JP4438239B2 - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、炭化珪素(以下、SiCという)からなる半導体基板に不純物層を形成するSiC半導体装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、SiC上に任意のデバイスを作成するために、SiC基板上に、十分な不純物濃度と厚みで、かつ、欠陥等の損傷が少ない不純物領域を形成する技術が要望されており、このような不純物領域の形成技術として、特開平11−16840号公報に示される選択エピタキシャル成長法が挙げられる。
【0003】
この選択エピタキシャル成長法は、SiO2やレジストをマスクとした状態でエピタキシャル成長を行うことにより、SiO2やレジストに形成しておいた開口部にのみエピタキシャル膜を選択的に成長させるというものである。このような方法によれば、エピタキシャル成長によって所望箇所に不純物領域が形成できることから、上記要望を満たすことが可能となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術では、以下の問題点があることが確認された。まず第1に、従来公報では、選択エピタキシャル成長法のマスク材としてSiO2やレジストを用いることが示されているが、実際には、これらをマスク材として用いることができないという問題がある。すなわち、SiO2を選択エピタキシャル成長法のマスク材として用いると、エピタキシャル膜を成長させる際における成長温度が1600℃と高いことから、SiO2の軟化温度以上となって選択エピタキシャル成長が行えないし、レジストをマスク材として用いると、SiCと反応して表面に付着して除去できないのである。なお、レジストとSiCとの反応の問題は、レジストを焼結することによって回避することができるが、この場合には焼結させたレジストが不純物汚染の原因になるという問題を発生させる。
【0005】
第2に、従来公報では、SiCに溝を掘る際に使用するマスク材をそのまま選択エピタキシャル成長用のマスク材として用いることが示されているが、この方法でも実際にはデバイス用のプロセスに適用できないという問題がある。すなわち、SiCに溝を掘る際に使用するマスク材として、上述したSiO2やレジストを用いるとすれば、上記第1の問題が発生するし、それに加えて、レジストを用いた場合には、レジストのSiCに対する選択比が低いことから、深い溝が形成できないという問題を発生させる。
【0006】
第3に、従来公報に示されるような選択エピタキシャル成長法によると、図7、図8に示されるように、成長したエピタキシャル膜J1の表面に凹凸が形成されることが確認され、デバイスに適用した場合に特性の変動や悪化が発生することが予測される。また、図8に示すように、溝J2内にエピタキシャル膜J1を埋め込むようにすれば、基板J3の内部に不純物領域を形成できることになるが、デバイスを作成する工程を考慮すると、エピタキシャル膜J1の表面をフラットにできる方が好ましい。しなしながら、エピタキシャル成長の時間が長いとエピタキシャル膜J1がSiC表面から突出し、逆に短いとエピタキシャル膜J1がSiC表面から窪んでしまうため、平坦化を行う必要性があるが、従来公報には平坦化処理という考えそのものが無く、解決するための方法が必要であった。
【0007】
本発明は上記点に鑑みて成され、上記問題のいずれかを解決することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、炭化珪素層(2)を有する半導体基板(1)を用意する工程と、炭化珪素層の上にマスク材としてグラファイト層(3)を形成する工程と、グラファイト層の所望領域に開口部を形成すると共に、該グラファイト層をマスクとして用いた選択エピタキシャル成長を行うことにより、開口部に不純物領域(5)をエピタキシャル成長させる工程とを含んでいることを特徴としている。このように、マスク材としてグラファイト層を用いて選択エピタキシャル成長を行うことで、マスク材からの不純物汚染を無くすことができる。
【0009】
例えば、請求項2に示すように、グラファイト層の形成工程では、炭化珪素層の表層部に存在するSiを昇華させることによってグラファイト層を形成することができる。このように、マスク材を基板材料そのものから形成することができる。この場合、請求項3に示すように、Siの昇華を減圧雰囲気下で行うようにすれば、Siの蒸気圧が高くなって、よりグラファイト層を形成し易くすることができる。また、請求項4に示すように、Siの昇華を1500℃以上の温度下で行うようにすれば、Siでの昇華速度を高くすることができるため、容易に所望膜厚のグラファイト層を得ることができる。なお、請求項5に示すように、グラファイト層の形成工程では、炭化珪素層の上に、CVDによってグラファイト層をデポジションしてもよい。
【0010】
請求項6に記載の発明では、グラファイト層を平坦化ストッパとして用いて、不純物領域の表面の平坦化を行うことを特徴としている。このように、エピタキシャル成長の用いたマスクをそのまま平坦化マスクとして用いて不純物領域の平坦化を行うことができる。そして、このように、マスクを兼用することで、不純物領域の形成工程の簡略化を図ることができる。
【0011】
請求項7に記載の発明では、炭化珪素層(2)を有する半導体基板(1)を用意する工程と、炭化珪素層の上にマスク材としてGaN層(3′)を形成する工程と、GaN層の所望領域に開口部を形成すると共に、該GaN層をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、開口部およびGaN層の上に不純物領域(5)をエピタキシャル成長させる工程と、GaN層を平坦化ストッパとして用いて、不純物領域の表面の平坦化を行う工程とを含んでいることを特徴としている。このように、請求項1に示したグラファイト層に代えてGaN層を適用してもよい。この場合、エピタキシャル成長時に不純物領域がGaN層の上にも形成されることになるため、GaN膜を平坦化ストッパとして用いた平坦化工程を行うようにする。
【0012】
また、選択エピタキシャル成長ができるマスク材を用いることにより、成長層とマスク材とが接する部分も連続的に成長するため、不連続となる場合に発生する欠陥が抑制され、信頼性の高い膜が形成できる。
【0013】
請求項8に記載の発明では、炭化珪素層(2)を有する半導体基板(1)を用意する工程と、炭化珪素層の上に第1のマスク材(3、3′)を形成する工程と、第1のマスク材の上に第2のマスク材(6)を形成する工程と、第1、第2のマスク材の所望領域に開口部を形成する工程と、第2のマスク材をマスクとして用い、開口部を通じて炭化珪素層に溝(8)を形成する工程と、第2のマスク材を除去した後、第1のマスク材をマスクとして用いたエピタキシャル成長を行うことにより、溝内部に不純物領域(5)をエピタキシャル成長させる工程とを含んでいることを特徴としている。
【0014】
このように、溝形成用のマスクとして耐選択エッチング性に優れた第2のマスク材と、選択エピタキシャル成長に用いる第1のマスク材とを用いることにより、溝を十分深くすることが可能となる。
【0015】
例えば、請求項9に示すように、第2のマスク材として、炭化珪素に対する第2のマスク材の選択比が0.5以上のものを用いると良い。また、請求項10に示すように、第1のマスク材として、炭化珪素層と同等以下の不純物を含有している材料を用いると良い。具体的には、請求項11に示すように、第1のマスク材としてグラファイト層(3)を用い、第2のマスク材としてSiO2を用いることができる。
【0016】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【0017】
【発明の実施の形態】
(第1実施形態)
図1に、本発明の第1実施形態におけるSiC半導体装置の製造工程を示し、この図に基づきSiC半導体装置の製造方法について説明する。
【0018】
まず、図1(a)に示すように、主表面及び裏面を有するSiCからなるn+型基板1を用意すると共に、このn+型基板1の主表面側にn-型エピタキシャル層(以下、n-型エピ層という)2をエピタキシャル成長させる。続いて、図1(b)に示すように、n-型エピ層2の表面からSiを昇華させる。例えば、減圧雰囲気において、30分間、1500℃の温度で熱処理することで、n-型エピ層2の表面からSiを昇華させることができる。そして、この処理を終えると、n-型エピ層2の表層部にはSiCの炭素成分のみが残ったグラファイト層3が形成される。このように、グラファイト層3の形成を減圧雰囲気で行うことにより、Siの蒸気圧が高くなるため、よりグラファイト層3を形成し易くすることができると共に、1500℃以上の温度で加熱することにより、Siの昇華速度を高くすることができ、容易にグラファイト層3を所望の膜厚とすることができる。
【0019】
次に、図1(c)に示すように、グラファイト層3の上面にレジスト4を堆積させたのち、このレジスト4をマスクとした選択エッチングにより、グラファイト層3の所望領域を開口させる。そして、レジスト4を除去した後、グラファイト層3をマスクとして用いた選択エピタキシャル成長を行い、グラファイト層3の開口部分にSiCからなる不純物領域5を成長させる。その後、例えば、RIEやH2エッチングによってグラファイト層3を除去したり、グラファイト層3を酸化により除去したり、SC1によってグラファイト層3を除去することで、n-型エピ層2の上に、十分な不純物濃度と厚みで、かつ、欠陥等の損傷が少ない不純物領域5を形成した構成を得ることができる。なお、このような構成は、例えば不純物領域5をp型半導体とすることで、PNダイオードとして使用される。
【0020】
このように、グラファイト層3を選択エピタキシャル成長法におけるマスク材として用いる場合、SiC基板材料そのものによってグラファイト層3が形成されていることから、マスク材料からの不純物汚染という問題がなく、また、グラファイト層3の軟化温度がSiO2のように低くないため、エピタキシャル成長中にマスク材料が軟化してしまうという問題もない。
【0021】
(第2実施形態)
上記第1実施形態では、n-型エピ層2の表面からSiを昇華させることによって、グラファイト層3を形成したが、本実施形態では、CVD等によってグラファイト層3を形成する。図2に、本実施形態におけるSiC半導体装置の製造工程を示し、この図に基づき本実施形態のSiC半導体装置の製造方法について説明する。
【0022】
まず、図2(a)に示すように、n+型基板1の主表面上に、n-型エピ層2を成長させる。この工程は、図1(a)と同様である。そして、CVD法により、n-型エピ層2の表面にグラファイト層3をデポジションさせる。例えば、C3H8の雰囲気において、1600℃の温度とすることで、グラファイト層3をデポジションさせる。この後、図2(c)以降に示す第1実施形態の図1(d)〜(f)と同様の工程を行うことで、n-型エピ層2の上に不純物領域5が形成された構成を得ることができる。
【0023】
このように、グラファイト層3を第1実施形態と異なる方法によって形成した場合においても、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0024】
(第3実施形態)
図3、図4に、本発明の第3実施形態におけるSiC半導体装置の製造工程を示し、この図に基づきSiC半導体装置の製造方法について説明する。
【0025】
まず、図3(a)〜(c)に示す工程において、上記第1実施形態における図1(a)〜(c)と同様の工程を行い、n-型エピ層2の上に第1のマスク材となるグラファイト層3を形成する。
【0026】
続いて、図3(d)に示すように、グラファイト層3の上に第2のマスク材となるLTO膜6をデポジションする。そして、図4(a)に示すように、LTO膜6の上面にレジスト7を堆積させたのち、このレジスト7をマスクとした選択エッチングにより、LTO膜6およびグラファイト層3の所望領域を開口させる。そして、図4(b)に示すように、レジスト7を除去した後、LTO膜6をマスクとして用いたエッチング、例えばCF4+O2によるRIEを行うことで、n-型エピ層2に溝8を形成する。
【0027】
その後、LTO膜6を除去し、図4(c)に示すように、グラファイト層3をマスクとした選択エピタキシャル成長を行い、グラファイト層3の開口部分、すなわち溝8の内部にSiCからなる不純物領域5を成長させる。その後、例えば、RIE又は酸化、SC1、H2によってグラファイト層3を除去することで、溝8の内部に、十分な不純物濃度と厚みで、かつ、欠陥等の損傷が少ない不純物領域5を形成した構成を得ることができる。なお、このような構成は、例えば不純物領域5をp型半導体とすることで、PNダイオードとしたり、MOSデバイスの一部として使用される。
【0028】
このように、本実施形態では、選択エピタキシャル成長のマスク材として使用されるグラファイト層3の上に、LTO膜6を成膜しておくことにより、このLTO膜6をマスクとした溝8の形成と、グラファイト層3を用いた溝8の内部への選択エピタキシャル成長とを両立できるようにしている。
【0029】
そして、SiCに対するエッチング選択比が≧0.5以上となるLTO膜6をマスク材として用いて溝8を形成していることから、溝8の深さを十分深くすることが可能になり、また、選択エピタキシャル成長時にはSiO2で構成されるLTO膜6を除去してグラファイト層3をマスク材として用いていることから、第1実施形態と同様の効果を得ることも可能となる。
【0030】
なお、ここで説明したように、第1のマスク材としてはグラファイト層3のようなカーボン層を用い、第2のマスク材としてはLTO膜6のようなSiO2層を用いるのが好ましいが、これら以外であってもよい。ただし、第2のマスク材としては、溝8の深さを十分に深くするために、SiCに対する選択比が高いものを選ぶのが望ましく、また、第1のマスク材としては、不純物汚染を考慮して半導体材料以上の清浄な材料を選ぶのが望ましい。
【0031】
(第4実施形態)
本実施形態では、第3実施形態に加えて不純物領域5の平坦化工程を行う。なお、本実施形態におけるSiC半導体装置の製造工程は、第3実施形態とほぼ同様であるため、同様の部分については第3実施形態を参照し、異なる部分についてのみ説明する。
【0032】
図5に、本実施形態におけるSiC半導体装置の製造工程を示す。以下、図5および上記第3実施形態で示した図3、図4に基づき本実施形態におけるSiC半導体装置の製造方法について説明する。
【0033】
まず、第3実施形態に示す図3(a)〜(d)および図4(a)〜(c)に示す工程を行い、選択エピタキシャル成長による不純物領域5を形成する。そして、図5(a)に示すように、CMP(Chemical Mecanical Polish)研磨によって不純物領域5を平坦化する。このとき、CMPの砥粒として、例えば酸化クロムを用いる。そして、CMP研磨を進め、図5(b)に示すように、グラファイト層3の表面と同等の高さまで平坦化が進められると、グラファイト層3によって研磨レートが落ちるため、この時点でCMP研磨を止める。その後、図5(c)に示す工程において、第3実施形態の図4(d)と同様の工程にて、グラファイト層3を除去する。
【0034】
このように、グラファイト層3を平坦化の終点検出に用いることで、不純物領域5の表面の平坦化を行うことができる。そして、このように選択エピタキシャル成長用のマスクと平坦化ストッパ用マスクとを兼用することにより、SiC半導体装置の製造工程の簡略化を図ることができる。なお、図5(c)においては、グラファイト層3の厚み分、不純物領域5がn-型エピ層2から吐出した形状となっているが、グラファイト層3の厚み量を調整することにより、n-型エピ層2からの突出量を適宜制御することが可能である。
【0035】
(第5実施形態)
上記第4実施形態では、第1のマスク材の材料としてグラファイト層3を用いたが、これに代えてGaN層を用いるようにしても第4実施形態と同様の効果を得ることが可能である。この場合、図6(a)に示すように、選択エピタキシャル成長ではなく、GaN層3′の上にもエピタキシャル成長が行われて不純物領域5が形成されることになるが、図6(b)、(c)に示すように、不純物領域5をGaN層3′の上に存在する部分ごと平坦化すれば、GaN層3′が平坦化ストッパの役割を果たすことになる。
【0036】
また、選択エピタキシャル成長ができるマスク材を用いることにより、成長層とマスク材とが接する部分も連続的に成長するため、不連続となる場合に発生する欠陥が抑制され、信頼性の高い膜を形成できる。
【0037】
なお、このようにGaN層3′を用いる場合、GaN層3′の除去用のエッチングガスとして、CCl4、CCl2F2、もしくはBCl3を用いることで、SiCとの選択比を大きくとりつつGaN層3′の除去を行うことができる。
【0038】
(他の実施形態)
第5実施形態では、溝8を掘るタイプのSiC半導体装置において、マスク材料にGaN層3′を用いる場合を説明したが、第1、第2実施形態のように溝を掘らないようなタイプのSiC半導体装置においても、マスク材料にGaN層を用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態におけるSiC半導体装置の製造工程を示す図である。
【図2】本発明の第2実施形態におけるSiC半導体装置の製造工程を示す図である。
【図3】本発明の第3実施形態におけるSiC半導体装置の製造工程を示す図である。
【図4】図3に続くSiC半導体装置の製造工程を示す図である。
【図5】本発明の第4実施形態におけるSiC半導体装置の製造工程を示す図である。
【図6】本発明の第5実施形態におけるSiC半導体装置の製造工程を示す図である。
【図7】従来のSiC半導体装置の断面構成を示した図である。
【図8】従来のSiC半導体装置の断面構成を示した図である。
【符号の説明】
1…n+型基板、2…n-型エピ層、3…グラファイト層、4…レジスト、
5…不純物領域、6…LTO膜、7…レジスト、8…溝。
Claims (15)
- 炭化珪素層(2)を有する半導体基板(1)を用意する工程と、
前記炭化珪素層の上にマスク材としてグラファイト層(3)を形成する工程と、
前記グラファイト層の所望領域に開口部を形成すると共に、該グラファイト層をマスクとして用いた選択エピタキシャル成長を行うことにより、前記開口部に不純物領域(5)をエピタキシャル成長させる工程とを含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記グラファイト層の形成工程では、前記炭化珪素層の表層部に存在するSiを昇華させることによって前記グラファイト層を形成することを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記グラファイト層の形成工程では、前記Siの昇華を減圧雰囲気下で行うことを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記グラファイト層の形成工程では、前記Siの昇華を1500℃以上の温度下で行うことを特徴とする請求項2又は3に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記グラファイト層の形成工程では、前記炭化珪素層の上に、CVDによって前記グラファイト層をデポジションすることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記グラファイト層を平坦化ストッパとして用いて、前記不純物領域の表面の平坦化を行うことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 炭化珪素層(2)を有する半導体基板(1)を用意する工程と、
前記炭化珪素層の上にマスク材としてGaN層(3′)を形成する工程と、
前記GaN層の所望領域に開口部を形成すると共に、該GaN層をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、前記開口部および前記GaN層の上に不純物領域(5)をエピタキシャル成長させる工程と、
前記GaN層を平坦化ストッパとして用いて、前記不純物領域の表面の平坦化を行う工程とを含んでいることを特徴とするを炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 炭化珪素層(2)を有する半導体基板(1)を用意する工程と、
前記炭化珪素層の上に第1のマスク材(3、3′)を形成する工程と、
前記第1のマスク材の上に第2のマスク材(6)を形成する工程と、
前記第1、第2のマスク材の所望領域に開口部を形成する工程と、
前記第2のマスク材をマスクとして用い、前記開口部を通じて前記炭化珪素層に溝(8)を形成する工程と、
前記第2のマスク材を除去した後、前記第1のマスク材をマスクとして用いたエピタキシャル成長を行うことにより、前記溝内部に不純物領域(5)をエピタキシャル成長させる工程とを含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記第2のマスク材として、炭化珪素に対する前記第2のマスク材の選択比が0.5以上のものを用いることを特徴とする請求項8に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第1のマスク材として、前記炭化珪素層と同等以下の不純物を含有している材料を用いることを特徴とする請求項8又は9に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第1のマスク材としてグラファイト層(3)を用い、前記第2のマスク材としてSiO2を用いることを特徴とする請求項8に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第1のマスク材としてのグラファイト層の形成工程では、前記半導体層の表層部からSiを昇華させることによって前記グラファイト層を形成することを特徴とする請求項11に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第1のマスク材としてのグラファイト層の形成工程では、前記半導体層の上に、CVDによって前記グラファイト層をデポジションすることを特徴とする請求項11に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第1のマスク材として、表面にエピタキシャル成長膜が成膜されるGaN膜(3′)を用いることを特徴とする請求項8に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第1のマスク材を平坦化ストッパとして用い、前記不純物領域の表面を平坦化することを特徴とする請求項8乃至14のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001069190A JP4438239B2 (ja) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001069190A JP4438239B2 (ja) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002270512A JP2002270512A (ja) | 2002-09-20 |
JP4438239B2 true JP4438239B2 (ja) | 2010-03-24 |
Family
ID=18927256
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4438239B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7125786B2 (en) | 2000-04-11 | 2006-10-24 | Cree, Inc. | Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits |
US7892974B2 (en) | 2000-04-11 | 2011-02-22 | Cree, Inc. | Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits |
JP2008227432A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-09-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 窒化物化合物半導体素子およびその製造方法 |
-
2001
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---|---|
JP2002270512A (ja) | 2002-09-20 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091209 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091228 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130115 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130115 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140115 Year of fee payment: 4 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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