JP4451292B2 - 光ディスク装置、光ディスク方法および半導体集積回路 - Google Patents
光ディスク装置、光ディスク方法および半導体集積回路 Download PDFInfo
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Description
図1は、本発明の実施の形態1の光ディスク装置の構成を示す。光ディスク装置は、光ディスク13に情報を記録し、または、光ディスク13に記録された情報を再生する。
図7は、光ディスク13の構造を示す。
本発明の実施の形態2の光ディスク装置の構成は、図1に示される光ディスク装置の構成と同一である。
図15は、本発明の実施の形態3の光ディスク装置の構成を示す。図15において、図1に示される光ディスク装置の構成要素と同一の構成要素には同一の参照番号を付し、その説明を省略する。
しかしながら、レーザ光源自身の発熱や、アクチュエータ駆動回路7、ビームエキスパンダー駆動回路26、およびディスクモータ12などから発生する外部からの熱により、レーザ光源の温度は一定ではなく変化する。
ここで、Cは球面収差量、Kは温度計により測定される温度変化に伴う球面収差の発生感度、Tは温度計により測定される温度、C0は温度計の温度が0を示すときの球面収差発生量である。
3 受光部
4 光ピックアップ
5 フォーカスエラー生成器
6 制御部
7 アクチュエータ駆動回路
10 RF信号生成器
12 ディスクモータ
13 光ディスク
14 保護層
15 情報面
16 基材
17 トラッキングエラー生成器
18 対物レンズアクチュエータ
19 システム管理エリア
20 ユーザーエリア
22 TE信号の振幅の稜線
25 球面収差補正素子
26 ビームエキスパンダー駆動回路
27 マイクロコンピュータ
28 データ再生回路
30 温度計
40 信号品質評価器
Claims (13)
- 光ディスクに照射された光ビームの収束位置を変更するように動作可能な収束位置変更手段と、
前記光ディスクの情報面上に形成される前記光ビームのスポットにおいて発生する球面収差量を変更するように動作可能な球面収差量変更手段と、
前記光ビームのスポットと前記光ディスクの情報面上のトラックとの間の位置ずれを示すトラッキングエラーを検出し、前記トラッキングエラーを示すトラッキングエラー信号を生成するトラッキングエラー検出手段と、
前記トラッキングエラー信号に応じてトラッキング制御を実行するトラッキング制御手段と、
前記光ディスクの情報面からの再生信号の品質を示す再生信号品質指標を生成する再生信号品質指標生成手段と、
前記収束位置変更手段と前記球面収差量変更手段と前記トラッキング制御手段とを制御する制御手段と
を備え、
前記制御手段は、前記トラッキング制御のオン/オフ状態を切り換えるように動作可能であり、
前記制御手段は、前記トラッキング制御がオフ状態にある間に、前記光ビームの収束位置を変更するように前記収束位置変更手段を制御し、かつ、前記球面収差量を変更するように前記球面収差量変更手段を制御することにより、前記トラッキングエラー信号の振幅が所定の値より大きくなる複数の組の光ビームの収束位置および球面収差量を探索する第1の探索を実行し、
前記制御手段は、前記トラッキング制御がオン状態である間に、前記第1の探索において得られた前記複数の組の光ビームの収束位置および球面収差量の中から、前記再生信号品質指標が実質的に最良となる1組の光ビームの収束位置および球面収差量を選択する第2の探索を実行する、光ディスク装置。 - 前記制御手段は、前記第1の探索において、前記トラッキングエラー信号の振幅特性の稜線を決定する、請求項1に記載の光ディスク装置。
- 前記制御手段は、
前記光ビームの収束位置を所定値D2に固定した状態で前記球面収差量を変更するように前記球面収差量変更手段を制御することにより、前記トラッキングエラー信号の振幅が実質的に最大となる球面収差C2を決定し、
前記光ビームの収束位置を所定値D3に固定した状態で前記球面収差量を変更するように前記球面収差可変手段を制御することにより、前記トラッキングエラー信号の振幅が実質的に最大となる球面収差C3を決定し、
点L1(D2,C2)と点L2(D3,C3)とを結ぶ直線を前記第1の探索における前記稜線として決定する、請求項2に記載の光ディスク装置。 - 前記制御手段は、
前記球面収差量を所定値C2に固定した状態で前記光ビームの収束位置を変更するように前記収束位置変更手段を制御することにより、前記トラッキングエラー信号の振幅が実質的に最大となる光ビームの収束位置D2を決定し、
前記球面収差量を所定値C3に固定した状態で前記光ビームの収束位置を変更するように前記収束位置変更手段を制御することにより、前記トラッキングエラー信号の振幅が実質的に最大となる光ビームの収束位置D3を決定し、
点L1(D2,C2)と点L2(D3,C3)とを結ぶ直線を前記第1の探索における前記稜線として決定する、請求項2に記載の光ディスク装置。 - 前記制御手段は、前記トラッキング制御がオン状態である間に、前記第2の探索において決定された前記球面収差量を固定した状態で前記第2の探索において決定された前記光ビームの収束位置を変更するように前記収束位置変更手段を制御することにより、前記再生信号品質指標が実質的に最良となる光ビームの収束位置を決定する、請求項1に記載の光ディスク装置。
- 前記制御手段は、前記トラッキング制御がオン状態である間に、前記第2の探索において決定された前記光ビームの収束位置を固定した状態で前記第2の探索において決定された前記球面収差量を変更するように前記球面収差量変更手段を制御することにより、前記再生信号品質指標が実質的に最良となる球面収差を決定する、請求項1に記載の光ディスク装置。
- 前記再生信号品質指標生成手段は、ジッタに基づいて前記再生信号品質指標を生成する、請求項1に記載の光ディスク装置。
- 前記再生信号品質指標生成手段は、MLSE(Maximum Likelihood
Sequence Error)信号に基づいて前記再生信号品質指標を生成する、請求項1に記載の光ディスク装置。 - 前記再生信号品質指標生成手段は、SAM(Sequence Amplitude
Margin)信号に基づいて前記再生信号品質指標を生成する、請求項1に記載の光ディスク装置。 - 前記再生信号品質指標生成手段は、前記再生信号の振幅に基づいて前記再生信号品質指標を生成する、請求項1に記載の光ディスク装置。
- 前記再生信号品質指標生成手段は、エラーレートに基づいて前記再生信号品質指標を生成する、請求項1に記載の光ディスク装置。
- 光ディスクに照射された光ビームの収束位置と前記光ディスクの情報面上に形成される前記光ビームのスポットにおいて発生する球面収差量とを調整する方法であって、
トラッキング制御がオフ状態にある間に、前記光ビームの収束位置を変更し、かつ、前記球面収差量を変更することにより、トラッキングエラー信号の振幅が所定の値より大きくなる複数の組の光ビームの収束位置および球面収差量を探索する第1の探索を実行するステップと、
前記トラッキング制御がオン状態である間に、前記第1の探索において得られた前記複数の組の光ビームの収束位置および球面収差量の中から、再生信号品質指標が実質的に最良となる1組の光ビームの収束位置および球面収差量を決定する第2の探索を実行するステップと
を包含する、方法。 - 光ディスク装置において用いられる半導体集積回路であって、
前記光ディスク装置は、
光ディスクに照射された光ビームの収束位置を変更するように動作可能な収束位置変更手段と、
前記光ディスクの情報面上に形成される前記光ビームのスポットにおいて発生する球面収差量を変更するように動作可能な球面収差量変更手段と、
前記光ビームのスポットと前記光ディスクの情報面上のトラックとの間の位置ずれを示すトラッキングエラーを検出し、前記トラッキングエラーを示すトラッキングエラー信号を生成するトラッキングエラー検出手段と、
前記トラッキングエラー信号に応じてトラッキング制御を実行するトラッキング制御手段と
を備え、
前記半導体集積回路は、
前記光ディスクの情報面からの再生信号の品質を示す再生信号品質指標を生成する再生信号品質指標生成手段と、
前記収束位置変更手段と前記球面収差量変更手段と前記トラッキング制御手段とを制御する制御手段と
を備え、
前記制御手段は、前記トラッキング制御のオン/オフ状態を切り換えるように動作可能であり、
前記制御手段は、前記トラッキング制御がオフ状態にある間に、前記光ビームの収束位置を変更するように前記収束位置変更手段を制御し、かつ、前記球面収差量を変更するように前記球面収差量変更手段を制御することにより、前記トラッキングエラー信号の振幅が所定の値より大きくなる複数の組の光ビームの収束位置および球面収差量を探索する第1の探索を実行し、
前記制御手段は、前記トラッキング制御がオン状態である間に、前記第1の探索において得られた前記複数の組の光ビームの収束位置および球面収差量の中から、前記再生信号品質指標が実質的に最良となる1組の光ビームの収束位置および球面収差量を決定する第2の探索を実行する、半導体集積回路。
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| JP2004356080A JP4451292B2 (ja) | 2003-12-08 | 2004-12-08 | 光ディスク装置、光ディスク方法および半導体集積回路 |
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