JP4449277B2 - Cmp研磨方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子製造工程のうち、層間絶縁膜の平坦化工程またはシャロー・トレンチ分離の形成工程等において好適に使用されるCMP(Chemical Mechanical Polishing)研磨方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
超大規模集積回路の分野において実装密度を高めるために種々の微細加工技術が研究、開発されており、既に、デザインルールは、サブハーフミクロンのオーダーになっている。このような厳しい微細化要求を満足するための技術の一つにCMP技術がある。この技術は、半導体装置の製造工程において、露光を施す層を完全に平坦化し、露光技術の負担を軽減し、歩留まりを安定させることができるため、例えば、層間絶縁膜の平坦化やシャロー・トレンチ分離等を行う際に必須となる技術である。
【0003】
従来、半導体装置の製造工程において、プラズマ−CVD(Chemical Vapor Deposition、化学的蒸着法)、低圧−CVD等の方法で形成される酸化珪素絶縁膜等を平坦化するためのCMP研磨液として、コロイダルシリカを研磨粒子とする高PH(ペーハー)の研磨液が多用されてきた。しかしながら、この研磨液には、酸化珪素膜の研磨速度が十分ではない、ウエハ全面が均一に削れない(すなわち高平坦化できない)、あるいはスクラッチと呼ばれる研磨傷が多い等の問題がある。
【0004】
CMP研磨液は、上記した絶縁膜の平坦化以外に、シャロー・トレンチ分離の形成工程においても使用されている。デザインルール0.5μm以上の世代では、集積回路内の素子分離にLOCOS(シリコン局所酸化)法が用いられてきたが、素子分離幅をより狭くするため、シャロー・トレンチ分離法が用いられている。シャロー・トレンチ分離法では、基板上に成膜した余分の酸化珪素膜を除くためにCMPが使用され、研磨を停止させるために、酸化珪素膜の下に窒化珪素膜がストッパとして形成されるのが一般的である。したがって、酸化珪素膜研磨速度は窒化珪素膜研磨速度よりできるだけ大きいことが望ましい。しかし、従来のコロイダルシリカを用いた研磨液は、酸化珪素膜と窒化珪素膜の研磨速度比が高々3程度と小さく、シャロー・トレンチ分離用としては実用的ではない。
【0005】
一方、フォトマスクやレンズ等のガラス表面研磨剤としては、酸化セリウムを用いた研磨液が多用されている。酸化セリウム研磨液は研磨傷が発生し難く、また、研磨速度が早いという特長を有する。そのため、酸化セリウム研磨液を半導体用研磨液として適用する検討が近年行われているが、未だコロイダルシリカを用いた研磨液にとって変わるには至っていない。その理由は、コロイダルシリカを用いた研磨液の問題点のうち研磨速度については、特定の酸化セリウム粒子を用いることで良い結果が得られつつあるが、高平坦化、酸化珪素と窒化珪素の研磨速度比及び傷の点で十分な特性を示す研磨液及び研磨方法がなかったためである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、安定した研磨速度で被研磨面を選択的に研磨することができ、高平坦化することが可能であるCMP研磨方法を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、酸化セリウム粒子、界面活性剤及び水を含有する液Aと、界面活性剤及び水を含有する液Bとを容器に仕込み、攪拌羽根を回転させて容器内で攪拌して得た混合液を研磨パッド上に供給して基板を研磨することを特徴とするCMP研磨方法に関する。また、本発明は、20分間以上容器内で攪拌を継続して混合液を得る前記のCMP研磨方法に関する。また、本発明は、容器の直径の1/5以上の直径を有する攪拌羽根を周速度毎分2000cm以上で回転させ攪拌する前記のCMP研磨方法に関する。
【0008】
【発明の実施の形態】
本発明における酸化セリウム粒子は、例えば、炭酸セリウム、硝酸セリウム、硫酸セリウム、しゅう酸セリウム等のセリウムの塩を焼成、過酸化水素等によって酸化することで作製できる。但し、これらの方法により製造された直後の酸化セリウム粒子は凝集しているため、機械的に粉砕することが好ましい。粉砕方法としては、ジェットミル等による乾式粉砕や遊星ビーズミル等による湿式粉砕方法が好ましい。
【0009】
本発明における液Aの酸化セリウム粒子の濃度は、0.5〜10重量%であることが好ましく、0.5重量%未満の場合は研磨速度が劣る傾向があり、10重量%を超える場合は酸化セリウム粒子の分散安定性が劣る傾向がある。
【0010】
本発明における界面活性剤としては、例えば、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤等が挙げられ、これら各々について低分子型のもの、高分子型(重量平均分子量:ゲルパーミエーションクロマトグラフで測定し、標準ポリスチレン換算した値が1,000〜100,000程度)のものがある。
【0011】
具体的には、アルフォオレフィンスルホン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキル硫酸エステル塩、アルキルエーテル硫酸エステル塩、メチルタウリン酸塩、アラニネート塩、スルホコハク酸塩、エーテルスルホン酸塩、エーテルカルボン酸、エーテルカルボン酸塩、アミノ酸塩、ポリカルボン酸型ポリマー、合成アルコール、天然アルコール、ポリオキシアルキレングリコール、脂肪酸エステル、アルキルアミン、アルキルアミド、アルキルアミンオキサイド、アミノ酸、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸のアンモニウム塩、コポリ(アクリル酸メチル・アクリル酸)のアンモニウム塩、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸のアンモニウム塩、コポリ(アクリル酸メチル・メタクリル酸)のアンモニウム塩等が挙げられる。
【0012】
液A及び液Bに添加する界面活性剤は、同じものを用いてもよいし、違うものを用いてもよく、また複数のものを同時に用いてもよいが、アニオン系またはノニオン系の高分子型の界面活性剤を用いることが好ましい。
【0013】
液Aの界面活性剤の濃度は、0.003〜0.3重量%とすることが好ましく、0.003重量%未満の場合は酸化セリウム粒子の水への分散性が劣る傾向があり、0.3重量%を超える場合は酸化セリウム粒子が凝集する傾向がある。液Bの界面活性剤の濃度は、0.5〜10重量%とされ、0.5重量%未満の場合は選択研磨性、高平坦化性(ディッシング、エロージョン等が少ないこと)が劣る傾向があり、10重量%を超える場合は、研磨速度が小さくなる傾向がある。
【0014】
本発明では、酸化セリウム粒子、界面活性剤及び水を含有する液Aと、界面活性剤及び水を含有する液Bとを容器に仕込み、攪拌羽根を回転させて容器内で攪拌して得た混合液(CMP研磨液)を研磨パッド上に供給して基板をCMP研磨する。
【0015】
得られる研磨液の耐沈降性、研磨速度安定性、高選択研磨性、高平坦化性等の観点から、20分間以上容器内で攪拌を継続して混合液を得ることが好ましい。また、同様の観点から、容器の直径の1/5以上の直径を有する攪拌羽根を周速度毎分2000cm以上で回転させ攪拌することが好ましい。
【0016】
容器及び攪拌羽根の材質及び形状に特に制限はないが、容器は攪拌羽根を出し入れできる広口のものが、また、攪拌羽根はスクリュータイプのものか高さ0.5mm以上の板を2枚以上取り付けたものが好ましい。
【0017】
本発明のCMP研磨方法により、種々の基板を研磨でき、例えば、半導体基板に形成された酸化珪素膜だけでなく、所定の配線を有する配線板に形成された酸化珪素膜、ガラス、窒化珪素等の無機絶縁膜、フォトマスク・レンズ・プリズムなどの光学ガラス、ITO等の無機導電膜、ガラス及び結晶質材料で構成される光集積回路・光スイッチング素子・光導波路、光ファイバーの端面、シンチレータ等の光学用単結晶、固体レーザ単結晶、青色レーザLED用サファイヤ基板、SiC、GaP、GaAS等の半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板、磁気ヘッド等を研磨することができる。
【0018】
【実施例】
次に、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0019】
実施例1
炭酸セリウム水和物2kgを白金製容器に入れ、850℃で2時間空気中で焼成することにより酸化セリウムを得た。酸化セリウム粉末が水に対して6重量%になるように脱イオン水を加え、アクリル酸とアクリル酸メチルを1:1で共重合した重量平均分子量10,000のコポリ(アクリル酸メチル・アクリル酸)のアンモニウム塩が酸化セリウム粉末に対して0.8重量%となるように混合し、横型湿式超微粒分散粉砕機を用いて1400min-1で120分間粉砕処理をした。得られた液を液Aとする。次に、重量平均分子量4、000のポリアクリル酸のアンモニウム塩が4重量%となるように水と混合し、液Bを得た。
【0020】
液Aを500g、液Bを1600g及び希釈水Cを400g、直径25cmの広口ポリ容器に仕込み、直径5cmのスクリューを周速度毎分4712cmで回転させて攪拌して得られる混合液を研磨パッド上に供給して8インチウエハ上の酸化珪素膜及び窒化珪素膜を荏原(株)製CMP研磨装置で研磨した(研磨荷重30kPa、定盤回転数50min-1、研磨剤供給量毎分200ml)。また、20μm角で高さが5000Åの凸部を100μm間隔で形成した酸化珪素膜を研磨し、凸部が研磨され終わったときの凸部と凸部の中間点のへこみ量(ディッシング量)を求めた。容器内での攪拌時間を変えて得られたそれぞれの混合液を使用して研磨した結果を表1及び表2に示す。
【0021】
【表1】
【0022】
【表2】
【0023】
混合時間20分未満では酸化珪素膜の研磨速度が早いため酸化珪素膜の窒化珪素膜に対する研磨速度比が高くなる傾向があるが、ばらつきが極めて大きく、研磨量を正確に制御することができない。混合時間が20分以上の場合、研磨速度及び研磨速度比は安定し、良好な平坦性が達成される。
【0024】
【発明の効果】
本発明に係るCMP研磨方法は、安定した研磨速度で被研磨面を選択的に研磨することができ、高平坦化することが可能なものである。
Claims (2)
- 酸化セリウム粒子、界面活性剤及び水を含有し前記界面活性剤の濃度が0.003〜0.3重量%である液Aと、界面活性剤及び水を含有し前記界面活性剤の濃度が0.5〜10重量%である液Bとを、容器に仕込み、攪拌羽根を回転させて容器内で20分間以上攪拌して混合液を得、続いて前記混合液を研磨パッド上に供給して基板を研磨することを特徴とするCMP研磨方法。
- 容器の直径の1/5以上の直径を有する攪拌羽根を周速度毎分2000cm以上で回転させ攪拌する請求項1記載のCMP研磨方法。
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