JP4428372B2 - パワーモジュールおよび空気調和機 - Google Patents
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Description
図1には、本実施の形態に係る空気調和機1の外観斜視図を示す。
空気調和機1の冷媒回路の構成を図2に示す。この冷媒回路は、主として室内熱交換器20、アキュムレータ31、圧縮機32、四路切換弁33、室外熱交換器30、および電動膨張弁34で構成される。
図3(a)には、本実施の形態に係るパワーモジュール5の縦断面図を示す。
ここでは、図5を用いて本発明の実施の形態に係るパワーモジュール5の製造方法について説明する。
(1)
本実施の形態に係るパワーモジュール5では、第1電子部品53aと第2電子部品53bとの両方が、ガラス繊維強化エポキシ樹脂から成る同一の実装基板51に実装されている。このため、このパワーモジュール5は、第1電子部品53a用の実装基板と第2電子部品53b用の実装基板とを分けて製造していた従来のパワーモジュールよりも低コストで製造されることができる。
本実施の形態に係るパワーモジュール5では、実装基板51の第1実装エリアの厚みが十分に薄く、第1電子部品53aが、ほぼ50℃の冷媒により有効に冷却される。このため、このパワーモジュール5は、第1電子部品53a実装用としてアルミニウム基板やセラミック基板などを採用していた従来のパワーモジュールよりも低コストで製造されることができる。また、このパワーモジュール5では、実装基板51がガラス繊維強化エポキシ樹脂から成るので、上記のような従来のパワーモジュールよりも加工性に優れる。また、このパワーモジュール5では、実装基板51がガラス繊維強化エポキシ樹脂から成るので、上記のような従来のパワーモジュールよりも第1電子部品53aの実装信頼性に優れる。
本実施の形態に係るパワーモジュール5では、第1電子部品53aと冷媒通路59との最短距離が、第2電子部品53bと冷媒通路59との最短距離よりも短い。このため、このパワーモジュール5では、第2電子部品53bから生じる熱よりもパワー半導体から生じる熱を効率的にパワーモジュール5の系外に排出することができる。
(A)
先の実施の形態に係るパワーモジュール5では、冷却ジャケット58が、実装基板51の電子部品53a,53bの実装面の反対側に、実装基板51の実装面と反対の面に接するように設けられており、さらにその冷却ジャケット58の内部に冷媒通路59が形成されていた。しかし、図6に示されるように、冷媒通路59Aが実装基板51Aの内部に形成されてもかまわない。このようにすれば、第1電子部品53aと冷媒通路59Aとの距離をさらに短くすることができる。
先の実施の形態に係るパワーモジュール5では、実装基板51の第1実装エリアの厚みが第2実装エリアの厚みよりも薄かったが、第1実装エリアの厚みが第2実装エリアの厚みと同じであってもかまわない。この場合、図4の表に示されるとおり、第1電子部品53aから生じる熱がパワーモジュール5から十分に排出されない懸念があるため、図7に示されるように、第1電子部品53aの周囲の実装基板51B内部にサーマルビア54Bを設けるのが好ましい。さらには、冷却ジャケット58と実装基板51Bとの間に接触伝熱層57Bを設けてもかまわない。また、さらに、第1電子部品53aと実装基板51Aとの間にヒートスプレッダを挿入してもかまわない。
先の実施の形態に係るパワーモジュール5では、冷凍サイクルの流れにより冷媒通路59に流入する冷媒の温度がほぼ決まっていた。しかし、第1電子部品53aの周辺に温度センサを設け、さらに冷媒通路59の出入口付近に膨張弁を設けて、第1電子部品53aの周辺温度を一定に保つように、冷媒の蒸発温度を制御してもよい。このようにすれば、より確実に第1電子部品を保護することができる。なお、かかる場合、冷媒通路59の出口を圧縮機32の吸入配管に接続するようにしてもよい。
先の実施の形態に係るパワーモジュール5では、実装基板51の第1実装エリアの厚みが100μm前後とされていたが、冷媒通路59に流入する温度によってはそれ以上の厚みであってもかまわない(図4参照)。また、これとは逆に実装基板51の第1実装エリアの厚みを100μm以下としてもかまわないが、この場合は、絶縁破壊強度に留意する必要がある。
先の実施の形態に係るパワーモジュール5では、実装基板51の原料としてエポキシ樹脂が採用されたが、絶縁性を有するセラミック粒子などを配合したエポキシ樹脂が採用されてもかまわない。このようすれば、実装基板の熱伝導率を向上することができ、さらに効率よく第1電子部品53aから生じる熱をパワーモジュール5の系外に排出することができる。
先の実施の形態に係るパワーモジュール5では、実装基板51として積層型樹脂基板が採用されたが、これに代えて、図8、図9、および図10に示されるような、両面にのみ導電体パターンが設けられている両面樹脂基板51C,51D,51Eが採用されてもよい。このようなパワーモジュール5C,5D,5Eでは、第1電子部品53aから生じる熱を冷媒通路59方向へ拡散させるために両面樹脂基板51C,51D,51Eの樹脂部にサーマルビア54Cを設けたり、樹脂部に熱伝導性フィラー54Dを分散させたり、樹脂部に熱伝導性シート54Eを挿入したりするのが好ましい。また、第1電子部品53aから生じる熱を実装面に沿って拡散させるヒートスプレッダ54を設ければ更に効果的である。また、かかる場合、両面樹脂基板51C,51D,51Eの絶縁性を確保するために両面樹脂基板51C,51D,51Eと冷却ジャケット58との間に電気絶縁層57C,57D,57Eを設けるのが好ましい。ただし、熱伝導性フィラー54Dや熱伝導性シート54Eがセラミック等であって電気絶縁性を有する場合、この電気絶縁層57C,57D,57Eは省くことができる。
先の実施の形態に係るパワーモジュール5では、実装基板51との接触面がフラットな形状の冷却ジャケット58が採用されたが、これに代えて、図11に示されるような段差付きの冷却ジャケット58Fが採用されてもよい。このようにすれば、第1電子部品53aなどの実装面の反対側の面にのみ冷却ジャケット58Fが接触し、他の部分では両面実装を行うことが可能となる。したがって、このようなパワーモジュール5Fでは、不必要な冷却(あるいは加熱)を防ぐことができると同時に更なるコンパクト化が可能となる。また、このようにすれば、実装面と反対側の面にリード線が出てしまうような場合でも対応可能となる。また、冷却ジャケット58Fと実装基板51Fとの間に電気絶縁層57Fを設けてもよい。
先の実施の形態に係るパワーモジュール5の製造方法では、ステップS1→ステップS2→ステップS3→ステップS4→ステップS5の順序で各処理が行われたが、この順序は入れ替えられてもよい。例えば、ステップS1→ステップS4→ステップS2→ステップS3→ステップS5の順序で各処理が行われてもよいし、ステップS1→ステップS2→ステップS4→ステップS3→ステップS5の順序で各処理が行われてもよいし、ステップS5→ステップS1→ステップS2→ステップS3→ステップS4の順序で各処理が行われてもよい。
先の実施の形態に係るパワーモジュール5では、実装基板51の原料としてエポキシ樹脂が採用されたが、これ以外の樹脂(例えば、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリイミド樹脂など)が採用されてもかまわない。
5F パワーモジュール
51F 実装基板(樹脂基板)
53a 第1電子部品(パワー半導体)
53b 第2電子部品(非パワー半導体)
57F 電気絶縁層
58F 冷却ジャケット
59 冷媒通路
Claims (12)
- 電力変換を行うための電源回路を構成するパワー半導体(53a)および非パワー半導体(53b)と、
前記パワー半導体と前記非パワー半導体との両者を実装する1枚の樹脂基板(51F)と、
第1板部と、前記樹脂基板のうち少なくとも前記パワー半導体の実装面の裏側面に接触するように前記第1板部の板厚方向に沿って前記第1板部よりも前記樹脂基板側に突出し内部に冷却流体通路(59)が設けられる第2板部とを有する冷却ジャケット(58F)とを備え、
前記パワー半導体と前記冷却流体通路との間の最短距離は、前記非パワー半導体と前記冷却流体通路との間の最短距離よりも短い、パワーモジュール(5F)。 - 前記冷却流体通路の出入口付近に設けられる膨張弁と、
前記パワー半導体またはその近傍の温度を検知する温度検知手段と、
前記温度検知手段において検知される温度が前記所定の温度になるように、前記膨張弁により前記冷却流体の温度を制御する温度制御手段と、
をさらに備える、請求項1に記載のパワーモジュール。 - 前記樹脂基板のうち前記パワー半導体を実装する部分の厚みは、前記非パワー半導体を実装する部分の厚みよりも薄い、
請求項1または2に記載のパワーモジュール。 - 前記樹脂基板は、板厚方向に積層される複数の積層単位体から構成されており、
前記パワー半導体を実装する部分の厚みおよび前記非パワー半導体を実装する部分の厚みは、前記積層単位体それぞれの形状により調節される、
請求項3に記載のパワーモジュール。 - 少なくとも前記パワー半導体から生じる熱を拡散させるための熱拡散部をさらに備える、
請求項1から4のいずれかに記載のパワーモジュール。 - 前記熱拡散部と前記冷却流体通路との間に配置される電気絶縁層(57F)をさらに備える、
請求項5に記載のパワーモジュール。 - 前記熱拡散部には、前記パワー半導体と前記樹脂基板の実装面との間に配置されるヒートスプレッダが含まれる、
請求項5または6に記載のパワーモジュール。 - 前記熱拡散部には、前記樹脂基板の板面に交差する方向に沿って前記樹脂基板の内部に設けられるサーマルビアが含まれる、
請求項5から7のいずれかに記載のパワーモジュール。 - 前記熱拡散部には、前記樹脂基板の樹脂部に分散配合される熱伝導性フィラーが含まれる、
請求項5から8のいずれかに記載のパワーモジュール。 - 前記熱拡散部には、前記樹脂基板の樹脂部に埋設される熱伝導性シートが含まれる、
請求項5または6に記載のパワーモジュール。 - 冷媒回路と、
電力変換を行うための電源回路を構成するパワー半導体(53a)および非パワー半導体(53b)と、前記パワー半導体と前記非パワー半導体との両者を実装する1枚の樹脂基板(51F)と、第1板部、および、前記樹脂基板のうち少なくとも前記パワー半導体の実装面の裏側面に接触するように前記第1板部の板厚方向に沿って前記第1板部よりも前記樹脂基板側に突出し内部に、前記冷媒回路に流れる冷媒を通過させるための冷却流体通路(59)が設けられる第2板部を有する冷却ジャケット(58F)とを有するパワーモジュール(5F)とを備え、
前記パワー半導体と前記冷却流体通路との間の最短距離は、前記非パワー半導体と前記冷却流体通路との間の最短距離よりも短い、空気調和機(1)。 - 前記冷却流体通路の出入口付近に設けられる膨張弁と、
前記パワー半導体またはその近傍の温度を検知する温度検知手段と、
前記温度検知手段において検知される温度が前記所定の温度になるように、前記膨張弁により前記冷却流体の温度を制御する温度制御手段と、
をさらに備える、請求項11に記載の空気調和機。
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