JP4305317B2 - Shift register circuit and display device - Google Patents
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Description
本発明は、シフトレジスタ回路および表示装置に関し、特にレベルシフト機能付きシフトレジスタ回路および当該シフトレジスタ回路を駆動回路の一部に用いた表示装置に関する。 The present invention relates to a shift register circuit and a display device, and more particularly to a shift register circuit with a level shift function and a display device using the shift register circuit as a part of a drive circuit.
シフトレジスタ回路として、動作の基準となるクロックパルスを第1の振幅から第2の振幅にレベルシフト(レベル変換)するレベルシフト機能付きのシフトレジスタ回路が知られている(例えば、特許文献1参照)。この種のシフトレジスタ回路は、表示装置や撮像装置に用いられるスキャナを構成するシフトレジスタ回路として用いられる。 As a shift register circuit, there is known a shift register circuit having a level shift function for level-shifting (level conversion) a clock pulse serving as a reference for operation from a first amplitude to a second amplitude (see, for example, Patent Document 1). ). This type of shift register circuit is used as a shift register circuit constituting a scanner used in a display device or an imaging device.
図23は、レベルシフト機能付きシフトレジスタ回路の1転送段(シフト回路)の構成の一例を示す回路図である。図23に示すように、本例に係るシフト回路(転送段)100は、カレントミラー回路101を基本回路とする構成となっている。カレントミラー回路101は、ゲートが相互に接続されたNchMOSトランジスタ(以下、「NMOSトランジスタ」と略記する)n101,n102からなり、一方のNMOSトランジスタn101がゲートとドレインが共通接続されたダイオード接続となっている。NMOSトランジスタn101,n102の各ソースには、低電圧振幅(例えば、0[V]−3[V])の逆相のクロックCK,xCKがそれぞれ入力される。 FIG. 23 is a circuit diagram showing an example of the configuration of one transfer stage (shift circuit) of a shift register circuit with a level shift function. As shown in FIG. 23, the shift circuit (transfer stage) 100 according to this example is configured with a current mirror circuit 101 as a basic circuit. The current mirror circuit 101 includes NchMOS transistors (hereinafter abbreviated as “NMOS transistors”) n101 and n102 whose gates are connected to each other, and one NMOS transistor n101 has a diode connection in which the gate and drain are connected in common. ing. Respective phase clocks CK and xCK having a low voltage amplitude (for example, 0 [V] to 3 [V]) are input to the sources of the NMOS transistors n101 and n102, respectively.
カレントミラー回路101において、NMOSトランジスタn102のドレイン出力がVSS−VDDの高電圧振幅(例えば、0[V]−8[V])を有し、インバータ102で反転後転送パルスOUTとして出力される。NMOSトランジスタn101,n102の各ドレインと電源電位VDDとの間には、PchMOSトランジスタ(以下、「PMOSトランジスタ」と略記する)p101,p102がそれぞれ接続されている。
In the current mirror circuit 101, the drain output of the NMOS transistor n102 has a high voltage amplitude of VSS-VDD (for example, 0 [V] -8 [V]), and is output as the transfer pulse OUT after being inverted by the
NMOSトランジスタn101のドレインと電源電位VSSとの間には、NMOSトランジスタn103,n104が直列に接続されている。NMOSトランジスタn103のゲートには、転送パルスINがインバータ103で反転されて与えられる。NMOSトランジスタn104のゲートには、NMOSトランジスタn102のドレイン出力が直接与えられる。
NMOS transistors n103 and n104 are connected in series between the drain of the NMOS transistor n101 and the power supply potential VSS. The transfer pulse IN is inverted by the
PMOSトランジスタp101のゲートで電源電位VDDとの間には、PMOSトランジスタp103,p104が直列に接続されている。PMOSトランジスタp102のゲートで電源電位VDDとの間には、PMOSトランジスタp105,p106が直列に接続されている。NMOSトランジスタn102のドレイン(PMOSトランジスタp102のドレイン)と電源電位VDDとの間には、PMOSトランジスタp107,p108が並列に接続されている。 PMOS transistors p103 and p104 are connected in series between the gate of the PMOS transistor p101 and the power supply potential VDD. PMOS transistors p105 and p106 are connected in series between the gate of the PMOS transistor p102 and the power supply potential VDD. PMOS transistors p107 and p108 are connected in parallel between the drain of the NMOS transistor n102 (the drain of the PMOS transistor p102) and the power supply potential VDD.
PMOSトランジスタp103,p105,p107の各ゲートには、インバータ102で反転後のNMOSトランジスタn102のドレイン出力、即ち転送パルスOUTが与えられる。PMOSトランジスタp104,p106,p108の各ゲートには、転送パルスINが直接与えられる。
The drain output of the NMOS transistor n102 after being inverted by the
PMOSトランジスタp101のゲートには、互いに並列に接続されたNMOSトランジスタn105,n106を介してクロックパルスxCKが与えられる。PMOSトランジスタp102のゲートには、互いに並列に接続されたNMOSトランジスタn107,n108を介してクロックパルスCKが与えられる。NMOSトランジスタn105,n107の各ゲートには、転送パルスINが直接与えられる。NMOSトランジスタn106,n108の各ゲートには、転送パルスOUTが与えられる。 A clock pulse xCK is applied to the gate of the PMOS transistor p101 via NMOS transistors n105 and n106 connected in parallel to each other. A clock pulse CK is applied to the gate of the PMOS transistor p102 via NMOS transistors n107 and n108 connected in parallel. The transfer pulse IN is directly applied to the gates of the NMOS transistors n105 and n107. A transfer pulse OUT is applied to the gates of the NMOS transistors n106 and n108.
NMOSトランジスタn103のゲートと電源電位VDDとの間、NMOSトランジスタn102のドレイン(PMOSトランジスタp102のドレイン)と電源電位VDDとの間には、PMOSトランジスタp109,p110がそれぞれ接続されている。PMOSトランジスタp109,p110の各ゲートには、Lowアクティブのリセットパルスrstが与えられる。 PMOS transistors p109 and p110 are connected between the gate of the NMOS transistor n103 and the power supply potential VDD, and between the drain of the NMOS transistor n102 (drain of the PMOS transistor p102) and the power supply potential VDD, respectively. A low active reset pulse rst is applied to the gates of the PMOS transistors p109 and p110.
上述した回路構成から明らかなように、本従来例に係るシフトレジスタ回路のシフト回路100は、カレントミラー回路101を用いたカレントミラー型レベルシフト回路とクロック抜きシフト回路とを組み合わせた構成となっており、転送パルスINがHighまたは転送パルスOUTがHighのときに当該レベルシフト回路が動作するようになっている。 As is apparent from the circuit configuration described above, the shift circuit 100 of the shift register circuit according to the conventional example has a configuration in which a current mirror type level shift circuit using the current mirror circuit 101 and a shift circuit without clock are combined. The level shift circuit operates when the transfer pulse IN is High or the transfer pulse OUT is High.
上記構成の従来例に係るレベルシフト機能付きシフト回路100では、カレントミラー回路101を基本とする回路構成となっていることから、電源電位VDDとクロックパルスCK,XCKの間(図中点線の矢印で示した部分)にレベルシフト回路駆動時に常にリーク電流(貫通電流)が流れることになるため、このリーク電流がシフトレジスタ回路の消費電力を高める原因となっていた。 The shift circuit 100 with a level shift function according to the conventional example having the above configuration has a circuit configuration based on the current mirror circuit 101, and therefore between the power supply potential VDD and the clock pulses CK and XCK (dotted line arrows in the figure). The leakage current (through current) always flows through the level shift circuit when driving the level shift circuit, and this leakage current increases the power consumption of the shift register circuit.
また、VDD−CK,XCK間にリークがあることで、クロックパルスCK,xCKには当該リークを吸収するための出力能力が要求されるため、クロックパルスCK,xCKの負担が大きく、さらにはカレントミラー回路101を構成する対のNMOSトランジスタn101,n102の特性が同じである必要があるため、トランジスタ特性のばらつきに弱いという課題もある。 Further, since there is a leak between VDD-CK and XCK, the clock pulse CK and xCK require an output capability to absorb the leak, so that the burden of the clock pulse CK and xCK is large, and further the current Since the characteristics of the pair of NMOS transistors n101 and n102 constituting the mirror circuit 101 need to be the same, there is a problem that they are vulnerable to variations in transistor characteristics.
特に、従来のシフトレジスタ回路では、上記構成のレベルシフト機能付きシフト回路100を単純に複数段縦続接続し、互いに逆相のクロックパルスCK,xCKによって転送駆動を行う構成となっているため、クロックパルスCK,xCKの周波数を簡単に下げることができず、したがってこれらクロックパルスCK,xCKを発生するクロック発生回路への負担を軽減することが難しいという課題もある。 In particular, in the conventional shift register circuit, the shift circuit 100 with the level shift function having the above-described configuration is simply connected in a plurality of stages and is driven to transfer by clock pulses CK and xCK having opposite phases. There is also a problem that it is difficult to reduce the frequency of the pulses CK and xCK, and thus it is difficult to reduce the burden on the clock generation circuit that generates the clock pulses CK and xCK.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、クロック発生回路への負担の軽減を可能としたシフトレジスタ回路および当該シフトレジスタ回路を駆動回路の一部として搭載した表示装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a shift register circuit capable of reducing the burden on the clock generation circuit and the shift register circuit as a part of the drive circuit. The object is to provide an on-board display device.
本発明はさらに、消費電力を低減できるとともに、トランジスタ特性のばらつきに強いシフトレジスタ回路および当該シフトレジスタ回路を駆動回路の一部として搭載した表示装置を提供することを他の目的とする。 Another object of the present invention is to provide a shift register circuit that can reduce power consumption and is resistant to variations in transistor characteristics, and a display device in which the shift register circuit is mounted as part of a driver circuit.
本発明によるシフトレジスタ回路は、
入力される制御パルスがアクティブ状態のときで、かつ第1の振幅の第1のクロックパルスが低レベルのときに前記第1の振幅よりも大きい第2の振幅の第1の転送パルスを出力する第1のシフト回路と、
前記第1の転送パルスがアクティブ状態のときで、かつ前記第1のクロックパルスと同一周波数でかつ当該第1のクロックパルスに対して位相が1/4周期ずれた前記第1の振幅の第2のクロックパルスが低レベルのときに前記第2の振幅の第2の転送パルスを出力する第2のシフト回路と、
第2の転送パルスがアクティブ状態のときで、かつ前記第1のクロックパルスが高レベルのときに前記第2の振幅の第3の転送パルスを出力する第3のシフト回路と、
前記第3の転送パルスがアクティブ状態のときで、かつ前記第2のクロックパルスが高レベルのときに前記第2の振幅の第4の転送パルスを出力する第4のシフト回路とを有し、
前記第1のシフト回路と前記第2のシフト回路とを縦続接続して第1のシフト回路対とし、前記第3のシフト回路と前記第4のシフト回路とを縦続接続して第2のシフト回路対とし、前記第1のシフト回路対と前記第2のシフト回路対とを交互に縦続接続してなり、
前記第1、第2、第3、第4のシフト回路は、第1の電源電位と第2の電源電位との間に直列に接続された互いに逆導電型の第1,第2のトランジスタからなる相補性回路を有し、前記第1の振幅から前記第2の振幅へのレベルシフト駆動時に前記第1のトランジスタのゲートに前記第1のクロックパルスまたは前記第2のクロックパルスを与え、前記第2のトランジスタのゲートに前記第1のクロックパルスまたは前記第2のクロックパルスを前記第1の電源電位側に相対的にシフトさせたクロックパルスを与える構成となっている。
The shift register circuit according to the present invention includes:
When the input control pulse is in an active state and the first clock pulse having the first amplitude is at a low level, a first transfer pulse having a second amplitude larger than the first amplitude is output. A first shift circuit;
When the first transfer pulse is in the active state, and the second of said first of said first amplitude phase-shifted by 1/4 period with respect to the clock pulses with the same frequency a and the first clock pulse a second shift circuit for outputting a second transfer pulse of the second amplitude when the clock pulse is at low level,
A third shift circuit second transfer pulses for outputting a third transfer pulses of said second amplitude when when in the active state, and said first clock pulse is at high level,
When the third transfer pulse is active, and a fourth shift circuit said second clock pulse to output a fourth transfer pulse of the second amplitude at a high level,
The first shift circuit and the second shift circuit are connected in cascade to form a first shift circuit pair, and the third shift circuit and the fourth shift circuit are connected in cascade to form a second shift circuit. A circuit pair, wherein the first shift circuit pair and the second shift circuit pair are alternately connected in cascade,
The first, second, third, and fourth shift circuits include first and second transistors of opposite conductivity type connected in series between a first power supply potential and a second power supply potential. comprising complementarity includes a circuit, given the first of said amplitude to a gate of the first transistor when the level shift driving to the second amplitude first clock pulse or said second clock pulse, the The first clock pulse or the clock pulse obtained by relatively shifting the second clock pulse toward the first power supply potential is applied to the gate of the second transistor.
上記構成のシフトレジスタ回路において、第1のシフト回路対と第2のシフト回路対とを交互に縦続接続するということは、第1,第2,第3および第4のシフト回路を縦続接続するとともに、この4つのシフト回路の組を繰り返して配置して縦続接続することを意味する。そして、第1,第2,第3および第4のシフト回路の繰り返し配置に対して、位相が相互に1/4周期ずれた第1のクロックパルスと第2のクロックパルスとを交互に与えるようにすることで、これらクロックパルスの周波数を、同じ回路構成のシフト回路を繰り返して配置してなる従来のシフトレジスタ回路で用いるクロックパルスの周波数の1/2に落としての駆動を実現できる。第1,第2のシフト回路では、入力される制御パルス、第1の転送パルスがアクティブ状態のときで、かつ第1振幅の第1,第2のクロックパルスが低レベル(以下、「Low電位」と記す)のときに第2の振幅の第2,第3の転送パルスが出力される。第3,第4のシフト回路では、第2,第3の転送パルスがアクティブ状態のときで、かつ第1,第2のクロックパルスが高レベル(以下、「High電位」と記す)のときに第2の振幅の第3,第4の転送パルスが出力される。すなわち、第1〜第4のシフト回路では、第1の振幅から第2の振幅へのレベルシフト(レベル変換)が行われる。 In the shift register circuit having the above-described configuration, the first shift circuit pair and the second shift circuit pair are alternately connected in cascade, which means that the first, second, third, and fourth shift circuits are connected in cascade. At the same time, it means that the set of four shift circuits is repeatedly arranged and connected in cascade. Then, with respect to the repeated arrangement of the first, second, third and fourth shift circuits, the first clock pulse and the second clock pulse whose phases are shifted from each other by ¼ cycle are alternately given. By doing so, it is possible to realize driving by reducing the frequency of these clock pulses to ½ of the frequency of clock pulses used in a conventional shift register circuit in which shift circuits having the same circuit configuration are repeatedly arranged. In the first and second shift circuits, when the input control pulse and the first transfer pulse are in the active state, and the first and second clock pulses having the first amplitude are low level (hereinafter referred to as “Low potential”). ”) , The second and third transfer pulses having the second amplitude are output. In the third and fourth shift circuits, when the second and third transfer pulses are in an active state and the first and second clock pulses are at a high level (hereinafter referred to as “High potential”) . The third and fourth transfer pulses having the second amplitude are output. That is, in the first to fourth shift circuits, level shift (level conversion) from the first amplitude to the second amplitude is performed.
また、上記構成のシフトレジスタ回路において、第1,第2のシフト回路が、第1の電源電位と第2の電源電位との間に直列に接続された互いに逆導電型の第1,第2のトランジスタと、前記第1,第2のクロックパルスが入力される第1のクロック端子と、前記第1のクロック端子と前記第1のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記第1の制御パルスがアクティブ状態のときにオン状態となる第1のスイッチ手段と、前記第2の電源電位と前記第2のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記制御パルスがアクティブ状態のときにオフ状態となる第2のスイッチ手段と、前記第1のクロック端子と前記第2のトランジスタのゲートとの間に接続された第1の容量素子とを有し、第3,第4のシフト回路が、第1の電源電位と第2の電源電位との間に直列に接続された互いに逆導電型の第3,第4のトランジスタと、前記第1,第2のクロックパルスが入力される第2のクロック端子と、前記第2のクロック端子と前記第3のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記第2の制御パルスがアクティブ状態のときにオン状態となる第5のスイッチ手段と、前記第2の電源電位よりも前記第1,第2のクロックパルスの振幅電圧だけ低い第3の電源電位と前記第4のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記第2の制御パルスがアクティブ状態のときにオフ状態となる第6のスイッチ手段と、前記第2のクロック端子と前記第4のトランジスタのゲートとの間に接続された第2の容量素子とを有する構成となっている。 In the shift register circuit having the above-described configuration, the first and second shift circuits are connected in series between the first power supply potential and the second power supply potential and have the first and second conductivity types opposite to each other. A first clock terminal to which the first and second clock pulses are input, and the first control terminal is connected between the first clock terminal and the gate of the first transistor. First switch means that is turned on when a pulse is in an active state, and is connected between the second power supply potential and the gate of the second transistor, and is turned off when the control pulse is in an active state. Second switch means, and a first capacitive element connected between the first clock terminal and the gate of the second transistor, and third and fourth shift circuits, The first power supply potential and the first The third and fourth transistors of opposite conductivity type connected in series with each other, the second clock terminal to which the first and second clock pulses are input, and the second A fifth switch means connected between a clock terminal and the gate of the third transistor and turned on when the second control pulse is in an active state; and the second switch potential above the second power supply potential. A sixth power supply connected between a third power supply potential lower by the amplitude voltage of the second clock pulse and the gate of the fourth transistor, and is turned off when the second control pulse is in an active state. Switch means, and a second capacitor element connected between the second clock terminal and the gate of the fourth transistor.
上記構成の第1,第2のシフト回路において、第1の制御パルスがアクティブ状態のときに、第1のスイッチ手段がオン状態になることにより、当該第1のスイッチ手段を通して第1のクロック端子から第1のトランジスタのゲートにクロックパルス(第1のシフト回路では第1のクロックパルス、第2のシフト回路では第2のクロックパルス)が与えられると同時に、第2のスイッチ手段がオフ状態となることにより、第2のトランジスタのゲートへの第2の電源電位の供給が遮断され、当該第2のトランジスタのゲートがフローティング状態となるとともに、第2のトランジスタのゲートに第1の容量素子によるカップリングによってクロックパルスが伝達される。 In the first and second shift circuits having the above-described configuration, when the first control pulse is in the active state, the first switch means is turned on so that the first clock terminal is passed through the first switch means. To the gate of the first transistor is supplied with a clock pulse (first clock pulse in the first shift circuit, second clock pulse in the second shift circuit) and at the same time the second switch means is turned off. Thus, the supply of the second power supply potential to the gate of the second transistor is cut off, the gate of the second transistor is in a floating state, and the gate of the second transistor is connected to the first capacitor element. A clock pulse is transmitted by coupling.
このとき、第1,第2のトランジスタの各ゲートに与えられるクロックパルスは同位相であるが、第2のトランジスタのゲートに与えられるクロックパルスの高レベル側の電位が第2の電源電位となり、第1のトランジスタのゲートに与えられるクロックパルスの高レベル側の電位を相対的にシフトさせたものとなる。また、クロックパルスの振幅は、第1,第2のトランジスタの閾値Vthよりも大きな値である。これにより、第1,第2のトランジスタは、オフすべきタイミングでは上記ゲート電位の関係から確実にオフ状態となる。したがって、第1,第2のトランジスタからなる相補性回路において、これらトランジスタのオフ時のリークを確実に防ぐことができる。第3,第4のシフト回路においても、基本的に第1,第2のシフト回路と同様の動作が行われる。 At this time, the clock pulses applied to the gates of the first and second transistors have the same phase, but the high-level potential of the clock pulse applied to the gate of the second transistor becomes the second power supply potential. The potential on the high level side of the clock pulse applied to the gate of the first transistor is relatively shifted. The amplitude of the clock pulse is larger than the threshold value Vth of the first and second transistors. As a result, the first and second transistors are surely turned off from the relationship of the gate potential at the timing to be turned off. Therefore, in the complementary circuit composed of the first and second transistors, leakage when these transistors are off can be reliably prevented. In the third and fourth shift circuits, basically the same operations as those in the first and second shift circuits are performed.
本発明によれば、同じ構成のシフト回路を複数段繰り返して配置してなる従来のシフトレジスタ回路に比べて1/2の周波数のクロックパルスで駆動できるため、当該クロックパルスを発生するクロックパルス発生回路への負担を1/2に軽減できるとともに、駆動周波数が1/2に低減できることによって低消費電力化を図ることができる。 According to the present invention, it is possible to drive with a clock pulse having a frequency ½ that of a conventional shift register circuit in which a shift circuit having the same configuration is repeatedly arranged in a plurality of stages. The burden on the circuit can be reduced to ½, and the driving frequency can be reduced to ½, so that power consumption can be reduced.
また、レベルシフト部分におけるオフ時のリークを確実に防ぐことができるため消費電力を低減でき、しかもカレントミラー回路を用いない回路構成を採っているためトランジスタ特性のばらつきに強いシフトレジスタ回路を提供できる。 In addition, since it is possible to reliably prevent leakage at the time of the level shift portion, it is possible to reduce power consumption and to provide a shift register circuit that is resistant to variations in transistor characteristics because it employs a circuit configuration that does not use a current mirror circuit. .
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[第1実施形態]
図1は、本発明の第1実施形態に係るシフトレジスタ回路の構成を示すブロック図である。本実施形態に係るシフトレジスタ回路10は、第1のシフト回路11−1と第2のシフト回路11−2とを対として縦続接続し、第3のシフト回路11−3と第4のシフト回路11−4とを対として縦続接続し、これら2組のシフト回路対を交互に縦続接続した構成となっている。換言すれば、シフト回路11−1〜11−4をシフトレジスタユニット(転送段/シフト段)として縦続接続するとともに、この4つのシフト回路11−1〜11−4の組を繰り返して配置して縦続接続した構成となっている。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a shift register circuit according to the first embodiment of the present invention. In the shift register circuit 10 according to the present embodiment, the first shift circuit 11-1 and the second shift circuit 11-2 are connected in cascade, and the third shift circuit 11-3 and the fourth shift circuit are connected. 11-4 is connected in cascade, and the two shift circuit pairs are alternately connected in cascade. In other words, the shift circuits 11-1 to 11-4 are connected in cascade as shift register units (transfer stages / shift stages), and a set of these four shift circuits 11-1 to 11-4 is repeatedly arranged. The configuration is cascaded.
後で詳細に説明するように、第1のシフト回路11−1と第2のシフト回路11−2とが同じ回路構成となっており、第3のシフト回路11−3と第4のシフト回路11−4とが同じ回路構成となっている。そして、第1,第3のシフト回路11−1,11−3には第1のクロックパルスCK1が与えられ、第2,第4のシフト回路11−2,11−4には第1のクロックパルスCK1と同じ周波数で、当該クロックパルスCK1に対して位相が1/4周期ずれた第2のクロックパルスCK2が与えられる。 As will be described in detail later, the first shift circuit 11-1 and the second shift circuit 11-2 have the same circuit configuration, and the third shift circuit 11-3 and the fourth shift circuit 11-4 has the same circuit configuration. The first clock pulse CK1 is supplied to the first and third shift circuits 11-1 and 11-3, and the first clock is supplied to the second and fourth shift circuits 11-2 and 11-4. A second clock pulse CK2 having the same frequency as that of the pulse CK1 and having a phase shifted by ¼ period with respect to the clock pulse CK1 is provided.
1段目のシフト回路11−1には、HighアクティブのスタートパルスSTが制御パルスINとして与えられる。シフト回路11−1は、制御パルスINがアクティブ状態(High電位)のときに、第1のクロックパルスCK1のLow電位側パルス(アクティブLow)を抜き取りかつ当該Low電位側パルスを第1の振幅から第2の振幅にレベルシフトして出力する。シフト回路11−1のHighアクティブの出力パルスOUTは、2段目のシフト回路11−2にその制御パルスINとして与えられる。 A high active start pulse ST is supplied as a control pulse IN to the first-stage shift circuit 11-1. When the control pulse IN is in the active state (high potential), the shift circuit 11-1 extracts the low potential side pulse (active low) of the first clock pulse CK1, and extracts the low potential side pulse from the first amplitude. The level is shifted to the second amplitude and output. The high active output pulse OUT of the shift circuit 11-1 is given as the control pulse IN to the second stage shift circuit 11-2.
2段目のシフト回路11−2は、制御パルスINがアクティブ状態のときに、第2のクロックパルスCK2のLow電位側パルスを抜き取りかつ当該Low電位側パルスを第1の振幅から第2の振幅にレベルシフトして出力する。シフト回路11−2のHighアクティブの出力パルスOUTは、3段目のシフト回路11−3にその制御パルスINとして与えられる。 When the control pulse IN is in the active state, the second-stage shift circuit 11-2 extracts the low potential side pulse of the second clock pulse CK2 and converts the low potential side pulse from the first amplitude to the second amplitude. Level shift to output. The high active output pulse OUT of the shift circuit 11-2 is given to the third-stage shift circuit 11-3 as its control pulse IN.
3段目のシフト回路11−3は、制御パルスINがアクティブ状態のときに、第1のクロックパルスCK1のHigh電位側パルス(アクティブHigh)を抜き取りかつ当該High電位側パルスを第1の振幅から第2の振幅にレベルシフトして出力する。シフト回路11−3のHighアクティブの出力パルスOUTは、4段目のシフト回路11−4にその制御パルスINとして与えられる。 When the control pulse IN is in an active state, the third-stage shift circuit 11-3 extracts the High potential side pulse (active High) of the first clock pulse CK1, and extracts the High potential side pulse from the first amplitude. The level is shifted to the second amplitude and output. The high active output pulse OUT of the shift circuit 11-3 is given as the control pulse IN to the fourth-stage shift circuit 11-4.
4段目のシフト回路11−4は、制御パルスINがアクティブ状態のときに、第2のクロックパルスCK2のHigh電位側パルスを抜き取りかつ当該High電位側パルスを第1の振幅から第2の振幅にレベルシフトして出力する。シフト回路11−4のHighアクティブの出力パルスOUTは、5段目のシフト回路11−5にその制御パルスINとして与えられる。 When the control pulse IN is in an active state, the fourth-stage shift circuit 11-4 extracts the High potential side pulse of the second clock pulse CK2 and converts the High potential side pulse from the first amplitude to the second amplitude. Level shift to output. The high active output pulse OUT of the shift circuit 11-4 is given to the fifth-stage shift circuit 11-5 as its control pulse IN.
以降、これら4段のシフト回路11−1〜11−4の組における各回路動作の繰返しとなる。 Thereafter, each circuit operation in the group of these four stages of shift circuits 11-1 to 11-4 is repeated.
シフト回路(転送段)11−1,11−2,…において、自身段の入力パルス(制御パルス)INと自身段の出力パルスOUTは、3入力AND回路12−1,12−2,…の2入力となる。AND回路12−1,12−2,…には、残りの1入力として、クロックパルスCK1,CK2のパルス幅に比べて非常に狭いパルス幅のLowアクティブのイネーブルパルスENが与えられる。そして、AND回路12−1,12−2,…のHighアクティブの各出力パルスが各転送段の転送パルスo1,o2,…として導出される。なお、イネーブルパルスENは転送パルス間にブランキング期間を設けたいときのみ使用すればよい。 In the shift circuits (transfer stages) 11-1, 11-2,..., The input pulse (control pulse) IN of the own stage and the output pulse OUT of the own stage are the outputs of the 3-input AND circuits 12-1, 12-2,. 2 inputs. The AND circuits 12-1, 12-2,... Are supplied with a low active enable pulse EN having a very narrow pulse width as compared with the pulse widths of the clock pulses CK1 and CK2, as the remaining one input. The high active output pulses of the AND circuits 12-1, 12-2,... Are derived as transfer pulses o1, o2,. The enable pulse EN may be used only when it is desired to provide a blanking period between the transfer pulses.
図2に、第1,第2のクロックパルスCK1,CK2、イネーブルパルスEN、スタートパルスST、1段目、2段目の出力パルスSR_outおよび転送パルスo1,o2,o3,…のタイミング関係を示す。このタイミングチャートから明らかなように、シフト回路11−1,11−2,…においては、第1の振幅(VSS−Vin)のクロックパルスCK1,CK2が抜き取られ、かつ第2の振幅(VSS−VDD)の転送パルスo1,o2,o3,…にレベルシフト(レベル変換)されることになる。ここに、本明細書で言うパルスを抜き取るとは、シフト回路11−1,11−2,…が、スタートパルスSTや各段の出力パルスSR_outによる制御の下に、第1の振幅のクロックパルスCK1,CK2を基にして第2の振幅の転送パルスo1,o2,o3,…を出力するという意味である。 FIG. 2 shows the timing relationship between the first and second clock pulses CK1 and CK2, the enable pulse EN, the start pulse ST, the first stage, the second stage output pulse SR_out, and the transfer pulses o1, o2, o3,. . As is apparent from this timing chart, in the shift circuits 11-1, 11-2,..., The clock pulses CK1 and CK2 having the first amplitude (VSS−Vin) are extracted and the second amplitude (VSS−). (VDD) transfer pulses o1, o2, o3,... Here, extracting the pulse referred to in this specification means that the shift circuits 11-1, 11-2,... Are controlled by the start pulse ST and the output pulse SR_out of each stage, and the clock pulse having the first amplitude. This means that transfer pulses o1, o2, o3,... Having the second amplitude are output based on CK1 and CK2.
上述したように、第1実施形態に係るシフトレジスタ回路10では、第1のシフト回路11−1と第2のシフト回路11−2とを対として縦続接続し、第3のシフト回路11−3と第4のシフト回路11−4とを対として縦続接続し、これら2組のシフト回路対を交互に縦続接続するとともに、これらシフトレジスタユニット(転送段)の繰り返し配置に対して、位相が相互に1/4周期ずれたクロックパルスCK1とクロックパルスCK2とを交互に与えるようにすることで、これらクロックパルスCK1,CK2の周波数を、同じ回路構成のシフトレジスタユニットを繰り返して配置してなる従来のシフトレジスタ回路で用いるクロックパルスCK,xCKの周波数の1/2に落としての駆動を実現できることになる。 As described above, in the shift register circuit 10 according to the first embodiment, the first shift circuit 11-1 and the second shift circuit 11-2 are connected in cascade, and the third shift circuit 11-3 is connected. And the fourth shift circuit 11-4 are cascade-connected as a pair, and these two shift circuit pairs are alternately cascade-connected, and the phase is mutually different with respect to the repeated arrangement of the shift register units (transfer stages). A clock pulse CK1 and a clock pulse CK2 that are shifted by a quarter cycle are alternately applied to each other, so that the frequency of these clock pulses CK1 and CK2 is repeatedly arranged with shift register units having the same circuit configuration. Thus, it is possible to realize driving with the frequency lowered to half the frequency of the clock pulses CK and xCK used in the shift register circuit.
これにより、クロックパルスCK1,CK2を発生するクロック発生回路(図示せず)への負担を1/2に軽減できるとともに、駆動周波数が1/2に低減できることによって本シフトレジスタ回路10そのものの低消費電力化を図ることができる。 As a result, the burden on the clock generation circuit (not shown) for generating the clock pulses CK1 and CK2 can be reduced to 1/2, and the drive frequency can be reduced to 1/2, thereby reducing the power consumption of the shift register circuit 10 itself. Electricity can be achieved.
続いて、第1〜第4のシフト回路(シフトレジスタユニット)11−1〜11−4の具体的な構成について説明する。 Next, specific configurations of the first to fourth shift circuits (shift register units) 11-1 to 11-4 will be described.
図3は、第1,第2のシフト回路11−1,11−2の構成の一例を示すブロック図である。図3に示すように、本例に係るシフト回路11−1,11−2は、レベルシフト部20および制御パルス発生部40を有する構成となっている。 FIG. 3 is a block diagram showing an example of the configuration of the first and second shift circuits 11-1 and 11-2. As shown in FIG. 3, the shift circuits 11-1 and 11-2 according to this example are configured to include a level shift unit 20 and a control pulse generation unit 40.
レベルシフト部20は、制御パルス発生部40から与えられる制御パルスNSWがアクティブ状態のときに、クロックパルスCKをVSS−Vin振幅(例えば、0[V]−3[V]振幅)からVSS−VDD振幅(例えば、0[V]−8[V]振幅)にレベルシフトして出力パルスOUTとして出力する。制御パルス発生部40は、自身段の入力パルスを一方の入力IN1とし、自身段の出力パルスOUTを他方の入力とし、これら入力パルスIN1,IN2に基づいてレベルシフト部20の駆動状態を制御するための互いに逆相の制御パルスNSW,PSWを発生する。 The level shift unit 20 changes the clock pulse CK from VSS-Vin amplitude (for example, 0 [V] -3 [V] amplitude) to VSS-VDD when the control pulse NSW supplied from the control pulse generator 40 is in an active state. The level is shifted to an amplitude (for example, 0 [V] -8 [V] amplitude), and output as an output pulse OUT. The control pulse generator 40 uses the input pulse of its own stage as one input IN1, the output pulse OUT of its own stage as the other input, and controls the driving state of the level shift unit 20 based on these input pulses IN1 and IN2. Therefore, control pulses NSW and PSW having opposite phases are generated.
ここで、レベルシフト部20および制御パルス発生部40の各々の具体的な回路構成について説明する。先ず、レベルシフト部20の回路構成について説明する。 Here, specific circuit configurations of the level shift unit 20 and the control pulse generation unit 40 will be described. First, the circuit configuration of the level shift unit 20 will be described.
図4は、レベルシフト部(LS1)20の構成の一例を示す回路図である。図4に示すように、本例に係るレベルシフト部20は、相補性回路21、第1〜第5のスイッチ回路22〜26、容量素子Capおよびバッファ27を有するとともに、クロック端子28、制御端子29,30、電圧端子31および出力端子32を備えた構成となっている。
FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the level shift unit (LS1) 20. As shown in FIG. 4, the level shift unit 20 according to this example includes a complementary circuit 21, first to
相補性回路21は、電源電位VSSと電源電位VDDとの間に直列に接続された互いに逆導電型の第1,第2のトランジスタ、即ちNMOSトランジスタn11とPMOSトランジスタp11とから構成されている。これらNMOSトランジスタn11およびPMOSトランジスタp11の各ドレインは、バッファ27を介して回路出力端子28に接続されている。
The complementary circuit 21 includes first and second transistors of opposite conductivity types connected in series between the power supply potential VSS and the power supply potential VDD, that is, an NMOS transistor n11 and a PMOS transistor p11. The drains of the NMOS transistor n11 and the PMOS transistor p11 are connected to the
第1のスイッチ回路22は、互いに並列に接続されたNMOSトランジスタn21およびPMOSトランジスタp21からなるCMOSスイッチによって構成されており、当該CMOSスイッチの一端がクロック端子28に、他端がNMOSトランジスタn11のゲートに、各ゲートが制御端子29,30にそれぞれ接続されている。
The
クロック端子28には、VSS−Vin振幅(例えば、0[V]−3[V]振幅)のクロックパルスCK1/CK2(第1のシフト回路11−1ではクロックパルスCK1、第2のシフト回路11−2ではクロックパルスCK2)が与えられる。なお、クロックパルスCK1/CK2のHigh電位Vinは、トランジスタの閾値Vthよりも大きい必要がある(VDD>Vin>Vth)。
The
制御端子29,30には、制御パルス発生部40で発生される、互いに逆相の制御パルスNSW,PSWがそれぞれ与えられる。制御パルスNSWはHighアクティブのパルス信号であり、制御パルスPSWはLowアクティブのパルス信号である。電圧端子31には、一定電位Vref1(例えば、クロックパルスCK1/CK2のHigh電位Vin)が与えられる。
The
第2のスイッチ回路23は、互いに並列に接続されたNMOSトランジスタn22およびPMOSトランジスタp22からなるCMOSスイッチによって構成されており、当該CMOSスイッチの一端が電源電位VDDに、他端がPMOSトランジスタp11のゲートに、各ゲートが制御端子29,30にそれぞれ接続されている。この第2のスイッチ回路23は、制御パルスNSW,PSWがアクティブ状態のときにオフ状態となることで、電源電位VDDとPMOSトランジスタp11のゲートとの電気的な接続を遮断し、PMOSトランジスタp11のゲートをフローティング状態にする。
The
第3のスイッチ回路24は、互いに並列に接続されたNMOSトランジスタn23およびPMOSトランジスタp23からなるCMOSスイッチによって構成されており、当該CMOSスイッチの一端が電源電位VDDに、他端がNMOSトランジスタn11のゲートに、各ゲートが制御端子29,30にそれぞれ接続されている。この第3のスイッチ回路24は、制御パルスNSW,PSWがアクティブ状態のときにオフ状態となることで、電源電位VDDとNMOSトランジスタn11のゲートとの電気的な接続を遮断する。
The
第4のスイッチ回路25は、互いに並列接続されたNMOSトランジスタn24およびPMOSトランジスタp24からなるCMOSスイッチによって構成されており、当該CMOSスイッチの一端がクロック端子28に、他端が容量素子Capの一端に、各ゲートが制御端子29,30にそれぞれ接続されている。この第4のスイッチ回路25は、制御パルスNSW,PSWがアクティブ状態のときにオン状態となってクロックパルスCKをキャパシタCapの一端に供給する一方、制御パルスNSW,PSWが非アクティブ状態のときにはオフ状態となってクロック端子28と容量素子Capの一端との間の電気的な接続を遮断する。
The
第5のスイッチ回路26は、互いに並列接続されたNMOSトランジスタn25およびPMOSトランジスタp25からなるCMOSスイッチによって構成され、当該CMOSスイッチの一端が電圧端子31に、他端が容量素子Capの一端にそれぞれ接続され、NMOSトランジスタn25のゲートに逆相の制御パルスPSWが、PMOSトランジスタp25のゲートに正相の制御パルスNSWがそれぞれ印加されるようになっている。この第5のスイッチ回路26は、制御パルスNSW,PSWがアクティブ状態のときにオフ状態となって電圧端子31と容量素子Capの一端との間の電気的な接続を遮断し、制御パルスNSW,PSWが非アクティブ状態のときにはオン状態となって電圧端子31と容量素子Capの一端との間を電気的に接続する。
The
容量素子Capは、第4,第5のスイッチ回路25,26の各他端とNMOSトランジスタn11のゲートとの間に接続されている。これにより、第4のスイッチ回路25がオン状態のときには、クロックパルスCKは、当該スイッチ回路25を通して容量素子Capの一端に印加され、当該容量素子CapによるカップリングによってPMOSトランジスタp11のゲートに伝達されることになる。
The capacitive element Cap is connected between the other ends of the fourth and
バッファ27は、例えばインバータバッファ回路からなる。ただし、このバッファ27は必須のものではなく、必要に応じて配置されることになる。 The buffer 27 is composed of, for example, an inverter buffer circuit. However, the buffer 27 is not essential and is arranged as necessary.
続いて、上記構成のレベルシフト部20の回路動作について、図5のタイミングチャートを用いて説明する。 Next, the circuit operation of the level shift unit 20 configured as described above will be described with reference to the timing chart of FIG .
先ず、制御パルスNSW,PSWが非アクティブ状態のとき、第1,第4のスイッチ回路22,25がオフ状態、第2,第3,第5のスイッチ回路23,24,26がオン状態となるため、クロックパルスCK(CK1/CK2)の論理状態によらず、ノードA(PMOSトランジスタp11のゲート)の電位VAおよびノードB(NMOSトランジスタn11のゲート)の電位VBは電源電位VDDである。したがって、PMOSトランジスタp11がオフ、NMOSトランジスタn11がオンとなるため、出力パルスOUTは電源電位VSSとなる。
First, when the control pulses NSW and PSW are inactive, the first and
制御パルスNSW,PSWがアクティブ状態のとき、即ち本レベルシフト部20の駆動状態では、第1,第4のスイッチ回路22,25がオン状態、第2,第3,第5のスイッチ回路23,24,26がオフ状態となるため、ノードAはフローティング状態になり、容量素子Capを通してクロックパルスCKのカップリングを受ける。ノードBには、第1のスイッチ回路22を通してクロックパルスCKが与えられる。
When the control pulses NSW and PSW are in the active state, that is, in the driving state of the level shift unit 20, the first and
この制御パルスNSW,PSWのアクティブ期間において、クロックパルスCK(CK1/CK2)のLow電位側パルス、即ちアクティブLowパルスの抜き取りおよびVSS−Vin振幅からVSS−VDD振幅へのレベルシフト(レベル変換)の各処理が行われることになる。 In the active period of the control pulses NSW and PSW, the low potential side pulse of the clock pulse CK (CK1 / CK2), that is, the extraction of the active low pulse and the level shift (level conversion) from the VSS-Vin amplitude to the VSS-VDD amplitude are performed. Each process will be performed.
また、制御パルスNSW,PSWのアクティブ期間におけるノードBのクロック振幅はVSS/Vin、ノードAのクロック振幅はVDD−Vin/VDDとなり、しかもノードA,Bに印加されるクロックが同位相である。これにより、PMOSトランジスタp11およびNMOSトランジスタn11は、オフすべきタイミングでは、ノードA,Bの各電位VA,VBの関係から確実にオフ状態となる。したがって、PMOSトランジスタp11およびNMOSトランジスタn11からなる相補性回路21において、これらMOSトランジスタp11,n11のオフ時のリークを確実に防ぐことができる。 Further, the clock amplitude of the node B during the active period of the control pulses NSW and PSW is VSS / Vin, the clock amplitude of the node A is VDD−Vin / VDD, and the clocks applied to the nodes A and B are in phase. Thereby, the PMOS transistor p11 and the NMOS transistor n11 are surely turned off from the relationship between the potentials VA and VB of the nodes A and B at the timing to be turned off. Therefore, in the complementary circuit 21 composed of the PMOS transistor p11 and the NMOS transistor n11, it is possible to reliably prevent leakage when the MOS transistors p11 and n11 are turned off.
上述したように、VSS−Vin(例えば、0[V]−3[V])振幅のクロックパルスCKをVSS−VDD(例えば、0[V]−8[V])振幅の出力パルスOUTにレベルシフトするレベルシフト部20において、NMOSトランジスタn11およびPMOSトランジスタp11からなる相補性回路21を基本回路とし、レベルシフト駆動時にNMOSトランジスタn11のゲートにはクロックパルスCKを与える一方、PMOSトランジスタp11のゲートには容量素子CapによるカップリングによってクロックパルスCKを電源電位VDD側に相対的にシフトさせたクロックパルスを与えることにより、NMOSトランジスタn11およびPMOSトランジスタp11がオフすべきタイミングでは確実にオフ状態になるため、相補性回路21にリーク電流が流れることはない。 As described above, a clock pulse CK having an amplitude of VSS-Vin (for example, 0 [V] -3 [V]) is leveled to an output pulse OUT having an amplitude of VSS-VDD (for example, 0 [V] -8 [V]). In the level shift unit 20 to be shifted, the complementary circuit 21 including the NMOS transistor n11 and the PMOS transistor p11 is a basic circuit, and the clock pulse CK is given to the gate of the NMOS transistor n11 during the level shift driving, while the gate of the PMOS transistor p11 is given. Provides a clock pulse obtained by relatively shifting the clock pulse CK to the power supply potential VDD side by coupling with the cap element Cap, so that the NMOS transistor n11 and the PMOS transistor p11 are surely turned off at the timing to be turned off. ,phase Leakage current does not flow through the sex circuit 21.
このように、レベルシフト部20にリーク電流が流れなくなることにより、シフトレジスタ回路10の低消費電力化を実現できる。また、逆導電型のトランジスタからなる相補性回路21を基本回路としていることにより、リーク電流がなく、常にトランジスタの飽和領域で駆動することになるため、カレントミラー回路を基本回路とする従来例に係るレベルシフト回路で見られるようなトランジスタ特性(閾値Vthやドレイン−ソース電流Ids等)のばらつきに強い、即ちトランジスタ特性のバラツキによる回路性能が大きく左右されないレベルシフト部20を実現できる。しかも、電源電位VDDとクロックパルスCKとの間にリークがないため、クロックパルスCKへの負担を軽減できる。 As described above, since the leakage current does not flow through the level shift unit 20, the power consumption of the shift register circuit 10 can be reduced. Further, since the complementary circuit 21 composed of a reverse conductivity type transistor is used as a basic circuit, there is no leakage current and the transistor is always driven in the saturation region of the transistor. Therefore, the current mirror circuit is used as a basic circuit. A level shift unit 20 that is resistant to variations in transistor characteristics (threshold Vth, drain-source current Ids, etc.) as seen in such a level shift circuit, that is, circuit performance due to variations in transistor characteristics, can be realized. In addition, since there is no leakage between the power supply potential VDD and the clock pulse CK, the burden on the clock pulse CK can be reduced.
また、制御パルスNSW,PSWが非アクティブ状態のときに、第4のスイッチ回路25がオフ状態となってクロック端子26とノードC(容量素子Capの一端)との間の電気的な接続を遮断し、クロックパルスCKの影響がノードAにおよばないようにするとともに、第5のスイッチ回路26がオン状態となって電圧端子31とノードCとの間を電気的に接続し、ノードCの電位VCを一定電位Vref1(=Vin)に固定することで、容量素子Capを通してクロックパルスCKのカップリングがノードAにおよぶのを阻止できるため、ノードAの電位VAの揺れに起因するヒゲ状のノイズが出力パルスOUTに現れるのを未然に防ぐことができる。
In addition, when the control pulses NSW and PSW are in an inactive state, the
しかも、第1,第4のスイッチ回路22,25をCMOSスイッチを用いて構成したことにより、当該スイッチ回路22,25をNMOSトランジスタ単独で構成した場合における当該NMOSトランジスタのオン抵抗に関する懸念、即ちオン時のゲート電圧VDDに対してクロックパルスCK(CK1/CK2)のHigh側電位Vin時の方がオン抵抗が高くなるという懸念を、PMOSトランジスタp21,p24の作用によって解消することができる。
In addition, since the first and
また、第2,第3,第5のスイッチ回路23,24,26をCMOSスイッチで構成したことにより、当該スイッチ回路23,24,26をNMOSトランジスタ単独で構成した場合におけるゲート−ドレイン間またはゲート−ソース間カップリングに起因する懸念、即ちカップリングによる飛込みによって回路が誤動作を起こすという懸念を、PMOSトランジスタp22,p23,p25の作用によって解消することができる。
In addition, since the second, third, and
なお、本例では、第1〜第5のスイッチ回路22〜26をCMOSスイッチで構成することによって上記の各懸念を解消するとしたが、この解消策は必ず必要なものでなく、回路定数や駆動条件(各種電圧設定値)によって上記の各懸念に対する対策箇所の必要性を検討し、対策の有無を選択するようにすることも可能である。
In this example, the first to
続いて、制御パルス発生部40の回路構成について説明する。図6は、制御パルス発生部40の構成の一例を示すブロック図である。 Next, the circuit configuration of the control pulse generator 40 will be described. FIG. 6 is a block diagram illustrating an example of the configuration of the control pulse generator 40.
図6に示すように、本例に係る制御パルス発生部40は、NOR回路41、スイッチ回路42、2つのインバータ回路43A,43Bおよびリセット回路44を有し、2つの入力端子45,46、2つの出力端子47,48およびリセット端子49を備えた構成となっている。
As shown in FIG. 6, the control pulse generator 40 according to this example includes a NOR
入力端子45は、クロックパルスCK(CK1/CK2)と同じパルス幅の入力パルスIN1を入力とする。この入力パルスIN1は、シフトレジスタ回路10における自身段の入力パルスに相当する。入力端子46は、入力パルスIN1に対してクロックパルスCKの1/4周期だけ位相がずれた入力パルスIN2を入力とする。この入力パルスIN2は、シフトレジスタ回路10における自身段の出力パルスに相当する。
The
NOR回路41は、入力パルスIN1と入力パルスIN2との否定論理和をとる。スイッチ回路42は、互いに並列接続されたNMOSトランジスタn31およびPMOSトランジスタp31からなるCMOSスイッチによって構成されており、入力端がNOR回路41の出力端に接続されている。このスイッチ回路42において、NMOSトランジスタn31のゲートにはリセット端子49を介して入力されるリセットパルスrstが直接与えられ、PMOSトランジスタp31のゲートにはリセットパルスrstがインバータ回路43Aで反転されて与えられる。リセットパルスrstは、Lowアクティブのパルス信号である。
The NOR
リセット回路44は、電源電位VDDとスイッチ回路42の出力端との間に接続され、リセットパルスrstをゲート入力とするPMOSトランジスタp32によって構成されている。このリセット回路44では、リセットパルスrstがLow電位になることで、PMOSトランジスタp32がオン状態となってスイッチ回路42の出力端電位を電源電位VDDにするリセット動作が行われる。
The
インバータ回路43Bは、スイッチ回路42の出力パルスを反転することで正相の制御パルスNSWを生成し、出力端子47を通して出力する。また、スイッチ回路42の出力パルスは、そのまま出力端子48を通して逆相の制御パルスPSWとして出力される。図7に、入力パルスIN1,IN2および制御パルスNSW,PSWのタイミング関係を示す。
The
上記構成の制御パルス発生部40において、リセットパルスrstをLow(電源電位VSS)にすることで、スイッチ回路42のNMOSトランジスタn31およびPMOSトランジスタp31が共にオフ状態となるとともに、リセット回路44のPMOSトランジスタp32がオン状態となってインバータ回路43Bの入力端を電源電位VDDに固定する。これにより、制御パルス発生部40は、非アクティブ状態の制御パルスNSW,PSWを出力し、レベルシフト部20を非動作状態とする。リセットパルスrstがHigh(電源電位VDD)のときは、スイッチ回路42がオン、リセット回路44がオフとなるため、制御パルス発生部40からはアクティブ状態の制御パルスNSW,PSWが出力され、レベルシフト部20が動作状態となる。
In the control pulse generator 40 having the above configuration, the reset pulse rst is set to Low (power supply potential VSS), whereby both the NMOS transistor n31 and the PMOS transistor p31 of the
図8は、第3,第4のシフト回路11−3,11−4の構成の一例を示すブロック図であり、図中、図3と同等部分には同一符号を付して示している。 FIG. 8 is a block diagram showing an example of the configuration of the third and fourth shift circuits 11-3 and 11-4. In FIG. 8, the same parts as those in FIG.
図8に示すように、本例に係るシフト回路11−3,11−4は、レベルシフト部50、制御パルス発生部40およびインバータ回路INVを有する構成となっている。制御パルス発生部40としては、第1,第2のシフト回路11−1,11−2の制御パルス発生部40と同じ構成のものが用いられる。ただし、本例に係るシフト回路11−3,11−4では、レベルシフト部50の出力パルスOUTがインバータ回路INVで反転されて自身段の出力パルスとして導出される。 As shown in FIG. 8, the shift circuits 11-3 and 11-4 according to this example are configured to include a level shift unit 50, a control pulse generation unit 40, and an inverter circuit INV. As the control pulse generator 40, one having the same configuration as the control pulse generator 40 of the first and second shift circuits 11-1 and 11-2 is used. However, in the shift circuits 11-3 and 11-4 according to this example, the output pulse OUT of the level shift unit 50 is inverted by the inverter circuit INV and derived as an output pulse of its own stage.
第3,第4のシフト回路11−3,11−4は、第1,第2のシフト回路11−1,11−2と次の点で相違する。すなわち、先述したように、制御パルスINがアクティブ状態のときに、第1,第2のシフト回路11−1/11−2は、クロックパルスCK1/CK2のアクティブLowを抜き取りかつレベルシフトするのに対して、第3,第4のシフト回路11−3/11−4は、クロックパルスCK1/CK2のアクティブHighを抜き取りかつレベルシフトする。 The third and fourth shift circuits 11-3 and 11-4 are different from the first and second shift circuits 11-1 and 11-2 in the following points. That is, as described above, when the control pulse IN is in the active state, the first and second shift circuits 11-1 / 11-2 extract the active low of the clock pulses CK1 / CK2 and perform level shift. On the other hand, the third and fourth shift circuits 11-3 / 11-4 extract the active high of the clock pulses CK1 / CK2 and perform level shift.
この異なる処理を実行するのがレベルシフト部20,50である。レベルシフト回路50は、レベルシフト部20と基本的な処理が同じであることから、構成においても基本的にレベルシフト部20と同じである。 The level shift units 20 and 50 execute these different processes. The level shift circuit 50 is basically the same as the level shift unit 20 in configuration because the basic processing is the same as that of the level shift unit 20.
図9は、レベルシフト部(LS2)50の構成の一例を示す回路図である。レベルシフト回路50は、レベルシフト部20と構成要素が同じであることから、図9において、図4と同等部分には同一符号を付して示している。 FIG. 9 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the level shift unit (LS2) 50. As shown in FIG. Since the level shift circuit 50 has the same components as the level shift unit 20, in FIG. 9, the same parts as those in FIG.
すなわち、図9に示すように、本例に係るレベルシフト部50は、相補性回路21、第1〜第5のスイッチ回路22〜26、容量素子Capおよびバッファ27を有するとともに、クロック端子28、制御端子29,30、電圧端子31および出力端子32を備えることに加えて、レベルシフト部20と異なる処理を実行するために、第1,第2の電源電位VSS,VDDに加えて第3の電源電位VDD2を用いる構成となっている。
That is, as shown in FIG. 9, the level shift unit 50 according to this example includes a complementary circuit 21, first to
ここで、第3の電源電位VDD2は、クロックパルスCK(CK1/CK2)の振幅をVSS−Vinとしたとき(VDD−Vin)に設定される。そして、第2のスイッチ回路23が電源電位VDD2とPMOSトランジスタp11のゲートとの間に接続され、第3のスイッチ回路24が電源電位VSSとNMOSトランジスタn11のゲートとの間に接続されることになる。また、電圧端子31には一定電位Vref2(例えば、電源電位VSS)が与えられる。
Here, the third power supply potential VDD2 is set to (VDD−Vin) when the amplitude of the clock pulse CK (CK1 / CK2) is VSS−Vin. The
続いて、上記構成のレベルシフト部50の回路動作について、図10のタイミングチャートを用いて説明する。 Next, the circuit operation of the level shift unit 50 configured as described above will be described with reference to the timing chart of FIG.
先ず、制御パルスNSW,PSWが非アクティブ状態のとき、第1,第4のスイッチ回路22,25がオフ状態、第2,第3,第5のスイッチ回路23,24,26がオン状態となるため、クロックパルスCK(CK1/CK2)の論理状態によらず、ノードA(PMOSトランジスタp11のゲート)の電位VAは電源電位VDD2(VDD−Vin)であり、ノードB(NMOSトランジスタn11の)ゲートの電位VBは電源電位VSSである。したがって、PMOSトランジスタp11がオン、NMOSトランジスタn11がオフとなるため、出力パルスOUTは電源電位VDDとなる。
First, when the control pulses NSW and PSW are inactive, the first and
制御パルスNSW,PSWがアクティブ状態のとき、即ち本レベルシフト部50の駆動状態では、第1,第4のスイッチ回路22,25がオン状態、第2,第3,第5のスイッチ回路23,24,26がオフ状態となるため、ノードAはフローティング状態になり、容量素子Capを通してクロックパルスCKのカップリングを受ける。ノードBには、第1のスイッチ回路22を通してクロックパルスCKが与えられる。
When the control pulses NSW and PSW are in the active state, that is, in the driving state of the level shift unit 50, the first and
この制御パルスNSW,PSWのアクティブ期間において、クロックパルスCK(CK1/CK2)のHigh電位側パルス、即ちアクティブHighパルスの抜き取りおよびVSS−Vin振幅からVSS−VDD振幅へのレベルシフト(レベル変換)の各処理が行われることになる。 In the active period of the control pulses NSW and PSW, the high potential side pulse of the clock pulse CK (CK1 / CK2), that is, the extraction of the active high pulse and the level shift (level conversion) from the VSS-Vin amplitude to the VSS-VDD amplitude are performed. Each process will be performed.
また、制御パルスNSW,PSWのアクティブ期間におけるノードBのクロック振幅はVSS/Vin、ノードAのクロック振幅はVDD−Vin/VDDとなり、しかもノードA,Bに印加されるクロックが同位相である。これにより、PMOSトランジスタp11およびNMOSトランジスタn11は、オフすべきタイミングでは、ノードA,Bの各電位VA,VBの関係から確実にオフ状態となる。したがって、PMOSトランジスタp11およびNMOSトランジスタn11からなる相補性回路21において、これらMOSトランジスタp11,n11のオフ時のリークを確実に防ぐことができる。 Further, the clock amplitude of the node B during the active period of the control pulses NSW and PSW is VSS / Vin, the clock amplitude of the node A is VDD−Vin / VDD, and the clocks applied to the nodes A and B are in phase. Thereby, the PMOS transistor p11 and the NMOS transistor n11 are surely turned off from the relationship between the potentials VA and VB of the nodes A and B at the timing to be turned off. Therefore, in the complementary circuit 21 composed of the PMOS transistor p11 and the NMOS transistor n11, it is possible to reliably prevent leakage when the MOS transistors p11 and n11 are turned off.
上述したように、VSS−Vin振幅のクロックパルスCKをVSS−VDD振幅の出力パルスOUTにレベルシフトするレベルシフト部50において、NMOSトランジスタn11およびPMOSトランジスタp11からなる相補性回路21を基本回路とし、レベルシフト駆動時にNMOSトランジスタn11のゲートにはクロックパルスCKを与える一方、PMOSトランジスタp11のゲートには容量素子CapによるカップリングによってクロックパルスCKを電源電位VDD側に相対的にシフトさせたクロックパルスを与えることにより、NMOSトランジスタn11およびPMOSトランジスタp11がオフすべきタイミングでは確実にオフ状態になるため、相補性回路21にリーク電流が流れることはない。 As described above, in the level shift unit 50 that level-shifts the clock pulse CK having the VSS-Vin amplitude to the output pulse OUT having the VSS-VDD amplitude, the complementary circuit 21 including the NMOS transistor n11 and the PMOS transistor p11 is used as a basic circuit. At the time of level shift driving, a clock pulse CK is applied to the gate of the NMOS transistor n11, while a clock pulse obtained by relatively shifting the clock pulse CK to the power supply potential VDD side by coupling by the capacitive element Cap is applied to the gate of the PMOS transistor p11. As a result, the NMOS transistor n11 and the PMOS transistor p11 are surely turned off at the timing when they should be turned off, so that no leak current flows through the complementary circuit 21.
このように、レベルシフト部50にリーク電流が流れなくなることにより、シフトレジスタ回路10の低消費電力化を実現できる。また、逆導電型のトランジスタからなる相補性回路21を基本回路としていることにより、リーク電流がなく、常にトランジスタの飽和領域で駆動することになるため、カレントミラー回路を基本回路とする従来例に係るレベルシフト回路で見られるようなトランジスタ特性(閾値Vthやドレイン−ソース電流Ids等)のばらつきに強い、即ちトランジスタ特性のバラツキによる回路性能が大きく左右されないレベルシフト部50を実現できる。しかも、電源電位VDDとクロックパルスCKとの間にリークがないため、クロックパルスCKへの負担を軽減できる。その他の作用効果についても、レベルシフト部20と同様である。 As described above, the leakage current does not flow in the level shift unit 50, so that the power consumption of the shift register circuit 10 can be reduced. Further, since the complementary circuit 21 composed of a reverse conductivity type transistor is used as a basic circuit, there is no leakage current and the transistor is always driven in the saturation region of the transistor. Therefore, the current mirror circuit is used as a basic circuit. It is possible to realize a level shift unit 50 that is resistant to variations in transistor characteristics (threshold Vth, drain-source current Ids, etc.) as seen in such a level shift circuit, that is, circuit performance is not greatly affected by variations in transistor characteristics. In addition, since there is no leakage between the power supply potential VDD and the clock pulse CK, the burden on the clock pulse CK can be reduced. Other functions and effects are the same as those of the level shift unit 20.
[第2実施形態]
図11は、本発明の第2実施形態に係るシフトレジスタ回路の構成を示すブロック図である。本実施形態に係るシフトレジスタ回路60は、第1実施形態に係るシフトレジスタ10回路と同様に、第1〜第4のシフト回路61−1〜61−4をシフトレジスタユニット(転送段/シフト段)として縦続接続するとともに、この4つのシフト回路61−1〜61−4の組を繰り返して配置して縦続接続した構成となっている。
[Second Embodiment]
FIG. 11 is a block diagram showing a configuration of a shift register circuit according to the second embodiment of the present invention. Similarly to the shift register 10 circuit according to the first embodiment, the shift register circuit 60 according to the present embodiment includes the first to fourth shift circuits 61-1 to 61-4 as shift register units (transfer stages / shift stages). ), And a group of the four shift circuits 61-1 to 61-4 is repeatedly arranged and connected in cascade.
後で詳細に説明するように、第1のシフト回路61−1と第2のシフト回路61−2とが同じ回路構成となっており、第3のシフト回路61−3と第4のシフト回路61−4とが同じ回路構成となっている。そして、第1,第3のシフト回路61−1,61−3には第1のクロックパルスCK1が与えられ、第2,第4のシフト回路61−2,61−4には第1のクロックパルスCK1と同じ周波数で、当該クロックパルスCK1に対して位相が1/4周期ずれた第2のクロックパルスCK2が与えられる。 As will be described in detail later, the first shift circuit 61-1 and the second shift circuit 61-2 have the same circuit configuration, and the third shift circuit 61-3 and the fourth shift circuit. 61-4 has the same circuit configuration. The first clock pulse CK1 is supplied to the first and third shift circuits 61-1 and 61-3, and the first clock is supplied to the second and fourth shift circuits 61-2 and 61-4. A second clock pulse CK2 having the same frequency as that of the pulse CK1 and having a phase shifted by ¼ period with respect to the clock pulse CK1 is provided.
1段目のシフト回路61−1には、LowアクティブのスタートパルスSTが制御パルスINとして与えられる。シフト回路61−1は、制御パルスINがアクティブ状態(Low電位)のときに、第1のクロックパルスCK1のLow電位側パルス(アクティブLow)を抜き取りかつ当該Low電位側パルスを第1の振幅から第2の振幅にレベルシフトして出力する。シフト回路61−1のLowアクティブの出力パルスOUTは、2段目のシフト回路61−2にその制御パルスINとして与えられる。 A low active start pulse ST is supplied as a control pulse IN to the first-stage shift circuit 61-1. When the control pulse IN is in the active state (low potential), the shift circuit 61-1 extracts the low potential side pulse (active low) of the first clock pulse CK1 and extracts the low potential side pulse from the first amplitude. The level is shifted to the second amplitude and output. The Low active output pulse OUT of the shift circuit 61-1 is given to the second-stage shift circuit 61-2 as its control pulse IN.
2段目のシフト回路61−2は、制御パルスINがアクティブ状態のときに、第2のクロックパルスCK2のLow電位側パルスを抜き取りかつ当該Low電位側パルスを第1の振幅から第2の振幅にレベルシフトして出力する。シフト回路61−2の出力LowアクティブのパルスOUTは、3段目のシフト回路61−3にその制御パルスINとして与えられる。 When the control pulse IN is in the active state, the second-stage shift circuit 61-2 extracts the low potential side pulse of the second clock pulse CK2 and converts the low potential side pulse from the first amplitude to the second amplitude. Level shift to output. The output Low active pulse OUT of the shift circuit 61-2 is given to the third-stage shift circuit 61-3 as its control pulse IN.
3段目のシフト回路61−3は、制御パルスINがアクティブ状態のときに、第1のクロックパルスCK1のHigh電位側パルス(アクティブHigh)を抜き取りかつ当該High電位側パルスを第1の振幅から第2の振幅にレベルシフトして出力する。シフト回路61−3のLowアクティブの出力パルスOUTは、4段目のシフト回路61−4にその制御パルスINとして与えられる。 When the control pulse IN is in the active state, the third-stage shift circuit 61-3 extracts the High potential side pulse (active High) of the first clock pulse CK1, and extracts the High potential side pulse from the first amplitude. The level is shifted to the second amplitude and output. The Low active output pulse OUT of the shift circuit 61-3 is given to the fourth-stage shift circuit 61-4 as its control pulse IN.
4段目のシフト回路61−4は、制御パルスINがアクティブ状態のときに、第2のクロックパルスCK2のHigh電位側パルスを抜き取りかつ当該High電位側パルスを第1の振幅から第2の振幅にレベルシフトして出力する。シフト回路61−4のLowアクティブの出力パルスOUTは、5段目のシフト回路61−5にその制御パルスINとして与えられる。 When the control pulse IN is in an active state, the fourth-stage shift circuit 61-4 extracts the High potential side pulse of the second clock pulse CK2 and converts the High potential side pulse from the first amplitude to the second amplitude. Level shift to output. The Low active output pulse OUT of the shift circuit 61-4 is given to the fifth shift circuit 61-5 as its control pulse IN.
以降、これら4段のシフト回路61−1〜61−4の組における各回路動作の繰返しとなる。 Thereafter, each circuit operation in the group of these four stages of shift circuits 61-1 to 61-4 is repeated.
シフト回路(転送段)61−1,61−2,…において、自身段の入力パルス(制御パルス)INと自身段の出力パルスOUTは、3入力NOR回路62−1,62−2,…の2入力となる。NOR回路62−1,62−2,…には、残りの1入力として、クロックパルスCK1,CK2のパルス幅に比べて非常に狭いパルス幅のHighアクティブのイネーブルパルスENが与えられる。そして、NOR回路62−1,62−2,…のHighアクティブの各出力パルスが各転送段の転送パルスo1,o2,…として導出される。 In the shift circuits (transfer stages) 61-1, 61-2,..., The input pulse (control pulse) IN of the own stage and the output pulse OUT of the own stage of the three-input NOR circuits 62-1, 62-2,. 2 inputs. The NOR circuit 62-1, 62-2,... Is supplied with a high active enable pulse EN having a very narrow pulse width as compared with the pulse widths of the clock pulses CK1 and CK2, as the remaining one input. The high active output pulses of the NOR circuits 62-1, 62-2,... Are derived as transfer pulses o1, o2,.
図12に、第1,第2のクロックパルスCK1,CK2、イネーブルパルスEN、スタートパルスST、1段目、2段目の出力パルスSR_outおよび転送パルスo1,o2,o3,…のタイミング関係を示す。このタイミングチャートから明らかなように、シフト回路61−1,61−2,…においては、第1の振幅(VSS−Vin)のクロックパルスCK1,CK2が抜き取られ、かつ第2の振幅(VSS−VDD)の転送パルスo1,o2,o3,…にレベルシフト(レベル変換)されることになる。 FIG. 12 shows the timing relationship between the first and second clock pulses CK1 and CK2, the enable pulse EN, the start pulse ST, the first stage, the second stage output pulse SR_out, and the transfer pulses o1, o2, o3,. . As is apparent from this timing chart, in the shift circuits 61-1, 61-2,..., The clock pulses CK1 and CK2 having the first amplitude (VSS−Vin) are extracted and the second amplitude (VSS−). (VDD) transfer pulses o1, o2, o3,...
上述したように、第2実施形態に係るシフトレジスタ回路60においても、第1のシフト回路61−1と第2のシフト回路61−2とを対として縦続接続し、第3のシフト回路61−3と第4のシフト回路61−4とを対として縦続接続し、これら2組のシフト回路対を交互に縦続接続するとともに、これらシフトレジスタユニット(転送段)の繰り返し配置に対して、位相が相互に1/4周期ずれたクロックパルスCK1とクロックパルスCK2とを交互に与えるようにすることで、これらクロックパルスCK1,CK2の周波数を、同じ回路構成のシフトレジスタユニットを繰り返して配置してなる従来のシフトレジスタ回路で用いるクロックパルスCK,xCKの周波数の1/2に落としての駆動を実現できるため、クロックパルスCK1,CK2を発生するクロック発生回路への負担を1/2に軽減できるとともに、駆動周波数が1/2に低減できることによって本シフトレジスタ回路60そのものの低消費電力化を図ることができる。
As described above, also in the shift register circuit 60 according to the second embodiment, the first shift circuit 61-1 and the second shift circuit 61-2 are connected in cascade, and the third shift circuit 61- 3 and the fourth shift circuit 61-4 are cascade-connected as a pair, and these two shift circuit pairs are alternately cascade-connected, and the phase is different from the repetitive arrangement of these shift register units (transfer stages). By alternately supplying the clock pulse CK1 and the clock pulse CK2 that are shifted from each other by ¼ period, the frequency of the clock pulses CK1 and CK2 is repeatedly arranged by shift register units having the same circuit configuration. Since it is possible to realize driving with a frequency reduced to ½ of the frequency of the clock pulses CK and xCK used in the conventional shift register circuit, the
続いて、第1〜第4のシフト回路(シフトレジスタユニット)61−1〜61−4の具体的な構成について説明する。 Next, a specific configuration of the first to fourth shift circuits (shift register units) 61-1 to 61-4 will be described.
図13は、第1,第2のシフト回路61−1,61−2の構成の一例を示すブロック図であり、図中、図3と同等部分には同一符号を付して示している。図13に示すように、本例に係るシフト回路61−1,61−2は、レベルシフト部20、制御パルス発生部70およびインバータ回路INVを有する構成となっている。すなわち、レベルシフト部20は第1実施形態に係るシフトレジスタ回路10で説明したレベルシフト部20と同じものであり、またその具体的な回路構成(図4)も同じである。 FIG. 13 is a block diagram showing an example of the configuration of the first and second shift circuits 61-1 and 61-2. In FIG. 13, the same parts as those in FIG. As shown in FIG. 13, the shift circuits 61-1 and 61-2 according to the present example are configured to include a level shift unit 20, a control pulse generation unit 70, and an inverter circuit INV. That is, the level shift unit 20 is the same as the level shift unit 20 described in the shift register circuit 10 according to the first embodiment, and the specific circuit configuration (FIG. 4) is also the same.
ここで、制御パルス発生部70の具体的な回路構成について説明する。図14は、制御パルス発生部70の構成の一例を示すブロック図である。 Here, a specific circuit configuration of the control pulse generator 70 will be described. FIG. 14 is a block diagram illustrating an example of the configuration of the control pulse generator 70.
図14に示すように、本例に係る制御パルス発生部70は、NAND回路71、スイッチ回路72、2つのインバータ回路73A,73Bおよびリセット回路74を有し、2つの入力端子75,76、2つの出力端子77,78およびリセット端子79を備えた構成となっている。
As shown in FIG. 14, the control pulse generator 70 according to this example includes a
入力端子75は、クロックパルスCK(CK1/CK2)と同じパルス幅の入力パルスIN1を入力とする。この入力パルスIN1は、シフトレジスタ回路60における自身段の入力パルスに相当する。入力端子76は、入力パルスIN1に対してクロックパルスCKの1/4周期だけ位相がずれた入力パルスIN2を入力とする。この入力パルスIN2は、シフトレジスタ回路60における自身段の出力パルスに相当する。
The
NAND回路71は、入力パルスIN1と入力パルスIN2との否定論理積をとる。スイッチ回路72は、互いに並列接続されたNMOSトランジスタn41およびPMOSトランジスタp41からなるCMOSスイッチによって構成されており、入力端がNAND回路71の出力端に接続されている。このスイッチ回路72において、NMOSトランジスタn41のゲートにはリセット端子79を介して入力されるリセットパルスrstがインバータ回路73Aで反転されて与えられ、PMOSトランジスタp41のゲートにはリセットパルスrstが直接与えられる。リセットパルスrstは、Highアクティブのパルス信号である。
The
リセット回路74は、スイッチ回路72の出力端と電源電位VSSとの間に接続され、リセットパルスrstをゲート入力とするNMOSトランジスタn42によって構成されている。このリセット回路74では、リセットパルスrstがHigh電位になることで、NMOSトランジスタn42がオン状態となってスイッチ回路72の出力端電位を電源電位VSSにするリセット動作が行われる。
The
インバータ回路73Bは、スイッチ回路72の出力パルスを反転することで逆相の制御パルスPSWを生成し、出力端子78を通して出力する。また、スイッチ回路72の出力パルスは、そのまま出力端子77を通して正相の制御パルスNSWとして出力される。図15に、入力パルスIN1,IN2および制御パルスNSW,PSWのタイミング関係を示す。
The
上記構成の制御パルス発生部70において、リセットパルスrstをHigh(電源電位VDD)にすることで、スイッチ回路72のNMOSトランジスタn41およびPMOSトランジスタp41が共にオフ状態となるとともに、リセット回路74のNMOSトランジスタn42がオン状態となってインバータ回路73Bの入力端を電源電位VSSに固定する。これにより、制御パルス発生部70は、非アクティブ状態の制御パルスNSW,PSWを出力し、レベルシフト部20を非動作状態とする。リセットパルスrstがLow(電源電位VSS)のときは、スイッチ回路72がオン、リセット回路74がオフとなるため、制御パルス発生部70からはアクティブ状態の制御パルスNSW,PSWが出力され、レベルシフト部20が動作状態となる。
In the control pulse generator 70 having the above configuration, the reset pulse rst is set to High (power supply potential VDD), so that both the NMOS transistor n41 and the PMOS transistor p41 of the
上述したように、第1,第2のシフト回路61−1,61−2の場合には、本例に係る制御パルス発生部70とレベル変換部20の組み合わせとなるが、第3,第4のシフト回路61−3,61−4の場合には、図16に示すように、本例に係る制御パルス発生部70とレベル変換部50(図9)との組み合わせとなる。 As described above, the first and second shift circuits 61-1 and 61-2 are a combination of the control pulse generator 70 and the level converter 20 according to this example. In the case of the shift circuits 61-3 and 61-4, as shown in FIG. 16, the control pulse generator 70 and the level converter 50 (FIG. 9) according to this example are combined.
続いて、第1,第2実施形態に係るシフトレジスタ回路10,60で用いられる各種回路ブロックの具体的な回路構成について説明する。 Next, specific circuit configurations of various circuit blocks used in the shift register circuits 10 and 60 according to the first and second embodiments will be described.
先ず、第1実施形態に係るシフトレジスタ回路10で用いられる3入力AND回路12−1,12−2,…について、図17を用いて説明する。図17に示すように、3入力AND回路は、ノードN11と電源電位VSSとの間に直列に接続されたNMOSトランジスタn51,n52,n53と、電源電位VDDとノードN11との間に並列に接続されたPMOSトランジスタp51,p52,p53とを有し、これらトランジスタn51〜n53,p51〜p53の各ゲートに3つの入力IN1,IN2,IN3が与えられたときのノードN11の電位をインバータINVで反転して論理積出力として導出する構成となっている。 First, the 3-input AND circuits 12-1, 12-2,... Used in the shift register circuit 10 according to the first embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 17, the 3-input AND circuit is connected in parallel between the NMOS transistor n51, n52, n53 connected in series between the node N11 and the power supply potential VSS, and between the power supply potential VDD and the node N11. PMOS transistors p51, p52, and p53, and the potential of the node N11 is inverted by the inverter INV when three inputs IN1, IN2, and IN3 are given to the gates of the transistors n51 to n53 and p51 to p53, respectively. Thus, the configuration is derived as a logical product output.
上記のインバータ回路INVや、第1,第2実施形態に係るシフトレジスタ回路10,60の各所で用いられるインバータ回路としては、図18に示すように、電源電位VDDと電源電位VSSとの間に直列に接続され、ゲート同士およびドレイン同士がそれぞれ共通に接続されてなるCMOSインバータが用いられる。 As shown in FIG. 18, the inverter circuit INV and the inverter circuits used in the shift register circuits 10 and 60 according to the first and second embodiments are provided between a power supply potential VDD and a power supply potential VSS. A CMOS inverter is used which is connected in series and has a gate and a drain connected in common.
次に、第1実施形態に係るシフトレジスタ回路10の制御パルス発生部40に用いられる2入力NOR回路41について、図19を用いて説明する。図19に示すように、2入力NOR回路は、電源電位VDDとノードN12との間に直列に接続されたPMOSトランジスタp55,p56と、ノードN12と電源電位VSSとの間に並列に接続されたNMOSトランジスタn55,n56とを有し、これらトランジスタp55,p56,n55,n56の各ゲートに2つの入力IN1,IN2が与えられたときのノードN12の電位を否定論理和出力として導出する構成となっている。
Next, a two-input NOR
次に、第2実施形態に係るシフトレジスタ回路60で用いられる3入力NOR回路62−1,62−2,…について、図20を用いて説明する。図20に示すように、3入力NOR回路は、ノードN13と電源電位VSSとの間に並列に接続されたNMOSトランジスタn61,n62,n63と、電源電位VDDとノードN13との間に直列に接続されたPMOSトランジスタp61,p62,p63とを有し、これらトランジスタn61〜n63,p61〜p63の各ゲートに3つの入力IN1,IN2,IN3が与えられたときのノードN13の電位を否定論理和出力として導出する構成となっている。 Next, three-input NOR circuits 62-1, 62-2,... Used in the shift register circuit 60 according to the second embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 20, the three-input NOR circuit is connected in series between the NMOS transistors n61, n62, and n63 connected in parallel between the node N13 and the power supply potential VSS, and between the power supply potential VDD and the node N13. PMOS transistors p61, p62, and p63, and outputs the potential of the node N13 when the three inputs IN1, IN2, and IN3 are given to the gates of the transistors n61 to n63 and p61 to p63, respectively. It is the structure derived as.
最後に、第2実施形態に係るシフトレジスタ回路60の制御パルス発生部70に用いられる2入力NAND回路71について、図21を用いて説明する。図21に示すように、2入力NAND回路は、電源電位VDDとノードN14との間に並列に接続されたPMOSトランジスタp65,p66と、ノードN14と電源電位VSSとの間にと直列に接続されたNMOSトランジスタn65,n66とを有し、これらトランジスタp65,p66,n65,n66の各ゲートに2つの入力IN1,IN2が与えられたときのノードN14の電位を否定論理積出力として導出する構成となっている。図17〜図21の論理回路は一例であり、同様の動作をするものであれば置き換え可能である。
Finally, a two-
以上説明した第1,第2実施形態に係るシフトレジスタ回路10,60は、一般的なレベルシフト機能付きシフトレジスタ回路として用いることができる他、一例として、電気光学素子を含む画素が行列状に2次元配置されてなる画素アレイ部を駆動する周辺駆動回路を当該画素アレイ部と同じ基板上に形成してなる駆動回路一体型の表示装置において、垂直ドライバや水平ドライバのスキャナを構成するシフトレジスタ回路として用いることができる。 The shift register circuits 10 and 60 according to the first and second embodiments described above can be used as a general shift register circuit with a level shift function. As an example, pixels including electro-optical elements are arranged in a matrix. A shift register constituting a scanner for a vertical driver or a horizontal driver in a display device integrated with a drive circuit in which a peripheral drive circuit for driving a pixel array unit arranged two-dimensionally is formed on the same substrate as the pixel array unit It can be used as a circuit.
(適用例)
図22は、本発明の適用例に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。ここでは、表示装置として、画素の電気光学素子として液晶セルを用いてなるアクティブマトリクス型液晶表示装置を例に挙げて説明するものとする。
(Application example)
FIG. 22 is a block diagram illustrating an example of a configuration of a display device according to an application example of the present invention. Here, an active matrix liquid crystal display device using a liquid crystal cell as an electro-optic element of a pixel will be described as an example of the display device.
図22に示すように、本適用例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置80は、画素アレイ部81、垂直ドライバ82および水平ドライバ83等を有し、垂直ドライバ82および水平ドライバ83等の周辺駆動回路が画素アレイ部81と同じ液晶パネル84上に一体的に形成された構成となっている。液晶パネル84は、2枚の絶縁基板、例えばガラス基板が一定の間隙をもって対向配置され、その間隙内に液晶材料が封入された構成となっている。
As shown in FIG. 22, an active matrix liquid crystal display device 80 according to this application example includes a pixel array unit 81, a
画素アレイ部81には、画素90がm行n列に2次元配置されている。また、この画素90の行列状配列に対して、行ごとに走査線85−1〜85−mが、列ごとに信号線86−1〜86−nがそれぞれ配線されている。画素90は、画素トランジスタであるTFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)91と、このTFT91のドレイン電極に画素電極が接続された液晶セル92と、TFT91のドレイン電極に一方の電極が接続された保持容量93とを有する構成となっている。
In the pixel array unit 81, the pixels 90 are two-dimensionally arranged in m rows and n columns. Further, scanning lines 85-1 to 85 -m are wired for each row and signal lines 86-1 to 86 -n are wired for each column in the matrix-like arrangement of the pixels 90. The pixel 90 includes a TFT (Thin Film Transistor) 91 which is a pixel transistor, a liquid crystal cell 92 having a pixel electrode connected to the drain electrode of the
この画素構造において、各画素90のTFT91は、そのゲート電極が走査線85(85−1〜85−m)に接続され、そのソース電極が信号線86(86−1〜86−n)に接続されている。また、液晶セル92の対向電極および保持容量93の他方の電極は、コモン電圧VCOMが与えられるコモン線87に接続されている。
In this pixel structure, the
垂直ドライバ82は、シフトレジスタ回路等によって構成され、画素アレイ部81の各画素90を行単位で選択する。水平ドライバ83は、シフトレジスタ回路やサンプリングスイッチ等によって構成され、垂直ドライバ82によって選択された行の各画素90に対して、パネル外部から入力される映像信号を画素単位で順次に(点順次)、あるいは行単位で一斉に(線順次)に書き込む。
The
上記構成のアクティブマトリクス型液晶表示装置80において、垂直ドライバ82および水平ドライバ83の少なくとも一方を構成するシフトレジスタ回路として、先述した第1,第2侍史形態に係るシフトレジスタ回路10,60が用いられる。
In the active matrix liquid crystal display device 80 configured as described above, the shift register circuits 10 and 60 according to the first and second history modes described above are used as the shift register circuit constituting at least one of the
このように、垂直ドライバ82や水平ドライバ83を構成するシフトレジスタ回路として、シフトレジスタ回路10,60を用いることにより、これらシフトレジスタ回路10,60では各シフトレジスタユニット(転送段)として、リーク電流がなく、消費電流が少ないレベルシフト部20,50を含むシフト回路11−1,11−2,…/61−1,61−2,…を用いているため、シフトレジスタ回路10,60での消費電力が少なく、したがって本液晶表示装置80の低消費電力化を実現できる。
As described above, by using the shift register circuits 10 and 60 as the shift register circuits constituting the
なお、上記適用例では、画素の電気光学素子として液晶セルを用いた液晶表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、液晶表示装置への適用に限られるものではなく、画素の電気光学素子として例えばEL(electro luminescence) 素子を用いたEL表示装置等、シフトレジスタ回路を用いて構成される垂直ドライバや水平ドライバを画素アレイ部と同じ基板上に形成してなる表示装置全般に、さらにはシフトレジスタ回路を用いて構成されるスキャナを搭載した機器全般に適用可能である。 In the application example described above, the case where the present invention is applied to a liquid crystal display device using a liquid crystal cell as an electro-optical element of the pixel has been described as an example. For example, an EL display device using an EL (electro luminescence) element as an optical element, such as a vertical driver or a horizontal driver configured using a shift register circuit on the same substrate as the pixel array unit, Furthermore, the present invention is applicable to all devices equipped with a scanner configured using a shift register circuit.
上記適用例に係る液晶表示装置に代表される表示装置は、特に携帯電話、PDA(Personal Digital Assistants)、ノートPC(Personal Computer)等の携帯機器の画面表示部として搭載して用いることができる。 A display device typified by the liquid crystal display device according to the application example described above can be mounted and used as a screen display unit of a mobile device such as a mobile phone, a PDA (Personal Digital Assistants), and a notebook PC (Personal Computer).
10,60…シフトレジスタ回路、11−1〜11−7,61−1〜61−7…シフト回路(シフトレジスタユニット)、12−1〜12−7…3入力AND回路、20,50…レベルシフト部、40,70…制御パルス発生部、21…相補性回路、22〜26,42,72…スイッチ回路、41…NOR回路、44,74…リセット回路、71…NAND回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,60 ... Shift register circuit, 11-1 to 11-7, 61-1 to 61-7 ... Shift circuit (shift register unit), 12-1 to 12-7 ... Three-input AND circuit, 20, 50 ... Level Shift unit, 40, 70 ... control pulse generation unit, 21 ... complementary circuit, 22 to 26, 42, 72 ... switch circuit, 41 ... NOR circuit, 44, 74 ... reset circuit, 71 ... NAND circuit
Claims (14)
前記第1の転送パルスがアクティブ状態のときで、かつ前記第1のクロックパルスと同一周波数でかつ当該第1のクロックパルスに対して位相が1/4周期ずれた前記第1の振幅の第2のクロックパルスが低レベルのときに前記第2の振幅の第2の転送パルスを出力する第2のシフト回路と、
前記第2の転送パルスがアクティブ状態のときで、かつ前記第1のクロックパルスが高レベルのときに前記第2の振幅の第3の転送パルスを出力する第3のシフト回路と、
前記第3の転送パルスがアクティブ状態のときで、かつ前記第2のクロックパルスが高レベルのときに前記第2の振幅の第4の転送パルスを出力する第4のシフト回路とを有し、
前記第1のシフト回路と前記第2のシフト回路とを縦続接続して第1のシフト回路対とし、前記第3のシフト回路と前記第4のシフト回路とを縦続接続して第2のシフト回路対とし、前記第1のシフト回路対と前記第2のシフト回路対とを交互に縦続接続してなり、
前記第1、第2、第3、第4のシフト回路は、第1の電源電位と第2の電源電位との間に直列に接続された互いに逆導電型の第1,第2のトランジスタからなる相補性回路を有し、前記第1の振幅から前記第2の振幅へのレベルシフト駆動時に前記第1のトランジスタのゲートに前記第1のクロックパルスまたは前記第2のクロックパルスを与え、前記第2のトランジスタのゲートに前記第1のクロックパルスまたは前記第2のクロックパルスを前記第1の電源電位側に相対的にシフトさせたクロックパルスを与える
シフトレジスタ回路。 When the input control pulse is in an active state and the first clock pulse having the first amplitude is at a low level, a first transfer pulse having a second amplitude larger than the first amplitude is output. A first shift circuit;
When the first transfer pulse is in the active state, and the second of said first of said first amplitude phase-shifted by 1/4 period with respect to the clock pulses with the same frequency a and the first clock pulse a second shift circuit for outputting a second transfer pulse of the second amplitude when the clock pulse is at low level,
A third shift circuit said second transfer pulses for outputting a third transfer pulses of said second amplitude when when in the active state, and said first clock pulse is at high level,
When the third transfer pulse is active, and a fourth shift circuit said second clock pulse to output a fourth transfer pulse of the second amplitude at a high level,
The first shift circuit and the second shift circuit are connected in cascade to form a first shift circuit pair, and the third shift circuit and the fourth shift circuit are connected in cascade to form a second shift circuit. A circuit pair, wherein the first shift circuit pair and the second shift circuit pair are alternately connected in cascade,
The first, second, third, and fourth shift circuits include first and second transistors of opposite conductivity type connected in series between a first power supply potential and a second power supply potential. comprising complementarity includes a circuit, given the first of said amplitude to a gate of the first transistor when the level shift driving to the second amplitude first clock pulse or said second clock pulse, the A shift register circuit that applies a clock pulse obtained by relatively shifting the first clock pulse or the second clock pulse to the first power supply potential side to a gate of a second transistor.
第1の電源電位と第2の電源電位との間に直列に接続された互いに逆導電型の第1,第2のトランジスタと、
前記第1,第2のクロックパルスが入力される第1のクロック端子と、
前記第1のクロック端子と前記第1のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記制御パルス、前記第1の転送パルスがアクティブ状態のときにオン状態となる第1のスイッチ手段と、
前記第2の電源電位と前記第2のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記制御パルス、前記第1の転送パルスがアクティブ状態のときにオフ状態となる第2のスイッチ手段と、
前記第2の電源電位と前記第1のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記制御パルス、前記第1の転送パルスがアクティブ状態のときにオフ状態となる第3のスイッチ手段と、
前記第1のクロック端子と前記第2のトランジスタのゲートとの間に接続された第1の容量素子とを有する
請求項1記載のシフトレジスタ回路。 The first and second shift circuits are
First and second transistors of opposite conductivity type connected in series between a first power supply potential and a second power supply potential;
A first clock terminal to which the first and second clock pulses are input;
A first switch means connected between the first clock terminal and the gate of the first transistor and turned on when the control pulse and the first transfer pulse are in an active state;
A second switch means connected between the second power supply potential and the gate of the second transistor and turned off when the control pulse and the first transfer pulse are in an active state;
A third switch means connected between the second power supply potential and the gate of the first transistor and turned off when the control pulse and the first transfer pulse are in an active state;
The shift register circuit according to claim 1, further comprising: a first capacitor connected between the first clock terminal and a gate of the second transistor.
前記第1のクロック端子と前記第1の容量素子との間に接続され、前記制御パルス、前記第1の転送パルスが非アクティブ状態のときに前記第1のクロック端子と前記第1の容量素子との間の電気的な接続を遮断する第4のスイッチ手段と、
前記制御パルス、前記第1の転送パルスが非アクティブ状態のときに前記第4のスイッチ手段と前記第1の容量素子との接続ノードの電位を一定電位に固定する手段とをさらに有する
請求項2記載のシフトレジスタ回路。 The first and second shift circuits are
The first clock terminal and the first capacitive element are connected between the first clock terminal and the first capacitive element, and the control pulse and the first transfer pulse are in an inactive state. a fourth switch means for interrupting the electrical connection between,
The control pulses, according to claim 2, further comprising a means wherein the first transfer pulse to be fixed to a constant potential the potential of the connection node between said fourth switch means and said first capacitive element when inactive The shift register circuit described.
第1の電源電位と第2の電源電位との間に直列に接続された互いに逆導電型の第3,第4のトランジスタと、
前記第1,第2のクロックパルスが入力される第2のクロック端子と、
前記第2のクロック端子と前記第3のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記第2,第3の転送パルスがアクティブ状態のときにオン状態となる第5のスイッチ手段と、
前記第2の電源電位よりも前記第1,第2のクロックパルスの振幅電圧だけ低い第3の電源電位と前記第4のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記第2,第3の転送パルスがアクティブ状態のときにオフ状態となる第6のスイッチ手段と、
前記第1の電源電位と前記第1のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記第2,第3の転送パルスがアクティブ状態のときにオフ状態となる第7のスイッチ手段と、
前記第2のクロック端子と前記第4のトランジスタのゲートとの間に接続された第2の容量素子とを有する
請求項1記載のシフトレジスタ回路。 The third and fourth shift circuits are
Third and fourth transistors of opposite conductivity type connected in series between the first power supply potential and the second power supply potential;
A second clock terminal to which the first and second clock pulses are input;
Fifth switch means connected between the second clock terminal and the gate of the third transistor, and turned on when the second and third transfer pulses are in an active state;
The second and third transfers are connected between a third power supply potential lower than the second power supply potential by the amplitude voltage of the first and second clock pulses and the gate of the fourth transistor. Sixth switch means which is turned off when the pulse is in an active state;
A seventh switch means connected between the first power supply potential and the gate of the first transistor, and turned off when the second and third transfer pulses are in an active state;
The shift register circuit according to claim 1, further comprising: a second capacitor element connected between the second clock terminal and a gate of the fourth transistor.
前記第2のクロック端子と前記第2の容量素子との間に接続され、前記第2,第3の転送パルスが非アクティブ状態のときに前記第2のクロック端子と前記第2の容量素子との間の電気的な接続を遮断する第8のスイッチ手段と、
前記第2,第3の転送パルスが非アクティブ状態のときに前記第8のスイッチ手段と前記第2の容量素子との接続ノードの電位を一定電位に固定する手段とをさらに有する
請求項4記載のシフトレジスタ回路。 The third and fourth shift circuits are
The second clock terminal and the second capacitive element are connected between the second clock terminal and the second capacitive element, and when the second and third transfer pulses are in an inactive state. An eighth switch means for interrupting the electrical connection between ;
The second, according to claim 4, wherein the third transfer pulses further comprises a means for fixing at a constant potential the potential of the connection node between the eighth switching means and said second capacitive element when inactive Shift register circuit.
請求項1記載のシフトレジスタ回路。 2. The shift register circuit according to claim 1, wherein each of the first and second shift circuits generates the first and second transfer pulses based on an input and an output of its own stage.
請求項1記載のシフトレジスタ回路。 2. The shift register circuit according to claim 1, wherein each of the third and fourth shift circuits generates the third and fourth transfer pulses based on an input and an output of its own stage.
前記シフトレジスタ回路は、
入力される制御パルスがアクティブ状態のときで、かつ第1の振幅の第1のクロックパルスが低レベルのときに前記第1の振幅よりも大きい第2の振幅の第1の転送パルスを出力する第1のシフト回路と、
前記第1の転送パルスがアクティブ状態のときで、かつ前記第1のクロックパルスと同一周波数でかつ当該第1のクロックパルスに対して位相が1/4周期ずれた前記第1の振幅の第2のクロックパルスが低レベルのときに前記第2の振幅の第2の転送パルスを出力する第2のシフト回路と、
前記第2の転送パルスがアクティブ状態のときで、かつ前記第1のクロックパルスが高レベルのときに前記第2の振幅の第3の転送パルスを出力する第3のシフト回路と、
前記第3の転送パルスがアクティブ状態のときで、かつ前記第2のクロックパルスが高レベルのときに前記第2の振幅の第4の転送パルスを出力する第4のシフト回路とを有し、
前記第1のシフト回路と前記第2のシフト回路とを縦続接続して第1のシフト回路対とし、前記第3のシフト回路と前記第4のシフト回路とを縦続接続して第2のシフト回路対とし、前記第1のシフト回路対と前記第2のシフト回路対とを交互に縦続接続してなり、
前記第1、第2、第3、第4のシフト回路は、第1の電源電位と第2の電源電位との間に直列に接続された互いに逆導電型の第1,第2のトランジスタからなる相補性回路を有し、前記第1の振幅から前記第2の振幅へのレベルシフト駆動時に前記第1のトランジスタのゲートに前記第1のクロックパルスまたは前記第2のクロックパルスを与え、前記第2のトランジスタのゲートに前記第1のクロックパルスまたは前記第2のクロックパルスを前記第1の電源電位側に相対的にシフトさせたクロックパルスを与える
表示装置。 A pixel array unit in which pixels including electro-optic elements are two-dimensionally arranged in a matrix, a vertical driving unit that selects each pixel of the pixel array unit in units of rows, and an image in a row selected by the vertical driving unit A display device comprising a horizontal drive means for writing signals, wherein at least one of the vertical drive means and the horizontal drive means is constituted by a shift register circuit,
The shift register circuit includes:
When the input control pulse is in an active state and the first clock pulse having the first amplitude is at a low level, a first transfer pulse having a second amplitude larger than the first amplitude is output. A first shift circuit;
When the first transfer pulse is in the active state, and the second of said first of said first amplitude phase-shifted by 1/4 period with respect to the clock pulses with the same frequency a and the first clock pulse a second shift circuit for outputting a second transfer pulse of the second amplitude when the clock pulse is at low level,
A third shift circuit said second transfer pulses for outputting a third transfer pulses of said second amplitude when when in the active state, and said first clock pulse is at high level,
When the third transfer pulse is active, and a fourth shift circuit said second clock pulse to output a fourth transfer pulse of the second amplitude at a high level,
The first shift circuit and the second shift circuit are connected in cascade to form a first shift circuit pair, and the third shift circuit and the fourth shift circuit are connected in cascade to form a second shift circuit. A circuit pair, wherein the first shift circuit pair and the second shift circuit pair are alternately connected in cascade,
The first, second, third, and fourth shift circuits include first and second transistors of opposite conductivity type connected in series between a first power supply potential and a second power supply potential. comprising complementarity includes a circuit, given the first of said amplitude to a gate of the first transistor when the level shift driving to the second amplitude first clock pulse or said second clock pulse, the The display device, wherein a clock pulse obtained by relatively shifting the first clock pulse or the second clock pulse to the first power supply potential side is applied to a gate of a second transistor.
第1の電源電位と第2の電源電位との間に直列に接続された互いに逆導電型の第1,第2のトランジスタと、
前記第1,第2のクロックパルスが入力される第1のクロック端子と、
前記第1のクロック端子と前記第1のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記制御パルス、前記第1の転送パルスがアクティブ状態のときにオン状態となる第1のスイッチ手段と、
前記第2の電源電位と前記第2のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記制御パルス、前記第1の転送パルスがアクティブ状態のときにオフ状態となる第2のスイッチ手段と、
前記第2の電源電位と前記第1のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記制御パルス、前記第1の転送パルスがアクティブ状態のときにオフ状態となる第3のスイッチ手段と、
前記第1のクロック端子と前記第2のトランジスタのゲートとの間に接続された第1の容量素子とを有する
請求項8記載の表示装置。 The first and second shift circuits are
First and second transistors of opposite conductivity type connected in series between a first power supply potential and a second power supply potential;
A first clock terminal to which the first and second clock pulses are input;
A first switch means connected between the first clock terminal and the gate of the first transistor and turned on when the control pulse and the first transfer pulse are in an active state;
A second switch means connected between the second power supply potential and the gate of the second transistor and turned off when the control pulse and the first transfer pulse are in an active state;
A third switch means connected between the second power supply potential and the gate of the first transistor and turned off when the control pulse and the first transfer pulse are in an active state;
The display device according to claim 8 , further comprising a first capacitor connected between the first clock terminal and a gate of the second transistor.
前記第1のクロック端子と前記第1の容量素子との間に接続され、前記制御パルス、前記第1の転送パルスが非アクティブ状態のときに前記第1のクロック端子と前記第1の容量素子との間の電気的な接続を遮断する第4のスイッチ手段と、
前記制御パルス、前記第1の転送パルスが非アクティブ状態のときに前記第4のスイッチ手段と前記第1の容量素子との接続ノードの電位を一定電位に固定する手段とをさらに有する
請求項9記載の表示装置。 The first and second shift circuits are
The first clock terminal and the first capacitive element are connected between the first clock terminal and the first capacitive element, and the control pulse and the first transfer pulse are in an inactive state. a fourth switch means for interrupting the electrical connection between,
Said control pulse, the first claim transfer pulse further has a means for fixing at a constant potential the potential of the connection node between said fourth switch means and said first capacitive element when inactive 9 The display device described.
第1の電源電位と第2の電源電位との間に直列に接続された互いに逆導電型の第3,第4のトランジスタと、
前記第1,第2のクロックパルスが入力される第2のクロック端子と、
前記第2のクロック端子と前記第3のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記第2,第3の転送パルスがアクティブ状態のときにオン状態となる第5のスイッチ手段と、
前記第2の電源電位よりも前記第1,第2のクロックパルスの振幅電圧だけ低い第3の電源電位と前記第4のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記第2,第3の転送パルスがアクティブ状態のときにオフ状態となる第6のスイッチ手段と、
前記第1の電源電位と前記第1のトランジスタのゲートとの間に接続され、前記第2,第3の転送パルスがアクティブ状態のときにオフ状態となる第7のスイッチ手段と、
前記第2のクロック端子と前記第4のトランジスタのゲートとの間に接続された第2の容量素子とを有する
請求項8記載の表示装置。 The third and fourth shift circuits are
Third and fourth transistors of opposite conductivity type connected in series between the first power supply potential and the second power supply potential;
A second clock terminal to which the first and second clock pulses are input;
Fifth switch means connected between the second clock terminal and the gate of the third transistor, and turned on when the second and third transfer pulses are in an active state;
The second and third transfers are connected between a third power supply potential lower than the second power supply potential by the amplitude voltage of the first and second clock pulses and the gate of the fourth transistor. Sixth switch means which is turned off when the pulse is in an active state;
A seventh switch means connected between the first power supply potential and the gate of the first transistor, and turned off when the second and third transfer pulses are in an active state;
The display device according to claim 8 , further comprising: a second capacitor element connected between the second clock terminal and a gate of the fourth transistor.
前記第2のクロック端子と前記第2の容量素子との間に接続され、前記第2,第3の転送パルスが非アクティブ状態のときに前記第2のクロック端子と前記第2の容量素子との間の電気的な接続を遮断する第8のスイッチ手段と、
前記第2,第3の転送パルスが非アクティブ状態のときに前記第8のスイッチ手段と前記第2の容量素子との接続ノードの電位を一定電位に固定する手段とをさらに有する
請求項11記載の表示装置。 The third and fourth shift circuits are
The second clock terminal and the second capacitive element are connected between the second clock terminal and the second capacitive element, and when the second and third transfer pulses are in an inactive state. An eighth switch means for interrupting the electrical connection between ;
The second, third claim 11, wherein a transfer pulse further has a means for fixing at a constant potential the potential of the connection node between the eighth switching means and said second capacitive element when inactive Display device.
請求項8記載の表示装置。 The display device according to claim 8 , wherein each of the first and second shift circuits generates the first and second transfer pulses based on an input and an output of its own stage.
請求項8記載の表示装置。 The display device according to claim 8 , wherein each of the third and fourth shift circuits generates the third and fourth transfer pulses based on an input and an output of its own stage.
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