挙されるような本発明の精神を逸脱することなく、多数の再構成、修正、選択肢および代替が可能である。
本発明の1つの実施の形態に従うMEMS素子の製造方法を示す部分断面図である。 本発明の1つの実施の形態に従って圧電薄膜層を形成するためのホルダーにより保持されている基板を示す平面図である。 図2(a)のA−A側断面図である。 図2(b)の部分拡大図である。 本発明に従って形成された具体的なMEMS素子を示す断面図および斜視図である。 本発明の別の実施の形態に従って圧電薄膜層を形成するためのホルダーを示す平面図である。 図4(a)のA−A側断面図である。 図4(b)の部分拡大図である。 本発明のさらなる実施の形態に従って圧電薄膜層を形成するためのホルダーを示す平面図である。 図5(a)のA−A側断面図である。 本発明の別の実施の形態に従うMEMS素子の製造方法を示す部分断面図である。 本発明の1つの実施の形態に従い、図6(a)〜(d)に従うような素子を形成するための支持形態を示す断面図である。

Claims (15)

  1. 微細加工素子の膜構造を製造する方法であって、
    基板を用意するステップと、
    前記基板の裏面に微細構造を形成するステップと、
    前記微細構造を形成した後に、前記基板の前面上に薄膜層を形成するために、前記基板を回転させつつ先駆物質溶液を前記前面に滴下するステップと、
    前記基板をベースプレート上に設置するステップであって、前記微細構造とベースプレートとの間に間隔が開くように、前記基板の周辺部分を前記ベースプレート上に設置するステップと、
    を含む、方法。
  2. 前記基板の前記周辺部分を前記ベースプレートから突設した隆条部の上に設置することにより、前記微細構造と前記ベースプレートとの間に間隔を形成する、請求項に記載の方法。
  3. 前記微細構造を前記先駆物質溶液から隔離するため、前記基板の前記周辺部分を前記ベースプレート上で前記隆状部によって封止するステップをさらに含む請求項に記載の方法。
  4. 微細加工素子の膜構造を製造する方法であって、
    基板を用意するステップと、
    前記基板の裏面に微細構造を形成するステップと、
    前記微細構造を形成した後に、前記基板の前面上に薄膜層を形成するために、前記基板を回転させつつ先駆物質溶液を前記前面に滴下するステップと、
    前記先駆物質溶液が前記微細構造と接触することを防止するために、前記基板の周辺部分を囲むように高圧区域を形成するステップと、
    を含む、方法。
  5. 微細加工素子の膜構造を製造する方法であって、
    基板を用意するステップと、
    前記基板の裏面に微細構造を形成するステップと、
    前記基板の前記前面に中間層および第1の電極層を形成するステップと、
    前記微細構造を形成した後に、前記基板の前面上に薄膜層を形成するために、前記基板を回転させつつ先駆物質溶液を前記前面に滴下するステップと、
    を含む、方法
  6. 前記薄膜層の形成後、焼きなましにより前記薄膜層を結晶化させるステップをさらに含む請求項に記載の方法。
  7. 前記薄膜層の結晶化後、前記薄膜層上に第2の電極層を形成するステップをさらに含む請求項に記載の方法。
  8. 片持ち梁構造の微細加工素子を形成するために、前記基板、前記中間層、前記第1の電極層、前記薄膜層および前記第2の電極層を貫通エッチングするステップをさらに含む請求項に記載の方法。
  9. ブリッジ構造の微細加工素子を形成するために、前記基板、前記中間層、前記第1の電極層、前記薄膜層および前記第2の電極層を貫通エッチングするステップをさらに含む請求項に記載の方法。
  10. 微細加工素子の膜構造を製造する方法であって、
    基板を用意するステップと、
    前記基板の裏面に微細構造を形成するステップと、
    前記微細構造を形成した後に、前記基板の前面上に薄膜層を形成するために、前記基板を回転させつつ先駆物質溶液を前記前面に滴下するステップと、
    を含み、前記微細加工素子は圧電ベースのMEMS素子であり、前記薄膜層は圧電膜を備える方法。
  11. 前記片持ち梁構造の微細加工素子は圧電ベースのMEMS素子であり、前記薄膜層は圧電膜を備える、請求項8に記載の方法。
  12. 前記ブリッジ構造の微細加工素子は圧電ベースのMEMS素子であり、前記薄膜層は圧電膜を備える、請求項9に記載の方法。
  13. 微細加工素子の膜構造を製造する方法であって、
    裏面、前面および周辺部分をそれぞれ有する第1の基板および第2の基板を用意するステップと、
    前記第1および前記第2の基板の前記裏面に微細構造を形成するステップと、
    前記第1の基板と前記第2の基板とを前記裏面を互いに向かい合わせて接合するステップと、
    前記接合された前記第1および前記第2の基板を回転のために支持するステップと、
    前記第1の基板の前記前面に第1の前駆物質溶液を滴下するステップと、前記接合された基板を回転して前記第1の基板の前記前面に第1の薄膜層を形成するステップと、前記第2の基板の前記前面に第2の前駆物質溶液を滴下するステップと、前記接合された基板を回転して前記第2の基板の前記前面に第2の薄膜層を形成するステップと
    を含む、方法。
  14. 前記第1の基板とベースプレートとの間に間隔を形成すると共に前記第2の基板の前記前面上への先駆物質溶液滴下を行なうべく前記第2の基板の前記前面を露出するために、前記接合された前記第1および前記第2の基板を支持するステップは、前記第1の基板の前記周辺部分をベースプレート上に設置するステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
  15. 前記第2の基板と前記ベースプレートとの間に間隔を形成すると共に前記第1の基板の前記前面上への先駆物質溶液滴下を行なうべく前記第1の基板の前記前面を露出するために、前記第2の基板の前記前面上での前記薄膜形成後、前記第2の基板の周辺部分を前記ベースプレート上に設置するステップをさらに含む、請求項14に記載の方法。
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