JP4453476B2 - Shift circuit, shift register circuit, and display device - Google Patents

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Description

本発明は、シフト回路、シフトレジスタ回路および表示装置に関し、特にレベルシフト機能付きシフト回路、当該シフト回路を複数段縦続接続してなるシフトレジスタ回路および当該シフトレジスタ回路を駆動回路の一部に用いた表示装置に関する。   The present invention relates to a shift circuit, a shift register circuit, and a display device, and more particularly, to a shift circuit having a level shift function, a shift register circuit formed by cascading a plurality of shift circuits, and the shift register circuit as a part of a drive circuit. Related to the display device.

シフトレジスタ回路の各転送段(シフト段)として用いられるシフト回路として、動作の基準となるクロックパルスを第1の振幅から第2の振幅にレベルシフト(レベル変換)するレベルシフト機能付きのシフト回路が知られている(例えば、特許文献1参照)。この種のシフトレジスタ回路は、表示装置や撮像装置に用いられるスキャナを構成するシフトレジスタ回路として用いられる。   As a shift circuit used as each transfer stage (shift stage) of a shift register circuit, a shift circuit with a level shift function for level-shifting (level conversion) a clock pulse serving as a reference of operation from a first amplitude to a second amplitude Is known (see, for example, Patent Document 1). This type of shift register circuit is used as a shift register circuit constituting a scanner used in a display device or an imaging device.

図41は、レベルシフト機能付きシフト回路の構成の一例を示す回路図である。図41に示すように、本例に係るシフト回路100は、カレントミラー回路101を基本回路とする構成となっている。カレントミラー回路101は、ゲートが相互に接続されたNchMOSトランジスタ(以下、「NMOSトランジスタ」と略記する)n101,n102からなり、一方のNMOSトランジスタn101がゲートとドレインが共通接続されたダイオード接続となっている。NMOSトランジスタn101,n102の各ソースには、低電圧振幅(例えば、0[V]−3[V])の逆相のクロックCK,xCKがそれぞれ入力される。   FIG. 41 is a circuit diagram showing an example of the configuration of a shift circuit with a level shift function. As shown in FIG. 41, the shift circuit 100 according to this example has a configuration in which a current mirror circuit 101 is a basic circuit. The current mirror circuit 101 includes NchMOS transistors (hereinafter abbreviated as “NMOS transistors”) n101 and n102 whose gates are connected to each other, and one NMOS transistor n101 has a diode connection in which the gate and drain are commonly connected. ing. Respective phase clocks CK and xCK having a low voltage amplitude (for example, 0 [V] to 3 [V]) are input to the sources of the NMOS transistors n101 and n102, respectively.

カレントミラー回路101において、NMOSトランジスタn102のドレイン出力がVSS−VDDの高電圧振幅(例えば、0[V]−8[V])を有し、インバータ102で反転後転送パルスOUTとして出力される。NMOSトランジスタn101,n102の各ドレインと電源電位VDDとの間には、PchMOSトランジスタ(以下、「PMOSトランジスタ」と略記する)p101,p102がそれぞれ接続されている。   In the current mirror circuit 101, the drain output of the NMOS transistor n102 has a high voltage amplitude of VSS-VDD (for example, 0 [V] -8 [V]), and is output as the transfer pulse OUT after being inverted by the inverter 102. PchMOS transistors (hereinafter abbreviated as “PMOS transistors”) p101 and p102 are connected between the drains of the NMOS transistors n101 and n102 and the power supply potential VDD, respectively.

NMOSトランジスタn101のドレインと電源電位VSSとの間には、NMOSトランジスタn103,n104が直列に接続されている。NMOSトランジスタn103のゲートには、転送パルスINがインバータ103で反転されて与えられる。NMOSトランジスタn104のゲートには、NMOSトランジスタn102のドレイン出力が直接与えられる。   NMOS transistors n103 and n104 are connected in series between the drain of the NMOS transistor n101 and the power supply potential VSS. The transfer pulse IN is inverted by the inverter 103 and applied to the gate of the NMOS transistor n103. The drain output of the NMOS transistor n102 is directly given to the gate of the NMOS transistor n104.

PMOSトランジスタp101のゲートで電源電位VDDとの間には、PMOSトランジスタp103,p104が直列に接続されている。PMOSトランジスタp102のゲートで電源電位VDDとの間には、PMOSトランジスタp105,p106が直列に接続されている。NMOSトランジスタn102のドレイン(PMOSトランジスタp102のドレイン)と電源電位VDDとの間には、PMOSトランジスタp107,p108が並列に接続されている。   PMOS transistors p103 and p104 are connected in series between the gate of the PMOS transistor p101 and the power supply potential VDD. PMOS transistors p105 and p106 are connected in series between the gate of the PMOS transistor p102 and the power supply potential VDD. PMOS transistors p107 and p108 are connected in parallel between the drain of the NMOS transistor n102 (the drain of the PMOS transistor p102) and the power supply potential VDD.

PMOSトランジスタp103,p105,p107の各ゲートには、インバータ102で反転後のNMOSトランジスタn102のドレイン出力、即ち転送パルスOUTが与えられる。PMOSトランジスタp104,p106,p108の各ゲートには、転送パルスINが直接与えられる。   The drain output of the NMOS transistor n102 after being inverted by the inverter 102, that is, the transfer pulse OUT is applied to the gates of the PMOS transistors p103, p105, and p107. A transfer pulse IN is directly applied to the gates of the PMOS transistors p104, p106, and p108.

PMOSトランジスタp101のゲートには、互いに並列に接続されたNMOSトランジスタn105,n106を介してクロックパルスxCKが与えられる。PMOSトランジスタp102のゲートには、互いに並列に接続されたNMOSトランジスタn107,n108を介してクロックパルスCKが与えられる。NMOSトランジスタn105,n107の各ゲートには、転送パルスINが直接与えられる。NMOSトランジスタn106,n108の各ゲートには、転送パルスOUTが与えられる。   A clock pulse xCK is applied to the gate of the PMOS transistor p101 via NMOS transistors n105 and n106 connected in parallel to each other. A clock pulse CK is applied to the gate of the PMOS transistor p102 via NMOS transistors n107 and n108 connected in parallel. The transfer pulse IN is directly applied to the gates of the NMOS transistors n105 and n107. A transfer pulse OUT is applied to the gates of the NMOS transistors n106 and n108.

NMOSトランジスタn103のゲートと電源電位VDDとの間、NMOSトランジスタn102のドレイン(PMOSトランジスタp102のドレイン)と電源電位VDDとの間には、PMOSトランジスタp109,p110がそれぞれ接続されている。PMOSトランジスタp109,p110の各ゲートには、Lowアクティブのリセットパルスrstが与えられる。   PMOS transistors p109 and p110 are connected between the gate of the NMOS transistor n103 and the power supply potential VDD, and between the drain of the NMOS transistor n102 (drain of the PMOS transistor p102) and the power supply potential VDD, respectively. A low active reset pulse rst is applied to the gates of the PMOS transistors p109 and p110.

上述した回路構成から明らかなように、本従来例に係るシフト回路100は、カレントミラー回路101を用いたカレントミラー型レベルシフト回路とクロック抜きシフト回路とを組み合わせた構成となっており、転送パルスINがHighまたは転送パルスOUTがHighのときに当該レベルシフト回路が動作するようになっている。   As is clear from the circuit configuration described above, the shift circuit 100 according to this conventional example has a configuration in which a current mirror type level shift circuit using the current mirror circuit 101 and a clock-out shift circuit are combined, and the transfer pulse The level shift circuit operates when IN is High or the transfer pulse OUT is High.

特開2002−287711号公報JP 2002-287711 A

上記構成の従来例に係るレベルシフト機能付きシフト回路100では、カレントミラー回路101を基本とする回路構成となっていることから、電源電位VDDとクロックパルスCK,XCKの間(図中点線の矢印で示した部分)にレベルシフト回路駆動時に常にリーク電流(貫通電流)が流れることになるため、このリーク電流が本シフト回路100の消費電力を高める原因となっていた。   The shift circuit 100 with a level shift function according to the conventional example having the above configuration has a circuit configuration based on the current mirror circuit 101, and therefore between the power supply potential VDD and the clock pulses CK and XCK (dotted line arrows in the figure). The leakage current (through current) always flows when the level shift circuit is driven, and this leakage current causes the power consumption of the shift circuit 100 to increase.

また、VDD−CK,XCK間にリークがあることで、クロックパルスCK,xCKには当該リークを吸収するための出力能力が要求されるため、クロックパルスCK,xCKの負担が大きく、さらにはカレントミラー回路101を構成する対のNMOSトランジスタn101,n102の特性が同じである必要があるため、トランジスタ特性のばらつきに弱いという課題もある。   Further, since there is a leak between VDD-CK and XCK, the clock pulse CK and xCK are required to have an output capability to absorb the leak. Since the characteristics of the pair of NMOS transistors n101 and n102 constituting the mirror circuit 101 need to be the same, there is a problem that they are vulnerable to variations in transistor characteristics.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、消費電力を低減できるとともに、トランジスタ特性のばらつきに強く、しかもクロックパルスへの負担が小さいシフト回路、当該シフト回路を複数段縦続接続してなるシフトレジスタ回路および当該シフトレジスタ回路を駆動回路の一部として搭載した表示装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a shift circuit that can reduce power consumption, is resistant to variations in transistor characteristics, and has a low burden on clock pulses. It is an object of the present invention to provide a shift register circuit formed by cascading a plurality of circuits and a display device in which the shift register circuit is mounted as a part of a drive circuit.

本発明によるシフト回路は、制御パルスがアクティブ状態のときに、クロックパルスを第1の振幅から第2の振幅にレベルシフトして出力するレベルシフト手段と、前記制御パルスを発生する制御パルス発生手段とを備え、
前記レベルシフト手段が、
第1の電源電位と第2の電源電位との間に直列に接続された互いに逆導電型の第1,第2のトランジスタと、前記クロックパルスが入力されるクロック端子と、前記クロック端子と前記第1のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記制御パルスがアクティブ状態のときにオン状態となる第1のスイッチ手段と、前記第2の電源電位と前記第2のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記制御パルスがアクティブ状態のときにオフ状態となる第2のスイッチ手段と、前記クロック端子と前記第2のトランジスタのゲートとの間に接続された容量素子とを有する構成となっている。
The shift circuit according to the present invention includes level shift means for level-shifting a clock pulse from a first amplitude to a second amplitude and outputting the control pulse when the control pulse is in an active state, and control pulse generation means for generating the control pulse And
The level shift means is
The first and second transistors of opposite conductivity type connected in series between the first power supply potential and the second power supply potential, a clock terminal to which the clock pulse is input, the clock terminal, A first switch means connected between the first transistor and being turned on when the control pulse is in an active state; and between the second power supply potential and the gate of the second transistor. And a second switch means that is turned off when the control pulse is in an active state, and a capacitor element connected between the clock terminal and the gate of the second transistor. ing.

上記構成のレベルシフト機能付きシフト回路において、制御パルスがアクティブ状態のときに、第1のスイッチ手段がオン状態になることにより、当該第1のスイッチ手段を通してクロック端子から第1のトランジスタのゲートにクロックパルスが与えられると同時に、第2のスイッチ手段がオフ状態となることにより、第2のトランジスタのゲートへの第2の電源電位の供給が遮断され、当該第2のトランジスタのゲートがフローティング状態となるとともに、第2のトランジスタのゲートに容量素子によるカップリングによってクロックパルスが伝達される。   In the shift circuit with a level shift function configured as described above, when the control pulse is in the active state, the first switch means is turned on, so that the clock terminal passes through the first switch means to the gate of the first transistor. At the same time as the clock pulse is applied, the second switch means is turned off, so that the supply of the second power supply potential to the gate of the second transistor is cut off, and the gate of the second transistor is in a floating state. At the same time, a clock pulse is transmitted to the gate of the second transistor by coupling using a capacitive element.

このとき、第1,第2のトランジスタの各ゲートに与えられるクロックパルスは同位相であるが、第2のトランジスタのゲートに与えられるクロックパルスの高レベル側の電位が第2の電源電位となり、第1のトランジスタのゲートに与えられるクロックパルスの高レベル側の電位を相対的にシフトさせたものとなる。また、クロックパルスの振幅は、第1,第2のトランジスタの閾値Vthよりも大きな値である。これにより、第1,第2のトランジスタは、オフすべきタイミングでは上記ゲート電位の関係から確実にオフ状態となる。したがって、第1,第2のトランジスタからなる相補性回路において、これらトランジスタのオフ時のリークを確実に防ぐことができる。   At this time, the clock pulses applied to the gates of the first and second transistors have the same phase, but the high-level potential of the clock pulse applied to the gate of the second transistor becomes the second power supply potential. The potential on the high level side of the clock pulse applied to the gate of the first transistor is relatively shifted. The amplitude of the clock pulse is larger than the threshold value Vth of the first and second transistors. As a result, the first and second transistors are surely turned off from the relationship of the gate potential at the timing to be turned off. Therefore, in the complementary circuit composed of the first and second transistors, leakage when these transistors are off can be reliably prevented.

本発明によれば、レベルシフト部におけるオフ時のリークを確実に防ぐことができるため消費電力を低減でき、しかもカレントミラー回路を用いない回路構成を採っているためトランジスタ特性のばらつきに強いシフト回路を提供できる。   According to the present invention, it is possible to reliably prevent leakage when the level shift unit is turned off, so that power consumption can be reduced, and a circuit configuration that does not use a current mirror circuit is employed. Can provide.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

[第1実施形態]
図1は、本発明の第1実施形態に係るシフト回路の回路構成を示す回路図である。本実施形態に係るシフト回路10は、レベルシフト部11および制御パルス発生部12を有する構成となっている。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a circuit diagram showing a circuit configuration of a shift circuit according to the first embodiment of the present invention. The shift circuit 10 according to the present embodiment has a configuration including a level shift unit 11 and a control pulse generation unit 12.

レベルシフト部11は、制御パルス発生部12から与えられる制御パルスNSWがアクティブ状態のときに、クロックパルスCKをVSS−Vin振幅(例えば、0[V]−3[V]振幅)からVSS−VDD振幅(例えば、0[V]−8[V]振幅)にレベルシフトして出力パルスOUTとして出力する。なお、クロックパルスCKのHigh電位Vinは、トランジスタの閾値Vthよりも大きい必要がある(VDD>Vin>Vth)。制御パルス発生部12は、クロックパルスCKの1周期分だけアクティブ状態になるパルスを発生し、レベルシフト部11に制御パルスNSWとして与える。   The level shift unit 11 changes the clock pulse CK from VSS-Vin amplitude (for example, 0 [V] -3 [V] amplitude) to VSS-VDD when the control pulse NSW given from the control pulse generating unit 12 is in an active state. The level is shifted to an amplitude (for example, 0 [V] -8 [V] amplitude), and output as an output pulse OUT. Note that the high potential Vin of the clock pulse CK needs to be larger than the threshold value Vth of the transistor (VDD> Vin> Vth). The control pulse generator 12 generates a pulse that is in an active state for one cycle of the clock pulse CK, and supplies the pulse to the level shift unit 11 as a control pulse NSW.

図2に、クロックパルスCK、制御パルス発生部12の入力パルスIN、制御パルスNSW、当該制御パルスNSWの逆相制御パルスPSWおよび出力パルスOUTのレベル関係およびタイミング関係を示す。   FIG. 2 shows the level relationship and timing relationship of the clock pulse CK, the input pulse IN of the control pulse generator 12, the control pulse NSW, the negative phase control pulse PSW of the control pulse NSW, and the output pulse OUT.

ここで、レベルシフト部11および制御パルス発生部12の各々の具体的な回路構成の実施例について説明する。先ず、レベルシフト部11について説明する。   Here, examples of specific circuit configurations of the level shift unit 11 and the control pulse generator 12 will be described. First, the level shift unit 11 will be described.

(レベルシフト部11の実施例1)
図3は、実施例1に係るレベルシフト部(LS1)11Aの構成を示す回路図である。図3に示すように、本実施例1に係るレベルシフト部11Aは、相補性回路21、第1〜第3のスイッチ回路22〜24、容量素子Capおよびバッファ25を有するとともに、クロック端子26、制御端子27および出力端子28を備えた構成となっている。
(Example 1 of the level shifter 11)
FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a configuration of the level shift unit (LS1) 11A according to the first embodiment. As illustrated in FIG. 3, the level shift unit 11A according to the first embodiment includes a complementary circuit 21, first to third switch circuits 22 to 24, a capacitive element Cap, and a buffer 25, and a clock terminal 26, The control terminal 27 and the output terminal 28 are provided.

相補性回路21は、電源電位VSSと電源電位VDDとの間に直列に接続された互いに逆導電型の第1,第2のトランジスタ、即ちNMOSトランジスタn11とPMOSトランジスタp11とから構成されている。これらNMOSトランジスタn11およびPMOSトランジスタp11の各ドレインは、バッファ25を介して回路出力端子28に接続されている。   The complementary circuit 21 includes first and second transistors of opposite conductivity types connected in series between the power supply potential VSS and the power supply potential VDD, that is, an NMOS transistor n11 and a PMOS transistor p11. The drains of the NMOS transistor n11 and the PMOS transistor p11 are connected to the circuit output terminal 28 via the buffer 25.

第1のスイッチ回路22は、NMOSトランジスタn12によって構成されており、当該NMOSトランジスタn12のドレインがクロック端子26に、ソースがNMOSトランジスタn11のゲートに、ゲートが制御端子27にそれぞれ接続されている。クロック端子26は、VSS−Vin振幅(例えば、0[V]−3[V]振幅)のクロックパルスCKを入力とする。制御端子27は、制御パルス発生部12で発生される、クロックパルスCKの1周期分だけアクティブ状態(High電位=電源電位VDD)になる制御パルスNSWを入力とする。   The first switch circuit 22 is constituted by an NMOS transistor n12. The drain of the NMOS transistor n12 is connected to the clock terminal 26, the source is connected to the gate of the NMOS transistor n11, and the gate is connected to the control terminal 27. The clock terminal 26 receives a clock pulse CK having a VSS-Vin amplitude (for example, 0 [V] -3 [V] amplitude). The control terminal 27 receives a control pulse NSW that is generated by the control pulse generator 12 and is in an active state (High potential = power supply potential VDD) for one cycle of the clock pulse CK.

第2のスイッチ回路23は、電源電位VDDとPMOSトランジスタp11のゲートとの間に接続され、制御パルスNSWをゲート入力とするPMOSトランジスタp12によって構成されている。この第2のスイッチ回路23は、制御パルスNSWがアクティブ状態(High電位)のときにオフ状態となることで、電源電位VDDとPMOSトランジスタp11のゲートとの電気的な接続を遮断し、PMOSトランジスタp11のゲートをフローティング状態にする。   The second switch circuit 23 is connected between the power supply potential VDD and the gate of the PMOS transistor p11, and is configured by a PMOS transistor p12 having the control pulse NSW as a gate input. The second switch circuit 23 is turned off when the control pulse NSW is in an active state (High potential), thereby cutting off the electrical connection between the power supply potential VDD and the gate of the PMOS transistor p11. The gate of p11 is brought into a floating state.

第3のスイッチ回路24は、電源電位VDDとNMOSトランジスタn11のゲートとの間に接続され、制御パルスNSWをゲート入力とするPMOSトランジスタp15によって構成されている。この第3のスイッチ回路24は、制御パルスNSWがアクティブ状態のときにオフ状態となることで、電源電位VDDとNMOSトランジスタn11のゲートとの電気的な接続を遮断する。   The third switch circuit 24 is connected between the power supply potential VDD and the gate of the NMOS transistor n11, and is configured by a PMOS transistor p15 having the control pulse NSW as a gate input. The third switch circuit 24 is turned off when the control pulse NSW is in an active state, thereby cutting off the electrical connection between the power supply potential VDD and the gate of the NMOS transistor n11.

容量素子Capは、クロック端子26とNMOSトランジスタn11のゲートとの間に接続されている。これにより、クロックパルスCKは、容量素子CapによるカップリングによってPMOSトランジスタp11のゲートに伝達されることになる。   The capacitive element Cap is connected between the clock terminal 26 and the gate of the NMOS transistor n11. As a result, the clock pulse CK is transmitted to the gate of the PMOS transistor p11 by the coupling by the capacitive element Cap.

バッファ25は、例えばインバータバッファ回路からなる。ただし、このバッファ25は必須のものではなく、必要に応じて配置されることになる。   The buffer 25 is composed of, for example, an inverter buffer circuit. However, the buffer 25 is not essential and is arranged as necessary.

続いて、上記構成の本実施例1に係るレベルシフト部11Aの回路動作について、図4のタイミングチャートを用いて説明する。   Next, the circuit operation of the level shift unit 11A according to the first embodiment having the above configuration will be described with reference to the timing chart of FIG.

先ず、制御パルスNSWがLow電位(電源電位VSS)のとき、NMOSトランジスタn12がオフ状態、PMOSトランジスタp12,p13がオン状態となるため、クロックパルスCKの論理状態によらず、ノードA(PMOSトランジスタp11のゲート)の電位VAおよびノードB(NMOSトランジスタn11の)ゲートの電位VBは電源電位VDDである。したがって、PMOSトランジスタp11がオフ、NMOSトランジスタn11がオンとなるため、出力パルスOUTは電源電位VSSとなる。   First, when the control pulse NSW is at the low potential (power supply potential VSS), the NMOS transistor n12 is turned off and the PMOS transistors p12 and p13 are turned on, so that the node A (PMOS transistor) is turned on regardless of the logic state of the clock pulse CK. The potential VA of the gate of p11 and the potential VB of the node B (of the NMOS transistor n11) are the power supply potential VDD. Accordingly, the PMOS transistor p11 is turned off and the NMOS transistor n11 is turned on, so that the output pulse OUT becomes the power supply potential VSS.

制御パルスNSWがHigh電位(電源電位VDD)のとき、即ち本レベルシフト部11Aの駆動状態では、NMOSトランジスタn12がオン状態、PMOSトランジスタp12,p13がオフ状態となるため、ノードAはフローティング状態になり、容量素子Capを通してクロックパルスCKのカップリングを受ける。ノードBには、NMOSトランジスタn12を通してクロックパルスCKが与えられる。   When the control pulse NSW is at a high potential (power supply potential VDD), that is, in the driving state of the level shift unit 11A, the NMOS transistor n12 is in the on state and the PMOS transistors p12 and p13 are in the off state. Thus, the clock pulse CK is coupled through the capacitive element Cap. A clock pulse CK is supplied to the node B through the NMOS transistor n12.

ここで、制御パルスNSWがアクティブ状態(High電位)となるのは、クロックパルスCKの1周期分の期間であり、当該1周期分だけ本レベルシフト部11Aを駆動させることになる。この1周期におけるノードBのクロック振幅はVSS/Vin、ノードAのクロック振幅はVDD−Vin/VDDとなり、しかもノードA,Bに印加されるクロックが同位相である。   Here, the control pulse NSW is in an active state (High potential) during a period of one cycle of the clock pulse CK, and the level shift unit 11A is driven by the one cycle. In this one cycle, the clock amplitude of the node B is VSS / Vin, the clock amplitude of the node A is VDD−Vin / VDD, and the clocks applied to the nodes A and B are in phase.

これにより、PMOSトランジスタp11およびNMOSトランジスタn11は、オフすべきタイミングでは、ノードA,Bの各電位VA,VBの関係から確実にオフ状態となる。したがって、PMOSトランジスタp11およびNMOSトランジスタn11からなる相補性回路21において、これらMOSトランジスタp11,n11のオフ時のリークを確実に防ぎつつ、クロックパルスCKをVSS−VDD振幅の出力パルスOUTにレベルシフト(レベル変換)することができる。   Thereby, the PMOS transistor p11 and the NMOS transistor n11 are surely turned off from the relationship between the potentials VA and VB of the nodes A and B at the timing to be turned off. Therefore, in the complementary circuit 21 including the PMOS transistor p11 and the NMOS transistor n11, the clock pulse CK is level-shifted to the output pulse OUT with the amplitude of VSS-VDD while reliably preventing leakage when the MOS transistors p11 and n11 are turned off ( Level conversion).

上述したように、VSS−Vin(例えば、0[V]−3[V])振幅のクロックパルスCKをVSS−VDD(例えば、0[V]−8[V])振幅の出力パルスOUTにレベルシフトするレベルシフト部11Aにおいて、NMOSトランジスタn11およびPMOSトランジスタp11からなる相補性回路21を基本回路とし、レベルシフト駆動時にNMOSトランジスタn11のゲートにはクロックパルスCKを与える一方、PMOSトランジスタp11のゲートには容量素子CapによるカップリングによってクロックパルスCKを電源電位VDD側に相対的にシフトさせたクロックパルスを与えることにより、NMOSトランジスタn11およびPMOSトランジスタp11がオフすべきタイミングでは確実にオフ状態になるため、相補性回路21にリーク電流が流れることはない。   As described above, a clock pulse CK having an amplitude of VSS-Vin (for example, 0 [V] -3 [V]) is leveled to an output pulse OUT having an amplitude of VSS-VDD (for example, 0 [V] -8 [V]). In the shifting level shift unit 11A, the complementary circuit 21 including the NMOS transistor n11 and the PMOS transistor p11 is a basic circuit, and the clock pulse CK is applied to the gate of the NMOS transistor n11 during the level shift driving, while the gate of the PMOS transistor p11 is applied. Provides a clock pulse obtained by relatively shifting the clock pulse CK to the power supply potential VDD side by coupling with the cap element Cap, so that the NMOS transistor n11 and the PMOS transistor p11 are surely turned off at the timing to be turned off. , Never leak current flows to the auxiliary resistance circuit 21.

このように、レベルシフト部11Aにリーク電流が流れなくなることにより、シフト回路10の低消費電力化を実現できる。また、逆導電型のトランジスタからなる相補性回路21を基本回路としていることにより、リーク電流がなく、常にトランジスタの飽和領域で駆動することになるため、カレントミラー回路を基本回路とする従来例に係るレベルシフト回路で見られるようなトランジスタ特性(閾値Vthやドレイン−ソース電流Ids等)のばらつきに強い、即ちトランジスタ特性のバラツキによる回路性能が大きく左右されないレベルシフト部11Aを実現できる。しかも、電源電位VDDとクロックパルスCKとの間にリークがないため、クロックパルスCKへの負担を軽減できる。   As described above, the leakage current does not flow through the level shift unit 11A, so that the power consumption of the shift circuit 10 can be reduced. Further, since the complementary circuit 21 composed of a reverse conductivity type transistor is used as a basic circuit, there is no leakage current and the transistor is always driven in the saturation region of the transistor. Therefore, the current mirror circuit is used as a basic circuit. It is possible to realize a level shift unit 11A that is resistant to variations in transistor characteristics (threshold Vth, drain-source current Ids, etc.) as seen in such a level shift circuit, that is, circuit performance is not greatly affected by variations in transistor characteristics. In addition, since there is no leakage between the power supply potential VDD and the clock pulse CK, the burden on the clock pulse CK can be reduced.

ただし、実施例1に係るレベルシフト部11Aの回路構成では、制御パルスNSWがLow電位で、ノードAが電源電位VDDに固定となるときにも、容量素子Capを通してクロックパルスCKのカップリングがノードAにおよぶ懸念がある。このカップリングの影響により、ノードAの電位VAが揺れ、その電位の揺れが出力パルスOUTに例えばヒゲ状のノイズとして現れる可能性がある。これを改善した回路構成が実施例2に係るレベルシフト部11Bである。   However, in the circuit configuration of the level shift unit 11A according to the first embodiment, even when the control pulse NSW is at the low potential and the node A is fixed at the power supply potential VDD, the coupling of the clock pulse CK through the capacitive element Cap is the node. There is concern about A. Due to the influence of this coupling, the potential VA of the node A may fluctuate, and the fluctuation of the potential may appear as, for example, beard-like noise in the output pulse OUT. A circuit configuration that improves this is the level shift unit 11B according to the second embodiment.

(レベルシフト部11の実施例2)
図5は、実施例2に係るレベルシフト部(LS2)11Bの構成を示す回路図であり、図3と同等部分には同一符号を付して示している。
(Example 2 of the level shift unit 11)
FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a configuration of the level shift unit (LS2) 11B according to the second embodiment, and the same components as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals.

本実施例2に係るレベルシフト部11Bは、実施例1に係るレベルシフト部11Aの構成要素に加えて、第4のスイッチ回路31および第5のスイッチ回路32を有する構成となっている。第4のスイッチ回路31は、クロック端子26と容量素子Capの一端との間に接続され、制御パルスNSWをゲート入力とするNMOSトランジスタn13によって構成されている。第5のスイッチ回路32は、電圧端子33と容量素子Capの一端との間に接続され、制御パルスNSWをゲート入力とするPMOSトランジスタp14によって構成されている。電圧端子33は、一定電圧Vinを入力とする。   The level shift unit 11B according to the second embodiment has a configuration including a fourth switch circuit 31 and a fifth switch circuit 32 in addition to the components of the level shift unit 11A according to the first embodiment. The fourth switch circuit 31 is connected between the clock terminal 26 and one end of the capacitive element Cap, and is configured by an NMOS transistor n13 having a control pulse NSW as a gate input. The fifth switch circuit 32 is connected between the voltage terminal 33 and one end of the capacitive element Cap, and includes a PMOS transistor p14 that receives the control pulse NSW as a gate input. The voltage terminal 33 receives a constant voltage Vin.

続いて、上記構成の本実施例2に係るレベルシフト部11Bの回路動作について、図6のタイミングチャートを用いて説明する。基本的な回路動作は、実施例1に係るレベルシフト部11Aの回路動作と同じであるため、ここでは、新たに追加された第4,第5のスイッチ回路31,32の動作を中心に説明するものとする。   Next, the circuit operation of the level shift unit 11B according to the second embodiment having the above configuration will be described with reference to the timing chart of FIG. Since the basic circuit operation is the same as the circuit operation of the level shift unit 11A according to the first embodiment, the description here focuses on the operations of the newly added fourth and fifth switch circuits 31 and 32. It shall be.

第4のスイッチ回路31において、NMOSトランジスタn13は、制御パルスNSWがアクティブ状態(High電位=電源電位VDD)のときにオン状態となってクロックパルスCKをノードC(キャパシタCapの一端)に供給する一方、制御パルスNSWが非アクティブ状態(Low電位=電源電位VSS)のときにはオフ状態となり、クロック端子26と容量素子Capとの間の電気的な接続を遮断することで、クロックパルスCKの影響がノードAにおよばないようにする。   In the fourth switch circuit 31, the NMOS transistor n13 is turned on when the control pulse NSW is in the active state (High potential = power supply potential VDD) and supplies the clock pulse CK to the node C (one end of the capacitor Cap). On the other hand, when the control pulse NSW is in an inactive state (Low potential = power supply potential VSS), the control pulse NSW is turned off, and the electrical connection between the clock terminal 26 and the capacitive element Cap is interrupted. Do not extend to node A.

また、第5のスイッチ回路32において、PMOSトランジスタp14は、制御パルスNSWがアクティブ状態のときにオフ状態となって電圧端子33とノードCとの間の電気的な接続を遮断する一方、制御パルスNSWが非アクティブ状態のときにはオン状態となり、電圧端子33とノードCとの間を電気的に接続することで、ノードCの電位VCを一定電位Vinに固定する。   Further, in the fifth switch circuit 32, the PMOS transistor p14 is turned off when the control pulse NSW is in the active state and cuts off the electrical connection between the voltage terminal 33 and the node C, while the control pulse NSW When the NSW is in an inactive state, it is turned on, and the potential VC of the node C is fixed to the constant potential Vin by electrically connecting the voltage terminal 33 and the node C.

上述したように、実施例2に係るレベルシフト部11Bでは、制御パルスNSWが非アクティブ状態のときに、クロック端子26とノードCとの間の電気的な接続を遮断するとともに、ノードCの電位VCを一定電位Vinに固定することにより、容量素子Capを通してクロックパルスCKのカップリングがノードAにおよぶのを阻止することができるため、ノードAの電位VAの揺れに起因するヒゲ状のノイズが出力パルスOUTに現れることはない。   As described above, in the level shift unit 11B according to the second embodiment, when the control pulse NSW is in an inactive state, the electrical connection between the clock terminal 26 and the node C is interrupted and the potential of the node C By fixing VC to a constant potential Vin, it is possible to prevent the coupling of the clock pulse CK through the capacitive element Cap from reaching the node A. Therefore, there is a beard-like noise caused by the fluctuation of the potential VA of the node A. It does not appear in the output pulse OUT.

ここで、NMOSトランジスタn12,n13のオン抵抗について考察する。NMOSトランジスタn12,n13は、制御パルスNSWがアクティブ状態のときにクロックパルスCKをノードB,Cに供給するためのスイッチである。このクロックパルスCKの供給期間はクロックパルスCKの1周期分に当たるため、スイッチ回路22,31には、クロックパルスCKのHigh側電位VinとLow側電位VSSを十分に供給するための能力が必要である。しかし、スイッチ回路22,31をNMOSトランジスタn12,n13単独で構成すると、オン時のゲート電圧VDDに対してクロックパルスCKのHigh側電位Vin時の方がオン抵抗が高くなってしまう。   Here, the on-resistance of the NMOS transistors n12 and n13 will be considered. The NMOS transistors n12 and n13 are switches for supplying the clock pulse CK to the nodes B and C when the control pulse NSW is in an active state. Since the supply period of the clock pulse CK corresponds to one cycle of the clock pulse CK, the switch circuits 22 and 31 need to have an ability to sufficiently supply the high-side potential Vin and the low-side potential VSS of the clock pulse CK. is there. However, if the switch circuits 22 and 31 are composed of the NMOS transistors n12 and n13 alone, the on-resistance becomes higher at the high-side potential Vin of the clock pulse CK than the gate voltage VDD at the on-time.

続いて、ゲート−ドレイン間またはゲート−ソース間カップリングについて考察する。制御パルスNSWがアクティブ状態(電源電位VDD)から非アクティブ状態(電源電位VSS)に遷移するときに、ゲート−ドレイン間カップリングまたはゲート−ソース間カップリングがある。このカップリングによる飛込みによって回路が誤動作を起こす懸念がある。   Next, gate-drain or gate-source coupling will be considered. When the control pulse NSW transitions from the active state (power supply potential VDD) to the inactive state (power supply potential VSS), there is a gate-drain coupling or a gate-source coupling. There is a concern that the circuit may malfunction due to jumping in due to this coupling.

このような、NMOSトランジスタn12,n13のオン抵抗およびゲート−ドレイン間またはゲート−ソース間カップリングに関する懸念を改善した回路構成が実施例3に係るレベルシフト部11Cである。   The level shift unit 11C according to the third embodiment is a circuit configuration in which such concerns regarding the on-resistance and gate-drain or gate-source coupling of the NMOS transistors n12 and n13 are improved.

この実施例2に係るレベルシフト部11Bをレベルシフト部11として用いた場合のシフト回路10の構成を、第1実施形態の変形例1に係るシフト回路10Aとして図7に示す。   A configuration of the shift circuit 10 when the level shift unit 11B according to the second example is used as the level shift unit 11 is illustrated in FIG. 7 as a shift circuit 10A according to the first modification of the first embodiment.

(レベルシフト部11の実施例3)
図8は、実施例3に係るレベルシフト部(LS3)11Cの構成を示す回路図であり、図5と同等部分には同一符号を付して示している。
(Example 3 of the level shift unit 11)
FIG. 8 is a circuit diagram illustrating a configuration of the level shift unit (LS3) 11C according to the third embodiment, and the same components as those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals.

本実施例3に係るレベルシフト部11Cは、スイッチ回路22,23,24,31,32をCMOSスイッチを用いて構成している点で本実施例2に係るレベルシフト部11Bと相違している。すなわち、スイッチ回路22は、互いに並列接続されたNMOSトランジスタn21およびPMOSトランジスタp21によって構成され、NMOSトランジスタn21のゲートに制御端子27を介して入力される制御パルスNSWが、PMOSトランジスタp21のゲートに制御端子34を介して入力される制御パルスNSWと逆相の制御パルスPSWがそれぞれ印加されるようになっている。   The level shift unit 11C according to the third embodiment is different from the level shift unit 11B according to the second embodiment in that the switch circuits 22, 23, 24, 31, and 32 are configured using CMOS switches. . That is, the switch circuit 22 includes an NMOS transistor n21 and a PMOS transistor p21 connected in parallel to each other, and a control pulse NSW input to the gate of the NMOS transistor n21 via the control terminal 27 is controlled to the gate of the PMOS transistor p21. A control pulse PSW having a phase opposite to that of the control pulse NSW input via the terminal 34 is applied.

スイッチ回路23は、互いに並列接続されたNMOSトランジスタn22およびPMOSトランジスタp22によって構成され、NMOSトランジスタn22のゲートに逆相の制御パルスPSWが、PMOSトランジスタp22のゲートに正相の制御パルスNSWがそれぞれ印加されるようになっている。スイッチ回路24は、互いに並列接続されたNMOSトランジスタn23およびPMOSトランジスタp23によって構成され、NMOSトランジスタn23のゲートに逆相の制御パルスPSWが、PMOSトランジスタp23のゲートに正相の制御パルスNSWがそれぞれ印加されるようになっている。   The switch circuit 23 includes an NMOS transistor n22 and a PMOS transistor p22 connected in parallel to each other, and a negative-phase control pulse PSW is applied to the gate of the NMOS transistor n22, and a positive-phase control pulse NSW is applied to the gate of the PMOS transistor p22. It has come to be. The switch circuit 24 includes an NMOS transistor n23 and a PMOS transistor p23 connected in parallel to each other. A negative-phase control pulse PSW is applied to the gate of the NMOS transistor n23, and a positive-phase control pulse NSW is applied to the gate of the PMOS transistor p23. It has come to be.

スイッチ回路31は、互いに並列接続されたNMOSトランジスタn24およびPMOSトランジスタp24によって構成され、NMOSトランジスタn24のゲートに正相の制御パルスNSWが、PMOSトランジスタp24のゲートに逆相の制御パルスPSWがそれぞれ印加されるようになっている。スイッチ回路32は、互いに並列接続されたNMOSトランジスタn25およびPMOSトランジスタp25によって構成され、NMOSトランジスタn25のゲートに逆相の制御パルスPSWが、PMOSトランジスタp25のゲートに正相の制御パルスNSWがそれぞれ印加されるようになっている。   The switch circuit 31 includes an NMOS transistor n24 and a PMOS transistor p24 connected in parallel to each other, and a normal-phase control pulse NSW is applied to the gate of the NMOS transistor n24, and a negative-phase control pulse PSW is applied to the gate of the PMOS transistor p24. It has come to be. The switch circuit 32 includes an NMOS transistor n25 and a PMOS transistor p25 connected in parallel to each other, and a negative-phase control pulse PSW is applied to the gate of the NMOS transistor n25, and a positive-phase control pulse NSW is applied to the gate of the PMOS transistor p25. It has come to be.

図9は、実施例3に係るレベルシフト部11Cの回路動作の説明に供するタイミングチャートである。本実施例3に係るレベルシフト部11Cの場合には、制御パルスNSWと逆相の制御パルスPSWが追加されることになる。   FIG. 9 is a timing chart for explaining the circuit operation of the level shift unit 11C according to the third embodiment. In the case of the level shift unit 11C according to the third embodiment, a control pulse PSW having a phase opposite to that of the control pulse NSW is added.

上述したように、実施例3に係るレベルシフト部11Cでは、スイッチ回路22,31をCMOSスイッチを用いて構成したことにより、当該スイッチ回路22,31をNMOSトランジスタ単独で構成した場合における当該NMOSトランジスタのオン抵抗に関する懸念、即ちオン時のゲート電圧VDDに対してクロックパルスCKのHigh側電位Vin時の方がオン抵抗が高くなるという懸念を、PMOSトランジスタp21,p24の作用によって解消することができる。   As described above, in the level shift unit 11C according to the third embodiment, since the switch circuits 22 and 31 are configured by using CMOS switches, the NMOS transistors in the case where the switch circuits 22 and 31 are configured by an NMOS transistor alone. The concern about the on-resistance, that is, the concern that the on-resistance becomes higher at the high-side potential Vin of the clock pulse CK than the gate voltage VDD at the time of turning on can be eliminated by the action of the PMOS transistors p21 and p24. .

また、スイッチ回路23,24,32をCMOSスイッチで構成したことにより、当該スイッチ回路23,24,32をNMOSトランジスタ単独で構成した場合におけるゲート−ドレイン間またはゲート−ソース間カップリングに起因する懸念、即ちカップリングによる飛込みによって回路が誤動作を起こすという懸念を、PMOSトランジスタp22,p23,p25の作用によって解消することができる。   Further, since the switch circuits 23, 24, and 32 are constituted by CMOS switches, there is a concern due to gate-drain or gate-source coupling when the switch circuits 23, 24, and 32 are constituted by NMOS transistors alone. That is, the concern that the circuit malfunctions due to jumping in due to coupling can be eliminated by the action of the PMOS transistors p22, p23, and p25.

なお、本実施例3では、スイッチ回路22,23,24,31,32をCMOSスイッチで構成することで上記の各懸念を解消するとしたが、この解消策は必ず必要なものでなく、回路定数や駆動条件(各種電圧設定値)によって上記の各懸念に対する対策箇所の必要性を検討し、対策の有無を選択するようにすることも可能である。   In the third embodiment, the switch circuits 22, 23, 24, 31, and 32 are configured with CMOS switches to solve the above-mentioned concerns. However, this solution is not always necessary, and circuit constants are not necessary. It is also possible to examine the necessity of countermeasure points for each of the above concerns according to driving conditions (various voltage setting values) and to select the presence or absence of countermeasures.

この実施例3に係るレベルシフト部11Cをレベルシフト部11として用いた場合のシフト回路10の構成を、第1実施形態の変形例2に係るシフト回路10Bとして図10に示す。   A configuration of the shift circuit 10 when the level shift unit 11C according to the third embodiment is used as the level shift unit 11 is illustrated in FIG. 10 as a shift circuit 10B according to the second modification of the first embodiment.

次に、制御パルスNSW(逆相制御パルスPSW)を発生する制御パルス発生部12について説明する。   Next, the control pulse generator 12 that generates the control pulse NSW (reverse phase control pulse PSW) will be described.

制御パルスNSWは、先述したクロックパルスCKの1周期分だけアクティブ(High電位)になるパルス信号である。このような制御パルスNSWを生成する方法として、次の2つの方法が考えられる。   The control pulse NSW is a pulse signal that becomes active (High potential) for one cycle of the clock pulse CK described above. As a method for generating such a control pulse NSW, the following two methods are conceivable.

ここでは、本実施形態に係るシフト回路10を例えばシフトレジスタ回路の各シフト段(転送段)として用いる場合を前提として説明するものとする。第1の方法は、シフトレジスタ回路における自身段入力と自身段出力とを利用する方法であり、これを実施例1として説明する。第2の方法は、シフトレジスタ回路における自身段入力と次段出力を利用する方法であり、これを実施例2,3,4として説明する。   Here, description will be made on the assumption that the shift circuit 10 according to the present embodiment is used as each shift stage (transfer stage) of a shift register circuit, for example. The first method uses a self-stage input and a self-stage output in the shift register circuit, which will be described as a first embodiment. The second method uses a self-stage input and a next-stage output in the shift register circuit, and this will be described as Embodiments 2, 3, and 4.

(制御パルス発生部12の実施例1)
図11は、実施例1に係る制御パルス発生部(APGa)12Aの構成を示すブロック図である。
(Example 1 of the control pulse generator 12)
FIG. 11 is a block diagram illustrating the configuration of the control pulse generator (APGa) 12A according to the first embodiment.

図11に示すように、本実施例1に係る制御パルス発生部12Aは、NOR回路41、インバータ回路42およびリセット回路43を有し、2つの入力端子44,45、2つの出力端子46,47およびリセット端子48を備えた構成となっている。入力端子44は、クロックパルスCKと同じパルス幅の入力パルスIN1を入力とする。この入力パルスIN1は、シフトレジスタ回路における自身段の入力パルスに相当する。入力端子45は、入力パルスIN1に対してクロックパルスCKの1/2周期だけ位相がずれた入力パルスIN2を入力とする。この入力パルスIN2は、シフトレジスタ回路における自身段の出力パルスに相当する。   As shown in FIG. 11, the control pulse generator 12A according to the first embodiment includes a NOR circuit 41, an inverter circuit 42, and a reset circuit 43, two input terminals 44 and 45, and two output terminals 46 and 47. The reset terminal 48 is provided. The input terminal 44 receives an input pulse IN1 having the same pulse width as the clock pulse CK. This input pulse IN1 corresponds to the input pulse of its own stage in the shift register circuit. The input terminal 45 receives as input an input pulse IN2 whose phase is shifted by a half cycle of the clock pulse CK with respect to the input pulse IN1. This input pulse IN2 corresponds to the output pulse of its own stage in the shift register circuit.

NOR回路41は、入力パルスIN1と入力パルスIN2との否定論理和をとる。インバータ回路42は、NOR回路41の出力パルスを反転することで正相の制御パルスNSWを生成し、出力端子46を通して出力する。また、NOR回路41の出力パルスは、そのまま出力端子47を通して逆相の制御パルスPSWとして出力される。この逆相の制御パルスPSWは、レベルシフト部11が実施例3に係るレベルシフト部11Cの場合に必要となる。図12に、入力パルスIN1,IN2および制御パルスNSW,PSWのタイミング関係を示す。   The NOR circuit 41 takes a negative OR of the input pulse IN1 and the input pulse IN2. The inverter circuit 42 inverts the output pulse of the NOR circuit 41 to generate a positive-phase control pulse NSW and outputs it through the output terminal 46. Further, the output pulse of the NOR circuit 41 is output as it is as a negative-phase control pulse PSW through the output terminal 47. This anti-phase control pulse PSW is required when the level shift unit 11 is the level shift unit 11C according to the third embodiment. FIG. 12 shows the timing relationship between the input pulses IN1 and IN2 and the control pulses NSW and PSW.

リセット回路43は、電源電位VDDとNOR回路41の出力端(インバータ回路42の入力端)との間に接続され、リセット端子48を介して入力されるリセットパルスrstをゲート入力とするPMOSトランジスタp30によって構成されている。このリセット回路43では、リセットパルスrstがLow電位になることで、PMOSトランジスタp30がオン状態となってNOR回路41の出力端電位(インバータ回路42の入力端電位)を電源電位VDDにするリセット動作が行われる。   The reset circuit 43 is connected between the power supply potential VDD and the output terminal of the NOR circuit 41 (the input terminal of the inverter circuit 42), and has a PMOS transistor p30 having a reset pulse rst input through the reset terminal 48 as a gate input. It is constituted by. In the reset circuit 43, when the reset pulse rst becomes a low potential, the PMOS transistor p30 is turned on to reset the output terminal potential of the NOR circuit 41 (the input terminal potential of the inverter circuit 42) to the power supply potential VDD. Is done.

図13は、NOR回路41の構成の一例を示す回路図である。図13に示すように、本例に係るNOR回路41は、電源電位VDDと出力ノードNoutとの間に直列に接続され、入力パルスIN1,IN2をゲート入力とするPMOSトランジスタp31,p32と、出力ノードNoutと電源電位VSSとの間に並列に接続され、入力パルスIN1,IN2をゲート入力とするNMOSトランジスタn31,n32とによって構成されている。ただし、NOR回路41としてはこの構成に限られるものではない。   FIG. 13 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the NOR circuit 41. As shown in FIG. 13, the NOR circuit 41 according to this example is connected in series between a power supply potential VDD and an output node Nout, and has PMOS transistors p31 and p32 having input pulses IN1 and IN2 as gate inputs, and outputs. It is configured by NMOS transistors n31 and n32 connected in parallel between the node Nout and the power supply potential VSS and using the input pulses IN1 and IN2 as gate inputs. However, the NOR circuit 41 is not limited to this configuration.

図14は、インバータ回路42の構成の一例を示す回路図である。図14に示すように、本例に係るインバータ回路42は、電源電位VDDと電源電位VSSとの間に直列に接続され、ゲート同士およびドレイン同士がそれぞれ共通に接続されたPMOSトランジスタp33およびNMOSトランジスタn33からなるCMOSインバータ構成となっている。ただし、インバータ回路42としてはこの構成に限られるものではない。   FIG. 14 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the inverter circuit 42. As shown in FIG. 14, the inverter circuit 42 according to the present example includes a PMOS transistor p33 and an NMOS transistor that are connected in series between the power supply potential VDD and the power supply potential VSS, and whose gates and drains are connected in common. It has a CMOS inverter configuration consisting of n33. However, the inverter circuit 42 is not limited to this configuration.

この実施例1に係る制御パルス発生部12Aは、第1実施形態に係るシフト回路10(図1)、その変形例1に係るシフト回路10A(図7)、その変形例2に係るシフト回路10B(図10)において、制御パルス発生部12として用いられる。   The control pulse generator 12A according to Example 1 includes a shift circuit 10 according to the first embodiment (FIG. 1), a shift circuit 10A according to Modification 1 (FIG. 7), and a shift circuit 10B according to Modification 2. In FIG. 10, the control pulse generator 12 is used.

(制御パルス発生部12の実施例2)
図15は、実施例2に係る制御パルス発生部(APGb1)12B1の構成を示すブロック図である。
(Example 2 of the control pulse generator 12)
FIG. 15 is a block diagram illustrating a configuration of a control pulse generator (APGb1) 12B1 according to the second embodiment.

図15に示すように、本実施例2に係る制御パルス発生部12B1は、切り替え回路51、ラッチ回路52およびリセット回路53を有し、2つの入力端子54,55、2つの出力端子56,57およびリセット端子58を備えた構成となっている。入力端子54は、クロックパルスCKと同じパルス幅の入力パルスPRINを入力とする。この入力パルスPRINは、シフトレジスタ回路における自身段の入力パルスに相当する。入力端子55は、入力パルスIN1(PRIN)に対してクロックパルスCKの1周期だけ位相がずれた入力パルスNXINを入力とする。この入力パルスNXINは、シフトレジスタ回路における次段の出力パルスに相当する。   As shown in FIG. 15, the control pulse generator 12B1 according to the second embodiment includes a switching circuit 51, a latch circuit 52, and a reset circuit 53, two input terminals 54 and 55, and two output terminals 56 and 57. The reset terminal 58 is provided. The input terminal 54 receives an input pulse PRIN having the same pulse width as that of the clock pulse CK. This input pulse PRIN corresponds to the input pulse of its own stage in the shift register circuit. The input terminal 55 receives an input pulse NXIN whose phase is shifted by one cycle of the clock pulse CK with respect to the input pulse IN1 (PRIN). This input pulse NXIN corresponds to the output pulse of the next stage in the shift register circuit.

切り替え回路51は、電源電位VDDと電源電位VSSとの間に直列に接続されたPMOSトランジスタp41およびNMOSトランジスタn41と、インバータ回路511とを有する構成となっている。PMOSトランジスタp41のゲートには、入力パルスPRINがインバータ回路511で反転されて与えられる。NMOSトランジスタn41のゲートには、入力パルスNXINが直接与えられる。この切り替え回路51は、入力パルスPRIN/NXINによって制御パルスNSWのLow側電位VSSとHigh側電位VDDとの切り替えを行う。   The switching circuit 51 includes a PMOS transistor p41 and an NMOS transistor n41 connected in series between the power supply potential VDD and the power supply potential VSS, and an inverter circuit 511. The input pulse PRIN is inverted by the inverter circuit 511 and applied to the gate of the PMOS transistor p41. The input pulse NXIN is directly applied to the gate of the NMOS transistor n41. The switching circuit 51 switches between the low-side potential VSS and the high-side potential VDD of the control pulse NSW by the input pulse PRIN / NXIN.

ラッチ回路52は、一方の出力端子56(切り替え回路51の出力端)に入力端が、他方の出力端子57に出力端がそれぞれ接続されたインバータ回路521と、当該インバータ回路521に対して逆向きに並列接続されたインバータ回路522とによって構成されている。このラッチ回路52は、切り替え回路51の出力端電位をラッチすることで、Low側電位VSS/High側電位VDDを維持する。   The latch circuit 52 includes an inverter circuit 521 having an input terminal connected to one output terminal 56 (an output terminal of the switching circuit 51) and an output terminal connected to the other output terminal 57, and a reverse direction with respect to the inverter circuit 521. And an inverter circuit 522 connected in parallel to each other. The latch circuit 52 latches the output terminal potential of the switching circuit 51 to maintain the Low side potential VSS / High side potential VDD.

切り替え回路51の出力端電位は、そのまま出力端子56から正相の制御パルスNSWとして出力されるとともに、ラッチ回路52を経由して出力端子57から逆相の制御パルスPSWとして出力される。この逆相の制御パルスPSWは、レベルシフト部11が実施例3に係るレベルシフト部11Cの場合に必要となる。図16に、入力パルスPRIN,NXINおよび制御パルスNSW,PSWのタイミング関係を示す。   The output terminal potential of the switching circuit 51 is output as it is from the output terminal 56 as a normal-phase control pulse NSW, and is also output from the output terminal 57 via the latch circuit 52 as a negative-phase control pulse PSW. This anti-phase control pulse PSW is required when the level shift unit 11 is the level shift unit 11C according to the third embodiment. FIG. 16 shows the timing relationship between the input pulses PRIN and NXIN and the control pulses NSW and PSW.

リセット回路53は、切り替え回路51の出力端と電源電位VSSとの間に接続され、リセット端子58を介して入力されるリセットパルスrstをゲート入力とするNMOSトランジスタn42によって構成されている。このリセット回路53では、リセットパルスrstがHigh電位になることで、NMOSトランジスタn42がオン状態となって切り替え回路51の出力端電位を電源電位VSSにするリセット動作が行われる。   The reset circuit 53 is connected between the output terminal of the switching circuit 51 and the power supply potential VSS, and is configured by an NMOS transistor n42 having a reset pulse rst input through the reset terminal 58 as a gate input. In the reset circuit 53, when the reset pulse rst becomes a high potential, the NMOS transistor n42 is turned on, and a reset operation for setting the output terminal potential of the switching circuit 51 to the power supply potential VSS is performed.

上記構成の実施例2に係る制御パルス発生部12B1では、ラッチ回路52を用いた構成を採っているために、制御パルスNSWのLow側電位VSSとHigh側電位VDDとの切り替えが起きる度に、切り替え回路51の出力端と出力端子56との間の信号線上において切り替え回路51の出力とラッチ回路52の出力との間で衝突が起きる。このことから、切り替えをスムーズに行うためには、切り替え回路51の出力がラッチ回路52の出力よりも大きい必要がある。したがって、本制御パルス発生部12B1を設計するに当たっては、この部分に注意した回路定数の決定が必要になる。   Since the control pulse generator 12B1 according to the second embodiment having the above configuration employs the configuration using the latch circuit 52, every time the control pulse NSW is switched between the low-side potential VSS and the high-side potential VDD, A collision occurs between the output of the switching circuit 51 and the output of the latch circuit 52 on the signal line between the output terminal of the switching circuit 51 and the output terminal 56. Therefore, in order to perform switching smoothly, the output of the switching circuit 51 needs to be larger than the output of the latch circuit 52. Therefore, in designing the control pulse generator 12B1, it is necessary to determine circuit constants while paying attention to this portion.

制御パルス発生部12における安定した駆動を実現するためには、切り替え回路51の出力とラッチ回路52の出力との衝突は回避した方が好ましい。そこで、切り替え回路51の出力とラッチ回路52の出力との衝突を回避するようにした回路構成が、実施例3,4に係る制御パルス発生部12B2,12B3である。   In order to realize stable driving in the control pulse generator 12, it is preferable to avoid a collision between the output of the switching circuit 51 and the output of the latch circuit 52. Therefore, the circuit configuration that avoids the collision between the output of the switching circuit 51 and the output of the latch circuit 52 is the control pulse generators 12B2 and 12B3 according to the third and fourth embodiments.

(制御パルス発生部12の実施例3)
図17は、実施例3に係る制御パルス発生部(APGb2)12B2の構成を示すブロック図であり、図中、図15と同等部分には同一符号を付して示している。
(Example 3 of the control pulse generator 12)
FIG. 17 is a block diagram illustrating a configuration of a control pulse generation unit (APGb2) 12B2 according to the third embodiment. In the drawing, the same components as those in FIG. 15 are denoted by the same reference numerals.

図17に示すように、本実施例3に係る制御パルス発生部12B2は、実施例2に係る制御パルス発生部12B1の構成要素に加えて、切り替え回路51の出力端とラッチ回路52の出力端との間にスイッチ回路59を有する構成となっている。   As shown in FIG. 17, in addition to the components of the control pulse generator 12B1 according to the second embodiment, the control pulse generator 12B2 according to the third embodiment includes an output terminal of the switching circuit 51 and an output terminal of the latch circuit 52. The switch circuit 59 is provided between the two.

スイッチ回路59は、入力パルスPRIN,NXINを2入力とするNOR回路591と、NOR回路591の出力を反転するインバータ回路592と、切り替え回路51の出力端とラッチ回路52の出力端との間に接続されたスイッチ素子593とを有する構成となっている。スイッチ素子593は、互いに並列に接続され、NOR回路591の出力およびインバータ回路592の出力をゲート入力とするNMOSトランジスタn43およびPMOSトランジスタp43からなるCMOSスイッチ構成となっている。   The switch circuit 59 includes a NOR circuit 591 having two inputs of the input pulses PRIN and NXIN, an inverter circuit 592 that inverts the output of the NOR circuit 591, and an output terminal of the switching circuit 51 and an output terminal of the latch circuit 52. The switch element 593 is connected. The switch element 593 is connected in parallel to each other, and has a CMOS switch configuration including an NMOS transistor n43 and a PMOS transistor p43 that have the outputs of the NOR circuit 591 and the inverter circuit 592 as gate inputs.

上記構成の実施例3に係る制御パルス発生部12B2では、入力パルスPRIN,NXINの否定論理和をNOR回路591でとり、その論理和演算の結果に基づいて切り替え回路51の出力端とラッチ回路52の出力端との間を電気的に接続/遮断する制御を行うことで、制御パルスNSWのLow側電位VSSとHigh側電位VDDとの切り替え時に、切り替え回路51の出力とラッチ回路52の出力との間で衝突が起きるのを回避することができる。図18に、入力パルスPRIN,NXIN、ノードA,Bの各電位VA,VBおよび制御パルスNSW,PSWのタイミング関係を示す。   In the control pulse generator 12B2 according to the third embodiment having the above-described configuration, the NOR circuit 591 takes the negative OR of the input pulses PRIN and NXIN, and the output terminal of the switching circuit 51 and the latch circuit 52 based on the result of the OR operation. By performing control to electrically connect / disconnect the output terminal of the control pulse NSW, the output of the switching circuit 51 and the output of the latch circuit 52 are switched when the control pulse NSW is switched between the low-side potential VSS and the high-side potential VDD. It is possible to avoid a collision between the two. FIG. 18 shows the timing relationship between the input pulses PRIN and NXIN, the potentials VA and VB of the nodes A and B, and the control pulses NSW and PSW.

(制御パルス発生部12の実施例4)
図19は、実施例4に係る制御パルス発生部(APGb3)12B3の構成を示すブロック図であり、図中、図17と同等部分には同一符号を付して示している。
(Embodiment 4 of the control pulse generator 12)
FIG. 19 is a block diagram illustrating a configuration of a control pulse generator (APGb3) 12B3 according to the fourth embodiment. In the figure, the same components as those in FIG. 17 are denoted by the same reference numerals.

図19に示すように、本実施例4に係る制御パルス発生部12B3は、実施例3に係る制御パルス発生部12B2のスイッチ回路59に代えて、2つのスイッチ回路59A,59Bを切り替え回路51の出力端とラッチ回路52の出力端との間に直列に接続した構成となっている。   As illustrated in FIG. 19, the control pulse generator 12B3 according to the fourth embodiment replaces the switch circuit 59 of the control pulse generator 12B2 according to the third embodiment with two switch circuits 59A and 59B of the switching circuit 51. The output terminal and the output terminal of the latch circuit 52 are connected in series.

スイッチ回路59Aは、互いに並列に接続されたNMOSトランジスタn43およびPMOSトランジスタp43からなるCMOSスイッチによって構成されており、入力パルスNXINがインバータ回路592で反転されてNMOSトランジスタn43のゲートに与えられるとともに、入力パルスNXINが直接PMOSトランジスタp43のゲートに与えられるようになっている。   The switch circuit 59A is configured by a CMOS switch including an NMOS transistor n43 and a PMOS transistor p43 connected in parallel to each other. The input pulse NXIN is inverted by the inverter circuit 592 and applied to the gate of the NMOS transistor n43. The pulse NXIN is directly applied to the gate of the PMOS transistor p43.

スイッチ回路59Bは、互いに並列に接続されたNMOSトランジスタn44およびPMOSトランジスタp44からなるCMOSスイッチによって構成されており、入力パルスPXINがインバータ回路511で反転されてNMOSトランジスタn44のゲートに与えられるとともに、入力パルスPXINが直接PMOSトランジスタp44のゲートに与えられるようになっている。   The switch circuit 59B is configured by a CMOS switch including an NMOS transistor n44 and a PMOS transistor p44 connected in parallel to each other. The input pulse PXIN is inverted by the inverter circuit 511 and applied to the gate of the NMOS transistor n44. The pulse PXIN is directly applied to the gate of the PMOS transistor p44.

上記構成の実施例4に係る制御パルス発生部12B3では、切り替え回路51の出力端とラッチ回路52の出力端との間に2つのスイッチ回路59A,59Bを直列に接続し、これらスイッチ回路59A,59Bを入力パルスNRINと入力パルスPXINとでオン/オフ制御することにより、制御パルスNSWのLow側電位VSSとHigh側電位VDDとの切り替え時に、切り替え回路51の出力とラッチ回路52の出力との間で衝突が起きるのを回避することができる。   In the control pulse generator 12B3 according to the fourth embodiment having the above-described configuration, two switch circuits 59A and 59B are connected in series between the output terminal of the switching circuit 51 and the output terminal of the latch circuit 52. 59B is ON / OFF controlled by the input pulse NRIN and the input pulse PXIN, so that the output of the switching circuit 51 and the output of the latch circuit 52 are switched when the control pulse NSW is switched between the low-side potential VSS and the high-side potential VDD. It is possible to avoid a collision between the two.

上述したシフトレジスタ回路における自身段入力と次段出力を利用する方法を採用した制御パルス発生部12B(実施例2,3,4に係る制御パルス発生部12B1,12B2,12B3)も、シフトレジスタ回路における自身段入力と自身段出力を利用する方法を採用した制御パルス発生部12Aと同様に、シフト回路10においてその制御パルス発生部12として用いられる。   The control pulse generator 12B (the control pulse generators 12B1, 12B2, and 12B3 according to the second, third, and fourth embodiments) that employs the above-described method using the input of the own stage and the output of the next stage in the shift register circuit is also a shift register circuit. The shift circuit 10 uses the control pulse generator 12 as the control pulse generator 12 in the same manner as the control pulse generator 12A adopting the method using the own stage input and the own stage output.

制御パルス発生部12Bを制御パルス発生部12として用いた場合において、実施例1に係るレベルシフト部11Aをレベルシフト部11として用いたシフト回路10の構成を第1実施形態の変形例3に係るシフト回路10Cとして図20に、実施例2に係るレベルシフト部11Bをレベルシフト部11として用いたシフト回路10の構成を第1実施形態の変形例4に係るシフト回路10Dとして図21に、実施例3に係るレベルシフト部11Cをレベルシフト部11として用いたシフト回路10の構成を第1実施形態の変形例5に係るシフト回路10Eとして図22にそれぞれ示す。   When the control pulse generation unit 12B is used as the control pulse generation unit 12, the configuration of the shift circuit 10 using the level shift unit 11A according to the first embodiment as the level shift unit 11 according to the third modification of the first embodiment. FIG. 20 shows the configuration of the shift circuit 10C, and FIG. 21 shows the configuration of the shift circuit 10 using the level shift unit 11B according to Example 2 as the level shift unit 11 as the shift circuit 10D according to Modification 4 of the first embodiment. The configuration of the shift circuit 10 using the level shift unit 11C according to Example 3 as the level shift unit 11 is shown in FIG. 22 as a shift circuit 10E according to Modification 5 of the first embodiment.

この変形例3,4,5に係るシフト回路10C,10D,10Eにおいて用いられるクロックパルスCK、入力パルスPRIN,NXIN、制御パルスNSW,PSWおよび出力パルスOUTのタイミング関係を図23に示す。   FIG. 23 shows the timing relationship between the clock pulse CK, the input pulses PRIN and NXIN, the control pulses NSW and PSW, and the output pulse OUT used in the shift circuits 10C, 10D, and 10E according to the modified examples 3, 4, and 5.

なお、変形例4,5に係るシフト回路10D,10Eでは、一定電圧Vinがレベルシフト部11B,11Cに与えられるようになっている点で、変形例3に係るシフト回路10Cと異なるが、一定電圧Vinを与える意義については実施例2に係るレベルシフト部11Bにおいて説明した通りであり、いずれのシフト回路10C,10D,10Eとも基本動作は同じである。   The shift circuits 10D and 10E according to the modification examples 4 and 5 are different from the shift circuit 10C according to the modification example 3 in that the constant voltage Vin is supplied to the level shift units 11B and 11C. The significance of applying the voltage Vin is as described in the level shift unit 11B according to the second embodiment, and the basic operation is the same for any of the shift circuits 10C, 10D, and 10E.

また、制御パルス発生部12Bには、実施例2,3,4に係る制御パルス発生部12B1,12B2,12B3の3種類あるが、基本的に同じ動作であるために、ここでは、制御パルス発生部12Bと実施例1,2,3に係るレベルシフト部11A,11B,11Cとの組み合わせの3パターンを例に挙げて示したが、実際には、実施例2,3,4に係る制御パルス発生部12B1,12B2,12B3と実施例1,2,3に係るレベルシフト部11A,11B,11Cとのそれぞれの組み合わせがあり、計9パターンの組み合わせが考えられる。   The control pulse generator 12B has three types of control pulse generators 12B1, 12B2, and 12B3 according to the second, third, and fourth embodiments. The three patterns of the combination of the unit 12B and the level shift units 11A, 11B, and 11C according to the first, second, and third examples are shown as examples, but actually, the control pulse according to the second, third, and fourth examples There are combinations of the generation units 12B1, 12B2, and 12B3 and the level shift units 11A, 11B, and 11C according to the first, second, and third embodiments, and a total of nine combinations are possible.

以上説明した、レベルシフト部11(11A,11B,11C)と、制御パルス発生部12(12A,12B1,12B2,12B3)との種々の組み合わせパターンからなるシフト回路10(10A,10B,10C,10D,10E)は、一般的なレベルシフト機能付きシフト回路として用いることができ、さらにはシフトレジスタ回路の各転送段(シフト段)として用いることができる。以下、シフトレジスタ回路の各シフト段に第1実施形態に係るシフト回路10(10A,10B,10C,10D,10E)を用いた応用例について説明する。   The shift circuit 10 (10A, 10B, 10C, 10D) composed of various combination patterns of the level shift unit 11 (11A, 11B, 11C) and the control pulse generator 12 (12A, 12B1, 12B2, 12B3) described above. , 10E) can be used as a general shift circuit with a level shift function, and can also be used as each transfer stage (shift stage) of the shift register circuit. Hereinafter, an application example in which the shift circuit 10 (10A, 10B, 10C, 10D, 10E) according to the first embodiment is used for each shift stage of the shift register circuit will be described.

(応用例1)
図24は、本発明の応用例1に係るシフトレジスタ回路の構成を示すブロック図である。図24に示すように、本応用例1に係るシフトレジスタ回路61Aは、第1実施形態に係るシフト回路10またはその変形例1,2に係るシフト回路10A,10Bが多数段縦続接続され、各転送段にクロックパルスCKと逆相のクロックパルスxCKとが交互に与えられるとともに、初段のシフト段には入力パルスINとしてシフト動作の開始を指令するスタートパルスSTが与えられ、各転送段の出力パルスOUTが次段の入力パルスINとなるとともに、転送パルスo1,o2,o3,…として導出される構成となっている。
(Application 1)
FIG. 24 is a block diagram showing a configuration of a shift register circuit according to Application Example 1 of the present invention. As shown in FIG. 24, the shift register circuit 61A according to the first application example includes the shift circuit 10 according to the first embodiment or the shift circuits 10A and 10B according to the modifications 1 and 2 connected in cascade. A clock pulse CK and a reverse-phase clock pulse xCK are alternately supplied to the transfer stage, and a start pulse ST that instructs the start of the shift operation is given to the first shift stage as an input pulse IN, and the output of each transfer stage The pulse OUT becomes the input pulse IN of the next stage and is derived as transfer pulses o1, o2, o3,.

また、各転送段には、駆動時は常にHigh電位(電源電位VDD)となるリセットパルスrstおよび一定電圧Vinが共通に与えられるようになっている。ただし、第1実施形態に係るシフト回路10を各転送段として用いる場合には、一定電圧Vinを与える必要はない。図25に、クロックパルスCK,xCK、スタートパルスST、1段目、2段目の制御パルスNSWおよび各転送段の出力パルス(転送パルス)o1,o2,o3,o4,…のタイミング関係を示す。   In addition, a reset pulse rst and a constant voltage Vin that are always at a High potential (power supply potential VDD) during driving are commonly applied to the transfer stages. However, when the shift circuit 10 according to the first embodiment is used as each transfer stage, it is not necessary to apply the constant voltage Vin. FIG. 25 shows the timing relationship between the clock pulses CK and xCK, the start pulse ST, the first and second control pulses NSW, and the output pulses (transfer pulses) o1, o2, o3, o4,. .

(応用例2)
図26は、本発明の応用例2に係るシフトレジスタ回路の構成を示すブロック図である。図26に示すように、本応用例2に係るシフトレジスタ回路61Bは、第1実施形態の変形例3〜5に係るシフト回路10C〜10Eが2N(Nは自然数)段(偶数段)縦続接続され、各転送段にクロックパルスCKと逆相のクロックパルスxCKとが交互に与えられるとともに、初段のシフト段には入力パルスPRINとしてスタートパルスSTが与えられる。また、各転送段において、自身段の出力パルスOUTが次段の入力パルスPRINになるとともに、転送パルスo1,o2,o3,…として導出される。
(Application example 2)
FIG. 26 is a block diagram showing a configuration of a shift register circuit according to Application Example 2 of the present invention. As shown in FIG. 26, in the shift register circuit 61B according to the second application example, the shift circuits 10C to 10E according to the modification examples 3 to 5 of the first embodiment are cascaded in 2N (N is a natural number) stages (even stages). Then, the clock pulse CK and the reverse-phase clock pulse xCK are alternately supplied to each transfer stage, and the start pulse ST is supplied as the input pulse PRIN to the first shift stage. Further, in each transfer stage, the output pulse OUT of the own stage becomes the input pulse PRIN of the next stage and is derived as transfer pulses o1, o2, o3,.

また、各転送段には、駆動時は常にLow電位(電源電位VSS)となるリセットパルスrstおよび一定電圧Vinが共通に与えられるようになっている。ただし、変形例3に係るシフト回路10Cを各転送段として用いる場合には、一定電圧Vinを与える必要はない。   Further, a reset pulse rst and a constant voltage Vin, which are always at a low potential (power supply potential VSS) during driving, are commonly applied to the respective transfer stages. However, when the shift circuit 10C according to the modification 3 is used as each transfer stage, it is not necessary to apply the constant voltage Vin.

ここで、変形例3〜5に係るシフト回路10C〜10Eは、次段の出力パルスOUTを自身段の入力パルスNXINとして必要とする回路である。しかし、最終段(2N段)の転送段の場合には次段の転送段が存在しないことから、最終段の転送段には次段の出力パルスに代えてそれに相当するエンドパルスEDを外部から与えることになる。   Here, the shift circuits 10C to 10E according to the modified examples 3 to 5 are circuits that require the output pulse OUT of the next stage as the input pulse NXIN of the own stage. However, in the case of the last transfer stage (2N stage), the next transfer stage does not exist, and therefore the end pulse ED corresponding thereto is externally applied to the last transfer stage instead of the output pulse of the next stage. Will give.

図27に、クロックパルスCK,xCK、スタートパルスST、1段目、2段目、2N段目の制御パルスNSW、各転送段の出力パルス(転送パルス)o1,o2,o3,…,o2NおよびエンドパルスEDのタイミング関係を示す。   FIG. 27 shows clock pulses CK, xCK, start pulse ST, first stage, second stage, 2N stage control pulse NSW, output pulses (transfer pulses) o1, o2, o3,. The timing relationship of the end pulse ED is shown.

(応用例3)
図28は、本発明の応用例3に係るシフトレジスタ回路の構成を示すブロック図である。図28に示すように、本応用例3に係るシフトレジスタ回路61Cは、第1実施形態の変形例3〜5に係るシフト回路10C〜10Eが2N−1段(奇数段)縦続接続された構成となっており、応用例2に係るシフトレジスタ回路61Bとは、転送段の段数が奇数段であるか偶数段であるかの違いだけである。
(Application 3)
FIG. 28 is a block diagram showing a configuration of a shift register circuit according to the third application example of the present invention. As shown in FIG. 28, the shift register circuit 61C according to the third application example has a configuration in which the shift circuits 10C to 10E according to the modification examples 3 to 5 of the first embodiment are cascade-connected in 2N-1 stages (odd number stages). The shift register circuit 61B according to the application example 2 is only the difference in whether the number of transfer stages is an odd number or an even number.

図29に、クロックパルスCK,xCK、スタートパルスST、1段目、2段目、2N段−1目の制御パルスNSW、各転送段の出力パルス(転送パルス)o1,o2,o3,…,o2N−1およびエンドパルスEDのタイミング関係を示す。   FIG. 29 shows clock pulses CK, xCK, start pulse ST, first stage, second stage, 2N stage-1 control pulse NSW, output pulses (transfer pulses) o1, o2, o3,. The timing relationship between o2N-1 and the end pulse ED is shown.

(応用例4)
図30は、本発明の応用例4に係るシフトレジスタ回路の構成を示すブロック図である。図30に示すように、本応用例4に係るシフトレジスタ回路61Dは、2N段(偶数段)の転送段からなり、1段目〜2N−1段目の転送段として第1実施形態の変形例3〜5に係るシフト回路10C〜10Eを用い、最終段(2N段目)の転送段として第1実施形態に係るシフト回路10またはその変形例1,2に係るシフト回路10A,10Bを用いた構成となっている。
(Application 4)
FIG. 30 is a block diagram showing a configuration of a shift register circuit according to Application Example 4 of the present invention. As shown in FIG. 30, the shift register circuit 61D according to the fourth application example includes 2N (even numbered) transfer stages, and is a modification of the first embodiment as the first to 2N−1 transfer stages. The shift circuits 10C to 10E according to Examples 3 to 5 are used, and the shift circuit 10 according to the first embodiment or the shift circuits 10A and 10B according to modifications 1 and 2 thereof are used as the final transfer stage (2N stage). It has become the composition.

このように、最終段の転送段として第1実施形態に係るシフト回路10またはその変形例1,2に係るシフト回路10A,10Bを配置することにより、最終段の転送段に対してエンドパルスEDを外部から与える必要がなくなるという利点がある。ここでは、転送段が偶数段の場合を例に挙げたが、転送段が奇数段(図28)の場合にも、その最終段の転送段として第1実施形態に係るシフト回路10またはその変形例1,2に係るシフト回路10A,10Bを配置することが可能である。   As described above, by arranging the shift circuit 10 according to the first embodiment or the shift circuits 10A and 10B according to the first and second modifications as the final transfer stage, the end pulse ED with respect to the final transfer stage. There is an advantage that it is not necessary to give the outside. Here, the case where the transfer stage is an even number stage is taken as an example. However, even when the transfer stage is an odd number stage (FIG. 28), the shift circuit 10 according to the first embodiment or a modification thereof is used as the final transfer stage. It is possible to arrange the shift circuits 10A and 10B according to Examples 1 and 2.

(応用例5)
図31は、本発明の応用例5に係るシフトレジスタ回路の構成を示すブロック図である。図31に示すように、本応用例5に係るシフトレジスタ回路61Eは、第1実施形態の変形例3〜5に係るシフト回路10C〜10Eが2N段(偶数段)縦続接続されてなり、最終段の転送段に対してエンドパルスEDの代わりに電源電位VSSを与えるとともに、TRN回路62を設けた構成となっている。
(Application example 5)
FIG. 31 is a block diagram showing a configuration of a shift register circuit according to Application Example 5 of the present invention. As shown in FIG. 31, the shift register circuit 61E according to the fifth application example is formed by cascading 2N stages (even stages) of shift circuits 10C to 10E according to modifications 3 to 5 of the first embodiment. A power supply potential VSS is applied to the transfer stage instead of the end pulse ED, and a TRN circuit 62 is provided.

TRN回路62は、2N段目の転送段の出力パルスOUTを入力パルスINとするとともに、2N−1段目の転送段の入力パルスPRINを制御パルスCNTとして入力し、制御パルスCNTがHigh電位VDDのときにはLow電位VSSを出力し、制御パルスCNTがLow電位VSSのときには入力パルスIN、即ち2N段目の転送段の出力パルスOUTをスルーする回路である。このTRN回路62の出力パルスOUTは、2N−1段目の転送段にその入力パルスNXINとして与えられる。   The TRN circuit 62 uses the output pulse OUT of the 2N-th transfer stage as an input pulse IN, and also receives the input pulse PRIN of the 2N-1-th transfer stage as a control pulse CNT, and the control pulse CNT becomes a high potential VDD. In this case, the low potential VSS is output, and when the control pulse CNT is the low potential VSS, the input pulse IN, that is, the output pulse OUT of the 2N-th transfer stage is passed through. The output pulse OUT of the TRN circuit 62 is given as the input pulse NXIN to the 2N-1 transfer stage.

最終段の転送段に対してエンドパルスEDの代わりに電源電位VSSを入力した場合、第1実施形態の変形例3〜5に係るシフト回路10C〜10Eからなる転送段の制御パルスNSWが一度High電位になってしまえば、リセットがかかるまでは各転送段がレベルシフト回路として働くことになる。したがって、最終段の出力o2Nは、クロックパルスCKをレベルシフトした波形となる。そこで、2N−1段目の制御パルスNSWとして正常な波形を生成するためにTRN回路62を設けることが重要となる。また、エンドパルスEDの代わりにスタートパルスSTを用いた場合はST=Highの度に最終段をリセットすることができる(o2n−1=HighからST=Highのみ最終段はレベルシフタとして駆動する)。この場合、TRN回路62は必要なくなる。   When the power supply potential VSS is input instead of the end pulse ED to the final transfer stage, the control pulse NSW of the transfer stage including the shift circuits 10C to 10E according to the modified examples 3 to 5 of the first embodiment is once High. Once the potential is reached, each transfer stage functions as a level shift circuit until reset is applied. Therefore, the output o2N at the final stage has a waveform obtained by level shifting the clock pulse CK. Therefore, it is important to provide the TRN circuit 62 in order to generate a normal waveform as the 2N-1 stage control pulse NSW. Further, when the start pulse ST is used instead of the end pulse ED, the final stage can be reset every time ST = High (only the final stage is driven as a level shifter from o2n-1 = High to ST = High). In this case, the TRN circuit 62 is not necessary.

図32に、クロックパルスCK,xCK、スタートパルスST、1段目、2段目、2N段−1目の制御パルスNSWおよび各転送段の出力パルス(転送パルス)o1,o2,o3,…,o2N−1のタイミング関係を示す。   32, the clock pulses CK, xCK, the start pulse ST, the first stage, the second stage, the 2N stage-1 control pulse NSW, and the output pulses (transfer pulses) o1, o2, o3,. The timing relationship of o2N-1 is shown.

図33は、TRN回路62の構成の一例を示す回路図である。図34に、入力パルスIN、制御パルスCNTおよび出力パルスOUTのタイミング関係を示す。   FIG. 33 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the TRN circuit 62. FIG. 34 shows the timing relationship between the input pulse IN, the control pulse CNT, and the output pulse OUT.

図33に示すように、本例に係るTRN回路62は、入力端子621と電源電位VSSとの間に直列に接続され、ゲート同士が共通に接続されるとともに制御端子622に接続され、ドレイン同士が共通に接続されるとともに出力端子623に接続されたPMOSトランジスタp51およびNMOSトランジスタn51と、PMOSトランジスタp51に対して並列に接続されたNMOSトランジスタn52と、制御パルスCNTを反転してNMOSトランジスタn52のゲートに与えるインバータ回路624とを有する構成となっている。   As shown in FIG. 33, the TRN circuit 62 according to this example is connected in series between the input terminal 621 and the power supply potential VSS, the gates are connected in common and the control terminal 622 is connected, and the drains are connected. Are commonly connected and connected to the output terminal 623, the PMOS transistor p51 and the NMOS transistor n51, the NMOS transistor n52 connected in parallel to the PMOS transistor p51, the control pulse CNT is inverted, and the NMOS transistor n52 And an inverter circuit 624 applied to the gate.

このように、第1実施形態の変形例3〜5に係るシフト回路10C〜10Eが2N段(偶数段)縦続接続されてなるシフトレジスタ回路61Eにおいて、最終段の転送段付近にTRN回路62を設けるとともに、最終段の転送段に対して電源電位VSSを与える構成を採ることにより、最終段の転送段に対してエンドパルスEDを外部から与える必要がなくなるという利点がある。   As described above, in the shift register circuit 61E in which the shift circuits 10C to 10E according to the modifications 3 to 5 of the first embodiment are cascade-connected in 2N stages (even stages), the TRN circuit 62 is provided near the final transfer stage. In addition to providing the power supply potential VSS to the final transfer stage, there is an advantage that it is not necessary to externally supply the end pulse ED to the final transfer stage.

なお、ここでは、転送段が偶数段の場合を例に挙げて説明したが、転送段が奇数段の場合にも、最終段(2N−1段)の転送段付近にTRN回路62を設けるとともに、最終段の転送段に対して電源電位VSSを与える構成を採ることで、同様に作用効果を得ることが可能である。   Here, the case where the transfer stage is an even number has been described as an example. However, when the transfer stage is an odd number, the TRN circuit 62 is provided in the vicinity of the transfer stage of the final stage (2N-1 stages). By adopting a configuration in which the power supply potential VSS is applied to the final transfer stage, it is possible to obtain the same effect.

また、上記各応用例に係るシフトレジスタ回路61A〜61Eでは、転送パルス間にブランキング期間を持たない転送パルスo1,o2,o3,…を生成するものとしたが、第1実施形態の変形例3〜5に係るシフト回路10C〜10Eを転送段として用いたシフトレジスタ回路、即ち図26の応用例2に係るシフトレジスタ回路61Bおよび図31の応用例5に係るシフトレジスタ回路61Eにおいて、図35および図36の各タイミングチャートに示すように、クロックパルスCK,xCKのタイミングにブランキング期間を作ることで、転送パルス間にブランキング期間を設けることができる。   Further, in the shift register circuits 61A to 61E according to the application examples described above, the transfer pulses o1, o2, o3,... Having no blanking period between the transfer pulses are generated. In the shift register circuit using the shift circuits 10C to 10E according to 3 to 5 as the transfer stage, that is, the shift register circuit 61B according to the application example 2 in FIG. 26 and the shift register circuit 61E according to the application example 5 in FIG. As shown in each timing chart of FIG. 36, a blanking period can be provided between transfer pulses by creating a blanking period at the timing of the clock pulses CK and xCK.

ここで、応用例1〜5に係るシフトレジスタ回路61A〜61Eにおいて用いられる一定電圧Vinを発生するVin電位発生回路について説明する。   Here, a Vin potential generation circuit that generates the constant voltage Vin used in the shift register circuits 61A to 61E according to the application examples 1 to 5 will be described.

応用例1〜5に係るシフトレジスタ回路61A〜61Eの各転送段に与える一定電位Vinは外部入力でも良いが、一定電位VinがクロックパルスCK,xCKのHigh電位であることから、図37に示す構成のVin電位発生回路71によって一定電圧Vinを発生することができる。   Although the constant potential Vin applied to each transfer stage of the shift register circuits 61A to 61E according to the application examples 1 to 5 may be an external input, the constant potential Vin is the high potential of the clock pulses CK and xCK. The constant voltage Vin can be generated by the Vin potential generation circuit 71 having the configuration.

図37に示すように、Vin電位発生回路71は、クロックパルスCKを入力とするクロック端子711と出力端子713との間に接続されたPMOSトランジスタp61と、クロックパルスxCKを入力とするクロック端子712と出力端子713との間に接続されたPMOSトランジスタp62とを有し、クロックパルスxCKをPMOSトランジスタp61のゲートに、クロックパルスCKをPMOSトランジスタp62のゲートにそれぞれ与える構成となっている。   As shown in FIG. 37, the Vin potential generation circuit 71 includes a PMOS transistor p61 connected between a clock terminal 711 that receives a clock pulse CK and an output terminal 713, and a clock terminal 712 that receives a clock pulse xCK. And a PMOS transistor p62 connected between the output terminal 713 and the clock pulse xCK to the gate of the PMOS transistor p61 and the clock pulse CK to the gate of the PMOS transistor p62, respectively.

クロックパルスCK,xCKおよび一定電位Vinの出力OUTのタイミング関係を図38に示す。また、クロックパルスCK,xCKにブランキング期間を設けた場合のタイミング関係を図39に示す。クロックパルスCK,xCKにブランキング期間を設けた場合は、ブランキング期間以外で一定電位Vinを供給することができる。   The timing relationship between the clock pulses CK and xCK and the output OUT of the constant potential Vin is shown in FIG. FIG. 39 shows the timing relationship when a blanking period is provided for the clock pulses CK and xCK. When a blanking period is provided for the clock pulses CK and xCK, the constant potential Vin can be supplied outside the blanking period.

上述したように、複数の転送段(シフト段)が縦続接続されてなるシフトレジスタ回路において、各転送段として、レベルシフト部11(11A,11B,11C)と、制御パルス発生部12(12A,12B1,12B2,12B3)との組み合わせパターンからなるシフト回路10(10A,10B,10C,10D,10E)を用いることにより、レベルシフト部11(11A,11B,11C)ではリーク電流が流れないことによって消費電力が少ないため、当該シフトレジスタ回路の低消費電力化を図ることができる。   As described above, in a shift register circuit in which a plurality of transfer stages (shift stages) are cascade-connected, as each transfer stage, a level shift unit 11 (11A, 11B, 11C) and a control pulse generator 12 (12A, 12A, By using the shift circuit 10 (10A, 10B, 10C, 10D, 10E) having a combination pattern with 12B1, 12B2, 12B3), no leakage current flows in the level shift unit 11 (11A, 11B, 11C). Since power consumption is low, power consumption of the shift register circuit can be reduced.

上記応用例1〜5に係るシフトレジスタ回路61A〜61Eは、一般的なレベルシフト機能付きシフトレジスタ回路として用いることができる他、一例として、電気光学素子を含む画素が行列状に2次元配置されてなる画素アレイ部を駆動する周辺駆動回路を当該画素アレイ部と同じ基板上に形成してなる駆動回路一体型の表示装置において、垂直ドライバや水平ドライバのスキャナを構成するシフトレジスタ回路として用いることができる。   The shift register circuits 61A to 61E according to the application examples 1 to 5 can be used as a general shift register circuit with a level shift function, and as an example, pixels including electro-optical elements are two-dimensionally arranged in a matrix. In a display device integrated with a drive circuit in which a peripheral drive circuit for driving the pixel array unit formed on the same substrate as the pixel array unit is used as a shift register circuit constituting a scanner for a vertical driver or a horizontal driver Can do.

(適用例)
図40は、本発明の適用例に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。ここでは、表示装置として、画素の電気光学素子として液晶セルを用いてなるアクティブマトリクス型液晶表示装置を例に挙げて説明するものとする。
(Application example)
FIG. 40 is a block diagram illustrating an example of a configuration of a display device according to an application example of the present invention. Here, an active matrix liquid crystal display device using a liquid crystal cell as an electro-optic element of a pixel will be described as an example of the display device.

図40に示すように、本適用例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置80は、画素アレイ部81、垂直ドライバ82および水平ドライバ83等を有し、垂直ドライバ82および水平ドライバ83等の周辺駆動回路が画素アレイ部81と同じ液晶パネル84上に一体的に形成された構成となっている。液晶パネル84は、2枚の絶縁基板、例えばガラス基板が一定の間隙をもって対向配置され、その間隙内に液晶材料が封入された構成となっている。   As shown in FIG. 40, an active matrix liquid crystal display device 80 according to this application example includes a pixel array unit 81, a vertical driver 82, a horizontal driver 83, and the like, and peripheral drive circuits such as the vertical driver 82 and the horizontal driver 83. Are integrally formed on the same liquid crystal panel 84 as the pixel array portion 81. The liquid crystal panel 84 has a configuration in which two insulating substrates, for example, glass substrates are arranged to face each other with a certain gap, and a liquid crystal material is sealed in the gap.

画素アレイ部81には、画素90がm行n列に2次元配置されている。また、この画素90の行列状配列に対して、行ごとに走査線85−1〜85−mが、列ごとに信号線86−1〜86−nがそれぞれ配線されている。画素90は、画素トランジスタであるTFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)91と、このTFT91のドレイン電極に画素電極が接続された液晶セル92と、TFT91のドレイン電極に一方の電極が接続された保持容量93とを有する構成となっている。   In the pixel array unit 81, the pixels 90 are two-dimensionally arranged in m rows and n columns. Further, scanning lines 85-1 to 85 -m are wired for each row and signal lines 86-1 to 86 -n are wired for each column in the matrix-like arrangement of the pixels 90. The pixel 90 includes a TFT (Thin Film Transistor) 91 which is a pixel transistor, a liquid crystal cell 92 having a pixel electrode connected to the drain electrode of the TFT 91, and a storage capacitor having one electrode connected to the drain electrode of the TFT 91. 93.

この画素構造において、各画素90のTFT91は、そのゲート電極が走査線85(85−1〜85−m)に接続され、そのソース電極が信号線86(86−1〜86−n)に接続されている。また、液晶セル92の対向電極および保持容量93の他方の電極は、コモン電圧VCOMが与えられるコモン線87に接続されている。   In this pixel structure, the TFT 91 of each pixel 90 has its gate electrode connected to the scanning line 85 (85-1 to 85-m) and its source electrode connected to the signal line 86 (86-1 to 86-n). Has been. The counter electrode of the liquid crystal cell 92 and the other electrode of the storage capacitor 93 are connected to a common line 87 to which a common voltage VCOM is applied.

垂直ドライバ82は、シフトレジスタ回路等によって構成され、画素アレイ部81の各画素90を行単位で選択する。水平ドライバ83は、シフトレジスタ回路やサンプリングスイッチ等によって構成され、垂直ドライバ82によって選択された行の各画素90に対して、パネル外部から入力される映像信号を画素単位で順次に(点順次)、あるいは行単位で一斉に(線順次)に書き込む。   The vertical driver 82 includes a shift register circuit and the like, and selects each pixel 90 of the pixel array unit 81 in units of rows. The horizontal driver 83 includes a shift register circuit, a sampling switch, and the like, and sequentially applies video signals input from the outside of the panel to each pixel 90 in the row selected by the vertical driver 82 in units of pixels (dot sequential). Or, write in units of lines all at once (line sequential).

上記構成のアクティブマトリクス型液晶表示装置80において、垂直ドライバ82および水平ドライバ83の少なくとも一方を構成するシフトレジスタ回路として、先述した応用例1〜5に係るシフトレジスタ回路61A〜61Eが用いられる。   In the active matrix liquid crystal display device 80 having the above-described configuration, the shift register circuits 61A to 61E according to the above-described application examples 1 to 5 are used as the shift register circuit constituting at least one of the vertical driver 82 and the horizontal driver 83.

このように、垂直ドライバ82や水平ドライバ83を構成するシフトレジスタ回路として、シフトレジスタ回路61A〜61Eを用いることにより、これらシフトレジスタ回路61A〜61Eでは各転送段として、リーク電流がなく、消費電流が少ないレベルシフト部11(11A,11B,11C)を含むシフト回路10を用いているため、シフトレジスタ回路61A〜61Eでの消費で点力が少なく、その結果、本液晶表示装置80の低消費電力化を実現できる。   In this way, by using the shift register circuits 61A to 61E as the shift register circuits constituting the vertical driver 82 and the horizontal driver 83, the shift register circuits 61A to 61E have no leakage current and no current consumption as the transfer stages. Since the shift circuit 10 including the level shift unit 11 (11A, 11B, 11C) with a small amount is used, the consumption in the shift register circuits 61A to 61E is small, and as a result, the low consumption of the liquid crystal display device 80 is achieved. Electricity can be realized.

なお、上記適用例では、画素の電気光学素子として液晶セルを用いた液晶表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、液晶表示装置への適用に限られるものではなく、画素の電気光学素子として例えばEL(electro luminescence) 素子を用いたEL表示装置等、シフトレジスタ回路を用いて構成される垂直ドライバや水平ドライバを画素アレイ部と同じ基板上に形成してなる表示装置全般に、さらにはシフトレジスタ回路を用いて構成されるスキャナを搭載した機器全般に適用可能である。   In the application example described above, the case where the present invention is applied to a liquid crystal display device using a liquid crystal cell as an electro-optical element of the pixel has been described as an example. For example, an EL display device using an EL (electro luminescence) element as an optical element, such as a vertical driver or a horizontal driver configured using a shift register circuit on the same substrate as the pixel array unit, Furthermore, the present invention is applicable to all devices equipped with a scanner configured using a shift register circuit.

上記適用例に係る液晶表示装置に代表される表示装置は、特に携帯電話、PDA(Personal Digital Assistants)、ノートPC(Personal Computer)等の携帯機器の画面表示部として搭載して用いることができる。   A display device typified by the liquid crystal display device according to the application example described above can be mounted and used as a screen display unit of a mobile device such as a mobile phone, a PDA (Personal Digital Assistants), and a notebook PC (Personal Computer).

本発明の第1実施形態に係るシフト回路の回路構成を示す回路図である。1 is a circuit diagram showing a circuit configuration of a shift circuit according to a first embodiment of the present invention. クロックパルスCK、入力パルスIN、制御パルスNSW、逆相制御パルスPSWおよび出力パルスOUTのレベル関係およびタイミング関係を示すタイミングチャートである。4 is a timing chart showing the level relationship and timing relationship of a clock pulse CK, an input pulse IN, a control pulse NSW, a negative phase control pulse PSW, and an output pulse OUT. 実施例1に係るレベルシフト部の構成を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a configuration of a level shift unit according to the first embodiment. 実施例1に係るレベルシフト部の回路動作の説明に供するタイミングチャートである。3 is a timing chart for explaining the circuit operation of the level shift unit according to the first embodiment. 実施例2に係るレベルシフト部の構成を示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram illustrating a configuration of a level shift unit according to a second embodiment. 実施例2に係るレベルシフト部の回路動作の説明に供するタイミングチャートである。6 is a timing chart for explaining the circuit operation of the level shift unit according to the second embodiment. 第1実施形態の変形例1に係るシフト回路の回路構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the circuit structure of the shift circuit which concerns on the modification 1 of 1st Embodiment. 実施例3に係るレベルシフト部の構成を示す回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram illustrating a configuration of a level shift unit according to a third embodiment. 実施例3に係るレベルシフト部の回路動作の説明に供するタイミングチャートである。10 is a timing chart for explaining circuit operations of the level shift unit according to the third embodiment. 第1実施形態の変形例2に係るシフト回路の回路構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the circuit structure of the shift circuit which concerns on the modification 2 of 1st Embodiment. 実施例1に係る制御パルス発生部の構成を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration of a control pulse generator according to the first embodiment. 実施例1に係る制御パルス発生部の回路動作の説明に供するタイミングチャートである。3 is a timing chart for explaining the circuit operation of the control pulse generator according to the first embodiment. NOR回路の構成の一例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows an example of a structure of a NOR circuit. インバータ回路の構成の一例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows an example of a structure of an inverter circuit. 実施例2に係る制御パルス発生部の構成を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram illustrating a configuration of a control pulse generator according to a second embodiment. 実施例2に係る制御パルス発生部の回路動作の説明に供するタイミングチャートである。6 is a timing chart for explaining a circuit operation of a control pulse generator according to the second embodiment. 実施例3に係る制御パルス発生部の構成を示すブロック図である。FIG. 9 is a block diagram illustrating a configuration of a control pulse generator according to a third embodiment. 実施例3に係る制御パルス発生部の回路動作の説明に供するタイミングチャートである。10 is a timing chart for explaining the circuit operation of the control pulse generator according to the third embodiment. 実施例4に係る制御パルス発生部の構成を示すブロック図である。FIG. 10 is a block diagram illustrating a configuration of a control pulse generator according to a fourth embodiment. 第1実施形態の変形例3に係るシフト回路の回路構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the circuit structure of the shift circuit which concerns on the modification 3 of 1st Embodiment. 第1実施形態の変形例4に係るシフト回路の回路構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the circuit structure of the shift circuit which concerns on the modification 4 of 1st Embodiment. 第1実施形態の変形例5に係るシフト回路の回路構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the circuit structure of the shift circuit which concerns on the modification 5 of 1st Embodiment. 変形例3,4,5に係るシフト回路の回路動作の説明に供するタイミングチャートである。10 is a timing chart for explaining the circuit operation of a shift circuit according to modification examples 3, 4, and 5. 本発明の応用例1に係るシフトレジスタ回路の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the shift register circuit which concerns on the application example 1 of this invention. 応用例1に係るシフトレジスタ回路の動作説明に供するタイミングチャートである。12 is a timing chart for explaining the operation of the shift register circuit according to Application Example 1; 本発明の応用例2に係るシフトレジスタ回路の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the shift register circuit which concerns on the application example 2 of this invention. 応用例2に係るシフトレジスタ回路の動作説明に供するタイミングチャートである。10 is a timing chart for explaining the operation of the shift register circuit according to Application Example 2; 本発明の応用例3に係るシフトレジスタ回路の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the shift register circuit which concerns on the application example 3 of this invention. 応用例3に係るシフトレジスタ回路の動作説明に供するタイミングチャートである。12 is a timing chart for explaining the operation of the shift register circuit according to Application Example 3. 本発明の応用例4に係るシフトレジスタ回路の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the shift register circuit which concerns on the application example 4 of this invention. 本発明の応用例5に係るシフトレジスタ回路の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the shift register circuit which concerns on the application example 5 of this invention. 応用例5に係るシフトレジスタ回路の動作説明に供するタイミングチャートである。16 is a timing chart for explaining the operation of the shift register circuit according to Application Example 5. TRN回路の構成の一例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows an example of a structure of a TRN circuit. TRN回路の動作説明に供するタイミングチャートである。6 is a timing chart for explaining the operation of the TRN circuit. 転送パルス間にブランキング期間を設ける場合のタイミング関係を示すタイミングチャート(その1)である。It is a timing chart (the 1) which shows the timing relationship in the case of providing a blanking period between transfer pulses. 転送パルス間にブランキング期間を設ける場合のタイミング関係を示すタイミングチャート(その2)である。It is a timing chart (the 2) which shows the timing relationship in the case of providing a blanking period between transfer pulses. Vin電位発生回路の構成の一例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows an example of a structure of Vin potential generation circuit. Vin電位発生回路の動作説明に供するタイミングチャート(その1)である。6 is a timing chart (part 1) for explaining the operation of the Vin potential generation circuit. Vin電位発生回路の動作説明に供するタイミングチャート(その1)である。6 is a timing chart (part 1) for explaining the operation of the Vin potential generation circuit. 本発明の適用例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置の構成の一例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows an example of a structure of the active matrix type liquid crystal display device which concerns on the application example of this invention. レベルシフト機能付きシフト回路の従来例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the prior art example of the shift circuit with a level shift function.

符号の説明Explanation of symbols

10,10A〜10E…シフト回路、11,11A〜11C…レベルシフト部、12,12A,12B(12B1〜12B3)…制御パルス発生部、21…相補性回路、22〜24,31,32…スイッチ回路、41…NOR回路、42…インバータ回路、43,53…リセット回路、51…切り替え回路、52…ラッチ回路、59,59A,59B…スイッチ回路   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,10A-10E ... Shift circuit, 11, 11A-11C ... Level shift part, 12, 12A, 12B (12B1-12B3) ... Control pulse generation part, 21 ... Complementary circuit, 22-24, 31, 32 ... Switch Circuit 41... NOR circuit 42. Inverter circuit 43 and 53 reset circuit 51 switching circuit 52 latch circuit 59B 59B switch circuit

Claims (23)

制御パルスがアクティブ状態のときに、クロックパルスを第1の振幅から第2の振幅にレベルシフトして出力するレベルシフト手段と、
前記制御パルスを発生する制御パルス発生手段とを備えたシフト回路であって、
前記レベルシフト手段は、
第1の電源電位と第2の電源電位との間に直列に接続された互いに逆導電型の第1,第2のトランジスタと、
前記クロックパルスが入力されるクロック端子と、
前記クロック端子と前記第1のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記制御パルスがアクティブ状態のときにオン状態となる第1のスイッチ手段と、
前記第2の電源電位と前記第2のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記制御パルスがアクティブ状態のときにオフ状態となる第2のスイッチ手段と、
前記クロック端子と前記第2のトランジスタのゲートとの間に接続された容量素子とを有する
ことを特徴とするシフト回路。
Level shift means for shifting the level of the clock pulse from the first amplitude to the second amplitude when the control pulse is in an active state;
A shift circuit comprising control pulse generating means for generating the control pulse,
The level shift means includes
First and second transistors of opposite conductivity type connected in series between a first power supply potential and a second power supply potential;
A clock terminal to which the clock pulse is input;
A first switch means connected between the clock terminal and the gate of the first transistor and turned on when the control pulse is in an active state;
A second switch means connected between the second power supply potential and the gate of the second transistor and turned off when the control pulse is in an active state;
A shift circuit comprising: a capacitor connected between the clock terminal and the gate of the second transistor.
前記レベルシフト手段は、前記第2の電源電位と前記第1のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記制御パルスがアクティブ状態のときにオフ状態となる第3のスイッチ手段をさらに有する
ことを特徴とする請求項1記載のシフト回路。
The level shift means further includes third switch means connected between the second power supply potential and the gate of the first transistor, and turned off when the control pulse is in an active state. The shift circuit according to claim 1, wherein:
前記レベルシフト手段は、前記クロック端子と前記容量素子との間に接続され、前記制御パルスが非アクティブ状態のときに前記クロック端子と前記容量素子との間の電気的な接続を遮断する第4のスイッチ手段をさらに有する
ことを特徴とする請求項1記載のシフト回路。
The level shift means is connected between the clock terminal and the capacitive element, and when the control pulse is in an inactive state, the level shift means cuts off the electrical connection between the clock terminal and the capacitive element. The shift circuit according to claim 1, further comprising:
前記レベルシフト手段は、前記制御パルスが非アクティブ状態のときに前記第4のスイッチ手段と前記容量素子との接続ノードの電位を一定電位に固定する手段をさらに有する
ことを特徴とする請求項3記載のシフト回路。
The level shift means further includes means for fixing a potential of a connection node between the fourth switch means and the capacitive element to a constant potential when the control pulse is in an inactive state. The shift circuit described.
前記制御パルスは、前記クロックパルスの1周期分だけアクティブ状態になる
ことを特徴とする請求項1記載のシフト回路。
The shift circuit according to claim 1, wherein the control pulse is in an active state for one cycle of the clock pulse.
制御パルスがアクティブ状態のときに、クロックパルスを第1の振幅から第2の振幅にレベルシフトして出力するレベルシフト手段と、
前記制御パルスを発生する制御パルス発生手段とを備えたシフト回路が複数段縦続接続されてなるシフトレジスタ回路であって、
前記レベルシフト手段は、
第1の電源電位と第2の電源電位との間に直列に接続された互いに逆導電型の第1,第2のトランジスタと、
前記クロックパルスが入力されるクロック端子と、
前記クロック端子と前記第1のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記制御パルスがアクティブ状態のときにオン状態となる第1のスイッチ手段と、
前記第2の電源電位と前記第2のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記制御パルスがアクティブ状態のときにオフ状態となる第2のスイッチ手段と、
前記クロック端子と前記第2のトランジスタのゲートとの間に接続された容量素子とを有する
ことを特徴とするシフトレジスタ回路。
Level shift means for shifting the level of the clock pulse from the first amplitude to the second amplitude when the control pulse is in an active state;
A shift register circuit comprising a shift circuit having a control pulse generating means for generating the control pulse is cascaded in a plurality of stages,
The level shift means includes
First and second transistors of opposite conductivity type connected in series between a first power supply potential and a second power supply potential;
A clock terminal to which the clock pulse is input;
A first switch means connected between the clock terminal and the gate of the first transistor and turned on when the control pulse is in an active state;
A second switch means connected between the second power supply potential and the gate of the second transistor and turned off when the control pulse is in an active state;
A shift register circuit comprising: a capacitor connected between the clock terminal and the gate of the second transistor.
前記レベルシフト手段は、前記第2の電源電位と前記第1のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記制御パルスがアクティブ状態のときにオフ状態となる第3のスイッチ手段をさらに有する
ことを特徴とする請求項6記載のシフトレジスタ回路。
The level shift means further includes third switch means connected between the second power supply potential and the gate of the first transistor, and turned off when the control pulse is in an active state. The shift register circuit according to claim 6.
前記レベルシフト手段は、前記クロック端子と前記容量素子との間に接続され、前記制御パルスが非アクティブ状態のときに前記クロック端子と前記容量素子との間の電気的な接続を遮断する第4のスイッチ手段をさらに有する
ことを特徴とする請求項6記載のシフトレジスタ回路。
The level shift means is connected between the clock terminal and the capacitive element, and when the control pulse is in an inactive state, the level shift means cuts off the electrical connection between the clock terminal and the capacitive element. The shift register circuit according to claim 6, further comprising: a switch unit.
前記レベルシフト手段は、前記制御パルスが非アクティブ状態のときに前記第4のスイッチ手段と前記容量素子との接続ノードの電位を一定電位に固定する手段をさらに有する
ことを特徴とする請求項7記載のシフトレジスタ回路。
The level shift means further includes means for fixing a potential of a connection node between the fourth switch means and the capacitive element to a constant potential when the control pulse is in an inactive state. The shift register circuit described.
前記制御パルス発生手段は、自身段の前記シフト回路の入力と自身段の前記シフト回路の出力とに基づいて前記制御パルスを発生する
ことを特徴とする請求項6記載のシフトレジスタ回路。
The shift register circuit according to claim 6, wherein the control pulse generation unit generates the control pulse based on an input of the shift circuit of the own stage and an output of the shift circuit of the own stage.
前記制御パルス発生手段は、自身段の前記シフト回路の入力と次段の前記シフト回路の出力とに基づいて前記制御パルスを発生する
ことを特徴とする請求項6記載のシフトレジスタ回路。
7. The shift register circuit according to claim 6, wherein the control pulse generation unit generates the control pulse based on an input of the shift circuit of the own stage and an output of the shift circuit of the next stage.
前記複数段のうち、1段目から最終段の1段前の段までの前記シフト回路における前記制御パルス発生手段は、自身段の前記シフト回路の入力と次段の前記シフト回路の出力とに基づいて前記制御パルスを発生し、
最終段の前記シフト回路における前記制御パルス発生手段は、自身段の前記シフト回路の入力と自身段の前記シフト回路の出力とに基づいて前記制御パルスを発生する
ことを特徴とする請求項6記載のシフトレジスタ回路。
Among the plurality of stages, the control pulse generating means in the shift circuit from the first stage to the stage one stage before the last stage is provided with an input of the shift circuit of the own stage and an output of the shift circuit of the next stage. Based on said control pulse,
The control pulse generating means in the shift circuit in the final stage generates the control pulse based on an input of the shift circuit in the own stage and an output of the shift circuit in the own stage. Shift register circuit.
前記複数段のうち、最終段の前記シフト回路における前記制御パルス発生手段には、次段の前記シフト回路の出力として電源電位を入力し、
最終段の1段前の段の前記シフト回路の出力がアクティブ状態のときには前記電源電位を、非アクティブ状態のときには最終段の前記シフト回路の出力を、最終段の1段前の段の前記シフト回路に与える手段を有する
ことを特徴とする請求項11記載のシフトレジスタ回路。
Of the plurality of stages, a power supply potential is input as an output of the shift circuit in the next stage to the control pulse generating means in the shift circuit in the final stage,
The power supply potential is output when the output of the shift circuit in the stage immediately preceding the final stage is in an active state, the output of the shift circuit in the final stage is in the inactive state, and the shift of the stage immediately before the final stage is performed. The shift register circuit according to claim 11, further comprising means for supplying to the circuit.
前記シフト回路の各々は、前記一定電位を高レベル側電位とする互いに逆相のクロックパルスに基づいてシフト動作を行い、
前記互いに逆相のクロックパルスに基づいて前記一定電位を生成する手段を有する
ことを特徴とする請求項9記載のシフトレジスタ回路。
Each of the shift circuits performs a shift operation based on clock pulses of opposite phases with the constant potential as a high level side potential,
The shift register circuit according to claim 9, further comprising means for generating the constant potential based on the clock pulses having opposite phases to each other.
電気光学素子を含む画素が行列状に2次元配置されてなる画素アレイ部と、前記画素アレイ部の各画素を行単位で選択する垂直駆動手段と、前記垂直駆動手段によって選択された行に映像信号を書き込む水平駆動手段とを具備し、前記垂直駆動手段および水平駆動手段の少なくとも一方がシフトレジスタ回路によって構成されてなる表示装置であって、
前記シフトレジスタ回路は、
制御パルスがアクティブ状態のときに、クロックパルスを第1の振幅から第2の振幅にレベルシフトして出力するレベルシフト手段と、
前記制御パルスを発生する制御パルス発生手段とを備えたシフト回路が複数段縦続接続されてなり、
前記レベルシフト手段は、
第1の電源電位と第2の電源電位との間に直列に接続された互いに逆導電型の第1,第2のトランジスタと、
前記クロックパルスが入力されるクロック端子と、
前記クロック端子と前記第1のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記制御パルスがアクティブ状態のときにオン状態となる第1のスイッチ手段と、
前記第2の電源電位と前記第2のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記制御パルスがアクティブ状態のときにオフ状態となる第2のスイッチ手段と、
前記クロック端子と前記第2のトランジスタのゲートとの間に接続された容量素子とを有する
ことを特徴とする表示装置。
A pixel array unit in which pixels including electro-optic elements are two-dimensionally arranged in a matrix, a vertical driving unit that selects each pixel of the pixel array unit in units of rows, and an image in a row selected by the vertical driving unit A display device comprising a horizontal drive means for writing signals, wherein at least one of the vertical drive means and the horizontal drive means is constituted by a shift register circuit,
The shift register circuit includes:
Level shift means for shifting the level of the clock pulse from the first amplitude to the second amplitude when the control pulse is in an active state;
A shift circuit having a control pulse generating means for generating the control pulse is cascaded in a plurality of stages,
The level shift means includes
First and second transistors of opposite conductivity type connected in series between a first power supply potential and a second power supply potential;
A clock terminal to which the clock pulse is input;
A first switch means connected between the clock terminal and the gate of the first transistor and turned on when the control pulse is in an active state;
A second switch means connected between the second power supply potential and the gate of the second transistor and turned off when the control pulse is in an active state;
A display device comprising: a capacitor connected between the clock terminal and a gate of the second transistor.
前記レベルシフト手段は、前記第2の電源電位と前記第1のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記制御パルスがアクティブ状態のときにオフ状態となる第3のスイッチ手段をさらに有する
ことを特徴とする請求項15記載の表示装置。
The level shift means further includes third switch means connected between the second power supply potential and the gate of the first transistor, and turned off when the control pulse is in an active state. The display device according to claim 15, characterized in that:
前記レベルシフト手段は、前記クロック端子と前記容量素子との間に接続され、前記制御パルスが非アクティブ状態のときに前記クロック端子と前記容量素子との間の電気的な接続を遮断する第4のスイッチ手段をさらに有する
ことを特徴とする請求項15記載の表示装置。
The level shift means is connected between the clock terminal and the capacitive element, and when the control pulse is in an inactive state, the level shift means cuts off the electrical connection between the clock terminal and the capacitive element. The display device according to claim 15, further comprising: a switching unit.
前記レベルシフト手段は、前記制御パルスが非アクティブ状態のときに前記第4のスイッチ手段と前記容量素子との接続ノードの電位を一定電位に固定する手段をさらに有する
ことを特徴とする請求項17記載の表示装置。
The level shift means further includes means for fixing a potential of a connection node between the fourth switch means and the capacitive element to a constant potential when the control pulse is in an inactive state. The display device described.
前記制御パルス発生手段は、自身段の前記シフト回路の入力と自身段の前記シフト回路の出力とに基づいて前記制御パルスを発生する
ことを特徴とする請求項15記載の表示装置。
The display device according to claim 15, wherein the control pulse generating unit generates the control pulse based on an input of the shift circuit of the own stage and an output of the shift circuit of the own stage.
前記制御パルス発生手段は、自身段の前記シフト回路の入力と次段の前記シフト回路の出力とに基づいて前記制御パルスを発生する
ことを特徴とする請求項15記載の表示装置。
The display device according to claim 15, wherein the control pulse generating unit generates the control pulse based on an input of the shift circuit of the own stage and an output of the shift circuit of the next stage.
前記複数段のうち、1段目から最終段の1段前の段までの前記シフト回路における前記制御パルス発生手段は、自身段の前記シフト回路の入力と次段の前記シフト回路の出力とに基づいて前記制御パルスを発生し、
最終段の前記シフト回路における前記制御パルス発生手段は、自身段の前記シフト回路の入力と自身段の前記シフト回路の出力とに基づいて前記制御パルスを発生する
ことを特徴とする請求項15記載の表示装置。
Among the plurality of stages, the control pulse generating means in the shift circuit from the first stage to the stage one stage before the last stage is provided with an input of the shift circuit of the own stage and an output of the shift circuit of the next stage. Based on said control pulse,
The control pulse generation means in the shift circuit in the final stage generates the control pulse based on an input of the shift circuit in the own stage and an output of the shift circuit in the own stage. Display device.
前記複数段のうち、最終段の前記シフト回路における前記制御パルス発生手段には、次段の前記シフト回路の出力として電源電位を入力し、
最終段の1段前の段の前記シフト回路の出力がアクティブ状態のときには前記電源電位を、非アクティブ状態のときには最終段の前記シフト回路の出力を、最終段の1段前の段の前記シフト回路に与える手段を有する
ことを特徴とする請求項20記載の表示装置。
Of the plurality of stages, a power supply potential is input as an output of the shift circuit in the next stage to the control pulse generating means in the shift circuit in the final stage,
The power supply potential is output when the output of the shift circuit in the stage immediately preceding the final stage is in an active state, the output of the shift circuit in the final stage is in the inactive state, and the shift of the stage immediately before the final stage is performed. 21. The display device according to claim 20, further comprising means for providing the circuit.
前記シフト回路の各々は、前記一定電位を高レベル側電位とする互いに逆相のクロックパルスに基づいてシフト動作を行い、
前記互いに逆相のクロックパルスに基づいて前記一定電位を生成する手段を有する
ことを特徴とする請求項18記載の表示装置。
Each of the shift circuits performs a shift operation based on clock pulses of opposite phases with the constant potential as a high level side potential,
The display device according to claim 18, further comprising means for generating the constant potential based on the clock pulses having opposite phases to each other.
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