JP4427391B2 - 高圧放電ランプおよび高圧放電ランプの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 47
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 27
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 27
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 7
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 35
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 23
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 21
- 102100023621 4-hydroxyphenylpyruvate dioxygenase-like protein Human genes 0.000 description 19
- 101001048445 Homo sapiens 4-hydroxyphenylpyruvate dioxygenase-like protein Proteins 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 9
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 8
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 6
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 230000009970 fire resistant effect Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UAYWVJHJZHQCIE-UHFFFAOYSA-L zinc iodide Chemical compound I[Zn]I UAYWVJHJZHQCIE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- YZSCPLGKKMSBMV-UHFFFAOYSA-N 5-fluoro-4-(8-fluoro-4-propan-2-yl-2,3-dihydro-1,4-benzoxazin-6-yl)-N-[5-(1-methylpiperidin-4-yl)pyridin-2-yl]pyrimidin-2-amine Chemical compound FC=1C(=NC(=NC=1)NC1=NC=C(C=C1)C1CCN(CC1)C)C1=CC2=C(OCCN2C(C)C)C(=C1)F YZSCPLGKKMSBMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009412 basement excavation Methods 0.000 description 1
- 230000027455 binding Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DECCZIUVGMLHKQ-UHFFFAOYSA-N rhenium tungsten Chemical compound [W].[Re] DECCZIUVGMLHKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000009870 specific binding Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
energy)(eV)を有しており、この値を測定することで元素の定量および定性の測定が可能になる。なお、分子の場合、結合状態によってもこのエネルギー値は異なった値として測定される。
上記のようにXe封入圧と最高入力電力とが直線的な関係になるのは、蒸気圧の低い放電媒体のみであるから、始動後4秒後の時点ではXeの発光が圧倒的になっているからである。Xeの発光量は、その封入圧とその時の電力とで決まるので、Xe圧が低ければ、入力電力を多くすればよい。反対に、Xe圧が高ければ、入力電力を少なくすればよい。なお、本発明において、高圧放電ランプの点灯は、交流点灯および直流点灯のいずれであってもよい。
気密容器1a:石英ガラス製、球体長7mm、最大外径6mm、
最大内径2.4mm、内容積0.025cc
電極1b :直径0.40mmの純W線、電極間距離4.2mm、
Wの酸化層の深さ20nm、表面から深さ5nmにおける酸化率20CA%
放電媒体
金属ハロゲン化物:ScI3−NaI−ZnI2=0.3mg
希ガス :キセノンXe10気圧
外管OT :外径9mm、内径7mm、内部雰囲気;大気圧(大気)
点灯直後投入電力:85W
点灯直後投入電流:2.8A
安定時ランプ電圧:42V
安定時ランプ電力:35W
次に、本発明の高圧放電ランプの製造方法を実施するための第1の形態としての第2の工程における電極素材の実施例1の還元処理結果について表1を参照して比較例とともに説明する。なお、表中「WxOy」はWの酸化物を示す。試料No.1、2は比較例である。分析結果は、いずれも電極素材の表面から深さ5nmにおけるものである。
No. 試料の種類 還元処理条件 分析結果:W(AC%)、WxOy(AC%)
1 未処理品 − 22 88
2 還元処理品 H2雰囲気中,1350℃,1h 68 32
3 還元処理品 H2雰囲気中,1430℃,1h 75 25
4 還元処理品 H2雰囲気中,1600℃,1h 80 20
表1から理解できるように、第1の形態における試料3および4に示すように、本発明によれば、WxOy(AC%)が30以下の電極を得られることを示している。
No. 試料の種類 光束維持率(%)
1 未処理品 83
2 還元処理品 85
3 還元処理品 88
4 還元処理品 91
表2から理解できるように、本発明の試料3、4によれば、光束維持率が比較例より明らかに優れている。
No. 試料の種類 還元処理条件 酸化層厚(nm)
A 比較例 − 50
B 実施例 H2雰囲気中,1600℃,1h 20
C 比較例 大気炉, 600℃, 1min 200
次に、上記第2の形態および比較例の電極を用いて片側(1`st)封止を行い、黒化発生状態を調査した。なお、調査方法として、黒化発生状態は目視により、またW付着量(AC%)は気密容器内表面の黒化部をXPSにて測定した。その結果を表4に示す。なお、試料No.は、表3における同一試料No.の試料を用いて封止した試料であることを示している。
No. 試料の種類 黒化発生状態 W付着量(AC%)
A 比較例 小 5
B 実施例 なし <0.1(検出限界以下)
C 比較例 大 90
以上の結果から、封止時に発生する黒化は、Wの酸化層による影響が大きいことが分かる。また、電極還元処理によって酸化層の深さを20nm以下にすることにより、黒化の抑制に顕著な効果のあることが分かる。
No. 試料の種類 全光束(lm)
A 比較例 2650
B 実施例 2750
本発明の第2の形態によれば、封止時などのランプ製造時に発生する気密容器内面における初期黒化を抑制して、初期全光束の低下および寿命中における気密容器の膨らみや破裂などの不具合発生防止に効果のあることが分かる。
Claims (3)
- 耐火性で透光性の気密容器と;
タングステン(W)を主成分として気密容器の内部に離間対向して封装され、前記気密容器の放電空間内に露出している先端部を除いた中間部の表面からWの酸化率が20AC%未満となる地点までの酸化層の深さが20nm以下の一対の電極と;
気密容器の放電空間内に封入された放電媒体と;
を具備していることを特徴とする高圧放電ランプ。 - 耐火性で透光性の気密容器と;
タングステン(W)を主成分として気密容器の内部に離間対向して封装され、前記気密容器の放電空間内に露出している先端部を除いた中間部の表面から深さ5nmにおけるWの酸化率が30AC%以下の一対の電極と;
気密容器の放電空間内に封入された放電媒体と;
を具備していることを特徴とする高圧放電ランプ。 - 耐火性で透光性の気密容器を準備する第1の工程と;
タングステン(W)を主成分として気密容器の内部に離間対向して封装され、前記気密容器の放電空間内に露出している先端部を除いた中間部の表面からWの酸化率が20AC%未満となる地点までの酸化層の深さが20nm以下の一対の電極を準備する第2の工程と;
第1の工程によって準備した一対の電極を気密容器の内部に離間対向して封装して気密容器の内部に放電空間を形成する第3の工程と;
気密容器の放電空間内に放電媒体を封入する第4の工程と;
を具備していることを特徴とする高圧放電ランプの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004180764A JP4427391B2 (ja) | 2003-09-24 | 2004-06-18 | 高圧放電ランプおよび高圧放電ランプの製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003331435 | 2003-09-24 | ||
JP2004180764A JP4427391B2 (ja) | 2003-09-24 | 2004-06-18 | 高圧放電ランプおよび高圧放電ランプの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005123161A JP2005123161A (ja) | 2005-05-12 |
JP4427391B2 true JP4427391B2 (ja) | 2010-03-03 |
Family
ID=34621923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004180764A Expired - Lifetime JP4427391B2 (ja) | 2003-09-24 | 2004-06-18 | 高圧放電ランプおよび高圧放電ランプの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4427391B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5288303B2 (ja) * | 2006-06-08 | 2013-09-11 | 東芝ライテック株式会社 | メタルハライドランプ、メタルハライドランプ装置 |
DE102010043463A1 (de) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | Osram Ag | Verfahren zum Herstellen einer Elektrode für eine Hochdruckentladungslampe und Hochdruckentladungslampe mit mindestens einer derart hergestellten Elektrode |
-
2004
- 2004-06-18 JP JP2004180764A patent/JP4427391B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005123161A (ja) | 2005-05-12 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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