JP4449570B2 - 新規な共重合体及びそれを用いたレジスト材料 - Google Patents
新規な共重合体及びそれを用いたレジスト材料 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4449570B2 JP4449570B2 JP2004146323A JP2004146323A JP4449570B2 JP 4449570 B2 JP4449570 B2 JP 4449570B2 JP 2004146323 A JP2004146323 A JP 2004146323A JP 2004146323 A JP2004146323 A JP 2004146323A JP 4449570 B2 JP4449570 B2 JP 4449570B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- structural unit
- monomer
- represented
- copolymer
- resist material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- YAGQVFFUCPHXCF-UHFFFAOYSA-N C=C(C(F)(F)F)C(OC1C(CC(C2)C3)CC2CC3C1)=O Chemical compound C=C(C(F)(F)F)C(OC1C(CC(C2)C3)CC2CC3C1)=O YAGQVFFUCPHXCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
で示される構造単位(B)、及び下記一般式(3)
で示される構造単位(C)を含有し、それらの組成が、[構造単位(A)]/[構造単位(A)+構造単位(B)+構造単位(C)]=0.01〜0.99(モル比)、[構造単位(B)]/[構造単位(A)+構造単位(B)+構造単位(C)]=0.01〜0.99(モル比)、[構造単位(C)]/[構造単位(A)+構造単位(B)+構造単位(C)]=0.01〜0.99(モル比)である共重合体。
[3] 数平均分子量(Mn)が、1,000〜1,000,000の範囲であることを特徴とする上記[1]又は[2]に記載の共重合体。
で示されるモノマー(B’)、及び下記一般式(7)
で示されるモノマー(C’)を共重合することを特徴とする上記[1]乃至[3]のいずれかに記載の共重合体の製造方法。
100mlフラスコ中に、α−トリフルオロメチルアクリル酸[東ソーエフテック社製]14.0g(0.1mol)、トルエン 10.0gを仕込み、室温条件下にて、シクロペンタジエン 7.3g(0.11mol)を加えた。さらに室温で攪拌した後、酢酸 7.2g(0.12mol)及び硫酸2.0g(0.02mol)を加えた。反応液を50℃まで昇温し、30%過酸化水素水 13.6g(0.12mol)を50℃で4時間かけて滴下した。
100mlフラスコ中に、α−トリフルオロメチルアクリル酸[東ソーエフテック社製]14.0g(0.10mol)、塩化チオニル14.3g(0.12mol)、トルエン100gを仕込み、溶媒還流下で6時間攪拌攪拌し、α−トリフルオロメチルアクリル酸クロライドを調製した。
反応終了後、炭酸水素ナトリウム水溶液で反応液を洗浄した後、得られた有機層を濃縮した。得られた残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、上記構造単位(B−1)に対応するモノマーである下記式
ディ−ン・スターク還流管を備えた200mlフラスコ中に、α−トリフルオロメチルアクリル酸[東ソーエフテック社製]14.0g(0.1mol)、2−メチル−2−アダマンタノール[アルドリッチ社製]16.6g(0.10mol),トルエン 50.0gを仕込み、溶媒還流温度に加熱した。副生するH2Oをトルエンと共沸させながらディーン・スターク還流管で捕集し、そのまま5時間還流した。その後、反応液を20℃まで冷却し、同温度で3時間攪拌した。
50mlフラスコ中に、上記構造単位(A−2)に対応するモノマーであるメタクリロニトリル(以下、MANと略記する) 0.10g(1.5mmol)、モノマー合成例1で得られたモノマー(B’−1)を0.52g(1.5mmol)、モノマー合成例2で得られたモノマー(C’−1)を1.73g(6.0mmol)、及びモノマー仕込み量全体の5mol%に相当する量の2,2’−アゾビスイソブチロニトリルを仕込んだ。さらに、溶媒としてヘキサフルオロベンゼンを、モノマー仕込み量全体の濃度が10重量%になるように加え、55℃の温度にて48時間攪拌した。その後、多量のメタノール中に反応液を注ぎポリマーを析出させ、得られたポリマーをろ別し、さらにクロロホルムとメタノールの混合溶媒にて再結晶し、ろ別及び乾燥処理にて所望のポリマーを得た。このポリマーをポリマー(1)とする。本ポリマーの数平均分子量(Mn)は1,600、分解温度(Td)は138℃、また、FT−IRによりポリマー中の各構造単位の組成比を求めたところ、組成比は、A−2/B−1/C−1=54/17/29(mol/mol)であった。結果を表1に示す。
ポリマー合成例1の方法において、仕込みモノマーを表1に示す条件に変えた以外は、ポリマー合成例1の方法に順じて反応を行い、ポリマー(2)〜(3)をそれぞれ得た。反応条件及び結果を表1に併せて示す。
実施例1〜3で得られたポリマー(1)〜(3)を、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートに溶解させ、この溶液をフッ化マグネシウムセル上にスピンコートし、90℃で1分間ベークした後、ポリマー層を基板上に作成した。ポリマー層の厚さはインターフェロメトリー法により求めた(ナノメトリックス社製、ナノスペック/AFTM3000)。さらに、真空紫外光度計(日本分光社製、VUV−201)を用いて、膜厚0.1μmあたりの157nmにおける透過率を測定した。結果を表2に示す。
実施例1〜3で得られたポリマー(1)〜(3)を、それぞれプロピレングリコールメチルエーテルアセテートに溶解させ、この溶液をシリコンウエハ上にスピンコートし、90℃で1分間ベークした後、ポリマー層を基板上に作成した。本ポリマーを室温にて酸素プラズマエッチング(出力20W(13.56MHz)、出力密度1.0W/cm2,圧力80torr,酸素フロー1.0sccm)を行なった。エッチング速度は、ポリヒドロキシスチレンのエッチング速度を1.00とした時の相対速度にて評価した。結果を表2に併せて示す。
実施例1〜3で得られたポリマー(1)〜(3)を、それぞれクロロホルムに溶解させ、AT型にカットされた水晶振動子(直径0.54cm)に塗布し、ポリマーを堆積させた。次いで、金電極を備えたステンレス製のチャンバー内にポリマーが堆積した水晶振動子を装備し、窒素気流下にて157nmエキシマレーザー光を0〜200mJ/cm2の範囲で照射し、周波数測定器(横河TC110)にて定期的に周波数変化を測定し、ポリマーの重量変化を求め、この減少重量分をアウトガス量とした。結果を表3に示す。
上記ポリマー合成例で得られたポリマー(1)〜(3)をそれぞれ1.0g、及び酸発生剤としてトリフェニルスルフォニウムトリフラート[アルドリッチ社製]を0.05g、有機溶媒としてプロピレングリコールメチルエーテルアセテート20.0gを混合し、レジスト溶液を調製した。
Claims (5)
- 数平均分子量(Mn)が、1,000〜1,000,000の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の共重合体。
- 一般式(5)〜(7)で示されるモノマー(A’)〜(C’)をラジカル共重合することを特徴とする請求項3に記載の共重合体の製造方法。
- 有機溶媒、請求項1又は請求項2に記載の共重合体、及び酸発生剤を含有してなるレジスト材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004146323A JP4449570B2 (ja) | 2004-05-17 | 2004-05-17 | 新規な共重合体及びそれを用いたレジスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004146323A JP4449570B2 (ja) | 2004-05-17 | 2004-05-17 | 新規な共重合体及びそれを用いたレジスト材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005325293A JP2005325293A (ja) | 2005-11-24 |
JP4449570B2 true JP4449570B2 (ja) | 2010-04-14 |
Family
ID=35471885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004146323A Expired - Fee Related JP4449570B2 (ja) | 2004-05-17 | 2004-05-17 | 新規な共重合体及びそれを用いたレジスト材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4449570B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4998724B2 (ja) * | 2006-07-06 | 2012-08-15 | 信越化学工業株式会社 | エステル化合物とその製造方法、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
KR102252666B1 (ko) * | 2013-09-12 | 2021-05-18 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 수지 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및 중합체 |
WO2021019942A1 (ja) * | 2019-07-30 | 2021-02-04 | 株式会社ダイセル | 単量体、フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法 |
-
2004
- 2004-05-17 JP JP2004146323A patent/JP4449570B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005325293A (ja) | 2005-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4665043B2 (ja) | フォトレジストパターン形成方法 | |
TW200304047A (en) | Resist composition | |
TWI311235B (ja) | ||
JPWO2005042453A1 (ja) | 含フッ素化合物、含フッ素ポリマーとその製造方法 | |
JP2005113118A (ja) | フォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体、フォトレジスト重合体の製造方法、フォトレジスト組成物及びフォトレジストパターン形成方法 | |
US7285373B2 (en) | Polymer and chemically amplified resist composition containing the same | |
JP2005060664A (ja) | 含フッ素化合物、含フッ素ポリマーとその製造方法およびそれを含むレジスト組成物 | |
EP1383812B1 (en) | Polycyclic fluorine-containing polymers and photoresists for microlithography | |
JP3943445B2 (ja) | フォトレジスト重合体及びフォトレジスト組成物 | |
JP4407358B2 (ja) | 含フッ素ポリマーおよびレジスト組成物 | |
JP3641748B2 (ja) | フォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体、フォトレジスト重合体の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子 | |
WO2001096963A1 (fr) | Composition de resist | |
JP4610335B2 (ja) | フォトレジストとして有用な縮合4員環状炭素を有する多環式基を有するフッ素化ポリマーおよび微細平版印刷のための方法 | |
JP4449570B2 (ja) | 新規な共重合体及びそれを用いたレジスト材料 | |
TW574605B (en) | Maleimide-photoresist monomers containing halogen, polymers thereof and photoresist compositions comprising the same | |
KR20050099494A (ko) | 플루오르화 단량체, 포토레지스트로서 유용한 4원헤테로시클릭 접합 고리를 갖는 폴리시클릭기를 함유하는플루오르화 중합체, 및 마이크로리소그래피법 | |
TW201106098A (en) | Novel resins and photoresist compositions comprising same | |
JP6287552B2 (ja) | レジスト用共重合体、およびレジスト用組成物 | |
JP4578971B2 (ja) | フォトレジストとして有用なフッ素化ポリマーおよび微細平版印刷のための方法 | |
JP2005173211A (ja) | エッチング耐性及び低アウトガス性に優れたレジスト材料 | |
JP4190296B2 (ja) | 含フッ素ビニルエーテルを使用した含フッ素共重合体、ならびに含フッ素共重合体を使用したレジスト材料 | |
US20040092686A1 (en) | Polycyclic fluorine-containing polymers and photoresists for microlithography | |
JP2005535780A (ja) | フォトレジスト、フルオロポリマーおよび157nm微細平版印刷のための方法 | |
Liu et al. | Preparation and characterization of novel polymers having pendant ketal moieties for positive photoresists | |
KR100680406B1 (ko) | 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070423 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090617 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100105 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100118 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4449570 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140205 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |